KR20100130146A - 실행 가능한 비휘발성 메모리에 실행 가능한 프로그램의 영역에서의 동작을 위한 방법 - Google Patents

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Abstract

실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역에서 동작시키기 위한 방법이 기술되어 있다. 상기 방법은 실행 가능한 비휘발성 메모리에 탑재하기 위하여 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역을 사용자 입력에 의하여 설정하는 것이 포함되어 있다. 실행 가능한 프로그램 영역은 실행 가능한 비휘발성 메모리에 탑재함에 의하여 이루어진다. 그리고, 실행 가능한 프로그램 영역은 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 수행되어진다.

Description

실행 가능한 비휘발성 메모리에 실행 가능한 프로그램의 영역에서의 동작을 위한 방법{Method for operating a portion of an executable program in an executable non-volatile Memory}
본 발명의 구체적인 내용은 비휘발성 셀 분야이며, 특히, 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 적어도 한 영역의 실행 가능한 프로그램을 작동시키기 위한 방법에 관한 것이다.
내장용 SRAM과 DRAM은 비휘발성과 재현성이 없는 오류 비를 가지는 문제점을 가지며, 반면에 내장용 플래쉬 메모리는 부가적인 마스킹 층 또는 제조하는 동안에 부가적인 처리단계가 요구되고, 프로그램을 위한 높은 전압이 요구되며, 내구성과 신뢰성이 문제가 되어왔다. 위상 변화 메모리(PCM)는 앞서 언급한 파라메터들의 임계를 극복하고, CMOS 처리와 호환이 되어 쓰기 속도, 작은 셀 사이즈, 간단한 회로와 제조 공정에서 이점을 보인다. 그러나, 부가적인 개선책으로 PCM 기술의 발전을 필요로 한다.
본 발명이 해결하려는 과제는 실행 가능한 비휘발성 메모리에 탑재를 위한 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역을 사용자 입력으로 결정하여 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역에서 동작시킬 수 있도록 하는데 있다.
본 발명이 해결하려는 또 다른 과제는 실행 가능한 비휘발성 메모리에 탑재하기 위한 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역을 결정하기 위하여 운영체제에 의하여 환경을 설정하여 실행 가능한 비휘발성 메모리에 실행 가능한 프로그램 영역을 탑재하고, 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행 가능한 프로그램 영역을 실행할 수 있도록 하는데 있다.
본 발명이 해결하려는 또 다른 과제는 실행 가능한 비휘발성 메모리에 탑재하기 위한 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역을 결정하기 위하여 사용자 입력 또는 운영체제를 적용하여 실행 가능한 비휘발성 메모리에 실행 가능한 프로그램 영역을 설정하고, 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행 가능한 프로그램 영역을 실행할 수 있도록 구성된 기계가 접근 가능한 기록매체를 이루는데 있다.
본 발명이 해결하려는 또 다른 과제는 실행 가능한 비휘발성 메모리에 탑재하기 위하여 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역을 설정하기 위하여 사용자 입력 또는 운영체제를 적용하여 실행 가능한 비휘발성 메모리에 실행 가능한 프로그램 영역을 탑재하고, 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행 가능한 프로그램 영역을 실행할 수 있도록 구성된 무선통신장치를 이루는데 있다.
본 발명 과제의 해결 수단은 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역에서 동작시키기 위하여 컴퓨터에 탑재하는 방법에 있어서, 실행 가능한 비휘발성 메모리에 탑재를 위한 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역을 사용자 입력에 의하여 결정하며, 다음으로, 실행 가능한 비휘발성 메모리에 실행 가능한 프로그램 영역을 설정하고, 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행 가능한 프로그램 영역을 실행하도록 구성된 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행 가능한 프로그램 영역을 컴퓨터에 내장하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 과제의 해결 수단은 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역에서 동작시키기 위하여 컴퓨터에 내장하는 방법에 있어서, 실행 가능한 비휘발성 메모리에 탑재하기 위한 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역을 결정하기 위하여 운영체제에 의하여 환경을 설정하며, 다음으로, 실행 가능한 비휘발성 메모리에 실행 가능한 프로그램 영역을 설정하고, 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행 가능한 프로그램 영역을 실행하도록 구성된 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행 가능한 프로그램 영역을 컴퓨터에 내장하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명 과제의 해결 수단은 실행 가능한 비휘발성 메모리에서 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역에서 동작하는 방법을 실행하기 위하여 데이터처리 시스템에 저장된 명령어를 구비한 기계가 접근 가능한 기록매체에 있어서, 실행 가능한 비휘발성 메모리에 탑재하기 위한 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역을 결정하기 위하여 사용자 입력 또는 운영체제를 적용하며, 다음으로, 실행 가능한 비휘발성 메모리에 실행 가능한 프로그램 영역을 설정하고, 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행 가능한 프로그램 영역을 실행할 수 있도록 구성된 기계가 접근 가능한 기록매체를 제공하는 것이다.
본 발명 과제의 해결 수단은 무선통신장치에 있어서, 전파신호를 수신하기 위한 트랜시버; 상기 트랜시버와 연결되는 프로세서 코어; 적어도 제1 프로세서 코어에 내장되는 실행 가능한 비휘발성 메모리, 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역에서 동작하기 위한 방법이 포함된 구성이며, 그 방법은 실행 가능한 비휘발성 메모리에 탑재하기 위하여 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역을 설정하기 위하여 사용자 입력 또는 운영체제를 적용하며, 다음으로, 실행 가능한 비휘발성 메모리에 실행 가능한 프로그램 영역을 설정하고, 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행 가능한 프로그램 영역을 실행할 수 있도록 구성된 무선통신장치를 제공하는 것이다.
본 발명은 실행 가능한 비휘발성 메모리에 탑재를 위한 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역을 사용자 입력에 의하여 결정하여 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역에서 동작시킬 수 있는 작용효과가 있다.
본 발명의 또 다른 효과는 실행 가능한 비휘발성 메모리에 탑재하기 위한 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역을 결정하기 위하여 운영체제에 의하여 환경을 설정하여 실행 가능한 비휘발성 메모리에 실행 가능한 프로그램 영역을 설정하고, 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행 가능한 프로그램 영역을 실행할 수 있도록 하는데 있다.
본 발명의 또 다른 효과는 실행 가능한 비휘발성 메모리에 탑재하기 위한 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역을 결정하기 위하여 사용자 입력 또는 운영체제를 적용하여 실행 가능한 비휘발성 메모리에 실행 가능한 프로그램 영역을 설정하고, 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행 가능한 프로그램 영역을 실행할 수 있도록 구성된 기계가 접근 가능한 기록매체를 이루는데 있다.
본 발명의 또 다른 효과는 실행 가능한 비휘발성 메모리에 탑재하기 위하여 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역을 설정하기 위하여 사용자 입력 또는 운영체제를 적용하여 실행 가능한 비휘발성 메모리에 실행 가능한 프로그램 영역을 설정하고, 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행 가능한 프로그램 영역을 실행할 수 있도록 구성된 무선통신장치를 이루는데 있다.
도1은 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 적어도 한 영역의 실행 가능한 프로그램을 작동시키는 방법을 나타내는 플로차트를 도시한 것이다.
도2는 본 발명의 실시 예에 따라, 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 적어도 한 영역의 실행 가능한 프로그램을 작동시키는 방법을 나타내는 플로차트를 도시한 것이다.
