JP2010532541A5 - - Google Patents
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- 不揮発性メモリをプログラムする方法であり、
一組の不揮発性記憶素子の1以上の記憶素子を特定状態にプログラムするために前記一組の不揮発性記憶素子へ1以上のプログラミングパルスを印加すること、
各プログラミングパルスを印加した後に、前記一組の記憶素子に第1電圧を印加し、前記1以上の記憶素子の夫々のビットライン電圧を第1参照電位と比較することによって、前記特定状態に対応した中間検証レベルへの前記1以上の記憶素子のプログラミングを検証すること、
各プログラミングパルスを印加した後に、前記一組の記憶素子に第2電圧を印加し、前記1以上の記憶素子の夫々の前記ビットライン電圧を第2参照電位と比較することによって、前記特定状態に対応した最終検証レベルへの前記1以上の記憶素子のプログラミングを検証すること、を含み、
前記第2参照電位は、前記「中間参照レベルへのプログラミングを検証すること」から生じる、前記1以上の記憶素子の夫々の前記ビットライン電圧の低下を補償することを特徴とする方法。 - 前記第1電圧は前記第2電圧よりも低く、前記第2参照電位は前記第1参照電位よりも低いことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第2参照電位は、前記1以上の記憶素子が前記中間検証レベル以上のときに、前記「中間参照レベルへのプログラミングを検証すること」から生じる、前記1以上の記憶素子の夫々の前記ビットライン電圧の低下を補償するレベルで供給されることを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。
- 前記第2参照電位は、前記第1電圧が印加されたときに前記中間検証レベル以上である記憶素子のビットライン放電の電荷量に本質的に等しい分だけ、前記第1参照電位よりも低いことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の方法。
- 各プログラミングパルスを印加した後であって前記中間検証レベルへのプログラミングを検証する前に、前記1以上の記憶素子と接続している一組のビットラインをプリチャージすること、
をさらに備え、前記中間検証レベルへのプログラミングを検証することは、
前記一組のビットラインと前記1以上の記憶素子と接続している一組の選択ゲートを開放すること、
前記一組の選択ゲートを開放することに続く既定時間の間前記1以上の記憶素子の夫々の前記ビットライン電圧をセンシングすること、を含み、
前記最終検証レベルへのプログラミングを検証することは、
前記一組の選択ゲートを開放することに続く異なる既定時間の間前記1以上の記憶素子の夫々の前記ビットライン電圧をセンシングすることを含む、
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の方法。 - 各プログラミングパルスを印加した後であって前記中間検証レベルへのプログラミングを検証する前に、前記1以上の記憶素子と接続している一組のビットラインをプリチャージすること、をさらに備え、
前記最終検証レベルへのプログラミングを検証することは、前記中間検証レベルへのプログラミングを検証することの後に前記一組のビットラインをプリチャージすることを含まない、
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の方法。 - 前記一組の1以上の異なる記憶素子を異なる状態にプログラムするために前記一組へ1以上の付加的なプログラミングパルスを印加すること、
各付加的なプログラミングパルスを印加した後に、前記異なる状態に対応した異なる最終検証レベルへの前記1以上の記憶素子のプログラミングを検証すること、を含み、
前記異なる最終検証レベルは、前記特定状態に対する前記最終検証レベルと前記中間検証レベルよりも高い、
ことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の方法。 - 不揮発性メモリシステムであり、
一組の不揮発性記憶素子と、
前記一組の記憶素子と接続している管理回路とを備え、
前記管理回路は、
前記一組の1以上の記憶素子を特定状態にプログラムするために前記一組へ1以上のプログラミングパルスを印加し、
各プログラミングパルスを印加した後に、前記管理回路は、前記一組の記憶素子に第1電圧を印加し、前記1以上の記憶素子の夫々のビットライン電圧を第1参照電位と比較することによって、前記特定状態に対応した中間検証レベルへの前記1以上の記憶素子のプログラミングを検証し、
各プログラミングパルスを印加した後に、前記管理回路は、前記一組の記憶素子に第2電圧を印加し、前記1以上の記憶素子の夫々の前記ビットライン電圧を第2参照電位と比較することによって、前記特定状態に対応した最終検証レベルへの前記1以上の記憶素子のプログラミングを検証し、
前記第2参照電位は、前記「中間参照レベルへのプログラミングを検証すること」から生じる、前記1以上の記憶素子の夫々の前記ビットライン電圧の低下を補償することを特徴とする不揮発性メモリシステム。 - 前記第1電圧は前記第2電圧よりも低く、前記第2参照電位は前記第1参照電位よりも低いことを特徴とする請求項8に記載の不揮発性メモリシステム。
- 前記管理回路は、前記1以上の記憶素子が前記中間検証レベル以上のときに、前記「中間参照レベルへのプログラミングを検証すること」から生じる、前記1以上の記憶素子の夫々の前記ビットライン電圧の低下を補償するレベルでの第2参照電位を供給することを特徴とする請求項8又は9に記載の不揮発性メモリシステム。
- 前記第2参照電位は、前記第1電圧が印加されたときに前記中間検証レベル以上である記憶素子のビットライン放電の電荷量に本質的に等しい分だけ、前記第1参照電位よりも低いことを特徴とする請求項8から10のいずれか1項に記載の不揮発性メモリシステム。
