JP2010276924A - 感活性光線または感放射線樹脂組成物および該組成物を用いたパターン形成方法 - Google Patents
感活性光線または感放射線樹脂組成物および該組成物を用いたパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010276924A JP2010276924A JP2009130405A JP2009130405A JP2010276924A JP 2010276924 A JP2010276924 A JP 2010276924A JP 2009130405 A JP2009130405 A JP 2009130405A JP 2009130405 A JP2009130405 A JP 2009130405A JP 2010276924 A JP2010276924 A JP 2010276924A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- general formula
- radiation
- acid
- carbon atoms
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Abstract
Description
本発明は、超LSIや高容量マイクロチップの製造などの超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケーションプロセスに好適に用いられる感活性光線または感放射線樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法に関するものである。さらに詳しくは、本発明は、電子線、X線、EUV光(波長:13nm付近)を用いる半導体素子の微細加工に好適に用いることができる感活性光線または感放射線樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法に関する。
なお、本発明において「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線、X線、電子線等を意味する。また、本発明において光とは、活性光線又は放射線を意味する。
従来、ICやLSIなどの半導体デバイスの製造プロセスにおいては、フォトレジスト組成物を用いたリソグラフィーによる微細加工が行われている。近年、集積回路の高集積化に伴い、サブミクロン領域やクオーターミクロン領域の超微細パターン形成が要求されるようになってきている。それに伴い、露光波長もg線からi線に、さらにKrFエキシマレーザー光に、というように短波長化の傾向が見られる。さらには、現在では、エキシマレーザー光以外にも、電子線やX線、あるいはEUV光を用いたリソグラフィーも開発が進んでいる。
これら電子線やX線、あるいはEUV光リソグラフィーは、次世代もしくは次々世代のパターン形成技術として位置付けられ、高感度、高解像性のレジストが望まれている。
特にウェハー処理時間の短縮化のため、高感度化は非常に重要な課題であるが、高感度化を追求しようとすると、解像力の低下のみならず、ラインウィズスラフネスの悪化が起こり、これらの特性を同時に満足するレジストの開発が強く望まれている。
ここで、ラインウィズスラフネスとは、レジストのパターンと基板界面のエッジがレジストの特性に起因して、ライン方向と垂直な方向に不規則に変動するために、パターンを真上から見たときにエッジが凹凸に見えることを言う。この凹凸がレジストをマスクとするエッチング工程により転写され、電気特性を劣化させるため、歩留りを低下させる。
高感度と、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインウィズスラフネスはトレードオフの関係にあり、これを如何にして同時に満足させるかが非常に重要である。
かかる電子線、X線、あるいはEUV光を用いたリソグラフィープロセスに適したレジストとしては、高感度化の観点から主に酸触媒反応を利用した化学増幅型ポジ型レジストが検討され、主成分としてアルカリ現像液には不溶又は難溶性で、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる性質を有するフェノール性樹脂(以下、フェノール性酸分解性樹脂と略す)、及び酸発生剤からなる化学増幅型ポジ型レジスト組成物が有効に使用されている。
これらのポジ型レジストに関して、これまで酸分解性アクリレートモノマーを共重合したフェノール性酸分解性樹脂を用いたレジスト組成物がいくつか知られている。それらについては、例えば、特許文献1〜4に開示されたポジ型レジスト組成物等を挙げることができる。
しかしながら、実用化・商用化に向けては、感度、解像性、露光余裕度、ラインウィズスラフネス、真空引き置き安定性(PED)などの更なる性能向上が求められている。
本発明の目的は、高エネルギー線、X線、電子線あるいはEUV光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、十分な露光余裕度、良好なラインウィズスラフネス、真空引き置き安定性(PED)を同時に満足するパターンを形成することが可能な感活性光線または感放射線樹脂組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供することにある。
ここで、露光余裕度とは、露光量が変化したときに、パターンサイズが安定に維持されることを意味する。この露光余裕度が十分であると、解像性能が安定し、歩留まりの低下を引き起こすことがない。
真空引き置き安定性とは、露光後に長時間真空した後でパターン露光されたウエハーを放置したときに、パターンサイズが安定に維持されることを意味する。この真空引き置き安定性が十分に高いことで、解像性能が安定し、歩留まりの低下を引き起こすことがない。
本発明者らは鋭意検討した結果、特定の構造を有する単位を含有する重合体と特定の構造を有する酸を発生する酸発生剤を含むレジスト組成物を用いたパターン形成によって、上記目的が達成されることを見出した。
すなわち、本発明は以下の通りである。
(1) (A)一般式(AI)で表される単位と一般式(AII)で表される単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、及び(B)活性光線または放射線の照射により、一般式(BI)または(BII)で表される構造の酸を発生する化合物、を含有することを特徴とする感活性光線または感放射線樹脂組成物。
一般式(AI)に於いて、
Rxは、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
Rxは、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
Tは、単結合又は2価の連結基を表す。
Rx1は、アルキル基(直鎖若しくは分岐)又は単環のシクロアルキル基を表す。
Zは、Cとともに炭素数5から8の単環のシクロアルキル基を形成している。
一般式(AII)において
Rxは、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
Rx1は、アルキル基(直鎖若しくは分岐)又は単環のシクロアルキル基を表す。
Zは、Cとともに炭素数5から8の単環のシクロアルキル基を形成している。
一般式(AII)において
Rxは、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
Rx2は、水素原子または、有機基を表す。
Rx3は、非酸分解性基を表す。
mは1〜4の整数、nは0〜4の整数であり、1≦n+m≦5である。mが2〜4のとき、複数のRx2は、同じでも異なっていてもよく、nが2〜4のとき、複数のRx3は、同じでも異なっていてもよい。
一般式(BI)及び(BII)において、
Rfaは、各々独立に、フッ素原子を有する一価の有機基を表す。複数のRfaは互いに結合して環を形成してもよい。
Rx3は、非酸分解性基を表す。
mは1〜4の整数、nは0〜4の整数であり、1≦n+m≦5である。mが2〜4のとき、複数のRx2は、同じでも異なっていてもよく、nが2〜4のとき、複数のRx3は、同じでも異なっていてもよい。
一般式(BI)及び(BII)において、
Rfaは、各々独立に、フッ素原子を有する一価の有機基を表す。複数のRfaは互いに結合して環を形成してもよい。
一般式(AI−1)において、Rx及びTは一般式(AI)における各々と同じ意味を表す。
一般式(II)において、
R10は、水素原子またはアルキル基を表す。
Rfは、フルオロアルキル基又はフルオロアルキルカルボニル基を表す。
mは1〜50の整数を表す。
R10は、水素原子またはアルキル基を表す。
Rfは、フルオロアルキル基又はフルオロアルキルカルボニル基を表す。
mは1〜50の整数を表す。
(4) (1)から(3)のいずれかに記載の感活性光線または感放射線樹脂組成物を用いて膜を形成し、該膜を露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
(5) 露光光源が電子線、X線又はEUV光である、(4)に記載のパターン形成方法。
(5) 露光光源が電子線、X線又はEUV光である、(4)に記載のパターン形成方法。
本発明によって、高感度、高解像性、十分な露光余裕度、良好なラインウィズスラフネス、真空引き置き安定性(PED)を同時に満足するパターンを形成することができる感活性光線または感放射線樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法の提供が可能となった。
以下、本発明の感活性光線または感放射線樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法について詳細に説明する。
尚、本明細書に於ける基(原子団)の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
尚、本明細書に於ける基(原子団)の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
[感活性光線または感放射線樹脂組成物]
[1](A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂
(A)成分の樹脂は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂であり、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基を生じる基(以下、「酸分解性基」ともいう)を有する樹脂である。
[1](A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂
(A)成分の樹脂は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂であり、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基を生じる基(以下、「酸分解性基」ともいう)を有する樹脂である。
前記アルカリ可溶性基としては、カルボキシル基、フッ素化アルコール基(好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール)、スルホン酸基などが好ましく挙げられる。
酸分解性基として好ましい基は、これらのアルカリ可溶性基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。
一般式(AI)に於いて、
Rxは、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
Tは、単結合又は2価の連結基を表す。
Rx1は、アルキル基(直鎖若しくは分岐)又は単環のシクロアルキル基を表す。
Zは、Cとともに炭素数5から8の単環のシクロアルキル基を形成している。
Rxは、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
Tは、単結合又は2価の連結基を表す。
Rx1は、アルキル基(直鎖若しくは分岐)又は単環のシクロアルキル基を表す。
Zは、Cとともに炭素数5から8の単環のシクロアルキル基を形成している。
Tの2価の連結基としては、アルキレン基、−COO−Rt−基、−O−Rt−基等が挙げられる。式中、Rtは、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。
Tは、単結合又は−COO−Rt−基が好ましい。Rtは、炭素数1〜5のアルキレン基が好ましく、−CH2−基、−(CH2)3−基がより好ましい。
Tは、単結合又は−COO−Rt−基が好ましい。Rtは、炭素数1〜5のアルキレン基が好ましく、−CH2−基、−(CH2)3−基がより好ましい。
