JP2010507207A - 質量分析計 - Google Patents

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Abstract

第１のＲＦ電圧（７ａ）が、上流グループの電極に印加され、第２の異なるＲＦ電圧（７ｂ）が下流グループの電極に印加される複数の電極を有する衝突またはフラグメンテーションセル（４）が開示される。衝突またはフラグメンテーションセル（４）に入る親イオンの半径方向の閉じ込めは、上流グループの電極に印加される第１のＲＦ電圧によって最適化され、衝突またはフラグメンテーションセル（４）内で生成される娘またはフラグメントイオンの半径方向の閉じ込めは、下流グループの電極に印加される第２の異なるＲＦ電圧によって最適化される。
【選択図】図３

Description

本発明は、質量分析計および質量分析方法に関する。
イオン源と、特定の質量電荷比を有する親イオンを移送するように構成された質量フィルタと、質量フィルタによって移送された親イオンをフラグメント化するように構成された質量フィルタの下流側に設けられたフラグメンテーションセルと、フラグメンテーションセル内で生成されたフラグメントイオンを質量分析するように構成された質量分析計とを有するタンデム質量分析計が知られている。フラグメンテーションセルは、チャンバを有し、チャンバでは、親イオンがガス分子とエネルギー衝突するように配置されている。しかし、親イオンとガス分子とのエネルギー衝突によって、親イオンは拡散し、フラグメンテーションの前に失われ得る。フラグメンテーションセル中で生成されたフラグメントまたは生成イオンもまた、拡散の影響により失われ得る。これは、感度を低下させる効果を有し得る。
不均一なＲＦ電界は、イオンを、ＲＦ電界が最も弱い領域に方向づけることが知られている。この特性は、背景ガス圧力が十分であるため、かなりの数のイオンと分子との衝突が引き起こされるＲＦイオンガイドにおいて利用される。公知のＲＦイオンガイドは、中心軸と平行に配置された複数のロッド電極を有する。ＲＦ電圧は、近隣の電極間に印加される。得られる半径方向のＲＦ電界は、中心軸に沿って最も弱いため、イオンと分子との衝突の結果拡散したイオンは、ＲＦイオンガイドの中心軸に再び戻される傾向がある。この結果、イオンは、ＲＦイオンガイド内に閉じ込められる。
公知のＲＦイオンガイドは、通常、タンデム質量分析計の衝突セル内に設けられ、選択された親または前駆イオンが衝突セル内でガス分子と衝突するように構成される。公知のＲＦイオンガイドは、イオンが背景ガス分子と何度も衝突するにもかかわらず、高効率でイオンを移送することが示されている。
最も一般的な形態のタンデム質量分析計は、トリプル四重極質量分析計として知られている。トリプル四重極質量分析計は、イオン源と、第１の四重極質量フィルタと、ＲＦ四重極ロッドセットイオンガイドを有するガス衝突セルと、第２の四重極質量フィルタとを有する。衝突セルが、六重極もしくは八重極ロッドセットイオンガイドまたはイオントンネルリングスタックイオンガイドを有し得る他の構成も知られている。
ＲＦイオンガイドの移送特性は、イオンの質量電荷比と共に変化することが知られている。特定の幾何学形状、ならびに特定のＲＦ電圧および周波数では、イオンの半径方向の閉じ込めが比較的高く、その結果、イオンの移送効率も比較的高い質量電荷比の値の範囲がある。しかし、この範囲外では、イオンの全体的な移送効率は低減する。
比較的低い質量電荷比を有するイオンの最大瞬間速度は、比較的高い質量電荷比を有するイオンの最大瞬間速度よりも高い。この結果、比較的低いイオン質量電荷比を有するイオンは、比較的大きな半径方向の偏位（ｅｘｃｕｒｓｉｏｎ）を有する軌道をたどり、ある臨界値を下回る質量電荷比を有するイオンは、ＲＦイオンガイドの電極と衝突し、システム中に失われ得る。このように下回るとイオンが失われ得る臨界質量電荷比は、一般に、低質量電荷比カットオフ値として知られる。イオン移送効率は、低質量電荷比カットオフ値未満の質量電荷比を有するイオンに対して、迅速に低減する。
従来のガス衝突セルでは、イオンは、背景ガス分子と何度もエネルギー衝突してフラグメンテーションを誘導する。これらのエネルギー衝突により拡散したイオンは、このような拡散プロセスにも関わらず、ＲＦイオンガイドの中心軸を中心に閉じ込められる。しかし、特定のＲＦ電圧および周波数では、不均一なＲＦ電界による時間平均または有効な半径方向の閉じ込め力は、質量電荷比と共に低減する。この結果、比較的高い質量電荷比を有する拡散したイオンは、ＲＦイオンガイドによってあまり効果的に閉じ込められず、質量電荷比が増加すると共に、イオン移送効率は低減し始める。この場合、イオン移送効率は、質量電荷比の値が増加するにつれて次第に低減するだけである。
これら２つの考察の結果、エネルギッシュなイオンが効率的に移送され、迅速にガス衝突セルに半径方向に閉じ込められるＲＦイオンガイドの特定のＲＦ周波数および幾何学形状に対して、ＲＦ電圧の最適な範囲がある。あるいは、特定のＲＦ電圧および周波数、ならびにＲＦイオンガイドの特定の幾何学形状については、ガス衝突セルを通ってエネルギッシュなイオンが効率的に移送される限定された範囲の質量電荷比がある。
従来のガス衝突セルの問題は、最初に衝突セルに入る親または前駆イオンが、第１の比較的高い質量電荷比を有するのに対して、ガスセル内で形成され（次にガス衝突セルを出る）結果として得られる生成またはフラグメントイオンが、第２の相対的に低い質量電荷比を有することである。親または前駆イオン、および、生成またはフラグメントイオンの質量電荷比が実質的に異なると、２つの異なるグループのイオンの効率的な移送に必要なＲＦ電圧の最適な範囲が実質的に異なり、２つの範囲は重ならない。その結果、親または前駆イオンも、生成またはフラグメントイオンも高効率で移送されない。
改善された質量分析計を提供することが望まれる。
本発明の態様によると、
少なくとも第１のグループの電極を含む第１のセクションと第２の別のグループの電極を含む第２の別のセクションとを有する、複数の電極を含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスと、
第１の周波数および第１の振幅を有する第１のＡＣまたはＲＦ電圧を、使用時に、第１の質量電荷比を有するイオンが、第１のグループの電極もしくは第１のセクション内に半径方向にイオンを閉じ込めるように作用する第１の強度もしくは大きさを有する第１の半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように、第１のグループの電極に印加または供給するための第１のデバイスと、
第２の周波数および第２の振幅を有する第２のＡＣまたはＲＦ電圧を、使用時に、第１の質量電荷比を有するイオンが、第２のグループの電極もしくは第２のセクション内に半径方向にイオンを閉じ込めるように作用する第２の強度もしくは大きさを有する第２の半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように、第２のグループの電極に印加または供給するための第２のデバイスとを備え、第２の強度もしくは大きさは、第１の強度もしくは大きさとは異なる質量分析計が提供される。
第１のＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは、第１のグループの電極に印加されるが、第２のグループの電極には印加されない。
第２のＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは、第２のグループの電極に印加されるが、第１のグループの電極には印加されない。
質量分析計は、好ましくは、第１のＡＣまたはＲＦ電圧を生成するための第１のＡＣまたはＲＦ電圧生成器、および第２のＡＣまたはＲＦ電圧を生成するための第２の別のＡＣまたはＲＦ電圧生成器をさらに備える。
あるいは、質量分析計は、単一のＡＣまたはＲＦ生成器を備えていてもよい。質量分析計は、好ましくは、１つ以上の減衰器をさらに備え、単一のＡＣまたはＲＦ生成器から発せられ、第１のデバイスおよび／または第２のデバイスに送信されるＡＣまたはＲＦ電圧が１つ以上の減衰器を通過するように構成される。
第１のグループの電極は、好ましくは、第２のグループの電極の上流側に配置される。
第１のグループの電極は、好ましくは、（ｉ）５個未満の電極、（ｉｉ）５〜１０個の電極、（ｉｉｉ）１０〜１５個の電極、（ｉｖ）１５〜２０個の電極、（ｖ）２０〜２５個電極、（ｖｉ）２５〜３０個の電極、（ｖｉｉ）３０〜３５個の電極、（ｖｉｉｉ）３５〜４０個の電極、（ｉｘ）４０〜４５個の電極、（ｘ）４５〜５０個の電極、（ｘｉ）５０〜５５個の電極、（ｘｉｉ）５５〜６０個の電極、（ｘｉｉｉ）６０〜６５個の電極、（ｘｉｖ）６５〜７０個の電極、（ｘｖ）７０〜７５個の電極、（ｘｖｉ）７５〜８０個の電極、（ｘｖｉｉ）８０〜８５個の電極、（ｘｖｉｉｉ）８５〜９０個の電極、（ｘｉｘ）９０〜９５個の電極、（ｘｘ）９５〜１００個の電極、および（ｘｘｉ）１００個を超える電極を含む。
第１のグループの電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、または１００％の軸方向長さまたは厚みは、好ましくは、（ｉ）＜１ｍｍ、（ｉｉ）１〜２ｍｍ、（ｉｉｉ）２〜３ｍｍ、（ｉｖ）３〜４ｍｍ、（ｖ）４〜５ｍｍ、（ｖｉ）５〜６ｍｍ、（ｖｉｉ）６〜７ｍｍ、（ｖｉｉｉ）７〜８ｍｍ、（ｉｘ）８〜９ｍｍ、（ｘ）９〜１０ｍｍ、（ｘｉ）１０〜１１ｍｍ、（ｖｉｉ）１１〜１２ｍｍ、（ｘｉｉｉ）１２〜１３ｍｍ、（ｘｉｖ）１３〜１４ｍｍ、（ｘｖ）１４〜１５ｍｍ、（ｘｖｉ）１５〜１６ｍｍ、（ｘｖｉｉ）１６〜１７ｍｍ、(ｘｖｉｉｉ)１７〜１８ｍｍ、（ｘｉｘ）１８〜１９ｍｍ、（ｘｘ）１９〜２０ｍｍ、および（ｘｘｉ）＞２０ｍｍからなる群から選択される。
第１のグループの電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、または１００％の軸方向間隔は、好ましくは、（ｉ）＜１ｍｍ、（ｉｉ）１〜２ｍｍ、（ｉｉｉ）２〜３ｍｍ、（ｉｖ）３〜４ｍｍ、（ｖ）４〜５ｍｍ、（ｖｉ）５〜６ｍｍ、（ｖｉｉ）６〜７ｍｍ、（ｖｉｉｉ）７〜８ｍｍ、（ｉｘ）８〜９ｍｍ、（ｘ）９〜１０ｍｍ、（ｘｉ）１０〜１１ｍｍ、（ｘｉｉ）１１〜１２ｍｍ、（ｘｉｉｉ）１２〜１３ｍｍ、（ｘｉｖ）１３〜１４ｍｍ、（ｘｖ）１４〜１５ｍｍ、（ｘｖｉ）１５〜１６ｍｍ、（ｘｖｉｉ）１６〜１７ｍｍ、（ｘｖｉｉｉ）１７〜１８ｍｍ、（ｘｉｘ）１８〜１９ｍｍ、（ｘｘ）１９〜２０ｍｍ、および（ｘｘｉ）＞２０ｍｍからなる群から選択される。
第１のグループの電極内で軸方向に隣接した電極には、好ましくは、反対位相の第１のＡＣまたはＲＦ電圧が与えられる。
第１のＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘ）９５０〜１０００ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される第１の振幅を有する。
第１のＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択される第１の周波数を有する。
第２のグループの電極は、好ましくは、（ｉ）５個未満の電極、（ｉｉ）５〜１０個の電極、（ｉｉｉ）１０〜１５個の電極、（ｉｖ）１５〜２０個の電極、（ｖ）２０〜２５個電極、（ｖｉ）２５〜３０個の電極、（ｖｉｉ）３０〜３５個の電極、（ｖｉｉｉ）３５〜４０個の電極、（ｉｘ）４０〜４５個の電極、（ｘ）４５〜５０個の電極、（ｘｉ）５０〜５５個の電極、（ｘｉｉ）５５〜６０個の電極、（ｘｉｉｉ）６０〜６５個の電極、（ｘｉｖ）６５〜７０個の電極、（ｘｖ）７０〜７５個の電極、（ｘｖｉ）７５〜８０個の電極、（ｘｖｉｉ）８０〜８５個の電極、（ｘｖｉｉｉ）８５〜９０個の電極、（ｘｉｘ）９０〜９５個の電極、（ｘｘ）９５〜１００個の電極、および（ｘｘｉ）１００個を超える電極を含む。
第２のグループの電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、または１００％の軸方向長さまたは厚みは、好ましくは、（ｉ）＜１ｍｍ、（ｉｉ）１〜２ｍｍ、（ｉｉｉ）２〜３ｍｍ、（ｉｖ）３〜４ｍｍ、（ｖ）４〜５ｍｍ、（ｖｉ）５〜６ｍｍ、（ｖｉｉ）６〜７ｍｍ、（ｖｉｉｉ）７〜８ｍｍ、（ｉｘ）８〜９ｍｍ、（ｘ）９〜１０ｍｍ、（ｘｉ）１０〜１１ｍｍ、（ｘｉｉ）１１〜１２ｍｍ、（ｘｉｉｉ）１２〜１３ｍｍ、（ｘｉｖ）１３〜１４ｍｍ、（ｘｖ）１４〜１５ｍｍ、（ｘｖｉ）１５〜１６ｍｍ、（ｘｖｉｉ）１６〜１７ｍｍ、(ｘｖｉｉｉ)１７〜１８ｍｍ、（ｘｉｘ）１８〜１９ｍｍ、（ｘｘ）１９〜２０ｍｍ、および（ｘｘｉ）＞２０ｍｍからなる群から選択される。
一実施形態によると、第２のグループの電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、または１００％の軸方向間隔は、（ｉ）＜１ｍｍ、（ｉｉ）１〜２ｍｍ、（ｉｉｉ）２〜３ｍｍ、（ｉｖ）３〜４ｍｍ、（ｖ）４〜５ｍｍ、（ｖｉ）５〜６ｍｍ、（ｖｉｉ）６〜７ｍｍ、（ｖｉｉｉ）７〜８ｍｍ、（ｉｘ）８〜９ｍｍ、（ｘ）９〜１０ｍｍ、（ｘｉ）１０〜１１ｍｍ、（ｘｉｉ）１１〜１２ｍｍ、（ｘｉｉｉ）１２〜１３ｍｍ、（ｘｉｖ）１３〜１４ｍｍ、（ｘｖ）１４〜１５ｍｍ、（ｘｖｉ）１５〜１６ｍｍ、（ｘｖｉｉ）１６〜１７ｍｍ、（ｘｖｉｉｉ）１７〜１８ｍｍ、（ｘｉｘ）１８〜１９ｍｍ、（ｘｘ）１９〜２０ｍｍ、および（ｘｘｉ）＞２０ｍｍからなる群から選択される。
第２のグループの電極内で軸方向に隣接した電極には、好ましくは、反対位相の第２のＡＣまたはＲＦ電圧が与えられる。
第１のセクションは、好ましくは、軸方向長さｘ第1を有し、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向全長はＬであり、比ｘ第1／Ｌは、好ましくは、（ｉ）＜０．０５、（ｉｉ）０．０５〜０．１０、（ｉｉｉ）０．１０〜０．１５、（ｉｖ）０．１５〜０．２０、（ｖ）０．２０〜０．２５、（ｖｉ）０．２５〜０．３０、（ｖｉｉ）０．３０〜０．３５、（ｖｉｉｉ）０．３５〜０．４０、（ｉｘ）０．４０〜０．４５、（ｘ）０．４５〜０．５０、（ｘｉ）０．５０〜０．５５、（ｘｉｉ）０．５５〜０．６０、（ｘｉｉｉ）０．６０〜０．６５、（ｘｉｖ）０．６５〜０．７０、（ｘｖ）０．７０〜０．７５、（ｘｖｉ）０．７５〜０．８０、（ｘｖｉｉ）０．８０〜０．８５、（ｘｖｉｉｉ）０．８５〜０．９０、（ｘｉｘ）０．９０〜０．９５、および（ｘｘ）＞０．９５からなる群から選択される。
第２のセクションは、好ましくは、軸方向長さｘ第2を有し、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向全長はＬであり、比ｘ第2／Ｌは、好ましくは、（ｉ）＜０．０５、（ｉｉ）０．０５〜０．１０、（ｉｉｉ）０．１０〜０．１５、（ｉｖ）０．１５〜０．２０、（ｖ）０．２０〜０．２５、（ｖｉ）０．２５〜０．３０、（ｖｉｉ）０．３０〜０．３５、（ｖｉｉｉ）０．３５〜０．４０、（ｉｘ）０．４０〜０．４５、（ｘ）０．４５〜０．５０、（ｘｉ）０．５０〜０．５５、（ｘｉｉ）０．５５〜０．６０、（ｘｉｉｉ）０．６０〜０．６５、（ｘｉｖ）０．６５〜０．７０、（ｘｖ）０．７０〜０．７５、（ｘｖｉ）０．７５〜０．８０、（ｘｖｉｉ）０．８０〜０．８５、（ｘｖｉｉｉ）０．８５〜０．９０、（ｘｉｘ）０．９０〜０．９５、および（ｘｘ）＞０．９５からなる群から選択される。
一実施形態によると、前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘ）９５０〜１０００ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される第２の振幅を有する。
第２のＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択される第２の周波数を有する。
一実施形態によると、第１のＡＣまたはＲＦ電圧と、第２のＡＣまたはＲＦ電圧との位相差は、好ましくは、（ｉ）０〜１０o、（ｉｉ）１０〜２０o、（ｉｉｉ）２０〜３０o、（ｉｖ）３０〜４０o、（ｖ）４０〜５０o、（ｖｉ）５０〜６０o、（ｖｉｉ）６０〜７０o、（ｖｉｉｉ）７０〜８０o、（ｉｘ）８０〜９０o、（ｘ）９０〜１００o、（ｘｉ）１００〜１１０o、（ｘｉｉ）１１０〜１２０o、（ｘｉｉｉ）１２０〜１３０o、（ｘｉｖ）１３０〜１４０o、（ｘｖ）１４０〜１５０o、（ｘｖｉ）１５０〜１６０o、（ｘｖｉｉ）１６０〜１７０o、（ｘｖｉｉｉ）１７０〜１８０o、（ｘｉｘ）１８０〜１９０o、（ｘｘ）１９０〜２００o、（ｘｘｉ）２００〜２１０o、（ｘｘｉｉ）２１０〜２２０o、（ｘｘｉｉｉ）２２０〜２３０o、（ｘｘｉｖ）２３０〜２４０o、（ｘｘｖ）２４０〜２５０o、（ｘｘｖｉ）２５０〜２６０o、（ｘｘｖｉｉ）２６０〜２７０o、（ｘｘｖｉｉｉ）２７０〜２８０o、（ｘｘｉｘ）２８０〜２９０o、（ｘｘｘ）２９０〜３００o、（ｘｘｘｉ）３００〜３１０o、（ｘｘｘｉｉ）３１０〜３２０o、（ｘｘｘｉｉｉ）３２０〜３３０o、（ｘｘｘｉｖ）３３０〜３４０o、（ｘｘｘｖ）３４０〜３５０o、（ｘｘｘｖｉ）３５０〜３６０o、および（ｘｘｘｖｉｉ）０oからなる群から選択される。
一実施形態によると、第１の周波数は、好ましくは、第２の周波数と実質的に同じである。好ましさがやや劣る好ましい実施形態によると、第１の周波数は、第２の周波数とは実質的に異なっていてもよい。
第１の振幅は、好ましくは、第２の振幅と実質的に異なる。好ましさがやや劣る好ましい実施形態によると、第１の振幅は、第２の振幅と実質的に同じであってもよい。
衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、好ましくは、第３のグループの電極を含む第３のセクションをさらに有する。第３のグループの電極は、好ましくは、第１のグループの電極とは分離され、好ましくは、第２のグループの電極と分離される。
第３のグループの電極は、好ましくは、第１のグループの電極と第２のグループの電極との中間に配置される。
一実施形態によると、質量分析計は、さらに、第３の周波数および第３の振幅を有する第３のＡＣまたはＲＦ電圧を、使用時に、第１の質量電荷比を有するイオンが、第３のグループの電極もしくは第３のセクション内に半径方向にイオンを閉じ込めるように作用する第３の強度もしくは大きさを有する第３の半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように、第３のグループの電極に印加または供給するための第３のデバイスを備える。第３の強度または大きさは、好ましくは、第１の強度もしくは大きさ、および／または、第２の強度もしくは大きさとは異なる。
第３のＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは、第３のグループの電極に印加されるが、好ましくは、第１のグループの電極および／または第２のグループの電極には印加されない。
質量分析計は、好ましくは、第３のＡＣまたはＲＦ電圧を生成するための第３のＡＣまたはＲＦ電圧生成器を有する。好ましさがやや劣る好ましい実施形態によると、質量分析計は、単一のＡＣまたはＲＦ生成器を有していてもよく、質量分析計は、さらに、１つ以上の減衰器を備える。単一のＡＣまたはＲＦ生成器から発せられ、第１のデバイスおよび／または第２のデバイスおよび／または第３のデバイスに送信されるＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは、１つ以上の減衰器を通過するように構成される。
第３のグループの電極は、好ましくは、（ｉ）５個未満の電極、（ｉｉ）５〜１０個の電極、（ｉｉｉ）１０〜１５個の電極、（ｉｖ）１５〜２０個の電極、（ｖ）２０〜２５個電極、（ｖｉ）２５〜３０個の電極、（ｖｉｉ）３０〜３５個の電極、（ｖｉｉｉ）３５〜４０個の電極、（ｉｘ）４０〜４５個の電極、（ｘ）４５〜５０個の電極、（ｘｉ）５０〜５５個の電極、（ｘｉｉ）５５〜６０個の電極、（ｘｉｉｉ）６０〜６５個の電極、（ｘｉｖ）６５〜７０個の電極、（ｘｖ）７０〜７５個の電極、（ｘｖｉ）７５〜８０個の電極、（ｘｖｉｉ）８０〜８５個の電極、（ｘｖｉｉｉ）８５〜９０個の電極、（ｘｉｘ）９０〜９５個の電極、（ｘｘ）９５〜１００個の電極、および（ｘｘｉ）１００個を超える電極を含む。
第３のグループの電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、または１００％の軸方向長さまたは厚みは、好ましくは、（ｉ）＜１ｍｍ、（ｉｉ）１〜２ｍｍ、（ｉｉｉ）２〜３ｍｍ、（ｉｖ）３〜４ｍｍ、（ｖ）４〜５ｍｍ、（ｖｉ）５〜６ｍｍ、（ｖｉｉ）６〜７ｍｍ、（ｖｉｉｉ）７〜８ｍｍ、（ｉｘ）８〜９ｍｍ、（ｘ）９〜１０ｍｍ、（ｘｉ）１０〜１１ｍｍ、（ｖｉｉ）１１〜１２ｍｍ、（ｘｉｉｉ）１２〜１３ｍｍ、（ｘｉｖ）１３〜１４ｍｍ、（ｘｖ）１４〜１５ｍｍ、（ｘｖｉ）１５〜１６ｍｍ、（ｘｖｉｉ）１６〜１７ｍｍ、(ｘｖｉｉｉ)１７〜１８ｍｍ、（ｘｉｘ）１８〜１９ｍｍ、（ｘｘ）１９〜２０ｍｍ、および（ｘｘｉ）＞２０ｍｍからなる群から選択される。
