JP2010538456A - 極紫外線（ｅｕｖ）フォトリソグラフィ装置のチャンバ間のガス流を管理するシステム - Google Patents

Abstract

ターゲット材料から作り出され、かつ例えばリソグラフィスキャナ／ステッパによるＥＵＶ光源チャンバ外での利用に向けて集光されて中間領域に誘導されるプラズマからのＥＵＶ光を供給する極紫外線（ＥＵＶ）光源を提供する。ガス流管理システムは、第１及び第２のそれぞれの空間を少なくとも部分的に取り囲む第１及び第２の囲い壁と、極紫外線光を放出するプラズマを第１の空間に発生させるシステムと、少なくとも部分的に通路を取り囲んで、ＥＵＶ光が第１の空間から通路に入ることを可能にする第１の開放端とＥＵＶ光が通路を出て第２の空間に入ることを可能にする第２の開放端とを有し、かつ第１及び第２の端部に対して低減された断面積を有する位置を確立するように成形された、第１の空間から第２の空間への流れを制限する細長い本体と、細長い本体の第１の端部と低減された断面積を有する位置との間の地点で通路内にガスを導入するように位置決めされた開口を出るガス流とを含むことができる。
【選択図】図１

Description

本出願は、２００７年８月３１日出願の「レーザ生成プラズマＥＵＶ光源のためのガス管理システム」という名称の米国特許出願出願番号第１１／８９７、６４４号に対する優先権を請求するものであり、同じく２００７年１２月１４日出願の「極紫外線（ＥＵＶ）フォトリソグラフィ装置のチャンバ間のガス流動を管理するシステム」という名称の米国特許出願出願番号第１２／００２、０７３号の優先権を請求するものであり、かつ２００５年１２月６日に付与された「極紫外線光源」という名称の米国特許第６、９７２、４２１号と、代理人整理番号第２００７−００３９−０１号である２００７年８月３１日出願の「レーザ生成プラズマＥＵＶ光源のためのガス管理システム」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／８９７、６６４号と、代理人整理番号第２００５−００７７−０２号である２００５年１２月２９日出願の「ＥＵＶ光源」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／３２３、３９７号と、代理人整理番号第２００５−００８１−０１号である２００６年２月２１日出願の「レーザ生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／３５８、９９２号と、代理人整理番号第２００７−００３０−０１号である２００７年７月１３日出願の「変調外乱波を用いて生成した液滴流を有するレーザ生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／８２７、８０３号と、代理人整理番号第２００７−００１０−０２号である２００７年４月１０日出願の「レーザ生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／７８６、１４５号と、代理人整理番号第２００２−００３０−０１号である２００３年４月８日出願の「極紫外線光源」という名称の米国特許出願出願番号第１０／４０９、２５４号の継続出願である代理人整理番号第２００２−００３０−０８号である２００５年４月１４日出願の「極紫外線光源」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／１０７、５３５号と、代理人整理番号第２００５−００８５−０１号である２００６年２月２１日出願の「プレパルスによるレーザ生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／３５８、９８８号と、代理人整理番号第２００４−０００８−０１号である２００５年２月２５日出願の「ＥＵＶプラズマ源ターゲット送出の方法及び装置」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／０６７、１２４号と、代理人整理番号第２００５−０００３−０１号である２００５年６月２９日出願の「ＬＰＰ−ＥＵＶプラズマ源材料ターゲット送出システム」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／１７４、４４３号と、代理人整理番号第２００５−０１０２−０１号である「ＥＵＶ光源のための原材料分注器」という名称の現在特許出願中の米国特許と、代理人整理番号第２００５−００８１−０１号である２００６年２月２１日出願の「レーザ生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／３５８、９９２号と、代理人整理番号第２００５−００４４−０１号である２００５年６月２９日出願の「ＬＰＰ−ＥＵＶ光源駆動レーザシステム」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／１７４、２９９号と、代理人整理番号第２００６−０００３−０１号である２００６年４月１７日出願の「ＥＵＶ光源のための代替燃料」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／４０６、２１６号と、代理人整理番号第２００６−００２５−０１号である２００６年１０月１３日出願の「ＥＵＶ光源のための駆動レーザ送出システム」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／５８０、４１４号と、代理人整理番号第２００６−００６−０１号である２００６年１２月２２日出願の「レーザ生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／６４４、１５３号と、代理人整理番号第２００６−００２７−０１号である２００６年８月１６日出願の「ＥＵＶ光学系」という名称の米国特許出願出願番号第１１／５０５、１７７号と、代理人整理番号第２００６−０００１−０１号である２００６年６月１４日出願の「ＥＵＶ光源のための駆動レーザ」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第／４５２、５０１号と、２００５年８月９日にＷｅｂｂ他に付与された「長期遅延及び高ＴＩＳパルス伸長器」という名称の現在特許出願中の米国特許第６、９２８、０９３号と、代理人整理番号第２００４−０１４４−０１号である２００６年３月３１日出願の「共焦点パルス伸長器」という名称の米国特許出願第１１／３９４、５１２号と、代理人整理番号第２００４−０１２８−０１号である２００５年５月２６日出願の「線ビームとして成形されたレーザと基板上に堆積された膜との間の相互作用を実施するためのシステム及び方法」という名称の米国特許出願第１１／１３８、００１号と、現在は米国特許第６、６９３、９３９号である２００２年５月７日出願の「ビーム送出を備えたレーザリソグラフィ光源」という名称の米国特許出願第１０／１４１、２１６号と、２００３年９月２３日にＫｎｏｗｌｅｓ他に付与された「超狭帯域２チャンバ式高繰返し数ガス放電レーザシステム」という名称の米国特許第６、６２５、１９１号と、代理人整理番号第２００１−００９０−０１号である米国特許出願第１０／０１２，００２号と、２００３年４月１５日にＮｅｓｓ他に付与された「正確なタイミング制御による注入シードレーザ」という名称の米国特許第６、５４９、５５１号と、代理人整理番号第２００１−００２０−０１号である米国特許出願第０９／８４８０４３号と、２００３年５月２０日にＭｙｅｒｓ他に付与された「超狭帯域２チャンバ式高繰返し数ガス放電レーザシステム」という名称の米国特許第６、５６７、４５０号と、代理人整理番号第２００１−００８４−０１号である米国特許出願第０９／９４３、３４３号と、代理人整理番号第２００５−００８６−０１号である２００６年８月２５日出願の「レーザ生成プラズマＥＵＶ光源のための原材料収集ユニット」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／５０９、９２５号とにも関連しており、これらの特許の各々の内容全体は、ここでの引用により本明細書に組み込まれている。
本発明の開示は、ターゲット材料から作り出され、かつ例えばリソグラフィスキャナ／ステッパによるＥＵＶ光源チャンバ外での利用に向けて集光されて中間領域に誘導されるプラズマからのＥＵＶ光を供給する極紫外線（ＥＵＶ）光源に関する。

極紫外線光、例えば、約５０ｎｍ又はそれ未満（軟Ｘ線とも呼ばれることもある）の波長を有し、かつ約１３．５ｎｍの波長での光を含む電磁放射線は、基板、例えば、シリコンウェーハ内の極めて小さな特徴部を生成するためにフォトリソグラフィ処理において使用することができる。この波長では、ほぼ全ての公知の固体材料は、材料を通過するＥＵＶ光の有意な割合を吸収する。従って、ＥＵＶ光は、生成された状態で、生成点から露光を必要とする加工物（例えば、ウェーハ、フラットパネルなど）までの経路全体に沿って真空状態のガスを通過し、かつミラー（例えば、斜め入射又は近垂直入射多層ミラー）により反射されるべきである（屈折レンズが通常利用できないので）。

ＥＵＶ光を生成する方法は、以下に限定されるものではないが、１つ又はそれよりも多くの輝線がＥＵＶ範囲にある少なくとも１つの元素、例えば、キセノン、リチウム、又は錫を有する材料をプラズマ状態に変換する段階を含む。これらの元素は、以下に限定されるものではないが、キセノン、錫、水、リチウムを含むことができる。
１つのこのような方法においては、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）ということが多い所要のプラズマは、所要の線放出元素を有する材料の液滴、流れ、又はクラスターのようなターゲット材料をレーザビームで照射することによって生成することができる。一部の場合には、他の適切な高エネルギ照射線（例えば、電子ビーム）をレーザの代わりに使用することができる。放電生成プラズマ（ＤＰＰ）ということが多い別の方法においては、プラズマは、１対の電極の間に必要な線放出元素を有する材料を配置し、次に、電極の間で放電を発生させることによって生成することができる。

より理論的には、ＬＰＰ光源は、キセノン（Ｘｅ）、錫（Ｓｎ）、又はリチウム（Ｌｉ）のような光源元素にレーザエネルギを堆積させることによってＥＵＶ放射線を発生させ、数十ｅＶの電子温度を有する高電離プラズマを作り出す。これらのイオンの脱励起及び再結合中に生成された高エネルギ放射線は、全方向にプラズマから放出される。１つの一般的な構成においては、楕円体形状を有する近垂直入射ミラー（「集光ミラー」ということが多い）は、光を集光して中間位置、例えば、焦点に誘導する（一部の構成においては集束させる）ようにプラズマから少し離れて位置決めされる。一部の構成においては、集光された光は、次に、中間位置から１組のスキャナ光学系に、最終的にはウェーハに中継することができる。一般的な構成においては、ＥＵＶ光は、プラズマから中間の位置まで約１〜２ｍ光源内を進まなければならず、従って、帯域内のＥＵＶ光の吸収率が比較的低いガスに光源チャンバ内の大気を限定することは、ある一定の状況においては有利である場合がある。

例えば、１００個のウェーハ／時間又はそれよりも多くを露出させる大量製造（ＨＶＭ）環境での使用のための設計されるＥＵＶ光源に対して、集光ミラーの寿命は、効率、休止時間、及び最終的には経費に影響を与える極めて重要なパラメータである。作動中、デブリが、集光ミラー面を劣化させる可能性があるプラズマの副産物として生成される。これらのデブリは、ターゲット材料の高エネルギイオン、中性原子、及びクラスターの形態である可能性がある。これらの３つの形式のデブリのうちで集光ミラーコーティングに対して最も危険なものは、一般的にイオン流束である。デブリ軽減及び／又はコレクタクリーニング技術がない場合、ターゲット材料及び汚濁物質の堆積、並びにコレクタ多層コーティングのスパッタリング及び入射粒子の注入により、ミラーの反射率が大幅に低減する可能性がある。この点に関して、内容が本明細書において引用により組み込まれている代理人整理番号第２００７−００１０−０２号である２００７年４月１０日出願の「レーザ生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の現在特許出願中の本出願人所有の米国特許出願出願番号第１１／７８６、１４５号では、イオンが一般的にプラズマから約１５ｃｍの場所に位置する集光ミラーに到達する前に約１００ｍＴｏｒｒ又はそれよりも大きい圧力の水素のような流動中の緩衝ガスが約３０ｅＶ未満にプラズマ内のイオンを減速させるためにチャンバ内に使用されるデバイスが開示されている。

効率的な高容量ＥＵＶフォトリソグラフィを可能にするために約１００ＷのＥＵＶ電力又はそれよりも多くをスキャナ／ステッパに送出する必要があると目下想定されている。この出力電力を得るために、５〜２０ｋＷの駆動レーザ、例えば、ＣＯ₂レーザを使用して錫液滴流のような原材料を照射することができる。計算によれば、ＥＵＶ光源チャンバ内で送出される電力の５〜２０ｋＷのうちの約２０％〜８０％は、チャンバ内の緩衝ガスに伝達することができることが示されている。

米国特許出願出願番号第１１／８９７、６４４号 米国特許出願出願番号第１２／００２、０７３号 米国特許第６、９７２、４２１号 米国特許出願出願番号第１１／８９７、６６４号 米国特許出願出願番号第１１／３２３、３９７号 米国特許出願出願番号第１１／３５８、９９２号 米国特許出願出願番号第１１／８２７、８０３号 米国特許出願出願番号第１１／７８６、１４５号 米国特許出願出願番号第１０／４０９、２５４号 米国特許出願出願番号第１１／１０７、５３５号 米国特許出願出願番号第１１／３５８、９８８号 米国特許出願出願番号第１１／０６７、１２４号 米国特許出願出願番号第１１／１７４、４４３号 米国特許出願出願番号第１１／３５８、９９２号 米国特許出願出願番号第１１／１７４、２９９号 米国特許出願出願番号第１１／４０６、２１６号 米国特許出願出願番号第１１／５８０、４１４号 米国特許出願出願番号第１１／６４４、１５３号 米国特許出願出願番号第１１／５０５、１７７号 米国特許出願出願番号第／４５２、５０１号 米国特許第６、９２８、０９３号 米国特許出願第１１／３９４、５１２号 米国特許出願第１１／１３８、００１号 米国特許第６、６９３、９３９号 米国特許出願第１０／１４１、２１６号 米国特許第６、６２５、１９１号 米国特許出願第１０／０１２，００２号 米国特許第６、５４９、５５１号 米国特許出願第０９／８４８０４３号 米国特許第６、５６７、４５０号 米国特許出願第０９／９４３、３４３号 米国特許出願出願番号第１１／５０９、９２５号 米国特許出願出願番号第１１／７８６、１４５号

ｗｗｗ−ｓｒｉｍ−ｏｒｇ、ＳＲＩＭ（材料内イオン停止及び範囲）ソフトウエア ｗｗｗ−ｄｏｍｎｉｃｋｈｕｎｔｅｒ−ｃｏｍ、「水素発生器」、「Ｄｏｍｎｉｃｋ Ｈｕｎｔｅｒ」製

光源の比較的厳しい環境（これは、上述したようにデブリ、原材料蒸気及び化合物、ＨＢｒのようなクリーニングエッチング液、水素のようなイオン減速緩衝ガス、（これは、比較的高い圧力及び／又は比較的高い流量である場合がある）、熱などを含むと考えられる）とは異なり、ステッパ／スキャナ内の環境は、典型的により良性である。実際に、ステッパ／スキャナのチャンバ（これは、一般的に、照明、パターン形成、及び投影を確立する複合光学系、並びにパターン形成光学系、例えば、レチクルに対してウェーハステージを移動させる複合機械的構成を含む）内では、光源チャンバ内で見ることができるデブリ、ガス、圧力、及び／又は熱がほぼ完全にない近真空環境内が望ましい。しかし、上述のように、固体の非ＥＵＶ吸収材料は、例えば光源チャンバとスキャナ光学系チャンバの間に適切な障壁を確立するためには利用できず、その結果、これらの環境を分離し、同時に依然として１つのチャンバから別のチャンバにＥＵＶ光を通過させるためにより複合的な構成を開発する必要がある。
上記を念頭に置いて、本出願人は、極紫外線（ＥＵＶ）フォトリソグラフィ装置のチャンバ間のガス流を管理するためのシステム及び対応する使用方法を開示する。

第１の態様では、少なくとも部分的に第１の空間を取り囲む第１の囲い壁と、極紫外線光を放出するプラズマを第１の空間内に発生させるためのシステムと、少なくとも部分的に第２の空間を取り囲む第２の囲い壁と、少なくとも部分的に通路を取り囲んで、ＥＵＶ光が第１の空間から通路に入ることを可能にする第１の開放端とＥＵＶ光が通路を出て第２の空間に入ることを可能にする第２の開放端とを有し、かつ第１及び第２の端部に対して低減された断面積を有する位置を確立するように成形された、第１の空間から第２の空間まで流れを制限する細長い本体と、細長い本体の第１の端部と低減された断面積を有する位置との間の地点で通路内にガスを導入するように位置決めされた開口を出るガス流とを含むことができる極紫外線リソグラフィ装置のための流れ管理システムを本明細書で説明する。

