JP2011023623A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011023623A JP2011023623A JP2009168563A JP2009168563A JP2011023623A JP 2011023623 A JP2011023623 A JP 2011023623A JP 2009168563 A JP2009168563 A JP 2009168563A JP 2009168563 A JP2009168563 A JP 2009168563A JP 2011023623 A JP2011023623 A JP 2011023623A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode layer
- film
- layer
- substrate
- semiconductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
【課題】スクライブ処理における各層の損傷を防ぎ、信頼性の高い太陽電池を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成された第1電極層と、前記第1電極層上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成された第2電極層と、を有する太陽電池の製造方法であって、前記基板上に前記第1電極層を形成する第1電極層形成工程と、前記第1電極層の一部を前記基板に至る部分まで除去して、前記第1電極層を分割する第1電極層分割工程と、を含み、前記第1電極層形成工程の前に、前記第1電極層の一部が除去される部分に対応する前記基板の表面部分に成膜して、前記表面部分が平坦となる第1平坦化膜を形成する第1平坦化膜形成工程を有し、前記第1電極層分割工程では、前記第1電極層の一部とともに、前記第1平坦化膜を除去する。
【選択図】図2
【解決手段】基板と、前記基板上に形成された第1電極層と、前記第1電極層上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成された第2電極層と、を有する太陽電池の製造方法であって、前記基板上に前記第1電極層を形成する第1電極層形成工程と、前記第1電極層の一部を前記基板に至る部分まで除去して、前記第1電極層を分割する第1電極層分割工程と、を含み、前記第1電極層形成工程の前に、前記第1電極層の一部が除去される部分に対応する前記基板の表面部分に成膜して、前記表面部分が平坦となる第1平坦化膜を形成する第1平坦化膜形成工程を有し、前記第1電極層分割工程では、前記第1電極層の一部とともに、前記第1平坦化膜を除去する。
【選択図】図2
Description
本発明は、太陽電池の製造方法に関する。
太陽電池は、光エネルギーを電気エネルギーに変換するものであり、使用される半導体によって様々な種類の構成が提案されている。近年では、製造工程が簡単で、高い変換効率が期待できるCIGS型の太陽電池が注目されている。CIGS型の太陽電池は、例えば、基板上に形成された第1電極膜と、第1電極膜上に形成された化合物半導体(銅−インジウム−ガリウム−セレン化合物)層を含む薄膜と、当該薄膜上に形成された第2電極膜と、で構成されている。そして、薄膜の一部が除去された溝内に第2電極膜が形成されており、第1電極膜と第2電極膜とが電気的に接続されている。(例えば、特許文献1参照)。
上記の太陽電池では、基板上に積層された第1電極膜等の各膜の一部を除去してセル毎に分割している。この分割処理方法では、例えば、図5(a)に示すように、金属針60等が用いられている。そして、基板70上に形成された膜71の一部を除去するため、図5(b)に示すように、金属針60を除去しようとする膜71に押し当てながら、罫描くことにより、当該膜71の一部を除去している。しかしながら、金属針60による分割処理(スクライブ処理)において、基板70に凹凸部70aがある場合には、金属針60を基板70の凹凸部70aに押し当てた際に、基板70の表面部分に対して金属針60が均等に当接しないため、凹凸部70aのいずれかの個所に応力が集中し、これにより、基板70にクラック80等が発生してしまう、という課題があった。なお、このような課題は、スクライブ処理に金属針60を用いる場合の他、レーザー光を用いた場合であっても、スクライブの強弱の調整が難しいため、上記同様に、基板70に損傷等を与えてしまう、という課題がある。
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
[適用例1]本適用例にかかる太陽電池の製造方法は、基板と、第1電極層と、半導体層と、第2電極層を有する太陽電池の製造方法であって、前記基板上に前記第1電極層を形成する第1電極層形成工程と、前記第1電極層の一部を前記基板に至る部分まで除去して、前記第1電極層を分割する第1電極層分割工程と、を含み、前記第1電極層形成工程の前に、前記第1電極層の一部が除去される部分に対応する前記基板の表面部分に成膜して、前記表面部分を平坦化する第1平坦化膜を形成する第1平坦化膜形成工程を有し、前記第1電極層分割工程では、前記第1電極層の一部とともに、前記第1平坦化膜の一部を除去することを特徴とする。
