JP2011013413A - Method for manufacturing plasma display panel, and photomask used for the method - Google Patents

Method for manufacturing plasma display panel, and photomask used for the method Download PDF

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雅教 鈴木
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress generation of defects such as disconnection in a PDP pattern due to dust or the like depositing on a photomask in an exposure step, and to obtain a uniform pattern width even in a large screen with high definition.SOLUTION: A method for manufacturing a PDP is provided for manufacturing a plurality of PDPs having a structure on at least one substrate, and the method includes a first exposure step and a second exposure step for forming the structure, and a step of measuring a shift amount between the exposure position in the first exposure step and the exposure position in the second exposure step. An exposure position in the first exposure step or in the second exposure step upon manufacturing the subsequent plasma display panels is corrected on the basis of the measured shift amount.

Description

本発明は、液晶ディスプレイパネル(以下、LCDと記す)やプラズマディスプレイパネル(以下、PDPと記す)に関するものである。   The present invention relates to a liquid crystal display panel (hereinafter referred to as LCD) and a plasma display panel (hereinafter referred to as PDP).

PDPは、ガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線で蛍光体を励起して発光させることにより画像表示を行っている。   The PDP generates an ultraviolet ray by gas discharge and performs image display by exciting a phosphor with the ultraviolet ray to emit light.

PDPには、大別して駆動方式ではAC型とDC型とがあり、放電形式では面放電型と対向放電型とがあるが、高精細化、大画面化および構造の簡素性に伴う製造の簡便性から、現状では、3電極構造の面放電型のPDPが主流である。その構造は、ガラス等の基板上に、走査電極と維持電極とからなる表示電極と、それを覆う誘電体層と、さらにそれを覆う保護層とを有する前面板と、表示電極に対して直交する複数のアドレス電極と、それを覆う誘電体層と、誘電体層上の隔壁とを有する背面板とを対向配置させることにより、表示電極とアドレス電極との交差部に放電セルを形成し、且つ放電セル内に蛍光体層を備えたものである。   PDPs can be broadly classified into AC and DC types as drive systems, and surface discharge types and counter discharge types as discharge types, but they are easy to manufacture due to high definition, large screen, and simple structure. Therefore, at present, a surface discharge type PDP having a three-electrode structure is mainly used. The structure is orthogonal to the display electrode on a substrate such as glass, having a display electrode composed of a scan electrode and a sustain electrode, a dielectric layer covering the display electrode, and a protective layer covering the display electrode. By disposing a plurality of address electrodes, a dielectric layer covering the address electrodes, and a back plate having a partition on the dielectric layer, a discharge cell is formed at the intersection of the display electrode and the address electrode, In addition, a phosphor layer is provided in the discharge cell.

この構成においては、表示電極およびアドレス電極には、その形状および配設ピッチに精度が要求されることから、例えば、金属材料等のような導電性材料に、感光性材料を含有させた材料を基板全面に塗布、乾燥し、それを電極のパターンに露光する露光パターンを備えたフォトマスクにより露光し、その後、それを現像するという、いわゆるフォトリソグラフィ法によってパターニングすることで、所定の位置に所定形状の電極を形成する。   In this configuration, since the display electrode and the address electrode are required to have high accuracy in shape and arrangement pitch, for example, a material containing a photosensitive material in a conductive material such as a metal material is used. By coating and drying the entire surface of the substrate, exposing it to a photomask having an exposure pattern for exposing it to an electrode pattern, and then developing it, patterning is performed by a so-called photolithography method, so that a predetermined position is predetermined. A shaped electrode is formed.

フォトリソグラフィ法においては、感光性材料としてネガ材を使用した場合、フォトマスクが備える露光パターンの露光部にダスト等が付着していると、その部分に対応する感光性材料が感光せず重合されなくなる。この場合、現像時にその部分が溶解し、「抜け」となってしまい、表示電極、アドレス電極の欠け・断線に至ってしまう。ここで、断線が発生してしまうと、断線発生箇所より給電方向下流側の画素に電力を供給することができず、PDPにおいては画像表示に支障が生じ、致命的な欠陥となる。   In the photolithography method, when a negative material is used as the photosensitive material, if dust or the like adheres to the exposed portion of the exposure pattern provided in the photomask, the photosensitive material corresponding to the exposed portion is polymerized without being exposed to light. Disappear. In this case, the portion is dissolved at the time of development, resulting in “missing”, leading to chipping / disconnection of the display electrode and the address electrode. Here, if a disconnection occurs, power cannot be supplied to the pixels downstream in the power feeding direction from the disconnection occurrence point, which causes a problem in image display in the PDP and becomes a fatal defect.

そこで、上述のような断線の発生を抑制するために、同一の露光パターンを備える複数のフォトマスクを用いて、複数回露光を行うという方法がある。これによって、たとえ一方のフォトマスクに付着したダストによって欠け・断線部が発生したとしても、他方のフォトマスクを用いた露光によって、その箇所を露光して断線を補償することが可能となる(例えば、特許文献1参照)。   Therefore, in order to suppress the occurrence of the disconnection as described above, there is a method of performing exposure a plurality of times using a plurality of photomasks having the same exposure pattern. As a result, even if a chipped or disconnected portion is generated due to dust adhering to one photomask, it is possible to compensate for the disconnection by exposing the portion by exposure using the other photomask (for example, , See Patent Document 1).