この態様の一実施形態では、システムは、プラズマを生成するために電磁界を通路内に発生させる光源を更に含むことができる。例えば、光源は、通路内に誘導結合放電プラズマを作り出す高周波コイルを含むことができ、及び／又は光源は、通路内に直流電極放電を生成することができる。この態様に対して、プラズマは、グロー放電又はコロナ放電プラズマとすることができる。別の設定においては、光源は、グロー放電又はコロナ放電とすることができる高周波電極放電を通路内に生成することができる。

この態様の一構成においては、開口は、細長い本体に形成された孔を含むことができ、特定の構成においては、システムは、複数の開口を含むことができ、各開口は、細長い本体の第１の端部と低減された断面積を有する位置との間のそれぞれの地点で通路にガスを導入するように位置決めされる。１つの設定では、システムは、開口から細長い本体の第１の端部に向けて流れを誘導する１つ又はそれよりも多くのノズルを含むことができる。
この態様の特定的な実施形態では、所定の範囲に細長い本体の温度を維持する温度制御システムを設けることができる。
この態様の一実施形態では、少なくとも１つのベーンを細長い本体の通路に配置することができる。

本発明の開示の別の態様では、極紫外線リソグラフィ装置は、ガスが配置された第１のチャンバと、ガスが配置された第２のチャンバと、第２のチャンバと流体連通している中間チャンバと、少なくとも部分的に通路を取り囲んで、ＥＵＶ光が通路に入ることを可能にする第１の開放端とＥＵＶ光が通路を出ることを可能にする第２の開放端とを有する、第１のチャンバから中間チャンバまでの流れを制限する細長い本体と、細長い本体の第１の端部と第２の端部の間の位置で通路にガスを導入するように位置決めされた開口を出るガス流と、中間チャンバからガスを除去するポンプとを含むことができる。
この態様の一実施形態では、ポンプは、開口を出るガスの流れ及び第１及び第２のチャンバ内の作動圧力と協働して、第２のチャンバから中間チャンバ内に誘導されるガス流と、開口から細長い本体の第１の開放端を通って第１のチャンバへ入るガス流とを確立することができる。

別の態様では、装置は、第１の容積を取り囲む第１の封入構造体と、ＥＵＶ放射線とプラズマを出るイオンとを生成するプラズマを第１の容積内のプラズマ部位で発生させるためのシステムと、第１の容積に位置決めされ、かつ距離ｄだけ部位から隔てられた光学系と、プラズマと光学系の間に配置され、イオンが光学系に到達する前にイオンエネルギを１００ｅＶ未満に低減するように距離ｄにわたって作動するのに十分なガス数密度を確立するガスと、第２の容積を取り囲む第２の封入構造体と、ＥＵＶ放射線が第１の容積から第２の容積まで通過することを可能にするために第１の容積に第２の容積を結合し、かつ第２の容積からシステム内に誘導されるガス流及びシステムから第１の容積に入るガス流を確立するように作動可能なシステムとを含むことができる。

この態様の一実施形態では、ガスは、圧力Ｐ₁で第１の容積に配置することができ、ガスは、Ｐ₁＞Ｐ₂である圧力Ｐ₂で第２の容積に配置することができる。
この態様の特定的な構成では、システムは、第２の容積と流体連通している中間チャンバと、少なくとも部分的に通路を取り囲んで、ＥＵＶ光が通路に入ることを可能にする第１の開放端とＥＵＶ光が通路を出ることを可能にする第２の開放端とを有する、第１の容積から中間チャンバまでの流れを制限する細長い本体と、細長い本体の第１の端部と第２の端部の間の位置で通路にガスを導入するように位置決めされた開口を出るガス流と、中間チャンバからガスを除去するポンプとを含むことができる。
この態様の一実施例では、多チャンネル構造体を第１の容積に配置することができる。

実施形態の一態様によるＥＵＶ光源と、ＥＵＶ光を利用するデバイスと、デバイスに光源を結合するシステムとを有するＥＵＶフォトリソグラフィ装置の選択された各部の概略略示図である。 ＥＵＶ光を利用するデバイス、例えば、リソグラフィツールに接続した状態で作動可能であり、かつ結合システムが間に配置されたように示されている放電生成プラズマＥＵＶ光源の略示概略図である。 ＥＵＶ光を利用するデバイス、例えば、リソグラフィツールに接続した状態で作動可能であり、かつ結合システムが間に配置されたように示されているレーザ生成プラズマＥＵＶ光源の略示概略図である。 ＥＵＶ光源ガス管理システムの実施形態を示す略示ＥＵＶ光源の断面図である。 同心円錐ベーンを有する多チャンネル構造体を示す図２の線２Ａ−２Ａに沿って見た時の図２に示す多チャンネル構造体の断面図である。 収束平板ベーンを有する多チャンネル構造体を示す図２の線２Ａ−２Ａに沿って見た時の図２に示す多チャンネル構造体の断面図である。 複数の半径方向に配向されたベーンを有する多チャンネル構造体の代替構成を示す図である。 図３の線４−４に沿って見た時の図３に示す多チャンネル構造体の断面図である。 光源のチャンバとデバイス、例えば、スキャナのチャンバとの間でガス流を管理及び／又は制限し、同時にＥＵＶ光を光源２０からデバイス内に通過させる結合システムの実施形態を示す図である。 細長い本体により確立された通路に流れを導入する方向性ノズルを有する結合システムの実施形態を示す図である。 細長い本体により確立された通路に流れを導入するテーパ付きノズルを有する結合システムの実施形態を示す図である。 半径方向に通路に流れを導入するノズルを示す、図５Ａの線５Ｃ−５Ｃに沿って見た時の図５Ａに示す細長い本体の断面図である。 渦を確立するために接線方向に通路に流れを導入するノズルを示す、図５Ａの線５Ｃ−５Ｃに沿って見た時の図５Ａに示す細長い本体の断面図である。 流れ通路内に配置されたベーンを有する結合システムの別の実施形態を示す図である。 図６の線６Ａ−６Ａに沿って見た時の図６に示す細長い本体の断面図である。 流れ通路内に誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）を発生させるためのシステムを有する結合システムの別の実施形態を示す図である。 流れ通路内に放電プラズマを発生させるためのシステムを有する結合システムの別の実施形態を示す図である。 図８の線８Ａ−８Ａに沿って見た時の図８に示す細長い本体の断面図である。 流れ通路内に誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）を発生させるためのシステムを有する結合システムの別の実施形態を示す図である。 流れ通路を取り囲む細長い本体の全て又は一部分の温度を所定の範囲に維持するための温度制御システムを有する結合システムの別の実施形態を示す図である。 流れ通路にプラズマを生成するシステムと荷電粒子を偏向させる電界を発生させる１対の電極とを有する結合システムの別の実施形態を示す図である。 ガスを通路の端部に向けて通路内に導入させるように構成された結合システムの別の実施形態を示す図である。

最初に図１を参照すると、実施形態の一態様により、例えば、ＥＵＶ光でウェーハ、フラットパネル加工物などのような基板を露光させる全体として１０’’と指定されたＥＵＶフォトリソグラフィ装置の選択された各部の概略略示図が示されている。装置１０’’に対して、例えば、基板（図示せず）上へパターン形成ビームを投射するレチクル（投射光学系（図示せず））のようなパターン形成手段（図示せず）を照明する１つ又はそれよりも多くの光学系（図示せず）及び基板とパターン形成手段の間で制御された相対移動を生成する機械的アセンブリ（図示せず）を含む少なくとも１つのチャンバ１３’’を有するＥＵＶ光（例えば、ステッパ、スキャナ、ステップアンドスキャンシステム、直接書込システム、接触及び／又は近接マスクなどを使用するデバイスのような集積回路リソグラフィツール）を利用するデバイス１２’’を設けることができる。更に図示するように、装置１０’’は、チャンバ２６’’有するＥＵＶ光源２０’’、例えば、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）ＥＵＶ光源（図１Ａを参照されたい）、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）ＥＵＶ光源（図１Ｂを参照されたい）、又は例えば混成型（レーザ及び放電を有する）、シンクロトロンなどのような当業技術で公知のあらゆる他の形式のＥＵＶ光源を含むことができる。図１は、光源チャンバ２６’’とデバイス１２’’のチャンバ１３’’との間でガス流を管理及び／又は制限し、同時にＥＵＶ光が光源２０’’からデバイス１２’’に通過することを可能にする少なくとも１つのチャンバ１６’’を有する結合システム１４’’を装置が含むことができることも示している。例えば、以下でより詳細するように、いわゆる「ガスロック」を構成することができる結合システム１４’’は、チャンバ１６’’からガスを導入及び除去するサブシステムを有することができる。

図１Ａは、ＤＰＰ光源２０’と、ＥＵＶ光を利用するデバイス１２’（例えば、ステッパ、スキャナなど）と、光源チャンバ２６’とデバイス１２’のチャンバ１３’との間でガス流を管理及び／又は制限し、同時にＥＵＶ光が光源２０’からデバイス１２’に通過することを可能にする結合システム１４’とを有する装置１０’を示している。図示のように、光源２０’は、チャンバ２６’内のプラズマ部位でプラズマを発生させるいわゆる高密度プラズマ集束デバイスとすることができるが、従来のｚピンチデバイス、中空カソードｚピンチ、又は毛細管放電などのような他の放電生成プラズマ（ＤＰＰ））デバイスを使用することができることは認められるものとする。図示の装置１０’に対して、光源２０’は、例えば、同軸状に配置することができる１対の電極３１を含むことができる。１つの設定では、中心電極は、中空とすることができ、キセノン、錫蒸気、リチウム蒸気などのような活性ガス３３は、中空電極を通じてプラズマ部位まで通過させることができる。中心電極は、次に、外側電極に対して比較的高い電位まで電気パルス電力システムによってパルス駆動することができる。キャパシタンス値、アノード長及び形状、及び活性ガス送出システムは、ＥＵＶ光出力を増大させるように最適化することができる。また、電極の一方又は両方は、例えば、電極壁内で水を循環させて及び／又はヒートパイプ冷却システムを使用することによって冷却することができる。

図１Ａは、ミラー３５を用いて、プラズマ内で生成されたＥＵＶ放射線を集光して、結合システム１４のチャンバ１６’内に位置する中間焦点に向けるなどの望ましい方向に放射線を誘導することができることを更に示している。単一の斜め入射ミラーが示されているが、入れ子構成に配置された複数の斜め入射ミラーを使用することができることは認められるものとする。例えば、各ミラーの反射面は、モリブデン、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、金、又はタングステンで製造することができる。

図１Ａは、ピンチ部位から外へ延びてかつミラー３５に向けて誘導される光線に整列した表面を有する電極３１とミラー３５の間の円錐入れ子デブリ収集器３７をチャンバ２６’に配置することができることも示している。更に、水素、ヘリウム、アルゴン、又はその組合せのような緩衝ガス３９を図示のようにチャンバ２６内に導入して、ポンプ４１を通じてチャンバ２６’からその後に除去するためにデブリ収集器３７を通るように誘導することができる。ＤＰＰ光源に関するより多くの詳細は、２００５年１２月６日に付与された「極紫外線光源」という名称の米国特許第６、９７２、４２１号に見ることができ、この特許の内容全体は、ここでの引用により本明細書に組み込まれている。
図１Ｂは、図示のように、一連の光パルスを生成して、チャンバ２６内に光パルスを送出するシステム２２を含むことができるＤＰＰ光源２０’’を有する装置１０’’を示している。光源２０’’に対して、光パルスは、システム２２から１つ又はそれよりも多くのビーム経路に沿って進んでチャンバ２６内に入り、照射領域２８で１つ又はそれよりも多くのターゲットを照明することができる。

図１に示すデバイス２２に使用される適切なレーザは、比較的高電力、例えば、１０ｋＷ又はそれよりも大きく、及び高いパルス繰返し数、例えば、５０ＫＨｚ又はそれよりも大きいもので作動し、例えば、ＤＣ又はＲＦ励起で９．３μｍ又は１０．６μｍで放射線を生成するパルスレーザデバイス、例えば、パルスガス放電ＣＯ₂レーザデバイスを含むことができる。１つの特定的な実施例では、レーザは、軸流ＲＦポンプＣＯ₂増幅の複数のステージにより、かつ例えば５０ｋＨｚ作動が可能である低エネルギ及び高繰返し数のＱスイッチ式主発振器（ＭＯ）により開始されるシードパルスを有するＭＯＰＡ構成を有することができる。ＭＯから、レーザパルスは、次に、ＬＰＰチャンバに入る前に増幅、成形、及び集束させることができる。連続ポンプＣＯ₂増幅器をシステム２２に使用することができる。例えば、発振器及び３つの増幅器（Ｏ−ＰＡ１−ＰＡ２−ＰＡ３構成）を有する適切なＣＯ₂レーザデバイスは、代理人整理番号第２００５−００４４−０１号である２００５年６月２９日出願の「ＬＰＰ−ＥＵＶ光源駆動レーザシステム」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／１７４、２９９号に開示されており、この特許の内容全体は、ここでの引用により本明細書に組み込まれている。

特定の用途に基づいて、他の形式のレーザ、例えば、高電力及び高パルス繰返し数で作動するエキシマ又は分子フッ素レーザも適切であるとすることができる。例えば、ファイバ、ロッド、又はディスク状活性媒体を有する固体レーザ、例えば、米国特許第６、６２５、１９１号、米国特許第６、５４９、５５１号、及び米国特許第６、５６７、４５０号に示すようなＭＯＰＡ構成エキシマレーザシステム、１つ又はそれよりも多くのチャンバ、例えば、発振チャンバ及び１つ又はそれよりも多くの増幅チャンバ（増幅チャンバは並列又は直列）を有するエキシマレーザ、主発振器／電力発振器（ＭＯＰＯ）構成、電力発振器／電力増幅器（ＰＯＰＡ）構成、又は１つ又はそれよりも多くのエキシマ又は分子フッ素増幅器又は発振チャンバにシード光を供給する固体レーザが適切とすることができる。他の設計も可能である。

図１Ｂに更に示すように、ＥＵＶ光源２０は、例えば、液滴が１つ又はそれよりも多くの光パルス、例えば、ゼロ、１つ、又は１つよりも多いプレパルスと、次に、１つ又はそれよりも多くの主パルスと相互作用し、最終的にプラズマを生成してＥＵＶ放射を生成する照射領域２８までチャンバ２６の内部にターゲット材料の液滴を送出するターゲット材料送出システム９０を含むことができる。ターゲット材料には、錫、リチウム、キセノン、又はその組合せを含む材料を含むことができるが、必ずしもこれらに限定されるものではない。ＥＵＶ放出元素、例えば、錫、リチウム、キセノンなどは、液滴及び／又は液滴内に含まれた固体粒子、又は個別、半連続的、及び／又は連続的な量で照射領域２８にＥＵＶ放出元素を送出するあらゆる他の形態とすることができる。例えば、元素錫は、純粋な錫として、錫化合物、例えば、ＳｎＢｒ₄、ＳｎＢｒ₂、ＳｎＨ₄として、錫合金、例えば、錫ガリウム合金、錫インジウム合金、錫インジウムガリウム合金、又はその組合せとして使用することができる。使用する材料に基づいて、ターゲット材料は、室温を含む様々な温度で又は室温の近くで（例えば、錫合金、ＳｎＢｒ₄）、高温で（例えば、純粋な錫）、又は室温よりも低い温度で（例えば、ＳｎＨ₄）照射領域２８に供給することができ、一部の場合には、比較的揮発性、例えば、ＳｎＢｒ₄とすることができる。ＬＰＰ−ＥＵＶ光源におけるこれらの材料の使用に関する更なる詳細は、代理人整理番号第２００６−０００３−０１号である２００６年４月１７日出願の「ＥＵＶ光源のための代替燃料」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／４０６、２１６号において呈示されており、この特許の内容全体は、ここでの引用により本明細書に組み込まれている。

