JP2010286851A - Method of removing alkali-soluble resin layer, method of forming resist pattern, and method of manufacturing circuit board - Google Patents

Method of removing alkali-soluble resin layer, method of forming resist pattern, and method of manufacturing circuit board Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of removing an alkali-soluble resin layer, a method of forming a resist pattern, and a method of manufacturing a circuit board, by which a resist image having no generation of a development residue can be formed while preventing changes in a side etch amount regardless to the size of a diameter of a through-hole in a circuit board. <P>SOLUTION: The method of removing an alkali-soluble resin layer is carried out by using a processing liquid for an alkali-soluble resin layer, the liquid which contains at least one kind of inorganic alkali compound selected from alkali metal carbonates, alkali metal phosphates, alkali metal hydroxides and alkali metal silicates, in a high concentration, and further contains an appropriate amount of at least one of sulfates or sulfites. The method of forming a resist pattern and the method of manufacturing a circuit board are carried out by employing the method of removing an alkali-soluble resin layer. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、アルカリ可溶性樹脂層除去方法、レジストパターンの形成方法及び回路基板の製造方法に関する。   The present invention relates to an alkali-soluble resin layer removing method, a resist pattern forming method, and a circuit board manufacturing method.

回路基板を製造する方法は、サブトラクティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法等がある。サブトラクティブ法は、表面に導電層を設けた絶縁性基板の回路部にエッチングレジスト層を設け、露出している非回路部の導電層をエッチング除去して回路を形成する方法である。アディティブ法は、絶縁性基板の表面の非回路部にめっきレジスト層を設け、回路部に相当する部分に無電解めっき処理等で導電層を形成する方法である。セミアディティブ法は、薄い導電層を表面に有する絶縁性基板の非回路部にめっきレジスト層を設け、回路部に相当する部分に電解めっき処理で導電層を形成し、非回路部のめっきレジスト層を除去した後、フラッシュエッチング処理によって、非回路部の薄い導電層を除去して回路を形成する方法である。   As a method for manufacturing a circuit board, there are a subtractive method, an additive method, a semi-additive method, and the like. The subtractive method is a method of forming a circuit by providing an etching resist layer on a circuit portion of an insulating substrate having a conductive layer provided on the surface and etching away the exposed conductive layer of the non-circuit portion. The additive method is a method in which a plating resist layer is provided on a non-circuit portion on the surface of an insulating substrate, and a conductive layer is formed on a portion corresponding to the circuit portion by an electroless plating process or the like. In the semi-additive method, a plating resist layer is provided on a non-circuit portion of an insulating substrate having a thin conductive layer on the surface, and a conductive layer is formed by electrolytic plating treatment on a portion corresponding to the circuit portion. Is removed, and then a thin conductive layer in a non-circuit portion is removed by flash etching to form a circuit.

エッチングレジスト層およびめっきレジスト層は、スクリーン印刷法、感光性材料を用いた露光現像工程を有するフォトファブリケーション法、インクジェット法等によって形成される。ランドレスや狭小ランド幅の孔を製造しようとする場合、孔の穴開け加工やスクリーン印刷法、露光工程、インクジェット法等の工程における位置合わせが重要であり、特に、高密度回路基板で要求されるランドレスおよび狭小ランド幅の孔では、非常に高い位置合わせ精度が必要となる。ランドは、図22のように、孔の全方向に均一な幅を有する形、つまり孔とランドが同心円である場合が最も望ましいが、位置合わせが不正確であると、図23(a)(b)のそれぞれ右の図のように、孔とランドは同心円とならなくなるという問題があった。   The etching resist layer and the plating resist layer are formed by a screen printing method, a photofabrication method having an exposure and development process using a photosensitive material, an ink jet method, or the like. When trying to produce holes with a landless or narrow land width, it is important to align holes in processes such as hole drilling, screen printing, exposure, and inkjet, especially for high-density circuit boards. For landless and narrow land width holes, very high alignment accuracy is required. As shown in FIG. 22, it is most desirable that the land has a uniform width in all directions of the hole, that is, the case where the hole and the land are concentric circles. However, if the alignment is inaccurate, FIG. As shown in the diagrams on the right of b), there is a problem that the hole and the land are not concentric.

図23は(a)狭小ランド幅、(b)広大ランド幅の孔において、距離Xの位置ずれが発生した場合の孔とランドの位置ずれを表した平面概略図である。図23(b)広大ランド幅の孔では、孔の周囲にランドが形成された状態となるが、図23(a)狭小ランド幅の孔では、ランドが孔部分から切れてしまい、全ての外周に渡って狭小ランドが存在する孔を形成することができないという問題が発生している。穴開け加工の精度、基板の伸縮、露光用フォトマスクの寸法変化等が原因となって、位置合わせ精度には限界があるのが実情である。また、高密度回路基板上に形成される孔の径は多種類で、孔数も極めて多いため、全ての孔に対して精確に位置合わせを行うことは非常に困難である。従って、高密度回路基板ではランドレスや狭小ランド幅の孔が求められているにもかかわらず、ランド幅を大きく設計しなくてはならないという問題が発生している(例えば、特許文献1)。   FIG. 23 is a schematic plan view showing the positional deviation between the hole and the land when the positional deviation of the distance X occurs in the hole having the narrow land width (a) and the wide land width (b). In FIG. 23 (b), a land having a large land width is in a state in which lands are formed around the hole. In FIG. 23 (a), in a hole having a narrow land width, the land is cut off from the hole portion, and the entire outer periphery is formed. However, there is a problem that it is impossible to form a hole in which a narrow land exists. Actually, the alignment accuracy is limited due to the accuracy of drilling, expansion / contraction of the substrate, dimensional change of the photomask for exposure, and the like. In addition, since there are many types of holes formed on the high-density circuit board and the number of holes is extremely large, it is very difficult to accurately align all the holes. Accordingly, there is a problem that a land width must be designed to be large even though a high-density circuit board requires a landless or narrow land width hole (for example, Patent Document 1).

このような位置合わせが原因となっていたランドと孔の位置ずれの問題を解決し、回路基板の高密度化のために要求されているランドレスや狭小ランド幅の孔を有する回路基板を製造する方法として、貫通孔を有する基板の第1面に樹脂層及びマスク層を形成する工程と、基板の第1面とは反対側の第2面から樹脂層除去液を供給して、第1面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の樹脂層を除去する工程を含むレジストパターンの形成方法及び回路基板の製造方法がある(特願2005−336827号公報)。   Solves the problem of misalignment between lands and holes caused by such alignment, and manufactures circuit boards with holes and narrow land widths required for higher circuit board density. A method of forming a resin layer and a mask layer on a first surface of a substrate having a through-hole, and supplying a resin layer removing liquid from a second surface opposite to the first surface of the substrate; There is a method for forming a resist pattern and a method for manufacturing a circuit board, including a step of removing a resin layer on a through-hole on the surface and around the through-hole (Japanese Patent Application No. 2005-336827).

上記のレジストパターンの形成方法及び回路基板の製造方法においては、貫通孔を有する基板の片面(第1面とする)に貫通孔を塞ぐように樹脂層及びマスク層を設け(図2)、反対面(第2面とする)から供給した樹脂層除去液により、貫通孔上及び貫通孔周辺部の樹脂層を除去する(図3)。第2面より供給された樹脂層除去液は、貫通孔を通って、第1面の樹脂層に達し、貫通孔上及び貫通孔周辺部の樹脂層を溶解除去する。マスク層は、この樹脂層除去液に対して不溶性の成分からなり、従って、樹脂層除去液は、樹脂層の貫通孔上及び貫通孔周辺部のみを正確かつ選択的に精度良く除去できる。これにより、貫通孔及び貫通孔周辺部のみ基板の露出した樹脂層を極めて精度良く形成することができ、その後の工程により、ランドレス及び狭小ランド幅のパターンの形成が容易に可能となる。   In the resist pattern forming method and the circuit board manufacturing method described above, a resin layer and a mask layer are provided on one side (referred to as a first surface) of a substrate having a through hole so as to block the through hole (FIG. 2), With the resin layer removing liquid supplied from the surface (referred to as the second surface), the resin layer on the through hole and in the periphery of the through hole is removed (FIG. 3). The resin layer removing liquid supplied from the second surface passes through the through hole, reaches the resin layer on the first surface, and dissolves and removes the resin layer on the through hole and around the through hole. The mask layer is made of a component that is insoluble in the resin layer removing liquid. Therefore, the resin layer removing liquid can accurately and selectively remove only the through hole and the peripheral part of the through hole of the resin layer. As a result, the resin layer where the substrate is exposed can be formed with very high accuracy only in the through hole and the peripheral part of the through hole, and the landless and narrow land width patterns can be easily formed in the subsequent steps.

上記のレジストパターンの形成方法及び回路基板の製造方法では、位置合わせを必要としない工程のみで、貫通孔及び貫通孔周辺部に対して正確かつ選択的にめっきレジスト層が存在しない状態を形成することができ、かつランド幅も任意にコントロールできる。   In the resist pattern forming method and the circuit board manufacturing method described above, a state in which the plating resist layer does not exist is formed accurately and selectively with respect to the through hole and the peripheral portion of the through hole only by a process that does not require alignment. And the land width can be controlled arbitrarily.

ここで、上記の樹脂層は有機溶剤またはアルカリ水溶液を噴霧し不要部分を溶解除去させるのが一般的である。しかし、環境面や経済面の点から、有機溶剤による除去は好ましくなく、樹脂層はアルカリ可溶性樹脂層を使用し、樹脂層除去液はアルカリ水溶液を使用することが求められている。   Here, the resin layer is generally sprayed with an organic solvent or an aqueous alkali solution to dissolve and remove unnecessary portions. However, removal with an organic solvent is not preferable from the viewpoint of environment and economy, and the resin layer is required to use an alkali-soluble resin layer, and the resin layer removal liquid is required to use an alkaline aqueous solution.

上記のレジストパターンの形成方法や回路基板の製造方法において、基板に孔径の異なる貫通孔が混在する場合、炭酸ナトリウム水溶液等の通常の低濃度のアルカリ水溶液を使用すると、アルカリ水溶液が貫通孔を通ってアルカリ可溶性樹脂層に達し、貫通孔上及び貫通孔周辺部のアルカリ可溶性樹脂層を溶解除去する際、孔径が大きくなるほど溶解が過度に促進されるため、サイドエッチと呼ばれるアルカリ水溶液の回り込みによるアルカリ可溶性樹脂層の浸食が大きくなる。図24に示すように、孔径が小さい場合には溶解除去されるアルカリ可溶性樹脂層の幅は小さいが、孔径が大きくなるにつれてサイドエッチが大きくなり、溶解除去幅が広がってしまうという問題がある。このサイドエッチによるアルカリ可溶性樹脂層の浸食は、回路基板の貫通孔のようにアルカリ水溶液の通過する部分の体積が大きいものでより顕著に起こる。一方、アルカリ可溶性樹脂層の溶解除去幅のばらつきを最小限に抑えるために、例えばアルカリ水溶液による処理時間を短くすると、アルカリ可溶性樹脂層の溶解が不足気味になり現像残渣が発生しやすく、エッチング不良やめっき不良発生の原因になる。本来ランド幅は、高密度化、高精細化に対してより小さく設定することが好ましいが、穴開けドリルの加工精度や基板の伸縮、フォトマスクの寸法変化などの位置ずれの問題があり、最低限ある一定の幅を設ける必要がある。以上の説明のように、基板に異なる孔径の貫通孔が混在するような場合、孔径の違いによってランド幅が異なってしまうと、広大ランドに起因して基板パターン上にショート欠陥が多発するという問題がある。   In the resist pattern forming method and circuit board manufacturing method described above, when through holes with different hole diameters are mixed in the substrate, if an ordinary low concentration alkaline aqueous solution such as an aqueous sodium carbonate solution is used, the alkaline aqueous solution passes through the through holes. When the alkali-soluble resin layer on the through-holes and the periphery of the through-holes is dissolved and removed, the dissolution is excessively promoted as the hole diameter increases. Erosion of the soluble resin layer is increased. As shown in FIG. 24, when the pore diameter is small, the width of the alkali-soluble resin layer to be dissolved and removed is small, but there is a problem that as the pore diameter increases, the side etch increases and the dissolution and removal width widens. The erosion of the alkali-soluble resin layer due to the side etching occurs more remarkably when the volume of the portion through which the alkaline aqueous solution passes is large, such as the through hole of the circuit board. On the other hand, in order to minimize the variation in the dissolution and removal width of the alkali-soluble resin layer, for example, if the treatment time with an alkaline aqueous solution is shortened, the dissolution of the alkali-soluble resin layer tends to be insufficient and development residues are likely to occur, resulting in poor etching. Cause plating defects. Originally, it is preferable to set the land width smaller for higher density and higher definition, but there are problems of misalignment such as drilling drilling precision, expansion / contraction of the substrate, and dimensional change of the photomask. It is necessary to provide a certain fixed width. As described above, when through holes with different hole diameters are mixed in the substrate, if the land width varies depending on the hole diameter, short defects frequently occur on the substrate pattern due to the large land. There is.

特開平07−007265号公報JP 07-007265 A

本発明の課題は、回路基板の貫通孔の孔径の大小に係わらず、サイドエッチ量が変わらず、一様に揃った溶解除去幅を持ったレジストパターンを形成することができるアルカリ可溶性樹脂層除去方法、レジストパターンの形成方法及び回路基板の製造方法を提供するものである。   An object of the present invention is to remove an alkali-soluble resin layer capable of forming a resist pattern having a uniform and uniform removal width regardless of the size of the through-hole of the circuit board. The present invention provides a method, a resist pattern forming method, and a circuit board manufacturing method.

