JP2010251064A - Plasma generator - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、プラズマ発生装置に関する。 The present invention relates to a plasma generator.
チャンバ内に反応ガスと高周波又はマイクロ波を導入してプラズマを発生させるプラズマ発生装置が知られている。プラズマ発生装置は、各技術分野で広く利用され、例えば、発生させたプラズマに半導体装置を晒すことによって、半導体基板に対してドライエッチング、表面改質、アッシング等を行うプラズマ処理装置が知られている(例えば、特許文献1)。 2. Description of the Related Art Plasma generators that generate plasma by introducing a reactive gas and high frequency or microwave into a chamber are known. Plasma generators are widely used in various technical fields. For example, plasma processing apparatuses that perform dry etching, surface modification, ashing, etc. on a semiconductor substrate by exposing the semiconductor device to generated plasma are known. (For example, Patent Document 1).
この種のプラズマ処理装置は、例えば、半導体基板上に形成したレジスト膜を反応性ガスのプラズマを用いてアッシング(灰化)するアッシング処理装置では、プラズマ生成室をチャンバの上側部に設けるとともに、半導体基板を載置したステージを下側部に設けている。そして、プラズマ生成室で発生させたプラズマは下方に設けられたステージに向かって導出される。ステージに載置された半導体基板は、プラズマ生成室から導出されたプラズマに晒されることによってアッシングされる。 In this type of plasma processing apparatus, for example, in an ashing processing apparatus for ashing (ashing) a resist film formed on a semiconductor substrate using a plasma of a reactive gas, a plasma generation chamber is provided on the upper side of the chamber, A stage on which a semiconductor substrate is placed is provided on the lower side. The plasma generated in the plasma generation chamber is led out toward a stage provided below. The semiconductor substrate placed on the stage is ashed by being exposed to plasma derived from the plasma generation chamber.
ところで、チャンバに設けたプラズマ生成室は、開口部をチャンバのトッププレートに設け、その開口部の上側にマイクロ波透過窓にて塞ぐとともに、その開口部の下側を下蓋で塞ぐことによって、トッププレート、マイクロ波透過窓及び下蓋で囲まれた空間にて形成される。そして、マイクロ波透過窓に導波管を連結し、その導波管を介して伝搬されたマイクロ波をプラズマ生成室に導入するとともに、トッププレートと下蓋との間で形成されたガス投入通路を介して反応ガス(例えば、酸素、窒素、四フッ化炭素)をプラズマ生成室に導入する。これによって、プラズマ生成室に導入されたマイクロ波と反応ガスによってプラズマ生成室にプラズマが発生する。 By the way, the plasma generation chamber provided in the chamber is provided with an opening in the top plate of the chamber, and is closed with a microwave transmission window above the opening, and the lower side of the opening is closed with a lower lid, It is formed in a space surrounded by a top plate, a microwave transmission window, and a lower lid. Then, a waveguide is connected to the microwave transmission window, the microwave propagated through the waveguide is introduced into the plasma generation chamber, and a gas introduction passage formed between the top plate and the lower lid A reactive gas (for example, oxygen, nitrogen, carbon tetrafluoride) is introduced into the plasma generation chamber via Thereby, plasma is generated in the plasma generation chamber by the microwave and the reaction gas introduced into the plasma generation chamber.
そして、プラズマ生成室で生成されたプラズマは、下蓋の中央位置に形成された導出穴から、下方に設けられたステージに導出される。ステージには半導体基板が載置され、その半導体基板の表面がプラズマ生成室から導出されたプラズマに晒されてアッシングされる。 And the plasma produced | generated in the plasma production | generation chamber is derived | led-out to the stage provided below from the extraction hole formed in the center position of a lower cover. A semiconductor substrate is placed on the stage, and the surface of the semiconductor substrate is subjected to ashing by being exposed to plasma derived from the plasma generation chamber.