도3은 본 발명의 실시 예에 따라, 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 적어도 한 영역의 실행 가능한 프로그램을 작동시키도록 배열된 컴퓨터 시스템의 한 예를 블록 다이아그램으로 도시한 것이다.
도4는 본 발명의 실시 예에 따라, 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 적어도 한 영역의 실행 가능한 프로그램을 작동하는 방법이 포함되도록 배열된 실행 가능한 메모리를 구현하는 무선 구조를 도표로 도시한 것이다.
도5는 본 발명의 실시 예에 따라, 위상변화 메모리 셀에 적어도 한 영역의 실행 가능한 프로그램을 작동시키는 방법이 포함되도록 배열된 위상변화 메모리 셀의 어레이 내에 있는 위상변화 메모리 셀을 도시한 것이다.
본 발명에서는 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 적어도 한 영역의 실행 가능한 프로그램을 작동시키는 방법을 기술하였다. 다음 설명에서는, 본 발명의 완전한 이해를 위해서, 수많은 구체적 세부 사항들이 예를 들면, 위상 변화 메모리 셀 어레이 크기가 설명된다. 발명에 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 명백히 이러한 구체적 세부 사항 없이도 본 발명의 실시 예를 실시할 수 있다. 다른 예에서는, 예를 들어 프로그램 실행 같은 잘 알려진 작동은 본 발명의 실시 예를 불필요하게 흐리게 하지 않도록 자세히 설명하지 않았다. 더 나아가. 그림에서 보여 준 다양한 실시 예는 그림으로 나타냈을 뿐이며, 반드시 일정한 비율로 그리지는 않았음을 이해해야 한다.
본 발명에서는 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 적어도 한 영역의 실행 가능한 프로그램을 작동시키는 방법을 개시하였다. 하나의 실시 예로, 그 방법은 사용자 입력에 의해 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 탑재하기 위하여 적어도 한 영역에 실행 가능한 프로그램을 내장하는 것을 포함한다. 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 실행 가능한 프로그램의 영역이 설정된다. 그리하여 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행 가능한 프로그램의 영역에서 프로그램이 실행된다. 다른 실시 예로, 운영 체제에 의해 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 탑재할 적어도 한 영역에 실행 가능한 프로그램을 설정함으로써 프로파일링이 실행된다. 실행 가능한 프로그램의 영역이 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 설정된다.
결과적으로, 실행 가능한 프로그램의 영역이 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행된다. 하나의 실시 예로, 기계가 이용할 수 있는 저장 수단은 명령어가 저장되어 있어 데이터 처리 시스템으로 하여금 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 적어도 하나의 영역의 실행 가능한 프로그램을 실행하게 된다. 그 방법은 사용자 입력이나 운영 체제를 이용하여 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 적어도 한 영역의 실행 가능한 프로그램이 탑재되게끔 설정하는 것을 포함한다. 실행 가능한 프로그램의 영역이 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 설정된다. 결과적으로. 실행 가능한 프로그램의 영역은 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행된다. 또 다른 실시 예로, 무선 통신 장치는 방송 중 신호를 받는 트랜시버, 트랜시버와 결합된 프로세서 코어, 그리고 적어도 첫 번째 프로세서 코어에 내장된 실행 가능한 비휘발성 메모리를 포함한다. 실행 가능한 비휘발성 메모리는 적어도 한 영역의 실행 가능한 프로그램을 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에서 작동시키는 방법이 포함되도록 환경을 설정한다. 그 방법은 사용자 입력이나 운영 체제(O/S)를 이용하여 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 적어도 하나의 영역의 실행 가능한 프로그램을 탑재하게끔 설정하는 것을 포함한다. 실행 가능한 프로그램의 영역이 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 설정된다. 결과적으로, 실행 가능한 프로그램의 영역은 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행된다.
예를 들면, 소프트웨어 응용 프로그램인 전형적인 컴퓨팅과 통신 플랫폼 코드는 실행될 때, 예를 들어, not-OR(NOR)메모리 혹은 다이나믹 랜덤 액세스 메모리(DRAM)와 같은 실행 가능한 메모리에 로드된다. 응용프로그램으로부터 닫히거나 혹은 전원이 제거되자마자, 그 코드의 운명은(예를 들어 허가를 받든 못 받든) 사용자 우선권이 있을 가능성에도 불구하고, 실행 가능한 메모리로부터 운영 체제의 통제하에 있게 될 것이다. 본 발명의 실시 예에 따라, 개별적 프로그램 혹은 O/S는 사용자가 우선하는 것을 허용하고 메모리 내에 실행 가능한 응용프로그램을 보관하도록 환경이 설정된다. 하나의 실시 예로, 이러한 방법은 실행을 더 신속하게 한다. 하나의 실시 예로, 어느 영역을 실행 가능한 프로그램으로(혹은 실행 가능한 프로그램의 메뉴로부터 어느 것을 전체 실행 가능한 프로그램으로) 정할지는 사용자 우선에 의하여 실행된다. 또 다른 실시 예로, 어느 영역을 실행 가능한 프로그램으로(혹은 실행 가능한 프로그램의 메뉴로부터 어느 것을 전체 실행 가능한 프로그램으로) 정할지는, 예를 들어, 과거에 응용프로그램이 실행된 횟수인 어플리케이터 프로파일링에 기반을 둔 O/S를 우선화함으로써 실행된다.
컴퓨터 산업은 실행 가능한 프로그램이 비휘발성 메모리 장치 내에서 실행되는 시스템을 지향하게 될 것이며, 그것은 하드 드라이버로부터 프로그램이 왔다 갔다 하거나 혹은 개별적인 랜덤 액세서 메모리(RAM)로 가야 하는 것과는 반대이다. 그러나 본 발명의 실시 예에 따라, 사용자에 의해 선택되거나 보조 운영체재(O/S)가 요구하는 모든 실행 가능한 프로그램을 실행할 크기로 비휘발성 메모리 장치를 만들 수는 없다(혹은 생산하기에 너무 비용이 많이 든다). 따라서, 하나의 실시 예로, 사용자 인터페이스나 운영 체제를 통해 특정한 실행 가능한 프로그램이나 영역이 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 탑재된다. 하나의 실시 예로, 탑재된 실행 가능한 소프트웨어를 보유하는 동안 전원이 수없이 많이 켜지고 꺼지는 것을 경험할 수 있다. 이것은 실행 가능한 프로그램이 RAM상에 있을 때 전원이 꺼지고 켜지는 동안에 사라지는 것과는 대조를 이룬다. 그리하여 실시 예에서, 단순히 데이터 세트를 탑재하는 것을 넘어, 실행 가능한 프로그램과 영역이 탑재 및 설정되고, 상기 탑재 및 설정된 위치에서 실행된다. 구체적인 하나의 실시 예로, 실행 가능한 프로그램이나 영역은 그런 까닭으로 제한되지는 않으며, 종래의 실행 가능한 프로그램, 소프트웨어 코드의 영역 혹은 운영 체제의 한 영역을 제한하지 않고도 실행 가능한 프로그램이다.
사용자 입력을 적용하여 실행 가능한 메모리 내에 적어도 한 영역에 실행 가능한 프로그램을 탑재하는 것을 설정할 수 있다. 도1은 본 발명의 실시 예에 따라 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 적어도 한 영역의 실행 가능한 프로그램을 작동하는 방법을 나타내는 플로차트(100)를 도시한 것이다.