また上記の技術では、露光パターンの幅が異なる複数のフォトマスクを用いて、複数回露光を行うという方法がある。これは、PDPの構造物に断線などの欠陥が発生することを抑制し、且つ、構造物の反り上がり、剥がれなども抑制することが可能となるというものである(例えば、特許文献2、3参照)。   In the above technique, there is a method of performing exposure a plurality of times using a plurality of photomasks having different exposure pattern widths. This is to suppress the occurrence of defects such as disconnection in the PDP structure, and to suppress the warping and peeling of the structure (for example, Patent Documents 2 and 3). reference).

特開2005−250465号公報JP 2005-250465 A 特開平1−281448号公報JP-A-1-281448 特開2004−342348号公報JP 2004-342348 A

ところで、LCDやPDPに代表される薄型ディスプレイデバイスは、表示画面の大型化が進行している。このため、薄型ディスプレイデバイスの製造工程においては、一度の処理で複数のパターンを得られるように、一枚の大型基板に複数のパターンを一度に形成し、パターン完成後に単板に割断するようにして、工数低減によるコスト削減を実施している。   By the way, in a thin display device typified by an LCD or a PDP, a display screen is becoming larger. For this reason, in the manufacturing process of a thin display device, a plurality of patterns are formed on a single large substrate at a time so that a plurality of patterns can be obtained by a single process, and cleaved into a single plate after the pattern is completed. The cost is reduced by reducing man-hours.

また一方で、地上デジタルテレビジョン放送などに呼応し高精細ディスプレイの需要が伸張しており、画素ピッチの小型化、構造パターンの細線化が進んでいる。   On the other hand, the demand for high-definition displays is increasing in response to digital terrestrial television broadcasting, and the pixel pitch is reduced and the structure pattern is becoming thinner.

このため、上記表示電極のパターンを形成するための露光工程においても、高い精度が求められることになる。ところが、上述のように露光を複数回行うと、各々の露光工程で転写位置にずれが生じやすくなる。   For this reason, high accuracy is also required in the exposure process for forming the display electrode pattern. However, if the exposure is performed a plurality of times as described above, the transfer position is likely to be shifted in each exposure process.

従来技術においても、このような転写ずれを考慮し、例えば、メインパターンを有するフォトマスクと断線補償用にメインパターンより細いサブパターンを有するフォトマスクを用い、2回の露光を行う方法が採り入れられている。   In the prior art, in consideration of such transfer deviation, for example, a method of performing exposure twice using a photomask having a main pattern and a photomask having a sub-pattern thinner than the main pattern for disconnection compensation is adopted. ing.

しかし、基板とフォトマスクの大型化、および表示電極の高精細化に伴い、各々の露光工程で生じる位置ずれ量が拡大する傾向にある。断線補償用のサブパターンは、本来メインパターンに隠れるようメインパターンより所定量細く設計されているが、転写位置ずれが許容量を超える場合、メインパターンからサブパターンがはみ出し、所定のパターン幅を得ることができなくなる。   However, with the increase in size of the substrate and photomask and the increase in definition of the display electrodes, the amount of misalignment that occurs in each exposure process tends to increase. The disconnection compensation sub-pattern is originally designed to be thinner than the main pattern by a predetermined amount so as to be hidden by the main pattern. However, if the transfer position deviation exceeds the allowable amount, the sub-pattern protrudes from the main pattern to obtain a predetermined pattern width. I can't do that.

本発明は、これらの課題に鑑みてなされたものであり、PDPの表示電極パターンに断線などの欠陥なく、且つ、大画面、高精細であっても均一なパターン幅を有するPDPを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of these problems, and provides a PDP having a uniform pattern width even when the display electrode pattern of the PDP is free from defects such as disconnection and has a large screen and high definition. With the goal.

上記の課題を解決するために本発明のPDPの製造方法は、少なくとも一方の基板に構造物を有したPDPを複数製造するPDPの製造方法であって、構造物の形成には、第1露光ステップと第2露光ステップを有し、第1露光ステップにおける露光位置と第2露光ステップにおける露光位置とのずれ量を測定するステップを有し、ずれ量から、次以降のPDPの製造における第1露光ステップもしくは第2露光ステップの露光位置を補正することを特徴とする。   In order to solve the above-described problem, a PDP manufacturing method of the present invention is a PDP manufacturing method for manufacturing a plurality of PDPs having a structure on at least one substrate. A step and a second exposure step, and a step of measuring a deviation amount between the exposure position in the first exposure step and the exposure position in the second exposure step. The exposure position of the exposure step or the second exposure step is corrected.

また、第1露光ステップにおいて露光する第1露光パターンと、第2露光ステップにおいて露光する第2露光パターンとには、異なる箇所が存在し、異なる箇所の位置からずれ量を測定することが望ましい。構造物は、PDPの放電に使用する電極であって、第1露光ステップと第2露光ステップとは電極の断線補償をするために行うことが望ましい。   Further, there are different locations in the first exposure pattern exposed in the first exposure step and the second exposure pattern exposed in the second exposure step, and it is desirable to measure the shift amount from the location of the different locations. The structure is an electrode used for the discharge of the PDP, and it is preferable that the first exposure step and the second exposure step are performed in order to compensate for disconnection of the electrode.

また、本発明のフォトマスクは第1露光ステップおよび第2露光ステップに使用するものである。   The photomask of the present invention is used for the first exposure step and the second exposure step.