引き続き図１Ｂに対して、ＥＵＶ光源２０は、光学系３０、例えば、基板、ＳｉＣ、多結晶質Ｓｉ、単結晶Ｓｉなどの上にモリブデン及びシリコンの交互層を有する漸変多層コーティングを有する長軸に対して直角に切断された楕円の形態の例えば集光ミラーを含むことができる。図１Ｂは、システム２２によって生成される光パルスが光学系３０を通過して照射領域２８に到達することを可能にする貫通孔を光学系３０に形成することができることを示している。図示のように、光学系３０は、例えば、照射領域２８内又はその近くに第１の焦点を、結合システム１４を通過するＥＵＶ光をＥＵＶ光源２０から出力し、かつＥＵＶ光を利用するデバイス１２、例えば、ステッパ、スキャナ、ステップアンドスキャンシステム、直接書込システム、接触及び／又は近接マスクを使用するデバイスのような集積回路リソグラフィツールに入力することができるいわゆる中間領域４０で第２の焦点を有する楕円ミラーとすることができる。

同じく図示するように、光学系３０は、光学系３０上の最も近い作動可能点が照射領域２８から距離ｄに位置するように位置決めすることができる。他の光学系は、ＥＵＶ光を利用するデバイスへのその後の送出に向けて光を中間位置に集光して誘導する楕円面ミラーの代わりに使用することができ、例えば、光学系は、放物線状とすることができ、又は環状断面を有するビームを中間位置に送出するように形成することができることは認められるものとする。例えば、内容全体がここでの引用により本明細書に組み込まれている代理人整理番号第２００６−００２７−０１号である２００６年８月１６日出願の「ＥＵＶ光学系」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／５０５、１７７号を参照されたい。

光源２０に対して、温度制御システムを使用して光学系３０を予め選択された作動温度範囲に維持することができる。制御システムは、集光ミラー基板裏面上に設けられた１つ又はそれよりも多くのオーム加熱器を加熱すること及び／又は熱交換流体、例えば、水又は液体ガリウムを通過させるように集光ミラー基板内に形成された１つ又はそれよりも多くの冷却チャンネルを冷却することを含むことができる。

本明細書で使用する時、用語「光学系」及びその派生語は、以下に限定されるものではないが、入射光を反射及び／又は透過し、及び／又は入射光で作動する構成要素を含み、かつ以下に限定されるものではないが、レンズ、窓、フィルタ、くさび、プリズム、グリズム、グレーディング、エタロン、拡散器、送信ファイバ、検出器及び他の計測構成要素、開口、絞り、及び多層ミラー、近垂直入射ミラー、斜め入射ミラー、鏡面反射器、及び拡散反射器を含むミラーを含む。更に、特に断らない限り、用語「光学系」及びその派生語は、単独で作動するか、又はＥＵＶ出力光波長、照射レーザ波長、測定に適する波長又は何らかの他の特定の波長又は波長帯域での又はその近くのような１つ又はそれよりも多くの特定の波長範囲内で利益を得る構成要素に限定されることを意味するものではない。

引き続き図１Ｂを参照すると、ＥＵＶ光源２０は、ＥＵＶコントローラ６０を含むことができ、ＥＵＶコントローラ６０は、システム２２内の１つ又はそれよりも多くのランプ及び／又はレーザデバイスをトリガすることによってチャンバ２６内に送出する光パルスを生成し、及び／又はビーム送出を制御する駆動レーザ制御システム６５、例えば、ビーム集束、ビーム誘導、ビーム成形などを調節するようにアクチュエータを通じて移動可能な光学系を含むことができる。パルス成形、集束、誘導、及び／又はパルスの集束力を調節する適切なビーム送出システムは、代理人整理番号第２００５−００８１−０１号である２００６年２月２１日出願の「レーザ生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／３５８、９９２号に開示されており、この特許の内容全体は、ここでの引用により本明細書に組み込まれている。同特許で開示するように、１つ又はそれよりも多くのビーム送出システム光学系は、チャンバ２６と流体連通しているとすることができる。パルス成形には、例えば、パルス伸長器及び／又はパルストリミングを使用してパルス持続時間を調節することを含むことができる。

ＥＵＶ光源２０は、例えば、照射領域２８に対して１つ又はそれよりも多くの液滴の位置を示す出力を供給する１つ又はそれよりも多くの液滴撮像器７０を含むことができる液滴位置検知システムを含むことができる。撮像器７０は、液滴位置検出フィードバックシステム６２にこの出力を供給することができ、液滴位置検出フィードバックシステム６２は、例えば、液滴単位で又は平均して液滴誤差を計算することができる例えば液滴位置及び軌道を計算することができる。液滴位置誤差は、次に、コントローラ６０への入力として供給することができ、コントローラは、例えば、光源タイミング回路を制御するために、及び／又は例えばチャンバ２６内の照射領域２８に送出されている光パルスの位置及び／又は集束力を変えるようにビーム位置及び成形システムを制御するために、システム２２に位置、方向、及び／又はタイミング補正信号を供給することができる。また、ＥＵＶ光源２０に対して、ターゲット材料送出システム９０は、例えば、望ましい照射領域２８に到達する液滴の誤差を補正するために放出点、放出タイミング、及び／又は液滴変調を修正するように、コントローラ６０からの信号（一部の実施例では、上述の液滴誤差又はそこから導出された何らかの数量を含むことができる）に応答して作動可能である制御システムを有することができる。

ＥＵＶ光源２０に対して、液滴送出機構９２は、１）分注器を出る１つ又はそれよりも多くの流れの液滴、又は２）分注器を出てその後表面張力のために液滴に分解する１つ又はそれよりも多くの連続的な流れを作り出す液滴分注器を含むことができる。いずれの場合にも、１つ又はそれよりも多くの液滴が同時に照射領域２８に存在し、１つ又はそれよりも多くの後続レーザパルス、例えば、主パルスへの露光に適する拡張されたターゲットを形成し、ＥＵＶ放出を生成するために１つ又はそれよりも多くの液滴が同時に初期パルス、例えば、プレパルスによって照射されることを可能にするような液滴を生成して照射領域２８に供給することができる。一実施形態では、多重オリフィス分注器を使用して「シャワーヘッド形式」の効果を作り出すことができる。一般的に、ＥＵＶ光源２０に対して、液滴分注器は、変調式又は非変調式とすることができ、かつターゲット材料を通過させて１つ又はそれよりも多くの液滴流を作り出す１つ又はいくつかのオリフィスを含むことができる。上述の分注器及び相対的な利点に関する更なる詳細は、代理人整理番号第２００５−００８５−０１号である２００６年２月２１日出願の「プレパルスによるレーザ生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／３５８、９８８号と、代理人整理番号第２００４−０００８−０１号である２００５年２月２５日出願の「ＥＵＶプラズマ源ターゲット送出の方法及び装置」いう名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／０６７、１２４号と、代理人整理番号第２００５−０００３−０１号である２００５年６月２９日出願の「ＬＰＰ−ＥＵＶ原材料ターゲット送出システム」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／１７４、４４３号と、代理人整理番号第号２００７−００３０−０１である２００７年７月１３日出願の「変調外乱波を使用して生成した液滴流を有するレーザ生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／８２７、８０３号とに見ることができ、これらの特許の各々の内容は、ここでの引用により本明細書に組み込まれている。

ＥＵＶ光源２０は、光源２０によって生成されるＥＵＶ光の様々な特性を測定する１つ又はそれよりも多くのＥＵＶ測定計器（図示せず）を含むことができる。これらの特性には、例えば、強度（例えば、全体的強度又は特定のスペクトル帯域内での強度）、スペクトル帯域幅、偏光などを含むことができる。ＥＵＶ光源２０に対して、計器は、例えば、ピックオフミラーを使用してＥＵＶ出力の一部をサンプリングするか、又は「未集光」ＥＵＶ光をサンプリングすることによって下流側ツール、例えば、フォトリソグラフィスキャナがオンラインである間に作動するように形成することができ、及び／又はＥＵＶ光源２０のＥＵＶ出力全体を測定することによって下流側ツール、例えば、フォトリソグラフィスキャナがオフラインである間に作動させることができる。

上述のように、照射領域２８のターゲットの照射により、プラズマが生成されてＥＵＶ放射が生成される。更に、この工程の副産物としてプラズマを出るイオンを一般的に全方向に発生させることができる。一般的に、プラズマを出るイオンの初期エネルギは、１つの範囲にわたって変化し、その範囲は、照射光波長、エネルギ、強度、及びパルス形状、及びターゲット材料の組成、サイズ、形状、及び形態を含むがこれらの限定されないいくつかのファクタの影響を受ける。先にも示したように、これらのイオンは、衰えない場合には、ミラー、レーザ入力窓、測定窓、フィルタなどの近くの光学系を劣化させる場合がある。

図１Ａ及び図１Ｂに示す光源２０、２０’に対して、ガスは、例えば、流動中、静止に関わらず、プラズマ部位と光学系３０（ミラー３５）の間に配置することができ、ガスは、距離ｄにわたって作動するのに十分なガス数密度ｎ（すなわち、分子数／容積）を確立し、ここで、ｄは、イオンが光学系３０／ミラー３５に到達する前にターゲット最大エネルギレベルまでイオンエネルギを低減するプラズマ部位と光学系３０／ミラー３５の間の最も近い距離である。例えば、約１０〜２００ｅＶの間に、恐らく３０ｅＶ未満までターゲット最大エネルギレベルにイオンエネルギを低減するのに十分なガス数密度をもたらすことができる。図１及び図１Ｂに示すデバイスの作動に対して、距離ｄにわたってターゲットガス数密度を確立するガスは、ＥＵＶ放射中に存在して流動中であると考えられている。適切なガス組成及びガス数密度を選択する際に考慮することができるファクタには、ガス組成のイオン阻止力（例えば、約１０〜３０ｃｍの距離にわたって約３０ｅＶ未満にイオンを減速する）及び数密度の関数としてガスのＥＵＶ吸着量（例えば、ＥＵＶ光がプラズマから集光ミラーに、その後中間領域４０上に進む時に約１〜２ｍの距離にわたって問題のない帯域内ＥＵＶ吸着量を供給するＬＰＰ源に対して）がある。

適切なガスには、特定の用途により、例えば、５０パーセント水素より大きい水素（プロチウム及び／又は重水素同位元素）、ヘリウム、及びその組合せを含むことができる。例えば、最大初期イオンエネルギ（例えば、約５〜１０ｋｅＶ）及びプラズマから約１５ｃｍの距離ｄを有するイオンを生成するプラズマに対して、約３０ｅＶ未満にイオンエネルギを低減する適切なガスは、室温での約５００ミリトルの圧力の水素ガスとすることができる。一部の構成に対して、約５００ミリトル〜２０００ミリトルの範囲の圧力を使用することができる。ＳＲＩＭ（材料内イオン停止及び範囲）ソフトウエア（ｗｗｗ−ｓｒｉｍ−ｏｒｇウェブサイトで利用可能）を使用して、選択されたエネルギ未満までイオン（初期イオンエネルギを有する）エネルギを低減するのに必要とされるガス数密度（特定の距離ｄにわたって作動可能）を判断することができる。数密度から、ガスによる予想ＥＵＶ吸着量を計算することができる。チャンバ内に導入されたガスは、光、イオン、及び／又は洗浄／エッチング及び／又はイオン減速に有効と考えられるイオン、例えば、原子水素及び／又は水素イオンを解離及び／又は作り出すプラズマと反応することができることは更に認められるものとする。

図１Ｂは、光源２０が、チャンバ２６に１つ又はそれよりも多くのガスを導入する調節式ガス供給源、チャンバ２６からガスを除去する調節可能なポンプ、及び一部の場合には、チャンバ２６から除去されたガスを再循環及び／又は再導入する閉ループ流路を含むことができるガス管理システム１００を含むことができることを更に示している。ＥＵＶ光源ガス管理システムは、図１Ｂ及び図２に示すＬＰＰ源を参照して本明細書で詳細に説明しているが、図１Ａに示す以下の開示内容の殆どは、ＤＰＰ源２０’に等しく適用可能であることは認められるものとする。

引き続き図１Ｂ図に対して、ガスを導入し、ガスを除去し、及び／又は結合システム１４のチャンバ１６内のガスの流れを調節するガス管理システム１０２を設けることができ、ガスを導入し、ガスを除去し、及び／又はＥＵＶ光を利用するデバイス１２のチャンバ１３内のガスの流れを調節するガス管理システム１０４を設けることができることが分るであろう。
例えば、ガス管理システム１００、１０２、１０４は、閉ループ流路でガスを強制的に通過させるポンプ、流路内を流れるガスから熱を除去する熱交換器、及び／又は流路内を流れるガスからターゲット種、例えば、光学系を劣化させ及び／又はＥＵＶ光を吸収する場合がある汚染物質の少なくとも一部を除去するフィルタを含むことができ、ポンプに誘導されるガスの量を計量する弁、調節器、又は類似のデバイスを設けることができる。また、一部の場合には、周囲に放出する前にガスを希釈及び／又は洗浄する調整器を設けることができる。

１つ又はそれよりも多くのポンプを通じたチャンバ１３、１５、２６からのガス除去を行って、ガス管理システム１００、１０２、１０４からのガス追加分に応答してそれぞれのチャンバ１３、１５、２６内で一定のガス圧を維持し、及び／又はチャンバ１３、１５、２６から汚染物質、蒸気、金属粉末などを除去し、及び／又は例えば光学系３０と照射領域２８の間で比較的高い圧力を、かつ照射領域２８と中間領域４０の間でより小さい比較的低い圧力を維持するためにチャンバ１３、１５、２６内で圧力勾配を確立することができる。更に、ポンプ、熱交換器、及びフィルタは、協働して熱を除去することにより、例えば、光学系３０の温度を制御するようにチャンバ１３、１５、２６内の温度を制御し、及び／又はチャンバ１３、１５、２６から汚染物質、蒸気、金属粉末などを除去し、及び／又は例えば光学系２８と照射領域２８の間で比較的高い圧力を、かつ照射領域２８と中間領域４０の間でより小さい比較的低い圧力維持するためにチャンバ１３、１５、２６内の圧力勾配をもたらすことができる。

ガス供給源及びポンプの制御を一斉に行って、選択したガス圧／圧力勾配を維持し、及び／又はチャンバ１３、１５、２６内で又はそれを通じて選択した流量を維持し、及び／又は選択したガス組成、例えば、いくつかの選択したガス、例えば、Ｈ_2、ＨＢｒ、Ｈｅの比率を維持することができる。一般的に、選択する流量は、特に、チャンバへの光源電力入力、ガス混合量、熱交換器の効率、他の構成要素冷却システムの効率、例えば、集光ミラー冷却システム、及び／又は他のチャンバ内のガス要件／制限条件に依存すると考えられる。
一例として、照射部位２８から約１５ｃｍに位置決めされた光学系３０、約５００ｍＪのレーザパルスエネルギ、及び１０〜１００ｋＨｚの範囲のＥＵＶ出力繰返し数を有するＳｎターゲット及びＣＯ₂レーザシステムに対して、約２００〜４００ｓｌｍ（標準リットル／分）又はそれよりも多くの流量をチャンバ２６内で使用することができる。

