JP2010507207A - 質量分析計 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図3
Description
少なくとも第1のグループの電極を含む第1のセクションと第2の別のグループの電極を含む第2の別のセクションとを有する、複数の電極を含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスと、
第1の周波数および第1の振幅を有する第1のACまたはRF電圧を、使用時に、第1の質量電荷比を有するイオンが、第1のグループの電極もしくは第1のセクション内に半径方向にイオンを閉じ込めるように作用する第1の強度もしくは大きさを有する第1の半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように、第1のグループの電極に印加または供給するための第1のデバイスと、
第2の周波数および第2の振幅を有する第2のACまたはRF電圧を、使用時に、第1の質量電荷比を有するイオンが、第2のグループの電極もしくは第2のセクション内に半径方向にイオンを閉じ込めるように作用する第2の強度もしくは大きさを有する第2の半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように、第2のグループの電極に印加または供給するための第2のデバイスとを備え、第2の強度もしくは大きさは、第1の強度もしくは大きさとは異なる質量分析計が提供される。
第1の側に配置される1つ以上の第1の電極と、
第2の側に配置される1つ以上の第2の電極と、
概ねまたは実質的に、イオンが移動する平面に配置される中間の平面、プレートまたはメッシュ電極の1つ以上の層であって、使用時に、1つ以上の第1の電極と1つ以上の第2の電極との間に設けられる中間の平面、プレートまたはメッシュ電極の1つ以上の層とを有する。
(i)四重極ロッドセット、六重極ロッドセット、八重極ロッドセットもしくは8個より多くのロッドを含むロッドセットを含む多重極ロッドセットまたはセグメント化多重極ロッドセットイオンガイドまたはイオントラップ、
(ii)使用時にイオンが移送されるアパーチャを有する複数の電極または少なくとも2、5、10、20、30、40、50、60、70、80、90もしくは100個の電極を含むイオントンネルもしくはイオンファンネルイオンガイドまたはイオントラップであって、電極のうちの少なくとも1%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%または100%は、実質的に同じサイズまたは面積のアパーチャを有するか、またはサイズもしくは面積が漸進的により大きくおよび/またはより小さくなるアパーチャを有する、イオントンネルもしくはイオンファンネルイオンガイドまたはイオントラップ、
(iii)複数のまたは少なくとも2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19もしくは20個の平面、プレートまたはメッシュ電極を含み、平面、プレートまたはメッシュ電極のうちの少なくとも1%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%または100%は、使用時にイオンが移動する平面に概ね配置される、平面、プレートまたはメッシュ電極のスタックまたはアレイ、および
(iv)イオントラップまたはイオンガイドの長さに沿って軸方向に配置される複数のグループの電極を含むイオントラップまたはイオンガイドであって、各グループの電極は、(a)第1および第2の電極、ならびにイオンをイオンガイド内に第1の半径方向に閉じ込めるためにDC電圧またはポテンシャルを第1および第2の電極に印加するための手段、および(b)第3および第4の電極、ならびにイオンをイオンガイド内に第2の半径方向に閉じ込めるためにACまたはRF電圧を第3および第4の電極に印加するための手段を含む、イオントラップまたはイオンガイドからなる群から選択される。
少なくとも第1のグループの電極を含む第1のセクションと、第2の別グループの電極を含む第2の別のセクションとを有する、複数の電極を含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを準備する工程と、
第1の周波数および第1の振幅を有する第1のACまたはRF電圧を、第1の質量電荷比を有するイオンが、第1のグループの電極もしくは第1のセクション内に半径方向にイオンを閉じ込めるように作用する第1の強度もしくは大きさを有する第1の半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように、第1のグループの電極に印加または供給する工程と、
第2の周波数および第2の振幅を有する第2のACまたはRF電圧を、第1の質量電荷比を有するイオンが、第2のグループの電極もしくは第2のセクション内に半径方向にイオンを閉じ込めるように作用する第2の強度もしくは大きさを有する第2の半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように、第2のグループの電極に印加または供給する工程であって、第2の強度もしくは大きさは、第1の強度もしくは大きさとは異なる工程とを含む質量分析方法が提供される。
衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、第1の質量電荷比を有するイオンが、第1のセクション内で第1の半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受け、第2のセクション内で第2の異なる半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように構成および適合される質量分析計が提供される。
少なくとも第1のセクションと、第2の別のセクションとを有する、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを準備する工程と、
第1の質量電荷比を有するイオンが、第1のセクション内で第1の半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように配置する工程と、
第1の質量電荷比を有するイオンが、第2のセクション内で第2の異なる半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように配置する工程とを含む質量分析方法が提供される。
複数の電極を含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを準備する工程を含み、電極のアスペクト比が衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの長さに沿って変化し、
第1の質量電荷比を有するイオンが、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの長さに沿って変化する半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受ける質量分析方法が提供される。
第1のセクションと第2のセクションとを有する衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスと、
第1のセクションおよび/または第2のセクション、あるいは、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全長の少なくとも1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%、または100%に沿って維持される半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を、時間の関数として、漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される手段とを備える質量分析計が提供される。
第1のセクションと第2のセクションとを有する衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを準備する工程と、
第1のセクションおよび/または第2のセクション、あるいは、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全長の少なくとも1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%、または100%に沿って維持される半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を、時間の関数として、漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させる工程とを含む質量分析方法が提供される。
第1のACまたはRF電圧は、好ましくは、第1の四重極質量フィルタ3によって選択された親または前駆イオンがガス衝突セル4の上流部分またはセクションに移送され、ガス衝突セル4内に実質的に最適に半径方向に閉じ込められることを確実にする周波数および振幅を有するように構成される。
Claims (124)
- 少なくとも第1のグループの電極を含む第1のセクションと第2の別のグループの電極を含む第2の別のセクションとを有する、複数の電極を含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスと、
第1の周波数および第1の振幅を有する第1のACまたはRF電圧を、使用時に、第1の質量電荷比を有するイオンが、前記第1のグループの電極もしくは前記第1のセクション内に半径方向にイオンを閉じ込めるように作用する第1の強度もしくは大きさを有する第1の半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように、前記第1のグループの電極に印加または供給するための第1のデバイスと、
第2の周波数および第2の振幅を有する第2のACまたはRF電圧を、使用時に、前記第1の質量電荷比を有するイオンが、前記第2のグループの電極もしくは前記第1のセクション内に半径方向にイオンを閉じ込めるように作用する第2の強度もしくは大きさを有する第2の半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように、前記第2のグループの電極に印加または供給するための第2のデバイスとを備え、前記第2の強度もしくは大きさは、前記第1の強度もしくは大きさとは異なる質量分析計。 - 前記第1のACまたはRF電圧は、前記第1のグループの電極に印加されるが、前記第2のグループの電極には印加されない請求項1に記載の質量分析計。