この構成によれば、基板上に第1平坦化膜が形成される。当該第1平坦化膜は、第1電極層分割工程によって、第1電極層の一部が除去(スクライブ処理)される部分に対応した基板の表面部分に成膜され、当該表面部分が平坦化するように形成される。すなわち、基板の表面に凹凸部等があっても、第1平坦化膜により、基板の表面が平坦化される。従って、第1電極層の下部材としての基板の表面部分に第1平坦化膜を形成することにより、例えば、金属針等により第1電極層の一部を除去しようとする際、金属針を第1平坦化膜に均等に当接させることができる。すなわち、いずれかの個所に応力集中することなく、第1平坦化膜に対して均等に押圧がかかるので、第1電極層の分割時における基板へのダメージを低減することができる。
[適用例2]本適用例にかかる太陽電池の製造方法は、基板と、第1電極層と、半導体層と、第2電極層を有する太陽電池の製造方法であって、前記基板上に前記第1電極層を形成する第1電極層形成工程と、前記第1電極層上に前記半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層の一部を前記第1電極層に至る部分まで除去して、前記半導体層を分割する半導体層分割工程と、を含み、前記半導体層形成工程の前に、前記半導体層の一部が除去される部分に対応する前記第1電極層の表面部分に成膜して、前記表面部分を平坦化する第2平坦化膜を形成する第2平坦化膜形成工程を有し、前記半導体層分割工程では、前記半導体層の一部とともに、前記第2平坦化膜の一部を除去することを特徴とする。
この構成によれば、第1電極層上には、第1電極層の表面部分を平坦に成膜した第2平坦化膜が形成される。すなわち、例えば、光閉じ込め効果等のために、第1電極層の表面に凹凸部等を有していても、凹凸上に第2平坦化膜を形成することにより、当該凹凸上が平坦化される。そして、半導体層の一部とともに第2平坦化膜を除去(スクライブ処理)する。このとき、例えば、金属針等により半導体層の一部を除去しようとする際、金属針を第2平坦化膜に均等に当接させることができる。すなわち、いずれかの個所に応力集中することなく、第2平坦化膜に対して均等に押圧がかかるので、半導体層の分割時における第1電極層のダメージを低減することができる。
[適用例3]本適用例にかかる太陽電池の製造方法は、基板と、第1電極層と、半導体層と、第2電極層を有する太陽電池の製造方法であって、前記基板上に前記第1電極層を形成する第1電極層形成工程と、前記第1電極層上に前記半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層上に前記第2電極層を形成する第2電極層形成工程と、前記第2電極層の一部を前記第1電極層に至る部分まで除去して、前記第2電極層を分割する第2電極層分割工程と、を含み、前記第2電極層形成工程の前に、前記第2電極層の一部が除去される部分に対応する前記第1電極層の表面部分に成膜して、前記表面部分を平坦化する第3平坦化膜を形成する第3平坦化膜形成工程を有し、前記第2電極層分割工程では、前記第2電極層の一部とともに、前記第3平坦化膜の一部を除去することを特徴とする。
この構成によれば、第1電極層上には、第1電極層の表面部分を平坦に成膜した第3平坦化膜が形成される。すなわち、例えば、光閉じ込め効果等のために、第1電極層の表面に凹凸部等を有していても、凹凸上に第3平坦化膜を形成することにより、当該凹凸上が平坦化される。そして、第2電極層の一部とともに第3平坦化膜を除去(スクライブ処理)する。このとき、例えば、金属針等により第2電極層の一部を除去しようとする際、金属針を第3平坦化膜に均等に当接させることができる。すなわち、いずれかの個所に応力集中することなく、第3平坦化膜に対して均等に押圧がかかるので、第2電極層の分割時における第1電極層のダメージを低減することができる。
[適用例4]上記適用例にかかる太陽電池の製造方法の前記第1または第3平坦化膜形成工程では、絶縁性材料を用いて前記第1または第3平坦化膜を形成することを特徴とする。
この構成によれば、例えば、スクライブ処理において、第1または第3平坦化膜の除去が不十分であったとしても、第1または第3平坦化膜は絶縁性を有しているので、第1電極層間の絶縁を確保することができる。
[適用例5]上記適用例にかかる太陽電池の製造方法の前記第2平坦化膜形成工程では、導電性材料を用いて前記第2平坦化膜を形成することを特徴とする。
この構成によれば、例えば、スクライブ処理において、平坦化膜の除去が不十分であったとしても、平坦化膜は導電性を有しているので、第1電極層と第2電極層間の導電性、及びセル間に形成された第1電極層の導電性を確保することができる。
[適用例6]上記適用例にかかる太陽電池の製造方法の前記第1〜第3平坦化膜形成工程では、前記第1〜第3平坦化膜が形成される下部材に密着させた前記第1〜第3平坦化膜を形成することを特徴とする。
この構成によれば、平坦化膜とその下地層との間には、隙間無く、平坦化膜と下部材の界面は密着した状態となる。従って、例えば、金属針が平坦化膜に当接した際、圧力が均等に下部材に伝わるため、下地層へのダメージを低減することができる。
以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材ごとに縮小を異ならせて図示している。
(太陽電池の構成)