플로차트(100))의 동작(102)에 근거하여, 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 적어도 한 영역의 실행 가능한 프로그램을 작동시키기 위해 컴퓨터로 실행하는 방법은 사용자 입력에 의해 비휘발성 메모리 내에 적어도 한 영역의 실행 가능한 프로그램을 탑재하도록 설정하는 것을 포함한다. 본 발명에 따르면, 실행 가능한 메모리는, 예를 들어, 코드를 실행하는데 효율적인 메모리인 보조 운영 체제와 보조를 맞출 수 있을 만큼 충분히 빠른 랜덤 초기화 액세스를 가지고 있거나 혹은 나타내는 메모리로서 정의된다. 하나의 실시 예로 실행 가능한 프로그램은 제한되지는 않으며, 액셀(Excel), 파워포인트(Powerpoint), 워드(Word) 또는 휴대용 서류 포멧 프로그램(PDF)이다. 하나의 실시 예로, 실행 가능한 프로그램의 '적어도 한 영역'이라는 용어는 단수의 실행 가능한 프로그램 또는 다수의 실행 가능한 프로그램 메뉴에서 선택된 하나의 전체 실행 가능한 프로그램으로 정의된다. 하나의 실시 예로, '사용자 입력'이라는 용어는 실행 가능한 메모리 내에 제한없이 어떤 응용 프로그램을 남겨 둘 것인지를 선택하는 시스템으로부터 한 가지를 입력하는 것을 언급하기 위하여 사용된다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 실행 가능한 비휘발성 메모리는 위상 변화 메모리 어레이를 포함하거나 위상 변화 메모리 어레이이다. 구체적인 실시 예에서, 위상 변화 메모리 어레이는, 제한됨이 없이, 4 기가바이트,8 기가바이트 혹은 16 기가바이트의 크기를 가진다. 위상 변화 메모리는 다른 비휘발성 메모리들보다 더 랜덤 액세스 메모리(RAM 같은)와 같다. 또한, 위상 변화 메모리는 쓰기에 앞서 지울 필요가 없고, 위상 변화 메모리가 지울 수 있는 횟수는 다른 비휘발성 메모리보다 훨씬 더 크다. 그러나 본 발명의 선택적 실시 예로, 실행 가능한 비휘발성 메모리는 NOR 플래쉬 메모리 장치이다.
플로차트(100)의 동작(104)에 근거하여, 실행 가능한 비휘발성 메모리에 적어도 한 영역의 실행 가능한 프로그램을 컴퓨터로 실행하는 방법은 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 적어도 한 영역의 실행 가능한 프로그램을 탑재하는 것을 포함한다. 본 발명의 실시 예에 따르면, 탑재라는 용어는 실행 가능한 메모리에 탑재하여 남아있는 실행 가능한, 즉 실행될 준비가 되어있는 실행 가능한 코드로서 정의된다. 하나의 실시 예로, 컴퓨터로 실행하는 방법은 더 나아가 탑재 전후(후자는 플로차트 동작(106)과 관련하여 아래 설명된다) 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 전원을 제거하는 것과 실행 가능한 비휘발성 메모리에 공급 전원을 복구하는 것을 포함한다. 그리하여 하나의 실시 예로, 실행 가능한 프로그램의 선택된 영역이나 혹은 하나의 전체 실행 가능한 프로그램은 전원이 공급되지 않을 때에도 실행 가능한 메모리 내에 존재하게 된다. 그러한 실시 예로, 실행 가능한 메모리를 작동시키자마자 O/S는 실행 가능한 프로그램(혹은 영역)을 실행을 위하여 실행 가능한 메모리만 조회하면 되므로 컴퓨팅하는 귀중한 시간을 절약하고 작동을 더 효과적으로 이룰 수 있다.
플로차트(100)의 동작(106)에 근거하여, 실행 가능한 비휘발성 메모리에 적어도 한 영역의 실행 가능한 프로그램을 컴퓨터로 실행하는 방법은 결과적으로 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행 가능한 프로그램의 영역을 실행하는 것을 포함한다. 본 발명의 실시 예에 따르면, 실행 가능한 메모리와 관련된 O/S는 그 밖의 아무 곳에서가 아니라 실행 가능한 메모리로부터 실행 가능한 프로그램의 영역을 조회하도록 환경이 설정된다. 그리하여 하나의 실시 예로, O/S는 독립적으로 실행 가능한 프로그램의 실행 가능한 영역을 편집하기보다는 실행 가능한 메모리에 저장된 실행 가능한 프로그램의 영역을 실행하기 위하여 실행 가능한 메모리로 이동하도록 환경이 설정되어 있다. 실시 예에서, 'O/S 라는 용어는 컴퓨터 프로그램이나 예를 들어 하드웨어 응용 프로그램과 사용자 제어 같은 다수의 컴퓨터 프로그램으로 정의된다. 하나의 실시 예로, O/S는 제한되지 않으며, 맥(Mac) O/S, 유닉스(UNIX) O/S, 리눅스(LINUX) O/S 혹은 윈도우(Windows) O/S같은 소프트웨어 들이다.
실행 가능한 메모리 내에 탑재할 적어도 한 영역의 실행 가능한 프로그램을 설정하는 것은 운영 체제를 통해 프로파일링 함으로써 실행될 것이다. 도2는 본 발명에 따라, 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 적어도 한 영역의 실행 가능한 프로그램을 작동시키는 방법을 나타내는 플로차트(200)를 도시한 것이다.
플로차트(200)의 동작(202)에 근거하여, 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 적어도 한 영역의 실행 가능한 프로그램을 컴퓨터로 실행하는 방법은 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 탑재할 적어도 한 영역의 실행 가능한 프로그램을 정하기 위해 운영 체제로 프로파일링 하는 것을 포함한다. 본 발명의 실시 예에 따르면, 프로파일링은 과거의 타임프레임에서 실행 가능한 프로그램이 사용된 횟수를 정하는 것을 포함한다. 실시 예에서 '실행 가능한 메모리', 적어도 실행 가능한 프로그램의 '한 영역', '사용자 입력'이라는 용어는 플로차트(100)의 동작(102)의 실행과 관련되어 제공된 정의에 따라 정의된다. 하의 실시 예로, 실행 가능한 프로그램은, 제한되지는 않으며, 액셀(Excel), 파워 포인트(Powerpoint), 워드(Word), 혹은 휴대용 문서 포맷(PDF) 프로그램이다.
본 발명의 실시 예에 따라, 실행 가능한 비휘발성 메모리는 위상 변환메모리 어레이를 포함하거나 위상 변화 메모리 어레이이다. 구체적 실시 예로, 위상 변화 메모리 어레이는, 제한되지는 않으며, 4 기가바이트(Gb), 8 기가바이트. 16 기가바이트의 크기를 가진다. 위상 변화 메모리는 다른 비휘발성 메모리보다 더 랜덤 액세스 메모리(RAM)와 같다. 또한, 위상 변화 메모리는 쓰기에 앞서 지울 필요가 없고, 위상 변화 메모리를 지울 수 있는 횟수는 다른 비휘발성 메모리보다 훨씬 더 크다. 그러나 본 발명의 선택적 실시 예로, 비휘발성 메모리는 NOR 플래쉬 메모리 장치이다.
