JP2010281569A - 圧力センサ用パッケージ - Google Patents
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Abstract
【課題】洗浄性がよく、高信頼性が得られる圧力センサ用パッケージを得る。
【解決手段】ダイアフラム21の周辺に複数のパッド24が設けられた半導体圧力センサチップ1を収容し、封止プレート117により半導体圧力センサチップ1に圧力導入空間を形成するパッケージであって、このパッケージは、半導体圧力センサチップ1のパッド24とワイヤボンディングされる複数のパッド113bと、前記圧力導入空間において半導体圧力センサチップ1を挟んで対向するパッケージの側壁に設けられた少なくとも一対の圧力導入口125を備え、この圧力導入口125を、前記封止プレート117寄りに、前記パッド24及びワイヤボンディング121を封止する樹脂123の間隔W2以上の幅で形成した。
【選択図】図3
【解決手段】ダイアフラム21の周辺に複数のパッド24が設けられた半導体圧力センサチップ1を収容し、封止プレート117により半導体圧力センサチップ1に圧力導入空間を形成するパッケージであって、このパッケージは、半導体圧力センサチップ1のパッド24とワイヤボンディングされる複数のパッド113bと、前記圧力導入空間において半導体圧力センサチップ1を挟んで対向するパッケージの側壁に設けられた少なくとも一対の圧力導入口125を備え、この圧力導入口125を、前記封止プレート117寄りに、前記パッド24及びワイヤボンディング121を封止する樹脂123の間隔W2以上の幅で形成した。
【選択図】図3
Description
本発明は、気圧等の圧力を測定する、例えばダイアフラム型の半導体圧力センサチップをパッケージングする圧力センサ用パッケージに関する。
従来、自動車のタイヤ空気圧などを測定する、ダイアフラム型の半導体圧力センサチップが知られている。この半導圧力センサチップは、圧力センサ用パッケージにパッケージングされた状態で最終製品となる(特許文献1、2)。
従来の圧力センサ用パッケージは、パッケージングした半導体圧力センサチップ201に外気を流通させるために、パッケージ203に2個の通気孔205が設けられている。
特開平7-055614号公報
特開平8-075517号公報
しかし従来の圧力センサ用パッケージ203の通気孔205は、パッケージ203の上面に設けられた、小径の円形孔なので、流路は狭く、液が溜まり易い構造となっていた。そのため、後工程の洗浄において、これらの通気孔より入り込んだ洗浄液が十分にリンス・乾燥されずに残り、製品信頼性の低下を引き起こすおそれがあった。
かかる従来技術の問題に鑑みて本発明は、洗浄性がよく、高信頼性が得られる圧力センサ用パッケージを得ることを目的とする。
かかる目的を達成する本発明は、感圧部の周辺に複数のパッドが設けられた圧力センサを収容し、封止プレートにより前記圧力センサ上に圧力導入空間を形成するパッケージであって、前記パッケージは、前記圧力センサのパッドとワイヤボンディングされる複数のパッドと、前記圧力導入空間において前記圧力センサを挟んで対向するパッケージの側壁に設けられた少なくとも一対の圧力導入口を備え、前記圧力導入口は、前記封止プレート寄りに、前記パッド及びワイヤボンディングを封止する樹脂の間隔以上の幅で形成されていることに特徴を有する。
前記圧力導入口は、前記側壁の幅方向に長い形状とすることが好ましい。
前記圧力導入口の高さは、0.05〜0.3mmに設定されることが好ましい。
前記圧力導入口の高さは、0.05〜0.3mmに設定されることが好ましい。
本発明の圧力センサ用パッケージは、セラミック積層プレートで構成し、このセラミック積層プレートは、ベースプレートと、中央に圧力センサを収容する収容空間を有し、圧力センサの高さと略同一の高さの中間プレートと、この中間プレートの収容空間上に圧力導入空間を形成する側壁となる上部プレートと、この上部プレートの上面に接合される封止プレートとを有し、前記上部プレートに、前記封止プレートとで前記圧力導入口を形成する凹部を形成することができる。
