JP2011003739A - フォトダイオードアレイ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】アレイの構造は、半導体基板1Nとキャパシタ用電極E2との間に絶縁層Lを介してキャパシタC1が形成されている。また、N型の半導体基板1NとP型の第1半導体領域1PAとの間に、PN接合が構成されることで、フォトダイオードD1が形成され、半導体基板1Nは第1電極E1に電気的に接続され、第1半導体領域1PAは、第2半導体領域1PBを介して、表面電極E3に接続されている。これらのフォトダイオードD1とキャパシタC1とは並列に接続されている。
【選択図】図2
Description
この実施形態に係るフォトダイオードアレイは、図1に示したフォトダイオードアレイと比較して、キャパシタ用電極E2の形成領域のみが異なり、他の構成は、図1に示したものと同一である。なお、同図では、説明の明確化のため、表面の絶縁層Lの記載を省略しているが、実際には図7に示すように絶縁層Lが存在する。
Claims (5)
- 複数のフォトダイオードを第1導電型の半導体基板に形成してなるフォトダイオードアレイにおいて、
個々のフォトダイオードは、
前記半導体基板の一方の表面側に形成された第2導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域内に形成されこの第1半導体領域よりも高い不純物濃度を有する第2導電型の第2半導体領域と、
前記半導体基板に電気的に接続された第1電極と、
前記第2半導体領域上に形成された表面電極と、
を備え、
個々のフォトダイオード毎に、
前記第1半導体領域の外側の前記半導体基板上に、絶縁層を介して形成された第1キャパシタ用電極と、
前記表面電極に、その一方端が連続し、前記第1半導体領域上の絶縁層の表面に沿って延びた抵抗層と、
を備え、
前記第1キャパシタ用電極と前記表面電極とは電気的に接続されており、
前記個々のフォトダイオードの前記抵抗層の他方端は、共通の信号線に電気的に接続されている、
ことを特徴とするフォトダイオードアレイ。 - 前記表面電極の形状は環状であってその内側に第1開口が形成され、
前記表面電極に接続される前記第1キャパシタ用電極と、当該表面電極との間に第2開口が形成されており、
前記第1開口及び前記第2開口をそれぞれ介して、前記第1半導体領域内部に光が入射可能とされている、
ことを特徴とする請求項1に記載のフォトダイオードアレイ。 - 前記第1キャパシタ用電極は、前記第1半導体領域上にも絶縁層を介して形成されていることを特徴とする請求項1に記載のフォトダイオードアレイ。
- 特定の前記フォトダイオードにおいて、
前記第1キャパシタ用電極は、前記表面電極の第1の箇所に連続して延びており、
前記表面電極の形状は環状であって、前記表面電極の前記第1の箇所とは異なる第2の箇所に連続して延びた第2キャパシタ用電極を備え、前記第2キャパシタ用電極は前記半導体基板上に絶縁層を介して形成されている、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のフォトダイオードアレイ。 - 前記第2キャパシタ用電極に接続された前記特定のフォトダイオードと対を成して共通の前記信号線に接続されたフォトダイオードは、その第1キャパシタ用電極の先端を延長し、その第1半導体領域上を絶縁層を介して這って、前記半導体基板の直上に至り、絶縁層を介して形成された第3キャパシタ用電極を備え、前記第2キャパシタ用電極によって形成されるキャパシタの容量に対して、前記第3キャパシタ用電極によって形成されるキャパシタの容量は、誤差±10%以内で等しく設定されている、
ことを特徴とする請求項4に記載のフォトダイオードアレイ。
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