JP2011019123A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】W画素を有するCMOSイメージセンサにおいて、高光量撮影時のダイナミックレンジを拡大可能な固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】たとえば、W画素の光電子が飽和しない範囲では、R画素,G画素,B画素およびW画素の全光電子を用いて、Y信号を生成する。高光量撮像時に、R画素,G画素,B画素の各光電子からW画素の光電子が飽和すると判断した場合には、R画素,G画素,B画素の各光電子からY信号を生成する。同時に、W画素の光電子が飽和しないように、撮像フレーム中に、W画素に複数回のリセットを掛ける。
【選択図】図5
【解決手段】たとえば、W画素の光電子が飽和しない範囲では、R画素,G画素,B画素およびW画素の全光電子を用いて、Y信号を生成する。高光量撮像時に、R画素,G画素,B画素の各光電子からW画素の光電子が飽和すると判断した場合には、R画素,G画素,B画素の各光電子からY信号を生成する。同時に、W画素の光電子が飽和しないように、撮像フレーム中に、W画素に複数回のリセットを掛ける。
【選択図】図5
Description
本発明は、固体撮像装置に関するもので、たとえば、カメラ付き携帯電話、デジタルカメラ、または、ビデオカメラなどに使用されるCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサに関する。
従来CMOSイメージセンサにおいては、ダイナミックレンジを拡大するための各種の方法が提案されている(たとえば、特許文献1参照)。
上記特許文献1は、白色データが高照度(高光量)側で飽和しないかを判定し、飽和しない場合にはW(白)画素信号値をそのまま白色データとして用いることにより、特に、低照度(低光量)の色情報の再現性に優れた画像の取得を可能にしたものである。
しかしながら、CMOSイメージセンサのダイナミックレンジ拡大のためにW画素を用いる従来の特許文献1のような提案の場合、低光量撮影時はW画素の高感度が活かされて信号対ノイズ比(S/N比)が向上するものの、高光量撮影時にはW画素の感度が高すぎるために飽和しやすく、RGB(赤色,緑色,青色)画素でのブルーミングを招くという問題があった。
本発明は、上記の問題点を解決すべくなされたもので、RGB画素でのブルーミングを抑制でき、高光量撮影時のダイナミックレンジを拡大することが可能な固体撮像装置を提供するものである。
本願発明の一態様に係る固体撮像装置は、白色を含む、光学カラーフィルタをそれぞれ通過した光を光電変換する光電変換素子と、前記光電変換素子で得た信号電荷を検出部に読み出す読み出し回路と、前記検出部に読み出した信号電荷を増幅する増幅回路と、前記検出部における不要な信号電荷を除去するリセット回路と、をそれぞれ備えた複数の画素が半導体基板上に二次元的に配置された画素部と、前記複数の画素からそれぞれ出力される信号電荷をデジタル信号に変換するための変換回路と、前記デジタル信号をもとに、前記白色の光学カラーフィルタを有する画素からの信号電荷の飽和レベルに応じて、前記白色の光学カラーフィルタを有する画素からの信号電荷を撮像に用いるモードと撮像に用いないモードとを判断し、モードを選択するモード選択回路と、前記モード選択制御回路によって、前記白色の光学カラーフィルタを有する画素からの信号電荷を撮像に用いないモードが選択された場合に、前記白色の光学カラーフィルタを有する画素からの信号電荷をリセットする制御回路とを具備する。
上記の構成により、RGB画素でのブルーミングを抑制でき、高光量撮影時のダイナミックレンジを拡大することが可能な固体撮像装置を提供できる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。ただし、図面は模式的なものであり、各図面の寸法および比率などは現実のものとは異なることに留意すべきである。また、図面の相互間においても、互いの寸法の関係および/または比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。特に、以下に示すいくつかの実施例は、本発明の技術思想を具体化するための装置および方法を例示したものであって、構成部品の形状、構造、配置などによって、本発明の技術思想が特定されるものではない。この発明の技術思想は、その要旨を逸脱しない範囲において、種々の変更を加えることができる。
