JP2010245080A - 光電変換装置、エックス線撮像装置 - Google Patents
光電変換装置、エックス線撮像装置 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】接続信頼性を高めた光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、複数の層からなる素子層と、素子層内に設けられた光電変換素子と、前記素子層内に設けられた読出回路と、素子層の表層294に設けられて読出回路を外部に接続する外部接続端子211と、を備える。素子層には、読出回路の一部を構成する配線212上に、表層294を貫通して配線212の一部に通じるコンタクトホールH2が形成されている。外部接続端子211は、コンタクトホール内H2と表層294上とにわたって設けられて配線212と導通接続された導電膜を含む。導電膜において外部41に導通接続される接続領域A3が、コンタクトホールH2の開口と重ならない領域になっている。
【選択図】図5
【解決手段】本発明の光電変換装置は、複数の層からなる素子層と、素子層内に設けられた光電変換素子と、前記素子層内に設けられた読出回路と、素子層の表層294に設けられて読出回路を外部に接続する外部接続端子211と、を備える。素子層には、読出回路の一部を構成する配線212上に、表層294を貫通して配線212の一部に通じるコンタクトホールH2が形成されている。外部接続端子211は、コンタクトホール内H2と表層294上とにわたって設けられて配線212と導通接続された導電膜を含む。導電膜において外部41に導通接続される接続領域A3が、コンタクトホールH2の開口と重ならない領域になっている。
【選択図】図5
Description
本発明は、光電変換装置、エックス線撮像装置に関する。
従来から、フォトダイオードに入射した光を検知してイメージを読取るイメージセンサー(光電変換装置)が提案されている。イメージセンサーにおける光の入射領域には、行列状に区画された複数の画素領域が設けられている。複数の画素領域には、それぞれフォトダイオードと薄膜トランジスター(以下、TFTと略記する)とが設けられている。フォトダイオードの一方の電極は、TFTのソース領域と導通させて接続(以下、導通接続と称する)されている。フォトダイオードの他方の電極は、複数の画素領域で共通の共通電極になっている。行方向に並ぶ複数のTFTのドレイン領域は、一括してデータ線と導通接続されている。列方向に並ぶ複数のTFTのゲート電極は、一括して走査線と導通接続されている。
このようなイメージセンサーにおいて、フォトダイオードに光が入射するとフォトダイオードに電荷が発生する。走査線駆動回路により走査線に電圧が印加されるとTFTがオンになり、フォトダイオードに発生した電荷(電気信号)がデータ線に読出される。読出されたデータは、データ線駆動回路に出力される。複数の画素領域から電荷を順に読出すことにより、イメージを読取ることが可能になっている。
近年、イメージセンサーをエックス線撮像装置に適用する試みがなされている。エックス線撮像装置の1つとして、エックス線を受けて蛍光等を発するシンチレーターをイメージセンサーに組み合わせたものがある。このようなエックス線撮像装置は、例えば医療用機器への応用が考えられている。エックス線撮像装置は、エックス線フィルム等を用いた静止画撮像装置と比較して、透視画像をリアルタイムで得られるという長所がある。また、光電子増倍管とCCD素子を組み合わせた動画撮像装置等と比較して、高解像度な透視画像が得られるという長所もある。
ところで、前記のような光電変換装置において、走査線やデータ線は入射領域の周辺部に設けられた外部接続端子と導通接続されている。外部接続端子上には、外部接続回路を含んだ電子部品が実装される。電子部品は、例えばフレキシブルプリント基板(FPC)やICチップ等である。このような実装構造には、信頼性の向上が求められている。実装構造の信頼性を向上させる技術として、特許文献1に開示されている技術が挙げられる。
特許文献1では、TFTの保護膜とフォトダイオードの保護膜とを貫通するコンタクトホールを形成している。コンタクトホールは、底部から頂部に向うにつれて内径が大きくなるテーパー形状になっている。コンタクトホールの底部に走査線やデータ線等の配線を露出させ、コンタクトホール内の壁面に配線と接触する導電膜を形成して、配線を表面に引き出している。コンタクトホール上とその周辺の導電膜上にFPCが実装されている。