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、
(1)(α)アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか1種を含み、該無機アルカリ性化合物の含有量が5〜20質量%であるアルカリ可溶性樹脂層処理液を用いたアルカリ可溶性樹脂層処理工程、(β)アルカリ可溶性樹脂層除去液を用いたアルカリ可溶性樹脂層処理工程を含むことを特徴とするアルカリ可溶性樹脂層除去方法。
(2)アルカリ可溶性樹脂層処理液が、硫酸塩または亜硫酸塩のうち少なくともいずれか1種を0.05〜0.8モル/L含むことを特徴とする上記(1)に記載のアルカリ可溶性樹脂層除去方法。
(3)アルカリ可溶性樹脂層除去液が、水または3質量%以下のアルカリ金属炭酸塩を含む水溶液であることを特徴とする上記(1)または(2)に記載のアルカリ可溶性樹脂層除去方法。
(4)アルカリ可溶性樹脂が光架橋性樹脂であることを特徴とする上記(1)〜(3)のいずれかに記載のアルカリ可溶性樹脂層除去方法。
(5)貫通孔を有する基板の第1面にアルカリ可溶性樹脂層及びマスク層を形成する工程と基板の第1面とは反対側の第2面からアルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか1種を含み、該無機アルカリ性化合物の含有量が5〜20質量%であるアルカリ可溶性樹脂層処理液を供給し、次いでアルカリ可溶性樹脂層除去液を供給して、第1面の貫通孔上及び貫通孔周辺部のアルカリ可溶性樹脂層を除去する工程を含むレジストパターンの形成方法。
(6)アルカリ可溶性樹脂層処理液が、硫酸塩または亜硫酸塩のうち少なくともいずれか1種を0.05〜0.8モル/L含むことを特徴とする上記(5)に記載のレジストパターンの形成方法。
(7)アルカリ可溶性樹脂が光架橋性樹脂であることを特徴とする上記(5)または(6)に記載のレジストパターンの形成方法。
(8)(a)貫通孔を有する絶縁性基板の第1面及び第1面とは反対側の第2面並びに貫通孔内壁に第1導電層を有する絶縁性基板を準備する工程、
(b)第1面に光架橋性樹脂層及びマスク層を形成して、第1面の第1導電層及び貫通孔開口部を光架橋性樹脂層及びマスク層で覆う工程、
(c)第2面よりアルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか1種を含み、該無機アルカリ性化合物の含有量が5〜20質量%であるアルカリ可溶性樹脂層処理液を供給し、次いでアルカリ可溶性樹脂層除去液を供給して、第1面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を除去し、第1面の貫通孔周辺部の第1導電層を露出する工程、
(d)第1面の光架橋性樹脂層をパターン露光する工程、
(e)第2面に光架橋性樹脂層及びマスク層を形成して、第2面の第1導電層及び貫通孔開口部を光架橋性樹脂層及びマスク層で覆う工程、
(f)第1面のマスク層を除去する工程、
(g)第1面よりアルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか1種を含み、該無機アルカリ性化合物の含有量が5〜20質量%であるアルカリ可溶性樹脂層処理液を供給し、次いでアルカリ可溶性樹脂層除去液を供給して、第1面の未硬化光架橋性樹脂層並びに第2面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を除去し、第1面上の第1導電層及び第2面の貫通孔周辺部の第1導電層を露出する工程、
(h)第2面の光架橋性樹脂層をパターン露光する工程、
(i)第2面のマスク層を除去する工程、
(j)第2面より未硬化光架橋性樹脂層現像液を供給して、第2面の未硬化光架橋性樹脂層を除去し、第2面上の第1導電層を露出する工程、
(k)貫通孔内壁及び貫通孔周辺部、並びに第1面上及び第2面上に露出している第1導電層上に電解めっき処理により第2導電層を形成する工程、
(l)第1面上及び第2面上の硬化光架橋性樹脂層を除去して、第1面上及び第2面上の第1導電層を露出する工程、
(m)露出する第1導電層をフラッシュエッチングして除去する工程
をこの順で含む回路基板の製造方法。
(9)(g)工程が、(g1)第1面より未硬化光架橋性樹脂層現像液を供給して、第1面の未硬化光架橋性樹脂層を除去し、第1面上の第1導電層を露出する工程と、(g2)第1面よりアルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか1種を含み、該無機アルカリ性化合物の含有量が5〜20質量%であるアルカリ可溶性樹脂層処理液を供給し、次いでアルカリ可溶性樹脂層除去液を供給して、第2面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を除去し、第2面の貫通孔周辺部の第1導電層を露出する工程とからなり、(e)工程を(g1)工程と(g2)工程の間で行う、上記(8)に記載の回路基板の製造方法。
(10)アルカリ可溶性樹脂層処理液が、硫酸塩または亜硫酸塩のうち少なくともいずれか1種を0.05〜0.8モル/L含むことを特徴とする上記(8)または(9)に記載の回路基板の製造方法。
を見出した。
As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have
(1) (α) containing at least one of inorganic alkaline compounds selected from alkali metal carbonates, alkali metal phosphates, alkali metal hydroxides, and alkali metal silicates, and containing the inorganic alkaline compounds It includes an alkali-soluble resin layer treatment step using an alkali-soluble resin layer treatment solution whose amount is 5 to 20% by mass, and (β) an alkali-soluble resin layer treatment step using an alkali-soluble resin layer removal solution. Alkali-soluble resin layer removal method.
(2) The alkali-soluble resin layer treatment solution contains 0.05 to 0.8 mol / L of at least one of sulfate or sulfite, and the alkali-soluble resin according to (1) above Layer removal method.
(3) The alkali-soluble resin layer removing method according to (1) or (2) above, wherein the alkali-soluble resin layer removing liquid is water or an aqueous solution containing 3% by mass or less of an alkali metal carbonate.
(4) The alkali-soluble resin layer removing method according to any one of (1) to (3), wherein the alkali-soluble resin is a photocrosslinkable resin.
(5) Alkali metal carbonate, alkali metal phosphate from the second surface opposite to the first surface of the substrate and the step of forming the alkali-soluble resin layer and the mask layer on the first surface of the substrate having the through hole, Supplying an alkali-soluble resin layer treatment liquid containing at least one of inorganic alkali compounds selected from alkali metal hydroxides and alkali metal silicates, wherein the content of the inorganic alkaline compound is 5 to 20% by mass And then supplying an alkali-soluble resin layer removing solution to remove the alkali-soluble resin layer on the through-holes in the first surface and the periphery of the through-holes.
(6) The resist pattern according to (5) above, wherein the alkali-soluble resin layer treatment liquid contains 0.05 to 0.8 mol / L of at least one of sulfate and sulfite. Forming method.
(7) The resist pattern forming method as described in (5) or (6) above, wherein the alkali-soluble resin is a photocrosslinkable resin.
(8) (a) preparing an insulating substrate having a first conductive layer on the first surface of the insulating substrate having a through hole, the second surface opposite to the first surface, and the inner wall of the through hole;
(B) forming a photocrosslinkable resin layer and a mask layer on the first surface, and covering the first conductive layer and the through hole opening on the first surface with the photocrosslinkable resin layer and the mask layer;
(C) including at least one of inorganic alkali compounds selected from alkali metal carbonates, alkali metal phosphates, alkali metal hydroxides, and alkali metal silicates from the second surface, The alkali-soluble resin layer treatment liquid having a content of 5 to 20% by mass is supplied, and then the alkali-soluble resin layer removing liquid is supplied, and the photocrosslinkable resin layer on the through holes on the first surface and in the periphery of the through holes Removing the first conductive layer around the through hole on the first surface,
(D) pattern exposing the photocrosslinkable resin layer on the first surface;
(E) forming a photocrosslinkable resin layer and a mask layer on the second surface, and covering the first conductive layer and the through hole opening on the second surface with the photocrosslinkable resin layer and the mask layer;
(F) removing the mask layer on the first surface;
(G) including at least one of inorganic alkaline compounds selected from alkali metal carbonates, alkali metal phosphates, alkali metal hydroxides, and alkali metal silicates from the first surface, An alkali-soluble resin layer treatment liquid having a content of 5 to 20% by mass is supplied, and then an alkali-soluble resin layer removal liquid is supplied, and the uncured photocrosslinkable resin layer on the first surface and the through-holes on the second surface Removing the photocrosslinkable resin layer on the upper and peripheral portions of the through hole, and exposing the first conductive layer on the first surface and the first conductive layer on the peripheral portion of the through hole on the second surface;
(H) pattern exposing the photocrosslinkable resin layer on the second surface;
(I) removing the mask layer on the second surface;
(J) supplying an uncured photocrosslinkable resin layer developer from the second surface, removing the uncured photocrosslinkable resin layer on the second surface, and exposing the first conductive layer on the second surface;
(K) forming a second conductive layer by electrolytic plating on the inner wall of the through hole and the periphery of the through hole, and the first conductive layer exposed on the first surface and the second surface;
(L) removing the cured photocrosslinkable resin layer on the first surface and the second surface to expose the first conductive layer on the first surface and the second surface;
(M) A method of manufacturing a circuit board, which includes a step of removing the exposed first conductive layer by flash etching in this order.
(9) Step (g) includes (g1) supplying an uncured photocrosslinkable resin layer developer from the first surface to remove the uncured photocrosslinkable resin layer on the first surface, and A step of exposing the first conductive layer; and (g2) at least one of inorganic alkaline compounds selected from alkali metal carbonates, alkali metal phosphates, alkali metal hydroxides, and alkali metal silicates from the first surface. Supplying an alkali-soluble resin layer treatment liquid containing one kind and having an inorganic alkaline compound content of 5 to 20% by mass, then supplying an alkali-soluble resin layer removal liquid, The step of removing the photocrosslinkable resin layer around the through-hole and exposing the first conductive layer around the through-hole on the second surface, and the step (e) includes the steps (g1) and (g2) The method for producing a circuit board according to (8), which is performed between the two.
(10) The alkali-soluble resin layer treatment liquid contains 0.05 to 0.8 mol / L of at least one of sulfate or sulfite, as described in (8) or (9) above Circuit board manufacturing method.
I found.

レジストパターンの形成方法や回路基板の製造方法において、エッチング、めっき、サンドブラスト等に用いられるレジスト材料の現像に低濃度のアルカリ水溶液を用いた場合、アルカリ水溶液に可溶なカルボキシル基等を含む高分子バインダーなど界面活性剤機能を有する化合物をアルカリ可溶性樹脂層に使用し、アルカリ水溶液中にミセルを形成させてエマルジョン状態で微分散させることによりアルカリ可溶性樹脂層を溶解拡散する。アルカリ可溶性樹脂層が光架橋性樹脂層の場合には、同様にアルカリ水溶液に可溶なカルボキシル基等を含む高分子バインダーなど界面活性剤機能を有する化合物を使用し、光重合性不飽和化合物や光重合開始剤などの未溶解成分を中心に有するミセルを形成させて光架橋性樹脂層を溶解拡散する。このような溶解現象では、低濃度のアルカリ水溶液を用いた場合、基板に孔径の異なる貫通孔が混在すると、アルカリ水溶液が貫通孔を通ってアルカリ可溶性樹脂層に達し、貫通孔上及び貫通孔周辺部のアルカリ可溶性樹脂層を溶解除去する際、孔径が大きくなるほど溶解が過度に促進されサイドエッチが進行しやすい。本発明のアルカリ可溶性樹脂層処理液は、無機アルカリ性化合物の濃度が5〜20質量%であり、高濃度のアルカリ水溶液である。高濃度のアルカリ水溶液を用いると、溶解除去途中でミセル化されたアルカリ可溶性樹脂層成分を一旦不溶化させ、溶解拡散することを防止しつつ処理液の回り込みによるサイドエッチを抑制することができる。つまり、アルカリ可溶性樹脂層の過度の溶解が抑制され、溶解除去幅を均一に近づけることができる。   In the resist pattern forming method and circuit board manufacturing method, when a low concentration alkaline aqueous solution is used for developing a resist material used for etching, plating, sandblasting, etc., a polymer containing a carboxyl group or the like soluble in the alkaline aqueous solution A compound having a surfactant function such as a binder is used for the alkali-soluble resin layer, and micelles are formed in an aqueous alkali solution and finely dispersed in an emulsion state, whereby the alkali-soluble resin layer is dissolved and diffused. When the alkali-soluble resin layer is a photocrosslinkable resin layer, a compound having a surfactant function, such as a polymer binder containing a carboxyl group that is soluble in an alkaline aqueous solution, is used, and a photopolymerizable unsaturated compound or A micelle mainly having undissolved components such as a photopolymerization initiator is formed to dissolve and diffuse the photocrosslinkable resin layer. In such a dissolution phenomenon, when a low concentration alkaline aqueous solution is used, if through holes with different hole diameters are mixed in the substrate, the alkaline aqueous solution reaches the alkali-soluble resin layer through the through holes, and on and around the through holes. When the portion of the alkali-soluble resin layer is dissolved and removed, the larger the pore size, the more the dissolution is accelerated and the side etching is more likely to proceed. The alkali-soluble resin layer treatment liquid of the present invention is a high-concentration aqueous alkali solution having an inorganic alkaline compound concentration of 5 to 20% by mass. When a high-concentration alkaline aqueous solution is used, the side-etching caused by the wraparound of the processing solution can be suppressed while the alkali-soluble resin layer component that has been micellized in the course of dissolution and removal is once insolubilized and prevented from being dissolved and diffused. That is, excessive dissolution of the alkali-soluble resin layer is suppressed, and the dissolution / removal width can be made uniform.

本発明に係わるレジストパターンの形成方法の一工程を表す断面図。Sectional drawing showing 1 process of the formation method of the resist pattern concerning this invention. 本発明に係わるレジストパターンの形成方法の一工程を表す断面図。Sectional drawing showing 1 process of the formation method of the resist pattern concerning this invention. 本発明に係わるレジストパターンの形成方法の一工程を表す断面図。Sectional drawing showing 1 process of the formation method of the resist pattern concerning this invention. 本発明に係わる回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。Sectional drawing showing 1 process of the manufacturing method of the circuit board concerning this invention. 本発明に係わる回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。Sectional drawing showing 1 process of the manufacturing method of the circuit board concerning this invention. 本発明に係わる回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。Sectional drawing showing 1 process of the manufacturing method of the circuit board concerning this invention. 本発明に係わる回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。Sectional drawing showing 1 process of the manufacturing method of the circuit board concerning this invention. 本発明に係わる回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。Sectional drawing showing 1 process of the manufacturing method of the circuit board concerning this invention. 本発明に係わる回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。Sectional drawing showing 1 process of the manufacturing method of the circuit board concerning this invention. 本発明に係わる回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。Sectional drawing showing 1 process of the manufacturing method of the circuit board concerning this invention. 本発明に係わる回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。Sectional drawing showing 1 process of the manufacturing method of the circuit board concerning this invention. 本発明に係わる回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。Sectional drawing showing 1 process of the manufacturing method of the circuit board concerning this invention. 本発明に係わる回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。Sectional drawing showing 1 process of the manufacturing method of the circuit board concerning this invention. 本発明に係わる回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。Sectional drawing showing 1 process of the manufacturing method of the circuit board concerning this invention. 本発明に係わる回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。Sectional drawing showing 1 process of the manufacturing method of the circuit board concerning this invention. 本発明に係わる回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。Sectional drawing showing 1 process of the manufacturing method of the circuit board concerning this invention. 本発明に係わる回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。Sectional drawing showing 1 process of the manufacturing method of the circuit board concerning this invention. 本発明に係わる回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。Sectional drawing showing 1 process of the manufacturing method of the circuit board concerning this invention. 本発明に係わるレジストパターンの形成方法における孔開け加工時の貫通孔径、めっき加工時の貫通孔径及びアルカリ可溶性樹脂層除去部の径を示す断面図。Sectional drawing which shows the through-hole diameter at the time of drilling in the formation method of the resist pattern concerning this invention, the through-hole diameter at the time of plating, and the diameter of an alkali-soluble resin layer removal part. 本発明に係わる回路基板の製造方法における孔開け加工時の貫通孔径、めっき加工時の貫通孔径及び光架橋性樹脂層除去部の径を示す断面図。Sectional drawing which shows the through-hole diameter at the time of drilling in the manufacturing method of the circuit board concerning this invention, the through-hole diameter at the time of plating, and the diameter of a photocrosslinkable resin layer removal part. 本発明に係わる回路基板の孔ランド部を示す断面図。Sectional drawing which shows the hole land part of the circuit board concerning this invention. 孔とランドを表した概略図。Schematic showing holes and lands. 孔とランドの位置ずれを表した概略図。The schematic diagram showing the position gap of a hole and a land. 孔径とランド幅を表した概略図。Schematic showing the hole diameter and land width.

以下、アルカリ可溶性樹脂層除去方法、レジストパターンの形成方法及び回路基板の製造方法について詳細に説明する。   Hereinafter, the alkali-soluble resin layer removing method, the resist pattern forming method, and the circuit board manufacturing method will be described in detail.

本発明のアルカリ可溶性樹脂層処理液(I)は、リチウム、ナトリウムまたはカリウムの炭酸塩または重炭酸塩等のアルカリ金属炭酸塩、カリウム、ナトリウムのリン酸塩等のアルカリ金属リン酸塩、リチウム、ナトリウムまたはカリウムの水酸化物等のアルカリ金属水酸化物、カリウム、ナトリウムのケイ酸塩等のアルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか1種を含む。このうち特に好ましい化合物としては、アルカリ金属炭酸塩が挙げられる。   The alkali-soluble resin layer treatment liquid (I) of the present invention comprises an alkali metal carbonate such as lithium, sodium or potassium carbonate or bicarbonate, an alkali metal phosphate such as potassium or sodium phosphate, lithium, It contains at least one of inorganic alkali compounds selected from alkali metal hydroxides such as sodium or potassium hydroxide and alkali metal silicates such as potassium and sodium silicates. Among these, particularly preferable compounds include alkali metal carbonates.

本発明のアルカリ可溶性樹脂層処理液(I)は、上記無機アルカリ性化合物を処理液に対し5〜20質量%、より好ましくは6〜18質量%、さらに好ましくは7.5〜15質量%含有する。5質量%未満では、ミセルが不溶化し難く溶解除去途中で可溶化されたミセルが溶解拡散しやすい傾向がある。また、20質量%を超えると、析出が起こりやすく液の経時安定性、作業性に劣る傾向がある。特に、光架橋性樹脂層を現像する場合、高濃度のアルカリ水溶液を用いると、硬化光架橋性樹脂層に膨潤が発生しやすい傾向がある。硬化光架橋性樹脂層の膨潤は、基材との密着性や解像度の低下を引き起こすため好ましくない。アルカリ可溶性樹脂層処理液が水溶液の場合、溶液のpHは9〜12の範囲とすることが好ましい。また、界面活性剤、消泡剤等を適宜少量混入することもできる。   The alkali-soluble resin layer treatment liquid (I) of the present invention contains the inorganic alkaline compound in an amount of 5 to 20% by mass, more preferably 6 to 18% by mass, and even more preferably 7.5 to 15% by mass with respect to the treatment liquid. . If it is less than 5% by mass, the micelles are difficult to be insolubilized, and the micelles solubilized during dissolution and removal tend to dissolve and diffuse. On the other hand, if it exceeds 20% by mass, precipitation tends to occur and the liquid tends to be unstable over time and workability. In particular, when developing a photocrosslinkable resin layer, if a high concentration aqueous alkali solution is used, the cured photocrosslinkable resin layer tends to swell. Swelling of the cured photocrosslinkable resin layer is not preferred because it causes a decrease in adhesion to the substrate and resolution. When the alkali-soluble resin layer treatment liquid is an aqueous solution, the pH of the solution is preferably in the range of 9-12. In addition, a small amount of a surfactant, an antifoaming agent and the like can be mixed as appropriate.

