JP2010277781A - 有機el装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】有機EL素子を構成する対向電極の断線を抑制することが可能な有機EL装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁基板と、前記絶縁基板の上方においてアクティブエリアに配置された画素電極と、前記画素電極の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えた有機EL素子と、前記絶縁基板の上方において前記アクティブエリアの外側の周辺エリアに配置されるとともに、前記アクティブエリアから前記周辺エリアにわたって延在した前記対向電極と電気的に接続された配線と、前記配線と前記対向電極とが接続された接続部において前記対向電極の上に形成された導電層と、を備えたことを特徴とする有機EL装置。
【選択図】 図2
【解決手段】絶縁基板と、前記絶縁基板の上方においてアクティブエリアに配置された画素電極と、前記画素電極の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えた有機EL素子と、前記絶縁基板の上方において前記アクティブエリアの外側の周辺エリアに配置されるとともに、前記アクティブエリアから前記周辺エリアにわたって延在した前記対向電極と電気的に接続された配線と、前記配線と前記対向電極とが接続された接続部において前記対向電極の上に形成された導電層と、を備えたことを特徴とする有機EL装置。
【選択図】 図2
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス(EL)装置に関する。
近年、自発光型で、高速応答、広視野角、高コントラストの特徴を有し、かつ、更に薄型軽量化が可能な有機エレクトロルミネセンス(EL)素子を用いた表示装置の開発が盛んに行われている。
例えば、特許文献1によれば、駆動回路部において、バンプ上に形成した陰極と配線とをコンタクトさせるためのコンタクト部を設け、このコンタクト部においてバンプの側面がなだらかな曲面を有し、陰極の断線を防ぐ技術が開示されている。
本発明の目的は、有機EL素子を構成する対向電極の断線を抑制することが可能な有機EL装置を提供することにある。
本発明の一態様によれば、
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方においてアクティブエリアに配置された画素電極と、前記画素電極の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えた有機EL素子と、前記絶縁基板の上方において前記アクティブエリアの外側の周辺エリアに配置されるとともに、前記アクティブエリアから前記周辺エリアにわたって延在した前記対向電極と電気的に接続された配線と、前記配線と前記対向電極とが接続された接続部において前記対向電極の上に形成された導電層と、を備えたことを特徴とする有機EL装置が提供される。
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方においてアクティブエリアに配置された画素電極と、前記画素電極の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えた有機EL素子と、前記絶縁基板の上方において前記アクティブエリアの外側の周辺エリアに配置されるとともに、前記アクティブエリアから前記周辺エリアにわたって延在した前記対向電極と電気的に接続された配線と、前記配線と前記対向電極とが接続された接続部において前記対向電極の上に形成された導電層と、を備えたことを特徴とする有機EL装置が提供される。
本発明によれば、有機EL素子を構成する対向電極の断線を抑制することが可能な有機EL装置を提供することができる。
以下、本発明の一態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
図1は、有機EL装置の構成を概略的に示す平面図である。
すなわち、有機EL装置は、表示パネル1を備えている。この表示パネル1は、アレイ基板100及び封止基板200を備えている。アレイ基板100は、画像を表示する略矩形状のアクティブエリア102において、マトリクス状に配置された複数の有機EL素子OLEDを備えている。封止基板200は、アクティブエリア102において、アレイ基板100の有機EL素子OLEDと向かい合っている。この封止基板200は、ガラスやプラスチックなどの光透過性を有する絶縁基板である。
これらのアレイ基板100及び封止基板200は、アクティブエリア102を囲む枠状に形成されたシール部材300によって貼り合わせされている。シール部材300は、例えば、紫外線硬化型樹脂などの有機系材料や、フリットガラスによって形成されている。シール部材300が有機系材料によって形成されている場合には、アレイ基板100と封止基板200との間のシール材300によって囲まれた内側に樹脂層が充填されても良い。この場合、充填される樹脂層は、例えば、紫外線硬化型樹脂などの光透過性を有する有機系材料によって形成可能である。