まず、太陽電池の構成について説明する。なお、本実施形態では、CIGS型の太陽電池の構成について説明する。図1は、本実施形態にかかる太陽電池の構成を示す断面図である。
まず、太陽電池の構成について説明する。なお、本実施形態では、CIGS型の太陽電池の構成について説明する。図1は、本実施形態にかかる太陽電池の構成を示す断面図である。
図1に示すように、太陽電池1は、基板10と、基板10上に形成された下地層11と、下地層11上に形成された第1電極層12と、第1電極層12上に形成された半導体層13と、半導体層13上に形成された第2電極層14を有するセル40の集合体で構成されている。
第1電極層12は、第1分割溝31によってセル40単位で分割され、隣接するセル40間を跨ぐように形成されている。半導体層13は、第2分割溝32によってセル40単位で分割さている。第2電極層14は、第3分割溝33によって分割されている。そして、第2電極層14は、第1電極層12に至る第2分割溝32内にも形成され、各セル40の第2電極層14が、隣接する他のセル40の第1電極層12と電気的に接続されることによって、各セル40が直列接続される。このように、直列接続されたセル40の数を適宜設定することにより、太陽電池1における所望の電圧を任意に設計変更することが可能となる。
基板10は、少なくとも第1電極層12側の表面が絶縁性を有した基板である。具体的には、例えば、ガラス(青板ガラス等)基板、ステンレス基板、ポリイミド基板、カーボン基板等を用いることができる。なお、本実施形態では、基板10の表面に凹凸部10aを有している。凹凸部10aは、表面粗さ0.5μm以上の凹凸状を有し、例えば、角錐形状、三角溝形状、矩形溝形状、ドット形状、メッシュ形状等、或いはこれらの形状を組み合わせて形成される。なお、各凹凸部10aの寸法や配置等は均一に設けてもよいし、基板10の表面にランダムに設けてもよい。当該凹凸部10aを設けることにより、太陽電池1に入射した光が凹凸部10aで散乱し、散乱した光を半導体層13で吸収させることができる。これにより、太陽電池1の変換効率を向上させることができる。
下地層11は、基板10上に形成された絶縁性を有する層であり、例えば、SiO2(酸化珪素)を主成分とする絶縁層やフッ化鉄層を設けることができる。当該下地層11は、絶縁性を有するとともに、基板10と基板10上に形成された第1電極層12との密着性を確保する機能も有している。また、基板10の表面の凹凸部10aに倣って、下地層11には、凹凸部11aが形成される。なお、基板10自体に上記特性を有している場合には、下地層11を省略することもできる。
第1電極層12は、下地層11上に形成された導電性を有する層であり、例えば、モリブデン(Mo)を用いることができる。なお、本実施形態では、さらに、第1電極層12は、凹凸部12aを備えている。本実施形態では、第1電極層12の半導体層13方向の表面に、多数の微細な凹凸部12aを有している。凹凸部12aは、表面粗さ0.5μm以上の凹凸状を有し、例えば、角錐形状、三角溝形状、矩形溝形状、ドット形状、メッシュ形状等、或いはこれらの形状を組み合わせて形成される。なお、各凹凸部12aの寸法や配置等は均一に設けてもよいし、第1電極層12の表面にランダムに設けてもよい。当該凹凸部12aを設けることにより、太陽電池1に入射した光が凹凸部12aで散乱し、散乱した光を半導体層13で吸収させることができる。これにより、太陽電池1の変換効率を向上させることができる。
半導体層13は、第1半導体層13aと第2半導体層13bとで構成されている。第1半導体層13aは、第1電極層12上に形成され、銅(Cu)・インジウム(In)・ガリウム(Ga)・セレン(Se)を含むp型半導体層(CIGS半導体層)である。
第2半導体層13bは、第1半導体層13a上に形成され、硫化カドミウム(CdS)、酸化亜鉛(ZnO)、硫化インジウム(InS)等のn型半導体層である。
第2電極層14は、第2半導体層13b上に形成された透明性を有する電極層であり、例えば、ZnOAl等の透明電極体(TCO:Transparent Conducting Oxides)、AZO等である。
上記のように構成されたCIGS型の太陽電池1に、太陽光等の光が入射されると、半導体層13内で電子(−)と正孔(+)の対が発生し、電子(−)と正孔(+)は、p型半導体(第1半導体層13a)とn型半導体(第2半導体層13b)との接合面で、電子(−)がn型半導体に集まり、正孔(+)がp型半導体に集まる。その結果、n型半導体とp型半導体との間に起電力が発生する。この状態で、第1電極層12と第2電極層14に外部導電線を接続することにより、電流を外部に取り出すことができる。
(太陽電池の製造方法)
次に、太陽電池の製造方法について説明する。なお、本実施形態では、CIGS型の太陽電池の製造方法について説明する。図2及び図3は、本実施形態にかかる太陽電池の製造方法を示す工程図である。
次に、太陽電池の製造方法について説明する。なお、本実施形態では、CIGS型の太陽電池の製造方法について説明する。図2及び図3は、本実施形態にかかる太陽電池の製造方法を示す工程図である。