ところで、チャンバのトッププレートに形成した開口部を塞ぐマイクロ波透過窓は、トッププレートとの間にOリングを介在させてトップレートに対して連結固定されている。これによって、トッププレートとマイクロ波透過窓との間の気密状態が保持されている。このOリングをマイクロ波透過窓とトッププレートの間に介在させると、Oリングを境に内、外でトッププレートとマイクロ波透過窓の間に僅かな隙間が生ずる。 By the way, the microwave transmission window that closes the opening formed in the top plate of the chamber is connected and fixed to the top plate with an O-ring interposed between the microwave transmission window and the top plate. Thereby, the airtight state between the top plate and the microwave transmission window is maintained. When this O-ring is interposed between the microwave transmission window and the top plate, a slight gap is formed between the top plate and the microwave transmission window inside and outside the O-ring.
Oリングの外側に形成される隙間は、問題ないが、Oリングの内側(プラズマ生成室側)に形成される隙間は問題が生じる。
つまり、Oリングの内側(プラズマ生成室側)に形成される隙間に、プラズマ生成室に導入された反応ガスが侵入し、その反応ガスとマイクロ波透過窓を透過してきたマイクロ波とで、該隙間でプラズマが発生する。このとき、Oリングの内側は、この隙間で発生するプラズマに晒されて劣化するという問題が生じていた。
There is no problem with the gap formed outside the O-ring, but there is a problem with the gap formed inside the O-ring (on the plasma generation chamber side).
That is, the reaction gas introduced into the plasma generation chamber enters the gap formed inside the O-ring (plasma generation chamber side), and the reaction gas and the microwave transmitted through the microwave transmission window Plasma is generated in the gap. At this time, there has been a problem that the inside of the O-ring is deteriorated by being exposed to plasma generated in this gap.
そこで、反応ガスが侵入しないように、トッププレートとマイクロ波透過窓を強く連結固定して、トッププレートとマイクロ波透過窓を密着させることが考えられる。しかしながら、トッププレートとマイクロ波透過窓は、プラズマ生成室で生成されるプラズマの発光熱による温度の変動によって、それぞれ膨張・収縮が繰り返されている。その結果、強く密着固定されたトッププレートとマイクロ波透過窓を密着させると、線膨張率の相違によって、直接摩擦接触して摩耗し、その接触部分の劣化、及び、パーティクルが発生するといった問題が生じる。 Therefore, it is conceivable that the top plate and the microwave transmission window are firmly connected and fixed so that the reaction gas does not enter, and the top plate and the microwave transmission window are brought into close contact with each other. However, the top plate and the microwave transmission window are repeatedly expanded and contracted due to temperature fluctuations caused by the light emission heat of the plasma generated in the plasma generation chamber. As a result, when the top plate and the microwave transmission window that are firmly fixed are brought into close contact with each other, there is a problem that due to the difference in the linear expansion coefficient, the friction is caused by direct friction and wear, and the contact portion is deteriorated and particles are generated. Arise.
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、透過窓とチャンバとの間で気密保持するOリングの損傷を防止することができるプラズマ発生装置を提供するにある。 The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a plasma generator capable of preventing damage to an O-ring that is hermetically held between a transmission window and a chamber. is there.
請求項1に記載の発明は、反応ガスが導入されるチャンバに開口部を設け、その開口部を誘電体透過窓にて閉塞し、同誘電体透過窓を介して前記チャンバ内に高周波又はマイクロ波の電磁波を導入し、前記電磁波と前記反応ガスとでプラズマを生成するようにしたプラズマ発生装置であって、前記誘電体透過窓の前記チャンバと連結する部分に位置する領域で、少なくとも密着するOリングより内側に、前記透過する電磁波をシールドする導電膜を形成した。 According to the first aspect of the present invention, an opening is provided in a chamber into which a reaction gas is introduced, the opening is closed with a dielectric transmission window, and a high-frequency or micro wave is introduced into the chamber through the dielectric transmission window. A plasma generation apparatus that introduces wave electromagnetic waves and generates plasma with the electromagnetic waves and the reactive gas, and is at least in close contact with a region located in a portion connected to the chamber of the dielectric transmission window A conductive film that shields the transmitted electromagnetic waves was formed inside the O-ring.
