JP2010261913A - 温度検出装置 - Google Patents

Abstract

【課題】温度検出範囲が広範囲となるような場合であれ、パワー半導体素子の温度を精度よく検出することのできる温度検出装置を提供する。
【解決手段】温度検出用ダイオード１１２の検出出力に基づき水冷式の冷却装置に搭載されたＩＧＢＴ１１１の温度を監視する。このＩＧＢＴ１１１の温度の監視に際しては、まず、温度検出用ダイオード１１２による温度検出範囲を分割する。そして、冷却装置の冷却水温度を検出する冷却水温センサ１３０によりＩＧＢＴ１１１の温度を推定し、この冷却水温センサ１３０によるＩＧＢＴ１１１の温度推定値に基づいて、分割された温度検出用ダイオード１１２の温度検出範囲を切り替える。
【選択図】図１

Description

本発明は、発熱体となる主にパワー半導体素子等の温度を検出する温度検出装置に関する。

電気自動車やハイブリッド車などのように車載バッテリから供給される直流電力をモータ駆動用の三相交流等に変換するなどの電力変換を行うインバータ装置では、このインバータ装置を構成するパワー素子に供給される電流が大きいことから、その動作時における発熱量が多くなる。そして、こうしたパワー半導体素子の発熱量が過剰になるような場合には、その発熱に起因してパワー半導体素子の性能低下を招く虞がある。

そこで、例えば特許文献１に記載の温度検出装置にあっては、温度に応じて順方向電圧が変化するダイオードからなる温度センサを半導体素子に設け、この温度センサ（温度検出用ダイオード）の順方向電圧の検出に基づき半導体素子の温度を監視するようにしている。こうした温度検出装置では、上記温度センサを構成するダイオードの順方向電圧が温度と反比例の関係にあることから、この温度センサの順方向電圧が高い場合は半導体素子の温度が低いものとして判断され、順方向電圧が低い場合には半導体素子の温度が高いものとして判断される。そして、このような温度センサの検出値に基づいて、半導体素子の温度が同半導体素子の動作を補償する上限値に達したと判断された場合には、この半導体素子に供給される電流を制限することによって、その性能低下を抑制するようにしている。

特開２００８−２４９３７４号公報

ところで、上記温度センサによって上記パワー半導体素子の温度を検出する場合には、パワー半導体素子の動作を保証する温度範囲内にあるか否かを判断するために、その温度検出範囲の上限値としては「１５０℃」までの温度を、また検出温度範囲の下限値としては「−６．７℃」までの温度を検出可能なことが要求される。こうしたことから、上記温度センサには、「−６．７℃」〜「１５０℃」といった広い範囲の温度検出能力が必要となるものの、通常、温度センサによる温度検出の精度はその温度検出範囲と相反する関係にあり、温度検出範囲が広くなるほどその温度検出にかかる精度が低下するようになる。したがって、上記温度検出装置によってパワー半導体素子の温度状態を監視したとしても、このように広範囲な温度検出を行う場合には、温度センサによる温度検出精度も自ずと低いものとなる。

本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、温度検出範囲が広範囲となるような場合であれ、パワー半導体素子の温度を精度よく検出することのできる温度検出装置を提供することにある。

以下、上記課題を解決するための手段及びその作用効果について記載する。
請求項１に記載の発明は、温度センサの検出出力に基づき半導体素子の温度を監視する
温度検出装置において、前記温度センサによる温度検出範囲を分割するとともに、前記半導体素子の温度を推定する温度推定手段を備え、この温度推定手段により推定される温度推定値に基づいて前記分割した温度検出範囲を切り替えることを要旨とする。

上記構成によるように、温度センサによる温度検出範囲を分割し、この分割された温度検出範囲を温度検出の対象とされる半導体素子の温度推定値に基づいて切り替えることとすれば、半導体素子の温度に応じた温度検出範囲の設定、すなわち、ダイナミックレンジの設定が可能となる。これにより、たとえ温度検出範囲が広範囲となるような場合であれ、温度検出の対象とされる半導体素子の温度を精度よく検出することができるようになる。