플로차트(200)의 동작(204)에 근거하여, 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 적어도 한 영역의 실행 가능한 프로그램을 컴퓨터로 실행하는 방법은 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 실행 가능한 영역의 프로그램을 탑재하는 것을 포함한다. 본 발명의 실시 예에 따르면, 탑재라는 용어는 플로차트(100)의 동작(104)과 관련하여 제공된 정의에 따라 정의된다. 하나의 실시 예로, 컴퓨터로 실행하는 방법은 더 나아가 탑재 전후에(후자는 플로차트(200)의 동작(206)과 관련하여 아래 설명된다) 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 전원을 제거하는 것과 실행 가능한 비휘발성 메모리에 전원을 복구하는 것을 포함한다. 그리하여 하나의 실시 예로, 선택된 영역 혹은 하나의 전체 실행 가능한 프로그램은 전원이 부재할 때에도 실행 가능한 메모리 내에 보유된다. 그런 실시 예로, 실행 가능한 메모리를 작동시키자마자, O/S는 실행 가능한 프로그램(혹은 영역)을 위해 실행 가능한 메모리만 참조하면 되므로 컴퓨팅하는 귀중한 시간을 절약하고 작동을 더 효과적으로 이룰 수 있다.
플로챠트 동작(206)에 관하여, 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에서 실행 가능한 프로그램의 적어도 한 영역을 동작시키기 위한 컴퓨터 내장 방법은 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행 가능한 프로그램 영역을 순차적으로 실행하는 것을 포함한다. 본 발명의 실시 예에 따라, 실행 가능한 메모리와 관련된 O/S는 그 밖의 아무 곳에서가 아니라 실행 가능한 메모리로부터 실행 가능한 프로그램의 영역을 참조할 수 있도록 환경을 설정해 준다. 하나의 실시 예로 O/S는 실행 가능한 프로그램의 영역을 독립적으로 컴파일하기보다는 실행 가능한 메모리에 저장된 실행 가능한 프로그램 영역의 실행을 위하여 실행 가능한 메모리로 접근하도록 환경이 설정되어 있다. 실시 예에서 O/S의 의미는 컴퓨터 프로그램 또는 다수의 컴퓨터 프로그램의 실행을 제어하는 소프트웨어로 정의되며, 예를 들면, 하드웨어 응용과 사용자 제어사이를 제어하는 소프트웨어이다. 하나의 실시 예로, O/S는 제한없이 예를 들면, 맥(Mac) O/S, 유닉스(UNIX) O/S, 니눅스(LINUX) O/S 또는 윈도우 O/S 등의 소프트웨어이다.
하나의 실시 예로, 본 발명은, 본 발명의 실시 예에 따라, 기계가 읽을 수 있는 매체를 포함하는 프로그램 또는 소프트웨어 제품으로 제공되며, 명령어들이 저장되어 있어 컴퓨터시스템(또는 전자 장치)에 프로그램을 로드하여 처리 수행한다. 기계가 읽을 수 있는 매체에는 기계(예를 들면 컴퓨터)에 의하여 읽을 수 있는 형태로 정보를 저장 또는 전송하는 임의의 메커니즘을 포함할 수 있다. 예를 들면, 실시 예에서, 기계(예를 들면 컴퓨터)가 읽을 수 있는 매체는 기계(예를 들면 컴퓨터)가 읽을 수 있는 저장매체(예를 들면 읽기 전용 메모리(ROM), 랜덤액세스 메모리(RAM), 자기 디스크저장수단(media), 광저장 수단, 플래쉬 메모리 장치 등), 기계(예를 들면 컴퓨터)가 읽을 수 있는 전송 매체(전기적, 광학적, 음향적 또는 신호의 다른 형태(예 자외선 신호, 디지틀 신호 등))등을 포함한다. 하나의 실시 예로, 여기서 '컴퓨터 내장된(implemented)' 용어는 프로세서 내장된 것을 의미한다. 하나의 실시 예로, 여기에 기술된 적어도 하나의 방법이 휴대 가능한 장치에 내장되어진다. 예를 들면, 컴퓨터를 탑재하지 아니하고 프로세서가 탑재된 셀룰러(cellular) 폰을 들 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 기계가 읽을 수 있는 저장 매체는 명령어를 저장하고 있어 데이터 처리시스템이 실행 가능한 비휘발성 메모리에 실행 가능한 프로그램을 적어도 하나의 영역을 동작시키는 방법을 수행하게 된다. 실시 예에서는, 방법은 사용자 입력 또는 운영 체제 프로파일을 적용하여 적어도 실행 가능한 프로그램의 하나의 영역을 실행 가능한 비휘발성 메모리에 탑재하는 것을 포함한다. 방법은, 결과적으로 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 수행 가능한 프로그램의 영역을 수행하는 것을 포함한다. 하나의 실시 예로, 운용체제 프로파일이 적용되며 운용체제 프로파일의 생성은 과거 타임프레임에서 수행 가능한 프로그램이 액세스했던 수를 결정하는 것을 포함한다. 다른 실시 예에서는, 부가된 방법은 앞서 프로그램을 탑재하고, 탑재된 프로그램의 실행, 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 전원의 제거 및 실행 가능한 비 휘발성 메모리로부터 전원의 복구를 포함한다. 하나의 실시 예로, 실행 가능한 비휘발성 메모리는 위상-변화 메모리 에레이(array)를 포함한다. 다른 실시 예에서, 실행 가능한 비휘발성 메모리는 NOR 플레쉬 메모리 장치이다.
도3은 컴퓨터 시스템(300)의 형태로 기계를 다이야그램으로 도시한 것이며, 여기서 기술한 하나 또는 그 이상의 방법론을 수행하도록 기계 내에서 하나의 세트로된 명령어들이 실행된다. 예를 들면, 본 발명의 실시 예에 따라, 도3은 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에서 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역의 동작을 위하여 탑재된 컴퓨터 시스템의 하나의 예를 블록다이야그램으로 도시한 것이다. 다른 변형 실시 예로, 기계는 LAN(Local Area Network), 내부전산망, 외부전산망 또는 인터넷으로 다른 기계에 연결되어 있다. 하나의 실시 예로, 기계는 서버 또는 고객-서버 네트워크 환경에서 고객의 기계 또는 피어투피어(분산된) 네트워크 환경에서는 피어기계의 용량으로 동작한다. 하나의 실시 예로, 기계는 개인용 컴퓨터(PC), 테블렛 컴퓨터, 셋업 박스(STB), PDA, 셀룰러 폰, 웹 응용, 서버, 네트워크 라우터, 스위치, 브릿지 또는 기계에 의하여 수행되어질 동작을 구체화하는 한 세트의 명령어들(연속적 또는 그러하지 않든)을 수행할 수 있는 임의의 기계이다.
더 나아가, 설명되어질 오직 하나의 기계에 대하여, '머신'의 의미는 여기서 기술한 하나 또는 그 이상의 방법론을 수행하기 위한 하나 또는 다수의 명령어를 단독으로 또는 연계하여 수행하는 기계(예 컴퓨터 또는 프로세서)의 임의의 부품을 포함한다.
컴퓨터 시스템(300)의 예에서는 프로세서(302), 메인 메모리(304)(예를 들어, ROM(read-only memory), 플래쉬 메모리, DRAM(dynamic random access memory)에 대하여 예를 들면, 동기 DRAM(SDRAM)과 램버스(Rambus)DRAM(RDRAM), 스테틱 메모리(306)(예를 들어, 플래쉬 메모리, SRAM, 등)와, 버스(330)를 통해서 서로 통신을 하기 위한 보조메모리(예를 들어, 데이터 저장장치)가 포함된다.