- 前記第2のACまたはRF電圧は、前記第2のグループの電極に印加されるが、前記第1のグループの電極には印加されない請求項1または2に記載の質量分析計。
- 前記第1のACまたはRF電圧を生成するための第1のACまたはRF電圧生成器、および前記第2のACまたはRF電圧を生成するための第2の別のACまたはRF電圧生成器をさらに備える請求項1、2または3に記載の質量分析計。
- 前記質量分析計は、単一のACまたはRF生成器を備え、前記質量分析計は、1つ以上の減衰器をさらに備え、前記単一のACまたはRF生成器から発せられ、前記第1のデバイスおよび/または前記第2のデバイスに送信されるACまたはRF電圧が前記1つ以上の減衰器を通過するように構成される請求項1、2または3のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第1のグループの電極は、前記第2のグループの電極の上流側に配置される前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第1のグループの電極は、(i)5個未満の電極、(ii)5〜10個の電極、(iii)10〜15個の電極、(iv)15〜20個の電極、(v)20〜25個電極、(vi)25〜30個の電極、(vii)30〜35個の電極、(viii)35〜40個の電極、(ix)40〜45個の電極、(x)45〜50個の電極、(xi)50〜55個の電極、(xii)55〜60個の電極、(xiii)60〜65個の電極、(xiv)65〜70個の電極、(xv)70〜75個の電極、(xvi)75〜80個の電極、(xvii)80〜85個の電極、(xviii)85〜90個の電極、(xix)90〜95個の電極、(xx)95〜100個の電極、または(xxi)100個を超える電極を含む前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第1のグループの電極の少なくとも1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%、または100%の軸方向長さまたは厚みは、(i)<1mm、(ii)1〜2mm、(iii)2〜3mm、(iv)3〜4mm、(v)4〜5mm、(vi)5〜6mm、(vii)6〜7mm、(viii)7〜8mm、(ix)8〜9mm、(x)9〜10mm、(xi)10〜11mm、(vii)11〜12mm、(xiii)12〜13mm、(xiv)13〜14mm、(xv)14〜15mm、(xvi)15〜16mm、(xvii)16〜17mm、(xviii)17〜18mm、(xix)18〜19mm、(xx)19〜20mm、および(xxi)>20mmからなる群から選択される前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第1のグループの電極の少なくとも1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%、または100%の軸方向間隔は、(i)<1mm、(ii)1〜2mm、(iii)2〜3mm、(iv)3〜4mm、(v)4〜5mm、(vi)5〜6mm、(vii)6〜7mm、(viii)7〜8mm、(ix)8〜9mm、(x)9〜10mm、(xi)10〜11mm、(xii)11〜12mm、(xiii)12〜13mm、(xiv)13〜14mm、(xv)14〜15mm、(xvi)15〜16mm、(xvii)16〜17mm、(xviii)17〜18mm、(xix)18〜19mm、(xx)19〜20mm、および(xxi)>20mmからなる群から選択される前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第1のグループの電極内で軸方向に隣接した電極には、反対位相の前記第1のACまたはRF電圧が与えられる前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第1のACまたはRF電圧は、(i)<50Vピークトゥピーク、(ii)50〜100Vピークトゥピーク、(iii)100〜150Vピークトゥピーク、(iv)150〜200Vピークトゥピーク、(v)200〜250Vピークトゥピーク、(vi)250〜300Vピークトゥピーク、(vii)300〜350Vピークトゥピーク、(viii)350〜400Vピークトゥピーク、(ix)400〜450Vピークトゥピーク、(x)450〜500Vピークトゥピーク、(xi)500〜550Vピークトゥピーク、(xii)550〜600Vピークトゥピーク、(xiii)600〜650Vピークトゥピーク、(xiv)650〜700Vピークトゥピーク、(xv)700〜750Vピークトゥピーク、(xvi)750〜800Vピークトゥピーク、(xvii)800〜850Vピークトゥピーク、(xviii)850〜900Vピークトゥピーク、(xix)900〜950Vピークトゥピーク、(xx)950〜1000vピークトゥピーク、および(xxi)>1000Vピークトゥピークからなる群から選択される第1の振幅を有する前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第1のACまたはRF電圧は、(i)<100kHz、(ii)100〜200kHz、(iii)200〜300kHz、(iv)300〜400kHz、(v)400〜500kHz、(vi)0.5〜1.0MHz、(vii)1.0〜1.5MHz、(viii)1.5〜2.0MHz、(ix)2.0〜2.5MHz、(x)2.5〜3.0MHz、(xi)3.0〜3.5MHz、(xii)3.5〜4.0MHz、(xiii)4.0〜4.5MHz、(xiv)4.5〜5.0MHz、(xv)5.0〜5.5MHz、(xvi)5.5〜6.0MHz、(xvii)6.0〜6.5MHz、(xviii)6.5〜7.0MHz、(xix)7.0〜7.5MHz、(xx)7.5〜8.0MHz、(xxi)8.0〜8.5MHz、(xxii)8.5〜9.0MHz、(xxiii)9.0〜9.5MHz、(xxiv)9.5〜10.0MHz、および(xxv)>10.0MHzからなる群から選択される第1の周波数を有する前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第2のグループの電極は、(i)5個未満の電極、(ii)5〜10個の電極、(iii)10〜15個の電極、(iv)15〜20個の電極、(v)20〜25個電極、(vi)25〜30個の電極、(vii)30〜35個の電極、(viii)35〜40個の電極、(ix)40〜45個の電極、(x)45〜50個の電極、(xi)50〜55個の電極、(xii)55〜60個の電極、(xiii)60〜65個の電極、(xiv)65〜70個の電極、(xv)70〜75個の電極、(xvi)75〜80個の電極、(xvii)80〜85個の電極、(xviii)85〜90個の電極、(xix)90〜95個の電極、(xx)95〜100個の電極、または(xxi)100個を超える電極を含む前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第2のグループの電極の少なくとも1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%、または100%の軸方向長さまたは厚みは、(i)<1mm、(ii)1〜2mm、(iii)2〜3mm、(iv)3〜4mm、(v)4〜5mm、(vi)5〜6mm、(vii)6〜7mm、(viii)7〜8mm、(ix)8〜9mm、(x)9〜10mm、(xi)10〜11mm、(xii)11〜12mm、(xiii)12〜13mm、(xiv)13〜14mm、(xv)14〜15mm、(xvi)15〜16mm、(xvii)16〜17mm、(xviii)17〜18mm、(xix)18〜19mm、(xx)19〜20mm、および(xxi)>20mmからなる群から選択される前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第2のグループの電極の少なくとも1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%、または100%の軸方向間隔は、(i)<1mm、(ii)1〜2mm、(iii)2〜3mm、(iv)3〜4mm、(v)4〜5mm、(vi)5〜6mm、(vii)6〜7mm、(viii)7〜8mm、(ix)8〜9mm、(x)9〜10mm、(xi)10〜11mm、(xii)11〜12mm、(xiii)12〜13mm、(xiv)13〜14mm、(xv)14〜15mm、(xvi)15〜16mm、(xvii)16〜17mm、(xviii)17〜18mm、(xix)18〜19mm、(xx)19〜20mm、および(xxi)>20mmからなる群から選択される前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第2のグループの電極内で軸方向に隣接した電極には、反対位相の前記第2のACまたはRF電圧が与えられる前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第1のセクションは、軸方向長さx第1を有し、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向全長はLであり、比x第1/Lは、(i)<0.05、(ii)0.05〜0.10、(iii)0.10〜0.15、(iv)0.15〜0.20、(v)0.20〜0.25、(vi)0.25〜0.30、(vii)0.30〜0.35、(viii)0.35〜0.40、(ix)0.40〜0.45、(x)0.45〜0.50、(xi)0.50〜0.55、(xii)0.55〜0.60、(xiii)0.60〜0.65、(xiv)0.65〜0.70、(xv)0.70〜0.75、(xvi)0.75〜0.80、(xvii)0.80〜0.85、(xviii)0.85〜0.90、(xix)0.90〜0.95、および(xx)>0.95からなる群から選択される前記請求項にいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