JP2010263087A

JP2010263087A - Transistor

Info

Publication number: JP2010263087A
Application number: JP2009112803A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Sugimoto; 雅裕杉本; Toru Kachi; 徹加地; Tsutomu Uesugi; 勉上杉; Zhongda Li; リーゾンダ; T P Chow; ティー．ピー．チョー
Original assignee: Toyota Motor Corp; Toyota Central R&D Labs Inc; Rensselaer Polytechnic Institute
Current assignee: Toyota Motor Corp; Toyota Central R&D Labs Inc; Rensselaer Polytechnic Institute
Priority date: 2009-05-07
Filing date: 2009-05-07
Publication date: 2010-11-18

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an HEMT type transistor which is a normally off type and has small variance in gate threshold voltage. <P>SOLUTION: The transistor includes a p-type region 18, a channel region 20, a barrier region 22, an insulating film 62, and a gate electrode 64. The channel region 20 is an n-type or i-type and in contact with a surface of the p-type region, and includes a first channel region and a second channel region. The barrier region 22 forms a heterojunction with a surface of the first channel region. The insulating film 62 is in contact with a surface of the second channel region and a surface of the barrier region. The gate electrode 64 is opposed to the second channel region and barrier region across the insulating film 62. The first channel region and second channel region are disposed in series in a current path. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明はトランジスタに関する。特に、ヘテロ接合により形成される２次元電子ガスをチャネルとして利用するトランジスタに関する。 The present invention relates to a transistor. In particular, the present invention relates to a transistor that uses a two-dimensional electron gas formed by a heterojunction as a channel.

特許文献１の図３には、ＨＥＭＴ（ＨｉｇｈＥｌｅｃｔｒｏｎＭｏｂｉｌｉｔｙＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が開示されている。このＨＥＭＴは、ＧａＮ層とＡｌＧａＮ層とのヘテロ接合によって生じる２次元電子ガスをチャネルとして用いる。このＨＥＭＴでは、チャネルとなるＧａＮ層（以下では、チャネルＧａＮ層という）に隣接する位置にｐ型のＧａＮ層が形成されている。ゲート電圧をオフしている状態においては、ｐ型ＧａＮ層からチャネルＧａＮ層中に空乏層が広がり、２次元電子ガスが消失している。したがって、ゲート電圧をオフしている状態においては、ＨＥＭＴはオフしている。ゲート電圧をオンすると、ヘテロ接合部に電子が引寄せられて、２次元電子ガスが形成される。これによって、ＨＥＭＴはオンする。このように、特許文献１の技術は、チャネルＧａＮ層に隣接する位置にｐ型ＧａＮ層を形成することによって、ノーマリーオフ型のＨＥＭＴを実現している。 FIG. 3 of Patent Literature 1 discloses a HEMT (High Electron Mobility Transistor). This HEMT uses a two-dimensional electron gas generated by a heterojunction between a GaN layer and an AlGaN layer as a channel. In this HEMT, a p-type GaN layer is formed at a position adjacent to a GaN layer serving as a channel (hereinafter referred to as a channel GaN layer). In the state where the gate voltage is turned off, the depletion layer spreads from the p-type GaN layer into the channel GaN layer, and the two-dimensional electron gas disappears. Therefore, the HEMT is off in a state where the gate voltage is off. When the gate voltage is turned on, electrons are attracted to the heterojunction and a two-dimensional electron gas is formed. As a result, the HEMT is turned on. As described above, the technique of Patent Document 1 realizes a normally-off type HEMT by forming a p-type GaN layer adjacent to the channel GaN layer.

特開２００７−２７３８５６号JP 2007-273856

上述したように、特許文献１の技術は、ｐ型ＧａＮ層からチャネルＧａＮ層中に空乏層を伸展させることによって、ゲート電圧を印加していないときに２次元電子ガスを消失させている。特許文献１のＨＥＭＴのゲート閾値電圧は、チャネルＧａＮ層のキャリア濃度、チャネルＧａＮ層の厚さ、ＡｌＧａＮ層とチャネルＧａＮ層の間に発生する２次元電子ガスの濃度、ゲート絶縁層の厚さで決まる。これらの要因のうち、２次元電子ガスの濃度はばらつきが大きく、ゲート閾値電圧の制御が非常に難しい。このように、従来のノーマリーオフ型のＨＥＭＴは、ゲート閾値電圧のばらつきが大きいという問題があった。 As described above, the technique of Patent Document 1 extinguishes the two-dimensional electron gas when no gate voltage is applied by extending a depletion layer from the p-type GaN layer into the channel GaN layer. The gate threshold voltage of the HEMT of Patent Document 1 is determined by the carrier concentration of the channel GaN layer, the thickness of the channel GaN layer, the concentration of the two-dimensional electron gas generated between the AlGaN layer and the channel GaN layer, and the thickness of the gate insulating layer. Determined. Among these factors, the concentration of the two-dimensional electron gas varies greatly, and it is very difficult to control the gate threshold voltage. As described above, the conventional normally-off HEMT has a problem that the gate threshold voltage varies greatly.

本明細書に開示するトランジスタは、ｐ型領域と、チャネル領域と、バリア領域と、絶縁膜と、ゲート電極を備えている。チャネル領域は、ｎ型またはｉ型であり、ｐ型領域の表面に接しており、第１チャネル領域と第２チャネル領域を有している。バリア領域は、第１チャネル領域の表面とヘテロ接合している。絶縁膜は、第２チャネル領域の表面、及び、バリア領域の表面に接している。ゲート電極は、絶縁膜を介して第２チャネル領域及びバリア領域に対向している。第１チャネル領域と第２チャネル領域は、電流経路において直列に配置されている。 The transistor disclosed in this specification includes a p-type region, a channel region, a barrier region, an insulating film, and a gate electrode. The channel region is n-type or i-type, is in contact with the surface of the p-type region, and has a first channel region and a second channel region. The barrier region is heterojunction with the surface of the first channel region. The insulating film is in contact with the surface of the second channel region and the surface of the barrier region. The gate electrode is opposed to the second channel region and the barrier region with the insulating film interposed therebetween. The first channel region and the second channel region are arranged in series in the current path.

