JP2010267461A - 走査電子顕微鏡、および走査電子顕微鏡における像表示方法 - Google Patents

走査電子顕微鏡、および走査電子顕微鏡における像表示方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2010267461A
JP2010267461A JP2009117148A JP2009117148A JP2010267461A JP 2010267461 A JP2010267461 A JP 2010267461A JP 2009117148 A JP2009117148 A JP 2009117148A JP 2009117148 A JP2009117148 A JP 2009117148A JP 2010267461 A JP2010267461 A JP 2010267461A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image
sample
electron microscope
objective lens
displayed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009117148A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5500868B2 (ja
Inventor
Hiroko Sasaki
裕子 笹氣
Mitsugi Sato
貢 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Technologies Corp
Hitachi High Tech Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Technologies Corp, Hitachi High Tech Corp filed Critical Hitachi High Technologies Corp
Priority to JP2009117148A priority Critical patent/JP5500868B2/ja
Publication of JP2010267461A publication Critical patent/JP2010267461A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5500868B2 publication Critical patent/JP5500868B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

【課題】コストアップと装置の大型化を防ぎなから、試料の表面の立体形状を容易に得ることができる走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】対物レンズにより電子ビームを集束させて試料を走査し、試料から発生する信号を検出して第1の画像を生成して表示装置の画面へ表示させ、対物レンズの励磁を変えた後に電子ビームを集束させて試料を走査し、試料から発生する信号を検出して第2の画像を生成して表示装置の画面へ表示させ、表示装置の画面に表示させた第2の画像の焦点が合うように制御電極に印加される電圧を調整した後に電子ビームを集束させて試料を走査し、試料から発生する信号を検出して第3の画像を生成し、表示装置の画面に表示させる。
【選択図】 図1