図1は、本発明の実施例1にしたがった固体撮像装置の基本構成を示すものである。なお、本実施例1は、固体撮像装置を増幅型のCMOSイメージセンサとした場合の例である。
図1に示すように、センサコア部11には、画素部12、カラム型ノイズキャンセル回路(CDS)13、カラム型アナログデジタルコンバータ(ADC)14、ラッチ回路15、および、水平シフトレジスタ16などが配置されている。上記画素部12の撮像エリアには、レンズ17および光学カラーフィルタ(図示していない)を介して光が入射され、光電変換により入射光量に応じて生成された電荷が蓄積される。電荷に対応するアナログ信号は、CDS13を介してADC14に供給され、そこでデジタル信号に変換された後、ラッチ回路15にラッチされる。このラッチ回路15にラッチされたデジタル信号は、順次、水平シフトレジスタ16によって転送されて読み出される。
また、上記画素部12に隣接して、信号読み出し用の垂直レジスタ(VRレジスタ)20、蓄積時間制御用の垂直レジスタ(ESレジスタ)21、パルスセレクタ回路(セレクタ)22、および、白色画素リセット制御用の垂直レジスタ(WRレジスタ)23が、それぞれ配置されている。
上記画素部12からの信号の読み出しおよび上記CDS13の制御は、タイミングジェネレータ(TG)25から出力されるパルス信号S1〜S3,ESR,VRR,RESET,ADRES,READ,WRによって行われる。パルス信号S1〜S2はCDS13に、パルス信号ESRはESレジスタ21に、パルス信号VRRはVRレジスタ20に、パルス信号RESET,ADRES,READはパルスセレクタ回路22に、パルス信号WRはWRレジスタ23に、それぞれ供給される。
上記レジスタ20,21により、画素部12の垂直ラインが選択される。上記パルス信号RESET,ADRES,READは、上記パルスセレクタ回路22を介して、画素部12へ供給される。この画素部12には、バイアス発生回路(バイアス1)26からバイアス電圧VVLが印加されている。
VREF発生回路27は、メインクロック信号MCKに応答して動作し、AD変換用の基準波形(たとえば、三角波VREF)を生成する回路である。この基準波形の振幅は、シリアルインターフェース(シリアルI/F)28に入力されるデータDATAによって制御される。このシリアルインターフェース28に入力されるコマンドは、コマンドデコーダ29に供給されてデコードされ、上記メインクロック信号MCKとともに、タイミングジェネレータ25に供給される。上記VREF発生回路27では、1水平走査期間に1回のAD変換を実行するために、三角波VREFを発生してADC14に供給する。
ラッチ回路15から出力されるデジタル信号が、赤色,緑色,青色画素からの信号であるとき、各信号はラインメモリ(RGB)30-1へ、白色画素からの信号であるとき、その信号はラインメモリ(W)30-2に入力される。
メインプロセッサ31は、キズ補正回路32、ノイズ低減回路33、ガンマ補正回路34、キズ補正回路35、ノイズ低減回路36、オート・ホワイト・バランス(AWB)回路37、混色補正回路38、同時化回路39、色相補正回路40、ガンマ補正回路41、YUVマトリクス回路42、輪郭抽出回路43、および、Wモード選択回路44を備えて構成されている。
キズ補正回路35では、ラインメモリ(RGB)30-1の信号を読み出しながら素子欠陥箇所を周辺の画素値を用いて推定補完し、ノイズ低減回路36に送る。ノイズ低減回路36では、平坦部分のノイズを除去し、AWB回路37に送る。AWB37では、画面の中で白色と思われる部分を判断し、その部分が出力画像として好ましい色になるように、赤色,緑色,青色画素信号にゲインを掛けてバランスを変え、混色補正回路38に送る。混色補正回路38では、光学カラーフィルタでの波長分離、隣接画素への光束のはみ出し、または、電気的干渉により起こる画素間の信号の混合などを、定率減算により取り除き、ガンマ補正回路41に送る。ガンマ補正回路41では、画像出力フォーマットに所定の信号ガンマカーブを与えてYUVマトリクス回路42に送る。
