JP2006259095A - Photo-crosslinkable resin composition - Google Patents

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Munetoshi Irisawa
Yasuo Kaneda
Yuji Toyoda
宗利 入沢
裕二 豊田
安生 金田
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Mitsubishi Paper Mills Ltd
三菱製紙株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photo-crosslinkable resin composition for fabricating a perforated substrate with resin attached thereto, to which a problem of a pinhole on a first resin layer does not occur, as a material which is suitable in a circuit board manufacturing method adapted to landless holes and narrow land widths required for heightening density of the circuit board.
SOLUTION: The method for manufacturing the circuit board, includes steps: to form the first resin layer on a surface of an insulating substrate which has penetrating holes and/or non-penetrating holes and has a conductive layer at least on the surface; to form a second resin layer which is insoluble or hardly soluble in a developer for the first resin layer on the first resin layer on the surface conductive layer; and to remove the first resin layer on the holes with the developer for the first resin layer, wherein the photo-crosslinkable resin composition to be used as the first resin layer, contains at least an alkali soluble resin, a cross-linking monomer and a photo-radical generator, and the weight average molecular weight of the alkali soluble resin is 5,000-45,000.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、光架橋性樹脂組成物に関する。 The present invention relates to a photo-crosslinkable resin composition.

近年の電子機器の小型、多機能化に伴い、回路基板も高密度化や配線パターンの微細化が進められており、そのような条件を達成する手段としては、回路基板の多層化が挙げられる。 Small of electronic equipment in recent years, with the multiple functions, the circuit board also being promoted miniaturization of density and wiring pattern, as a means to achieve such conditions include multilayer circuit board . 図10で示したように、複数の配線層を積層して形成した回路基板は、一般にスルーホール7、バイアホール8、インタースティシャルバイアホール9と呼ばれる、内壁を導電層で被覆したあるいは充填した貫通孔、非貫通孔(以下、孔)といった細孔を通じて各層間の導通が行われている。 As shown in FIG. 10, the circuit substrate formed by stacking a plurality of wiring layers, generally through-holes 7, via holes 8, known as interstitial via hole 9, the inner wall was coated or filled with a conductive layer through holes, blind holes (hereinafter, hole) conduction of the layers is made through the pores such.

図11は、孔を上部から見た概略図である。 Figure 11 is a schematic view of the hole from the top. 孔17の周囲にランド18と呼ばれる導電層が形成されている。 Conductive layer called a land 18 around the hole 17 is formed. ランドは角形、円形、楕円形、異形等、種々の種類があるが、占有面積あるいは設計面の使いやすさから、円形を用いることが多い。 Land rectangular, circular, elliptical, irregular, etc., there are various types, from the ease of use of the area occupied or design surface, is often used a circular. また、高密度化に対応するためには、ランドレスもしくは狭小ランド幅の孔が必要とされている。 Further, in order to correspond to densification, holes Randles or narrow land width is required.

回路基板を製造する方法は、サブトラクティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法等がある。 Method of manufacturing a circuit board, the subtractive method, additive method, there is a semi-additive method. サブトラクティブ法は、表面に導電層を設けた絶縁性基板の回路部にエッチングレジスト層を設け、露出している非回路部の導電層をエッチング除去して回路を形成する方法である。 Subtractive method, the etching resist layer is provided on the circuit portion of the insulating substrate having a conductive layer on the surface, a method of forming a circuit conductor layer of the non-circuit portion which is exposed is removed by etching. アディティブ法は、絶縁性基板の表面の非回路部にめっきレジスト層を設け、回路部に相当する部分に無電解めっき処理等で導電層を形成する方法である。 Additive method, a plating resist layer is provided on the non-circuit portion of the surface of the insulating substrate, a method of forming a conductive layer by electroless plating treatment or the like in a portion corresponding to the circuit portion. セミアディティブ法は、薄い導電層を表面に有する絶縁性基板の非回路部にめっきレジスト層を設け、回路部に相当する部分に電解めっき処理で導電層を形成し、非回路部のめっきレジスト層を除去した後、フラッシュエッチング処理によって、非回路部の薄い導電層を除去して回路を形成する方法である。 Semi-additive method, a thin conductive layer on the non-circuit portion of the insulating substrate having a surface provided with a plating resist layer, forming a conductive layer by electroless plating in a portion corresponding to the circuit portion, the plating resist layer of the non-circuit portion after removal of by flash etching process is a method of forming a circuit thin conductive layer of the non-circuit portion is removed.

エッチングレジスト層およびめっきレジスト層は、スクリーン印刷法、感光性材料を用いた露光現像工程を有するフォトファブリケーション法、インクジェット法等によって形成される。 Etching resist layer and a plating resist layer, a screen printing method, a photo-fabrication method having the exposure development step using a photosensitive material, is formed by an inkjet method, or the like. ランドレスや狭小ランド幅の孔を製造しようとする場合、孔の穴開け加工やスクリーン印刷法、露光工程、インクジェット法等の工程における位置合わせが重要であり、特に、高密度回路基板で要求されるランドレスおよび狭小ランド幅の孔では、非常に高い位置合わせ精度が必要となる。 When attempting to produce a hole of the landless and narrow land width, drilling or screen printing of the holes, an exposure process, and alignment is important in the process of the ink jet method, in particular, it is required in high density circuit board the hole Randles and narrow land width that would require very high positioning accuracy. ランドは、図11のように、孔の全方向に均一な幅を有する形、つまり孔とランドが同心円である場合が最も望ましいが、位置合わせが不正確であると、図12のように、孔とランドは同心円とならなくなるという問題があった。 Lands, as in FIG. 11, a form having a uniform width in all directions of the holes, i.e. it is most preferable if the hole and the land is concentric, the alignment is incorrect, as shown in FIG. 12, hole and the land there is a problem that will not become a concentric circle.

図12は(a)狭小ランド幅、(b)広大ランド幅の孔において、距離Xの位置ずれが発生した場合の孔とランドの位置ずれを表した平面概略図である。 Figure 12 is a schematic plan view showing the (a) narrow land width, (b) in the hole of the large land width misalignment of the holes and the land when the positional deviation of the distance X has occurred. 図12(b)広大ランド幅の孔では、孔の周囲にランドが形成された状態となるが、図12(a)狭小ランド幅の孔では、ランドが孔部分から切れてしまい、全ての外周に渡って狭小ランドが存在する孔を形成することができないという問題が発生している。 The hole shown in FIG. 12 (b) large land width, but a state in which the land is formed around the hole, the hole shown in FIG. 12 (a) narrow land width, land will be broken from the hole portion, each of the peripheral it impossible to form a hole exists narrow land occurs over by the. 穴開け加工の精度、基板の伸縮、露光用フォトマスクの寸法変化等が原因となって、位置合わせ精度には限界があるのが実情である。 Drilling accuracy, expansion and contraction of the substrate, causing dimensional changes in the exposure photomask, the positioning accuracy is fact is that there is a limit. また、高密度回路基板上に形成される孔の径は多種類で、孔数も極めて多いため、全ての孔に対して精確に位置合わせを行うことは非常に困難である。 The diameter of the holes formed in a high-density circuit board in various kinds, because the number of holes is extremely high, to perform precise alignment for all holes is very difficult. したがって、高密度回路基板ではランドレスや狭小ランド幅の孔が求められているにもかかわらず、ランド幅を大きく設計しなくてはならないという問題が発生している(例えば、特許文献1)。 Thus, despite the hole Randles and narrow land width is a need in the high-density circuit board, a problem that must be designed larger land width is occurring (e.g., Patent Document 1).

本発明者らは、このような位置合わせが原因となっていたランドと孔の位置ずれの問題を解決し、回路基板の高密度化のために要求されているランドレスや狭小ランド幅の孔を有する回路基板を製造する第一の方法として、貫通孔または/および非貫通孔を有し、少なくとも表面に導電層を有する絶縁性基板の表面に第一樹脂層を貼り付け、次いで第一樹脂層を一様に帯電させて、孔上の第一樹脂層と表面導電層上の第一樹脂層とに電位差を誘起させ、次に、該電位差を利用して表面導電層上の第一樹脂層上に、第一樹脂層用現像液に不溶性または難溶性の第二樹脂層を形成し、次いで第一樹脂層用現像液によって孔上の第一樹脂層を除去する工程を含む回路基板の製造方法を提案している。 The present inventors have found that such alignment is solving the problem of positional deviation of the lands and holes that caused, holes Randles and narrow land width, which is required for high density circuit board as a first method of manufacturing a circuit board having has a through-hole and / or blind holes, paste the first resin layer on the surface of an insulating substrate having a conductive layer at least on the surface, then the first resin thereby uniformly charging the layer, a potential difference is induced in the first resin layer on the first resin layer and the surface conductive layer on the hole, then, the first resin on the surface conductive layer by utilizing the potential difference on the layer, the first resin layer developer to form a second resin layer of insoluble or sparingly soluble, and then the circuit board including the step of removing the first resin layer on the hole by the first resin layer for the developer We have proposed a method for manufacturing. (例えば、特願2004−59629号公報、特願2004−59630号公報、特願2004−59631号公報、特願2004−59632号公報、特願2004−59633、特願2004−59634号公報等)。 (E.g., Japanese Patent Application No. 2004-59629, Japanese Patent Application No. 2004-59630, Japanese Patent Application No. 2004-59631, Japanese Patent Application No. 2004-59632, Japanese Patent Application 2004-59633, Japanese Patent Application No. 2004-59634 Publication) .

また、第二の方法として、貫通孔または/および非貫通孔を有し、少なくとも表面に導電層を有する絶縁性基板の表面に第一樹脂層を貼り付け、次いで表面導電層上の第一樹脂層上に第一樹脂層用現像液に不溶性または難溶性の第二樹脂層を形成し、次いで第一樹脂層用現像液によって孔上の第一樹脂層を除去する工程を含む回路基板の製造方法を提案している。 Further, as the second method, a through-hole and / or blind holes, paste the first resin layer on the insulating surface of the substrate having a conductive layer at least on the surface, then the first resin on the surface conductive layer a first resin layer for developer to form a second resin layer of insoluble or sparingly soluble in the layer, then the production of the circuit board including the step of removing the first resin layer on the hole by the first resin layer for the developer It has proposed a method. 該製造方法では、孔上と表面導電層上とで、第一樹脂層の静電容量が異なることを利用して、表面導電層上の第一樹脂層上に第二樹脂層を形成する。 The manufacturing method, in the on and the surface conductive layer above the hole, by utilizing the fact that the capacitance of the first resin layer are different, to form a second resin layer on the first resin layer on the surface conductive layer of. (例えば、特願2004−362991号公報、特願2004−362992号公報、特願2004−362993号公報、特願2004−362994号公報、特願2004−362995、特願2004−362996号公報、特願2004−362998号公報等)。 (E.g., Japanese Patent Application No. 2004-362991, Japanese Patent Application No. 2004-362992, Japanese Patent Application 2004-362993 and JP No. 2004-362994, No. 2004-362995, No. 2004-362996, JP Cancer No. 2004-362998 publication, etc.).

これら二つの回路基板の製造方法では、図6(a)もしくは図6(b)の断面概略図で示される樹脂付開口基板が得られる。 These two circuit board manufacturing method, a resin with openings substrate shown in cross-section schematic view of FIG. 6 (a) or FIG. 6 (b) is obtained. 該樹脂付開口基板に対して、穴埋めインク工程、導電性インク充填工程、電着工程、金属めっき工程、レジスト形成工程、エッチング工程を、適宜組み合わせた一連の工程を行うことで、サブトラクティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法等によって、回路基板を製造することができる。 Relative to the resin coated open board, filling ink step, conductive ink filling step, the electrodeposition step, metal plating process, a resist forming step, an etching process, by performing a series of steps in combination as appropriate, subtractive method, additive method, the semi-additive method or the like, can be manufactured circuit board. これら回路基板の製造方法に含まれる一連の工程は、位置合わせを必要としない。 Series of steps involved in preparation of these circuit boards, without the need for alignment. したがって、回路基板に存在する孔の大きさ、形状、数、位置がどのような場合であっても、精確かつ選択的に孔部分に処理を施すことができる。 Therefore, the size of pores present in the circuit board, shape, number, even if the position is what can be subjected to a process to precisely and selectively hole portion.

