JP2011018902A - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板テーブル及び／又は支持体の位置決めの精度を改良する
【解決手段】リソグラフィ装置は、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構築された支持体と、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、を含む。基板テーブル及び／又は支持体は、基板テーブル及び／又は支持体の加速度を測定する加速度計を備え、装置は、加速度計と通信し、加速度計によって測定された加速度から加速度に基づく位置信号を計算するカルキュレータを備える。
【選択図】図２

Description

[0001] 本発明はリソグラフィ装置及びデバイスを製造する方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。

[0003] リソグラフィ装置では、基板テーブル及び又は支持体を高い精度で位置決めすることが望ましい。

[0004] 基板テーブル及び／又は支持体の位置決めの精度を改良することが望ましい。

[0005] 本発明のある実施形態によれば、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構築された支持体と、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、を含むリソグラフィ装置が提供され、基板テーブル及び／又は支持体は、個々の基板テーブル及び／又は支持体の加速度を測定する加速度計を備え、装置は、加速度計と通信し、加速度計によって測定された加速度から加速度に基づく位置信号を計算するカルキュレータを含む。

[0006] 本発明のさらなる実施形態によれば、パターニングデバイスから基板にパターンを転写し、基板及び／又はパターニングデバイスの加速度を計算し、基板及び／又はパターニングデバイスの加速度に基づく位置信号を計算することを含む、デバイス製造方法が提供される。

[0007] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。

[0008]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示した図である。 [0009]リソグラフィ装置内の基板ステージの位置を測定する、本発明のある実施形態による測定システムを概略的に示した側面図である。 [0010]図２の実施形態を概略的に示した上面図である。

[00011] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又は任意の他の適切な放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一位置決めデバイスＰＭに接続されたパターニングデバイス支持体又は支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、を含む。装置は、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二位置決めデバイスＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴ又は「基板支持体」も含む。装置は、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳをさらに含む。

[00012] 照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。

[00013] パターニングデバイス支持体は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。パターニングデバイス支持体は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。パターニングデバイス支持体は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。パターニングデバイス構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。

[00014] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。

[00015] パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。

[00016] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。

[00017] 本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。

[00018] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル又は「基板支持体」（及び／又は２つ以上のパターニングデバイス支持体又はマスクテーブル又は「マスク支持体」）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブル又は支持体を並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブル又は支持体を露光に使用している間に１つ又は複数のテーブル又は支持体で予備工程を実行することができる。

[00019] リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために使用することができる。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が位置付けられるというほどの意味である。

[00020] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。

[00021] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するように構成されたアジャスタＡＤを含んでいてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを含んでいてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。

[00022] 放射ビームＢは、パターニングデバイス支持体（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターンが与えられる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、これはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第二位置決めデバイスＰＷと位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けを借りて、基板テーブルＷＴは、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内で位置決めできるように正確に移動することができる。同様に、第一位置決めデバイスＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、パターニングデバイス（例えばマスク）ライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴの移動は、第一位置決めデバイスＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」の移動は、第二ポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使用して実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置付けることができる（スクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に位置付けてもよい。

[00023] 図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。

[00024] １．ステップモードにおいては、パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴ又は「マスク支持体」及び基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」は、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」がＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、単一静的露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズを制限する。

[00025] ２．スキャンモードにおいては、パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴ又は「マスク支持体」及び基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」が同期的にスキャンされ、その間に放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴ又は「マスク支持体」に対する基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」の速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅を制限し、スキャン動作の長さがターゲット部分の（スキャン方向における）高さを決定する。

[00026] ３．別のモードでは、パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴ又は「マスク支持体」はプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」を移動又はスキャンさせ、その間に放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」を移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。

[00027] 上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。

[00028] 図２及び図３は、参照番号１で示された測定システムの側面図及び底面図を示す。測定システム１は、いわゆるメトロロジーフレーム又はメトロフレーム３に対して、基板２ａを支持する基板ステージ２の位置を測定するように構成される。基板２ａは、図３では正方形の形状を有するが、円形でもよい。メトロフレーム３は、実質的に静止したフレームであり、これにレンズ柱４が装着される。これに関して、実質的に静止したフレームは、実質的に静止した位置に受動的又は能動的に保持されている任意のフレームでよいことを述べておく。既知のリソグラフィ装置のメトロフレーム３は、工場の床の振動などのいかなる外乱もフィルタリングするために、受動的又は能動的エアマウントでベースフレームに装着される。この方法で、レンズ柱が実質的に静止した位置に保持される。基板ステージのスキャン動作中に、レンズ柱に対する基板ステージの位置を知っていることが望ましい。したがって、位置測定システム１が設けられ、それでメトロフレーム３に対する基板ステージの位置を割り出すことができる。