図2(a)の下地層形成工程では、基板10上に下地層11を形成する。具体的には、ステンレスの基板10の一方面にフッ化鉄からなる下地層11を形成する。フッ化鉄からなる下地層11は、熱処理によって、ステンレスの基板10とフッ素ガスを反応させることにより形成することができる。また、本実施形態では、表面に凹凸部10aを有する基板10を用いる。凹凸部10aは、例えば、化学処理やメカニカル処理によって形成することができる。そして、下地層11は、基板10の凹凸部10a上に形成されるため、基板10の凹凸部10aに倣って、凹凸部11aを有する下地層11が形成される。なお、基板10自体に上記下地層効果を有している場合には、下地層形成工程を省略することができる。
図2(b)の第1平坦化膜形成工程では、第1電極層12の一部が除去される部分(第1分割溝31)に対応する下地層11の表面部分に成膜して、当該表面部分が平坦化する第1平坦化膜51を形成する。第1平坦化膜51は、絶縁性材料を用いて形成される。例えば、ポリシロキサン等のSiとOを主成分とする絶縁性材料を用いることができる。また、図4(a)に示すように、下部材としての下地層11の凹凸部11aとの間に隙間等がないように、下地層11に密着させた第1平坦化膜51を形成する。具体的には、第1平坦化膜51となる絶縁材料を含む液体材料を、印刷法やインクジェット法等を用いて、下地層11上に塗布し、塗布された液体材料を焼成して固化することにより、頂部面が平坦な第1平坦化膜51を形成する。
図2(c)の第1電極層形成工程では、下地層11上及び第1平坦化膜51上に第1電極層12を形成する。具体的には、スパッタ法によって第1電極層12となるモリブデン(Mo)層を形成する。さらに、第1電極層形成工程では、半導体層13側に凹凸部12aを有する第1電極層12を形成する。光閉じ込め効果を向上させ、さらに変換効率を高めるためである。凹凸部12aは、表面粗さ0.5μm以上を有し、例えば、角錐形状、三角溝形状、矩形溝形状、ドット形状、メッシュ形状等、或いはこれらの組み合わせた形状に形成される。なお、各凹凸部12aの寸法や配置等は均一に形成してもよいし、第1電極層12の表面にランダムに形成してもよい。また、一旦、表面が平坦な第1電極層12を形成した後に、化学処理やメカニカル処理により凹凸部12aを形成してもよい。
図2(d)の第1電極層分割工程では、第1電極層12の一部を金属針やレーザー光照射等によって除去し、第1電極層12をセル40単位に分割する。例えば、図4(a),(b)に示すように、金属針60と第1電極層12の除去位置(第1平坦化膜51)との位置合せを行った後、金属針60を第1電極層12方向に移動させ、金属針60の先端が、下地層11に至る部分に達するまで、金属針60を押圧する。そして、金属針60を下地層11の面に倣って移動させ、第1電極層12の一部とともに、第1平坦化膜51を削り取る。この場合、金属針60が第1電極層12内を移動し、第1平坦化膜51に当接したとき、金属針60が第1平坦化膜51に対して均等に当接する。すなわち、金属針60の押圧が第1平坦化膜51に対して均等にかかる。これにより、第1平坦化膜51の下部材の下地層11や基板10に対する損傷を防止することができる。このように、第1平坦化膜51は、第1平坦化膜51の下部材の下地層11や基板10を保護する機能を有しており、第1平坦化膜51は、下部材(下地層11、基板10)を保護する保護膜、或いはバリア膜と言うこともできる。なお、上記のように、金属針60を用いて第1電極層12が除去された部分には、第1分割溝31が形成される。そして、第1電極層分割工程の後に、必要に応じて、例えば、バッファードフッ酸等の洗浄液を用いて、第1分割溝31領域を洗浄する。これにより、第1電極層12を分割した際に残った第1平坦化膜51を除去することができる。
図2(e)の第2平坦化膜形成工程では、半導体層13の一部が除去される部分(第2分割溝32)に対応する第1電極層12の表面部分に成膜して、当該表面部分を平坦化する第2平坦化膜52を形成する。すなわち、第1電極層12の表面に凹凸部12aを有しているため、当該凹凸部12a上に成膜して、第1電極層12の凹凸部12aの部分が平坦となる第2平坦化膜52を形成する。当該第2平坦化膜52は、導電性材料を用いて形成される。例えば、銅や銀を主成分とする導電性材料を用いることができる。また、第1電極層12の凹凸部12aとの間に隙間等がないように、第1電極層12に密着させた第2平坦化膜52を形成する。具体的には、第2平坦化膜52となる導電性材料を含む液体材料を、印刷法やインクジェット法等を用いて、第1電極層12上に塗布し、塗布された液体材料を焼成して固化することにより、頂部面が平坦な第2平坦化膜52を形成する。
同図(e)に示す第3平坦化膜形成工程では、第2電極層14の一部が除去される部分(第3分割溝33)に対応する第1電極層12の表面部分に成膜して、当該表面部分を平坦化する第3平坦化膜53を形成する。すなわち、第1電極層12の表面に凹凸部12aを有しているため、当該凹凸部12a上に成膜して、第1電極層12の凹凸部12aの部分が平坦となる第3平坦化膜53を形成する。当該第3平坦化膜53は、絶縁性材料を用いて形成される。例えば、ポリシロキサン等のSiとOを主成分とする絶縁性材料を用いることができる。また、第1電極層12の凹凸部12aとの間に隙間等がないように、第1電極層12に密着させた第3平坦化膜53を形成する。具体的には、第3平坦化膜53となる絶縁性材料を含む液体材料を、印刷法やインクジェット法等を用いて、第1電極層12上に塗布し、塗布された液体材料を焼成して固化することにより頂部面が平坦な第3平坦化膜53を形成する。
