JP2010277978A - 基板グランド接続構造及び基板グランド接続方法 - Google Patents

Abstract

【課題】グランドのノイズ状況に対応して２枚の基板のグランド間を電気的に接続状態又は非接続状態することができる基板グランド接続構造及び基板グランド接続方法を提供する。
【解決手段】モジュール基板１のグランド１０とメイン基板２のグランド２０とをグランド接続部３を通じて接続状態又は非接続状態にする。グランド接続部３は、雄型端子４と雌型端子５と充填部材６とで成る。具体的には、充填部材６として、高透磁率材を用いることで、グランド接続部３が高インピーダンスのインダクタ部３′を構成し、グランド１０とグランド２０とがこのグランド接続部３によって非接続状態になる。また、充填部材６として、高誘電率材を用いることで、グランド接続部３が低インピーダンスのコンデンサ部３′′を構成し、グランド１０とグランド２０とがグランド接続部３によって接続状態になる。
【選択図】図１

Description

この発明は、２枚のプリント配線基板のグランド間のノイズ対策を図った基板グランド接続構造及び基板グランド接続方法に関するものである。

例えば、ノートＰＣや携帯電話等の機器では、狭い空間に対する部品収納効率や機能効率を上げるために、機能が集約されたモジュールを組みあわせることにより、所望の電子システムを構築している。
具体的には、モジュール基板用のコネクタをメイン基板上に配置し、モジュール基板をこのコネクタに接続して、互いの信号線, 電源線, グランド間を電気的に接続している。
このように、モジュール基板をメイン基板に接続した場合には、モジュール基板やメイン基板の信号線や電源線に生じたノイズが、互いの基板回路の性能に影響を与えるおそれがある。
このため、メイン基板とモジュール基板との間のノイズ除去対策が必要となる。
この種のノイズ除去対策を図った技術としては、例えば、特許文献１に開示の技術がある。
この技術は、組み合わせたコイルパターンと高透磁率材を、メイン基板又はモジュール基板のいずれかに形成することによって、インダクタンス素子を構成する。そして、この高インピーダンスのインダクタンス素子を介して、メイン基板とモジュール基板とを接続することにより、信号線や電源線に発生したノイズを除去するものである。

特開昭６３−３０３５０４号公報

しかし、ノートＰＣや携帯電話等のように機器内のノイズ干渉に弱いシステムでは、信号線や電源線のノイズだけでなく、メイン基板やモジュール基板のグラウンドに生じたノイズもまた、機器の性能に影響を及ぼす。
したがって、このようなシステムにおいては、メイン基板のグランドとモジュール基板のグランドとの接続方法にも十分な注意を払って、グランドに生じたノイズを抑制する必要がある。
例えば、基板に形成されるグランドには、シャーシグランド，電源グランド及びシグナルグランドがあり、さらに、シグナルグランドには、アナロググランド及びディジタルグランドがある。
このようなグランドは、グランド同士を接続すると、一方の基板のグランドで発生したノイズが他の基板の回路に干渉する場合がある。かといって、グランド同士を非接続の状態にすると、これら２つのグランド間の電位が安定せず、電磁ノイズの発生源となる場合もある。
したがって、モジュール基板をメイン基板に接続する際には、これらグランド間で生じるノイズ状況に合わせて、グランド同士を接続状態(低インピーダンスで接続する)又は非接続状態(高インピーダンスで接続する)とする必要がある。
しかしながら、上記した従来の技術では、高透磁率材で高インピーダンスのインダクタ素子を形成した構成であるので、一方の基板のグランドで生じたノイズを他方のグランドに侵入することを阻止することができるが、他方のグランドに排出することができない。 すなわち、ノイズ状況に合わせて、グランド同士を接続状態又は非接続状態にすることができず、十分なノイズ対策を図ることができなかった。