本発明のアルカリ可溶性樹脂層処理液(II)のように、硫酸塩または亜硫酸塩の少なくともいずれか1種を含有するとさらに好ましい。硫酸塩または亜硫酸塩としては、リチウム、ナトリウムまたはカリウムなどのアルカリ金属硫酸塩または亜硫酸塩、マグネシウム、カルシウムなどのアルカリ土類金属硫酸塩または亜硫酸塩が挙げられる。このうちアルカリ金属硫酸塩または亜硫酸塩が特に好適に用いられる。硫酸塩または亜硫酸塩に含まれる硫酸イオンまたは亜硫酸イオンは、離液順列の大きな多価アニオンであり塩析効果が大きい。本発明の回路基板の製造方法(8)において、(g)工程では、未硬化光架橋性樹脂層と硬化光架橋性樹脂層が混在する状態で未硬化光架橋性樹脂層を除去する。この(g)工程では、硬化光架橋性樹脂層はアルカリ可溶性樹脂層処理液に溶解されたり、膨潤されたりしてはならない。本発明のアルカリ可溶性樹脂層処理液(II)では、離液順列の大きな多価アニオンを添加し、塩析による水和を引き起こすことにより、硬化光架橋性樹脂層の溶解、膨潤を抑制することができる。   More preferably, it contains at least one of sulfate and sulfite as in the alkali-soluble resin layer treatment liquid (II) of the present invention. Examples of the sulfates or sulfites include alkali metal sulfates or sulfites such as lithium, sodium or potassium, and alkaline earth metal sulfates or sulfites such as magnesium and calcium. Of these, alkali metal sulfates or sulfites are particularly preferably used. Sulfate ion or sulfite ion contained in sulfate or sulfite is a polyvalent anion having a large liquid separation permutation and has a large salting-out effect. In the circuit board manufacturing method (8) of the present invention, in the step (g), the uncured photocrosslinkable resin layer is removed in a state where the uncured photocrosslinkable resin layer and the cured photocrosslinkable resin layer coexist. In this step (g), the cured photocrosslinkable resin layer must not be dissolved or swollen in the alkali-soluble resin layer treatment solution. In the alkali-soluble resin layer treatment liquid (II) of the present invention, a polyanion having a large liquid separation permutation is added to cause hydration by salting out, thereby suppressing dissolution and swelling of the cured photocrosslinkable resin layer. Can do.

本発明のアルカリ可溶性樹脂層処理液(II)は、上記硫酸塩または亜硫酸塩の少なくともいずれか1種を0.05〜0.8モル/L、より好ましくは0.1〜0.6モル/L、さらに好ましくは0.15〜0.4モル/L含有する。0.05モル/L未満では、塩析力が弱く水和度が小さいため、光架橋性樹脂層を現像する場合、硬化光架橋性樹脂層の膨潤が起こりやすい傾向がある。また、0.8モル/Lを超えると、過度の水和が起こりミセルの溶解拡散が阻害されるために溶解不良が起こりやすい傾向がある。   In the alkali-soluble resin layer treatment liquid (II) of the present invention, at least one of the above sulfates or sulfites is 0.05 to 0.8 mol / L, more preferably 0.1 to 0.6 mol / L. L, more preferably 0.15 to 0.4 mol / L. If it is less than 0.05 mol / L, the salting-out power is weak and the degree of hydration is low, so that when the photocrosslinkable resin layer is developed, the cured photocrosslinkable resin layer tends to swell. On the other hand, if it exceeds 0.8 mol / L, excessive hydration occurs and dissolution / diffusion of micelles is inhibited, so that poor dissolution tends to occur.

本発明のアルカリ可溶性樹脂層処理液(I)〜(II)における溶媒は、上記成分を安定して分散溶解し得るものであれば特に限定されないが、水が好適に用いられる。水としては、工業用水、水道水、イオン交換水、蒸留水等が挙げられる。また、上記成分をより安定化するため、あるいは溶解除去速度の調整のために適当量の有機溶剤を含有してもよい。   The solvent in the alkali-soluble resin layer treatment liquids (I) to (II) of the present invention is not particularly limited as long as it can stably disperse and dissolve the above components, but water is preferably used. Examples of water include industrial water, tap water, ion exchange water, and distilled water. In addition, an appropriate amount of an organic solvent may be contained in order to further stabilize the above components or to adjust the dissolution and removal rate.

本発明に係わるアルカリ可溶性樹脂としては、アルカリ水溶液に可溶な重合体であればよく、例えば、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、スチレン系樹脂、エポキシ系樹脂、アミド系樹脂、アミドエポキシ系樹脂、アルキド系樹脂、フェノール系樹脂の有機高分子を挙げられる。このうち、エチレン性不飽和二重結合を有した単量体(重合性単量体)を重合(ラジカル重合等)して得られたものであることが好ましい。また、アルカリ現像性を考慮すると、アクリル系樹脂又はメタクリル系樹脂が好ましい。これらのアルカリ水溶液に可溶な重合体は、単独で用いても、2種類以上を組み合わせて用いても良い。このようなエチレン性不飽和二重結合を有した単量体としては、例えば、スチレン;ビニルトルエン、α−メチルスチレン、p−メチルスチレン、p−エチルスチレン、p−メトキシスチレン、p−エトキシスチレン、p−クロロスチレン、p−ブロモスチレン等のスチレン誘導体;ジアセトンアクリルアミド等のアクリルアミド;アクリロニトリル;ビニル−n−ブチルエーテル等のビニルアルコールのエステル類;(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸テトラヒドロフルフリルエステル、(メタ)アクリル酸ジメチルアミノエチルエステル、(メタ)アクリル酸ジエチルアミノエチルエステル、(メタ)アクリル酸グリシジルエステル、2,2,2−トリフルオロエチル(メタ)アクリレート、2,2,3,3−テトラフルオロプロピル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリル酸、α−ブロモ(メタ)アクリル酸、α−クロル(メタ)アクリル酸、β−フリル(メタ)アクリル酸、β−スチリル(メタ)アクリル酸等の(メタ)アクリル酸モノエステル;マレイン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸モノメチル、マレイン酸モノエチル、マレイン酸モノイソプロピル等のマレイン酸系単量体;フマル酸、ケイ皮酸、α−シアノケイ皮酸、イタコン酸、クロトン酸、プロピオール酸等が挙げられる。   The alkali-soluble resin according to the present invention may be any polymer that is soluble in an alkaline aqueous solution. For example, an acrylic resin, a methacrylic resin, a styrene resin, an epoxy resin, an amide resin, an amide epoxy resin, Examples thereof include organic polymers such as alkyd resins and phenol resins. Among these, it is preferable that it is a thing obtained by superposing | polymerizing (radical polymerization etc.) the monomer (polymerizable monomer) which has an ethylenically unsaturated double bond. In view of alkali developability, an acrylic resin or a methacrylic resin is preferable. These polymers soluble in an alkaline aqueous solution may be used alone or in combination of two or more. Examples of such a monomer having an ethylenically unsaturated double bond include styrene; vinyl toluene, α-methyl styrene, p-methyl styrene, p-ethyl styrene, p-methoxy styrene, p-ethoxy styrene. Styrene derivatives such as p-chlorostyrene and p-bromostyrene; acrylamide such as diacetone acrylamide; acrylonitrile; esters of vinyl alcohol such as vinyl-n-butyl ether; (meth) acrylic acid alkyl ester; (meth) acrylic acid Tetrahydrofurfuryl ester, (meth) acrylic acid dimethylaminoethyl ester, (meth) acrylic acid diethylaminoethyl ester, (meth) acrylic acid glycidyl ester, 2,2,2-trifluoroethyl (meth) acrylate, 2,2, 3,3-te Rafluoropropyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid, α-bromo (meth) acrylic acid, α-chloro (meth) acrylic acid, β-furyl (meth) acrylic acid, β-styryl (meth) acrylic acid, etc. (Meth) acrylic acid monoesters; maleic monomers such as maleic acid, maleic anhydride, monomethyl maleate, monoethyl maleate, monoisopropyl maleate; fumaric acid, cinnamic acid, α-cyanocinnamic acid , Itaconic acid, crotonic acid, propiolic acid and the like.

上記(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、下記一般式(I):
CH=C(R)―COOR (I)
[式(I)中、Rは水素原子又はメチル基を示し、Rは炭素数1〜12のアルキル基を示す。]
で示される化合物及びこれらの化合物のアルキル基に水酸基、エポキシ基、ハロゲン原子等が置換した化合物等が挙げられる。また、上記一般式(I)中のRで示される炭素数1〜12のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、およびこれらの構造異性体が挙げられる。
Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester include the following general formula (I):
CH 2 = C (R 1) -COOR 2 (I)
[In Formula (I), R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 2 represents an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. ]
And compounds in which a hydroxyl group, an epoxy group, a halogen atom, or the like is substituted on the alkyl group of these compounds. Examples of the alkyl group having 1 to 12 carbon atoms represented by R 2 in the general formula (I) include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, and an octyl group. Group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group, and structural isomers thereof.

本発明に係わるアルカリ可溶性樹脂は、アルカリ水溶液への溶解性を考慮すると、カルボキシル基を含有していることが好ましい。従って、カルボキシル基を有する重合性単量体とその他の重合性単量体をラジカル重合させる。カルボキシル基を有する重合性単量体としては、(メタ)アクリル酸、ビニル安息香酸、マレイン酸、無水マレイン酸、イタコン酸、無水イタコン酸、クロトン酸、桂皮酸、アクリル酸二量体等を挙げることができる。このうち、(メタ)アクリル酸が最も好ましい。また、(メタ)アクリル酸の含量は、アルカリ水溶液に可溶な重合体において、モノマー組成比で25質量%以上含まれていることが好ましい。   The alkali-soluble resin according to the present invention preferably contains a carboxyl group in consideration of solubility in an alkaline aqueous solution. Therefore, the polymerizable monomer having a carboxyl group and other polymerizable monomer are radically polymerized. Examples of the polymerizable monomer having a carboxyl group include (meth) acrylic acid, vinylbenzoic acid, maleic acid, maleic anhydride, itaconic acid, itaconic anhydride, crotonic acid, cinnamic acid, and acrylic acid dimer. be able to. Of these, (meth) acrylic acid is most preferred. The (meth) acrylic acid content in the polymer soluble in the alkaline aqueous solution is preferably 25% by mass or more in terms of the monomer composition ratio.

本発明に係わるアルカリ可溶性樹脂に用いることができるアルカリ水溶液に可溶な重合体は、単独で、もしくは2種類以上を組み合わせて用いることができる。2種類以上を組み合わせて用いる場合のアルカリ水溶液に可溶な重合体の組み合わせとしては、例えば、異なる共重合成分を有する2種類以上のアルカリ水溶液に可溶な重合体の組み合わせ、異なる重量平均分子量を有する2種類以上のアルカリ水溶液に可溶な重合体の組み合わせ、異なる分散度(重量平均分子量/数平均分子量)を有する2種類以上のアルカリ水溶液に可溶な重合体の組み合わせが挙げられる。   The polymer soluble in the aqueous alkali solution that can be used for the alkali-soluble resin according to the present invention can be used alone or in combination of two or more. Examples of the combination of polymers soluble in an alkaline aqueous solution when two or more types are used in combination include, for example, combinations of polymers soluble in two or more alkaline aqueous solutions having different copolymerization components, and different weight average molecular weights. Examples include combinations of polymers soluble in two or more types of alkaline aqueous solutions, and combinations of polymers soluble in two or more types of alkaline aqueous solutions having different dispersities (weight average molecular weight / number average molecular weight).

本発明に係わるアルカリ可溶性樹脂の重量平均分子量は、10,000〜300,000であることが好ましく、10,000〜150,000であることがより好ましい。重量平均分子量が、10,000未満では樹脂の可撓性が低下する傾向がある。また、アルカリ水溶液を用いて光架橋性樹脂層を現像する場合、硬化光架橋性樹脂層の密着性が低下する傾向がある。他方、重量平均分子量が300,000を超えると形成されたミセルがアルカリ水溶液中に溶解拡散し難くなり、処理時間が長くなる傾向がある。   The weight average molecular weight of the alkali-soluble resin according to the present invention is preferably 10,000 to 300,000, and more preferably 10,000 to 150,000. If the weight average molecular weight is less than 10,000, the flexibility of the resin tends to decrease. Moreover, when developing a photocrosslinkable resin layer using aqueous alkali solution, there exists a tendency for the adhesiveness of a hardening photocrosslinkable resin layer to fall. On the other hand, when the weight average molecular weight exceeds 300,000, the formed micelles are difficult to dissolve and diffuse in the alkaline aqueous solution, and the treatment time tends to be long.

本発明に係わるアルカリ可溶性樹脂の酸価は30〜300mgKOH/gであることが好ましい。酸価が30mgKOH/g未満では、可溶化ミセルを安定に形成させるのが難しく、溶解性が著しく低下する傾向がある。また、300mgKOH/gを超えると、樹脂のガラス転移温度が高くなり、熱溶融させるのにさらに高温が必要になる。また、樹脂の可撓性が低下する傾向がある。さらに、アルカリ水溶液を用いて光架橋性樹脂層を現像する場合、硬化光架橋性樹脂層の密着性が低下する傾向がある。   The acid value of the alkali-soluble resin according to the present invention is preferably 30 to 300 mgKOH / g. When the acid value is less than 30 mgKOH / g, it is difficult to stably form solubilized micelles, and the solubility tends to be remarkably lowered. On the other hand, if it exceeds 300 mgKOH / g, the glass transition temperature of the resin becomes high, and a higher temperature is required for heat melting. Moreover, there exists a tendency for the flexibility of resin to fall. Furthermore, when developing a photocrosslinkable resin layer using aqueous alkali solution, there exists a tendency for the adhesiveness of a hardening photocrosslinkable resin layer to fall.

本発明に係わるアルカリ可溶性樹脂には、必要に応じて、前述のアルカリ水溶液に可溶な重合体以外の成分を含有してもよい。このような成分としては、膜物性をコントロールするために添加するジブチルフタレート、ポリエチレングリコール、p−トルエンスルホンアミド等の可塑剤、視認性向上のために添加するマラカイトグリーン等の染料、その他、顔料、充填剤、消泡剤、難燃剤、安定剤、密着性付与剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、イメージング剤、熱架橋剤等が挙げられ、アルカリ水溶液に可溶な上記重合体100質量部に対して、各々0.01〜20質量部程度含有することができる。このような成分は単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。また、本発明のアルカリ可溶性樹脂は、必要に応じて、メタノール、エタノール、n−プロパノール、2−ブタノール、n−ヘキサノール等のアルコール類;アセトン、2−ブタノン等のケトン類;酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸−n−アミル、硫酸メチル、プロピオン酸エチル、フタル酸ジメチル、安息香酸エチル等のエステル類、トルエン、キシレン、ベンゼン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素類;テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、1−メトキシ−2−プロパノール等のエーテル類、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の溶剤又はこれらの混合溶剤に溶解して固形分30〜60質量%程度の溶液として、塗布することができる。   The alkali-soluble resin according to the present invention may contain components other than the polymer soluble in the aqueous alkali solution as necessary. Examples of such components include plasticizers such as dibutyl phthalate, polyethylene glycol, and p-toluenesulfonamide added to control film physical properties, dyes such as malachite green added to improve visibility, other pigments, Examples include fillers, antifoaming agents, flame retardants, stabilizers, adhesion-imparting agents, leveling agents, peeling accelerators, antioxidants, fragrances, imaging agents, thermal crosslinking agents, and the like. About 0.01 to 20 parts by mass can be contained per 100 parts by mass of the combined body. Such components can be used alone or in combination of two or more. In addition, the alkali-soluble resin of the present invention can be used, if necessary, alcohols such as methanol, ethanol, n-propanol, 2-butanol and n-hexanol; ketones such as acetone and 2-butanone; ethyl acetate and butyl acetate. , Esters such as acetic acid-n-amyl, methyl sulfate, ethyl propionate, dimethyl phthalate, ethyl benzoate, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, benzene, ethylbenzene; tetrahydrofuran, diethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether , Ethylene glycol monoethyl ether, ethers such as 1-methoxy-2-propanol, solvents such as N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide or mixed solvents thereof, and a solution having a solid content of about 30 to 60% by mass As, applying It can be.

本発明に係わるアルカリ可溶性樹脂は、キャリアーフィルム上に形成されたアルカリ可溶性樹脂層と、場合によっては、アルカリ可溶性樹脂層上に保護フィルムを備えた、いわゆるドライフィルムの形状で使用される。   The alkali-soluble resin according to the present invention is used in the form of a so-called dry film having an alkali-soluble resin layer formed on a carrier film and, optionally, a protective film on the alkali-soluble resin layer.

キャリアーフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエステル等の耐熱性および耐溶剤性を有する重合体フィルムが好適に用いられる。キャリアーフィルムの厚みは、5〜25μmであることが好ましく、8〜20μmであることがより好ましく、10〜16μmであることが特に好ましい。キャリアーフィルムの厚みが5μm未満では、キャリアーフィルム剥離の際にキャリアーフィルム自体が破れることがある。また、キャリアーフィルムの厚みが25μmを超えると、解像度が低下する傾向がある。さらに、キャリアーフィルムのヘーズ(JIS K 7105準拠)は、0.001〜5.0であることが好ましく、0.001〜2.0であることがより好ましく、0.01〜1.8であることが特に好ましい。このヘーズが2.0を超えると、解像度が低下する傾向がある。   As the carrier film, a polymer film having heat resistance and solvent resistance such as polyethylene terephthalate, polypropylene, polyethylene, and polyester is preferably used. The thickness of the carrier film is preferably 5 to 25 μm, more preferably 8 to 20 μm, and particularly preferably 10 to 16 μm. When the thickness of the carrier film is less than 5 μm, the carrier film itself may be broken when the carrier film is peeled off. Moreover, when the thickness of a carrier film exceeds 25 micrometers, there exists a tendency for the resolution to fall. Furthermore, the haze (based on JIS K 7105) of the carrier film is preferably 0.001 to 5.0, more preferably 0.001 to 2.0, and 0.01 to 1.8. It is particularly preferred. When this haze exceeds 2.0, the resolution tends to decrease.

アルカリ可溶性樹脂層の厚みは、乾燥後の厚みで1〜100μmであることが好ましく、5〜50μmであることがより好ましい。この厚みが、1μm未満では工業的に塗布困難な傾向があり、他方、100μmを超えると基材との密着性が低下する傾向がある。   The thickness of the alkali-soluble resin layer is preferably 1 to 100 μm, more preferably 5 to 50 μm, after drying. If the thickness is less than 1 μm, it tends to be difficult to apply industrially, whereas if it exceeds 100 μm, the adhesion to the substrate tends to decrease.

本発明に係わるアルカリ可溶性樹脂を前記溶剤に溶解して固形分30〜60質量%程度の溶液とした後に、係る溶液を支持体上に塗布し、乾燥することによりドライフィルムを得ることができる。上記塗布方法としては、ロールコータ、コンマコータ、グラビアコータ、エアーナイフコータ、ダイコータ、バーコータ等の公知の方法を採用することができる。また、乾燥処理は、例えば70〜150℃、5〜30分間程度で行うことができる。   After dissolving the alkali-soluble resin according to the present invention in the solvent to obtain a solution having a solid content of about 30 to 60% by mass, the solution is applied on a support and dried to obtain a dry film. As the coating method, known methods such as a roll coater, a comma coater, a gravure coater, an air knife coater, a die coater, and a bar coater can be employed. Moreover, a drying process can be performed at 70-150 degreeC, for about 5 to 30 minutes, for example.

保護フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエステル等の重合体フィルムが好適に用いられる。このような保護フィルムの厚みは、5〜30μmであることが好ましく、10〜28μmであることがより好ましく、15〜25μmであることが特に好ましい。この厚みが5μm未満ではラミネートの際、保護フィルムが破れやすくなる傾向があり、他方、この厚みが30μmを超えると廉価性に劣る傾向がある。   As the protective film, polymer films such as polyethylene terephthalate, polypropylene, polyethylene, and polyester are preferably used. The thickness of such a protective film is preferably 5 to 30 μm, more preferably 10 to 28 μm, and particularly preferably 15 to 25 μm. When the thickness is less than 5 μm, the protective film tends to be easily broken during lamination. On the other hand, when the thickness exceeds 30 μm, the cost tends to be inferior.

また、保護フィルムおよびキャリアーフィルムは、後にアルカリ可溶性樹脂層から除去可能でなくてはならないため、除去が不可能となるような表面処理が施されたものでないほうが好ましい。しかしながら、必要に応じてコロナ放電処理等の表面処理を行ってもよい。また、キャリアーフィルムおよび保護フィルムは必要に応じて帯電防止処理が施されていてもよい。   Moreover, since the protective film and the carrier film must be removable from the alkali-soluble resin layer later, it is preferable that the protective film and the carrier film are not subjected to a surface treatment that makes removal impossible. However, surface treatment such as corona discharge treatment may be performed as necessary. Moreover, the carrier film and the protective film may be subjected to antistatic treatment as necessary.

本発明に係わるアルカリ可溶性樹脂は、光架橋性樹脂であってもよい。光架橋性樹脂の基本組成は、(A)バインダーポリマー、(B)分子内に少なくとも1つの重合可能なエチレン性不飽和結合を有する光重合性化合物(以下、光重合性化合物とする)、(C)光重合開始剤である。   The alkali-soluble resin according to the present invention may be a photocrosslinkable resin. The basic composition of the photocrosslinkable resin is (A) a binder polymer, (B) a photopolymerizable compound having at least one polymerizable ethylenically unsaturated bond in the molecule (hereinafter referred to as a photopolymerizable compound), ( C) Photopolymerization initiator.

本発明に係わる光架橋性樹脂に用いることができる(A)バインダーポリマーとしては、アルカリ水溶液に可溶な重合体であればよく、前記に記載のアルカリ可溶性樹脂と同等のものを使用できる。   The (A) binder polymer that can be used in the photocrosslinkable resin according to the present invention may be a polymer that is soluble in an alkaline aqueous solution, and may be the same as the alkali-soluble resin described above.

本発明に係わる光架橋性樹脂に係わる(B)光重合性化合物としては、分子内に少なくとも1つの重合可能なエチレン性不飽和結合を有する光重合可能な化合物であればよい。例えば、多価アルコールにα,β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物;ビスフェノールA系(メタ)アクリレート化合物;グリシジル基含有化合物にα,β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物;分子内にウレタン結合を有する(メタ)アクリレート化合物等のウレタンモノマー;ノニルフェノキシポリエチレンオキシアクリレート;γ−クロロ−β−ヒドロキシプロピル−β′−(メタ)アクリロイルオキシエチル−o−フタレート、β−ヒドロキシアルキル−β′−(メタ)アクリロイルオキシアルキル−o−フタレート等のフタル酸系化合物;(メタ)アクリル酸アルキルエステル等が挙げられる。これらの光重合性化合物は単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   The photopolymerizable compound (B) relating to the photocrosslinkable resin according to the present invention may be any photopolymerizable compound having at least one polymerizable ethylenically unsaturated bond in the molecule. For example, a compound obtained by reacting a polyhydric alcohol with an α, β-unsaturated carboxylic acid; a bisphenol A (meth) acrylate compound; obtained by reacting a glycidyl group-containing compound with an α, β-unsaturated carboxylic acid Compound; Urethane monomer such as (meth) acrylate compound having urethane bond in molecule; Nonylphenoxypolyethyleneoxyacrylate; γ-chloro-β-hydroxypropyl-β ′-(meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate, β- Examples thereof include phthalic acid compounds such as hydroxyalkyl-β '-(meth) acryloyloxyalkyl-o-phthalate; and (meth) acrylic acid alkyl esters. These photopolymerizable compounds can be used alone or in combination of two or more.

本発明に係わる光架橋性樹脂に係わる光重合開始剤(C)としては、ベンゾフェノン、N,N′−テトラメチル−4,4′−ジアミノベンゾフェノン(ミヒラーケトン)、N,N′−テトラエチル−4,4′−ジアミノベンゾフェノン、4−メトキシ−4′−ジメチルアミノベンゾフェノン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−ブタノン−1、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノ−プロパノン−1等の芳香族ケトン;2−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、2−tert−ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、1,2−ベンズアントラキノン、2,3−ベンズアントラキノン、2−フェニルアントラキノン、2,3−ジフェニルアントラキノン、1−クロロアントラキノン、2−メチルアントラキノン、1,4−ナフトキノン、9,10−フェナントラキノン、2−メチル1,4−ナフトキノン、2,3−ジメチルアントラキノン等のキノン類;ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル化合物;ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン化合物;ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体;2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジ(メトキシフェニル)イミダゾール二量体、2−(o−フルオロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(p−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体等の2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体;9−フェニルアクリジン、1,7−ビス(9,9′−アクリジニル)ヘプタン等のアクリジン誘導体;N−フェニルグリシン、N−フェニルグリシン誘導体、クマリン系化合物等が挙げられる。上記2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体における2つの2,4,5−トリアリールイミダゾールのアリール基の置換基は、同一であって対象な化合物を与えてもよいし、相違して非対称な化合物を与えてもよい。また、ジエチルチオキサントンとジメチルアミノ安息香酸の組み合わせのように、チオキサントン系化合物と3級アミン化合物とを組み合わせてもよい。これらは単独で、または2種類以上を組み合わせて使用される。   Examples of the photopolymerization initiator (C) related to the photocrosslinkable resin according to the present invention include benzophenone, N, N′-tetramethyl-4,4′-diaminobenzophenone (Michler ketone), N, N′-tetraethyl-4, 4'-diaminobenzophenone, 4-methoxy-4'-dimethylaminobenzophenone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1, 2-methyl-1- [4- (methylthio ) Phenyl] -2-morpholino-propanone-1 and the like; 2-ethylanthraquinone, phenanthrenequinone, 2-tert-butylanthraquinone, octamethylanthraquinone, 1,2-benzanthraquinone, 2,3-benzanthraquinone, 2-phenylanthraquinone, 2,3-diphenylanthra Quinones such as nonone, 1-chloroanthraquinone, 2-methylanthraquinone, 1,4-naphthoquinone, 9,10-phenanthraquinone, 2-methyl-1,4-naphthoquinone, 2,3-dimethylanthraquinone; benzoin methyl ether Benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether and benzoin phenyl ether; benzoin compounds such as benzoin, methyl benzoin and ethyl benzoin; benzyl derivatives such as benzyl dimethyl ketal; 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer 2- (o-chlorophenyl) -4,5-di (methoxyphenyl) imidazole dimer, 2- (o-fluorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-methoxyphenyl) ) -4,5-Difeni 2,4,5-triarylimidazole dimers such as imidazole dimer, 2- (p-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer; 9-phenylacridine, 1,7-bis (9 , 9'-acridinyl) heptane and the like; N-phenylglycine, N-phenylglycine derivatives, coumarin compounds and the like. The substituents of the aryl groups of two 2,4,5-triarylimidazoles in the 2,4,5-triarylimidazole dimer are the same and may give the target compound. Asymmetric compounds may be provided. Moreover, you may combine a thioxanthone type compound and a tertiary amine compound like the combination of diethyl thioxanthone and dimethylaminobenzoic acid. These may be used alone or in combination of two or more.

本発明に係わる光架橋性樹脂において、(A)バインダーポリマーの配合量は、(A)成分および(B)成分の総量中40〜80質量%であることが好ましく、45〜70質量%であることがより好ましい。(A)成分の配合量が、40質量%未満では光架橋した部分の機械的強度が低くなる。また、被膜性が悪くなるという問題がある。80質量%を超えると光重合性が低下する。   In the photocrosslinkable resin according to the present invention, the blending amount of the (A) binder polymer is preferably 40 to 80% by mass in the total amount of the (A) component and the (B) component, and is 45 to 70% by mass. It is more preferable. When the blending amount of the component (A) is less than 40% by mass, the mechanical strength of the photocrosslinked portion is lowered. Moreover, there exists a problem that film property worsens. When it exceeds 80 mass%, photopolymerizability will fall.

(B)光重合性化合物の配合量は、(A)成分および(B)成分の総量中20〜60質量%であることが好ましく、30〜55質量%であることがより好ましい。このような配合量が、20質量%未満では光重合性が不充分となる傾向があり、他方、60質量%を超えると光架橋物が脆くなる傾向がある。なお、(B)成分中に前記ビスフェノールA系(メタ)アクリレート化合物が含有される場合、その配合量は前記(B)成分中、3〜90質量%であることが好ましく、5〜70質量%であることがより好ましい。前記ビスフェノールA系(メタ)アクリレート化合物の配合量は前記(B)成分中、3質量%未満では解像度が劣る傾向があり、他方、90質量%を超えると硬化光架橋性樹脂層の剥離時間が長くなる傾向がある。   (B) It is preferable that the compounding quantity of a photopolymerizable compound is 20-60 mass% in the total amount of (A) component and (B) component, and it is more preferable that it is 30-55 mass%. If such a blending amount is less than 20% by mass, the photopolymerizability tends to be insufficient, whereas if it exceeds 60% by mass, the photocrosslinked product tends to become brittle. In addition, when the said bisphenol A type | system | group (meth) acrylate compound contains in (B) component, it is preferable that the compounding quantity is 3-90 mass% in the said (B) component, 5-70 mass%. It is more preferable that When the blending amount of the bisphenol A-based (meth) acrylate compound is less than 3% by mass in the component (B), the resolution tends to be inferior. On the other hand, when it exceeds 90% by mass, the peeling time of the cured photocrosslinkable resin layer is long. Tend to be longer.

更に、(C)成分の配合量は、(A)成分及び(B)成分の混合物100質量部に対して、0.1〜20質量部であることが好ましく、0.2〜10質量部であることがより好ましい。配合量が、0.1質量部未満では光重合性が不充分となる。一方、20質量部を超えると、露光の際に組成物の表面での吸収が増大して内部の光架橋が不充分となる傾向がある。   Furthermore, it is preferable that the compounding quantity of (C) component is 0.1-20 mass parts with respect to 100 mass parts of mixture of (A) component and (B) component, and is 0.2-10 mass parts. More preferably. If the blending amount is less than 0.1 parts by mass, the photopolymerizability becomes insufficient. On the other hand, if it exceeds 20 parts by mass, the absorption on the surface of the composition increases during exposure and the internal photocrosslinking tends to be insufficient.

本発明に係わる光架橋性樹脂には、必要に応じて、前述の(A)〜(C)成分以外の成分を含有してもよい。このような成分としては、マラカイトグリーン等の染料、トリブロモフェニルスルホン、ロイコクリスタルバイオレット等の光発色剤、熱発色防止剤、p−トルエンスルホンアミド等の可塑剤、顔料、充填剤、消泡剤、難燃剤、安定剤、密着性付与剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、イメージング剤、熱架橋剤等が挙げられ、(A)成分及び(B)成分の混合物100質量部に対して、各々0.01〜20質量部程度含有することができる。このような成分は単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   The photocrosslinkable resin according to the present invention may contain components other than the above-described components (A) to (C) as necessary. Examples of such components include dyes such as malachite green, photochromic agents such as tribromophenyl sulfone and leuco crystal violet, thermochromic inhibitors, plasticizers such as p-toluenesulfonamide, pigments, fillers and antifoaming agents. , Flame retardants, stabilizers, adhesion-imparting agents, leveling agents, peeling accelerators, antioxidants, fragrances, imaging agents, thermal crosslinking agents, etc., and 100 parts by mass of a mixture of component (A) and component (B) Each can be contained in an amount of about 0.01 to 20 parts by mass. Such components can be used alone or in combination of two or more.

本発明に係わる光架橋性樹脂は、必要に応じて、メタノール、エタノール、n−プロパノール、2−ブタノール、n−ヘキサノール等のアルコール類;アセトン、2−ブタノン等のケトン類;酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸−n−アミル、硫酸メチル、プロピオン酸エチル、フタル酸ジメチル、安息香酸エチル等のエステル類、トルエン、キシレン、ベンゼン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素類;テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、1−メトキシ−2−プロパノール等のエーテル類、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の溶剤又はこれらの混合溶剤に溶解して固形分30〜60質量%程度の溶液として、塗布することができる。   The photo-crosslinkable resin according to the present invention may be used, if necessary, alcohols such as methanol, ethanol, n-propanol, 2-butanol and n-hexanol; ketones such as acetone and 2-butanone; ethyl acetate and butyl acetate. , Esters such as acetic acid-n-amyl, methyl sulfate, ethyl propionate, dimethyl phthalate, ethyl benzoate, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, benzene, ethylbenzene; tetrahydrofuran, diethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether , Ethylene glycol monoethyl ether, ethers such as 1-methoxy-2-propanol, solvents such as N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide or mixed solvents thereof, and a solution having a solid content of about 30 to 60% by mass Can be applied as .