Rx1のアルキル基としては、炭素数1〜4の直鎖又は分岐状のものが好ましく、メチル基又はエチル基が特に好ましい。該アルキル基は置換基を有してもよく、置換基としては、例えば、ハロゲン原子、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アシル基、―OC(=O)Ra、―OC(=O)ORa、−C(=O)ORa、−C(=O)N(Rb)Ra、―N(Rb)C(=O)Ra、―N(Rb)C(=O)ORa、−N(Rb)SO2Ra、−SRa、―SO2Ra、―SO3Ra、又は、―SO2N(Rb)Ra等が挙げられる。ここで、RaおよびRbは、それぞれ独立に、水素原子、直鎖又は分岐のアルキル基(炭素数1〜6が好ましい)、単環又は多環のシクロアルキル基(炭素数5〜12が好ましい)のいずれかを表す。
Rx1のシクロアルキル基としては、炭素数4〜8の単環のシクロアルキル基が好ましい。該シクロアルキル基は置換基を有してもよく、置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アシル基、―OC(=O)Ra、―OC(=O)ORa、−C(=O)ORa、−C(=O)N(Rb)Ra、―N(Rb)C(=O)Ra、―N(Rb)C(=O)ORa、−N(Rb)SO2Ra、−SRa、―SO2Ra、―SO3Ra、又は、―SO2N(Rb)Ra等が挙げられる。ここで、RaおよびRbは、それぞれ独立に、水素原子、直鎖又は分岐のアルキル基(炭素数1〜6が好ましい)、単環又は多環のシクロアルキル基(炭素数5〜12が好ましい)のいずれかを表す。
CとZで形成される単環のシクロアルキル基としては、炭素数5又は6の単環のシクロアルキル基が好ましい。
CとZで形成される単環のシクロアルキル基としては、炭素数5又は6の単環のシクロアルキル基が好ましい。
酸分解性基を有する一般式(AI)で表される繰り返し単位の含有率は、樹脂(A)中の全繰り返し単位に対し、10〜50mol%が好ましく、より好ましくは20〜45mol%である。
好ましい酸分解性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。なお、式中、RxはH、CH3、CF3、CH2OHのいずれかを表す。Rxaは炭素数1〜4の直鎖又は分岐のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数4から8のシクロアルキル基を表す。
本発明においては、酸分解性基として上記一般式(AI)で表される繰り返し単位を含有するが、さらに他の酸分解性の繰り返し単位を含有していてもよい。
本発明の樹脂(A)は、さらに、式(AII)で表される繰り返し単位を含有する。
本発明の樹脂(A)は、さらに、式(AII)で表される繰り返し単位を含有する。
一般式(AII)において
Rxは上記式(AI)におけるRxと同様のものを表す。
Rx2は水素原子または、有機基を表す。
Rx3は非酸分解性基を表す。
mは1〜4の整数、nは0〜4の整数であり、1≦n+m≦5である。mが2〜4のとき、複数のRx2は、同じでも異なっていてもよく、nが2〜4のとき、複数のRx3は、同じでも異なっていてもよい。
Rxは上記式(AI)におけるRxと同様のものを表す。
Rx2は水素原子または、有機基を表す。
Rx3は非酸分解性基を表す。
mは1〜4の整数、nは0〜4の整数であり、1≦n+m≦5である。mが2〜4のとき、複数のRx2は、同じでも異なっていてもよく、nが2〜4のとき、複数のRx3は、同じでも異なっていてもよい。
Rx2は、水素原子であることが好ましい。また、m≧2の場合、複数のRx2のうち少なくとも一つは水素原子であることが好ましい。
Rx2が有機基の場合、酸分解性でも非酸分解性であってもよい。
Rx2が酸分解性基である場合の例としては、−C(Rx21)(Rx22)(Rx23)、−CO−O−Rx24、−C(Rx25)(Rx26)−O−Rx27などが挙げられる。
ここで、RX21〜Rx23は、それぞれ独立に、アルキル基またはシクロアルキル基を表し、いずれか2つが結合して環構造を形成してもよい。
Rx24は、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rx25およびRx26は、それぞれ独立に、水素原子、直鎖又は分岐状のアルキル基、またはシクロアルキル基のいずれかを表す。
Rx27は有機基を表し、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、シクロアルキル基又はアリール基で置換されたアルキル基のいずれかが好ましい。
Rx2が有機基の場合、酸分解性でも非酸分解性であってもよい。
Rx2が酸分解性基である場合の例としては、−C(Rx21)(Rx22)(Rx23)、−CO−O−Rx24、−C(Rx25)(Rx26)−O−Rx27などが挙げられる。
ここで、RX21〜Rx23は、それぞれ独立に、アルキル基またはシクロアルキル基を表し、いずれか2つが結合して環構造を形成してもよい。
Rx24は、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rx25およびRx26は、それぞれ独立に、水素原子、直鎖又は分岐状のアルキル基、またはシクロアルキル基のいずれかを表す。
Rx27は有機基を表し、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、シクロアルキル基又はアリール基で置換されたアルキル基のいずれかが好ましい。
Rx2が非酸分解性基である場合の例としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基(但し、アルキル基およびシクロアルキル基として、酸素原子に隣接する炭素原子が3級炭素である場合を除く)、アリール基、アシル基、―C(=O)Ra、−C(=O)ORbを挙げることができる。
ここで、RaおよびRbは、それぞれ独立に、水素原子、直鎖又は分岐のアルキル基(炭素数1〜6が好ましい)、単環又は多環のシクロアルキル基(炭素数5〜12が好ましい)のいずれかを表す。
ここで、RaおよびRbは、それぞれ独立に、水素原子、直鎖又は分岐のアルキル基(炭素数1〜6が好ましい)、単環又は多環のシクロアルキル基(炭素数5〜12が好ましい)のいずれかを表す。
Rx3の非酸分解性基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アシル基、―OC(=O)Ra、―OC(=O)ORa、−C(=O)ORa、−C(=O)N(Rb)Ra、―N(Rb)C(=O)Ra、―N(Rb)C(=O)ORa、−N(Rb)SO2Ra、−SRa、―SO2Ra、―SO3Ra、又は、―SO2N(Rb)Raを挙げることができる。
ここで、RaおよびRbは、それぞれ独立に、水素原子、直鎖又は分岐のアルキル基(炭素数1〜6が好ましい)、単環又は多環のシクロアルキル基(炭素数5〜12が好ましい)のいずれかを表す。
ここで、RaおよびRbは、それぞれ独立に、水素原子、直鎖又は分岐のアルキル基(炭素数1〜6が好ましい)、単環又は多環のシクロアルキル基(炭素数5〜12が好ましい)のいずれかを表す。
(AII)で表される繰り返し単位の樹脂(A)における好ましい組成比は、樹脂(A)中のすべての繰り返し単位に対して、5〜75モル%、さらに好ましくは20〜70モル%である。
式(AII)で表される繰り返し単位を上記範囲で含有することは、基板との接着性と解像度を両立する観点から好ましい。
以下、式(AII)で表される繰り返し単位の具体的な構造を例示するが、この限りではない。なお、式中、RxはH、CH3、CF3、CH2OHのいずれかを表す。
式(AII)で表される繰り返し単位を上記範囲で含有することは、基板との接着性と解像度を両立する観点から好ましい。
以下、式(AII)で表される繰り返し単位の具体的な構造を例示するが、この限りではない。なお、式中、RxはH、CH3、CF3、CH2OHのいずれかを表す。
一般式(AIII)において、
Rxは水素原子、置換基を有してもよいアルキル基又は−CH2−O−Rx5基を表す。式中、Rx5は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Rxは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。
Rx4は炭素数1から8のアルキル基、炭素数3から12のシクロアルキル基、炭素数3〜12のシクロアルケニル基、アリール基を表す。
Rxは水素原子、置換基を有してもよいアルキル基又は−CH2−O−Rx5基を表す。式中、Rx5は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Rxは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。
Rx4は炭素数1から8のアルキル基、炭素数3から12のシクロアルキル基、炭素数3〜12のシクロアルケニル基、アリール基を表す。
Rx4が表すシクロアルキル基及びシクロアルケニル基としては、単環式のシクロアルキル基及びシクロアルケニル基が好ましい。好ましい単環式シクロアルキル基及びシクロアルケニル基としては、炭素数3から7の単環式炭化水素基である。
Rx4が表すアリール基は、更に置換基を有することが出来る。有しても良い置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アシル基、―OC(=O)Ra、―OC(=O)ORa、−C(=O)ORa、−C(=O)N(Rb)Ra、―N(Rb)C(=O)Ra、―N(Rb)C(=O)ORa、−N(Rb)SO2Ra、−SRa、―SO2Ra、―SO3Ra、又は、―SO2N(Rb)Raを挙げることができる。
ここで、RaおよびRbは、それぞれ独立に、水素原子、直鎖又は分岐のアルキル基(炭素数1〜6が好ましい)、単環又は多環のシクロアルキル基(炭素数5〜12が好ましい)のいずれかを表す。
ここで、RaおよびRbは、それぞれ独立に、水素原子、直鎖又は分岐のアルキル基(炭素数1〜6が好ましい)、単環又は多環のシクロアルキル基(炭素数5〜12が好ましい)のいずれかを表す。
また、Rx4が表すアルキル基、シクロアルキル基及びシクロアルケニル基は、さらに置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、フェニル基、保護基で保護されたヒドロキシル基、保護基で保護されたアミノ基などが挙げられる。シクロアルキル基及びシクロアルケニル基については置換基として更にアルキル基を挙げることができ、アルキル基については置換基として更にシクロアルキル基を挙げることができる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル、エチル、ブチル、t−ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基はさらに置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されたヒドロキシル基、保護基で保護されたアミノ基を挙げることができる。
保護基としては、たとえばアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。好ましいアルキル基としては、炭素数1〜4のアルキル基、好ましい置換メチル基としてはメトキシメチル、メトキシチオメチル、ベンジルオキシメチル、t−ブトキシメチル、2−メトキシエトキシメチル基、好ましい置換エチル基としては、1−エトキシエチル、1−メチル−1−メトキシエチル、好ましいアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などの炭素数1〜6の脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基としては炭素数1〜4のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。
式(AIII)で表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、これらに限定されるものではない。下記具体例において、Rxは上述したものと同様の置換基を表す。
式(AIII)で表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、これらに限定されるものではない。下記具体例において、Rxは上述したものと同様の置換基を表す。
一般式(AIV)に於いて、
Rxは一般式(AIII)と同様のものを表す。
Rx6は、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基またはアルコキシカルボニル基、アリール基を表す。
pは0〜5の整数を表す。pが2以上のとき、複数のRx6は同一でも異なっていてもよい。
Rxは一般式(AIII)と同様のものを表す。