なお、半導体素子の温度情報をモニタすることによってその性能低下を抑制する上では、上記分割される温度検出範囲は低温側の温度検出範囲よりも高温側の温度検出範囲が狭い方が望ましく、これにより、半導体素子の温度が高温となるような場合であれ、その温度をより高い精度のもとに検出することができるようにもなる。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の温度検出装置において、前記半導体素子は水冷式の冷却装置に搭載されてなり、前記温度推定手段は、この冷却装置の冷却水温度を検出する冷却水温センサであることを要旨とする。

上記半導体素子を冷却する冷却装置の冷却水温度は、半導体素子の温度と相関する関係にあることから、この冷却水温度の検出に基づき半導体素子の温度を高い信頼性のもとに推定することが可能となる。これにより、この推定された半導体素子の温度推定値に基づいて上記分割された温度検出センサの温度検出範囲を切り替える上で、その切り替えにかかる精度も高められるようになり、ひいては、半導体素子の温度をより高い精度のもとに検出することができるようになる。

本発明にかかる温度検出装置の一実施の形態について、その構成を模式的に示すブロック図。 同実施の形態の温度検出用のダイオードの順方向電圧の分割態様を示すグラフ。 （ａ）〜（ｆ）は、同実施の形態の温度検出装置のａ点〜ｉ点の検出信号の推移を示すタイムチャート。

図１に、本発明にかかる温度検出装置を具体化した一実施の形態についてその構成を示す。
図１に示されるように、この温度検出装置は、例えば電気自動車やハイブリッド車に搭載されるインバータ装置にあって、大きくは、駆動対象であるモータに数Ｋｗから数十ｋｗ程度の電力を供給するために数十Ｖ〜数百Ｖ程度の範囲の電圧を必要とする高圧回路を有するＩＰＭ（Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔ Ｐｏｗｅｒ Ｍｏｄｕｌｅ）基板１００と、十数Ｖ以下の電圧範囲で動作してモータの駆動を制御する低圧回路（制御部）を有するＭＧ−ＥＣＵ基板２００とによって構成される。

この温度検出装置では、まず、ＩＰＭ基板１００に搭載されるインバータ１１０を構成するＩＧＢＴ（絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ）１１１の温度検出用のダイオード１１２の順方向電圧ＶＦｉが、ＩＧＢＴ１１１の温度情報として温度検出回路１２０に入力される。この温度検出回路１２０では、温度検出用のダイオード１１２の順方向電圧ＶＦｉがパルス密度変調信号に変換されることにより、アナログ信号がパルス（２値化）
信号に変換される。そしてここでは、温度検出用のダイオード１１２の順方向電圧ＶＦｉが高い、すなわちＩＧＢＴ１１１の温度Ｔが低いときにはオン密度の高いパルス密度変調信号に変調されるとともに、温度検出用のダイオード１１２の順方向電圧ＶＦｉが低い、すなわちＩＧＢＴ１１１の温度Ｔが高いときにはオン密度の低いパルス密度変調信号に変調される。また、この温度検出回路１２０には、上記ＩＧＢＴ１１１が搭載される冷却装置（図示省略）に設けられて、その冷却水温を検出するダイオードからなる冷却水温センサ１３０の検出出力が入力される。