프로세서(302)는 하나 그 이상의 일반적인 목적의 프로세싱 장치를 대표하며, 예를 들면, 마이크로프로세서, 중앙처리장치 또는 이와 균등한 것들이다. 더 특별한 실시 예로, 프로세서(302)는 CISC(complex instruction set computing) 마이크로프로세서, RISC(reduced instruction set computing) 마이크로프로세서, VLIW(very long instruction word) 마이크로프로세서, 다른 명령어 세트가 탑재된 프로세서 또는 명령어 세트가 결합하여 탑재된 프로세서이다. 하나의 실시 예로, 프로세서(302)는 예를 들어, 에이직(an application specific integrated circuit, ASIC), 필드 프로그램 게이트 어레이(a field programmable gate array, FPGA), 디지탈 신호 프로세서(DSP), 네트워크 프로세서 등과 같은 한 가지 이상의 특별한 목적을 가지는 프로세싱 장치이다. 프로세서(302)는 여기서 논의된 동작을 수행하기 위해 프로세싱 로직(326)을 실행한다.
하나의 실시 예로, 컴퓨터 시스템(300)은 더 나아가 네트워크 인터페이스 장치(308)를 포함한다. 하나의 실시 예로, 컴퓨터 시스템(300)은 또한, 비디오 디스플레이 유닛(310)(예를 들어, 액정 디스플레이(LCD) 또는 cathode ray tube(CRT), 알파뉴메릭 입력 장치(312)(예를 들어, 키보드), 커서 콘트롤 장치(314)(예를 들어, 마우스), 신호 발생 장치(316)(예를 들어 ,스피커)를 포함한다.
하나의 실시 예로, 보조 메모리(318)는 여기서 설명된 한 가지 이상의 방법론이나 기능을 구현하는 하나 이상의 명령어 세트(예를 들어,소프트웨어(322)가 저장되어 있는 기계가 읽을 수 있는 저장 매체(혹은 더 구체적으로 컴퓨터가 읽을 수 있는 저장 매체)(331)를 포함한다. 하나의 실시 예로, 컴퓨터 시스템(300)에 의해 실행되는 동안 소프트웨어(322)는 완전히 또는 적어도 부분적으로 주 메모리(304) 혹은 프로세서(302) 내에 내재하며. 메인 메모리(304)와 프로세서(302)는 또한 기계가 읽을 수 있는 저장 매체를 구비한다. 하나의 실시 예로, 소프트웨어(322)는 더 나아가 네트워크 인터페이스 장치(308)를 통하여 네트워크(320)로 전송되거나 수신된다.
기계가 읽을 수 있는 저장매체(331)는 실시 예에서, 단수 매체인 반면에, '기계가 읽을 수 있는 저장매체'라는 용어는 한 가지 이상의 명령어를 저장하는 단수 또는 다수의 매체(예를 들어, 중앙 집중되거나 분산된 데이타베이스, 혹은 보조저장장치 또는 서버)를 포함하여야 한다. '기계가 읽을 수 있는 저장 매체'라는 용어는 기계로 실행할 한 세트의 명령어를 저장하거나 암호화할 수 있는 임의의 매체를 포함해야 하며, 본 발명을 구현하는 한 가지 이상의 방법을 기계가 수행하게 해야 한다. 따라서 기계가 읽을 수 있는 저장 매체'라는 용어는 제한적이지는 않지만, 고체상태의 메모리와 광학적, 자기적 매체가 포함되어야 한다.
본 발명의 또 다른 실시 예에 따라, 무선 통신 장치는 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에서 적어도 한 가지 영역의 실행 가능한 프로그램을 수행하게 환경을 설정한다. 무선 통신 장치는 방송 중인 신호를 받는 트랜시버와, 트랜시버와 결합되는 프로세서 코어, 적어도 첫 번째 프로세서 코어에 내장된 실행 가능한 비휘발성 메모리를 포함한다. 하나의 실시 예로, 실행 가능한 비휘발성 메모리는 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에서 적어도 한 영역의 실행 가능한 프로그램을 작동시키는 방법이 포함되게 환경을 설정한다. 하나의 실시 예로, 그 방법은 사용자 입력이나 운영 체제 프로파일을 적용하여 비휘발성 메모리 내에 적어도 한 가지 영역의 실행 가능한 프로그램을 탑재시키는 것이다. 그 방법은 또한 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 적어도 하나의 영역에 실행 가능한 프로그램을 탑재하는 것을 포함한다. 그리하여 그 방법은 결과적으로 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행 가능한 영역의 프로그램을 실행하는 것을 포함한다.
무선 통신 장치의 한 실시 예로, 운영 체제 프로파일이 적용되고, 운영 체제 프로파일의 발생에는 과거의 타임프레임에서 실행 가능한 프로그램이 사용된 횟수를 정하는 것을 포함한다. 무선 통신 장치의 또 다른 실시 예로, 그 방법은 더 나아가 탑재에 앞서 혹은 탑재된 프로그램을 실행한 다음에, 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 전원을 제거하고, 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 전원을 복구하는 것을 포함한다. 무선 통신 장치의 한 실시 예로, 실행 가능한 비휘발성 메모리는 위상변화 메모리 어레이를 포함한다. 무선 통신 장치의 또 다른 실시 예로, 실행 가능한 비휘발성 메모리는 NOR 플래쉬 메모리 장치이다.
도4는 본 발명의 실시 예에 따라, 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 적어도 한 영역의 실행 가능한 프로그램을 동작시키는 방법이 포함되도록 환경이 설정된 실행 가능한 메모리를 구현한 무선통신 구조를 개략적으로 도시한 것이다. 그러나, 본 발명의 실시 예는 무선통신으로 제한되지 않고 본 발명의 실시 예와 협력하여 다른 유선 응용에도 사용될 것이라는 점에 주목해야 한다. 도4에 기초하여, 라디오가 방송 중인 다른 통신 장치와 통신하는 것을 허용하는 한 가지 이상의 안테나 구조를 포함한다. 비록 본 발명의 실시 예가 이런 네트워크들만의 작동으로 제한되지는 않는다할지라도, 통신장치(410)는 셀룰러(cellular) 장치 혹은 무선 통신으로, 예를 들어, [EEE 802.1] 규정에 기반을 둔 무선로컬지역네트워크(WLAN), [EEE 802.16-2005에 기반을 둔 WiMax Mobile WiMax, 와이드밴드 코드분할 다중액세스(WCDMA), 그리고, 이동통신을 위한 글로벌 시스템(GSM) 네트워크를 제공하는 무선 충실도(Wi-Fi)를 무선 네트워크로 동작하는 장치로서 작동할 수 있다. 하나의 실시 예로, 통신장치(410)와 같은 플랫폼에 함께 위치한 라디오 보조 시스템은 네트워크의 다른 장치들과 R/F위치 공간에서 다른 주파수 밴드와 통신할 수 있게 한다.
본 발명의 실시 예의 보호범위는 통신장치(410)에 의해 사용될 수 있는 통신 프로토콜의 타입 수 혹은 주파수에 의해 제한되지는 않는다. 그러나, 실시 예를 통해서, 안테나 구조(414)와 트랜시버(412)를 결합시켜 변조(modulation)나 복조(demodulation)를 조절하는 것을 설명한다. 일반적으로 아날로그 전단 트랜시버(analog front end transceiver, 412)는 독립형 무선주파수(RF)를 분리 혹은 통합한 아날로그 회로이거나 또는 트랜시버(412)는 한 가지 이상의 프로세서 코어(416, 418)를 가진 프로세서에 내장될 수 있다. 한 실시 예로, 다수의 코어는 처리할 일의 분량을 전체 코어가 분담하게 하고, 베이스밴드 기능과 응용 기능을 다룬다. 인터페이스는 프로세서와 시스템 메모리(420) 내의 메모리 저장 사이에 통신 또는 정보를 제공하는데 사용될 것이다. 비록 본 발명의 실시 예의 보호 범위가 제한되지는 않으며, 인터페이스는 프로세서와 시스템 메모리(420)사이의 핸드쉐이크를 제공하기 위해 사용되는 제어신호를 따라 정보를 공유하기 위하여 직렬 또는 병렬 버스 제공을 포함할 수 있다.