一方、キズ補正回路32では、ラインメモリ(W)30-2の信号を読み出しながら素子欠陥箇所を周辺の画素値を用いて推定補完し、ノイズ低減回路33に送る。ノイズ低減回路33では、平坦部分のノイズを除去し、ガンマ補正回路34に送る。ガンマ補正回路34では、画像出力フォーマットに所定の信号ガンマカーブを与えてYUVマトリクスに回路42に送る。
YUVマトリクス回路42では、白色,赤色,緑色,青色の各画素信号から色差信号YUV(Y信号)を生成し、それを撮像情報DOUT0〜DOUT9として外部に出力する。その際、輪郭抽出回路43に信号を送り、絵柄の輪郭を抽出して、YUVマトリクス回路42に戻し、輪郭部分での色エッジ改善を行う。
Wモード選択回路44では、ガンマ補正回路41の出力である赤色,緑色,青色画素信号の強さを調べ、その総合値から白色画素の光電子(信号電荷)が飽和レベルに近いかどうかを判定し、飽和レベル以下か/飽和レベル以上かの判定結果に応じて、Wモード選択信号をコマンドデコーダ29に出力する。
ここで、Wモード選択回路44の信号ソースとしては、信号の引き出しやすさの都合からガンマ補正後の信号(ガンマ補正回路41の出力)を用いているが、本来、W画素の飽和を予測するにはホワイトバランスなどの色調整前の信号を用いるほうが、関数が単純になり、精度も安定するので、メインプロセッサ31に入力される前の信号をWモード選択回路44に入力するようにしてもよい。
また、コマンドデコーダ29は、信号生成(撮像)に白色画素信号を用いるモードと信号生成に白色画素信号を用いないモードの2つの動作の切り換え命令を、タイミングジェネレータ25およびYUVマトリクス回路42に出力する機能を備えている。
図2は、図1に示した増幅型CMOSイメージセンサにおける画素部12、CDS13およびADC14の構成例を示すものである。
画素部12には、複数のセル(画素)12nが配置されている。セル12nのそれぞれは、4つのトランジスタ(行選択トランジスタTa、増幅トランジスタTb、リセットトランジスタTc、読み出しトランジスタTd)とフォトダイオード(光電変換素子)PDとから構成されている。各セル12nにおいて、上記トランジスタTa,Tbの各電流通路は、電源VDDと垂直信号線VLINとの間に直列に接続される。上記トランジスタTaのゲートには、上記パルスセレクタ回路22からのパルス信号ADRESnが供給される。上記トランジスタTcは、電流通路が電源VDDとトランジスタTbのゲート(検出部FD)との間に接続され、そのゲートに上記パルスセレクタ回路22からのパルス信号RESETnが供給される。また、上記トランジスタTdは、電流通路の一端が上記検出部FDに接続され、そのゲートに上記パルスセレクタ回路22からのパルス信号(読み出しパルス)READnが供給される。そして、上記トランジスタTdの電流通路の他端にフォトダイオードPDのカソードが接続され、このフォトダイオードPDのアノードは接地されている。
上記した構成のセル12nが行および列の二次元的に配置されて、画素部12が構成されている。上記画素部12の下部には、ソースフォロワ回路用の負荷トランジスタTLMがそれぞれ水平方向に配置されている。これら負荷トランジスタTLMは、それぞれ、電流通路が垂直信号線VLINと接地点との間に接続され、ゲートにバイアス発生回路26からのバイアス電圧VVLが印加される。