この発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、グランドのノイズ状況に対応して２枚の基板のグランド間を電気的に接続状態又は非接続状態することができる基板グランド接続構造及び基板グランド接続方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、請求項１の発明は、少なくとも信号線がコネクタを介して接続された第１の基板と第２の基板のグランド同士を接続するための基板グランド接続構造であって、第１の基板のグランドに電気的に接続された第１の導電体を、この第１の基板上に設けると共に、第２の基板のグランドに電気的に接続され且つ第１の導電体を挿入するための挿入孔を有する第２の導電体を、この第２の基板上に設け、第１の導電体を第２の導電体の挿入孔に挿入すると共に、高透磁率材を、第１及び第２の導電体の間隙に充填して、これら第１及び第２の導電体と高透磁率材とにより、インダクタ部を構成し、インダクタ部のインピーダンスが信号の使用周波数において第１の基板のインピーダンスよりも高くなるように、高透磁率材の透磁率を設定した構成とする。
かかる構成により、第１の導電体と第２の導電体と高透磁率材とで構成されるインダクタ部のインピーダンスが、信号の使用周波数において、第１の基板のインピーダンスよりも高くなるので、第１及び第２の基板のグランド同士が、この使用周波数において、非接続状態になる。
したがって、ノイズが、第２の基板のグランド側に生じた場合に、そのノイズが第１の基板側に侵入することはない。この結果、第２の基板のグランドがシャーシ等に接続されている場合には、第２の基板のグランド側に生じたノイズは、当該シャーシ側に排出される。

請求項２の発明は、少なくとも信号線がコネクタを介して接続された第１の基板と第２の基板のグランド同士を接続するための基板グランド接続構造であって、第１の基板のグランドに電気的に接続された第１の導電体を、この第１の基板上に設けると共に、第２の基板のグランドに電気的に接続され且つ第１の導電体を挿入するための挿入孔を有する第２の導電体を、この第２の基板上に設け、第１の導電体を第２の導電体の挿入孔に挿入すると共に、高誘電率材を、第１及び第２の導電体の間隙に充填して、これら第１及び第２の導電体と高誘電率材とにより、コンデンサ部を構成し、コンデンサ部のインピーダンスが信号の使用周波数において第１の基板のインピーダンスよりも低くなるように、高誘電率材の誘電率を設定した構成とする。
かかる構成により、第１の導電体と第２の導電体と高誘電率材とで構成されるコンデンサ部のインピーダンスが、信号の使用周波数において、第１の基板のインピーダンスよりも低くなるので、第１及び第２の基板のグランド同士が、この使用周波数において接続状態になる。
したがって、ノイズが、第１の基板のグランド側に生じた場合に、そのノイズが第１のグランドから第１の導電体と第２の導電体とを通じて、第２の基板のグランドに流れる。この結果、第２の基板のグランドがシャーシ等に接続されている場合には、第１の基板のグランド側に生じたノイズは、第２の基板のグランドを通じて当該シャーシ側に排出されることとなる。

請求項３の発明は、請求項１又は請求項２に記載の基板グランド接続構造において、第１の導電体を円柱形又は多角柱形に形成すると共に、第２の導電体を円筒形又は多角筒形に形成した構成とする。
かかる構成により、第１の導電体と高透磁率材と第２の導電体によって、インダクタ部を容易に形成することができ、また、第１の導電体と高誘電率材と第２の導電体によって、コンデンサ部を容易に形成することができる。

請求項４の発明は、請求項１又は請求項３に記載の基板グランド接続構造において、第１及び第２の導電体と高透磁率材とで構成されるインダクタ部を、複数設けた構成とする。
かかる構成により、所定周波数における第１の基板のグランドと第２の基板のグランドとの確実且つ強固な非接続状態を達成することができる。

請求項５の発明は、請求項２又は請求項３に記載の基板グランド接続構造において、第１及び第２の導電体と高誘電率材とで構成されるコンデンサ部を、複数設けた構成とする。
かかる構成により、所定周波数における第１の基板のグランドと第２の基板のグランドとの確実且つ強固な接続状態を達成することができる。

請求項６の発明は、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の基板グランド接続構造において、第１の導電体又は第２の導電体の少なくとも一方を、基板上の電子部品を電磁遮蔽するシールドケース上に設けた構成とする。