Rx6は、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基またはアルコキシカルボニル基、アリール基を表す。
pは0〜5の整数を表す。pが2以上のとき、複数のRx6は同一でも異なっていてもよい。
Rx6としては、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基が好ましく、アシルオキシ基がより好ましい。また、アシルオキシ基(一般式−O−CO−Rx7で表される。Rx7はアルキル基)の中でも、Rx7の炭素数が1〜6のものが好ましく、Rx7の炭素数1〜3のものがより好ましく、Rx7の炭素数が1のもの(即ち、アセトキシ基)が特に好ましい。
pは0〜2が好ましく、1〜2がより好ましく、1が更に好ましい。
pは0〜2が好ましく、1〜2がより好ましく、1が更に好ましい。
上記Rx6基は置換基を有していてもよく、好ましい置換基として、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子)、アルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等)等を挙げることができる。環状構造については、置換基として更にアルキル基(好ましくは炭素数1〜8)を挙げることができる。
一般式(AIV)で表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、これらに限定されるものではない。下記具体例において、Rxは上述したものと同様の置換基を表す。
一般式(AIV)で表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、これらに限定されるものではない。下記具体例において、Rxは上述したものと同様の置換基を表す。
式(AIII)または(AIV)で表される繰り返し単位の含有率は、樹脂(A)中の全繰り返し単位に対し、0〜40モル%が好ましく、より好ましくは0〜20モル%である。
以下に本発明で使用される(A)成分の樹脂の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
以下に本発明で使用される(A)成分の樹脂の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
樹脂(A)の本発明の組成物中の含有率は、全固形分に対し50〜99質量%が好ましく、より好ましくは70〜95質量%である。
[2](B)酸発生剤
本発明の感活性光線または感放射線樹脂組成物は、活性光線又は放射線の照射により下記一般式(BI)又は(BII)で表される酸を発生する化合物(以下、「化合物(B)」又は「酸発生剤」ともいう)を含有する。
本発明の感活性光線または感放射線樹脂組成物は、活性光線又は放射線の照射により下記一般式(BI)又は(BII)で表される酸を発生する化合物(以下、「化合物(B)」又は「酸発生剤」ともいう)を含有する。
一般式(BI)及び(BII)において、
Rfaは、各々独立に、フッ素原子を有する一価の有機基を表す。複数のRfaは互いに結合して環を形成してもよい。
Rfaは、各々独立に、フッ素原子を有する一価の有機基を表す。複数のRfaは互いに結合して環を形成してもよい。
Rfaのフッ素原子を有する一価の有機基としては、フッ素置換アルキル基、フッ素置換シクロアルキル基、フッ素置換アリール基などを挙げることができる。
フッ素置換アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、オクチル基のような炭素数1〜8個の直鎖又は分岐アルキル基の少なくとも一つの水素原子をフッ素原子で置換したものが挙げられる。これら有機基中に酸素原子、硫黄原子を有していてもよい。
Rfaとしてのフッ素置換アルキル基は、フッ素原子以外に他に置換基を有していてもよく、好ましい他の置換基としてはアルコキシ基、ヨウ素原子などが挙げられる。
また、フッ素置換アルキル基は、−SO2−部位と結合した炭素原子にフッ素原子を有することが好ましい。更に好ましくはパーフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロイソプロピル基、パーフルオロオクチル基のような炭素数1〜8個の直鎖又は分岐のパーフルオロアルキル基であり、これにより溶剤溶解性が向上する。
フッ素置換アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、オクチル基のような炭素数1〜8個の直鎖又は分岐アルキル基の少なくとも一つの水素原子をフッ素原子で置換したものが挙げられる。これら有機基中に酸素原子、硫黄原子を有していてもよい。
Rfaとしてのフッ素置換アルキル基は、フッ素原子以外に他に置換基を有していてもよく、好ましい他の置換基としてはアルコキシ基、ヨウ素原子などが挙げられる。
また、フッ素置換アルキル基は、−SO2−部位と結合した炭素原子にフッ素原子を有することが好ましい。更に好ましくはパーフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロイソプロピル基、パーフルオロオクチル基のような炭素数1〜8個の直鎖又は分岐のパーフルオロアルキル基であり、これにより溶剤溶解性が向上する。
Rfaとしてのフッ素置換シクロアルキル基としては、全てあるいは部分的にフッ素原子で置換された、更に他の置換基で置換されていてもよいシクロアルキル基を挙げることができ、好ましくは、フッ素置換シクロペンチル基又はシクロヘキシル基であり、最も好ましくはパーフルオロシクロペンチル基、パーフルオロシクロヘキシル基である。
Rfaとしてのフッ素置換アリール基としては、全てあるいは部分的にフッ素原子で置換された、更に他の置換基で置換されていてもよいアリール基を挙げることができ、好ましくは、フッ素置換フェニル基又はナフチル基であり、最も好ましくはパーフルオロフェニル基である。
複数のRfbは、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。環を形成することによって、安定性が向上し、これを用いた組成物の保存安定性が向上する。環を形成する場合、複数のRfaが結合して形成する基はアルキレン基であることが好ましい。このアルキレン基の炭素原子数は2〜3が好ましく、その水素原子全てがパーフルオロ化されていることが好ましい。
一般式(BI)及び(BII)で表される酸を発生する化合物としては、好ましくは下記一般式(ZI)又は(ZII)で表される構造の化合物を挙げることができる。
一般式(BI)及び(BII)で表される酸を発生する化合物としては、好ましくは下記一般式(ZI)又は(ZII)で表される構造の化合物を挙げることができる。
一般式(ZI)において、
R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。
Z−は、一般式(BI)または(BII)で表される酸から水素原子を除いたアニオンを表す。
一般式(ZII)に於いて、
R204及びR205は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Z−は、一般式(BI)または(BII)で表される酸から水素原子を除いたアニオンを表す。
R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。
Z−は、一般式(BI)または(BII)で表される酸から水素原子を除いたアニオンを表す。
一般式(ZII)に於いて、
R204及びR205は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Z−は、一般式(BI)または(BII)で表される酸から水素原子を除いたアニオンを表す。
一般式(ZI)に於ける、R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1〜30、好ましくは1〜20である。
また、R201〜R203の内の2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。
R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
また、R201〜R203の内の2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。
R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
R201〜R203としての有機基の具体例としては、後述する構造(ZIa)、(ZIb)、及び(ZIc)における対応する基を挙げることができる。
尚、一般式(ZI)で表される構造を複数有していてもよい。例えば、一般式(ZI)で表される構造のR201〜R203の少なくともひとつが、一般式(ZI)で表されるもうひとつの構造のR201〜R203の少なくともひとつと結合した構造を有していてもよい。
更に好ましい(ZI)構造として、以下に説明する構造(ZIa)、(ZIb)、及び(ZIc)を挙げることができる。
尚、一般式(ZI)で表される構造を複数有していてもよい。例えば、一般式(ZI)で表される構造のR201〜R203の少なくともひとつが、一般式(ZI)で表されるもうひとつの構造のR201〜R203の少なくともひとつと結合した構造を有していてもよい。
更に好ましい(ZI)構造として、以下に説明する構造(ZIa)、(ZIb)、及び(ZIc)を挙げることができる。
構造(ZIa)は、上記一般式(ZI)のR201〜R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニム構造、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする構造である。
アリールスルホニウム構造は、R201〜R203の全てがアリール基でもよいし、R201〜R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基、シクロアルキル基でもよい。
アリールスルホニウム構造は、R201〜R203の全てがアリール基でもよいし、R201〜R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基、シクロアルキル基でもよい。
アリールスルホニウム構造としては、例えば、トリアリールスルホニウム構造、ジアリールアルキルスルホニウム構造、ジアリールシクロアルキルスルホニウム構造、アリールジアルキルスルホニウム構造、アリールジシクロアルキルスルホニウム構造、アリールアルキルシクロアルキルスルホニウム構造等を挙げることができる。
アリールスルホニウム構造のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリールスルホニム構造が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。
アリールスルホニウム構造が必要に応じて有しているアルキル基は、炭素数1〜15の直鎖又は分岐状アルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。
アリールスルホニウム構造が必要に応じて有しているシクロアルキル基は、炭素数3〜15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。
R201〜R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基(例えば炭素数1〜15)、シクロアルキル基(例えば炭素数3〜15)、アリール基(例えば炭素数6〜14)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては、炭素数1〜12の直鎖又は分岐状アルキル基、炭素数3〜12のシクロアルキル基、炭素数1〜12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、最も好ましくは炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201〜R203の内のいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201〜R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp−位に置換していることが好ましい。
次に、構造(ZIb)について説明する。
構造(ZIb)は、一般式(ZI)におけるR201〜R203が、各々独立に、芳香環を有しない有機基を表す場合の構造である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。
R201〜R203としての芳香環を有しない有機基は、一般的に炭素数1〜30、好ましくは炭素数1〜20である。