本構成のPDPおよびフォトマスクによって、第1露光ステップであるメインパターンの転写位置と第2露光ステップであるサブパターンの転写位置が独立して認識可能となり、メインパターンとサブパターンの転写位置ずれ量を確認することが可能となる。   With the PDP and photomask of this configuration, the transfer position of the main pattern, which is the first exposure step, and the transfer position of the sub pattern, which is the second exposure step, can be recognized independently. Can be confirmed.

本発明のPDPによれば、メインパターンの転写位置とサブパターンの転写位置を相対的に補正することで、フォトマスクに付着したダスト等によりPDPのパターンに断線などの欠陥が発生することを抑制し、且つ、大画面、高精細であっても均一なパターン幅を得ることができる。   According to the PDP of the present invention, by correcting the transfer position of the main pattern and the transfer position of the sub pattern relatively, it is possible to suppress the occurrence of defects such as disconnection in the PDP pattern due to dust or the like adhering to the photomask. In addition, a uniform pattern width can be obtained even with a large screen and high definition.

本発明の実施の形態によるPDPの概略構成の一例を示す断面斜視図Sectional perspective view which shows an example of schematic structure of PDP by embodiment of this invention 同PDPの製造方法におけるアドレス電極を形成する工程の概略の流れを示す図The figure which shows the general | schematic flow of the process of forming the address electrode in the manufacturing method of the PDP. 同PDPの製造方法における第1フォトマスクと第2フォトマスクの開口パターンを模式的に示す平面図The top view which shows typically the opening pattern of the 1st photomask and 2nd photomask in the manufacturing method of the PDP 位置ずれを模式的に示す図Diagram showing misalignment 本発明の基準位置マークと位置確認マークの例を示す図The figure which shows the example of the reference | standard position mark and position confirmation mark of this invention

以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら説明する。   The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings.

(実施の形態)
まず、PDPの構造の一例について説明する。図1は、本発明の一実施の形態によるPDPの製造方法により製造される、PDPの概略構成の一例を示す断面斜視図である。
(Embodiment)
First, an example of the structure of the PDP will be described. FIG. 1 is a cross-sectional perspective view showing an example of a schematic configuration of a PDP manufactured by a method for manufacturing a PDP according to an embodiment of the present invention.

PDP1の前面板2は、平滑、透明且つ絶縁性の前面基板3の一主面上に形成した、走査電極4と維持電極5とからなる表示電極6と、隣接する表示電極6間に設けた遮光層7と、表示電極6と遮光層7とを覆う誘電体層8と、さらにその誘電体層8を覆う、例えばMgOによる保護層9とを有する構造である。走査電極4と維持電極5は、電気抵抗の低減を目的として、透明電極に金属材料のような良導電性材料によるバス電極を積層した構造である。   The front plate 2 of the PDP 1 is provided between a display electrode 6 formed of a scanning electrode 4 and a sustain electrode 5 on one main surface of a smooth, transparent and insulating front substrate 3 and between adjacent display electrodes 6. The structure includes a light shielding layer 7, a dielectric layer 8 that covers the display electrode 6 and the light shielding layer 7, and a protective layer 9 made of, for example, MgO that covers the dielectric layer 8. Scan electrode 4 and sustain electrode 5 have a structure in which a bus electrode made of a highly conductive material such as a metal material is laminated on a transparent electrode for the purpose of reducing electric resistance.

背面板10は、平滑、且つ絶縁性の背面基板11の一主面上に形成したアドレス電極12と、そのアドレス電極12を覆う誘電体層13と、誘電体層13上の、隣り合うアドレス電極12の間に相当する場所に位置する隔壁14と、隔壁14間の蛍光体層15R、15G、15Bとを有する構造である。   The back plate 10 includes an address electrode 12 formed on one main surface of a smooth and insulating back substrate 11, a dielectric layer 13 covering the address electrode 12, and adjacent address electrodes on the dielectric layer 13. 12 is a structure having a partition wall 14 located at a location corresponding to 12 and phosphor layers 15R, 15G, and 15B between the partition walls 14.

そして、前面板2と背面板10とは、隔壁14を挟んで、表示電極6とアドレス電極12とが直交するように対向し、周囲を封着部材により封止した構成であり、前面板2と背面板10との間に形成された放電空間16には、放電ガスとして、例えばネオンとキセノンの混合ガスが封入されている。そして、放電空間16の表示電極6とアドレス電極12との交差部が放電セル(単位発光領域)として動作する。   The front plate 2 and the back plate 10 are configured such that the display electrodes 6 and the address electrodes 12 face each other with the partition wall 14 therebetween, and the periphery is sealed with a sealing member. For example, a mixed gas of neon and xenon is sealed in the discharge space 16 formed between the back plate 10 and the back plate 10 as a discharge gas. The intersection between the display electrode 6 and the address electrode 12 in the discharge space 16 operates as a discharge cell (unit light emitting region).

次に、上述した構造のPDP1について、その製造方法を同じく図1を参照しながら説明する。前面板2は、前面基板3上にまず、走査電極4および維持電極5を例えばストライプ状に形成する。   Next, a manufacturing method of the PDP 1 having the above-described structure will be described with reference to FIG. The front plate 2 first forms the scan electrodes 4 and the sustain electrodes 5 on the front substrate 3 in a stripe shape, for example.