請求項７の発明は、少なくとも信号線がコネクタを介して接続された第１の基板と第２の基板のグランド同士を接続するに際し、第１の基板のグランドに電気的に接続された状態で第１の基板上に設けられた第１の導電体を、第２の基板のグランドに電気的に接続された状態で第２の基板上に設けられ且つ第１の導電体を挿入するための挿入孔を有する第２の導電体の挿入孔に挿入すると共に、充填部材を、これら第１及び第２の導電体の間隙に充填する基板グランド接続方法であって、第２の基板のグランド側のノイズが第１の基板のグランド側に流入することを防止する場合には、充填部材として高透磁率材を適用することにより、この高透磁率材と第１及び第２の導電体とでインダクタ部を構成すると共に、このインダクタ部のインピーダンスが信号の使用周波数において第１の基板のインピーダンスよりも高くなるように、高透磁率材の透磁率を設定し、また、第１の基板のグランド側のノイズを第２の基板のグランド側に流出させる場合には、充填部材として高誘電率材を適用することにより、この高誘電率材と第１及び第２の導電体とでコンデンサ部を構成すると共に、このコンデンサ部のインピーダンスが信号の使用周波数において第１の基板のインピーダンスよりも低くなるように、高誘電率材の誘電率を設定する構成とした。

以上詳しく説明したように、この発明の基板グランド接続構造及び基板グランド接続方法によれば、第１の基板のグランドと第２の基板のグランドとを、所定周波数のノイズに対して、非接続状態又は接続状態にすることができので、第１及び第２の基板のグランドのノイズ状況に対応したノイズ除去効果を得ることができ、この結果、基板のグランド間のノイズ干渉を効果的に防止することができるという優れた効果がある。
特に、請求項３の発明によれば、第１の基板と第２の基板との間のインダクタ部やコンデンサ部を容易に形成することができるので、製造コストの低減化を図ることができる。
さらに、請求項４及び請求項５の発明によれば、第１及び第２の基板のグランド同士の確実且つ強固な接続状態又は非接続状態を達成することができるので、ノイズ除去効果をさらに高めることができる。

この発明の第１実施例に係る基板グランド接続構造を示す分解斜視図である。 第１実施例の基板グランド接続構造を示す断面図である。 雄型端子と雌型端子と充填部材とを分解して示す断面図である。 グランド接続部の等価回路図であり、図４の（ａ）は高透磁率材を用いた場合を示し、図４の（ｂ）は高誘電率材を用いた場合を示す。 非接続状態の基板グランド接続構造を示す断面図である。 接続状態の基板グランド接続構造を示す断面図である。 実験結果を示す線図である。 この発明の第２実施例に係る基板グランド接続構造を示す分解斜視図である。 この発明の第３実施例に係る基板グランド接続構造を示す分解斜視図である。 この発明の第４実施例に係る基板グランド接続構造を示す断面図である。 この発明の第５実施例に係る基板グランド接続構造を示す分解斜視図である。 モジュール基板をメイン基板に実装する様子を示す断面図である。 この発明の第６実施例に係る基板グランド接続構造を示す分解斜視図である。 モジュール基板をメイン基板に実装する様子を示す断面図である。

以下、この発明の最良の形態について図面を参照して説明する。

図１は、この発明の第１実施例に係る基板グランド接続構造を示す分解斜視図であり、図２は、第１実施例の基板グランド接続構造を示す断面図であり、図３は、雄型端子と雌型端子と充填部材とを分解して示す断面図である。

図１に示すように、この実施例の基板グランド接続構造は、第１の基板としてのモジュール基板１のグランド１０と第２の基板としてのメイン基板２のグランド２０とを、グランド接続部３を通じて接続状態又は非接続状態にするため構造である。

モジュール基板１は、例えば、ノートＰＣ（Personal Computer）に装着されるＨＳＤＰＡ(High Speed Downlink Packet Access ) 機能搭載の基板であり、ＨＳＤＰＡ機能を実行するための複数の電子部品１２とメイン基板２に接続される複数の信号線端子１１を有している。グランド１０は、この実施例では、モジュール基板１の裏面側（図１の下側）に設けられている。
一方、メイン基板２は、例えば、ノートＰＣのマザーボードであり、コネクタ２１を上面に有し、モジュール基板１の信号線端子１１をコネクタ２１に挿入接続することで、マザーボード側の信号線とモジュール基板１側の信号線とを電気的に接続することができる。グランド２０は、この実施例では、メイン基板２の表面側（図１の上側）に設けられている。