請求項1に記載の発明によれば、誘電体透過窓とチャンバとの連結部分であってOリングより内側の誘電体透過窓とチャンバとの間には、導電膜によって電磁波が透過することはない。従って、Oリングより内側の誘電体透過窓とチャンバとの間に侵入した反応ガスが電磁波によってプラズマが発生することはない。その結果、前記隙間の近傍に位置するOリングにプラズマに晒されて損傷する虞がない。 According to the first aspect of the present invention, an electromagnetic wave is transmitted by the conductive film between the dielectric transmission window and the chamber, which is a connecting portion of the dielectric transmission window and the chamber and is inside the O-ring. Absent. Accordingly, plasma is not generated by the electromagnetic wave from the reaction gas that has entered between the dielectric transmission window inside the O-ring and the chamber. As a result, there is no possibility that the O-ring located near the gap is exposed to plasma and damaged.
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のプラズマ発生装置において、前記Oリングより内側の前記誘電体透過窓と前記チャンバとの間に、隙間を形成した。
請求項1に記載の発明によれば、Oリングより内側の誘電体透過窓とチャンバとの連結する部分に隙間を設けても、その隙間においてプラズマが発生しない。しかも、隙間を設けたことにより、チャンバ内で生成されたプラズマの発光熱によって誘電体透過窓とチャンバがそれぞれ膨張・収縮しても、誘電体透過窓とトッププレートが直接擦れて摩耗するのが防止される。
According to a second aspect of the present invention, in the plasma generator according to the first aspect, a gap is formed between the dielectric transmission window inside the O-ring and the chamber.
According to the first aspect of the present invention, even if a gap is provided in a portion where the dielectric transmission window inside the O-ring is connected to the chamber, plasma is not generated in the gap. In addition, by providing the gap, even if the dielectric transmission window and the chamber expand and contract by the plasma emission heat generated in the chamber, the dielectric transmission window and the top plate are directly rubbed and worn. Is prevented.
請求項3に記載の発明は、請求項2に記載のプラズマ発生装置において、前記隙間は、前記Oリングより外側の前記誘電体透過窓と前記チャンバとの間に、間隔保持板を介在させることによって形成した。 According to a third aspect of the present invention, in the plasma generating apparatus according to the second aspect, the gap is configured such that a gap maintaining plate is interposed between the dielectric transmission window outside the O-ring and the chamber. Formed by.
請求項3に記載の発明によれば、間隔保持板により、チャンバを成形加工しないで、簡単に誘電体透過窓とチャンバとの間に、所望の隙間を簡単に形成することができる。
請求項4に記載の発明は、請求項3に記載のプラズマ発生装置において、前記隙間は、前記Oリングより内側の前記チャンバの表面を、Oリングより外側の前記チャンバの表面より、低い段差面にして形成した。
According to the third aspect of the present invention, it is possible to easily form a desired gap between the dielectric transmission window and the chamber without forming the chamber by the spacing plate.
According to a fourth aspect of the present invention, in the plasma generator according to the third aspect, the gap has a stepped surface that is lower on the surface of the chamber inside the O-ring than on the surface of the chamber outside the O-ring. Formed.
請求項4に記載の発明によれば、チャンバを成形加工するだけで、部品点数を増やすことなく簡単に誘電体透過窓とチャンバとの間に、隙間を形成することができる。
請求項5に記載の発明は、請求項1〜4のいずれか1に記載のプラズマ発生装置において、前記導電膜は、アルミニウムで形成した。
According to the fourth aspect of the present invention, it is possible to easily form a gap between the dielectric transmission window and the chamber by simply forming the chamber without increasing the number of parts.
