JP2010259134A - 内部半導電層、内部半導電層を用いた絶縁チューブユニット、および内部半導電層成形用の成形型 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】内部半導電層30は、電力ケーブルの導体部同士の接続部を覆う常温収縮型絶縁チューブユニット10内に配置され、成形により筒状に作られ、成形の際に形成されるパーティングライン180が内部半導電層30の中央部において内部半導電層30の軸方向CLと交差する方向に沿って配置されている。
【選択図】図6
Description
パーティングライン300は、内部半導電層250の一端部251において全周に渡って形成され、パーティングライン301は、内部半導電層250の他端部252において全周に渡って形成される。
内部半導電層250の端部251、252は、高い電界がかかる箇所なので、内部半導電層250の表面に凹凸部分が生じると、内部半導電層250がこの凹凸部分から電気破壊を起こす要因になる。このため、従来の内部半導電層250は、表面に形成されたパーティングライン300,301,302の凸部を、後工程の研磨作業により高精度に除去する必要があり、研磨作業に時間がかかる。
また、パーティングライン302の形成長さが軸方向Lに沿って長いので、研磨量が多くなり研磨作業時間がさらにかかる。
図1は、本発明の内部半導電層を用いた絶縁チューブユニットの好ましい実施の形態で電力ケーブルの直線接続部を絶縁処理した状態を示している軸方向の断面図である。
図1に示す絶縁チューブユニット10は常温収縮タイプのもので、第1電力ケーブル1と第2電力ケーブル2の接続部を絶縁している。
第1電力ケーブル1は、絶縁シース5と、絶縁体層6と、外部半導電層7や、その他に外部半導電層7を覆う布テープ層や金属遮蔽層を有している。同様して、第2電力ケーブル2は、絶縁シース15と、絶縁体層16と、外部半導電層17や、その他に外部半導電層17を覆う布テープ層や金属遮蔽層を有している。
内部半導電層30の中空部分30Hは、軸方向CLに沿って形成されている。この中空部分30Hは、絶縁チューブユニット10を使用に供したとき、第1ケーブル導体部3と第2ケーブル導体部4と接続管18と半導電性テープ19が収まる貫通孔である。
図2は、本発明の好ましい実施の形態の成形型100を示しており、図2(A)は成形型100の断面図であり、図2(B)は図2(A)のB―B線における断面図である。
図2に示す成形型100は、外側の金属型部110と、内側のゴム型部120と、芯金140を有している。この成形型100は、外側の金属型部110と、内側のゴム型部120により構成されている2重構造の金型である。
その他に、第1ゴム型部分121と第2ゴム型部分122が変形するのを防止するために、2分割リング150が設けられている。この2分割リング150の厚みt=1〜2mmである。金属型部110を使用する際には、金属型部110の両端部をパワークランプで固定する。
図3は、ゴム型部120のキャビティ124の形状を形成するためのモデル160を示している。図3に示すモデル160は、第1太径部分160Bと、第2太径部分160Cと、中央の細径部分160Dと、芯金140を有している。モデル160は、細径部分160Dの中央部の合わせ目167が2分割された中央2分割構造体である。この合わせ目167はゴム金型部120の合わせ目99を設ける位置と対応する位置に設けられている。細径部分160Dの中央位置には、厚みt=1〜2mmの円盤161と1箇所の14〜16mmの径の注入口用の円柱部162が取り付けられている。また、ガス抜き用スリット形成用の板163(厚みt=0.5〜1mm)が、注入口用の円柱部162に対して180度反対の位置に形成されている。すなわち、各太径部分160B、160Cの端部にある凹部の内周面から芯金140に跨るように前記板163、163が設けられている。
図4に示すように、モデル160が、金属型部110の収容空間部113内に配置されており、芯金140の第1細径部141は、金属型部110の第1貫通孔118を通って外部に露出している。同様にして、芯金140の第2細径部142は、金属型部110の第2貫通孔119を通って外部に露出している。