このトランジスタでは、チャネル領域に第１チャネル領域と第２チャネル領域が形成されている。第１チャネル領域の表面には、バリア領域と絶縁膜とゲート電極の積層構造が形成されている。第２チャネル領域の表面には、絶縁膜とゲート電極の積層構造が形成されている。ゲート電圧をオフすると、ｐ型領域からチャネル領域内に空乏層が伸び、トランジスタがオフする。このとき、第２チャネル領域の表面にはバリア領域が形成されていないので、第２チャネル領域が完全に空乏化される。このように、第２チャネル領域が完全に空乏化することでトランジスタがオフするので、第１チャネル領域の２次元電子ガスの濃度以外の要因によりゲート閾値電圧が決定される。ばらつきの大きな２次元電子ガスの濃度がゲート閾値電圧に影響しないので、このトランジスタはゲート閾値電圧のばらつきが小さい。
また、ゲート電圧をオンすると、第１チャネル領域ではバリア領域とのヘテロ接合部近傍に２次元電子ガスが形成され、第２チャネル領域では絶縁膜との接触部近傍に電子の蓄積層が形成される。これらの２次元電子ガスと蓄積層によってチャネルが形成されるので、トランジスタがオンする。
上述したように、チャネル領域は、オフ時には隣接するｐ型領域によって空乏化され、オン時にはゲート電極からの電界によってチャネルが形成される。このため、チャネル領域に高いキャリア濃度は必要とされず、チャネル領域に含有される不純物の濃度を低くすることができる。このため、トランジスタがオンしたときにチャネルを流れる電子の移動度が高い。特に、第１チャネル領域には高濃度の２次元電子ガスが形成されるので、第１チャネル領域では電子の移動度はより高い。したがって、このトランジスタは高速かつ低損失で動作することができる。 In this transistor, a first channel region and a second channel region are formed in the channel region. A stacked structure of a barrier region, an insulating film, and a gate electrode is formed on the surface of the first channel region. A laminated structure of an insulating film and a gate electrode is formed on the surface of the second channel region. When the gate voltage is turned off, a depletion layer extends from the p-type region into the channel region, and the transistor is turned off. At this time, since the barrier region is not formed on the surface of the second channel region, the second channel region is completely depleted. As described above, since the transistor is turned off when the second channel region is completely depleted, the gate threshold voltage is determined by factors other than the concentration of the two-dimensional electron gas in the first channel region. Since the concentration of the two-dimensional electron gas having a large variation does not affect the gate threshold voltage, the transistor has a small variation in the gate threshold voltage.
When the gate voltage is turned on, a two-dimensional electron gas is formed near the heterojunction with the barrier region in the first channel region, and an electron accumulation layer is formed near the contact portion with the insulating film in the second channel region. The Since the channel is formed by these two-dimensional electron gas and the accumulation layer, the transistor is turned on.
As described above, the channel region is depleted by the adjacent p-type region when turned off, and a channel is formed by the electric field from the gate electrode when turned on. For this reason, a high carrier concentration is not required in the channel region, and the concentration of impurities contained in the channel region can be lowered. For this reason, the mobility of electrons flowing through the channel is high when the transistor is turned on. In particular, since a high-concentration two-dimensional electron gas is formed in the first channel region, electron mobility is higher in the first channel region. Therefore, this transistor can operate at high speed and low loss.

上述したトランジスタは、ドリフト領域と、ソース領域と、ドレイン領域をさらに有していることが好ましい。ドリフト領域は、ｎ型またはｉ型であることが好ましい。また、ドリフト領域は、ｐ型領域の下部及びｐ型領域の側方のアパーチャ部内に形成されており、アパーチャ部においてチャネル領域の一端に接続されていることが好ましい。ソース領域は、チャネル領域の他端に接続されていることが好ましい。ドレイン領域は、ドリフト領域の下部に形成されていることが好ましい。 The above-described transistor preferably further includes a drift region, a source region, and a drain region. The drift region is preferably n-type or i-type. Further, the drift region is preferably formed in the lower portion of the p-type region and in the aperture portion on the side of the p-type region, and is connected to one end of the channel region in the aperture portion. The source region is preferably connected to the other end of the channel region. The drain region is preferably formed below the drift region.

上述したトランジスタは、ドリフト領域が、アパーチャ部において第１チャネル領域に接続されていることが好ましい。また、ソース領域は、第２チャネル領域に接続されていることが好ましい。アパーチャ部の上部には、バリア領域と絶縁膜とゲート電極の積層構造が形成されていることが好ましい。そして、アパーチャ部の上部の絶縁膜の厚さが第１厚さであり、第１チャネル領域の上部の絶縁膜の厚さが、アパーチャ部側では第１厚さであり、第２チャネル領域側では第１厚さより薄い第２厚さであることが好ましい。 In the above-described transistor, the drift region is preferably connected to the first channel region at the aperture portion. The source region is preferably connected to the second channel region. A laminated structure of a barrier region, an insulating film, and a gate electrode is preferably formed on the upper portion of the aperture portion. The thickness of the insulating film above the aperture portion is the first thickness, the thickness of the insulating film above the first channel region is the first thickness on the aperture portion side, and the second channel region side. Then, it is preferable that it is 2nd thickness thinner than 1st thickness.

このトランジスタでは、第１チャネル領域の上部からアパーチャ部の上部にまたがって、バリア領域と絶縁膜とゲート電極の積層構造が形成されている。アパーチャ部にはｐ型領域が存在していないので、空乏層が広がり難い。したがって、ゲート電圧のオフ時に、アパーチャ部において空乏層の厚さが薄くなる。しかしながら、このトランジスタではアパーチャ部の上部の絶縁膜が厚く、これによって、アパーチャ部における耐圧（ゲート電極とアパーチャ部の下側のドリフト領域との間の耐圧）が確保されている。また、第１チャネル領域の上部の絶縁膜の厚さが、アパーチャ部側では第１厚さであり、第２チャネル領域側では第１厚さより薄い第２厚さである。したがって、第２チャネル領域の上部の絶縁膜を第２厚さと同様に薄く形成することが可能である。第２チャネル領域の上部の絶縁膜を薄く形成すると、低いゲート電圧でも第２チャネル領域に十分な濃度の電子の蓄積層が形成される。また、第１チャネル領域上では絶縁膜の厚さが変化しているが、第１チャネル領域ではヘテロ接合が形成されているので、絶縁膜の厚さに係らず、ゲート電圧オン時に第１チャネル領域には十分な濃度の２次元電子ガスが形成される。また、通常は、絶縁膜の厚さが変化している部分に電界が集中し易いが、第１チャネル領域の上部で絶縁膜の厚さを変化させると、第１チャネル領域の上部で電界が分散できるので、電界の集中を抑制することができる。 In this transistor, a stacked structure of a barrier region, an insulating film, and a gate electrode is formed from the upper portion of the first channel region to the upper portion of the aperture portion. Since there is no p-type region in the aperture portion, the depletion layer is difficult to spread. Therefore, when the gate voltage is turned off, the thickness of the depletion layer is reduced in the aperture portion. However, in this transistor, the insulating film on the upper part of the aperture part is thick, and thereby the breakdown voltage in the aperture part (breakdown voltage between the gate electrode and the drift region below the aperture part) is secured. Further, the thickness of the insulating film above the first channel region is the first thickness on the aperture portion side, and the second thickness is smaller than the first thickness on the second channel region side. Therefore, the insulating film above the second channel region can be formed as thin as the second thickness. When the insulating film above the second channel region is formed thin, an electron accumulation layer having a sufficient concentration is formed in the second channel region even at a low gate voltage. Further, although the thickness of the insulating film changes on the first channel region, since the heterojunction is formed in the first channel region, the first channel is turned on when the gate voltage is turned on regardless of the thickness of the insulating film. A two-dimensional electron gas having a sufficient concentration is formed in the region. Normally, the electric field tends to concentrate on the portion where the thickness of the insulating film is changed. However, if the thickness of the insulating film is changed above the first channel region, the electric field is generated above the first channel region. Since it can be dispersed, concentration of the electric field can be suppressed.