光源２０に対して、ガス管理システム１００は、別々に及び独立して数種類のガス、例えば、Ｈ_2、Ｈｅ、Ａｒ、及びＨＢｒを導入することができ、又はガスは、混合物として導入することができる。更に、図１Ｂは、１つの位置で導入されているガスを示すが、ガスは、複数の位置で導入することができ、複数の位置で除去すれることができ、及び／又は複数の位置で循環に向けて排気することができることは認められるものとする。ガスは、タンクを通じて供給することができ、又は局所的に発生させることができる。例えば、ガス供給源は、オンデマンド水素／重水素発生器を含むことができる。水素／重水素を固体ポリマー膜を使用して水／重水から抽出するデバイスを含み、いくつかの形式が利用可能である。このようなデバイスは、商品名「水素発生器」で「Ｄｏｍｎｉｃｋ Ｈｕｎｔｅｒ」により取引及び販売されており、例えば、詳細に対してはｗｗｗ−ｄｏｍｎｉｃｋｈｕｎｔｅｒ−ｃｏｍウェブサイトを参照されたい。

使用するガスに基づいて、例えば、エッチャントガス蒸気を洗浄する適切な化学洗浄器、及び／又は周囲に放出する前に放出ガスを希釈する希釈ガスの供給源のような調整器を設けることができる。例えば、Ｈ₂が使用される時に（４〜２５％のガス数密度では、爆発性である傾向がある）、Ｎ₂又は空気のような希釈ガスを使用して、放出前にＨ₂数密度を低減することができる（通常４％未満、より好ましくは０．４％未満に）。代替的に又は希釈ガスの使用に加えて、白金触媒を有することが可能な触媒コンバータを使用して水素を水に変換することができる。

イオンエネルギを低減するための適切なガスには、水素（プロチウム同位元素及びデューテリウム同位元素）、ヘリウム、及びその組合せを含むことができるが、これらに限定されない。更に、ハロゲンを有するガスのような光学系の表面に沈積した汚染物質を除去する洗浄／エッチングガスを含むことができる。例えば、エッチャントガスには、ＨＢｒ、Ｈ１Ｂｒ_2、Ｃｌ_2、ＨＣｌ、又はその組合せを含むことができる。一例として、Ｓｎ又はＳｎ化合物がターゲット材料として使用される時の適切な組成は、５０〜９９％のＨ₂及び１〜５０％のＨＢｒを含むことができる。

これらのイオン軽減技術を用いて、問題がないレベルのＥＵＶ吸着量で少なくとも４桁分イオン流束（すなわち、エネルギ積分信号）を抑制することができると考えられる。一部の場合には、集光ミラー反射コーティングは、約５００層の犠牲層を有することができ、依然として完全なＥＵＶ反射率をもたらすことができる。０．２層／１００万パルス（イオン軽減がない場合）の測定侵食率及び１０⁴の抑制係数（上述の軽減）を考慮して、大量製造環境における集光ミラーの約１年の作動に対応する１０¹²パルスを超える集光器寿命が推定される。

上述のように、イオン阻止ガス及び／又はエッチャントガスの使用は、特定の用途に基づいて、単独で又は箔遮蔽体（減速又は偏向ガスの有無に関わらず）の使用、及びイオンを偏向又は減速させる電界及び／又は磁界の使用、及び／又はイオン流束を低減するパルス成形の使用のような１つ又はそれよりも多くの他のイオン軽減技術と組み合わせて行うことができ、例えば、内容全体がここでの引用により本明細書に組み込まれている代理人整理番号第２００７−００１０−０２号である２００７年４月１０日出願の「レーザ生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／７８６、１４５号を参照されたい。

図２は、貫通孔が形成された光学系３０、例えば、照射領域２８からＥＵＶ光を誘導する近垂直入射楕円体集光ミラーが配置されたチャンバ２６を有するＥＵＶ光源を有するＥＵＶフォトリソグラフィ装置２００のガス管理構成要素を示しており、例えば、ターゲット材料液滴は、結合システム１４内の中間領域４０までＥＵＶ放射線を生成する駆動レーザ（図２では図示せず）によって照射される。図示のように、光学系３０からのＥＵＶ光は、結合システム１４を通過して、リソグラフィステッパ、スキャナのようなＥＵＶ光を利用するデバイス１２に入力される。
図２に示すように、ガス管理システムは、１つ又はそれよりも多くの閉ループ流路を定める封入構造体を含むことができ、封入構造体は、１つ又はそれよりも多くの案内路２０４ａ、ｂと流体連通している容器、例えば、チャンバ２６を有し、各々の案内路２０４ａ、ｂは、チャンバ２６の外部にある。

引き続き図２に対して、各閉ループ流路内では、ガスは、光学系３０内に形成された貫通孔を通り、かつ照射領域２８に向けて誘導されることを見ることができる。貫通孔から、ガスの一部は、熱交換器２０６を通ってポンプ２０８ａ、ｂに入る。図２に示す光学系３０に対して、貫通孔はまた、レーザ源（図示せず）から照射領域２８にレーザビームを通過させるように機能するが、他の貫通孔を設けて、ガスに光学系３０を通過させるために使用することができる。更に、他の適切な流路をチャンバ２６内に確立することができ、例えば、内容全体がここでの引用により本明細書に組み込まれている代理人整理番号第２００７−００３９−０１号である２００７年８月３１日出願の「レーザ生成プラズマＥＵＶ光源のためのガス管理システム」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／８９７、６６４号を参照されたい。

図示の装置２００に対して、熱交換器２０６は、複数の離間して平行な環状に成形された金属プレートから成ることができ、各金属プレートは、チャンバ２６の円周周りに延びている。プレートの１つ、一部、又は全てには、各金属プレートを冷却するために熱交換流体、例えば、水を通過させる１つ又はそれよりも多くの内部通路を形成することができる。熱交換器２０６は、熱交換器２０６を通るガスを冷却するように、及び／又は錫がターゲット材料として使用される時に望ましくないほどにＥＵＶ放射線を吸収し、及び／又は光学系を汚濁する場合があるターゲット材料蒸気、例えば、錫蒸気を凝縮させるように機能することができる。冷却された状態で、ガスは、例えば、ターボポンプ又はルート形式ブースタとすることができるポンプ２０８ａ、ｂを通過し、次に、ガスは、もう一度光学系３０内に形成された貫通孔を通る位置に外部案内路を通じて誘導することができる。１つ又はそれよりも多くの流量調節器（図示せず）、例えば、ガス管理システムを通じて流量の均衡を取る各ポンプの近くの１つの調節器を設けることができることは認められるものとする。

図２及び図２Ａは、光学系３０内に形成された貫通孔からのガスの一部が、多チャンネル構造体２１０を通じてチャンバ２６内を流れることができることを更に示している。そこで分るように、多チャンネル構造体２１０は、照射位置２８と中間点４０の間に配置することができ、かつ光が光学系３０から中間領域４０に進むことを可能にするように配置される複数の同心の円錐形ベーン２１２を含むことができると共に、ＥＵＶ光吸収を最小にするように設計することができる。更に、ベーンの位置は、例えば、スキャナ内の障害物のためにスキャナ２０２によって使用することができない光路に対応するように選択することができる。同心の円錐形ベーンを支持する１つ又はそれよりも多くの半径方向部材２１３を設けることができる。図２Ｂは、ベーン２１２’’が図２に示すように中間領域４０に向けて収束する平坦な板から成る別の実施形態を示している。図示のように、チャンバ２６の壁と多チャンネル構造体２１０の間で流れを制限するフランジ２１１を設けることができる。

図３及び図４は、複数の半径方向に配向されたベーン２１２’を含む多チャンネル構造体２１０’の代替構成を示している。代替的に、同心円状円錐及び半径方向ベーンを有する多チャンネル構造体を使用することができる。図２Ａ、図２Ｂ、及び図３に示す多チャンネル構造体２１０、２１０’、２１０’’に対して、ベーンの１つ、一部、又は全てには、各ベーンを冷却するために熱交換流体、例えば、水又は液体ガリウムを流す内部通路を形成することができる。多チャンネル構造体２１０、２１０’、２１０’’は、例えば、多チャンネル構造体２１０、２１０’、２１０’’と中間領域４０間の多チャンネル構造体２１０、２１０’、２１０’’の下流側で、例えば、イオン阻止及び／又はエッチング力及び比較的低いガス圧をもたらし、例えば、ＥＵＶ吸着量を最小にし、及び／又は結合システム１４及びＥＵＶ光を利用するデバイス２０２に向けて誘導される流れを最小にするために多チャンネル構造体２１０、２１０’、２１０’’を通るガスを冷却し、及び／又は錫がターゲット材料として使用される時に望ましくないほどにＥＵＶ放射線を吸収する場合があるターゲット材料蒸気、例えば、錫蒸気を凝縮し、及び／又はガス流に対する大きな抵抗をもたらし、従って、多チャンネル構造体２１０、２１０’、２１０’’の上流側に比較的高いガス圧によって圧力勾配をチャンバ２６内に、例えば、照射領域２８と光学系３０間に確立するように機能することができる。

図示のデバイスに対して、多チャンネル構造体２１０、２１０’、２１０’’は、照射領域から原材料を受け取るように位置決めすることができる。本明細書で開示するように、特定の用途に基づいて、構造２１０、２１０’、２１０’’は、単独で又は上述のようなイオン減速ガスの使用、箔遮蔽体の使用（減速ガス又は偏向ガスの有無に関わらず）、及びイオンを偏向又は減速せる電界及び／又は磁界の使用、パルス状ビームの使用のような１つ又はそれよりも多くの他のデブリ軽減技術と組み合わせて使用することができる。

多チャンネル構造体２１０、２１０’、２１０’’と別々であるか、それに取り付けられているか、又はそれと一体に形成することができるビームストップを設けることができる。デバイスの作動において、液滴のようなターゲット材料は、プラズマを発生させるために１つ又はそれよりも多くのパルスによって照射される。一般的に、照射されたターゲット材料は、ビーム方向に沿って移動して広い立体角に広がる。材料の殆どは、多チャンネル構造体２１０、２１０’、２１０’’により収集することができ、多チャンネル構造体２１０、２１０’、２１０’’は、温度制御することができる。例えば、ＬＰＰターゲット材料を収集して誘導する温度制御ビームストップは、代理人整理番号第２００５−００８６−０１号である２００６年８月２５日出願の「レーザ生成プラズマＥＵＶ光源のための原材料収集器」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／５０９、９２５号に開示かつ請求されており、これらの特許の内容全体は、ここでの引用により本明細書に組み込まれている。また、内容全体がここでの引用により本明細書に組み込まれている代理人整理番号第２００７−００１０−０２号である２００７年４月１０日出願の「レーザ生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／７８６、１４５号を参照されたい。

ターゲット材料照射の副産物は、金属紛、ターゲット材料蒸気、及びミクロ液滴又はクラスターを含むことができると共に、いくつかの形態とすることができ、例えば、錫、例えば、純粋な錫又は錫化合物、例えば、ＳｎＢｒ_4、ＳｎＨ_4、ＳｎＢｒ₂などが原材料として使用された時に、副産物には、錫及び酸化物を含む錫化合物を含むことができる。例えば、集光ミラー侵蝕からの塵及び他の汚染物質がチャンバに存在する恐れもある。これらの副産物は、特に光学系を損傷し、かつＥＵＶ放射線を吸収／散乱させる場合がある。

一例としてかつ非制限的に、多チャンネル構造体２１０、２１０’、２１０’’は、液体及び固体（一部の場合には、再溶融中の固形物）を収集し、及び／又は蒸気を凝縮させる。Ｓｎを含むターゲット材料に対して、多チャンネル構造体２１０、２１０’、２１０’’の作動可能な表面の一部又は全ては、Ｓｎの融点、例えば、約２３０Ｃを超える温度に維持することができる。この温度で、微細液滴は、多チャンネル構造体２１０、２１０’、及び２１０’’の表面に付着し、一部の場合には、重力により下方へ流れることができる。固化金属粉末は、溶融材料に再溶融され、また、下方に流れることができる。Ｓｎの化合物（例えば、酸化物）は、液体の流れにより捕集されてチャンバから除去することができる。多チャンネル構造体２１０、２１０’、２１０’’は、表面から、液体金属を収集することができる底部まで液体金属流を誘導する中間接続チャンネル（図示せず）を有することができる。チャンネルの位置及び方向は、多チャンネル構造体２１０、２１０’、及び２１０’’上での液体の適切な流れを保証するようにＥＵＶ光源方位に対して形成することができる（例えば、光源軸線は、約２８度で水平線に対して傾かせることができる）。一方、一部の構成においては、多チャンネル構造体２１０、２１０’、及び２１０’’の作動可能な表面の一部又は全ては、Ｓｎの融点よりも低い温度、例えば、約２３０Ｃ未満に温度を維持することができる（Ｓｎを含むターゲット材料に対して）。これらの温度では、凝縮が容易にされ、液体及び固体は、多チャンネル構造体２１０、２１０’、及び２１０’’上に蓄積させることができる。多チャンネル構造体２１０、２１０’、２１０’’は、蒸気、例えば、チャンバに存在するＳｎ蒸気を凝縮させる低温捕捉器として機能することができる。

図２は、多チャンネル構造体２１０から、ガスが、通常は中間領域４０の方向に流れることを示している。図２は、多チャンネル構造体２１０を出るガスのいくらか、一部分、又は全てが、熱交換器２１４を通ってポンプ２１６ａ、ｂに入ることも示している。図示の熱源に対して、熱交換器２１４は、チャンバ２６の円周周りに延びて複数の離間した平行な環状に成形された金属プレートから成ることができる。金属プレートの１つ、一部、又は全てには、各金属プレートを冷却するために熱交換流体、例えば、水を通過させる１つ又はそれよりも多くの内部通路を形成することができる。熱交換器２１４は、熱交換器２１４を通るガスを冷却するように、錫がターゲット材料として使用される時に望ましくないほどにＥＵＶ放射線を吸収する場合があるターゲット材料蒸気、例えば、錫蒸気を凝縮させるように機能することができる。冷却された状態で、ガスは、例えば、ターボポンプ又はルート形式ブースタとすることができるポンプ２１６ａ、ｂを通過し、次に、ガスは、もう一度、光学系３０内に形成された貫通孔を通る位置に外部案内路２０４ａ、ｂを通じて誘導することができる。１つ又はそれよりも多くの流量調節器（図示せず）、例えば、ガス管理システムを通じて流量の均衡を取る各ポンプの近くの１つの調節器を設けることができることは認められるものとする。案内路２０４ａ、ｂの一方又は両方は、任意的なフィルタ２１８ａ、ｂ、例えば、洗浄器及び／又は更に別の任意的な熱交換器２２０ａ、ｂを含むことができる。図示の光源に対して、フィルタ２１８ａ、ｂは、ターゲット種、例えば、光学系を劣化させ及び／又は流路内を流れるガスからＥＵＶ光を吸収する場合がある汚染物質の少なくとも一部を除去するように機能することができる。例えば、錫含有材料がプラズマを発生させる原材料として使用される時、光学系を劣化させ及び／又はＥＵＶ光を吸収する場合がある水素化錫、酸化錫、及び臭化錫のような汚染物質がガスに存在する場合がある。これらの汚染物質は、１つ又はそれよりも多くの適切なフィルタ、例えば、ゼオライトフィルタ、低温捕捉器、化学吸収器を使用して除去することができる。熱交換器２２０ａ、ｂは、例えば、上述のように複数の離間した内部冷却の平行な金属プレートから構成することができ、かつ案内路２０４ａ、ｂ内のガスを冷却し、及び／又は蒸気、例えば、ガス流からの錫蒸気を凝縮させることによって除去するように機能することができる。