上記の回路基板の製造方法において、樹脂付開口基板を作製する工程のうち、第一樹脂層上に第二樹脂層を形成し、次いで第一樹脂層用現像液によって孔上の第一樹脂層を除去する工程において、表面導電層上の第一樹脂層上には略均一に第二樹脂層を形成する必要があった。 In the method of manufacturing a circuit board, of the process for manufacturing the resin coated open board, a second resin layer formed on the first resin layer, then the first resin layer on the hole by the first resin layer for the developer in the step of removing a the first resin layer on the surface conductive layer of the had to be substantially uniformly forming the second resin layer. しかしながら、第二樹脂層が不均一に付着することで、孔上の第一樹脂層を除去する工程において、表面導電層の第一樹脂層に第一樹脂層現像液が浸透し、第一樹脂層上にピンホールが発生する問題があった。 However, by the second resin layer is adhered unevenly, in the step of removing the first resin layer on the hole, the first resin layer developing solution penetrates into the first resin layer of the surface conductive layer, the first resin pin-hole there was a problem that occurs on the layer.
特開平7−7265号公報 JP 7-7265 JP

本発明の課題は、回路基板の高密度化のために要求されているランドレスや狭小ランド幅の孔に対応した回路基板の製造方法に好適な材料として、第一樹脂層上のピンホールの問題が発生しない樹脂付開口基板作製用の光架橋性樹脂組成物を提供することである。 Of the present invention problems as suitable materials for the method of manufacturing a circuit substrate corresponding to the hole of the landless and narrow land width, which is required for high density circuit board, the pin hole on the first resin layer it is the problem to provide a photo-crosslinkable resin composition for non resin-coated open board manufacturing that occur.

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、 The present inventors have made intensive studies in order to solve the above problems,
(1)少なくとも、アルカリ可溶性樹脂と、架橋性モノマーと、光ラジカル発生剤とを含有する光架橋性樹脂組成物であって、該アルカリ可溶性樹脂の重量平均分子量が5000〜45000であることを特徴とする光架橋性樹脂組成物。 (1) at least, characterized alkali-soluble resin, a crosslinking monomer, a photo-crosslinkable resin composition containing a photo-radical generating agent, the weight average molecular weight of the alkali-soluble resin is from 5000 to 45,000 photo-crosslinkable resin composition according to.
(2)貫通孔または/および非貫通孔を有し、かつ少なくとも表面に導電層を有する絶縁性基板の表面に、第一樹脂層を形成する工程、表面導電層上の第一樹脂層上に、第一樹脂層用現像液に不溶性または難溶性の第二樹脂層を形成する工程、第一樹脂層用現像液によって孔上の第一樹脂層を除去する工程を含むことを特徴とする回路基板の製造方法の、第一樹脂層として使用される光架橋性樹脂組成物が、少なくとも、アルカリ可溶性樹脂と、架橋性モノマーと、光ラジカル発生剤とを含有する光架橋性樹脂組成物であって、該アルカリ可溶性樹脂の重量平均分子量が5000〜45000であることを特徴とする光架橋性樹脂組成物、を見出した。 (2) has a through hole and / or blind holes, and on the surface of an insulating substrate having a conductive layer at least on the surface, forming a first resin layer, a first resin layer on the surface conductive layer of the forming a second resin layer of insoluble or sparingly soluble in the first resin layer developer circuit which comprises a step of removing the first resin layer on the hole by the first resin layer for the developer the method for manufacturing a substrate, photo-crosslinkable resin composition used as the first resin layer is at least, there in an alkali-soluble resin, a crosslinking monomer, photo-crosslinkable resin composition containing a photo-radical generating agent Te, it found, photo-crosslinkable resin composition, wherein the weight average molecular weight of the alkali-soluble resin is 5,000 to 45,000.

一般的に回路基板作製用で使用されているシート状の光架橋性ドライフィルムは、重量平均分子量が50000以上のアルカリ可溶性樹脂を含む。 Generally sheet photocrosslinkable dry film used in the circuit board manufacturing, the weight average molecular weight including more than 50000 of the alkali-soluble resin. これは、テンティング性や可撓性を良好にするためであり、一般的に80000以上のものが使われることが多い。 This is for improving the tenting property and flexibility, generally those 80,000 or more is often used. 本発明の樹脂付開口基板作製用の光架橋性樹脂組成物は、樹脂付開口基板を作製する目的に考えだされたもので、重量平均分子量が5000〜45000のアルカリ可溶性樹脂から成ることを特徴としている。 Photo-crosslinkable resin composition of the resin coated open board for manufacturing the present invention has been Dasa thought the purpose of making resin coated open board, characterized in that the weight-average molecular weight of an alkali-soluble resin of 5,000 to 45,000 It is set to. 本発明の光架橋性樹脂組成物を用いることで、樹脂付開口基板を作製する工程のうち、第一樹脂層上に第二樹脂層を形成し、次いで第一樹脂層用現像液によって孔上の第一樹脂層を除去する際、表面導電層上の第一樹脂層上には略均一に第二樹脂層が形成され、第一樹脂層上にピンホールが発生する問題が解消された。 By using the photo-crosslinkable resin composition of the present invention, among the step of preparing a resin coated open board, a second resin layer formed on the first resin layer, and then the hole on the first resin layer for the developer removing the first resin layer, is on the first resin layer on the surface conductive layer is substantially uniformly the second resin layer formed, a problem that pinholes are eliminated on the first resin layer.

本発明の光架橋性樹脂組成物の基本組成は、(A)重量平均分子量が5000〜45000のアルカリ可溶性樹脂、(B)架橋性モノマー、(C)光ラジカル発生剤である。 The base composition of photo-crosslinkable resin composition of the present invention is an alkali-soluble resin, (B) a crosslinking monomer, (C) a photoradical generating agent (A) a weight average molecular weight of 5,000 to 45,000.

本発明の光架橋性樹脂組成物に用いることができる(A)アルカリ可溶性樹脂としては、(B)架橋性モノマーと共に光硬化可能な重合体であればよく、特に制限されないが、例えば、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、スチレン系樹脂、エポキシ系樹脂、アミド系樹脂、アミドエポキシ系樹脂、アルキド系樹脂、フェノール系樹脂の有機高分子を挙げられる。 The (A) alkali-soluble resin which can be used in the photo-crosslinkable resin composition of the present invention may be a photocurable polymer with (B) a crosslinking monomer is not particularly limited, for example, acrylic resin, methacrylic resin, styrene resin, epoxy resin, amide resin, an amide epoxy based resins, alkyd-based resins, an organic polymer of a phenolic resin. このうち、エチレン性不飽和二重結合を有した単量体(重合性単量体)を重合(ラジカル重合等)して得られたものであることが好ましい。 Of these, it is preferable that the monomer having an ethylenically unsaturated double bond (polymerizable monomer) obtained by polymerization (radical polymerization). また、アルカリ現像性を考慮すると、アクリル系樹脂又はメタクリル系樹脂が好ましい。 In consideration of alkali developability, acrylic resin or methacrylic resin is preferred. これらのアルカリ可溶性樹脂は、単独用いても、二種類以上を組み合わせて用いても良い。 These alkali-soluble resin may be used alone or may be used in combination of two or more. このようなエチレン性不飽和二重結合を有した単量体としては、例えば、スチレン;ビニルトルエン、α−メチルスチレン、p−メチルスチレン、p−エチルスチレン、p−メトキシスチレン、p−エトキシスチレン、p−クロロスチレン、p−ブロモスチレン等のスチレン誘導体;ジアセトンアクリルアミド等のアクリルアミド;アクリロニトリル;ビニル−n−ブチルエーテル等のビニルアルコールのエステル類;(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸テトラヒドロフルフリルエステル、(メタ)アクリル酸ジメチルアミノエチルエステル、(メタ)アクリル酸ジエチルアミノエチルエステル、(メタ)アクリル酸グリシジルエステル、2,2,2−トリフルオロエチル(メタ)アクリレート、2,2,3,3−テ Such ethylenically unsaturated having a double bond monomers, e.g., styrene; vinyl toluene, alpha-methyl styrene, p- methyl styrene, p- ethylstyrene, p- methoxystyrene, p- ethoxystyrene , p- chlorostyrene, p- styrene derivatives bromostyrene and the like; esters of vinyl alcohol and vinyl -n- butyl ether; acrylonitrile; acrylamide diacetone acrylamide (meth) acrylic acid alkyl ester, (meth) acrylic acid tetrahydrofurfuryl ester, (meth) acrylic acid dimethylaminoethyl ester, (meth) acrylic acid diethylaminoethyl ester, (meth) acrylic acid glycidyl ester, 2,2,2-trifluoroethyl (meth) acrylate, 2,2, 3,3-Te ラフルオロプロピル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリル酸、α−ブロモ(メタ)アクリル酸、α−クロル(メタ)アクリル酸、β−フリル(メタ)アクリル酸、β−スチリル(メタ)アクリル酸等の(メタ)アクリル酸モノエステル;マレイン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸モノメチル、マレイン酸モノエチル、マレイン酸モノイソプロピル等のマレイン酸系単量体;フマル酸、ケイ皮酸、α−シアノケイ皮酸、イタコン酸、クロトン酸、プロピオール酸等が挙げられる。 La fluoropropyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid, alpha-bromo (meth) acrylic acid, alpha-chloro (meth) acrylic acid, beta-furyl (meth) acrylic acid, beta-styryl (meth) acrylic acid of (meth) acrylic acid monoester; maleic acid, maleic anhydride, monomethyl maleate, monoethyl maleate, maleic acid monomer and maleic acid monoisopropyl; fumaric acid, cinnamic acid, alpha-cyanocinnamic acid , itaconic acid, crotonic acid, propiolic acid.

上記(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、下記一般式(I): The (meth) acrylic acid alkyl esters, for example, general formula (I):
CH =C(R )―COOR (I) CH 2 = C (R 1) -COOR 2 (I)
[式(I)中、R は水素原子又はメチル基を示し、R は炭素数1〜12のアルキル基を示す。 [In formula (I), R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 2 represents an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. ]
で示される化合物及びこれらの化合物のアルキル基に水酸基、エポキシ基、ハロゲン原子等が置換した化合物等が挙げられる。 In compounds represented and hydroxyl group in the alkyl groups of these compounds, epoxy group, and a halogen atom are compounds obtained by substituting. なお、上記一般式(I)中のR で示される炭素数1〜12のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、およびこれらの構造異性体が挙げられる。 As the alkyl group having 1 to 12 carbon atoms represented by R 2 in the general formula (I), for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group, and structural isomers thereof.

本発明の光架橋性樹脂組成物に用いることできる(A)アルカリ可溶性樹脂は、アルカリ現像性を考慮すると、カルボキシル基を含有していることが好ましい。 It can be used in photo-crosslinkable resin composition of the present invention (A) alkali-soluble resin, in consideration of the alkaline developing property, it preferably contains a carboxyl group. 従って、カルボキシル基を有する重合性単量体とその他の重合性単量体をラジカル重合させる。 Thus, a polymerizable monomer and other polymerizable monomer having a carboxyl group to radical polymerization. カルボキシル基を有する重合性単量体としては、(メタ)アクリル酸、ビニル安息香酸、マレイン酸、無水マレイン酸、イタコン酸、無水イタコン酸、クロトン酸、桂皮酸、アクリル酸二量体等を挙げることができる。 The polymerizable monomer having a carboxyl group, mention (meth) acrylic acid, vinyl benzoic acid, maleic acid, maleic anhydride, itaconic acid, itaconic anhydride, crotonic acid, cinnamic acid, a dimer such as acrylic acid be able to. このうち、(メタ)アクリル酸が最も好ましい。 Among them, most preferred (meth) acrylic acid.

本発明の光架橋性樹脂組成物に用いることができる(A)アルカリ可溶性樹脂は、単独で、もしくは重量平均分子量が5000〜45000のアルカリ可溶性樹脂であれば2種類以上を組み合わせて用いることができる。 (A) an alkali-soluble resin which can be used in the photo-crosslinkable resin composition of the present invention, alone or weight average molecular weight can be used in combination of two or more as long as the alkali-soluble resin of 5000-45000 . 2種類以上を組み合わせて用いる場合のアルカリ可溶性樹脂の組み合わせとしては、例えば、重量平均分子量5000〜45000の範囲内で異なる共重合成分を有する2種類以上のアルカリ可溶性樹脂の組み合わせ、5000〜45000の範囲内で異なる重量平均分子量を有する2種類以上のアルカリ可溶性樹脂の組み合わせ、5000〜45000の範囲内で異なる分散度(重量平均分子量/数平均分子量)を有する2種類以上のアルカリ可溶性樹脂の組み合わせ等が挙げられる。 As a combination of an alkali-soluble resin is used in combination of two or more, for example, a combination of two or more of alkali-soluble resins having different copolymer components within the range of weight average molecular weight from 5,000 to 45,000, a range of 5,000 to 45,000 combinations of two or more kinds of alkali-soluble resins having different weight average molecular weight in the inner, combinations of two or more of the alkali-soluble resin having a different degree of dispersion in the range of 5,000 to 45,000 (weight average molecular weight / number average molecular weight) and the like. 重量平均分子量が5000〜45000の範囲から外れる樹脂を混入すると、ピンホールの問題が発生する。 If the weight average molecular weight is mixed with the resin outside the scope of 5000 to 45,000, pinhole problems.