第2のセクションは、軸方向長さx第2を有し、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向全長はLであり、比x第2/Lは、(i)<0.05、(ii)0.05〜0.10、(iii)0.10〜0.15、(iv)0.15〜0.20、(v)0.20〜0.25、(vi)0.25〜0.30、(vii)0.30〜0.35、(viii)0.35〜0.40、(ix)0.40〜0.45、(x)0.45〜0.50、(xi)0.50〜0.55、(xii)0.55〜0.60、(xiii)0.60〜0.65、(xiv)0.65〜0.70、(xv)0.70〜0.75、(xvi)0.75〜0.80、(xvii)0.80〜0.85、(xviii)0.85〜0.90、(xix)0.90〜0.95、および(xx)>0.95からなる群から選択される前記請求項にいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記前記第2のACまたはRF電圧は、(i)<50Vピークトゥピーク、(ii)50〜100Vピークトゥピーク、(iii)100〜150Vピークトゥピーク、(iv)150〜200Vピークトゥピーク、(v)200〜250Vピークトゥピーク、(vi)250〜300Vピークトゥピーク、(vii)300〜350Vピークトゥピーク、(viii)350〜400Vピークトゥピーク、(ix)400〜450Vピークトゥピーク、(x)450〜500Vピークトゥピーク、(xi)500〜550Vピークトゥピーク、(xii)550〜600Vピークトゥピーク、(xiii)600〜650Vピークトゥピーク、(xiv)650〜700Vピークトゥピーク、(xv)700〜750Vピークトゥピーク、(xvi)750〜800Vピークトゥピーク、(xvii)800〜850Vピークトゥピーク、(xviii)850〜900Vピークトゥピーク、(xix)900〜950Vピークトゥピーク、(xx)950〜1000vピークトゥピーク、および(xxi)>1000Vピークトゥピークからなる群から選択される第2の振幅を有する前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第2のACまたはRF電圧は、(i)<100kHz、(ii)100〜200kHz、(iii)200〜300kHz、(iv)300〜400kHz、(v)400〜500kHz、(vi)0.5〜1.0MHz、(vii)1.0〜1.5MHz、(viii)1.5〜2.0MHz、(ix)2.0〜2.5MHz、(x)2.5〜3.0MHz、(xi)3.0〜3.5MHz、(xii)3.5〜4.0MHz、(xiii)4.0〜4.5MHz、(xiv)4.5〜5.0MHz、(xv)5.0〜5.5MHz、(xvi)5.5〜6.0MHz、(xvii)6.0〜6.5MHz、(xviii)6.5〜7.0MHz、(xix)7.0〜7.5MHz、(xx)7.5〜8.0MHz、(xxi)8.0〜8.5MHz、(xxii)8.5〜9.0MHz、(xxiii)9.0〜9.5MHz、(xxiv)9.5〜10.0MHz、および(xxv)>10.0MHzからなる群から選択される第2の周波数を有する前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第1のACまたはRF電圧と、前記第2のACまたはRF電圧との位相差は、(i)0〜10o、(ii)10〜20o、(iii)20〜30o、(iv)30〜40o、(v)40〜50o、(vi)50〜60o、(vii)60〜70o、(viii)70〜80o、(ix)80〜90o、(x)90〜100o、(xi)100〜110o、(xii)110〜120o、(xiii)120〜130o、(xiv)130〜140o、(xv)140〜150o、(xvi)150〜160o、(xvii)160〜170o、(xviii)170〜180o、(xix)180〜190o、(xx)190〜200o、(xxi)200〜210o、(xxii)210〜220o、(xxiii)220〜230o、(xxiv)230〜240o、(xxv)240〜250o、(xxvi)250〜260o、(xxvii)260〜270o、(xxviii)270〜280o、(xxix)280〜290o、(xxx)290〜300o、(xxxi)300〜310o、(xxxii)310〜320o、(xxxiii)320〜330o、(xxxiv)330〜340o、(xxxv)340〜350o、(xxxvi)350〜360o、および(xxxvii)0oからなる群から選択される前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第1の周波数は、前記第2の周波数と実質的に同じである前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第1の周波数は、前記第2の周波数とは実質的に異なる請求項1〜21のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第1の振幅は、前記第2の振幅と実質的に異なる前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第1の振幅は、前記第2の振幅と実質的に同じである請求項1〜23のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、第3のグループの電極を含む第3のセクションをさらに有する前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第3のグループの電極は、前記第1のグループの電極と分離され、前記第2のグループの電極と分離される請求項26に記載の質量分析計。
- 前記第3のグループの電極は、前記第1のグループの電極と前記第2のグループの電極との中間に配置される請求項26または27に記載の質量分析計。
- 第3の周波数および第3の振幅を有する第3のACまたはRF電圧を、使用時に、前記第1の質量電荷比を有するイオンが、前記第3のグループの電極もしくは前記第3のセクション内に半径方向にイオンを閉じ込めるように作用する第3の強度もしくは大きさを有する第3の半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように、前記第3のグループの電極に印加または供給するための第3のデバイスをさらに備え、前記第3の強度または大きさは、前記第1の強度もしくは大きさ、および/または、前記第2の強度もしくは大きさとは異なる請求項26、27または28のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第3のACまたはRF電圧は、前記第3のグループの電極に印加されるが、前記第1のグループの電極および/または前記第2のグループの電極には印加されない請求項29に記載の質量分析計。
- 前記第3のACまたはRF電圧を生成するための第3のACまたはRF電圧生成器をさらに備える請求項29または30に記載の質量分析計。
- 前記質量分析計は、単一のACまたはRF生成器を有し、前記質量分析計は、さらに、1つ以上の減衰器を有し、前記単一のACまたはRF生成器から発せられ、前記第1のデバイスおよび/または前記第2のデバイスおよび/または前記第3のデバイスに送信されるACまたはRF電圧は、前記1つ以上の減衰器を通過するように構成される請求項29または30に記載の質量分析計。
- 前記第3のグループの電極は、(i)5個未満の電極、(ii)5〜10個の電極、(iii)10〜15個の電極、(iv)15〜20個の電極、(v)20〜25個電極、(vi)25〜30個の電極、(vii)30〜35個の電極、(viii)35〜40個の電極、(ix)40〜45個の電極、(x)45〜50個の電極、(xi)50〜55個の電極、(xii)55〜60個の電極、(xiii)60〜65個の電極、(xiv)65〜70個の電極、(xv)70〜75個の電極、(xvi)75〜80個の電極、(xvii)80〜85個の電極、(xviii)85〜90個の電極、(xix)90〜95個の電極、(xx)95〜100個の電極、または(xxi)100個を超える電極を含む請求項26〜32のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第3のグループの電極の少なくとも1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%、または100%の軸方向長さまたは厚みは、(i)<1mm、(ii)1〜2mm、(iii)2〜3mm、(iv)3〜4mm、(v)4〜5mm、(vi)5〜6mm、(vii)6〜7mm、(viii)7〜8mm、(ix)8〜9mm、(x)9〜10mm、(xi)10〜11mm、(vii)11〜12mm、(xiii)12〜13mm、(xiv)13〜14mm、(xv)14〜15mm、(xvi)15〜16mm、(xvii)16〜17mm、(xviii)17〜18mm、(xix)18〜19mm、(xx)19〜20mm、および(xxi)>20mmからなる群から選択される請求項26〜33のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第3のグループの電極の少なくとも1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%、または100%の軸方向間隔は、(i)<1mm、(ii)1〜2mm、(iii)2〜3mm、(iv)3〜4mm、(v)4〜5mm、(vi)5〜6mm、(vii)6〜7mm、(viii)7〜8mm、(ix)8〜9mm、(x)9〜10mm、(xi)10〜11mm、(xii)11〜12mm、(xiii)12〜13mm、(xiv)13〜14mm、(xv)14〜15mm、(xvi)15〜16mm、(xvii)16〜17mm、(xviii)17〜18mm、(xix)18〜19mm、(xx)19〜20mm、および(xxi)>20mmからなる群から選択される請求項26〜34のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第3のグループの電極内で軸方向に隣接した電極には、反対位相の前記第3のACまたはRF電圧が与えられる請求項26〜35のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第3のセクションは、軸方向長さx第