第３のグループの電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、または１００％の軸方向間隔は、好ましくは、（ｉ）＜１ｍｍ、（ｉｉ）１〜２ｍｍ、（ｉｉｉ）２〜３ｍｍ、（ｉｖ）３〜４ｍｍ、（ｖ）４〜５ｍｍ、（ｖｉ）５〜６ｍｍ、（ｖｉｉ）６〜７ｍｍ、（ｖｉｉｉ）７〜８ｍｍ、（ｉｘ）８〜９ｍｍ、（ｘ）９〜１０ｍｍ、（ｘｉ）１０〜１１ｍｍ、（ｘｉｉ）１１〜１２ｍｍ、（ｘｉｉｉ）１２〜１３ｍｍ、（ｘｉｖ）１３〜１４ｍｍ、（ｘｖ）１４〜１５ｍｍ、（ｘｖｉ）１５〜１６ｍｍ、（ｘｖｉｉ）１６〜１７ｍｍ、（ｘｖｉｉｉ）１７〜１８ｍｍ、（ｘｉｘ）１８〜１９ｍｍ、（ｘｘ）１９〜２０ｍｍ、および（ｘｘｉ）＞２０ｍｍからなる群から選択される。
第３のグループの電極内で軸方向に隣接した電極には、好ましくは、反対位相の第３のＡＣまたはＲＦ電圧が与えられる。
第３のセクションは、好ましくは、軸方向長さｘ第3を有し、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向全長はＬであり、比ｘ第3／Ｌは、好ましくは、（ｉ）＜０．０５、（ｉｉ）０．０５〜０．１０、（ｉｉｉ）０．１０〜０．１５、（ｉｖ）０．１５〜０．２０、（ｖ）０．２０〜０．２５、（ｖｉ）０．２５〜０．３０、（ｖｉｉ）０．３０〜０．３５、（ｖｉｉｉ）０．３５〜０．４０、（ｉｘ）０．４０〜０．４５、（ｘ）０．４５〜０．５０、（ｘｉ）０．５０〜０．５５、（ｘｉｉ）０．５５〜０．６０、（ｘｉｉｉ）０．６０〜０．６５、（ｘｉｖ）０．６５〜０．７０、（ｘｖ）０．７０〜０．７５、（ｘｖｉ）０．７５〜０．８０、（ｘｖｉｉ）０．８０〜０．８５、（ｘｖｉｉｉ）０．８５〜０．９０、（ｘｉｘ）０．９０〜０．９５、および（ｘｘ）＞０．９５からなる群から選択される。
一実施形態によると、第３のＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘ）９５０〜１０００ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される第３の振幅を有する。
第３のＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択される第３の周波数を有する。
一実施形態によると、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、好ましくは、ｎ個のセクションを有し、各セクションは、１つ以上の電極を有し、使用時に、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイス内に半径方向にイオンを閉じ込めるためにセクションに印加されるＡＣまたはＲＦ電圧の振幅および／または周波数および／または位相差は、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さに沿って、漸進的に増加、漸進的に低減、直線的に増加、直線的に低減、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減、非直線的に増加、または非直線的に低減する。
衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、好ましくは、使用時に、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイス内に半径方向にイオンを閉じ込めるように作用する擬ポテンシャル電界または電気力が、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さに沿って、漸進的に増加、漸進的に低減、直線的に増加、直線的に低減、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減、非直線的に増加、または非直線的に低減するように構成および適合される。
衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、好ましくは、イオンを衝突誘起解離（「ＣＩＤ」）によってフラグメント化するように構成および適合される。好ましさがやや劣る好ましい実施形態によると、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、（ｉ）表面誘起解離（「ＳＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｉｉ）電子移動解離フラグメンテーションデバイス、（ｉｉｉ）電子捕獲解離フラグメンテーションデバイス、（ｉｖ）電子衝突または衝撃解離フラグメンテーションデバイス、（ｖ）光誘起解離（「ＰＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｖｉ）レーザ誘起解離フラグメンテーションデバイス、（ｖｉｉ）赤外放射誘起解離デバイス、（ｖｉｉｉ）紫外放射誘起解離デバイス、（ｉｘ）ノズル−スキマ間インターフェースフラグメンテーションデバイス、（ｘ）インソースフラグメンテーションデバイス、（ｘｉ）イオン源衝突誘起解離フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｉ）熱または温度源フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｉｉ）電界誘起フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｖ）磁場誘起フラグメンテーションデバイス、（ｘｖ）酵素消化または酵素分解フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉ）イオン−イオン反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉｉ）イオン−分子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉｉｉ）イオン−原子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｘ）イオン−メタステーブルイオン反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘ）イオン−メタステーブル分子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉ）イオン−メタステーブル原子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−イオン反応デバイス、（ｘｘｉｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−分子反応デバイス、（ｘｘｉｖ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−原子反応デバイス、（ｘｘｖ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−メタステーブルイオン反応デバイス、（ｘｘｖｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−メタステーブル分子反応デバイス、および（ｘｘｖｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−メタステーブル原子反応デバイスからなる群から選択され得る。
衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、好ましくは、使用時にイオンが移送されるアパーチャを有する複数の電極を含む。電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、実質的に円形、長方形、正方形または楕円形のアパーチャを有するのが好ましい。
電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、実質的に同じサイズまたは実質的に同じ面積をもつアパーチャを有するのが好ましい。
別の実施形態によると、電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸に沿う方向にサイズまたは面積が漸進的により大きくおよび／またはより小さくなるアパーチャを有する。
電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、（ｉ）≦１．０ｍｍ、（ｉｉ）≦２．０ｍｍ、（ｉｉｉ）≦３．０ｍｍ、（ｉｖ）≦４．０ｍｍ、（ｖ）≦５．０ｍｍ、（ｖｉ）≦６．０ｍｍ、（ｖｉｉ）≦７．０ｍｍ、（ｖｉｉｉ）≦８．０ｍｍ、（ｉｘ）≦９．０ｍｍ、（ｘ）≦１０．０ｍｍ、および（ｘｉ）＞１０．０ｍｍからなる群から選択される内径または内寸法をもつアパーチャを有する。
一実施形態によると、複数の電極のうちの少なくともいくつかは、アパーチャを含み、アパーチャの内径または内寸法と隣接する電極間の軸方向中心間間隔との比は、（ｉ）＜１．０、（ｉｉ）１．０〜１．２、（ｉｉｉ）１．２〜１．４、（ｉｖ）１．４〜１．６、（ｖ）１．６〜１．８、（ｖｉ）１．８〜２．０、（ｖｉｉ）２．０〜２．２、（ｖｉｉｉ）２．２〜２．４、（ｉｘ）２．４〜２．６、（ｘ）２．６〜２．８、（ｘｉ）２．８〜３．０、（ｘｉｉ）３．０〜３．２、（ｘｉｉｉ）３．２〜３．４、（ｘｉｖ）３．４〜３．６、（ｘｖ）３．６〜３．８、（ｘｖｉ）３．８〜４．０、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．２、（ｘｖｉｉｉ）４．２〜４．４、（ｘｉｘ）４．４〜４．６、（ｘｘ）４．６〜４．８、（ｘｘｉ）４．８〜５．０、および（ｘｘｉｉ）＞５．０からなる群から選択される。
一実施形態によると、アパーチャの内径は、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さに沿って、漸進的に増加、漸進的に低減、直線的に増加、直線的に低減、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減、非直線的に増加、または非直線的に低減する。
別の実施形態によると、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、セグメント化ロッドセットを含み得る。セグメント化ロッドセットは、セグメント化四重極、六重極もしくは八重極ロッドセットまたは８個よりも多くのセグメント化ロッドを含むロッドセットを含み得る。
衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、（ｉ）およそまたは実質的に円形である断面、（ｉｉ）およそまたは実質的に双曲である曲面、（ｉｉｉ）円弧形または一部円形である断面、（ｉｖ）およそまたは実質的に長方形である断面、および（ｖ）およそまたは実質的に正方形である断面からなる群から選択される断面を有する複数の電極を含み得る。
別の実施形態によると、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、複数のグループの電極を含み得、上記グループの電極は、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さに沿って軸方向に間隔をあけて配置され、各グループの電極は、複数のプレート電極を含む。
一実施形態によると、各グループの電極は、第１のプレート電極および第２のプレート電極を含み、第１および第２のプレート電極は、実質的に同じ平面に配置され、かつ衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの中心長手方向軸のいずれかの側に配置される。
質量分析計は、好ましくは、イオンを衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイス内に第１の半径方向に閉じ込めるためにＤＣ電圧またはポテンシャルを第１および第２のプレート電極に印加するための手段をさらに備える。
各グループの電極は、好ましくは、第３のプレート電極および第４のプレート電極をさらに含み、第３および第４のプレート電極は、好ましくは、第１および第２のプレート電極と実質的に同じ平面に配置され、かつ第１および第２のプレート電極に対して異なる向きに衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの中心長手方向軸のいずれかの側に配置される。
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を印加する第１のデバイスは、好ましくは、イオンを衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイス内に第２の半径方向に閉じ込めるために、第１のＡＣまたはＲＦ電圧を第３および第４のプレート電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に印加するように構成される。第２の半径方向は、好ましくは、第１の半径方向と直交する。
第２のＡＣまたはＲＦ電圧を印加する第２のデバイスは、好ましくは、イオンを衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイス内に第２の半径方向に閉じ込めるために、第２のＡＣまたはＲＦ電圧を第３および第４のプレート電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に印加するように構成される。第２の半径方向は、好ましくは、第１の半径方向と直交する。
一実施形態によると、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、
第１の側に配置される１つ以上の第１の電極と、
第２の側に配置される１つ以上の第２の電極と、
概ねまたは実質的に、イオンが移動する平面に配置される中間の平面、プレートまたはメッシュ電極の１つ以上の層であって、使用時に、１つ以上の第１の電極と１つ以上の第２の電極との間に設けられる中間の平面、プレートまたはメッシュ電極の１つ以上の層とを有する。
１つ以上の第１の電極は、好ましくは、第１の電極のアレイを有する。
１つ以上の第２の電極は、好ましくは、第２の電極のアレイを有する。
中間の平面、プレートまたはメッシュ電極の１つ以上の層は、軸方向にセグメント化された電極の１つ以上の層を含む。
第１のデバイスは、好ましくは、第１のＡＣまたはＲＦ電圧を、第１の側に配置された１つ以上の第１の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％に印加または供給するように構成される。
第１のデバイスは、好ましくは、第１のＡＣまたはＲＦ電圧を、第２の側に配置された１つ以上の第２の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％に印加または供給するように構成される。
第１のデバイスは、好ましくは、第１のＡＣまたはＲＦ電圧を、１つ以上の中間電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％に印加または供給するように構成される。
第２のデバイスは、好ましくは、第２のＡＣまたはＲＦ電圧を、第１の側に配置された１つ以上の第１の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％に印加または供給するように構成される。
第２のデバイスは、好ましくは、第２のＡＣまたはＲＦ電圧を、第２の側に配置された１つ以上の第２の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％に印加または供給するように構成される。
第２のデバイスは、好ましくは、第２のＡＣまたはＲＦ電圧を、１つ以上の中間電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％に印加または供給するように構成される。
軸方向長さおよび／または電極間の中心間間隔は、一実施形態によると、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さに沿って、漸進的に増加、漸進的に低減、直線的に増加、直線的に低減、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減、非直線的に増加、または非直線的に低減する。
衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、ｎ個のセクションを有していてもよく、各セクションは、１つ以上の電極を有し、イオンを衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイス内に半径方向に閉じ込めるためにセクションに印加されるＡＣまたはＲＦ電圧の振幅および／または周波数および／または位相差は、時間とともに漸進的に増加、時間とともに漸進的に低減、時間とともに直線的に増加、時間とともに直線的に低減、時間とともに段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加、時間とともに段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減、時間とともに非直線的に増加、または時間とともに非直線的に低減する。
衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、好ましくは、イオンを衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイス内に半径方向に閉じ込めるように作用する擬ポテンシャル電界または電気力が、時間とともに漸進的に増加、時間とともに漸進的に低減、時間とともに直線的に増加、時間とともに直線的に低減、時間とともに段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加、時間とともに段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減、時間とともに非直線的に増加、または時間とともに非直線的に低減するように構成および適合される。
衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、好ましくは、（ｉ）＜２０ｍｍ、（ｉｉ）２０〜４０ｍｍ、（ｉｉｉ）４０〜６０ｍｍ、（ｉｖ）６０〜８０ｍｍ、（ｖ）８０〜１００ｍｍ、（ｖｉ）１００〜１２０ｍｍ、（ｖｉｉ）１２０〜１４０ｍｍ、（ｖｉｉｉ）１４０〜１６０ｍｍ、（ｉｘ）１６０〜１８０ｍｍ、（ｘ）１８０〜２００ｍｍ、および（ｘｉ）＞２００ｍｍからなる群から選択される軸方向長さを有する。
衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、好ましくは、少なくとも（ｉ）１０個未満の電極（ｉｉ）１０〜２０個の電極、（ｉｉｉ）２０〜３０個の電極、（ｉｖ）３０〜４０個の電極、（ｖ）４０〜５０個の電極、（ｖｉ）５０〜６０個の電極、（ｖｉｉ）６０〜７０個の電極、（ｖｉｉｉ）７０〜８０個の電極、（ｉｘ）８０〜９０個の電極、（ｘ）９０〜１００個の電極、（ｘｉ）１００〜１１０個の電極、（ｘｉｉ）１１０〜１２０個の電極、（ｘｉｉｉ）１２０〜１３０個の電極、（ｘｉｖ）１３０〜１４０個の電極、（ｘｖ）１４０〜１５０個の電極、または（ｘｖｉ）１５０個を超える電極を含む。
一実施形態によると、質量分析計は、好ましくは、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの上流側に配置された第１の質量フィルタまたは質量分析器をさらに備える。第１の質量フィルタまたは質量分析器は、好ましくは、（ｉ）四重極ロッドセット質量フィルタ、（ｉｉ）飛行時間質量フィルタまたは質量分析器、（ｉｉｉ）ウィーンフィルタ、および（ｉｖ）磁場型質量フィルタまたは質量分析器からなる群から選択され得る。
一実施形態によると、質量分析計は、好ましくは、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの下流側に配置された第２の質量フィルタまたは質量分析器をさらに備える。第２の質量フィルタまたは質量分析器は、好ましくは、（ｉ）四重極ロッドセット質量フィルタ、（ｉｉ）飛行時間質量フィルタまたは質量分析器、（ｉｉｉ）ウィーンフィルタ、および（ｉｖ）磁場型質量フィルタまたは質量分析器からなる群から選択され得る。
一実施形態によると、質量分析計は、好ましくは、イオンを衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さの少なくとも一部に沿っておよび／または通って駆動または付勢（ｕｒｇｉｎｇ）するための手段をさらに備える。