(A)アルカリ可溶性樹脂の重量平均分子量は、5000〜45000であり、20000〜40000であることがより好ましい。 (A) The weight average molecular weight of the alkali-soluble resin is 5,000 to 45,000, more preferably from 20,000 to 40,000. 重量平均分子量が、5000未満では耐現像液性および成膜性に問題があり、他方、45000を超えると第二樹脂層が不均一に付着することで、孔上の第一樹脂層を除去する工程において、表面導電層の第一樹脂層に第一樹脂層現像液が浸透し、第一樹脂層上にピンホール欠陥が発生する。 Weight average molecular weight is less than 5000 there is a problem with the developing solution resistance and film-forming properties, while that exceeding 45000 second resin layer is unevenly adhered to remove the first resin layer on the hole in step, the first resin layer developing solution penetrates into the first resin layer of the surface conductive layer, pinhole defects occur on the first resin layer.

更にまた、前記(A)成分であるアルカリ可溶性樹脂の酸価は、100〜500mgKOH/gであることが好ましく、100〜300mgKOH/gであることがより好ましい。 Furthermore, the (A) acid value of the alkali-soluble resin as the component is preferably 100~500mgKOH / g, and more preferably 100 to 300 mg / g. この酸価が、100mgKOH/g未満では現像時間が遅くなる傾向があり、他方、500mgKOH/gを超えると光硬化した部分の耐現像液性が低下する傾向がある。 The acid value is less than 100 mg KOH / g the developing time will tend to be slower, while the developer resistance of the portion photocured exceeds 500 mgKOH / g tends to decrease.

本発明の光架橋性樹脂組成物に係わる(B)架橋性モノマーとしては、分子内に少なくとも1つの重合可能なエチレン性不飽和結合を有する光重合可能な化合物であればよい。 As concerns the photo-crosslinkable resin composition of the present invention (B) crosslinking monomer, in the molecule may be any photopolymerizable compound having at least one polymerizable ethylenically unsaturated bond. 例えば、多価アルコールにα,β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物、例えば、ビスフェノールA系(メタ)アクリレート化合物、ポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、グリセロールトリ(メタ)アクリレート、1,3−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、グリシジル基含有化合物にα,β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物、分子内にウレタン結合を有する(メタ)アクリレート化合物等のウレタンモノマー;ノニルフェノキシポリエチレンオキシアクリレート For example, alpha polyhydric alcohol, compounds obtained by reacting a β- unsaturated carboxylic acids, for example, bisphenol A-based (meth) acrylate compound, polyethylene glycol (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, polyoxyethylene polyoxypropylene glycol di (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, 1,3-butanediol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, nonylphenoxy polyethyleneoxy acrylate; alpha glycidyl group-containing compounds, beta-unsaturated carboxylic acid is reacted compounds obtained, urethane monomers having a urethane bond (meth) acrylate compound or the like in the molecule (メタ)アクリル酸アルキルエステル等が挙げられる。 (Meth) acrylic acid alkyl ester. これらの架橋性モノマーは単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。 These crosslinking monomers may be used alone or in combination of two or more.

本発明の光架橋性樹脂組成物に係わる(C)光ラジカル発生剤としては、ベンゾフェノン、N,N′−テトラメチル−4,4′−ジアミノベンゾフェノン(ミヒラーケトン)、N,N′−テトラエチル−4,4′−ジアミノベンゾフェノン、4−メトキシ−4′−ジメチルアミノベンゾフェノン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−ブタノン−1、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノ−プロパノン−1等の芳香族ケトン;2−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、2−tert−ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、1,2−ベンズアントラキノン、2,3−ベンズアントラキノン、2−フェニルアントラキノン、2,3−ジフェニルアン As concerns the photo-crosslinkable resin composition (C) photoradical generator of the present invention, benzophenone, N, N'-tetramethyl-4,4'-diamino benzophenone (Michler's ketone), N, N'-tetraethyl -4 , 4'-diamino benzophenone, 4-methoxy-4'-dimethylamino benzophenone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) - butanone-1,2-methyl-1- [4- ( methylthio) phenyl] -2-morpholino - aromatic ketones such as propanone-1; 2-ethylanthraquinone, phenanthrenequinone, 2-tert-butyl anthraquinone, octamethyl anthraquinone, 1,2-anthraquinone, 2,3-benzanthraquinone , 2-phenyl-anthraquinone, 2,3-diphenyl-Anne ラキノン、1−クロロアントラキノン、2−メチルアントラキノン、1,4−ナフトキノン、9,10−フェナントラキノン、2−メチル1,4−ナフトキノン、2,3−ジメチルアントラキノン等のキノン類;ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル化合物;ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン化合物;ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体;2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジ(メトキシフェニル)イミダゾール二量体、2−(o−フルオロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−メトキシフェニル)−4,5−ジフ Rakinon, 1-chloro anthraquinone, 2-methyl anthraquinone, 1,4-naphthoquinone, 9,10-phenanthraquinone, 2-methyl-1,4-naphthoquinone, quinones such as 2,3-dimethyl anthraquinone; benzoin methyl ether , benzoin ethyl ether, benzoin ether compounds such as benzoin phenyl ether; benzoin, methyl benzoin, benzoin compounds such as ethyl benzoin; benzyl derivatives such as benzyl dimethyl ketal; 2-(o-chlorophenyl) -4,5-diphenyl imidazole dimer body, 2-(o-chlorophenyl) -4,5-di (methoxyphenyl) imidazole dimer, 2-(o-fluorophenyl) -4,5-diphenyl imidazole dimer, 2-(o-methoxyphenyl ) -4,5-diphenyl ニルイミダゾール二量体、2−(p−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体等の2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体;9−フェニルアクリジン、1,7−ビス(9,9′−アクリジニル)ヘプタン等のアクリジン誘導体;N−フェニルグリシン、N−フェニルグリシン誘導体、クマリン系化合物等が挙げられる。 Sulfonyl imidazole dimer, 2-(p-methoxyphenyl) -4,5-triarylimidazole dimers such as diphenyl imidazole dimer; 9-phenyl acridine, 1,7-bis ( 9,9'-acridinyl) acridine derivatives such as hexane and heptane; N- phenylglycine, N- phenylglycine derivatives, coumarin-based compounds. 上記2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体における2つの2,4,5−トリアリールイミダゾールのアリール基の置換基は、同一であって対象な化合物を与えてもよいし、相違して非対称な化合物を与えてもよい。 Substituents for the aryl group of two triarylimidazole in the 2,4,5-triarylimidazole dimer may be given a target compounds be the same, unlike it may be given an asymmetrical compound. また、ジエチルチオキサントンとジメチルアミノ安息香酸の組み合わせのように、チオキサントン系化合物と3級アミン化合物とを組み合わせてもよい。 Further, as a combination of diethyl thioxanthone and dimethylaminobenzoic acid, it may be combined with thioxanthone compound and a tertiary amine compound. これらは単独で、または2種類以上を組み合わせて使用される。 These may be used alone or in combination of two or more.

本発明の光架橋性樹脂組成物において、(A)アルカリ可溶性樹脂の配合量は、(A)成分および(B)成分の総量中40〜80質量%であることが好ましく、45〜70質量%であることがより好ましい。 In photocrosslinkable resin composition of the present invention, the amount of (A) an alkali-soluble resin is preferably from 40 to 80 mass% in the total amount of the components (A) and component (B), 45 to 70 wt% more preferably. (A)成分の配合量が、40質量%未満では光架橋した部分の機械的強度が低くなる傾向がある。 The amount of component (A) tends to mechanical strength of the photocrosslinked portion is lowered is less than 40 wt%. また、被膜性が悪くなるという問題がある。 Further, there is a problem that the film is deteriorated. 80質量%を超えると光架橋性が低下することがある。 Exceeds 80 mass%, the photocrosslinkable may be degraded.

(B)架橋性モノマーの配合量は、(A)成分および(B)成分の総量中20〜60質量%であることが好ましく、30〜55重量%であることがより好ましい。 (B) The amount of the crosslinkable monomer is preferably from 20 to 60 mass% in the total amount of the components (A) and component (B), and more preferably 30 to 55 wt%. このような含有量が、20質量%未満では光感度が不充分となる傾向があり、他方、60質量%を超えると光硬化物が脆くなる傾向がある。 Such content is less than 20 wt% tend to have photosensitivity becomes insufficient, while there is a tendency that the photocured product becomes fragile when it exceeds 60 wt%. なお、(B)成分中に前記ビスフェノールA系(メタ)アクリレート化合物が含有される場合、その配合量は前記(B)成分中、3〜90質量%であることが好ましく、5〜70質量%であることがより好ましい。 In the case where (B) during said components bisphenol A (meth) acrylate compound is contained, the amount thereof the in component (B) is preferably from 3 to 90 wt%, 5 to 70 wt% more preferably. 前記ビスフェノールA系(メタ)アクリレート化合物の配合量は前記(B)成分中、3重量%未満では解像度が劣る傾向があり、他方、90質量%を超えるとレジストの剥離時間が長くなる傾向がある。 In the component (B) is the amount of the bisphenol A-based (meth) acrylate compound is less than 3 wt%, the resolution tends poor, while there tends to be longer resist stripping time exceeds 90 wt% .

更に、(C)成分の配合量は、(A)成分及び(B)成分の混合物100質量部に対して、0.1〜20質量部であることが好ましく、0.2〜10質量部であることがより好ましい。 Further, (C) amount of component, relative to the mixture 100 parts by weight of component (A) and component (B) is preferably from 0.1 to 20 parts by weight, with 0.2 to 10 parts by weight there it is more preferable. 配合量が、0.1質量部未満では光重合性が不充分となる。 Amount is photopolymerizable becomes insufficient at less than 0.1 part by mass. 一方、20質量部を超えると、露光の際に組成物の表面での吸収が増大して内部の光硬化が不充分となる傾向がある。 On the other hand, it tends to be more than 20 parts by mass, insufficient internal photocuring absorption at the surface of the composition upon exposure is increased.

本発明の光架橋性樹脂組成物には、必要に応じて、前述の(A)〜(C)成分以外の成分を含有してもよい。 The photo-crosslinkable resin composition of the present invention, if necessary, may contain components other than the aforementioned (A) ~ (C) component. このような成分としては、マラカイトグリーン等の染料、トリブロモフェニルスルホン、ロイコクリスタルバイオレット等の光発色剤、熱発色防止剤、p−トルエンスルホンアミド等の可塑剤、顔料、充填剤、消泡剤、難燃剤、安定剤、密着性付与剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、イメージング剤、熱架橋剤等が挙げられ、(A)成分及び(B)成分の混合物100質量部に対して、各々0.01〜20質量部程度含有することができる。 Examples of such components, dyes such as malachite green, tribromophenylsulfone, photochromic agents such as leuco crystal violet, thermal coloring agents, plasticizers such as p- toluenesulfonamide, pigments, fillers, defoamers , flame retardants, stabilizers, tackifiers, leveling agents, release promoters, antioxidants, fragrances, imaging agent, thermal crosslinking agent and the like, (a) component and (B) mixture 100 parts by weight of component respect, can each contain about 0.01 to 20 parts by weight. このような成分は単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。 Such components may be used alone or in combinations of two or more. また、本発明の光架橋性樹脂組成物は、必要に応じて、メタノール、エタノール、n−プロパノール、2−ブタノール、n−ヘキサノール等のアルコール類;アセトン、2−ブタノン等のケトン類;酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸−n−アミル、硫酸メチル、プロピオン酸エチル、フタル酸ジメチル、安息香酸エチル等のエステル類、トルエン、キシレン、ベンゼン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素類;テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、1−メトキシ−2−プロパノール等のエーテル類、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の溶剤又はこれらの混合溶剤に溶解して固形分30〜60重量%程度の溶液として、塗布すること Further, photo-crosslinkable resin composition of the present invention may optionally include methanol, ethanol, n- propanol, 2-butanol, alcohols such as n- hexanol; acetone, ketones 2-butanone, ethyl acetate , butyl acetate, -n- amyl methyl sulfate, ethyl propionate, dimethyl phthalate, esters such as ethyl benzoate, toluene, xylene, benzene, aromatic hydrocarbons such as ethylbenzene; tetrahydrofuran, diethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, 1-ethers methoxy-2-propanol, N, N- dimethylformamide, solids dissolved in a solvent, or a mixed solvent such as dimethyl sulfoxide 30-60 wt% as the degree of the solution, applying できる。 It can be.