グランド接続部３は、このようなモジュール基板１のグランド１０とメイン基板２のグランド２０とを接続状態又は非接続状態にするための部分であり、第１の導電体としての雄型端子４と第２の導電体としての雌型端子５と充填部材６とで成る。
雄型端子４は、図２にも示すように、導電性の四角柱形であり、モジュール基板１のグランド１０上に垂直に立設されている。これら雄型端子４とグランド１０とは、半田や導電性接着剤で電気的に接続されている。
一方、雌型端子５は、四角形の挿入孔５０を有した導電性の四角筒形であり、挿入孔５０を上向きにした状態で、メイン基板２のグランド２０上に設けられている。これら雌型端子５とグランド２０とは、半田や導電性接着剤で電気的に接続されている。
図３に示すように、雌型端子５の挿入孔５０は、雄型端子４を挿入するための孔であり、その径は、雄型端子４の径よりも大きく設定され、間隙５１が雄型端子４と雌型端子５との間に形成されている。
充填部材６は、このような間隙５１内に充填されている。
具体的には、充填部材６は、高透磁率材又は高誘電率材のいずれかを四角筒形にして形成したものであり、充填部材６の中空孔６０の径は、雄型端子４の径にほぼ等しく設定されている。

図４は、グランド接続部３の等価回路図であり、図４の（ａ）は高透磁率材を用いた場合を示し、図４の（ｂ）は高誘電率材を用いた場合を示す。
図２に示すように、このグランド接続部３においては、雄型端子４が雌型端子５の挿入孔５０に挿入されると共に、充填部材６が雄型端子４と雌型端子５との間隙５１に挿入されている。
したがって、充填部材６として、高透磁率材を用いることで、図４の（ａ）に示すように、グランド接続部３がインダクタ部３′を構成する。
そして、この実施例では、モジュール基板１で使用する信号の使用周波数において、インダクタ部３′のインピーダンスが、モジュール基板１のインピーダンスよりも高インピーダンスとなるように、高透磁率材の透磁率を設定した。これにより、モジュール基板１とメイン基板２のグランド１０，２０同士が、信号の使用周波数において、インダクタ部３′により、非接続状態にされている。
また、充填部材６として、高誘電率材を用いることで、図４の（ｂ）に示すように、グランド接続部３がコンデンサ部３′′を構成する。
そして、この実施例では、モジュール基板１で使用する信号の使用周波数において、コンデンサ部３′′のインピーダンスが、モジュール基板１のインピーダンスよりも低インピーダンスとなるようｋに、高誘電率材の誘電率を設定した。これにより、モジュール基板１とメイン基板２のグランド１０，２０同士が、信号の使用周波数において、コンデンサ部３′′により、接続状態にされている。

次に、この実施例の基板グランド接続構造が示す作用及び効果について説明する。
なお、この実施例の基板グランド接続構造の作用は、この発明の基板グランド接続方法を具体的に実行するものでもある。
図５は、非接続状態の基板グランド接続構造を示す断面図であり、図６は、接続状態の基板グランド接続構造を示す断面図である。
図２に示すように、グランド接続部３の雄型端子４を雌型端子５の挿入孔５０に挿入し、充填部材６を雄型端子４と雌型端子５との間隙５１とに介在させた状態で、モジュール基板１の左端部をコネクタ２１の基板挿入口２１ａに挿入すると、信号線端子１１がコネクタ２１の接触端子２１ｂに接触する。これにより、モジュール基板１の電子部品１２の信号線が、信号線端子１１，接触端子２１ｂ，スルーホール２２を通じてメイン基板２の信号線２３に電気的に接続された状態になる。
そして、モジュール基板１のグランド１０とメイン基板２のグランド２０とがグランド接続部３を通じて物理的に接続された状態になる。
なお、この実施例では、モジュール基板１をコネクタ２１に挿入しやすくするために、モジュール基板１としてフレキシブル基板を用いることが好ましい。

かかる状態で、モジュール基板１とメイン基板２との間で、信号の送受信を行っている際に、図５に示すように、ノイズＮがメイン基板２で発生することが予想される場合には、ノイズＮがメイン基板２からモジュール基板１に侵入することを防止する必要がある。
かかる場合には、図２において、充填部材６として高透磁率材６を適用し、この高透磁率材６をグランド接続部３の雄型端子４と雌型端子５との間隙５１に充填する。すなわち、図５に示すように、グランド接続部３を、信号の使用周波数において高インピーダンスとなるインダクタ部３′として機能させ、モジュール基板１及びメイン基板２のグランド１０，２０同士が、非接続状態にする。
これにより、メイン基板２のグランド２０側に生じたノイズＮは、インダクタ部３′によって、モジュール基板１側への流入が防止される。この結果、グランド２０上のノイズＮは、グランド２０に接続されているシャーシ１００に排出される。