시스템 메모리(420)는 무선통신장치(410)가 작동되는 동안 프로세서에 의해 실행되는 명령어를 저장하도록 선택적으로 사용될 수 있고, 메시지가 무선통신장치(410)에 의해 전송되고 혹은 실제 데이터가 전송되는 삽입 조건과 같은 사용자 데이터를 저장하는데 사용될 수 있다. 시스템 메모리(420)는 한 가지 이상의 다른 타입의 메모리에 의해 제공될 수도 있고, 위상 변화 물질을 가진 휘발성과 비휘발성 메모리(422) 둘 다 포함 할 수도 있다. 비휘발성 메모리(422)는 위상 변화 메모리(PCM), 위상 랜덤 액세스 메모리(PRAM 혹은 PCRAM), Ovnic Unified Memory (OUM) 혹은 칼코제나이드 랜덤 액세스 메모리(C-RAM)를 말한다.
휘발성과 비휘발성 메모리는 결합될 수 있다. 개별적으로 패키지되거나 멀티칩 패키지로 놓인 보드 위에 풋 프린트를 줄이기 위해 스택공정(stacking process)과 결합할 수 있다. 실시 예는 또한 한 가지 이상의 프로세서 코어가 비휘발성 메모리(432)에 내장될 수 있음을 설명한다. 본 발명의 실시 예에 따라, 적어도 하나의 비휘발성 메모리(422 또는 432)는 도3에서 묘사되었듯이, 실행 가능한 비휘발성 메모리(422) 내에 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역(440)이 작동하도록 환경이 설정되어 있다.
상기 설명된 바와 같이, 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 적어도 한 영역에서 실행 가능한 프로그램이 작동하도록 환경이 설정된 실행 가능한 메모리는 위상 변화 메모리 셀 어레이를 포함한다. 도5는 본 발명의 실시 예에 따라, 위상 변화 메모리 셀 내에 적어도 한 영역의 실행 가능한 프로그램을 작동하는 방법이 포함되도록 환경이 설정된 위상 변화 메모리 셀 어레이 내의 위상 변화 메모리 셀을 도시했다.
본 발명 실시 예의 일면으로 위상변화 메모리 셀 어레이(500)는 선택장치와 결합된 저장물질로 구성되어진 메모리 셀을 포함한다. 실시 예에서, 위상변화 메모리 셀(510)은 주기율표 그룹 IV군 원소(element)의 합금으로 구성되어 있다. 원소는 칼코겐의 이원 화합물로 언급되어지는 Te와 Se 이다. 칼코겐의 이원 화합물은 데이터를 유지하고 비휘발성 메모리에서 전원을 제거할 때에도 안전하게 남아 있도록 위상변화 메모리 셀에서 유리하게 사용할 수 있다. 위상변화 물질로 Ge2Sb2Te5 을 택할 때, 메모리 저장으로 사용할 수 있도록 두 개 또는 그 이상의 위상으로 구분되는 뚜렷한 전기적 특성을 보인다. 실시 예에서, 각 위상변화 메모리 셀(510)은 선택장치와 메모리 요소를 포함한다. 어레이(500)를 양극 선택장치로 도시하였으나, 선택적 실시 예에는 CMOS 선택장치 또는 예를 들면 열, 빛, 전위 및 전류와 같은 에너지 응용을 통한 칼코겐의 이원 화합물의 전기적 특성(저항, 커패시턴스 등)을 식별하고 선택적으로 변화시키기 위하여 다이오드를 사용할 수 있다. 칼코겐의 이원 화합물은 다중레벨 저장 능력을 보이기 때문에 무정형과 결정질 상태사이의 중간물의 서로 다른 상태사이에서 전기적으로 스위칭되어질 수 있고, 그 때문에 다양한 레벨의 저장능력이 생긴다. 메모리물질의 상태 또는 위상을 변경하기 위하여, 본 실시 예에서는 메모리 셀 장치에 적용될 수 있는 메모리 선택장치의 문턱전압보다 큰 프로그래밍 전위(voltage potential)를 설명한다. 전류는 메모리물질을 통해서 흐르고 전기적 특성을 변화시키는 열을 발생하며, 메모리 상태 및 메모리물질의 위상을 변화시킨다. 예에 의하여, 쓰기 동작에서 위상변화물질을 900℃가 넘는 온도로 가열하면 위상변화 물질이 융점(Tm)에 놓인다. 그 다음에 신속하게 냉각시키면 저장된 위상변화물질은 데이터가 '1' 값을 가지는 리세트로 언급되는 무정형 상태에 놓인다.
예로서, 위상변화 물질로 Ge2Sb2Te5 을 택할 때, 융점(Tm)을 얻기 위한 것과 무정형 위상을 얻기 위하여 국부적인 가열 후 냉각사이의 시간은 50 ns 보다 작을 수 있다. 다른 한편으로, 리세트로부터 세트로 메모리 셀을 프로그램하기 위하여, 국부의 온도는 완전한 결정체를 이루기 위하여 50 ns(Ge2Sb2Te5 의 경우) 보다 더 긴 시간 동안 결정화 온도(Tx)보다 높게 올려야 한다. 결정화 형상에서의 위상변화 물질은 저장된 데이터가 '0' 값을 가지는 세트 상태로 언급되어진다. 그래서, 셀은 셀에서 허락하는 전류의 펄스 폭 및 진폭에 의하여 프로그램되어질 수 있다. 요약하면, 더 높은 크기, 빠른 펄스는 셀을 무정형화할 것이고, 이에 반하여, 중간의 더 긴 펄스는 셀의 결정화를 허용한다. 읽기 동작에서, 비트라인(BL)과 워드라인(WL)이 선택되고, 외부전류가 선택된 메모리 셀에 공급된다. 칼코겐의 이원 화합물의 메모리장치를 읽기 위하여, 다른 장치 저항으로부터 야기되는 전류차이가 감지된다. 그 다음에 선택된 메모리 셀의 위상변화 물질의 저항에 의하여 야기되는 전압변화에 기초하여 선택된 메모리 셀에 저장되는 데이터가 '1' 또는 '0'으로 결정된다. 이것은 세트 및 리세트와 무정형 및 결정화의 관계가 규정되며, 반대의 규정도 채택될 수 있음을 이해하여야 한다.
실행 가능한 비휘발성 메모리 내에서 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역에서 동작시키기 위한 방법이 기술되었다. 본 발명의 실시 예에 의하여, 방법은 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 프로그램을 탑재하기 위해 사용자 입력에 의하여 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역을 설정하는 것을 포함한다. 실행 가능한 프로그램의 영역은 실행 가능한 비휘발성 메모리에 탑재된다. 실행 가능한 프로그램의 영역은 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행되어진다. 하나의 실시 예에서, 실행 가능한 프로그램의 영역의 탑재와 이어지는 탑재된 프로그램의 실행에서, 전원이 실행 가능한 비휘발성 메모리에서 제거되고, 그 다음에 실행 가능한 비휘발성 메모리에 전원이 복구된다. 하나의 실시 예에서, 실행 가능한 비휘발성 메모리는 위상변화 메모리 어레이로 구성된다.