Description

本発明は走査電子顕微鏡に係り、特に半導体装置の製造プロセスにおける半導体ウエハ等の試料を様々な方向から観察して形状を判別する走査電子顕微鏡、および走査電子顕微鏡における像表示方法に関する。
半導体装置の製造プロセスにおいて、半導体ウエハとよばれる基板に回路パターンが形成されていく過程で、異物の付着,パターンの転写寸法不良,加工不良などの欠陥が発生する場合がある。この欠陥を製造プロセスの途中で早期に発見し、工程を見直すことで半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。欠陥は非常に微小なので、発見には走査電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope、以下、SEMと略す場合がある)の技術を応用した検査装置が利用されている。
例えば、半導体試料の微細な寸法を測長するCD−SEMと呼ばれる測長用電子顕微鏡装置や、検査の段階で異常な測長値が検出された場所や異物を検出した場所を更に詳細に観察し分析するレビューSEMと呼ばれる観察用電子顕微鏡装置がある。特に、レビューSEMにおいては、異常個所や異物である欠陥の種類を判別したり、分析することで、欠陥の原因となった工程を特定したり、異物の混入箇所を特定し、半導体ウエハの製作過程における歩留まりの向上に大きな役割を果たす。
欠陥あるいは異物の形状、特に凹凸情報は、欠陥の種類や異物を特定するのに重要である。異物ならば試料の表面から凸状に高さをもっており、表面研磨時の傷であれば、表面から凹状に低くなっている。また、エッチング工程における不良は、形成された穴の側面の傾斜の程度によって判断できる。
SEMを用いた観察において、試料の凹凸情報を見る場合や、平面観察では見えない部分を観察する場合、試料を傾斜させる、或いはビームを傾斜させることでそれらの情報を得ることができる(例えば、特許文献1参照)。
試料のSEM像を立体的に表示する手法として、4分割された反射電子検出器で検出した信号を合成する手法や(例えば、特許文献2参照)、立体像に陰影を付けて表示する手法(例えば、特許文献3,特許文献4参照)が知られている。
これらの手法により、試料の表面の凹凸の状況を分解能の高いSEM画像で表示できるので、装置のオペレータにとって、その欠陥が何であるかを判定し易くなるという利点がある。しかし、複数個の検出器を配置する構成は、装置のコストアップによる製品単価の上昇と大型化が避けられないため、現状よりも簡単で安価な構成で、試料の表面の立体形状を容易に表示することができる装置が求められている。
特開2006−49161号公報 特開2002−31520号公報 特開2001−110351号公報 特開2006−228999号公報
本発明の目的は、装置のコストアップと大型化を防止して、試料の表面の立体形状を容易に表示することができる走査電子顕微鏡を提供することである。
上記課題を解決するために、本発明の実施形態は、対物レンズにより電子ビームを集束させて試料を走査し、試料から発生する信号を検出して第1の画像を生成して表示装置の画面へ表示させ、対物レンズの励磁を変えた後に電子ビームを集束させて試料を走査し、試料から発生する信号を検出して第2の画像を生成して表示装置の画面へ表示させ、表示装置の画面に表示された第2の画像の焦点が合うように制御電極に印加される電圧を調整した後に電子ビームを集束させて試料を走査し、試料から発生する信号を検出して第3の画像を生成し、表示装置の画面に表示させる構成としたものである。
本発明によれば、装置のコストアップと大型化を防止して、試料の表面の立体形状を容易に得ることができる走査電子顕微鏡を得ることができる。
走査電子顕微鏡の概略構成を示す縦断面図である。 図1の試料上の部分のみを取り出した縦断面図である。 画像の例を示す画面図である。 試料上の部分のみを取り出した斜視図である。 試料の表面形状を示す斜視図である。 凹凸輪郭を有する対象物の電子ビームによる走査の領域を示す平面図である。 凹凸輪郭を有する対象物の画像を示す画面図である。 図1の試料上の部分のみを取り出した縦断面図である。 図1の試料上の部分のみを取り出した縦断面図である。 凹凸輪郭を有する対象物の電子ビームによる走査の領域を示す平面図である。 凹凸輪郭を有する対象物の画像を示す画面図である。 図1の試料上の部分のみを取り出した縦断面図である。 回転した画像を取得するときの手順を示すフローチャートである。 回転した画像を取得するときの手順を示すフローチャートである。 凹凸輪郭を有する対象物の電子ビームによる走査の領域を示す平面図である。 試料の拡大像を表示する像表示装置の画面図である。 試料の拡大像を表示する像表示装置の画面図である。 図1に示した対物レンズの縦断面図である。 図1に示した対物レンズの縦断面図である。 試料の拡大像を表示する像表示装置の画面図である。 試料の拡大像を表示する像表示装置の画面図である。
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
図1は、走査電子顕微鏡の概略構成を示す縦断面図であり、各機器を真空中に納める真空カラムは省略している。
電子銃101は、電子源102,引出電極103,加速電極104から構成される。電子源102と引出電極103との間に引出電圧V1が印加されて、電子源102から電子ビーム105が引き出される。加速電極104は、アース電位に維持され、加速電極104と電子源102との間に加速電圧V0が印加され、この加速電圧V0によって電子ビーム105は加速される。