また、図６に示すように、ノイズＮがモジュール基板１で発生することが予想される場合には、ノイズＮがモジュール基板１に留まることを防止する必要がある。
かかる場合には、図２において、充填部材６として高誘電率材６を適用し、この高誘電率材６グランド接続部３の雄型端子４と雌型端子５との間隙５１に充填する。すなわち、図６に示すように、グランド接続部３を、信号の使用周波数において低インピーダンスとなるコンデンサ部３′′として機能させ、モジュール基板１及びメイン基板２のグランド１０，２０同士が、接続状態にする。
これにより、モジュール基板１のグランド１０に生じたノイズＮは、コンデンサ部３′′を通じてメイン基板２のグランド１０側へ流出し、グランド２０からシャーシ１００へと排出される。
なお、図２〜図６において、グランド１０，２０の表面には、図示しない絶縁性の樹脂がコーティングされており、雄型端子４がグランド２０表面に接触しても、また、雌型端子５がグランド１０表面に接触しても短絡することはない。

このように、この実施例の基板グランド接続構造によれば、モジュール基板１のグランド１０とメイン基板２のグランド２０とを、信号の使用周波数のノイズＮに対して高又は低インピーダンスにして、非接続状態又は接続状態にすることができる。すなわち、ノイズＮの発生状況に応じて、グランド１０，２０間を非接続状態又は接続状態にすることができるので、グランド１０，２０間のノイズ干渉を効果的に防止することができる。

発明者は、かかる効果を確認すべく、次のような実験を行った。
図７は、実験結果を示す線図である。
まず、モジュール基板１として、ノートＰＣのＨＳＤＰＡ機能搭載の基板を用い、メイン基板２として、当該ノートＰＣのマザーボードを用いた。
かかる状態で、１０５００チャンネル〜１０９００チャンネルの各チャンネルの周波数帯３．８４ＭＨｚ内で、受信感度を測定したところ、図７の受信感度曲線Ｓ１で示すような結果を得た。
次に、上記ＨＳＤＰＡ機能搭載基板のグランドとマザーボードのグランドとを、ＨＳＤＰＡ機能搭載基板よりも低インピーダンスな１μＦ（マイクロファラッド）の二端子コンデンサで接続した。
かかる状態で、１０５００チャンネル〜１０９００チャンネルの各チャンネルの周波数帯３．８４ＭＨｚ内で、受信感度を測定したところ、図７の受信感度曲線Ｓ２で示すような結果を得た。
かかる結果から、発明者は、ＨＳＤＰＡ機能搭載基板のグランドをマザーボードのグランドとを、低インピーダンスなコンデンサで接続した方が、コンデンサを接続しない場合よりも、受信感度が向上し、ノイズ除去効果が向上することを確認した。

次に、この発明の第２実施例について説明する。
図８は、この発明の第２実施例に係る基板グランド接続構造を示す分解斜視図である。
この実施例は、グランド接続部３の形状が、上記第１実施例と異なる。
すなわち、図８に示すように、モジュール基板１のグランド１０に突設された雄型端子４を円柱形に形成した。そして、メイン基板２のグランド２０に設けた雌型端子５を円筒形に形成し、円筒状の充填部材６をこの雌型端子５内に充填した。

かかる構成により、雄型端子４と高透磁率材と雌型端子５との形状が簡単になり、その結果、グランド接続部３を容易に形成することができる。
なお、グランド接続部３の雄型端子４，雌型端子５及び充填部材６は、上記の如く、四角形や円形だけでなく、四角形以外の多角形に設定することも可能である。すなわち、雄型端子４を多角柱形に形成すると共に、雌型端子５を多角筒形に形成し、充填部材６を多角筒形に形成して、雌型端子５内に充填しても良い。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１実施例と同様であるので、その記載は省略する。