CDS13およびADC14には、列(垂直信号線VLIN)ごとに、ノイズキャンセラ用の容量C1,C2が配置されるとともに、垂直信号線VLINの信号を伝達するためのトランジスタTS1、VREF発生回路27からのAD変換用の基準波形(三角波VREF)を入力するためのトランジスタTS2、および、コンパレータ回路COMPが配置されている。上記コンパレータ回路COMPは、インバータINV、および、このインバータINVの入力端と出力端との間に電流通路が接続されたトランジスタTS3、により構成されている。上記トランジスタTS1のゲートにはタイミングジェネレータ25から出力されるパルス信号S1が、上記トランジスタTS2のゲートにはパルス信号S2が、上記トランジスタTS3のゲートにはパルス信号S3が、それぞれ供給される。上記コンパレータ回路COMPから出力されるデジタル信号はラッチ回路15でラッチされ、順次、シフトレジスタ16で読み出される。これにより、図示していない10bit(ビット)カウンタにより制御されるラッチ回路15からは、たとえば10ビットのデジタル信号OUT0〜OUT9が出力される。
上記のような構成において、たとえば垂直信号線VLINのnラインの信号を読み出すためには、まず、タイミングジェネレータ25によって、パルス信号ADRESnを“H(High)”レベルにすることで、読み出しの対象となるセル12nの、増幅用のトランジスタTbと負荷用のトランジスタTLMとからなるソースフォロワ回路を動作させる。そして、フォトダイオードPDで光電変換して得た信号電荷を一定期間蓄積させた後、読み出しを行う前に検出部FDにおける暗電流などのノイズ信号を除去するために、パルス信号RESETnを“H”レベルに設定して、同セル12nのリセット用のトランジスタTcをオンさせて、たとえば検出部FDの電圧をVDD=2.8Vにセットする。これによって、対応する垂直信号線VLINには、基準となる検出部FDに信号がない状態の電圧(リセットレベル)が出力される。この時、パルス信号S1,S3をそれぞれ“H”レベルにしてトランジスタTS1,TS3をオンさせることで、ADC14のコンパレータ回路COMPのAD変換レベルを設定するとともに、垂直信号線VLINのリセットレベルに対応した量の電荷を容量C1に蓄積させる。
次に、パルス信号(読み出しパルス)READnを“H”レベルにして、同セル12nの読み出しトランジスタTdをオンさせ、フォトダイオードPDに蓄積されている信号電荷を検出部FDに読み出す。これによって、対応する垂直信号線VLINには、検出部FDの電圧(信号+リセット)レベルが読み出される。この時、パルス信号S1を“H”レベル、パルス信号S3を“L(Low)”レベル、パルス信号S2を“H”レベルにすることで、トランジスタTS1がオン、トランジスタTS3がオフ、トランジスタTS2がオンとなり、「垂直信号線VLINの信号+リセットレベル」に対応する電荷が容量C2に蓄積される。その際、容量C1は、コンパレータ回路COMPにおけるインバータINVの入力端がハイインピーダンス状態となっているため、リセットレベルが保持されたままになっている。
その後、VREF発生回路27から出力される基準波形のレベルを増加させる(三角波VREFを低レベルから高レベルにする)ことで、容量C2の電荷は、容量C1と容量C2との合成容量を用いて、コンパレータ回路COMPによりAD変換される。上記三角波VREFは、10ビット(0〜1023レベル)のAD変換レベルが、10ビットのカウンタによって判定される。上記容量C1に蓄積されたリセットレベルは、上記容量C2に蓄積されたリセットレベルと極性が逆になるため、リセットレベルはキャンセルされ、実質的に容量C2の信号成分によるAD変換が実行される。このリセットレベルを除去するためのAD変換動作を低ノイズ化処理動作(CDS動作(Correlated Double Sampling)または相関二重サンプリング)と呼ぶ。このAD変換動作を1水平走査期間に1回実行させるために、VREF発生回路27により三角波VREFを発生させ、トランジスタTS2の電流通路の一端へ供給している。
上述の動作は、各セル12nについての光電変換からデジタルデータを得るまでの動作の説明である。以下に、本実施例の特徴であるところの信号生成に白色画素信号を用いるモードと白色画素信号を用いないモードの、2つのモードについて説明する。
図3は、上記した2つのモードを実現するための、画素部12の撮像エリアにおける光学カラーフィルタの配置例を示すものである。ここでは、2行2列の4画素を単位として1つの画素ブロックが構成される場合を例に説明する。なお、本図においては、複数の画素のうちの隣接する8画素(2画素ブロック)のみを例示している。