3を有し、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向全長はLであり、比x第3/Lは、(i)<0.05、(ii)0.05〜0.10、(iii)0.10〜0.15、(iv)0.15〜0.20、(v)0.20〜0.25、(vi)0.25〜0.30、(vii)0.30〜0.35、(viii)0.35〜0.40、(ix)0.40〜0.45、(x)0.45〜0.50、(xi)0.50〜0.55、(xii)0.55〜0.60、(xiii)0.60〜0.65、(xiv)0.65〜0.70、(xv)0.70〜0.75、(xvi)0.75〜0.80、(xvii)0.80〜0.85、(xviii)0.85〜0.90、(xix)0.90〜0.95、および(xx)>0.95からなる群から選択される請求項26〜36のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第3のACまたはRF電圧は、(i)<50Vピークトゥピーク、(ii)50〜100Vピークトゥピーク、(iii)100〜150Vピークトゥピーク、(iv)150〜200Vピークトゥピーク、(v)200〜250Vピークトゥピーク、(vi)250〜300Vピークトゥピーク、(vii)300〜350Vピークトゥピーク、(viii)350〜400Vピークトゥピーク、(ix)400〜450Vピークトゥピーク、(x)450〜500Vピークトゥピーク、(xi)500〜550Vピークトゥピーク、(xii)550〜600Vピークトゥピーク、(xiii)600〜650Vピークトゥピーク、(xiv)650〜700Vピークトゥピーク、(xv)700〜750Vピークトゥピーク、(xvi)750〜800Vピークトゥピーク、(xvii)800〜850Vピークトゥピーク、(xviii)850〜900Vピークトゥピーク、(xix)900〜950Vピークトゥピーク、(xx)950〜1000vピークトゥピーク、および(xxi)>1000Vピークトゥピークからなる群から選択される第3の振幅を有する請求項26〜37のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第3のACまたはRF電圧は、(i)<100kHz、(ii)100〜200kHz、(iii)200〜300kHz、(iv)300〜400kHz、(v)400〜500kHz、(vi)0.5〜1.0MHz、(vii)1.0〜1.5MHz、(viii)1.5〜2.0MHz、(ix)2.0〜2.5MHz、(x)2.5〜3.0MHz、(xi)3.0〜3.5MHz、(xii)3.5〜4.0MHz、(xiii)4.0〜4.5MHz、(xiv)4.5〜5.0MHz、(xv)5.0〜5.5MHz、(xvi)5.5〜6.0MHz、(xvii)6.0〜6.5MHz、(xviii)6.5〜7.0MHz、(xix)7.0〜7.5MHz、(xx)7.5〜8.0MHz、(xxi)8.0〜8.5MHz、(xxii)8.5〜9.0MHz、(xxiii)9.0〜9.5MHz、(xxiv)9.5〜10.0MHz、および(xxv)>10.0MHzからなる群から選択される第3の周波数を有する請求項26〜38のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、n個のセクションを有し、各セクションは、1つ以上の電極を有し、使用時に、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイス内に半径方向にイオンを閉じ込めるために前記セクションに印加されるACまたはRF電圧の振幅および/または周波数および/または位相差は、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さに沿って、漸進的に増加、漸進的に低減、直線的に増加、直線的に低減、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減、非直線的に増加、または非直線的に低減する前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、使用時に、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイス内に半径方向にイオンを閉じ込めるように作用する擬ポテンシャル電界または電気力が、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さに沿って、漸進的に増加、漸進的に低減、直線的に増加、直線的に低減、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減、非直線的に増加、または非直線的に低減するように構成および適合される前記請求項にいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、イオンを衝突誘起解離(「CID」)によってフラグメント化するように構成および適合される前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、(i)表面誘起解離(「SID」)フラグメンテーションデバイス、(ii)電子移動解離フラグメンテーションデバイス、(iii)電子捕獲解離フラグメンテーションデバイス、(iv)電子衝突または衝撃解離フラグメンテーションデバイス、(v)光誘起解離(「PID」)フラグメンテーションデバイス、(vi)レーザ誘起解離フラグメンテーションデバイス、(vii)赤外放射誘起解離デバイス、(viii)紫外放射誘起解離デバイス、(ix)ノズル−スキマ間インターフェースフラグメンテーションデバイス、(x)インソースフラグメンテーションデバイス、(xi)イオン源衝突誘起解離フラグメンテーションデバイス、(xii)熱または温度源フラグメンテーションデバイス、(xiii)電界誘起フラグメンテーションデバイス、(xiv)磁場誘起フラグメンテーションデバイス、(xv)酵素消化または酵素分解フラグメンテーションデバイス、(xvi)イオン−イオン反応フラグメンテーションデバイス、(xvii)イオン−分子反応フラグメンテーションデバイス、(xviii)イオン−原子反応フラグメンテーションデバイス、(xix)イオン−メタステーブルイオン反応フラグメンテーションデバイス、(xx)イオン−メタステーブル分子反応フラグメンテーションデバイス、(xxi)イオン−メタステーブル原子反応フラグメンテーションデバイス、(xxii)イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−イオン反応デバイス、(xxiii)イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−分子反応デバイス、(xxiv)イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−原子反応デバイス、(xxv)イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−メタステーブルイオン反応デバイス、(xxvi)イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−メタステーブル分子反応デバイス、および(xxvii)イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−メタステーブル原子反応デバイスからなる群から選択される請求項1〜41のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、使用時にイオンが移送されるアパーチャを有する複数の電極を含む前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記電極の少なくとも1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%または100%は、実質的に円形、長方形、正方形または楕円形のアパーチャを有する請求項44に記載の質量分析計。
- 前記電極の少なくとも1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%または100%は、実質的に同じサイズまたは実質的に同じ面積をもつアパーチャを有する請求項44または45に記載の質量分析計。
- 前記電極の少なくとも1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%または100%は、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸に沿う方向にサイズまたは面積が漸進的により大きくおよび/またはより小さくなるアパーチャを有する請求項44または45に記載の質量分析計。
- 前記電極の少なくとも1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%または100%は、(i)≦1.0mm、(ii)≦2.0mm、(iii)≦3.0mm、(iv)≦4.0mm、(v)≦5.0mm、(vi)≦6.0mm、(vii)≦7.0mm、(viii)≦8.0mm、(ix)≦9.0mm、(x)≦10.0mm、および(xi)>10.0mmからなる群から選択される内径または内寸法をもつアパーチャを有する請求項44〜47のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記複数の電極のうちの少なくともいくつかは、アパーチャを含み、前記アパーチャの内径または内寸法と隣接する電極間の軸方向中心間間隔との比は、(i)<1.0、(ii)1.0〜1.2、(iii)1.2〜1.4、(iv)1.4〜1.6、(v)1.6〜1.8、(vi)1.8〜2.0、(vii)2.0〜2.2、(viii)2.2〜2.4、(ix)2.4〜2.6、(x)2.6〜2.8、(xi)2.8〜3.0、(xii)3.0〜3.2、(xiii)3.2〜3.4、(xiv)3.4〜3.6、(xv)3.6〜3.8、(xvi)3.8〜4.0、(xvii)4.0〜4.2、(xviii)4.2〜4.4、(xix)4.4〜4.6、(xx)4.6〜4.8、(xxi)4.8〜5.0、および(xxii)>5.0からなる群から選択される請求項44〜48のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記アパーチャの内径は、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さに沿って、漸進的に増加、漸進的に低減、直線的に増加、直線的に低減、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減、非直線的に増加、または非直線的に低減する請求項44〜49のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、セグメント化ロッドセットを含む請求項1〜43のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記セグメント化ロッドセットは、セグメント化四重極、六重極もしくは八重極ロッドセットまたは8個よりも多くのセグメント化ロッドを含むロッドセットを含む請求項51に記載の質量分析計。