本発明の光架橋性樹脂組成物は、キャリアーフィルム上に形成された光架橋性樹脂層と、該光架橋性樹脂層上に保護フィルムを備えた、いわゆるドライフィルムフォトレジストの形状で使用される。 Photo-crosslinkable resin composition of the present invention, the photo-crosslinkable resin layer formed on the carrier film, with a protective film on the light-crosslinkable resin layer is used in the form of a so-called dry film photoresist . 該キャリアーフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエステル等の耐熱性および耐溶剤性を有する重合体フィルムが好適に用いられる。 As the carrier film, polyethylene terephthalate, polypropylene, polyethylene, polymer film having heat resistance and solvent resistance of polyester or the like is preferably used. また、光架橋性樹脂組成物層上に保護フィルムを備えていてもよい。 Also, it may be provided with a protective film to photo-crosslinkable resin composition layer. このような保護フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエステル等の重合体フィルムが好適に用いられる。 Such protective film, polyethylene terephthalate, polypropylene, polyethylene, polymeric films such as polyester are preferably used.

光架橋性樹脂組成物層の厚みは、乾燥後の厚みで1〜100μmであることが好ましく、5〜50μmであることがより好ましい。 The thickness of the photo-crosslinkable resin composition layer is preferably 1~100μm in thickness after drying, more preferably 5 to 50 [mu] m. この厚みが、1μm未満では工業的に塗工困難な傾向があり、他方、100μmを超えると密着性、解像度が低下する傾向がある。 This thickness is less than 1μm have industrially coating difficult trend, the other tends to exceed 100μm and adhesiveness, resolution decreases.

本発明の光架橋性樹脂組成物を前記溶剤に溶解して固形分30〜60質量%程度の溶液とした後に、係る溶液をキャリアーフィルム上に塗布し、乾燥することによりドライフィルムフォトレジストを得ることができる。 Photocrosslinkable resin composition of the present invention after a solution having a solid content of about 30 to 60 wt% is dissolved in the solvent, applying a related solution onto a carrier film to give a dry film photoresist by drying be able to. 上記塗布方法としては、ロールコータ、コンマコータ、グラビアコータ、エアーナイフコータ、ダイコータ、バーコータ等の公知の方法を採用することができる。 As the coating method, it can be adopted a roll coater, comma coater, gravure coater, air knife coater, die coater, a known method such as bar coater. また、乾燥処理は、例えば70〜150℃、5〜30分間程度で行うことができる。 The drying process, for example 70 to 150 ° C., can be carried out at about 5 to 30 minutes. さらに、光架橋性樹脂組成物層中に余分な有機溶剤が残存していると、表面抵抗率が減少し、第二樹脂層形成時に、孔上の第一樹脂層上にも第二樹脂層が形成されやすくなるという問題が生じる。 Furthermore, the excess organic solvent to the light-crosslinkable resin composition layer is left, the surface resistivity is decreased, when the second resin layer formed, the second resin layer to the first resin layer on the hole There problem that arises easily formed. 光架橋性樹脂組成物中の有機溶剤量は、2質量%以下とすることが好ましい。 The organic solvent content of photo-crosslinkable resin composition is preferably 2 mass% or less.

続いて、本発明に係わる回路基板の製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing the circuit board according to the present invention. 本発明の回路基板の製造方法の第一の例について、図1、図2、図4、図5を用いて説明する。 The first example of a method of manufacturing a circuit board of the present invention, FIGS. 1, 2, 4, will be described with reference to FIG. 貫通孔を例にとって説明するが、非貫通孔でも以下に説明するのと同様の方法で、回路基板を製造することができる。 The through-holes will be described as an example, but in a similar manner as described below, even the non-through hole, it is possible to manufacture a circuit board. また、スルーホールとバイアホールが共存しているようなビルドアップ基板であっても同様な方法で製造することができる。 Further, it is possible to produce a through-hole and via hole is also a build-up substrate, such as coexist method.

まず、図1(a)もしくは図1(b)に示した少なくとも表面に導電層3を有する絶縁性基板1からなる回路形成用基板10を準備する。 First, a FIGS. 1 (a) or circuit-forming board 10 made of an insulating substrate 1 having a conductive layer 3 at least on the surface shown in FIG. 1 (b). 以下の工程は、図1(a)に示した孔4内および表面に導電層3を有する絶縁性基板1からなる回路形成用基板10で説明するが、図1(b)に示した孔内に導電層が無い回路形成用基板でも同様の手順で、樹脂付開口基板を製造することができる。 The following steps will be described in the circuit-forming board 10 made of an insulating substrate 1 having a conductive layer 3 in the hole 4 and in the surface shown in FIG. 1 (a), the indicated bore Fig 1 (b) to the same procedure in the circuit-forming board no conductive layer, it is possible to manufacture a resin coated open board. 回路形成用基板10の孔4を塞いで、テンティングとなるように、本発明の光架橋性樹脂組成物からなる第一樹脂層5を貼り付ける(図2)。 It closes the hole 4 of the circuit-forming board 10, so that the tenting, the first resin layer 5 made of photo-crosslinkable resin composition of the present invention pasted (Figure 2). 次に、電着法によって表面導電層上の第一樹脂層5上にのみ、第二樹脂層6を形成する(図4)。 Then, only on the first resin layer 5 on the surface conductive layer by an electrodeposition method, forming a second resin layer 6 (FIG. 4). さらに、第一樹脂層用現像液によって、第二樹脂層が形成されていない孔4上の第一樹脂層5のみを除去して、樹脂付開口基板11を製造する(図5)。 Further, the first resin layer developing solution, to remove only the first resin layer 5 on the hole 4 which the second resin layer is not formed, to produce a resin-coated open board 11 (FIG. 5).

本発明に係わる回路基板の製造方法の帯電を利用した製造方法について、図1〜5を用いて説明する。 Manufacturing method using the charging method of manufacturing a circuit board according to the present invention will be described with reference to Figures 1-5. 貫通孔を例にとって説明するが、非貫通孔でも以下に説明するのと同様の方法で、回路基板を製造することができる。 The through-holes will be described as an example, but in a similar manner as described below, even the non-through hole, it is possible to manufacture a circuit board. また、スルーホールとバイアホールが共存しているようなビルドアップ基板であっても、同様な方法で製造することができる。 Moreover, even the build-up substrate, such as through-holes and via holes coexist, can be prepared in an analogous manner.

まず、図1(a)もしくは図1(b)に示した少なくとも表面に導電層3を有する絶縁性基板1からなる回路形成用基板10を準備する。 First, a FIGS. 1 (a) or circuit-forming board 10 made of an insulating substrate 1 having a conductive layer 3 at least on the surface shown in FIG. 1 (b). 以下の工程は、図1(a)に示した孔4内および表面に導電層3を有する絶縁性基板1からなる回路形成用基板10で説明するが、図1(b)に示した孔内に導電層が無い回路形成用基板でも同様の手順で、樹脂付開口基板を製造することができる。 The following steps will be described in the circuit-forming board 10 made of an insulating substrate 1 having a conductive layer 3 in the hole 4 and in the surface shown in FIG. 1 (a), the indicated bore Fig 1 (b) to the same procedure in the circuit-forming board no conductive layer, it is possible to manufacture a resin coated open board. 回路形成用基板10の孔4を塞いで、テンティングとなるように、本発明の光架橋性樹脂組成物からなる第一樹脂層5を貼り付ける(図2)。 It closes the hole 4 of the circuit-forming board 10, so that the tenting, the first resin layer 5 made of photo-crosslinkable resin composition of the present invention pasted (Figure 2). 次に、コロナ帯電処理等の手段により、第一樹脂層5表面を略一様に正または負に帯電させる。 Then, by means such as corona charging process to charge the first resin layer 5 surface substantially uniformly positive or negative. このとき、孔4上の第一樹脂層5と導電層3上の第一樹脂層5では、電位差が発生する(図3)。 At this time, the first resin layer 5 on the first resin layer 5 and the conductive layer 3 on the hole 4 of the potential difference is generated (Figure 3). 図3においては、正帯電の場合を表し、電位の値の大小を文字の大きさで表した。 In FIG. 3 represents the case of a positive charge, expressed in character size the magnitude of the value of the potential. 印加条件を一定にした場合、導電層3上の第一樹脂層5よりも、孔4上の第一樹脂層5の方が、表面電位の絶対値が大きくなるという現象が発生する。 When the application conditions constant, than the first resin layer 5 on the conductive layer 3, toward the first resin layer 5 on the hole 4 of a phenomenon that the absolute value of the surface potential is increased occurs. 続いて、その電位差を利用して、電着法等の手段によって表面導電層上の第一樹脂層5上にのみ、第二樹脂層6を形成する(図4)。 Then, by utilizing the potential difference, only on the first resin layer 5 on the surface conductive layer by means of a process such as electrodeposition, to form a second resin layer 6 (FIG. 4). さらに、第一樹脂層用現像液によって、第二樹脂層が形成されていない孔4上の第一樹脂層5のみを除去して、樹脂付開口基板11を製造する(図5)。 Further, the first resin layer developing solution, to remove only the first resin layer 5 on the hole 4 which the second resin layer is not formed, to produce a resin-coated open board 11 (FIG. 5).

本発明に係わる回路基板の製造方法において、第二樹脂層形成条件および孔上の第一樹脂層除去条件を調節することで、図7のように、孔の内壁から距離Lに相当する部分の第一樹脂層を除去することができる。 In the method for manufacturing a circuit board according to the present invention, by adjusting the first resin layer removing conditions on the second resin layer forming conditions and the hole, as shown in FIG. 7, the portion corresponding from the inner wall of the hole a distance L it can be removed first resin layer. また、図11のごとく、均一なランド幅を形成することが可能である。 Further, as in FIG. 11, it is possible to form a uniform land width.

本発明に係わる回路基板製造方法に係わる貫通孔または/および非貫通孔を有し、かつ少なくとも表面に導電層を有する絶縁性基板としては、絶縁性基板に導電層を張り合わせた積層板に孔を設けた形態、絶縁性基板に導電層を貼り合わせた積層板に孔を設けた後、めっき処理により孔内部を含む積層板表面に導電層を設けた形態、絶縁性基板に孔を設けた後、めっき処理により孔内部を含む表面に導電層を設けた形態、絶縁性基板に孔を設けた後、種々のコーティング手段によって孔内壁を含む表面に導電層を設けた形態等を使用することができる。 Has a through hole and / or blind holes according to the method for manufacturing a circuit board according to the present invention, and as the insulating substrate having a conductive layer at least on the surface, the pores in the laminate by laminating the conductive layer on an insulating substrate provided form, after providing a hole in the laminate by bonding a conductive layer on an insulating substrate, embodiments provided with a conductive layer on the laminate surface including the inner hole by plating after providing a hole in the insulating substrate , forms in which a conductive layer on the surface including the inner hole by plating after providing a hole in the insulating substrate, the use of the form provided a conductive layer on the surface including the hole inner walls by a variety of coating means it can. 絶縁性基板としては、紙基材フェノール樹脂やガラス基材エポキシ樹脂の基板、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、液晶高分子フィルム等を使用することができる。 As the insulating substrate, it may be used a substrate of paper base phenolic resin or glass base epoxy resin, a polyester film, a polyimide film, a liquid crystal polymer film or the like. 導電層としては、銅、銀、金、アルミニウム、ステンレス、42アロイ、ニクロム、タングステン、ITO、導電性高分子、各種金属錯体等を使用することができる。 The conductive layer may be used copper, silver, gold, aluminum, stainless steel, 42-alloy, nichrome, tungsten, ITO, conductive polymers, a variety of metal complexes. これらの例は「プリント回路技術便覧」(社団法人日本プリント回路工業会編、1987刊行、日刊工業新聞社刊)に記載されている。 These examples are described in the "printed circuit technology Handbook" (Japan printed circuit Industry Association, ed., 1987 publication, published by Nikkan Kogyo Shimbun, Ltd.).

第一樹脂層を表面導電層に貼り付ける方法は、ムラや波打ちを生じさせることなく、貼り付け面に空気やゴミを混入することなく、設けることができれば、何れの方法であっても良い。 How to paste a first resin layer on the surface conductive layer, without causing unevenness or waviness, without the incorporation of air or dust in the bonding surface, if it is possible to provide, it may be any method. 例えば、プリント基板用の熱ゴムロールを圧力で押し当ててラミネートする装置を用いる。 For example, using an apparatus for laminating by pressing at a pressure thermal rubber roll for printed circuit board.

第一樹脂層を貼り付けた後、キャリアーフィルムを剥離する。 After pasting the first resin layer is peeled off carrier film. この際、剥離帯電が生じ、第一樹脂層表面が不均一に帯電する場合がある。 At this time, the peeling electrification occurs, there is a case where the first resin layer surface is non-uniformly charged. この帯電むらが発生すると、第二樹脂が帯電むらに沿って電着塗布されるため、帯電の除去もしくは均一にする必要がある。 When the uneven charging occurs, since the second resin is electrodeposition coated along the uneven charging, it is necessary to remove or uniform charge. 例えば、イオンブロアーを吹き付ける方法、50℃以上で加熱処理(アニーリング)する方法、水蒸気または水を拭きつける方法等が挙げられる。 For example, a method of spraying the ion blower, a method of heat treatment (annealing) at 50 ° C. or higher, a method, and the like to give wiping water vapor or water.