すなわち、撮像エリア内の複数の画素12nは、行および列方向に隣接して配置された4つの画素12n_W,12n_R,12n_G,12n_Bを1単位として、それぞれ画素ブロックを構成している。各画素ブロックは、たとえば、白色画素(W画素)Wと緑色画素(G画素)Gとが一方の対角上に配置され、他方の対角上には、青色画素(B画素)Bと赤色画素(R画素)Rとが配置されている。
たとえば図3に示すように、本例の場合は、画素12n_1R,12n_1G,12n+1_1W,12n+1_1Bによって1つ目の画素ブロックが、また、画素12n_2R,12n_2G,12n+1_2W,12n+1_2Bによって隣接する2つ目の画素ブロックが、それぞれ構成されている。
各画素ブロックの画素12nのうち、W画素12n+1_1W,12n+1_2Wは、それぞれ、可視光波長の入射光を取り込むための、透明な光学カラーフィルタ(透明フィルタ)を有している。透明フィルタは、可視光に対して透明な素材で形成されており、全可視光領域で高い感度を示す。W画素12n+1_1W,12n+1_2Wは、G画素12n_1G,12n_2Gと同様に、輝度情報を取得するのに適している。
一方、G画素12n_1G,12n_2Gには、それぞれ、緑色の可視光波長域の光に対して高い透過率を有する光学カラーフィルタ(緑色フィルタ)が設けられ、R画素12n_1R,12n_2Rには、それぞれ、赤色の可視光波長域の光に対して高い透過率を有する光学カラーフィルタ(赤色フィルタ)が設けられ、B画素12n+1_1B,12n+1_2Bには、それぞれ、青色の可視光波長域の光に対して高い透過率を有する光学カラーフィルタ(青色フィルタ)が設けられている。
また、本例においては、パルスセレクタ回路22より供給されるパルス信号READnとして、2種類の読み出しパルスREAD Wn,Wn+1およびREAD RGBn,RGBn+1が用意されている。読み出しパルスREAD Wn,Wn+1は、W画素12n+1_1W,12n+1_2Wの信号電荷を読み出すためのパルス信号である。これに対し、読み出しパルスREAD RGBn,RGBn+1は、R画素12n_1R,12n_2RおよびG画素12n_1G,12n_2GおよびB画素12n+1_1B,12n+1_2Bの信号電荷を読み出すためのパルス信号である。ただし、読み出しパルスREAD Wnのように、W画素が存在しない行の読み出しパルスは使用されない。すなわち、パルスセレクタ回路22からは、W画素12n+1_1W,12n+1_2Wに対しては読み出しパルスREAD Wn,Wn+1が、R画素12n_1R,12n_2RおよびG画素12n_1G,12n_2GおよびB画素12n+1_1B,12n+1_2Bに対しては、読み出しパルスREAD RGBn,RGBn+1が、それぞれ出力される。
図4は、上記した構成のCMOSイメージセンサにおいて、信号生成に白色画素信号を含む全画素信号を用いるモードでの動作について説明するために示すものである。
たとえば、VGAセンサの場合には、1フレームが30Hzで、水平走査数が525Hで駆動される。垂直方向のnラインでは、フォトダイオードPDでの光電変換により発生した電荷を蓄積する蓄積時間TLが524.5Hとされる。水平同期パルス(HP)に同期して、画素部12の、赤色,緑色,青色の各画素R,G,Bにはパルス信号RESET,READ RGB,ADRESが供給され、白色画素Wにはパルス信号RESET,READ W,ADRESが供給される。本例の場合、上記パルス信号READ RGB,READ Wは同じ波形タイミングとなっていて、赤色,緑色,青色の各画素R,G,Bと白色画素Wとは同じ蓄積時間TLで光が電荷として蓄積された後、後段の処理にて光量が数値化される(信号生成に供される)。
図5は、上記したVGAセンサにおいて、信号生成に白色画素信号を使わないモードでの動作について説明するために示すものである。