上述したトランジスタにおいて、ｐ型領域は、その下部に形成されているドリフト領域とその上部に形成されているチャネル領域との間を絶縁している。したがって、ｐ型領域のみでドリフト領域とチャネル領域を絶縁する場合は、耐圧を確保するためにｐ型領域を厚くする必要がある。ｐ型領域を厚くすると、アパーチャ部の表面に凹部が形成されるという問題が生じる。すなわち、図１５に示すように、ｐ型領域３００は、ドリフト領域３０２上にエピタキシャル成長により形成される。ｐ型領域３００には、エッチングによってアパーチャ部３０４が形成される。アパーチャ部３０４を形成したら、図１６に示すように、エピタキシャル成長によって、ｎ型またはｉ型の半導体層３０６が形成される。アパーチャ部３０４が凹んでいるので、半導体層３０６の表面にも凹部３０８が形成される。次に、半導体層３０６はエッチバックされる。このとき、図１７に示すように、ｐ型領域３００上とアパーチャ部３０４内に半導体層３０６を残存させる。ｐ型領域３００上に残存した半導体層３０６がチャネル領域となり、アパーチャ部３０４内に残存した半導体層３０６はドリフト領域３０２の一部となる。このとき、図１７に示すように、アパーチャ部３０４の半導体層３０６の表面に凹部３１２が形成される。絶縁膜やゲート電極等は半導体層３０６の上部に形成されるので、半導体層３０６の表面に凹部３１２が形成されると、アパーチャ部３０４近傍で電界集中が生じたり、空乏層が薄くなって耐圧が低下する等の問題が生じる。 In the above-described transistor, the p-type region insulates between the drift region formed below the channel region and the channel region formed above the p-type region. Therefore, when the drift region and the channel region are insulated only by the p-type region, it is necessary to increase the thickness of the p-type region in order to ensure a breakdown voltage. When the p-type region is thickened, there arises a problem that a concave portion is formed on the surface of the aperture portion. That is, as shown in FIG. 15, the p-type region 300 is formed on the drift region 302 by epitaxial growth. An aperture 304 is formed in the p-type region 300 by etching. When the aperture portion 304 is formed, an n-type or i-type semiconductor layer 306 is formed by epitaxial growth as shown in FIG. Since the aperture 304 is recessed, a recess 308 is also formed on the surface of the semiconductor layer 306. Next, the semiconductor layer 306 is etched back. At this time, as shown in FIG. 17, the semiconductor layer 306 is left on the p-type region 300 and in the aperture portion 304. The semiconductor layer 306 remaining on the p-type region 300 becomes a channel region, and the semiconductor layer 306 remaining in the aperture portion 304 becomes a part of the drift region 302. At this time, as shown in FIG. 17, a recess 312 is formed on the surface of the semiconductor layer 306 of the aperture portion 304. Since the insulating film, the gate electrode, and the like are formed on the semiconductor layer 306, when the recess 312 is formed on the surface of the semiconductor layer 306, electric field concentration occurs in the vicinity of the aperture portion 304, or the depletion layer becomes thin and has a breakdown voltage. This causes problems such as lowering.

したがって、上述したトランジスタは、ｐ型領域の下部のドリフト領域とｐ型領域の間に、ドリフト領域より電気抵抗が高い高抵抗領域が形成されていることが好ましい。 Therefore, in the above-described transistor, it is preferable that a high resistance region having an electric resistance higher than that of the drift region is formed between the drift region below the p type region and the p type region.

このトランジスタでは、ｐ型領域と高抵抗領域の両方によって、チャネル領域とドリフト領域の間を絶縁している。高抵抗領域は絶縁性が高いので、ｐ型領域を薄く形成することができる。したがって、トランジスタの製造時に、アパーチャ部の表面に凹部が形成されることが抑制される。 In this transistor, the channel region and the drift region are insulated by both the p-type region and the high resistance region. Since the high resistance region has high insulation, the p-type region can be formed thin. Therefore, it is possible to suppress the formation of the concave portion on the surface of the aperture portion when the transistor is manufactured.

第１実施例のトランジスタ１０の断面図。Sectional drawing of the transistor 10 of 1st Example. 第１実施例のトランジスタ１０のチャネル領域２０近傍の拡大断面図。The expanded sectional view of the channel region 20 vicinity of the transistor 10 of 1st Example. 第１実施例を変形したトランジスタの断面図。Sectional drawing of the transistor which deform | transformed 1st Example. 図３のトランジスタのチャネル領域２０近傍の拡大断面図。FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view in the vicinity of a channel region 20 of the transistor of FIG. 3. 第２実施例のトランジスタ１１０の断面図。Sectional drawing of the transistor 110 of 2nd Example. 第２実施例のトランジスタ１１０のチャネル領域２０近傍の拡大断面図。The expanded sectional view of the channel region 20 vicinity of the transistor 110 of 2nd Example. 比較例のトランジスタのチャネル領域２０近傍の拡大断面図。The expanded sectional view of the channel region 20 vicinity of the transistor of a comparative example. 第３実施例のトランジスタ２１０の断面図。Sectional drawing of the transistor 210 of 3rd Example. 第３実施例のトランジスタ２１０の製造過程を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacture process of the transistor 210 of 3rd Example. 第３実施例のトランジスタ２１０の製造過程を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacture process of the transistor 210 of 3rd Example. 第３実施例のトランジスタ２１０の製造過程を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacture process of the transistor 210 of 3rd Example. 第３実施例のトランジスタ２１０の製造過程を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacture process of the transistor 210 of 3rd Example. 第３実施例のトランジスタ２１０の製造過程を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacture process of the transistor 210 of 3rd Example. 第３実施例を変形したトランジスタの断面図。Sectional drawing of the transistor which deform | transformed 3rd Example. ｐ型領域が厚いトランジスタの製造過程の例を示す断面図。Sectional drawing which shows the example of the manufacturing process of a transistor with a thick p-type area | region. ｐ型領域が厚いトランジスタの製造過程の例を示す断面図。Sectional drawing which shows the example of the manufacturing process of a transistor with a thick p-type area | region. ｐ型領域が厚いトランジスタの製造過程の例を示す断面図。Sectional drawing which shows the example of the manufacturing process of a transistor with a thick p-type area | region.