具体的には、前面基板3上に透明電極の材料、例えばITOによる膜を、例えば電子ビーム蒸着法により形成し、さらにその上にレジストを、透明電極のパターンとして残るようにパターニングして形成した後、エッチングにより透明電極の材料による膜をエッチングし、その後、レジストを剥離することで、透明電極を形成する。なお、透明電極材料としてはSnO等も用いることができる。 Specifically, a transparent electrode material, for example, a film made of ITO, for example, is formed on the front substrate 3 by, for example, an electron beam evaporation method, and a resist is patterned thereon so as to remain as a transparent electrode pattern. Then, the film | membrane by the material of a transparent electrode is etched by an etching, and a transparent electrode is formed by peeling a resist after that. In addition, SnO 2 etc. can also be used as a transparent electrode material.

そして、上述のようにして形成した透明電極の上にバス電極を形成する。具体的には、黒色顔料、ガラスフリット(PbO−B−SiO系やBi−B−SiO系等)、重合開始剤、光硬化性モノマー、有機溶剤を含む感光性黒色ペーストを用いスクリーン印刷法等によりガラス基板上に黒色電極膜を成膜した後、乾燥し、引き続き、スクリーン印刷法等により黒色電極膜の上にAgを材料に含有する導電性材料、ガラスフリット(PbO−B−SiO系やBi−B−SiO系等)、重合開始剤、光硬化性モノマー、有機溶剤を含む感光性Agペーストを用いて金属電極膜を成膜し、再度、乾燥する。 Then, a bus electrode is formed on the transparent electrode formed as described above. Specifically, a black pigment, glass frit (PbO—B 2 O 3 —SiO 2 system, Bi 2 O 3 —B 2 O 3 —SiO 2 system, etc.), a polymerization initiator, a photocurable monomer, and an organic solvent are used. A conductive material containing Ag as a material on a black electrode film by a screen printing method or the like after forming a black electrode film on a glass substrate by a screen printing method or the like using a photosensitive black paste containing , Photosensitive frit containing glass frit (PbO—B 2 O 3 —SiO 2 system, Bi 2 O 3 —B 2 O 3 —SiO 2 system, etc.), polymerization initiator, photocurable monomer, organic solvent A metal electrode film is formed and dried again.

そしてその後、フォトリソグラフィ法によってパターニングし、焼成することで、バス電極を形成することができる。以上により、走査電極4および維持電極5からなる表示電極6を形成することができる。   Then, the bus electrode can be formed by patterning and baking by photolithography. As described above, the display electrode 6 including the scan electrode 4 and the sustain electrode 5 can be formed.

次に、遮光層7を形成する。これは、感光性黒色ペーストをスクリーン印刷法等により成膜した後、フォトリソグラフィ法によってパターニングし、焼成することで形成することができる。なお、遮光層7は、バス電極の下地黒色層と同時に形成してもよい。また、黒色であるならペーストを用いた形成方法でなくとも良い。また、バス電極形成の前に形成しても良い。   Next, the light shielding layer 7 is formed. This can be formed by forming a photosensitive black paste into a film by a screen printing method or the like, then patterning and baking it by a photolithography method. The light shielding layer 7 may be formed simultaneously with the base black layer of the bus electrode. Moreover, if it is black, it does not need to be a formation method using a paste. Further, it may be formed before the bus electrode is formed.

次に、以上のようにして形成した表示電極6と遮光層7とを、誘電体層8で被覆する。誘電体層8は、鉛系のガラス材料を含むペーストを例えばスクリーン印刷で塗布、乾燥した後、焼成することによって形成する。   Next, the display electrode 6 and the light shielding layer 7 formed as described above are covered with a dielectric layer 8. The dielectric layer 8 is formed by applying a paste containing a lead-based glass material by, for example, screen printing, drying, and then baking.

次に、誘電体層8を、保護層9で被覆する。保護層9は、例えばMgOからなるものであり、蒸着やスパッタなどの成膜プロセスにより形成する。   Next, the dielectric layer 8 is covered with a protective layer 9. The protective layer 9 is made of, for example, MgO and is formed by a film forming process such as vapor deposition or sputtering.

一方、背面板10は、背面基板11上に、アドレス電極12を、例えばストライプ状に形成する。具体的には、基板11上に、アドレス電極12の材料、例えば感光性Agペーストを用い、スクリーン印刷法等により膜を形成し、その後、フォトリソグラフィ法などによってパターニングし、焼成することで形成することができる。   On the other hand, the back plate 10 has address electrodes 12 formed on a back substrate 11 in a stripe shape, for example. Specifically, a material is formed on the substrate 11 by using a material of the address electrode 12, for example, a photosensitive Ag paste, and a film is formed by a screen printing method or the like, followed by patterning and baking by a photolithography method or the like. be able to.

次に、以上のようにして形成したアドレス電極12を、誘電体層13により被覆する。誘電体層13は、例えば、鉛系のガラス材料を含むペーストを、例えば、スクリーン印刷で塗布、乾燥した後、焼成することによって形成する。また、ペーストをスクリーン印刷する代わりに、成型されたフィルム状の誘電体層の前駆体をラミネートして焼成することによって形成しても良い。   Next, the address electrode 12 formed as described above is covered with a dielectric layer 13. The dielectric layer 13 is formed by, for example, applying and drying a paste containing a lead-based glass material by screen printing, for example, and then baking the paste. Further, instead of screen-printing the paste, it may be formed by laminating and firing a precursor of a molded film-like dielectric layer.