イオンを駆動または付勢するための手段は、好ましくは、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの第１のセクションおよび／または第２のセクションおよび／または第３のセクション、あるいは、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全長の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に沿って線形の軸方向ＤＣ電界を生成するための手段を含む。
一実施形態によると、イオンを駆動または付勢するための手段は、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの第１のセクションおよび／または第２のセクションおよび／または第３のセクション、あるいは、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全長の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に沿って非線形または階段状の軸方向ＤＣ電界を生成するための手段を含む。
一実施形態によると、質量分析計は、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの第１のセクションおよび／または第２のセクションおよび／または第３のセクション、あるいは、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全長の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に沿って維持された軸方向ＤＣ電界を、時間の関数として、漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される手段をさらに備える。
別の実施形態によると、イオンを駆動または付勢するための手段は、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの第１のセクションおよび／または第２のセクションおよび／または第３のセクション、あるいは、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全長の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に多相ＡＣまたはＲＦ電圧を印加するための手段を含む。
別の実施形態によると、イオンを駆動または付勢するための手段は、使用時に、ガスフローまたは差圧効果によって、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの第１のセクションおよび／または第２のセクションおよび／または第３のセクション、あるいは、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全長の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に沿っておよび／または通ってイオンを駆動または付勢するように構成されるガスフロー手段を含む。
特に好ましい実施形態によると、イオンを駆動または付勢するための手段は、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形を、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの第１のセクションおよび／または第２のセクションおよび／または第３のセクションの電極、あるいは、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全体を構成する電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に印加するための手段を含む。
１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形は、好ましくは、１つ以上のポテンシャル山、障壁または井戸を生成する。１つ以上の過渡ＤＣ電圧またはポテンシャル波形は、好ましくは反復波形または方形波を含む。
一実施形態によると、使用時に、複数の軸方向ＤＣポテンシャル山、障壁または井戸が、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの第１のセクションおよび／または第２のセクションおよび／または第３のセクションの長さ、または、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全長の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に沿って平行移動されるか、あるいは、複数の過渡ＤＣポテンシャルまたは電圧が、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの第１のセクションおよび／または第２のセクションおよび／または第３のセクション、または、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全長の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％を構成する電極に漸進的に印加される。
一実施形態によると、質量分析計は、１つ以上の過度ＤＣ電圧もしくはポテンシャル、または、１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形の振幅、高さ、または深さを、漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される第１の手段をさらに備える。
第１の手段は、好ましくは、１つ以上の過度ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形の振幅、高さまたは深さを長さl1にわたってｘ1ボルトだけ漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される。一実施形態によると、ｘ1は、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖ、および（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択されるのが好ましい。一実施形態によると、ｌ1は、（ｉ）＜１０ｍｍ、（ｉｉ）１０〜２０ｍｍ、（ｉｉｉ）２０〜３０ｍｍ、（ｉｖ）３０〜４０ｍｍ、（ｖ）４０〜５０ｍｍ、（ｖｉ）５０〜６０ｍｍ、（ｖｉｉ）６０〜７０ｍｍ、（ｖｉｉｉ）７０〜８０ｍｍ、（ｉｘ）８０〜９０ｍｍ、（ｘ）９０〜１００ｍｍ、（ｘｉ）１００〜１１０ｍｍ、（ｘｉｉ）１１０〜１２０ｍｍ、（ｘｉｉｉ）１２０〜１３０ｍｍ、（ｘｉｖ）１３０〜１４０ｍｍ、（ｘｖ）１４０〜１５０ｍｍ、（ｘｖｉ）１５０〜１６０ｍｍ、（ｘｖｉｉ）１６０〜１７０ｍｍ、（ｘｖｉｉｉ）１７０〜１８０ｍｍ、（ｘｉｘ）１８０〜１９０ｍｍ、（ｘｘ）１９０〜２００ｍｍ、および（ｘｘｉ）＞２００ｍｍからなる群から選択されるのが好ましい。
一実施形態によると、質量分析計は、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上のＤＣポテンシャルもしくは電圧波形が電極に印加される速度または率（ｒａｔｅ）を漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される第２の手段をさらに備える。
第２の手段は、好ましくは、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形が電極に印加される速度または率を長さｌ2にわたってｘ2ｍ／ｓだけ漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される。一実施形態によると、ｘ2は、（ｉ）＜１、（ｉｉ）１〜２、（ｉｉｉ）２〜３、（ｉｖ）３〜４、（ｖ）４〜５、（ｖｉ）５〜６、（ｖｉｉ）６〜７、（ｖｉｉｉ）７〜８、（ｉｘ）８〜９、（ｘ）９〜１０、（ｘｉ）１０〜１１、（ｘｉｉ）１１〜１２、（ｘｉｉｉ）１２〜１３、（ｘｉｖ）１３〜１４、（ｘｖ）１４〜１５、（ｘｖｉ）１５〜１６、（ｘｖｉｉ）１６〜１７、（ｘｖｉｉｉ）１７〜１８、（ｘｉｘ）１８〜１９、（ｘｘ）１９〜２０、（ｘｘｉ）２０〜３０、（ｘｘｉｉ）３０〜４０、（ｘｘｉｉｉ）４０〜５０、（ｘｘｉｖ）５０〜６０、（ｘｘｖ）６０〜７０、（ｘｘｖｉ）７０〜８０、（ｘｘｖｉｉ）８０〜９０、（ｘｘｖｉｉｉ）９０〜１００、（ｘｘｉｘ）１００〜１５０、（ｘｘｘ）１５０〜２００、（ｘｘｘｉ）２００〜２５０、（ｘｘｘｉｉ）２５０〜３００、（ｘｘｘｉｉｉ）３００〜３５０、（ｘｘｘｉｖ）３５０〜４００、（ｘｘｘｖ）４００〜４５０、（ｘｘｘｖｉ）４５０〜５００、および（ｘｘｘｖｉｉ）＞５００からなる群から選択されるのが好ましい。一実施形態によると、ｌ2は、（ｉ）＜１０ｍｍ、（ｉｉ）１０〜２０ｍｍ、（ｉｉｉ）２０〜３０ｍｍ、（ｉｖ）３０〜４０ｍｍ、（ｖ）４０〜５０ｍｍ、（ｖｉ）５０〜６０ｍｍ、（ｖｉｉ）６０〜７０ｍｍ、（ｖｉｉｉ）７０〜８０ｍｍ、（ｉｘ）８０〜９０ｍｍ、（ｘ）９０〜１００ｍｍ、（ｘｉ）１００〜１１０ｍｍ、（ｘｉｉ）１１０〜１２０ｍｍ、（ｘｉｉｉ）１２０〜１３０ｍｍ、（ｘｉｖ）１３０〜１４０ｍｍ、（ｘｖ）１４０〜１５０ｍｍ、（ｘｖｉ）１５０〜１６０ｍｍ、（ｘｖｉｉ）１６０〜１７０ｍｍ、（ｘｖｉｉｉ）１７０〜１８０ｍｍ、（ｘｉｘ）１８０〜１９０ｍｍ、（ｘｘ）１９０〜２００ｍｍ、および（ｘｘｉ）＞２００ｍｍからなる群から選択される。
一実施形態によると、質量分析計は、第１のグループの電極に印加される第１のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅を、時間の関数として、漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される第３の手段をさらに備える。
一実施形態によると、質量分析計は、第１のグループの電極に印加される第１のＲＦまたはＡＣ電圧の周波数を、時間の関数として、漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される第４の手段をさらに備える。
一実施形態によると、質量分析計は、第２のグループの電極に印加される第２のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅を、時間の関数として、漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される第５の手段をさらに備える。
一実施形態によると、質量分析計は、第２のグループの電極に印加される第２のＲＦまたはＡＣ電圧の周波数を、時間の関数として、漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される第６の手段をさらに備える。
一実施形態によると、質量分析計は、一動作モードにおいて、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを（ｉ）＞１．０×１０-3ｍｂａｒ、（ｉｉ）＞１．０×１０-2ｍｂａｒ、（ｉｉｉ）＞１．０×１０-1ｍｂａｒ、（ｉｖ）＞１ｍｂａｒ、（ｖ）＞１０ｍｂａｒ、（ｖｉ）＞１００ｍｂａｒ、（ｖｉｉ）＞５．０×１０-3ｍｂａｒ、（ｖｉｉｉ）＞５．０×１０-2ｍｂａｒ、（ｉｘ）１０-4〜１０-3ｍｂａｒ、（ｘ）１０-3〜１０-2ｍｂａｒ、および（ｘｉ）１０-2〜１０-1ｍｂａｒからなる群から選択される圧力に維持するための手段をさらに備える。
一動作モードにおいて、イオンは、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイス内にトラップされるが、実質的にさらにフラグメンテーションまたは反応しないように配置され得る。
一実施形態によると、質量分析器は、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイス内でイオンを衝突により冷却するか、または実質的に熱化するための手段をさらに備える。
質量分析器は、好ましくは、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの入口および／または出口に配置される１つ以上の電極をさらに備え、一動作モードにおいて、イオンがパルス化されて衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ入力および／またはそこから出力される。
一実施形態によると、質量分析計は、イオン源をさらに備える。イオン源は、好ましくは、（ｉ）エレクトロスプレーイオン化（「ＥＳＩ」）イオン源、（ｉｉ）大気圧光イオン化（「ＡＰＰＩ」）イオン源、（ｉｉｉ）大気圧化学イオン化（「ＡＰＣＩ」）イオン源、（ｉｖ）マトリックス支援レーザ脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源、（ｖ）レーザ脱離イオン化（「ＬＤＩ」）イオン源、（ｖｉ）大気圧イオン化（「ＡＰＩ」）イオン源、（ｖｉｉ）シリコンを用いた脱離イオン化（「ＤＩＯＳ」）イオン源、（ｖｉｉｉ）電子衝突（「ＥＩ」）イオン源、（ｉｘ）化学イオン化（「ＣＩ」）イオン源、（ｘ）電界イオン化（「ＦＩ」）イオン源、（ｘｉ）電界脱離（「ＦＤ」）イオン源、（ｘｉｉ）誘導結合プラズマ（「ＩＣＰ」）イオン源、（ｘｉｉｉ）高速原子衝撃（「ＦＡＢ」）イオン源、（ｘｉｖ）液体二次イオン質量分析（「ＬＳＩＭＳ」）イオン源、（ｘｖ）脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、（ｘｖｉ）ニッケル−６３放射性イオン源、および（ｘｖｉｉ）サーモスプレーイオン源からなる群から選択される。
イオン源は、連続またはパルス化イオン源を含み得る。
一実施形態によると、質量分析計は、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの上流および／または下流に配置される１つ以上のイオンガイドまたはイオントラップをさらに備え得る。
１つ以上のイオンガイドまたはイオントラップは、好ましくは、
（ｉ）四重極ロッドセット、六重極ロッドセット、八重極ロッドセットもしくは８個より多くのロッドを含むロッドセットを含む多重極ロッドセットまたはセグメント化多重極ロッドセットイオンガイドまたはイオントラップ、
（ｉｉ）使用時にイオンが移送されるアパーチャを有する複数の電極または少なくとも２、５、１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０もしくは１００個の電極を含むイオントンネルもしくはイオンファンネルイオンガイドまたはイオントラップであって、電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％は、実質的に同じサイズまたは面積のアパーチャを有するか、またはサイズもしくは面積が漸進的により大きくおよび／またはより小さくなるアパーチャを有する、イオントンネルもしくはイオンファンネルイオンガイドまたはイオントラップ、
（ｉｉｉ）複数のまたは少なくとも２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９もしくは２０個の平面、プレートまたはメッシュ電極を含み、平面、プレートまたはメッシュ電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％は、使用時にイオンが移動する平面に概ね配置される、平面、プレートまたはメッシュ電極のスタックまたはアレイ、および
（ｉｖ）イオントラップまたはイオンガイドの長さに沿って軸方向に配置される複数のグループの電極を含むイオントラップまたはイオンガイドであって、各グループの電極は、（ａ）第１および第２の電極、ならびにイオンをイオンガイド内に第１の半径方向に閉じ込めるためにＤＣ電圧またはポテンシャルを第１および第２の電極に印加するための手段、および（ｂ）第３および第４の電極、ならびにイオンをイオンガイド内に第２の半径方向に閉じ込めるためにＡＣまたはＲＦ電圧を第３および第４の電極に印加するための手段を含む、イオントラップまたはイオンガイドからなる群から選択される。
質量分析計は、好ましくは、質量分析器を含む。質量分析器は、好ましくは、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの下流側に配置される。質量分析器が、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの上流側に設けられ得る好ましさがやや劣る好ましい実施形態も考えられる。
質量分析器は、好ましくは、（ｉ）フーリエ変換（「ＦＴ」）質量分析器、（ｉｉ）フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴（「ＦＴＩＣＲ」）質量分析器、（ｉｉｉ）飛行時間（「ＴＯＦ」）質量分析器、（ｉｖ）直交加速飛行時間（「ｏａＴＯＦ」）質量分析器、（ｖ）軸方向加速飛行時間質量分析器、（ｖｉ）磁場型質量分析計、（ｖｉｉ）ポールまたは三次元四重極質量分析器、（ｖｉｉｉ）二次元または線形四重極質量分析器、（ｉｘ）ペニングトラップ質量分析器、（ｘ）イオントラップ質量分析器、（ｘｉ）フーリエ変換オービトラップ、（ｘｉｉ）静電イオンサイクロトロン共鳴質量分析計、（ｘｉｉｉ）静電フーリエ変換質量分析計、および（ｘｉｖ）四重極ロッドセット質量フィルタまたは質量分析器からなる群から選択され得る。
本発明の別の態様によると、
少なくとも第１のグループの電極を含む第１のセクションと、第２の別グループの電極を含む第２の別のセクションとを有する、複数の電極を含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを準備する工程と、
第１の周波数および第１の振幅を有する第１のＡＣまたはＲＦ電圧を、第１の質量電荷比を有するイオンが、第１のグループの電極もしくは第１のセクション内に半径方向にイオンを閉じ込めるように作用する第１の強度もしくは大きさを有する第１の半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように、第１のグループの電極に印加または供給する工程と、
第２の周波数および第２の振幅を有する第２のＡＣまたはＲＦ電圧を、第１の質量電荷比を有するイオンが、第２のグループの電極もしくは第２のセクション内に半径方向にイオンを閉じ込めるように作用する第２の強度もしくは大きさを有する第２の半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように、第２のグループの電極に印加または供給する工程であって、第２の強度もしくは大きさは、第１の強度もしくは大きさとは異なる工程とを含む質量分析方法が提供される。
本発明の別の態様によると、少なくとも第１のセクションと第２の別のセクションとを有する衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを備え、
衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、第１の質量電荷比を有するイオンが、第１のセクション内で第１の半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受け、第２のセクション内で第２の異なる半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように構成および適合される質量分析計が提供される。
本発明の別の態様によると、
少なくとも第１のセクションと、第２の別のセクションとを有する、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを準備する工程と、
第１の質量電荷比を有するイオンが、第１のセクション内で第１の半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように配置する工程と、
第１の質量電荷比を有するイオンが、第２のセクション内で第２の異なる半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように配置する工程とを含む質量分析方法が提供される。
本発明の別の態様によると、複数の電極を含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを備え、電極のアスペクト比が衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの長さに沿って変化し、使用時に、第１の質量電荷比を有するイオンが、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの長さに沿って変化する半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受ける質量分析計が提供される。
