JP2011009599A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents
基板処理方法及び基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011009599A JP2011009599A JP2009153289A JP2009153289A JP2011009599A JP 2011009599 A JP2011009599 A JP 2011009599A JP 2009153289 A JP2009153289 A JP 2009153289A JP 2009153289 A JP2009153289 A JP 2009153289A JP 2011009599 A JP2011009599 A JP 2011009599A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- liquid
- gas
- nozzle
- supply nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F26—DRYING
- F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
- F26B5/00—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat
- F26B5/12—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat by suction
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F26—DRYING
- F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
- F26B21/00—Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects
- F26B21/004—Nozzle assemblies; Air knives; Air distributors; Blow boxes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
Abstract
【解決手段】液体で濡れた基板表面を乾燥させる基板処理方法であって、基板表面に対向させて配置した気液吸引ノズル28と基板Wとを互いに平行に相対移動させながら、基板表面の液体40を該表面から剥離させつつ近傍の気体と共に気液吸引ノズル28で吸引し、基板表面に対向させて配置した乾燥ガス供給ノズル44と基板Wとを互いに平行に相対移動させながら、基板表面の液体40を剥離させた領域に向けて乾燥ガス供給ノズル44から乾燥ガスを吹き付ける。
【選択図】図3
Description
これにより、気液吸引ノズルと乾燥ガス供給ノズルの相対位置を常に一定に保って、安定した条件で基板表面を乾燥させることができる。
気液吸引ノズル及び乾燥ガス供給ノズルと基板との相対移動速度が小さいと、気流による液体の同伴や蒸発により液体の除去を効果的に行うことができるが、相対移動速度が極端に小さいと、処理時間が長くなるばかりでなく、吸引口付近の液膜は基板表面から剥離される前に分断され、液除去効果が逆に低下する場合がある。一方、相対移動速度が速すぎると、液膜が完全に除去されず、基板上に残留してしまうことがある。液除去効果と基板乾燥の処理時間を考慮すると、気液吸引ノズル及び乾燥ガス供給ノズルと基板との相対移動速度は、0.01〜0.07m/sであることが好ましく、0.02〜0.05m/sであることが更に好ましい。
このように、基板表面に向けて液体供給ノズルから液体を供給し、液体供給ノズルから供給される液体を気液吸引ノズルで吸引して除去することで、液体供給ノズルと気液吸引ノズルとで挟まれた領域に液滴が残って、基板表面に再付着することをより確実に防止することができる。
このように、基板表面に向けて有機溶剤供給ノズルから水溶性有機溶剤を供給することで、たとえ基板表面に微小液滴が残っても、基板表面に残った微小液滴に水溶性有機溶剤を溶解させ微小液滴の蒸発速度を促進させて、ウォーターマークが形成されることを防止しつつ、基板を乾燥させることができる。しかも水溶性有機溶剤は、基板表面に残った微小水滴に溶解させるだけの量で充分なため、水溶性有機溶剤の使用量を大幅に削減することができる。
イソプロピルアルコール(IPA)の下部引火点は約12℃であり、このときの飽和蒸気圧濃度は飽和蒸気圧と温度の関係式より、約2.2%と求まる。従って、安全上の理由から、水溶性有機溶剤としてIPAを使用する場合は2.2%未満の蒸気濃度で使用することが好ましい。
気液吸引ノズルの吸引口と基板表面との隙間距離が小さければ小さい程、基板表面の液膜または液滴と気流との界面に作用する剪断応力が増す。しかし、基板の変形及び位置調整機構の精度を考慮すると、気液吸引ノズルの吸引口と基板表面との隙間距離は1mm以上であることが好ましい。また、液膜を液滴に分断できる最低剪断応力を考慮すると、気液吸引ノズルの吸引口と基板表面との隙間距離は4mm以下であることが好ましい。なお気液吸引ノズルの吸引口と基板表面との隙間距離は、1.5〜2.5mmであることが更に好ましい。
このように、外部雰囲気の相対湿度以下の相対湿度を有する乾燥ガスを使用することで、基板表面に残留した微小液滴や液膜をより効率的に蒸発させることができる。相対湿度の低い不活性ガスの生産コストと蒸発促進効果の両側面から、乾燥ガスとして、乾燥ガスの供給口近傍雰囲気の相対湿度が、1〜40%、好ましくは5〜10%となる相対湿度を有するものを使用することが好ましい。
これにより、気液吸引ノズルと乾燥ガス供給ノズルの相対位置を常に一定に保って、安定した条件で基板表面を乾燥させることができる。
このように、有機溶剤供給ノズルを基板表面に対して45〜90°傾斜させることにより、液滴の蒸発速度が速まることが確かめられている。
これにより、基板表面の液体を連続した線状に区画しながら吸引して除去し、この線状に区画された液体除去範囲に残留する液滴を乾燥ガスで乾燥させることで、基板表面の全域から液体を除去することができる。
先ず、半導体ウェーハ等の基板Wを基板ホルダ14のクランパ12で保持して固定する。この時、表面側ノズルユニット16及び裏面側ノズルユニット18は、移動方向(X方向)後方の待避位置に位置している。そして、液補充ノズル54から基板Wの表面に向けて液体を噴射して、基板Wの表面に、例えば膜厚が0.5〜3.5mmの膜状に連続した液体(液膜)40を形成した後、移動方向(X方向)後方の待避位置に位置していた表面側ノズルユニット16を、表面側ノズルユニット16の本体部20の基板対向面20aと基板Wとの隙間距離を一定に保持しながら、基板Wの表面と平行に移動方向(X方向)に平行移動させる。