次に、隔壁14を例えば格子状に形成する。隔壁14は、Al等の骨材とガラスフリットとを主剤とする感光性ペーストを印刷法やダイコート法等により成膜し、フォトリソグラフィ法によりパターニングし、焼成することで形成することができる。または、例えば、鉛系のガラス材料を含むペーストを、例えば、スクリーン印刷法により所定のピッチで繰り返し塗布、乾燥した後、焼成することによって形成してもよい。 Next, the partition walls 14 are formed in a lattice shape, for example. The partition wall 14 can be formed by forming a photosensitive paste mainly composed of an aggregate such as Al 2 O 3 and glass frit by a printing method or a die coating method, patterning by a photolithography method, and baking. it can. Alternatively, for example, a paste containing a lead-based glass material may be formed by, for example, repeatedly applying and drying at a predetermined pitch by a screen printing method and then baking.

そして、隔壁14と隔壁14との間の溝には、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の各蛍光体粒子により構成される蛍光体層15R、15G、15Bを形成する。これは、各色の蛍光体粒子と有機バインダとからなるペースト状の蛍光体インキを塗布、乾燥し、これを400℃〜590℃の温度で焼成して有機バインダを焼失させることによって、各蛍光体粒子が結着してなる蛍光体層15R、15G、15Bとして形成する。   And in the groove | channel between the partition 14 and the partition 14, fluorescent substance layer 15R, 15G, 15B comprised by each fluorescent substance particle of red (R), green (G), and blue (B) is formed. This is done by applying and drying a paste-like phosphor ink composed of phosphor particles of each color and an organic binder, and baking it at a temperature of 400 ° C. to 590 ° C. to burn off the organic binder. The phosphor layers 15R, 15G, and 15B are formed by binding particles.

以上のようにして作製した前面板2と背面板10を、前面板2の表示電極6と背面板10のアドレス電極12が直交するように重ね合わせるとともに、周縁に封着用ガラス等の封着部材を介挿し、これを例えば450℃程度で10〜20分間焼成して形成した気密シール層(図示せず)により封着する。そして、一旦、放電空間16内を高真空(例えば、1.1×10−4Pa)に排気した後、放電ガス(例えば、He−Xe系の不活性ガス)を封入することによってPDP1を作製する。 The front plate 2 and the back plate 10 produced as described above are overlapped so that the display electrodes 6 of the front plate 2 and the address electrodes 12 of the back plate 10 are orthogonal to each other, and a sealing member such as sealing glass is provided on the periphery. This is sealed with an airtight seal layer (not shown) formed by firing at about 450 ° C. for 10 to 20 minutes, for example. Then, once the inside of the discharge space 16 is evacuated to a high vacuum (for example, 1.1 × 10 −4 Pa), a discharge gas (for example, a He—Xe-based inert gas) is encapsulated to manufacture the PDP 1. To do.

このように、PDP1は大画面であると同時に、表示電極6、遮光層7、アドレス電極12、隔壁14などのPDP1の構造物には、形状および位置に対する精度が要求されるため、これら、PDP1の構造物の形成方法としては、フォトリソグラフィ法が多く用いられている。   As described above, since the PDP 1 has a large screen, the PDP 1 structure such as the display electrode 6, the light shielding layer 7, the address electrode 12, and the partition wall 14 requires accuracy with respect to the shape and position. As a method for forming the structure, a photolithography method is often used.

そこで、本発明によるPDP1の製造方法におけるフォトリソグラフィ法について、アドレス電極12をPDPの構造物の一例として、その形成工程を、本発明の特徴的な点である、露光での工程の流れを中心に、図を用いて説明する。   Therefore, in the photolithography method in the manufacturing method of the PDP 1 according to the present invention, the address electrode 12 is taken as an example of the structure of the PDP, and the formation process is centered on the flow of the exposure process, which is a characteristic point of the present invention. Next, it demonstrates using a figure.

図2は、アドレス電極12を形成する際の工程の概略の流れを示す図である。また、後述するように、アドレス電極12を形成する工程では、第1露光ステップと第2露光ステップとを有し、それぞれの工程において異なるパターンを有した第1フォトマスクと第2フォトマスクとを用いる。図3は、第1フォトマスクと第2フォトマスクの開口パターンの相対関係を模式的に示すための部分拡大平面図であり、図3(a)は第1フォトマスクを示し、図3(b)は第2フォトマスクを示す。   FIG. 2 is a diagram showing a schematic flow of steps in forming the address electrode 12. Further, as will be described later, the process of forming the address electrode 12 includes a first exposure step and a second exposure step, and a first photomask and a second photomask having different patterns in each process. Use. FIG. 3 is a partially enlarged plan view for schematically showing the relative relationship between the opening patterns of the first photomask and the second photomask. FIG. 3A shows the first photomask, and FIG. ) Indicates a second photomask.

まず、図2(a)に示すように、アドレス電極12の材料となるAg材料を有する感光性Agペーストを用い、これをスクリーン印刷法等により背面基板11に均一に塗布することで、感光性Agペースト膜21を形成する。   First, as shown in FIG. 2 (a), a photosensitive Ag paste having an Ag material as a material of the address electrode 12 is used, and this is uniformly applied to the back substrate 11 by a screen printing method or the like. An Ag paste film 21 is formed.