垂直方向のnラインの赤色,緑色,青色の各画素R,G,Bに対して、パルス信号RESET,READ RGB,ADRESが供給される。この動作は、上述した白色画素信号を用いるモードでの動作と同じである。
一方、画素部12の垂直方向のnラインの白色画素Wに対しては、パルス信号RESET,READ Wのみ供給される。このパルス信号RESET,READ Wは、1フレーム内で複数回アクティブになる。そのたびに、パルス信号RESET,READ Wによって、フォトダイオードPDで光電変換された電荷はVDD電位にリセットされる。したがって、赤色,緑色,青色の各画素R,G,Bの信号電荷のみが、後段の処理にて数値化される。
すなわち、Wモード選択回路44によって白色画素Wの電荷が飽和レベルに近いと判定された際に、この白色画素信号を用いずに信号生成するモードを実行することによって、画質の低下を招くことなしに、ダイナミックレンジを拡大できるようになる。
たとえば、Wモード選択回路44は、赤色,緑色,青色画素信号の総合値が飽和レベル以下か/飽和レベル以上かを示すWモード選択信号をコマンドデコーダ29に出力する。すると、コマンドデコーダ29は、Wモード選択回路44からのWモード選択信号が飽和レベル以下に対応するものである場合、タイミングジェネレータ15およびメインプロセッサ31のYUVマトリクス回路42に対して、信号生成に白色画素信号を用いるモードを実行させるための切り替え命令を出力する。これにより、タイミングジェネレータ15はパルスセレクタ回路22などを制御して、白色画素信号を含む、全画素信号を用いての信号生成処理を実行させる。つまり、全画素信号をもとにした色差信号YUVの生成動作を、YUVマトリクス回路42に実行させる。
一方、Wモード選択回路44からのWモード選択信号が飽和レベル以上に対応するものである場合には、タイミングジェネレータ15およびYUVマトリクス回路42に対して、信号生成に白色画素信号を用いないモードを実行させるための切り換え命令を出力する。これにより、タイミングジェネレータ15はパルスセレクタ回路22などを制御して、白色画素信号を含まない、赤色,緑色,青色の画素信号のみを用いての信号生成処理を実行させる。つまり、白色画素信号を用いない色差信号YUVの生成動作を、YUVマトリクス回路42に実行させる。
なお、この白色画素信号を用いない色差信号YUVの生成動作においては、上述の図5に示したように、短い時間間隔での電荷リセットにより、白色画素Wの電荷が飽和に至るほど蓄積されない。
ただし、1フレーム(露光)時間内に何度も白色画素Wの電荷がリセットされるので、蓄積された電荷量は白色画素信号としての意味を持たず、以降のAD変換動作などを行っても使用できるデータにはならない。
上記したように、白色画素を含む全色画素の信号を光電変換して撮像に用いるモードと、白色画素信号を撮像に用いないモードとを、選択的に動作させることができるようにしている。すなわち、画素部に白色画素を有するCMOSイメージセンサにおいて、白色画素信号が飽和しそうな場合には、白色画素信号の電荷が飽和しないようにして、信号生成動作を行うようにしている。これにより、高光量時(高照度時)に白色画素Wの光電子が飽和して、隣接する赤色画素R,緑色画素G,青色画素Bに影響を与えるブルーミングなる現象を回避できるようになる。したがって、W画素でのS/N比を向上でき、RGB画素でのブルーミングを抑制しつつ、高光量撮影時のダイナミックレンジを拡大することが容易に可能となるものである。
特に、W画素の光電子が飽和しないようにするために、定常的にリセットし続けるのではなく、露光時間中に複数回にわたってリセット動作を断続的に行うようにしたことにより、W画素のリセット動作がR,G,B画素の読み出し動作と重複するのを防止できる。
また、W画素の光電子が飽和しないようにするためのリセット動作を、白色画素信号を用いた信号生成モード時のリセット電圧よりかは低い電源電圧で行うようにした場合には、リセット動作に要する消費電力の低減が可能となる。
また、信号生成にW画素を用いるモードとW画素を用いないモードとを選択的に動作させる際に、入射光の強さによって、そのモードを決定するようにすることにより、W画素を用いるモードと用いないモードとの切り換えを最適化できる。
