JP2010282630A - 実行可能な不揮発性メモリにおいて実行可能プログラムの一部を動作させる方法 - Google Patents
実行可能な不揮発性メモリにおいて実行可能プログラムの一部を動作させる方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010282630A JP2010282630A JP2010139896A JP2010139896A JP2010282630A JP 2010282630 A JP2010282630 A JP 2010282630A JP 2010139896 A JP2010139896 A JP 2010139896A JP 2010139896 A JP2010139896 A JP 2010139896A JP 2010282630 A JP2010282630 A JP 2010282630A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- executable
- volatile memory
- memory
- executable program
- executable non
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 227
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 70
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 39
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 26
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 23
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910021476 group 6 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000011232 storage material Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F9/00—Arrangements for program control, e.g. control units
- G06F9/06—Arrangements for program control, e.g. control units using stored programs, i.e. using an internal store of processing equipment to receive or retain programs
- G06F9/44—Arrangements for executing specific programs
- G06F9/445—Program loading or initiating
- G06F9/44568—Immediately runnable code
- G06F9/44573—Execute-in-place [XIP]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Software Systems (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Stored Programmes (AREA)
- User Interface Of Digital Computer (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Memory System (AREA)
Abstract
【解決手段】実行可能な不揮発性メモリにおいて実行可能プログラムの少なくとも一部を動作させるための方法が説明される。この方法は、ユーザ入力によって、実行可能な不揮発性メモリ内にピン止めするために実行可能プログラムの少なくとも一部を決定することを含む。実行可能プログラムの一部が、実行可能な不揮発性メモリにピン止めされる。次に、実行可能な不揮発性メモリから実行可能プログラムの一部が実行される。
【選択図】図1
Description
300:コンピュータ・システム
302:プロセッサ
304:メイン・メモリ
308:ネットワーク・インターフェース装置
318:二次メモリ
320:ネットワーク
322:ソフトウェア
330:バス
331:機械アクセス可能記憶媒体
410:通信装置
412:送受信機
414:アンテナ構造体
416、418:プロセッサコア
420:システム・メモリ
422、432:不揮発性メモリ
500:相変化メモリセル・アレイ
510:相変化メモリセル
Claims (20)
- 実行可能な不揮発性メモリにおいて実行可能プログラムの少なくとも一部を動作させるためのコンピュータにより実施される方法であって、
ユーザ入力によって、前記実行可能な不揮発性メモリ内にピン止めするために実行可能プログラムの少なくとも一部を決定し、
前記実行可能プログラムの前記一部を前記実行可能な不揮発性メモリにピン止めし、
その後、前記実行可能な不揮発性メモリから前記実行可能プログラムの前記一部を実行する、
ステップを含むことを特徴とするコンピュータにより実施される方法。 - 前記ピン止めするステップの前及び前記実行するステップの後に、
前記実行可能な不揮発性メモリから電力を除去し、
前記実行可能な不揮発性メモリに電力を復旧させる、
ステップをさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載のコンピュータにより実施される方法。 - 前記実行可能な不揮発性メモリは、相変化メモリ・アレイを含むことを特徴とする、請求項1に記載のコンピュータにより実施される方法。
- 前記相変化メモリ・アレイは、4ギガバイト、8ギガバイト及び16ギガバイトから成る群から選択されるサイズを有することを特徴とする、請求項3に記載のコンピュータにより実施される方法。
- 前記実行可能な不揮発性メモリは、NOR型フラッシュ・メモリ・デバイスであることを特徴とする、請求項1に記載のコンピュータにより実施される方法。
- 実行可能な不揮発性メモリにおいて実行可能プログラムの少なくとも一部を動作させるためのコンピュータにより実施される方法であって、
オペレーティング・システムにより、プロファイリングを行なって、前記実行可能な不揮発性メモリ内にピン止めするために実行可能プログラムの少なくとも一部を決定し、
前記実行可能プログラムの前記一部を前記実行可能な不揮発性メモリにピン止めし、
その後、前記実行可能な不揮発性メモリから前記実行可能プログラムの前記一部を実行する、
ステップを含むことを特徴とするコンピュータにより実施される方法。 - 前記プロファイリングを行なうステップは、前記実行可能プログラムが過去の時間フレームにおいてアクセスされた回数を求めるステップを含むことを特徴とする、請求項6に記載のコンピュータにより実施される方法。
- 前記ピン止めするステップの前及び前記実行するステップの後に、
前記実行可能な不揮発性メモリから電力を除去し、
前記実行可能な不揮発性メモリに電力を復旧させる、