次に、半導体層形成工程について説明する。半導体層形成工程は、第1半導体形成工程と、第2半導体形成工程とで行われる。図2(f)の第1半導体層形成工程では、まず、第1電極層12上、第1分割溝31内、第2平坦化膜52上及び第3平坦化膜53上に、銅(Cu)、インジウム(In)およびガリウム(Ga)をスパッタ法等で付着させ、プリカーサーを形成する。そして、当該プリカーサーをセレン化水素雰囲気で加熱(セレン化)して、第1半導体層13a(p型半導体層(CIGS))を形成する。
図3(g)の第2半導体層形成工程では、第1半導体層13a上にCdS、ZnOやInS等により第2半導体層13b(n型半導体層)を形成する。第2半導体層13bは、スパッタ法等によって形成することができる。
図3(h)の半導体層分割工程では、半導体層13の一部を金属針やレーザー光照射等によって除去し、半導体層13をセル40単位に分割する。例えば、金属針60と半導体層13の除去位置(第2平坦化膜52)との位置合せを行った後、金属針60を半導体層13方向に移動させ、金属針60の先端が、第1電極層12に至る部分に達するまで、金属針60を押圧する。そして、金属針60を第1電極層12の面に倣って移動させ、半導体層13の一部とともに、第2平坦化膜52を削り取る。この場合、金属針60が半導体層13内を移動し、第2平坦化膜52に当接したとき、金属針60が第2平坦化膜52に対して均等に当接する。すなわち、金属針60の押圧が第2平坦化膜52に対して均等にかかる。これにより、第2平坦化膜52の下部材の第1電極層12に対する損傷を防止することができる。このように、第2平坦化膜52は、第2平坦化膜52の下部材の第1電極層12を保護する機能を有しており、第2平坦化膜52は、下部材を保護する保護膜、或いはバリア膜と言うこともできる。なお、上記のように、金属針60を用いて半導体層13が除去された部分には、第2分割溝32が形成される。そして、半導体層分割工程の後に、必要に応じて、例えば、バッファードフッ酸等の洗浄液を用いて、第2分割溝32領域を洗浄する。これにより、半導体層13を分割した際に残った第2平坦化膜52を除去することができる。
図3(i)の第2電極層形成工程では、半導体層13及び第2分割溝32内に第2電極層14を形成する。例えば、第2電極層となるZnOAl等の透明電極(TCO)をスパッタ法等で形成する。
図3(j)の第2電極層分割工程では、第2電極層14の一部を金属針やレーザー光照射等によって除去し、第2電極層14をセル40単位に分割する。例えば、金属針60と第2電極層14の除去部分(第3平坦化膜53)との位置合せを行った後、金属針60を第2電極層14方向に移動させ、金属針60の先端が、第1電極層12に至る部分に達するまで、金属針60を押圧する。そして、金属針60を第1電極層12の面に倣って移動させ、第2電極層14の一部とともに、半導体層13の一部および第3平坦化膜53を削り取る。この場合、金属針60が第2電極層14及び半導体層13内を移動し、第3平坦化膜53に当接したとき、金属針60が第3平坦化膜53に対して均等に当接する。すなわち、金属針60の押圧が第3平坦化膜53に対して均等にかかる。これにより、第3平坦化膜53の下部材の第1電極層12に対する損傷を防止することができる。このように、第3平坦化膜53は、第3平坦化膜53の下部材の第1電極層12を保護する機能を有しており、第3平坦化膜53は、下部材を保護する保護膜、或いはバリア膜と言うこともできる。なお、上記のように、金属針60を用いて第2電極層14及び半導体層13が除去された部分には、第3分割溝33が形成される。そして、第2電極層分割工程の後に、必要に応じて、例えば、バッファードフッ酸等の洗浄液を用いて、第3分割溝33領域を洗浄する。これにより、第2電極層14の分割した際に残った第3平坦化膜53を除去することができる。
上記の工程を経ることにより、複数のセル40が直列接続されたCIGS型の太陽電池1が形成される。
従って、上記の実施形態によれば、以下に示す効果がある。
(1)下地層11上に第1平坦化膜51を形成し、下地層11上及び第1平坦化膜51上に第1電極層12を形成した。第1平坦化膜51の頂部面は平坦であるとともに、第1平坦化膜51の下部材である下地層11との間に隙間がないよう密着して成膜される。そして、金属針60を用いて、第1電極層12の一部を除去するとき、金属針60は下地層11の表面部分を平坦化した第1平坦化膜51に当接するので、金属針60の押圧が第1平坦化膜51に均等にかかる。従って、第1電極層12の分割時における第1平坦化膜51の下部材の下地層11や基板10に対する損傷を防止することができる。
(2)第1電極層12上に第2平坦化膜52を形成し、第1電極層12上及び第2平坦化膜52上に半導体層13を形成した。第2平坦化膜52の頂部面は平坦であるとともに、第2平坦化膜52の下部材である第1電極層12との間に隙間がないよう密着して成膜される。そして、金属針60を用いて、半導体層13の一部を除去するとき、金属針60は第1電極層12の表面部分を平坦化した第2平坦化膜52に当たるので、金属針60の押圧が第2平坦化膜52に均等にかかる。従って、半導体層13の分割時における第2平坦化膜52の下部材の第1電極層12に対する損傷を防止することができる。