一実施形態によると、電極内のアパーチャの内径は、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さに沿って、漸進的に増加、漸進的に低減、直線的に増加、直線的に低減、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減、非直線的に増加、または非直線的に低減し得る。あるいは／さらに、電極の軸方向の厚さは、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さに沿って、漸進的に増加、漸進的に低減、直線的に増加、直線的に低減、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減、非直線的に増加、または非直線的に低減する。あるいは／さらに、電極間の軸方向間隔は、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さに沿って、漸進的に増加、漸進的に低減、直線的に増加、直線的に低減、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減、非直線的に増加、または非直線的に低減する。
本発明の別の態様によると、
複数の電極を含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを準備する工程を含み、電極のアスペクト比が衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの長さに沿って変化し、
第１の質量電荷比を有するイオンが、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの長さに沿って変化する半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受ける質量分析方法が提供される。
一実施形態によると、電極内のアパーチャの内径は、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さに沿って、漸進的に増加、漸進的に低減、直線的に増加、直線的に低減、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減、非直線的に増加、または非直線的に低減する。あるいは／さらに、電極の軸方向の厚さは、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さに沿って、漸進的に増加、漸進的に低減、直線的に増加、直線的に低減、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減、非直線的に増加、または非直線的に低減し得る。あるいは／さらに、電極間の軸方向間隔は、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さに沿って、漸進的に増加、漸進的に低減、直線的に増加、直線的に低減、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減、非直線的に増加、または非直線的に低減し得る。
本発明の別の態様によると、使用時に、第１の質量電荷比を有するイオンが、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さに沿って漸進的に増加、漸進的に低減、直線的に増加、直線的に低減、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減、非直線的に増加、または非直線的に低減する半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受ける衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを備える質量分析計が提供される。
本発明の別の態様によると、第１の質量電荷比を有するイオンが、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さに沿って漸進的に増加、漸進的に低減、直線的に増加、直線的に低減、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減、非直線的に増加、または非直線的に低減する半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受ける衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを準備する工程を含む質量分析方法が提供される。
本発明の別の態様によると、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを備え、使用時に、イオンが、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に沿って変化する半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受ける質量分析計が提供される。
本発明の別の態様によると、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを準備する工程を含み、イオンが、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に沿って変化する半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受ける質量分析方法が提供される。
本発明の別の態様によると、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを備え、使用時に、第１の質量電荷比を有するイオンが、第１の時間に第１のゼロでない半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受け、後の第２の時間に第２の異なるゼロでない半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受ける質量分析計が提供される。
本発明の別の態様によると、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを準備する工程を含み、第１の質量電荷比を有するイオンが、第１の時間に第１のゼロでない半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受け、後の第２の時間に第２の異なるゼロでない半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受ける質量分析方法が提供される。
本発明の別の態様によると、
第１のセクションと第２のセクションとを有する衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスと、
第１のセクションおよび／または第２のセクション、あるいは、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全長の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、または１００％に沿って維持される半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を、時間の関数として、漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される手段とを備える質量分析計が提供される。
本発明の別の態様によると、
第１のセクションと第２のセクションとを有する衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを準備する工程と、
第１のセクションおよび／または第２のセクション、あるいは、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全長の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、または１００％に沿って維持される半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を、時間の関数として、漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させる工程とを含む質量分析方法が提供される。
本発明の別の態様に関連して上述したさらに好ましい特徴は、上記のように、本発明の他のすべての態様に同様に適用される。
好ましい実施形態は、好ましくはＡＣまたはＲＦイオンガイドを有するガス衝突セルに関する。ガス衝突セルは、好ましくは、親または前駆イオンを受け取るように構成される。２つ以上の異なるＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは、親および得られるフラグメントイオンの半径方向の閉じ込めを最適化するために、ＡＣまたはＲＦイオンガイドの長さに沿って２つ以上の異なる位置でＡＣまたはＲＦイオンガイドを形成する電極に印加される。
好ましい実施形態によると、ガス衝突セルを形成するＡＣまたはＲＦイオンガイドは、少なくとも２つの異なるセグメントまたはセクションに分離され、異なるＡＣまたはＲＦ電圧が異なるセグメントまたはセクションに印加される。別のセグメントまたはセクションは、同じ長さであってもよいし、異なる長さであってもよい。
好ましい実施形態によると、ガス衝突セルの入口領域でＡＣまたはＲＦイオンガイドの電極に印加されるＡＣまたはＲＦ電圧および周波数は、好ましくは、親または前駆イオンが最適効率で確実にガス衝突セルに送信されるように構成される。同様に、ガス衝突セルの出口領域でＡＣまたはＲＦイオンガイドの電極に印加されるＡＣまたはＲＦ電圧および周波数は、好ましくは、ガス衝突セル内に形成される生成またはフラグメントイオンが、最適効率で確実に衝突セルの出口まで送信され得るように構成される。
親または前駆イオンは、ガス衝突セルに入り、生成またはフラグメントイオンは、ガス衝突セルから出るが、ガス衝突セルの長さに沿ったどの点で移行が生じるのかは正確には分からない。異なる親または前駆イオンが、ガス衝突セルの長さに沿った異なる点で生成またはフラグメントイオンにフラグメント化されるようである。場合によっては、親または前駆イオンは、ガス衝突セルの長さに沿った第１の点で第１世代の生成またはフラグメントイオンにフラグメント化され、次に、第１世代の生成またはフラグメントイオンは、ガス衝突セルの長さに沿った第２の異なる点において第２世代の生成またはフラグメントイオンにフラグメント化される。
多くの親または前駆イオンは、ガス衝突セルの長さに沿ってかなりの距離を移動し、十分に加熱される（即ち、内部エネルギーが十分に増加する）前に多数回衝突して、フラグメントに誘導されると考えられる。
好ましい実施形態によると、第１および第２のＡＣまたはＲＦ電圧および周波数は、好ましくは、親または前駆イオンが、ガス衝突セルに入った後、ガス衝突セルのかなりの長さに沿って実質的に最適な様式で移送されるように構成される。
一般的には、最初に形成された時点での生成またはフラグメントイオンの運動エネルギーは、比較的高い（例えば、数電子ボルト）。しかし、通常、生成またはフラグメントイオンがガス衝突セルを出る前にこれらを冷却する（即ち、運動エネルギーおよびエネルギーの広がりを低減させる）ことも望ましい。これにより、ガス衝突セルの下流側に配置され、ガス衝突セルから発生する（ｅｍｅｒｇｅ）生成またはフラグメントイオンを分析するために用いられる質量分析器の性能の向上が助けられる。従って、実験条件は、通常、生成またはフラグメントイオンが、ガス衝突セルを出る前に衝突によって冷却され得るように、ガス衝突セルの出口よりある程度前に形成されるように設定される。理想的には、生成イオンは、ガス衝突セルを出るまでに、熱化される（即ち、運動エネルギーは、浴ガス（ｂａｔｈ ｇａｓ）の運動エネルギーまで低減される）。
好ましい実施形態によると、第１および第２のＡＣまたはＲＦ電圧および周波数は、好ましくは、生成またはフラグメントイオンが、ガス衝突セルを出る前にガス衝突セルの十分な長さに沿って実質的に最適に移送されるように構成される。
一実施形態によると、２つの別のＡＣまたはＲＦ電圧は、ガス衝突セルから発生する生成またはフラグメントイオンの収率を最適にするために、ガス衝突セルの長さに沿って提供され得る。しかし、場合によっては、３つ以上のＡＣまたはＲＦ電圧がガス衝突セルの長さに沿って異なる領域にわたって与えられるように構成することによってもさらなる利点が得られ得る。
好ましさがやや劣る好ましい実施形態によると、ガス衝突セルを形成する電極に与えられるＡＣまたはＲＦ電圧は、ガス衝突セルの入口領域で親または前駆イオンの移送に対して最適化されたものから、ガス衝突セルからの出口で生成またはフラグメントイオンの移送に対して最適化されたものへと漸進的に変化し得る。
一実施形態によると、３つ以上のグループの電極またはセグメントをガス衝突セルの長さに沿って提供してもよい。第１のＡＣまたはＲＦ電圧は、第１のグループの電極またはセグメントに印加され、第２のＡＣまたはＲＦ電圧は、第２およびそれ以降のグループの電極またはセグメントに印加され得る。例えば、ＲＦイオンガイドは、４つの長さの等しいセグメントとして配置され、第１のＡＣまたはＲＦ電圧は、第１のセグメントに印加され、第２のＡＣまたはＲＦ電圧は、第２、第３および第４のセグメントに印加される。
別の実施形態によると、第１のＡＣまたはＲＦ電圧は、第１および第２のセグメントに印加され、第２のＡＣまたはＲＦ電圧は、第３および第４のセグメントに印加され得る。
別の実施形態によると、第１のＡＣまたはＲＦ電圧は、第１、第２および第３のセグメントに印加され、第２のＡＣまたはＲＦ電圧は、第４のセグメントに印加され得る。
様々な実施形態により、ＲＦ電圧が１つ電圧から別の電圧に変化するガス衝突セルの長さに沿った位置は、ガス衝突セルから出る生成またはフラグメントイオンの収率を最大にするように最適化される。
このアプローチは、別の実施形態によると、３つ以上の異なるＡＣまたはＲＦ電圧がガス衝突セルの長さに沿って電極のグループに印加されるように拡張され得る。３つ以上のＡＣまたはＲＦ電圧が変化するガス衝突セルの長さに沿った位置は、ガス衝突セルを出た生成またはフラグメントイオンの収率を最大化するように最適化され得る。
特定の好ましい実施形態によると、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの１つ以上のセクションに沿って維持される擬ポテンシャル電界の半径方向の閉じ込めを使用中に変更してもよい。
ＲＦイオンガイドの異なるセグメントは、等しいかまたは不均一な長さであってもよい。
特定の好ましい実施形態によると、ガス衝突セルは、ＡＣまたはＲＦ電圧が近隣のリング間に印加されるリングスタックまたはイオントンネルイオンガイドを含み得る。１つ以上のＤＣ電圧勾配は、好ましくは、ガス衝突セルの入口領域から出口領域への１つの方向にイオンを付勢（ｕｒｇｅ）するように、ガス衝突セルの全長または実質的な長さに沿って印加され得る。あるいは、または、さらに、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形は、ガス衝突セルを構成する電極に印加されてもよく、または、好ましくは、ガス衝突セルの入口領域から出口領域への１つの方向にイオンを付勢するように電極上に重畳されていもよい。
１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル、または、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形は、好ましくは、ガス衝突セルの長さに沿って規則的な間隔で特定のリングまたは電極に印加され、好ましくは、近隣のリングもしくは電極に規則正しくシフトして１つ以上の過渡ＤＣ電圧またはポテンシャルがシフトされる方向にイオンを付勢する一連のまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧またはポテンシャルを含む。リングまたは電極は、各グループにおける各リングまたは電極に印加されるＲＦ電圧が、同じであるが、異なるグループにおけるリングまたは電極に印加されるＲＦ電圧とは異なるような２つ以上のグループに分割またはグループ化され得る。
ＲＦリングスタックまたはイオントンネルイオンガイドを用いる利点は、イオンガイドが、多数の別個の軸方向セクションに比較的容易に分割され得ることである。従って、異なるＡＣまたはＲＦ電圧は、ガス衝突セルの長さに沿って異なるセクションに印加され得る。
個々のリングまたは電極にそれぞれ印加されるＡＣまたはＲＦ電圧が異なっていてもよい実施形態も考えられる。この実施形態によると、電極に印加されるＡＣまたはＲＦ電圧は、イオンガイドの長さに沿って連続して変化し得る。ＡＣまたはＲＦ電圧は、イオンガイドまたはガス衝突セルの長さに沿って線形または非線形に変化し得る。
ＡＣまたはＲＦ電界の大きさが変化するイオンガイドの軸に沿った位置では、その領域を通過するイオンが、実質上、ＡＣまたはＲＦ電界が弱くなる方向に軸方向の力を受けることに留意されたい。これはまた、不均一なＲＦ電界の存在下で可動荷電粒子にかかる時間平均力（ｔｉｍｅ−ａｖｅｒａｇｅｄ ｆｏｒｃｅ）を示している。これは、擬ポテンシャル差から生じる擬似力（ｐｓｅｕｄｏ−ｆｏｒｃｅ）と呼ばれ得る。擬ポテンシャル差は、イオンの質量電荷比に依存し、質量電荷比が小さくなるほど、擬ポテンシャル差は大きくなる。
大抵の場合、生成またはフラグメントイオンの質量電荷比は、親または前駆イオンの質量電荷比よりも小さくなるため、ガス衝突セルの出口での最適なＲＦ電界は、好ましくは、ガス衝突セルの入口でのＲＦ電界よりも小さい。従って、これらの場合、ガス衝突セルの長さに沿ってＡＣまたはＲＦ電界の大きさが変化した結果、イオンは、好ましくは、軸方向の力を受け、この力は、好ましくは、ガス衝突セルの出口に向かって前方にイオンを前進させる。一般に、これは、好ましい実施形態のさらなる利点である。なぜなら、ガス衝突セル内に存在する背景ガスは、通常、イオンの通過時間が過度に長くなるようにイオンの動きを遅くするからである。有利なことに、ＲＦ電界強度の低減から生じた擬似力は、イオンをガス衝突セルの出口に向かって加速するため、ガス衝突セルでのイオンの通過時間は低減される。
一実施形態では、スタックリングまたはイオントンネルイオンガイドが設けられ、個々のリングまたは電極にそれぞれ印加されるＡＣまたはＲＦ電圧が異なり（それによって、ＡＣまたはＲＦ電圧が、連続して衝突セルの長さに沿って低減する）、イオンは、ガス衝突セルの出口領域に向かってイオンを加速する連続した擬似力を受ける。擬似力は、イオンが衝突セルの長さに沿って移動する間に連続してイオンに作用する。
生成またはフラグメントイオンの質量電荷比が対応の親または前駆イオンの質量電荷比よりも大きくなってもよい。例えば、親または前駆イオンは、バッファガス分子と結合または反応して、親または前駆イオンの質量電荷比よりも高い質量電荷比を有する生成または付加イオンを生成し得る。あるいは、親または前駆イオンは、多重に帯電されてもよく（ｍｕｌｔｉｐｌｙ ｃｈａｒｇｅｄ）、フラグメントイオンは、より低い質量、より低い帯電状態、およびより高い質量電荷比を有していてもよい。これらの場合、ガス衝突セルの出口領域でのＡＣまたはＲＦ電界は、衝突セルの入口領域でのＡＣまたはＲＦ電界よりも大きくてもよい。本実施形態によると、イオンは、比較的低いＡＣまたはＲＦ電界強度の領域から、比較的高いＡＣまたはＲＦ電界強度の領域へと通過するため、イオンに作用する擬似力を受け得る。この場合、イオンをガス衝突セルの出口領域へ推進するためのさらなる手段が設けられ得る。一実施形態によると、ＤＣ電圧勾配は、ＲＦ電界強度が変化する領域にわたって、または、ガス衝突セルの全長にわたって、イオンをガス衝突セルの出口領域への加速するように印加され得る。あるいは、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル、または、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形が、イオンをガス衝突セルの出口領域へ推進するように、衝突セルを構成する電極に重畳され得る。
別の好ましさがやや劣る好ましい実施形態によると、ＡＣまたはＲＦ電界強度は、ＡＣまたはＲＦ電圧が印加される電極の機械的寸法を変更することによって、ガス衝突セルの長さに沿った１つ以上の位置で変化し得る。例えば、リンススタックイオンガイドの場合、ＡＣまたはＲＦ電界強度は、電極アパーチャの内径を増加させ、および／または、同様に印加されるＲＦ電圧用の電極間の間隔を増加させることによって低減され得る。
別の実施形態によると、連続したイオンビームではなく、イオンパケットが、衝突セルで受けられ得る。衝突セルに印加されるＡＣまたはＲＦ電圧は、イオンパケットが衝突セルを通過するにつれて低減し得る。同じ質量電荷比を有する多数のイオンが実質的に同時に実質的に同じエネルギーでガス衝突セルに入ると、これらのイオンは、実質的に一緒に、ガス衝突セルを移動する。親イオンの多くは、ガス衝突セルの長さに沿ったほぼ同じ位置で、ほぼ同時にフラグメント化される。ガス衝突セルに印加されるＡＣまたはＲＦ電圧は、親または前駆イオンがフラグメント化されると予想される時間と一致する時間に大きさが変動するように構成され得る。