本発明に係わる光架橋性樹脂は、アルカリ可溶性樹脂と同様にキャリアーフィルム上に形成された光架橋性樹脂層と、該光架橋性樹脂層上に保護フィルムを備えた、いわゆるドライフィルムレジストの形状で使用される。ドライフィルムレジストとしては、従来市販のものを使用できる。   The photocrosslinkable resin according to the present invention is a so-called dry film resist having a photocrosslinkable resin layer formed on a carrier film in the same manner as the alkali-soluble resin, and a protective film on the photocrosslinkable resin layer. Used in. As the dry film resist, a commercially available one can be used.

本発明において、アルカリ可溶性樹脂層を溶解除去するための処理方式には、ディップ方式、バトル方式、スプレー方式、ブラッシング、スクレーピング等があり、高圧スプレー方式が樹脂層除去性向上、残渣除去のためには最も適している。また、必要に応じて2種以上の除去方式を併用してもよい。   In the present invention, the processing method for dissolving and removing the alkali-soluble resin layer includes a dip method, a battle method, a spray method, brushing, scraping, etc., and the high-pressure spray method is for improving the resin layer removability and removing the residue. Is most suitable. Moreover, you may use together 2 or more types of removal methods as needed.

本発明において、アルカリ可溶性樹脂層を溶解除去するための処理条件(温度、スプレー圧、時間)は、アルカリ可溶性樹脂層のミセルの形成と溶解除去性に合わせて適宜調整される。具体的には、処理温度は10〜50℃、より好ましくは15〜40℃、さらに好ましくは15〜35℃である。また、スプレー圧は0.05〜0.5MPaとするのが好ましく、さらに好ましくは0.1〜0.3MPaである。   In the present invention, the treatment conditions (temperature, spray pressure, time) for dissolving and removing the alkali-soluble resin layer are appropriately adjusted according to the micelle formation and dissolution and removability of the alkali-soluble resin layer. Specifically, processing temperature is 10-50 degreeC, More preferably, it is 15-40 degreeC, More preferably, it is 15-35 degreeC. The spray pressure is preferably 0.05 to 0.5 MPa, more preferably 0.1 to 0.3 MPa.

続いて、本発明のアルカリ可溶性樹脂層除去方法(1)を処理工程に順じて説明する。本発明におけるアルカリ可溶性樹脂層除去方法は、少なくとも2つの処理工程よりなり、処理工程(α)では、高濃度のアルカリ可溶性樹脂層処理液を過剰に供給することにより、形成されたアルカリ可溶性樹脂のミセルを不溶化させて処理液中に溶解拡散するのを防止する。次いで、処理工程(α)の後に行う処理工程(β)において、アルカリ可溶性樹脂層除去液を供給して、処理工程(α)で不溶化されたミセルを再分散させて溶解除去する。   Then, the alkali-soluble resin layer removal method (1) of this invention is demonstrated according to a process process. The alkali-soluble resin layer removal method in the present invention comprises at least two treatment steps. In the treatment step (α), the alkali-soluble resin layer formed by supplying an excessively high-concentration alkali-soluble resin layer treatment solution. The micelle is insolubilized to prevent dissolution and diffusion in the processing solution. Next, in the treatment step (β) performed after the treatment step (α), an alkali-soluble resin layer removing solution is supplied, and the micelles insolubilized in the treatment step (α) are redispersed and dissolved and removed.

本発明のアルカリ可溶性樹脂層除去方法(3)において、アルカリ可溶性樹脂層除去液としては、水またはアルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、モノエタノールアミン等のうち濃度3質量%以下の水溶液を用いることができる。このうち、水または3質量%以下のアルカリ金属炭酸塩を含む水溶液を特に好適に用いることができる。水または低濃度のアルカリ可溶性樹脂層除去液で処理することにより、不溶化したミセルの再分散性が良くなり迅速な処理が可能になる。アルカリ金属炭酸塩の濃度が3質量%を超えると、不溶化したミセルを再分散させることが難しくなり、処理時間が長くなる傾向があるため好ましくない。   In the alkali-soluble resin layer removing method (3) of the present invention, the alkali-soluble resin layer removing solution may be water or alkali metal carbonate, alkali metal phosphate, alkali metal hydroxide, alkali metal silicate, tetramethyl. An aqueous solution having a concentration of 3% by mass or less among ammonium hydroxide and monoethanolamine can be used. Among these, water or an aqueous solution containing 3% by mass or less of an alkali metal carbonate can be particularly preferably used. By treating with water or a low-concentration alkali-soluble resin layer removing solution, the redispersibility of the insolubilized micelles is improved and rapid treatment becomes possible. When the concentration of the alkali metal carbonate exceeds 3% by mass, it is difficult to redisperse the insolubilized micelles and the treatment time tends to be long, which is not preferable.

本発明のレジストパターンの形成方法(5)では、絶縁性基板1の貫通孔を有する基板の片面(第1面とする)に貫通孔を塞ぐようにアルカリ可溶性樹脂層5及びマスク層4を設け(図2(a))、第1面とは反対の面(第2面とする)から本発明のアルカリ可溶性樹脂層処理液を供給し、次いで本発明のアルカリ可溶性樹脂層除去液を供給して、第1面の貫通孔上及び貫通孔周辺部のアルカリ可溶性樹脂層5を除去する(図3(a))。また、絶縁性基板1の表面にのみ導電層2がある場合(図2(b))、絶縁性基板1の表面および孔内壁に導電層2がある場合(図2(c))も同様の工程で第1面の貫通孔上及び貫通孔周辺部のアルカリ可溶性樹脂層が除去される(図3(b)、図3(c))。   In the resist pattern forming method (5) of the present invention, the alkali-soluble resin layer 5 and the mask layer 4 are provided so as to close the through hole on one side (first surface) of the substrate having the through hole of the insulating substrate 1. (FIG. 2 (a)), supplying the alkali-soluble resin layer treatment liquid of the present invention from the surface opposite to the first surface (referred to as the second surface), and then supplying the alkali-soluble resin layer removal liquid of the present invention. Then, the alkali-soluble resin layer 5 on the through hole on the first surface and around the through hole is removed (FIG. 3A). The same applies when the conductive layer 2 is present only on the surface of the insulating substrate 1 (FIG. 2B), and when the conductive layer 2 is present on the surface of the insulating substrate 1 and the inner wall of the hole (FIG. 2C). In the step, the alkali-soluble resin layer on the through-hole on the first surface and around the through-hole is removed (FIGS. 3B and 3C).

本発明の回路基板の製造方法(8)では、セミアディティブ工法により回路基板を製造する。図4〜図18を用いて詳細に説明する。   In the circuit board manufacturing method (8) of the present invention, a circuit board is manufactured by a semi-additive method. This will be described in detail with reference to FIGS.

まず絶縁性基板1(図4)に貫通孔3を形成する(図5)。次いで、絶縁性基板1の表面及び貫通孔3の内壁に第1導電層6を設ける(図6)。その後、第1面に光架橋性樹脂層8を貫通孔にテンティングするように設ける(図7)。その際、光架橋性樹脂層8上には、マスク層4が光架橋性樹脂層8と接触するように形成してある。次いで、第1面と反対側の第2面から本発明のアルカリ可溶性樹脂層処理液を供給し、次いでアルカリ可溶性樹脂層除去液を供給して、第1面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層8を溶解除去する(図8)。除去液の種類と濃度、除去処理の時間と温度、スプレー使用の場合は除去液のスプレー圧、吐出量等の除去処理の条件を調整して、貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層8の除去量を調整することができ、第1導電層の露出幅をコントロールすることができる。従って、ランドレスから狭小ランド、広大ランドまでその後のランド幅のコントロールが可能となる。必要な場合には乾燥を行い、その後、第1面の光架橋性樹脂層8に対してパターン露光を行う(図9)。   First, the through hole 3 is formed in the insulating substrate 1 (FIG. 4) (FIG. 5). Next, the first conductive layer 6 is provided on the surface of the insulating substrate 1 and the inner wall of the through hole 3 (FIG. 6). Thereafter, the photocrosslinkable resin layer 8 is provided on the first surface so as to be tented in the through hole (FIG. 7). At that time, the mask layer 4 is formed on the photocrosslinkable resin layer 8 so as to be in contact with the photocrosslinkable resin layer 8. Next, the alkali-soluble resin layer treatment liquid of the present invention is supplied from the second surface opposite to the first surface, and then the alkali-soluble resin layer removal liquid is supplied to the first surface on the through-holes and the periphery of the through-holes. The photocrosslinkable resin layer 8 is dissolved and removed (FIG. 8). Photocrosslinkability on and around the through hole by adjusting the conditions of the removal process such as the type and concentration of the removal liquid, the time and temperature of the removal process, and the spray pressure and discharge rate of the removal liquid in the case of spraying. The removal amount of the resin layer 8 can be adjusted, and the exposed width of the first conductive layer can be controlled. Therefore, it is possible to control the land width thereafter from the landless to the narrow land and the wide land. If necessary, drying is performed, and then pattern exposure is performed on the photocrosslinkable resin layer 8 on the first surface (FIG. 9).

第1面に施したのと同様な方法で、第2面にも光架橋性樹脂層8及びマスク層4を形成する(図10)。第1面のマスク層4を除去した後(図11)、再度、アルカリ可溶性樹脂層処理液及びアルカリ可溶性樹脂層除去液による処理を行う。少なくとも第1面より本発明のアルカリ可溶性樹脂層処理液を供給し、次いでアルカリ可溶性樹脂層除去液を供給して、第1面表面の未硬化光架橋性樹脂層8を溶解除去するとともに、貫通孔を通して、第2面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層8を溶解除去する(図12)。この際、第1面の処理と同様にして、第2面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層8の除去量を調整することができ、第1導電層6の露出幅をコントロールすることができる。必要な場合には乾燥を行い、その後、第2面の光架橋性樹脂層8に対してパターン露光を行って、非回路部の光架橋性樹脂を硬化させる(図13)。   The photocrosslinkable resin layer 8 and the mask layer 4 are also formed on the second surface by the same method as that applied to the first surface (FIG. 10). After removing the mask layer 4 on the first surface (FIG. 11), the treatment with the alkali-soluble resin layer treatment liquid and the alkali-soluble resin layer removal liquid is performed again. At least the alkali-soluble resin layer treatment liquid of the present invention is supplied from at least the first surface, and then the alkali-soluble resin layer removing liquid is supplied to dissolve and remove the uncured photocrosslinkable resin layer 8 on the surface of the first surface. Through the hole, the photocrosslinkable resin layer 8 on the through hole on the second surface and around the through hole is dissolved and removed (FIG. 12). At this time, similarly to the treatment of the first surface, the removal amount of the photocrosslinkable resin layer 8 on the through hole of the second surface and the peripheral portion of the through hole can be adjusted, and the exposed width of the first conductive layer 6 can be adjusted. Can be controlled. If necessary, drying is performed, and then pattern exposure is performed on the photocrosslinkable resin layer 8 on the second surface to cure the photocrosslinkable resin in the non-circuit portion (FIG. 13).

パターン露光された第2面のマスク層4を除去した後(図14)、未硬化光架橋性樹脂層現像液による処理を行う。少なくとも第2面より現像液を供給するようにし、第2面の表面の未硬化光架橋性樹脂層8を溶解除去する(図15)。   After removing the mask layer 4 on the second surface that has been subjected to pattern exposure (FIG. 14), a treatment with an uncured photocrosslinkable resin layer developer is performed. The developer is supplied at least from the second surface, and the uncured photocrosslinkable resin layer 8 on the surface of the second surface is dissolved and removed (FIG. 15).

これにより、第1面、第2面両面に、めっきレジスト層として機能する硬化光架橋性樹脂9からなるレジストパターンを形成することができる。次いで、露出している第1導電層6上に電解めっき処理により第2導電層7を形成(図16)し、その後、第1面及び第2面の硬化光架橋性樹脂層9を除去(図17)し、露出したままの第1導電層6をフラッシュエッチングすることにより、ランドレス又は狭小ランド幅を有する回路基板を製造することができる(図18)。   Thereby, a resist pattern made of the cured photocrosslinkable resin 9 functioning as a plating resist layer can be formed on both the first surface and the second surface. Next, the second conductive layer 7 is formed on the exposed first conductive layer 6 by electrolytic plating (FIG. 16), and then the cured photocrosslinkable resin layer 9 on the first and second surfaces is removed ( 17) and flash etching the first conductive layer 6 that is exposed, a circuit board having a landless or narrow land width can be manufactured (FIG. 18).

本発明に係わる絶縁性基板としては、紙基材フェノール樹脂やガラス基材エポキシ樹脂の基板、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、液晶高分子フィルム等を使用することができる。導電層としては、銅、銀、金、アルミニウム、ステンレス、42アロイ、ニクロム、タングステン、ITO、導電性高分子、各種金属錯体等を使用することができる。これらの例は「プリント回路技術便覧」(社団法人日本プリント回路工業会編、日刊工業新聞社、1987年)に記載されている。   As the insulating substrate according to the present invention, a paper substrate phenol resin or glass substrate epoxy resin substrate, a polyester film, a polyimide film, a liquid crystal polymer film, or the like can be used. As the conductive layer, copper, silver, gold, aluminum, stainless steel, 42 alloy, nichrome, tungsten, ITO, conductive polymer, various metal complexes, and the like can be used. Examples of these are described in “Handbook of Printed Circuit Technology” (edited by Japan Printed Circuit Industry Association, Nikkan Kogyo Shimbun, 1987).

本発明に係わる絶縁性基板に第1導電層を設ける方法としては、スパッタリング法、蒸着法、無電解めっき法、絶縁性基板に金属箔等の極薄導電層を張り合わせる方法や、導電層を張り合わせた積層板の導電層をエッチング処理によって薄膜とする方法などがある。絶縁性基板に貫通孔を開けた後に、絶縁性基板の表面及び貫通孔の内壁に第1導電層を設けることもできるし、また、絶縁性基板表面に第1導電層を設けた後に、貫通孔を開け、再度、表面及び貫通孔内壁に第1導電層を設けてもよい。また、第2導電層は、第1導電層に対する電解めっき法によって形成することができる。   As a method of providing the first conductive layer on the insulating substrate according to the present invention, a sputtering method, a vapor deposition method, an electroless plating method, a method of attaching an ultrathin conductive layer such as a metal foil to the insulating substrate, For example, there is a method of forming a thin film by etching the conductive layer of the laminated laminate. After the through hole is formed in the insulating substrate, the first conductive layer can be provided on the surface of the insulating substrate and the inner wall of the through hole, or after the first conductive layer is provided on the surface of the insulating substrate, the through hole is formed. You may open a hole and provide a 1st conductive layer in the surface and the inner wall of a through-hole again. The second conductive layer can be formed by an electrolytic plating method for the first conductive layer.

本発明に係わる無電解めっき処理、電解めっき処理は、例えば、「プリント回路技術便覧」(社団法人日本プリント回路工業会編、日刊工業新聞社、1987年)に記載されているものを使用することができる。   For the electroless plating treatment and the electrolytic plating treatment according to the present invention, for example, those described in "Handbook of Printed Circuit Technology" (edited by Japan Printed Circuit Industry Association, Nikkan Kogyo Shimbun, 1987) should be used. Can do.

パターン露光は、レーザ直接描画、フォトマスクを介した密着露光、プロキシミティ露光、投影露光等によって行われる。光源としては、各種レーザ光源の他、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ等を使用することができる。このパターン露光により、非回路部の光架橋性樹脂を硬化させる。   Pattern exposure is performed by laser direct drawing, contact exposure through a photomask, proximity exposure, projection exposure, or the like. As the light source, in addition to various laser light sources, an ultrahigh pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, a metal halide lamp, a xenon lamp, or the like can be used. By this pattern exposure, the photocrosslinkable resin in the non-circuit portion is cured.

第1面のマスク層の除去は、第1面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層の除去工程の後であれば、第2面の光架橋性樹脂層及びマスク層の形成以前に行ってもよい。第2面の光架橋性樹脂層及びマスク層の形成時に、第1面の損傷、汚染の可能性がある場合には、第2面の光架橋性樹脂層及びマスク層の形成の後に第1面のマスク層の除去を行ったほうが、パターン露光後の第1面をマスク層により保護できるので好ましい。一方、第1面からのアルカリ可溶性樹脂層除去液を供給した後、マスク層を除去してから、乾燥、露光等を行うこともできる。さらに、第1面の未硬化光架橋性樹脂層を除去した後、第2面の光架橋性樹脂層及びマスク層の形成を行い、次いで、第2面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を除去してもよい。これにより、第1面と第2面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層の除去工程が全く同一になる。つまり、除去すべき光架橋性樹脂層の量が少なくて済むため、液のランニング性が良くなり、ランド幅の均一性も向上する。   If the removal of the mask layer on the first surface is after the step of removing the photocrosslinkable resin layer on the through hole on the first surface and in the periphery of the through hole, the photocrosslinkable resin layer and the mask layer on the second surface are removed. You may carry out before formation. If there is a possibility of damage or contamination of the first surface during the formation of the photocrosslinkable resin layer and the mask layer on the second surface, the first after the formation of the photocrosslinkable resin layer and the mask layer on the second surface. It is preferable to remove the mask layer on the surface because the first surface after pattern exposure can be protected by the mask layer. On the other hand, after supplying the alkali-soluble resin layer removing liquid from the first surface, the mask layer is removed, and then drying, exposure, and the like can be performed. Further, after removing the uncured photocrosslinkable resin layer on the first surface, the photocrosslinkable resin layer and the mask layer on the second surface are formed, and then on the through holes on the second surface and the periphery of the through holes. The photocrosslinkable resin layer may be removed. Thereby, the removal process of the photocrosslinkable resin layer on the through holes on the first surface and the second surface and around the through holes is exactly the same. That is, since the amount of the photocrosslinkable resin layer to be removed is small, the running property of the liquid is improved and the land width uniformity is also improved.