(3)第1電極層12上に第3平坦化膜53を形成し、第1電極層12上及び第3平坦化膜53上に半導体層13を形成した。さらに、半導体層13上に第2電極層14を形成した。第3平坦化膜53の頂部面は平坦であるとともに、第3平坦化膜53の下部材である第1電極層12との間に隙間がないよう密着して成膜される。そして、金属針60を用いて、第2電極層14の一部を除去するとき、金属針60は第1電極層12の表面部分を平坦化した第3平坦化膜53に当たるので、金属針60の押圧が第3平坦化膜53に均等にかかる。従って、第2電極層14の分割時における第3平坦化膜53の下部材の第1電極層12に対する損傷を防止することができる。
(4)絶縁性材料を用いて第1及び第3平坦化膜51,53を形成した。これにより、第1電極層分割工程および第2電極層分割工程において、例えば、第1及び第3平坦化膜51,53の除去が不十分であっても、セル40間の絶縁性を確保することができる。
(5)導電性材料を用いて第2平坦化膜52を形成した。これにより、例えば、半導体層分割工程において、第2平坦化膜52の除去が不十分であっても、セル40間の導電性を確保することができる。
なお、上記の実施形態に限定されるものではなく、以下のような変形例が挙げられる。
(変形例1)上記実施形態では、太陽光を散乱させて、太陽電池の変換効率を向上させる目的で、基板10の表面に表面粗さ0.5μm以上の凹凸部10aを形成し、さらに凹凸部12aを有する第1電極層12を形成したが、これに限定されない。例えば、基板10の表面粗さが0.5μ未満であったり、平坦面を有する第1電極層12を形成する場合であっても、上記同様の効果を得ることができる。
(変形例2)上記実施形態では、第1〜第3平坦化膜51〜53を形成したが、必ずしも全ての第1〜第3平坦化膜51〜53を形成しなくてもよい。例えば、基板10、第1電極層12、半導体層13、第2電極層14の材質や特性、或いはスクライブ性等を考慮し、第1〜第3平坦化膜51〜53のうち、いずれかの平坦化膜を適宜選択して形成してもよい。このようにすれば、製造設計の自由度を高めることができる。
(変形例3)上記実施形態では、下地層11上に第1平坦化膜51を形成することにより、第1電極層12の分割時において、第1平坦化膜51の下部材の下地層11や基板10を保護したが、これに限定されない。例えば、第1平坦化膜51に替えて、第1電極層分割工程の前に、第1電極層12の一部が除去される部分に対応する第1電極層12の表面部分に成膜して、表面部分を平坦化する第4平坦化膜を形成してもよい。そして、第1電極層分割工程において、第4平坦化膜と第1電極層12の一部を除去してもよい。このようにすれば、金属針60が第1電極層12上に形成された第4平坦化膜に当接したとき、金属針60が第4平坦化膜に対して均等に当接する。すなわち、金属針60の押圧が第4平坦化膜に対して均等にかかるので、第1電極層12の分割時において、第4平坦化膜の下部材の第1電極層12に対する損傷を防止することができる。さらに、第1平坦化膜51と第4平坦化膜の両方を形成してもよい。このようにすれば、第1電極層12の分割時において、第1電極層12および下地層11や基板10のダメージを低減することができる。
(変形例4)上記実施形態では、第1電極層12上に第2平坦化膜52を形成することにより、半導体層13の分割時において、第2平坦化膜52の下部材の第1電極層12を保護したが、これに限定されない。例えば、第2平坦化膜52に替えて、半導体層分割工程の前に、半導体層13の一部が除去される部分に対応する半導体層13の表面部分に成膜して、表面部分を平坦化する第5平坦化膜を形成してもよい。そして、半導体層分割工程において、第5平坦化膜と半導体層13の一部を除去してもよい。このようにすれば、金属針60が半導体層13上に形成された第5平坦化膜に当接したとき、金属針60が第5平坦化膜に対して均等に当接する。すなわち、金属針60の押圧が第5平坦化膜に対して均等にかかるので、半導体層13の分割時において、第5平坦化膜の下部材の半導体層13に対する損傷を防止することができる。さらに、第2平坦化膜52と第5平坦化膜の両方を形成してもよい。このようにすれば、半導体層13の分割時において、半導体層13および第1電極層12のダメージを低減することができる。
(変形例5)上記実施形態では、第1電極層12上に第3平坦化膜53を形成することにより、第2電極層14の分割時において、第3平坦化膜53の下部材の第1電極層12を保護したが、これに限定されない。例えば、第3平坦化膜53に替えて、第2電極層分割工程の前に、第2電極層14の一部が除去される部分に対応する第2電極層14の表面部分に成膜して、表面部分を平坦化する第6平坦化膜を形成してもよい。そして、第2電極層分割工程において、第6平坦化膜と第2電極層14の一部を除去してもよい。このようにすれば、金属針60が第2電極層14上に形成された第6平坦化膜に当接したとき、金属針60が第6平坦化膜に対して均等に当接する。すなわち、金属針60の押圧が第6平坦化膜に対して均等にかかるので、第2電極層14の分割時において、第6平坦化膜の下部材の第2電極層14に対する損傷を防止することができる。さらに、第3平坦化膜53と第6平坦化膜の両方を形成してもよい。このようにすれば、第2電極層14の分割時において、第2電極層14および第1電極層12のダメージを低減することができる。