R201〜R203としての芳香環を有しない有機基は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、より好ましくは、鎖中に2重結合を有していてもよい直鎖、分岐、環状オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基であり、更により好ましくは、直鎖、分岐、環状2−オキソアルキル基であり、特に好ましくは直鎖、分岐2−オキソアルキル基である。
構造(ZIb)は、一般式(ZI)におけるR201〜R203が、各々独立に、芳香環を有しない有機基を表す場合の構造である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。
R201〜R203としての芳香環を有しない有機基は、一般的に炭素数1〜30、好ましくは炭素数1〜20である。
R201〜R203としての芳香環を有しない有機基は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、より好ましくは、鎖中に2重結合を有していてもよい直鎖、分岐、環状オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基であり、更により好ましくは、直鎖、分岐、環状2−オキソアルキル基であり、特に好ましくは直鎖、分岐2−オキソアルキル基である。
R201〜R203としてのアルキル基は、直鎖状、分岐状のいずれであってもよく、好ましくは、炭素数1〜20の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基)を挙げることができる。R201〜R203としてのアルキル基は、直鎖若しくは分岐状オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基であることが好ましい。
R201〜R203としてのシクロアルキル基は、好ましくは、炭素数3〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基)を挙げることができる。
R201〜R203としてのシクロアルキル基は、環状オキソアルキル基であることが好ましい。
R201〜R203としてのオキソアルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基、シクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
R201〜R203としてのシクロアルキル基は、環状オキソアルキル基であることが好ましい。
R201〜R203としてのオキソアルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基、シクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
R201〜R203としてのアルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1〜5のアルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基)を挙げることができる。
R201〜R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば炭素数1〜5)、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。
構造(ZIc)とは、以下の一般式(ZIc)で表される構造であり、アリールアシルスルフォニウム塩構造である。
R201〜R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば炭素数1〜5)、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。
構造(ZIc)とは、以下の一般式(ZIc)で表される構造であり、アリールアシルスルフォニウム塩構造である。
一般式(ZIc)に於いて、
R213は、アリール基を表し、好ましくはフェニル基、ナフチル基である。R213のアリール基は、置換基を有していてもよい。R213のアリール基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アシル基等が挙げられる。
R214及びR215は、各々独立に、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
R213は、アリール基を表し、好ましくはフェニル基、ナフチル基である。R213のアリール基は、置換基を有していてもよい。R213のアリール基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アシル基等が挙げられる。
R214及びR215は、各々独立に、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Y201及びY202は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又はビニル基を表す。
R213とR214は結合して環構造を形成しても良く、R214とR215は結合して環構造を形成しても良く、Y201とY202は、それぞれ結合して環構造を形成しても良い。これらの環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。
Z−は、一般式(BI)または(BII)で表される酸から水素原子を除いたアニオンを表す。
R213とR214は結合して環構造を形成しても良く、R214とR215は結合して環構造を形成しても良く、Y201とY202は、それぞれ結合して環構造を形成しても良い。これらの環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。
Z−は、一般式(BI)または(BII)で表される酸から水素原子を除いたアニオンを表す。
R214及びR215としてのアルキル基は、炭素数1〜20の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましい。
R214及びR215としてのシクロアルキル基は、炭素数3〜20のシクロアルキル基が好ましい。
R214及びR215としてのシクロアルキル基は、炭素数3〜20のシクロアルキル基が好ましい。
Y201及びY202としてのアルキル基は、炭素数1〜20の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましく、アルキル基の2位に>C=Oを有する2−オキソアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基(好ましくは炭素数2〜20のアルコキシ基)、カルボキシアルキル基がより好ましい。
Y201及びY202としてのシクロアルキル基は、炭素数3〜20のシクロアルキル基が好ましい。
Y201及びY202としてのアリール基は、炭素数6〜20のアリール基が好ましい。
Y201及びY202としてのシクロアルキル基は、炭素数3〜20のシクロアルキル基が好ましい。
Y201及びY202としてのアリール基は、炭素数6〜20のアリール基が好ましい。
R213及びR214、R214及びR215、Y201及びY202が結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。
Y201及びY202は、好ましくは4〜16、より好ましくは4〜12のアルキル基である。
また、R214またはR215の少なくとも1つはアルキル基であることが好ましく、更に好ましくはR214、R215の両方がアルキル基である。
Y201及びY202は、好ましくは4〜16、より好ましくは4〜12のアルキル基である。
また、R214またはR215の少なくとも1つはアルキル基であることが好ましく、更に好ましくはR214、R215の両方がアルキル基である。
一般式(ZII)に於ける、R204及びR205のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。
Z−は、一般式(BI)または(BII)で表される酸から水素原子を除いたアニオンを表す。
R204及びR205としてのアルキル基は、直鎖状、分岐状のいずれであってもよく、好ましくは、炭素数1〜10の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基)を挙げることができる。
R204及びR205としてのシクロアルキル基は、好ましくは、炭素数3〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基)を挙げることができる。
R204及びR205は、置換基を有していてもよい。R204及びR205が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基(例えば炭素数1〜15、シクロアルキル基(例えば炭素数3〜15)、アリール基(例えば炭素数6〜15)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。
カチオン構造としては、好ましくは、一般式(ZI)で表される構造であり、更に好ましくは一般式(ZIa)〜(ZIc)で表される構造である。
以下、活性光線又は放射線の照射により一般式(BI)又は(BII)で表される酸を発生する化合物(B)の具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。
以下、活性光線又は放射線の照射により一般式(BI)又は(BII)で表される酸を発生する化合物(B)の具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。
一般式(BI)又は(BII)で表される化合物のアニオン成分の酸化合物、リチウム、ナトリウム、カリウム塩は、US5554664に記載されている方法を用いて容易に合成できる。また、一部のものは、シンクエスト社、ヒドラス化学(株)、アゾマックス(株)等から購入できる。
化合物(B)の合成は、一般式(BI)又は(BII)で表される化合物のアニオン成分の酸化合物、リチウム、ナトリウム、カリウム塩と、ヨードニウムカチオンあるいはスルホニウムカチオンの水酸化物、臭化物、塩化物などから、特表平11−501909号公報、あるいは特開2003−246786号公報、特開2004−26789号公報、特開2004−12554号公報に記載されている塩交換法を用いて容易に合成できる。
化合物(B)の、本発明の組成物中の含有率は、組成物の全固形分を基準として、1〜20質量%が好ましく、より好ましくは2〜18質量%、更に好ましくは5〜15質量%である。化合物(B)は、1種類単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。
また、本発明では、一般式(BI)又は(BII)で表される酸を発生する酸発生剤以外の酸発生剤も併用して用いることができる。この併用し得る酸発生剤としては、例えば前記式(ZI)及び(ZII)において、Z−が一般式(BI)又は(BII)のアニオン構造には当てはまらないアルキルスルホン酸アニオン、アリールスルホン酸アニオン、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチドアニオンであるものなどが挙げられる。これらアニオンにおけるアルキル基やアリール基は、フッ素原子などにより置換基されていてもよい。具体例としては、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0150]に記載の酸発生剤が挙げられる。
[3](C)有機塩基性化合物
本発明の組成物は、塩基性化合物を含有することが好ましい。
塩基性化合物は、含窒素有機塩基性化合物であることが好ましい。
本発明の組成物は、塩基性化合物を含有することが好ましい。
塩基性化合物は、含窒素有機塩基性化合物であることが好ましい。
使用可能な有機塩基性化合物は特に限定されないが、例えば以下の(1)〜(4)に分類される化合物が好ましく用いられる。
一般式(BS−1)中、
Rは、各々独立に、水素原子、アルキル基(直鎖又は分岐)、シクロアルキル基(単環又は多環)、アリール基、アラルキル基の何れかを表す。但し、三つのRの全てが水素原子とはならない。
Rは、各々独立に、水素原子、アルキル基(直鎖又は分岐)、シクロアルキル基(単環又は多環)、アリール基、アラルキル基の何れかを表す。但し、三つのRの全てが水素原子とはならない。
Rとしてのアルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常1〜20、好ましくは1〜12である。
Rとしてのシクロアルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常3〜20、好ましくは5〜15である。
