JP2010501899A - 反応性メソゲンを配向するための粒子ビーム法 - Google Patents

Abstract

【課題】反応性メソゲンを配向するための粒子ビーム法を提供する。
【解決手段】本発明は、粒子ビーム処理を受ける基体上に反応性メソゲン（ＲＭ）を配向する方法、前記方法により特に薄層形状で配向されるＲＭ、そのような配向されたＲＭおよびＲＭ層より得られる配向されたポリマーおよびポリマーフィルム、および、光学的、電子的および電気光学的用途における該ＲＭ、層、ポリマーおよびフィルムの使用に関する。
【選択図】図３

Description

本発明は、粒子ビーム処理を受ける基体上に反応性メソゲン（ＲＭ）を配向する方法、前記方法により特に薄層形状で配向されるＲＭ、そのような配向されたＲＭおよびＲＭ層より得られる配向されたポリマーおよびポリマーフィルム、および、光学的、電子的および電気光学的用途における該ＲＭ、層、ポリマーおよびフィルムの使用に関する。

本発明は有機電界効果型トランジスタ（ＯＦＥＴ）などの改良された電子的装置に関し、それはソースからドレインへの短いチャネル長を有し、半導体バインダーを含む有機半導体配合物を含有する。

液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）などの多くの光学的および電気光学的デバイスにおいては、ＬＣ媒体の配向を制御することが、しばしば必要である。従来の配向技術の概要は、例えば、Ｉ．Ｓａｇｅにより「Ｔｈｅｒｍｏｔｒｏｐｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ−Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ ａｎｄ Ｕｓｅｓ、３巻」、Ｂ．Ｂａｈａｄｕｒ編、Ｗｏｒｌｄ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ、シンガポール １９９２年、１〜６３頁（非特許文献１）で与えられる。配向材料および技術の概要は、Ｊ．Ｃｏｇｎａｒｄ、Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．７８巻、Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ １（１９８１年）、１〜７７頁（非特許文献２）で与えられる。

典型的には、ディスプレイのアクティブ（即ち、スイッチ可能な）素子を通常形成するＬＣの均一な配向を得るために、高い表面エネルギーの基体または配向層を使用する。例えば、ラビングされたポリイミド、ＴＡＣまたはＰＥＴフィルムが、ＬＣの平面配向を得るために、しばしば使用される。他には、余り一般的ではない極性材料、例えば硝酸セルロースも配向層として、例えば米国特許第５，８０５，２５３号明細書（特許文献１）で報告された。ＬＣ材料のホメオトロピック（垂直）配向を達成するために、最も単純な方法は、低い表面エネルギーの基体（例えばＰＴＦＥ）を使用することである。この場合、ＬＣ分子を基体とではなく互いに接触させることで系のエネルギーを最小とし、結果としてホメオトロピック配向とする。残念ながら、この取り組みは限られており、低い表面エネルギー、即ちＬＣＤでの使用に要求される光学的品質のプラスチック基体の例は僅かしかない。もしくは、ホメオトロピック配向層、例えばホメオトロピック配向の「核を形成」する界面活性剤（例えばレシチン）の薄層を使用できる。他の例では、例えば米国特許第５，４５６，８６７号明細書（特許文献２）、米国特許第６，３７９，７５８号明細書（特許文献３）および米国特許第６，８１６，２１８号明細書（特許文献４）中で開示されるように、プラスチック基体を低い表面エネルギーの配向層で塗工する。しかしながら、配向層を使用すると、装置の製造に余分な費用が一般に追加される。

上記の配向技術および材料は、従来のＬＣ材料および反応性メソゲン（ＲＭ）としても知られる重合性ＬＣ材料の何れをも配向させるために使用できる。

配向ＲＭの重合層は、典型的には、ＬＣＤのパッシブ（スイッチ不可能な）素子を形成するために使用される。例えば、それらは、ＶＡ（垂直配向：Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ Ａｌｉｇｎｅｄ）、ＴＮ（ツイストネマチック：Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＳＴＮ（スーパーツイストネマチック：Ｓｕｐｅｒｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＩＰＳ（面内スイッチング：Ｉｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）またはＯＣＢ（光学補償ベンド：Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｅｎｄ）モードなどの各種モードのＬＣＤディスプレイを補償するために使用できる。層はＬＣディスプレイの外側にラミネートされ分離している補償フィルムの形状でよく、または、「イン−セル（ｉｎ−ｃｅｌｌ）」用途としても知られるＬＣディスプレイセルの一部として形成することもできる。２枚のガラス基体（１）、スイッチ可能なＬＣ媒体を含む活性層（２）、カラーフィルター（３）、例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）の２枚の電極層（４）、例えばラビングされたポリイミドの２枚の配向層（５）、およびＲＭ層（６）を含有する、イン−セルＲＭ層を有する典型的なカラーＬＣＤを図１に示す。そのようなイン−セルＲＭ層の利点は、とりわけ、ＬＣＤ製造者がＲＭ層の塗工を実行でき、費用および所望の光学を製造者が制御できることである。イン−セルＲＭ層の更なる利点は、視差の問題が低減されるなど光学特性が改良されることである。多くの場合、この層の理想的な位置は、ディスプレイのカラーフィルターおよびＩＴＯ層の間である。

重合前のＲＭ層の配向は、正しい光学的性能にとって重要である。ＲＭの配向は、通常、ポリマー基体またはフィルムをラビングすることで達成される。配向の品位は、ラビングの方法および基体またはフィルムの特性に依存して変化する。よって、ラビング法を最適化するのは困難である。更に、ラビング法は基体を帯電させ、高度クリーンルーム内で制御が困難な粒子を生じる。このため、特にミクロディスプレイの場合、ラビングによるＬＣ配向の均一性は理想とは、ほど遠い。

先行技術で示唆されたＲＭを配向するもう１つの方法は、光配向［Ｍ．Ｓｃｈａｄｔら、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．、３４巻、３２４０頁（１９９５年）（非特許文献３）参照］である。しかしながら、この方法では余分な塗工、よって方法工程が追加される。加えて、光配向は、かなり変動する結果を与える。

先行技術で報告されてきたＬＣの均一な配向を達成するもう１つの方法は、表面エッチング、各種の原子による配向表面のグラフトならびにプラズマ重合を実現するために使用されてきた、グロー放電のプラズマによる液晶（ＬＣ）配向基体の等方的処理である［Ｊ．Ｃ．Ｄｕｂｏｉｓ、Ｍ．Ｇａｚａｒｄ、およびＡ．Ｚａｎｎ、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔｅｒｓ、２４巻（７号）、２９７頁（１９７４年）（非特許文献４）；Ｒ．Ｗａｔａｎａｂｅ、Ｔ．Ｎａｋａｎｏ、Ｔ．Ｓａｔｏｈ、Ｈ．Ｈａｔｏｈ、およびＹ．Ｏｈｋｉ、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．、２６巻（３号）、３７３頁（１９８７年）（非特許文献５）；Ｓ．Ｐ．Ｋｕｒｃｈａｔｋｉｎ、Ｎ．Ａ．Ｍｕｒａｖｙｅｖａ、Ａ．Ｌ．Ｍａｍａｅｖ、Ｖ．Ｐ．Ｓｅｖｏｓｔｙａｎｏｖ、およびＥ．Ｉ．Ｓｍｉｒｎｏｖａ、ロシア国特許第２，０５５，３８４号明細書（特許文献５）；Ａ．Ｉ．Ｖａｎｇｏｎｅｎ、およびＥ．Ａ．Ｋｏｎｓｈｉｎａ、Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．、３０４巻、５０７頁（１９９７年）（非特許文献６）参照］。これらの処理により、天頂アンカーエネルギーおよびＬＣのプレチルト角を変化させることができる。同時に、この処理は配向フィルムの表面異方性を誘発しないため、平面およびチルトＬＣ配向は達成できない。配向基体の面内ＬＣ配向（均一な平面またはチルト配向）を生成するためには、従来の手法を使用して基体を予めラビングする。

平面／チルトＬＣ配向を達成するためのもう１つの粒子ビーム処理方法は、配向基体に斜めに衝突するよう指向されたプラズマフラックスに関する。例えば、Ｇ．Ｊ．ＳｐｒｏｋｅｌおよびＲ．Ｍ．Ｇｉｂｓｏｎ、Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．、１２４巻（４号）、５５９頁（１９７７年）（非特許文献７）に記載される方法においては、境界となる基体を指向性ガス流により基体まで運ばれた「冷」ｒ．ｆ．プラズマに曝露し；プラズマおよび基体を反応して配向可能な構造とする。国際特許出願公開第２００４／１０４６８２号パンフレット（特許文献６）には、ＬＣＤ中のアクティブＬＣの配向のために開発されたプラズマビーム手法が開示されている。そこでは、ＬＣを配向するための配向フィルムまたは層に、プラズマビームソースからのプラズマビームを照射する。国際特許出願公開第２００４／１０４６８２号パンフレット（特許文献６）に記載される方法は、陽極層ソース（ＡＬＳ：Ａｎｏｄｅ Ｌａｙｅｒ Ｓｏｕｒｃｅ）によってＨａｌｌファミリーより生成される［Ｖ．Ｚｈｕｒｉｎ、Ｈ．Ｋａｕｆｍａｎ、およびＲ．Ｒｏｂｉｎｓｏｎ、Ｐｌａｓｍａ Ｓｏｕｒｃｅｓ Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．、８巻、１頁（１９９９年）（非特許文献８）参照］加速プラズマのビームを使用する。伝統的なＫａｕｆｍａｎソースの代わりに陽極層ソースを使用することで、次の利点を得ることができる：（１）粒子ビームが電子によって自然に補償される、（２）ＬＣ配向パラメーターおよび配向モードの範囲が広がる、（３）粒子ビームソースの構造が単純となる、（４）ソースの信頼性が向上する、（５）ソースを大規模として広い領域の基体の処理が簡単である。

しかしながら、上記のような先行技術文献はＬＣＤ中のアクティブＬＣを配向するためのみのプラズマ処理などのラビングしない技術を使用することに言及しており、配向層の使用を依然として必要とする。一方、任意の基体上においてＬＣおよび特にＲＭを配向できることが、最も望ましい。

米国特許第５，８０５，２５３号明細書 米国特許第５，４５６，８６７号明細書 米国特許第６，３７９，７５８号明細書 米国特許第６，８１６，２１８号明細書 ロシア国特許第２，０５５，３８４号明細書 国際特許出願公開第２００４／１０４６８２号パンフレット

Ｉ．Ｓａｇｅ、Ｔｈｅｒｍｏｔｒｏｐｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ−Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ ａｎｄ Ｕｓｅｓ、３巻、Ｂ．Ｂａｈａｄｕｒ編、Ｗｏｒｌｄ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ、シンガポール １９９２年、１〜６３頁 Ｊ．Ｃｏｇｎａｒｄ、Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．７８巻、Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ １（１９８１年）、１〜７７頁 Ｍ．Ｓｃｈａｄｔら、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．、３４巻、３２４０頁（１９９５年） Ｊ．Ｃ．Ｄｕｂｏｉｓ、Ｍ．Ｇａｚａｒｄ、およびＡ．Ｚａｎｎ、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔｅｒｓ、２４巻（７号）、２９７頁（１９７４年） Ｒ．Ｗａｔａｎａｂｅ、Ｔ．Ｎａｋａｎｏ、Ｔ．Ｓａｔｏｈ、Ｈ．Ｈａｔｏｈ、およびＹ．Ｏｈｋｉ、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．、２６巻（３号）、３７３頁（１９８７年） Ａ．Ｉ．Ｖａｎｇｏｎｅｎ、およびＥ．Ａ．Ｋｏｎｓｈｉｎａ、Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．、３０４巻、５０７頁（１９９７年） Ｇ．Ｊ．ＳｐｒｏｋｅｌおよびＲ．Ｍ．Ｇｉｂｓｏｎ、Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．、１２４巻（４号）、５５９頁（１９７７年） Ｖ．Ｚｈｕｒｉｎ、Ｈ．Ｋａｕｆｍａｎ、およびＲ．Ｒｏｂｉｎｓｏｎ、Ｐｌａｓｍａ Ｓｏｕｒｃｅｓ Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．、８巻、１頁（１９９９年）