- 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、(i)およそまたは実質的に円形である断面、(ii)およそまたは実質的に双曲である曲面、(iii)円弧形または一部円形である断面、(iv)およそまたは実質的に長方形である断面、および(v)およそまたは実質的に正方形である断面からなる群から選択される断面を有する複数の電極を含む請求項51または52に記載の質量分析計。
- 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、複数のグループの電極を含み、前記グループの電極は、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さに沿って軸方向に間隔をあけて配置され、各グループの電極は、複数のプレート電極を含む請求項1〜43のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 各グループの電極は、第1のプレート電極および第2のプレート電極を含み、前記第1および第2のプレート電極は、実質的に同じ平面に配置され、かつ前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの中心長手方向軸のいずれかの側に配置される請求項54に記載の質量分析計。
- イオンを前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイス内に第1の半径方向に閉じ込めるために、DC電圧またはポテンシャルを前記第1および第2のプレート電極に印加するための手段をさらに備える請求項55に記載の質量分析計。
- 各グループの電極は、第3のプレート電極および第4のプレート電極をさらに含み、前記第3および第4のプレート電極は、前記第1および第2のプレート電極と実質的に同じ平面に配置され、かつ前記第1および第2のプレート電極に対して異なる向きに前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの中心長手方向軸のいずれかの側に配置される請求項55または56に記載の質量分析計。
- 第1のACまたはRF電圧を印加する前記第1のデバイスは、イオンを前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイス内に第2の半径方向に閉じ込めるために、前記第1のACまたはRF電圧を前記第3および第4のプレート電極の少なくとも1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%または95%に印加するように構成される請求項57に記載の質量分析計。
- 第2のACまたはRF電圧を印加する前記第2のデバイスは、イオンを前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイス内に第2の半径方向に閉じ込めるために、前記第2のACまたはRF電圧を前記第3および第4のプレート電極の少なくとも1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%または95%に印加するように構成される請求項57または58に記載の質量分析計。
- 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、
第1の側に配置される1つ以上の第1の電極と、
第2の側に配置される1つ以上の第2の電極と、
概ねまたは実質的に、イオンが移動する平面に配置される中間の平面、プレートまたはメッシュ電極の1つ以上の層であって、使用時に、前記1つ以上の第1の電極と前記1つ以上の第2の電極との間に設けられる中間の平面、プレートまたはメッシュ電極の1つ以上の層とを有する請求項1〜43のいずれか1項に記載の質量分析計。 - 前記1つ以上の第1の電極は、第1の電極のアレイを有する請求項60に記載の質量分析計。
- 前記1つ以上の第2の電極は、第2の電極のアレイを有する請求項60または61に記載の質量分析計。
- 前記中間の平面、プレートまたはメッシュ電極の1つ以上の層は、軸方向にセグメント化された電極の1つ以上の層を含む請求項60、61または62に記載の質量分析計。
- 前記第1のデバイスは、前記第1のACまたはRF電圧を、前記第1の側に配置された前記1つ以上の第1の電極の少なくとも1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%に印加または供給するように構成される請求項60〜63のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第1のデバイスは、前記第1のACまたはRF電圧を、前記第2の側に配置された前記1つ以上の第2の電極の少なくとも1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%に印加または供給するように構成される請求項60〜64のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第1のデバイスは、前記第1のACまたはRF電圧を、前記1つ以上の中間電極の少なくとも1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%に印加または供給するように構成される請求項60〜65のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第2のデバイスは、前記第2のACまたはRF電圧を、前記第1の側に配置された前記1つ以上の第1の電極の少なくとも1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%に印加または供給するように構成される請求項60〜66のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第2のデバイスは、前記第2のACまたはRF電圧を、前記第2の側に配置された前記1つ以上の第2の電極の少なくとも1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%に印加または供給するように構成される請求項60〜67のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第2のデバイスは、前記第2のACまたはRF電圧を、前記1つ以上の中間電極の少なくとも1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%に印加または供給するように構成される請求項60〜68のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記電極の軸方向長さおよび/または前記電極間の中心間間隔は、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さに沿って、漸進的に増加、漸進的に低減、直線的に増加、直線的に低減、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減、非直線的に増加、または非直線的に低減する前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、n個のセクションを有し、各セクションは、1つ以上の電極を有し、イオンを前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイス内に半径方向に閉じ込めるために前記セクションに印加されるACまたはRF電圧の振幅および/または周波数および/または位相差は、時間とともに漸進的に増加、時間とともに漸進的に低減、時間とともに直線的に増加、時間とともに直線的に低減、時間とともに段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加、時間とともに段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減、時間とともに非直線的に増加、または時間とともに非直線的に低減する前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、イオンを前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイス内に半径方向に閉じ込めるように作用する擬ポテンシャル電界または電気力が、時間とともに漸進的に増加、時間とともに漸進的に低減、時間とともに直線的に増加、時間とともに直線的に低減、時間とともに段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加、時間とともに段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減、時間とともに非直線的に増加、または時間とともに非直線的に低減するように構成および適合される前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、(i)<20mm、(ii)20〜40mm、(iii)40〜60mm、(iv)60〜80mm、(v)80〜100mm、(vi)100〜120mm、(vii)120〜140mm、(viii)140〜160mm、(ix)160〜180mm、(x)180〜200mm、および(xi)>200mmからなる群から選択される軸方向長さを有する前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、少なくとも(i)10個未満の電極(ii)10〜20個の電極、(iii)20〜30個の電極、(iv)30〜40個の電極、(v)40〜50個の電極、(vi)50〜60個の電極、(vii)60〜70個の電極、(viii)70〜80個の電極、(ix)80〜90個の電極、(x)90〜100個の電極、(xi)100〜110個の電極、(xii)110〜120個の電極、(xiii)120〜130個の電極、(xiv)130〜140個の電極、(xv)140〜150個の電極、または(xvi)150個を超える電極を含む前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの上流側に配置された第1の質量フィルタまたは質量分析器をさらに備える前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第1の質量フィルタまたは質量分析器は、(i)四重極ロッドセット質量フィルタ、(ii)飛行時間質量フィルタまたは質量分析器、(iii)ウィーンフィルタ、および(iv)磁場型質量フィルタまたは質量分析器からなる群から選択される請求項75に記載の質量分析計。