以下に説明するトランジスタの特徴について列記する。
（特徴１）ドレイン領域、ソース領域、及び、ドリフト領域は、ｎ型のＧａＮにより形成されている。ドリフト領域のｎ型不純物濃度は、ドレイン領域及びソース領域より低い。
（特徴２）チャネル領域は、ｎ⁻型、または、ｉ型のＧａＮにより形成されている。チャネル領域がｎ⁻型の場合には、そのｎ型不純物濃度は、少なくともソース領域より低い。
（特徴３）ｐ型領域は、ＧａＮにより形成されている。
（特徴４）バリア領域は、チャネル領域よりエネルギーバンドギャップが広い材料により形成されている。より具体的には、バリア領域は、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦１−ｘ−ｙ≦１）により形成されている。
（特徴５）ソース領域、チャネル領域、ドリフト領域、及び、ドレイン領域によって、ソース電極とドレイン電極の間の電流経路が形成されている。 The characteristics of the transistors described below are listed.
(Feature 1) The drain region, the source region, and the drift region are formed of n-type GaN. The n-type impurity concentration of the drift region is lower than that of the drain region and the source region.
(Feature 2) channel region, n ^- type, or is formed by the i-type GaN. When the channel region is n ⁻ type, the n-type impurity concentration is lower than at least the source region.
(Feature 3) The p-type region is made of GaN.
(Feature 4) The barrier region is formed of a material having an energy band gap wider than that of the channel region. More specifically, barrier regions _are formed by _{_{In x Al y Ga 1-x}} -y N (0 ≦ x ≦ 1,0 ≦ y ≦ 1,0 ≦ 1-x-y ≦ 1).
(Feature 5) A current path between the source electrode and the drain electrode is formed by the source region, the channel region, the drift region, and the drain region.

（第１実施例）
図１は、第１実施例に係るトランジスタ１０の断面図を示している。トランジスタ１０は、半導体基板１２と、半導体基板１２の下面に形成されているドレイン電極５０と、半導体基板１２の上面に形成されているソース電極６０と、ゲート絶縁膜６２と、ゲート電極６４を備えている。 (First embodiment)
FIG. 1 is a sectional view of a transistor 10 according to the first embodiment. The transistor 10 includes a semiconductor substrate 12, a drain electrode 50 formed on the lower surface of the semiconductor substrate 12, a source electrode 60 formed on the upper surface of the semiconductor substrate 12, a gate insulating film 62, and a gate electrode 64. ing.

半導体基板１２には、ドレイン領域１４、ドリフト領域１６、ｐ型領域１８、チャネル領域２０、バリア領域２２、及び、ソース領域２４が形成されている。 In the semiconductor substrate 12, a drain region 14, a drift region 16, a p-type region 18, a channel region 20, a barrier region 22, and a source region 24 are formed.

ドレイン領域１４は、半導体基板１２の下面に臨む範囲に形成されている。ドレイン領域１４は、高濃度にｎ型不純物を含有するＧａＮにより形成されており、ドレイン電極５０とオーミック接触している。 The drain region 14 is formed in a range facing the lower surface of the semiconductor substrate 12. The drain region 14 is formed of GaN containing an n-type impurity at a high concentration, and is in ohmic contact with the drain electrode 50.

ドリフト領域１６は、ドレイン領域１４の上側に形成されている。ドリフト領域１６は、低濃度にｎ型不純物を含有するＧａＮにより形成されている。ドリフト領域１６の上側には、アパーチャ部１７を除く範囲に、ｐ型領域１８が形成されている。ｐ型領域１８は、高濃度にｐ型不純物を含有するＧａＮにより形成されている。アパーチャ部１７には、ドリフト領域１６が伸びている。 The drift region 16 is formed above the drain region 14. The drift region 16 is formed of GaN containing n-type impurities at a low concentration. A p-type region 18 is formed on the upper side of the drift region 16 in a range excluding the aperture portion 17. The p-type region 18 is formed of GaN containing a p-type impurity at a high concentration. A drift region 16 extends in the aperture portion 17.

チャネル領域２０は、ｐ型領域１８の上側に形成されている。チャネル領域２０は、低濃度にｎ型不純物を含有するＧａＮにより形成されている。また、チャネル領域２０とアパーチャ部１７の上側には、バリア領域２２が形成されている。バリア領域２２は、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎにより形成されている。上記の変数ｘ及びｙは、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、及び、０≦１−ｘ−ｙ≦１の関係を満たす。図２は、チャネル領域２０の近傍の拡大図を示している。図１及び図２に示すように、バリア領域２２は、チャネル領域２０の一部の範囲２０ａとアパーチャ部１７を覆っている。バリア領域２２に覆われていない範囲２０ｂでは、チャネル領域２０はゲート絶縁膜６２に接している。以下では、バリア領域２２と接している範囲のチャネル領域２０を第１チャネル領域２０ａといい、ゲート絶縁膜６２に接している範囲のチャネル領域２０を第２チャネル領域２０ｂという。Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}ＮはＧａＮよりもエネルギーバンドギャップが広い。したがって、バリア領域２２（Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ層）は、ＧａＮ層（第１チャネル領域２０ａ及びアパーチャ部１７）に対してヘテロ接合されている。図２に示すように、第１チャネル領域２０ａは、アパーチャ部１７と第２チャネル領域２０ｂの間に形成されている。また、第２チャネル領域２０ｂは、第１チャネル領域２０ａとソース領域２４の間に形成されている。 The channel region 20 is formed above the p-type region 18. The channel region 20 is formed of GaN containing n-type impurities at a low concentration. A barrier region 22 is formed above the channel region 20 and the aperture portion 17. The barrier region 22 is formed of In _x Al _y Ga _1-xy N. The variables x and y satisfy the relations 0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, and 0 ≦ 1-xy ≦ 1. FIG. 2 shows an enlarged view of the vicinity of the channel region 20. As shown in FIGS. 1 and 2, the barrier region 22 covers a partial range 20 a of the channel region 20 and the aperture portion 17. In the range 20 b not covered with the barrier region 22, the channel region 20 is in contact with the gate insulating film 62. Hereinafter, the channel region 20 in the range in contact with the barrier region 22 is referred to as a first channel region 20a, and the channel region 20 in the range in contact with the gate insulating film 62 is referred to as a second channel region 20b. In _x Al _y Ga _1-xy N has a wider energy band gap than GaN. Therefore, the barrier region 22 (In _x Al _y Ga _1-xy N layer) is heterojunction with the GaN layer (the first channel region 20a and the aperture portion 17). As shown in FIG. 2, the first channel region 20a is formed between the aperture portion 17 and the second channel region 20b. The second channel region 20b is formed between the first channel region 20a and the source region 24.