本発明の１つの目的は、ラビングおよび配向層を必要とせず、その上に塗工された材料の均一および安定な配向を提供し、特に量産において使用が容易であり、先行技術の上記の方法の不具合を有していない、ＬＣおよび特にＲＭを配向する方法を提供することである。本発明の他の目的は、以下の詳細な記載より当業者には直ちに明らかとなる。

本発明者らは、以降で記載される通りの方法を提供することで、これらの目的を達成できることを見出した。特に、国際特許出願公開第２００４／１０４６８２号パンフレット（特許文献６）中に記載されるような陽極層ソース照射によってプラズマビームを生成することが、実用上任意の基体、特に従来のＬＣＤ中で使用されるようなカラーフィルター層および表面処理されていないプラスチックフィルム上においてＲＭを配向するために効果的に使用できることが驚くべきことに見出された。国際特許出願公開第２００４／１０４６８２号パンフレット（特許文献６）中に記載されるような、余分の配向材料または層を使用する必要はない。また、この方法を使用することで、柔軟な基体のロール−ツー−ロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）プラズマビーム法を実現できることも見出された。

図１は、イン−セルＲＭ層の典型的なカラーＬＣＤを示す。 図２は、本発明による方法で使用される通りの陽極層ソース（ＡＬＳ：Ａｎｏｄｅ Ｌａｙｅｒ Ｓｏｕｒｃｅ）を概略的に示す。 図３は、本発明による方法において適用されるプラズマビーム照射のスキームを示す。スキーム（ａ）および（ｂ）は、それぞれ配置を移動させるソースおよびサンプルに対応する。 図４は、一組の交差偏光板の間で見る本発明の例１によるフィルムサンプルの写真を示す。黒い領域が、カラーフィルターフィルムのプラズマで処理された領域に対応する。 図５は、本発明の例１によるフィルムの位相差プロファイルを示す。 図６は、本発明のサンプル（６ａ）の例５によるフィルムサンプルおよび比較のフィルムサンプル（６ｂ）の偏光顕微鏡を通して撮られた写真を示す。 図７は、本発明の例１２によるフィルムの位相差プロファイルを示す。 図８は、本発明の例１４によるフィルムの位相差プロファイルを示す。 図９は、本発明の例１５によるフィルムの位相差プロファイルを示す。

本発明は、更に、
−基体の少なくとも一部を、前記基体上に配向方向を生成する粒子ビームに曝露する工程と、および
−前記基体上に１種類以上のＲＭを含む層を塗工する工程と
を含む反応性メソゲン（ＲＭ）を配向する方法に関する。

本発明は、更に、上および下で記載されるような、該配向ＲＭ層を重合または架橋する工程と、および任意工程として該基体より該重合または架橋されたＲＭ層を除去する工程とを更に含む方法に関する。

本発明は、更に、上および下で記載されるような方法により得られる配向ＲＭ層、ポリマーおよびポリマーフィルムに関する。

本発明は、更に、光学的、電子的および電気光学的装置またはそれらの素子中における、上および下で記載されるようなＲＭ層およびポリマーフィルムの使用に関する。

本発明は、更に、上および下で記載されるようなＲＭ層およびポリマーフィルムを含む光学的、電子的および電気光学的装置、またはそれらの素子に関する。

前記装置および素子としては、制限することなく、電気光学的ディスプレイ、ＬＣＤ、光学フィルム、偏光板、補償板、ビームスプリッター、反射フィルム、配向層、カラーフィルター、ホログラフィック素子、ホットスタンピングホイル、カラー画像、装飾またはセキュリティ用マーキング、ＬＣ顔料、接着層、非線形光学（ＮＬＯ）素子、光学的情報記憶装置、電子的装置、有機半導体、有機電界効果型トランジスタ（ＯＦＥＴ）、集積回路（ＩＣ）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、無線識別（ＲＦＩＤ）タグ、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機発光トランジスタ（ＯＬＥＴ）、電子発光ディスプレイ、有機光起電（ＯＰＶＯ）装置、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣ）、有機レーザーダイオード（Ｏ−レーザー）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、照明装置、センサー装置、電極材料、光伝導体、光検出器、電子写真記録装置、コンデンサ、電荷注入層、ショットキーダイオード、平坦化層、帯電防止フィルム、伝導性基体、伝導性パターンが挙げられる。

＜用語の定義＞
用語「粒子ビーム」は、イオン、中性粒子、電子、プラズマまたはそれらの混合物のビームを意味する。

用語「プラズマビーム」または「加速プラズマビーム」は、グロー放電中で始まり電界により放電領域の外に押出される粒子ビームを意味する。

用語「陽極層ソース」は、加速プラズマのフラックスを生成する密閉電子ドリフトソースのファミリーからの粒子ビームソースを意味する。

用語「フィルム」としては、剛直または柔軟で、機械的に安定な自立性または独立性のフィルム、ならびに支持基体上または２枚の基体間の塗工または層が挙げられる。

用語「反応性メソゲン（ＲＭ）」は、重合性のメソゲンまたは液晶化合物を意味する。

用語「液晶またはメソゲン材料」または「液晶またはメソゲン化合物」は、１つ以上の棒または板型（カラミチック）またはディスク型（ディスコチック）のメソゲン基、即ち液晶（ＬＣ）相挙動を誘発できる基を含む材料または化合物を意味する。メソゲン基を含む化合物または材料は、必ずしもそれら自体が液晶相を示す必要はない。また、それらが、他の化合物との混合物においてのみ、またはメソゲン化合物または材料、またはそれらの混合物を重合させた際に、液晶相挙動を示すことも可能である。

簡単のために、以降、用語「液晶材料」をメソゲンおよびＬＣ材料のいずれにも使用する。

また、１つの重合性基を有する重合性化合物を「単反応性」化合物とも呼び、２つの重合性基を有する化合物を「二反応性」化合物とも呼び、２つより多い重合性基を有する化合物を「多反応性」化合物とも呼ぶ。重合性基を有しない化合物を、「非反応性」化合物とも呼ぶ。

用語「ダイレクター」は先行技術において既知であり、ＬＣまたはＲＭ材料中においてメソゲン基の長分子軸（カラミチック化合物の場合）または短分子軸（ディスコチック化合物の場合）の好ましい配向方向を意味する。単軸性で正の複屈折のＬＣまたはＲＭ材料を含むフィルムにおいて、光軸はダイレクターによって与えられる。

用語「ホメオトロピック配向」は、光軸がフィルム面に対して実質的に垂直な層またはフィルムを指す。

用語「平面配向」は、光軸がフィルム面に対して実質的に平行な層またはフィルムを指す。

用語「チルト配向」は、光軸がフィルム面に対して０および９０°の間の角度θで傾いている層またはフィルムを指す。

用語「スプレイ配向」は、フィルム面に対して垂直な方向にチルト角が、好ましくは最小から最大の値に変化する上に定義される通りのチルト配向を意味する。

平均チルト角θ_ａｖｅは、以下の通り定義される。

式中、θ’（ｄ’）はフィルム内の厚みｄ’における局所的なチルト角であり、ｄはフィルムの総厚みである。

他に明らかに述べない限り、スプレイフィルムのチルト角は、以降、平均チルト角θ_ａｖｅで与えられるものとする。

用語「Ａ平面」は、層面に対して平行に配向した異常軸を有する単軸性複屈折物質の層を利用する光学位相板を意味する。

用語「Ｃ平面」は、層面に対して垂直な異常軸を有する単軸性複屈折物質の層を利用する光学位相板を意味する。

用語「Ｏ平面」は、層面に対して、ある角度で傾く異常軸を有する単軸性複屈折物質の層を利用する光学位相板を意味する。

均一に配向する光学的に単軸性の複屈折液晶材料を有するＡ−およびＣ−平面において、フィルムの光軸は異常軸の方向によって与えられる。

また、正の複屈折率を有する光学的に単軸性の複屈折材料を有するＡ平面またはＣ平面を、「＋Ａ／Ｃ平面」または「正のＡ／Ｃ平面」と呼ぶ。また、負の複屈折率を有する光学的に単軸性の複屈折材料のフィルムを有するＡ平面またはＣ平面を、「−Ａ／Ｃ平面」または「負のＡ／Ｃ平面」と呼ぶ。

用語「方位角」（φ）は、層またはフィルムの面内でダイレクターおよび参照している軸の間の角度を意味する。

用語「天頂角」（θ）は、上で定義される通りのチルト角を意味する。

＜発明の詳細な記載＞
ＲＭを配向するために、本発明による方法は、粒子ビームエッチング法、特にプラズマビーム法を利用する。この方法は、追加の配向層を有する基体上のＬＣＤ中のアクティブＬＣを配向するために国際特許出願公開第２００４／１０４６８２号パンフレット（特許文献６）中で示唆されたもので、その開示の全体が引用により本出願に取り込まれるものとする。

プラズマビームは、好ましくは、陽極層ソース（ＡＬＳ：Ａｎｏｄｅ Ｌａｙｅｒ Ｓｏｕｒｃｅ）によって静電ソースのＨａｌｌファミリーより提供される。これは、実用的に任意のガス状フィードからの粒子の平行フラックスを提供するように設計されている。粒子フラックスは、交差電界および磁界中において放電チャネル中で直接形成される。高い陽極ポテンシャルのため、加速プラズマのビームが発生するようにプラズマの一部が放電領域の外に押出される。イオンビーム配向法のために広く使用されているＫａｕｆｍａｎソースとは対照的に、ＡＬＳはグリッドおよび高温の素子（フィラメントおよび他の二次電子ソースなど）を含んでおらず；よって構造が単純で信頼性を実質的に向上できる。外部陰極（１）、内部陰極（２）、陽極（３）および永久磁石（４）を含むＡＬＳの構成を、図２ａに例示する。グロー放電およびプラズマフラックスを、図２ｂに示す。ＡＬＳの重要な特徴は、ソースが加速プラズマの２枚の「シート」を発生するように、グロー放電がレーストラックの形状をしていることである。このため、並進または柔軟なプラスチックフィルムのためのロール−ツー−ロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）並進により、比較的大きい基体を処理できる。本発明においては、好ましくは、同様の配向結果を与える２つの曝露ジオメトリーを使用する。好ましく使用される照射のスキームを図３に例示するが、（１）はＡＬＳを、（２）は移動方向を、（３）はプラズマシートを、（４）は基体を、および（５）は基体持具を示す。そこでは、スキームａ）はソースが移動するジオメトリー１を示し、スキームｂ）は基体持具が移動するジオメトリー２を示す。基体の法線より計量される曝露角は、好ましくは、４５°〜８５°の範囲内である。ソースおよび基体間の距離は、曝露角に依存する。例えば、図３の曝露ジオメトリーｂ）において、典型的には６〜２５ｃｍで変化させる。この距離を長くすると、プラズマフラックスの電流密度を一定に保つため、圧力または陽極ポテンシャルを好ましくは増加しなければならない。

チャンバー中の残留圧力は、好ましくは、３×１０^−５トールより低くしなければならない。典型的に使用されるフィードガスはアルゴンである。動作圧力ｐは、好ましくは、１〜６×１０^−４トールの範囲内である。陽極ポテンシャルＵは、典型的には、４００Ｖ〜３０００Ｖで変化させる。典型的には、電流密度ｊは、好ましくは、０．５〜５０μＡ／ｃｍ^２の範囲内であり、ｐおよびＵの値によって決定される。

本発明によるプラズマビーム法によってカラーフィルター層、表面処理されていないガラス基体およびプラスチックフィルムを処理することは、ネマチック、コレステリックまたはスメクチックＲＭ混合物の平面またはチルト配向を生成するために使用できる。配向層およびラビング法は必要ない。