- 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの下流側に配置された第2の質量フィルタまたは質量分析器をさらに備える前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第2の質量フィルタまたは質量分析器は、(i)四重極ロッドセット質量フィルタ、(ii)飛行時間質量フィルタまたは質量分析器、(iii)ウィーンフィルタ、および(iv)磁場型質量フィルタまたは質量分析器からなる群から選択される請求項77に記載の質量分析計。
- イオンを前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さの少なくとも一部に沿っておよび/または通って駆動または付勢するための手段をさらに備える前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記イオンを駆動または付勢するための手段は、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの前記第1のセクションおよび/または前記第2のセクションおよび/または前記第3のセクション、あるいは、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全長の少なくとも1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%または100%に沿って線形の軸方向DC電界を生成するための手段を含む請求項79に記載の質量分析計。
- 前記イオンを駆動または付勢するための手段は、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの前記第1のセクションおよび/または前記第2のセクションおよび/または前記第3のセクション、あるいは、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全長の少なくとも1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%または100%に沿って非線形または階段状の軸方向DC電界を生成するための手段を含む請求項79または80に記載の質量分析計。
- 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの前記第1のセクションおよび/または前記第2のセクションおよび/または前記第3のセクション、あるいは、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全長の少なくとも1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%または100%に沿って維持された軸方向DC電界を、時間の関数として、漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される手段をさらに含む請求項80または81に記載の質量分析計。
- 前記イオンを駆動または付勢するための手段は、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの前記第1のセクションおよび/または前記第2のセクションおよび/または前記第3のセクション、あるいは、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全長の少なくとも1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%または100%に多相ACまたはRF電圧を印加するための手段を含む請求項79〜82のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記イオンを駆動または付勢するための手段は、使用時に、ガスフローまたは差圧効果によって、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの前記第1のセクションおよび/または前記第2のセクションおよび/または前記第3のセクション、あるいは、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全長の少なくとも1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%または100%に沿っておよび/または通ってイオンを駆動または付勢するように構成されるガスフロー手段を含む請求項79〜83のいずれか一項に記載の質量分析計。
- 前記イオンを駆動または付勢するための手段は、1つ以上の過渡DC電圧もしくはポテンシャルまたは1つ以上のDC電圧もしくはポテンシャル波形を、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの前記第1のセクションおよび/または前記第2のセクションおよび/または前記第3のセクションの電極、あるいは、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全体を構成する電極の少なくとも1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%または100%に印加するための手段を含む請求項79〜84のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記1つ以上の過渡DC電圧もしくはポテンシャルまたは1つ以上のDC電圧もしくはポテンシャル波形は、1つ以上のポテンシャル山、障壁または井戸を生成する請求項85に記載の質量分析計。
- 前記1つ以上の過渡DC電圧またはポテンシャル波形は、反復波形または方形波を含む請求項85または86に記載の質量分析計。
- 使用時に、複数の軸方向DCポテンシャル山、障壁または井戸が、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの前記第1のセクションおよび/または前記第2のセクションおよび/または前記第3のセクションの長さ、または、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全長の少なくとも1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%または100%に沿って平行移動されるか、あるいは、複数の過渡DCポテンシャルまたは電圧が、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの前記第1のセクションおよび/または前記第2のセクションおよび/または前記第3のセクション、または、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全長の少なくとも1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%または100%を構成する電極に漸進的に印加される請求項85、86または87に記載の質量分析計。
- 前記1つ以上の過度DC電圧もしくはポテンシャル、または、前記1つ以上のDC電圧もしくはポテンシャル波形の振幅、高さ、または深さを、漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される第1の手段をさらに備える請求項85〜88のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第1の手段は、前記1つ以上の過度DC電圧もしくはポテンシャルまたは前記1つ以上のDC電圧もしくはポテンシャル波形の振幅、高さまたは深さを長さl1にわたってx1ボルトだけ漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される請求項89に記載の質量分析計。
- 前記x1は、(i)<0.1V、(ii)0.1〜0.2V、(iii)0.2〜0.3V、(iv)0.3〜0.4V、(v)0.4〜0.5V、(vi)0.5〜0.6V、(vii)0.6〜0.7V、(viii)0.7〜0.8V、(ix)0.8〜0.9V、(x)0.9〜1.0V、(xi)1.0〜1.5V、(xii)1.5〜2.0V、(xiii)2.0〜2.5V、(xiv)2.5〜3.0V、(xv)3.0〜3.5V、(xvi)3.5〜4.0V、(xvii)4.0〜4.5V、(xviii)4.5〜5.0V、(xix)5.0〜5.5V、(xx)5.5〜6.0V、(xxi)6.0〜6.5V、(xxii)6.5〜7.0V、(xxiii)7.0〜7.5V、(xxiv)7.5〜8.0V、(xxv)8.0〜8.5V、(xxvi)8.5〜9.0V、(xxvii)9.0〜9.5V、(xxviii)9.5〜10.0V、および(xxix)>10.0Vからなる群から選択される請求項90に記載の質量分析計。
- 前記l1は、(i)<10mm、(ii)10〜20mm、(iii)20〜30mm、(iv)30〜40mm、(v)40〜50mm、(vi)50〜60mm、(vii)60〜70mm、(viii)70〜80mm、(ix)80〜90mm、(x)90〜100mm、(xi)100〜110mm、(xii)110〜120mm、(xiii)120〜130mm、(xiv)130〜140mm、(xv)140〜150mm、(xvi)150〜160mm、(xvii)160〜170mm、(xviii)170〜180mm、(xix)180〜190mm、(xx)190〜200mm、および(xxi)>200mmからなる群から選択される請求項90または91に記載の質量分析計。