こうして上記順方向電圧ＶＦｉ（温度情報）がパルス密度変調信号として温度検出回路１２０から出力されると、そのパルス密度（パルス幅）に応じてスイッチング素子ＳＷ１がオン／オフされ、そのオン／オフ情報がフォトカプラＩＳ１を介してＩＰＭ基板１００側からＭＧ−ＥＣＵ基板２００側に伝送される。こうしてＭＧ−ＥＣＵ基板２００側にパルス密度変調信号が伝送されると、ＭＧ−ＥＣＵ基板２００側では、平滑回路２１０によってパルス密度変調信号が平滑化されたのちにインバータ制御マイコン２２０内の温度検出部２２１に入力される。この温度検出部２２１では、平滑回路２１０を介して入力された信号、すなわち温度検出用ダイオード１１２の検出出力である温度情報に基づいてＩＧＢＴ１１１の温度状態をモニタする。そして、インバータ制御マイコン２２０では、温度検出部２２１によってモニタされるＩＧＢＴ１１１の温度状態に応じてＩＧＢＴ１１１の駆動指令が生成される。そしてここで、このような温度情報に基づいてＩＧＢＴ１１１の温度Ｔがその動作を補償する上限値に達したと判断された場合には、このＩＧＢＴ１１１に供給される電流を制限することによって、その性能低下を抑制するようにしている。こうして生成された駆動指令はスイッチング素子ＳＷ２を通じてオン／オフ情報に変換され、このオン／オフ情報に変換された駆動指令がフォトカプラＩＳ２を介してＭＧ−ＥＣＵ基板２００側からＩＰＭ基板１００側に伝送（フィードバック）される。そして、ＩＰＭ基板１００側では、ＩＧＢＴ駆動回路１４０を通じて、このフィードバックされた駆動指令に基づくＩＧＢＴ１１１、ひいてはインバータ１１０の駆動を実行する。

ところで、上記温度検出用ダイオード１１２によるＩＧＢＴ１１１の温度Ｔの検出に基づきＩＧＢＴ１１１の温度状態をモニタするためには、ＩＧＢＴ１１１の動作を保証し得る温度範囲内にあるか否かを判断するために、その温度検出範囲の上限値として「１５０℃」までの温度を、また検出温度範囲の下限値として「−６．７℃」までの温度を検出する必要がある。このため、上記温度センサとしての温度検出用ダイオード１１２には、「−６．７℃」〜「１５０℃」の広範囲に亘る温度検出能力が必要となるものの、この温度検出用ダイオード１１２による温度検出の精度はその温度検出範囲と相反する関係にあり、温度検出範囲が広くなるほどその温度検出にかかる精度が低下するようになる。

そこで、本実施の形態では、上記冷却水温センサ１３０の検出出力に基づきＩＧＢＴ１１１の温度Ｔを推定する。そして、図２に示す態様で温度検出用ダイオード１１２の温度検出範囲を高温側と低温側とに分割するとともに、上記推定された温度推定値に基づいて温度検出範囲を高温側と低温側とに切り替えることとする。なお、ＩＧＢＴ１１１の温度Ｔをモニタすることによってその性能劣化を抑制する上では、ＩＧＢＴ１１１の温度がその動作を補償する上限値に達したか否かの判断が必要となることから、特に高温側での温度検出能力の精度が要求される。このため、本実施の形態では、同図２に示すように、低温側の温度検出範囲（Ｖ２３）と高温側の温度検出範囲（Ｖ１２）との関係が、

Ｖ２３ ＞ Ｖ１２

なる関係を満たすように、温度検出用ダイオード１１２による温度検出範囲を分割することとする。

以下、上記温度検出回路１２０によって実行される温度検出範囲の分割態様について図１及び図３を参照しつつ説明する。
まず、図１に示すように、この温度検出回路１２０には、温度検出用ダイオード１１２の順方向電圧ＶＦｉが入力されるとともに、冷却水温センサ１３０の順方向電圧ＶＦｗが入力される。ここで、インバータ１１０の駆動に伴いＩＧＢＴ１１１の温度Ｔが図３（ａ）に示すように低温側から高温側にかけて緩やかに上昇したとすると、これに伴ってこのＩＧＢＴ１１１を冷却する冷却装置の冷却水温も次第に上昇するようになる。このため、温度検出用ダイオード１１２の順方向電圧ＶＦｉは、同図３（ｄ）に示すようにＩＧＢＴ１１１の温度Ｔに反比例するかたちで次第に低下するようになる。また、冷却水温センサ１３０を構成するダイオードの順方向電圧ＶＦｗも、同図３（ｂ）に示すようにＩＧＢＴ１１１の温度Ｔに反比例するかたちで次第に低下するようになる。

そして、こうした温度検出用ダイオード１１２の順方向電圧ＶＦｉが温度検出回路１２０を構成する反転増幅回路１２１の反転入力端子に入力されるとともに、冷却水温センサ１３０の順方向電圧ＶＦｗが温度検出回路１２０を構成する第１コンパレータ１２２の反転入力端子に入力される。そして、このうち、第１コンパレータ１２２の非反転入力端子には、図３（ｂ）に示す電源電圧Ｖｆが入力されている。こうした第１コンパレータ１２２では、これら冷却水温センサ１３０の順方向電圧ＶＦｗと電源電圧Ｖｆとの比較が行われ、図３（ｂ）及び（ｃ）に示すように冷却水温センサ１３０の順方向電圧ＶＦｗが電源電圧Ｖｆよりも高い場合には、第１コンパレータ１２２の出力信号Ｖｈｏｕｔが論理レベル「０」となる（図３（ｃ）：ｔ１−ｔ２）。

こうして論理レベル「０」とされた第１コンパレータ１２２の出力信号Ｖｈｏｕｔは、温度検出用ダイオード１１２の温度検出範囲を分割する分圧抵抗Ｒｄの分圧値を設定するスイッチング素子ＳＷ３と、三角波を発振する三角波発振器１２３とに各別に入力される。そしてこれにより、図３（ｄ）に示すように、分圧抵抗Ｒｄを構成する抵抗Ｒ１に電圧Ｖｂ１が印加され、この電圧値が反転増幅回路１２１の非反転入力端子に入力される（図３（ｄ）：ｔ１−ｔ２）。そしてこの反転増幅回路１２１では、各入力端子に入力された温度検出用ダイオード１１２の順方向電圧ＶＦｉと電圧Ｖｂ１との差が反転増幅され、この反転増幅された信号Ｖｃｏｕｔが第２コンパレータ１２４の反転入力端子に出力される。

一方、第１コンパレータ１２２の出力信号Ｖｈｏｕｔが入力される三角波発振器１２３では、同信号Ｖｈｏｕｔに基づき三角波が生成される。そして本実施の形態では、図３（ｅ）に示すように、第１コンパレータ１２２から論理レベル「０」の信号が入力された場合は、「αｋＨｚ」の三角波Ｖｄｏｕｔが生成され（図３（ｅ）：ｔ１−ｔ２）、一方、第１コンパレータ１２２から論理レベル「１」の信号が入力された場合には、「αｋＨｚ」よりも周波数の高い「βｋＨｚ」の三角波Ｖｄｏｕｔが生成される（図３（ｅ）：ｔ２−ｔ３）。これにより、第１コンパレータ１２２の出力、すなわち冷却水温センサ１３０の検出出力に基づくＩＧＢＴ１１１の温度推定値に応じて三角波発振器１２３による分解能の決定が行われるようになる。そして、冷却水温センサ１３０の検出出力に基づくＩＧＢＴ１１１の温度推定値が低いときには三角波発振器１２３による分解能が低く、一方、冷却水温センサ１３０の検出出力に基づくＩＧＢＴ１１１の温度が高いときには三角波発振器１２３による分解能が高く設定されるようになる。これにより、ＩＧＢＴ１１１の性能劣化を抑制する上で、高精度の温度検出が要求されるＩＧＢＴ１１１の高温時における温度モニタの精度の向上が図られるようになる。

そして、こうした三角波発振器１２３に第１コンパレータ１２２から論理レベル「０」の出力信号Ｖｈｏｕｔが入力されると、「αｋＨｚ」の三角波Ｖｄｏｕｔが生成され、この「αｋＨｚ」の三角波Ｖｄｏｕｔが第２コンパレータ１２４の非反転入力端子に入力さ
れる。こうして第２コンパレータ１２４の各入力端子に反転増幅回路１２１の出力信号Ｖｃｏｕｔと「αｋＨｚ」の三角波Ｖｄｏｕｔとが入力されると、ここで、これら出力信号Ｖｃｏｕｔと「αｋＨｚ」の三角波Ｖｄｏｕｔとの比較が行われる。この第２コンパレータ１２４では、「αｋＨｚ」の三角波の値Ｖｄｏｕｔが反転増幅回路１２１の出力信号Ｖｃｏｕｔを超えたときにその出力信号Ｖｅｏｕｔの論理レベルが「１」となり、周波数「αｋＨｚ」の三角波Ｖｄｏｕｔが反転増幅回路１２１の出力信号Ｖｃｏｕｔよりも小さいときにその出力信号Ｖｅｏｕｔの論理レベルが「０」となる。そして、図３（ｅ）に示すように、ＩＧＢＴ１１１の温度上昇に伴い反転増幅回路１２１の出力Ｖｃｏｕｔの値が次第に上昇することによって、第２コンパレータ１２４の出力信号Ｖｅｏｕｔの論理レベルが「１」となる期間が短くなり、そのオン密度が次第に低下するようになる（図３（ｅ）ｔ１−ｔ２）。こうして第２コンパレータ１２４によって反転増幅回路１２１の出力信号Ｖｃｏｕｔと三角波発振器１２３の出力信号Ｖｄｏｕｔとの比較に基づいて温度検出用ダイオード１１２の検出出力がパルス密度変調信号に変換されるようになり、この変換されたパルス密度変調信号Ｖｅｏｕｔが温度検出回路１２０の出力信号としてＭＧ−ＥＣＵ基板２００側に出力されるようになる。

一方、ＩＧＢＴ１１１の温度上昇に伴って同ＩＧＢＴ１１１を冷却する冷却装置の冷却水温がさらに上昇し、冷却水温センサ１３０の順方向電圧ＶＦｗが第１コンパレータ１２２の電源電圧Ｖｆよりも低下すると（図３（ｂ）：ｔ２−ｔ３）、これに伴って第１コンパレータ１２２の出力信号Ｖｈｏｕｔの論理レベルが「０」から「１」に反転するようになる（図３（ｃ）：ｔ２−ｔ３）。そしてこれにより、まず、スイッチング素子ＳＷ３がオンとされることによって分圧抵抗Ｒｄによる分圧値が変更され、図３（ｄ）に示すように抵抗Ｒ１には上記電圧Ｖｂ１よりも電圧値の低い電圧Ｖｂ２が印加されるようになる。（図３（ｄ）ｔ２−ｔ３）。このため、この電圧Ｖｂ２と温度検出用ダイオード１１２の順方向電圧ＶＦｉとの差が反転増幅回路１２１を介して反転増幅される信号Ｖｃｏｕｔは、図３（ｅ）に示すように温度検出用ダイオード１１２による検出出力が低温側と高温側とで分割されるかたちで二段階に推移するようになる（図３（ｅ）：ｔ１−ｔ２、ｔ２−ｔ３）。そしてこれにより、温度検出用ダイオード１１２による温度検出範囲が低温側と高温側とで二つに分割されることとなる。次いで、このように低温側と高温側とで二つに分割された信号Ｖｃｏｕｔが第２コンパレータ１２４の反転入力端子に入力される。

また、上記第１コンパレータ１２２の出力信号Ｖｈｏｕｔの論理レベルが「０」から「１」に反転することによって、三角波発振器１２３では「βｋＨｚ」の周波数の三角波が生成されるようになり（図３（ｅ）：ｔ２−ｔ３）、こうして生成された三角波Ｖｄｏｕｔが第２コンパレータ１２４の非反転入力端子に入力される。

こうして第２コンパレータ１２４では、低温側と高温側とで二つに分割された信号Ｖｃｏｕｔと「βｋＨｚ」の周波数の三角波Ｖｄｏｕｔとの比較が行われ、この比較に基づき２値化されたパルス密度変調信号Ｖｅｏｕｔが生成されるようになる。なお、このとき第２コンパレータ１２４によって生成されるパルス密度変調信号Ｖｅｏｕｔは、三角波発振器１２３で生成される三角波の周波数が高められたことによって、その変調にかかる精度が高められるようになり、ひいては、ＩＧＢＴ１１１の高温時における温度検出の精度がより高められるようになる。

そして、こうして温度検出回路１２０によって生成されたパルス密度変調信号ＶｅｏｕｔがフォトカプラＩＳ１を介してＭＧ−ＥＣＵ基板２００側の平滑回路２１０とインバータ制御マイコン２２０内のレンジ判別部２２２にそれぞれ入力される。そして、このうち、平滑回路２１０では、図３（ｆ）に示すようにパルス密度変調信号Ｖｅｏｕｔの平滑化が行われ、この平滑化された信号Ｖｉｏｕｔがインバータ制御マイコン２２０内の温度検出部２２１に入力される。こうしてインバータ制御マイコン２２０では、まず、上記レン
ジ判別部２２２に入力されたパルス密度変調信号Ｖｅｏｕｔの周波数、すなわち三角波発振器１２３によって生成された三角波の周波数（「αｋＨｚ」、「βｋＨｚ」）に基づいて冷却水温センサ１３０によるＩＧＢＴ１１１の温度推定値が高温側及び低温側のうちいずれの温度領域に属するかが判別される。そして、インバータ制御マイコン２２０内の温度検出部２２１では、レンジ判別部２２２によるレンジの判別に基づき温度検出用ダイオード１１２の温度状態に応じたダイナミックレンジの設定が行われ、温度検出用ダイオード１１２の温度状態のモニタが行われるようになる。

なお、ＩＧＢＴ１１１の温度Ｔの下降時においても、上述の温度検出に準じる態様で、冷却水温センサ１３０の順方向電圧ＶＦｗに基づいて上記分割された温度検出用ダイオード１１２による温度検出範囲の切り替えが行われる。

以上説明したように、本実施の形態にかかる温度検出装置によれば、以下の効果が得られるようになる。
（１）温度検出用ダイオード１１２による温度検出範囲を高温側と低温側とで分割し、この分割された温度検出範囲を冷却水温センサ１３０の順方向電圧ＶＦｗに基づき推定されるＩＧＢＴ１１１の推定温度値に応じて切り替えることとした。このため、温度検出対象とするＩＧＢＴ１１１の温度Ｔに応じた温度検出範囲の設定、すなわち、ダイナミックレンジの設定が可能となり、ＩＧＢＴ１１１の温度状態をモニタする上でその精度も高められるようになる。

（２）温度検出用ダイオード１１２による温度検出範囲の分割を、低温側の温度検出範囲よりも高温側の温度検出範囲が狭くなる態様で行うこととした。このため、温度検出用ダイオード１１２の検出出力に基づきＩＧＢＴ１１１の温度状態をモニタする上で、高温時におけるＩＧＢＴ１１１の温度状態を高いより高い精度のもとにモニタすることができるようになり、ひいては、高温時におけるＩＧＢＴ１１１の性能劣化をより好適に抑制することができるようになる。

（３）温度検出用ダイオード１１２の検出出力のアナログ信号からパルス密度変調信号への変調に際し、三角波発振器１２３によって生成される三角波の周波数を高温側と低温側とで各別に設定するとともに、低温側の周波数（「αｋＨｚ」）よりも高温側の周波数（「βｋＨｚ」）を高く設定することとした。これにより、ＩＧＢＴ１１１の高温時における温度検出用ダイオード１１２の検出出力に対する分解能が高くなり、ひいては、高温時におけるＩＧＢＴ１１１の温度状態をより高い精度のもとにモニタすることができるようになる。

なお、上記実施の形態は、以下のような形態をもって実施することもできる。
・上記三角波発振器１２３によって生成される三角波の周波数を、低温側（「αｋＨｚ」）よりも高温側（「βｋＨｚ」）の方を高くすることとした。これに限らず、三角波発振器１２３によって生成される周波数に基づき温度検出用ダイオード１１２の検出出力に対するレンジを判別可能なものであればよく、三角波発振器１２３によって生成される三角波の周波数は、低温側よりも高温側の方が低いものであってもよい。

・上記冷却水温センサ１３０の検出出力に基づき温度検出用ダイオード１１２の温度検出範囲を分割する上で、低温側の温度検出範囲よりも高温側の温度検出範囲を狭くすることとした。これに限らず、冷却水温センサ１３０によるＩＧＢＴ１１１の温度推定値に基づき温度検出用ダイオード１１２による温度検出範囲を分割するものであればよく、低温側の温度検出範囲と高温側の温度検出範囲が同一、あるいは低温側の温度検出範囲が高温側の温度検出範囲よりも狭いものであってもよい。

・上記温度検出用ダイオード１１２の温度検出範囲を高温側と低温側とで二つに分割することとしたが、温度検出用ダイオード１１２による温度検出範囲を分割することによってダイナミックレンジを狭くするものであればよく、温度検出用ダイオード１１２の温度検出範囲を三つ以上に分割するようにしてもよい。

・温度推定手段として冷却水温センサ１３０を用いることとしたが、温度推定手段としてはＩＧＢＴ１１１の温度状態を推定可能なものであればよく、これに限定されるものではない。

・温度検出用ダイオード１１２による温度検出対象を、インバータ１１０を構成するＩＧＢＴ１１１とすることとしたが、温度検出用ダイオード１１２による温度検出対象とする半導体素子はインバータ１１０を構成するＩＧＢＴ１１１に限られるものではない。

・半導体素子の温度を検出する温度センサとして温度検出用ダイオード１１２を用いることとした。温度センサとしては、温度検出対象としての半導体素子の温度を検出するとともにその検出範囲を分割可能なものであればよく、例えば、サーミスタや熱電対によって半導体素子の温度を検出するようにしてもよい。

１００…ＩＰＭ基板、１１０…インバータ、１１１…ＩＧＢＴ、１１２…温度検出用ダイオード、１２０…温度検出回路、１２１…反転増幅回路、１２２…第１コンパレータ、１２３…三角波発振器、１２４…第２コンパレータ、１３０…冷却水温センサ、１４０…ＩＧＢＴ駆動回路、２００…ＭＧ−ＥＣＵ基板、２１０…平滑回路、２２０…インバータ制御マイコン、２２１…温度検出部、２２２…レンジ判別部、Ｒ１…抵抗、Ｒｄ…分圧抵抗、ＩＳ１、ＩＳ２…フォトカプラ、ＳＷ１〜ＳＷ３…スイッチング素子。

Claims (2)

1. 温度センサの検出出力に基づき半導体素子の温度を監視する温度検出装置において、
   前記温度センサによる温度検出範囲を分割するとともに、前記半導体素子の温度を推定する温度推定手段を備え、この温度推定手段により推定される温度推定値に基づいて前記分割した温度検出範囲を切り替える
   ことを特徴とする温度検出装置。
2. 前記半導体素子は水冷式の冷却装置に搭載されてなり、前記温度推定手段は、この冷却装置の冷却水温度を検出する冷却水温センサである
   請求項１に記載の温度検出装置。

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