ステップをさらに含むことを特徴とする、請求項6に記載のコンピュータにより実施される方法。 - 前記実行可能な不揮発性メモリは、相変化メモリ・アレイを含むことを特徴とする、請求項6に記載のコンピュータにより実施される方法。
- 前記実行可能な不揮発性メモリは、NOR型フラッシュ・メモリ・デバイスであることを特徴とする、請求項6に記載のコンピュータにより実施される方法。
- データ処理システムに、実行可能な不揮発性メモリにおいて実行可能プログラムの少なくとも一部を動作させるための方法を実行させる命令が格納された機械アクセス可能記憶媒体であって、前記方法は、
ユーザ入力又はオペレーティング・システムのプロファイリングを適用して、前記実行可能な不揮発性メモリ内にピン止めするために実行可能プログラムの少なくとも一部を決定し、
前記実行可能プログラムの前記一部を前記実行可能な不揮発性メモリにピン止めし、
その後、前記実行可能な不揮発性メモリから前記実行可能プログラムの前記一部を実行する、
ステップを含むことを特徴とする機械アクセス可能記憶媒体。 - 前記オペレーティング・システム・プロファイリングが適用され、該オペレーティング・システム・プロファイリングを作成するステップは、前記実行可能プログラムが過去の時間フレームにおいてアクセスされた回数を求めるステップを含むことを特徴とする、請求項11に記載の機械アクセス可能記憶媒体。
- 前記方法は、
前記ピン止めするステップの前及び前記実行するステップの後に、
前記実行可能な不揮発性メモリから電力を除去し、
前記実行可能な不揮発性メモリに電力を復旧させる、
ステップをさらに含むことを特徴とする、請求項11に記載の機械アクセス可能記憶媒体。 - 前記実行可能な不揮発性メモリは、相変化メモリ・アレイを含むことを特徴とする、請求項11に記載の機械アクセス可能記憶媒体。
- 前記実行可能な不揮発性メモリは、NOR型フラッシュ・メモリ・デバイスであることを特徴とする、請求項11に記載の機械アクセス可能記憶媒体。
- 無線信号を受信するための送受信機と、
前記送受信機に結合されたプロセッサコアと、
前記実行可能な不揮発性メモリにおいて実行可能プログラムの少なくとも一部を動作させるための方法に含まれるように構成された、少なくとも第1のプロセッサコアが組み込まれた実行可能な不揮発性メモリと、
を含み、前記方法は、
ユーザ入力又はオペレーティング・システム・プロファイルを適用して、前記実行可能な不揮発性メモリ内にピン止めするために実行可能プログラムの少なくとも一部を決定し、
前記実行可能プログラムの前記一部を前記実行可能な不揮発性メモリにピン止めし、
その後、前記実行可能な不揮発性メモリから前記実行可能プログラムの前記一部を実行する、
ステップを含むことを特徴とする無線通信装置。 - 前記オペレーティング・システム・プロファイルが適用され、該オペレーティング・システム・プロファイリングを作成するステップは、前記実行可能プログラムが過去の時間フレームにおいてアクセスされた回数を求めるステップを含むことを特徴とする、請求項16に記載の無線通信装置。
- 前記方法は、
前記ピン止めするステップの前及び前記実行するステップの後に、
前記実行可能な不揮発性メモリから電力を除去し、
前記実行可能な不揮発性メモリに電力を復旧させる、
ステップをさらに含むことを特徴とする、請求項16に記載の無線通信装置。 - 前記実行可能な不揮発性メモリは、相変化メモリ・アレイを含むことを特徴とする、請求項16に記載の無線通信装置。
- 前記実行可能な不揮発性メモリは、NOR型フラッシュ・メモリ・デバイスであることを特徴とする、請求項16に記載の無線通信装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/477,017 US20100306453A1 (en) | 2009-06-02 | 2009-06-02 | Method for operating a portion of an executable program in an executable non-volatile memory |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010282630A true JP2010282630A (ja) | 2010-12-16 |
Family
ID=43221565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010139896A Pending JP2010282630A (ja) | 2009-06-02 | 2010-06-02 | 実行可能な不揮発性メモリにおいて実行可能プログラムの一部を動作させる方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100306453A1 (ja) |
JP (1) | JP2010282630A (ja) |
KR (1) | KR20100130146A (ja) |
CN (1) | CN101907995A (ja) |
DE (1) | DE102010019486A1 (ja) |
TW (1) | TW201103024A (ja) |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8892808B2 (en) * | 2011-04-22 | 2014-11-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Retention-value associated memory |
US8607089B2 (en) | 2011-05-19 | 2013-12-10 | Intel Corporation | Interface for storage device access over memory bus |
US9294224B2 (en) | 2011-09-28 | 2016-03-22 | Intel Corporation | Maximum-likelihood decoder in a memory controller for synchronization |
CN103946816B (zh) | 2011-09-30 | 2018-06-26 | 英特尔公司 | 作为传统大容量存储设备的替代的非易失性随机存取存储器(nvram) |
EP2761464B1 (en) | 2011-09-30 | 2018-10-24 | Intel Corporation | Apparatus and method for implementing a multi-level memory hierarchy having different operating modes |
EP2761467B1 (en) | 2011-09-30 | 2019-10-23 | Intel Corporation | Generation of far memory access signals based on usage statistic tracking |
US9317429B2 (en) | 2011-09-30 | 2016-04-19 | Intel Corporation | Apparatus and method for implementing a multi-level memory hierarchy over common memory channels |