より実際的には、前記圧力センサは矩形の上面の略中央にダイアフラムを有し、このダイアフラムの周辺であって、矩形の角部近傍にパッドを有するダイアフラム型半導体圧力センサであって、前記中間プレートには前記収容された圧力センサの上面と略同一の高さの段部及びこの段部にパッドを有し、前記圧力センサの上面に設けられたパッドが前記中間プレートの段部のパッドにワイヤボンディングされ、このワイヤボンディング及び前記パッドが前記圧力センサと収容空間との間に充填されたポッティング樹脂に埋め込まれる。
以上の構成からなる本発明によれば、半導体圧力センサチップを収容したパッケージングの内部空間を規制する対向側壁に圧力導入口を設け、その幅を前記圧力センサのパッドとパッケージのパッドとを導通するワイヤボンディングを封止する樹脂の間隔以上の幅の大開口としたので、後工程等で洗浄液に浸したときに洗浄液の流入及び排出効率が高く、パッケージング内部に侵入した洗浄液が内部に残ることなく乾燥させることが可能になり、高信頼性が得られる。
本発明の最良の実施形態について、添付図を参照して説明する。図1はダイアフラム型の半導体圧力センサチップにかかる本発明の実施形態の要部を示す断面図である。
この半導体圧力センサチップ1は、ピエゾ素子(感応抵抗素子)22、配線23及びパッド24が形成されたSOI(シリコン・オン・インシュレータ)基板10と、SOI基板10の下面に接合された、ガラス基板又はSi基板からなるベース基板31により構成されている。このSOI基板10は、第1シリコン基板11と第2シリコン基板13とが、酸化膜であるシリコン酸化膜(Si02)12を介して貼り合わされている。第1シリコン基板11の回路面(上側面)には熱酸化膜であるシリコン酸化膜14が形成されていて、このシリコン酸化膜14の下に、ブリッジ回路を形成するようにピエゾ素子22及び配線23が形成され、周辺に、定電圧入力端子及びグランド端子、並びにブリッジ回路の中点電圧出力端子となるように4個のパッド24が形成されている。さらにピエゾ素子22、配線23及びシリコン酸化膜14の上に、これらを絶縁保護する、ポリイミド等によるパッシベーション膜15が形成されている。なお、各パッド24は、パッシベーション膜15から露出している。
SOI基板10には、第2シリコン基板13にその表面側からキャビティー(凹部)20が形成され、このキャビティー20の上面を構成するシリコン酸化膜12a、第1シリコン基板11、シリコン酸化膜14及びパッシベーション膜15によって、感圧部としてのダイアフラム21が形成されている。このダイアフラム21は、通常、平面視矩形に形成される。ピエゾ素子22は、ダイアフラム21の矩形輪郭の各辺にかかる位置に形成されている。
SOI基板10の第2シリコン基板13の表面(下面)にベース基板31が接合され、ダイアフラム21とベース基板31との間のキャビティー20が密閉され、キャビティー20内は、真空とされる。
以上の構成からなる半導体圧力センサチップ1は、通常ウエハ状態で形成されるので、ウエハから各半導体圧力センサチップ1にダイシングされる。
この半導体圧力センサチップ1は、ダイアフラム21が外面に付加される圧力に応じて歪むと、その歪みに応じてピエゾ素子22の抵抗値が変化する。このピエゾ素子22によって形成されたブリッジ回路の中点電位が、センサ出力として公知の測定装置に出力される。なお、この測定装置の少なくとも一部の回路をSOI基板10の回路面に形成してもよい。
この半導体圧力センサチップ1は、圧力センサパッケージ110に収納される。図2は、圧力センサパッケージ110に半導体圧力センサチップ1を収納し、封止プレート117を装着する前の状態の平面図及び断面図、図3は同封止プレート117を装着した後の状態を示した。