Rとしてのアリール基の炭素数は特に限定されないが、通常6〜20、好ましくは6〜10である。具体的にはフェニル基やナフチル基などが挙げられる。
Rとしてのアラルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常7〜20、好ましくは7〜11である。具体的にはベンジル基等が挙げられる。
Rとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基またはアラルキル基は、水素原子が置換基により置換されていてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。
一般式(BS−1)で表される化合物は、3つのRの1つのみが水素原子、あるいは全てのRが水素原子でないことが好ましい。
一般式(BS−1)の化合物の具体例としては、トリ−n−ブチルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、トリ−n−オクチルアミン、トリ−n−デシルアミン、トリイソデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、ジデシルアミン、メチルオクタデシルアミン、ジメチルウンデシルアミン、N,N−ジメチルドデシルアミン、メチルジオクタデシルアミン、N,N−ジブチルアニリン、N,N−ジヘキシルアニリンなどが挙げられる。
また、一般式(BS−1)において、少なくとも1つのRが、ヒドロキシル基で置換されたアルキル基である化合物が、好ましい態様の1つとして挙げられる。具体的化合物としては、トリエタノールアミン、N,N−ジヒドロキシエチルアニリンなどが挙げられる。
また、Rとしてのアルキル基は、アルキル鎖中に、酸素原子を有し、オキシアルキレン鎖が形成されていてもよい。オキシアルキレン鎖としては−CH2CH2O−が好ましい。具体的例としては、トリス(メトキシエトキシエチル)アミンや、US6040112号明細書のカラム3、60行目以降に例示の化合物などが挙げられる。
(2)含窒素複素環構造を有する化合物
複素環構造としては、芳香族性を有していてもいなくてもよい。また、窒素原子を複数有していてもよく、さらに、窒素以外のヘテロ原子を含有していてもよい。具体的には、イミダゾール構造を有する化合物(2−フェニルベンゾイミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾールなど)、ピペリジン構造を有する化合物(N−ヒドロキシエチルピペリジン、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)セバケートなど)、ピリジン構造を有する化合物(4−ジメチルアミノピリジンなど)、アンチピリン構造を有する化合物(アンチピリン、ヒドロキシアンチピリンなど)が挙げられる。
複素環構造としては、芳香族性を有していてもいなくてもよい。また、窒素原子を複数有していてもよく、さらに、窒素以外のヘテロ原子を含有していてもよい。具体的には、イミダゾール構造を有する化合物(2−フェニルベンゾイミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾールなど)、ピペリジン構造を有する化合物(N−ヒドロキシエチルピペリジン、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)セバケートなど)、ピリジン構造を有する化合物(4−ジメチルアミノピリジンなど)、アンチピリン構造を有する化合物(アンチピリン、ヒドロキシアンチピリンなど)が挙げられる。
また、環構造を2つ以上有する化合物も好適に用いられる。具体的には1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ−5−エン、1,8−ジアザビシクロ〔5.4.0〕−ウンデカ−7−エンなどが挙げられる。
(3)フェノキシ基を有するアミン化合物
フェノキシ基を有するアミン化合物とは、アミン化合物のアルキル基の窒素原子と反対側の末端にフェノキシ基を有するものである。フェノキシ基は、例えば、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、スルホン酸エステル基、アリール基、アラルキル基、アシロキシ基、アリールオキシ基等の置換基を有していてもよい。
フェノキシ基を有するアミン化合物とは、アミン化合物のアルキル基の窒素原子と反対側の末端にフェノキシ基を有するものである。フェノキシ基は、例えば、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、スルホン酸エステル基、アリール基、アラルキル基、アシロキシ基、アリールオキシ基等の置換基を有していてもよい。
より好ましくは、フェノキシ基と窒素原子との間に、少なくとも1つのオキシアルキレン鎖を有する化合物である。1分子中のオキシアルキレン鎖の数は、好ましくは3〜9個、さらに好ましくは4〜6個である。オキシアルキレン鎖の中でも−CH2CH2O−が好ましい。
具体例としては、2−[2−{2―(2,2―ジメトキシ−フェノキシエトキシ)エチル}−ビス−(2−メトキシエチル)]−アミンや、US2007/0224539A1号明細書の段落[0066]に例示されている化合物(C1-1)〜(C3-3)などが挙げられる。
具体例としては、2−[2−{2―(2,2―ジメトキシ−フェノキシエトキシ)エチル}−ビス−(2−メトキシエチル)]−アミンや、US2007/0224539A1号明細書の段落[0066]に例示されている化合物(C1-1)〜(C3-3)などが挙げられる。
(4)上記(1)〜(3)のいずれかの化合物から誘導されるアンモニウム塩
アンモニウム塩も適宜用いられる。好ましくはヒドロキシドまたはカルボキシレートである。より具体的にはテトラブチルアンモニウムヒドロキシドに代表されるテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドが好ましい。
その他、特開2002−363146号公報の実施例で合成されている化合物、特開2007−298569号公報の段落0108に記載の化合物なども使用可能である。
アンモニウム塩も適宜用いられる。好ましくはヒドロキシドまたはカルボキシレートである。より具体的にはテトラブチルアンモニウムヒドロキシドに代表されるテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドが好ましい。
その他、特開2002−363146号公報の実施例で合成されている化合物、特開2007−298569号公報の段落0108に記載の化合物なども使用可能である。
塩基性化合物は、単独であるいは2種以上併用して用いられる。
塩基性化合物の使用量は、組成物の固形分を基準として、通常、0.001〜10質量%、好ましくは0.01〜5質量%である。
酸発生剤/塩基性化合物のモル比は、2.5〜300であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。このモル比としてより好ましくは5.0〜200、更に好ましくは7.0〜150である。
塩基性化合物の使用量は、組成物の固形分を基準として、通常、0.001〜10質量%、好ましくは0.01〜5質量%である。
酸発生剤/塩基性化合物のモル比は、2.5〜300であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。このモル比としてより好ましくは5.0〜200、更に好ましくは7.0〜150である。
[4]溶剤
組成物を調製する際に使用できる溶剤としては、各成分を溶解するものである限り特に限定されないが、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなど)、アルキレングリコールモノアルキルエーテル(プロピレングリコールモノメチルエーテルなど)、乳酸アルキルエステル(乳酸エチル、乳酸メチルなど)、環状ラクトン(γ−ブチロラクトンなど、好ましくは炭素数4〜10)、鎖状又は環状のケトン(2−ヘプタノン、シクロヘキサノンなど、好ましくは炭素数4〜10)、アルキレンカーボネート(エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなど)、カルボン酸アルキル(酢酸ブチルなどの酢酸アルキルが好ましい)、アルコキシ酢酸アルキル(エトキシプロピオン酸エチル)などが挙げられる。その他使用可能な溶媒として、例えば、US2008/0248425A1号明細書の[0244]以降に記載されている溶剤などが挙げられる。
上記のうち、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートおよびアルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステルが好ましい。
組成物を調製する際に使用できる溶剤としては、各成分を溶解するものである限り特に限定されないが、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなど)、アルキレングリコールモノアルキルエーテル(プロピレングリコールモノメチルエーテルなど)、乳酸アルキルエステル(乳酸エチル、乳酸メチルなど)、環状ラクトン(γ−ブチロラクトンなど、好ましくは炭素数4〜10)、鎖状又は環状のケトン(2−ヘプタノン、シクロヘキサノンなど、好ましくは炭素数4〜10)、アルキレンカーボネート(エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなど)、カルボン酸アルキル(酢酸ブチルなどの酢酸アルキルが好ましい)、アルコキシ酢酸アルキル(エトキシプロピオン酸エチル)などが挙げられる。その他使用可能な溶媒として、例えば、US2008/0248425A1号明細書の[0244]以降に記載されている溶剤などが挙げられる。
上記のうち、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートおよびアルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステルが好ましい。
これら溶媒は、単独で用いても2種以上を混合して用いてもよい。2種以上を混合する場合、水酸基を有する溶剤と水酸基を有しない溶剤とを混合することが好ましい。水酸基を有する溶剤と水酸基を有しない溶剤との質量比は、1/99〜99/1、好ましくは10/90〜90/10、更に好ましくは20/80〜60/40である。
水酸基を有する溶剤としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステルが好ましく、水酸基を有しない溶剤としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートが好ましい。
水酸基を有する溶剤としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステルが好ましく、水酸基を有しない溶剤としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートが好ましい。
溶剤の使用量は、使用時の膜厚等に応じて適宜調整可能であるが、一般的には、組成物中の全固形分濃度が0.5〜30質量%、好ましくは1.0〜25質量%、より好ましくは1.5〜20質量%となるように使用されることが好ましい。
[5]界面活性剤
本発明の組成物は、更に界面活性剤を含有することが好ましい。界面活性剤としては、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤が好ましい。
これらに該当する界面活性剤としては、大日本インキ化学工業(株)製のメガファックF176、メガファックR08、OMNOVA社製のPF656、PF6320、トロイケミカル(株)製のトロイゾルS−366、住友スリーエム(株)製のフロラードFC430、信越化学工業(株)製のポリシロキサンポリマーKP−341などが挙げられる。
本発明の組成物は、更に界面活性剤を含有することが好ましい。界面活性剤としては、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤が好ましい。
これらに該当する界面活性剤としては、大日本インキ化学工業(株)製のメガファックF176、メガファックR08、OMNOVA社製のPF656、PF6320、トロイケミカル(株)製のトロイゾルS−366、住友スリーエム(株)製のフロラードFC430、信越化学工業(株)製のポリシロキサンポリマーKP−341などが挙げられる。
また、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。より具体的には、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類などが挙げられる。