EP2761476B1 (en) | 2011-09-30 | 2017-10-25 | Intel Corporation | Apparatus, method and system that stores bios in non-volatile random access memory |
EP3712774B1 (en) | 2011-09-30 | 2023-02-15 | Tahoe Research, Ltd. | Apparatus and method for implementing a multi-level memory hierarchy |
WO2013048493A1 (en) | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Intel Corporation | Memory channel that supports near memory and far memory access |
WO2013048485A1 (en) | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Intel Corporation | Autonomous initialization of non-volatile random access memory in a computer system |
CN103946824B (zh) | 2011-11-22 | 2016-08-24 | 英特尔公司 | 一种用于非易失性随机访问存储器的访问控制方法、装置及系统 |
WO2013089685A1 (en) | 2011-12-13 | 2013-06-20 | Intel Corporation | Enhanced system sleep state support in servers using non-volatile random access memory |
CN104106057B (zh) | 2011-12-13 | 2018-03-30 | 英特尔公司 | 用非易失性随机存取存储器提供对休眠状态转变的即时响应的方法和系统 |
CN103999161B (zh) | 2011-12-20 | 2016-09-28 | 英特尔公司 | 用于相变存储器漂移管理的设备和方法 |
WO2013095404A1 (en) | 2011-12-20 | 2013-06-27 | Intel Corporation | Dynamic partial power down of memory-side cache in a 2-level memory hierarchy |
WO2013095465A1 (en) | 2011-12-21 | 2013-06-27 | Intel Corporation | High-performance storage structures and systems featuring multiple non-volatile memories |
WO2013095530A1 (en) | 2011-12-22 | 2013-06-27 | Intel Corporation | Efficient pcms refresh mechanism background |
DE112011106032B4 (de) | 2011-12-22 | 2022-06-15 | Intel Corporation | Energieeinsparung durch Speicherkanal-Abschaltung |
US9396118B2 (en) | 2011-12-28 | 2016-07-19 | Intel Corporation | Efficient dynamic randomizing address remapping for PCM caching to improve endurance and anti-attack |
US9152428B2 (en) | 2012-09-28 | 2015-10-06 | Intel Corporation | Alternative boot path support for utilizing non-volatile memory devices |
US10204047B2 (en) | 2015-03-27 | 2019-02-12 | Intel Corporation | Memory controller for multi-level system memory with coherency unit |
US10073659B2 (en) | 2015-06-26 | 2018-09-11 | Intel Corporation | Power management circuit with per activity weighting and multiple throttle down thresholds |
US10387259B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-08-20 | Intel Corporation | Instant restart in non volatile system memory computing systems with embedded programmable data checking |
US10108549B2 (en) | 2015-09-23 | 2018-10-23 | Intel Corporation | Method and apparatus for pre-fetching data in a system having a multi-level system memory |
US10185501B2 (en) | 2015-09-25 | 2019-01-22 | Intel Corporation | Method and apparatus for pinning memory pages in a multi-level system memory |
US10261901B2 (en) | 2015-09-25 | 2019-04-16 | Intel Corporation | Method and apparatus for unneeded block prediction in a computing system having a last level cache and a multi-level system memory |
US9792224B2 (en) | 2015-10-23 | 2017-10-17 | Intel Corporation | Reducing latency by persisting data relationships in relation to corresponding data in persistent memory |
US10033411B2 (en) | 2015-11-20 | 2018-07-24 | Intel Corporation | Adjustable error protection for stored data |
US10095618B2 (en) | 2015-11-25 | 2018-10-09 | Intel Corporation | Memory card with volatile and non volatile memory space having multiple usage model configurations |