加速された電子ビーム105は、レンズ制御電源107に接続された第1の集束レンズ108、および第2の集束レンズ109によって、光軸131上にクロスオーバ132,133を持つように集束される。絞り106により、第1の集束レンズ108を通過した電子ビーム105の横に広がる不要なエネルギーが除去される。電子ビーム105は、対物レンズ110によって、試料ステージ111上の半導体ウエハ等の試料112に集束される。
磁場レンズである対物レンズ110の励磁電流は、対物レンズ制御部113により制御される。静電レンズで構成される制御電極114は、試料112へ焦点が合うように電子ビーム105の開き角を調整する。制御電極114に印加される電圧は、制御電極制御部115により制御される。
試料112は、集束された電子ビーム105によって照射され、走査信号発生装置116に接続されたY偏向器117,X偏向器118によって偏向されることで、試料112の表面を走査される。電子ビーム105の非点収差を補正する非点収差補正器119は、非点収差補正制御部120により制御される。
電子ビーム105が試料112の表面で走査されると、試料112から二次電子や反射電子が放出される。一般に、50eVを境界として以下を二次電子、以上を反射電子と呼んでいる。以下、二次電子や反射電子を総称して二次信号121と呼ぶ。試料112で発生した二次信号121は、直交電磁界発生器122によって軌道を曲げられ、検出器123によって検出される。直交電磁界発生器122は、下方から上方へ向かう二次信号121に対して軌道を曲げ、上方から下方へ向かう電子ビーム105に対しては影響を及ぼさない。前述のように二次信号121は電子自身のエネルギーに大小があり、試料112から放出された後の軌道に差があるため、エネルギーが大きく直線性の高い反射電子は対物レンズ110の近くに設置された図示しない反射電子検出器で検出し、エネルギーが小さい二次電子は、図示しないブースティング電極で直交電磁界発生器122の高さまで引上げられてから図示しない二次電子検出器で検出する構成を採用している走査電子顕微鏡もある。このように、二次信号121の特徴により検出系の機能を工夫することができるが、本発明は、様々な検出系に共通の技術なので、本発明の実施態様では、検出系の機能や構成は限定していない。
二次信号121を検出した検出器123から出力される信号は増幅され、ディジタル信号に変換され、画像処理部124の記憶部125へ保持される。また、像表示装置126の輝度変調信号とすることで、像表示装置126に試料112の拡大像を表示することができる。拡大像の倍率は、Y偏向器117やX偏向器118によって試料112の表面を電子ビーム105が走査されたときの偏向幅と、像表示装置126に表示された試料112の画像の幅の比である。
前述したレンズ制御電源107,非点収差補正制御部120,走査信号発生装置116,画像処理部124は、主制御部127に接続され、主制御部127のプロセッサーによって統合制御される。
試料112を載せた試料ステージ111は、ステージ駆動装置128により水平移動可能である。必要に応じて試料112を高さ方向へ移動させる移動機構を組み込んでもよい。試料ステージ111の水平方向の位置は、位置モニター用測定装置129により測定され、主制御部127へ送られる。
高さ測定装置134は試料112の高さを測定し、その値を主制御部127へ送り、主制御部127はこの値に基づいてレンズ制御電源107に送る制御値を決定し、レンズ制御電源107から送られる制御値によって各レンズの強度が制御されて、電子ビーム105の焦点が試料112に合わせられる。
高分解能の画像を得るためには、高エネルギーの電子ビーム105を試料112へ照射する必要がある。しかし、材料によっては破壊されてしまう場合があるため、試料112へ可変減速電源130から電圧を印加して、電子銃101と試料112との間に電位差をつくり、電子ビーム105が試料112上では低エネルギーになるようにして、試料112の破壊を防ぐリターディングと呼ばれる既知の技術が用いられる。
図2は、図1の試料上の部分のみを取り出した縦断面図、図3は、画像の例を示す画面図である。レビューSEMでは、検出器を複数個配置し、電子ビームの走査方向と検出器の配置との関係から、画像の陰影状態を検知して試料の凹凸を判定することが行われている。例えば、図2に示すように、光軸201を中心として2個の検出器202,203を対向配置し、電子ビーム204を矢印で示すように走査して、試料205から発生する信号を、2個の検出器202,203で検出する構成が知られている。図3は、この構成により得られた画像の例で、図3(a)は、検出器203で検出された信号に基づいて形成された画像であり、画面301には、試料の輪郭302の他に、影303が現れている。図3(b)は、検出器202で検出された信号に基づいて形成された画像であり、画面301には、試料の輪郭304の他に、影305が現れている。両方の画像を並べてディスプレイに表示させることにより、オペレータは2つの画像の陰影の状態から、その撮像された対象物が凸の形状をしていると判断できる。対象物が凹状の場合は、検出器203で検出された信号の画像は、図3(a)に示すようになり、検出器202で検出された信号の画像は、図3(b)に示すようになる。