第一樹脂層表面を一様に帯電させる方法は、従来からコロトロン方式及びスコロトロン方式等の非接触帯電方法、また導電ロール帯電等の接触帯電方法が知られており何れの方式を採用しても良い。 The method for uniformly charging the first resin layer surface, employing a non-contact charging method also any method known contact charging method of the conductive roll charging or the like, such as corotron and scorotron conventional good.

第一樹脂層用現像液とは、第一樹脂層を溶解する溶液であり、使用する第一樹脂層の組成に見合った現像液を用いる。 The first resin layer developing solution, a solution that dissolves the first resin layer, using a developing solution commensurate with the composition of the first resin layer to be used. 現像液によって、孔上の第一樹脂層を除去し、孔上のみを開口する。 With a developer to remove the first resin layer on the hole, opening only on hole. 第一樹脂層用現像液は、第二樹脂層が不溶性であるか、または、多少第二樹脂層を溶解する条件であっても、第一樹脂層を膜厚分だけ溶解する条件(つまり、開口部を形成する工程において、第二樹脂層が膨潤および形状の変化が発生しない条件)のある液であればいずれであってもよい。 The first resin layer developing solution, or the second resin layer is insoluble, or even conditions somewhat dissolving the second resin layer, the conditions for dissolving the first resin layer by the thickness of (i.e., in the step of forming the opening, the second resin layer may be any as long as a liquid with a condition) changes in swelling and shape does not occur. 第一樹脂層にアルカリ可溶性の樹脂を用いた場合には、アルカリ水溶液が有用に使用され、例えば、ケイ酸アルカリ金属塩、アルカリ金属水酸化物、リン酸および炭酸アルカリ金属塩、リン酸および炭酸アンモニウム塩等の無機塩基性化合物の水溶液、エタノールアミン類、エチレンジアミン、プロパンジアミン類、トリエチレンテトラミン、モルホリン等の有機塩基性化合物等を用いることができる。 In the case of using the resin alkali-soluble in the first resin layer, the alkaline aqueous solution is usefully employed, for example, alkali metal silicates, alkali metal hydroxides, phosphoric acid and alkali metal carbonate, phosphate, and carbonate an aqueous solution of an inorganic basic compounds such as ammonium salts, ethanolamines, ethylenediamine, propane diamines, can be used triethylenetetramine, organic basic compounds such as morpholine. これら水溶液は、第二樹脂層の溶解性を制御するため、濃度、温度、スプレー圧等を調整する必要がある。 These aqueous solutions, in order to control the solubility of the second resin layer, it is necessary to adjust the concentration, temperature, the spray pressure or the like. 現像液によって開口した後には、水洗や酸処理によって現像の進行を停止する。 After opening with a developer stops the progress of development by water washing or acid treatment.

本発明に係わる第二樹脂層は、第一樹脂層用現像液に対して不溶性または難溶性であり、電着法に使用可能な樹脂であればいずれであってもよい。 The second resin layer according to the present invention is insoluble or sparingly soluble in the first resin layer developing solution may be any as long as it is a resin which can be used in electrodeposition. 第二樹脂層は、第二樹脂層に用いられる樹脂を粒子状態で、液体に分散させた液を使用する。 The second resin layer, the resin used in the second resin layer in a particle state, to use a liquid dispersed in a liquid. 粒子は、正または負に帯電している。 Particles are positively or negatively charged. 液体としては、水や電気絶縁性液体を使用することができる。 The liquid, water can be used or an electric insulating liquid. 水を使用した場合、第二樹脂層は、適当な酸価を有する高分子を主成分とし、有機アミン等で中和されて、水中において帯電したコロイド粒子を形成する。 When water is used, the second resin layer, as a main component a polymer having a proper acid value, is neutralized with an organic amine or the like to form a charged colloidal particles in water. 電気絶縁性液体を使用した場合、アクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリビニルブチラールの様なビニルアセタール樹脂、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびその塩化物、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンイソフタレート等のポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル変性アルキッド樹脂、ゼラチン、カルボキシメチルセルロース等のセルロースエステル誘導体等の樹脂が粒子状態で、電気絶縁性液体中に分散されている。 When using an electrically insulating liquid, acrylic resins, vinyl acetate resins, vinyl chloride resins, vinylidene chloride resins, such polyvinyl acetal resin of polyvinyl butyral, polystyrene, polyethylene, polypropylene and their chlorides, polyethylene terephthalate and polyethylene isophthalate, etc. polyester resins, polyamide resins, vinyl-modified alkyd resins, gelatin, a resin particle state and cellulose ester derivatives such as carboxymethyl cellulose, are dispersed in an electrically insulating liquid. 粒子には電荷制御剤を含有させることができ、その荷電は、第二樹脂層形成時のバイアス電圧の正負に応じて正、負を使い分ける必要がある。 Can contain a charge control agent to the particles, the charge has to use both positive and negative depending on the sign of the bias voltage at the time of the second resin layer formed. このような電気絶縁性液体中に第二樹脂層形成用樹脂を分散させた液としては、電子写真用湿式トナーを好適に用いることができる。 As the liquid obtained by dispersing the second resin layer forming resin such the electrically insulating liquid can be suitably used a liquid toner for electrophotography.

第二樹脂層は、第一樹脂層を貼り付けた回路形成用基板に対向するように現像電極を設置し、該回路形成用基板と現像電極との間に、液体中に帯電した樹脂粒子を分散させた液を充填し、回路形成用基板の導電層を接地して、適正なバイアス電圧を印加することで形成することができる。 The second resin layer, the developer electrode so as to face the circuit-forming substrate stuck on the first resin layer was placed, between the substrate for the circuit formation and the development electrode, the charged resin particles in a liquid was dispersed liquid filling, by grounding the conductive layer of the circuit-forming board, it may be formed by applying a proper bias voltage. 例えば、特開2004−163605号公報、特開2002−132049号公報等に記載の現像装置を用いることができる。 For example, it is possible to use a developing device described in JP 2004-163605, JP 2002-132049 Patent Publication. 第二樹脂層の膜厚は、樹脂粒子の電荷および印加電圧、搬送速度、樹脂粒子分散液供給量を制御することで決定することができる。 Thickness of the second resin layer can be determined by controlling the charge and applied voltage of the resin particles, the conveying speed, the resin particle dispersion supply. 電着法によって付着した樹脂粒子は、加熱、圧力、光、溶剤等によって、第一樹脂層上に定着されて、第二樹脂層となる。 Resin particles deposited by electrodeposition method, heat, pressure, light, by a solvent or the like, is fixed on the first resin layer, a second resin layer. この第二樹脂層をレジスト層として、第一樹脂層用現像液で、孔上の第一樹脂層を除去する。 The second resin layer as a resist layer, a first resin layer for the developer to remove the first resin layer on the hole.

本発明に係わる重量平均分子量の測定方法は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)に、カラムKF−805L(shodex社)を装着した装置を用いて、試料をテトラヒドロフランに0.1質量%の濃度で溶解し、温度40℃において、フロー速度1.0ml/minにて行った。 Measurement method of weight average molecular weight according to the present invention, the gel permeation chromatography (GPC), using an apparatus equipped with a column KF-805L (shodex Co.), at a concentration of 0.1 wt% of the sample in tetrahydrofuran dissolved, at a temperature 40 ° C., it was carried out by flow rate 1.0 ml / min. ポリスチレン標準試料により検量線を作成し、換算値とした。 The polystyrene standard sample to prepare a calibration curve, and the converted value.

以下実施例によって本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。 It is described hereinafter examples of the present invention in more detail, but the present invention is not limited to this embodiment.

アルカリ可溶性樹脂の合成 Synthesis of the alkali-soluble resin
攪拌機、温度計、還流冷却管、滴下漏斗を備えた4ツ口フラスコ内で、1−メトキシ−2−プロパノール(日本乳化剤社製)402質量部、メタクリル酸メチル126.7質量部およびメタクリル酸41.6質量部およびアクリル酸ブチル29.7質量部を混合し、窒素置換した後、80℃に加熱し、2,2′−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)13.9質量部添加し、ラジカル重合を行った。 Stirrer, thermometer, reflux condenser, in a four-necked flask provided with a dropping funnel, 1-methoxy-2-propanol (Nippon Emulsifier Co., Ltd.) 402 parts by weight of methyl methacrylate 126.7 parts by mass of methacrylic acid 41 .6 parts by mass of a mixture of 29.7 parts by weight of butyl acrylate. after purging with nitrogen, and heated to 80 ° C., 2,2'-azobis (2-methylbutyronitrile) was added 13.9 parts by weight, the radical polymerization was carried out. 2時間後、2,2′−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)0.48質量部、1,1′−アゾビス(シクロヘキサン−1−カルボニトリル)0.48質量部を添加した。 After 2 hours, 2,2'-azobis (2-methylbutyronitrile) 0.48 parts by mass, 1,1'-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile) was added 0.48 parts by weight. 更に、4時間後1,1′−アゾビス(シクロヘキサン−1−カルボニトリル)0.24質量部を追加し、温度を85℃として、7時間加熱し反応を終了させ、濃度33重量%の重合体Aを得た。 Furthermore, after 4 hours 1,1'-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile) 0.24 parts by weight were added and the temperature of 85 ° C., then heated for 7 hours to complete the reaction, concentration of 33% by weight of the polymer It was obtained a. カラムKF−805L、溶剤THF、フロー速度1.0ml/min、カラム温度40℃の条件にてGPCを測定したところスチレン換算における重量平均分子量Mw=5500であった。 Column KF-805L, solvent THF, and a weight average molecular weight Mw = 5500 in terms of styrene was measured by GPC at flow rate of 1.0 ml / min, column temperature 40 ° C. conditions.

アルカリ可溶性樹脂の合成 Synthesis of the alkali-soluble resin
攪拌機、温度計、還流冷却管、滴下漏斗を備えた4ツ口フラスコ内で、1−メトキシ−2−プロパノール(日本乳化剤社製)402質量部、メタクリル酸メチル126.7質量部およびメタクリル酸41.6質量部およびアクリル酸ブチル29.7質量部を混合し、窒素置換した後、80℃に加熱し、2,2′−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)10質量部添加し、ラジカル重合を行った。 Stirrer, thermometer, reflux condenser, in a four-necked flask provided with a dropping funnel, 1-methoxy-2-propanol (Nippon Emulsifier Co., Ltd.) 402 parts by weight of methyl methacrylate 126.7 parts by mass of methacrylic acid 41 .6 parts by mass of a mixture of 29.7 parts by weight of butyl acrylate. after purging with nitrogen, and heated to 80 ° C., 2,2'-azobis (2-methylbutyronitrile) was added 10 parts by weight, the radical polymerization It was carried out. 2時間後、2,2′−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)0.48質量部、1,1′−アゾビス(シクロヘキサン−1−カルボニトリル)0.48質量部を添加した。 After 2 hours, 2,2'-azobis (2-methylbutyronitrile) 0.48 parts by mass, 1,1'-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile) was added 0.48 parts by weight. 更に、4時間後1,1′−アゾビス(シクロヘキサン−1−カルボニトリル)0.24質量部を追加し、温度を85℃として、7時間加熱し反応を終了させ、濃度33重量%の重合体Bを得た。 Furthermore, after 4 hours 1,1'-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile) 0.24 parts by weight were added and the temperature of 85 ° C., then heated for 7 hours to complete the reaction, concentration of 33% by weight of the polymer It was obtained B. カラムKF−805L、溶剤THF、フロー速度1.0ml/min、カラム温度40℃の条件にてGPCを測定したところスチレン換算における重量平均分子量Mw=10500であった。 Column KF-805L, solvent THF, and a weight average molecular weight Mw = 10500 in terms of styrene was measured by GPC at flow rate of 1.0 ml / min, column temperature 40 ° C. conditions.