また、アレイ基板100は、アクティブエリア102の外側の周辺エリア104において、封止基板200の端部200Eから外方に向かって延在した延在部110を備えている。この延在部110には、駆動部130が設けられている。この駆動部130には、有機EL素子OLEDに電源や各種制御信号などの有機EL素子OLEDを駆動するのに必要な信号を供給する駆動ICチップやフレキシブル・プリンテッド・サーキット(以下、FPCと称する)などの信号供給源が接続可能である。
図2は、有機EL装置の有機EL素子OLEDを備えたアレイ基板100の断面図である。
このアレイ基板100は、ガラスなどの絶縁基板101、絶縁基板101の上方に形成されたスイッチング素子SW、有機EL素子OLEDなどを備えている。絶縁基板101の上には、アンダーコート層111が配置されている。このアンダーコート層111は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機系材料によって形成されている。このようなアンダーコート層111は、アクティブエリア102の概ね全体に亘って延在している。
アンダーコート層111の上には、スイッチング素子SWの半導体層SCが配置されている。この半導体層SCは、例えばポリシリコンによって形成されている。この半導体層SCには、チャネル領域SCCを挟んでソース領域SCS及びドレイン領域SCDが形成されている。
半導体層SCは、ゲート絶縁膜112によって被覆されている。また、ゲート絶縁膜112は、アンダーコート層111の上にも配置されている。このゲート絶縁膜112は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機系材料によって形成されている。このようなゲート絶縁膜112は、アクティブエリア102の概ね全体に亘って延在している。
ゲート絶縁膜112の上には、チャネル領域SCCの直上にスイッチング素子SWのゲート電極Gが配置されている。この例では、スイッチング素子SWは、トップゲート型のpチャネル薄膜トランジスタである。このゲート電極Gは、パッシベーション膜113によって被覆されている。また、パッシベーション膜113は、ゲート絶縁膜112の上にも配置されている。このパッシベーション膜113は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機系材料によって形成されている。このようなパッシベーション膜113は、アクティブエリア102の概ね全体に亘って延在している。
パッシベーション膜113の上には、スイッチング素子SWのソース電極S及びドレイン電極Dが配置されている。ソース電極Sは、半導体層SCのソース領域SCSにコンタクトしている。ドレイン電極Dは、半導体層SCのドレイン領域SCDにコンタクトしている。スイッチング素子SWのゲート電極G、ソース電極S、及び、ドレイン電極Dは、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)などの導電材料を用いて形成されている。
ソース電極S及びドレイン電極Dは、絶縁膜114によって被覆されている。また、絶縁膜114は、パッシベーション膜113の上にも配置されている。このような絶縁膜114は、例えば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などの有機系材料や、各種無機系材料などによって形成されている。また、このような絶縁膜114は、アクティブエリア102の全体に亘って延在している。
有機EL素子OLEDを構成する画素電極PEは、絶縁膜114の上に配置されている。画素電極PEは、スイッチング素子SWのドレイン電極Dに接続されている。この画素電極PEは、この例では陽極に相当する。
この画素電極PEは、反射電極PER及び透過電極PETが積層された2層構造である。つまり、反射電極PERは、絶縁膜114の上に配置されている。また、透過電極PETは、反射電極PERの上に積層されている。反射電極PERは、例えば、銀(Ag)、アルミニウム(Al)などの光反射性を有する導電材料によって形成されている。透過電極PETは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド(ITO)、インジウム・ジンク・オキサイド(IZO)などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。なお、画素電極PEは、上述した2層構造に限らず、反射電極PER単層であっても良いし、透過電極PET単層であっても良い。マイクロキャビティ構造を採用する場合には、画素電極PEは、反射電極PERを含む。
絶縁膜114の上には、隔壁PIが配置されている。この隔壁PIは、画素電極PEの周縁に沿って配置されている。この隔壁PIは、例えば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などの有機系材料や、各種無機系材料などによって形成されている。
有機EL素子OLEDを構成する有機層ORGは、画素電極PEの上に配置されている。この有機層ORGは、少なくとも発光層を含み、さらに、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層などを含んでも良い。有機層ORGの材料については、蛍光材料を含んでいても良いし、燐光材料を含んでいても良い。