加えて、ロール可能なプラスチック基体の配向処理を、ロール−ツー−ロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）並進により実現できる。この場合、プラスチック片をロール−ツー−ロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）で巻き取る際に、プラズマビーム法を提供する。例えば、このことは、適切な真空を実現し、基体を巻解ローラーから巻取ローラーへ移動させながら引き続いてフィルムをプラズマ処理に曝露するようにして、真空チャンバー中にロールを配置することで達成できる。次いで引き続いて、このロールを、従来の塗工技術を使用して適切なＲＭ溶液により塗工できる。

加えて、パターン化された配向（即ち、異なる配向の領域のパターン）を、マスクを使用し複数の照射工程により実現できる。ソースおよび基体を再配置することなく、ＡＬＳ照射系によれば、１つのマスクおよび２段階の照射法により、フィルム面中の光軸に互いに垂直なパターンを得ることができる。

本発明による方法を使用することにより種々の配向方向をＲＭ中に誘発でき、例えば、平面、ホメオトロピックまたはスプレイ配向であり、プラズマフラックスの曝露ドーズおよび入射角、および使用するＲＭのタイプに依存する。よって、Ａ平面、Ｃ平面またはＯ平面の光学特性を有する重合ＲＭフィルムを調製できる。

この技法の更なる使用は、第２のＲＭフィルムの最表面上の１枚のＲＭフィルムの配向である。これにより、より複雑な補償板構造を製造できる。現在のところ、多層補償板構造は、個別に塗工された層を積層し、そして搬送用の基体を（恐らく）剥離することで形成されている。これに対し、もう１枚のＲＭ層上に１枚のＲＭ層を直接塗工することで、積層工程を除ける利点があり、また、非常に更に薄い製品が与えられる。

基体としては、例えば、ガラスまたは石英シートまたはプラスチックフィルムを使用できる。重合前および／または重合中および／または重合後に塗工されたＲＭの最表面上に、第２の基体を設けることも可能である。基体は、重合後に除去してもよいし除去しなくてもよい。２枚の基体を使用し化学線によって硬化を行う場合、少なくとも一方の基体は重合のために使用される化学線に対して透過性でなければならない。等方性または複屈折性基体を用いることができる。重合後に基体を重合されたフィルムから除去しない場合、好ましくは等方性基体を用いる。好適で好ましいプラスチック基体は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）またはポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）またはトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）などの例えばポリエステルのフィルムであり、非常に好ましくはＰＥＴまたはＴＡＣフィルムである。また、基体は、光学的、電気光学的または電子的装置ＬＣディスプレイの部品、例えば、ＬＣＤ中のカラーフィルター層またはチップの製造で一般に使用される材料層でも構わず、例えば、シリコンなどである。また、上記材料の１枚以上の層またはフィルムを含む基体も使用できる。また、例えば、ガスバリヤ層および／または配向層などとして機能し得る、例えばＳｉＯ_２などの追加の層により塗工されている、例えば上記などの材料の基体の使用も可能である。

ＲＭ材料は、スピンコーティングまたはブレードコーティングなどの従来のコーティング技術によって基体上ヘ塗工できる。また、従来の印刷技術によって基体に塗工することもでき、例えば、スクリーン印刷、オフセット印刷、リール−ツー−リール（ｒｅｅｌ−ｔｏ−ｒｅｅｌ）印刷、活版印刷、グラビア印刷、輪転グラビア印刷、フレキソ印刷、凹版印刷、パッド印刷、ヒートシール印刷、インクジェット印刷またはスタンプまたはプリントプレートによる印刷などの当業者に既知の技術である。

また、ＲＭ材料を適切な溶媒に溶解することも可能である。次いで、例えば、スピンコーティングまたは印刷または他の既知の技術により、この溶液を基体上にコーティングまたは印刷し、溶媒を重合前に蒸発させる。多くの場合、溶媒の蒸発を促進するために、混合物を加熱することが適切である。溶媒として、例えば、標準的な有機溶媒を用いることができる。溶媒は、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルプロピルケトンまたはシクロヘキサノンなどのケトン類；酢酸メチル、酢酸エチルまたは酢酸ブチルまたはアセト酢酸メチルなどの酢酸エステル類；メタノール、エタノールまたはイソプロピルアルコールなどのアルコール類；トルエンまたはキシレンなどの芳香族溶媒類；ジクロロメタンまたはトリクロロメタンなどのハロゲン化炭化水素類；ＰＧＭＥＡ（酢酸プロピルグリコールモノメチルエーテル）、γ−ブチロラクトンなどのグリコール類またはそれらのエステル類などから選択できる。また、上記溶媒の２成分系、３成分系以上の混合物を用いることも可能である。

本発明の好ましい実施形態は、以下の通りである：
−基体は、配向層を含まない、
−基体は、ラビングされていない、
−基体は、有機または無機材料を含む、
−基体は、ガラス、石英、プラスチックまたはシリコンから選択される、
−基体は、カラーフィルターである、
−基体の少なくとも一部に、基体の法線に対して０°より大きく８５°までの入射角によりプラズマビームソースからのプラズマビームを照射する、
−入射角は２０°〜８５°、好ましくは４５°〜８５°である、
−基体は、プラズマビームソースから５〜５０ｃｍ、好ましくは６〜１５ｃｍの距離に位置している、
−基体の曝露部分は、約０°の方位角φおよび０°〜４０°の天頂角θ、または約９０°の方位角φおよび約０°の天頂角θを有する配向方向をＲＭに与える、
−前記によりＲＭ層中に誘発される配向は、平面配向である、
−前記によりＲＭ層中に誘発される配向は、ホメオトロピック配向である、
−前記によりＲＭ層中に誘発される配向は、チルト配向である、
−プラズマビームソースは、密閉型ドリフタースラスタである、
−プラズマビームソースは、陽極層スラスタである、
−プラズマビームの電流密度は、好ましくは０．１〜１０００μＡ／ｃｍ^２、非常に好ましくは０．５〜３０μＡ／ｃｍ^２である、
−イオンエネルギーは１００〜５０００ｅＶ、好ましくは４００ｅＶ〜３０００ｅＶである、
−基体の所定部分にプラズマビームが到達することを防ぐためにマスクを使用する工程、例えば、プラズマビームの曝露前または曝露中に基体にマスクを塗工する工程を更に含む方法、
−前記方法によりＲＭ層中に誘発される配向が、異なる配向方向を有する少なくとも２つの領域のパターンを含む、
−プラズマビームは、シート形状である、
−プラズマビームの経路を通して配向基体を動かす工程を更に含む方法、
−ロール可能なプラスチック基体のロール−ツー−ロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）配向処理である方法。

また、本発明による方法はＬＣＤ工業中で使用される他の真空法とも両立でき、限定することなく、ＩＴＯ蒸着、ＴＦＴ塗工、ＬＣＤの真空充填などが挙げられる。これは、ＬＣＤ生産の全体が真空である技術ライン中で優位に使用でき、埃、湿度、空気イオンなどに関する良く知られている問題を強力に低減できる。

また、プラズマビームにより予め誘発された配向を、引き続くプラズマ照射工程によって改変または上書きすらすることもできる。この特徴は、例えば、平面方向中のＲＭを配向するために前もって処理された基体上にプレチルト角を生成するために、例えば使用できる。また、配向を上書きできると、セルのパターン化のために使用されるマスク法の回数を少なくできる。特に、二領域配向では、必要なマスクは１つのみである。

また、本発明のプラズマ処理は、他の方法（例えば、ラビング、光配向など）で誘発された配向を無効にするためにも使用できる。このことは、プラズマ法を、サンプルのパターン化のための他の方法と引き続き組み合わせることができることを意味する。

ＲＭは、好ましくはカラミチックまたはディスコチック単量体より、非常に好ましくはカラミチック単量体より選択する。これらの材料は、典型的には、色度が低減されているなどの良好な光学特性を有し、所望の方向に簡単および迅速に配向でき、大規模なポリマーフィルムの工業的生産のために特に重要である。ＲＭは、二色性染料を含んでいてもよい。また、重合性材料が１種類以上のディスコチック単量体を含むことも可能である。非常に好ましくは、１種類以上のＲＭおよび任意成分として１種類以上の更なる成分または添加剤を含む混合物を使用する。

ネマチック、スメクチックまたはコレステリック相を有するＲＭまたはＲＭ混合物が、特に好ましい。

好ましくは、ＲＭは式Ｉより選択される。

Ｐ−Ｓｐ−ＭＧ−Ｒ Ｉ
式中、
Ｐは、重合性基であり、
Ｓｐは、スペーサー基または単結合であり、
Ｒは、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ＮＣＳ、ＳＦ_５、または１〜３０個のＣ原子を有する直鎖または分枝のアルキルであり、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩまたはＣＮで一置換または多置換されていてもよく、およびただし１個以上の隣接していないＣＨ_２基は、それぞれの場合で互いに独立に、Ｏおよび／またはＳ原子が互いに直接結合しないようにして、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−ＮＲ^０−、−ＳｉＲ^０Ｒ^００−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−Ｏ−、−Ｓ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−ＣＹ^１＝ＣＹ^２−または−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていてもよく、またはＰ−Ｓｐ−を表し、
Ｒ^０およびＲ^００は、それぞれ互いに独立に、Ｈまたは１〜１２個のＣ原子のアルキルを表し、および
ＭＧは、キラルでもよい棒状メソゲン基である。

ＭＧは、好ましくは、式ＩＩより選択される。

−（Ａ^１−Ｚ^１）_ｍ−Ａ^２− ＩＩ
式中、
Ａ^１およびＡ^２は、複数出現する場合は互いに独立に、芳香族または脂環式基で、Ｎ、ＯおよびＳから選択される１個以上のヘテロ原子を含んでいてもよく、および式Ｉ中で定義される通りのＲによって一置換または多置換されていてもよく、
Ｚ^１は、複数出現する場合は互いに独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｓ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｏ−ＣＯＯ−、−ＣＯ−ＮＲ^０−、−ＮＲ^０−ＣＯ−、−ＮＲ^０−ＣＯ−ＮＲ^００、−ＮＲ^０−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−ＮＲ^０−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＳＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｓ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｓ−、−ＳＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＦ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＲ^０−、−ＣＹ^１＝ＣＹ^２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−または単結合を表し、
Ｒ^０およびＲ^００は、式Ｉ中で定義される通りであり、
Ｙ^１およびＹ^２は、それぞれ互いに独立に、Ｈ、Ｆ、ＣｌまたはＣＮを表し、
ｍは、０、１、２、３または４である。

好ましい基Ａ^１およびＡ^２基としては、限定することなく、フラン、ピロール、チオフェン、オキサゾール、チアゾール、チアジアゾール、イミダゾール、フェニレン、シクロヘキシレン、ビシクロオクチレン、シクロヘキセニレン、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、アズレン、インダン、ナフタレン、テトラヒドロナフタレン、アントラセンおよびフェナントレンが挙げられ、全て１個以上の基Ｌで置換されていてもよい。

好ましくは、Ｌは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、−ＣＮ、−ＮＯ_２、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^０Ｒ^００、−Ｃ（＝Ｏ）Ｘ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ^０、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^０、−ＮＲ^０Ｒ^００、−ＯＨ、−ＳＦ_５、置換されていてもよいシリル、１〜１２個、好ましくは１〜６個のＣ原子のアリール、および１〜１２個、好ましくは１〜６個のＣ原子の直鎖または分岐のアルキル、アルコキシ、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシまたはアルコキシカルボニルオキシより選択され、ただし、１個以上のＨ原子はＦまたはＣｌで置き換えられていてもよく、Ｒ^０およびＲ^００は式Ｉ中で定義される通りで、Ｘはハロゲンである。