- 前記1つ以上の過渡DC電圧もしくはポテンシャルまたは前記1つ以上のDCポテンシャルもしくは電圧波形が前記電極に印加される速度または率を漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される第2の手段をさらに備える請求項85〜92のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第2の手段は、前記1つ以上の過渡DC電圧もしくはポテンシャルまたは前記1つ以上のDC電圧もしくはポテンシャル波形が前記電極に印加される速度または率を長さl2にわたってx2m/sだけ漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される請求項93に記載の質量分析計。
- 前記x2は、(i)<1、(ii)1〜2、(iii)2〜3、(iv)3〜4、(v)4〜5、(vi)5〜6、(vii)6〜7、(viii)7〜8、(ix)8〜9、(x)9〜10、(xi)10〜11、(xii)11〜12、(xiii)12〜13、(xiv)13〜14、(xv)14〜15、(xvi)15〜16、(xvii)16〜17、(xviii)17〜18、(xix)18〜19、(xx)19〜20、(xxi)20〜30、(xxii)30〜40、(xxiii)40〜50、(xxiv)50〜60、(xxv)60〜70、(xxvi)70〜80、(xxvii)80〜90、(xxviii)90〜100、(xxix)100〜150、(xxx)150〜200、(xxxi)200〜250、(xxxii)250〜300、(xxxiii)300〜350、(xxxiv)350〜400、(xxxv)400〜450、(xxxvi)450〜500、および(xxxvii)>500からなる群から選択される請求項94に記載の質量分析計。
- 前記l2は、(i)<10mm、(ii)10〜20mm、(iii)20〜30mm、(iv)30〜40mm、(v)40〜50mm、(vi)50〜60mm、(vii)60〜70mm、(viii)70〜80mm、(ix)80〜90mm、(x)90〜100mm、(xi)100〜110mm、(xii)110〜120mm、(xiii)120〜130mm、(xiv)130〜140mm、(xv)140〜150mm、(xvi)150〜160mm、(xvii)160〜170mm、(xviii)170〜180mm、(xix)180〜190mm、(xx)190〜200mm、(xxi)>200mmからなる群から選択される請求項94または95に記載の質量分析計。
- 前記第1のグループの電極に印加される前記第1のACまたはRF電圧の振幅を、時間の関数として、漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される第3の手段をさらに備える前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第1のグループの電極に印加される前記第1のRFまたはAC電圧の周波数を、時間の関数として、漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される第4の手段をさらに備える前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第2のグループの電極に印加される前記第2のACまたはRF電圧の振幅を、時間の関数として、漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される第5の手段をさらに備える前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記第2のグループの電極に印加される前記第2のRFまたはAC電圧の周波数を、時間の関数として、漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される第6の手段をさらに備える前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 一動作モードにおいて、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを(i)>1.0×10-3mbar、(ii)>1.0×10-2mbar、(iii)>1.0×10-1mbar、(iv)>1mbar、(v)>10mbar、(vi)>100mbar、(vii)>5.0×10-3mbar、(viii)>5.0×10-2mbar、(ix)10-4〜10-3mbar、(x)10-3〜10-2mbar、および(xi)10-2〜10-1mbarからなる群から選択される圧力に維持するための手段をさらに備える前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 一動作モードにおいて、イオンは、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイス内にトラップされるが、実質的にさらにフラグメンテーションまたは反応しないように配置される前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイス内でイオンを衝突により冷却するか、または実質的に熱化するための手段をさらに備える前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの入口および/または出口に配置される1つ以上の電極をさらに備え、一動作モードにおいて、イオンがパルス化されて前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ入力および/またはそこから出力される前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- イオン源をさらに備える前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- (i)エレクトロスプレーイオン化(「ESI」)イオン源、(ii)大気圧光イオン化(「APPI」)イオン源、(iii)大気圧化学イオン化(「APCI」)イオン源、(iv)マトリックス支援レーザ脱離イオン化(「MALDI」)イオン源、(v)レーザ脱離イオン化(「LDI」)イオン源、(vi)大気圧イオン化(「API」)イオン源、(vii)シリコンを用いた脱離イオン化(「DIOS」)イオン源、(viii)電子衝突(「EI」)イオン源、(ix)化学イオン化(「CI」)イオン源、(x)電界イオン化(「FI」)イオン源、(xi)電界脱離(「FD」)イオン源、(xii)誘導結合プラズマ(「ICP」)イオン源、(xiii)高速原子衝撃(「FAB」)イオン源、(xiv)液体二次イオン質量分析(「LSIMS」)イオン源、(xv)脱離エレクトロスプレーイオン化(「DESI」)イオン源、(xvi)ニッケル−63放射性イオン源、および(xvii)サーモスプレーイオン源からなる群から選択されるイオン源をさらに備える前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 連続またはパルス化イオン源をさらに備える請求項105または106に記載の質量分析計。
- 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの上流および/または下流に配置される1つ以上のイオンガイドまたはイオントラップをさらに備える前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記1つ以上のイオンガイドまたはイオントラップは、
(i)四重極ロッドセット、六重極ロッドセット、八重極ロッドセットもしくは8個より多くのロッドを含むロッドセットを含む多重極ロッドセットまたはセグメント化多重極ロッドセットイオンガイドまたはイオントラップ、
(ii)使用時にイオンが移送されるアパーチャを有する複数の電極または少なくとも2、5、10、20、30、40、50、60、70、80、90もしくは100個の電極を含むイオントンネルもしくはイオンファンネルイオンガイドまたはイオントラップであって、前記電極のうちの少なくとも1%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%または100%は、実質的に同じサイズまたは面積のアパーチャを有するか、またはサイズもしくは面積が漸進的により大きくおよび/またはより小さくなるアパーチャを有する、イオントンネルもしくはイオンファンネルイオンガイドまたはイオントラップ、
(iii)複数のまたは少なくとも2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19もしくは20個の平面、プレートまたはメッシュ電極を含み、前記平面、プレートまたはメッシュ電極のうちの少なくとも1%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%または100%は、使用時にイオンが移動する平面に概ね配置される、平面、プレートまたはメッシュ電極のスタックまたはアレイ、および
(iv)イオントラップまたはイオンガイドの長さに沿って軸方向に配置される複数のグループの電極を含むイオントラップまたはイオンガイドであって、各グループの電極は、(a)第1および第2の電極、ならびにイオンを前記イオンガイド内に第1の半径方向に閉じ込めるためにDC電圧またはポテンシャルを前記第1および第2の電極に印加するための手段、および(b)第3および第4の電極、ならびにイオンを前記イオンガイド内に第2の半径方向に閉じ込めるためにACまたはRF電圧を前記第3および第4の電極に印加するための手段を含む、イオントラップまたはイオンガイドからなる群から選択される請求項108に記載される質量分析計。 - 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの下流側に配置された質量分析器をさらに備える前記請求項のいずれか1項に記載の質量分析計。