また、各第1ゴム型部分121と第2ゴム型部分122の前記デル160のガス抜き用スリット形成用の板163に対応する位置には、ガス抜き用スリットが転写され形成される。
まず、前述のように製造した第1ゴム型部分121と第2ゴム型部分122を金属型部110にセットして、図5に示すように、成形型を組み立てる。成形型100の注ぎ口170に、例えばカーボンが混入された液状の半導電性のゴムを注入すると、ほぼ筒状内部半導電層30が成形される。注入されたゴム172は、ゴム型部120の第1ゴム型部分121と第2ゴム型部分122とで形成されたキャビティ124に充填されるので、内部半導電層30を成形することができる。
なお、ゴムを注入するとキャビティ124にあった空気は、前記ガス抜き用スリット形成用の板163、163で形成されたスリットを介して芯金140と金属型部110隙間を通って外部に押出される。これにより、内部半導電層30の太径部分31、32の外周部にボイドが生じるのを防止できる。
なお、前記モデル160のガス抜き用スリット形成用の板163、163で、ゴム型部分121,122にそれぞれ形成されたスリットの部分により、内部半導電層30の大径部分31,32の内周側には、小片163Aが成形されている。
そして、ゴム型部120の第1ゴム型部分121と第2ゴム型部分122を、中央の合わせ目99により左右に分けて内部半導電層30を取り出す。ゴム型部120はシリコーンゴム製でありある程度の弾性変形ができる。このため、内部半導電層30の一端側の太径部分31と他端側の太径部分32(膨らんだ部分)は、第1ゴム型部分121と第2ゴム型部分122を変形させてを変形させるだけでゴム型部120内から容易に取り出すことができる。
また、この内部半導電層30には軸方向CLに沿うパーティングラインが形成されないので、研磨する範囲も狭く、研磨作業の負担を軽減できる。
例えば、絶縁チューブユニットと内部半導電層の形状は、図示例に限らず任意に選択することができる。
また、絶縁チューブユニットは、前記常温収縮タイプのものでなく、いわゆる差込タイプのものであっても良い。
さらに、成形型の金属型部は、内部半導電層の軸方向CLに沿って合わせ目が設けられたものであっても良い。
2 第2電力ケーブル
3 第1ケーブル導体部
4 第2ケーブル導体部
10 常温収縮型絶縁チューブユニット
CL 軸方向
30 内部半導電層
31 一端側の太径部分
32 他端側の太径部分
33 細径部分
77 第1金型部分と第2金型部分の合わせ目
99 第1ゴム型部分と第2ゴム型部分の合わせ目
100 金型
110 外側の金属金型部
111 第1金型部分
112 第2金型部分
113 収容空間部
120 内側のゴム金型部
121 第1ゴム型部分
122 第2ゴム型部分
140 芯金
160 模範
Claims (4)
- 電力ケーブルの接続部を絶縁処理するための絶縁チューブユニット内に配置され、成形により作られた筒状の内部半導電層であって、
成形の際に形成されるパーティングラインが前記内部半導電層の中央部において前記内部半導電層の軸方向と交差する方向に沿って配置されていることを特徴とする内部半導電層。 - 前記内部半導電層が、一端部側と他端部には太径部分がそれぞれ形成されており、これら太径部分と間に細径部が形成されており、当該細径部分に、前記パーティングラインが配置されていることを特徴とする請求項1に記載の内部半導電層。
- 請求項1または請求項2に記載の内部半導電層と、その周囲に一体に成形された絶縁層とを有することを特徴とする絶縁チューブユニット。
- 請求項1または請求項2の内部半導電層を成形するための成形型であって、
内部半導電層を成形するキャビティを有するゴム製のゴム型部と、このゴム型が収まる収容空間を有する金属製の金型部とからなり、
前記ゴム型部が、第1ゴム型部分と第2ゴム型部分からなり、前記内部半導電層の中央部または細径部分において前記内部半導電層の軸方向と交差する方向に沿って前記第1ゴム型部分と前記第2ゴム型部分との合わせ目を有するものであることを特徴とする内部半導電層成形用の成形型。
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