次に、この発明の第３実施例について説明する。
図９は、この発明の第３実施例に係る基板グランド接続構造を示す分解斜視図である。
この実施例は、グランド接続部３の数が、上記第１及び第２実施例と異なる。
すなわち、図９に示すように、上記第１実施例のグランド接続部３と同構造のグランド接続部を用い、複数のこれらグランド接続部３をモジュール基板１，メイン基板２のグランド１０，２０に設けた。

かかる構成により、モジュール基板１及びメイン基板２のグランド１０，２０同士の確実且つ強固な接続状態又は非接続状態を達成することができるので、ノイズ除去効果をさらに高めることができる。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１及び第２実施例と同様であるので、その記載は省略する。

次に、この発明の第４実施例について説明する。
図１０は、この発明の第４実施例に係る基板グランド接続構造を示す断面図である。
この実施例は、雄型端子４の取り付け箇所が、上記第１ないし第３実施例と異なる。
すなわち、図１０に示すように、モジュール基板１上の電子部品１２を電磁遮蔽するシールドケース１３上に、グランド接続部３の雄型端子４を立設した。
シールドケース１３は、スルーホール１４を介してグランド１０に接続されており、雄型端子４を雌型端子５に挿入することで、モジュール基板１のグランド１０とメイン基板２のグランド２０とを、シールドケース１３を通じて接続した。
なお、雌型端子５を、メイン基板２上の電子部品２４を電磁遮蔽する図示省略のシールドケース上に設けることもできることは勿論である。

その他の構成、作用及び効果は、上記第１ないし第３実施例と同様であるので、その記載は省略する。

次に、この発明の第５実施例について説明する。
図１１は、この発明の第５実施例に係る基板グランド接続構造を示す分解斜視図であり、図１２は、モジュール基板１をメイン基板２に実装する様子を示す断面図である。
この実施例は、モジュール基板１の実装を容易にした点が、上記第１ないし第４実施例と異なる。
すなわち、図１１に示すように、グランド接続部３の雌型端子５の挿入孔５０をコネクタ２１方向に長い長孔にした。
これにより、図１２の矢印で示すように、雄型端子４を雌型端子５の挿入孔５０内の右側に挿入し、左側即ちコネクタ２１側に向かってスライドさせることで、同時に、モジュール基板１の信号線端子１１をコネクタ２１の基板挿入口２１ａ内に挿入することができる。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１ないし第４実施例と同様であるので、その記載は省略する。

次に、この発明の第６実施例について説明する。
図１３は、この発明の第６実施例に係る基板グランド接続構造を示す分解斜視図であり、図１４は、モジュール基板１をメイン基板２に実装する様子を示す断面図である。
この実施例は、雄型端子４を雌型端子５に挿入する方向が、上記第１ないし第５実施例と異なる。
すなわち、図１３に示すように、グランド接続部３の雄型端子４をコネクタ２１側を向く横Ｌ字状に形成した。そして、雌型端子５の挿入孔５０を横向きにして、充填部材６をこの挿入孔５０内に充填した。
これにより、図１４の矢印で示すように、モジュール基板１をコネクタ２１側にスライドすることで、雄型端子４を雌型端子５の挿入孔５０内に右側から挿入することができると同時に、モジュール基板１の信号線端子１１をコネクタ２１の基板挿入口２１ａ内に挿入することができる。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１ないし第５実施例と同様であるので、その記載は省略する。

なお、この発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の変形や変更が可能である。
例えば、上記実施例では、単層のモジュール基板１（メイン基板２）を例示したが、モジュール基板１（メイン基板２）が多層基板であり、グランド１０（グランド２０）がモジュール基板１（メイン基板２）の内部にある場合には、雄型端子４（雌型端子５及び充填部材６）をスルーホールを通じて基板内部のグランド１０（グランド２０）に接続する。グランド１０（グランド２０）が雄型端子４（雌型端子５及び充填部材６）の取り付け面と反対の面にある場合にも、同様に、スルーホールを通じて反対の面のグランド１０（グランド２０）に接続する。

１…モジュール基板、 ２…メイン基板、 ３…グランド接続部、 ３′…インダクタ部、 ３′′…コンデンサ部、 ４…雄型端子、 ５…雌型端子、 ６…充填部材、 １０，２０…グランド、 １１…信号線端子、 １２，２４…電子部品、 １３…シールドケース、 １４，２２…スルーホール、 ２１…コネクタ、 ２１ａ…基板挿入口、 ２１ｂ…接触端子、 ２３…信号線、 ５０…挿入孔、 ５１…間隙、 ６０…中空孔、 Ｎ…ノイズ。