圧力センサパッケージ110は、ベースプレート111と、ベースプレート111上に接合された、半導体圧力センサチップ1を収容する収容空間112a、113aを備えた中間プレート112、113と、中間プレート113の上面に接合された、圧力導入空間114a、115aを備え、圧力導入空間114a、115aの側壁(内壁)となる上部プレート114、115と、上部プレート115の上面に接合される封止プレート(リッド)117を有する。これらのプレート111〜117は公知の材料、例えばセラミックで形成されている。圧力導入空間114a、115aは収納空間112a、113aよりも広く、中間プレート113の上面の一部は圧力導入空間114a、115a内に露出した段部を構成していて、この中間プレート113の段部に、半導体センサチップ1のパッド24に対応する複数のワイヤボンディングパッド113bが形成されている。これらのワイヤボンディングパッド113bは、圧力センサパッケージ110外に露出し、又は露出する電極に接続されている。
半導体圧力センサチップ1は、中間プレート112、113の収容空間112a、113a内に収容され、半導体圧力センサチップ1のパッド24と中間プレート113のワイヤボンディングパッド113bとがワイヤボンディング121により接続される。さらに半導体圧力センサチップ1の周囲の収容空間112a、113a内には、ポッティング樹脂123が充填される。さらにポッティング樹脂123は、ワイヤボンディング121を包含するように充填される。
上層の上部プレート115には、一方の対向側壁に、凹部115bが形成されている。この凹部115bは、前記封止プレート117が上部プレート115に接合されると、封止プレート117、中間プレート113及び上部プレート115の枠部によって囲まれる、横長長方形の圧力導入口125を形成する。
ここで、圧力導入口125の幅をW1、ワイヤボンディング121を包含するポッティング樹脂123の間隔をW2とすると、W1=>W2となるように圧力導入口125の幅を設定する。
以上パッケージングされた半導体圧力センサモジュール100は、洗浄液に浸されて、洗浄される。この半導体圧力センサモジュール100を洗浄液に浸すと洗浄液が圧力導入口125から圧力導入空間114a、115a内に浸入するが、洗浄液から引き上げると、洗浄液は圧力導入空間114a、115aから容易に抜ける。従って、洗浄液が圧力導入空間114a、115a内に残存するおそれがなく、残存した洗浄液による障害が発生することがない。
以上の洗浄工程を経て半導体圧力センサモジュール100が完成する。この半導体圧力センサモジュール100によれば、圧力導入口125から圧力導入空間114a、115a内に圧力が導入されると、この半導体圧力センサチップ1のダイアフラム21が歪み(凹み)、このダイアフラム21の歪みに応じてピエゾ素子22の抵抗値が変化して、ブリッジ回路の中点電位が変化する。この中点電位が、配線基板23、パッド24、ワイヤボンディング121、パッド113bから出力され、この出力を外部の測定装置に入力し、所定の変換係数で変換することにより、圧力が測定される。
この実施形態では、パッケージ110の圧力導入空間114a、115aの横幅は2.0mm、圧力導入口125の幅W1は1.6mmである。この圧力導入口125の幅W1は、ワイヤボンディング121を包含するポッティング樹脂123の間隔W2以上である。
さらに圧力導入口125の高さは、0.05〜0.3mmの範囲で設定することが好ましい。下限よりも小さいと洗浄液等の流れが悪くなり、上限よりも大きいと異物(コンタミ)等が入り易くなる。なお、圧力導入空間114a、115aの高さは、圧力導入口125の高さ以上に設定されている。
本実施形態の圧力センサパッケージ110は、圧力導入口125を封止プレート117寄りに形成したので、ポッティング樹脂123が半導体センサチップ1の上面より盛り上がっても圧力導入口125が塞がれることがない。
さらに本実施形態では、圧力導入口125と封止プレート117との間は接合されないので、上部プレート115と封止プレート117とを接着剤によって接着しても、接着剤が圧力導入口125内にはみ出すことがないので、圧力導入口125が塞がれたり狭められたりするおそれがない。
なお、上部プレート115の他方の対向壁にも凹部を形成してさらに一対の圧力導入口を形成してもよい。 図示した圧力導入口125の正面形状は横長の長方形であるが、正面形状はこれに限定されず、横長の長円形状であってもよい。ただし、圧力導入口125の内周面は滑らかな平面、曲面とすることが好ましく、段差や屈曲部がないことが望ましい。