アルカリ可溶性樹脂の合成 Synthesis of the alkali-soluble resin
攪拌機、温度計、還流冷却管、滴下漏斗を備えた4ツ口フラスコ内で、1−メトキシ−2−プロパノール(日本乳化剤社製)402質量部、メタクリル酸メチル126.7質量部およびメタクリル酸41.6質量部およびアクリル酸ブチル29.7質量部を混合し、窒素置換した後、80℃に加熱し、2,2′−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)6.0質量部添加し、ラジカル重合を行った。 Stirrer, thermometer, reflux condenser, in a four-necked flask provided with a dropping funnel, 1-methoxy-2-propanol (Nippon Emulsifier Co., Ltd.) 402 parts by weight of methyl methacrylate 126.7 parts by mass of methacrylic acid 41 .6 parts by mass of a mixture of 29.7 parts by weight of butyl acrylate. after purging with nitrogen, and heated to 80 ° C., 2,2'-azobis (2-methylbutyronitrile) was added 6.0 parts by weight, the radical polymerization was carried out. 2時間後、2,2′−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)0.48質量部、1,1′−アゾビス(シクロヘキサン−1−カルボニトリル)0.48質量部を添加した。 After 2 hours, 2,2'-azobis (2-methylbutyronitrile) 0.48 parts by mass, 1,1'-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile) was added 0.48 parts by weight. 更に、4時間後1,1′−アゾビス(シクロヘキサン−1−カルボニトリル)0.24質量部を追加し、温度を85℃として、7時間加熱し反応を終了させ、濃度33重量%の重合体Cを得た。 Furthermore, after 4 hours 1,1'-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile) 0.24 parts by weight were added and the temperature of 85 ° C., then heated for 7 hours to complete the reaction, concentration of 33% by weight of the polymer to obtain a C. カラムKF−805L、溶剤THF、フロー速度1.0ml/min、カラム温度40℃の条件にてGPCを測定したところスチレン換算における重量平均分子量Mw=28000であった。 Column KF-805L, solvent THF, and a weight average molecular weight Mw = 28000 in terms of styrene was measured by GPC at flow rate of 1.0 ml / min, column temperature 40 ° C. conditions.

アルカリ可溶性樹脂の合成 Synthesis of the alkali-soluble resin
攪拌機、温度計、還流冷却管、滴下漏斗を備えた4ツ口フラスコ内で、1−メトキシ−2−プロパノール(日本乳化剤社製)402質量部、メタクリル酸メチル126.7質量部およびメタクリル酸41.6質量部およびアクリル酸ブチル29.7質量部を混合し、窒素置換した後、80℃に加熱し、2,2′−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)4.0質量部添加し、ラジカル重合を行った。 Stirrer, thermometer, reflux condenser, in a four-necked flask provided with a dropping funnel, 1-methoxy-2-propanol (Nippon Emulsifier Co., Ltd.) 402 parts by weight of methyl methacrylate 126.7 parts by mass of methacrylic acid 41 .6 parts by mass of a mixture of 29.7 parts by weight of butyl acrylate. after purging with nitrogen, and heated to 80 ° C., 2,2'-azobis (2-methylbutyronitrile) 4.0 parts by mass of, the radical polymerization was carried out. 2時間後、2,2′−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)0.48質量部、1,1′−アゾビス(シクロヘキサン−1−カルボニトリル)0.48質量部を添加した。 After 2 hours, 2,2'-azobis (2-methylbutyronitrile) 0.48 parts by mass, 1,1'-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile) was added 0.48 parts by weight. 更に、4時間後1,1′−アゾビス(シクロヘキサン−1−カルボニトリル)0.24質量部を追加し、温度を85℃として、7時間加熱し反応を終了させ、濃度33重量%の重合体Dを得た。 Furthermore, after 4 hours 1,1'-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile) 0.24 parts by weight were added and the temperature of 85 ° C., then heated for 7 hours to complete the reaction, concentration of 33% by weight of the polymer to obtain a D. カラムKF−805L、溶剤THF、フロー速度1.0ml/min、カラム温度40℃の条件にてGPCを測定したところスチレン換算における重量平均分子量Mw=34000であった。 Column KF-805L, solvent THF, and a weight average molecular weight Mw = 34000 in terms of styrene was measured by GPC at flow rate of 1.0 ml / min, column temperature 40 ° C. conditions.

アルカリ可溶性樹脂の合成 Synthesis of the alkali-soluble resin
攪拌機、温度計、還流冷却管、を備えた4ツ口フラスコ内で、1−メトキシ−2−プロパノール(日本乳化剤社製)402質量部、メタクリル酸メチル126.7質量部およびメタクリル酸41.6質量部およびアクリル酸ブチル29.7質量部を混合し、窒素置換した後、80℃に加熱し、2,2′−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)3.0質量部添加し、ラジカル重合を行った。 Stirrer, thermometer, reflux condenser, in a four-necked flask equipped with a 1-methoxy-2-propanol (manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.) 402 parts by weight, methyl methacrylate 126.7 parts by mass of methacrylic acid 41.6 parts by mass of a mixture of 29.7 parts by weight of butyl acrylate. after purging with nitrogen, and heated to 80 ° C., 2,2'-azobis (2-methylbutyronitrile) was added 3.0 part by weight, the radical polymerization It was carried out. 2時間後、2,2′−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)0.48質量部、1,1′−アゾビス(シクロヘキサン−1−カルボニトリル)0.48質量部を添加した。 After 2 hours, 2,2'-azobis (2-methylbutyronitrile) 0.48 parts by mass, 1,1'-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile) was added 0.48 parts by weight. 更に、4時間後1,1′−アゾビス(シクロヘキサン−1−カルボニトリル)0.24質量部を追加し、温度を85℃として、7時間加熱し反応を終了させ、濃度33重量%の重合体Eを得た。 Furthermore, after 4 hours 1,1'-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile) 0.24 parts by weight were added and the temperature of 85 ° C., then heated for 7 hours to complete the reaction, concentration of 33% by weight of the polymer It was obtained E. カラムKF−805L、溶剤THF、フロー速度1.0ml/min、カラム温度40℃の条件にてGPCを測定したところスチレン換算における重量平均分子量Mw=44000であった。 Column KF-805L, solvent THF, and a weight average molecular weight Mw = 44000 in terms of styrene was measured by GPC at flow rate of 1.0 ml / min, column temperature 40 ° C. conditions.

光架橋性樹脂組成物の調製およびドライフィルムフォトレジストの製造 Production of the preparation and the dry film photoresist photocrosslinkable resin composition
表1に示す組成分のうち(A)アルカリ可溶性樹脂に上記で作製した重合体A〜Eをそれぞれ単独で使用し、5種類の光架橋性樹脂組成物溶液を得た。 Among the compositions fraction shown in Table 1 (A) polymer A~E prepared above in the alkali-soluble resin, respectively used alone, give a five photocrosslinkable resin composition solution.

キャリアーフィルムである25μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルム(三菱化学ポリエステルフィルム(株)製、R310)に、該溶液を均一に塗布し、乾燥させて、光架橋性樹脂層を設け、その上に保護フィルム(タマポリ(株)製、GF106)を貼り合わせ、ドライフィルムフォトレジスト(乾燥膜厚;25μm)を得た。 Polyethylene terephthalate film of 25μm thickness is carrier film (manufactured by Mitsubishi Polyester Film (Ltd.), R310), the solution was uniformly applied and dried, a photo-crosslinkable resin layer is provided, a protective film thereon ( Tamapoly Co., bonded to GF106), dry film photoresist (dry thickness: to obtain a 25 [mu] m). 重合体Aを用いたものはドライフィルムフォトレジストA、重合体Bを用いたものはドライフィルムフォトレジストB、重合体Cを用いたものはドライフィルムフォトレジストC、重合体Dを用いたものはドライフィルムフォトレジストD、重合体Eを用いたものはドライフィルムフォトレジストEとした。 Those using polymer A dry film photoresist A, the dry film photoresist B is one using a polymer B, those using polymer C dry film photoresist C, those using polymer D is dry film photoresist D, one using the polymer E was a dry film photoresist E.

得られたドライフィルムフォトレジストを、耐熱シリコンゴムライニング表面処理されたラミネートロールを備えたドライフィルム用ラミネーターを用いて、ロール温度100℃、エアー圧力0.30MPa、ラミネート速度0.30m/min条件下、銅板上にラミネートした。 The resulting dry film photoresist, by using a dry film for laminator having a laminating roll that was processed refractory silicone rubber lining surface, roll temperature 100 ° C., air pressure 0.30 MPa, laminating speed 0.30 m / min under conditions , it was laminated on the copper plate. その後、常温下でポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離し、次いで80℃で1分間加熱した。 Then, separating the polyethylene terephthalate film at room temperature, then heated for 1 minute at 80 ° C..

(樹脂付開口基板の製造) (Manufacture of resin coated open board)
ラミネート laminate
回路形成用基板として、200mm×200mm×0.4mm厚の銅箔12μm厚の銅張積層板を用い、ドリルで150μmの径の貫通孔を複数形成し、無電解銅めっき−電解銅めっき処理(奥野製薬(株)、OPCプロセスM)を実施し、表面および貫通孔内壁に12.5μm厚の銅めっき層を形成した。 As a substrate for circuit formation, using a copper-clad laminate of a copper foil 12μm thick 200 mm × 200 mm × 0.4 mm thickness, the through-holes of diameter of 150μm in the drill forming a plurality, electroless copper plating - electrolytic copper plating treatment ( Okuno pharmaceutical Co., Ltd., was conducted OPC process M), on the surface and inner wall of the through hole to form a copper plating layer of 12.5μm thickness. 次に、耐熱シリコンゴムライニング表面処理されたラミネートロールを備えたドライフィルム用ラミネーターを用いて120℃予熱条件で、ドライフィルムフォトレジストA、B、C、D、およびEを、各々の回路形成用基板にラミネートした。 Next, at 120 ° C. preheating condition by using a dry film for laminator having a laminating roll that was processed refractory silicone rubber lining surface, dry film photoresist A, B, C, D, and E, for each of the circuits formed It was laminated to the substrate. その後、常温下でポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離し、次いで80℃で1分間加熱し、室温に戻した。 Then, separating the polyethylene terephthalate film at room temperature, then heated for 1 minute at 80 ° C., it was returned to room temperature.

第二樹脂層形成 The second resin layer formed
三菱OPCプリンティングシステム用正電荷トナー(三菱製紙(株)製、「ODP−TW」)を用いて、バイアス電圧+200Vを印加して電着を行い、トナーを孔部以外全面に電着させた。 Mitsubishi OPC printing system for positive charge toner (manufactured by Mitsubishi Paper Mills Co., Ltd., "ODP-TW") was used to perform electrodeposition by applying a bias voltage + 200V, it was electrodeposited on the entire surface of the toner other than the hole portion. 続いて70℃で2分間加熱してトナーを定着させ、良好な第二樹脂層を得た。 And followed by heating for 2 minutes at 70 ° C. to fix the toner to obtain a good second resin layer.

樹脂付開口基板の製造および評価 Preparation and evaluation of resin coated open board
第二樹脂層が設けられていない孔上のドライフィルムフォトレジストのみを、1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて、溶出除去することにより、図7で示した樹脂付開口基板を形成した。 Only dry film photoresist on the second resin layer is not provided holes, with 1 wt% sodium carbonate aqueous solution (30 ° C.), by eluting removed, forming a resin coated open board shown in FIG. 7 did. 光架橋性樹脂層除去部の径Lは、約40μmとなった。 Diameter L of photocrosslinkable resin layer removing portion was about 40 [mu] m. また、孔上のドライフィルムフォトレジストのみを溶出除去した後、孔周囲の第二樹脂層のエッジは、ドライフィルムフォトレジストA、B、C、DおよびEすべてにおいて良好な形状に保持されていた。 Also, after only the elution removed the dry film photoresist on the hole, the edge of the second resin layer around the hole, the dry film photoresist A, B, C, held in a good shape in all D and E . また、導電層上の光架橋性樹脂層上表面を顕微鏡により観察したが、ドライフィルムフォトレジストA、B、C、DおよびEの何れにおいてもピンホールが発生していなかった。 Although the photo-crosslinkable resin layer on the surface of the conductive layer was observed by a microscope, the dry film photoresist A, B, C, pinholes in either D and E did not occur.

(サブトラクティブ法による回路基板の製造) (Manufacture of the circuit board by the subtractive method)
第三樹脂層の形成 Forming the third resin layer
実施例7で得られた樹脂付開口基板に対して、以下の処理を行った。 The resin with openings substrate obtained in Example 7 were subjected to the following process. コロナ帯電機を用いて光架橋性樹脂層を一様に+200Vに帯電し、アクリル樹脂性エマルジョン(特開2002−296847の実施例1記載のトナー)を用いて、バイアス電圧+100Vを印加して反転現像を行い、トナーを露出している電解銅めっき層上に電着させ、70℃で2分間加熱してトナーを定着させて、良好な第三樹脂層を得た。 Using a corona charging device charged uniformly + 200V photocrosslinkable resin layer, using an acrylic resin emulsion (toner of Example 1 described in JP 2002-296847), inverted by applying a bias voltage + 100 V and developed, is electrodeposited on the electrolytic copper plating layer exposed toner, 70 and heated for 2 minutes to fix the toner ° C., to obtain a good third resin layer.

回路パターンの形成 The formation of the circuit pattern
続いて、回路パターンを描画したフォトマスク(導体幅および間隙:50μm)を載せ、吸引密着機構を有する焼付用高圧水銀灯光源装置(ユニレックURM300、ウシオ電機製)を用い、30秒間紫外線露光を行った。 Subsequently, the circuit pattern photomask drawing a (conductor width and clearance: 50 [mu] m) loaded with a high-pressure mercury lamp light source device for baking having a suction adhesion mechanism (Yunirekku URM300, manufactured by Ushio) was performed using UV exposure for 30 seconds . さらに、基板を反転して、逆面のドライフィルムフォトレジスト層に対しても同様に露光を行い、回路パターンの架橋部を形成した。 Furthermore, by reversing the substrate, the same exposure with respect to the dry film photoresist layer opposite surfaces, forming a bridging portion of the circuit pattern.