有機EL素子OLEDを構成する対向電極CEは、有機層ORGの上に配置されている。この対向電極CEは、有機層ORGのみならず隔壁PIも被覆している。この例では、対向電極CEは、陰極に相当する。このような対向電極CEは、例えば、ITOやIZOなどの導電材料によって形成された透過層や、マグネシウム・銀などによって形成された半透過層によって構成されている。マイクロキャビティ構造を採用する場合には、対向電極CEは、マグネシウム・銀などによって形成された半透過層を含む。このような対向電極CEは、アクティブエリア102の全体に亘って延在している。
ここに示した有機EL素子OLEDは、封止電極CEの側から光を放射するトップエミッションタイプである。
アレイ基板100の周辺エリア104においては、絶縁基板101の上に、アンダーコート層111、ゲート絶縁膜112、パッシベーション膜113、絶縁膜114、及び、隔壁PIが順に積層されている。これらのアンダーコート層111、ゲート絶縁膜112、パッシベーション膜113、絶縁膜114、及び、隔壁PIは、アクティブエリア102から周辺エリア104にわたって延在している。なお、隔壁PIは、周辺エリア104に延在していなくても良い。
また、このアレイ基板100の周辺エリア104において、パッシベーション膜113の上には、対向電極CEに電位を供給するための配線130が配置されている。このような配線130は、アクティブエリア102に配置されたソース電極Sやドレイン電極Dなどと同一工程で形成可能である。
配線130と対向電極CEとを電気的に接続する接続部140は、周辺エリア104に設けられている。この接続部140における絶縁膜114及び隔壁PIには、配線130まで貫通したコンタクトホールCHが形成されている。
対向電極CEは、アクティブエリア102のみならず周辺エリア104にも延在し、接続部140に形成されたコンタクトホールCHを覆うとともに、配線130とコンタクトしている。これにより、対向電極CEは、配線130と電気的に接続される。
トップエミッションタイプの有機EL素子OLEDは、対向電極CEを介して光を放射する。このため、対向電極CEは、光透過性を有する導電材料によって形成される。対向電極CEを形成する導電材料として適用可能なITOやIZOなどの略透明な導電材料は、比較的高抵抗である。また、マイクロキャビティ構造を採用した場合に、対向電極CEを形成する導電材料として適用可能なマグネシウム・銀は、光透過性を確保するために極めて薄い膜厚、例えば20nm以下の膜厚に形成されるため、比較的抵抗が高い。
対向電極CEと配線130とを接続する接続部140の付近では、アクティブエリア102の全体にわたって配置された対向電極CEを流れる電流が配線130に向かって集中する。このため、接続部140の付近の対向電極CEに電流が集中し、発熱しやすい。さらには、マイグレーションを引き起こし、対向電極CEと配線130との断線に発展するおそれもある。
本実施形態では、接続部140においては、さらに、対向電極CEの上に導電層150が積層されている。つまり、接続部140には、配線130、対向電極CE、及び、導電層150といった3つの導電性を有する層が積層されている。このような導電層150のシート抵抗(Ω/□)は、対向電極CEのシート抵抗よりも低く、例えば、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、金(Au)などの金属を含む材料によって形成されている。
また、この導電層150は、対向電極CEの膜厚T1よりも厚い膜厚T2を有することが望ましい。例えば、対向電極CEの膜厚T1が20nm程度であるのに対して、導電層150の膜厚T2は、100〜1000nm程度であることが望ましい。なお、ここで、対向電極CEの膜厚T1とは、対向電極CEがコンタクトしている配線130上の法線方向の高さに相当する。また、導電層150の膜厚T2とは、導電層15がコンタクトしている対向電極CE上の法線方向の高さに相当する。導電層150の膜厚T2については、厚いほど低抵抗化に有利であるが、厚い導電層150を形成するには製造歩留まりの低下を招くおそれがあり、1000nm以下であることが望ましい。
このような本実施形態の構成によれば、アクティブエリア102の全体にわたって対向電極CEを流れた電流は、接続部140の付近においては、対向電極CE及び導電層150に流れるため、対向電極CEにおける電流集中を緩和し、対向電極CEの発熱を抑制することができる。これにより、対向電極と配線130との断線を抑制することが可能となる。
加えて、導電層150は周辺エリア104に配置されるため、導電層150を形成するための材料の種類、膜厚、形成方法、並びに、接続部140のレイアウトを自由に選択することができる。
次に、導電層150のレイアウト例について平面図を参照しながら説明する。なお、以下に示す例では、説明に必要な構成のみを図示している。
図3に示す例では、アレイ基板100の周辺エリア104の2箇所に接続部140が設けられている。配線130のそれぞれは、接続部140を経由して周辺エリア104に配置されている。これらの配線130は、図示しない信号供給源に接続され、所定電位に設定されている。各配線130は、接続部140に設けられたコンタクトホールCHは、各配線130まで貫通している。
対向電極CEは、アクティブエリア102のみならず、周辺エリア104にも延在している。この対向電極CEは、接続部140のコンタクトホールCHを覆い、配線130と電気的に接続されている。導電層150は、対向電極CEの上に積層され、2箇所の接続部140の各々に配置されている。このような例では、接続部140において、対向電極CE及び導電層150に電流が流れるため、対向電極CEにおける電流集中をより緩和することができる。