Claims (7)

1. 少なくとも信号線がコネクタを介して接続された第１の基板と第２の基板のグランド同士を接続するための基板グランド接続構造であって、
   上記第１の基板のグランドに電気的に接続された第１の導電体を、この第１の基板上に設けると共に、上記第２の基板のグランドに電気的に接続され且つ上記第１の導電体を挿入するための挿入孔を有する第２の導電体を、この第２の基板上に設け、
   上記第１の導電体を上記第２の導電体の挿入孔に挿入すると共に、高透磁率材を、第１及び第２の導電体の間隙に充填して、これら第１及び第２の導電体と高透磁率材とにより、インダクタ部を構成し、
   上記インダクタ部のインピーダンスが信号の使用周波数において上記第１の基板のインピーダンスよりも高くなるように、上記高透磁率材の透磁率を設定した、
   ことを特徴とする基板グランド接続構造。
2. 少なくとも信号線がコネクタを介して接続された第１の基板と第２の基板のグランド同士を接続するための基板グランド接続構造であって、
   上記第１の基板のグランドに電気的に接続された第１の導電体を、この第１の基板上に設けると共に、上記第２の基板のグランドに電気的に接続され且つ上記第１の導電体を挿入するための挿入孔を有する第２の導電体を、この第２の基板上に設け、
   上記第１の導電体を上記第２の導電体の挿入孔に挿入すると共に、高誘電率材を、第１及び第２の導電体の間隙に充填して、これら第１及び第２の導電体と高誘電率材とにより、コンデンサ部を構成し、
   上記コンデンサ部のインピーダンスが信号の使用周波数において上記第１の基板のインピーダンスよりも低くなるように、上記高誘電率材の誘電率を設定した、
   ことを特徴とする基板グランド接続構造。
3. 請求項１又は請求項２に記載の基板グランド接続構造において、
   上記第１の導電体を円柱形又は多角柱形に形成すると共に、上記第２の導電体を円筒形又は多角筒形に形成した、
   ことを特徴とする基板グランド接続構造。
4. 請求項１又は請求項３に記載の基板グランド接続構造において、
   第１及び第２の導電体と上記高透磁率材とで構成されるインダクタ部を、複数設けた、
   ことを特徴とする基板グランド接続構造。
5. 請求項２又は請求項３に記載の基板グランド接続構造において、
   上記第１及び第２の導電体と上記高誘電率材とで構成されるコンデンサ部を、複数設けた、
   ことを特徴とする基板グランド接続構造。
6. 請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の基板グランド接続構造において、
   上記第１の導電体又は第２の導電体の少なくとも一方を、基板上の電子部品を電磁遮蔽するシールドケース上に設けた、
   ことを特徴とする基板グランド接続構造。
7. 少なくとも信号線がコネクタを介して接続された第１の基板と第２の基板のグランド同士を接続するに際し、上記第１の基板のグランドに電気的に接続された状態で第１の基板上に設けられた第１の導電体を、上記第２の基板のグランドに電気的に接続された状態で第２の基板上に設けられ且つ上記第１の導電体を挿入するための挿入孔を有する第２の導電体の挿入孔に挿入すると共に、充填部材を、これら第１及び第２の導電体の間隙に充填する基板グランド接続方法であって、
   上記第２の基板のグランド側のノイズが上記第１の基板のグランド側に流入することを防止する場合には、
   上記充填部材として高透磁率材を適用することにより、この高透磁率材と第１及び第２の導電体とでインダクタ部を構成すると共に、このインダクタ部のインピーダンスが信号の使用周波数において上記第１の基板のインピーダンスよりも高くなるように、上記高透磁率材の透磁率を設定し、
   また、上記第１の基板のグランド側のノイズを上記第２の基板のグランド側に流出させる場合には、
   上記充填部材として高誘電率材を適用することにより、この高誘電率材と第１及び第２の導電体とでコンデンサ部を構成すると共に、このコンデンサ部のインピーダンスが信号の使用周波数において上記第１の基板のインピーダンスよりも低くなるように、上記高誘電率材の誘電率を設定する、
   ことを特徴とする基板グランド接続方法。

Images