次に、図2(b)に示すように、開口部22aを備える第1フォトマスク22を、所定の位置に位置合わせして設置する。ここで、図3に示すように、第1フォトマスク22における開口部22aの開口幅W1は、コリメーション半角、デクリネーション角度による転写パターンのぼけを考慮し、アドレス電極12パターン幅を所望のパターン幅Wに形成し得るよう、補正値αを加え補正している。すなわちW=W1+αである。   Next, as shown in FIG.2 (b), the 1st photomask 22 provided with the opening part 22a is aligned and installed in a predetermined position. Here, as shown in FIG. 3, the opening width W1 of the opening 22a in the first photomask 22 takes into account the blurring of the transfer pattern due to the collimation half angle and the declination angle, and the pattern width of the address electrode 12 is set to a desired pattern. The correction value α is added and corrected so that the width W can be formed. That is, W = W1 + α.

この状態で、図2(c)に示すように、感光性Agペースト膜21に対する第1露光ステップを行う。具体的には、超高圧水銀ランプによる紫外線23を照射する。この露光により、図2(c)に示すように、アドレス電極12のパターンのメインパターン31が露光される。   In this state, as shown in FIG. 2C, a first exposure step is performed on the photosensitive Ag paste film 21. Specifically, the ultraviolet ray 23 is irradiated by an ultra high pressure mercury lamp. By this exposure, as shown in FIG. 2C, the main pattern 31 of the pattern of the address electrode 12 is exposed.

次に、図2(d)に示すように、開口部24aを備える第2フォトマスク24を、所定の位置に位置合わせして設置する。ここで、図3に示すように、第2フォトマスク24における開口部24aの開口幅W2は、第1フォトマスク22における開口部22aの開口幅W1に対して、第1フォトマスク22と第2フォトマスク24の転写位置誤差Dtを考慮し小さく形成している。   Next, as shown in FIG.2 (d), the 2nd photomask 24 provided with the opening part 24a is aligned and installed in a predetermined position. Here, as shown in FIG. 3, the opening width W <b> 2 of the opening 24 a in the second photomask 24 is the same as that of the first photomask 22 and the second width W1 of the opening 22 a in the first photomask 22. The photomask 24 is formed small in consideration of the transfer position error Dt.

そして、この状態で、図2(e)に示すように、超高圧水銀ランプによる紫外線23を照射し、感光性Agペースト膜21に対する第2露光ステップを行う。この露光により、図2(e)に示すように、第1露光ステップによるメインパターン31に重複させた状態で、アドレス電極12のサブパターン32が露光される。   Then, in this state, as shown in FIG. 2E, the second exposure step is performed on the photosensitive Ag paste film 21 by irradiating the ultraviolet ray 23 from the ultrahigh pressure mercury lamp. By this exposure, as shown in FIG. 2E, the sub-pattern 32 of the address electrode 12 is exposed while being overlapped with the main pattern 31 in the first exposure step.

そして以上のようにして、アドレス電極12のパターンを露光した感光性Agペースト膜21に対して現像を行うことで、感光性Agペースト膜21をアドレス電極12のパターンに形成することができ、それを焼成することでアドレス電極12のパターニングが完成する。   Then, the photosensitive Ag paste film 21 exposed to the pattern of the address electrode 12 is developed as described above, whereby the photosensitive Ag paste film 21 can be formed into the pattern of the address electrode 12. The address electrode 12 is patterned by baking.

ここで、第1フォトマスク22および第2フォトマスク24に、それぞれダストが付着していたとしても、感光性Agペースト膜21に対する相対位置が一致する確率は非常に小さい。具体的には、40インチクラスのPDPの製造に用いられるフォトマスク上に直径100μmの円状の異物が100個程度付着したとき、第1フォトマスクと第2フォトマスクとで付着した異物の位置が一致する確率は0.1%程度以下となる。すなわち、フォトマスクの交換毎に露光を行う場合、感光性Agペースト膜21に対してフォトマスクの交換によってでも同じ箇所にダストが位置するという確率は非常に小さく、したがって、フォトマスクの交換を行って、その交換毎に露光を行えば、フォトマスクに付着したダストにより露光が遮られ未露光となり断線してしまうという領域を、大幅に抑制することが可能となる。   Here, even if dust adheres to the first photomask 22 and the second photomask 24, the probability that the relative positions with respect to the photosensitive Ag paste film 21 match is very small. Specifically, when about 100 circular foreign matters having a diameter of 100 μm adhere on a photomask used for manufacturing a 40-inch class PDP, the positions of the foreign matters attached by the first photomask and the second photomask. The probability of matching is about 0.1% or less. In other words, when exposure is performed every time the photomask is replaced, the probability that dust is located at the same position even if the photomask is replaced with respect to the photosensitive Ag paste film 21 is very small. If the exposure is performed at each exchange, it is possible to greatly suppress the region where the exposure is blocked by the dust adhering to the photomask and is unexposed and disconnected.

したがって、上述したような2回露光によりパターン中に形成された、第1の露光によるメインパターン31と、第2の露光によるサブパターン32とが重複する2回露光の領域は、フォトマスクへのダストの付着に関わらず1回は露光される確率が非常に高まるため、これにより、アドレス電極12のパターンは、最悪でも、上述した二回露光の領域の存在により、断線に至る確率は非常に小さくなる。   Therefore, the double exposure region in which the main pattern 31 by the first exposure and the sub pattern 32 by the second exposure formed in the pattern by the double exposure as described above overlap the photomask. Since the probability of being exposed once is very high regardless of the adhesion of dust, the pattern of the address electrode 12 has a very high probability of being disconnected due to the presence of the above-described double exposure region. Get smaller.