[00029] 測定システム１は、センサターゲットプレートなどの回折格子又はグリッドを含むセンサターゲットオブジェクトに対する基板ステージの位置の変化を割り出すために使用される１つ又は複数のセンサ５を含む。センサは、センサターゲットオブジェクトに対してＸ、Ｙ及びＺ方向で基板テーブルの位置を測定することができる。センサターゲットオブジェクトは、図２及び図３に示す実施形態では、２次元グリッドを含むグリッドプレート６である。グリッドプレート６は、グリッドプレート６に対する１つ又は複数のセンサ５の位置を割り出すために使用される多数のグリッドライン又はスポットを含む。本出願で使用するグリッドプレートという用語は、測定システムの一部としてグリッド又は回折格子を備えた任意のタイプのセンサターゲットオブジェクトを意味することができる。このような測定システムは通常、エンコーダタイプの測定システムと呼ばれる。

[00030] グリッドプレート６は、レンズ柱４用の中心穴を含み、３つの撓み要素８を含む装着デバイスでメトロフレーム３に装着される。撓み要素８は、実質的に水平の面に配置構成される。図示のように、グリッドプレート６が静止フレームに装着され、その一方でインクリメンタルエンコーダ５が基板テーブル２に装着されるが、グリッドプレート６を支持体及び／又は基板テーブル２に、インクリメンタルエンコーダ５を静止フレームに設けることも可能である。その利点は、熱を発生することがあるインクリメンタルエンコーダが、熱過敏性の基板テーブル及び又は支持体上にないことである。

[00031] 基板ステージ２が投影システム４の下でＸ及びＹに移動する間に、測定センサ５のうち１つが投影システム４の下で移動することができ、したがってグリッドプレート６にはその１つのセンサに対向する部分がない。その１つのセンサは、投影システム４の下にある時間に、基板テーブル２の位置を測定することができなくなる。測定センサ５は制御システム１２に接続され、センサ５のうち１つが基板ステージ２の位置を測定できなくなる場合、制御システム１２はそれでも他の測定センサ５の測定情報を使用することができる。測定センサ５を切り換えることの欠点は、コントローラ１２が５つの状況に適応させられることである。４つの測定センサ５全部がコントローラ１２に測定信号を提供できる第一の状況、及び４つの測定センサのうち１つがコントローラ１２に測定信号を提供できない４つの状況である。これで、コントローラ１２がその異なるシステムダイナミクスで５つの異なる状況を扱えることが必要になることがある。コントローラ１２が５つの異なる状況を扱うように適応できる状況を回避するために、基板ステージ２に加速度計１０を設けることができる。加速度計は、測定された加速度について、加速度計に基づく位置信号を計算するように構成されたカルキュレータ１１に接続することができる。これは、加速度計の信号を２回積分することによって実行することができる。カルキュレータはコントローラ１２に接続することができ、位置センサ５のうち１つがコントローラ１２に測定信号を提供することができない場合、カルキュレータ１１から、その１つの位置センサに位置決めされた加速度計１０の加速度計に基づく位置信号を使用することができる。カルキュレータは、４つの加速度計１０全部の加速度計に基づく位置情報を連続的に計算し、それをコントローラ１２に提供するように構築し、配置構成することができ、コントローラ１２は、位置を測定することができない測定センサに位置決めされた加速度計１０からの信号を選択するように構築することができる。加速度計１０は、低い周波数で測定できないことがあるが、変化し、コントローラ１２の位置制御の安定性に影響するダイナミクスは、より高い周波数にのみ該当する。カルキュレータ１１によって計算されたままの加速度計に基づく位置信号は、特定の周波数より上でコントローラ１２によって選択することができる。特定の周波数は１００Ｈｚとすることができ、２５０Ｈｚでさえ好ましい。