図4は、図1の試料上の部分のみを取り出した斜視図、図5は、試料の表面形状を示す斜視図である。図4に示すように、6個の検出器401,402,403,404,405,406を光軸407の周りに配置して試料408からの信号情報量を増やし、図5に示すように、画面に三次元像501を表示させることができる。この画面表示であれば、オペレータは、直感的に立体形状502を見ることができるので、図2および図3に示したような、画面内の影と検出器の位置とを合わせて凹凸状態を判断する必要がない。しかし、複数個の検出器を配置する構成は、装置のコストアップと大型化が避けられないため、簡単な構成で試料の表面の立体形状を容易に知ることができる構成が求められている。
図6から図11は、磁場レンズによる電子ビームの回転を説明する図で、図6と図10は、図5に示したような凹凸輪郭を有する対象物の電子ビームによる走査の領域を示す平面図、図7と図11は、図5に示したような凹凸輪郭を有する対象物の画像を示す画面図である。また、図8と図9は、図1の試料上の部分のみを取り出した縦断面図である。
図6に示すように、凹凸部の輪郭604を有する試料601の表面を、走査開始点602の位置から電子ビームで走査し、領域603の全体を走査する。図7は、これにより得られた画面の例で、像表示装置126の画面701に、図6の試料601の画像702が表示される。このときの電子ビームの状態は、図8に示すように、電子ビーム105の焦点が試料601に合うように、対物レンズ制御部113によって対物レンズ110の励磁条件が調整されている。
試料の対象物の高さが高くなり、その高い部分に焦点を合わせるために、対物レンズの励磁条件を変えると、得られる画像が回転する。これを、図9から図11を用いて説明する。図9において、試料601の高さが変わって試料面901の位置になった場合、この位置に電子ビーム105の焦点が合うように、対物レンズ制御部113により対物レンズ110の励磁強度を強くし、軌跡902から軌跡903に電子ビーム105の軌跡を変える。このとき、磁場レンズは電子ビーム105に対して回転作用を及ぼすため、図10に示すように、試料601上の凹凸部の輪郭604に対して電子ビーム105で走査される領域1001が回転してしまう。そして、得られる画像は、図11に示すように、像表示装置126に表示された画面701に表示されるような、凹凸部の輪郭1102が回転した位置にある像1101になってしまう。試料601が図10に示すような回転していることが判り易い凹凸部の輪郭604であれば、像1101が回転していることが判るが、像1101が方向性のない輪郭しか含まない場合は、回転しているかどうか判らない。また、対物レンズ110の励磁強度を強くして電子ビーム105の絞りを強めると、焦点深度が浅くなり、焦点のずれによって像1101がぼけた画像になってしまう可能性がある。
図12は、図1の試料上の部分のみを取り出した縦断面図である。対物レンズ110の近傍に、制御電極114を設け、試料112の高さが変化したとき、対物レンズ110の励磁強度を変えずに、制御電極114に与える電圧を変えて、焦点が試料112に合うように、主制御部127で制御する。例えば、図12に示すように、試料112の試料面1204に焦点が合った状態で、制御電極114への印加電圧が0であるとする。試料112の高さが試料面1201まで上昇した場合、対物レンズ110の励磁強度を上げると、電子ビーム105は軌跡1201から軌跡1202に変わるので、電子ビーム105の焦点が上昇し、試料面1201に焦点を合わせることができる。しかし、図9で説明したように、画像が回転してしまうので、試料112の高さが試料面1201まで上昇した場合、対物レンズ110の励磁強度を上げずに、制御電極制御部115から制御電極114に負の電圧を与えると、電子ビーム105は軌跡1202が軌跡1201に変化し、電子ビーム105の焦点が上昇し、試料面1201に焦点を合わせることができる。このとき、対物レンズ110の励磁強度は変えず、静電レンズである制御電極114の電圧を変えるだけで、図11に示したような画像の回転なしで、焦点を新しい面の高さに合わせることができる。制御電極114へ印加する電圧の変更値は、制御電極114への印加電圧の初期値に対して、焦点を上昇させる場合は負の方向とし、焦点を下降させる場合は正の方向とする。したがって、制御電極114への印加電圧の初期値が0である場合、焦点を上昇させる場合は負の電圧、焦点を下降させる場合は正の電圧を制御電極114へ与える。制御電極114への印加電圧の初期値が正の値である場合、焦点を上昇させる場合はその値よりも小さな電圧、焦点を下降させる場合はその値よりも大きな電圧を制御電極114へ与える。制御電極114への印加電圧の初期値が負の値である場合、焦点を上昇させる場合はその値よりも小さな電圧、焦点を下降させる場合はその値よりも大きな電圧を制御電極114へ与える。
一方、上述の原理を応用して、回転させた画像を取得することができる。図12において、試料112の試料面1204を一定としたとき、対物レンズ110の励磁強度を上げ、電子ビーム105を軌跡1202から軌跡1203に変えることで仮の試料面1201まで焦点を上昇させる。そうすると、図10に示したように走査の方向が回転するとともに、焦点は試料面1201にあり、試料面1204には合っていないので、試料112の画像はぼけたものになってしまう。