US9747041B2 (en) | 2015-12-23 | 2017-08-29 | Intel Corporation | Apparatus and method for a non-power-of-2 size cache in a first level memory device to cache data present in a second level memory device |
US10007606B2 (en) | 2016-03-30 | 2018-06-26 | Intel Corporation | Implementation of reserved cache slots in computing system having inclusive/non inclusive tracking and two level system memory |
US10185619B2 (en) | 2016-03-31 | 2019-01-22 | Intel Corporation | Handling of error prone cache line slots of memory side cache of multi-level system memory |
US10120806B2 (en) | 2016-06-27 | 2018-11-06 | Intel Corporation | Multi-level system memory with near memory scrubbing based on predicted far memory idle time |
US10915453B2 (en) | 2016-12-29 | 2021-02-09 | Intel Corporation | Multi level system memory having different caching structures and memory controller that supports concurrent look-up into the different caching structures |
US10445261B2 (en) | 2016-12-30 | 2019-10-15 | Intel Corporation | System memory having point-to-point link that transports compressed traffic |
US10304814B2 (en) | 2017-06-30 | 2019-05-28 | Intel Corporation | I/O layout footprint for multiple 1LM/2LM configurations |
US11188467B2 (en) | 2017-09-28 | 2021-11-30 | Intel Corporation | Multi-level system memory with near memory capable of storing compressed cache lines |
US10860244B2 (en) | 2017-12-26 | 2020-12-08 | Intel Corporation | Method and apparatus for multi-level memory early page demotion |
US11099995B2 (en) | 2018-03-28 | 2021-08-24 | Intel Corporation | Techniques for prefetching data to a first level of memory of a hierarchical arrangement of memory |
CN109669438B (zh) * | 2018-12-14 | 2020-07-21 | 北京东土科技股份有限公司 | 飞行器伺服弹性测试分析系统和介质 |
US11055228B2 (en) | 2019-01-31 | 2021-07-06 | Intel Corporation | Caching bypass mechanism for a multi-level memory |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07105011A (ja) * | 1993-09-30 | 1995-04-21 | Hitachi Software Eng Co Ltd | プログラムロード方法 |
JP2002268903A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-20 | Ricoh Co Ltd | プログラム管理方式 |
JP2006268370A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Nec Corp | 組み込み機器ソフトウェアの実行形式最適化方式 |
JP2007164964A (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Samsung Electronics Co Ltd | 相変化メモリ装置及びそのプログラム方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6566700B2 (en) * | 2001-10-11 | 2003-05-20 | Ovonyx, Inc. | Carbon-containing interfacial layer for phase-change memory |
US7103718B2 (en) * | 2002-09-03 | 2006-09-05 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Non-volatile memory module for use in a computer system |
US7103746B1 (en) * | 2003-12-31 | 2006-09-05 | Intel Corporation | Method of sparing memory devices containing pinned memory |
US7620773B2 (en) * | 2005-04-15 | 2009-11-17 | Microsoft Corporation | In-line non volatile memory disk read cache and write buffer |
US7363456B2 (en) * | 2005-04-15 | 2008-04-22 | International Business Machines Corporation | System and method of allocating contiguous memory in a data processing system |
CN101063943A (zh) * | 2006-04-24 | 2007-10-31 | 华晶科技股份有限公司 | 利用nand闪存来开机的开机系统 |
US20080162821A1 (en) * | 2006-12-27 | 2008-07-03 | Duran Louis A | Hard disk caching with automated discovery of cacheable files |