特に好ましい基Ａ^１およびＡ^２は、１，４−フェニレン、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、チオフェン−２，５−ジイル、ナフタレン−２，６−ジイル、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル、インダン−２，５−ジイル、ビシクロオクチレンまたは１，４−シクロヘキシレンより選択され、ただし、１個または２個の隣接していないＣＨ_２基はＯおよび／またはＳで置き換えられていてもよく、ただしこれらの基は無置換または上で定義される通りのＬにより一置換または多置換されている。

より好ましくは、Ｌは、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ＮＯ_２または１〜１２個のＣ原子の直鎖または分岐のアルキル、アルコキシ、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシまたはアルコキシカルボニルオキシより選択され、ただし、アルキル基はペルフルオロ化されていてもよい。

最も好ましくは、Ｌは、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ＮＯ_２、ＣＨ_３、Ｃ_２Ｈ_５、Ｃ（ＣＨ_３）_３、ＣＨ（ＣＨ_３）_２、ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）Ｃ_２Ｈ_５、ＯＣＨ_３、ＯＣ_２Ｈ_５、ＣＯＣＨ_３、ＣＯＣ_２Ｈ_５、ＣＯＯＣＨ_３、ＣＯＯＣ_２Ｈ_５、ＣＦ_３、ＯＣＦ_３、ＯＣＨＦ_２またはＯＣ_２Ｆ_５、特には、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ＣＨ_３、Ｃ_２Ｈ_５、Ｃ（ＣＨ_３）_３、ＣＨ（ＣＨ_３）_２、ＯＣＨ_３、ＣＯＣＨ_３またはＯＣＦ_３、最も好ましくは、Ｆ、Ｃｌ、ＣＨ_３、Ｃ（ＣＨ_３）_３、ＯＣＨ_３またはＣＯＣＨ_３より選択される。

Ａ^１およびＡ^２が置換フェニルの場合、好ましくは、以下より選択される。

Ｌは、それぞれ独立に、上で与えられる意味の１つを有する。

Ｒがアルキルまたはアルコキシ基、即ち、末端ＣＨ_２基が−Ｏ−で置き換えられている場合、それは直鎖でも分枝でもよい。それは好ましくは直鎖で、２、３、４、５、６、７または８個の炭素原子を有し、従って好ましくは、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシ、ヘプトキシ、またはオクトキシ、更に例えば、メチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ノノキシ、デコキシ、ウンデコキシ、ドデコキシ、トリデコキシまたはテトラデコキシである。

オキサアルキル、即ち、１個のＣＨ_２基が−Ｏ−で置き換えられている場合は、好ましくは例えば、直鎖の２−オキサプロピル（＝メトキシメチル）、２−（＝エトキシメチル）または３−オキサブチル（＝２−メトキシエチル）、２−、３−、または４−オキサペンチル、２−、３−、４−、または５−オキサヘキシル、２−、３−、４−、５−、または６−オキサヘプチル、２−、３−、４−、５−、６−または７−オキサオクチル、２−、３−、４−、５−、６−、７−または８−オキサノニルまたは２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−または９−オキサデシルである。

１個以上のＣＨ_２基が−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられているアルキル基は、直鎖でも分枝でもよい。それは好ましくは、直鎖で、２〜１０個のＣ原子を有し、従って好ましくは、ビニル、プロペ−１−、またはプロペ−２−ニル、ブテ−１−、２−またはブテ−３−ニル、ペンテ−１−、２−、３−またはペンテ−４−ニル、ヘキセ−１−、２−、３−、４−またはヘキセ−５−ニル、ヘプテ−１−、２−、３−、４−、５−またはヘプテ−６−ニル、オクテ−１−、２−、３−、４−、５−、６−またはオクテ−７−ニル、ノネ−１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−またはノネ−８−ニル、デセ−１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−またはデセ−９−ニルである。

特に好ましいアルケニル基は、Ｃ_２−Ｃ_７−１Ｅ−アルケニル、Ｃ_４−Ｃ_７−３Ｅ−アルケニル、Ｃ_５−Ｃ_７−４−アルケニル、Ｃ_６−Ｃ_７−５−アルケニルおよびＣ_７−６−アルケニル、特に、Ｃ_２−Ｃ_７−１Ｅ−アルケニル、Ｃ_４−Ｃ_７−３Ｅ−アルケニルおよびＣ_５−Ｃ_７−４−アルケニルである。特に好ましいアルケニル基の例は、ビニル、１Ｅ−プロペニル、１Ｅ−ブテニル、１Ｅ−ペンテニル、１Ｅ−ヘキセニル、１Ｅ−ヘプテニル、３−ブテニル、３Ｅ−ペンテニル、３Ｅ−ヘキセニル、３Ｅ−ヘプテニル、４−ペンテニル、４Ｚ−ヘキセニル、４Ｅ−ヘキセニル、４Ｚ−ヘプテニル、５−ヘキセニル、６−ヘプテニルおよび同種のものである。５個までのＣ原子を有する基が一般的に好ましい。

１個のＣＨ_２基が−Ｏ−および１個が−ＣＯ−により置き換えられているアルキル基において、これらの基は好ましくは隣接している。従って、これらの基は共に、カルボニルオキシ基−ＣＯ−Ｏ−またはオキシカルボニル基−Ｏ−ＣＯ−を形成する。好ましくは、この基は直鎖で２〜６個のＣ原子を有する。従って、それは、好ましくは、アセチルオキシ、プロピオニルオキシ、ブチリルオキシ、ペンタノイルオキシ、ヘキサノイルオキシ、アセチルオキシメチル、プロピオニルオキシメチル、ブチリルオキシメチル、ペンタノイルオキシメチル、２−アセチルオキシエチル、２−プロピオニルオキシエチル、２−ブチリルオキシエチル、３−アセチルオキシプロピル、３−プロピオニルオキシプロピル、４−アセチルオキシブチル、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ペントキシカルボニル、メトキシカルボニルメチル、エトキシカルボニルメチル、プロポキシカルボニルメチル、ブトキシカルボニルメチル、２−（メトキシカルボニル）エチル、２−（エトキシカルボニル）エチル、２−（プロポキシカルボニル）エチル、３−（メトキシカルボニル）プロピル、３−（エトキシカルボニル）プロピル、４−（メトキシカルボニル）ブチルである。

２個以上のＣＨ_２基が−Ｏ−および／または−ＣＯＯ−により置き換えられているアルキル基は、直鎖でも分枝でもよい。それは、好ましくは、直鎖で３〜１２個のＣ原子を有する。従って、それは、好ましくは、ビス−カルボキシ−メチル、２，２−ビス−カルボキシ−エチル、３，３−ビス−カルボキシ−プロピル、４，４−ビス−カルボキシ−ブチル、５，５−ビス−カルボキシ−ペンチル、６，６−ビス−カルボキシ−ヘキシル、７，７−ビス−カルボキシ−ヘプチル、８，８−ビス−カルボキシ−オクチル、９，９−ビス−カルボキシ−ノニル、１０，１０−ビス−カルボキシ−デシル、ビス−（メトキシカルボニル）−メチル、２，２−ビス−（メトキシカルボニル）−エチル、３，３−ビス−（メトキシカルボニル）−プロピル、４，４−ビス−（メトキシカルボニル）−ブチル、５，５−ビス−（メトキシカルボニル）−ペンチル、６，６−ビス−（メトキシカルボニル）−ヘキシル、７，７−ビス−（メトキシカルボニル）−ヘプチル、８，８−ビス−（メトキシカルボニル）−オクチル、ビス−（エトキシカルボニル）−メチル、２，２−ビス−（エトキシカルボニル）−エチル、３，３−ビス−（エトキシカルボニル）−プロピル、４，４−ビス−（エトキシカルボニル）−ブチル、５，５−ビス−（エトキシカルボニル）−ヘキシルである。

ＣＮまたはＣＦ_３で一置換されるアルキルまたはアルケニル基は、好ましくは、直鎖である。ＣＮまたはＣＦ_３による置換は、所望の如何なる位置でもよい。

ハロゲンにより少なくとも一置換されているアルキルまたはアルケニル基は、好ましくは、直鎖である。ハロゲンは、好ましくは、ＦまたはＣｌであり、複数置換の場合、好ましくは、Ｆである。また、生じる基は、ペルフルオロ化された基をも含む。一置換の場合、ＦまたはＣｌの置換基は、所望の如何なる位置でもよいが、好ましくはω−位である。末端にＦ置換基を有する特に好ましい直鎖基の例は、フルオロメチル、２−フルオロエチル、３−フルオロプロピル、４−フルオロブチル、５−フルオロペンチル、６−フルオロヘキシルおよび７−フルオロヘプチルである。しかしながら、Ｆの他の位置は除外されない。

ハロゲンは、好ましくは、ＦまたはＣｌである。

Ｒは、アキラルまたはキラルな基でよい。好ましい実施形態において、それは、キラルな基であり、非常に好ましくは、式ＩＩＩより選択される：

式中、
Ｑ^１は、１〜９個のＣ原子のアルキレンまたはアルキレン−オキシ、上で定義される通りのアリーレンまたはヘテロアリーレン、または単結合であり、
Ｑ^２は、１〜１０個のＣ原子のアルキルまたはアルコキシで、無置換または、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＣＮにより一置換または多置換されていてよく、また、１個以上の隣接していないＣＨ_２基は、それぞれの場合で互いに独立に、酸素原子が互いに直接に結合しないように、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ_３）−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−Ｏ−、−Ｓ−ＣＯ−または−ＣＯ−Ｓ−で置き換えられていることも可能であり、または上で定義される通りのアリールまたはヘテロアリールであり、Ｑ^１およびＱ^３とは異なっており、
Ｑ^３は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＣＮまたはＱ^２に定義される通りでＱ^２およびＱ^１とは異なるアルキル、アルコキシ、アリールまたはヘテロアリールである。

式ＩＩ中のＱ^１がアルキレン−オキシ基の場合、Ｏ原子は、好ましくは、キラルなＣ原子に隣接している。

式ＩＩの好ましいキラルな基は、２−アルキル、２−アルコキシ、２−メチルアルキル、２−メチルアルコキシ、２−フルオロアルキル、２−フルオロアルコキシ、２−（２−エチン）−アルキル、２−（２−エチン）−アルコキシ、１，１，１−トリフルオロ−２−アルキルおよび１，１，１−トリフルオロ−２−アルコキシである。

特に好ましいキラルな基は、例えば、２−ブチル（＝１−メチルプロピル）、２−メチルブチル、２−メチルペンチル、３−メチルペンチル、２−エチルヘキシル、２−プロピルペンチル、特に、２−メチルブチル、２−メチルブトキシ、２−メチルペントキシ、３−メチルペントキシ、２−エチルヘキソキシ、１−メチルヘキソキシ、２−オクチルオキシ、２−オキサ−３−メチルブチル、３−オキサ−４−メチルペンチル、４−メチルヘキシル、２−ヘキシル、２−オクチル、２−ノニル、２−デシル、２−ドデシル、６−メトキシオクトキシ、６−メチルオクトキシ、６−メチルオクタノイルオキシ、５−メチルヘプチルオキシカルボニル、２−メチルブチリルオキシ、３−メチルバレロイルオキシ、４−メチルヘキサノイルオキシ、２−クロロプロピオニルオキシ、２−クロロ−３−メチルブチリルオキシ、２−クロロ−４−メチルバレリルオキシ、２−クロロ−３−メチルバレリルオキシ、２−メチル−３−オキサペンチル、２−メチル−３−オキサヘキシル、１−メトキシプロピル−２−オキシ、１−エトキシプロピル−２−オキシ、１−プロポキシプロピル−２−オキシ、１−ブトキシプロピル−２−オキシ、２−フルオロオクチルオキシ、２−フルオロデシルオキシ、１，１，１−トリフルオロ−２−オクチルオキシ、１，１，１−トリフルオロ−２−オクチル、２−フルオロメチルオクチルオキシである。２−ヘキシル、２−オクチル、２−オクチルオキシ、１，１，１−トリフルオロ−２−ヘキシル、１，１，１−トリフルオロ−２−オクチルおよび１，１，１−トリフルオロ−２−オクチルオキシが非常に好ましい。