- 前記1以上の記憶素子と前記管理回路と接続している一組のビットラインと、
前記一組のビットラインと前記1以上の記憶素子と接続している一組の選択ゲートと、をさらに備えており、
前記管理回路は、各プログラミングパルスを印加した後であって前記中間検証レベルへのプログラミングを検証する前に、前記一組のビットラインをプリチャージし、
前記管理回路は、前記一組の選択ゲートを開放し、前記一組の選択ゲートを開放することに続く既定時間の間前記1以上の記憶素子の夫々の前記ビットライン電圧をセンシングすることによって、前記中間検証レベルへのプログラミングを検証し、
前記管理回路は、前記一組の選択ゲートを開放することに続く異なる既定時間の間前記1以上の記憶素子の夫々の前記ビットライン電圧をセンシングすることによって、前記最終検証レベルへのプログラミングを検証する、
ことを特徴とする請求項8から11のいずれか1項に記載の不揮発性メモリシステム。 - 前記1以上の記憶素子と接続している一組のビットラインをさらに備えており、
前記管理回路は、各プログラミングパルスを印加した後であって前記中間検証レベルへのプログラミングを検証する前に、前記一組のビットラインをプリチャージし、
前記管理回路は、前記最終検証レベルへのプログラミングを検証するために、前記中間検証レベルへのプログラミングを検証した後に前記一組のビットラインをプリチャージしない、
ことを特徴とする請求項8から11のいずれか1項に記載の不揮発性メモリシステム。 - 前記一組の不揮発性記憶素子は、一組のNANDフラッシュメモリセルであることを特徴とする請求項8から13のいずれか1項に記載の不揮発性メモリシステム。
- 前記中間検証レベルは雑検証電圧であることを特徴とする請求項8から14のいずれか1項に記載の不揮発性メモリシステム。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/773,035 | 2007-07-03 | ||
US11/773,032 US7508715B2 (en) | 2007-07-03 | 2007-07-03 | Coarse/fine program verification in non-volatile memory using different reference levels for improved sensing |
US11/773,032 | 2007-07-03 | ||
US11/773,035 US7599224B2 (en) | 2007-07-03 | 2007-07-03 | Systems for coarse/fine program verification in non-volatile memory using different reference levels for improved sensing |
PCT/US2008/068988 WO2009006513A1 (en) | 2007-07-03 | 2008-07-02 | Coarse/fine program verification in non-volatile memory using different reference levels for improved sensing |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010532541A JP2010532541A (ja) | 2010-10-07 |
JP2010532541A5 true JP2010532541A5 (ja) | 2011-04-14 |
JP5198563B2 JP5198563B2 (ja) | 2013-05-15 |
Family
ID=39760547
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010515250A Active JP5198563B2 (ja) | 2007-07-03 | 2008-07-02 | センシング向上のための異なる参照レベルを用いた不揮発性記憶メモリ内の雑/高精度プログラム検証 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2165338B1 (ja) |
JP (1) | JP5198563B2 (ja) |
KR (1) | KR20100057784A (ja) |
CN (1) | CN101796591B (ja) |
TW (1) | TWI389124B (ja) |
WO (1) | WO2009006513A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8081514B2 (en) * | 2009-08-25 | 2011-12-20 | Sandisk Technologies Inc. | Partial speed and full speed programming for non-volatile memory using floating bit lines |
JP5002632B2 (ja) | 2009-09-25 | 2012-08-15 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
KR101658118B1 (ko) * | 2010-06-10 | 2016-09-20 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 메모리 장치, 및 이의 독출 및 검증 방법 |
KR101212745B1 (ko) | 2010-09-30 | 2012-12-14 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 플래시 메모리 장치 및 프로그램 검증 방법 |
KR101798013B1 (ko) * | 2010-12-30 | 2017-11-16 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 |
