JP2011011183A - 活性ガス生成装置およびリモートプラズマ型成膜処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】活性ガス生成装置700は、少なくとも1以上の電極セル1,2と、電極セル1,2に交流電圧を印加する電源部と、電極セルを囲繞する筐体16,161と、外部から筐体内に原料ガスを供給する原料ガス供給部20とを、備えている。そして、電極セル1,2は、第一の電極1と、誘電体を有する第二の電極2とを備えている。さらに、第一の電極1は、誘電体および空間ギャップ(放電空間)100を隔てて、第二の電極2と対面しており、電極セル1,2の平面視における中心領域には、ガス取り出し部1dが形成されている。
【選択図】図1
Description
図1は、本実施の形態に係る活性ガス生成装置700の断面構成を模式的に表した図である。また、図2は、図1の点線で囲われた領域Pの構成を示す分解斜視図である。さらに、図3は、図1,2で示した第一の電極1の構成を示す斜視図である。これら図1〜3を用いて、本実施の形態に係る活性ガス生成装置700の構成を説明する。
実施の形態1で説明した電極セル1,2は、次のような構成であることが望まれる。
実施の形態1に係る活性ガス生成装置700の代わりに、本実施の形態に係る活性ガス生成装置701を用いることが望ましい。図6は、本実施の形態に係る活性ガス生成装置701の構成を示す断面図である。
実施の形態3に係る活性ガス生成装置701の代わりに、本実施の形態に係る活性ガス生成装置702を用いることがより望ましい。図7は、本実施の形態に係る活性ガス生成装置702の構成を示す断面図である。
実施の形態1に係る活性ガス生成装置700の代わりに、本実施の形態に係る活性ガス生成装置703を用いることが望ましい。図8は、本実施の形態に係る活性ガス生成装置703の構成を示す断面図である。
実施の形態1に係る活性ガス生成装置700の代わりに、本実施の形態に係る活性ガス生成装置704を用いることが望ましい。図9は、本実施の形態に係る活性ガス生成装置704の構成を示す断面図である。
1a 電極板
1b ガス流入口
1d ガス流路部
1r 冷却材流路
1m (冷却材の出入り口となる)部分
2 第二の電極
2a 誘電体
2d 金属薄膜
3 高圧電極
4 絶縁板
5 高圧冷却板
6 スペーサ
7 リング
8 締め付け板
9 連結ブロック
10,11 オーリング
12 電極セル締め付けボルト
13 冷却材分配セル締め付けボルト
14 ガス吹き出し板
15 電気供給端子
16 装置基台
17 交流電源部
18 被処理材
19 冷却材出入部
20 原料ガス供給部
21 ガス通路管
22 オリフィス
23 処理装置
24 排気ポンプ
25 設置テーブル
26 設置テーブル引き出しレール
27 加熱ヒータ
30 希ガス供給部
31 希ガス通過路
32 予備放電生成用電源
33 予備放電用高圧電極
34 予備放電用誘電体
35 予備放電用設置電極
36 予備放電空間
37 希ガス供給口
40 放射プレート
40a ガス放散部
40b ガス流入部
40c 空間リブ
42 ガス通路部
100 空間ギャップ(放電空間)
161 チャンバー
401,402 プレート板
700,701,702,703,704 活性ガス生成装置
800 予備放電器
Claims (24)
- 少なくとも1以上の電極セルと、
前記電極セルに交流電圧を印加する電源部と、
前記電極セルを囲繞する筐体と、
前記筐体に形成され、外部から前記筐体内に原料ガスを供給する原料ガス供給部とを、備えており、
前記電極セルは、
第一の電極と、
誘電体を有する第二の電極とを、備えており、
前記第一の電極は、
前記誘電体および空間ギャップを隔てて、前記第二の電極と対面しており、
前記電極セルの平面視における中心領域には、
ガス取り出し部が形成されている、
ことを特徴とする活性ガス生成装置。 - 前記第一の電極と前記第二の電極とが対面する範囲における、前記第一の電極および前記第二の電極の平面視形状は、
円形である、
ことを特徴とする請求項1に記載の活性ガス生成装置。 - 前記電極セルは、
二つの前記第二の電極を、備えており、
前記第一の電極の第一の主面は、
一方の前記第二電極が有する前記誘電体および空間ギャップを隔てて、前記一方の第二の電極と対面しており、
前記第一の電極の第二の主面は、
他方の前記第二電極が有する前記誘電体および空間ギャップを隔てて、前記他方の第二の電極と対面している、
ことを特徴とする請求項1に記載の活性ガス生成装置。 - 前記電極セルは、
複数であり、
各前記電極セルは、
積層状態で配置されおり、
各前記電極セルが備える各前記ガス取り出し部に連通しており、前記電極セルの中心において前記積層方向に延設された、ガス通路管を、さらに備えている、
ことを特徴とする請求項3に記載の活性ガス生成装置。 - 前記第一の電極内部には、
冷却材が流動できる冷却材流路が形成されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の活性ガス生成装置。 - 前記各電極セルが備える前記ガス取り出し部は、
複数であり、
各前記ガス取り出し部は、