Claims (20)

  1. 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역에서 동작시키기 위하여 컴퓨터에 탑재하는 방법에 있어서,
    실행 가능한 비휘발성 메모리에 탑재를 위한 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역을 사용자 입력에 의하여 결정하며,
    실행 가능한 비휘발성 메모리에 실행 가능한 프로그램 영역을 설정하고,
    실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행 가능한 프로그램 영역을 실행함을 특징으로 하는 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행 가능한 프로그램 영역을 컴퓨터에 내장하는 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 탑재 및 탑재 후 실행은 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 전원을 제거하고, 실행 가능한 비휘발성 메모리에 전원을 복구함을 특징으로 하는 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행 가능한 프로그램 영역을 컴퓨터에 내장하는 방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    실행 가능한 비휘발성 메모리는 위상변화 메모리 어레이로 구성됨을 특징으로 하는 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행 가능한 프로그램 영역을 컴퓨터에 내장하는 방법.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 위상변화 메모리 어레이는 4 기가 바이트, 8기가 바이트 및 16 기가바이트로 구성된 그룹 중에서 선택된 사이즈를 가짐을 특징으로 하는 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행 가능한 프로그램 영역을 컴퓨터에 내장하는 방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 실행 가능한 비휘발성 메모리는 NOR 플래쉬 메모리 장치임을 특징으로 하는 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행 가능한 프로그램 영역을 컴퓨터에 내장하는 방법.
  6. 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역에서 동작시키기 위하여 컴퓨터에 내장하는 방법에 있어서,
    실행 가능한 비휘발성 메모리에 탑재하기 위한 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역을 결정하기 위하여 운영체제에 의하여 환경을 설정하며,
    실행 가능한 비휘발성 메모리에 실행 가능한 프로그램 영역을 설정하고,
    실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행 가능한 프로그램 영역을 실행함을 특징으로 하는 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행 가능한 프로그램 영역을 컴퓨터에 내장하는 방법.
  7. 청구항 6에 있어서,
    과거의 타임프레임에서 엑세스되었던 실행 가능한 프로그램이 사용된 횟수를 결정하는 구성을 구비함을 특징으로 하는 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행 가능한 프로그램 영역을 컴퓨터에 내장하는 방법.
  8. 청구항 6에 있어서,
    상기 탑재 및 탑재 후 실행은 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 전원을 제거하고, 실행 가능한 비휘발성 메모리에 전원을 복구함을 특징으로 하는 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행 가능한 프로그램 영역을 컴퓨터에 내장하는 방법.
  9. 청구항 6에 있어서,
    실행 가능한 비휘발성 메모리는 위상변화 메모리 어레이로 구성됨을 특징으로 하는 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행 가능한 프로그램 영역을 컴퓨터에 내장하는 방법.
  10. 청구항 6에 있어서,
    실행 가능한 비휘발성 메모리는 NOR 플래쉬 메모리 장치임을 특징으로 하는 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행 가능한 프로그램 영역을 컴퓨터에 내장하는 방법.
  11. 실행 가능한 비휘발성 메모리에서 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역에서 동작하는 방법을 실행하기 위하여 데이터처리 시스템에 저장된 명령어를 구비한 기계가 접근 가능한 기록매체에 있어서,
    실행 가능한 비휘발성 메모리에 탑재하기 위한 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역을 결정하기 위하여 사용자 입력 또는 운영체제를 적용하며,
    실행 가능한 비휘발성 메모리에 실행 가능한 프로그램 영역을 설정하고,
    실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행 가능한 프로그램 영역을 실행함을 특징으로 하는 기계가 접근 가능한 기록매체.
  12. 청구항11에 있어서,
    운영체제 프로파일은 과거의 타임프레임에서 엑세스 되었던 실행 가능한 프로그램이 사용된 횟수를 결정하는 구성을 구비하고 이를 적용함을 특징으로 하는 기계가 접근 가능한 기록매체.
  13. 청구항 11에 있어서,
    상기 탑재 및 탑재 후 실행은 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 전원을 제거하고, 실행 가능한 비휘발성 메모리에 전원을 복구함을 특징으로 하는 기계가 접근 가능한 기록매체.
  14. 청구항 11에 있어서,
    실행 가능한 비휘발성 메모리는 위상변화 메모리 어레이로 구성됨을 특징으로 하는 기계가 접근 가능한 기록매체.
  15. 청구항 11에 있어서,
    실행 가능한 비휘발성 메모리는 NOR 플래쉬 메모리 장치임을 특징으로 하는 기계가 접근 가능한 기록매체.
  16. 무선통신장치에 있어서,
    전파신호를 수신하기 위한 트랜시버;
    상기 트랜시버와 연결되는 프로세서 코어;
    적어도 제1 프로세서 코어에 내장되는 실행 가능한 비휘발성 메모리, 실행 가능한 비휘발성 메모리 내에 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역에서 동작하기 위한 방법이 포함된 구성이며,
    그 방법은
    실행 가능한 비휘발성 메모리에 탑재하기 위하여 실행 가능한 프로그램의 적어도 하나의 영역을 설정하기 위하여 사용자 입력 또는 운영체제를 적용하며,
    다음으로, 실행 가능한 비휘발성 메모리에 실행 가능한 프로그램 영역을 설정하고,
    실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 실행 가능한 프로그램 영역을 실행함을 특징으로 하는 무선통신장치.
  17. 청구항16에 있어서,
    운영체제 프로파일은 과거의 타임프레임에서 엑세스되었던 실행 가능한 프로그램이 사용된 횟수를 결정하는 구성을 구비하고 이를 적용함을 특징으로 하는 특징으로 하는 무선통신장치.
  18. 청구항 16에 있어서,
    상기 탑재 및 탑재 후 실행은 실행 가능한 비휘발성 메모리로부터 전원을 제거하고, 실행 가능한 비휘발성 메모리에 전원을 복구함을 특징으로 하는 무선통신장치.
  19. 청구항 16에 있어서,
    실행 가능한 비휘발성 메모리는 위상변화 메모리 어레이로 구성됨을 특징으로 하는 무선통신장치.
  20. 청구항 16에 있어서,
    실행 가능한 비휘발성 메모리는 NOR 플래쉬 메모리 장치임을 특징으로 하는 무선통신장치.