(変形例6)上記実施形態では、第2電極層14側から光を受光するCIGS型の太陽電池1の構成等について説明したが、第2電極層14側からに加え、基板10側からも受光可能なCIGS型の太陽電池1であってもよい。なお、この場合において、基板10は、透明性を有する基板を用いる。例えば、ガラス基板、PET、有機系透明基板等である。透明性を有する基板を用いることにより、基板10面からの受光を可能とすることができる。また、第1電極層12は、透明性を有する電極層とし、例えば、ZnOAl等の透明電極(TCO:Transparent Conducting Oxides)層とする。透明性を有する電極層を形成することにより、基板10側からの入射した光を半導体層13に向けて透過させるためである。このようにしても、上記同様の効果を得ることができる。
(変形例7)上記実施形態では、CIGS型の太陽電池1の構成及び製造方法について説明したが、これに限定されない。他の化合物半導体系の太陽電池、例えば、CdTe型の太陽電池に適用してもよい。また、Si系の太陽電池、例えば、Si薄膜型の太陽電池に適用してもよい。このようにしても、上記同様の効果を得ることができる。
1…太陽電池、10…基板、10a…基板の凹凸部、11…下地層、11a…下地層の凹凸部、12…第1電極層、12a…第1電極層の凹凸部、13…半導体層、13a…第1半導体層、13b…第2半導体層、14…第2電極層、31…第1分割溝、32…第2分割溝、33…第3分割溝、40…セル、51…第1平坦化膜、52…第2平坦化膜、53…第3平坦化膜、60…金属針。
Claims (6)
- 基板と、第1電極層と、半導体層と、第2電極層を有する太陽電池の製造方法であって、
前記基板上に前記第1電極層を形成する第1電極層形成工程と、
前記第1電極層の一部を前記基板に至る部分まで除去して、前記第1電極層を分割する第1電極層分割工程と、を含み、
前記第1電極層形成工程の前に、前記第1電極層の一部が除去される部分に対応する前記基板の表面部分に成膜して、前記表面部分を平坦化する第1平坦化膜を形成する第1平坦化膜形成工程を有し、
前記第1電極層分割工程では、前記第1電極層の一部とともに、前記第1平坦化膜の一部を除去することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 基板と、第1電極層と、半導体層と、第2電極層を有する太陽電池の製造方法であって、
前記基板上に前記第1電極層を形成する第1電極層形成工程と、
前記第1電極層上に前記半導体層を形成する半導体層形成工程と、
前記半導体層の一部を前記第1電極層に至る部分まで除去して、前記半導体層を分割する半導体層分割工程と、を含み、
前記半導体層形成工程の前に、前記半導体層の一部が除去される部分に対応する前記第1電極層の表面部分に成膜して、前記表面部分を平坦化する第2平坦化膜を形成する第2平坦化膜形成工程を有し、
前記半導体層分割工程では、前記半導体層の一部とともに、前記第2平坦化膜の一部を除去することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 基板と、第1電極層と、半導体層と、第2電極層を有する太陽電池の製造方法であって、
前記基板上に前記第1電極層を形成する第1電極層形成工程と、
前記第1電極層上に前記半導体層を形成する半導体層形成工程と、
前記半導体層上に前記第2電極層を形成する第2電極層形成工程と、
前記第2電極層の一部を前記第1電極層に至る部分まで除去して、前記第2電極層を分割する第2電極層分割工程と、を含み、
前記第2電極層形成工程の前に、前記第2電極層の一部が除去される部分に対応する前記第1電極層の表面部分に成膜して、前記表面部分を平坦化する第3平坦化膜を形成する第3平坦化膜形成工程を有し、
前記第2電極層分割工程では、前記第2電極層の一部とともに、前記第3平坦化膜の一部を除去することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 請求項1または3に記載の太陽電池の製造方法において、
前記第1または第3平坦化膜形成工程では、絶縁性材料を用いて前記第1または第3平坦化膜を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 請求項2に記載の太陽電池の製造方法において、
前記第2平坦化膜形成工程では、導電性材料を用いて前記第2平坦化膜を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法において、
前記第1〜第3平坦化膜形成工程では、前記第1〜第3平坦化膜が形成される下部材に密着させた前記第1〜第3平坦化膜を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009168563A JP2011023623A (ja) | 2009-07-17 | 2009-07-17 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009168563A JP2011023623A (ja) | 2009-07-17 | 2009-07-17 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011023623A true JP2011023623A (ja) | 2011-02-03 |