図２は、ガス管理システムが、例えば、イオン阻止に向けて連続的に又は個別の量でチャンバ２６に１つ又はそれよりも多くのガス（例えば、Ｈ₂（プロチウム及び／又は重水素同位元素）及び／又はＨｅ）を選択的に導入し、及び／又は光学系３０の表面のようなチャンバ２６内の表面からプラズマ生成されたデブリ沈積物（例えば、ＨＢｒ、Ｈ１Ｂｒ_2、Ｃｌ_2、ＨＣｌ、Ｈ₂、又はその組合せ）をエッチングする調節式ガス供給源２２２を含むことができることを更に示している。ガス供給源２２２は、１つ又はそれよりも多くの流量調節器（図示せず）を含むことができることは認められるものとする。

図２は、ガス管理システムが、連続的に又は個別の量でチャンバ２６及び／又はガス管理システムの他の部分、例えば、案内路２０４ａ、ｂなどからガスの一部又は全てを選択的に除去する調節可能なポンプ２２４、例えば、ターボポンプ又はルートブースタ、及び任意的な調整器２２６（例えば、図１に示す調整器１１４を参照して上述したように放出の前にガスを希釈及び／又は洗浄する）を含むことができることを更に示している。一部の場合には、ポンプを高温ガスから保護するために、熱交換器（図示せず）をポンプ２２４の上流側に設けることができる。

ガス供給源２２２を通じたチャンバ２６への新鮮なガスの追加及び／又はチャンバ２６からのポンプ２２４を通じたガスの除去を行って熱を除去し、それによってチャンバ２６内の温度を制御し、及び／又はチャンバ２６から汚染物質、蒸気、金属粉末などを除去し、及び／又はチャンバ２６内に圧力勾配をもたらし、例えば、光学系３０と照射領域２８の間で比較的大きな圧力、及び照射領域２８と中間領域４０の間でより小さい比較的低い圧力を維持することができる。
ガス供給源２２２及びポンプ２１６ａ、ｂ及び２２４の制御を行ってチャンバの選択領域内で選択したガス数密度及び／又は圧力勾配を維持し、及び／又はチャンバ２６を通じて選択した流量を維持し、及び／又は選択したガス組成、例えば、いくつかの選択したガス、例えば、Ｈ_2、ＨＢｒ、Ｈｅの比率を維持することができる。

図２は、ガス温度、圧力、組成、例えば、Ｈｅ／Ｈ₂比、ＨＢｒガス濃度などを含むがこれらの限定されない１つ又はそれよりも多くのガス特性を測定する１つ又はそれよりも多くのガスモニタ２２８をチャンバ２６に配置することができ、又はチャンバ２６と流体連通するように設置してガス管理システムコントローラ２３０に特性を示す１つ又はそれよりも多くの信号を供給することができ、ガス管理システムコントローラ２３０は、次に、選択したガス温度、圧力、及び／又は組成を維持するようにポンプ、調節器などを制御することができることを更に示している。例えば、差動排気による質量分析計残留ガスモニタを使用して、ＨＢＲガス濃度を測定することができる。

図２は、中間領域４０で又はその近くで予め選択された流れ（流量及び／又は流れ方向）、温度、ガス数密度、及び／又は汚染物質レベルを維持する備えを含む結合システム１４を設けることができることも示している。特に、結合システム１４は、一般的に、ＥＵＶ光入力ポートでステッパ／スキャナに入る汚染物質、例えば、錫及び錫化合物、洗浄／エッチャントガス、例えば、ＨＢｒ、熱などのような量を制限するステッパ／スキャナ製造業者により開発された１つ又はそれよりも多くの仕様に対してその仕様を満たすように設計することができる。図２に示すように、中間領域４０の近くのガス管理には、ガスがデバイス１２から及び中間領域４０に向けて流れるように、スキャナ入力部での圧力未満の圧力の維持を含むことができる。図２は、ガス管理システムが、中間領域４０から照明区域２８に向けて流れるガスの流れを供給するガス供給源２３２、及び上述のように中間領域４０を選択的に排気するポンプ２３４及び任意的な調整器２３６を含むことができることも示している。

図５は、光源のチャンバ２６とデバイス１２のチャンバ１３の間でガス流を管理及び／又は制限し、同時にＥＵＶ光が光源２０からデバイス１２に通過することを可能にする結合システムの実施形態を示している。図示のように、点線１０１６は、光源２０から中間焦点１０１８に収束し、かつ中間焦点からデバイス１２のチャンバ１３にそこでの使用ために発散するＥＵＶ光を示している。図示のように、結合システム１０１４は、デバイス１２のチャンバ１３と流体連通している中間チャンバ１０２０を取り囲む壁１０１２を含む。システム１０１４は、チャンバ２６から中間チャンバ１０２０及びデバイス１２のチャンバ１３までの流れを制限する細長い本体１０２２を更に含むことができる。システム１０１４に対して、細長い本体１０２２は、通路１０２４を少なくとも部分的に取り囲み、かつＥＵＶ光がチャンバ２６から通路１０２４に入ることを可能にする第１の開放端及びＥＵＶ光が通路を出て中間チャンバ１０２０及びデバイス１２のチャンバ１３内に入ることを可能にする第２の開放端を有するように形成することができる。図示のように、細長い本体１０２２は、例えば、第１の端部１０２６及び第２の端部１０２８に対して低減された断面積を有する少なくとも１つの位置１０３０を確立するネック領域を有するように成形することができる。図示のように、低減された断面積は、光軸に沿って中間焦点１０１８と同じ場所に位置することができるが、細長い本体１０２２のネック領域は、中間焦点１０１８から隔てた状態とすることができることは認められるものとする。本体１０２２の形状は、中間焦点１０１８に入る光円錐及び中間焦点１０１８を出る光円錐と実質的に適合するように成形することができることに注意することができる。同じく図示するように、端部１０２６の直径は、端部１０２８の直径よりも大きいとすることができる。

引き続き図５に対して、細長い本体１０２２は、１つ又はそれよりも多くの開口１０３２、例えば、低減された断面積を有する本体１０２２の第１の端部１０２６と低減された断面積を有する位置１０３０との間の位置で、例えば、低減された断面積を有する位置１０３０及び／又は中間焦点１０１８から光軸に沿った距離Ｘでガスを通路１０２４内に導入させる本体１０２２の壁を通る貫通孔を有して形成することができることを見ることができる。より具体的には、図示のように、調節式ガス供給源１０３４からのガスは、矢印１０３６の方向にマニホルド１０３８内に流れることができ、マニホルド１０３８は、図示のように、開口１０３２の位置で細長い本体１０２２を取り囲むように配置することができる。例えば、ガス供給源１０３４からのガスは、アルゴン、水素、ヘリウム、及びその組合せ、又は比較的低いＥＵＶ吸着量を有してチャンバ２６及び／又はチャンバ１３に存在することが許容されるあらゆる他のガスとすることができる。

図５は、光源２０のチャンバ２６と中間チャンバ１０２０の間で流れを通路１０２４に制限するために結合システム１０１４の外壁と細長い本体１０２２の壁との間に延びるフランジ１０４０を設けることができることも示している。図示のように、結合システム１０１４は、複数の開口を含むことができ、開口は、細長い本体１０２２の開放端１０２６に向う方向に通路１０２４に入る流れを誘導するように形成することができる。１つの設定では、システムは、細長い本体１０２２の第１の端部１０２６に向けて通路１０２４に入る流れを誘導する１つ又はそれよりも多くのノズル（図示せず）を含むことができる。

図５は、結合システム１０１４が、細長い本体１０２２の開放端１０２８とデバイス１２の光入力開口との間に配置された容積を含む中間チャンバ１０２０を取り囲む壁１０１２を含むことができることを更に示している。図示の結合システム１０１４に対して、例えば、１つ又はそれよりも多くのターボポンプ又はルート形式ブースタとすることができる１つ又はそれよりも多くのポンプ１０４２は、中間チャンバ１０２０からガスを除去して矢印１０４４、１０４６の方向にガスを流すように位置決めすることができる。最後に、図示のように、円錐側板１０４８は、デバイス１２から延びて中間チャンバ１０２０に入り、かつ中間チャンバ１０２０からデバイス１２内に入る流れを低減及び／又は排除するためにある程度ＥＵＶ光入力開口１０４２を取り囲むように配置することができる。

図５に示すと共に上述した構成を用いて、ポンプ１０４２流量及び調節式ガス供給源１０３４流量は、デバイス１２のチャンバ１３から中間チャンバ１０２２内に入るガスが（矢印１０５０）、デバイス１２内に入る汚染物質流れを抑制し、ガスが、開口１０３２から細長い本体１０２２の開放端１０２６を通り、かつ光源２０のチャンバ２６内に（矢印１０５２）流れて、細長い本体１０２２内に汚染物質を拡散させるための逆流を確立するように調節することができる。特に、これらの流れ（矢印１０５０及び１０５２）は、光源２０のチャンバ２６内のガスが圧力Ｐ₁、デバイスのチャンバ１３内のガスが圧力Ｐ₂で達成することができ、Ｐ₁＞Ｐ₂である。一部の場合には、ポンプ１０４２流量及び調節式ガス供給源１０３４流量は、通路１０２４から細長い本体１０２２の開放端１０２８を通り、かつ中間チャンバ１０２０内に（矢印１０５４）流れを誘導するように調節することができる。一部の場合には、チャンバ２６内のイオン減速緩衝ガスは、約２００〜６００ミリトル（Ｈ２）とすることができ、開口１０３２の平面での圧力は、チャンバ２６圧力を超える。これらの圧力レベルで、通路１０２４内の流れ領域は、粘性とすることができ、中間焦点１０１８から中間チャンバ１０２０までのガス流量（矢印１０５４）は、細長い本体１０２２を拡張することによって最小にすることができる。

図５に示す構成に対して、ガスが矢印１０５０の方向に流れるという要件は、殆どの実際的な構成に対して、開口１０３２の平面内の最高圧力が、１）ポンプ１０４２のポンプ速度の限界値、及び２）低減された断面積から端部１０２８までの細長い本体１０２２の区画の抵抗により制限される場合があることを意味すると考えられる。細長い本体１０２２の抵抗は、次に、粘性の又は分子性である流れ領域に対して、テーパ角度、低減された断面の寸法、及び細長い本体１０２２の長さに依存する。上述のように、低減された断面から少し離れたガス供給源１０３４からのガスの導入及び／又は端部１０２６に向う方向へのガスの導入は、矢印１０５０の方向での流れを維持し、同時に特定の細長い本体１０２２の流量（矢印１０５２）及び特定のポンプ１０４２速度の増加を可能にすることができる。

細長い本体１０２２からの及びチャンバ２６内への流れを最大にすることが望ましいと考えられ、その理由は、ガス流の反対側の方向の汚染物質（ＨＢｒ、Ｓｎ蒸気、Ｓｎ化合物）の拡散の抑制係数が、Ｐｅｃｋｌｅｔ数によって定められるからであり、均一な断面のシリンダに対して、Ｐｅｃｋｌｅｔ数は、公式Ｐｅ＝Ｖ^*Ｌ／Ｄにより表され、ここで、Ｖは、抑制区域内の平均流速であり、Ｌは、抑制区域の長さであり、Ｄは、ガス中の汚染物質の拡散係数である。従って、抑制は、流速が高い方が高い。

図５Ａは、光源のチャンバ２６とデバイス１２のチャンバ１３の間でガス流を管理及び／又は制限し、同時にＥＵＶ光が光源２０からデバイス１２内に通過することを可能にする結合システム１０１４’の実施形態を示しており、結合システム１０１４’は、図５に示す結合システム１０１４と共通である１つ又はそれよりも多くの要素を有する。
図示の結合システム１０１４’に対して、壁は、デバイス１２のチャンバ１３と流体連通している中間チャンバ１０２０を取り囲む。システム１０１４’に対して、チャンバ２６から中間チャンバ１０２０及びデバイス１２のチャンバ１３までの流れを制限する細長い本体１０２２を更に含むことができる。システム１０１４’に対して、細長い本体１０２２は、通路１０２４を少なくとも部分的に取り囲み、かつＥＵＶ光がチャンバ２６から通路１０２４に入ることを可能にする第１の開放端１０２６と、ＥＵＶ光が通路を出て中間チャンバ１０２０及びデバイス１２のチャンバ１３に入ることを可能にする第２の開放端１０２８とを有するように形成することができる。図示のように、細長い本体１０２２は、例えば、端部に対して低減された断面積を有する少なくとも１つの位置１０３０Ａを確立するネック領域を有するように成形することができる。

引き続き図５Ａに対して、細長い本体１０２２は、１つ又はそれよりも多くのノズル１０３１を含むことができ、各ノズル１０３１は、ガスが、細長い本体１０２２の第１の端部と低減された断面積を有する位置１０３０との間の位置で通路１０２４内に導入されることを可能にするそれぞれの開口１０３２内で終端することを見ることができる。より具体的には、図示のように、調節式ガス供給源１０３４からのガス、例えば、アルゴン、水素、ヘリウムは、開口１０３２Ａを通り、かつ通路１０２４Ａ内に流れることができる。

図５Ｂは、ノズル１０３１’が、テーパ（図示のような）を含むように成形することができ、又はｄｅＬａｖａｌノズル（図示せず）のような他の形式の成形ノズルなどを使用することができることを示している。図５Ｃに示すように、ノズル１０３１Ａ〜Ｄ’’は、半径方向に通路１０２４に入る流れを導入するように配向することができ、又は図５Ｃに示すように、ノズル１０３１Ａ〜Ｃ’’は、通路１０２４内に渦を確立するように接線方向に通路１０２４に入る流れを導入するように配向することができる。一部の場合には、渦は、速度が比較的小さい通路内の面積の量を低減するように通路にわたる速度のプロフィールを変えることによって上流側汚染物質抑制を増大させることができる。

図６及び図６Ａは、光源２０のチャンバ２６とデバイス１２のチャンバ１３の間でガス流を管理及び／又は制限し、同時にＥＵＶ光が光源２０からデバイス１２に通過することを可能にする結合システム１０１４Ａの実施形態を示しており、結合システム１０１４Ａは、図５に示す結合システム１０１４と共通である１つ又はそれよりも多くの要素を有する。
図示の結合システム１０１４Ａに対して、壁は、デバイス１２のチャンバ１３と流体連通している中間チャンバ１０２０を取り囲む。システム１０１４Ａは、チャンバ２６から中間チャンバ１０２０及びデバイス１２のチャンバ１３まで流れを制限する細長い本体１０２２Ａを更に含むことができる。システム１０１４Ａに対して、細長い本体１０２２Ａは、通路１０２４Ａを少なくとも部分的に取り囲み、かつＥＵＶ光がチャンバ２６から通路１０２４Ａに入ることを可能にする第１の開放端と、ＥＵＶ光が通路を出て中間チャンバ１０２０及びデバイス１２のチャンバ１３に入ることを可能にする第２の開放端とを有するように形成することができる。図示のように、細長い本体１０２２Ａは、例えば、端部に対して低減された断面積を有する少なくとも１つの位置１０３０Ａを確立するネック領域を有するように成形することができる。