そこで、制御電極114に電圧を与えて、電子ビーム105が軌跡1203から軌跡1202に変えて、焦点を試料面1204に合うように制御する。こうすると、走査方向が回転した状態で焦点の合った試料112の画像を得ることができる。実際の制御では、対物レンズ110の励磁強度を変えてから制御電極へ印加する電圧を変えるのではなく、両者を一度に行うことで、時間の短縮になる。主制御部127は、オペレータによって指定された画像の回転角度あるいは画像取得枚数から対物レンズ110と制御電極114の制御量を演算し、制御値を対物レンズ制御部113と制御電極制御部115に送る。対物レンズ制御部113は対物レンズ110の励磁強度を変えると同時に、制御電極制御部115は制御電極114に印加する電圧を変える。
このように、電磁レンズと静電レンズの組み合わせを用いると、試料の高さが一定の対象物に対して、焦点が合い、かつ走査方向を変えた画像を取得することができる。そして、これらの画像を合成すると、図5に示したような、凹凸情報を含む三次元画像を得ることができる。例えば、対物レンズ110の励磁強度が6種類の走査角度の異なるかつ焦点の合った画像を得るようにし、これらの画像を合成すると、図4に示すような6個の検出器を用いた場合と同様の画像を得ることができる。
このように、磁場レンズの励磁条件と静電レンズで構成される制御電極の電圧条件を組み合わせることで、試料を複数の方向から電子ビームで走査することになり、その結果、試料の情報信号から形状情報、特に凹凸情報を得ることができる。
対物レンズの励磁強度を変えることで変化した焦点位置を、試料に印加するリターディング電圧を変えることによって、元に戻すことも可能である。しかし、試料に印加するリターディング電圧を変えると照射エネルギーが変わるので、試料で発生する二次信号のエネルギー密度が変わってしまい、対物レンズの励磁強度の変化の前後で得られる画像の質が異なってしまうので、リターディング電圧を変える手法は採用できない。
図13は、回転した画像を取得するときの手順を示すフローチャートである。はじめに、画像の回転の基準とする基準画像を第1の画像として取得する(ステップ1301)。次に、オペレータにより、立体画像形成に必要な取得画像枚数の値n枚が入力される(ステップ1302)。図1に示した主制御部127は、360度を入力された枚数nで除して走査の方向を求め、対物レンズ110の励磁強度を演算し、電子ビームの走査方向の最初の方向に、対物レンズ制御部113により対物レンズ110の励磁強度を変化させる(ステップ1303)。
例えば、図4に示したような6つの方向から取得した画像から立体画像を形成する場合、n=6が入力されると、基準画像の走査方向に対して、360度を6で除して60度になるので、基準画像の走査方向を0度として、+60度,+120度,−60度,−120度,−180度の方向で走査するように、対物レンズの励磁強度を5種類求める。そして、はじめに、例えば+60度の走査方向になるように対物レンズ110の励磁強度を変えるとともに、焦点が合うように制御電極114の印加電圧を変えて、画像を取得する。この画像を第2の画像とする(ステップ1304)。第2の画像の焦点が合っているかどうかの確認をし(ステップ1305)、焦点が合っていない場合は、制御電極114に印加される電圧を変更して焦点調整を行い(ステップ1306)、再度、第2の画像を取得する。焦点が合っている場合は、画像を画像処理部124の記憶部125に記憶する(ステップ1307)。これらの一連の作業をn−1枚に達するまで繰り返し実施し(ステップ1308)、n−1枚目の画像の取得が終了したら、図5に示したような立体画像を形成し、像表示装置126のディスプレイへ表示する(ステップ1309)。
図14は、図13と同じく、回転した画像を取得するときの手順を示すフローチャートである。図13と異なるのは、取得枚数nを指定するのではなく、電子ビームを走査する方向を角度で直接指定する点である。はじめに、走査方向の基準となる基準画像を第1の画像として取得する(ステップ1401)。次に、オペレータにより、立体画像形成に必要な取得画像の走査方向が、第1の画像の走査方向を基準とした角度θで入力される(ステップ1402)。基準画像と角度を変えた画像の2枚だけで立体像を作成する場合は、角度θは、ひとつの値でよい。図4に示したような6つの方向から取得した画像から立体画像を形成する場合、基準画像の走査方向を0度として、+60度,+120度,−60度,−120度,−180度を入力することで、それぞれの角度で走査された画像が生成され、図5に示したような立体画像を形成する。
図1に示した主制御部127は、入力された角度θに従って、対物レンズ110の励磁強度を演算し、対物レンズ制御部113により対物レンズ110の励磁強度を変化させ、焦点が合うように制御電極114の印加電圧も変えて、画像を取得する(ステップ1403)。この画像を第2の画像とする(ステップ1404)。第2の画像の焦点が合っているかどうかの確認をし(ステップ1405)、焦点が合っていない場合は、制御電極114に印加される電圧を変更して焦点調整を行い(ステップ1406)、再度、第2の画像を取得する。焦点が合っている場合は、第2の画像を画像処理部124の記憶部125に記憶する(ステップ1407)。入力された角度θの数分の画像取得が終了したかどうかを確認し(ステップ1408)、終了していれば立体画像を形成し、ディスプレイへ表示する(ステップ1409)。
なお、角度θが複数の場合の角度θの入力方法としては、上述のように、得たい画像の枚数分の角度をはじめに全て入力する方法、1回の画像取得毎に角度を入力する方法が考えられる。