Family
ID=43633421
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009168563A Withdrawn JP2011023623A (ja) | 2009-07-17 | 2009-07-17 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011023623A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014120628A (ja) * | 2012-12-17 | 2014-06-30 | Rohm Co Ltd | 光電変換装置およびその製造方法 |
-
2009
- 2009-07-17 JP JP2009168563A patent/JP2011023623A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014120628A (ja) * | 2012-12-17 | 2014-06-30 | Rohm Co Ltd | 光電変換装置およびその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8822809B2 (en) | Solar cell apparatus and method for manufacturing the same | |
JP2010282997A (ja) | 太陽電池、太陽電池の製造方法 | |
US20130000700A1 (en) | Solar cell and manufacturing method of the same | |
JP6055787B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
US8779282B2 (en) | Solar cell apparatus and method for manufacturing the same | |
KR100999797B1 (ko) | 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 | |
US20160240704A1 (en) | Solar cell | |
WO2011149067A1 (ja) | 印刷版および該印刷版を用いた太陽電池素子の製造方法 | |
US20130037099A1 (en) | Device for generating solar power and method for manufacturing same | |
JP2010282998A (ja) | 太陽電池、太陽電池の製造方法 | |
KR101114018B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
JP2011023442A (ja) | 太陽電池、太陽電池の製造方法 | |
KR101091357B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
KR101091379B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
JP6021392B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
JP2011023623A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
KR20110035733A (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
KR101072188B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
EP2528106A1 (en) | Photovoltaic power generation device and manufacturing method thereof | |
JP2011023443A (ja) | 太陽電池、太陽電池の製造方法 | |
KR20130136739A (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
KR101144447B1 (ko) | 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 | |
KR101072170B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
KR101272997B1 (ko) | 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 | |
EP2538453A1 (en) | Solar power generating device, and method for manufacturing same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20121002 |