図１に示すように、ソース領域２４は、ｐ型領域１８の上側、かつ、ソース電極６０とチャネル領域２０の間に形成されている。ソース領域２４は、高濃度にｎ型不純物を含有するＧａＮにより形成されている。ソース領域２４は、ソース電極６０とオーミック接触している。 As shown in FIG. 1, the source region 24 is formed above the p-type region 18 and between the source electrode 60 and the channel region 20. The source region 24 is formed of GaN containing n-type impurities at a high concentration. The source region 24 is in ohmic contact with the source electrode 60.

ゲート絶縁膜６２は、チャネル領域２０、及び、バリア領域２２の上面を覆っている。ゲート絶縁膜６２上には、ゲート電極６４が形成されている。ゲート電極６４は、ゲート絶縁膜６２を介して、チャネル領域２０及びバリア領域２２と対向している。言い換えると、第１チャネル領域２０ａ上には、バリア領域２２とゲート絶縁膜６２とゲート電極６４からなる積層構造が形成されている。第２チャネル領域２０ｂ上には、ゲート絶縁膜６２とゲート電極６４からなる積層構造が形成されている。 The gate insulating film 62 covers the upper surfaces of the channel region 20 and the barrier region 22. A gate electrode 64 is formed on the gate insulating film 62. The gate electrode 64 faces the channel region 20 and the barrier region 22 with the gate insulating film 62 interposed therebetween. In other words, a stacked structure including the barrier region 22, the gate insulating film 62, and the gate electrode 64 is formed on the first channel region 20a. A stacked structure including the gate insulating film 62 and the gate electrode 64 is formed on the second channel region 20b.

次に、トランジスタ１０の動作について説明する。トランジスタ１０の使用時には、ドレイン電極５０とソース電極６０の間にドレイン電極５０側をプラスとする電圧が印加される。ゲート電圧をオフしている状態においては、ｐ型領域１８からチャネル領域２０中に空乏層が広がっている。このとき、第１チャネル領域２０ａはバリア領域２２とヘテロ接合しているため、第１チャネル領域２０ａとバリア領域２２との境界部近傍に低濃度に電子が存在していると考えられる。すなわち、第１チャネル領域２０ａは、完全には空乏化されていないと考えられる。一方、第２チャネル領域２０ｂは、完全に空乏化されている。したがって、トランジスタ１０はオフしている。 Next, the operation of the transistor 10 is described. When the transistor 10 is used, a voltage that makes the drain electrode 50 side positive is applied between the drain electrode 50 and the source electrode 60. In a state where the gate voltage is turned off, a depletion layer spreads from the p-type region 18 into the channel region 20. At this time, since the first channel region 20a is heterojunction with the barrier region 22, it is considered that electrons are present in a low concentration near the boundary between the first channel region 20a and the barrier region 22. That is, it is considered that the first channel region 20a is not completely depleted. On the other hand, the second channel region 20b is completely depleted. Therefore, the transistor 10 is off.

ゲート電圧をオンすると、チャネル領域２０内の上部に電子が引寄せられる。第１チャネル領域２０ａでは、その表層（バリア領域２２との境界部近傍）に高濃度に電子が集まって、２次元電子ガスが形成される。第２チャネル領域２０ｂでは、表層（ゲート絶縁膜６２との境界部近傍）に電子が集まって、電子の蓄積層が形成される。第１チャネル領域２０ａの表層の２次元電子ガスと第２チャネル領域２０ｂの表層の蓄積層によって、チャネルが形成される。したがって、ソース電極６０から、ソース領域２４、第２チャネル領域２０ｂ、第１チャネル領域２０ａ、ドリフト領域１６、ドレイン領域１４を介して、ドレイン電極５０に向かって電子が流れる。すなわち、トランジスタ１０がオンする。 When the gate voltage is turned on, electrons are attracted to the upper part in the channel region 20. In the first channel region 20a, electrons are concentrated at a high concentration on the surface layer (near the boundary with the barrier region 22) to form a two-dimensional electron gas. In the second channel region 20b, electrons gather in the surface layer (near the boundary with the gate insulating film 62), and an electron accumulation layer is formed. A channel is formed by the two-dimensional electron gas on the surface layer of the first channel region 20a and the accumulation layer on the surface layer of the second channel region 20b. Therefore, electrons flow from the source electrode 60 toward the drain electrode 50 through the source region 24, the second channel region 20 b, the first channel region 20 a, the drift region 16, and the drain region 14. That is, the transistor 10 is turned on.

以上に説明したように、第１実施例のトランジスタ１０では、チャネル領域２０が、直列に配置された第１チャネル領域２０ａと第２チャネル領域２０ｂによって形成されている。第２チャネル領域２０ｂの閾値電圧は２次元電子ガスの濃度に依存しないので、トランジスタ１０の閾値電圧のばらつきは小さい。
また、チャネル領域２０全体が低濃度のｎ型層により形成されているので、チャネル領域２０中の不純物濃度は極めて低い。したがって、不純物によってチャネル中を移動する電子が散乱され難く、電子の移動度が非常に高い。特に、第１チャネル領域２０ａでは、高濃度の２次元電子ガスによりチャネルが形成されるので、電子の移動度が極めて高い。これによって、トランジスタ１０のオン電圧の低減が実現されているとともに、トランジスタ１０の高速動作が可能とされている。 As described above, in the transistor 10 of the first embodiment, the channel region 20 is formed by the first channel region 20a and the second channel region 20b arranged in series. Since the threshold voltage of the second channel region 20b does not depend on the concentration of the two-dimensional electron gas, the variation in the threshold voltage of the transistor 10 is small.
Further, since the entire channel region 20 is formed of a low concentration n-type layer, the impurity concentration in the channel region 20 is extremely low. Therefore, the electrons moving through the channel are hardly scattered by impurities, and the electron mobility is very high. In particular, in the first channel region 20a, since a channel is formed by a high concentration two-dimensional electron gas, the electron mobility is extremely high. Thus, the on-voltage of the transistor 10 is reduced and the transistor 10 can be operated at high speed.