ここで、アドレス電極12のメインパターン31とサブパターン32のずれについて説明する。図4は第1フォトマスク22により転写されるメインパターン31と第2フォトマスク24により転写されるサブパターン32の位置ずれを模式的に示す図である。   Here, a shift between the main pattern 31 and the sub pattern 32 of the address electrode 12 will be described. FIG. 4 is a diagram schematically showing a positional deviation between the main pattern 31 transferred by the first photomask 22 and the sub pattern 32 transferred by the second photomask 24.

前述のように、図3に示す第1フォトマスク22により転写されるメインパターン31と第2フォトマスク24により転写されるサブパターン32とには、第1露光ステップと第2露光ステップとで露光される領域の位置ずれ量Dtが生じる。位置ずれ量Dtは第1フォトマスク22と第2フォトマスク24の寸法精度、或いは、製造工程の温度変動などに起因する平均的なずれ成分Dsと、それぞれのフォトマスクの位置合わせ誤差などに起因するばらつき成分D1(第1フォトマスクの位置ずれ起因)、D2(第2フォトマスクの位置ずれ起因)に分類される。すなわちDt=Ds+D1+D2である。   As described above, the main pattern 31 transferred by the first photomask 22 and the subpattern 32 transferred by the second photomask 24 shown in FIG. 3 are exposed by the first exposure step and the second exposure step. A positional deviation amount Dt of the region to be generated occurs. The positional deviation amount Dt is caused by the dimensional accuracy of the first photomask 22 and the second photomask 24, or the average deviation component Ds caused by temperature variation in the manufacturing process, and the alignment error of each photomask. Variation component D1 (due to displacement of the first photomask) and D2 (due to displacement of the second photomask). That is, Dt = Ds + D1 + D2.

従来は、Dtが不明確であり、線幅不良となるPDPを大量に生産する結果となっていた。これに対し本発明の実施の形態では、この位置ずれ量Dtによるパターン幅精度悪化を抑制するために、まず第2フォトマスク24の開口部24aの開口幅W2は、第1フォトマスク22の開口部22aの開口幅W1よりDtだけ小さい設計としている。すなわちW1=W2+2Dtである。   Conventionally, Dt is unclear, resulting in the mass production of PDPs with poor line width. On the other hand, in the embodiment of the present invention, the opening width W2 of the opening 24a of the second photomask 24 is first set to the opening of the first photomask 22 in order to suppress the deterioration of the pattern width accuracy due to the positional deviation amount Dt. It is designed to be smaller by Dt than the opening width W1 of the portion 22a. That is, W1 = W2 + 2Dt.

ここで、ずれ量の測定について説明する。図5は、基準位置マーク41aおよび位置確認マーク42aと、各々の転写パターンを示す図である。第1フォトマスク22に基準位置マーク41aを配置し、第2フォトマスク24に位置確認マーク42aを配置し、第1フォトマスク22により転写されるメインパターンと第2フォトマスク24により転写されるサブパターンの位置ずれ量を複数回測定する。   Here, the measurement of the amount of deviation will be described. FIG. 5 is a diagram showing the reference position mark 41a and the position confirmation mark 42a and their respective transfer patterns. A reference position mark 41 a is arranged on the first photomask 22, a position confirmation mark 42 a is arranged on the second photomask 24, and a main pattern transferred by the first photomask 22 and a sub transferred by the second photomask 24. Measure pattern misalignment multiple times.

図5(a)に示す基準位置マーク41aと図5(b)に示す位置確認マーク42aは、それぞれ図5(c)に示す背面基板11上に形成されたアドレス電極層に転写された転写パターン41bと転写パターン42bが位置ずれ測定装置の同一視野内で確認できるよう極近接、または重なり合った状態となるように配置する。   The reference position mark 41a shown in FIG. 5 (a) and the position confirmation mark 42a shown in FIG. 5 (b) are transferred to the address electrode layer formed on the back substrate 11 shown in FIG. 5 (c), respectively. 41b and the transfer pattern 42b are arranged so that they are in close proximity or overlap each other so that they can be confirmed in the same field of view of the positional deviation measuring device.

また、第1フォトマスク22に配置する基準位置マーク41aと第2フォトマスク24に配置する位置確認マーク42aは、アドレス電極のパターン形成の障害となることを避けるため、それぞれのフォトマスクの外縁部に複数個、少なくとも2個以上設ける。   In addition, the reference position mark 41a arranged on the first photomask 22 and the position confirmation mark 42a arranged on the second photomask 24 are arranged at the outer edge portions of the respective photomasks in order to avoid obstructing the pattern formation of the address electrodes. A plurality of, at least two or more are provided.

複数の基準位置マーク41aが転写された転写パターン41bから導出される第1フォトマスク22によるメインパターンの重心位置と、複数の位置確認マーク42aが転写された転写パターン42bから導出される第2フォトマスク24によるサブパターンの重心位置とを比較することで、基準位置マーク42aの転写パターン42bと位置確認マーク42aの転写パターン42bとの平均的な位置ずれ量Dsを測定することが可能となる。   The position of the center of gravity of the main pattern by the first photomask 22 derived from the transfer pattern 41b transferred with the plurality of reference position marks 41a and the second photo derived from the transfer pattern 42b transferred with the plurality of position confirmation marks 42a. By comparing the position of the center of gravity of the sub-pattern with the mask 24, it is possible to measure the average positional deviation amount Ds between the transfer pattern 42b of the reference position mark 42a and the transfer pattern 42b of the position confirmation mark 42a.