KR1020100043041A 2009-06-02 2010-05-07 실행 가능한 비휘발성 메모리에 실행 가능한 프로그램의 영역에서의 동작을 위한 방법 KR20100130146A (ko)

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KR1020100043041A KR20100130146A (ko) 2009-06-02 2010-05-07 실행 가능한 비휘발성 메모리에 실행 가능한 프로그램의 영역에서의 동작을 위한 방법

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Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8892808B2 (en) * 2011-04-22 2014-11-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Retention-value associated memory
US8607089B2 (en) 2011-05-19 2013-12-10 Intel Corporation Interface for storage device access over memory bus
KR101612202B1 (ko) 2011-09-28 2016-04-12 인텔 코포레이션 동기화를 위한 메모리 컨트롤러 내의 최대 공산 디코더
EP3382556A1 (en) 2011-09-30 2018-10-03 INTEL Corporation Memory channel that supports near memory and far memory access
CN103946826B (zh) 2011-09-30 2019-05-31 英特尔公司 用于在公共存储器通道上实现多级存储器层级的设备和方法
EP3346386B1 (en) 2011-09-30 2020-01-22 Intel Corporation Non-volatile random access memory (nvram) as a replacement for traditional mass storage
EP3712774B1 (en) 2011-09-30 2023-02-15 Tahoe Research, Ltd. Apparatus and method for implementing a multi-level memory hierarchy
WO2013048503A1 (en) 2011-09-30 2013-04-04 Intel Corporation Apparatus and method for implementing a multi-level memory hierarchy having different operating modes
WO2013048467A1 (en) 2011-09-30 2013-04-04 Intel Corporation Generation of far memory access signals based on usage statistic tracking
US9378133B2 (en) 2011-09-30 2016-06-28 Intel Corporation Autonomous initialization of non-volatile random access memory in a computer system
US9430372B2 (en) 2011-09-30 2016-08-30 Intel Corporation Apparatus, method and system that stores bios in non-volatile random access memory
WO2013077867A1 (en) 2011-11-22 2013-05-30 Intel Corporation Access control for non-volatile random access memory across platform agents
CN103975287B (zh) 2011-12-13 2017-04-12 英特尔公司 使用非易失性随机存取存储器的服务器中的增强系统睡眠状态支持
CN104106057B (zh) 2011-12-13 2018-03-30 英特尔公司 用非易失性随机存取存储器提供对休眠状态转变的即时响应的方法和系统
CN103999161B (zh) 2011-12-20 2016-09-28 英特尔公司 用于相变存储器漂移管理的设备和方法
BR112014013390A2 (pt) 2011-12-20 2017-06-13 Intel Corp redução de potência parcial dinâmica de cache de lado de memória em hierarquia de memória de 2 níveis
US9448922B2 (en) 2011-12-21 2016-09-20 Intel Corporation High-performance storage structures and systems featuring multiple non-volatile memories
WO2013095559A1 (en) 2011-12-22 2013-06-27 Intel Corporation Power conservation by way of memory channel shutdown
WO2013095530A1 (en) 2011-12-22 2013-06-27 Intel Corporation Efficient pcms refresh mechanism background
US9396118B2 (en) 2011-12-28 2016-07-19 Intel Corporation Efficient dynamic randomizing address remapping for PCM caching to improve endurance and anti-attack
US9152428B2 (en) 2012-09-28 2015-10-06 Intel Corporation Alternative boot path support for utilizing non-volatile memory devices
US10204047B2 (en) 2015-03-27 2019-02-12 Intel Corporation Memory controller for multi-level system memory with coherency unit
US10387259B2 (en) 2015-06-26 2019-08-20 Intel Corporation Instant restart in non volatile system memory computing systems with embedded programmable data checking
US10073659B2 (en) 2015-06-26 2018-09-11 Intel Corporation Power management circuit with per activity weighting and multiple throttle down thresholds
US10108549B2 (en) 2015-09-23 2018-10-23 Intel Corporation Method and apparatus for pre-fetching data in a system having a multi-level system memory
US10185501B2 (en) 2015-09-25 2019-01-22 Intel Corporation Method and apparatus for pinning memory pages in a multi-level system memory
US10261901B2 (en) 2015-09-25 2019-04-16 Intel Corporation Method and apparatus for unneeded block prediction in a computing system having a last level cache and a multi-level system memory
US9792224B2 (en) 2015-10-23 2017-10-17 Intel Corporation Reducing latency by persisting data relationships in relation to corresponding data in persistent memory
US10033411B2 (en) 2015-11-20 2018-07-24 Intel Corporation Adjustable error protection for stored data
US10095618B2 (en) 2015-11-25 2018-10-09 Intel Corporation Memory card with volatile and non volatile memory space having multiple usage model configurations
US9747041B2 (en) 2015-12-23 2017-08-29 Intel Corporation Apparatus and method for a non-power-of-2 size cache in a first level memory device to cache data present in a second level memory device
US10007606B2 (en) 2016-03-30 2018-06-26 Intel Corporation Implementation of reserved cache slots in computing system having inclusive/non inclusive tracking and two level system memory
US10185619B2 (en) 2016-03-31 2019-01-22 Intel Corporation Handling of error prone cache line slots of memory side cache of multi-level system memory
US10120806B2 (en) 2016-06-27 2018-11-06 Intel Corporation Multi-level system memory with near memory scrubbing based on predicted far memory idle time
US10915453B2 (en) 2016-12-29 2021-02-09 Intel Corporation Multi level system memory having different caching structures and memory controller that supports concurrent look-up into the different caching structures
US10445261B2 (en) 2016-12-30 2019-10-15 Intel Corporation System memory having point-to-point link that transports compressed traffic
US10304814B2 (en) 2017-06-30 2019-05-28 Intel Corporation I/O layout footprint for multiple 1LM/2LM configurations
US11188467B2 (en) 2017-09-28 2021-11-30 Intel Corporation Multi-level system memory with near memory capable of storing compressed cache lines
US10860244B2 (en) 2017-12-26 2020-12-08 Intel Corporation Method and apparatus for multi-level memory early page demotion
US11099995B2 (en) 2018-03-28 2021-08-24 Intel Corporation Techniques for prefetching data to a first level of memory of a hierarchical arrangement of memory
CN109669438B (zh) * 2018-12-14 2020-07-21 北京东土科技股份有限公司 飞行器伺服弹性测试分析系统和介质
US11055228B2 (en) 2019-01-31 2021-07-06 Intel Corporation Caching bypass mechanism for a multi-level memory

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07105011A (ja) * 1993-09-30 1995-04-21 Hitachi Software Eng Co Ltd プログラムロード方法
JP2002268903A (ja) * 2001-03-14 2002-09-20 Ricoh Co Ltd プログラム管理方式
US6566700B2 (en) * 2001-10-11 2003-05-20 Ovonyx, Inc. Carbon-containing interfacial layer for phase-change memory
US7103718B2 (en) * 2002-09-03 2006-09-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Non-volatile memory module for use in a computer system
US7103746B1 (en) * 2003-12-31 2006-09-05 Intel Corporation Method of sparing memory devices containing pinned memory
JP2006268370A (ja) * 2005-03-23 2006-10-05 Nec Corp 組み込み機器ソフトウェアの実行形式最適化方式
US7363456B2 (en) * 2005-04-15 2008-04-22 International Business Machines Corporation System and method of allocating contiguous memory in a data processing system
US7620773B2 (en) * 2005-04-15 2009-11-17 Microsoft Corporation In-line non volatile memory disk read cache and write buffer
KR100773095B1 (ko) * 2005-12-09 2007-11-02 삼성전자주식회사 상 변화 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법
CN101063943A (zh) * 2006-04-24 2007-10-31 华晶科技股份有限公司 利用nand闪存来开机的开机系统
US20080162821A1 (en) * 2006-12-27 2008-07-03 Duran Louis A Hard disk caching with automated discovery of cacheable files
US8359423B2 (en) * 2008-03-14 2013-01-22 Spansion Llc Using LPDDR1 bus as transport layer to communicate to flash
CN101266577B (zh) * 2008-03-27 2010-06-16 上海交通大学 可编程片上带有存储器接口的nor闪存读取控制方法
US8621144B2 (en) * 2008-06-26 2013-12-31 Intel Corporation Accelerated resume from hibernation in a cached disk system

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Publication number Publication date
JP2010282630A (ja) 2010-12-16
US20100306453A1 (en) 2010-12-02
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