上記の未硬化光架橋性樹脂層現像液は、光架橋性樹脂層に未硬化部分と硬化部分が存在する場合に未硬化部分の光架橋性樹脂層を除去するための現像液である。本発明のアルカリ可溶性樹脂層処理液および除去液は、硬化部分が存在しない光架橋性樹脂層における未硬化部分の光架橋性樹脂層の処理および除去において用いることができる点で、未硬化光架橋性樹脂層現像液とは本質的に目的、作用が異なる。未硬化光架橋性樹脂層現像液としては、従来公知のものが使用でき、0.3〜3質量%の炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化ナトリウム等の低濃度溶液が好適に用いられる。未硬化光架橋性樹脂層現像液のpHは9〜12の範囲とすることが好ましく、その温度はアルカリ可溶性樹脂層の溶解除去性に合わせて調整される。また、界面活性剤、消泡剤等を適宜少量混入することもできる。   The uncured photocrosslinkable resin layer developer is a developer for removing the uncured photocrosslinkable resin layer when an uncured portion and a cured portion are present in the photocrosslinkable resin layer. The alkali-soluble resin layer treatment liquid and the removing liquid of the present invention can be used in the treatment and removal of the uncured portion of the photocrosslinkable resin layer in the photocrosslinkable resin layer in which no cured portion is present. The purpose and action are essentially different from those of the functional resin layer developer. A conventionally well-known thing can be used as a non-hardened photocrosslinkable resin layer developing solution, and low concentration solutions, such as 0.3-3 mass% sodium carbonate, potassium carbonate, sodium hydroxide, are used suitably. The pH of the uncured photocrosslinkable resin layer developer is preferably in the range of 9 to 12, and the temperature is adjusted according to the dissolution and removal of the alkali-soluble resin layer. In addition, a small amount of a surfactant, an antifoaming agent and the like can be mixed as appropriate.

本発明の回路基板の製造方法において、めっきレジスト層として使用した硬化光架橋性樹脂層を除去する方法としては、高pHのアルカリ性水溶液、有機溶剤等で除去する方法が挙げられる。   In the method for producing a circuit board of the present invention, examples of a method for removing the cured photocrosslinkable resin layer used as the plating resist layer include a method for removing with a high pH alkaline aqueous solution, an organic solvent, and the like.

本発明に係わる第1導電層のフラッシュエッチングに使用するエッチング液は、第1導電層6を溶解除去できるものであればよい。例えば、アルカリ性アンモニア、硫酸−過酸化水素、塩化第二銅、過硫酸塩、塩化第二鉄等の一般的なエッチング液を使用できる。また、装置や方法としては、例えば、水平スプレーエッチング、浸漬エッチング等の装置や方法を使用できる。これらの詳細は、「プリント回路技術便覧」(社団法人日本プリント回路工業会編、日刊工業新聞社、1987年)に記載されている。   The etchant used for flash etching of the first conductive layer according to the present invention may be any solution that can dissolve and remove the first conductive layer 6. For example, common etching solutions such as alkaline ammonia, sulfuric acid-hydrogen peroxide, cupric chloride, persulfate, and ferric chloride can be used. Moreover, as an apparatus and a method, apparatuses and methods, such as horizontal spray etching and immersion etching, can be used, for example. These details are described in “Printed Circuit Technology Handbook” (edited by Japan Printed Circuit Industry Association, Nikkan Kogyo Shimbun, 1987).

以下実施例によって本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples. However, the present invention is not limited to these examples.

(実施例1)
ガラス基材エポキシ樹脂基板(面積340mm×510mm、基材厚み0.1mm)に、0.1mmφ、0.2mmφ、0.3mmφ、0.5mmφ、1.0mmφ、3.0mmφ、5.0mmφの孔径の異なる貫通孔をドリル加工機を使用して開けた後、デスミア処理を施し、次いで無電解銅めっき処理を行い、貫通孔内壁を含む表面に厚さ約0.5μmの無電解銅めっき層を第1導電層として設けた。ここで、それぞれの孔径について、貫通孔はドリル径だけを変えて作製し、銅めっき層の厚みは変えていない。ドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、表1に記載のアルカリ可溶性樹脂(膜厚25μm)および12μmのマスク層(支持体フィルム、材質:ポリエステル)よりなる、アルカリ可溶性樹脂フィルムを基板の片面(第1面とする)に熱圧着し、アルカリ可溶性樹脂層及びマスク層(支持体フィルム)を設けた。
Example 1
Hole diameter of 0.1mmφ, 0.2mmφ, 0.3mmφ, 0.5mmφ, 1.0mmφ, 3.0mmφ, 5.0mmφ on glass base epoxy resin substrate (area 340mm × 510mm, base material thickness 0.1mm) After drilling through holes with different drilling machines, desmear treatment is performed, followed by electroless copper plating, and an electroless copper plating layer with a thickness of about 0.5 μm is formed on the surface including the inner walls of the through holes. It provided as a 1st conductive layer. Here, with respect to the respective hole diameters, the through holes are produced by changing only the drill diameter, and the thickness of the copper plating layer is not changed. Using a laminator for dry film resist, an alkali-soluble resin film composed of an alkali-soluble resin (film thickness 25 μm) shown in Table 1 and a 12 μm mask layer (support film, material: polyester) is used as one side of the substrate (first And an alkali-soluble resin layer and a mask layer (support film).

Figure 2010286851
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次に、表2に記載のアルカリ可溶性樹脂層処理液(22℃)を用いて、基板の第2面側よりスプレー圧0.2MPaでシャワースプレーを30秒間当てて、第1面の貫通孔上及び貫通孔周辺部のアルカリ可溶性樹脂層のミセルを不溶化させた。この時、アルカリ可溶性樹脂層の溶解拡散を目視で観察したところ、溶解は全く観察されず、アルカリ可溶性樹脂層のミセルが不溶化していることが確認できた。   Next, using the alkali-soluble resin layer treatment liquid (22 ° C.) shown in Table 2, shower spray was applied for 30 seconds at a spray pressure of 0.2 MPa from the second surface side of the substrate, and on the through hole on the first surface. And the micelle of the alkali-soluble resin layer around the through hole was insolubilized. At this time, when the dissolution and diffusion of the alkali-soluble resin layer was visually observed, no dissolution was observed, and it was confirmed that the micelles of the alkali-soluble resin layer were insoluble.

Figure 2010286851
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続いて、表2に記載のアルカリ架橋性樹脂層除去液(30℃)を用いて、基板の第2面側よりスプレー圧0.2MPaでシャワースプレーを10秒間当てて、第1面の貫通孔上及び貫通孔周辺部のアルカリ可溶性樹脂層の不溶化ミセルを再び可溶化させて溶解除去した。それぞれ孔径の異なる貫通孔及び貫通孔周辺部を光学顕微鏡で観察したところ、貫通孔周辺部のアルカリ可溶性樹脂層は、貫通孔と同心円状に除去されていた。また、最小0.1mmφから最大5.0mmφまでの異径貫通孔に対するアルカリ可溶性樹脂層除去部の径L3は、孔径が大きくなるにつれて増加していく傾向が見られたが、最小孔径0.1mmφと最大孔径5.0mmφ間のアルカリ可溶性樹脂層除去部の径の差は18μmと最小限に抑えられていた。結果を表5に示す。図19に示す貫通孔についての各種パラメータは、穴開け加工時の貫通孔径L1(=貫通孔ドリル径)、めっき加工時の貫通孔径L2(=L1−1μm)、アルカリ可溶性樹脂層除去部の径L3である。   Then, using the alkali crosslinkable resin layer removing liquid (30 ° C.) described in Table 2, shower spray was applied for 10 seconds at a spray pressure of 0.2 MPa from the second surface side of the substrate, and through holes on the first surface The insolubilized micelles of the alkali-soluble resin layer on the top and the periphery of the through hole were solubilized again and dissolved and removed. When the through hole and the peripheral part of the through hole having different hole diameters were observed with an optical microscope, the alkali-soluble resin layer in the peripheral part of the through hole was removed concentrically with the through hole. In addition, the diameter L3 of the alkali-soluble resin layer removal portion with respect to the different diameter through holes from the minimum 0.1 mmφ to the maximum 5.0 mmφ tended to increase as the hole diameter increased, but the minimum hole diameter 0.1 mmφ And the difference in the diameter of the alkali-soluble resin layer removal portion between the maximum pore diameter of 5.0 mmφ was minimized to 18 μm. The results are shown in Table 5. The various parameters for the through-holes shown in FIG. 19 are as follows: through-hole diameter L1 (= through-hole drill diameter) at the time of drilling, through-hole diameter L2 (= L1-1 μm) at the time of plating, diameter of the alkali-soluble resin layer removal portion L3.

(実施例2〜15)
実施例11および実施例12以外は、実施例1に記載のアルカリ可溶性樹脂層処理液を表2に記載のアルカリ可溶性樹脂層処理液に、実施例11および実施例12は、実施例1に記載のアルカリ可溶性樹脂層除去液を表2に記載のアルカリ可溶性樹脂層除去液に換えた以外は実施例1と同じ方法で貫通孔上及び貫通孔周辺部のアルカリ可溶性樹脂層を除去した。ここで、それぞれの孔径について、貫通孔はドリル径だけを変えて作製し、銅めっき層の厚みは変えていない。それぞれ孔径の異なる貫通孔及び貫通孔周辺部を光学顕微鏡で観察したところ、貫通孔周辺部のアルカリ可溶性樹脂層は、貫通孔と同心円状に除去されていた。最小孔径0.1mmφと最大孔径5.0mmφ間のアルカリ可溶性樹脂層除去部の径の差を表5に示す。
(Examples 2 to 15)
Except for Example 11 and Example 12, the alkali-soluble resin layer treatment liquid described in Example 1 was replaced with the alkali-soluble resin layer treatment liquid described in Table 2, and Examples 11 and 12 were described in Example 1. The alkali-soluble resin layer on the through hole and the periphery of the through hole was removed by the same method as in Example 1 except that the alkali-soluble resin layer removing liquid was changed to the alkali-soluble resin layer removing liquid shown in Table 2. Here, with respect to the respective hole diameters, the through holes are produced by changing only the drill diameter, and the thickness of the copper plating layer is not changed. When the through hole and the peripheral part of the through hole having different hole diameters were observed with an optical microscope, the alkali-soluble resin layer in the peripheral part of the through hole was removed concentrically with the through hole. Table 5 shows the difference in the diameter of the alkali-soluble resin layer removal portion between the minimum hole diameter of 0.1 mmφ and the maximum hole diameter of 5.0 mmφ.

(実施例16)
ガラス基材エポキシ樹脂基板(面積340mm×510mm、基材厚み0.1mm)に、0.1mmφ、0.2mmφ、0.3mmφ、0.5mmφ、1.0mmφ、3.0mmφ、5.0mmφの孔径の異なる貫通孔をドリル加工機を使用して開けた後、デスミア処理を施し、次いで無電解銅めっき処理を行い、貫通孔内壁を含む表面に厚さ約0.5μmの無電解銅めっき層を第1導電層として設けた。ここで、それぞれの孔径について、貫通孔はドリル径だけを変えて作製し、銅めっき層の厚みは変えていない。ドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ニチゴー・モートン株式会社製ドライフィルムフォトレジスト(アルフォNIT225(乾燥膜厚;25μm)を基板の片面(第1面とする)に熱圧着し、光架橋性樹脂層及びマスク層(支持体フィルム)を設けた。
(Example 16)
Hole diameter of 0.1mmφ, 0.2mmφ, 0.3mmφ, 0.5mmφ, 1.0mmφ, 3.0mmφ, 5.0mmφ on glass base epoxy resin substrate (area 340mm × 510mm, base material thickness 0.1mm) After drilling through holes with different drilling machines, desmear treatment is performed, followed by electroless copper plating, and an electroless copper plating layer with a thickness of about 0.5 μm is formed on the surface including the inner walls of the through holes. It provided as a 1st conductive layer. Here, with respect to the respective hole diameters, the through holes are produced by changing only the drill diameter, and the thickness of the copper plating layer is not changed. Using a laminator for dry film resist, Nichigo-Morton Co., Ltd. dry film photoresist (Alfo NIT225 (dry film thickness: 25 μm)) is thermocompression bonded to one side (first side) of the substrate to form a photocrosslinkable resin layer And a mask layer (support film) was provided.

次に、表3に記載の第1面のアルカリ可溶性樹脂層処理液(22℃)を用いて、基板の第2面側よりスプレー圧0.2MPaでシャワースプレーを60秒間当てて、第1面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層のミセルを不溶化させた。この時、光架橋性樹脂層の溶解拡散を目視で観察したところ、溶解は全く観察されず、光架橋性樹脂層のミセルが不溶化していることが確認できた。   Next, using the alkali-soluble resin layer treatment liquid (22 ° C.) for the first surface listed in Table 3, shower spray was applied for 60 seconds from the second surface side of the substrate at a spray pressure of 0.2 MPa, The micelles of the photocrosslinkable resin layer on the through holes and in the periphery of the through holes were insolubilized. At this time, when the dissolution and diffusion of the photocrosslinkable resin layer was visually observed, no dissolution was observed and it was confirmed that the micelles of the photocrosslinkable resin layer were insoluble.

Figure 2010286851
Figure 2010286851

続けて、表4に記載のアルカリ架橋性樹脂層除去液(30℃)を用いて、基板の第2面側よりスプレー圧0.2MPaでシャワースプレーを30秒間当てて、第1面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層の不溶化ミセルを再び可溶化させて溶解除去した。それぞれ孔径の異なる貫通孔及び貫通孔周辺部を光学顕微鏡で観察したところ、貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層は、貫通孔と同心円状に除去されていた。また、最小0.1mmφから最大5.0mmφまでの異径貫通孔に対する光架橋性樹脂層除去部の径L6は、孔径が大きくなるにつれて増加していく傾向が見られたが、最小孔径0.1mmφと最大孔径5.0mmφ間の光架橋性樹脂層除去部の径の差は14μmと最小限に抑えられていた。結果を表6に示す。図20に示す貫通孔についての各種パラメータは、穴開け加工時の貫通孔径L4(=貫通孔ドリル径)、めっき加工時の貫通孔径L5(=L4−1μm)、光架橋性樹脂層除去部の径L6である。   Subsequently, using the alkali crosslinkable resin layer removing liquid (30 ° C.) shown in Table 4, shower spray was applied for 30 seconds at a spray pressure of 0.2 MPa from the second surface side of the substrate, and the first surface through-hole was formed. The insolubilized micelles of the photocrosslinkable resin layer on the top and the periphery of the through hole were solubilized again and dissolved and removed. When the through hole and the peripheral part of the through hole having different diameters were observed with an optical microscope, the photocrosslinkable resin layer in the peripheral part of the through hole was removed concentrically with the through hole. In addition, the diameter L6 of the photocrosslinkable resin layer removal portion for the different diameter through-holes having a minimum diameter of 0.1 mm to a maximum of 5.0 mmφ tended to increase as the hole diameter increased. The difference in the diameter of the photocrosslinkable resin layer removal portion between 1 mmφ and the maximum hole diameter of 5.0 mmφ was minimized to 14 μm. The results are shown in Table 6. Various parameters for the through hole shown in FIG. 20 are as follows: the through hole diameter L4 (= through hole drill diameter) at the time of drilling, the through hole diameter L5 (= L4-1 μm) at the time of plating, and the photocrosslinkable resin layer removal portion. The diameter is L6.

Figure 2010286851
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Figure 2010286851
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Figure 2010286851
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回路パターンを描画したフォトマスク(導体幅及び間隙:35μm)を基板の第1面に載せ、吸引密着機構を有する焼付用高圧水銀灯光源装置(ユニレックURM300、ウシオ電機製)を用いて、30秒間紫外線パターン露光を行った。   A photomask (conductor width and gap: 35 μm) on which a circuit pattern is drawn is placed on the first surface of the substrate, and a high pressure mercury lamp light source device for baking (Unirec URM300, manufactured by USHIO) is used for 30 seconds with ultraviolet light. Pattern exposure was performed.