本実施の形態では基準位置マーク41aと位置確認マーク42aをそれぞれ4個ずつ、それぞれのフォトマスクの外縁部に設けている。   In the present embodiment, four reference position marks 41a and four position confirmation marks 42a are provided on the outer edge of each photomask.

上記の測定方法により算出した位置ずれ量Dsを用いて、次以降に製造されるPDP1の第2露光ステップにおける第2フォトマスク24の位置をDsだけオフセットすることで、メインパターン31とサブパターン32の位置ずれ量を補正することができる。   The main pattern 31 and the sub-pattern 32 are offset by offsetting the position of the second photomask 24 in the second exposure step of the PDP 1 to be manufactured subsequently using the position shift amount Ds calculated by the measurement method described above. Can be corrected.

この手法により、フィードバック後の製品は位置ずれ量Dsが限りなく0に近付くこととなり、位置ずれ量DtはDt≒D1+D2へと縮小し、フォトマスクの開口幅W2はDsだけ拡幅でき、断線補償効果も上がる。   According to this method, the positional deviation amount Ds of the product after feedback approaches zero as much as possible, the positional deviation amount Dt is reduced to Dt≈D1 + D2, the opening width W2 of the photomask can be widened by Ds, and the disconnection compensation effect Also goes up.

以上は、PDPの構造物の一例としてアドレス電極12を例として説明したが、表示電極6、遮光層7、アドレス電極12、隔壁14など、フォトリソグラフィ法を用いて形成するPDP1の構造物に対しても同様の効果を得ることができる。   In the above description, the address electrode 12 is described as an example of the PDP structure. However, the display electrode 6, the light shielding layer 7, the address electrode 12, the partition wall 14 and the like are formed on the PDP 1 structure formed by photolithography. However, the same effect can be obtained.

以上のように、本発明のPDPは、メインパターンの転写位置とサブパターンの転写位置を補正することで、フォトマスクに付着したダスト等によりPDPのパターンに断線などの欠陥が発生することを抑制し、且つ、大画面、高精細であっても均一なパターン幅を得ることが可能になるので、PDPとして有用である。   As described above, the PDP according to the present invention corrects the transfer position of the main pattern and the transfer position of the sub pattern, thereby suppressing the occurrence of defects such as disconnection in the PDP pattern due to dust or the like adhering to the photomask. In addition, since a uniform pattern width can be obtained even on a large screen and high definition, it is useful as a PDP.

1 PDP
2 前面板
3 前面基板
4 走査電極
5 維持電極
6 表示電極
7 遮光層
8 誘電体層
9 保護層
10 背面板
11 背面基板
12 アドレス電極
13 誘電体層
14 隔壁
15R、15G、15B 蛍光体層
16 放電空間
21 感光性Agペースト膜
22 第1フォトマスク
22a 開口部
23 紫外線
24 第2フォトマスク
24a 開口部
31 メインパターン
32 サブパターン
41a 基準位置マーク
41b 転写パターン
42a 位置確認マーク
42b 転写パターン
1 PDP
2 Front plate 3 Front substrate 4 Scan electrode 5 Sustain electrode 6 Display electrode 7 Light shielding layer 8 Dielectric layer 9 Protective layer 10 Back plate 11 Back substrate 12 Address electrode 13 Dielectric layer 14 Partition 15R, 15G, 15B Phosphor layer 16 Discharge Space 21 Photosensitive Ag paste film 22 First photomask 22a Opening 23 UV light 24 Second photomask 24a Opening 31 Main pattern 32 Subpattern 41a Reference position mark 41b Transfer pattern 42a Position check mark 42b Transfer pattern

Claims (4)

少なくとも一方の基板に構造物を有したプラズマディスプレイパネルを複数製造するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記構造物の形成には、第1露光ステップと第2露光ステップを有し、
第1露光ステップにおける露光位置と第2露光ステップにおける露光位置とのずれ量を測定するステップを有し、
前記ずれ量から、次以降のプラズマディスプレイパネルの製造における前記第1露光ステップもしくは前記第2露光ステップの露光位置を補正することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
A plasma display panel manufacturing method for manufacturing a plurality of plasma display panels having a structure on at least one substrate,
The formation of the structure has a first exposure step and a second exposure step,
Measuring the amount of deviation between the exposure position in the first exposure step and the exposure position in the second exposure step;
A method for manufacturing a plasma display panel, comprising: correcting an exposure position in the first exposure step or the second exposure step in the subsequent manufacturing of the plasma display panel from the shift amount.
前記第1露光ステップにおいて露光する第1露光パターンと、前記第2露光ステップにおいて露光する第2露光パターンとには、異なる箇所が存在し、前記異なる箇所の位置から前記ずれ量を測定することを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。 There are different locations in the first exposure pattern exposed in the first exposure step and the second exposure pattern exposed in the second exposure step, and the shift amount is measured from the position of the different location. The plasma display panel according to claim 1, wherein: 前記構造物は、前記プラズマディスプレイパネルの放電に使用する電極であって、
前記第1露光ステップと前記第2露光ステップとは前記電極の断線補償をするために行うことを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
The structure is an electrode used for discharging the plasma display panel,
The plasma display panel according to claim 1, wherein the first exposure step and the second exposure step are performed to compensate for disconnection of the electrode.
前記第1露光ステップおよび前記第2露光ステップに使用するフォトマスク。 A photomask used for the first exposure step and the second exposure step.
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