According to a fifth aspect of the present invention, in the plasma generating device according to any one of the first to fourth aspects, the conductive film is made of aluminum.
請求項5に記載の発明によれば、アルミニウムは導電性金属なため、高周波又はマイクロ波等の電磁波を確実にシールドする。
請求項6に記載の発明は、請求項5に記載のプラズマ発生装置において、前記アルミニウムで形成した導電膜は、その表面をアルマイト処理又はセラミックス溶射処理した。
According to the invention described in claim 5, since aluminum is a conductive metal, it reliably shields electromagnetic waves such as high-frequency waves or microwaves.
A sixth aspect of the present invention is the plasma generator according to the fifth aspect, wherein the conductive film formed of aluminum is subjected to alumite treatment or ceramic spray treatment on the surface thereof.
請求項6に記載の発明によれば、アルミよりなる導電膜が直接プラズマに晒されるのが防止されることから、直接プラズマに晒されることによって、導電性膜からアルミ金属が放出されることはない。 According to the sixth aspect of the invention, since the conductive film made of aluminum is prevented from being directly exposed to plasma, aluminum metal is released from the conductive film by being directly exposed to plasma. Absent.
本発明によれば、透過窓とチャンバとの間で気密保持するOリングの損傷を防止することができる。 According to the present invention, it is possible to prevent damage to the O-ring that is kept airtight between the transmission window and the chamber.
以下、本発明のプラズマ発生装置をプラズマ処理装置の1つであるプラズマアッシング装置に具体化した一実施形態を図面に従って説明する。
図1は、プラズマ発生装置としてのプラズマアッシング装置10の概略断面図を示す。プラズマアッシング装置10のチャンバ11は、全体形状が直方体をなし、アルミニウム(Al)製で形成されている。チャンバ11の内底面11aには、脚部12を介してステージ13が配置固定されている。ステージ13は、その上面に加工対象物としての半導体基板Wを載置する載置面13aが形成されている。
Hereinafter, an embodiment in which a plasma generator of the present invention is embodied in a plasma ashing apparatus which is one of plasma processing apparatuses will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a
チャンバ11を形成するトッププレート14は、その外側上方に突出した円柱体15が延出形成され、その円柱体15の中央位置にチャンバ11の外側と内側を貫通する開口部としての貫通穴18が形成されている。
The
円柱体15の上面15aには、導波管19が連結固定されている。導波管19は、前記貫通穴18に対応する位置に連結穴19aが形成され、その連結穴19aには円板状の誘電体透過窓としてのマイクロ波透過窓20が、同貫通穴18の上側開口部を閉塞するように配設されている。そして、導波管19の上流に設けた図示しないマイクロ波発振器からのマイクロ波が導波管19を伝搬しマイクロ波透過窓20を介して前記貫通穴18に導入されるようになっている。
A
円板状のマイクロ波透過窓20は、セラミックスや石英製などの誘電体透過窓であって、Oリング21を介して円柱体15の上面15aに対して密着固定されている。
詳述すると、図2に示すように、円柱体15の上面15aであって貫通穴18の上側開口部の外周には、環状の環状溝22が形成されている。その環状溝22には、Oリング21が、その上側が上面15aから突出するように配設されている。また、円柱体15の上面15aであって環状溝22の外側には、環状の間隔保持板23が配設されている。間隔保持板23は金属製であって、その厚さは環状溝22に配設されたOリング21の上部が同間隔保持板23の上面23aから突出する厚さである。