また、図4に示した従来例では、一回の走査で6方向の画像を同時に得ることができるのに対して、図13に示した例では、三次元画像を形成するための6回の走査を行うので、1枚の三次元画像を形成するための時間が多くかかってしまう。対象物によっては、三次元形状を把握するために、必ずしも6方向からの画像は必要でなく、例えば、基準画像と60度および−60度の走査方向の画像の3枚、基準画像と60度の走査方向の画像の2枚、基準画像と90度の走査方向の画像の2枚、基準画像と180度の走査方向の画像の2枚というように、少なくとも2枚あれば、画像中の対象物の陰影が2方向にできる。したがって、オペレータが見たい部分の画像を取得できるような走査方向の2枚や3枚の画像を取得するようにすれば、画像取得のための時間が長くかかってしまうのを避けることができる。
図15は、図6と同様、凹凸輪郭を有する対象物の電子ビームによる走査の領域を示す平面図である。図15(a)において、図6に示した凹凸輪郭604を含む試料601の基準画像の電子ビームの走査の領域603に対して、図10に示すように、走査方向を回転させて領域1501の画像を取得する。そして、領域603と領域1501の2つの画像から立体像を生成すると、領域603と領域1501の間の共通な領域が小さくなっているので、四角形の画面に表示される立体像は領域1502の大きさに小さくなってしまう。そこで、基準画像の電子ビームの走査の領域603の角を含む大きさの図15(b)に示す領域1503で、電子ビームを走査する。そして、領域603と領域1503の画像の共通な領域から、領域603と同じ大きさの領域1504の立体像を生成する。このように、電子ビームの走査の方向を変えたときには、走査の幅も変更することで、基準画像と同じ大きさの領域の立体画像を生成することができる。
図16、および図17は、試料112の拡大像を表示する像表示装置126の画面図である。図16において、像表示装置126はディスプレイの画面1601を有し、この画面1601に、SEMで撮像された試料の像1602が画像表示領域1603に表示される。画面1601の一部には、図13で説明した取得する画像の数、または図14で説明した取得する画像の角度を入力し、立体像の形成を指示する領域1604が設けられている。立体像の形成の指示があると、主制御部127は、図13または図14に示した手順を実行し、図17に示すように、立体像1701が画像表示領域1603に表示される。
図18は、図1に示した対物レンズ110の縦断面図であり、図1または図12に示した制御電極114の他の実施例を示す。図18(a)に示す構成は、対物レンズ110の磁極の一部に絶縁物を介して制御電極1801を設けたものであり、対物レンズ110のレンズ場と制御電極1801のレンズ場が一致するため、互いのレンズ場のずれによって発生する走査位置のずれや収差の発生を回避することができる。図18(b)に示す構成も、図18(a)と同じく、対物レンズ110の磁極の一部に絶縁物を介して制御電極1802を設けたものであり、対物レンズ110のレンズ場と制御電極1802のレンズ場が一致するため、互いのレンズ場のずれによって発生する走査位置のずれや収差の発生を回避することができる。
図19は、図1に示した対物レンズ110の縦断面図であり、電子ビーム105の焦点補正を磁場レンズで行うときの構成を示している。試料112の下面側に補正レンズ1901を設け、補正レンズ1901の励磁条件を補正レンズ制御部1902で制御する。補正レンズ制御部1902と対物レンズ制御部113は、主制御部127に接続され、電子ビーム105の軌道が所望の状態になるように制御される。画像を回転させるために、対物レンズ制御部113により対物レンズ110の励磁条件が制御されて、電子ビーム105の軌跡が軌跡1903から軌跡1904へ移動すると、焦点が試料112よりも下面側に結ばれてしまう。そこで、対物レンズ110の励磁のときに、軌跡1903を維持するように、補正レンズ1901を励磁する。
図20、及び図21は、試料112の拡大像を表示する像表示装置126の画面図である。対物レンズの励磁条件を変えるとともに、制御電極の印加電圧を変えて取得した画像信号は、図1に示した記憶部125に記憶される。図20の画面2001には、画像領域2002に、たとえば4つの方向から撮像した4枚の画像2003が同時に表示されている。オペレータはこの画像から観察対象の状態を4方向から同時に見ることができる。図21の画面2101には、画像領域2102に、複数の角度から撮像した画像から生成した立体像2103が表示されている。元の画像が複数あれば、様々な角度から見た観察対象の立体像を生成することができるので、オペレータは角度指示ウィンドウ2104でその角度を指定して、任意の方向から見た観察対象の立体像を生成させることができる。これにより、観察対象が何であるかの推定が容易になり、その特徴の分類を正確に行うことができる。
以上述べたように、本発明によれば、装置のコストアップと大型化を防止して、試料の表面の立体形状を容易に得ることができる走査電子顕微鏡を得ることができる。
105 電子ビーム
107 レンズ制御電源
110 対物レンズ
111 試料ステージ
112 試料
113 対物レンズ制御部
114,1801,1802 制御電極
115 制御電極制御部
121 二次信号
123 検出器
124 画像処理部
125 記憶部
126 像表示装置
127 主制御部
128 ステージ駆動装置
134 高さ測定装置
1901 補正レンズ
1902 補正レンズ制御部