なお、上述した第１実施例のトランジスタ１０では、第２チャネル領域２０ｂがソース領域２４に接していた。しかしながら、図３及び図４に示すように、ソース領域２４に接する範囲のチャネル領域２０上にもバリア領域２２が形成されていてもよい。すなわち、図３及び図４のトランジスタでは、第２チャネル領域２０ｂとソース領域２４の間に、バリア領域２２とヘテロ接合している第３チャネル領域２０ｃが形成されている。このように、ヘテロ接合を有する第３チャネル領域をソース領域２４に接続することで、ソース領域２４とチャネル領域２０の間の接触抵抗を低減することができる。 In the transistor 10 of the first embodiment described above, the second channel region 20b is in contact with the source region 24. However, as shown in FIGS. 3 and 4, the barrier region 22 may also be formed on the channel region 20 in a range in contact with the source region 24. That is, in the transistor of FIGS. 3 and 4, the third channel region 20 c that is heterojunction with the barrier region 22 is formed between the second channel region 20 b and the source region 24. Thus, by connecting the third channel region having a heterojunction to the source region 24, the contact resistance between the source region 24 and the channel region 20 can be reduced.

（第２実施例）
次に、第２実施例のトランジスタ１１０について説明する。図５は、第２実施例のトランジスタ１１０の断面図を示している。図５に示すように、第２実施例のトランジスタ１１０では、ゲート絶縁膜６２の厚さが位置によって異なる。その他の構成については、第１実施例のトランジスタ１０と等しい。 (Second embodiment)
Next, the transistor 110 of the second embodiment will be described. FIG. 5 shows a cross-sectional view of the transistor 110 of the second embodiment. As shown in FIG. 5, in the transistor 110 of the second embodiment, the thickness of the gate insulating film 62 differs depending on the position. Other configurations are the same as those of the transistor 10 of the first embodiment.

図６は、トランジスタ１１０のチャネル領域２０近傍の拡大図を示している。図６に示すように、アパーチャ部１７の上部のゲート絶縁膜６２は厚く、その厚さは略一定である。第１チャネル領域２０ａの上部においては、ゲート絶縁膜６２の厚さが変化している。アパーチャ部１７に近い位置では、ゲート絶縁膜６２の厚さは、アパーチャ部１７の上部のゲート絶縁膜６２と等しい。第２チャネル領域２０ｂに近い位置では、ゲート絶縁膜６２の厚さが、アパーチャ部１７の上部のゲート絶縁膜６２よりも薄い。第１チャネル領域２０ａと第２チャネル領域２０ｂの間では、ゲート絶縁膜６２の表面が第１チャネル領域２０ａから第２チャネル領域２０ｂに向かって略水平に伸びている。したがって、第２チャネル領域２０ｂの上部のゲート絶縁膜６２の厚さは、第１チャネル領域２０ａ上の絶縁膜６２とバリア領域２２を足した厚さと略等しい。第２チャネル領域２０ｂの上部のゲート絶縁膜６２は、アパーチャ部１７の上部のゲート絶縁膜６２よりも薄く、その厚さは略一定である。 FIG. 6 shows an enlarged view of the vicinity of the channel region 20 of the transistor 110. As shown in FIG. 6, the gate insulating film 62 on the upper portion of the aperture portion 17 is thick, and the thickness thereof is substantially constant. In the upper part of the first channel region 20a, the thickness of the gate insulating film 62 changes. At a position close to the aperture portion 17, the thickness of the gate insulating film 62 is equal to the gate insulating film 62 on the upper portion of the aperture portion 17. At a position close to the second channel region 20b, the thickness of the gate insulating film 62 is thinner than the gate insulating film 62 above the aperture portion 17. Between the first channel region 20a and the second channel region 20b, the surface of the gate insulating film 62 extends substantially horizontally from the first channel region 20a toward the second channel region 20b. Therefore, the thickness of the gate insulating film 62 on the second channel region 20b is substantially equal to the sum of the insulating film 62 and the barrier region 22 on the first channel region 20a. The gate insulating film 62 on the upper portion of the second channel region 20b is thinner than the gate insulating film 62 on the upper portion of the aperture portion 17, and the thickness thereof is substantially constant.

図５の点線１１２は、ゲート電圧オフ時における空乏層の分布を模式的に示している。アパーチャ部１７の中央部は、ｐ型領域１８から離れているために、空乏層が広がり難い。このため、アパーチャ部１７の中央部では、空乏層の厚みが薄くなる。しかしながら、トランジスタ１１０では、アパーチャ部１７の上部のゲート絶縁膜６２が厚いので、ゲート電極６４とドリフト領域１６の間の耐圧距離（ゲート絶縁膜６２と空乏層の厚さ（図５の距離１１４））が確保されている。これによって、アパーチャ部１７における絶縁耐圧が確保されている。
また、第２チャネル領域２０ｂの上部においては、ゲート絶縁膜６２が一定の厚さで薄く分布している。したがって、ゲート電圧のオン時に、第２チャネル領域２０ｂ中に十分な濃度を有する電子の蓄積層（チャネル）が形成される。
また、第１チャネル領域２０ａの上部では、ゲート絶縁膜６２の厚さが変化している。すなわち、アパーチャ部１７側ではゲート絶縁膜６２が厚く、第２チャネル領域２０ｂ側ではゲート絶縁膜６２が薄い。厚いゲート絶縁膜６２の下部の第１チャネル領域２０ａでは、ゲート電圧のオン時に生じる電界が低くなる。しかしながら、第１チャネル領域２０ａはバリア領域２２とヘテロ接合しており、低い電界でも十分な濃度の２次元電子ガスが生じる。したがって、ゲート電圧のオン時に、第１チャネル領域２０ａ中に十分な濃度を有する２次元電子ガス（チャネル）が形成される。 The dotted line 112 in FIG. 5 schematically shows the distribution of the depletion layer when the gate voltage is off. Since the center portion of the aperture portion 17 is away from the p-type region 18, the depletion layer is difficult to spread. For this reason, in the center part of the aperture part 17, the thickness of a depletion layer becomes thin. However, in the transistor 110, since the gate insulating film 62 on the upper portion of the aperture portion 17 is thick, the breakdown voltage distance between the gate electrode 64 and the drift region 16 (the thickness of the gate insulating film 62 and the depletion layer (distance 114 in FIG. 5)). ) Is secured. Thereby, the withstand voltage in the aperture part 17 is ensured.
Further, the gate insulating film 62 is thinly distributed with a constant thickness above the second channel region 20b. Therefore, when the gate voltage is turned on, an electron accumulation layer (channel) having a sufficient concentration is formed in the second channel region 20b.
In addition, the thickness of the gate insulating film 62 changes above the first channel region 20a. That is, the gate insulating film 62 is thick on the aperture portion 17 side, and the gate insulating film 62 is thin on the second channel region 20b side. In the first channel region 20a below the thick gate insulating film 62, the electric field generated when the gate voltage is turned on becomes low. However, the first channel region 20a is heterojunction with the barrier region 22, and a two-dimensional electron gas having a sufficient concentration is generated even at a low electric field. Therefore, a two-dimensional electron gas (channel) having a sufficient concentration is formed in the first channel region 20a when the gate voltage is turned on.