加えて、アキラルな分枝基Ｒを含有する化合物は、例えば、結晶化の傾向が低下するため重要なことがある。このタイプの分枝基は、一般的に、１つ以上の鎖の枝分かれを含有しない。好ましいアキラルな分枝基は、イソプロピル、イソブチル（＝メチルプロピル）、イソペンチル（＝３−メチルブチル）、イソプロポキシ、２−メチル−プロポキシおよび３−メチルブトキシである。

重合性基Ｐは、ラジカルまたはイオン性鎖重合、重付加または重縮合などの重合反応に関与できるか、または、例えば、ポリマー類似反応において高分子主鎖上への縮合または付加によるグラフトが可能な基である。特に、ラジカル、カチオン性またはアニオン性重合などの鎖重合反応のための重合性基が好ましい。Ｃ−Ｃ二重または三重結合を含む重合性基、および、オキセタンまたはエポキシドなどの開環反応によって重合できる重合性基が非常に好ましい。

非常にこのましくは、重合性基Ｐは、ＣＨ_２＝ＣＷ^１−ＣＯＯ−、ＣＨ_２＝ＣＷ^１−ＣＯ−、

ＣＨ_２＝ＣＷ^２−（Ｏ）_ｋ１−、ＣＨ_３−ＣＨ＝ＣＨ−Ｏ−、（ＣＨ_２＝ＣＨ）_２ＣＨ−ＯＣＯ−、（ＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＨ_２）_２ＣＨ−ＯＣＯ−、（ＣＨ_２＝ＣＨ）_２ＣＨ−Ｏ−、（ＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＨ_２）_２Ｎ−、（ＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＨ_２）_２Ｎ−ＣＯ−、ＨＯ−ＣＷ^２Ｗ^３−、ＨＳ−ＣＷ^２Ｗ^３−、ＨＷ^２Ｎ−、ＨＯ−ＣＷ^２Ｗ^３−ＮＨ−、ＣＨ_２＝ＣＷ^１−ＣＯ−ＮＨ−、ＣＨ_２＝ＣＨ−（ＣＯＯ）_ｋ１−Ｐｈｅ−（Ｏ）_ｋ２−、ＣＨ_２＝ＣＨ−（ＣＯ）_ｋ１−Ｐｈｅ−（Ｏ）_ｋ２−、Ｐｈｅ−ＣＨ＝ＣＨ−、ＨＯＯＣ−、ＯＣＮ−、およびＷ^４Ｗ^５Ｗ^６Ｓｉ−より選択され、Ｗ^１は、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ＣＦ_３、フェニルまたは１〜５個のＣ原子のアルキル、特に、Ｈ、ＣｌまたはＣＨ_３であり、Ｗ^２およびＷ^３は、互いに独立して、Ｈまたは１〜５個のＣ原子のアルキル、特に、Ｈ、メチル、エチルまたはｎ−プロピルであり、Ｗ^４、Ｗ^５およびＷ^６は、互いに独立して、Ｃｌ、１〜５個のＣ原子のオキサアルキルまたはオキサカルボニルアルキルであり、Ｗ^７およびＷ^８は、互いに独立して、Ｈ、Ｃｌまたは１〜５個のＣ原子のアルキルであり、Ｐｈｅは、上で定義される通りの１個以上の基Ｌで置換されていてもよい１，４−フェニレンであり、およびｋ_１およびｋ_２は、互いに独立して、０または１である。

特に好ましい基Ｐは、ＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＯＯ−、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−ＣＯＯ−、ＣＨ_２＝ＣＨ−、ＣＨ_２＝ＣＨ−Ｏ−、（ＣＨ_２＝ＣＨ）_２ＣＨ−ＯＣＯ−、（ＣＨ_２＝ＣＨ）_２ＣＨ−Ｏ−、

である。

特に好ましくは、Ｐは、ビニル基、アクリレート基、メタクリレート基、オキセタン基またはエポキシ基、特に好ましくは、アクリレートまたはメタクリレート基である。

アクリレートおよびオキセタン基が非常に好ましい。オキセタン類は重合（架橋）時に生じる収縮がより少なく、結果としてフィルム中のストレス発生がより少なく、秩序がより高度に保たれ欠陥がより少なくなる。また、オキセタンの架橋はカチオン性の開始剤を必要とし、フリーラジカル開始剤と異なり酸素に対して不活性である。

スペーサー基としては、この目的のために当業者に既知の全て基を使用できる。スペーサー基Ｓｐは、好ましくは、Ｐ−ＳｐがＰ−Ｓｐ’−Ｘ’−であるように式Ｓｐ’−Ｘ’である。

式中、
Ｓｐ’は、１〜２０個のＣ原子、好ましくは１〜１２個のＣ原子のアルキレンであり、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩまたはＣＮにより一置換または多置換されていてもよく、ただし、１個以上の隣接していないＣＨ_２基は、それぞれの場合で互いに独立に、Ｏおよび／またはＳ原子が互いに直接結合しないように、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−ＮＲ^０−、−ＳｉＲ^０Ｒ^００−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−Ｏ−、−Ｓ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−ＮＲ^０−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−ＮＲ^０−、−ＮＲ^０−ＣＯ−ＮＲ^０−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられていてもよく、
Ｘ’は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−ＣＯＯ−、−ＣＯ−ＮＲ^０−、−ＮＲ^０−ＣＯ−、−ＮＲ^０−ＣＯ−ＮＲ^０−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＳＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｓ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｓ−、−ＳＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＲ^０−、−ＣＹ^１＝ＣＹ^２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−または単結合であり、
Ｒ^０およびＲ^００は、それぞれ互いに独立に、Ｈまたは１〜１２個のＣ原子のアルキルであり、および
Ｙ^１およびＹ^２は、それぞれ互いに独立に、Ｈ、Ｆ、ＣｌまたはＣＮである。

Ｘ’は、好ましくは、−Ｏ−、−Ｓ−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−ＣＯＯ−、−ＣＯ−ＮＲ^０−、−ＮＲ^０−ＣＯ−、−ＮＲ^０−ＣＯ−ＮＲ^０−または単結合である。

典型的な基Ｓｐ’は、例えば、−（ＣＨ_２）_ｐ−、−（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_ｑ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−Ｓ−ＣＨ_２ＣＨ_２−または−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＮＨ−ＣＨ_２ＣＨ_２−または−（ＳｉＲ^０Ｒ^００−Ｏ）_ｐ−であり、ｐは２〜１２の整数、ｑは１〜３の整数およびＲ^０およびＲ^００は上で与えられる意味を有する。

好ましい基Ｓｐ’は、例えば、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンチレン、ヘキシレン、へプチレン、オクチレン、ノニレン、デシレン、ウンデシレン、ドデシレン、オクタデシレン、エチレンオキシエチレン、メチレンオキシブチレン、エチレンチオエチレン、エチレン−Ｎ−メチルイミノエチレン、１−メチルアルキレン、エテニレン、プロペニレンおよびブテニレンである。

ＳｐおよびＳｐ’は、アキラルまたはキラルな基でよい。好ましい実施形態において、ＳｐまたはＳｐ’はキラルな基である。キラルな基Ｓｐ’は、非常に好ましくは、式ＩＩＩより選択される：

式中、
Ｑ^４は、１〜９個のＣ原子のアルキレンまたはアルキレン−オキシ基または単結合であり、
Ｑ^５は、１〜１０個のＣ原子のアルキルまたはアルコキシ基で、無置換または、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＣＮにより一置換または多置換されていてよく、また、１個以上の隣接していないＣＨ_２基が、それぞれの場合で互いに独立に、酸素原子が互いに直接に結合しないように、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ_３）−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−Ｏ−、−Ｓ−ＣＯ−または−ＣＯ−Ｓ−で置き換えられていることも可能であり、
Ｑ^６は、１〜１０個のＣ原子のアルキレンまたはアルキレン−オキシ基または単結合であり、Ｑ^４とは異なっており、
Ｑ^４は、重合性基Ｐと結合している。

Ｓｐが単結合で、１個または２個の基Ｐ−Ｓｐ−を有する化合物が更に好ましい。２個の基Ｐ−Ｓｐ−を有する化合物の場合、２個の重合性基Ｐおよび２個のスペーサー基Ｓｐのそれぞれは同一でも異なってもよい。

本発明のもう１つの好ましい実施形態において、ＲＭは式ＩＶのキラル化合物より選択される。

（Ｒ−（Ａ^１−Ｚ^１）_ｍ）_ｋ−Ｑ ＩＶ
式中、Ｒ、Ａ^１、Ｚ^１およびｍは上で定義される通りであり、少なくとも１つのＲはＰ−Ｓｐ−であり、ＰおよびＳｐは上で定義される通りであり、
Ｑは、ｋ価のキラル基であり、
ｋは、１、２、３、４、５または６である。

好ましい１価の基Ｑは、上で定義される通りの式ＩＩのものである。

更に好ましい１価の基Ｑは、式Ｖのものである：

式中、Ｌは、それぞれの出現において互いに独立に、上で与えられる意味の１つを有し、
ｒは、それぞれの出現において互いに独立に、０、１、２、３または４であり、
ｓは、それぞれの出現において互いに独立に、０、１または２であり、
ｘは、それぞれの出現において互いに独立に、０、１または２である。

ｘが１または２の化合物が、特に好ましい。

好ましい２価の基Ｑは、上で定義される通りの式ＩＩＩのものである。更に好ましい２価の基Ｑは、例えば、以下の式より選択されるものである。

式中、Ｐｈｅは、上で定義される通りのＬにより一置換または多置換されていてもよいフェニルであり、Ｒ^＊はＦまたは１〜４個のＣ原子でフッ素化されていてもよいアルキルである。

ＲＭ材料は１種類以上のＲＭを好ましくは含み、好ましくは、式ＩおよびＩＶより選択され、非常に好ましくは、１反応性および２反応性のＲＭより選択される。

上および下に記載される通りのＲＭは、文献中および例えば、Ｈｏｕｂｅｎ−Ｗｅｙｌ、Ｍｅｔｈｏｄｅｎ ｄｅｒ ｏｒｇａｎｉｓｃｈｅｎ Ｃｈｅｍｉｅ、Ｔｈｉｅｍｅ−Ｖｅｒｌａｇ、Ｓｔｕｔｔｇａｒｔなどの有機化学の標準的な著作中に記載される、それ自身は既知の方法に従うか類似して合成できる。

適切なＲＭは、例えば、国際特許出願公開第９３／２２３９７号パンフレット、欧州特許第０ ２６１ ７１２号明細書、ドイツ国特許第１９５ ０４ ２２４号明細書、国際特許出願公開第９５／２２５８６号パンフレット、国際特許出願公開第９７／００６００号パンフレット、米国特許第５，５１８，６５２号明細書、米国特許第５，７５０，０５１号明細書、米国特許第５，７７０，１０７号明細書および米国特許第６，５１４，５７８号明細書中で開示される。特に適切で好ましいＲＭの例を、以下のリスト中に示す。