- 前記質量分析器は、(i)フーリエ変換(「FT」)質量分析器、(ii)フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴(「FTICR」)質量分析器、(iii)飛行時間(「TOF」)質量分析器、(iv)直交加速飛行時間(「oaTOF」)質量分析器、(v)軸方向加速飛行時間質量分析器、(vi)磁場型質量分析計、(vii)ポールまたは三次元四重極質量分析器、(viii)二次元または線形四重極質量分析器、(ix)ペニングトラップ質量分析器、(x)イオントラップ質量分析器、(xi)フーリエ変換オービトラップ、(xii)静電イオンサイクロトロン共鳴質量分析計、(xiii)静電フーリエ変換質量分析計、および(xiv)四重極ロッドセット質量フィルタまたは質量分析器からなる群から選択される請求項100に記載の質量分析計。
- 少なくとも第1のグループの電極を含む第1のセクションと、第2の別グループの電極を含む第2の別のセクションとを有する、複数の電極を含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを準備する工程と、
第1の周波数および第1の振幅を有する第1のACまたはRF電圧を、第1の質量電荷比を有するイオンが、前記第1のグループの電極もしくは前記第1のセクション内に半径方向にイオンを閉じ込めるように作用する第1の強度もしくは大きさを有する第1の半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように、前記第1のグループの電極に印加または供給する工程と、
第2の周波数および第2の振幅を有する第2のACまたはRF電圧を、前記第1の質量電荷比を有するイオンが、前記第2のグループの電極もしくは前記第2のセクション内に半径方向にイオンを閉じ込めるように作用する第2の強度もしくは大きさを有する第2の半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように、前記第2のグループの電極に印加または供給する工程であって、前記第2の強度もしくは大きさは、前記第1の強度もしくは大きさとは異なる工程とを含む質量分析方法。 - 少なくとも第1のセクションと第2の別のセクションとを有する衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを備え、
前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、第1の質量電荷比を有するイオンが、前記第1のセクション内の第1の半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受け、前記第2のセクション内の第2の異なる半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように構成および適合される質量分析計。 - 少なくとも第1のセクションと、第2の別のセクションとを有する、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを準備する工程と、
第1の質量電荷比を有するイオンが、前記第1のセクション内の第1の半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように配置する工程と、
前記第1の質量電荷比を有するイオンが、前記第2のセクション内の第2の異なる半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように配置する工程とを含む質量分析方法。 - 複数の電極を含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを備え、前記電極のアスペクト比が、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの長さに沿って変化し、
使用時に、第1の質量電荷比を有するイオンが、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの長さに沿って変化する半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受ける質量分析計。 - 複数の電極を含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスであって、前記電極のアスペクト比が前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの長さに沿って変化する衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを準備する工程を含み、
第1の質量電荷比を有するイオンが、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの長さに沿って変化する半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受ける質量分析方法。 - 衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを備え、使用時に、第1の質量電荷比を有するイオンが、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さに沿って漸進的に増加、漸進的に低減、直線的に増加、直線的に低減、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減、非直線的に増加、または非直線的に低減する半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受ける質量分析計。
- 衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを準備する工程であって、第1の質量電荷比を有するイオンが、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さに沿って漸進的に増加、漸進的に低減、直線的に増加、直線的に低減、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減、非直線的に増加、または非直線的に低減する半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受ける工程を含む質量分析方法。
- 衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを備え、使用時に、イオンが、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さの少なくとも1%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%または100%に沿って変化する半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受ける質量分析計。
- 衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを準備する工程を含み、イオンが、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さの少なくとも1%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%または100%に沿って変化する半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受ける質量分析方法。
- 衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを備え、使用時に、第1の質量電荷比を有するイオンが、第1の時間に第1のゼロでない半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受け、後の第2の時間に第2の異なるゼロでない半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受ける質量分析計。
- 衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを準備する工程を含み、第1の質量電荷比を有するイオンが、第1の時間に第1のゼロでない半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受け、後の第2の時間に第2の異なるゼロでない半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受ける質量分析方法。
- 第1のセクションと第2のセクションとを有する衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスと、
前記第1のセクションおよび/または前記第2のセクション、あるいは、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全長の少なくとも1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%、または100%に沿って維持される半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を、時間の関数として、漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される手段とを備える質量分析計。 - 第1のセクションと第2のセクションとを有する衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを準備する工程と、
前記第1のセクションおよび/または前記第2のセクション、あるいは、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全長の少なくとも1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%、または100%に沿って維持される半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を、時間の関数として、漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させる工程とを含む質量分析方法。
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