The disk-shaped
Specifically, as shown in FIG. 2, an
そして、マイクロ波透過窓20は、その下面20aの外周部が環状の間隔保持板23を介して円柱体15の上面15aに連結固定される。このとき、マイクロ波透過窓20の下面20aは、Oリング21と圧着し、マイクロ波透過窓20と円柱体15とが気密状態に保持連結されている。また、図3に示すように、Oリング21の内側におけるマイクロ波透過窓20と円柱体15との間には、間隔保持板23の厚さ分だけ隙間Dが生じる。
The
また、マイクロ波透過窓20の下面20aの外周部であって円柱体15の上面15aと連結する部分に位置する領域に、環状の導電性膜25が形成されている。詳述すると、環状の導電性膜25の径方向幅は、その内周端が貫通穴18の開口縁と対向し、その外周端が間隔保持板23の外周縁と対向する幅となっている。本実施形態では、導電性膜25はアルミニウム(Al)よりなる金属膜であって、金属蒸着によって形成している。そして、導電性膜25は、間隔保持板23を介して円柱体15の上面15a(チャンバ11)と電気的に接続されていることによって、アースされている。
An annular
従って、マイクロ波透過窓20を透過するマイクロ波のうち、マイクロ波透過窓20の外周部分を透過するマイクロ波は、マイクロ波透過窓20の下面20aに形成した環状の導電性膜25にてシールドされて、トッププレート14側に透過されない。つまり、間隔保持板23によってOリング21の内側に生じるマイクロ波透過窓20の下面20aと円柱体15上面15aとの隙間Dにマイクロ波が導入されることはない。
Therefore, among the microwaves transmitted through the
貫通穴18の下側開口部は、図4に示すように、貫通穴18の内径より大きな内径に拡開形成された嵌合凹部30が形成され、その嵌合凹部30の奥面30aには、4個の雌ねじ孔31が形成されている。また、前記嵌合凹部30に隣接した貫通穴18の内周面18aには、ガス導入路32が、前記円柱体15の外周面と連通するように貫通形成されている。そして、ガス導入路32は、上流に設けた図示しないガス供給手段から供給されるプラズマ形成用ガスを貫通穴18に導入する通路を形成する。
As shown in FIG. 4, the lower opening of the through
嵌合凹部30が形成された貫通穴18の下側開口部は、円板状の下蓋33にて閉塞されている。下蓋33は、中央に導出穴33aを貫通形成した円板状の下蓋本体34と、その下蓋本体34の下側外周面に延出形成したフランジ部35を有している。下蓋33は、下蓋本体34が貫通穴18に貫挿され、フランジ部35が嵌合凹部30に嵌合するようになっている。このとき、フランジ部35と嵌合凹部30の奥面30aの間には、緩衝用シート36が配設されている。緩衝用シート36は、フランジ部35の上面35a及び嵌合凹部30の奥面30aが膨張・収縮し、フランジ部35の上面35a及び嵌合凹部30の奥面30aとの間で直接擦れて摩耗するのを防止する。
The lower opening of the through
そして、フランジ部35に前記嵌合凹部30の雌ねじ孔31に対応して形成した挿通穴37にそれぞれ雄ねじ38を通して、各雄ねじ38を雌ねじ孔31に螺着させることによって、下蓋33(フランジ部35の上面35a)は、トッププレート14(嵌合凹部30の奥面30a)に対して締結固定される。
Then, the
これにより、円柱体15に形成した貫通穴18の上下両開口部がマイクロ波透過窓20と下蓋33にて閉塞された空間に、プラズマ生成室Sが区画形成される。
下蓋本体34の外周面には、環状の環状溝41が形成され、同環状溝41とその環状溝41を塞ぐ貫通穴18の内周面18aとで環状通路を形成している。環状溝41は、前記貫通穴18の内周面18aに形成したガス導入路32の開口部と対向する位置に形成され、ガス導入路32から導入されてくるプラズマ形成用ガスが環状通路(環状溝41)に導入されるようになっている。
As a result, the plasma generation chamber S is partitioned and formed in a space where the upper and lower openings of the through
An annular
下蓋本体34の上面外周縁には、プラズマ生成室Sと環状溝41(環状通路)を連通する4個の切り溝42が、等角度(90度)の間隔で切り欠き形成されている。そして、環状溝41に導入されたプラズマ形成用ガスは、該切り溝42を介してプラズマ生成室Sに導入される。
Four cut
プラズマ生成室Sに導入されたプラズマ形成用ガスは、同じくマイクロ波透過窓20を介して投入されたマイクロ波によって励起されプラズマとなる。そして、プラズマ生成室Sで生成されたプラズマは、下蓋33に形成された導出穴33aを介して下方のステージ13に載置された半導体基板Wに向かって導出される。
The plasma forming gas introduced into the plasma generation chamber S is excited by microwaves that are also introduced through the