その他、公知の界面活性剤が適宜使用可能である。使用可能な界面活性剤としては、例えば、US 2008/0248425A1号明細書の[0273]以降に記載の界面活性剤が挙げられる。
一般式(II)において、
R10:水素原子またはアルキル基を表す。
Rfは、フルオロアルキル基又はフルオロアルキルカルボニル基を表す。
mは1〜50の整数を表す。
R10:水素原子またはアルキル基を表す。
Rfは、フルオロアルキル基又はフルオロアルキルカルボニル基を表す。
mは1〜50の整数を表す。
一般式(II)に於ける、Rfのフルオロアルキル基としては、アルキル鎖中に酸素原子を有しても良く、二重結合を有してもよい。例えば、−CF3、− C2F5、−C4F9、−CH2CF3、−CH2C2F5、−CH2C3F7、−CH2C4F9、−CH2C6F13、−C2H4CF3、−C2H4C2F5、−C2H4C4F9、−C2H4C6F13、−C2H4C8F17、−CH2CH(CH3)CF3、−CH2CH(CF3)2、−CH2CF (CF3)2、−CH2CH(CF3)2、−CF2CF(CF3)OCF3 、−CF2CF(CF3)OC3F7、− C2H4OCF2CF(CF3)OCF3、−C2H4OCF2CF(CF3)OC3F7、−C(CF3)=C(CF(CF3)2)2等を挙げることができる。
Rfのフルオロアルキルカルボニル基としては、例えば、−COCF3、−COC2F 5、−COC3F7、−COC4F9、−COC6F13、−COC8F17等を挙げることができる。
界面活性剤は単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
界面活性剤の使用量は、組成物の全固形分に対し、好ましくは0.0001〜2質量%、より好ましくは0.001〜1質量%である。
式(II)で表される界面活性剤と、他の界面活性剤との使用割合は、質量比(一般式(II)で表される界面活性剤/他の界面活性剤)で、60/40〜99/1が好ましく、70/30〜99/1がより好ましい。
界面活性剤の使用量は、組成物の全固形分に対し、好ましくは0.0001〜2質量%、より好ましくは0.001〜1質量%である。
式(II)で表される界面活性剤と、他の界面活性剤との使用割合は、質量比(一般式(II)で表される界面活性剤/他の界面活性剤)で、60/40〜99/1が好ましく、70/30〜99/1がより好ましい。
[6]その他
本発明の組成物は、上記に説明した成分以外にも、カルボン酸オニウム塩、Proceeding of SPIE, 2724,355 (1996)等に記載の分子量3000以下の溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、酸化防止剤などを適宜含有することができる。
[パターン形成方法]
本発明の感活性光線または感放射線樹脂組成物の使用形態を説明する。
本発明の組成物は、上記に説明した成分以外にも、カルボン酸オニウム塩、Proceeding of SPIE, 2724,355 (1996)等に記載の分子量3000以下の溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、酸化防止剤などを適宜含有することができる。
[パターン形成方法]
本発明の感活性光線または感放射線樹脂組成物の使用形態を説明する。
本発明のパターン形成方法は、感活性光線または感放射線樹脂組成物を用いて膜を形成する工程(1)、該膜を露光する工程(2)、露光後にアルカリ現像液を用いて現像する工程(4)を含み、更に、露光工程(2)と現像工程(4)の間に、ベーク(加熱)工程(3)を含んでもよい。
(1)製膜
本発明の感活性光線または感放射線樹脂組成物膜を得るには、各成分を溶剤に溶解し、必要に応じてフィルター濾過した後、支持体(基板)に塗布して用いる。フィルターとしては、ポアサイズ0.1μm以下、より好ましくは0.05μm以下、更に好ましくは0.03μm以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。
組成物は、集積回路素子の製造に使用されるような基板(例:シリコン、二酸化シリコン被覆)上にスピナー等の適当な塗布方法により塗布される。その後乾燥し、感光性の膜を形成する。
必要により、市販の無機あるいは有機反射防止膜を使用することができる。更にレジスト下層に反射防止膜を塗布して用いることもできる。
本発明の感活性光線または感放射線樹脂組成物膜を得るには、各成分を溶剤に溶解し、必要に応じてフィルター濾過した後、支持体(基板)に塗布して用いる。フィルターとしては、ポアサイズ0.1μm以下、より好ましくは0.05μm以下、更に好ましくは0.03μm以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。
組成物は、集積回路素子の製造に使用されるような基板(例:シリコン、二酸化シリコン被覆)上にスピナー等の適当な塗布方法により塗布される。その後乾燥し、感光性の膜を形成する。
必要により、市販の無機あるいは有機反射防止膜を使用することができる。更にレジスト下層に反射防止膜を塗布して用いることもできる。
(2)露光
上記製膜工程で得られた膜に、活性光線又は放射線を、通常は所定のマスクを通して照射する。本発明においては、活性光線又は放射線としては電子線またはEUV光が好ましい。なお、電子線の照射では、マスクを介さない描画(直描)が一般的である。
(3)ベーク
露光後、現像を行う前にベーク(加熱)を行うことが好ましい。
加熱温度は80〜150℃で行うことが好ましく、90〜150℃で行うことがより好ましく、100〜140℃で行うことが更に好ましい。
加熱時間は30〜300秒が好ましく、30〜180秒がより好ましく、30〜90秒が更に好ましい。
加熱は通常の露光・現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行ってもよい。
ベークにより露光部の反応が促進され、感度やパターンプロファイルが改善する。
上記製膜工程で得られた膜に、活性光線又は放射線を、通常は所定のマスクを通して照射する。本発明においては、活性光線又は放射線としては電子線またはEUV光が好ましい。なお、電子線の照射では、マスクを介さない描画(直描)が一般的である。
(3)ベーク
露光後、現像を行う前にベーク(加熱)を行うことが好ましい。
加熱温度は80〜150℃で行うことが好ましく、90〜150℃で行うことがより好ましく、100〜140℃で行うことが更に好ましい。
加熱時間は30〜300秒が好ましく、30〜180秒がより好ましく、30〜90秒が更に好ましい。
加熱は通常の露光・現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行ってもよい。
ベークにより露光部の反応が促進され、感度やパターンプロファイルが改善する。
(4)アルカリ現像
使用するアルカリ現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノーアミン等のアルコ−ルアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類、等のアルカリ類の水溶液(通常0.1〜20質量%)を使用することができる。更に、上記アルカリ類の水溶液にイソプロピルアルコール等のアルコール類、ノニオン系等の界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
使用するアルカリ現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノーアミン等のアルコ−ルアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類、等のアルカリ類の水溶液(通常0.1〜20質量%)を使用することができる。更に、上記アルカリ類の水溶液にイソプロピルアルコール等のアルコール類、ノニオン系等の界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
これらの現像液の中で好ましくは第四級アンモニウム塩、更に好ましくは、テトラメチルアンモニウムヒドロオキシド、コリンである。
アルカリ現像液のpHは通常10〜15である。
アルカリ現像液のpHは通常10〜15である。
現像方法としては、たとえば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法(パドル法)、基板表面に現像液を噴霧する方法(スプレー法)、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出しつづける方法(ダイナミックディスペンス法)などを適用することができる。
また、現像を行う工程の後に、純水に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。
現像時間は未露光部の樹脂、架橋剤などが十分に溶解する時間が好ましく、通常は10秒〜300秒が好ましい。さらに好ましくは、20秒〜120秒である。
現像液の温度は0℃〜50℃が好ましく、15℃〜35℃がさらに好ましい。
また、現像を行う工程の後に、純水に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。
現像時間は未露光部の樹脂、架橋剤などが十分に溶解する時間が好ましく、通常は10秒〜300秒が好ましい。さらに好ましくは、20秒〜120秒である。
現像液の温度は0℃〜50℃が好ましく、15℃〜35℃がさらに好ましい。
(1)合成例
合成例1(P−1)の合成
2Lフラスコにエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート600gをいれ、100mL/minの流量で一時間窒素置換した。また、4−アセトキシスチレン105.4g(0.65mol)、1−エチルシクロペンチルメタクリレート63.8g(0.35mol)、重合開始剤剤V−601(和光純薬工業(株)製)4.60g(0.02mol)をエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート200gに溶解し、得られた溶液を上記と同様に窒素置換した。
合成例1(P−1)の合成
2Lフラスコにエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート600gをいれ、100mL/minの流量で一時間窒素置換した。また、4−アセトキシスチレン105.4g(0.65mol)、1−エチルシクロペンチルメタクリレート63.8g(0.35mol)、重合開始剤剤V−601(和光純薬工業(株)製)4.60g(0.02mol)をエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート200gに溶解し、得られた溶液を上記と同様に窒素置換した。
エチレングリコールモノエチルエーテルアセテートの入った2Lフラスコを、内温が80℃になるまで昇温した後、さらに重合開始剤剤V−601 2.30g(0.01mol)を添加し、5分間攪拌した。その後、上記モノマー混合溶液を攪拌しながら6時間かけて滴下した。滴下後、2時間さらに加熱攪拌した後、反応溶液を室温まで冷却し、ヘキサン3L中に滴下しポリマーを沈殿させた。ろ過した固体をアセトン500mlに溶解し、再度ヘキサン3L中に滴下、ろ過した固体を減圧乾燥して、4−アセトキシスチレン/1−エチルシクロペンチルメタクリレート共重合体145gを得た。
反応容器中に上記で得られた重合体40.00g、メタノール40ml、1−メトキシ−2−プロパノール200ml、濃塩酸1.5mlを加え、80℃に加熱して5時間攪拌した。反応溶液を室温まで放冷し、蒸留水3L中に滴下した。ろ過した固体をアセトン200mlに溶解し、再度蒸留水3L中に滴下、ろ過した固体を減圧乾燥してポリマー(P−1)35.5gを得た。GPCによる重量平均分子量は10800、分子量分散度(Mw/Mn)は1.65であった。
用いるモノマーを変更する以外は、上記合成例1と同様の方法で、下記に示す構造を有する樹脂(P−2)〜(P−7)を合成した。樹脂の組成比、重量平均分子量(Mw)、分子量分散度(Mw/Mn)を表1に示す。組成比(モル比)は、下記に示す樹脂の構造における左からの繰り返し単位の順である。
(2)レジストの塗液調製及び塗設
表2に示した組成を有する塗液組成物を0.1μm孔径のメンブレンフィルターで精密ろ過して、レジスト溶液を得た。
このレジスト溶液をHMDS処理を施した6インチSiウェハー上に東京エレクトロン製スピンコーターMark8を用いて塗布し、表3に示す温度のホットプレート上で加熱乾燥させ、膜厚0.12μmのレジスト膜を得た。
表2に示した組成を有する塗液組成物を0.1μm孔径のメンブレンフィルターで精密ろ過して、レジスト溶液を得た。
このレジスト溶液をHMDS処理を施した6インチSiウェハー上に東京エレクトロン製スピンコーターMark8を用いて塗布し、表3に示す温度のホットプレート上で加熱乾燥させ、膜厚0.12μmのレジスト膜を得た。