基板上の液滴を速やかに蒸発乾燥させる水溶性有機溶剤としては、純水等の液体と混合しやすく且つ液体よりも蒸発速度が速いものが使用される。純水等の液体との混合が容易であること、および蒸発速度が速いことの指標としては、有機溶剤の物性値として、溶解度パラメータ(以下SP値)及び蒸気圧または沸点を利用することができる。ここで溶解度パラメータとは、2種以上の溶液同士の溶解度の目安となる値で、溶液成分のSP値の差が小さいほど溶解度が大となることが経験的に知られている。
12 クランパ
14 基板ホルダ
16,16a、16b,16c 表面側ノズルユニット
18 裏面側ノズルユニット
20,60,90a,90b 本体部
20a 基板対向面
24,64 走行体
26,62,96 移動機構
28 気液吸引ノズル
30 吸引ライン
32 ブロア
34 気液分離器
36 吸引流量調整バルブ
40 液膜
42 液滴
44 乾燥ガス供給ノズル
46 ガス供給ライン
48 ガス供給ユニット
50 ガス供給流量調整バルブ
52 残留液滴
54,68 液補充ノズル
70 液体供給ノズル
72 液体供給ユニット
74 液体供給ライン
76 液体流量調整バルブ
78a,78b 供給流体
80 有機溶剤供給ノズル
82 有機溶剤供給ユニット
84 有機溶剤供給ライン
86 有機溶剤流量調整バルブ
92 中央伸縮体
94 側部伸縮体
H 隙間距離
Claims (24)
- 液体で濡れた基板表面を乾燥させる基板処理方法であって、
基板表面に対向させて配置した気液吸引ノズルと基板とを互いに平行に相対移動させながら、基板表面の液体を該表面から剥離させつつ近傍の気体と共に前記気液吸引ノズルで吸引し、
基板表面に対向させて配置した乾燥ガス供給ノズルと基板とを互いに平行に相対移動させながら、基板表面の前記液体を剥離させた領域に向けて前記乾燥ガス供給ノズルから乾燥ガスを吹き付けることを特徴とする基板処理方法。 - 前記気液吸引ノズル及び前記乾燥ガス供給ノズルを、前記気液吸引ノズルが基板に対する移動方向前方に、前記乾燥ガス供給ノズルが基板に対する移動方向後方にそれぞれ位置するようにして、一体的に基板と相対移動させることを特徴とする請求項1記載の基板処理方法。
- 前記気液吸引ノズル及び前記乾燥ガス供給ノズルと基板との相対移動速度は、0.01〜0.07m/sであることを特徴とする請求項2記載の基板処理方法。
- 前記気液吸引ノズルの基板に対する移動方向後方、かつ前記乾燥ガス供給ノズルの基板に対する移動方向前方で、基板表面に向けて液体供給ノズルから液体を供給することを特徴とする請求項1記載の基板処理方法。
- 前記気液吸引ノズル、前記乾燥ガス供給ノズル及び前記液体供給ノズルを、前記気液吸引ノズルが基板に対する移動方向前方に、前記乾燥ガス供給ノズルが基板に対する移動方向後方に、前記液体供給ノズルが前記気液吸引ノズルと前記乾燥ガス供給ノズルとの中間にそれぞれ位置するように、一体的に基板と相対移動させることを特徴とする請求項4記載の基板処理方法。
- 前記気液吸引ノズル、前記乾燥ガス供給ノズル及び前記液体供給ノズルと基板との相対移動速度は、0.01〜0.07m/sであることを特徴とする請求項5記載の基板処理方法。
- 前記気液吸引ノズルの基板に対する移動方向後方で、基板表面に向けて有機溶剤供給ノズルから水溶性有機溶剤を供給することを特徴とする請求項1記載の基板処理方法。
- 前記気液吸引ノズル、前記乾燥ガス供給ノズル及び前記有機溶剤供給ノズルを、前記気液吸引ノズルが基板に対する移動方向前方に、前記乾燥ガス供給ノズル及び前記有機溶剤供給ノズルの一方が前記気液吸引ノズルの基板に対する移動方向後方に、他方が更に後方にそれぞれ位置するように、一体的に基板と相対移動させることを特徴とする請求項7記載の基板処理方法。
- 前記気液吸引ノズル、前記乾燥ガス供給ノズル及び前記有機溶剤供給ノズルと基板との相対移動速度は、0.01〜0.07m/sであることを特徴とする請求項8記載の基板処理方法。
- 前記水溶性有機溶剤はイソプロピルアルコールであることを特徴とする請求項7乃至9のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記イソプロピルアルコールの蒸気濃度は2.2%未満であることを特徴とする請求項10記載の基板処理方法。
- 前記気液吸引ノズルの吸引口と基板表面との隙間距離は、1〜4mmであることを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載の基板処理方法。
- 気体が平均流速60〜140m/sで基板表面に沿って流れて、前記気液吸引ノズルに吸引されるように吸引流量を調整すること特徴とする請求項1乃至12のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記乾燥ガスは不活性ガスであり、該乾燥ガスの相対湿度は外部雰囲気の相対湿度以下であることを特徴とする請求項1乃至13のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記気液吸引ノズルの基板に対する移動方向前方で、基板表面に基板表面の液体と同質の液体を補充することを特徴とする請求項1乃至14のいずれかに記載の基板処理方法。
- 液体で濡れた基板表面を乾燥させる基板処理装置であって、
基板表面に対向する位置に配置され基板表面の液体を該表面から剥離させつつ近傍の気体と共に吸引する気液吸引ノズルと、
前記基板表面の液体を剥離させた領域に向けて乾燥ガスを吹き付ける乾燥ガス供給ノズルと、
気液吸引ノズルと基板、及び前記乾燥ガス供給ノズルと基板を互いに平行に相対移動させる移動機構を有することを特徴とする基板処理装置。 - 前記気液吸引ノズル及び前記乾燥ガス供給ノズルは、ノズルユニットの内部に設けられ、前記移動機構は、前記ノズルユニットを基板と平行に移動させるように構成されていることを特徴とする請求項16記載の基板処理装置。
- 前記気液吸引ノズルの基板に対する移動方向後方、かつ前記乾燥ガス供給ノズルの基板に対する移動方向前方で、基板表面に液体を供給する液体供給ノズルを更に有することを特徴とする請求項16記載の基板処理装置。
- 前記気液吸引ノズル、前記乾燥ガス供給ノズル及び前記液体供給ノズルは、ノズルユニットの内部に設けられ、前記移動機構は、前記ノズルユニットを基板と平行に移動させるように構成されていることを特徴とする請求項18記載の基板処理装置。
- 前記気液吸引ノズルの基板に対する移動方向後方で基板表面に水溶性有機溶剤を供給する有機溶剤供給ノズルを更に有することを特徴とする請求項16記載の基板処理装置。