あるいは、ＡＣまたはＲＦ電圧は、イオンがガス衝突セルの長さに沿って通過するにつれて連続して変化するように構成され得る。ＡＣまたはＲＦ電圧は、イオン過渡時において、非連続的もしくは連続的に、線形もしくは非線形に変化するように構成され得る。
一実施形態によると、ＡＣまたはＲＦ電圧は、親または前駆イオンが、多くの異なる第１世代のフラグメントイオンにフラグメント化され、第１世代のフラグメントイオンが、さらに、いくつかの異なる種の第２世代のフラグメントイオンにフラグメント化され得るとき、連続して非直線に変化し得る。
ガス衝突セルに到達するイオンは、ＭＡＬＤＩイオン源、レーザ脱離イオン化イオン源、ＤＩＯＳ（シリコンを用いた脱離イオン化）イオン源、または他のレーザアブレーションイオン源などの非連続イオン源が衝突セルに関連して用いられる場合、バーストまたはパケットで到達し得る。あるいは、連続または非連続イオン源からのイオンは、好ましくは、ガス衝突セルの上流に位置する捕捉領域に蓄積され得る。次に、イオンは、バーストまたはパケットでガス衝突セルに放出され得る。ガス衝突セルイオンガイドに印加されるＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは、ガス衝突セルをイオンが通過するのと同期して段階的に増加（ｓｔｅｐｐｅｄ）または走査される。
別の実施形態によると、ＡＣまたはＲＦイオンガイドは、ＡＣまたはＲＦ電圧が近隣のプレート間に印加される、イオンガイドの軸に垂直な面を有する平坦プレートのスタックを含み得る。ＡＣまたはＲＦイオンガイドは、異なるＡＣまたはＲＦ電圧をガス衝突セルの長さに沿って異なるセクションに印加させる複数の要素または軸方向セクションに分割される。
好ましさがやや劣る好ましい実施形態によると、ＡＣまたはＲＦイオンガイドは、四重極、六重極もしくは八重極ロッドセットイオンガイド等のセグメント化多重極ロッドセットイオンガイドを含み得る。ロッドセットイオンガイドは、好ましくは、異なるＡＣまたはＲＦ電圧がＡＣまたはＲＦイオンガイドの異なるセグメントに印加されるようにその長さに沿ってセグメント化される。
別の好ましさがやや劣る好ましい実施形態によると、ＡＣまたはＲＦイオンガイドは、セグメント化平坦プレートイオンガイドを含み、プレートは、好ましくは、プレートの面をイオンガイドの軸に平行に配置したサンドイッチ形状で構成される。ＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは、近隣のプレート間に印加される。プレートは、好ましくは、異なるＡＣまたはＲＦ電圧が、ＡＣまたはＲＦイオンガイドの異なるセグメントに印加され得るように、その長さに沿ってセグメント化される。
図１は、リングスタックまたはイオントンネルアセンブリを含む公知のＲＦイオンガイドの一例を示す。 図２は、第１の四重極質量フィルタ、ガス衝突セル、および第２の四重極質量フィルタを含む公知のトリプル四重極配置を示す。 図３は、第１の四重極質量フィルタ、ガス衝突セル、および第２の四重極質量フィルタを含み、ガスセルが、２つのセグメントまたはセクションに分割され、各セグメントに印加されるＲＦ電圧の振幅が異なる、本発明の好ましい実施形態を示す。 図４は、第１の四重極質量フィルタ、ガス衝突セル、および第２の四重極質量フィルタを含み、ガスセルが３つのセグメントまたはセクションに分割され、各セグメントまたはセクションに印加されるＲＦ電圧の振幅が異なる、本発明の別の実施形態を示す。
以下、本発明の様々な実施形態について実施例のみを用いて添付の図面を参照しながら説明する。
以下、本発明の好ましい実施形態を説明する。図１は、リングまたはイオントンネルスタックアセンブリ１を含むＲＦイオンガイドを、あくまで例として示す。イオンガイドは、リング電極２ａ、２ｂのスタックを含む。逆位相のＡＣまたはＲＦ電圧が軸方向に隣接した電極２ａ、２ｂに印加される。
電極は、およそ０．５ｍｍの厚みを有し、軸方向中心間間隔は、１〜１．５ｍｍの範囲内である。リング電極の内径は、直径が４ｍｍ〜６ｍｍの範囲内であり得る。
ＡＣまたはＲＦ電圧の周波数は、３００ｋＨｚ〜３ＭＨｚの範囲内であり、ＡＣまたはＲＦ電圧は、５００〜１０００Ｖピークトゥピークの範囲内の振幅を有する。ＡＣまたはＲＦ電圧の最適振幅は、アセンブリの正確な寸法、ＡＣまたはＲＦ電圧の周波数、および移送されるイオンの質量電荷比に依存する。
図２は、公知のタンデム四重極質量分析計またはトリプル四重極構成を示す。公知の構成は、第１の四重極質量フィルタ３、ガス衝突セル４、および第２の四重極質量フィルタ５を含む。ガス衝突セル４は、ハウジング４内に設けられたＲＦリングスタックまたはイオントンネルイオンガイド１を含む。ガスをガス衝突セル４に導入するための手段６が設けられる。ガス衝突セル４を通過するイオンは、衝突によって誘導される分解を受け、衝突セル４内に生成または形成される複数のフラグメントまたは娘イオンとなるように構成される。
ガス衝突セル４内に配置されるリングスタックまたはイオントンネルガイド１には、ＡＣまたはＲＦ生成器７によって単一のＡＣまたはＲＦ電圧が与えられる。イオン源（図示無し）からのイオンは、第１の四重極質量フィルタ３に移送される。第１の四重極質量フィルタ３は、特定のまたは所望の質量電荷比を有する親または前駆イオンを移送し、異なるまたは望ましくない質量電荷比を有する他のすべてのイオンを減衰するように構成される。第１の四重極質量フィルタ３によって選択される親または前駆イオンは、ガス衝突セル４へ向かって前方に移送される。親または前駆イオンがガス衝突セル４に入ると、イオンは、多数回エネルギー衝突する。親または前駆体イオンは、フラグメントまたは娘イオンにフラグメント化されるように誘導される。得られるフラグメントまたは娘イオンは、ガス衝突セル４を離れて、第２の四重極質量フィルタ５へ向かって前方に移送される。特定の質量電荷比を有する娘またはフラグメントイオンは、第２の四重極質量フィルタ５によって前方に移送される。第２の四重極質量フィルタ５によって前方に移送されるイオンは、イオン検出器（図示無し）によって検出される。
図３は、本発明の好ましい実施形態によるトリプル四重極またはタンデム質量分析計を示す。好ましい実施形態によると、リングスタックまたはイオントンネルイオンガイド１は、ガス衝突セル４内に設けられる。イオンガイド１の第１の上流グループの電極には、第１のＡＣまたはＲＦ生成器７ａによって供給される第１のＡＣまたはＲＦ電圧が与えられ、第２の下流グループの電極には、第２の別のＡＣまたはＲＦ生成器７ｂによって供給される第２のＡＣまたはＲＦ電圧が与えられる
第１のＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは、第１の四重極質量フィルタ３によって選択された親または前駆イオンがガス衝突セル４の上流部分またはセクションに移送され、ガス衝突セル４内に実質的に最適に半径方向に閉じ込められることを確実にする周波数および振幅を有するように構成される。
第２のＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは、ガス衝突セル４内に形成または作成されるフラグメントまたは娘イオンが、好ましくは、ガス衝突セル４の下流部分を通って移送され、実質的に最適にガス衝突セル４内に半径方向に閉じ込められ、次に、フラグメントまたは娘イオンが、好ましくは、第２の四重極質量フィルタ５または他のイオン光学デバイスへ向かって前方に移送されるようにすることを確実にする周波数および振幅を有するように構成される。
イオンガイド１の電極に印加される第１および第２のＡＣまたはＲＦ電圧は、単一のＲＦ生成器から生成され得る。ＲＦ生成器からの第１の出力は、実質的に減衰されずに、第１の上流グループの電極に与えられ得る。ＲＦ生成器からの第２の出力は、減衰器を通過し、ＡＣまたはＲＦ電圧の振幅を低減するように構成され得る。低減された振幅のＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは、第２の下流グループの電極に与えられる。
一実施形態によると、ＲＦイオンガイド１（または衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイス）の２つのセグメントまたはセクションは、同じ長さを有するように構成され得るか、または、異なる長さで交互に構成され得る。
例示により、例えば、６００の質量電荷比を有する親または前駆イオンは、ガス衝突セル４に入るように構成され得る。２００Ｖピークトゥピークの振幅を有する第１のＡＣまたはＲＦ電圧は、第１の上流グループの電極に印加され得る。例えば、１９５の質量電荷比を有するフラグメントイオンは、ガス衝突セル４で形成され、１００Ｖピークトゥピークのより低い振幅を有する第２のＡＣまたはＲＦ電圧は、第２の下流グループの電極に印加され得る。このように、親または前駆イオンが受け取られ、半径方向に実質的に最適に閉じ込められる。同様に、ガス衝突セル４の長さに沿って、ほぼ中間点で形成されるフラグメントまたは娘イオンは、実質的に最適に半径方向に閉じ込められると共に、ガス衝突セル４の出口に向かって前方に移送される。
図４は、３つの別個のＡＣまたはＲＦ生成器７ａ、７ｂ、７ｃが、ガス衝突セル４に設けられたイオンガイド１を構成する電極に、３つの異なるＡＣまたはＲＦ電圧を提供するために用いられる本発明の別の実施形態を示す。
第１のＡＣまたはＲＦ生成器７ａは、好ましくは、第１のＡＣまたはＲＦ電圧を、イオンガイド１を構成する第１の上流グループの電極に提供するように構成される。第１のＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは、第１の四重極質量フィルタ３によって選択された親または前駆イオンが、実質的に最適にガス衝突セル４の上流領域に移送されることを確実にするように構成される。
第３のＡＣまたはＲＦ生成器７ｃは、好ましくは、第３のＡＣまたはＲＦ電圧を、イオンガイド１を構成する第３の下流グループの電極に与えるように構成される。第３のＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは、ガス衝突セル４内で生成または作成されたフラグメントまたは娘イオンが、好ましくは、実質的に最適にガス衝突セル４から第２の四重極質量フィルタ５（または他のイオン光学デバイス）に向かって前方に移送されることを確実にするように構成される。
第２のＡＣまたはＲＦ生成器７ｂは、好ましくは、第２のＡＣまたはＲＦ電圧を、イオンガイド１を構成する第２の中間グループの電極に与えるように構成される。第２のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅および／または周波数は、好ましくは、第１のＡＣまたはＲＦ生成器７ａによって上流グループの電極に与えられる第１のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅および／または周波数と、第３のＡＣまたはＲＦ生成器７ｃによって第３の下流グループの電極に与えられる第３のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅および／または周波数との中間である。
一実施形態によると、第２のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅および／または周波数は、ガス衝突セル４を離れるフラグメントまたは娘イオンの収率を最適にするために調整され得る。ＲＦイオンガイド１の異なるセグメントの長さ、または、第１および／または第２および／または第３のグループの電極の長さは、同じであっても同じでなくてもよい。
本発明を好ましい実施形態を参照しながら説明したが、当業者には言うまでもなく、形状および詳細における種々の変更は、上記の好ましい実施形態に対して、添付の請求項に記載される発明の範囲から逸脱しないようになされ得る。

Claims (124)

  1. 少なくとも第１のグループの電極を含む第１のセクションと第２の別のグループの電極を含む第２の別のセクションとを有する、複数の電極を含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスと、
    第１の周波数および第１の振幅を有する第１のＡＣまたはＲＦ電圧を、使用時に、第１の質量電荷比を有するイオンが、前記第１のグループの電極もしくは前記第１のセクション内に半径方向にイオンを閉じ込めるように作用する第１の強度もしくは大きさを有する第１の半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように、前記第１のグループの電極に印加または供給するための第１のデバイスと、
    第２の周波数および第２の振幅を有する第２のＡＣまたはＲＦ電圧を、使用時に、前記第１の質量電荷比を有するイオンが、前記第２のグループの電極もしくは前記第１のセクション内に半径方向にイオンを閉じ込めるように作用する第２の強度もしくは大きさを有する第２の半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように、前記第２のグループの電極に印加または供給するための第２のデバイスとを備え、前記第２の強度もしくは大きさは、前記第１の強度もしくは大きさとは異なる質量分析計。
  2. 前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧は、前記第１のグループの電極に印加されるが、前記第２のグループの電極には印加されない請求項１に記載の質量分析計。
  3. 前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧は、前記第２のグループの電極に印加されるが、前記第１のグループの電極には印加されない請求項１または２に記載の質量分析計。
  4. 前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧を生成するための第１のＡＣまたはＲＦ電圧生成器、および前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧を生成するための第２の別のＡＣまたはＲＦ電圧生成器をさらに備える請求項１、２または３に記載の質量分析計。
  5. 前記質量分析計は、単一のＡＣまたはＲＦ生成器を備え、前記質量分析計は、１つ以上の減衰器をさらに備え、前記単一のＡＣまたはＲＦ生成器から発せられ、前記第１のデバイスおよび／または前記第２のデバイスに送信されるＡＣまたはＲＦ電圧が前記１つ以上の減衰器を通過するように構成される請求項１、２または３のいずれか１項に記載の質量分析計。
  6. 前記第１のグループの電極は、前記第２のグループの電極の上流側に配置される前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  7. 前記第１のグループの電極は、（ｉ）５個未満の電極、（ｉｉ）５〜１０個の電極、（ｉｉｉ）１０〜１５個の電極、（ｉｖ）１５〜２０個の電極、（ｖ）２０〜２５個電極、（ｖｉ）２５〜３０個の電極、（ｖｉｉ）３０〜３５個の電極、（ｖｉｉｉ）３５〜４０個の電極、（ｉｘ）４０〜４５個の電極、（ｘ）４５〜５０個の電極、（ｘｉ）５０〜５５個の電極、（ｘｉｉ）５５〜６０個の電極、（ｘｉｉｉ）６０〜６５個の電極、（ｘｉｖ）６５〜７０個の電極、（ｘｖ）７０〜７５個の電極、（ｘｖｉ）７５〜８０個の電極、（ｘｖｉｉ）８０〜８５個の電極、（ｘｖｉｉｉ）８５〜９０個の電極、（ｘｉｘ）９０〜９５個の電極、（ｘｘ）９５〜１００個の電極、または（ｘｘｉ）１００個を超える電極を含む前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  8. 前記第１のグループの電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、または１００％の軸方向長さまたは厚みは、（ｉ）＜１ｍｍ、（ｉｉ）１〜２ｍｍ、（ｉｉｉ）２〜３ｍｍ、（ｉｖ）３〜４ｍｍ、（ｖ）４〜５ｍｍ、（ｖｉ）５〜６ｍｍ、（ｖｉｉ）６〜７ｍｍ、（ｖｉｉｉ）７〜８ｍｍ、（ｉｘ）８〜９ｍｍ、（ｘ）９〜１０ｍｍ、（ｘｉ）１０〜１１ｍｍ、（ｖｉｉ）１１〜１２ｍｍ、（ｘｉｉｉ）１２〜１３ｍｍ、（ｘｉｖ）１３〜１４ｍｍ、（ｘｖ）１４〜１５ｍｍ、（ｘｖｉ）１５〜１６ｍｍ、（ｘｖｉｉ）１６〜１７ｍｍ、(ｘｖｉｉｉ)１７〜１８ｍｍ、（ｘｉｘ）１８〜１９ｍｍ、（ｘｘ）１９〜２０ｍｍ、および（ｘｘｉ）＞２０ｍｍからなる群から選択される前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  9. 前記第１のグループの電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、または１００％の軸方向間隔は、（ｉ）＜１ｍｍ、（ｉｉ）１〜２ｍｍ、（ｉｉｉ）２〜３ｍｍ、（ｉｖ）３〜４ｍｍ、（ｖ）４〜５ｍｍ、（ｖｉ）５〜６ｍｍ、（ｖｉｉ）６〜７ｍｍ、（ｖｉｉｉ）７〜８ｍｍ、（ｉｘ）８〜９ｍｍ、（ｘ）９〜１０ｍｍ、（ｘｉ）１０〜１１ｍｍ、（ｘｉｉ）１１〜１２ｍｍ、（ｘｉｉｉ）１２〜１３ｍｍ、（ｘｉｖ）１３〜１４ｍｍ、（ｘｖ）１４〜１５ｍｍ、（ｘｖｉ）１５〜１６ｍｍ、（ｘｖｉｉ）１６〜１７ｍｍ、（ｘｖｉｉｉ）１７〜１８ｍｍ、（ｘｉｘ）１８〜１９ｍｍ、（ｘｘ）１９〜２０ｍｍ、および（ｘｘｉ）＞２０ｍｍからなる群から選択される前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  10. 前記第１のグループの電極内で軸方向に隣接した電極には、反対位相の前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧が与えられる前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  11. 前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘ）９５０〜１０００ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される第１の振幅を有する前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  12. 前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択される第１の周波数を有する前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  13. 前記第２のグループの電極は、（ｉ）５個未満の電極、（ｉｉ）５〜１０個の電極、（ｉｉｉ）１０〜１５個の電極、（ｉｖ）１５〜２０個の電極、（ｖ）２０〜２５個電極、（ｖｉ）２５〜３０個の電極、（ｖｉｉ）３０〜３５個の電極、（ｖｉｉｉ）３５〜４０個の電極、（ｉｘ）４０〜４５個の電極、（ｘ）４５〜５０個の電極、（ｘｉ）５０〜５５個の電極、（ｘｉｉ）５５〜６０個の電極、（ｘｉｉｉ）６０〜６５個の電極、（ｘｉｖ）６５〜７０個の電極、（ｘｖ）７０〜７５個の電極、（ｘｖｉ）７５〜８０個の電極、（ｘｖｉｉ）８０〜８５個の電極、（ｘｖｉｉｉ）８５〜９０個の電極、（ｘｉｘ）９０〜９５個の電極、（ｘｘ）９５〜１００個の電極、または（ｘｘｉ）１００個を超える電極を含む前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  14. 前記第２のグループの電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、または１００％の軸方向長さまたは厚みは、（ｉ）＜１ｍｍ、（ｉｉ）１〜２ｍｍ、（ｉｉｉ）２〜３ｍｍ、（ｉｖ）３〜４ｍｍ、（ｖ）４〜５ｍｍ、（ｖｉ）５〜６ｍｍ、（ｖｉｉ）６〜７ｍｍ、（ｖｉｉｉ）７〜８ｍｍ、（ｉｘ）８〜９ｍｍ、（ｘ）９〜１０ｍｍ、（ｘｉ）１０〜１１ｍｍ、（ｘｉｉ）１１〜１２ｍｍ、（ｘｉｉｉ）１２〜１３ｍｍ、（ｘｉｖ）１３〜１４ｍｍ、（ｘｖ）１４〜１５ｍｍ、（ｘｖｉ）１５〜１６ｍｍ、（ｘｖｉｉ）１６〜１７ｍｍ、(ｘｖｉｉｉ)１７〜１８ｍｍ、（ｘｉｘ）１８〜１９ｍｍ、（ｘｘ）１９〜２０ｍｍ、および（ｘｘｉ）＞２０ｍｍからなる群から選択される前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  15. 前記第２のグループの電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、または１００％の軸方向間隔は、（ｉ）＜１ｍｍ、（ｉｉ）１〜２ｍｍ、（ｉｉｉ）２〜３ｍｍ、（ｉｖ）３〜４ｍｍ、（ｖ）４〜５ｍｍ、（ｖｉ）５〜６ｍｍ、（ｖｉｉ）６〜７ｍｍ、（ｖｉｉｉ）７〜８ｍｍ、（ｉｘ）８〜９ｍｍ、（ｘ）９〜１０ｍｍ、（ｘｉ）１０〜１１ｍｍ、（ｘｉｉ）１１〜１２ｍｍ、（ｘｉｉｉ）１２〜１３ｍｍ、（ｘｉｖ）１３〜１４ｍｍ、（ｘｖ）１４〜１５ｍｍ、（ｘｖｉ）１５〜１６ｍｍ、（ｘｖｉｉ）１６〜１７ｍｍ、（ｘｖｉｉｉ）１７〜１８ｍｍ、（ｘｉｘ）１８〜１９ｍｍ、（ｘｘ）１９〜２０ｍｍ、および（ｘｘｉ）＞２０ｍｍからなる群から選択される前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  16. 前記第２のグループの電極内で軸方向に隣接した電極には、反対位相の前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧が与えられる前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  17. 前記第１のセクションは、軸方向長さｘ第1を有し、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向全長はＬであり、比ｘ第1／Ｌは、（ｉ）＜０．０５、（ｉｉ）０．０５〜０．１０、（ｉｉｉ）０．１０〜０．１５、（ｉｖ）０．１５〜０．２０、（ｖ）０．２０〜０．２５、（ｖｉ）０．２５〜０．３０、（ｖｉｉ）０．３０〜０．３５、（ｖｉｉｉ）０．３５〜０．４０、（ｉｘ）０．４０〜０．４５、（ｘ）０．４５〜０．５０、（ｘｉ）０．５０〜０．５５、（ｘｉｉ）０．５５〜０．６０、（ｘｉｉｉ）０．６０〜０．６５、（ｘｉｖ）０．６５〜０．７０、（ｘｖ）０．７０〜０．７５、（ｘｖｉ）０．７５〜０．８０、（ｘｖｉｉ）０．８０〜０．８５、（ｘｖｉｉｉ）０．８５〜０．９０、（ｘｉｘ）０．９０〜０．９５、および（ｘｘ）＞０．９５からなる群から選択される前記請求項にいずれか１項に記載の質量分析計。