[00032] １つの実施形態では、リソグラフィ装置は、範囲の第一部分にわたって第一方向で基板テーブル及び／又は支持体の位置を測定する測定センサを含む。別の実施形態では、装置は、第一範囲にわたって測定センサの測定信号を、及び範囲の第二部分にわたって加速度に基づく信号を選択するように構築され、配置構成されたコントローラを含む。測定センサは、範囲の第一部分にわたって延在するスケールに対してセンサの位置を測定するように構成されたインクリメンタルエンコーダとすることができる。インクリメンタルエンコーダは、Ｚ方向及び少なくとも１つの直線方向に対して位置を測定するように構築し、配置構成することができる。１つの実施形態では、測定システムは４つの測定センサを含み、毎回、４つの測定センサのうち少なくとも３つが、スケールに対するその位置を測定している。４つの測定センサは加速度計を備えることができる。コントローラは、特定の測定センサがスケールに対する位置を測定できない場合、特定の周波数より上の加速度計に基づく位置信号を選択し、加速度計に基づく位置信号が特定の周波数より低い場合は、特定の位置センサ以外の測定センサのうち１つの測定信号を選択するように構築し、配置構成することができる。コントローラは、特定の周波数より上で、加速度計から加速度計に基づく位置信号を選択するように構築し、配置構成することができる。特定の周波数は約２００Ｈｚとすることができる。

[00033] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[0034] 以上では光学リソグラフィの状況で本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は、インプリントリソグラフィなどの他の用途においても使用可能であり、状況が許せば、光学リソグラフィに限定されないことが理解される。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィが、基板上に生成されるパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィを基板に供給されたレジストの層に押しつけ、その後に電磁放射、熱、圧力又はその組合せを適用することにより、レジストを硬化する。パターニングデバイスをレジストから離し、レジストを硬化した後にパターンを残す。

[00035] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）及び極端紫外線光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。

[00036] 「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。

[00037] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。

[00038] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。それ故、下記に示す特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

Claims (13)

1. 放射ビームを調整する照明システムと、
   前記放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持する支持体と、
   基板を保持する基板テーブルと、
   前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、を備え、前記基板テーブル及び／又は前記支持体が、前記個々の基板テーブル及び／又は前記支持体の加速度を測定する加速度計を備え、前記加速度計と通信し、前記加速度計によって測定された前記加速度から加速度に基づく位置信号を計算するカルキュレータを含む、
   リソグラフィ装置。
2. 前記カルキュレータが、前記加速度を２回積分し、前記加速度に基づく位置信号を計算する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
3. 前記基板テーブル及び／又は前記支持体の前記位置を測定し、位置測定信号を提供する測定システムを備える、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
4. 前記測定システムが、範囲の第一部分にわたって第一方向で前記基板テーブル及び／又は前記支持体の前記位置を測定する測定センサを備える、請求項３に記載のリソグラフィ装置。
5. 前記第一範囲にわたって前記測定センサの前記測定信号を、及び前記範囲の第二部分にわたって前記加速度に基づく信号を選択するコントローラを備える、請求項４に記載のリソグラフィ装置。
6. 前記測定センサが、前記範囲の前記第一部分にわたって延在するスケールに対して前記センサの位置を測定するインクリメンタルエンコーダである、請求項５に記載のリソグラフィ装置。
7. 前記インクリメンタルエンコーダが、前記Ｚ方向及び少なくとも１つの直線方向に対して位置を測定する、請求項６に記載のリソグラフィ装置。
8. 前記測定システムが４つの測定センサを備え、毎回、前記４つの測定センサのうち少なくとも３つが、スケールに対するその位置を測定している、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
9. 前記４つの測定センサが加速度計を備える、請求項８に記載のリソグラフィ装置。
10. 前記コントローラが、特定の測定センサがスケールに対する前記位置を測定できない場合、特定の周波数より上の前記加速度計に基づく位置信号を選択し、前記加速度計に基づく位置信号が前記特定の周波数より低い場合は、前記特定の位置センサ以外の前記測定センサのうち１つの前記測定信号を選択する、請求項８に記載のリソグラフィ装置。
11. 前記コントローラが、特定の周波数より上で前記加速度計からの前記加速度計に基づく位置信号を選択する、請求項１０に記載のリソグラフィ装置。
12. 前記特定の周波数が約２００Ｈｚである、請求項１０に記載のリソグラフィ装置。
13. パターニングデバイスから基板にパターンを転写し、
    前記基板及び／又は前記パターニングデバイスの加速度を計算し、
    前記基板及び／又は前記パターニングデバイスの加速度に基づく位置信号を計算することを含む、
    デバイス製造方法。