前記第一の電極の面に設けられたガス流入口と、
前記第一の電極内に配設され、前記ガス流入口と前記ガス通路管との間を螺旋状に連接するガス流路部とを、備えている、
ことを特徴とする請求項4に記載の活性ガス生成装置。 - 前記ガス通路管に希ガスを供給する希ガス供給部を、さらに備えている、
ことを特徴とする請求項4に記載の活性ガス生成装置。 - 予備放電器を、さらに備えており、
前記希ガスは、
前記予備放電器から前記希ガス供給部へと供給される、
ことを特徴とする請求項7に記載の活性ガス生成装置。 - 前記ガス通路管の端部に配設されたオリフィスを、さらに備えている、
ことを特徴とする請求項4に記載の活性ガス生成装置。 - 前記第一の電極は、
アルミニウムまたはアルミニウムを含む合金より成る、
ことを特徴とする請求項1に記載の活性ガス生成装置。 - 前記第二の電極が有する前記誘電体は、
酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムである、
ことを特徴とする請求項1に記載の活性ガス生成装置。 - 前記第一の電極に対面する側の前記第二の電極の面は、
凹凸形状を有する、
ことを特徴とする請求項1に記載の活性ガス生成装置。 - 前記第二の電極に対面する側の前記第一の電極の面は、
粒子状の電極材でコーティングされている、
ことを特徴とする請求項1に記載の活性ガス生成装置。 - 原料ガス供給部から前記筐体内には、
窒素ガスまたは窒素化合物ガスが供給される、
ことを特徴とする請求項1に記載の活性ガス生成装置。 - 原料ガス供給部から前記筐体内には、
酸素ガスまたは酸素化合物ガスが供給される、
ことを特徴とする請求項1に記載の活性ガス生成装置。 - 前記ガス通路管の端部と接続される放射プレートを、さらに備えており、
前記放射プレートは、
第一の主面に形成された前記ガス通路管の端部と接続されるガス流入部と、
内部配設されたガス通路部と、
第二の主面において設けられた複数のガス放散部とを、備えている、
ことを特徴とする請求項4に記載の活性ガス生成装置。 - 前記ガス放散部は、
前記第二の主面内において均等に配設されている、
ことを特徴とする請求項16に記載の活性ガス生成装置。 - 前記放射プレートは、
2枚のプレート板を組み合わせることにより、構成されており、
少なくとも一方のプレート板に、前記ガス通路部を構成する所定のパターンが施されている、
ことを特徴とする請求項16に記載の活性ガス生成装置。 - 前記放射プレートは、
2枚のプレート板を組み合わせることにより、構成されており、
前記プレート板同士は、
拡散接合により、接続されている、
ことを特徴とする請求項16に記載の活性ガス生成装置。 - 前記ガス放散部の開口径は、
1μm以上、1000μm以下である、
ことを特徴とする請求項16に記載の活性ガス生成装置。 - 前記ガス放散部の開口径は、
1μm以上、300μm以下である、
ことを特徴とする請求項20に記載の活性ガス生成装置。 - 前記放射プレートの厚みは、
3mm以下である、
ことを特徴とする請求項16に記載の活性ガス生成装置。 - 前記空間ギャップは、
0.05mm以上、2.0mm以下である、
ことを特徴とする請求項1に記載の活性ガス生成装置。 - 原料ガスをプラズマにより励起して活性ガスを生成する、請求項1乃至23の何れかに記載の活性ガス生成装置と、
前記活性ガス生成装置の下方において当該活性ガス生成装置と装着可能であり、前記ガス取り出し部から送出されるガスを用いて、内部に配置された被処理体に所定の膜を成膜する処理装置とを、備えている、
ことを特徴とするリモートプラズマ型成膜処理装置。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013062270A (ja) * | 2011-09-12 | 2013-04-04 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | プラズマ発生装置およびcvd装置 |
WO2013183300A1 (ja) * | 2012-06-06 | 2013-12-12 | 株式会社共立 | ガス処理装置および方法 |
JP2017216189A (ja) * | 2016-06-02 | 2017-12-07 | 香川県 | 大気圧プラズマ発生用電極、大気圧プラズマ発生装置、表面改質基材の製造方法、及び再利用電極の製造方法 |
WO2019138456A1 (ja) * | 2018-01-10 | 2019-07-18 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 活性ガス生成装置 |
WO2020003344A1 (ja) * | 2018-06-25 | 2020-01-02 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 活性ガス生成装置及び成膜処理装置 |