  18. 前記第２のセクションは、軸方向長さｘ第2を有し、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向全長はＬであり、比ｘ第2／Ｌは、（ｉ）＜０．０５、（ｉｉ）０．０５〜０．１０、（ｉｉｉ）０．１０〜０．１５、（ｉｖ）０．１５〜０．２０、（ｖ）０．２０〜０．２５、（ｖｉ）０．２５〜０．３０、（ｖｉｉ）０．３０〜０．３５、（ｖｉｉｉ）０．３５〜０．４０、（ｉｘ）０．４０〜０．４５、（ｘ）０．４５〜０．５０、（ｘｉ）０．５０〜０．５５、（ｘｉｉ）０．５５〜０．６０、（ｘｉｉｉ）０．６０〜０．６５、（ｘｉｖ）０．６５〜０．７０、（ｘｖ）０．７０〜０．７５、（ｘｖｉ）０．７５〜０．８０、（ｘｖｉｉ）０．８０〜０．８５、（ｘｖｉｉｉ）０．８５〜０．９０、（ｘｉｘ）０．９０〜０．９５、および（ｘｘ）＞０．９５からなる群から選択される前記請求項にいずれか１項に記載の質量分析計。
  19. 前記前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘ）９５０〜１０００ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される第２の振幅を有する前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  20. 前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択される第２の周波数を有する前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  21. 前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧と、前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧との位相差は、（ｉ）０〜１０o、（ｉｉ）１０〜２０o、（ｉｉｉ）２０〜３０o、（ｉｖ）３０〜４０o、（ｖ）４０〜５０o、（ｖｉ）５０〜６０o、（ｖｉｉ）６０〜７０o、（ｖｉｉｉ）７０〜８０o、（ｉｘ）８０〜９０o、（ｘ）９０〜１００o、（ｘｉ）１００〜１１０o、（ｘｉｉ）１１０〜１２０o、（ｘｉｉｉ）１２０〜１３０o、（ｘｉｖ）１３０〜１４０o、（ｘｖ）１４０〜１５０o、（ｘｖｉ）１５０〜１６０o、（ｘｖｉｉ）１６０〜１７０o、（ｘｖｉｉｉ）１７０〜１８０o、（ｘｉｘ）１８０〜１９０o、（ｘｘ）１９０〜２００o、（ｘｘｉ）２００〜２１０o、（ｘｘｉｉ）２１０〜２２０o、（ｘｘｉｉｉ）２２０〜２３０o、（ｘｘｉｖ）２３０〜２４０o、（ｘｘｖ）２４０〜２５０o、（ｘｘｖｉ）２５０〜２６０o、（ｘｘｖｉｉ）２６０〜２７０o、（ｘｘｖｉｉｉ）２７０〜２８０o、（ｘｘｉｘ）２８０〜２９０o、（ｘｘｘ）２９０〜３００o、（ｘｘｘｉ）３００〜３１０o、（ｘｘｘｉｉ）３１０〜３２０o、（ｘｘｘｉｉｉ）３２０〜３３０o、（ｘｘｘｉｖ）３３０〜３４０o、（ｘｘｘｖ）３４０〜３５０o、（ｘｘｘｖｉ）３５０〜３６０o、および（ｘｘｘｖｉｉ）０oからなる群から選択される前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  22. 前記第１の周波数は、前記第２の周波数と実質的に同じである前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  23. 前記第１の周波数は、前記第２の周波数とは実質的に異なる請求項１〜２１のいずれか１項に記載の質量分析計。
  24. 前記第１の振幅は、前記第２の振幅と実質的に異なる前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  25. 前記第１の振幅は、前記第２の振幅と実質的に同じである請求項１〜２３のいずれか１項に記載の質量分析計。
  26. 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、第３のグループの電極を含む第３のセクションをさらに有する前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  27. 前記第３のグループの電極は、前記第１のグループの電極と分離され、前記第２のグループの電極と分離される請求項２６に記載の質量分析計。
  28. 前記第３のグループの電極は、前記第１のグループの電極と前記第２のグループの電極との中間に配置される請求項２６または２７に記載の質量分析計。
  29. 第３の周波数および第３の振幅を有する第３のＡＣまたはＲＦ電圧を、使用時に、前記第１の質量電荷比を有するイオンが、前記第３のグループの電極もしくは前記第３のセクション内に半径方向にイオンを閉じ込めるように作用する第３の強度もしくは大きさを有する第３の半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように、前記第３のグループの電極に印加または供給するための第３のデバイスをさらに備え、前記第３の強度または大きさは、前記第１の強度もしくは大きさ、および／または、前記第２の強度もしくは大きさとは異なる請求項２６、２７または２８のいずれか１項に記載の質量分析計。
  30. 前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧は、前記第３のグループの電極に印加されるが、前記第１のグループの電極および／または前記第２のグループの電極には印加されない請求項２９に記載の質量分析計。
  31. 前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧を生成するための第３のＡＣまたはＲＦ電圧生成器をさらに備える請求項２９または３０に記載の質量分析計。
  32. 前記質量分析計は、単一のＡＣまたはＲＦ生成器を有し、前記質量分析計は、さらに、１つ以上の減衰器を有し、前記単一のＡＣまたはＲＦ生成器から発せられ、前記第１のデバイスおよび／または前記第２のデバイスおよび／または前記第３のデバイスに送信されるＡＣまたはＲＦ電圧は、前記１つ以上の減衰器を通過するように構成される請求項２９または３０に記載の質量分析計。
  33. 前記第３のグループの電極は、（ｉ）５個未満の電極、（ｉｉ）５〜１０個の電極、（ｉｉｉ）１０〜１５個の電極、（ｉｖ）１５〜２０個の電極、（ｖ）２０〜２５個電極、（ｖｉ）２５〜３０個の電極、（ｖｉｉ）３０〜３５個の電極、（ｖｉｉｉ）３５〜４０個の電極、（ｉｘ）４０〜４５個の電極、（ｘ）４５〜５０個の電極、（ｘｉ）５０〜５５個の電極、（ｘｉｉ）５５〜６０個の電極、（ｘｉｉｉ）６０〜６５個の電極、（ｘｉｖ）６５〜７０個の電極、（ｘｖ）７０〜７５個の電極、（ｘｖｉ）７５〜８０個の電極、（ｘｖｉｉ）８０〜８５個の電極、（ｘｖｉｉｉ）８５〜９０個の電極、（ｘｉｘ）９０〜９５個の電極、（ｘｘ）９５〜１００個の電極、または（ｘｘｉ）１００個を超える電極を含む請求項２６〜３２のいずれか１項に記載の質量分析計。
  34. 前記第３のグループの電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、または１００％の軸方向長さまたは厚みは、（ｉ）＜１ｍｍ、（ｉｉ）１〜２ｍｍ、（ｉｉｉ）２〜３ｍｍ、（ｉｖ）３〜４ｍｍ、（ｖ）４〜５ｍｍ、（ｖｉ）５〜６ｍｍ、（ｖｉｉ）６〜７ｍｍ、（ｖｉｉｉ）７〜８ｍｍ、（ｉｘ）８〜９ｍｍ、（ｘ）９〜１０ｍｍ、（ｘｉ）１０〜１１ｍｍ、（ｖｉｉ）１１〜１２ｍｍ、（ｘｉｉｉ）１２〜１３ｍｍ、（ｘｉｖ）１３〜１４ｍｍ、（ｘｖ）１４〜１５ｍｍ、（ｘｖｉ）１５〜１６ｍｍ、（ｘｖｉｉ）１６〜１７ｍｍ、(ｘｖｉｉｉ)１７〜１８ｍｍ、（ｘｉｘ）１８〜１９ｍｍ、（ｘｘ）１９〜２０ｍｍ、および（ｘｘｉ）＞２０ｍｍからなる群から選択される請求項２６〜３３のいずれか１項に記載の質量分析計。
  35. 前記第３のグループの電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、または１００％の軸方向間隔は、（ｉ）＜１ｍｍ、（ｉｉ）１〜２ｍｍ、（ｉｉｉ）２〜３ｍｍ、（ｉｖ）３〜４ｍｍ、（ｖ）４〜５ｍｍ、（ｖｉ）５〜６ｍｍ、（ｖｉｉ）６〜７ｍｍ、（ｖｉｉｉ）７〜８ｍｍ、（ｉｘ）８〜９ｍｍ、（ｘ）９〜１０ｍｍ、（ｘｉ）１０〜１１ｍｍ、（ｘｉｉ）１１〜１２ｍｍ、（ｘｉｉｉ）１２〜１３ｍｍ、（ｘｉｖ）１３〜１４ｍｍ、（ｘｖ）１４〜１５ｍｍ、（ｘｖｉ）１５〜１６ｍｍ、（ｘｖｉｉ）１６〜１７ｍｍ、（ｘｖｉｉｉ）１７〜１８ｍｍ、（ｘｉｘ）１８〜１９ｍｍ、（ｘｘ）１９〜２０ｍｍ、および（ｘｘｉ）＞２０ｍｍからなる群から選択される請求項２６〜３４のいずれか１項に記載の質量分析計。
  36. 前記第３のグループの電極内で軸方向に隣接した電極には、反対位相の前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧が与えられる請求項２６〜３５のいずれか１項に記載の質量分析計。
  37. 前記第３のセクションは、軸方向長さｘ第3を有し、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向全長はＬであり、比ｘ第3／Ｌは、（ｉ）＜０．０５、（ｉｉ）０．０５〜０．１０、（ｉｉｉ）０．１０〜０．１５、（ｉｖ）０．１５〜０．２０、（ｖ）０．２０〜０．２５、（ｖｉ）０．２５〜０．３０、（ｖｉｉ）０．３０〜０．３５、（ｖｉｉｉ）０．３５〜０．４０、（ｉｘ）０．４０〜０．４５、（ｘ）０．４５〜０．５０、（ｘｉ）０．５０〜０．５５、（ｘｉｉ）０．５５〜０．６０、（ｘｉｉｉ）０．６０〜０．６５、（ｘｉｖ）０．６５〜０．７０、（ｘｖ）０．７０〜０．７５、（ｘｖｉ）０．７５〜０．８０、（ｘｖｉｉ）０．８０〜０．８５、（ｘｖｉｉｉ）０．８５〜０．９０、（ｘｉｘ）０．９０〜０．９５、および（ｘｘ）＞０．９５からなる群から選択される請求項２６〜３６のいずれか１項に記載の質量分析計。
  38. 前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘ）９５０〜１０００ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される第３の振幅を有する請求項２６〜３７のいずれか１項に記載の質量分析計。
  39. 前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択される第３の周波数を有する請求項２６〜３８のいずれか１項に記載の質量分析計。
  40. 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、ｎ個のセクションを有し、各セクションは、１つ以上の電極を有し、使用時に、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイス内に半径方向にイオンを閉じ込めるために前記セクションに印加されるＡＣまたはＲＦ電圧の振幅および／または周波数および／または位相差は、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さに沿って、漸進的に増加、漸進的に低減、直線的に増加、直線的に低減、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減、非直線的に増加、または非直線的に低減する前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  41. 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、使用時に、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイス内に半径方向にイオンを閉じ込めるように作用する擬ポテンシャル電界または電気力が、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さに沿って、漸進的に増加、漸進的に低減、直線的に増加、直線的に低減、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減、非直線的に増加、または非直線的に低減するように構成および適合される前記請求項にいずれか１項に記載の質量分析計。
  42. 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、イオンを衝突誘起解離（「ＣＩＤ」）によってフラグメント化するように構成および適合される前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  43. 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、（ｉ）表面誘起解離（「ＳＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｉｉ）電子移動解離フラグメンテーションデバイス、（ｉｉｉ）電子捕獲解離フラグメンテーションデバイス、（ｉｖ）電子衝突または衝撃解離フラグメンテーションデバイス、（ｖ）光誘起解離（「ＰＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｖｉ）レーザ誘起解離フラグメンテーションデバイス、（ｖｉｉ）赤外放射誘起解離デバイス、（ｖｉｉｉ）紫外放射誘起解離デバイス、（ｉｘ）ノズル−スキマ間インターフェースフラグメンテーションデバイス、（ｘ）インソースフラグメンテーションデバイス、（ｘｉ）イオン源衝突誘起解離フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｉ）熱または温度源フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｉｉ）電界誘起フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｖ）磁場誘起フラグメンテーションデバイス、（ｘｖ）酵素消化または酵素分解フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉ）イオン−イオン反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉｉ）イオン−分子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉｉｉ）イオン−原子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｘ）イオン−メタステーブルイオン反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘ）イオン−メタステーブル分子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉ）イオン−メタステーブル原子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−イオン反応デバイス、（ｘｘｉｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−分子反応デバイス、（ｘｘｉｖ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−原子反応デバイス、（ｘｘｖ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−メタステーブルイオン反応デバイス、（ｘｘｖｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−メタステーブル分子反応デバイス、および（ｘｘｖｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−メタステーブル原子反応デバイスからなる群から選択される請求項１〜４１のいずれか１項に記載の質量分析計。
  44. 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、使用時にイオンが移送されるアパーチャを有する複数の電極を含む前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  45. 前記電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、実質的に円形、長方形、正方形または楕円形のアパーチャを有する請求項４４に記載の質量分析計。
  46. 前記電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、実質的に同じサイズまたは実質的に同じ面積をもつアパーチャを有する請求項４４または４５に記載の質量分析計。
  47. 前記電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸に沿う方向にサイズまたは面積が漸進的により大きくおよび／またはより小さくなるアパーチャを有する請求項４４または４５に記載の質量分析計。
  48. 前記電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、（ｉ）≦１．０ｍｍ、（ｉｉ）≦２．０ｍｍ、（ｉｉｉ）≦３．０ｍｍ、（ｉｖ）≦４．０ｍｍ、（ｖ）≦５．０ｍｍ、（ｖｉ）≦６．０ｍｍ、（ｖｉｉ）≦７．０ｍｍ、（ｖｉｉｉ）≦８．０ｍｍ、（ｉｘ）≦９．０ｍｍ、（ｘ）≦１０．０ｍｍ、および（ｘｉ）＞１０．０ｍｍからなる群から選択される内径または内寸法をもつアパーチャを有する請求項４４〜４７のいずれか１項に記載の質量分析計。
  49. 前記複数の電極のうちの少なくともいくつかは、アパーチャを含み、前記アパーチャの内径または内寸法と隣接する電極間の軸方向中心間間隔との比は、（ｉ）＜１．０、（ｉｉ）１．０〜１．２、（ｉｉｉ）１．２〜１．４、（ｉｖ）１．４〜１．６、（ｖ）１．６〜１．８、（ｖｉ）１．８〜２．０、（ｖｉｉ）２．０〜２．２、（ｖｉｉｉ）２．２〜２．４、（ｉｘ）２．４〜２．６、（ｘ）２．６〜２．８、（ｘｉ）２．８〜３．０、（ｘｉｉ）３．０〜３．２、（ｘｉｉｉ）３．２〜３．４、（ｘｉｖ）３．４〜３．６、（ｘｖ）３．６〜３．８、（ｘｖｉ）３．８〜４．０、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．２、（ｘｖｉｉｉ）４．２〜４．４、（ｘｉｘ）４．４〜４．６、（ｘｘ）４．６〜４．８、（ｘｘｉ）４．８〜５．０、および（ｘｘｉｉ）＞５．０からなる群から選択される請求項４４〜４８のいずれか１項に記載の質量分析計。
  50. 前記アパーチャの内径は、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さに沿って、漸進的に増加、漸進的に低減、直線的に増加、直線的に低減、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減、非直線的に増加、または非直線的に低減する請求項４４〜４９のいずれか１項に記載の質量分析計。
  51. 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、セグメント化ロッドセットを含む請求項１〜４３のいずれか１項に記載の質量分析計。
  52. 前記セグメント化ロッドセットは、セグメント化四重極、六重極もしくは八重極ロッドセットまたは８個よりも多くのセグメント化ロッドを含むロッドセットを含む請求項５１に記載の質量分析計。
