JP2010512021A - 回転電極を備えるプラズマ放射源、および液体金属プロバイダ - Google Patents
回転電極を備えるプラズマ放射源、および液体金属プロバイダ Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】アノードとカソードとの間の放電空間内の物質中で放電を形成し、プラズマを形成して電磁放射を発生させるように構成および配置されたアノードおよびカソードを含み、アノードおよびカソードは、回転軸を中心に回転可能に取り付けられ、カソードは、液体金属を保持するように配置される、放射源が開示される。当該放射源は、液体金属上にエネルギービームを方向づけて液体金属の一部を蒸発させるように配置された活性化源、および追加液体金属を供給して液体金属の蒸発部分を補償するように配置された液体金属プロバイダをさらに含む。
【選択図】図4
Description
ここで、σは表面張力(スズに対して0.5N/m)、ρは特定密度(液体スズに対して7・103kg/m3)、Rは回転半径、そしてv0は回転するアノード−カソード対の線速度である。
Claims (21)
- 放射源であって、
アノードとカソードとの間の放電空間内の物質中で放電を形成し、プラズマを形成して電磁放射を発生させるように構成および配置されたアノードおよびカソードであって、前記アノードおよび前記カソードは、回転軸を中心に回転可能に取り付けられ、前記カソードは、液体金属を保持するように配置される、アノードおよびカソード、
前記放電のための物質を生成するために、前記液体金属上にエネルギービームを方向づけて前記液体金属の一部を蒸発させるように配置された活性化源、および、
追加液体金属を供給して前記液体金属の前記蒸発部分を補償するように配置された液体金属プロバイダ、
を含む、放射源。 - 前記液体金属プロバイダは、前記アノードに前記追加液体金属を供給するように配置され、前記放射源の使用中に、前記追加液体金属の一部は、遠心力によって、前記アノードの周縁面(peripheral surface)から前記カソードの内面に移動する、請求項1に記載の放射源。
- 前記アノードは、傾斜したリムを有するディスクを含み、前記液体金属プロバイダは、前記追加液体金属を前記リム上に供給するように配置される、請求項2に記載の放射源。
- 前記アノードは、前記アノードの上側(top side)に中空部分を含み、前記液体金属プロバイダは、前記中空部分内に前記追加液体金属を供給するように配置され、前記アノードは、遠心力によって、前記中空部分から前記アノードのボディを介して前記周縁面へと前記追加液体金属を輸送するように配置される、請求項2に記載の放射源。
- 前記アノードボディは、略多孔質である、請求項4に記載の放射源。
- 前記アノードボディは、略層状である、請求項4に記載の放射源。
- 前記液体金属プロバイダは、前記追加液体金属を小滴の形で供給するように配置される、請求項1に記載の放射源。
- リソグラフィ装置であって、
放射源であって、
アノードとカソードとの間の放電空間内の物質中で放電を形成し、プラズマを形成して電磁放射を発生させるように構成および配置されたアノードおよびカソードであって、前記アノードおよび前記カソードは、回転軸を中心に回転可能に取り付けられ、前記カソードは、液体金属を保持するように配置される、アノードおよびカソード、
前記放電のための物質を生成するために、前記液体金属上にエネルギービームを方向づけて前記液体金属の一部を蒸発させるように配置された活性化源、および、
追加液体金属を供給して前記液体金属の前記蒸発部分を補償するように配置された液体金属プロバイダ、
を含む放射源、
放射ビームを調整するように構成された照明システム、
前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成するように構成されたパターニングデバイスを支持するサポート、
基板を保持するように構成された基板テーブル、および、
前記基板のターゲット部分に前記パターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システム、
を含む、リソグラフィ装置。 - 前記液体金属プロバイダは、前記アノードに前記追加液体金属を供給するように配置され、前記放射源の使用中に、前記追加液体金属の一部は、遠心力によって、前記アノードの周縁面(peripheral surface)から前記カソードの内面に移動する、請求項8に記載のリソグラフィ装置。
- 前記アノードは、傾斜したリムを有するディスクを含み、前記液体金属プロバイダは、前記追加液体金属を前記リム上に供給するように配置される、請求項9に記載のリソグラフィ装置。
- 前記アノードは、前記アノードの上側(top side)に中空部分を含み、前記液体金属プロバイダは、前記中空部分内に前記追加液体金属を供給するように配置され、前記アノードは、遠心力によって、前記中空部分から前記アノードのボディを介して前記周縁面へと前記追加液体金属を輸送するように配置される、請求項9に記載のリソグラフィ装置。
- 前記アノードボディは、略多孔質である、請求項11に記載のリソグラフィ装置。
- 前記アノードボディは、略層状である、請求項11に記載のリソグラフィ装置。
- 前記液体金属プロバイダは、前記追加液体金属を小滴の形で供給するように配置される、請求項8に記載のリソグラフィ装置。
- アノードおよびカソードにわたって放電電圧を生成することであって、前記アノードは前記カソードの内側に取り付けられ、前記カソードは液体金属を保持すること、
前記アノードおよび前記カソードを回転させること、
前記液体金属上にエネルギービームを方向づけて前記アノードと前記カソードとの間の放電空間内の蒸気中で放電を形成する前記液体金属の一部を蒸発させて、プラズマを形成し、電磁放射を発生させること、および、
前記液体金属に追加液体金属を供給して前記液体金属の蒸発部分を補償すること、
を含む、放射生成方法。 - 前記アノードに前記追加液体金属を供給すること、および遠心力によって、前記アノードの周縁面(peripheral surface)から前記カソードの内面に前記追加液体金属の一部を移動させることを含む、請求項15に記載の方法。
- 前記アノードは、傾斜したリムを有するディスクを含み、前記追加液体金属を前記リム上に供給することを含む、請求項16に記載の方法。
- 前記アノードの上側の前記アノードの中空部分内に前記追加液体金属を供給すること、および、遠心力によって、前記中空部分から前記アノードのボディを介して前記アノードの周縁面へと前記追加液体金属を輸送すること、
を含む、請求項16に記載の方法。 - 前記アノードボディは、略多孔質である、請求項18に記載の方法。
- 前記アノードボディは、略層状である、請求項18に記載の方法。
- 前記追加液体金属を小滴の形で供給することを含む、請求項15に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/634,386 US7518134B2 (en) | 2006-12-06 | 2006-12-06 | Plasma radiation source for a lithographic apparatus |