JP7220973B1 (ja) * | 2021-12-08 | 2023-02-13 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 活性ガス生成装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003019433A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-21 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法 |
JP2004002185A (ja) * | 1994-04-28 | 2004-01-08 | Mitsubishi Electric Corp | オゾン発生装置 |
JP2004091320A (ja) * | 2003-08-19 | 2004-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | オゾン発生装置 |
JP2005142355A (ja) * | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
-
2009
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004002185A (ja) * | 1994-04-28 | 2004-01-08 | Mitsubishi Electric Corp | オゾン発生装置 |
JP2003019433A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-21 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法 |
JP2004091320A (ja) * | 2003-08-19 | 2004-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | オゾン発生装置 |
JP2005142355A (ja) * | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013062270A (ja) * | 2011-09-12 | 2013-04-04 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | プラズマ発生装置およびcvd装置 |
WO2013183300A1 (ja) * | 2012-06-06 | 2013-12-12 | 株式会社共立 | ガス処理装置および方法 |
JP2017216189A (ja) * | 2016-06-02 | 2017-12-07 | 香川県 | 大気圧プラズマ発生用電極、大気圧プラズマ発生装置、表面改質基材の製造方法、及び再利用電極の製造方法 |
WO2019138456A1 (ja) * | 2018-01-10 | 2019-07-18 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 活性ガス生成装置 |
JPWO2019138456A1 (ja) * | 2018-01-10 | 2020-10-01 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 活性ガス生成装置 |
WO2020003344A1 (ja) * | 2018-06-25 | 2020-01-02 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 活性ガス生成装置及び成膜処理装置 |
JPWO2020003344A1 (ja) * | 2018-06-25 | 2021-02-15 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 活性ガス生成装置及び成膜処理装置 |
TWI746923B (zh) * | 2018-06-25 | 2021-11-21 | 日商東芝三菱電機產業系統股份有限公司 | 活性氣體生成裝置及成膜處理裝置 |
JP7019276B2 (ja) | 2018-06-25 | 2022-02-15 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 活性ガス生成装置及び成膜処理装置 |
US11309167B2 (en) | 2018-06-25 | 2022-04-19 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Active gas generation apparatus and deposition processing apparatus |
JP7220973B1 (ja) * | 2021-12-08 | 2023-02-13 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 活性ガス生成装置 |
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JP5437715B2 (ja) | 2014-03-12 |
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