式中、
Ｐ^０は、複数出現する場合は互いに独立に、重合性基であり、好ましくは、アクリル、メタクリル、オキセタン、エポキシ、ビニル、ビニルオキシ、プロペニルエーテルまたはスチレン基であり、
Ａ^０およびＢ^０は、複数出現する場合は互いに独立に、１個、２個、３個または４個の基Ｌで置換されていてもよい１，４−フェニレン、またはトランス−１，４−シクロヘキシレンであり、
Ｚ^０は、複数出現する場合は互いに独立に、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−または単結合であり、
Ｒ^０は、フッ素化されていてもよく、１個以上、好ましくは１〜１５個のＣ原子のアルキル、アルコキシ、チオアルキル、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシまたはアルコキシカルボニルオキシであるか、Ｙ^０またはＰ−（ＣＨ_２）_ｙ−（Ｏ）_ｚ−であり、
Ｙ^０は、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ＮＯ_２、ＯＣＨ_３、ＯＣＮ、ＳＣＮ、ＳＦ_５、フッ素化されていてもよい１〜４個のＣ原子のアルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシまたはアルコキシカルボニルオキシ、または一フッ素化、オリゴフッ素化または多フッ素化された１〜４個のＣ原子のアルキルまたはアルコキシであり、
Ｒ^{０１，０２}は、それぞれ互いに独立に、Ｈ、Ｒ^０またはＹ^０であり、
Ｒ^＊は、２−メチルブチル、２−メチルオクチル、２−メチルブトキシまたは２−メチルオクトキシなどの、４個以上、好ましくは４〜１２個のＣ原子のキラルなアルキルまたはアルコキシ基であり、
Ｃｈは、コレステリル、エストラジオール、またはメンチルまたはシトロネリルなどのテルペノイド基から選ばれるキラルな基であり、
Ｌは、複数出現する場合は互いに独立に、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮまたはハロゲン化されていてもよい１〜５個のＣ原子のアルキル、アルコキシ、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシまたはアルコキシカルボニルオキシであり、
ｒは、０、１、２、３または４であり、
ｔは、複数出現する場合は互いに独立に、０、１、２または３であり、
ｕおよびｖは、それぞれ互いに独立に、０、１または２であり、
ｗは、０または１であり、
ｘおよびｙは、それぞれ互いに独立に、０であるか、または１〜１２の同一または異なる整数であり、
ｚは０または１であり、隣接するｘまたはｙが０の場合、ｚは０であり、
およびただし、ベンゼンおよびナフタレン環は、１個以上の同一または異なる基Ｌにより加えて置換されていてもよい。

式ＩおよびＩＩの化合物に加え、重合性材料は、１種類以上の重合性または非重合性のキラル化合物を含んでもよい。適切な非重合性のキラル化合物は、例えば、Ｒ−またはＳ−８１１、Ｒ−またはＳ−１０１１、Ｒ−またはＳ−２０１１、Ｒ−またはＳ−３０１１、Ｒ−またはＳ−４０１１、Ｒ−またはＳ−５０１１、またはＣＢ１５（全てＭｅｒｃｋ社、Ｄａｒｍｓｔａｄｔ、ドイツ国より入手可能）などの標準的なキラルドーパント、国際特許出願公開第９８／００４２８号パンフレットに記載されるよなソルビトール類、英国特許第２，３２８，２０７号明細書に記載されるようなハイドロベンゾイン類、国際特許出願公開第０２／９４８０５号パンフレットに記載されるようなキラルなビナフトール類、国際特許出願公開第０２／３４７３９号パンフレットに記載されるようなキラルなビナフトールアセタール類、国際特許出願公開第０２／０６２６５号パンフレットに記載されるようなキラルなＴＡＤＤＯＬ類、または国際特許出願公開第０２／０６１９６号パンフレットまたは国際特許出願公開第０２／０６１９５号パンフレットに記載されるようなフッ素化された結合基を有するキラルな化合物である。適切な重合性のキラル化合物は、例えば、上にリストされるもの、または重合性キラル材料Ｐａｌｉｏｃｏｌｏｒ（登録商標）ＬＣ７５６（ＢＡＳＦ社製、Ｌｕｄｗｉｇｓｈａｆｅｎ、ドイツ国）である。

また、ＲＭ材料は、ＲＭの配向を高める１種類以上の界面活性剤を含んでもよい。好適な界面活性剤は、例えば、Ｊ．Ｃｏｇｎａｒｄ、Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．７８巻、Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ １、１〜７７頁（１９８１年）に記載されている。平面配向のために好ましい配向剤は、例えば、商業的に入手可能なＦｌｕｏｒａｄ ＦＣ−１７１（登録商標）（３Ｍ社製）またはＺｏｎｙｌ ＦＳＮ（登録商標）（ＤｕＰｏｎｔ社製）、英国特許第２ ３８３ ０４０号明細書に記載されるようなマルチブロック界面活性剤または欧州特許第１ ２５６ ６１７号明細書に記載されるような重合性界面活性剤などの非イオン性の界面活性剤、好ましくはフルオロカーボン界面活性剤である。

また、重合に先立ち、昇温、好ましくはそれの重合温度においてＲＭ材料をアニールすることにより配向を更に改良することも可能である。

重合は、例えば、熱または化学線放射に重合性材料を曝露して達成する。化学線放射とは、ＵＶ光、ＩＲ光または可視光などの光による照射、Ｘ線またはガンマ線による照射またはイオンまたは電子などの高エネルギー粒子による照射を意味する。好ましくは、重合はＵＶ照射により行う。化学線放射源としては、例えば、単一のＵＶランプまたはＵＶランプのセットを用いることができる。高いランプ出力を用いると、硬化時間を短くできる。もう１つの可能な化学線放射源は、例えば、ＵＶ、ＩＲまたは可視レーザーなどのレーザーである。

重合は、好ましくは、化学線放射の波長において吸収する開始剤の存在下で行う。例えば、ＵＶ光を用いて重合するとき、ＵＶ照射下で分解し、重合反応を開始するフリーラジカルまたはイオンを生成する光開始剤を用いることができる。アクリレートまたはメタクリレート基を重合するには、好ましくは、ラジカル光開始剤を用いる。ビニル、エポキシドまたはオキセタン基を重合するには、好ましくは、カチオン性光開始剤を用いる。また、加熱したときに分解し、重合反応を開始するフリーラジカルまたはイオンを生成する熱重合開始剤を用いることもできる。典型的なラジカル光開始剤は、例えば、商業的に入手できるＩｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）またはＤａｒｏｃｕｒｅ（登録商標）（Ｃｉｂａ Ｇｅｉｇｙ社、Ｂａｓｅｌ、スイス国）である。典型的なカチオン性光開始剤は、例えば、ＵＶＩ ６９７４（Ｕｎｉｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ社）である。

また、重合性材料は、１種類以上の安定剤または望ましくない自発的な重合を防止する阻止剤、例えば、商業的に入手可能なＩｒｇａｎｏｘ（登録商標）（Ｃｉｂａ Ｇｅｉｇｙ社、Ｂａｓｅｌ、スイス国）なども含有してよい。

硬化時間は、とりわけ、重合性材料の反応性、塗工された層の厚さ、重合開始剤の型およびＵＶランプの出力に依存する。硬化時間は、好ましくは、５分以下、非常に好ましくは、３分以下、最も好ましくは、１分以下である。大量生産のためには、３０秒以下の短い硬化時間が好ましい。

好ましくは、重合は、窒素またはアルゴンなどの不活性ガス雰囲気内で行う。

また、重合性材料は、重合に用いられる放射の波長に調節された最大吸収を有する１種類以上の染料、特に、例えば、４，４”−アゾキシアニソールまたはＴｉｎｕｖｉｎ（登録商標）染料（Ｃｉｂａ社製、Ｂａｓｅｌ、スイス国）などのＵＶ染料を含有してもよい。

もう１つの好ましい実施形態において、重合性材料は、１種類以上の一反応性の重合性非メソゲン化合物を、好ましくは０〜５０％、非常に好ましくは０〜２０重量％で含有してもよい。典型的な例は、アルキルアクリレートまたはアルキルメタクリレートである。

もう１つの好ましい実施形態において、重合性材料は、二反応性または多反応性の重合性メソゲン化合物に代えるか加えて、１種以上の二反応性または多反応性の重合性非メソゲン化合物を、好ましくは０〜５０％、非常に好ましくは０〜２０％の量で含有する。二反応性の非メソゲン化合物の典型的な例は、１〜２０個のＣ原子のアルキル基を有するアルキルジアクリレートまたはアルキルジメタクリレートである。多反応性の非メソゲン化合物の典型例は、トリメチルプロパントリメタクリレートまたはペンタエリトリトールテトラアクリレートである。

また、ポリマーフィルムの物理的性質を改変するために１種類以上の連鎖移動剤を重合性材料に添加することも可能である。特に好ましくは、チオール化合物、例えば、ドデカンチオールなどの一官能性チオール類、またはトリメチルプロパントリ（３−メルカプトプロピオネート）などの多官能性チオール類である。非常に好ましくは、例えば、国際特許出願公開第９６／１２２０９号パンフレット、国際特許出願公開第９６／２５４７０号パンフレットまたは米国特許第６４２０００１号明細書に開示されているメソゲンまたはＬＣチオール類である。連鎖移動剤を使用することにより、束縛されていないポリマー鎖の長さおよび／またはポリマーフィルム中の２つの架橋間のポリマー鎖の長さを制御できる。連鎖移動剤の量を増加すると、ポリマーフィルム中のポリマー鎖の長さは短くなる。

また、重合性材料は、重合体バインダーまたは重合体バインダーを形成し得る１種類以上のモノマー、および／または１種類以上の分散助剤も含んでよい。適切なバインダーおよび分散助剤は、例えば、国際特許出願公開第９６／０２５９７号パンフレットで開示されている。しかしながら、好ましくは、重合性材料は、バインダーおよび分散助剤を含まない。

重合性材料は、１種類以上の添加剤、例えば、触媒、増感剤、安定剤、阻害剤、連鎖移動剤、共反応モノマー、界面活性化合物、潤滑剤、湿潤剤、分散剤、疎水化剤、接着剤、流動性改良剤、消泡剤、脱気剤、希釈剤、反応性希釈剤、助剤、着色剤、染料、顔料またはナノ粒子などを追加的に含むことができる。

本発明によるポリマーフィルムの厚さは、好ましくは、０．３〜５ミクロン、非常に好ましくは、０．５〜３ミクロン、最も好ましくは０．７〜１．５ミクロンである。配向層として使用するためには、０．０５〜１、好ましくは、０．１〜０．４ミクロンの厚さの薄膜が好ましい。

本発明のポリマーフィルムは、例えば、ＬＣＤ中において大きな視野角におけるコントラストおよび輝度を改良し色度を減少するために、位相差または補償フィルムとして使用できる。それらは、ＬＣＤのスイッチ可能なＬＣセルの外側、または、通常、ガラス基体である基体間で使用でき、スイッチ可能なＬＣセルを形成し、およびスイッチ可能なＬＣ媒体を含有する（インセル（ｉｎｃｅｌｌ）用途）。

また、本発明のポリマーフィルムは、それらの最表面上に塗工された更なるＬＣ材料のための配向層として、それ自身で使用できる。例えば、スイッチ可能なＬＣ媒体の配向を誘発または改良するために、またはそこの上に塗工された重合性のＬＣ材料の引く続く層を配向するために、ＬＣＤ中においてポリマーフィルムを使用できる。このようにして、重合されたＬＣフィルムの積層体を調製できる。

特に、本発明による層およびポリマーフィルムは、英国特許第２ ３１５ ０７２号明細書または国際特許出願公開第９７／３５２１９号パンフレットで開示されるような反射偏光板、国際特許出願公開第０１／２０３９４号パンフレットまたは国際特許出願公開第２００４／０１３６６６号パンフレットで開示されるような負のＣ平面位相差板、国際特許出願公開第２００３／０５４１１１号パンフレットで開示されるような二軸性で負のＣ平面位相差板、欧州特許第１ ３７６ １６３号明細書で開示されるような配向層、英国特許第２ ３１５ ７６０号明細書、国際特許出願公開第０２／８５６４２号パンフレット、欧州特許第１ ２９５ ９２９号明細書または欧州特許第１ ３８１ ０２２号明細書で開示されるような装飾またはセキュリティ用の使用のための複屈折性マーキングまたは画像において使用できる。