  53. 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、（ｉ）およそまたは実質的に円形である断面、（ｉｉ）およそまたは実質的に双曲である曲面、（ｉｉｉ）円弧形または一部円形である断面、（ｉｖ）およそまたは実質的に長方形である断面、および（ｖ）およそまたは実質的に正方形である断面からなる群から選択される断面を有する複数の電極を含む請求項５１または５２に記載の質量分析計。
  54. 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、複数のグループの電極を含み、前記グループの電極は、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さに沿って軸方向に間隔をあけて配置され、各グループの電極は、複数のプレート電極を含む請求項１〜４３のいずれか１項に記載の質量分析計。
  55. 各グループの電極は、第１のプレート電極および第２のプレート電極を含み、前記第１および第２のプレート電極は、実質的に同じ平面に配置され、かつ前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの中心長手方向軸のいずれかの側に配置される請求項５４に記載の質量分析計。
  56. イオンを前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイス内に第１の半径方向に閉じ込めるために、ＤＣ電圧またはポテンシャルを前記第１および第２のプレート電極に印加するための手段をさらに備える請求項５５に記載の質量分析計。
  57. 各グループの電極は、第３のプレート電極および第４のプレート電極をさらに含み、前記第３および第４のプレート電極は、前記第１および第２のプレート電極と実質的に同じ平面に配置され、かつ前記第１および第２のプレート電極に対して異なる向きに前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの中心長手方向軸のいずれかの側に配置される請求項５５または５６に記載の質量分析計。
  58. 第１のＡＣまたはＲＦ電圧を印加する前記第１のデバイスは、イオンを前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイス内に第２の半径方向に閉じ込めるために、前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記第３および第４のプレート電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に印加するように構成される請求項５７に記載の質量分析計。
  59. 第２のＡＣまたはＲＦ電圧を印加する前記第２のデバイスは、イオンを前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイス内に第２の半径方向に閉じ込めるために、前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧を前記第３および第４のプレート電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に印加するように構成される請求項５７または５８に記載の質量分析計。
  60. 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、
    第１の側に配置される１つ以上の第１の電極と、
    第２の側に配置される１つ以上の第２の電極と、
    概ねまたは実質的に、イオンが移動する平面に配置される中間の平面、プレートまたはメッシュ電極の１つ以上の層であって、使用時に、前記１つ以上の第１の電極と前記１つ以上の第２の電極との間に設けられる中間の平面、プレートまたはメッシュ電極の１つ以上の層とを有する請求項１〜４３のいずれか１項に記載の質量分析計。
  61. 前記１つ以上の第１の電極は、第１の電極のアレイを有する請求項６０に記載の質量分析計。
  62. 前記１つ以上の第２の電極は、第２の電極のアレイを有する請求項６０または６１に記載の質量分析計。
  63. 前記中間の平面、プレートまたはメッシュ電極の１つ以上の層は、軸方向にセグメント化された電極の１つ以上の層を含む請求項６０、６１または６２に記載の質量分析計。
  64. 前記第１のデバイスは、前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧を、前記第１の側に配置された前記１つ以上の第１の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％に印加または供給するように構成される請求項６０〜６３のいずれか１項に記載の質量分析計。
  65. 前記第１のデバイスは、前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧を、前記第２の側に配置された前記１つ以上の第２の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％に印加または供給するように構成される請求項６０〜６４のいずれか１項に記載の質量分析計。
  66. 前記第１のデバイスは、前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧を、前記１つ以上の中間電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％に印加または供給するように構成される請求項６０〜６５のいずれか１項に記載の質量分析計。
  67. 前記第２のデバイスは、前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧を、前記第１の側に配置された前記１つ以上の第１の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％に印加または供給するように構成される請求項６０〜６６のいずれか１項に記載の質量分析計。
  68. 前記第２のデバイスは、前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧を、前記第２の側に配置された前記１つ以上の第２の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％に印加または供給するように構成される請求項６０〜６７のいずれか１項に記載の質量分析計。
  69. 前記第２のデバイスは、前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧を、前記１つ以上の中間電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％に印加または供給するように構成される請求項６０〜６８のいずれか１項に記載の質量分析計。
  70. 前記電極の軸方向長さおよび／または前記電極間の中心間間隔は、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さに沿って、漸進的に増加、漸進的に低減、直線的に増加、直線的に低減、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減、非直線的に増加、または非直線的に低減する前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  71. 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、ｎ個のセクションを有し、各セクションは、１つ以上の電極を有し、イオンを前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイス内に半径方向に閉じ込めるために前記セクションに印加されるＡＣまたはＲＦ電圧の振幅および／または周波数および／または位相差は、時間とともに漸進的に増加、時間とともに漸進的に低減、時間とともに直線的に増加、時間とともに直線的に低減、時間とともに段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加、時間とともに段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減、時間とともに非直線的に増加、または時間とともに非直線的に低減する前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  72. 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、イオンを前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイス内に半径方向に閉じ込めるように作用する擬ポテンシャル電界または電気力が、時間とともに漸進的に増加、時間とともに漸進的に低減、時間とともに直線的に増加、時間とともに直線的に低減、時間とともに段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加、時間とともに段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減、時間とともに非直線的に増加、または時間とともに非直線的に低減するように構成および適合される前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  73. 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、（ｉ）＜２０ｍｍ、（ｉｉ）２０〜４０ｍｍ、（ｉｉｉ）４０〜６０ｍｍ、（ｉｖ）６０〜８０ｍｍ、（ｖ）８０〜１００ｍｍ、（ｖｉ）１００〜１２０ｍｍ、（ｖｉｉ）１２０〜１４０ｍｍ、（ｖｉｉｉ）１４０〜１６０ｍｍ、（ｉｘ）１６０〜１８０ｍｍ、（ｘ）１８０〜２００ｍｍ、および（ｘｉ）＞２００ｍｍからなる群から選択される軸方向長さを有する前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  74. 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、少なくとも（ｉ）１０個未満の電極（ｉｉ）１０〜２０個の電極、（ｉｉｉ）２０〜３０個の電極、（ｉｖ）３０〜４０個の電極、（ｖ）４０〜５０個の電極、（ｖｉ）５０〜６０個の電極、（ｖｉｉ）６０〜７０個の電極、（ｖｉｉｉ）７０〜８０個の電極、（ｉｘ）８０〜９０個の電極、（ｘ）９０〜１００個の電極、（ｘｉ）１００〜１１０個の電極、（ｘｉｉ）１１０〜１２０個の電極、（ｘｉｉｉ）１２０〜１３０個の電極、（ｘｉｖ）１３０〜１４０個の電極、（ｘｖ）１４０〜１５０個の電極、または（ｘｖｉ）１５０個を超える電極を含む前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  75. 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの上流側に配置された第１の質量フィルタまたは質量分析器をさらに備える前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  76. 前記第１の質量フィルタまたは質量分析器は、（ｉ）四重極ロッドセット質量フィルタ、（ｉｉ）飛行時間質量フィルタまたは質量分析器、（ｉｉｉ）ウィーンフィルタ、および（ｉｖ）磁場型質量フィルタまたは質量分析器からなる群から選択される請求項７５に記載の質量分析計。
  77. 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの下流側に配置された第２の質量フィルタまたは質量分析器をさらに備える前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  78. 前記第２の質量フィルタまたは質量分析器は、（ｉ）四重極ロッドセット質量フィルタ、（ｉｉ）飛行時間質量フィルタまたは質量分析器、（ｉｉｉ）ウィーンフィルタ、および（ｉｖ）磁場型質量フィルタまたは質量分析器からなる群から選択される請求項７７に記載の質量分析計。
  79. イオンを前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さの少なくとも一部に沿っておよび／または通って駆動または付勢するための手段をさらに備える前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  80. 前記イオンを駆動または付勢するための手段は、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの前記第１のセクションおよび／または前記第２のセクションおよび／または前記第３のセクション、あるいは、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全長の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に沿って線形の軸方向ＤＣ電界を生成するための手段を含む請求項７９に記載の質量分析計。
  81. 前記イオンを駆動または付勢するための手段は、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの前記第１のセクションおよび／または前記第２のセクションおよび／または前記第３のセクション、あるいは、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全長の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に沿って非線形または階段状の軸方向ＤＣ電界を生成するための手段を含む請求項７９または８０に記載の質量分析計。
  82. 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの前記第１のセクションおよび／または前記第２のセクションおよび／または前記第３のセクション、あるいは、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全長の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に沿って維持された軸方向ＤＣ電界を、時間の関数として、漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される手段をさらに含む請求項８０または８１に記載の質量分析計。
  83. 前記イオンを駆動または付勢するための手段は、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの前記第１のセクションおよび／または前記第２のセクションおよび／または前記第３のセクション、あるいは、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全長の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に多相ＡＣまたはＲＦ電圧を印加するための手段を含む請求項７９〜８２のいずれか１項に記載の質量分析計。
  84. 前記イオンを駆動または付勢するための手段は、使用時に、ガスフローまたは差圧効果によって、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの前記第１のセクションおよび／または前記第２のセクションおよび／または前記第３のセクション、あるいは、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全長の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に沿っておよび／または通ってイオンを駆動または付勢するように構成されるガスフロー手段を含む請求項７９〜８３のいずれか一項に記載の質量分析計。
  85. 前記イオンを駆動または付勢するための手段は、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形を、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの前記第１のセクションおよび／または前記第２のセクションおよび／または前記第３のセクションの電極、あるいは、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全体を構成する電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に印加するための手段を含む請求項７９〜８４のいずれか１項に記載の質量分析計。
  86. 前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形は、１つ以上のポテンシャル山、障壁または井戸を生成する請求項８５に記載の質量分析計。
  87. 前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧またはポテンシャル波形は、反復波形または方形波を含む請求項８５または８６に記載の質量分析計。
  88. 使用時に、複数の軸方向ＤＣポテンシャル山、障壁または井戸が、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの前記第１のセクションおよび／または前記第２のセクションおよび／または前記第３のセクションの長さ、または、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全長の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に沿って平行移動されるか、あるいは、複数の過渡ＤＣポテンシャルまたは電圧が、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの前記第１のセクションおよび／または前記第２のセクションおよび／または前記第３のセクション、または、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全長の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％を構成する電極に漸進的に印加される請求項８５、８６または８７に記載の質量分析計。
  89. 前記１つ以上の過度ＤＣ電圧もしくはポテンシャル、または、前記１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形の振幅、高さ、または深さを、漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される第１の手段をさらに備える請求項８５〜８８のいずれか１項に記載の質量分析計。
  90. 前記第１の手段は、前記１つ以上の過度ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは前記１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形の振幅、高さまたは深さを長さl1にわたってｘ1ボルトだけ漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される請求項８９に記載の質量分析計。
  91. 前記ｘ1は、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖ、および（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択される請求項９０に記載の質量分析計。
  92. 前記ｌ1は、（ｉ）＜１０ｍｍ、（ｉｉ）１０〜２０ｍｍ、（ｉｉｉ）２０〜３０ｍｍ、（ｉｖ）３０〜４０ｍｍ、（ｖ）４０〜５０ｍｍ、（ｖｉ）５０〜６０ｍｍ、（ｖｉｉ）６０〜７０ｍｍ、（ｖｉｉｉ）７０〜８０ｍｍ、（ｉｘ）８０〜９０ｍｍ、（ｘ）９０〜１００ｍｍ、（ｘｉ）１００〜１１０ｍｍ、（ｘｉｉ）１１０〜１２０ｍｍ、（ｘｉｉｉ）１２０〜１３０ｍｍ、（ｘｉｖ）１３０〜１４０ｍｍ、（ｘｖ）１４０〜１５０ｍｍ、（ｘｖｉ）１５０〜１６０ｍｍ、（ｘｖｉｉ）１６０〜１７０ｍｍ、（ｘｖｉｉｉ）１７０〜１８０ｍｍ、（ｘｉｘ）１８０〜１９０ｍｍ、（ｘｘ）１９０〜２００ｍｍ、および（ｘｘｉ）＞２００ｍｍからなる群から選択される請求項９０または９１に記載の質量分析計。
  93. 前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは前記１つ以上のＤＣポテンシャルもしくは電圧波形が前記電極に印加される速度または率を漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される第２の手段をさらに備える請求項８５〜９２のいずれか１項に記載の質量分析計。