また、ゲート絶縁膜６２の厚さを変化させると、その厚さを変化させた部分の近傍に電界が集中する場合がある。例えば、図７に示すように、アパーチャ部１７の上部のゲート絶縁膜６２のみを厚くし、第１チャネル領域２０ａの上部のゲート絶縁膜６２の全体を薄く形成した場合を考える。図７の点線１２０は、ゲート電圧オフ時にこのトランジスタ中に生じる電界（等電位線）を示している。この場合、ゲート電極６４の角部６４ａに電界が集中し、角部６４ａで絶縁破壊が生じやすい。図６の点線１１６は、ゲート電圧オフ時に、本実施例のトランジスタ１１０中に生じる電界（等電位線）を示している。図６に示すように、トランジスタ１１０では、ゲート絶縁膜６２が第１チャネル領域２０ａの上部で厚さが変化しているため、等電位線が分散可能な領域が形成され、これによってゲート電極６４の角部における電界集中が緩和されている。 Further, when the thickness of the gate insulating film 62 is changed, the electric field may concentrate near the portion where the thickness is changed. For example, as shown in FIG. 7, a case is considered in which only the gate insulating film 62 above the aperture portion 17 is thickened and the entire gate insulating film 62 above the first channel region 20a is thinly formed. A dotted line 120 in FIG. 7 indicates an electric field (equipotential line) generated in the transistor when the gate voltage is off. In this case, the electric field concentrates on the corner 64a of the gate electrode 64, and dielectric breakdown tends to occur at the corner 64a. A dotted line 116 in FIG. 6 indicates an electric field (equipotential line) generated in the transistor 110 of this embodiment when the gate voltage is off. As shown in FIG. 6, in the transistor 110, since the thickness of the gate insulating film 62 is changed above the first channel region 20a, a region in which equipotential lines can be dispersed is formed, whereby the gate electrode 64 is formed. The electric field concentration at the corners of the is reduced.

以上に説明したように、第２実施例のトランジスタ１０では、アパーチャ部１７の上部のゲート絶縁膜６２が厚く、第１チャネル領域２０ａの上部においてゲート絶縁膜６２の厚さが変化しており、第２チャネル領域２０ｂの上部のゲート絶縁膜６２が薄い。したがって、アパーチャ部１７の耐圧が確保されるとともに、ゲート電極６４の角部での電界集中が抑制される。また、このようにゲート絶縁膜６２を形成しても、第１チャネル領域２０ａと第２チャネル領域２０ｂの双方に十分な濃度の電子を有するチャネルが形成される。
また、アパーチャ部１７の上部のゲート絶縁膜６２が厚いので、ゲート電極６４とドレイン電極５０の間の静電容量が小さくなる。これによって、トランジスタ１１０のスイッチング速度が向上されている。 As described above, in the transistor 10 of the second embodiment, the gate insulating film 62 above the aperture portion 17 is thick, and the thickness of the gate insulating film 62 changes above the first channel region 20a. The gate insulating film 62 on the second channel region 20b is thin. Therefore, the withstand voltage of the aperture portion 17 is ensured, and the electric field concentration at the corner portion of the gate electrode 64 is suppressed. Even when the gate insulating film 62 is formed in this way, a channel having a sufficient concentration of electrons is formed in both the first channel region 20a and the second channel region 20b.
Further, since the gate insulating film 62 on the upper portion of the aperture portion 17 is thick, the capacitance between the gate electrode 64 and the drain electrode 50 is reduced. Thereby, the switching speed of the transistor 110 is improved.

なお、第２実施例のトランジスタ１１０では、第１チャネル領域２０ａ上のゲート絶縁膜６２の厚さが段差状に変化していたが、アパーチャ部１７側から第２チャネル領域２０ｂ側に向かってゲート絶縁膜６２の厚さが徐々に薄くなっていてもよい。 In the transistor 110 of the second embodiment, the thickness of the gate insulating film 62 on the first channel region 20a has changed in a stepped shape, but the gate from the aperture portion 17 side toward the second channel region 20b side. The thickness of the insulating film 62 may be gradually reduced.

（第３実施例）
次に、第３実施例のトランジスタ２１０について説明する。図８は、第３実施例のトランジスタ２１０の断面図を示している。図８に示すように、トランジスタ２１０では、ｐ型領域１８の下部（ｐ型領域１８とドリフト領域１６の間）に、高抵抗領域２２０が形成されている。高抵抗領域２２０は、高濃度にＡｌを注入したＧａＮにより形成されており、電気抵抗が非常に高い。また、トランジスタ２１０では、ｐ型領域１８の厚さが非常に薄い。その他の構成については、第２実施例のトランジスタ１１０と略等しい。 (Third embodiment)
Next, the transistor 210 of the third embodiment will be described. FIG. 8 shows a cross-sectional view of the transistor 210 of the third embodiment. As shown in FIG. 8, in the transistor 210, a high resistance region 220 is formed below the p type region 18 (between the p type region 18 and the drift region 16). The high resistance region 220 is formed of GaN implanted with Al at a high concentration, and has an extremely high electric resistance. In the transistor 210, the p-type region 18 is very thin. Other configurations are substantially the same as those of the transistor 110 of the second embodiment.

トランジスタ２１０では、ｐ型領域１８と高抵抗領域２２０によって、上部構造（ソース電極６０、ソース領域２４、及び、チャネル領域２０）と高抵抗領域２２０の下部のドリフト領域１６とを絶縁している。高抵抗領域２２０の絶縁性が高いので、ｐ型領域１８を薄くしても、上部構造とドリフト領域１６の間の絶縁耐圧を確保することができる。 In the transistor 210, the p-type region 18 and the high resistance region 220 insulate the upper structure (the source electrode 60, the source region 24, and the channel region 20) from the drift region 16 below the high resistance region 220. Since the high-resistance region 220 has high insulation, the withstand voltage between the upper structure and the drift region 16 can be secured even if the p-type region 18 is thinned.