本発明のポリマーフィルムは従来のＬＣディスプレイにおいて使用でき、例えば、ＤＡＰ（ｄｅｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｏｆ ａｌｉｇｎｅｄ ｐｈａｓｅｓ：配向変形）、ＥＣＢ（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ：電界効果複屈折）、ＣＳＨ（ｃｏｌｏｕｒ ｓｕｐｅｒ ｈｏｍｅｏｔｒｏｐｉｃ：カラースーパーホメオトロピック）、ＶＡ（ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ ａｌｉｇｎｅｄ：垂直配向）、ＶＡＮまたはＶＡＣ（ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ ａｌｉｇｎｅｄ ｎｅｍａｔｉｃまたはｃｈｏｌｅｓｔｅｒｉｃ：垂直ネマチック配向または垂直コレステリック配向）、ＭＶＡ（ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ ａｌｉｇｎｅｄ：マルチドメイン垂直配向）またはＰＶＡ（ｐａｔｔｅｒｎｅｄ ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ ａｌｉｇｎｅｄ：パターン化垂直配向）モードなどの垂直配向のディスプレイ；ＯＣＢ（ｏｐｔｉｃａｌｌｙ ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ ｂｅｎｄ ｃｅｌｌまたはｏｐｔｉｃａｌｌｙ ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ：光学補償ベントセルまたは光学補償複屈折）、Ｒ−ＯＣＢ（ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ＯＣＢ：反射ＯＣＢ）、ＨＡＮ（ｈｙｂｒｉｄ ａｌｉｇｎｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ：ハイブリッドネマチック配向）またはパイセル（π−ｃｅｌｌ）モードなどのベンドまたはハイブリッド配向のディスプレイ；ＴＮ（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ：ツイストネマチック）、ＨＴＮ（ｈｉｇｈｌｙ ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ：高ツイストネマチック）、ＳＴＮ（ｓｕｐｅｒ ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ：超ツイストネマチック）、ＡＭＤ−ＴＮ（ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ ｄｒｉｖｅｎ ＴＮ：アクティブマトリックス駆動ＴＮ）モードなどのツイスト配向のディスプレイ；ＩＰＳ（ｉｎ ｐｌａｎｅ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ：面内スイッチング）モードのディスプレイ、または光学等方性相においてスイッチングするディスプレイである。

以下の例は、本発明を制限することなく説明するものである。また、以降で記載される方法、構造および特性を、本発明中で特許請求されているが前述の明細書中および例中では明記されていない材料に適用または転用もできる。

上および下において、パーセンテージは重量パーセントである。全ての温度は、摂氏温度で与えらる。他に明言しない限り、光学的および電気光学的データは２０℃で測定される。他に述べない限り、上および下で与えられる重合性混合物の成分のパーセンテージは、重合性混合物の混合物中の固形分の総量を指し、即ち、溶媒を含まない。

＜例１＞
別々のガラススライド上に塗工されたカラーフィルター層（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の３枚の個々のフィルムを、ジオメトリー２（図３）においてプラズマビームにより照射する。照射パラメーターは次の通りである：プラズマ入射角α＝７０°、イオン電流密度ｊ＝６μＡ／ｃｍ^２、イオンエネルギーＥ＝６００ｅＶ、照射時間τ_ｅｘｐ＝５分。照射の間、サンプルを２ｍｍ／秒の移動速度で周期的に動かす。ソースおよびサンプルの処理領域の間の平均距離は８ｃｍである。この基体上に、トルエン中に溶解（３０重量％）された平面ネマチックＲＭ混合物ＲＭＭ１４１（メルク社、Ｄａｒｍｓｔａｄｔ、ドイツ国より商業的に入手可能）をスピンコートする。スピンコートの条件は、３０００ｒｐｍで３０秒である。溶媒を蒸発乾燥し、生じるフィルムを加熱して１分間６０℃でアニールする。次いで、フィルムの一部を、高圧水銀ランプからの広スペクトルＵＶ光により８０ｍＷ／ｃｍ^２の照射強度で１分間照射する。照射された領域は、高度に均一な配向（図４）および正のＡ平面の光学特性（図５）を示す。

＜例２＞
カラーフィルター層をジオメトリー１（図３）で処理する以外は、例１の通りにサンプルを調製する。プロセスパラメーターは、例１と同一である。サンプルは、ジオメトリー１中で曝露されるサンプルのものと匹敵し得る品位の配向を示す。

＜例３＞
カラーフィルターアレー（ＲＧＢ＋ブラックマトリクス）を、ＲＭ層用の基体として使用する。プラズマ処理およびＲＭフィルム塗工の条件は、例１と同一である。プラズマ処理された領域中で、サンプルは、例１のサンプル中の配向に匹敵し得る均一な平面配向を示す。

＜例４＞
平面ネマチックＲＭ混合物ＲＭＳ０４−０７３（メルク社、Ｄａｒｍｓｔａｄｔ、ドイツ国より商業的に入手可能）によりカラーフィルター層を塗工する以外は、例１の通りにサンプルを調製する。プラズマ処理された領域中で、サンプルは、例１のサンプル中のものに匹敵し得る均一な平面配向を示す。フィルムは、正のＡフィルムの光学的特性を有する。

＜例５＞
面コレステリックＲＭ混合物ＲＭＭ１２３（メルク社より商業的に入手可能）によりカラーフィルター層を塗工する以外は、例１の通りにサンプルを調製する。ＲＭ層は、均一な面コレステリック構造に配向する。プラズマ処理された領域を処理されていない領域と比較し、非常に更に均一な配向を有することが示される。

ＵＶ中にその反射バンドを有するコレステリックＲＭ混合物の３８％重量／重量溶液を、７：３トルエン シクロヘキサノン中にＲＭＭ１２３を溶解することで調製する。この溶液をプラズマ処理された青カラーフィルターフィルム上に、３０００ｒｐｍで３０秒間スピンコートする。サンプルを、混合物の透明点の直下である６０℃でアニールする。フィルムを中圧ＨｇランプからのＵＶ照射に曝露し、フィルムを重合する。フィルムを偏光顕微鏡法で検討し、良好な配向を有することが見出される。偏光顕微鏡（倍率５０×）を通して撮影されるサンプルの写真を図６ａに示し、良好に配向されていないコレステリック混合物に伴う典型的な欠陥線が観測されないことが示される。良好に配向されていないコレステリックフィルムの参考サンプルの写真を、図６ｂに比較して示す。この比較サンプルにおいて、薄青色の領域は、良好に配向されておらず、よって光が散乱され偏光が解消される領域を示している。

＜例６＞
カラーフィルターアレー（Ｒ、Ｇ、Ｂ＋ブラックマトリクス）を、ＲＭ層用の基体として使用する。プラズマ処理の条件は、例１と同一である。カラーフィルターアレーを、コレステリック混合物ＲＭＭ１２３により塗工する。ＲＭ層中に、均一な面コレステリック構造が観察される。

＜例７＞
等方性ＴＡＣフィルムに、ジオメトリー２（図３）においてプラズマビームを照射する。照射パラメーターは次の通りである：プラズマ入射角α＝７５°、イオン電流密度ｊ＝８〜１０μＡ／ｃｍ^２、イオンエネルギーＥ＝８００ｅＶ、照射時間τ_ｅｘｐ＝５分。照射の間、サンプルを１ｍｍ／秒の速度で一方向に動かし、ロール−ツー−ロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）並進に模る。ソースおよびサンプルの処理領域の間の平均距離は１０ｃｍである。この基体上に、ヘキサン中に溶解された平面ネマチックＲＭ混合物ＲＭＭ１４１（メルク社、Ｄａｒｍｓｔａｄｔ、ドイツ国より商業的に入手可能）をスピンコートする。１分以内に、このフィルムを、６０ｍＷ／ｃｍ^２の照射強度で３０秒間、高圧水銀ランプからの広スペクトルＵＶ光により照射する。ＲＭ層は、高度に均一な配向および正のＡ平面の光学特性を示す。

＜例８＞
等方性ＴＡＣフィルムを例７の通りに処理し、平面ネマチックＲＭ混合物ＲＭＳ０４−０７３（メルク社、Ｄａｒｍｓｔａｄｔ、ドイツ国より商業的に入手可能）により塗工する。光重合の条件も、例７の通りである。配向の均一性は、例７の通りである。正のＡ平面の補償的特徴が得られる。

＜例９＞
等方性ＣＯＰ（ｃｙｃｌｏｏｌｅｆｉｎ ｐｏｌｙｍｅｒ：シクロオレフィン ポリマー）フィルムにジオメトリー２（図３）においてプラズマビームを照射し、ＲＭＭ１４１を塗工する。プラズマ処理およびフィルム塗工の条件は、例７の通りである。配向の品位およびフィルムの特性は、例７のものと同様である。

＜例１０＞
等方性ＣＯＰフィルムにジオメトリー２（図３）においてプラズマビームを照射し、例７の通りにＲＭＳ０４−０７３を塗工する。プラズマ処理およびフィルム塗工の条件は、例７の通りである。配向の品位およびフィルムの特性は、例７のものと同様である。

＜例１１＞
ＲＭ層用の基体として、非等方性（延伸）ＣＯＰフィルムを使用する。このフィルムの面内（ｉｎ ｐｌａｎｅ）位相差を測定すると、１２０ｎｍである。フィルムにジオメトリー２（図３）においてプラズマビームを照射し、例７の通りにＲＭＭ１４１を塗工する。プラズマ処理により誘発されるＲＭの配向方向は、延伸ＣＯＰフィルムの光学軸に垂直である。プラズマ処理の方向に沿うＲＭ層の均一な配向が、観察される。ＣＯＰ／ＲＭフィルムの積分面内（ｉｎ ｐｌａｎｅ）複屈折率は４ｎｍ、即ち０に近い。

＜例１２＞
等方性ＴＡＣフィルムに、ジオメトリー２（図３）においてプラズマビームを照射する。照射パラメーターは次の通りである：プラズマ入射角α＝７０°、イオン電流密度ｊ＝７〜８μＡ／ｃｍ^２、イオンエネルギーＥ＝７００ｅＶ、照射時間τ_ｅｘｐ＝１０分。照射の間、サンプルを１ｍｍ／秒の速度で一方向に動かし、ロール−ツー−ロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）並進に模る。ソースおよびサンプルの処理領域の間の平均距離は１０ｃｍである。この基体上に、ネマチックＲＭ混合物ＲＭＳ０４−００７（メルク社、Ｄａｒｍｓｔａｄｔ、ドイツ国より商業的に入手可能）をスピンコートする。フィルムを、１００ｍＷ／ｃｍ^２の照射強度で３０秒間、高圧水銀ランプからの広スペクトルＵＶ光により照射する。ＲＭフィルムは、スプレイＯ平面の光学的特性の均一な配向を示す。位相差プロファイルを、図７（光軸はテスト光ビームの入射面内にある）に示す。

＜例１３＞
表面処理されていないガラススライドに、ジオメトリー２（図３）においてプラズマビームを照射する。照射パラメーターは次の通りである：プラズマ入射角α＝７０°、イオン電流密度ｊ＝４〜５μＡ／ｃｍ^２、イオンエネルギーＥ＝５００ｅＶ、照射時間τ_ｅｘｐ＝５分。照射の間、サンプルを２ｍｍ／秒の移動速度で周期的に動かす。ソースおよびサンプルの処理領域の間の平均距離は８ｃｍである。この基体上に、平面ネマチックＲＭ混合物ＲＭＭ１４１を例１の通りに塗工する。照射された領域は、高度に均一な配向および正のＡ平面の光学特性を示す。この位相差プロファイルは、光学的にＡ平面である基体上に塗工された典型的なホメオトロピックフィルムのものである。