引き続き図６に対して、細長い本体１０２２Ａには、１つ又はそれよりも多くの開口１０３２Ａ、例えば、ガスが細長い本体１０２２Ａの端部と低減された断面積を有する位置１０３０Ａとの間の位置で通路１０２４Ａ内に導入されることを可能にする細長い本体１０２２Ａの壁を通る貫通孔を形成することができることを見ることができる。より具体的には、図示のように、調節式ガス供給源１０３４からのガス、例えば、アルゴン、水素、ヘリウムは、開口１０３２Ａを通り、かつ通路１０２４Ａ内に流れることができる。

図６は、結合システム１０１４Ａが、細長い本体１０２２Ａの開放端とデバイス１２の光入力開口との間に配置された容積を含む中間チャンバ１０２０を取り囲む壁を含むことができることを更に示している。図示の結合システム１０１４Ａに対して、１つ又はそれよりも多くのポンプ１０４２は、中間チャンバ１０２０からガスを除去して、矢印１０４４の方向にガスを流すように位置決めすることができる。

図６及び図６Ａを相互に参照すると、１つ又はそれよりも多くのベーン１０６０は、細長い本体１０２２Ａの通路１０２４Ａに配置することができることを見ることができる。図示のように、ベーン１０６０は、細長い本体１０２２Ａを横切ることができ、かつ端部１０２８Ａから端部１０２８Ａと中間焦点１０１８との間の位置まで延びることができる。この構成を用いて、ベーン１０６０は、通路１０２４Ａにおいて低減された断面１０３０Ａから細長い本体１０２２Ａの端部１０２８Ａに向かい、かつ中間チャンバ１０２０（矢印１０５４Ａ）内に入る流れを低減するように機能することができる。上述のように、細長い本体１０２２の抵抗を増大させることは、開口１０３２の平面内の最高圧力を可能にすることができ、従って、チャンバ１３内に入る汚染物質流れが抑制されると同時に、矢印１０５０の方向のかつ所定のポンプ１０４２速度に対する流れを維持することができる。

より解析的には、粘性領域内のガス流に対するチャンネルの抵抗は、一般的に、１／Ｄ⁴としてチャンネルの横寸法Ｄに依存する。円筒管の場合、横寸法は、管の直径である。従って、図示の細長い本体１０２２Ａの抵抗に大きく寄与するのは、ネック領域であり、一方、ネック領域と端部１０２８Ａの間の円錐部の方は、一般的に寄与度が小さい。それにも関わらず、これは、図示のようにネック部から何らかの距離Ｘ１の場所にベーンを設けることによって円錐部を２分割することにより改善することができる。それによって横寸法が小さくなり、結果として、抵抗が増大する。可能であれば、ベーンは、既存のＥＵＶ光掩蔽部、例えば、ビームダンプ、液滴発生器、デブリ障壁などによって生成される掩蔽部により引き起こされる影内に位置決めすることができる。一例として、４０ｍｍの厚みを有し、かつ中間焦点から約１０００ｍｍに位置する掩蔽部に対して、約０．２ｍｍの厚みを有する影は、中間焦点の反対側でＸｌ＝５ｍｍに確立されることになる。

図７は、光源のチャンバ２６とデバイス１２のチャンバ１３の間でガス流を管理及び／又は制限し、同時にＥＵＶ光が光源２０からデバイス１２に通過することを可能にする結合システム１０１４Ｂの実施形態を示しており、結合システム１０１４Ｂは、図５に示す結合システム１０１４と共通である１つ又はそれよりも多くの要素を有する。
図示の結合システム１０１４Ｂに対して、壁は、デバイス１２のチャンバ１３と流体連通している中間チャンバ１０２０を取り囲む。システム１０１４Ｂは、チャンバ２６から中間チャンバ１０２０及びデバイス１２のチャンバ１３までの流れを制限する細長い本体１０２２を更に含むことができる。システム１０１４Ｂに対して、細長い本体１０２２は、通路１０２４を少なくとも部分的に取り囲み、かつＥＵＶ光がチャンバ２６から通路１０２４に入ることを可能にする第１の開放端、及びＥＵＶ光が通路を出て中間チャンバ１０２０及びデバイス１２のチャンバ１３内に入ることを可能にする第２の開放端を有するように形成することができる。図示のように、細長い本体１０２２は、例えば、端部に対して低減された断面積を有する少なくとも１つの位置１０３０を確立するネック領域を有するように成形することができる。

引き続き図７では、１つ又はそれよりも多くの開口１０３２、例えば、ガスが、細長い本体１０２２の第１の端部と低減された断面積を有する位置１０３０との間の位置で通路１０２４内に導入されることを可能にする細長い本体１０２２の壁を通る貫通孔及び／又は方向性ノズルを形成することができることを見ることができる。より具体的には、図示のように、調節式ガス供給源１０３４からのガス、例えば、アルゴン、水素、ヘリウムは、開口１０３２を通り、かつ通路１０２４内に流れることができる。

図７は、結合システム１０１４Ｂが、細長い本体１０２２の開放端とデバイス１２の光入力開口の間に配置された容積を含む中間チャンバ１０２０を取り囲む壁を含むことができることを更に示している。図示の結合システム１０１４Ｂに対して、中間チャンバ１０２０からガスを除去して矢印１０４４の方向にガスを流すように、１つ又はそれよりも多くのポンプ１０４２を位置決めすることができる。

引き続き図７に対して、結合システム１０１４Ｂは、プラズマ１０７２を生成するために低減された断面積を有する位置１０３０で又はその近くで通路１０２４内に電磁界を発生させる光源１０７０を含むことができる。図示のように、光源１０７０は、通路１０２４内に誘導結合（ＩＣＰ）放電プラズマ１０７２を作り出す１つ又はそれよりも多くの高周波（ＲＰ）コイルを含むことができる。機能的には、ガス流内の高温領域（例えば、プラズマ１０７２）は、ガス流に対する有意なドラッグを作り出すことができる。一般的に、ガスは、プラズマ領域１０７２周りに、かつ細長い本体１０２２の壁に沿って流れる傾向があると考えられる。図示の構成に対して、細長い本体１０２２の壁は、非導電性（セラミック、溶融石英などで製造）とすることができ、又はスリット（図示せず）が、例えば、端部１０２６から端部１０２８まで壁に切り抜かれ、かつスリットが、例えば、非導電性アイソレータインサート（図示せず）で密封された導電材料（例えば、金属）で製造することができる。

図７に示すと共に上述した構成を用いて、ポンプ１０４２流量及び調節式ガス供給源１０３４流量は、デバイス１２のチャンバ１３からのガスが、中間チャンバ１０２２（矢印１０５０）に入り、デバイス１２内に入る汚染物質流れを抑制し、ガスが、開口１０３２から細長い本体１０２２の開放端１０２６を通り、かつ光源２０のチャンバ２６内に（矢印１０５２）流れて、細長い本体１０２２内に汚染物質を拡散させるための逆流を確立するように調節することができる。特に、これらの流れ（矢印１０５０及び１０５２）は、光源２０のチャンバ２６内のガスが圧力Ｐ₁、デバイスのチャンバ１３内のガスが圧力Ｐ₂で達成することができ、Ｐ₁＞Ｐ₂である。一部の場合には、ポンプ１０４２流量及び調節式ガス供給源１０３４流量は、通路１０２４から細長い本体１０２２の開放端１０２８を通り、かつ中間チャンバ１０２０内に（矢印１０５４）流れを誘導するように調節することができる。一部の場合には、チャンバ２６内のイオン減速緩衝ガスは、約２００〜６００ミリトル（Ｈ２）とすることができ、開口１０３２の平面での圧力は、チャンバ２６圧力を超えることができる。これらの圧力レベルでは、通路１０２４内の流れ領域は、粘性とすることができ、中間焦点１０１８から中間チャンバ１０２０までのガス流量（矢印１０５４）は、細長い本体１０２２を拡張することによって最小にすることができる。更に、ポンプ１０４２流量及び調節式ガス供給源１０３４流量は、低減された断面積の位置１０３０においてＩＣＰ放電に適する約０．３〜２トルの圧力を確立するように、圧力Ｐ₁及びＰ₂に対して調節することができる。イオン化も、中間焦点で最大強度を有するＥＵＶ放射線により促進することができる。

この構成を用いて、プラズマ１０７２は、通路１０２４内で低減された断面１０３０Ａから細長い本体１０２２の端部１０２８に向かい、かつ中間チャンバ１０２０（矢印１０５４）内に入る流れを低減するように機能することができる。上述のように、細長い本体１０２２の抵抗を増大させることは、開口１０３２の平面内の最高圧力を可能にすることができ、従って、チャンバ１３内に入る汚染物質流れが抑制されると同時に、矢印１０５０の方向での流れが維持される。

図５に示す構成に対して、プラズマ１０７２は、この領域内の非イオン化ガスと同じＥＵＶ光の吸収量を有することができる。例えば、ガスは、Ｚ＝１にイオン化することができ、その場合、イオン吸収量は、中性イオンとほぼ同じとすることができる。特に、この圧力範囲でのイオン化度は、あまり高くないものとすることができ（例えば、１Ｅ−３から１Ｅ−６）、電子濃度（ＩＥ−１３からＩＥ−１０ｃｍ^-3）は、ＥＵＶ放射線のあらゆる感知可能な吸収量を引き起こすために比較的低いものと考えられる。

図８は、光源２０のチャンバ２６とデバイス１２のチャンバ１３の間でガス流を管理及び／又は制限し、同時にＥＵＶ光が光源２０からデバイス１２に通過することを可能にする結合システム１０１４Ｃの実施形態を示しており、結合システム１０１４Ｃは、図５〜図７に示す結合システムと共通である１つ又はそれよりも多くの要素を有する。
図示の結合システム１０１４Ｃに対して、壁は、デバイス１２のチャンバ１３と流体連通している中間チャンバ１０２０を取り囲む。システム１０１４Ｃは、チャンバ２６から中間チャンバ１０２０及びデバイス１２のチャンバ１３までの流れを制限する例えば金属製又は他の導電材料から作られた細長い本体１０２２Ｃを更に含むことができる。システム１０１４Ｃに対して、細長い本体１０２２Ｃは、通路１０２４を少なくとも部分的に取り囲み、かつＥＵＶ光がチャンバ２６から通路１０２４に入ることを可能にする第１の開放端１０２６及びＥＵＶ光が通路を出て中間チャンバ１０２０及びデバイス１２のチャンバ１３内に入ることを可能にする第２の開放端１０２８を有するように形成することができる。図示のように、細長い本体１０２２は、例えば、端部に対して低減された断面積を有する少なくとも１つの位置１０３０を確立するネック領域を有するように成形することができる。

引き続き図８では、１つ又はそれよりも多くの開口１０３２、例えば、ガスが、細長い本体１０２２の第１の端部と低減された断面積を有する位置１０３０との間の位置で通路１０２４内に導入されることを可能にする細長い本体１０２２の壁を通る貫通孔及び／又は方向性ノズルを形成することができることを見ることができる。より具体的には、図示のように、調節式ガス供給源１０３４からのガス、例えば、アルゴン、水素、ヘリウムは、開口１０３２を通り、かつ通路１０２４内に流れることができる。

図８は、結合システム１０１４Ｃが、細長い本体１０２２の開放端とデバイス１２の光入力開口の間に配置された容積を含む中間チャンバ１０２０を取り囲む壁を含むことができることを更に示している。図示の結合システム１０１４Ｃに対して、中間チャンバ１０２０からガスを除去して矢印１０４４の方向にガスを流すように、１つ又はそれよりも多くのポンプ１０４２を位置決めすることができる。

引き続き図８に対して、結合システム１０１４Ｃは、プラズマ１０７２を生成するために低減された断面積を有する位置１０３０と細長い本体１０２２Ｃの端部１０２８との間で通路１０２４内に電磁界を発生させる光源を含むことができる。図８及び図８Ａを相互に参照して最も良好に認められるように、例えば、金属製又は他の導電材料から作られる１つ又はそれよりも多くの導電ベーン１０６０Ｃを細長い本体１０２２Ｃの通路１０２４Ｃに配置することができることを見ることができる。図示のように、ベーン１０６０は、端部１０２８から、端部１０２８Ａと中間焦点１０１８の間の位置まで延びることができる。図８は、絶縁材料及び／又は誘電体で製造されたアイソレータ１０８０、１０８２を設置して導電体１０２２Ｃから導電ベーン１０６０Ｃを分離することができることを示している。この構成を用いて、ベーン１０６０は、通路１０２４内で低減された断面１０３０Ａから細長い本体１０２２の端部１０２８に向かい、かつ中間チャンバ１０２０（矢印１０５４）内に入る流れを低減するように機能することができる（上述のように）。

図８は、プラズマ１０７２Ｃを生成するために通路１０２４内に場を発生させる光源が、導電ベーン１０６０Ｃに供給される高電圧（安定抵抗器によるＲＦ又はＤＣ）の供給源と、導電材料１０２２Ｃを接地してベーン１０７０Ｃと低減された断面１０３０Ｃの間で放電区域を形成する導体１０８４とを含むことができることを更に示している。この構造体に対して、高電圧は、コロナプラズマ又はグロー放電プラズマを確立するように選択することができる。機能的には、ガス流内の高温領域（例えば、プラズマ１０７２）は、ガス流に対する有意なドラッグを作り出すことができ、一般的に、ガスは、プラズマ領域１０７２周りに、かつ細長い本体１０２２の壁に沿って流れる傾向があると考えられる。

図８に示すと共に上述した構成に対して、ポンプ１０４２流量及び調節式ガス供給源１０３４流量は、デバイス１２のチャンバ１３からのガスが、中間チャンバ１０２２（矢印１０５０）に入り、デバイス１２内に入る汚染物質流れを抑制し、ガスが、開口１０３２から細長い本体１０２２の開放端１０２６を通り、かつ光源２０のチャンバ２６内に（矢印１０５２）流れて、細長い本体１０２２内に汚染物質を拡散させるための逆流を確立するように調節することができる。特に、これらの流れ（矢印１０５０及び１０５２）は、光源２０のチャンバ２６内のガスが圧力Ｐ₁、デバイスのチャンバ１３内のガスが圧力Ｐ₂で達成することができ、Ｐ₁＞Ｐ₂である。一部の場合には、ポンプ１０４２流量及び調節式ガス供給源１０３４流量は、通路１０２４から細長い本体１０２２の開放端１０２８を通り、かつ中間チャンバ１０２０内に（矢印１０５４）流れを誘導するように調節することができる。一部の場合には、チャンバ２６内のイオン減速緩衝ガスは、約２００〜６００ミリトル（Ｈ２）とすることができ、開口１０３２の平面での圧力は、チャンバ２６圧力を超えることができる。これらの圧力レベルでは、通路１０２４内の流れ領域は、粘性とすることができ、中間焦点１０１８から中間チャンバ１０２０までのガス流量（矢印１０５４）は、細長い本体１０２２Ｃを拡張することによって最小にすることができる。更に、ポンプ１０４２流量及び調節式ガス供給源１０３４流量は、ＲＦ又はＤＣプラズマ放電に適する圧力をベーン１０６０Ｃと低減された断面の位置１０３０との間に確立するように、圧力Ｐ₁及びＰ₂に対して調節することができる。