また、撮像(1シャッタ時間)中に、W画素を用いるモードと用いないモードとを連続的に行うようにした場合には、W画素を用いるモードと用いないモードの双方のメリットを活かすことが可能である。
なお、上記した実施例においては、VGAセンサを例に説明したが、これに限らず、各種のCMOSイメージセンサに適用できる。
その他、本願発明は、上記(各)実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。さらに、上記(各)実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。たとえば、(各)実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題(の少なくとも1つ)が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果(の少なくとも1つ)が得られる場合には、その構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
12…画素部、12n…セル、13…CDS、14…ADC、15…ラッチ回路、22…パルスセレクタ回路、25…タイミングジェネレータ、29…コマンドデコーダ、30-1…ラインメモリ(RGB)、30-2…ラインメモリ(W)、31…メインプロセッサ、44…Wモード選択回路、Ta…行選択トランジスタ、Tb…増幅トランジスタ、Tc…リセットトランジスタ、Td…読み出しトランジスタ、PD…フォトダイオード。
Claims (5)
- 白色を含む、光学カラーフィルタをそれぞれ通過した光を光電変換する光電変換素子と、前記光電変換素子で得た信号電荷を検出部に読み出す読み出し回路と、前記検出部に読み出した信号電荷を増幅する増幅回路と、前記検出部における不要な信号電荷を除去するリセット回路と、をそれぞれ備えた複数の画素が半導体基板上に二次元的に配置された画素部と、
前記複数の画素からそれぞれ出力される信号電荷をデジタル信号に変換するための変換回路と、
前記デジタル信号をもとに、前記白色の光学カラーフィルタを有する画素からの信号電荷の飽和レベルに応じて、前記白色の光学カラーフィルタを有する画素からの信号電荷を撮像に用いるモードと撮像に用いないモードとを判断し、モードを選択するモード選択回路と、
前記モード選択制御回路によって、前記白色の光学カラーフィルタを有する画素からの信号電荷を撮像に用いないモードが選択された場合に、前記白色の光学カラーフィルタを有する画素からの信号電荷をリセットする制御回路と
を具備したことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記制御回路は、前記白色の光学カラーフィルタを有する画素からの信号電荷が飽和しないように、前記読み出し回路を露光期間中に断続的に動作させることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記制御回路は、前記白色の光学カラーフィルタを有する画素からの信号電荷を撮像に用いるモードにおいて用いる、前記リセット回路のリセット電圧よりも低い電源電圧によって、前記読み出し回路を動作させることを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置。
- 前記モード選択回路は、さらに、入射光の強さによって、前記白色の光学カラーフィルタを有する画素からの信号電荷を撮像に用いるモードと撮像に用いないモードとを判断することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- さらに、1回の撮像中に、前記白色の光学カラーフィルタを有する画素からの信号電荷を撮像に用いるモードと撮像に用いないモードとを連続的に実行することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
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