＜例１４＞
ＣＯＰフィルムの一部を、次の条件下でプラズマ処理に曝露する：循環走査照射レジーム（６５０Ｖ、１５μＡ／ｃｍ^２、５分、ｖ＝４．５ｍｍ／秒）。ＲＭ混合物ＲＭＳ０４−００７（例１２の通り）を、プラズマ処理されたＣＯＰフィルム上にスピンコート法（３０００ｒｐｍ、ｔ＝３０秒）で塗工する。塗工されたフィルムを、１分間ＵＶ照射（１００ｍＷ／ｃｍ^２）に曝露して重合する。ＣＯＰフィルムのプラズマ処理された部分上のＲＭフィルムは、ホメオトロピック配向を有する。位相差プロファイルを、図８に示す。位相差プロファイルは、フィルムが正のＣ平面の光学特性を有することを示す。ＣＯＰフィルムの未処理部分上では、ＲＭフィルムの不均一な配向は確認されない。

＜例１５＞
延伸ＣＯＰフィルム（Ａ平面型の特性を有する）を、次の条件下でプラズマ処理に曝露する：循環走査照射レジーム（６５０Ｖ、１５μＡ／ｃｍ^２、５分、ｖ＝４．５ｍｍ／秒）。ＲＭ混合物ＲＭＳ０４−００７（例１２の通り）を、プラズマ処理されたＣＯＰフィルム上にスピンコート法（３０００ｒｐｍ、ｔ＝３０秒）で塗工する。配向され塗工されたフィルムを、１分間ＵＶ照射（１００ｍＷ／ｃｍ^２）に曝露して重合する。フィルムはホメオトロピック配向を有する。位相差プロファイルを、図９に示す。

＜例１６＞
等方ＴＡＣフィルムを、スパッタリング蒸着法によりＳｉＯ_２で塗工する。引き続き、ＳｉＯ_２塗工をプラズマビームで処理し、ＲＭ混合物ＲＭＭ１４１の層で塗工し、次いで硬化する。ＲＭ層のプラズマ処理および塗工および硬化を、例７に記載される通りに行う。固化されたＲＭ層は、均一配向および正のＡ平面の光学特性を示す。また、これより、プラスチック基体およびＲＭフィルム間にガスバリヤ層（ＳｉＯ_２など）を配置できることも分かる。

本発明の精神および範囲から逸脱することなく、当業者らにより、更なる改変、変更、および改良が行われる。例えば、例１〜１２により示されるプラズマビーム処理された基体上の反応性メソゲンの均一配向は、イオンビーム処理法法により誘発される均一配向を示唆する。異なる種類のイオンビームおよびプラズマビーム源を、配向処理の目的のために使用できる。ＡＬＳを選択するのは、もっぱら、信頼性があり簡便に制御され、広領域の基体の配向処理、またロール可能なプラスチックフィルムのロール−ツー−ロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）処理にも良好に適合する方法を得る要望のためである。特に配向パターンを生成する：ラビングにより誘発された配向を上書きするプラズマビーム法のために、提案される配向方法を、他の方法、例えば、ラビングと併用できる。プラズマビーム作用により、例中で考慮されない利点、例えば、ＲＭ溶液との配向基体の濡れ性の改良およびＲＭフィルムの接着性の改良を与えることもできる。

Claims (27)

1. −基体の少なくとも一部を、前記基体上に配向方向を生成する粒子ビームに曝露する工程と、および
   −前記基体上に１種類以上の反応性メソゲン（ＲＭ）を含む層を塗工する工程と
   を含む反応性メソゲン（ＲＭ）を配向する方法。
2. 該粒子ビームは、加速プラズマのビームであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 該基体は、配向層を含まないことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
4. 該基体は、ラビングされていないことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
5. 該基体は、有機または無機材料を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
6. 該基体は、ガラス、石英、プラスチックまたはシリコンから選択されるか、またはこれらの材料の１つ以上の層を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
7. 該基体は、カラーフィルターであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
8. 該基体の少なくとも一部に、該基体の法線に対して０°より大きく８５°までの入射角によりプラズマビームソースからのプラズマビームを照射することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
9. 該入射角は、４５°〜８５°であることを特徴とする請求項８に記載の方法。
10. 該基体は、該プラズマビームソースから５〜５０ｃｍの距離に位置していることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
11. 該プラズマビームの電流密度は０．１〜１０００μＡ／ｃｍ^２であり、イオンエネルギーは１００〜５０００ｅＶであることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
12. 該プラズマビームソースは、陽極層ソースであることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
13. 該プラズマビームは、シート形状であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
14. 前記方法により該ＲＭ層中に誘発される該配向は、ホメオトロピック、平面またはチルト配向であることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
15. 該基体の所定部分に該プラズマビームが到達することを防ぐために、マスクを使用する工程を更に含むことを特徴とする請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
16. 前記方法により該ＲＭ層中に誘発される該配向は、異なる配向方向を有する少なくとも２つの領域のパターンを含むことを特徴とする請求項１〜１５のいずれか一項に記載の方法。
17. 該プラズマビームの経路を通して該配向基体を動かす工程を更に含むことを特徴とする請求項１〜１６のいずれか一項に記載の方法。
18. ロール可能なプラスチック基体のロール−ツー−ロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）配向処理として行われることを特徴とする請求項１〜１７のいずれか一項に記載の方法。
19. 該ＲＭは、以下の式より選択されることを特徴とする請求項１〜１８のいずれか一項に記載の方法。
    Ｐ−Ｓｐ−ＭＧ−Ｒ Ｉ
    （Ｒ−（Ａ^１−Ｚ^１）_ｍ）_ｋ−Ｑ ＩＶ
    （式中、
    Ｐは、重合性基であり、
    Ｓｐは、スペーサー基または単結合であり、
    Ｒは、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ＮＣＳ、ＳＦ_５、または１〜３０個のＣ原子を有する直鎖または分枝のアルキルであり、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩまたはＣＮで一置換または多置換されていてもよく、およびただし１個以上の隣接していないＣＨ_２基は、それぞれの場合で互いに独立に、Ｏおよび／またはＳ原子が互いに直接結合しないようにして、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−ＮＲ^０−、−ＳｉＲ^０Ｒ^００−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−Ｏ−、−Ｓ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−ＣＹ^１＝ＣＹ^２−または−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていてもよく、またはＰ−Ｓｐ−を表し、ただし式ＩＶ中、少なくとも１つのＲはＰ−Ｓｐ−であり、
    Ｒ^０およびＲ^００は、それぞれ互いに独立に、Ｈまたは１〜１２個のＣ原子のアルキルを表し、
    Ｑは、ｋ価のキラル基であり、
    ｋは、１、２、３、４、５または６であり、および
    ＭＧは、式ＩＩのメソゲン基であり、
    −（Ａ^１−Ｚ^１）_ｍ−Ａ^２− ＩＩ
    Ａ^１およびＡ^２は、複数出現する場合は互いに独立に、芳香族または脂環式基で、Ｎ、ＯおよびＳから選択される１個以上のヘテロ原子を含んでいてもよく、および式Ｉ中で定義される通りのＲによって一置換または多置換されていてもよく、
    Ｚ^１は、複数出現する場合は互いに独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｓ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｏ−ＣＯＯ−、−ＣＯ−ＮＲ^０−、−ＮＲ^０−ＣＯ−、−ＮＲ^０−ＣＯ−ＮＲ^００、−ＮＲ^０−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−ＮＲ^０−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＳＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｓ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｓ−、−ＳＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＦ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＲ^０−、−ＣＹ^１＝ＣＹ^２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−または単結合を表し、
    Ｒ^０およびＲ^００は、式Ｉ中で定義される通りであり、
    Ｙ^１およびＹ^２は、それぞれ互いに独立に、Ｈ、Ｆ、ＣｌまたはＣＮを表し、および
    ｍは、０、１、２、３または４である。）
20. 該ＲＭは、以下の式より選択されることを特徴とする請求項１〜１９のいずれか一項に記載の方法。
    

    

    

    

    

    

    （式中、
    Ｐ^０は、複数出現する場合は互いに独立に、重合性基であり、
    Ａ^０およびＢ^０は、複数出現する場合は互いに独立に、１個、２個、３個または４個の基Ｌで置換されていてもよい１，４−フェニレン、またはトランス−１，４−シクロヘキシレンであり、
    Ｚ^０は、複数出現する場合は互いに独立に、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−または単結合であり、
    Ｒ^０は、フッ素化されていてもよく、１個以上、好ましくは１〜１５個のＣ原子のアルキル、アルコキシ、チオアルキル、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシまたはアルコキシカルボニルオキシであるか、Ｙ^０またはＰ−（ＣＨ_２）_ｙ−（Ｏ）_ｚ−であり、
    Ｙ^０は、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ＮＯ_２、ＯＣＨ_３、ＯＣＮ、ＳＣＮ、ＳＦ_５、フッ素化されていてもよい１〜４個のＣ原子のアルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシまたはアルコキシカルボニルオキシ、または一フッ素化、オリゴフッ素化または多フッ素化された１〜４個のＣ原子のアルキルまたはアルコキシであり、
    Ｒ^{０１，０２}は、それぞれ互いに独立に、Ｈ、Ｒ^０またはＹ^０であり、
    Ｒ^＊は、２−メチルブチル、２−メチルオクチル、２−メチルブトキシまたは２−メチルオクトキシなどの、４個以上、好ましくは４〜１２個のＣ原子のキラルなアルキルまたはアルコキシ基であり、
    Ｃｈは、コレステリル、エストラジオール、またはメンチルまたはシトロネリルなどのテルペノイド基から選ばれるキラルな基であり、
    Ｌは、複数出現する場合は互いに独立に、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮまたはハロゲン化されていてもよい１〜５個のＣ原子のアルキル、アルコキシ、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシまたはアルコキシカルボニルオキシであり、
    ｒは、０、１、２、３または４であり、
    ｔは、複数出現する場合は互いに独立に、０、１、２または３であり、
    ｕおよびｖは、それぞれ互いに独立に、０、１または２であり、
    ｗは、０または１であり、
    ｘおよびｙは、それぞれ互いに独立に、０であるか、または１〜１２の同一または異なる整数であり、
    ｚは０または１であり、隣接するｘまたはｙが０の場合、ｚは０であり、
    およびただし、ベンゼンおよびナフタレン環は、１個以上の同一または異なる基Ｌにより加えて置換されていてもよい。）
21. 該配向ＲＭ層を重合または架橋する工程と、および任意工程として該基体より該重合または架橋されたＲＭ層を除去する工程とを更に含むことを特徴とする請求項１〜２０のいずれか一項に記載の方法。
22. 熱または化学線放射に曝露して該ＲＭ層を重合または架橋することを特徴とする請求項２１に記載の方法。
23. 請求項１〜２２のいずれか一項に記載の方法により入手可能な配向ＲＭ層。
24. 請求項２１または２２に記載の方法により入手可能なポリマーフィルム。
25. 光学的、電子的および電気光学的装置またはそれらの素子中における請求項２３または２４に記載のＲＭ層またはポリマーフィルムの使用。
26. 請求項２３または２４に記載のＲＭ層またはポリマーフィルムを含有する光学的、電子的または電気光学的装置、またはそれの素子。
27. 電気光学的ディスプレイ、ＬＣＤ、光学フィルム、偏光板、補償板、ビームスプリッター、反射フィルム、配向層、カラーフィルター、ホログラフィック素子、ホットスタンピングホイル、カラー画像、装飾またはセキュリティ用マーキング、ＬＣ顔料、接着層、非線形光学（ＮＬＯ）素子、光学的情報記憶装置、電子的装置、有機半導体、有機電界効果型トランジスタ（ＯＦＥＴ）、集積回路（ＩＣ）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、無線識別（ＲＦＩＤ）タグ、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機発光トランジスタ（ＯＬＥＴ）、電子発光ディスプレイ、有機光起電（ＯＰＶＯ）装置、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣ）、有機レーザーダイオード（Ｏ−レーザー）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、照明装置、センサー装置、電極材料、光伝導体、光検出器、電子写真記録装置、コンデンサ、電荷注入層、ショットキーダイオード、平坦化層、帯電防止フィルム、伝導性基体、伝導性パターンより選択されることを特徴とする請求項２６に記載の装置または素子。

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