下蓋本体34の下側であって前記導出穴33aの開口部と対向する位置に拡散板43が配置されている。拡散板43は、アルミニウム(Al)製よりなり、間隔保持部材44を介してボルト45にて下蓋本体34に対して連結固定されている。拡散板43は、下蓋本体34の導出穴33aから導出されたプラズマを拡散させ均一に半導体基板Wに晒すようにしている。そして、ステージ13に載置された半導体基板Wは、その半導体基板W上に形成したレジスト膜がプラズマにてアッシングされる。
A
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
(1)本実施形態によれば、マイクロ波透過窓20の下面20aの外周部であって円柱体15の上面15aと連結する部分に位置する領域に、環状の導電性膜25を形成し、マイクロ波透過窓20の外周部分を透過するマイクロ波を該導電性膜25にてシールドしてトッププレート14側に透過させないようにした。つまり、間隔保持板23によってOリング21の内側に生じるマイクロ波透過窓20の下面20aと円柱体15の上面15aとの隙間Dにマイクロ波が導入されないようにした。
As described above, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.
(1) According to the present embodiment, the annular
従って、Oリング21の内側に形成される隙間Dにおいて、プラズマ生成室Sに導入された反応ガスが侵入し、その反応ガスとマイクロ波透過窓20を透過してきたマイクロ波とで、プラズマが発生することはない。その結果、Oリング21はプラズマにて劣化されることはない。
Therefore, in the gap D formed inside the O-
(2)本実施形態によれば、間隔保持板23によってOリング21の内側に隙間Dを形成した。従って、プラズマ生成室Sで生成されるプラズマの発光熱による温度の変動によってそれぞれ膨張・収縮が繰り返されても、円柱体15(トッププレート14)の上面15aとマイクロ波透過窓20の下面20aが直接摩擦接触することがない。その結果、円柱体15(トッププレート14)の上面15aとマイクロ波透過窓20の下面20aが摩耗することはないと共に、パーティクルも発生しない。
(2) According to the present embodiment, the gap D is formed inside the O-
・上記実施形態では、誘電体透過窓としてのマイクロ波透過窓20を窒化アルミ(AlN)で形成したが、これに限定されるものではなく、例えば、石英等、その他誘電体部材でマイクロ波透過窓を形成してもよい。
In the above embodiment, the
・上記実施形態では、間隔保持板23によってOリング21の内側に隙間Dを形成した。これを、図5に示すように、間隔保持板23を省略し、円柱体15の上面15aであって環状溝22より内側の上面15aを、環状溝22の外の上面15aより低くなるように、切り欠いて段差面15bを形成し、隙間Dを形成してもよい。
In the above embodiment, the gap D is formed inside the O-
・上記実施形態では、マイクロ波透過窓20の下面20aにアルミニウムよりなる導電性膜25を形成した。これを、図6に示すように、環状の導電性膜25の表面であってOリング21より内側の表面に、アルマイト処理して酸化被膜50を形成してもよい。これによって、アルミよりなる導電性膜25が直接プラズマに晒されることによって、導電性膜25からアルミ金属が放出されるのを防止することができる。また、セラミックス溶射処理によって、Oリング21より内側の表面に、同様な、保護膜を形成するようにしてもよい。
In the above embodiment, the
・上記実施形態では、導電性膜25を、マイクロ波透過窓20の下面20aの外周部であって円柱体15の上面15aと連結する部分に位置する領域に形成した。これを、Oリング21から内側の領域に形成して実施してもよい。この場合にも、Oリング21の内側に生じるマイクロ波透過窓20の下面20aと円柱体15の上面15aとの隙間Dにマイクロ波が透過されることはない。
In the above embodiment, the
・上記実施形態では、マイクロ波透過窓20の下面20aに導電性膜25を形成した。これを、マイクロ波透過窓20の上面であってその外周部に形成してもよい。この場合にも、Oリング21の内側に生じるマイクロ波透過窓20の下面20aと円柱体15の上面15aとの隙間Dにマイクロ波を透過させないようにすることができる。
In the above embodiment, the
・上記実施形態では、プラズマ発生装置をプラズマ処理装置の1つであるプラズマアッシング装置10に具体化したが、プラズマを利用して半導体基板に対してドライエッチングを行うプラズマ処理装置に応用したり、表面改質を行うプラズマ処理装置に応用してもよい。また、プラズマ処理装置以外のプラズマ発生装置に応用してもよい。
In the above embodiment, the plasma generation apparatus is embodied in the