この構成を用いて、プラズマ１０７２は、通路１０２４内で低減された断面１０３０Ａから細長い本体１０２２の端部１０２８に向かい、かつ中間チャンバ１０２０（矢印１０５４）内に入る流れを低減するように機能することができる。上述のように、細長い本体１０２２の抵抗を増大させることは、開口１０３２の平面内の最高圧力を可能にすることができ、従って、チャンバ１３内に入る汚染物質流れが抑制されると同時に、矢印１０５０の方向での流れが維持される。

図９は、光源２０のチャンバ２６とデバイス１２のチャンバ１３の間でガス流を管理及び／又は制限し、同時にＥＵＶ光が光源２０からデバイス１２に通過することを可能にする結合システム１０１４Ｄの実施形態を示しており、結合システム１０１４Ｄは、図７に示す結合システム１０１４と共通である１つ又はそれよりも多くの要素を有する。
図示の結合システム１０１４Ｄに対して、壁は、デバイス１２のチャンバ１３と流体連通している中間チャンバ１０２０を取り囲む。システム１０１４Ｄは、チャンバ２６から中間チャンバ１０２０及びデバイス１２のチャンバ１３までの流れを制限する細長い本体１０２２を更に含むことができる。システム１０１４Ｄに対して、細長い本体１０２２は、通路１０２４を少なくとも部分的に取り囲み、かつＥＵＶ光がチャンバ２６から通路１０２４に入ることを可能にする第１の開放端及びＥＵＶ光が通路を出て中間チャンバ１０２０及びデバイス１２のチャンバ１３内に入ることを可能にする第２の開放端を有するように形成することができる。図示のように、細長い本体１０２２は、例えば、端部１０２６、１０２８に対して低減された断面積を有する少なくとも１つの位置１０３０を確立するネック領域を有するように成形することができる。

引き続き図９に対して、細長い本体１０２２には、１つ又はそれよりも多くの開口１０３２、例えば、ガスが、細長い本体１０２２の端部１０２６と低減された断面積を有する位置１０３０との間の位置で通路１０２４内に導入されることを可能にする細長い本体１０２２の壁を通る貫通孔及び／又は方向性ノズルを形成することができることを見ることができる。より具体的には、図示のように、調節式ガス供給源１０３４からのガス、例えば、アルゴン、水素、ヘリウムは、開口１０３２を通り、かつ通路１０２４内に流れることができる。

図９は、結合システム１０１４Ｄが、細長い本体１０２２の開放端とデバイス１２の光入力開口の間に配置された容積を含む中間チャンバ１０２０を取り囲む壁を含むことができることを更に示している。図示の結合システム１０１４Ｄに対して、１つ又はそれよりも多くのポンプ１０４２を中間チャンバ１０２０からガスを除去して矢印１０４４の方向にガスを流すように位置決めすることができる。

引き続き図９に対して、結合システム１０１４Ｄは、プラズマ１０７２Ｄを生成するために低減された断面積を有する位置１０３０と端部１０２６との間で通路１０２４内に電磁界を発生させる光源１０７０Ｄを含むことができる。図示のように、光源１０７０Ｄは、通路１０２４内に誘導結合（ＩＣＰ）放電プラズマ１０７２Ｄを作り出す１つ又はそれよりも多くの高周波（ＲＰ）コイルを含むことができる。機能的には、ガス流内の高温領域（例えば、プラズマ１０７２Ｄ）は、ガス流に対する有意なドラッグを作り出すことができ、一般的に、ガスは、プラズマ領域１０７２Ｄ周りに、かつ細長い本体１０２２の壁に沿って流れる傾向があると考えられる。上述のように、チャンバ２６から通路１０２２などへの汚染物質の抑制は、開口１０３２から及びチャンバ２６内に流れるガスの速度を増大させることによって増大させることができる。この流速を増大させる１つの方法は、例えば、領域内にプラズマを生成して強制的にガスを細長い本体１０２２の壁に沿って流すことにより、開口１０３２とチャンバ２６の間の通路の有効断面積を低減することである。
図示の構成に対して、細長い本体１０２２の壁は、非導電性（セラミック、溶融石英などで製造）とすることができ、又はスリット（図示せず）が、例えば、端部１０２６から端部１０２８まで壁に切り抜かれ、かつスリットが、例えば、非導電性アイソレータインサート（図示せず）で密封された導電材料（例えば、金属）で製造することができる。

図９に示すと共に上述した構成に対して、ポンプ１０４２流量及び調節式ガス供給源１０３４流量は、デバイス１２のチャンバ１３からのガスが、中間チャンバ１０２２に入り（矢印１０５０）、デバイス１２内に入る汚染物質流れを抑制し、ガスが、開口１０３２から細長い本体１０２２の開放端１０２６を通り、かつ光源２０のチャンバ２６内に（矢印１０５２）流れて、細長い本体１０２２内に汚染物質を拡散させるための逆流を確立するように調節することができる。特に、これらの流れ（矢印１０５０及び１０５２）は、光源２０のチャンバ２６内のガスが圧力Ｐ₁、デバイスのチャンバ１３内のガスが圧力Ｐ₂で達成することができ、Ｐ₁＞Ｐ₂である。一部の場合には、ポンプ１０４２流量及び調節式ガス供給源１０３４流量は、通路１０２４から細長い本体１０２２の開放端１０２８を通り、かつ中間チャンバ１０２０内に（矢印１０５４）流れを誘導するように調節することができる。一部の場合には、チャンバ２６内のイオン減速緩衝ガスは、約２００〜６００ミリトル（Ｈ２）とすることができ、開口１０３２の平面での圧力は、チャンバ２６圧力を超えることができる。これらの圧力レベルでは、通路１０２４内の流れ領域は、粘性とすることができ、中間焦点１０１８から中間チャンバ１０２０までのガス流量（矢印１０５４）は、細長い本体１０２２を拡張することによって最小にすることができる。更に、ポンプ１０４２流量及び調節式ガス供給源１０３４流量は、ＩＣＰ放電に適する圧力を開口１０３２と開放端１０２６の間で通路１０２４内に確立するように圧力Ｐ₁及びＰ₂に対して調節することができる。イオン化も、中間焦点に接近する時に強度が増大するＥＵＶ放射線により促進することができる。

図１０は、光源２０のチャンバ２６とデバイス１２のチャンバ１３の間でガス流を管理及び／又は制限し、同時にＥＵＶ光が光源２０からデバイス１２に通過することを可能にする結合システム１０１４Ｅの実施形態を示しており、結合システム１０１４Ｅは、図５に示す結合システム１０１４と共通である１つ又はそれよりも多くの要素を有する。
図示の結合システム１０１４Ｅに対して、壁は、デバイス１２のチャンバ１３と流体連通している中間チャンバ１０２０を取り囲む。システム１０１４Ｅは、チャンバ２６から中間チャンバ１０２０及びデバイス１２のチャンバ１３までの流れを制限する細長い本体１０２２Ｅを更に含むことができる。システム１０１４Ｅに対して、細長い本体１０２２Ｅは、通路１０２４Ａを少なくとも部分的に取り囲み、かつＥＵＶ光がチャンバ２６から通路１０２４Ａに入ることを可能にする第１の開放端及びＥＵＶ光が通路を出て中間チャンバ１０２０とデバイス１２のチャンバ１３内に入ることを可能にする第２の開放端を有するように形成することができる。図示のように、細長い本体１０２２Ｅは、例えば、端部に対して低減された断面積を有する少なくとも１つの位置１０３０を確立するネック領域を有するように成形することができる。

引き続き図９に対して、細長い本体１０２２Ｅには、１つ又はそれよりも多くの開口１０３２、例えば、ガスが、細長い本体１０２２Ｅの端部と低減された断面積を有する位置１０３０Ａとの間の位置で通路１０２４Ａ内に導入されることを可能にする細長い本体１０２２Ｅの壁を通る貫通孔を形成することができることを見ることができる。より具体的には、図示のように、調節式ガス供給源１０３４からのガス、例えば、アルゴン、水素、ヘリウムは、開口１０３２を通り、かつ通路１０２４内に流れることができる。

図１０は、結合システム１０１４Ｅが、細長い本体１０２２の開放端とデバイス１２の光入力開口の間に配置された容積を含む中間チャンバ１０２０を取り囲む壁を含むことができることを示している。図示の結合システム１０１４Ｅに対して、１つ又はそれよりも多くのポンプ１０４２を中間チャンバ１０２０からガスを除去して矢印１０４４の方向にガスを流すように位置決めすることができる。図１０に示すと共に上述した構成に対して、ポンプ１０４２流量及び調節式ガス供給源１０３４流量は、ガスが矢印１０５０、１０５２、及び恐らくは１０５４の方向に流れるように調節することができる。これらの流れは、光源２０のチャンバ２６内のガスが圧力Ｐ₁、デバイスのチャンバ１３内のガスが圧力Ｐ₂で達成することができ、Ｐ₁＞Ｐ₂である。

図１０は、細長い本体１０２２Ｅの全て又は一部分の温度を所定の範囲に維持する温度制御システム１１００を設けることができることも示している。特に、温度制御システム１１００は、そこにある１つ又はそれよりも多くの汚染物質種を凝縮させるために、細長い本体１０２２Ｅの内面１１０２の全て又は一部分を予め選択された温度未満に冷却することができ、従って、汚染物質種がデバイス１２のチャンバ１３に入るのが防止される。

上述のように、ガス流と反対の汚染物質（ＨＢｒ、Ｓｎ蒸気、Ｓｎ化合物）の拡散の抑制係数は、公式Ｐｅ＝Ｖ^*Ｌ／Ｄにより表されるＰｅｃｋｌｅｔ数によって定められ、ここで、Ｖは、抑制区域内の平均流速であり、Ｌは、抑制区域の長さであり、Ｄは、ガス中の汚染物質の拡散係数である。しかし、この手法では、細長い本体１０２２Ｅの壁１１０２への分子の付着は考慮されていない。汚染物質の付着係数がガス（例えば、光源１０３４からのＨ_2、Ｈｅ、又はＡｒ）を超えた場合の方が、保護効率は一層良好であると考えられる。特に、ＨＢｒ、ＳｎＢｒ_2、ＳｎＢｒ₄のような汚染物質は、ガスより遥かに低い蒸気圧を有する。従って、壁１１０２上の汚染物質の沈降の確率は、ガスよりも遥かに高い。壁１１０２を低温に冷却した場合（例えば、液体窒素を使用して）、汚染物質（ＨＢｒを含む）の殆どは、壁上に凝縮させることができる。壁１１０２は、図１に示すように、細長い本体１０２２Ｅ内に形成された内部通路内で流体（液体Ｎ２又はその他）を循環させることによって冷却することができ、又はペルチェ素子（図示せず）を使用することができる。壁１１０２の冷却は、図１に示すように細長い本体１０２２Ｅの全長に適用することができ、又は開口１０３２と端部１０２６の間の部分のような選択した部分に限定することができる。更に図示するように、冷却を使用して円錐側板の表面温度を低減し、上にある汚染物質を凝縮させることができる。
読者は、本明細書で説明する一部の実施形態又は全てを組み合わせることができることを迅速に認めるであろう。例えば、本明細書で説明する温度制御システムは、図６を参照して説明したようなベーン、及び／又は図６、図７、図８、又は図９を参照して説明したようなプラズマの発生と共に使用することができる。

図１１は、光源２０のチャンバ２６とデバイス１２のチャンバ１３の間でガス流を管理及び／又は制限し、同時にＥＵＶ光が光源２０からデバイス１２に通過することを可能にする結合システム１０１４Ｆの実施形態を示しており、結合システム１０１４Ｆは、図７に示す結合システム１０１４Ｂと共通である１つ又はそれよりも多くの要素を有する。
図示の結合システム１０１４Ｆに対して、壁は、デバイス１２のチャンバ１３と流体連通している中間チャンバ１０２０を取り囲む。システム１０１４Ｆは、チャンバ２６から中間チャンバ１０２０及びデバイス１２のチャンバ１３までの流れを制限する細長い本体１０２２を更に含むことができる。システム１０１４Ｆに対して、細長い本体１０２２は、通路１０２４を少なくとも部分的に取り囲み、かつＥＵＶ光がチャンバ２６から通路１０２４に入ることを可能にする第１の開放端１０２６及びＥＵＶ光が通路を出て中間チャンバ１０２０及びデバイス１２のチャンバ１３内に入ることを可能にする第２の開放端１０２８を有するように形成することができる。図示のように、細長い本体１０２２は、例えば、端部に対して低減された断面積を有する少なくとも１つの位置１０３０を確立するネック領域を有するように成形することができる。

引き続き図１１に対して、細長い本体１０２２には、１つ又はそれよりも多くの開口１０３２、例えば、ガスが、細長い本体１０２２の第１の端部と低減された断面積を有する位置１０３０との間の位置で通路１０２４内に導入されることを可能にする細長い本体１０２２の壁を通る貫通孔及び／又は方向性ノズルを形成することができることを見ることができる。より具体的には、図示のように、調節式ガス供給源１０３４からのガス、例えば、アルゴン、水素、ヘリウムは、開口１０３２を通り、かつ通路１０２４内に流れることができる。

図１１は、結合システム１０１４Ｆが、細長い本体１０２２の開放端とデバイス１２の光入力開口の間に配置された容積を含む中間チャンバ１０２０を取り囲む壁を含むことができることを更に示している。図示の結合システム１０１４Ｆに対して、１つ又はそれよりも多くのポンプ１０４２を中間チャンバ１０２０からガスを除去して矢印１０４４の方向にガスを流すように位置決めすることができる。

引き続き図１１に対して、結合システム１０１４Ｆは、プラズマ１０７２を生成するために低減された断面積を有する位置１０３０で又はその近くで通路１０２４内に電磁界を発生させる光源１０７０を含むことができる。図示のように、光源１０７０は、通路１０２４内に誘導結合（ＩＣＰ）放電プラズマ１０７２Ｄを作り出す１つ又はそれよりも多くの高周波（ＲＰ）コイルを含むことができる。機能的には、ガス流内の高温領域（例えば、プラズマ１０７２）は、ガス流に対する有意なドラッグを作り出すことができる。一般的に、ガスは、プラズマ領域１０７２周りに、かつ細長い本体１０２２の壁に沿って流れる傾向があると考えられる。図示の構成に対して、細長い本体１０２２の壁は、非導電性（例えば、セラミック、溶融石英などで製造）とすることができ、又はスリット（図示せず）が、例えば、端部１０２６から端部１０２８まで壁に切り抜かれ、かつスリットが、例えば、非導電性アイソレータインサート（図示せず）で密封された導電材料（例えば、金属）で製造することができる。