- 前記気液吸引ノズル、前記乾燥ガス供給ノズル及び前記有機溶剤供給ノズルは、ノズルユニットの内部に設けられ、前記移動機構は、前記ノズルユニットを基板と平行に移動させるように構成されていることを特徴とする請求項20記載の基板処理装置。
- 前記有機溶剤供給ノズルは、基板表面に対して45〜90°傾斜していることを特徴とする請求項20または21記載の基板処理装置。
- 前記気液吸引ノズルの基板に対する移動方向前方で、基板表面に基板表面の液体と同質の液体を補充する液体補充ノズルを更に有することを特徴とする請求項16乃至22のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記気液吸引ノズルは、細長いスリット形状に形成されていることを特徴とする請求項16乃至23のいずれかに記載の基板処理装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009153289A JP5140641B2 (ja) | 2009-06-29 | 2009-06-29 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
US12/821,456 US20100325913A1 (en) | 2009-06-29 | 2010-06-23 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009153289A JP5140641B2 (ja) | 2009-06-29 | 2009-06-29 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011009599A true JP2011009599A (ja) | 2011-01-13 |
JP2011009599A5 JP2011009599A5 (ja) | 2011-06-30 |
JP5140641B2 JP5140641B2 (ja) | 2013-02-06 |
Family
ID=43379175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009153289A Expired - Fee Related JP5140641B2 (ja) | 2009-06-29 | 2009-06-29 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100325913A1 (ja) |
JP (1) | JP5140641B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014207437A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-10-30 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2014207438A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-10-30 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2015027660A (ja) * | 2013-06-25 | 2015-02-12 | パナソニック株式会社 | ワイプ装置、インクジェット装置、および、ワイプ方法 |
JP2017011083A (ja) * | 2015-06-22 | 2017-01-12 | 株式会社荏原製作所 | ウェーハ乾燥装置およびウェーハ乾燥方法 |
KR20180083248A (ko) * | 2017-01-12 | 2018-07-20 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1967803B1 (en) * | 2006-05-18 | 2016-09-28 | FUJIFILM Corporation | Method for drying a coated film |
JP4884180B2 (ja) * | 2006-11-21 | 2012-02-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5109376B2 (ja) * | 2007-01-22 | 2012-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体 |
US20100307022A1 (en) * | 2007-06-26 | 2010-12-09 | Gisulfo Baccini | Drying apparatus and method for silicon-based electronic circuits |
JP5852898B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2016-02-03 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
US8869422B2 (en) | 2012-04-27 | 2014-10-28 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for marangoni substrate drying using a vapor knife manifold |
JP6133120B2 (ja) * | 2012-05-17 | 2017-05-24 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置 |
JP6444698B2 (ja) * | 2014-11-17 | 2018-12-26 | 東芝メモリ株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US9859135B2 (en) | 2014-12-19 | 2018-01-02 | Applied Materials, Inc. | Substrate rinsing systems and methods |
US20160178279A1 (en) * | 2014-12-19 | 2016-06-23 | Applied Materials, Inc. | Substrate edge residue removal systems, apparatus, and methods |
SG10201601095UA (en) * | 2015-02-18 | 2016-09-29 | Ebara Corp | Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and substrate processing apparatus |