US8359423B2 (en) * | 2008-03-14 | 2013-01-22 | Spansion Llc | Using LPDDR1 bus as transport layer to communicate to flash |
CN101266577B (zh) * | 2008-03-27 | 2010-06-16 | 上海交通大学 | 可编程片上带有存储器接口的nor闪存读取控制方法 |
US8621144B2 (en) * | 2008-06-26 | 2013-12-31 | Intel Corporation | Accelerated resume from hibernation in a cached disk system |
-
2009
- 2009-06-02 US US12/477,017 patent/US20100306453A1/en not_active Abandoned
-
2010
- 2010-05-05 DE DE102010019486A patent/DE102010019486A1/de not_active Withdrawn
- 2010-05-07 KR KR1020100043041A patent/KR20100130146A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-05-13 TW TW099115349A patent/TW201103024A/zh unknown
- 2010-05-31 CN CN2010101885269A patent/CN101907995A/zh active Pending
- 2010-06-02 JP JP2010139896A patent/JP2010282630A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07105011A (ja) * | 1993-09-30 | 1995-04-21 | Hitachi Software Eng Co Ltd | プログラムロード方法 |
JP2002268903A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-20 | Ricoh Co Ltd | プログラム管理方式 |
JP2006268370A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Nec Corp | 組み込み機器ソフトウェアの実行形式最適化方式 |
JP2007164964A (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Samsung Electronics Co Ltd | 相変化メモリ装置及びそのプログラム方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102010019486A1 (de) | 2011-04-07 |
TW201103024A (en) | 2011-01-16 |
KR20100130146A (ko) | 2010-12-10 |
US20100306453A1 (en) | 2010-12-02 |
CN101907995A (zh) | 2010-12-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2010282630A (ja) | 実行可能な不揮発性メモリにおいて実行可能プログラムの一部を動作させる方法 | |
JP5834303B2 (ja) | 作動温度範囲を拡張した不揮発性メモリ | |
US20190391751A1 (en) | Methods and related devices for operating a memory array | |
US7986549B1 (en) | Apparatus and method for refreshing or toggling a phase-change memory cell | |
EP2973579B1 (en) | Phase change memory mask | |
EP3180789B1 (en) | Threshold voltage expansion | |
KR102114875B1 (ko) | 반도체 장치, 프로세서, 시스템 및 반도체 장치를 포함하는 테스트 시스템 | |
KR102465169B1 (ko) | 전자 장치 | |
US10163502B2 (en) | Selective performance level modes of operation in a non-volatile memory | |
WO2015062227A1 (zh) | 一种相变存储器的写操作方法及设备 | |
KR102080542B1 (ko) | 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 그 구동 방법 | |
US10090029B2 (en) | Electronic device for suppressing read disturbance and method of driving the same | |
US20150009765A1 (en) | Latency control device and semiconductor device including the same | |
KR101858930B1 (ko) | 상변화 메모리 장치 및 이를 포함하는 컴퓨팅 시스템 | |
US10783981B1 (en) | Semiconductor memory capable of reducing an initial turn-on voltage of a memory cell using a stress pulse in a test mode, and method for driving the same | |
US20080285332A1 (en) | Bit-Alterable, Non-Volatile Memory Management | |
KR20140108984A (ko) | 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 그 구동 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130603 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20130726 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20130726 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140305 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140605 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141215 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150525 |