US11/634,386 | 2006-12-06 | ||
PCT/NL2007/050592 WO2008069654A1 (en) | 2006-12-06 | 2007-11-26 | Plasma radiation source with rotating electrodes and liquid metal provider |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010512021A true JP2010512021A (ja) | 2010-04-15 |
JP4875754B2 JP4875754B2 (ja) | 2012-02-15 |
Family
ID=39092089
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009540186A Expired - Fee Related JP4875754B2 (ja) | 2006-12-06 | 2007-11-26 | 回転電極を備える放射源、および放射源を備えるリソグラフィ装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7518134B2 (ja) |
JP (1) | JP4875754B2 (ja) |
WO (1) | WO2008069654A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006027856B3 (de) * | 2006-06-13 | 2007-11-22 | Xtreme Technologies Gmbh | Anordnung zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung mittels elektrischer Entladung an regenerierbaren Elektroden |
US7615767B2 (en) * | 2007-05-09 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Radiation generating device, lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7872244B2 (en) * | 2007-08-08 | 2011-01-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102008034568B4 (de) * | 2008-07-24 | 2011-06-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Röntgenröhre |
TWI596384B (zh) | 2012-01-18 | 2017-08-21 | Asml荷蘭公司 | 光源收集器元件、微影裝置及元件製造方法 |
WO2015179819A1 (en) * | 2014-05-22 | 2015-11-26 | Ohio State Innovation Foundation | Liquid thin-film laser target |
US10748736B2 (en) | 2017-10-18 | 2020-08-18 | Kla-Tencor Corporation | Liquid metal rotating anode X-ray source for semiconductor metrology |
WO2019231762A1 (en) * | 2018-05-29 | 2019-12-05 | Bmf Material Technology Inc. | Inductively coupled plasma generation using liquid metals |
US11719652B2 (en) | 2020-02-04 | 2023-08-08 | Kla Corporation | Semiconductor metrology and inspection based on an x-ray source with an electron emitter array |
US11955308B1 (en) | 2022-09-22 | 2024-04-09 | Kla Corporation | Water cooled, air bearing based rotating anode x-ray illumination source |
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JP2004165155A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-06-10 | Asml Netherlands Bv | 放射源、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 |
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JP2007129103A (ja) * | 2005-11-04 | 2007-05-24 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2278483C2 (ru) * | 2004-04-14 | 2006-06-20 | Владимир Михайлович Борисов | Эуф источник с вращающимися электродами и способ получения эуф излучения из газоразрядной плазмы |
US7105837B2 (en) * | 2004-05-13 | 2006-09-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and radiation system |
-
2006
- 2006-12-06 US US11/634,386 patent/US7518134B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-11-26 WO PCT/NL2007/050592 patent/WO2008069654A1/en active Application Filing
- 2007-11-26 JP JP2009540186A patent/JP4875754B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7518134B2 (en) | 2009-04-14 |
WO2008069654A1 (en) | 2008-06-12 |
US20080137050A1 (en) | 2008-06-12 |
JP4875754B2 (ja) | 2012-02-15 |
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