US11728185B2 (en) | 2021-01-05 | 2023-08-15 | Applied Materials, Inc. | Steam-assisted single substrate cleaning process and apparatus |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04114778A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-15 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の乾燥方法 |
JP2001170578A (ja) * | 1999-12-15 | 2001-06-26 | Sharp Corp | 洗浄液吸引装置 |
WO2006038472A1 (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-13 | Ebara Corporation | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2007059416A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6491764B2 (en) * | 1997-09-24 | 2002-12-10 | Interuniversitair Microelektronics Centrum (Imec) | Method and apparatus for removing a liquid from a surface of a rotating substrate |
US6328814B1 (en) * | 1999-03-26 | 2001-12-11 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for cleaning and drying substrates |
US6709699B2 (en) * | 2000-09-27 | 2004-03-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Film-forming method, film-forming apparatus and liquid film drying apparatus |
WO2002101797A2 (en) * | 2001-06-12 | 2002-12-19 | Verteq, Inc | Megasonic cleaner and dryer system |
KR100939596B1 (ko) * | 2001-11-02 | 2010-02-01 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 단일 웨이퍼 건조기 및 건조 방법 |
US7240679B2 (en) * | 2002-09-30 | 2007-07-10 | Lam Research Corporation | System for substrate processing with meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold |
US7389783B2 (en) * | 2002-09-30 | 2008-06-24 | Lam Research Corporation | Proximity meniscus manifold |
US6926590B1 (en) * | 2004-06-25 | 2005-08-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of improving device performance |
JP4527660B2 (ja) * | 2005-06-23 | 2010-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP4734063B2 (ja) * | 2005-08-30 | 2011-07-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法。 |
JP4763563B2 (ja) * | 2006-09-20 | 2011-08-31 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法 |
-
2009
- 2009-06-29 JP JP2009153289A patent/JP5140641B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-06-23 US US12/821,456 patent/US20100325913A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04114778A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-15 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の乾燥方法 |
JP2001170578A (ja) * | 1999-12-15 | 2001-06-26 | Sharp Corp | 洗浄液吸引装置 |
WO2006038472A1 (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-13 | Ebara Corporation | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2007059416A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014207437A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-10-30 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2014207438A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-10-30 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2015027660A (ja) * | 2013-06-25 | 2015-02-12 | パナソニック株式会社 | ワイプ装置、インクジェット装置、および、ワイプ方法 |
JP2017011083A (ja) * | 2015-06-22 | 2017-01-12 | 株式会社荏原製作所 | ウェーハ乾燥装置およびウェーハ乾燥方法 |