(3)EB露光評価
上記(2)で得られたレジスト膜に、電子線描画装置((株)日立製作所製HL750、加速電圧50 KeV)を用いて、パターン照射を行った。照射後に、表3に示す温度のホットプレート上で加熱した。
続いて、テトラメチルアンモニウム ハイドロオキサイドの2.38wt%水溶液を用いてアルカリ現像を行った。
上記(2)で得られたレジスト膜に、電子線描画装置((株)日立製作所製HL750、加速電圧50 KeV)を用いて、パターン照射を行った。照射後に、表3に示す温度のホットプレート上で加熱した。
続いて、テトラメチルアンモニウム ハイドロオキサイドの2.38wt%水溶液を用いてアルカリ現像を行った。
得られたパターンを下記の方法で、感度、解像力、パタ−ン形状、ラインウィズスラフネスについて評価した。評価結果を下記表3に示した。
(3−1)感度(E0)
得られたパターンを走査型電子顕微鏡(日立社製S−9220)を用いて観察した。0.10μm(ライン:スペース=1:1)を解像するときの電子線照射量を感度(E0)とした。
得られたパターンを走査型電子顕微鏡(日立社製S−9220)を用いて観察した。0.10μm(ライン:スペース=1:1)を解像するときの電子線照射量を感度(E0)とした。
(3−2)解像力
上記の感度を示す露光量における限界解像力(ラインとスペースが分離解像する最小の線幅)を解像力とした。
上記の感度を示す露光量における限界解像力(ラインとスペースが分離解像する最小の線幅)を解像力とした。
(3−3)露光余裕度
パターンサイズが0.09μmとなる感度をE1、パターンサイズが0.11μmとなる感度をE2としたときに、以下に示す式より得られた数値を露光余裕度とした。
パターンサイズが0.09μmとなる感度をE1、パターンサイズが0.11μmとなる感度をE2としたときに、以下に示す式より得られた数値を露光余裕度とした。
露光余裕度=(E1−E2)/E0x100 (%)
(3−4)ラインウィズスラフネス(LWR)
上記の感度を示す照射量における0.10μmラインパターンの長さ方向50μmにおける任意の30点について線幅を測定し、そのバラツキを3σで評価した。
(3−4)ラインウィズスラフネス(LWR)
上記の感度を示す照射量における0.10μmラインパターンの長さ方向50μmにおける任意の30点について線幅を測定し、そのバラツキを3σで評価した。
(3−5)真空引き置き安定性(PED)
パターン照射完了後に、48時間、装置中に置いた場合と、照射完了後に速やかに装置から取り出して、上記の条件でパターン形成を行った場合の、同一露光量におけるパターンサイズの差を評価した。パターンサイズの差が小さいほど、真空PEDに対して良好な性能を有していることを示す。
パターン照射完了後に、48時間、装置中に置いた場合と、照射完了後に速やかに装置から取り出して、上記の条件でパターン形成を行った場合の、同一露光量におけるパターンサイズの差を評価した。パターンサイズの差が小さいほど、真空PEDに対して良好な性能を有していることを示す。
以下、表中略号は、上記具体例のもの、または下記のものを表す。
<有機塩基性化合物>
D−1:テトラ-(n-ブチル)アンモニウムヒドロキシド
D−2:1、8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン
D−3:2,4,5−トリフェニルイミダゾール
D−4:トリドデシルアミン
<界面活性剤>
W−1:PF636(OMNOVA社製)
W−2:PF6320(OMNOVA社製)
W−3:PF656(OMNOVA社製)
W−4:PF6520(OMNOVA社製)
W−5:メガファックF176(大日本インキ化学工業(株)製)
W−6:フロラードFC430(住友スリーエム(株)製)
<塗布溶剤>
S−1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)
S−2:プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)
S−3:シクロヘキサノン
S−4:乳酸エチル
D−1:テトラ-(n-ブチル)アンモニウムヒドロキシド
D−2:1、8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン
D−3:2,4,5−トリフェニルイミダゾール
D−4:トリドデシルアミン
<界面活性剤>
W−1:PF636(OMNOVA社製)
W−2:PF6320(OMNOVA社製)
W−3:PF656(OMNOVA社製)
W−4:PF6520(OMNOVA社製)
W−5:メガファックF176(大日本インキ化学工業(株)製)
W−6:フロラードFC430(住友スリーエム(株)製)
<塗布溶剤>
S−1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)
S−2:プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)
S−3:シクロヘキサノン
S−4:乳酸エチル
(3)KrF露光評価
(3−1)レジストの塗液調製及び塗設
表4に示した組成を有する塗液組成物を0.1μm孔径のメンブレンフィルターで精密ろ過して、レジスト溶液を得た。
このレジスト溶液をDUV42(60nm)の下地を施した8インチSiウェハー上に東京エレクトロン製スピンコーターMark8を用いて塗布し、表5に示す温度のホットプレート上で加熱乾燥させ、膜厚0.25μmのレジスト膜を得た。
(3−1)レジストの塗液調製及び塗設
表4に示した組成を有する塗液組成物を0.1μm孔径のメンブレンフィルターで精密ろ過して、レジスト溶液を得た。
このレジスト溶液をDUV42(60nm)の下地を施した8インチSiウェハー上に東京エレクトロン製スピンコーターMark8を用いて塗布し、表5に示す温度のホットプレート上で加熱乾燥させ、膜厚0.25μmのレジスト膜を得た。
(3−2)露光
上記(3−1)で得られたレジスト膜に、KrFスキャナー(ASML製PAS5500/850)を用いて、NA=0.80、輪帯照明、σ=0.89/0.59の露光条件で、パターン照射を行った。
照射後に、表5に示す温度のホットプレート上で加熱した。
続いて、2.38質量%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液を用いて60秒間浸漬した後、30秒間、水でリンスして乾燥した。
上記(3−1)で得られたレジスト膜に、KrFスキャナー(ASML製PAS5500/850)を用いて、NA=0.80、輪帯照明、σ=0.89/0.59の露光条件で、パターン照射を行った。
照射後に、表5に示す温度のホットプレート上で加熱した。
続いて、2.38質量%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液を用いて60秒間浸漬した後、30秒間、水でリンスして乾燥した。
(3−3−1)感度(E0)
得られたパターンを走査型電子顕微鏡(日立社製S−9220)を用いて観察した。0.12μm(ライン:スペース=1:1)を解像するときの照射量を感度(E0)とした。
得られたパターンを走査型電子顕微鏡(日立社製S−9220)を用いて観察した。0.12μm(ライン:スペース=1:1)を解像するときの照射量を感度(E0)とした。
(3−3−2)露光余裕度
パターンサイズが0.108μmとなる感度をE1、パターンサイズが0.132μmとなる感度をE2としたときに、以下に示す式より得られた数値を露光余裕度とした。
パターンサイズが0.108μmとなる感度をE1、パターンサイズが0.132μmとなる感度をE2としたときに、以下に示す式より得られた数値を露光余裕度とした。
露光余裕度=(E1−E2)/E0x100 (%)
(3−3−3)ラインウィズスラフネス(LWR)
上記の感度を示す照射量における0.12μmラインパターンの長さ方向50μmにおける任意の30点について線幅を測定し、そのバラツキを3σで評価した。
(3−3−3)ラインウィズスラフネス(LWR)
上記の感度を示す照射量における0.12μmラインパターンの長さ方向50μmにおける任意の30点について線幅を測定し、そのバラツキを3σで評価した。
(4)EUV露光評価
(4−1)レジストの塗液調製及び塗設
表6に示した塗液組成物を0.1μm孔径のメンブレンフィルターで精密ろ過して、レジスト溶液を得た。
このレジスト溶液をHMDS処理を施した6インチSiウェハー上に東京エレクトロン製スピンコーターMark8を用いて塗布し、表7に示した温度のホットプレート上で加熱乾燥させ、膜厚0.05μmのレジスト膜を得た。
(4−1)レジストの塗液調製及び塗設
表6に示した塗液組成物を0.1μm孔径のメンブレンフィルターで精密ろ過して、レジスト溶液を得た。
このレジスト溶液をHMDS処理を施した6インチSiウェハー上に東京エレクトロン製スピンコーターMark8を用いて塗布し、表7に示した温度のホットプレート上で加熱乾燥させ、膜厚0.05μmのレジスト膜を得た。
(4−2)EUV露光
このレジスト膜にEUV光(波長13nm)を用いて、露光量を0〜10.0mJの範囲で0.5mJずつ変えながら面露光を行った。
照射後に、表7に示す温度のホットプレート上で加熱した。
続いて、2.38質量%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液を用いて60秒間浸漬した後、30秒間、水でリンスして乾燥した。
このレジスト膜にEUV光(波長13nm)を用いて、露光量を0〜10.0mJの範囲で0.5mJずつ変えながら面露光を行った。
照射後に、表7に示す温度のホットプレート上で加熱した。
続いて、2.38質量%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液を用いて60秒間浸漬した後、30秒間、水でリンスして乾燥した。
(4−3−1)感度(Eth)
現像後のレジスト膜厚が露光前膜厚の50%となる露光量を感度(Eth)とした。
現像後のレジスト膜厚が露光前膜厚の50%となる露光量を感度(Eth)とした。
(4−3−2)残膜率
以下に示す式より得られる数値を残膜率(%)とした。
以下に示す式より得られる数値を残膜率(%)とした。
表3、5および7の結果より、本発明の組成物を用いたパターン形成方法により得られるパターンは、感度、解像力、露光余裕度、ラインウィズスラフネス、真空引き置き安定性(PED)に優れ、良好な性能を有していることがわかる。
Claims (4)
- (A)一般式(AI)で表される単位と一般式(AII)で表される単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、及び(B)活性光線または放射線の照射により、一般式(BI)または(BII)で表される構造の酸を発生する化合物、を含有することを特徴とする感活性光線または感放射線樹脂組成物。
Rxは、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
Tは、単結合又は2価の連結基を表す。
Rx1は、アルキル基(直鎖若しくは分岐)又は単環のシクロアルキル基を表す。
Zは、Cとともに炭素数5から8の単環のシクロアルキル基を形成している。
一般式(AII)において
Rxは、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
Rx2は、水素原子または、有機基を表す。
Rx3は、非酸分解性基を表す。
mは1〜4の整数、nは0〜4の整数であり、1≦n+m≦5である。mが2〜4のとき、複数のRx2は、同じでも異なっていてもよく、nが2〜4のとき、複数のRx3は、同じでも異なっていてもよい。
一般式(BI)及び(BII)において、
Rfaは、各々独立に、フッ素原子を有する一価の有機基を表す。複数のRfaは互いに結合して環を形成してもよい。 - 請求項1又は2に記載の感活性光線または感放射線樹脂組成物を用いて膜を形成し、該膜を露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
- 露光光源が電子線、X線又はEUV光である、請求項3に記載のパターン形成方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009130405A JP2010276924A (ja) | 2009-05-29 | 2009-05-29 | 感活性光線または感放射線樹脂組成物および該組成物を用いたパターン形成方法 |
PCT/JP2010/058943 WO2010134640A1 (en) | 2009-05-22 | 2010-05-20 | Actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition and method of forming pattern using the composition |