Claims (18)

  1. 電子ビームを試料上に集束する対物レンズと、前記電子ビームを前記試料上で走査する走査偏向器と、前記電子ビームの照射によって前記試料から発生する信号を検出する検出器と、該検出器で得られた信号から画像を生成し、表示装置へ表示させる画像処置部とを備えた走査型電子顕微鏡において、
    画像を生成し、表示された後、前記対物レンズの励磁条件を変化させる対物レンズ制御部を備え、前記画像処理部は、前記対物レンズ制御部により励磁条件が変化させられた前記対物レンズで前記電子ビームを前記試料に集束させ、前記検出器で得られた信号に基づいて第2の画像を生成し、前記表示装置へ該第2の画像を表示させるとともに、さらに前記第2の画像の焦点が合うように前記電子ビームの焦点を調整する制御電極を設け、前記画像処理部は、該制御電極により焦点が調整された後に、前記検出器で検出された信号から第3の画像を生成し、前記表示装置へ表示することを特徴とする走査型電子顕微鏡。
  2. 請求項1の記載において、前記第3の画像は複数生成され、該複数の第3の画像を記憶する記憶部を設けたことを特徴とする走査型電子顕微鏡。
  3. 請求項2の記載において、前記画像処理部は、前記記憶部に記憶された前記複数の第3の画像を前記表示装置の画面のひとつの領域に同時に表示させることを特徴とする走査型電子顕微鏡。
  4. 請求項2の記載において、前記画像処理部は、前記記憶部に記憶された前記複数の第3の画像から立体像を生成し、前記表示装置の画面へ表示させることを特徴とする走査型電子顕微鏡。
  5. 請求項2の記載において、第3の画像の枚数は任意に指定されることを特徴とする走査型電子顕微鏡。
  6. 前記第3の画像の枚数の指定は、枚数を入力指定する領域が表示されることを特徴とする走査型電子顕微鏡。
  7. 前記第3の画像は角度で指定されることを特徴とする走査型電子顕微鏡。
  8. 請求項7の記載において、前記角度の指定は、角度を入力する領域が表示されることを特徴とする走査型電子顕微鏡。
  9. 指定された角度に応じて磁場レンズの励磁電流を制御することを特徴とする走査型電子顕微鏡。
  10. 請求項1の記載において、前記対物レンズは磁場レンズであり、前記制御電極は静電レンズであることを特徴とする走査型電子顕微鏡。
  11. 請求項1の記載において、前記対物レンズのレンズ面と前記制御電極のレンズ面とは同一面にあることを特徴とする走査型電子顕微鏡。
  12. 前記第1の画像と、対物レンズの励磁電流を変化させて得られた第3の画像の位置ずれが生じた場合、第1の画像を規準として位置を合わせることを特徴とした走査型電子顕微鏡。
  13. 対物レンズにより電子ビームを集束させて試料を走査し、該試料から発生する信号を検出して第1の画像を生成して表示装置の画面へ表示させ、前記対物レンズの励磁を変えた後に前記電子ビームを集束させて前記試料を走査し、該試料から発生する信号を検出して第2の画像を生成して前記表示装置の画面に表示させ、該表示装置の画面に表示された前記第2の画像の焦点が合うように制御電極に印加させる電圧を調整した後に前記電子ビームを集束させて前記試料を走査し、該試料から発生する信号を検出して第3の画像を生成し、前記表示装置の画面に表示させることを特徴とする電子顕微鏡の像表示方法。
  14. 請求項13の記載において、前記第3の画像は複数生成され、該複数の第3の画像が記憶部に記憶されることを特徴とする電子顕微鏡の像表示方法。
  15. 請求項14の記載において、前記記憶部に記憶された前記複数の第3の画像を前記表示装置の画面のひとつの領域に同時に表示させることを特徴とする電子顕微鏡の像表示方法。
  16. 請求項14の記載において、前記記憶部に記憶された前記複数の第3の画像から立体像を生成し、前記表示装置の画面へ表示させることを特徴とする電子顕微鏡の像表示方法。
  17. 請求項14の記載において、指定された枚数の第3の画像で立体像を生成することを特徴とする電子顕微鏡の像表示方法。
  18. 請求項14の記載において、指定された角度で取得した第3の画像で立体像を生成することを特徴とする電子顕微鏡の像表示方法。
JP2009117148A 2009-05-14 2009-05-14 走査電子顕微鏡、および走査電子顕微鏡における像表示方法 Active JP5500868B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009117148A JP5500868B2 (ja) 2009-05-14 2009-05-14 走査電子顕微鏡、および走査電子顕微鏡における像表示方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009117148A JP5500868B2 (ja) 2009-05-14 2009-05-14 走査電子顕微鏡、および走査電子顕微鏡における像表示方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010267461A true JP2010267461A (ja) 2010-11-25
JP5500868B2 JP5500868B2 (ja) 2014-05-21