次いで、露光処理が終了した基板の第2面に、ドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、第1面と同一の回路形成用ドライフィルムフォトレジストを熱圧着して、光架橋性樹脂層及びマスク層を設けた。その後、第1面のマスク層を剥がして除去した。   Next, using the dry film resist laminator on the second surface of the substrate after the exposure processing, the same dry film photoresist for circuit formation as the first surface is thermocompression-bonded, and the photocrosslinkable resin layer and the mask layer Was established. Thereafter, the mask layer on the first surface was peeled off and removed.

次に、表3に記載の第2面のアルカリ可溶性樹脂層処理液(22℃)を用いて、基板の第1面側よりスプレー圧0.2MPaでシャワースプレーを30秒間当てて、第1面の光架橋性樹脂層の未硬化部分および第2面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層のミセルを不溶化させた。この時、第1面の光架橋性樹脂層の未硬化部分及び第2面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層の溶解拡散を目視で観察したところ、溶解は全く観察されず、光架橋性樹脂層のミセルが不溶化していることが確認できた。   Next, using the alkali-soluble resin layer treatment liquid (22 ° C.) for the second surface described in Table 3, shower spray was applied for 30 seconds from the first surface side of the substrate at a spray pressure of 0.2 MPa, The uncured portion of the photocrosslinkable resin layer and the micelles of the photocrosslinkable resin layer on the through hole on the second surface and in the periphery of the through hole were insolubilized. At this time, when the dissolution and diffusion of the uncured portion of the photocrosslinkable resin layer on the first surface and the photocrosslinkable resin layer on the through hole on the second surface and in the periphery of the through hole were visually observed, dissolution was not observed at all. It was confirmed that the micelles of the photocrosslinkable resin layer were insolubilized.

続いて、表4に記載のアルカリ可溶性樹脂層除去液(30℃)を用いて、基板の第1面側よりスプレー圧0.2MPaでシャワースプレーを10秒間当てて、第1面の光架橋性樹脂層の未硬化部分及び第2面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層の不溶化ミセルを再び可溶化させて溶解除去した。第2面のそれぞれ孔径の異なる貫通孔及び貫通孔周辺部を光学顕微鏡で観察したところ、貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層は、貫通孔と同心円状に除去されていた。また、最小0.1mmφから最大5.0mmφまでの異径貫通孔に対する光架橋性樹脂層除去部の径L6は、孔径が大きくなるにつれて増加していく傾向が見られたが、最小孔径0.1mmφと最大孔径5.0mmφ間の光架橋性樹脂層除去部の径の差は11μmと最小限に抑えられていた。さらに、第1面の硬化光架橋性樹脂層に膨潤は全く見られなかった。   Subsequently, using the alkali-soluble resin layer removing liquid (30 ° C.) shown in Table 4, a shower spray was applied for 10 seconds at a spray pressure of 0.2 MPa from the first surface side of the substrate, and the photocrosslinkability of the first surface The uncured portion of the resin layer and the insolubilized micelles of the photocrosslinkable resin layer on and around the through holes on the second surface were again solubilized and dissolved and removed. When the through hole and the peripheral part of the through hole having different hole diameters on the second surface were observed with an optical microscope, the photocrosslinkable resin layer in the peripheral part of the through hole was removed concentrically with the through hole. In addition, the diameter L6 of the photocrosslinkable resin layer removal portion for the different diameter through-holes having a minimum diameter of 0.1 mm to a maximum of 5.0 mmφ tended to increase as the hole diameter increased. The difference in the diameter of the photocrosslinkable resin layer removal portion between 1 mmφ and the maximum pore diameter of 5.0 mmφ was suppressed to a minimum of 11 μm. Furthermore, no swelling was observed in the cured photocrosslinkable resin layer on the first surface.

回路パターンを描画したフォトマスク(導体幅及び間隙:35μm)を基板の第2面に載せ、吸引密着機構を有する焼付用高圧水銀灯光源装置(ユニレックURM300、ウシオ電機製)を用いて、30秒間紫外線パターン露光を行った。その後、第2面のマスク層を剥がして除去した。   A photomask (conductor width and gap: 35 μm) on which a circuit pattern is drawn is placed on the second surface of the substrate, and a high pressure mercury lamp light source device for baking (Unirec URM300, manufactured by USHIO) is used for 30 seconds with ultraviolet light. Pattern exposure was performed. Thereafter, the mask layer on the second surface was peeled off and removed.

次に、1質量%の炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて、基板の第2面側よりスプレー圧0.2MPaでシャワースプレーを30秒間当てて、第2面の光架橋性樹脂層の部分を除去した。   Next, using a 1% by mass sodium carbonate aqueous solution (30 ° C.), a shower spray was applied for 30 seconds from the second surface side of the substrate at a spray pressure of 0.2 MPa, and the photocrosslinkable resin layer portion on the second surface Was removed.

第1面、第2面の硬化光架橋性樹脂層からなるレジストパターンを観察した結果、貫通孔及び貫通孔周辺部には、同心円状に精度良く第1導電層が露出されるようにレジストパターンが形成されており、基板表面のレジストパターンにも膨潤は見られず良好に形成されていた。   As a result of observing the resist pattern composed of the cured photocrosslinkable resin layer on the first surface and the second surface, the resist pattern is formed so that the first conductive layer is accurately exposed concentrically around the through hole and the through hole periphery. Thus, the resist pattern on the substrate surface was not swelled and was well formed.

次いで、電解銅めっきを行って、第1導電層上に厚さ約12μmの電解銅めっき層を、第2導電層として形成した。続いて、3質量%の水酸化ナトリウム水溶液で処理し、めっきレジスト層として使用した光架橋性樹脂の架橋部を剥離除去した。   Next, electrolytic copper plating was performed to form an electrolytic copper plating layer having a thickness of about 12 μm on the first conductive layer as the second conductive layer. Then, it processed with 3 mass% sodium hydroxide aqueous solution, and peeled and removed the bridge | crosslinking part of the photocrosslinkable resin used as a plating resist layer.

さらに、硫酸−過酸化水素系のエッチング液(三菱ガス化学製、製品名CPE、30℃、スプレー圧 0.2MPa)で処理し、露出している第1導電層を除去した。得られた回路基板を光学顕微鏡で観察したところ、それぞれ孔径の異なる貫通孔におけるランドは貫通孔と同心円状に形成されていた。また、最小0.1mmφから最大5.0mmφまでの異径貫通孔に対するランド径の差は20μm以下に抑えられており、第1面および第2面のそれぞれの孔径におけるランド径もほとんど変わらなかった。得られた回路基板に断線は見られず、基板内に異なる孔径の貫通孔が混在する場合においても、均一なランド幅を持った回路基板を作製することができた。第1面および第2面の孔径0.10mmφのランド径L9の測定結果を表6に示す。図21に示す貫通孔についての各種パラメータは、穴開け加工時の貫通孔径L7(=貫通孔ドリル径)、フラッシュエッチング後の貫通孔径L8(L7−24μm)、第1面のランド径L9、第2面のランド径L10である。   Furthermore, it processed with the sulfuric acid-hydrogen peroxide type etching liquid (Mitsubishi Gas Chemical make, product name CPE, 30 degreeC, spray pressure 0.2MPa), and the exposed 1st conductive layer was removed. When the obtained circuit board was observed with an optical microscope, the lands in the through holes having different hole diameters were concentrically formed with the through holes. Further, the difference in the land diameter with respect to the different diameter through-holes from the minimum 0.1 mmφ to the maximum 5.0 mmφ was suppressed to 20 μm or less, and the land diameters at the respective hole diameters on the first surface and the second surface were hardly changed. . No disconnection was observed in the obtained circuit board, and a circuit board having a uniform land width could be produced even when through holes having different hole diameters were mixed in the board. Table 6 shows the measurement results of the land diameter L9 having a hole diameter of 0.10 mmφ on the first surface and the second surface. Various parameters for the through-hole shown in FIG. 21 are as follows: through-hole diameter L7 (= through-hole drill diameter) at the time of drilling, through-hole diameter L8 (L7-24 μm) after flash etching, land diameter L9 on the first surface, The land diameter L10 of the two surfaces.

(実施例17〜30)
実施例16に記載の第2面のアルカリ可溶性樹脂層処理液を表3に記載のアルカリ可溶性樹脂層処理液に換えた以外は実施例16と同じ方法で回路基板を作製した。ここで、それぞれの孔径について、貫通孔はドリル径だけを変えて作製し、銅めっき層の厚みは変えていない。電解銅めっきを行う直前の貫通孔及び貫通孔周辺部を第1面、第2面それぞれ光学顕微鏡で観察したところ、貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層は、貫通孔と同心円状に除去されていた。また、最小0.1mmφから最大5.0mmφまでの異径貫通孔に対する光架橋性樹脂層除去部の径の差は20μm以下に抑えられていた。実施例23では、亜硫酸イオン濃度が低く、多価アニオンによる塩析効果が十分でなかったため、基板の第1面側よりスプレー圧0.2MPaでシャワースプレーを60秒間当てて第2面の光架橋性樹脂層の未硬化部分及び第2面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を除去する際、第1面の硬化光架橋性樹脂層に部分的に膨潤が観察された。実施例24では、亜硫酸イオン濃度が高く、多価アニオンによる塩析効果が過剰になったため、基板の第1面側よりスプレー圧0.2MPaでシャワースプレーを60秒間当てて第2面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を除去する際、第2面の光架橋性樹脂層の膜収縮が進み、溶解除去幅が縮小した。つまり、実施例23および実施例24では、第1面と第2面の各孔径における光架橋性樹脂層除去部の径に差が発生した。他の実施例においては、第1面の硬化光架橋性樹脂層の膨潤や第2面の光架橋性樹脂層の膜収縮による溶解除去幅の縮小は見られなかった。第1面、第2面それぞれにおける最小孔径0.1mmφと最大孔径5.0mmφ間の光架橋性樹脂層除去部の径の差を表6に示す。
(Examples 17 to 30)
A circuit board was produced in the same manner as in Example 16 except that the alkali-soluble resin layer treatment liquid on the second surface described in Example 16 was replaced with the alkali-soluble resin layer treatment liquid described in Table 3. Here, with respect to the respective hole diameters, the through holes are produced by changing only the drill diameter, and the thickness of the copper plating layer is not changed. When the through hole just before electrolytic copper plating and the peripheral part of the through hole were observed with an optical microscope on each of the first and second surfaces, the photocrosslinkable resin layer on the peripheral part of the through hole was removed concentrically with the through hole. It was. Further, the difference in the diameter of the photocrosslinkable resin layer removal portion with respect to the different diameter through holes from the minimum 0.1 mmφ to the maximum 5.0 mmφ was suppressed to 20 μm or less. In Example 23, since the sulfite ion concentration was low and the salting-out effect by the polyvalent anion was not sufficient, the second surface was photocrosslinked by applying shower spray from the first surface side of the substrate at a spray pressure of 0.2 MPa for 60 seconds. When the uncured portion of the curable resin layer and the photocrosslinkable resin layer on the through hole on the second surface and the periphery of the through hole were removed, partial swelling was observed in the cured photocrosslinkable resin layer on the first surface. . In Example 24, since the sulfite ion concentration was high and the salting-out effect by the polyvalent anion was excessive, shower spray was applied from the first surface side of the substrate at a spray pressure of 0.2 MPa for 60 seconds to form a through hole on the second surface. When removing the photocrosslinkable resin layer on the upper part and the periphery of the through hole, film shrinkage of the photocrosslinkable resin layer on the second surface progressed, and the dissolution removal width was reduced. That is, in Example 23 and Example 24, the difference generate | occur | produced in the diameter of the photocrosslinkable resin layer removal part in each hole diameter of the 1st surface and the 2nd surface. In other examples, swelling of the cured photocrosslinkable resin layer on the first surface and reduction in dissolution and removal width due to film shrinkage of the photocrosslinkable resin layer on the second surface were not observed. Table 6 shows the difference in the diameter of the photocrosslinkable resin layer removing portion between the minimum hole diameter of 0.1 mmφ and the maximum hole diameter of 5.0 mmφ on each of the first surface and the second surface.

実施例16と同様の処理を行い、フラッシュエッチング処理後に得られた回路基板を光学顕微鏡で観察したところ、ランドは貫通孔と同心円状に除去されていた。また、最小0.1mmφから最大5.0mmφまでの異径貫通孔に対するランド径の差は20μm以下に抑えられていた。実施例23および実施例24以外の実施例では、第1面および第2面のそれぞれの孔径におけるランド径はほとんど変わらなかった。実施例23および実施例24では、第1面と第2面の各孔径におけるランド径に20μm以上の差が発生したが、全ての実施例で得られた回路基板に断線は見られず、基板内に異なる孔径の貫通孔が混在する場合においても、均一なランド幅を持った回路基板を作製することができた。第1面および第2面の孔径0.10mmφのランド径L9の測定結果を表6に示す。   When the same processing as in Example 16 was performed and the circuit board obtained after the flash etching processing was observed with an optical microscope, the lands were removed concentrically with the through holes. Further, the difference in land diameter with respect to through holes having different diameters from a minimum of 0.1 mmφ to a maximum of 5.0 mmφ was suppressed to 20 μm or less. In the examples other than Example 23 and Example 24, the land diameters in the respective hole diameters of the first surface and the second surface were hardly changed. In Example 23 and Example 24, there was a difference of 20 μm or more in the land diameters in the respective hole diameters of the first surface and the second surface, but no disconnection was seen in the circuit boards obtained in all Examples, and the substrate Even when through holes having different hole diameters were mixed, a circuit board having a uniform land width could be produced. Table 6 shows the measurement results of the land diameter L9 having a hole diameter of 0.10 mmφ on the first surface and the second surface.

(実施例31)
実施例16において、第1面の露光処理が終了した基板の第2面に、ドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、第1面と同一の回路形成用ドライフィルムフォトレジストを熱圧着して、光架橋性樹脂層及びマスク層を設ける前に、未硬化光架橋性樹脂層現像液として1質量%の炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて、第1面の露光処理が終了した基板の第1面側よりスプレー圧0.2MPaでシャワースプレーを30秒間当てて、第1面の未硬化光架橋性樹脂層を溶解除去してから、ドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、基板の第2面に第1面と同一の回路形成用ドライフィルムフォトレジストを熱圧着して、光架橋性樹脂層及びマスク層を設け、第2面のマスク層を剥がして除去した後、第1面より表3に記載の第2面のアルカリ可溶性樹脂層処理液(22℃)を用いて、基板の第1面側よりスプレー圧0.2MPaでシャワースプレーを30秒間当てて、第2面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層のミセルを不溶化させ、続いて、表4に記載のアルカリ可溶性樹脂層除去液(30℃)を用いて、基板の第1面側よりスプレー圧0.2MPaでシャワースプレーを10秒間当てて、第2面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層の不溶化ミセルを再び可溶化させて溶解除去する以外は実施例16と同じ方法で回路基板を作製した。ここで、それぞれの孔径について、貫通孔はドリル径だけを変えて作製し、銅めっき層の厚みは変えていない。電解銅めっきを行う直前の貫通孔及び貫通孔周辺部を第1面、第2面それぞれ光学顕微鏡で観察したところ、貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層は、貫通孔と同心円状に除去されていた。また、最小0.1mmφから最大5.0mmφまでの異径貫通孔に対する光架橋性樹脂層除去部の径の差は20μm以下に抑えられていた。第1面、第2面それぞれにおける最小孔径0.1mmφと最大孔径5.0mmφ間の光架橋性樹脂層除去部の径の差を表6に示す。
(Example 31)
In Example 16, a circuit-forming dry film photoresist identical to the first surface is thermocompression-bonded to the second surface of the substrate on which the first surface exposure processing has been completed using a dry film resist laminator. Before providing the crosslinkable resin layer and the mask layer, the first surface of the substrate on which the first surface exposure processing was completed using a 1% by mass sodium carbonate aqueous solution (30 ° C.) as an uncured photocrosslinkable resin layer developer. Shower spray is applied for 30 seconds from the surface side with a spray pressure of 0.2 MPa to dissolve and remove the uncured photocrosslinkable resin layer on the first surface, and then, on the second surface of the substrate using a laminator for dry film resist The same dry film photoresist for circuit formation as the first surface is thermocompression-bonded, a photocrosslinkable resin layer and a mask layer are provided, the mask layer on the second surface is peeled off, and then removed from the first surface to Table 3 Second described Using the alkali-soluble resin layer treatment liquid (22 ° C.), shower spray was applied for 30 seconds at a spray pressure of 0.2 MPa from the first surface side of the substrate, and the light on the through holes on the second surface and the periphery of the through holes Next, the micelles of the crosslinkable resin layer were insolubilized, and then shower spray was applied for 10 seconds at a spray pressure of 0.2 MPa from the first surface side of the substrate using the alkali-soluble resin layer removing liquid (30 ° C.) shown in Table 4. Then, a circuit board was produced in the same manner as in Example 16 except that the insolubilized micelles of the photocrosslinkable resin layer on the through hole on the second surface and in the periphery of the through hole were solubilized and removed again. Here, with respect to the respective hole diameters, the through holes are produced by changing only the drill diameter, and the thickness of the copper plating layer is not changed. When the through hole just before electrolytic copper plating and the peripheral part of the through hole were observed with an optical microscope on each of the first and second surfaces, the photocrosslinkable resin layer on the peripheral part of the through hole was removed concentrically with the through hole. It was. Further, the difference in the diameter of the photocrosslinkable resin layer removal portion with respect to the different diameter through holes from the minimum 0.1 mmφ to the maximum 5.0 mmφ was suppressed to 20 μm or less. Table 6 shows the difference in the diameter of the photocrosslinkable resin layer removing portion between the minimum hole diameter of 0.1 mmφ and the maximum hole diameter of 5.0 mmφ on each of the first surface and the second surface.