該露光処理が終了した基板に対し、第二樹脂層および未硬化のドライフィルムフォトレジスト層を、キシレンおよび1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて溶出除去し、架橋部からなるレジスト回路を形成した。 To the substrate to the exposure process is completed, the second resin layer and the uncured dry film photoresist layer, xylene and 1 wt% sodium carbonate aqueous solution (30 ° C.) and eluted removed using a resist circuit comprising a crosslinked portion It was formed. 次いで、塩化第二鉄系のエッチング液(40℃、スプレー圧 3.0kg/cm )で処理し、露出している電解銅めっき層とその下の無電解銅めっき層および銅張積層板の銅層を除去した。 Then, the ferric chloride type etching solution (40 ° C., spray pressure 3.0 kg / cm 2) was treated with an exposed portion of the electrolytic copper plating layer and the electroless copper plating layer and copper-clad laminate underneath a copper layer was removed. エッチングレジストとして使用したドライフィルムフォトレジスト層の架橋部および第三樹脂層を3質量%水酸化ナトリウム水溶液(40℃)およびメチルエチルケトンで除去し、回路基板を得た。 Removing the bridge portion of the dry film photoresist layer and the third resin layer used as the etching resist 3 wt% aqueous sodium hydroxide (40 ° C.) and with methyl ethyl ketone to obtain a circuit board. 得られた回路基板を顕微鏡観察したところ、ランド径が30μmで、全ての基板において、スルーホールとランドの位置ずれが無いランドレススルーホールが形成されていることを確認した。 When the obtained circuit board was microscopically observed, the land diameter of 30 [mu] m, in all of the substrate, it was confirmed that the through-hole and landless through-hole is not positional deviation of the lands are formed.

(樹脂付開口基板の製造) (Manufacture of resin coated open board)
ラミネート laminate
回路形成用基板として、340mm×510mm×0.1mm厚のガラス基材エポキシ樹脂基板に、ドリルで150μm径の貫通孔を複数形成した後、デスミア処理を施し、次いで無電解めっき処理を行い、貫通孔内部を含む表面に厚さ約0.5μmの無電解銅めっき層を設けた。 As a substrate for circuit formation, the glass base epoxy resin board of 340 mm × 510 mm × 0.1 mm thick, after forming a plurality of through-holes of 150μm diameter drill, subjected to desmear treatment and then subjected to an electroless plating process, through It provided an electroless copper plating layer having a thickness of about 0.5μm on the surface including the inside hole. 次に、耐熱シリコンゴムライニング表面処理されたラミネートロールを備えたドライフィルム用ラミネーターを用いて120℃予熱条件で、ドライフィルムフォトレジストA、B、C、DおよびEを、各々の回路形成用基板にラミネートした。 Next, at 120 ° C. preheating condition by using a dry film for laminator having a laminating roll that was processed refractory silicone rubber lining surface, dry film photoresist A, B, C, D and E, each of the circuit-forming board It was laminated to. その後、常温下でポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離し、次いで80℃で1分間加熱し、室温に戻した。 Then, separating the polyethylene terephthalate film at room temperature, then heated for 1 minute at 80 ° C., it was returned to room temperature.

第二樹脂層形成 The second resin layer formed
三菱OPCプリンティングシステム用正電荷トナー(三菱製紙(株)製、「ODP−TW」)を用いて、バイアス電圧+200Vを印加して電着を行い、トナーを孔部以外全面に電着させた。 Mitsubishi OPC printing system for positive charge toner (manufactured by Mitsubishi Paper Mills Co., Ltd., "ODP-TW") was used to perform electrodeposition by applying a bias voltage + 200V, it was electrodeposited on the entire surface of the toner other than the hole portion. 続いて70℃で2分間加熱してトナーを定着させ、良好な第二樹脂層を得た。 And followed by heating for 2 minutes at 70 ° C. to fix the toner to obtain a good second resin layer.

樹脂付開口基板の製造および評価 Preparation and evaluation of resin coated open board
第二樹脂層が設けられていない孔上のドライフィルムフォトレジストのみを、1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて、溶出除去することにより、図7で示した樹脂付開口基板を形成した。 Only dry film photoresist on the second resin layer is not provided holes, with 1 wt% sodium carbonate aqueous solution (30 ° C.), by eluting removed, forming a resin coated open board shown in FIG. 7 did. 光架橋性樹脂層除去部の径Lは20μmとなった。 Diameter L of photocrosslinkable resin layer removing portion became 20 [mu] m. また、孔上のドライフィルムフォトレジストのみを溶出除去した後、孔周囲の第二樹脂層のエッジは、ドライフィルムフォトレジストA、B、C、DおよびEすべてにおいて良好な形状に保持されていた。 Also, after only the elution removed the dry film photoresist on the hole, the edge of the second resin layer around the hole, the dry film photoresist A, B, C, held in a good shape in all D and E . また、導電層上の光架橋性樹脂層上表面を顕微鏡により観察したが、ドライフィルムフォトレジストA、B、C、DおよびEの何れにおいてもピンホールが発生していなかった。 Although the photo-crosslinkable resin layer on the surface of the conductive layer was observed by a microscope, the dry film photoresist A, B, C, pinholes in either D and E did not occur.

(セミアディティブ法による回路基板の製造) (Manufacture of the circuit board by semi-additive method)
実施例9で得られた樹脂付開口基板に対して、以下の処理を行った。 The resin with open board obtained in Example 9 were subjected to the following process. 回路パターンを描画したフォトマスク(導体幅および間隙:50μm)を載せ、吸引密着機構を有する焼付用高圧水銀灯光源装置(ユニレックURM300、ウシオ電機製)を用い、30秒間紫外線露光を行った。 Circuit pattern photomask drawing a (conductor width and clearance: 50 [mu] m) loaded with a high-pressure mercury lamp light source device for baking having a suction adhesion mechanism (Yunirekku URM300, manufactured by Ushio) was performed using UV exposure for 30 seconds. さらに、基板を反転して、逆面のドライフィルムフォトレジスト層に対しても同様に露光を行い、回路パターンの架橋部を形成した。 Furthermore, by reversing the substrate, the same exposure with respect to the dry film photoresist layer opposite surfaces, forming a bridging portion of the circuit pattern.

次いで、露光処理が終了した基板に対し、キシレンおよび1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて、第二樹脂層および未反応の光架橋性樹脂層を溶出除去し、回路形成部に相当する無電解銅めっき層を露出させた。 Then, to the substrate to the exposure process is completed, xylene and 1 wt% sodium carbonate aqueous solution (30 ° C.) was used to elute removed photocrosslinkable resin layer of the second resin layer and unreacted, equivalent to a circuit formation portion to expose the electroless copper plating layer. 次いで、電解銅めっきを行って、無電解銅めっき層上に厚さ約12μmの電解銅めっき層を、第二導電層として形成した。 Then, by performing electrolytic copper plating, the electrolytic copper plating layer having a thickness of about 12μm in an electroless copper plating layer was formed as the second conductive layer. 続いて、水酸化ナトリウム水溶液で処理し、レジスト層として使用した光架橋性樹脂の架橋部を剥離除去した。 Then, treated with sodium hydroxide solution, it was peeled off bridge portion of the photo-crosslinkable resin used as a resist layer.

さらに、硫酸−過酸化水素系のエッチング液(30℃、スプレー圧 2.0kg/cm )で処理し、露出している無電解銅めっき層を除去した。 Further, sulfuric acid - etching solution hydrogen peroxide (30 ° C., spray pressure 2.0 kg / cm 2) and allowed to remove the electroless copper plating layer exposed. 得られた回路基板を顕微鏡で観察したところ、ランド径が15μmで、全ての基板において、スルーホールとランドの位置ずれが無いランドレススルーホールが形成されていることを確認した。 The obtained circuit board was observed with a microscope, the land diameter of 15 [mu] m, in all of the substrate, it was confirmed that the through-hole and landless through-hole is not positional deviation of the lands are formed.

(比較例1) (Comparative Example 1)
アルカリ可溶性樹脂の合成 Synthesis of the alkali-soluble resin
攪拌機、温度計、還流冷却管、滴下漏斗を備えた4ツ口フラスコ内で、1−メトキシ−2−プロパノール(日本乳化剤社製)402質量部、メタクリル酸メチル126.7質量部およびメタクリル酸41.6質量部およびアクリル酸ブチル29.7質量部を混合し、窒素置換した後、90℃に加熱し、2,2′−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)15.8質量部添加し、ラジカル重合を行った。 Stirrer, thermometer, reflux condenser, in a four-necked flask provided with a dropping funnel, 1-methoxy-2-propanol (Nippon Emulsifier Co., Ltd.) 402 parts by weight of methyl methacrylate 126.7 parts by mass of methacrylic acid 41 .6 parts by mass of a mixture of 29.7 parts by weight of butyl acrylate. after purging with nitrogen, and heated to 90 ° C., 2,2'-azobis (2-methylbutyronitrile) was added 15.8 parts by weight, the radical polymerization was carried out. 2時間後、2,2′−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)0.48質量部、1,1′−アゾビス(シクロヘキサン−1−カルボニトリル)0.48質量部を添加した。 After 2 hours, 2,2'-azobis (2-methylbutyronitrile) 0.48 parts by mass, 1,1'-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile) was added 0.48 parts by weight. 更に、4時間後1,1′−アゾビス(シクロヘキサン−1−カルボニトリル)0.24質量部を追加し、7時間加熱し反応を終了させ、濃度33重量%の重合体Fを得た。 Furthermore, by adding 0.24 parts by weight after 4 hours 1,1'-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile), and heated for 7 hours to complete the reaction to obtain a polymer F of concentration 33% by weight. カラムKF−805L、溶剤THF、フロー速度1.0ml/min、カラム温度40℃の条件にてGPCを測定したところスチレン換算における重量平均分子量Mw=4000であった。 Column KF-805L, solvent THF, and a weight average molecular weight Mw = 4000 in terms of styrene was measured by GPC at flow rate of 1.0 ml / min, column temperature 40 ° C. conditions.

(比較例2) (Comparative Example 2)
アルカリ可溶性樹脂の合成 Synthesis of the alkali-soluble resin
攪拌機、温度計、還流冷却管、滴下漏斗を備えた4ツ口フラスコ内で、1−メトキシ−2−プロパノール(日本乳化剤社製)402質量部、メタクリル酸メチル126.7質量部およびメタクリル酸41.6質量部およびアクリル酸ブチル29.7質量部を混合し、窒素置換した後、80℃に加熱し、2,2′−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)2.0質量部添加し、ラジカル重合を行った。 Stirrer, thermometer, reflux condenser, in a four-necked flask provided with a dropping funnel, 1-methoxy-2-propanol (Nippon Emulsifier Co., Ltd.) 402 parts by weight of methyl methacrylate 126.7 parts by mass of methacrylic acid 41 .6 parts by mass of a mixture of 29.7 parts by weight of butyl acrylate. after purging with nitrogen, and heated to 80 ° C., 2,2'-azobis (2-methylbutyronitrile) 2.0 parts by mass of, the radical polymerization was carried out. 2時間後、2,2′−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)0.48質量部、1,1′−アゾビス(シクロヘキサン−1−カルボニトリル)0.48質量部を添加した。 After 2 hours, 2,2'-azobis (2-methylbutyronitrile) 0.48 parts by mass, 1,1'-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile) was added 0.48 parts by weight. 更に、4時間後1,1′−アゾビス(シクロヘキサン−1−カルボニトリル)0.24質量部を追加し、温度を85℃として、7時間加熱し反応を終了させ、濃度33重量%の重合体Gを得た。 Furthermore, after 4 hours 1,1'-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile) 0.24 parts by weight were added and the temperature of 85 ° C., then heated for 7 hours to complete the reaction, concentration of 33% by weight of the polymer to obtain a G. カラムKF−805L、溶剤THF、フロー速度1.0ml/min、カラム温度40℃の条件にてGPCを測定したところスチレン換算における重量平均分子量Mw=58000であった。 Column KF-805L, solvent THF, and a weight average molecular weight Mw = 58000 in terms of styrene was measured by GPC at flow rate of 1.0 ml / min, column temperature 40 ° C. conditions.