図示実施形態では中間プレート112、113及び上部プレート114、115をそれぞれ二層構造としたが、それぞれ一層構造で形成してもよく、各プレート111〜115を単一のプレート構造としてもよい。
1 半導体圧力センサチップ
10 SOI基板
11 第1シリコン基板(他方の基板)
12 シリコン酸化膜(酸化膜)
13 第2シリコン基板(一方の基板)
15 パッシベーション膜
21 ダイアフラム
22 ピエゾ素子(感応抵抗素子)
23 配線
24 パッド
31 ベース基板
100 半導体圧力センサモジュール
110 圧力センサパッケージ
112 113 中間プレート
112a 113a 収容空間
113b パッド
114 115 上部プレート
114a 115a 圧力導入空間
115b 凹部
117 封止プレート
121 ワイヤボンディング
123 ポッティング樹脂
125 圧力導入口
W1 圧力導入口の幅
W2 ポッティング樹脂の間隔
10 SOI基板
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12 シリコン酸化膜(酸化膜)
13 第2シリコン基板(一方の基板)
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21 ダイアフラム
22 ピエゾ素子(感応抵抗素子)
23 配線
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31 ベース基板
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110 圧力センサパッケージ
112 113 中間プレート
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121 ワイヤボンディング
123 ポッティング樹脂
125 圧力導入口
W1 圧力導入口の幅
W2 ポッティング樹脂の間隔
Claims (5)
- 感圧部の周辺に複数のパッドが設けられた圧力センサを収容し、封止プレートにより前記圧力センサ上に圧力導入空間を形成するパッケージであって、
このパッケージは、前記圧力センサのパッドとワイヤボンディングされる複数のパッドと、
前記圧力導入空間において前記圧力センサを挟んで対向するパッケージの側壁に設けられた少なくとも一対の圧力導入口を備え、
前記圧力導入口は、前記封止プレート寄りに、前記パッド及びワイヤボンディングを封止する樹脂の間隔以上の幅で形成されていることを特徴とする圧力センサ用パッケージ。 - 請求項1記載の圧力センサ用パッケージにおいて、前記圧力導入口は前記側壁の幅方向に長い形状である圧力センサ用パッケージ。
- 請求項1又は2記載の圧力センサ用パッケージにおいて、前記圧力導入口の高さは0.05〜0.3mmである圧力センサ用パッケージ。
- 請求項1乃至3のいずれか一項記載の圧力センサ用パッケージはセラミック積層プレートであって、このセラミック積層プレートは、ベースプレートと、中央に圧力センサを収容する収容空間を有し、圧力センサの高さと略同一の高さの中間プレートと、この中間プレートの収容空間上に圧力導入空間を形成する側壁となる上部プレートと、この上部プレートの上面に接合される封止プレートとを有し、前記上部プレートに、前記封止プレートとで前記圧力導入口を形成する凹部が形成されている圧力センサ用パッケージ。
- 請求項4記載の圧力センサ用パッケージにおいて、前記圧力センサは矩形の上面の略中央にダイアフラムを有し、このダイアフラムの周辺であって、矩形の角部近傍にパッドを有するダイアフラム型半導体圧力センサであって、前記中間プレートには前記収容された圧力センサの上面と略同一の高さの段部及びこの段部にパッドを有し、前記圧力センサの上面に設けられたパッドが前記中間プレートの段部のパッドにワイヤボンディングされ、このワイヤボンディング及び前記パッドが前記圧力センサと収容空間との間に充填されたポッティング樹脂に埋め込まれている圧力センサ用パッケージ。
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