実施例16と同様の処理を行い、フラッシュエッチング処理後に得られた回路基板を光学顕微鏡で観察したところ、ランドは貫通孔と同心円状に除去されていた。また、最小0.1mmφから最大5.0mmφまでの異径貫通孔に対するランド径の差は20μm以下に抑えられており、第1面および第2面のそれぞれの孔径におけるランド径もほとんど変わらず、最良のランド均一性が得られた。得られた回路基板に断線は見られず、基板内に異なる孔径の貫通孔が混在する場合においても、均一なランド幅を持った回路基板を作製することができた。第1面および第2面の孔径0.10mmφのランド径L9の測定結果を表6に示す。   When the same processing as in Example 16 was performed and the circuit board obtained after the flash etching processing was observed with an optical microscope, the lands were removed concentrically with the through holes. Further, the difference in land diameter with respect to the different diameter through holes from the minimum 0.1 mmφ to the maximum 5.0 mmφ is suppressed to 20 μm or less, and the land diameters in the respective hole diameters of the first surface and the second surface are hardly changed, The best land uniformity was obtained. No disconnection was observed in the obtained circuit board, and a circuit board having a uniform land width could be produced even when through holes having different hole diameters were mixed in the board. Table 6 shows the measurement results of the land diameter L9 having a hole diameter of 0.10 mmφ on the first surface and the second surface.

(比較例1〜11)
実施例1に記載のアルカリ可溶性樹脂層処理液を表7に記載のアルカリ可溶性樹脂層処理液に、比較例9はアルカリ可溶性樹脂層処理液だけでなくアルカリ可溶性樹脂層除去液も表6に記載のアルカリ可溶性樹脂層除去液に換えた以外は実施例1と同じ方法で貫通孔上及び貫通孔周辺部のアルカリ可溶性樹脂層を除去した。ここで、それぞれの孔径について、貫通孔はドリル径だけを変えて作製し、銅めっき層の厚みは変えていない。
(Comparative Examples 1-11)
The alkali-soluble resin layer treatment solution described in Example 1 is described in Table 7 as the alkali-soluble resin layer treatment solution, and Comparative Example 9 includes not only the alkali-soluble resin layer treatment solution but also the alkali-soluble resin layer removal solution in Table 6. The alkali-soluble resin layer on the through-holes and the periphery of the through-holes was removed by the same method as in Example 1 except that the alkali-soluble resin layer removing solution was replaced with the same. Here, with respect to the respective hole diameters, the through holes are produced by changing only the drill diameter, and the thickness of the copper plating layer is not changed.

Figure 2010286851
Figure 2010286851

比較例1、2、4、6、8、10では、基板の第2面側よりスプレー圧0.2MPaでシャワースプレーを60秒間当てて第1面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を除去する際、光架橋性樹脂層のミセルが不溶化せず、第1面の光架橋性樹脂層の未硬化部分及び第2面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層が溶解拡散した。その結果、貫通孔の孔径が増加するにつれて、具体的には、貫通孔の孔径が0.5mmφより大きくなると、光架橋性樹脂層除去部の径が3倍以上に拡大した。さらに、貫通孔の孔径が1.0mmφよりも大きくなると、貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層は、貫通孔と同心円状に除去されておらず、光架橋性樹脂層除去部の径を測定できなかった。フラッシュエッチング処理後の回路基板において、ショート欠陥の多発を引き起こした。   In Comparative Examples 1, 2, 4, 6, 8, and 10, photocrosslinking of the first surface on the through hole and the periphery of the through hole was performed by applying shower spray from the second surface side of the substrate at a spray pressure of 0.2 MPa for 60 seconds. When removing the photopolymerizable resin layer, the micelles of the photocrosslinkable resin layer are not insolubilized, and the photocurability of the uncured portion of the photocrosslinkable resin layer on the first surface and the through hole on the second surface and the peripheral portion of the through hole The resin layer was dissolved and diffused. As a result, as the hole diameter of the through hole increased, specifically, when the hole diameter of the through hole became larger than 0.5 mmφ, the diameter of the photocrosslinkable resin layer removal portion expanded three times or more. Furthermore, when the hole diameter of the through-hole becomes larger than 1.0 mmφ, the photocrosslinkable resin layer around the through-hole is not removed concentrically with the through-hole, and the diameter of the photocrosslinkable resin layer removal part is measured. could not. In the circuit board after the flash etching process, short circuit defects frequently occurred.

比較例3、5、7、9、11では、無機アルカリ性化合物の濃度が高くなりすぎ、液温22℃において塩の析出が発生し、水溶液を所望の濃度で調製することができなかった。   In Comparative Examples 3, 5, 7, 9, and 11, the concentration of the inorganic alkaline compound was excessively high, salt precipitation occurred at a liquid temperature of 22 ° C., and an aqueous solution could not be prepared at a desired concentration.

本発明は、回路基板、半導体装置等の製造や金属の精密加工、プラズマディスプレイ背面板などの加工分野に利用することができる。   The present invention can be used in the field of manufacturing circuit boards, semiconductor devices, etc., precision metal processing, and plasma display back plates.

1 絶縁性基板
2 導電層
3 貫通孔
4 マスク層
5 アルカリ可溶性樹脂層
6 第1導電層
7 第2導電層
8 光架橋性樹脂層
9 硬化部
10 貫通孔
11 ランド部導電層
12 孔
13 ランド
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating board | substrate 2 Conductive layer 3 Through-hole 4 Mask layer 5 Alkali-soluble resin layer 6 1st conductive layer 7 2nd conductive layer 8 Photocrosslinkable resin layer 9 Curing part 10 Through-hole 11 Land part conductive layer 12 Hole 13 Land

Claims (10)

(α)アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか1種を含み、該無機アルカリ性化合物の含有量が5〜20質量%であるアルカリ可溶性樹脂層処理液を用いたアルカリ可溶性樹脂層処理工程、(β)アルカリ可溶性樹脂層除去液を用いたアルカリ可溶性樹脂層処理工程を含むことを特徴とするアルカリ可溶性樹脂層除去方法。   (Α) Including at least one of inorganic alkali compounds selected from alkali metal carbonates, alkali metal phosphates, alkali metal hydroxides, and alkali metal silicates, and the content of the inorganic alkaline compound is 5 An alkali-soluble resin comprising an alkali-soluble resin layer treatment step using an alkali-soluble resin layer treatment solution of ˜20% by mass, and an (β) alkali-soluble resin layer treatment step using an alkali-soluble resin layer removal solution Layer removal method. アルカリ可溶性樹脂層処理液が、硫酸塩または亜硫酸塩のうち少なくともいずれか1種を0.05〜0.8モル/L含むことを特徴とする請求項1に記載のアルカリ可溶性樹脂層除去方法。   The method for removing an alkali-soluble resin layer according to claim 1, wherein the alkali-soluble resin layer treatment liquid contains 0.05 to 0.8 mol / L of at least one of sulfate and sulfite. アルカリ可溶性樹脂層除去液が、水または3質量%以下のアルカリ金属炭酸塩を含む水溶液であることを特徴とする請求項1または2に記載のアルカリ可溶性樹脂層除去方法。   The alkali-soluble resin layer removing method according to claim 1 or 2, wherein the alkali-soluble resin layer removing liquid is water or an aqueous solution containing 3% by mass or less of an alkali metal carbonate. アルカリ可溶性樹脂が光架橋性樹脂であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のアルカリ可溶性樹脂層除去方法。   The alkali-soluble resin layer removing method according to claim 1, wherein the alkali-soluble resin is a photocrosslinkable resin. 貫通孔を有する基板の第1面にアルカリ可溶性樹脂層及びマスク層を形成する工程と基板の第1面とは反対側の第2面からアルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか1種を含み、該無機アルカリ性化合物の含有量が5〜20質量%であるアルカリ可溶性樹脂層処理液を供給し、次いでアルカリ可溶性樹脂層除去液を供給して、第1面の貫通孔上及び貫通孔周辺部のアルカリ可溶性樹脂層を除去する工程を含むレジストパターンの形成方法。   The step of forming the alkali-soluble resin layer and the mask layer on the first surface of the substrate having a through hole and the second surface opposite to the first surface of the substrate are alkali metal carbonate, alkali metal phosphate, alkali metal water. Supplying an alkali-soluble resin layer treatment liquid containing at least one of inorganic alkaline compounds selected from oxides and alkali metal silicates, wherein the content of the inorganic alkaline compound is 5 to 20% by mass, A method for forming a resist pattern, comprising a step of supplying an alkali-soluble resin layer removing liquid to remove the alkali-soluble resin layer on and around the through hole of the first surface. アルカリ可溶性樹脂層処理液が、硫酸塩または亜硫酸塩のうち少なくともいずれか1種を0.05〜0.8モル/L含むことを特徴とする請求項5に記載のレジストパターンの形成方法。   6. The method for forming a resist pattern according to claim 5, wherein the alkali-soluble resin layer treatment solution contains 0.05 to 0.8 mol / L of at least one of sulfate and sulfite. アルカリ可溶性樹脂が光架橋性樹脂であることを特徴とする請求項5または6に記載のレジストパターンの形成方法。   The method for forming a resist pattern according to claim 5 or 6, wherein the alkali-soluble resin is a photocrosslinkable resin. (a)貫通孔を有する絶縁性基板の第1面及び第1面とは反対側の第2面並びに貫通孔内壁に第1導電層を有する絶縁性基板を準備する工程、
(b)第1面に光架橋性樹脂層及びマスク層を形成して、第1面の第1導電層及び貫通孔開口部を光架橋性樹脂層及びマスク層で覆う工程、
(c)第2面よりアルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか1種を含み、該無機アルカリ性化合物の含有量が5〜20質量%であるアルカリ可溶性樹脂層処理液を供給し、次いでアルカリ可溶性樹脂層除去液を供給して、第1面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を除去し、第1面の貫通孔周辺部の第1導電層を露出する工程、
(d)第1面の光架橋性樹脂層をパターン露光する工程、
(e)第2面に光架橋性樹脂層及びマスク層を形成して、第2面の第1導電層及び貫通孔開口部を光架橋性樹脂層及びマスク層で覆う工程、
(f)第1面のマスク層を除去する工程、
(g)第1面よりアルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか1種を含み、該無機アルカリ性化合物の含有量が5〜20質量%であるアルカリ可溶性樹脂層処理液を供給し、次いでアルカリ可溶性樹脂層除去液を供給して、第1面の未硬化光架橋性樹脂層並びに第2面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を除去し、第1面上の第1導電層及び第2面の貫通孔周辺部の第1導電層を露出する工程、
(h)第2面の光架橋性樹脂層をパターン露光する工程、
(i)第2面のマスク層を除去する工程、
(j)第2面より未硬化光架橋性樹脂層現像液を供給して、第2面の未硬化光架橋性樹脂層を除去し、第2面上の第1導電層を露出する工程、
(k)貫通孔内壁及び貫通孔周辺部、並びに第1面上及び第2面上に露出している第1導電層上に電解めっき処理により第2導電層を形成する工程、
(l)第1面上及び第2面上の硬化光架橋性樹脂層を除去して、第1面上及び第2面上の第1導電層を露出する工程、
(m)露出する第1導電層をフラッシュエッチングして除去する工程
をこの順で含む回路基板の製造方法。
(A) preparing an insulating substrate having a first conductive layer on a first surface of the insulating substrate having a through hole, a second surface opposite to the first surface, and an inner wall of the through hole;
(B) forming a photocrosslinkable resin layer and a mask layer on the first surface, and covering the first conductive layer and the through hole opening on the first surface with the photocrosslinkable resin layer and the mask layer;
(C) including at least one of inorganic alkali compounds selected from alkali metal carbonates, alkali metal phosphates, alkali metal hydroxides, and alkali metal silicates from the second surface, The alkali-soluble resin layer treatment liquid having a content of 5 to 20% by mass is supplied, and then the alkali-soluble resin layer removing liquid is supplied, and the photocrosslinkable resin layer on the through holes on the first surface and in the periphery of the through holes Removing the first conductive layer around the through hole on the first surface,
(D) pattern exposing the photocrosslinkable resin layer on the first surface;
(E) forming a photocrosslinkable resin layer and a mask layer on the second surface, and covering the first conductive layer and the through hole opening on the second surface with the photocrosslinkable resin layer and the mask layer;
(F) removing the mask layer on the first surface;
(G) including at least one of inorganic alkaline compounds selected from alkali metal carbonates, alkali metal phosphates, alkali metal hydroxides, and alkali metal silicates from the first surface, An alkali-soluble resin layer treatment liquid having a content of 5 to 20% by mass is supplied, and then an alkali-soluble resin layer removal liquid is supplied, and the uncured photocrosslinkable resin layer on the first surface and the through-holes on the second surface Removing the photocrosslinkable resin layer on the upper and peripheral portions of the through hole, and exposing the first conductive layer on the first surface and the first conductive layer on the peripheral portion of the through hole on the second surface;
(H) pattern exposing the photocrosslinkable resin layer on the second surface;
(I) removing the mask layer on the second surface;
(J) supplying an uncured photocrosslinkable resin layer developer from the second surface, removing the uncured photocrosslinkable resin layer on the second surface, and exposing the first conductive layer on the second surface;
(K) forming a second conductive layer by electrolytic plating on the inner wall of the through hole and the periphery of the through hole, and the first conductive layer exposed on the first surface and the second surface;
(L) removing the cured photocrosslinkable resin layer on the first surface and the second surface to expose the first conductive layer on the first surface and the second surface;
(M) A method of manufacturing a circuit board, which includes a step of removing the exposed first conductive layer by flash etching in this order.
(g)工程が、(g1)第1面より未硬化光架橋性樹脂層現像液を供給して、第1面の未硬化光架橋性樹脂層を除去し、第1面上の第1導電層を露出する工程と、(g2)第1面よりアルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか1種を含み、該無機アルカリ性化合物の含有量が5〜20質量%であるアルカリ可溶性樹脂層処理液を供給し、次いでアルカリ可溶性樹脂層除去液を供給して、第2面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を除去し、第2面の貫通孔周辺部の第1導電層を露出する工程とからなり、(e)工程を(g1)工程と(g2)工程の間で行う、請求項8に記載の回路基板の製造方法。   (G) The process is (g1) supplying uncured photocrosslinkable resin layer developer from the first surface, removing the uncured photocrosslinkable resin layer on the first surface, and conducting the first conductivity on the first surface. And (g2) at least one of inorganic alkaline compounds selected from alkali metal carbonates, alkali metal phosphates, alkali metal hydroxides, and alkali metal silicates from the first surface. And supplying an alkali-soluble resin layer treatment liquid having a content of the inorganic alkaline compound of 5 to 20% by mass, and then supplying an alkali-soluble resin layer removal liquid, on the through holes on the second surface and around the through holes The step (e) is performed between the steps (g1) and (g2), and the step (e) is performed between the steps (g1) and (g2). A method for manufacturing a circuit board according to claim 8. アルカリ可溶性樹脂層処理液が、硫酸塩または亜硫酸塩のうち少なくともいずれか1種を0.05〜0.8モル/L含むことを特徴とする請求項8または9に記載の回路基板の製造方法。   The method for producing a circuit board according to claim 8 or 9, wherein the alkali-soluble resin layer treatment liquid contains 0.05 to 0.8 mol / L of at least one of sulfate and sulfite. .
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