図１１に示すと共に上述した構成に対して、ポンプ１０４２流量及び調節式ガス供給源１０３４流量は、デバイス１２のチャンバ１３からのガスが、中間チャンバ１０２２（矢印１０５０）内に流れてデバイス１２内に入る汚染物質流れを抑制し、ガスが、開口１０３２から細長い本体１０２２の開放端１０２６を通り、かつ光源２０のチャンバ２６内に（矢印１０５２）流れて、細長い本体１０２２内に汚染物質を拡散させるための逆流を確立するように調節することができる。特に、これらの流れ（矢印１０５０及び１０５２）は、光源２０のチャンバ２６内のガスが圧力Ｐ₁、デバイスのチャンバ１３内のガスが圧力Ｐ₂で達成することができ、Ｐ₁＞Ｐ₂である。一部の場合には、ポンプ１０４２流量及び調節式ガス供給源１０３４流量は、通路１０２４から細長い本体１０２２の開放端１０２８を通り、かつ中間チャンバ１０２０内に（矢印１０５４）流れを誘導するように調節することができる。一部の場合には、チャンバ２６内のイオン減速緩衝ガスは、約２００〜６００ミリトル（Ｈ２）とすることができ、開口１０３２の平面での圧力は、チャンバ２６圧力を超えることができる。これらの圧力レベルでは、通路１０２４内の流れ領域は、粘性とすることができ、中間焦点１０１８から中間チャンバ１０２０までのガス流量（矢印１０５４）は、細長い本体１０２２を拡張することによって最小にすることができる。更に、ポンプ１０４２流量及び調節式ガス供給源１０３４流量は、低減された断面の位置１０３０においてＩＣＰ放電に適する約０．５〜１トルの圧力を確立するように、圧力Ｐ₁及びＰ₂に対して調節することができる。イオン化も、中間焦点で最大強度を有するＥＵＶ放射線により促進することができる。

この構成を用いて、プラズマ１０７２は、通路１０２４内で低減された断面１０３０Ａから細長い本体１０２２の端部１０２８に向かい、かつ中間チャンバ１０２０（矢印１０５４）内に入る流れを低減するように機能することができる。上述のように、細長い本体１０２２の抵抗を増大させることは、開口１０３２の平面内の最高圧力を可能にすることができ、従って、チャンバ１３内に入る汚染物質流れが抑制されると同時に、矢印１０５０の方向での流れが維持される。

図１１は、結合システム１０１４Ｆが、デバイス１２の入力部に向けて中間チャンバ１０２０内を流動中である荷電粒子を偏向させることによって荷電粒子がデバイス１２に入るのを防止するために、中間チャンバ１０２０の一部に電磁界、例えば、均一な電界を発生させる１対の電極１１２０、１１２２を含むことができることを更に示している。一般的に、ごく僅かな汚染物質は、逆流（矢印１０５２）内に拡散してプラズマ１０７２を通過し、かつ中間チャンバ１０２０内に入ることができ、中間チャンバ１０２０では、汚染物質は、スキャナからのガス流により部分的に阻止することができる。汚染物質の一部又は全ては、例えば、高い電気陰性特性（例えば、ＨＢｒ）による電子付着により、又はプラズマ領域を通過した後の搬送ガス（例えば、Ｓｎ、ＳｎＢｒｘ）と比較して低いイオン化電位によるイオン化により荷電することができる。一般的に、汚染物質の荷電度は、搬送ガスよりも高いものになる。荷電汚染物質が中間チャンバ１０２０に到着した時、荷電粒子は、電界によりデバイス１２の入力開口から偏位させることができる。一部の場合には、ＩＦ領域は、例えば、ポンプ１０４２及び調節式ガス供給源１０３４を調節することによって比較的低い圧力（〜１０ミリトル）に維持することができ、平均自由行程は、約１ｃｍであり、従って、偏位は、実質的に低圧障壁ガスの影響を受ける恐れはない。荷電汚染材料粒子が電極に当たった時、それは中和され、障壁ガスと共にポンプにより排出することができ、その理由は、汚染物質は、既に正流から除去されてデバイス１２内に送り込まれているからである。
読者は、本明細書で説明する一部の実施形態又は全てを組み合わせることができることを迅速に認めるであろう。例えば、本明細書に説明される荷電粒子偏向システムは、図６を参照して説明したようなベーン、図６、図７、図８、又は図９を参照して説明したようなプラズマの発生、及び／又は図１０を参照して上述したような温度制御システムと共に使用することができる。

図１２は、光源２０のチャンバ２６とデバイス１２のチャンバ１３の間でガス流を管理及び／又は制限し、同時にＥＵＶ光が光源２０からデバイス１２に通過することを可能にする結合システム１０１４Ｇの実施形態を示しており、結合システム１０１４Ｇは、図５に示す結合システム１０１４と共通である１つ又はそれよりも多くの要素を有する。
図示の結合システム１０１４Ｇに対して、壁は、デバイス１２のチャンバ１３と流体連通している中間チャンバ１０２０を取り囲む。システム１０１４Ｇは、チャンバ２６から中間チャンバ１０２０及びデバイス１２のチャンバ１３までの流れを制限する細長い本体１０２２Ｇを更に含むことができる。システム１０１４Ｇに対して、細長い本体１０２２Ｇは、通路１０２４を少なくとも部分的に取り囲み、かつＥＵＶ光がチャンバ２６から通路１０２４に入ることを可能にする第１の開放端、及びＥＵＶ光が通路を出て中間チャンバ１０２０及びデバイス１２のチャンバ１３内に入ることを可能にする第２の開放端を有するように形成することができる。図示のように、細長い本体１０２２Ｇは、例えば、端部に対して低減された断面積を有する少なくとも１つの位置１０３０を確立するネック領域を有するように成形することができる。

引き続き図９に対して、細長い本体１０２２Ｇには、ガスを通路１０２４内に導入して細長い本体１０２２の端部１０２６に向けて誘導する（矢印１１３０、１１３２）ことを可能にする１つ又はそれよりも多くの開口１０３２Ｆを形成することができることを見ることができる。より具体的には、図示のように、調節式ガス供給源１０３４からのガス、例えば、アルゴン、水素、ヘリウムは、開口１０３２を通り、かつ通路１０２４内に流れることができる。図示の結合システム１０１４Ｇに対して、開口は、中間焦点で又はその近くの低減された断面積を有する位置１０３０で端部１０２６Ｇと低減された断面積を有する位置１０３０との間に又は端部１０２８Ｇと低減された断面積を有する位置１０３０との間に位置することができる。

図１２は、結合システム１０１４Ｇが、細長い本体１０２２の開放端とデバイス１２の光入力開口の間に配置された容積を含む中間チャンバ１０２０を取り囲む壁を含むことができることを更に示している。図示の結合システム１０１４Ｇに対して、１つ又はそれよりも多くのポンプ１０４２を中間チャンバ１０２０からガスを除去して矢印１０４４の方向にガスを流すように位置決めすることができる。

図１２に示すと共に上述した構成に対して、ポンプ１０４２流量及び調節式ガス供給源１０３４流量は、デバイス１２のチャンバ１３からガスが、中間チャンバ１０２２に入り（矢印１０５０）、デバイス１２内に入る汚染物質流れを抑制し、ガスが、開口１０３２から細長い本体１０２２の開放端１０２６を通り、かつ光源２０のチャンバ２６内に（矢印１０５２）流れて、細長い本体１０２２Ｇ内に汚染物質を拡散させるための逆流を確立するように調節することができる。特に、これらの流れ（矢印１０５０及び１０５２）は、光源２０のチャンバ２６内のガスが圧力Ｐ_1、デバイスのチャンバ１３内のガスが圧力Ｐ₂で達成することができ、Ｐ₁＞Ｐ₂である。一部の場合には、ポンプ１０４２流量及び調節式ガス供給源１０３４流量は、通路１０２４から細長い本体１０２２の開放端１０２８を通り、かつ中間チャンバ１０２０内に（矢印１０５４）流れを誘導するように調節することができる。一部の場合には、チャンバ２６内のイオン減速緩衝ガスは、約２００〜６００ミリトル（Ｈ２）とすることができ、開口１０３２の平面での圧力は、チャンバ２６圧力を超えることができる。これらの圧力レベルでは、通路１０２４内の流れ領域は、粘性とすることができ、中間焦点１０１８から中間チャンバ１０２０までのガス流量（矢印１０５４）は、細長い本体１０２２を拡張することによって最小にすることができる。

読者は、本明細書で説明する一部の実施形態又は全てを組み合わせることができることを迅速に認めるであろう。例えば、本明細書で説明した誘導流れシステムは、図６を参照して説明したようなベーン、図６、図７、図８、又は図９を参照して説明したようなプラズマの発生、図１０を参照して上述したような温度制御システム、及び／又は図１１を参照して上述したような荷電粒子偏向システムと共に使用することができる。

「３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．§１１２」を満足するために必要とされる詳細において本特許出願において説明しかつ例示した特定の実施形態は、上述の実施形態の１つ又はそれよりも多くの上述の目的を、及び上述の実施形態により又はその目的のあらゆる他の理由で又はその目的のために解決すべき問題を完全に達成することができるが、上述の実施形態は、本出願によって広く考察された内容を単に例示しかつ代表することは、当業者によって理解されるものとする。単数形での以下の請求項における要素への言及は、解釈において、明示的に説明していない限り、このような要素が「１つ及び１つのみ」であることを意味するように意図しておらず、かつ意味しないものとし、「１つ又はそれよりも多い」を意味する意図とし、かつ意味するものとする。当業者に公知か又は後で公知になる上述の実施形態の要素のいずれかに対する全ての構造的及び機能的均等物は、引用により本明細書に明示的に組み込まれると共に、特許請求の範囲によって包含されるように意図されている。本明細書及び／又は本出願の請求項に使用され、かつ本明細書及び／又は本出願の請求項に明示的に意味を与えられたあらゆる用語は、このような用語に関するあらゆる辞書上の意味又は他の一般的に使用される意味によらず、その意味を有するものとする。実施形態として本明細書で説明したデバイス又は方法は、それが特許請求の範囲によって包含されるように本出願において説明した各及び全て問題に対処又は解決することを意図しておらず、また必要でもない。本発明の開示内容におけるいかなる要素、構成要素、又は方法段階も、その要素、構成要素、又は方法段階が特許請求の範囲において明示的に詳細に説明されているか否かに関係なく、一般大衆に捧げられることを意図したものではない。特許請求の範囲におけるいかなる請求項の要素も、その要素が「〜のための手段」という語句を使用して明示的に列挙されるか又は方法の請求項の場合にはその要素が「行為」ではなく「段階」として列挙されていない限り、「３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．§１１２」第６項の規定に基づいて解釈されないものとする。

１０’’ ＥＵＶフォトリソグラフィ装置
１２’’ デバイス
１３’’，１６’’，２６’’ チャンバ
１４’’ 結合システム
２０’’ 光源

Claims (21)

1. 極紫外線リソグラフィ装置のための流れ管理システムであって、
   少なくとも部分的に第１の空間を取り囲む第１の囲い壁と、
   極紫外線光を放出するプラズマを前記第１の空間に発生させるシステムと、
   少なくとも部分的に第２の空間を取り囲む第２の囲い壁と、
   少なくとも部分的に通路を取り囲んで、ＥＵＶ光が前記第１の空間から該通路に入ることを可能にする第１の開放端とＥＵＶ光が該通路を出て前記第２の空間に入ることを可能にする第２の開放端とを有し、かつ該第１及び第２の端部に対して低減された断面積を有する位置を確立する形状を有する、該第１の空間から該第２の空間までの流れを制限する細長い本体と、
   前記本体の前記第１の端部と低減された断面積を有する前記位置との間の地点で前記通路内にガスを導入するように位置決めされた開口を出るガス流と、
   を含むことを特徴とするシステム。
2. プラズマを前記通路に生成するために該通路に電磁界を発生させるための光源を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
3. 荷電粒子を偏向させるために前記第２の空間に電界を確立するための１対の電極を更に含むことを特徴とする請求項２に記載のシステム。
4. 前記光源は、前記通路に誘導結合放電プラズマを作り出すための高周波コイルを含むことを特徴とする請求項２に記載のシステム。
5. 前記光源は、前記通路に直流電極放電を生成することを特徴とする請求項２に記載のシステム。
6. 前記電極放電は、グロー放電であることを特徴とする請求項５に記載のシステム。
7. 前記電極放電は、コロナ放電であることを特徴とする請求項５に記載のシステム。
8. 前記光源は、前記通路に高周波電極放電を生成することを特徴とする請求項２に記載のシステム。
9. 前記電極放電は、グロー放電であることを特徴とする請求項８に記載のシステム。
10. 前記電極放電は、コロナ放電であることを特徴とする請求項８に記載のシステム。
11. 前記開口は、前記細長い本体に形成された孔を含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
12. 前記細長い本体の温度を所定の範囲内に維持する温度制御システムを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
13. 前記細長い本体の前記通路に配置された少なくとも１つのベーンを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
14. 前記本体の前記第１の端部と低減された断面積を有する前記位置との間のそれぞれの地点で前記通路内にガスを導入するように各々位置決めされた複数の開口を含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
15. 前記開口から前記細長い本体の前記第１の端部の方向に流れを向けるノズルを含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
16. ガスが配置された第１のチャンバと、
    ガスが配置された第２のチャンバと、
    前記第２のチャンバと流体連通している中間チャンバと、
    少なくとも部分的に通路を取り囲んで、ＥＵＶ光が該通路に入ることを可能にする第１の開放端とＥＵＶ光が該通路を出ることを可能にする第２の開放端とを有する、前記第１のチャンバから前記中間チャンバまでの流れを制限する細長い本体と、
    前記本体の前記第１の端部と前記第２の端部の間の位置で前記通路内にガスを導入するように位置決めされた開口を出るガス流と、
    前記中間チャンバからガスを除去するポンプと、
    を含むことを特徴とする極紫外線リソグラフィ装置。
17. 前記ポンプは、前記開口を出る前記ガス流及び前記第１及び第２のチャンバ内の作動圧力と協働して、該第２のチャンバから前記中間チャンバ内に向けられたガス流と、該開口から前記細長い本体の前記第１の開放端を通って該第１のチャンバに入るガス流とを確立することを特徴とする請求項１６に記載の極紫外線リソグラフィ装置。
18. 第１の容積を取り囲む第１の封入構造体と、
    前記第１の容積内のプラズマ部位でプラズマを発生させ、該プラズマがＥＵＶ放射線と該プラズマを出るイオンとを生成するシステムと、
    前記第１の容積に位置決めされ、かつ距離ｄだけ前記部位から隔てられた光学系と、
    前記プラズマ部位及び光学系の間に配置され、前記イオンが該光学系に到達する前にイオンエネルギを１００ｅＶ未満に低減するように前記距離ｄにわたって作動するのに十分なガス数密度を確立するガスと、
    第２の容積を取り囲む第２の封入構造体と、
    前記第２の容積を前記第１の容積に結合してＥＵＶ放射線を該第１の容積から該第２の容積まで通過させ、かつ該第２の容積からシステム内に向けられたガス流とシステムから該第１の容積内へのガス流とを確立するように作動可能なシステムと、
    を含むことを特徴とする装置。
19. ガスが、圧力Ｐ₁で前記第１の容積に配置され、ガスが、Ｐ₁＞Ｐ₂である圧力Ｐ₂で前記第２の容積に配置されることを特徴とする請求項１８に記載の装置。
20. 前記システムは、
    前記第２の容積と流体連通している中間チャンバと、
    少なくとも部分的に通路を取り囲んで、ＥＵＶ光が該通路に入ることを可能にする第１の開放端とＥＵＶ光が該通路を出ることを可能にする第２の開放端とを有する、前記第１の容積から前記中間チャンバまでの流れを制限する細長い本体と、
    前記本体の前記第１の端部と前記第２の端部の間の地点で前記通路内にガスを導入するように位置決めされた開口を出るガス流と、
    前記中間チャンバからガスを除去するポンプと、
    を含む、
    ことを特徴とする請求項１８に記載の装置。
21. 前記第１の容積に配置された多チャンネル構造体を更に含むことを特徴とする請求項１８に記載の装置。

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