図4に示す例では、図3に示した例と比較して、1つの導電層150が2箇所の接続部140を通る直線状に形成された点で相違している。この図4に示した例においても同様に、各配線130は、アレイ基板100の周辺エリア104に配置されている。周辺エリア104の2箇所の接続部140に設けられたコンタクトホールCHは、各配線130まで貫通し、各接続部140において対向電極CEと配線130とが電気的に接続されている。導電層150は、周辺エリア104において、対向電極CEに積層され、2箇所の接続部140が並んだ方向と平行に延在している。このような例では、図3に示した例と比較して対向電極CEにおける電流集中をより緩和することができる。
図5に示す例では、図3に示した例と比較して、導電層150が2箇所の接続部140を通り、しかも周辺エリア104において枠状に形成された点で相違している。この図5に示した例においても同様に、各配線130は、アレイ基板100の周辺エリア104に配置されている。周辺エリア104の2箇所の接続部140に設けられたコンタクトホールCHは、各配線130まで貫通し、各接続部140において対向電極CEと配線130とが電気的に接続されている。導電層150は、周辺エリア104において、対向電極CEに積層され、アクティブエリア102を囲む枠状に延在している。このような例でも、図3に示した例と比較して対向電極CEにおける電流集中をより緩和することができる。
図6に示す例では、図3に示した例と比較して、導電層150が2箇所の接続部140を通り、しかも対向電極CEの上において格子状に形成された点で相違している。この図6に示した例においても同様に、各配線130は、アレイ基板100の周辺エリア104に配置されている。周辺エリア104の2箇所の接続部140に設けられたコンタクトホールCHは、各配線130まで貫通し、各接続部140において対向電極CEと配線130とが電気的に接続されている。
導電層150は、対向電極CEに積層され、周辺エリア104において、アクティブエリア102を囲む枠状に延在しているとともに、アクティブエリア102における非発光部例えば図示しない隔壁上に延在し、格子状に形成されている。このような例でも、図3に示した例と比較して対向電極CEにおける電流集中をより緩和することができる。
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
例えば、配線130は、ソース電極Sなどと同一工程で形成可能な場合について説明したが、パッシベーション膜113の上に配置されていなくても良い。たとえば、配線130は、ゲート絶縁膜112の上に配置可能であり、この場合にはゲートGなどと同一工程で形成可能である。また、配線130は、絶縁膜114の上に配置可能であり、この場合には画素電極PEなどと同一工程で形成可能である。
また、接続部140において、隔壁PIや絶縁膜114が延在していなくても良い。配線130がパッシベーション膜113の上に配置されていない場合には、配線を覆う各種絶縁膜に配線まで貫通するコンタクトホールCHを形成することで、対向電極CEとのコンタクトが可能である。
また、本実施形態は、有機EL装置として、有機EL表示装置について説明したが、有機EL照明や有機ELプリンターヘッドなどにも利用可能である。
1…表示パネル
100…アレイ基板
130…配線
140…接続部
150…導電層
200…封止基板
OLED…有機EL素子 PE…画素電極 CE…対向電極 ORG…有機層
CH…コンタクトホール
100…アレイ基板
130…配線
140…接続部
150…導電層
200…封止基板
OLED…有機EL素子 PE…画素電極 CE…対向電極 ORG…有機層
CH…コンタクトホール
Claims (5)
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板の上方においてアクティブエリアに配置された画素電極と、前記画素電極の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えた有機EL素子と、
前記絶縁基板の上方において前記アクティブエリアの外側の周辺エリアに配置されるとともに、前記アクティブエリアから前記周辺エリアにわたって延在した前記対向電極と電気的に接続された配線と、
前記配線と前記対向電極とが接続された接続部において前記対向電極の上に形成された導電層と、
を備えたことを特徴とする有機EL装置。 - 前記導電層のシート抵抗は、前記対向電極のシート抵抗よりも低いことを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置。
- 前記導電層は、前記対向電極の膜厚よりも厚い膜厚を有することを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置。
- 前記導電層は、前記接続部を経由して、前記対向電極上において、直線状、枠状、あるいは、格子状に形成されたことを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置。
- 前記画素電極は反射電極を含み、
前記有機EL素子は、前記対向電極の側から光を放射するトップエミッションタイプであることを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20120807 |