また、トランジスタ２１０は、以下のように製造することができる。最初に、図９に示すように、ドリフト領域１６上にｐ型領域１８をエピタキシャル成長させる。ｐ型領域１８は、薄く形成する。次に、アパーチャ部１７に相当する領域をマスクした状態でｐ型領域１８の下部にＡｌを高濃度に注入して、図１０に示すように高抵抗領域２２０を形成する。次に、ｐ型領域１８をエッチングして、図１１に示すように、アパーチャ部１７に相当する領域に開口２３０を形成する。ｐ型領域１８が薄いので、開口２３０は浅い。次に、図１２に示すように、半導体基板上に、ｎ⁻−ＧａＮ層２４０を成長させる。開口２３０が浅いので、ｎ⁻−ＧａＮ層２４０の上面（開口２３０に対応する範囲）の凹部２４０ａも非常に浅くなる。次に、ｎ⁻−ＧａＮ層２４０をエッチバックして、図１３に示すように、ｎ⁻−ＧａＮ層２４０を薄く残存させる。エッチバック前の凹部２４０ａが浅いので、エッチバック後に凹部２４０ａは略消滅する。残存したｎ⁻−ＧａＮ層２４０が、アパーチャ部１７内のドリフト領域１６とチャネル領域２０となる。その後、従来公知の方法によって残りの構造を形成することで、図８に示すトランジスタ２１０が製造される。 The transistor 210 can be manufactured as follows. First, as shown in FIG. 9, the p-type region 18 is epitaxially grown on the drift region 16. The p-type region 18 is formed thin. Next, Al is implanted at a high concentration into the lower portion of the p-type region 18 in a state where the region corresponding to the aperture portion 17 is masked to form a high resistance region 220 as shown in FIG. Next, the p-type region 18 is etched to form an opening 230 in a region corresponding to the aperture portion 17 as shown in FIG. Since the p-type region 18 is thin, the opening 230 is shallow. Next, as shown in FIG. 12, an n ⁻ -GaN layer 240 is grown on the semiconductor substrate. Since the opening 230 is shallow, the recess 240a on the upper surface (the range corresponding to the opening 230) of the n ⁻ -GaN layer 240 is also very shallow. Next, the n ⁻ -GaN layer 240 is etched back to leave the n ⁻ −GaN layer 240 thin as shown in FIG. Since the recess 240a before the etch back is shallow, the recess 240a substantially disappears after the etch back. The remaining n ⁻ -GaN layer 240 becomes the drift region 16 and the channel region 20 in the aperture portion 17. Thereafter, the remaining structure is formed by a conventionally known method to manufacture the transistor 210 shown in FIG.

以上に説明したように、第３実施例のトランジスタ２１０では、高抵抗領域２２０を形成するため、ｐ型領域１８を薄くすることができる。これによって、アパーチャ部１７の上面に凹部が形成されることが防止されている。これによって、アパーチャ部１７の耐圧が向上されている。 As described above, in the transistor 210 of the third embodiment, the p-type region 18 can be made thin because the high resistance region 220 is formed. This prevents the concave portion from being formed on the upper surface of the aperture portion 17. Thereby, the pressure resistance of the aperture portion 17 is improved.

なお、上述した第３実施例のトランジスタ２１０では、ソース領域２４が高抵抗領域２２０に接するように形成されていた。しかしながら、図１４に示すように、ｐ型領域１８によって、ソース領域２４が高抵抗領域２２０から分離されていてもよい。図１４のトランジスタも、第３実施例のトランジスタ２１０と同様の効果を得ることができる。 In the transistor 210 of the third embodiment described above, the source region 24 is formed in contact with the high resistance region 220. However, as shown in FIG. 14, the source region 24 may be separated from the high resistance region 220 by the p-type region 18. The transistor of FIG. 14 can also obtain the same effect as the transistor 210 of the third embodiment.

なお、上述した第１〜第３実施例では、チャネル領域２０がｎ⁻型であったが、ｉ型であってもよい。 In the first to third embodiments described above, the channel region 20 is n ⁻ type, but may be i type.

本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数の目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。 The technical elements described in this specification or the drawings exhibit technical usefulness alone or in various combinations, and are not limited to the combinations described in the claims at the time of filing. In addition, the technology exemplified in this specification or the drawings achieves a plurality of objects at the same time, and has technical utility by achieving one of the objects.

１０：トランジスタ
１２：半導体基板
１４：ドレイン領域
１６：ドリフト領域
１７：アパーチャ部
１８：ｐ型領域
２０：チャネル領域
２０ａ：第１チャネル領域
２０ｂ：第２チャネル領域
２２：バリア領域
２４：ソース領域
５０：ドレイン電極
６０：ソース電極
６２：ゲート絶縁膜
６４：ゲート電極 10: transistor 12: semiconductor substrate 14: drain region 16: drift region 17: aperture 18: p-type region 20: channel region 20a: first channel region 20b: second channel region 22: barrier region 24: source region 50: Drain electrode 60: Source electrode 62: Gate insulating film 64: Gate electrode

Claims

a p-type region;
a channel region that is n-type or i-type, is in contact with the surface of the p-type region, and includes a first channel region and a second channel region;
A barrier region heterojunction with the surface of the first channel region;
An insulating film in contact with the surface of the second channel region and the surface of the barrier region;
A gate electrode facing the second channel region and the barrier region through the insulating film;
With
A transistor in which a first channel region and a second channel region are arranged in series in a current path.

A drift region, a source region, and a drain region;
The drift region is n-type and is formed in the lower part of the p-type region and in the aperture part on the side of the p-type region, and is connected to one end of the channel region in the aperture part,
The source region is connected to the other end of the channel region,
A drain region is formed below the drift region;
The transistor according to claim 1.

The drift region is connected to the first channel region at the aperture portion;
The source region is connected to the second channel region;
A laminated structure of a barrier region, an insulating film, and a gate electrode is formed above the aperture part.
The thickness of the insulating film on the upper part of the aperture part is the first thickness,
The thickness of the insulating film above the first channel region is the first thickness on the aperture portion side, and the second thickness is thinner than the first thickness on the second channel region side.
The transistor according to claim 2.

4. The transistor according to claim 2, wherein a high resistance region having an electrical resistance higher than that of the drift region is formed between the drift region below the p type region and the p type region.