EP10777867A EP2433178A4 (en) | 2009-05-22 | 2010-05-20 | ACTINIC RAY- OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD OF FORMING A PATTERN USING THE COMPOSITION |
US13/320,116 US20120094235A1 (en) | 2009-05-22 | 2010-05-20 | Actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition and method of forming pattern using the composition |
KR1020117027836A KR101702422B1 (ko) | 2009-05-22 | 2010-05-20 | 감활성 광선 또는 감방사선 수지 조성물 및 그 조성물을 사용한 패턴형성방법 |
TW099116230A TWI536095B (zh) | 2009-05-22 | 2010-05-21 | 感光化射線或感放射線樹脂組成物及使用該組成物之圖案形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009130405A JP2010276924A (ja) | 2009-05-29 | 2009-05-29 | 感活性光線または感放射線樹脂組成物および該組成物を用いたパターン形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010276924A true JP2010276924A (ja) | 2010-12-09 |
Family
ID=43423934
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009130405A Abandoned JP2010276924A (ja) | 2009-05-22 | 2009-05-29 | 感活性光線または感放射線樹脂組成物および該組成物を用いたパターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010276924A (ja) |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003261529A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-09-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光酸発生剤化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2007052107A (ja) * | 2005-08-16 | 2007-03-01 | Fujifilm Corp | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2007065353A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Fujifilm Corp | 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 |
JP2007178848A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Fujifilm Corp | 感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該感光性組成物に用いられる化合物 |
JP2007241124A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Fujifilm Corp | ポジ型レジスト組成物、およびそれを用いたパターン形成方法 |
JP2008203535A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Fujifilm Corp | ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP2008249890A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Fujifilm Corp | ポジ型レジスト組成物およびこれを用いたパターン形成方法 |
JP2008250229A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujifilm Corp | ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP2008276182A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-11-13 | Fujifilm Corp | レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
-
2009
- 2009-05-29 JP JP2009130405A patent/JP2010276924A/ja not_active Abandoned
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003261529A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-09-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光酸発生剤化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2007052107A (ja) * | 2005-08-16 | 2007-03-01 | Fujifilm Corp | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2007065353A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Fujifilm Corp | 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 |
JP2007178848A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Fujifilm Corp | 感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該感光性組成物に用いられる化合物 |
JP2007241124A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Fujifilm Corp | ポジ型レジスト組成物、およびそれを用いたパターン形成方法 |
JP2008203535A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Fujifilm Corp | ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP2008249890A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Fujifilm Corp | ポジ型レジスト組成物およびこれを用いたパターン形成方法 |
JP2008250229A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujifilm Corp | ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP2008276182A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-11-13 | Fujifilm Corp | レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6457640B2 (ja) | パターン形成方法、積層体、及び、有機溶剤現像用レジスト組成物 | |
KR101811254B1 (ko) | 패턴 형성 방법, 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 및 레지스트막, 그리고 이들을 이용한 전자 디바이스의 제조 방법, 및 전자 디바이스 | |
TWI536106B (zh) | 化學增幅光阻材料及圖案形成方法 | |
JP6664440B2 (ja) | イオン性化合物を含むフォトレジスト | |
JP5514759B2 (ja) | レジストパターン形成方法、レジストパターン、有機溶剤現像用の架橋性ネガ型化学増幅型レジスト組成物、レジスト膜、及びレジスト塗布マスクブランクス | |
JP7232847B2 (ja) | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 | |
TWI484291B (zh) | 光阻材料及使用此光阻材料之圖案形成方法 | |
JP6326492B2 (ja) | 感放射線性又は感活性光線性樹脂組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 | |
JP6025600B2 (ja) | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法 | |
JP5913461B2 (ja) | フォトレジスト組成物、コーティング基板、および電子デバイスを製造する方法 | |
JP2010061087A (ja) | 電子線、x線またはeuv用ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 | |
KR20180076365A (ko) | 염기-반응성 성분을 포함하는 조성물 및 포토리소그래피 공정 | |
WO2017110352A1 (ja) | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法 | |
KR20170130526A (ko) | 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물 | |
CN113168100A (zh) | 感光化射线性或感辐射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法 | |
JP5520489B2 (ja) | リソグラフィ用基板被覆方法、及び該方法に用いられる感活性光線または感放射線性樹脂組成物 | |
KR20160048953A (ko) | 패턴 형성 방법, 패턴 마스크의 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법 및 전자 디바이스 | |
JP5663409B2 (ja) | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法 | |
JP7357062B2 (ja) | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、化合物、樹脂 | |
JP7266093B2 (ja) | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の製造方法、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 | |
TWI522736B (zh) | 感光化射線或感放射線樹脂組成物及使用其之圖案形成方法 | |
TW201713738A (zh) | 用於光微影之罩面層組合物及方法 | |
TWI536095B (zh) | 感光化射線或感放射線樹脂組成物及使用該組成物之圖案形成方法 | |
JP2012137565A (ja) | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法 | |
TW202128970A (zh) | 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、感光化射線性或感放射線性膜、圖案形成方法及電子裝置之製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120403 |
|
A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20120518 |