  94. 前記第２の手段は、前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは前記１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形が前記電極に印加される速度または率を長さｌ2にわたってｘ2ｍ／ｓだけ漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される請求項９３に記載の質量分析計。
  95. 前記ｘ2は、（ｉ）＜１、（ｉｉ）１〜２、（ｉｉｉ）２〜３、（ｉｖ）３〜４、（ｖ）４〜５、（ｖｉ）５〜６、（ｖｉｉ）６〜７、（ｖｉｉｉ）７〜８、（ｉｘ）８〜９、（ｘ）９〜１０、（ｘｉ）１０〜１１、（ｘｉｉ）１１〜１２、（ｘｉｉｉ）１２〜１３、（ｘｉｖ）１３〜１４、（ｘｖ）１４〜１５、（ｘｖｉ）１５〜１６、（ｘｖｉｉ）１６〜１７、（ｘｖｉｉｉ）１７〜１８、（ｘｉｘ）１８〜１９、（ｘｘ）１９〜２０、（ｘｘｉ）２０〜３０、（ｘｘｉｉ）３０〜４０、（ｘｘｉｉｉ）４０〜５０、（ｘｘｉｖ）５０〜６０、（ｘｘｖ）６０〜７０、（ｘｘｖｉ）７０〜８０、（ｘｘｖｉｉ）８０〜９０、（ｘｘｖｉｉｉ）９０〜１００、（ｘｘｉｘ）１００〜１５０、（ｘｘｘ）１５０〜２００、（ｘｘｘｉ）２００〜２５０、（ｘｘｘｉｉ）２５０〜３００、（ｘｘｘｉｉｉ）３００〜３５０、（ｘｘｘｉｖ）３５０〜４００、（ｘｘｘｖ）４００〜４５０、（ｘｘｘｖｉ）４５０〜５００、および（ｘｘｘｖｉｉ）＞５００からなる群から選択される請求項９４に記載の質量分析計。
  96. 前記ｌ2は、（ｉ）＜１０ｍｍ、（ｉｉ）１０〜２０ｍｍ、（ｉｉｉ）２０〜３０ｍｍ、（ｉｖ）３０〜４０ｍｍ、（ｖ）４０〜５０ｍｍ、（ｖｉ）５０〜６０ｍｍ、（ｖｉｉ）６０〜７０ｍｍ、（ｖｉｉｉ）７０〜８０ｍｍ、（ｉｘ）８０〜９０ｍｍ、（ｘ）９０〜１００ｍｍ、（ｘｉ）１００〜１１０ｍｍ、（ｘｉｉ）１１０〜１２０ｍｍ、（ｘｉｉｉ）１２０〜１３０ｍｍ、（ｘｉｖ）１３０〜１４０ｍｍ、（ｘｖ）１４０〜１５０ｍｍ、（ｘｖｉ）１５０〜１６０ｍｍ、（ｘｖｉｉ）１６０〜１７０ｍｍ、（ｘｖｉｉｉ）１７０〜１８０ｍｍ、（ｘｉｘ）１８０〜１９０ｍｍ、（ｘｘ）１９０〜２００ｍｍ、（ｘｘｉ）＞２００ｍｍからなる群から選択される請求項９４または９５に記載の質量分析計。
  97. 前記第１のグループの電極に印加される前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅を、時間の関数として、漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される第３の手段をさらに備える前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  98. 前記第１のグループの電極に印加される前記第１のＲＦまたはＡＣ電圧の周波数を、時間の関数として、漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される第４の手段をさらに備える前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  99. 前記第２のグループの電極に印加される前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅を、時間の関数として、漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される第５の手段をさらに備える前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  100. 前記第２のグループの電極に印加される前記第２のＲＦまたはＡＣ電圧の周波数を、時間の関数として、漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される第６の手段をさらに備える前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  101. 一動作モードにおいて、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを（ｉ）＞１．０×１０-3ｍｂａｒ、（ｉｉ）＞１．０×１０-2ｍｂａｒ、（ｉｉｉ）＞１．０×１０-1ｍｂａｒ、（ｉｖ）＞１ｍｂａｒ、（ｖ）＞１０ｍｂａｒ、（ｖｉ）＞１００ｍｂａｒ、（ｖｉｉ）＞５．０×１０-3ｍｂａｒ、（ｖｉｉｉ）＞５．０×１０-2ｍｂａｒ、（ｉｘ）１０-4〜１０-3ｍｂａｒ、（ｘ）１０-3〜１０-2ｍｂａｒ、および（ｘｉ）１０-2〜１０-1ｍｂａｒからなる群から選択される圧力に維持するための手段をさらに備える前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  102. 一動作モードにおいて、イオンは、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイス内にトラップされるが、実質的にさらにフラグメンテーションまたは反応しないように配置される前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  103. 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイス内でイオンを衝突により冷却するか、または実質的に熱化するための手段をさらに備える前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  104. 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの入口および／または出口に配置される１つ以上の電極をさらに備え、一動作モードにおいて、イオンがパルス化されて前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ入力および／またはそこから出力される前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  105. イオン源をさらに備える前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  106. （ｉ）エレクトロスプレーイオン化（「ＥＳＩ」）イオン源、（ｉｉ）大気圧光イオン化（「ＡＰＰＩ」）イオン源、（ｉｉｉ）大気圧化学イオン化（「ＡＰＣＩ」）イオン源、（ｉｖ）マトリックス支援レーザ脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源、（ｖ）レーザ脱離イオン化（「ＬＤＩ」）イオン源、（ｖｉ）大気圧イオン化（「ＡＰＩ」）イオン源、（ｖｉｉ）シリコンを用いた脱離イオン化（「ＤＩＯＳ」）イオン源、（ｖｉｉｉ）電子衝突（「ＥＩ」）イオン源、（ｉｘ）化学イオン化（「ＣＩ」）イオン源、（ｘ）電界イオン化（「ＦＩ」）イオン源、（ｘｉ）電界脱離（「ＦＤ」）イオン源、（ｘｉｉ）誘導結合プラズマ（「ＩＣＰ」）イオン源、（ｘｉｉｉ）高速原子衝撃（「ＦＡＢ」）イオン源、（ｘｉｖ）液体二次イオン質量分析（「ＬＳＩＭＳ」）イオン源、（ｘｖ）脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、（ｘｖｉ）ニッケル−６３放射性イオン源、および（ｘｖｉｉ）サーモスプレーイオン源からなる群から選択されるイオン源をさらに備える前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  107. 連続またはパルス化イオン源をさらに備える請求項１０５または１０６に記載の質量分析計。
  108. 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの上流および／または下流に配置される１つ以上のイオンガイドまたはイオントラップをさらに備える前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  109. 前記１つ以上のイオンガイドまたはイオントラップは、
    （ｉ）四重極ロッドセット、六重極ロッドセット、八重極ロッドセットもしくは８個より多くのロッドを含むロッドセットを含む多重極ロッドセットまたはセグメント化多重極ロッドセットイオンガイドまたはイオントラップ、
    （ｉｉ）使用時にイオンが移送されるアパーチャを有する複数の電極または少なくとも２、５、１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０もしくは１００個の電極を含むイオントンネルもしくはイオンファンネルイオンガイドまたはイオントラップであって、前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％は、実質的に同じサイズまたは面積のアパーチャを有するか、またはサイズもしくは面積が漸進的により大きくおよび／またはより小さくなるアパーチャを有する、イオントンネルもしくはイオンファンネルイオンガイドまたはイオントラップ、
    （ｉｉｉ）複数のまたは少なくとも２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９もしくは２０個の平面、プレートまたはメッシュ電極を含み、前記平面、プレートまたはメッシュ電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％は、使用時にイオンが移動する平面に概ね配置される、平面、プレートまたはメッシュ電極のスタックまたはアレイ、および
    （ｉｖ）イオントラップまたはイオンガイドの長さに沿って軸方向に配置される複数のグループの電極を含むイオントラップまたはイオンガイドであって、各グループの電極は、（ａ）第１および第２の電極、ならびにイオンを前記イオンガイド内に第１の半径方向に閉じ込めるためにＤＣ電圧またはポテンシャルを前記第１および第２の電極に印加するための手段、および（ｂ）第３および第４の電極、ならびにイオンを前記イオンガイド内に第２の半径方向に閉じ込めるためにＡＣまたはＲＦ電圧を前記第３および第４の電極に印加するための手段を含む、イオントラップまたはイオンガイドからなる群から選択される請求項１０８に記載される質量分析計。
  110. 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの下流側に配置された質量分析器をさらに備える前記請求項のいずれか１項に記載の質量分析計。
  111. 前記質量分析器は、（ｉ）フーリエ変換（「ＦＴ」）質量分析器、（ｉｉ）フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴（「ＦＴＩＣＲ」）質量分析器、（ｉｉｉ）飛行時間（「ＴＯＦ」）質量分析器、（ｉｖ）直交加速飛行時間（「ｏａＴＯＦ」）質量分析器、（ｖ）軸方向加速飛行時間質量分析器、（ｖｉ）磁場型質量分析計、（ｖｉｉ）ポールまたは三次元四重極質量分析器、（ｖｉｉｉ）二次元または線形四重極質量分析器、（ｉｘ）ペニングトラップ質量分析器、（ｘ）イオントラップ質量分析器、（ｘｉ）フーリエ変換オービトラップ、（ｘｉｉ）静電イオンサイクロトロン共鳴質量分析計、（ｘｉｉｉ）静電フーリエ変換質量分析計、および（ｘｉｖ）四重極ロッドセット質量フィルタまたは質量分析器からなる群から選択される請求項１００に記載の質量分析計。
  112. 少なくとも第１のグループの電極を含む第１のセクションと、第２の別グループの電極を含む第２の別のセクションとを有する、複数の電極を含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを準備する工程と、
    第１の周波数および第１の振幅を有する第１のＡＣまたはＲＦ電圧を、第１の質量電荷比を有するイオンが、前記第１のグループの電極もしくは前記第１のセクション内に半径方向にイオンを閉じ込めるように作用する第１の強度もしくは大きさを有する第１の半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように、前記第１のグループの電極に印加または供給する工程と、
    第２の周波数および第２の振幅を有する第２のＡＣまたはＲＦ電圧を、前記第１の質量電荷比を有するイオンが、前記第２のグループの電極もしくは前記第２のセクション内に半径方向にイオンを閉じ込めるように作用する第２の強度もしくは大きさを有する第２の半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように、前記第２のグループの電極に印加または供給する工程であって、前記第２の強度もしくは大きさは、前記第１の強度もしくは大きさとは異なる工程とを含む質量分析方法。
  113. 少なくとも第１のセクションと第２の別のセクションとを有する衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを備え、
    前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、第１の質量電荷比を有するイオンが、前記第１のセクション内の第１の半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受け、前記第２のセクション内の第２の異なる半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように構成および適合される質量分析計。
  114. 少なくとも第１のセクションと、第２の別のセクションとを有する、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを準備する工程と、
    第１の質量電荷比を有するイオンが、前記第１のセクション内の第１の半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように配置する工程と、
    前記第１の質量電荷比を有するイオンが、前記第２のセクション内の第２の異なる半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受けるように配置する工程とを含む質量分析方法。
  115. 複数の電極を含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを備え、前記電極のアスペクト比が、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの長さに沿って変化し、
    使用時に、第１の質量電荷比を有するイオンが、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの長さに沿って変化する半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受ける質量分析計。
  116. 複数の電極を含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスであって、前記電極のアスペクト比が前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの長さに沿って変化する衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを準備する工程を含み、
    第１の質量電荷比を有するイオンが、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの長さに沿って変化する半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受ける質量分析方法。
  117. 衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを備え、使用時に、第１の質量電荷比を有するイオンが、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さに沿って漸進的に増加、漸進的に低減、直線的に増加、直線的に低減、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減、非直線的に増加、または非直線的に低減する半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受ける質量分析計。
  118. 衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを準備する工程であって、第１の質量電荷比を有するイオンが、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さに沿って漸進的に増加、漸進的に低減、直線的に増加、直線的に低減、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減、非直線的に増加、または非直線的に低減する半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受ける工程を含む質量分析方法。
  119. 衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを備え、使用時に、イオンが、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に沿って変化する半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受ける質量分析計。
  120. 衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを準備する工程を含み、イオンが、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に沿って変化する半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受ける質量分析方法。
  121. 衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを備え、使用時に、第１の質量電荷比を有するイオンが、第１の時間に第１のゼロでない半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受け、後の第２の時間に第２の異なるゼロでない半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受ける質量分析計。
  122. 衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを準備する工程を含み、第１の質量電荷比を有するイオンが、第１の時間に第１のゼロでない半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受け、後の第２の時間に第２の異なるゼロでない半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を受ける質量分析方法。
  123. 第１のセクションと第２のセクションとを有する衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスと、
    前記第１のセクションおよび／または前記第２のセクション、あるいは、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全長の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、または１００％に沿って維持される半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を、時間の関数として、漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させるように構成および適合される手段とを備える質量分析計。
  124. 第１のセクションと第２のセクションとを有する衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを準備する工程と、
    前記第１のセクションおよび／または前記第２のセクション、あるいは、前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスの全長の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、または１００％に沿って維持される半径方向の擬ポテンシャル電界または電気力を、時間の関数として、漸進的に増加させる、漸進的に低減させる、漸進的に変化させる、走査する、直線的に増加させる、直線的に低減させる、段階的、漸進的にもしくは他のやり方で増加させる、または段階的、漸進的にもしくは他のやり方で低減させる工程とを含む質量分析方法。
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