Family

ID=43364263

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009117148A Active JP5500868B2 (ja) 2009-05-14 2009-05-14 走査電子顕微鏡、および走査電子顕微鏡における像表示方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5500868B2 (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55148165U (ja) * 1980-04-23 1980-10-24
JPH05299048A (ja) * 1992-04-24 1993-11-12 Hitachi Ltd 電子線装置および走査電子顕微鏡
JPH08329870A (ja) * 1995-06-01 1996-12-13 Hitachi Ltd 走査電子顕微鏡
JP2000082435A (ja) * 1998-09-07 2000-03-21 Jeol Ltd 走査電子顕微鏡における像観察方法および走査電子顕微鏡
JP2006134749A (ja) * 2004-11-08 2006-05-25 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置及び試料像観察方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55148165U (ja) * 1980-04-23 1980-10-24
JPH05299048A (ja) * 1992-04-24 1993-11-12 Hitachi Ltd 電子線装置および走査電子顕微鏡
JPH08329870A (ja) * 1995-06-01 1996-12-13 Hitachi Ltd 走査電子顕微鏡
JP2000082435A (ja) * 1998-09-07 2000-03-21 Jeol Ltd 走査電子顕微鏡における像観察方法および走査電子顕微鏡
JP2006134749A (ja) * 2004-11-08 2006-05-25 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置及び試料像観察方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5500868B2 (ja) 2014-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6668408B2 (ja) Semオーバーレイ計測のシステムおよび方法
US8604430B2 (en) Method and an apparatus of an inspection system using an electron beam
JP5103033B2 (ja) 荷電粒子線応用装置
US10984981B2 (en) Charged particle beam device having inspection scan direction based on scan with smaller dose
JP5174844B2 (ja) 回路パターン検査装置およびその検査方法
JP2017010608A (ja) 荷電粒子線の傾斜補正方法および荷電粒子線装置
US8086022B2 (en) Electron beam inspection system and an image generation method for an electron beam inspection system
WO2017053241A1 (en) Multi-beam dark field imaging
JP3836735B2 (ja) 回路パターンの検査装置
JP2020512656A (ja) ディスプレイ製造用基板上での自動限界寸法測定方法、ディスプレイ製造用大面積基板の検査方法、ディスプレイ製造用大面積基板の検査装置及びその操作方法
JP4746659B2 (ja) 回路パターンの検査方法
JP2006331825A (ja) 回路パターンの検査装置および検査方法
JP4230899B2 (ja) 回路パターン検査方法
JP5500868B2 (ja) 走査電子顕微鏡、および走査電子顕微鏡における像表示方法
JP2014020974A (ja) パターン測定装置
JP3684943B2 (ja) ビーム走査形検査装置
JP2009016356A (ja) 荷電粒子線を用いた検査方法および検査装置
JP4431624B2 (ja) 荷電粒子線調整方法、及び荷電粒子線装置
JP2006172919A (ja) 三次元形状解析機能を有する走査型電子顕微鏡
JP7323574B2 (ja) 荷電粒子線装置および画像取得方法
JP5135116B2 (ja) 荷電粒子線を用いた検査方法および検査装置
JP2005207899A (ja) 荷電粒子線を用いた検査方法および検査装置
JP2010016007A (ja) 荷電粒子線調整方法及び荷電粒子線装置
JP2008277863A (ja) 回路パターンの検査装置
JP2013105603A (ja) 荷電粒子線装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120209

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120209

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130716

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130723

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130909

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140212

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140311

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5500868

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350