(比較例3) (Comparative Example 3)
アルカリ可溶性樹脂の合成 Synthesis of the alkali-soluble resin
攪拌機、温度計、還流冷却管、滴下漏斗を備えた4ツ口フラスコ内で、1−メトキシ−2−プロパノール(日本乳化剤社製)402質量部、メタクリル酸メチル126.7質量部およびメタクリル酸41.6質量部およびアクリル酸ブチル29.7質量部を混合し、窒素置換した後、80℃に加熱し、2,2′−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)1.0質量部添加し、ラジカル重合を行った。 Stirrer, thermometer, reflux condenser, in a four-necked flask provided with a dropping funnel, 1-methoxy-2-propanol (Nippon Emulsifier Co., Ltd.) 402 parts by weight of methyl methacrylate 126.7 parts by mass of methacrylic acid 41 .6 parts by mass of a mixture of 29.7 parts by weight of butyl acrylate. after purging with nitrogen, and heated to 80 ° C., 2,2'-azobis (2-methylbutyronitrile) was added 1.0 part by weight, the radical polymerization was carried out. 2時間後、2,2′−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)0.48質量部、1,1′−アゾビス(シクロヘキサン−1−カルボニトリル)0.48質量部を添加した。 After 2 hours, 2,2'-azobis (2-methylbutyronitrile) 0.48 parts by mass, 1,1'-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile) was added 0.48 parts by weight. 更に、4時間後1,1′−アゾビス(シクロヘキサン−1−カルボニトリル)0.24質量部を追加し、温度を85℃として、7時間加熱し反応を終了させ、濃度33重量%の重合体Hを得た。 Furthermore, after 4 hours 1,1'-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile) 0.24 parts by weight were added and the temperature of 85 ° C., then heated for 7 hours to complete the reaction, concentration of 33% by weight of the polymer to obtain the H. カラムKF−805L、溶剤THF、フロー速度1.0ml/min、カラム温度40℃の条件にてGPCを測定したところスチレン換算における重量平均分子量Mw=75000であった。 Column KF-805L, solvent THF, and a weight average molecular weight Mw = 75000 in terms of styrene was measured by GPC at flow rate of 1.0 ml / min, column temperature 40 ° C. conditions.

(比較例4) (Comparative Example 4)
光架橋性樹脂組成物の調製およびドライフィルムフォトレジストの製造 Production of the preparation and the dry film photoresist photocrosslinkable resin composition
表1に示す組成分のうち(A)アルカリ可溶性樹脂に上記で作製した重合体F、G、Hをそれぞれ単独で使用し、3種類の光架橋性樹脂組成物溶液を得た。 Among the compositions fraction shown in Table 1 (A) alkali-soluble resin polymer prepared above in F, G, H were each used alone, give a three photocrosslinkable resin composition solution. また、表1に示す組成分のうち(A)アルカリ可溶性樹脂に上記で作製した重合体Aおよび重合体Gを同質量づつブレンドしたブレンド重合体を使用し、1種類の光架橋性樹脂組成物溶液を得た。 Also, among the compositions fraction shown in Table 1 (A) polymer prepared in the above alkali-soluble resin A and polymer G by using a blend polymer was the same mass one by blending, one photocrosslinkable resin composition to obtain a solution.

キャリアーフィルムである25μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルム(三菱化学ポリエステルフィルム(株)製、R310)に、該溶液を均一に塗布し、乾燥させて、光架橋性樹脂層を設け、その上に保護フィルム(タマポリ(株)製、GF106)を貼り合わせ、ドライフィルムフォトレジスト(乾燥膜厚;25μm)を得た。 Polyethylene terephthalate film of 25μm thickness is carrier film (manufactured by Mitsubishi Polyester Film (Ltd.), R310), the solution was uniformly applied and dried, a photo-crosslinkable resin layer is provided, a protective film thereon ( Tamapoly Co., bonded to GF106), dry film photoresist (dry thickness: to obtain a 25 [mu] m). 重合体Fを用いたものはドライフィルムフォトレジストF、重合体Gを用いたものはドライフィルムフォトレジストG、重合体Hを用いたものはドライフィルムフォトレジストH、重合体Aおよび重合体GをブレンドしたものはドライフィルムフォトレジストIとした。 Those using Polymer F is a dry film photoresist F, those using polymer G dry film photoresist G, the polymer H that using the dry film photoresist H, a polymer A and polymer G a blend was dry-film photoresist I.

得られたドライフィルムフォトレジストを、耐熱シリコンゴムライニング表面処理されたラミネートロールを備えたドライフィルム用ラミネーターを用いて、ロール温度100℃、エアー圧力0.30MPa、ラミネート速度0.30m/min条件下、銅板上にラミネートした。 The resulting dry film photoresist, by using a dry film for laminator having a laminating roll that was processed refractory silicone rubber lining surface, roll temperature 100 ° C., air pressure 0.30 MPa, laminating speed 0.30 m / min under conditions , it was laminated on the copper plate. その後、常温下でポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離し、次いで80℃で1分間加熱した。 Then, separating the polyethylene terephthalate film at room temperature, then heated for 1 minute at 80 ° C..

(樹脂付開口基板の製造) (Manufacture of resin coated open board)
ラミネート laminate
回路形成用基板として、200mm×200mm×0.4mm厚の銅箔12μm厚の銅張積層板を用い、ドリルで150μmの径の貫通孔を複数形成し、無電解銅めっき−電解銅めっき処理(奥野製薬(株)、OPCプロセスM)を実施し、表面および貫通孔内壁に12.5μm厚の銅めっき層を形成した。 As a substrate for circuit formation, using a copper-clad laminate of a copper foil 12μm thick 200 mm × 200 mm × 0.4 mm thickness, the through-holes of diameter of 150μm in the drill forming a plurality, electroless copper plating - electrolytic copper plating treatment ( Okuno pharmaceutical Co., Ltd., was conducted OPC process M), on the surface and inner wall of the through hole to form a copper plating layer of 12.5μm thickness. 次に、耐熱シリコンゴムライニング表面処理されたラミネートロールを備えたドライフィルム用ラミネーターを用いて120℃予熱条件で、ドライフィルムフォトレジストF、G、H、およびIを、各々の回路形成用基板にラミネートした。 Next, at 120 ° C. preheating condition by using a dry film for laminator having a laminating roll that was processed refractory silicone rubber lining surface, dry film photoresist F, G, H, and the I, to each of the circuit-forming board It was laminated. その後、常温下でポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離し、次いで80℃で1分間加熱し、室温に戻した。 Then, separating the polyethylene terephthalate film at room temperature, then heated for 1 minute at 80 ° C., it was returned to room temperature.

第二樹脂層形成 The second resin layer formed
三菱OPCプリンティングシステム用正電荷トナー(三菱製紙(株)製、「ODP−TW」)を用いて、バイアス電圧+200Vを印加して電着を行い、トナーを孔部以外全面に電着させた。 Mitsubishi OPC printing system for positive charge toner (manufactured by Mitsubishi Paper Mills Co., Ltd., "ODP-TW") was used to perform electrodeposition by applying a bias voltage + 200V, it was electrodeposited on the entire surface of the toner other than the hole portion. 続いて70℃で2分間加熱してトナーを定着させた。 And followed by heating for 2 minutes at 70 ° C. was to fix the toner.

樹脂付開口基板の製造および評価 Preparation and evaluation of resin coated open board
第二樹脂層が設けられていない孔上のドライフィルムフォトレジストのみを、1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて、溶出除去した。 Only dry film photoresist on the second resin layer is not provided holes, with 1 wt% sodium carbonate aqueous solution (30 ° C.), and eluted removed. ドライフィルムレジストFでは、炭酸ナトリウム水溶液に樹脂全面が溶出され、良好な樹脂付開口基板が作製できなかった。 In the dry film resist F, resin entire surface is eluted in sodium carbonate solution, open board could not be manufactured with good resin. ドライフィルムフォトレジストG、H、Iおいて、導電層上の光架橋性樹脂層上表面を顕微鏡により観察したが、何れにおいても深さ10μm以上のピンホールが発生しており、良好な樹脂付開口基板が作製できなかった。 Dry film photoresist G, H, I Oite, although the photo-crosslinkable resin layer on the surface of the conductive layer was observed by a microscope, pinholes or depth 10μm in both has occurred, good with resin open board could not be prepared. 結果として、回路基板の良好な製造ができなかった。 As a result, we could not favorable in the production of a circuit board.

本発明の光架橋性樹脂組成物は、プリント配線板、半導体装置等の回路基板の製造方法に利用することができる。 Photo-crosslinkable resin composition of the present invention, a printed wiring board, can be utilized in a manufacturing method of a circuit substrate such as a semiconductor device. 本発明に係わる回路基板の製造方法に含まれる一連の工程で得られた樹脂付開口基板に対して、穴埋めインク工程、導電性インク充填工程、電着工程、金属めっき工程、レジスト形成工程、エッチング工程を、適宜組み合わせた一連の工程を行うことで、均一で任意の幅のランドを有する孔を持った回路基板を製造することができる。 A series of the resin with an opening substrate obtained in step, filling ink step, conductive ink filling step, the electrodeposition step, metal plating process, a resist forming step included in the method of manufacturing a circuit board according to the present invention, etching step, and in the series of steps appropriate combination, it is possible to manufacture a circuit board having a hole having a land of arbitrary width uniform.

本発明に係わる回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。 Sectional view illustrating the method of manufacturing the circuit board according to the present invention. 本発明に係わる回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。 Sectional view illustrating the method of manufacturing the circuit board according to the present invention. 本発明に係わる回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。 Sectional view illustrating the method of manufacturing the circuit board according to the present invention. 本発明に係わる回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。 Sectional view illustrating the method of manufacturing the circuit board according to the present invention. 本発明に係わる回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。 Sectional view illustrating the method of manufacturing the circuit board according to the present invention. 本発明に係わる回路基板の製造方法で得られた樹脂付開口基板の一例を表す断面図。 Sectional view showing an example of a resin coated open board obtained by the method of manufacturing the circuit board according to the present invention. 本発明に係わる回路基板の製造方法で得られた樹脂付開口基板の一例を表す断面図。 Sectional view showing an example of a resin coated open board obtained by the method of manufacturing the circuit board according to the present invention. 電界の概略図。 Schematic diagram of the electric field. 電界の概略図。 Schematic diagram of the electric field. 貫通孔および/または非貫通孔を有する回路基板の一例を表す断面図。 Sectional view showing an example of a circuit board having through-holes and / or blind holes. 孔とランドを表した概略図。 Schematic diagram showing the hole and the land. 孔とランドの位置ずれを表した概略図。 Schematic view showing the positional deviation of the holes and lands.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 絶縁性基板 2 導電層 3 導電層 4 孔 5 第一樹脂層 6 第二樹脂層 7 スルーホール 8 バイアホール 9 インタースティシャルバイアホール 10 回路形成用基板 11 樹脂付き開口基板 17 孔 18 ランド 19 電極 20 電気力線 22 分散粒子 1 insulating substrate 2 conductive layer 3 conductive layer 4 hole 5 first resin layer 6 the second resin layer 7 through hole 8 via hole 9 interstitial via hole 10 for forming a circuit board 11 with resin open board 17 hole 18 land 19 electrodes 20 electric power line 22 dispersed particles

Claims (2)

  1. 少なくとも、アルカリ可溶性樹脂と、架橋性モノマーと、光ラジカル発生剤とを含有する光架橋性樹脂組成物であって、該アルカリ可溶性樹脂の重量平均分子量が5000〜45000であることを特徴とする光架橋性樹脂組成物。 At least, the light and alkali-soluble resin, a crosslinking monomer, a photo-crosslinkable resin composition containing a photo-radical generating agent, wherein the weight average molecular weight of the alkali-soluble resin is from 5,000 to 45,000 crosslinkable resin composition.
  2. 貫通孔または/および非貫通孔を有し、かつ少なくとも表面に導電層を有する絶縁性基板の表面に、第一樹脂層を形成する工程、表面導電層上の第一樹脂層上に、第一樹脂層用現像液に不溶性または難溶性の第二樹脂層を形成する工程、第一樹脂層用現像液によって孔上の第一樹脂層を除去する工程を含むことを特徴とする回路基板の製造方法の、第一樹脂層として使用される光架橋性樹脂組成物が、少なくとも、アルカリ可溶性樹脂と、架橋性モノマーと、光ラジカル発生剤とを含有する光架橋性樹脂組成物であって、該アルカリ可溶性樹脂の重量平均分子量が5000〜45000であることを特徴とする光架橋性樹脂組成物。 It has a through hole and / or blind holes, and the insulating surface of a substrate having a conductive layer at least on the surface, forming a first resin layer, on the first resin layer on the surface conductive layer, first forming a second resin layer of insoluble or poorly soluble in the resin layer for the developer, in the production of a circuit board which comprises a step of removing the first resin layer on the hole by the first resin layer for the developer method, photo-crosslinkable resin composition used as the first resin layer is at least an alkali-soluble resin, a crosslinking monomer, a photo-crosslinkable resin composition containing a photo-radical generating agent, wherein photo-crosslinkable resin composition, wherein the weight average molecular weight of the alkali-soluble resin is 5,000 to 45,000.
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