US10229841B2 (en) | 2015-06-22 | 2019-03-12 | Ebara Corporation | Wafer drying apparatus and wafer drying method |
KR20180083248A (ko) * | 2017-01-12 | 2018-07-20 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
CN108305842A (zh) * | 2017-01-12 | 2018-07-20 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理方法以及基板处理装置 |
KR102021672B1 (ko) | 2017-01-12 | 2019-09-16 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
US10900127B2 (en) | 2017-01-12 | 2021-01-26 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
CN108305842B (zh) * | 2017-01-12 | 2022-04-01 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理方法以及基板处理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5140641B2 (ja) | 2013-02-06 |
US20100325913A1 (en) | 2010-12-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5140641B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP5413016B2 (ja) | 基板の洗浄方法、基板の洗浄装置及び記憶媒体 | |
US20060174921A1 (en) | Single wafer dryer and drying methods | |
US8334222B2 (en) | Semiconductor wafer processing method and apparatus | |
JP2008198958A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR102584337B1 (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 | |
US20050229426A1 (en) | Single wafer dryer and drying methods | |
WO2006038472A1 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
US8486201B2 (en) | Method for drying a semiconductor wafer | |
US20080078423A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP5771035B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2005013787A (ja) | 塗布成膜装置及び塗布成膜方法 | |
JP2003178965A (ja) | 基板の処理方法 | |
US7373736B2 (en) | Substrate processing apparatus and method with proximity guide and liquid-tight layer | |
KR101842720B1 (ko) | 유기 현상 처리 방법 및 유기 현상 처리 장치 | |
US11594427B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2001232269A (ja) | 塗布膜形成装置 | |
JP2010131485A (ja) | 基板の液切り装置および液切り方法 | |
US20220375743A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP2005217282A (ja) | 塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置 | |
TWI837643B (zh) | 基板處理方法、基板處理裝置以及乾燥處理液 | |
JP2017143291A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JPH11186210A (ja) | 基板の乾燥方法および乾燥装置 | |
JP2007266336A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR20230152740A (ko) | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 건조 처리액 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110517 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110517 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110914 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120105 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120807 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121005 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121106 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121119 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5140641 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151122 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |