JP2010260897A - Adhesive film and tape for processing wafer - Google Patents

Adhesive film and tape for processing wafer Download PDF

Info

Publication number
JP2010260897A
JP2010260897A JP2009110653A JP2009110653A JP2010260897A JP 2010260897 A JP2010260897 A JP 2010260897A JP 2009110653 A JP2009110653 A JP 2009110653A JP 2009110653 A JP2009110653 A JP 2009110653A JP 2010260897 A JP2010260897 A JP 2010260897A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
adhesive layer
adhesive
breaking strength
release film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009110653A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshihiro Suzuki
俊宏 鈴木
Shinichi Ishiwatari
伸一 石渡
Yasumasa Morishima
泰正 盛島
Young-Seok Kim
永錫 金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
Priority to JP2009110653A priority Critical patent/JP2010260897A/en
Publication of JP2010260897A publication Critical patent/JP2010260897A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/2901Shape
    • H01L2224/29012Shape in top view
    • H01L2224/29014Shape in top view being circular or elliptic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]

Landscapes

  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adhesive film which prevents an adhesive layer to be wound from rupturing during a step of winding the adhesive layer in the preparation of a tape for processing a wafer precut-processed into a shape corresponding to that of a semiconductor wafer, and improves productivity of the precut tape for processing a wafer; and to provide a tape for processing a wafer prepared by using the same. <P>SOLUTION: Rupture strength per unit of the adhesive layer 12 is ≥87.5 times, preferably ≥100 times greater than the peel force per unit of the adhesive layer 12 from the mold release film 11. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、接着フィルム及びウエハ加工用テープに関する。特に、接着フィルム、及び、ダイシングテープとダイボンディングフィルムの2つの機能を有する積層型ダイシングダイボンディングフィルムを有するウエハ加工用テープに関する。   The present invention relates to an adhesive film and a wafer processing tape. In particular, the present invention relates to an adhesive film and a wafer processing tape having a laminated dicing die bonding film having two functions of a dicing tape and a die bonding film.

近時、半導体ウエハを個々のチップに切断分離(ダイシング)する際に半導体ウエハを固定するためのダイシングテープと、切断された半導体チップをリードフレームやパッケージ基板等に接着するため、又は、スタックドパッケージにおいては、半導体チップ同士を積層、接着するための接着フィルム(ダイボンディングフィルム、ダイアタッチフィルムともいう)との2つの機能を併せ持つダイシングダイボンディングフィルム(DDF)が開発されている。   Recently, a dicing tape for fixing a semiconductor wafer when the semiconductor wafer is cut and separated into individual chips (dicing) and a semiconductor chip that has been cut are bonded to a lead frame, a package substrate, or the like, or stacked. As a package, a dicing die bonding film (DDF) has been developed which has two functions of an adhesive film (also referred to as a die bonding film or die attach film) for laminating and bonding semiconductor chips.

このようなダイシングダイボンディングフィルムとしては、半導体ウエハへの貼り付けや、ダイシングの際のリングフレームへの取り付け等の作業性を考慮して、プリカット加工が施されたものがある。   As such a dicing die bonding film, there is a film that has been precut in consideration of workability such as attachment to a semiconductor wafer or attachment to a ring frame during dicing.

プリカット加工が施されたダイシングダイボンディングフィルムを有したウエハ加工用テープを作製するには、例えば、特許文献1に記載されているように、長尺の離型フィルムの全面に接着剤層が積層された接着フィルムの接着剤層に、半導体ウエハに対応した円形の刃で切り込みを入れ、円形部分の外側を離型フィルムから剥離して巻き取り(以下、接着剤層の巻き取り工程という)、この接着剤層の巻き取り工程によってくりぬいた円形の接着フィルムの接着剤層と基材フィルムの上に粘着剤層が積層されたダイシングテープの粘着剤層とを加熱加圧して貼りあわせ、ダイシングテープにリングフレームに対応した円形の刃で切り込みを入れ、リングフレームに対応する部分を剥離して巻き取ることが行われている。   In order to produce a wafer processing tape having a dicing die bonding film that has been subjected to pre-cut processing, for example, as described in Patent Document 1, an adhesive layer is laminated on the entire surface of a long release film. The adhesive layer of the adhesive film is cut with a circular blade corresponding to the semiconductor wafer, and the outside of the circular portion is peeled off from the release film (hereinafter referred to as the adhesive layer winding process), The adhesive layer of the circular adhesive film hollowed out by the winding process of the adhesive layer and the adhesive layer of the dicing tape in which the adhesive layer is laminated on the base film are bonded together by heating and pressing, and the dicing tape A circular blade corresponding to the ring frame is cut into a ring frame, and a portion corresponding to the ring frame is peeled off and wound up.

特開2007−2173号公報JP 2007-2173 A

上記の接着剤層の巻き取り工程においては、一定の力を円形部分の外側の接着剤層にかけながら、円形部分の外側の接着剤層を離型フィルムから剥離して巻き取っている。そのため、接着剤層の巻き取り工程の作業途中で、円形部分の外側の接着剤層が切れてしまうという現象が発生していた。接着剤層を巻き取るためには、予め接着剤層の端部を巻き取り用のロールにセットする等の初期作業があり、接着剤層が切れてしまうと、接着剤層の巻き取り作業を一時的に止め、初期作業を行った後に再開させなければならず、プリカット加工が施されたダイシングダイボンディングフィルムを有したウエハ加工用テープの生産性を低下させてしまうという問題があった。   In the above-described winding process of the adhesive layer, the adhesive layer on the outer side of the circular portion is peeled off from the release film while being wound on the adhesive layer on the outer side of the circular portion. Therefore, the phenomenon that the adhesive layer outside the circular portion is cut off during the operation of winding up the adhesive layer has occurred. In order to wind up the adhesive layer, there is an initial operation such as setting the end of the adhesive layer on a roll for winding in advance, and when the adhesive layer is cut, the winding operation of the adhesive layer is performed. There is a problem that the productivity of the wafer processing tape having the dicing die bonding film subjected to the pre-cut processing is lowered because it must be temporarily stopped and restarted after the initial work.

また、上記の問題を解決するためにウエハ加工用テープの幅を広く取れば、接着剤層の巻き取り工程において、円形部分の外側の接着剤層が切断されてしまうという現象は無くなるが、不要となる円形部分の外側の接着剤層の量や、半導体ウエハのダイシング、半導体のダイボンディングチップ等における不要となるウエハ加工用テープの量が多くなってしまう。   In addition, if the width of the wafer processing tape is widened in order to solve the above problem, the phenomenon that the adhesive layer outside the circular portion is cut in the winding process of the adhesive layer is eliminated, but unnecessary. As a result, the amount of the adhesive layer on the outer side of the circular portion, the amount of unnecessary wafer processing tape in semiconductor wafer dicing, semiconductor die bonding chips, and the like increases.

そこで、本発明は、以上のような問題点を解決するためになされたもので、半導体ウエハの形状に対応する形状にプリカット加工されたウエハ加工用テープを作製する際の、不要な接着剤層を離型フィルムから剥離して巻き取る工程において、巻き取られる接着剤層の破断を防止するとともに、プリカット加工されたウエハ加工用テープの生産性を向上させることが可能な接着フィルム及び、この接着フィルムを使用して作製したウエハ加工用テープを提供することを目的とする。   Therefore, the present invention has been made to solve the above-described problems, and an unnecessary adhesive layer when producing a wafer processing tape precut into a shape corresponding to the shape of a semiconductor wafer. Adhesive film capable of preventing breakage of the wound adhesive layer and improving the productivity of precut processed wafer processing tape in the process of peeling off the film from the release film and winding the film An object is to provide a wafer processing tape manufactured using a film.

本発明者らは、上記の課題に対して鋭意検討した結果、接着剤層の離型フィルムからの単位当たりの剥離力に対して、接着剤層の同一単位当たりの破断強度が87.5倍以上、好ましくは100倍以上となる接着フィルムを使用することにより、プリカット加工されたウエハ加工用テープを作製する際の接着剤層の巻き取り工程において、所定形状の外側の接着剤層の破断を防止できることを見出し、更には、この接着フィルムの接着剤層と粘着フィルムの粘着剤層とを貼り合わせた、プリカット加工されたウエハ加工用テープの生産性を向上させることを見出し、本発明を完成した。   As a result of intensive studies on the above problems, the present inventors have found that the breaking strength per unit of the adhesive layer is 87.5 times the peeling force per unit from the release film of the adhesive layer. As described above, in the step of winding the adhesive layer when producing a pre-cut wafer processing tape by using an adhesive film that is preferably 100 times or more, the outer adhesive layer having a predetermined shape is broken. We have found that it can be prevented, and also found that the adhesive layer of this adhesive film and the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive film are bonded together to improve the productivity of precut processed wafer processing tape, and the present invention is completed. did.

即ち、本発明の第1の態様に係る接着フィルムは、長尺の離型フィルムに接着剤層が積層された接着フィルムであって、前記接着剤層の前記離型フィルムからの単位当たりの剥離力に対し、前記接着剤層の同一単位当たりの破断強度が87.5倍以上であることを特徴とする。   That is, the adhesive film according to the first aspect of the present invention is an adhesive film in which an adhesive layer is laminated on a long release film, and the adhesive layer is peeled per unit from the release film. The breaking strength per unit of the adhesive layer is 87.5 times or more with respect to force.

ここで、剥離力は剥離方向に直行する方向の大きさによって変化し、破断強度は引っ張り方向の大きさによって変化する。そこで、「同一単位当たりの」とは、剥離方向に直行する方向の大きさと引っ張り方向の大きさを同一とした場合をいい(例えば、剥離方向に直行する方向の大きさを10mmとして剥離力を測定した場合、破断強度は引っ張り方向の大きさを10mmとして測定する)、このときの剥離力に対する破断強度が87.5倍以上であることを特徴とするものである。   Here, the peeling force varies depending on the magnitude in the direction perpendicular to the peeling direction, and the breaking strength varies depending on the magnitude in the tensile direction. Therefore, “per unit” means that the size in the direction perpendicular to the peeling direction and the size in the pulling direction are the same (for example, the size in the direction perpendicular to the peeling direction is 10 mm, and the peeling force is When measured, the breaking strength is measured assuming that the size in the tensile direction is 10 mm), and the breaking strength with respect to the peeling force at this time is 87.5 times or more.

尚、接着フィルムは、上述したような半導体ウエハに対応した切り込みが予め接着剤層に入っている状態の接着フィルムであっても、切り込みが接着剤層に入っていない状態の接着フィルムであっても良い。   Note that the adhesive film is an adhesive film in which the cut corresponding to the semiconductor wafer as described above is in the adhesive layer in advance, but the cut is not in the adhesive layer. Also good.

本発明の第2の態様に係る接着フィルムは、上記の本発明の第1の態様に係る接着フィルムにおいて、前記接着剤層の前記離型フィルムからの単位当たりの剥離力に対して、前記接着剤層の同一単位当たりの破断強度が100倍以上であることを特徴とする。   The adhesive film according to the second aspect of the present invention is the adhesive film according to the first aspect of the present invention described above, wherein the adhesive layer is bonded to the peeling force per unit of the adhesive layer from the release film. The breaking strength per unit of the agent layer is 100 times or more.

本発明の第1の態様に係るウエハ加工用テープは、基材フィルムの上に粘着剤層が積層された粘着フィルムの前記粘着剤層と、上記の本発明の第1または第2の態様に係る接着フィルムの接着剤層とが貼り合わされていることを特徴とする。   The tape for wafer processing which concerns on the 1st aspect of this invention is the said adhesive layer of the adhesive film by which the adhesive layer was laminated | stacked on the base film, and said 1st or 2nd aspect of this invention. The adhesive layer of the said adhesive film is bonded together, It is characterized by the above-mentioned.

本発明の接着フィルムを使用することにより、半導体ウエハの形状に対応する所定形状にプリカット加工されたウエハ加工用テープを作製する際の不要となる所定形状の外側の接着剤層を離型フィルムから剥離して巻き取る接着剤層の巻き取り工程において、所定形状の外側の接着剤層の破断を防止することができる。また、この接着剤層フィルムの接着層と粘着フィルムの粘着剤層とを貼り合わせた、プリカット加工されたウエハ加工用テープの生産性を向上させることができる。また、所定形状の外側の接着剤層の量や、半導体ウエハのダイシング、半導体のダイボンディングチップ等における不要となるウエハ加工用テープの量の少ない生産効率の良いウエハ加工用テープを作製することができる。   By using the adhesive film of the present invention, an outer adhesive layer having a predetermined shape that is not necessary when producing a wafer processing tape precut into a predetermined shape corresponding to the shape of the semiconductor wafer is removed from the release film. In the winding process of the adhesive layer that is peeled off and wound, the outer adhesive layer having a predetermined shape can be prevented from being broken. In addition, the productivity of a pre-cut wafer processing tape in which the adhesive layer of the adhesive layer film and the adhesive layer of the adhesive film are bonded together can be improved. Also, it is possible to produce a wafer processing tape with a high production efficiency with a small amount of an adhesive layer on the outer side of a predetermined shape, a semiconductor wafer dicing, an unnecessary amount of a wafer processing tape in a semiconductor die bonding chip, etc. it can.

(a)は、本発明の一実施形態に係る接着フィルムの概観図であり、(b)は、同断面図である。(A) is a general-view figure of the adhesive film which concerns on one Embodiment of this invention, (b) is the same sectional drawing. (a)は、切り込みの形成工程を説明するための接着フィルムの平面図であり、(b)は、同断面図である。(A) is a top view of the adhesive film for demonstrating the formation process of a notch | incision, (b) is the same sectional drawing. 接着剤層の巻き取り工程を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the winding-up process of an adhesive bond layer. (a)は、本発明の一実施形態に係るウエハ加工用テープの概観図であり、(b)は、同平面図であり、(c)は、同断面図である。(A) is a general-view figure of the wafer processing tape which concerns on one Embodiment of this invention, (b) is the same top view, (c) is the same sectional drawing.

以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図1(a)は、本発明の一実施形態に係る接着フィルムの概観図であり、図1(b)は、同断面図である。図1(a)及び(b)に示すように、接着フィルム20Bは、長尺の離型フィルム11上に接着剤層12が積層された構成を有している。また、本実施形態では、接着剤層12の上に、更に離型フィルム11Aを積層し構成になっており、ロール状に巻いた製品を生産することが可能な接着フィルムである。なお、特許請求の範囲に記載の離型フィルムは、離型フィルム11に相当する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
Fig.1 (a) is a general-view figure of the adhesive film which concerns on one Embodiment of this invention, FIG.1 (b) is the same sectional drawing. As shown in FIGS. 1A and 1B, the adhesive film 20 </ b> B has a configuration in which an adhesive layer 12 is laminated on a long release film 11. Further, in the present embodiment, the release film 11A is further laminated on the adhesive layer 12, and the adhesive film is capable of producing a rolled product. The release film described in the claims corresponds to the release film 11.

半導体装置の製造工程では、半導体ウエハの形状に対応した円形ラベル形状に接着剤層12がプリカット加工された接着フィルム20(例えば、図4(c)参照)が使用される。そこで、次に、プリカット加工された接着フィルム20の作製する方法を図2及び図3を参照して説明する。   In the manufacturing process of the semiconductor device, an adhesive film 20 (for example, see FIG. 4C) in which the adhesive layer 12 is precut into a circular label shape corresponding to the shape of the semiconductor wafer is used. Then, next, the method to produce the adhesive film 20 by which the precut process was carried out is demonstrated with reference to FIG.2 and FIG.3.

図2(a)は、円形ラベル形状に接着剤層12に切り込みを入れる切り込みの形成工程を説明するための接着フィルム20Aの平面図であり、(b)は、同断面図である。図3は、不要となる円形ラベル形状の外側の接着剤層12を離型フィルム11から剥離して巻き取る接着剤層の巻き取り工程を説明するための模式図である。   Fig.2 (a) is a top view of the adhesive film 20A for demonstrating the formation process of the cut | notch which cuts into the adhesive bond layer 12 in a circular label shape, (b) is the same sectional drawing. FIG. 3 is a schematic diagram for explaining a winding process of the adhesive layer that peels and winds the adhesive layer 12 outside the unnecessary circular label shape from the release film 11.

プリカット加工された接着フィルム20を作製するには、まず、接着フィルム20Bから離型フィルム11Aを剥離した接着フィルム20A(図1(b)を参照)の状態とする。   In order to produce the adhesive film 20 that has been pre-cut, first, the adhesive film 20A (see FIG. 1B) is formed by peeling the release film 11A from the adhesive film 20B.

次に、図2(a)及び(b)に示すように、接着フィルム20Aにおいて、半導体ウエハの形状に対応した円形ラベル形状の切り込み22を接着剤層12に形成する(切り込み22の形成工程)。切り込み22によって、接着剤層12は、切り込み22の内側の円形ラベル形状となる接着剤層(以下、円形接着剤層部という)12aと、切り込み22の外側の接着剤層(以下、周辺接着剤層部という)12bとに切断される。ここで、切り込み22は、接着剤層12の表面23aから離型フィルム11に接触する接着剤層12の裏面23bにまで達するように形成する。   Next, as shown in FIGS. 2A and 2B, in the adhesive film 20A, a circular label-shaped cut 22 corresponding to the shape of the semiconductor wafer is formed in the adhesive layer 12 (forming process of the cut 22). . By the notch 22, the adhesive layer 12 is formed into an adhesive layer (hereinafter referred to as a circular adhesive layer portion) 12a having a circular label shape inside the notch 22, and an adhesive layer outside the notch 22 (hereinafter referred to as peripheral adhesive). 12b). Here, the notch 22 is formed so as to reach from the front surface 23 a of the adhesive layer 12 to the back surface 23 b of the adhesive layer 12 in contact with the release film 11.

最後に、図3に示すように、接着フィルム20Aにおいて、周辺接着剤層部12bに一定の力をかけながら、周辺接着剤層部12bを離型フィルム11から剥離して巻き取り、くりぬかれた円形接着剤層部12aのみを離型フィルム11に残した状態にする(接着剤層の巻き取り工程)。これにより、半導体ウエハの形状に対応した円形ラベル形状に接着剤層12がプリカット加工された接着フィルム20が作製される。   Finally, as shown in FIG. 3, in the adhesive film 20A, the peripheral adhesive layer portion 12b was peeled off from the release film 11 and wound up while applying a certain force to the peripheral adhesive layer portion 12b. Only the circular adhesive layer portion 12a is left on the release film 11 (adhesive layer winding step). Thereby, the adhesive film 20 in which the adhesive layer 12 is precut into a circular label shape corresponding to the shape of the semiconductor wafer is produced.

本実施形態に係る接着フィルム20Bは、以下の構成を有する点に特徴がある。
接着剤層12を離型フィルム11から剥離した場合に、その単位当たりの剥離力に対して、接着剤層12の同一単位当たりの破断強度が87.5倍以上、好ましくは100倍以上である。ここで、剥離力は剥離方向に直行する方向の大きさによって変化し、破断強度は引っ張り方向の大きさによって変化する。そこで、「同一単位当たりの」とは、剥離方向に直行する方向の大きさと引っ張り方向の大きさを同一とした場合をいい、例えば剥離方向に直行する方向の大きさを10mmとして剥離力を測定した場合、破断強度は引っ張り方向の大きさを10mmとして測定する。
The adhesive film 20B according to this embodiment is characterized in that it has the following configuration.
When the adhesive layer 12 is peeled from the release film 11, the breaking strength per unit of the adhesive layer 12 is 87.5 times or more, preferably 100 times or more with respect to the peeling force per unit. . Here, the peeling force varies depending on the magnitude in the direction perpendicular to the peeling direction, and the breaking strength varies depending on the magnitude in the tensile direction. Therefore, “per unit” means that the size in the direction perpendicular to the peeling direction is the same as the size in the pulling direction. For example, the size in the direction perpendicular to the peeling direction is 10 mm, and the peeling force is measured. In this case, the breaking strength is measured by setting the size in the tensile direction to 10 mm.

次に、接着フィルムの接着剤層と、基材フィルムの上に粘着剤層が積層された粘着フィルムの粘着剤層とを貼り合わせたウエハ加工用テープ(ダイシングダイボンディングフィルム)について説明する。
図4(a)は、本発明の一実施形態に係るウエハ加工用テープ(ダイシングダイボンディングフィルム)の概観図であり、図4(b)は、同平面図であり、図4(b)は、同断面図である。
Next, a wafer processing tape (dicing die bonding film) in which an adhesive layer of an adhesive film and an adhesive layer of an adhesive film in which an adhesive layer is laminated on a base film are bonded together will be described.
FIG. 4A is a schematic view of a wafer processing tape (dicing die bonding film) according to an embodiment of the present invention, FIG. 4B is a plan view thereof, and FIG. FIG.

図4(a)、(b)及び(c)に示すように、ウエハ加工用テープ10は、プリカット加工された接着フィルム20の円形接着剤層部12aと、基材フィルム14の上に粘着剤層15が積層された粘着フィルム13の粘着剤層15とが貼り合わされた構成を有している。   As shown in FIGS. 4A, 4B, and 4C, the wafer processing tape 10 has a pressure-sensitive adhesive on the circular adhesive layer portion 12a of the pre-cut adhesive film 20 and the base film 14. It has the structure by which the adhesive layer 15 of the adhesive film 13 with which the layer 15 was laminated | stacked was bonded together.

粘着フィルム13は、円形接着剤層部12aを覆い、且つ、円形接着剤層部12aの周囲で離型フィルム11に接触するように設けられた円形ラベル部13aと、この円形ラベル部13aの外側を囲むような周辺部13bとを有する。周辺部13bは、円形ラベル部13aの外側を完全に囲む形態と、図示のような完全には囲まない形態とを含む。円形ラベル部13aは、ダイシング用のリングフレームに対応する形状を有する。   The pressure-sensitive adhesive film 13 covers the circular adhesive layer portion 12a and has a circular label portion 13a provided so as to be in contact with the release film 11 around the circular adhesive layer portion 12a, and an outer side of the circular label portion 13a. And a peripheral portion 13b that surrounds. The peripheral portion 13b includes a form that completely surrounds the outer side of the circular label portion 13a and a form that is not completely surrounded as illustrated. The circular label portion 13a has a shape corresponding to a ring frame for dicing.

プリカット加工されたウエハ加工用テープ10は、まず、図2及び図3に示したような、円形接着剤層部12aが離型フィルム11上に積層された状態の接着フィルム20を作製する。その後、粘着フィルム13と接着フィルム20とを、粘着剤層15と円形接着剤層部12aとが重なり合うようにして、加熱して貼り合わせ、粘着フィルム13に切り込みを入れ、不要な粘着フィルム13を剥離して円形ラベル部13aと周辺部13bとを形成することによりプリカット加工されたウエハ加工用テープ10を作製する。   First, the pre-cut wafer processing tape 10 is manufactured as shown in FIGS. 2 and 3 in which the adhesive film 20 in a state where the circular adhesive layer portion 12 a is laminated on the release film 11. Thereafter, the pressure-sensitive adhesive film 13 and the adhesive film 20 are bonded together by heating so that the pressure-sensitive adhesive layer 15 and the circular adhesive layer portion 12a overlap each other. By peeling and forming the circular label portion 13a and the peripheral portion 13b, the pre-cut wafer processing tape 10 is produced.

尚、粘着フィルム13を円形ラベル部13aと周辺部13bの形状に切断した後、プリカット加工された接着フィルム20と、円形ラベル部13a及び周辺部13bとを加熱して貼り合わせることによりプリカット加工されたウエハ加工用テープ10を作製するようにしても良い。   After the adhesive film 13 is cut into the shape of the circular label portion 13a and the peripheral portion 13b, the adhesive film 20 that has been precut and the circular label portion 13a and the peripheral portion 13b are heated and bonded together to be precut. Alternatively, the wafer processing tape 10 may be manufactured.

本実施形態に係るウエハ加工用テープ10は、上記の本実施形態に係る接着フィルム20Bを使用して作製することから、上記の本実施形態に係る接着フィルム20Bと同様の特徴がある。即ち、接着剤層12の離型フィルム11からの単位当たりの剥離力に対して、接着剤層12の同一単位当たりの破断強度が87.5倍以上、好ましくは100倍以上である。   The wafer processing tape 10 according to the present embodiment is produced using the adhesive film 20B according to the above-described embodiment, and thus has the same characteristics as the adhesive film 20B according to the above-described embodiment. That is, the breaking strength per unit of the adhesive layer 12 is 87.5 times or more, preferably 100 times or more with respect to the peeling force per unit from the release film 11 of the adhesive layer 12.

以下、本実施形態に係る接着フィルム20B及び本実施形態のウエハ加工用テープ10の各構成要素について詳細に説明する。   Hereinafter, each component of the adhesive film 20B according to the present embodiment and the wafer processing tape 10 according to the present embodiment will be described in detail.

(離型フィルム)
離型フィルム11は、接着剤層12の取り扱い性を良くする目的で用いられる。
(Release film)
The release film 11 is used for the purpose of improving the handleability of the adhesive layer 12.

離型フィルム11としては、たとえば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ピニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン・酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルム等が用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。さらにこれらの積層フィルムであってもよい。   As the release film 11, for example, a polyethylene film, a polypropylene film, a polybutene film, a polybutadiene film, a polymethylpentene film, a polychloride chloride film, a vinyl chloride copolymer film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, a polybutylene terephthalate film. , Polyurethane film, ethylene / vinyl acetate copolymer film, ionomer resin film, ethylene / (meth) acrylic acid copolymer film, ethylene / (meth) acrylic acid ester copolymer film, polystyrene film, polycarbonate film, polyimide film A fluororesin film or the like is used. These crosslinked films are also used. Furthermore, these laminated films may be sufficient.

離型フィルム11の表面張力は、40mN/m以下であることが好ましく、35mN/m以下であることがより好ましい。このような表面張力の低い離型フィルム11は、材質を適宜に選択して得ることが可能であり、またフィルムの表面にシリコーン樹脂等を塗布して離型処理を施すことで得ることもできる。
離型フィルム11の膜厚は、通常は5〜300μm、好ましくは10〜200μm、特に好ましくは20〜150μm程度である。
離型フィルム11Aは、接着剤層12から剥離することができる限り限定されるものではないが、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルムが好ましい。また、離型フィルム11Aは、シリコンをコーティング又は焼き付けしてあることが好ましい。離型フィルム11Aの厚さは、特に限定されるものではないが15〜125μmが好ましい。
The surface tension of the release film 11 is preferably 40 mN / m or less, and more preferably 35 mN / m or less. Such a release film 11 having a low surface tension can be obtained by appropriately selecting the material, and can also be obtained by applying a release treatment by applying a silicone resin or the like to the surface of the film. .
The film thickness of the release film 11 is usually 5 to 300 μm, preferably 10 to 200 μm, and particularly preferably about 20 to 150 μm.
The release film 11A is not limited as long as it can be peeled off from the adhesive layer 12, but a polyethylene terephthalate film, a polypropylene film, and a polyethylene film are preferable. The release film 11A is preferably coated or baked with silicon. The thickness of the release film 11A is not particularly limited, but is preferably 15 to 125 μm.

(接着剤層)
接着剤層12は、半導体ウエハ等が貼合されダイシングされた後、半導体チップをピックアップする際に、半導体チップ裏面に付着しており、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。
(Adhesive layer)
The adhesive layer 12 is attached to the back surface of the semiconductor chip when the semiconductor chip is picked up after the semiconductor wafer is bonded and diced, and is used as an adhesive for fixing the chip to the substrate or the lead frame. It is what is done.

接着剤層12としては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、メラミン樹脂等やその混合物を使用することができる。   As the adhesive layer 12, polyimide resin, polyamide resin, polyetherimide resin, polyamideimide resin, polyester resin, polyester resin, polyesterimide resin, phenoxy resin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, polyphenylene sulfide resin, polyetherketone Resins, chlorinated polypropylene resins, acrylic resins, polyurethane resins, epoxy resins, polyacrylamide resins, melamine resins, and the like, and mixtures thereof can be used.

ポリマーとして、エポキシ基含有アクリル共重合体を使用することが好ましい。このエポキシ基含有アクリル共重合体は、エポキシ基を有するグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを0.5〜6質量%含む。半導体ウエハとの高い接着力を得るためには、0.5質量%以上が好ましく、6質量%以下であればゲル化を抑制できる。上記エポキシ基含有アクリル共重合体のガラス転移温度(Tg)としては、−10℃以上30℃以下であることが好ましい。   It is preferable to use an epoxy group-containing acrylic copolymer as the polymer. This epoxy group-containing acrylic copolymer contains 0.5 to 6% by mass of glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate having an epoxy group. In order to obtain a high adhesive force with a semiconductor wafer, the content is preferably 0.5% by mass or more, and gelation can be suppressed if it is 6% by mass or less. The glass transition temperature (Tg) of the epoxy group-containing acrylic copolymer is preferably −10 ° C. or higher and 30 ° C. or lower.

官能基モノマーとして用いるグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートの量は0.5〜6質量%の共重合体比であるが、その残部はメチルアクリレート、メチルメタクリレートなどの炭素数1〜8のアルキル基を有するアルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、およびスチレンやアクリロニトリルなどの混合物を用いることができる。これらの中でもエチル(メタ)アクリレート及び/又はブチル(メタ)アクリレートが特に好ましい。混合比率は、共重合体のガラス転移温度(Tg)を考慮して調整することが好ましい。重合方法は特に制限が無く、例えば、パール重合、溶液重合等が挙げられ、これらの方法により共重合体が得られる。このようなエポキシ基含有アクリル共重合体としては、例えば、HTR−860P−3(ナガセケムテックス株式会社製、商品名)が挙げられる。   The amount of glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate used as the functional group monomer is a copolymer ratio of 0.5 to 6% by mass, but the remainder is an alkyl having 1 to 8 carbon atoms such as methyl acrylate and methyl methacrylate. Mixtures of acrylates, alkyl methacrylates, and styrene and acrylonitrile can be used. Among these, ethyl (meth) acrylate and / or butyl (meth) acrylate are particularly preferable. The mixing ratio is preferably adjusted in consideration of the glass transition temperature (Tg) of the copolymer. There is no restriction | limiting in particular in a polymerization method, For example, pearl polymerization, solution polymerization, etc. are mentioned, A copolymer is obtained by these methods. Examples of such an epoxy group-containing acrylic copolymer include HTR-860P-3 (trade name, manufactured by Nagase ChemteX Corporation).

アクリル系共重合体の重量平均分子量は、5万以上、特に20万〜100万の範囲にあるのが好ましい。分子量が低すぎるとフィルム形成が不十分となり、高すぎると他の成分との相溶性が悪くなり、結果としてフィルム形成が妨げられる。   The weight average molecular weight of the acrylic copolymer is preferably 50,000 or more, particularly preferably in the range of 200,000 to 1,000,000. If the molecular weight is too low, film formation will be insufficient, and if it is too high, compatibility with other components will deteriorate, resulting in hindering film formation.

熱硬化性成分としてエポキシ樹脂を用いる場合には、硬化剤として、たとえば、フェノール系樹脂を使用できる。フェノール系樹脂としては、アルキルフェノール、多価フェノール、ナフトール等のフェノール類とアルデヒド類との縮合物等が特に制限されることなく用いられる。これらのフェノール系樹脂に含まれるフェノール性水酸基は、エポキシ樹脂のエポキシ基と加熱により容易に付加反応して、耐衝撃性の高い硬化物を形成できる。   When an epoxy resin is used as the thermosetting component, for example, a phenolic resin can be used as the curing agent. As the phenolic resin, a condensate of phenols such as alkylphenol, polyhydric phenol, naphthol and aldehydes is used without particular limitation. The phenolic hydroxyl group contained in these phenolic resins can easily undergo an addition reaction with the epoxy group of the epoxy resin by heating to form a cured product having high impact resistance.

フェノール系樹脂には、フェノールノボラック樹脂、o−クレゾールノボラック樹脂、p−クレゾールノボラック樹脂、t−ブチルフェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエンクレゾール樹脂、ポリパラビニルフェノール樹脂、ビスフェノールA型ノボラック樹脂、あるいはこれらの変性物等が好ましく用いられる。   The phenolic resin includes phenol novolak resin, o-cresol novolak resin, p-cresol novolak resin, t-butylphenol novolak resin, dicyclopentadiene cresol resin, polyparavinylphenol resin, bisphenol A type novolak resin, or a modification thereof. A thing etc. are used preferably.

その他、硬化剤として、熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤を使用することもできる。この硬化剤は、室温ではエポキシ樹脂と反応せず、ある温度以上の加熱により活性化し、エポキシ樹脂と反応するタイプの硬化剤である   In addition, a thermally activated latent epoxy resin curing agent can also be used as the curing agent. This curing agent is a type of curing agent that does not react with the epoxy resin at room temperature but is activated by heating above a certain temperature and reacts with the epoxy resin.

活性化方法としては、加熱による化学反応で活性種(アニオン、カチオン)を生成する方法、室温付近ではエポキシ樹脂中に安定に分散しており高温でエポキシ樹脂と相溶・溶解し、硬化反応を開始する方法、モレキュラーシーブ封入タイプの硬化剤により高温で溶出して硬化反応を開始する方法、マイクロカプセルによる方法等が存在する。   As an activation method, a method of generating active species (anions and cations) by a chemical reaction by heating, a dispersion that is stably dispersed in the epoxy resin near room temperature, is compatible with and dissolved in the epoxy resin at a high temperature, and a curing reaction is performed. There are a method for starting, a method for starting a curing reaction by elution at a high temperature with a molecular sieve encapsulated type curing agent, a method using a microcapsule, and the like.

熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤としては、各種のオニウム塩や、二塩基酸ジヒドラジド化合物、ジシアンジアミド、アミンアダクト硬化剤、イミダゾール化合物等の高融点活性水素化合物等を挙げることができる。   Examples of the thermally active latent epoxy resin curing agent include various onium salts, high melting point active hydrogen compounds such as dibasic acid dihydrazide compounds, dicyandiamide, amine adduct curing agents, and imidazole compounds.

熱硬化性成分としてエポキシ樹脂を用いる場合には、助剤として硬化促進剤等を使用することもできる。本発明に用いることができる硬化促進剤としては特に制限が無く、例えば、第三級アミン、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩などを用いることができる。本発明において好ましく使用されるイミダゾール類としては、例えば、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは1種又は2種以上を併用することもできる。イミダゾール類は、例えば、四国化成工業(株)から、2E4MZ,2PZ−CN,2PZ−CNSという商品名で市販されている。   When an epoxy resin is used as the thermosetting component, a curing accelerator or the like can be used as an auxiliary agent. There is no restriction | limiting in particular as a hardening accelerator which can be used for this invention, For example, a tertiary amine, imidazoles, a quaternary ammonium salt etc. can be used. Examples of imidazoles preferably used in the present invention include 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Imidazoles are commercially available from Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd. under the trade names 2E4MZ, 2PZ-CN, 2PZ-CNS, for example.

また、フィラーを配合してもよい。フィラーとしては、結晶シリカ、合成シリカ等のシリカや、アルミナ、ガラスバルーン等の無機フィラーがあげられる。硬化性保護膜形成層2に無機フィラーを添加することにより、硬化後の保護膜の硬度を向上させることができる。また、硬化後の保護膜の熱膨張係数をウエハの熱膨張係数に近づけることができ、これによって加工途中の半導体ウエハの反りを低減することができる。フィラーとしては合成シリカが好ましく、特に半導体装置の誤作動の要因となるα線の線源を極力除去したタイプの合成シリカが最適である。フィラーの形状としては、球形、針状、無定型タイプのものいずれも使用可能であるが、特に最密充填の可能な球形のフィラーが好ましい。   Moreover, you may mix | blend a filler. Examples of the filler include silica such as crystalline silica and synthetic silica, and inorganic filler such as alumina and glass balloon. By adding an inorganic filler to the curable protective film forming layer 2, the hardness of the protective film after curing can be improved. Moreover, the thermal expansion coefficient of the protective film after curing can be brought close to the thermal expansion coefficient of the wafer, thereby reducing the warpage of the semiconductor wafer during processing. Synthetic silica is preferable as the filler, and in particular, synthetic silica of the type from which the α-ray source that causes malfunction of the semiconductor device is removed as much as possible is optimal. As the shape of the filler, any of a spherical shape, a needle shape, and an amorphous type can be used, but a spherical filler capable of closest packing is particularly preferable.

さらに、異種材料間の界面結合をよくするために、カップリング剤を配合することもできる。カップリング剤としてはシランカップリング剤が好ましい。シランカップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、N−β−アミノエチル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。カップリング剤の配合量は、添加による効果や耐熱性およびコストから、分散相と連続相のそれぞれを形成する組成物の合計100重量部に対し0.1〜10重量部を添加するのが好ましい。   Furthermore, in order to improve the interfacial bonding between different materials, a coupling agent can be blended. A silane coupling agent is preferable as the coupling agent. As silane coupling agents, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-ureidopropyltriethoxysilane, N-β-aminoethyl-γ- Examples include aminopropyltrimethoxysilane. The blending amount of the coupling agent is preferably 0.1 to 10 parts by weight with respect to a total of 100 parts by weight of the composition forming each of the dispersed phase and the continuous phase, from the effects of addition, heat resistance and cost. .

また、ワニス化の溶剤は、比較的低沸点の、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、2−エトキシエタノール、トルエン、ブチルセロソルブ、メタノール、エタノール、2−メトキシエタノールなどを用いるのが好ましい。また、塗膜性を向上するなどの目的で、高沸点溶剤を加えても良い。高沸点溶剤としては、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、メチルピロリドン、シクロヘキサノン等が挙げられる。
接着剤層12の厚さは適宜設定してよいが、5〜100μm程度が好ましい。
As the varnishing solvent, it is preferable to use methyl ethyl ketone, acetone, methyl isobutyl ketone, 2-ethoxyethanol, toluene, butyl cellosolve, methanol, ethanol, 2-methoxyethanol or the like having a relatively low boiling point. Moreover, you may add a high boiling point solvent for the purpose of improving coating-film property. Examples of the high boiling point solvent include dimethylacetamide, dimethylformamide, methylpyrrolidone, cyclohexanone and the like.
The thickness of the adhesive layer 12 may be set as appropriate, but is preferably about 5 to 100 μm.

接着剤層12の破断強度を高めるには、ポリマーを多くし、フィラーを少なくし、エポキシ樹脂(固形)を少なくすることが有効である。また、接着剤層12の離型フィルム11からの剥離力を下げるには、ポリマーを少なくし、エポキシ樹脂(液状)を少なくすることが有効である。   In order to increase the breaking strength of the adhesive layer 12, it is effective to increase the polymer, decrease the filler, and decrease the epoxy resin (solid). Further, in order to reduce the peeling force of the adhesive layer 12 from the release film 11, it is effective to reduce the polymer and the epoxy resin (liquid).

(粘着フィルム)
粘着フィルム13としては、特に制限はなく、半導体ウエハをダイシングする際には半導体ウエハが剥離しないように十分な粘着力を有し、ダイシング後にチップをピックアップする際には容易に接着剤層12から剥離できるよう低い粘着力を示すものであればよい。例えば、基材フィルム14に粘着剤層15を設けたものを好適に使用できる。
(Adhesive film)
The adhesive film 13 is not particularly limited, and has a sufficient adhesive force so that the semiconductor wafer does not peel when dicing the semiconductor wafer. When the chip is picked up after dicing, it can be easily removed from the adhesive layer 12. Any material may be used as long as it exhibits low adhesive strength so that it can be peeled off. For example, what provided the adhesive layer 15 in the base film 14 can be used conveniently.

粘着フィルム13の基材フィルム14としては、従来公知のものであれば特に制限することなく使用することができるが、後述の粘着剤層15として放射線硬化性の材料を使用する場合には、放射線透過性を有するものを使用することが好ましい。
例えば、その材料として、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−1、ポリ−4−メチルペンテン−1、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、基材フィルム14はこれらの群から選ばれる2種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層又は複層化されたものでもよい。
基材フィルム14の厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、50〜200μmが好ましい。
The base film 14 of the adhesive film 13 can be used without particular limitation as long as it is a conventionally known film. However, when a radiation curable material is used as the adhesive layer 15 described later, It is preferable to use a material having permeability.
For example, as the material, polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic Α-olefin homopolymer or copolymer such as acid methyl copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ionomer or a mixture thereof, polyurethane, styrene-ethylene-butene or pentene copolymer, polyamide-polyol Listed are thermoplastic elastomers such as copolymers, and mixtures thereof. Moreover, the base film 14 may be a mixture of two or more materials selected from these groups, or may be a single layer or a multilayer.
The thickness of the base film 14 is not particularly limited and may be appropriately set, but is preferably 50 to 200 μm.

粘着フィルム13の粘着剤層15に使用される樹脂としては、特に限定されるものではなく、粘着剤に使用される公知の塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂等を使用することができる。
粘着剤層15の樹脂には、アクリル系粘着剤、放射線重合性化合物、光重合開始剤、硬化剤等を適宜配合して粘着剤を調製することが好ましい。粘着剤層15の厚さは特に限定されるものではなく適宜に設定してよいが、5〜30μmが好ましい。
The resin used for the pressure-sensitive adhesive layer 15 of the pressure-sensitive adhesive film 13 is not particularly limited, and known chlorinated polypropylene resins, acrylic resins, polyester resins, polyurethane resins, epoxy resins and the like used for pressure-sensitive adhesives are used. Can be used.
It is preferable to prepare a pressure-sensitive adhesive by appropriately mixing an acrylic pressure-sensitive adhesive, a radiation polymerizable compound, a photopolymerization initiator, a curing agent and the like with the resin of the pressure-sensitive adhesive layer 15. The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 15 is not particularly limited and may be appropriately set, but is preferably 5 to 30 μm.

放射線重合性化合物を粘着剤層15に配合して放射線硬化により接着剤層12から剥離しやすくすることができる。その放射線重合性化合物は、例えば光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも2個以上有する低分量化合物が用いられる。
具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、1,4−ブチレングリコールジアクリレート、1,6ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等が適用可能である。
A radiation-polymerizable compound can be blended in the pressure-sensitive adhesive layer 15 to facilitate peeling from the adhesive layer 12 by radiation curing. As the radiation polymerizable compound, for example, a low molecular weight compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in a molecule that can be three-dimensionally reticulated by light irradiation is used.
Specifically, trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6 hexanediol diacrylate Acrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, and the like are applicable.

また、上記のようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物(例えば、2,4−トリレンジイソシアナート、2,6−トリレンジイソシアナート、1,3−キシリレンジイソシアナート、1,4−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン4,4−ジイソシアナートなど)を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート(例えば、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど)を反応させて得られる。
粘着剤層15には、上記の樹脂から選ばれる2種以上が混合されたものでもよい。
In addition to the above acrylate compounds, urethane acrylate oligomers can also be used. The urethane acrylate oligomer includes a polyol compound such as a polyester type or a polyether type, and a polyvalent isocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diene). A terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting isocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, etc.) with an acrylate or methacrylate having a hydroxyl group (for example, 2-hydroxyethyl) Acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate, etc.) Obtained by the reaction.
The pressure-sensitive adhesive layer 15 may be a mixture of two or more selected from the above resins.

光重合開始剤を使用する場合、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を使用することができる。これら光重合開始剤の配合量はアクリル系共重合体100質量部に対して0.01〜5質量部が好ましい。   When using a photopolymerization initiator, for example, isopropyl benzoin ether, isobutyl benzoin ether, benzophenone, Michler's ketone, chlorothioxanthone, dodecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, benzyldimethyl ketal, α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxymethylphenyl Propane or the like can be used. The blending amount of these photopolymerization initiators is preferably 0.01 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic copolymer.

(実施例)
次に、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
(Example)
Next, examples of the present invention will be described, but the present invention is not limited to these examples.

(接着フィルムの作製)
下記の表1に示す配合の接着剤層組成物1A〜1Dにメチルエチルケトンを加えて攪拌混合して接着剤ワニスを作製した。作製した接着剤層組成物1A〜1Dの接着剤ワニスを、表2及び表3に示す組み合わせで、離型フィルム11上に、乾燥後の厚さが20μmになるように塗工し、110℃で3分間乾燥させ、それぞれ離型フィルム11上に接着剤層12を作製した。次いで、それぞれの接着剤層12の上に、上記と同様の別の離型フィルム11Aを貼り合わせ、下記の表2に示す実施例1〜4及び下記の表3に示す比較例1〜4における離型フィルム11と接着剤層12と離型フィルム11Aとがこの順に積層された3層構成の接着フィルム20Bを作製した。

Figure 2010260897
(Preparation of adhesive film)
Methyl ethyl ketone was added to the adhesive layer compositions 1A to 1D having the composition shown in Table 1 below, followed by stirring and mixing to prepare an adhesive varnish. The adhesive varnishes of the prepared adhesive layer compositions 1A to 1D were applied on the release film 11 in combinations shown in Tables 2 and 3 so that the thickness after drying was 20 μm, and 110 ° C. Then, an adhesive layer 12 was produced on the release film 11 respectively. Then, another release film 11A similar to the above is bonded onto each adhesive layer 12, and in Examples 1 to 4 shown in Table 2 below and Comparative Examples 1 to 4 shown in Table 3 below. An adhesive film 20B having a three-layer structure in which the release film 11, the adhesive layer 12, and the release film 11A were laminated in this order was produced.
Figure 2010260897

表1中の各成分の配合割合の単位は質量部である。また、表1中のA1(アクリル系ポリマー)は、重量平均分子量が85万、ガラス転移温度(Tg)が15℃のアクリル系共重合体である。また、B1(エポキシ樹脂(固形))は、エポキシ当量が265〜285のフェノールビフェニレン型エポキシ樹脂である。また、B2(エポキシ樹脂(液状))は、エポキシ当量が162〜172の液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂である。また、C1(硬化剤(1))は、ジシアンジアミドであり、C2(硬化剤(2))は、アラルキルフェノール樹脂である。また、D1(硬化促進剤)は、イミダゾール化合物(2−フェニル4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール)である。また、E1(シリカフィラー)は、平均粒径が2μmの球状合成シリカである。   The unit of the mixing ratio of each component in Table 1 is part by mass. A1 (acrylic polymer) in Table 1 is an acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 850,000 and a glass transition temperature (Tg) of 15 ° C. B1 (epoxy resin (solid)) is a phenol biphenylene type epoxy resin having an epoxy equivalent of 265 to 285. B2 (epoxy resin (liquid)) is a liquid bisphenol A type epoxy resin having an epoxy equivalent of 162 to 172. C1 (curing agent (1)) is dicyandiamide, and C2 (curing agent (2)) is an aralkylphenol resin. D1 (curing accelerator) is an imidazole compound (2-phenyl 4,5-dihydroxymethylimidazole). E1 (silica filler) is spherical synthetic silica having an average particle diameter of 2 μm.

Figure 2010260897
Figure 2010260897

Figure 2010260897
Figure 2010260897

表2及び表3中の、S314は、離型処理されたポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(帝人デュポンフィルム製、商品名)であり、K−1504は、離型処理されてPETフィルム(東洋紡績社製、商品名)である。   In Tables 2 and 3, S314 is a polyethylene terephthalate (PET) film (trade name) manufactured by Teijin DuPont Film, and K-1504 is a PET film (Toyobo Co., Ltd.) that has been subjected to the mold release process. Product name).

実施例1〜4及び比較例1〜4について、それぞれ破断強度、剥離力を測定するとともに、プリカット性の評価を行った。表2及び表3に、破断強度、剥離力の測定結果、破断強度と剥離力の比(破断強度/剥離力)、及びプリカット性の評価を示す。
<破断強度の測定>
離型フィルム11と離型フィルム11Aの間に接着剤層12を挟んだ状態の実施例1〜4に係る接着フィルム20B及び比較例1〜4に係る接着フィルムを、一号ダンベル形状に打ち抜き、離型フィルム11及び離型フィルム11Aを剥がし接着剤層12のみの試験片を作製した。試験片の破断強度を、JIS B 7721、JIS K 6301に準拠し、(株)東洋精機製作所製のストログラフ(VE10)を用いて、線速300mm/minで引っ張り、破断されるまでの最大荷重を測定した。尚、破断強度の単位は[N/10mm]である。
About Examples 1-4 and Comparative Examples 1-4, while breaking strength and peeling force were measured, respectively, precut property was evaluated. Tables 2 and 3 show the measurement results of breaking strength, peeling force, ratio of breaking strength to peeling force (breaking strength / peeling force), and evaluation of precut property.
<Measurement of breaking strength>
The adhesive film 20B according to Examples 1 to 4 and the adhesive films according to Comparative Examples 1 to 4 in a state in which the adhesive layer 12 is sandwiched between the release film 11 and the release film 11A are punched into a No. 1 dumbbell shape, The release film 11 and the release film 11A were peeled off to prepare a test piece having only the adhesive layer 12. The maximum load until the specimen is pulled and broken at a linear speed of 300 mm / min using a strograph (VE10) manufactured by Toyo Seiki Seisakusho in accordance with JIS B 7721 and JIS K 6301. Was measured. The unit of breaking strength is [N / 10 mm].

<剥離力の測定>
実施例1〜4に係る接着フィルム20B及び比較例1〜4に係る接着フィルムの片面の離型フィルム11Aを剥がし、離型フィルム11Aを剥がした接着剤層12の表面に形状保持テープ(積水化学工業社製、商品名:フォルテ)を2kgのローラによって貼り合わせて、25mm幅の短冊状に切り取り、離型フィルム11と接着剤層12と形状保持テープとがこの順に積層された3層構成の試験片を作製した。作製した試験片を、(株)東洋精機製作所製のストログラフ(VE10)により離型フィルム11と、接着剤層12及び形状保持テープの積層体とに分けて掴み、線速300mm/minにて離型フィルム11と接着剤層12との間の剥離力を測定した。尚、剥離力の単位は[N/10mm]である。また、離型フィルム11と、接着剤層12及び形状保持テープの積層体とに分けて、離型フィルム11から接着剤層12及び形状保持テープの積層体を剥離させるのは、接着剤層12だけを掴んで剥離すると接着剤層12が伸びるためである。
<Measurement of peel force>
The adhesive film 20B according to Examples 1 to 4 and the release film 11A on one side of the adhesive films according to Comparative Examples 1 to 4 were peeled off, and the shape-retaining tape (Sekisui Chemical Co., Ltd.) was applied to the surface of the adhesive layer 12 from which the release film 11A was peeled off. A three-layer structure in which a product made by Kogyo Co., Ltd., trade name: Forte) is pasted together by a 2 kg roller, cut into a 25 mm width strip, and a release film 11, an adhesive layer 12, and a shape-retaining tape are laminated in this order. A test piece was prepared. The produced test piece was divided into a release film 11, an adhesive layer 12, and a laminate of a shape-retaining tape by a strograph (VE10) manufactured by Toyo Seiki Seisakusho Co., Ltd., and a linear velocity of 300 mm / min. The peeling force between the release film 11 and the adhesive layer 12 was measured. The unit of peeling force is [N / 10 mm]. Also, the adhesive layer 12 is separated from the release film 11 and the laminate of the shape-retaining tape, and the adhesive layer 12 and the shape-retained tape laminate are separated from the release film 11. This is because the adhesive layer 12 is stretched when only it is grasped and peeled off.

<プリカット性の評価>
プリカット性の評価は、実施例1〜4に係る接着フィルム20B及び比較例1〜4に係る接着フィルムについて、片面の離型フィルム11Aを剥がした離型フィルム11と接着剤層12とからなる2層構成の接着剤層フィルム20Aに、12インチウェハ用に直径320mmの円の切り込みを58.5mm間隔で入れ、加工速度を10m/minで100m、周辺接着剤層部12bを離型フィルム11から剥離して巻き取り、破断が一度もおきない場合を「○」として評価し、破断が発生した場合を「×」として評価した。また、接着フィルムの原反の幅は390mmと450mmである。
<Evaluation of precut property>
Evaluation of precut property consists of the release film 11 and the adhesive layer 12 from which the release film 11A on one side is peeled off for the adhesive films 20B according to Examples 1 to 4 and the adhesive films according to Comparative Examples 1 to 4. Into the adhesive layer film 20A having a layer structure, circular notches with a diameter of 320 mm for 12-inch wafers are put at 58.5 mm intervals, the processing speed is 10 m / min, 100 m, and the peripheral adhesive layer portion 12 b is separated from the release film 11. The case where it peeled and wound and a fracture did not occur was evaluated as “◯”, and the case where a fracture occurred was evaluated as “x”. Moreover, the width | variety of the original fabric of an adhesive film is 390 mm and 450 mm.

表2に示すように、実施例1の接着フィルム20Bは、破断強度と剥離力の比(破断強度/剥離力)が、破断強度と剥離力の比を規定する上記87.5以上の範囲の150であるために、プリカット性は、原反の幅が390mmの場合も450mmの場合もともに、破断が一度もおきない結果となった。   As shown in Table 2, in the adhesive film 20B of Example 1, the ratio between the breaking strength and the peeling force (breaking strength / peeling force) is in the range of 87.5 or more that defines the ratio between the breaking strength and the peeling force. Since it was 150, the pre-cut property resulted in no breaks in both cases where the width of the original fabric was 390 mm and 450 mm.

実施例2の接着フィルム20Bは、破断強度と剥離力の比(破断強度/剥離力)が、破断強度と剥離力の比を規定する上記87.5以上の範囲の100であるために、プリカット性は、原反の幅が390mmの場合も450mmの場合もともに、破断が一度もおきない結果となった。   The adhesive film 20B of Example 2 is pre-cut because the ratio between the breaking strength and the peeling force (breaking strength / peeling force) is 100 in the above range of 87.5 or more that defines the ratio between the breaking strength and the peeling force. As for the property, both the case where the width of the original fabric was 390 mm and the case where it was 450 mm resulted in no breakage.

実施例3の接着フィルム20Bは、破断強度と剥離力の比(破断強度/剥離力)が、破断強度と剥離力の比を規定する上記87.5以上の範囲の225であるために、プリカット性は、原反の幅が390mmの場合も450mmの場合もともに、破断が一度もおきない結果となった。   The adhesive film 20B of Example 3 is pre-cut because the ratio between the breaking strength and the peeling force (breaking strength / peeling force) is 225 in the range of 87.5 or more that defines the ratio between the breaking strength and the peeling force. As for the property, both the case where the width of the original fabric was 390 mm and the case where it was 450 mm resulted in no breakage.

実施例4の接着フィルム20Bは、破断強度と剥離力の比(破断強度/剥離力)が、破断強度と剥離力の比を規定する上記87.5以上の範囲の150であるために、プリカット性は、原反の幅が390mmの場合も450mmの場合もともに、破断が一度もおきない結果となった。   In the adhesive film 20B of Example 4, the ratio between the breaking strength and the peeling force (breaking strength / peeling force) is 150 in the above range of 87.5 or more which defines the ratio between the breaking strength and the peeling force. As for the property, both the case where the width of the original fabric was 390 mm and the case where it was 450 mm resulted in no breakage.

表3に示すように、比較例1の接着フィルムは、破断強度と剥離力の比(破断強度/剥離力)が、破断強度と剥離力の比を規定する上記87.5以上の範囲外の83.3であるために、プリカット性は、原反の幅が450mmの場合には破断が一度もおきなかったが、390mmの場合に破断が発生した結果となった。   As shown in Table 3, in the adhesive film of Comparative Example 1, the ratio between the breaking strength and the peeling force (breaking strength / peeling force) was outside the above 87.5 range that defines the ratio between the breaking strength and the peeling force. Since it was 83.3, the pre-cut property was the result that the fracture did not occur when the width of the original fabric was 450 mm, but the fracture occurred when it was 390 mm.

比較例2の接着フィルムは、破断強度と剥離力の比(破断強度/剥離力)が、破断強度と剥離力の比を規定する上記87.5以上の範囲外の50であるために、プリカット性は、原反の幅が390mmの場合も450mmの場合もともに、破断が発生した結果となった。   The adhesive film of Comparative Example 2 has a pre-cut because the ratio between the breaking strength and the peeling force (breaking strength / peeling force) is 50 outside the above 87.5 range that defines the ratio between the breaking strength and the peeling force. The property was the result of the occurrence of breakage in both cases where the width of the original fabric was 390 mm and 450 mm.

比較例3の接着フィルムは、破断強度と剥離力の比(破断強度/剥離力)が、破断強度と剥離力の比を規定する上記87.5以上の範囲外の58.3であるために、プリカット性は、原反の幅が450mmの場合には破断が一度もおきなかったが、390mmの場合に破断が発生した結果となった。   In the adhesive film of Comparative Example 3, the ratio between the breaking strength and the peeling force (breaking strength / peeling force) is 58.3 outside the above range of 87.5 or more which defines the ratio between the breaking strength and the peeling force. As for the precut property, when the width of the original fabric was 450 mm, the fracture never occurred, but when it was 390 mm, the fracture occurred.

比較例4の接着フィルムは、破断強度と剥離力の比(破断強度/剥離力)が、破断強度と剥離力の比を規定する上記87.5以上の範囲外の38.9であるために、プリカット性は、原反の幅が390mmの場合も450mmの場合もともに、破断が発生した結果となった。   In the adhesive film of Comparative Example 4, the ratio between the breaking strength and the peeling force (breaking strength / peeling force) is 38.9 outside the above range of 87.5 or more that defines the ratio between the breaking strength and the peeling force. The precut property was the result of occurrence of breakage in both cases where the width of the original fabric was 390 mm and 450 mm.

表2及び表3に示した結果より、接着剤層12の離型フィルム11からの単位当たりの剥離力に対して、接着剤層12の同一単位当たりの破断強度が87.5倍以上、好ましくは100倍以上である本実施形態に係る接着フィルム20を使用することにより、半導体ウエハの形状に対応する形状にプリカット加工されたウエハ加工用テープ10を作製する際の接着剤層の巻き取り工程における周辺接着剤層部12bの破断を防止することができる。また、本実施形態に係る接着フィルム20を使用して作製したプリカット加工されたウエハ加工用テープ10の生産性を向上させることができる。また、不要となる周辺接着剤層部12bの量や、半導体ウエハのダイシング、半導体のダイボンディングチップ等における不要となるウエハ加工用テープ10の量の少ない生産効率の良いウエハ加工用テープ10を作製することができる。   From the results shown in Table 2 and Table 3, the breaking strength per unit of the adhesive layer 12 is 87.5 times or more with respect to the peeling force per unit from the release film 11 of the adhesive layer 12, preferably Is a winding process of the adhesive layer when producing the wafer processing tape 10 precut into a shape corresponding to the shape of the semiconductor wafer by using the adhesive film 20 according to this embodiment which is 100 times or more. It is possible to prevent the peripheral adhesive layer portion 12b from being broken. Moreover, the productivity of the pre-cut wafer processing tape 10 produced using the adhesive film 20 according to the present embodiment can be improved. Further, the production of the wafer processing tape 10 with high production efficiency with a small amount of the peripheral adhesive layer portion 12b which becomes unnecessary and a small amount of the wafer processing tape 10 which becomes unnecessary in the dicing of the semiconductor wafer, the semiconductor die bonding chip, etc. can do.

10:ウエハ加工用テープ
11:離型フィルム
12:接着剤層
12a:円形接着剤層部
12b:周辺接着剤層部
13:粘着フィルム
13a:円形ラベル部
13b:周辺部
14:基材フィルム
15:粘着剤層
20,20A,20B:接着フィルム
21:ダイシングダイボンディングフィルム
22:切り込み


10: Wafer processing tape 11: Release film 12: Adhesive layer 12a: Circular adhesive layer part 12b: Peripheral adhesive layer part 13: Adhesive film 13a: Circular label part 13b: Peripheral part 14: Base film 15: Adhesive layers 20, 20A, 20B: adhesive film 21: dicing die bonding film 22: notch


Claims (3)

長尺の離型フィルムに接着剤層が積層された接着フィルムであって、
前記接着剤層の前記離型フィルムからの単位当たりの剥離力に対して、前記接着剤層の同一単位当たりの破断強度が87.5倍以上であることを特徴とする接着フィルム。
An adhesive film in which an adhesive layer is laminated on a long release film,
An adhesive film, wherein the breaking strength per unit of the adhesive layer is 87.5 times or more with respect to the peeling force per unit of the adhesive layer from the release film.
前記接着剤層の前記離型フィルムからの単位当たりの剥離力に対して、前記接着剤層の同一単位当たりの破断強度が100倍以上であることを特徴とする請求項1に記載の接着フィルム。   2. The adhesive film according to claim 1, wherein the breaking strength per unit of the adhesive layer is 100 times or more with respect to the peeling force per unit of the adhesive layer from the release film. . 基材フィルムの上に粘着剤層が積層された粘着フィルムの前記粘着剤層と、請求項1または2に記載の接着フィルムの接着剤層とが貼り合わされていることを特徴とするウエハ加工用テープ。




3. For wafer processing, wherein the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive film in which a pressure-sensitive adhesive layer is laminated on a base film and the adhesive layer of the adhesive film according to claim 1 or 2 are bonded together tape.




JP2009110653A 2009-04-30 2009-04-30 Adhesive film and tape for processing wafer Pending JP2010260897A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009110653A JP2010260897A (en) 2009-04-30 2009-04-30 Adhesive film and tape for processing wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009110653A JP2010260897A (en) 2009-04-30 2009-04-30 Adhesive film and tape for processing wafer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010260897A true JP2010260897A (en) 2010-11-18

Family

ID=43359270

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009110653A Pending JP2010260897A (en) 2009-04-30 2009-04-30 Adhesive film and tape for processing wafer

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010260897A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011091363A (en) * 2009-09-28 2011-05-06 Nitto Denko Corp Film for semiconductor device
WO2012120756A1 (en) * 2011-03-10 2012-09-13 信越化学工業株式会社 Method for manufacturing adhesive sheet for optical semiconductor device, and adhesive sheet for optical semiconductor device
KR101351615B1 (en) 2010-12-13 2014-01-15 제일모직주식회사 Adhesive sheet for semiconductor device and a method for preparing the same
JP2019197802A (en) * 2018-05-09 2019-11-14 株式会社ディスコ Daf
JP2021034422A (en) * 2019-08-19 2021-03-01 リンテック株式会社 Composite sheet roll for forming protective film

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007002173A (en) * 2005-06-27 2007-01-11 Hitachi Chem Co Ltd Adhesive sheet and method for producing the sheet, and, method for producing semiconductor device, and the semiconductor device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007002173A (en) * 2005-06-27 2007-01-11 Hitachi Chem Co Ltd Adhesive sheet and method for producing the sheet, and, method for producing semiconductor device, and the semiconductor device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011091363A (en) * 2009-09-28 2011-05-06 Nitto Denko Corp Film for semiconductor device
KR101351615B1 (en) 2010-12-13 2014-01-15 제일모직주식회사 Adhesive sheet for semiconductor device and a method for preparing the same
WO2012120756A1 (en) * 2011-03-10 2012-09-13 信越化学工業株式会社 Method for manufacturing adhesive sheet for optical semiconductor device, and adhesive sheet for optical semiconductor device
JP2012191019A (en) * 2011-03-10 2012-10-04 Shin Etsu Chem Co Ltd Method of manufacturing adhesive sheet for optical semiconductor device, and adhesive sheet for optical semiconductor device
JP2019197802A (en) * 2018-05-09 2019-11-14 株式会社ディスコ Daf
JP2021034422A (en) * 2019-08-19 2021-03-01 リンテック株式会社 Composite sheet roll for forming protective film
JP7334087B2 (en) 2019-08-19 2023-08-28 リンテック株式会社 Composite sheet roll for protective film formation

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4876451B2 (en) Adhesive sheet
JP5733049B2 (en) Adhesive sheet, adhesive sheet manufacturing method, adhesive sheet roll, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device
JPWO2005112091A1 (en) Adhesive sheet, semiconductor device using the same, and manufacturing method thereof
JP4934730B2 (en) Wafer processing tape and manufacturing method thereof
WO2015105002A1 (en) Composite sheet for protective-film formation
TW201923868A (en) Die bond film, dicing die-bonding film, and semiconductor apparatus manufacturing method
JP5408571B2 (en) Wafer processing tape and manufacturing method thereof
JP2008303386A (en) Adhesive sheet, method for producing the same, method for producing semiconductor device using the adhesive sheet, and the semiconductor device
JP2009256458A (en) Pressure-sensitive adhesive sheet and method for manufacturing semiconductor device
JP5607843B2 (en) Manufacturing method of semiconductor wafer processing tape and semiconductor wafer processing tape
JP2011228642A (en) Wafer processing tape
JP2010260897A (en) Adhesive film and tape for processing wafer
JP2008153587A (en) Tape used for processing wafer
WO2012056511A1 (en) Adhesive film and wafer-processing tape
JP5683794B2 (en) Wafer processing tape
JP2011199307A (en) Method of manufacturing semiconductor device
JP2012082285A (en) Adhesive sheet
JP5370416B2 (en) Adhesive sheet
JP5957795B2 (en) Adhesive sheet roll and semiconductor device
JP4785095B2 (en) Wafer processing tape
JP5453894B2 (en) Adhesive sheet
TWI445796B (en) Followed by film and wafer processing tape
JP5370414B2 (en) Manufacturing method of adhesive sheet
JP4851573B2 (en) Sheet adhesive and wafer processing tape
JP5370415B2 (en) Adhesive sheet

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120801

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120810

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20121210