10…プラズマアッシング装置、11…チャンバ、13…ステージ、14…トッププレート、15…円柱体、15a…上面、15b…段差面、18…貫通穴、18a…内周面、19…導波管、19a…連結穴、20…マイクロ波透過窓、20a…下面、21…Oリング、22…環状溝、23…間隔保持板、23a…上面、25…導電性膜、30…嵌合凹部、30a…奥面、32…ガス導入路、33…下蓋、33a…導出穴、34…下蓋本体、35…フランジ部、41…環状溝、42…切り溝、D…隙間、S…プラズマ生成室、W…半導体基板。
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記誘電体透過窓の前記チャンバと連結する部分に位置する領域で、少なくとも密着するOリングより内側に、前記透過する電磁波をシールドする導電膜を形成したことを特徴とするプラズマ発生装置。 An opening is provided in the chamber into which the reaction gas is introduced, the opening is closed with a dielectric transmission window, and a high frequency or microwave electromagnetic wave is introduced into the chamber through the dielectric transmission window. And a plasma generator for generating plasma with the reaction gas,
A plasma generating apparatus, wherein a conductive film that shields the transmitted electromagnetic wave is formed at least inside an O-ring that is in close contact with a region located in a portion of the dielectric transmission window that is connected to the chamber.
前記Oリングより内側の前記誘電体透過窓と前記チャンバとの間に、隙間を形成したことを特徴とするプラズマ発生装置。 In the plasma generator of Claim 1,
A plasma generating apparatus, wherein a gap is formed between the dielectric transmission window inside the O-ring and the chamber.
前記隙間は、前記Oリングより外側の前記誘電体透過窓と前記チャンバとの間に、間隔保持板を介在させることによって形成したことを特徴とするプラズマ発生装置。 The plasma generator according to claim 2, wherein
The plasma generator according to claim 1, wherein the gap is formed by interposing a spacing plate between the dielectric transmission window outside the O-ring and the chamber.
前記隙間は、前記Oリングより内側の前記チャンバの表面を、Oリングより外側の前記チャンバの表面より、低い段差面にして形成したことを特徴とするプラズマ発生装置。 In the plasma generator of Claim 3,
The plasma generating apparatus according to claim 1, wherein the gap is formed such that a surface of the chamber inside the O-ring is a stepped surface lower than a surface of the chamber outside the O-ring.
前記導電膜は、アルミニウムで形成したことを特徴とするプラズマ発生装置。 In the plasma generator of any one of Claims 1-4,
The plasma generating apparatus, wherein the conductive film is made of aluminum.
前記アルミニウムで形成した導電膜は、その表面をアルマイト処理又はセラミックス溶射処理したことを特徴とするプラズマ発生装置。 In the plasma generator of Claim 5,
The plasma generating apparatus, wherein the conductive film formed of aluminum is subjected to alumite treatment or ceramic spraying treatment on the surface thereof.
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