KR101861084B1 (ko) | 2011-07-11 | 2018-05-28 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치, 이의 동작 방법, 및 비휘발성 메모리 장치를 포함하는 전자 장치 |
KR101775660B1 (ko) | 2011-09-29 | 2017-09-07 | 삼성전자주식회사 | 워드 라인 전압의 변화없이 상이한 문턱 전압들을 갖는 메모리 셀들을 읽는 방법 및 그것을 이용한 불 휘발성 메모리 장치 |
KR101881595B1 (ko) * | 2011-12-22 | 2018-07-25 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 이의 소거 방법 |
KR102192539B1 (ko) * | 2014-05-21 | 2020-12-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 이의 프로그램 방법 |
CN109390030A (zh) * | 2018-10-16 | 2019-02-26 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种寄存器以及闪存单元的分组设备和方法 |
CN109979515B (zh) * | 2019-03-25 | 2021-08-31 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种存储器编程方法及相关装置 |
US10930355B2 (en) * | 2019-06-05 | 2021-02-23 | SanDiskTechnologies LLC | Row dependent sensing in nonvolatile memory |
EP3891745B1 (en) | 2019-10-12 | 2023-09-06 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Method of programming memory device and related memory device |
US11682459B2 (en) * | 2020-05-13 | 2023-06-20 | Silicon Storage Technology, Inc. | Analog neural memory array in artificial neural network comprising logical cells and improved programming mechanism |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3631463B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2005-03-23 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
KR100496866B1 (ko) * | 2002-12-05 | 2005-06-22 | 삼성전자주식회사 | 미프로그램된 셀들 및 과프로그램된 셀들 없이 균일한문턱 전압 분포를 갖는 플레쉬 메모리 장치 및 그프로그램 검증 방법 |
US7139198B2 (en) | 2004-01-27 | 2006-11-21 | Sandisk Corporation | Efficient verification for coarse/fine programming of non-volatile memory |
US7023733B2 (en) * | 2004-05-05 | 2006-04-04 | Sandisk Corporation | Boosting to control programming of non-volatile memory |
JP4271168B2 (ja) * | 2004-08-13 | 2009-06-03 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JP4786171B2 (ja) * | 2004-12-10 | 2011-10-05 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
WO2006107651A1 (en) * | 2005-04-01 | 2006-10-12 | Sandisk Corporation | Multi-state memory having data recovery after program fail |
-
2008
- 2008-07-02 KR KR1020107002519A patent/KR20100057784A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-07-02 CN CN200880105358.3A patent/CN101796591B/zh active Active
- 2008-07-02 EP EP08772349A patent/EP2165338B1/en active Active
- 2008-07-02 WO PCT/US2008/068988 patent/WO2009006513A1/en active Application Filing
- 2008-07-02 JP JP2010515250A patent/JP5198563B2/ja active Active
- 2008-07-03 TW TW97125067A patent/TWI389124B/zh not_active IP Right Cessation
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