特許文献1の技術において、引き出された配線にFPC等を押圧して実装すると、コンタクトホール上で押圧力が緩和されることや空隙を生じること等により配線がFPC側と十分に密着しないおそれがある。また、押圧力を強くすると、コンタクトホール上でFPCが撓むことにより、FPCが破損してしまうおそれもある。
本発明は、前記事情に鑑み成されたものであって、接続信頼性を高めた光電変換装置、エックス線撮像装置を提供することを目的の1つとする。
本発明の光電変換装置は、複数の層からなる素子層と、前記素子層内に設けられた光電変換素子と、前記素子層内に設けられて前記光電変換素子から信号を読出す読出回路と、前記素子層の表層に設けられて前記読出回路を外部に接続する外部接続端子と、を備え、前記素子層には、前記読出回路の一部を構成する配線上に、前記表層を貫通して前記配線の一部に通じるコンタクトホールが形成されており、前記外部接続端子は、前記コンタクトホール内と前記表層上とにわたって設けられて前記配線と導通接続された導電膜を含み、前記導電膜において前記外部に導通接続される接続領域が、前記コンタクトホールの開口と重ならない領域になっていることを特徴とする。
このようにすれば、導電膜が配線と導通接続されており、表層上にわたって設けられているので、導電膜を介して配線を外部に導電接続することができる。導電膜において外部に導通接続される接続領域が、コンタクトホールの開口と重ならない領域になっているので、接続領域に実装される実装対象物を接続領域に良好に密着させることができる。したがって、配線と外部との接続信頼性が高くなり、読出回路を良好に動作させることができる。よって、光電変換装置を良好に動作させることができ、光電変換装置が高信頼性なものになる。
また、前記素子層は、前記表層の下層に配置された平坦化膜を含んでいることが好ましい。
このようにすれば、表層上が平坦化されるので接続領域における導電膜が平坦になり、接続領域と外部とを良好に密着させることができる。また、接続領域上と、接続領域以外の表層上とが平坦化されるので、表層上の凹凸がスペーサとなり接続領域と外部とが密着しなくなることが回避される。
このようにすれば、表層上が平坦化されるので接続領域における導電膜が平坦になり、接続領域と外部とを良好に密着させることができる。また、接続領域上と、接続領域以外の表層上とが平坦化されるので、表層上の凹凸がスペーサとなり接続領域と外部とが密着しなくなることが回避される。
また、前記導電膜において面方向の中心位置が、前記コンタクトホールの開口内に位置していないことが好ましい。
このようにすれば、導電膜においてコンタクトホールの開口と重ならない領域の面積が確保されるので、接続領域の面積を確保することができ、接続領域と外部との接続信頼性を高めることができる。
このようにすれば、導電膜においてコンタクトホールの開口と重ならない領域の面積が確保されるので、接続領域の面積を確保することができ、接続領域と外部との接続信頼性を高めることができる。
また、外部駆動回路を含んだ電子部品を備え、前記電子部品の接続端子が、前記接続領域における前記外部接続端子と電気的に接続されている構成にしてもよい。
このようにすれば、電子部品の接続端子が接続領域における導電膜と良好に導通接続されるので、外部駆動回路からの信号を確実に読出回路に伝達させることができる。したがって、読出回路を良好に動作させることができ、光電変換装置を良好に動作させることができる。
このようにすれば、電子部品の接続端子が接続領域における導電膜と良好に導通接続されるので、外部駆動回路からの信号を確実に読出回路に伝達させることができる。したがって、読出回路を良好に動作させることができ、光電変換装置を良好に動作させることができる。
本発明のエックス線撮像装置は、前記の本発明の光電変換装置と、入射したエックス線を該エックス線よりも長波長の光に変換して該光を前記光電変換装置に向けて射出する光変換部と、を備えていることを特徴とする。
本発明の光電変換装置は高信頼性なものになっているので、本発明のエックス線撮像装置も高信頼性なものになる。
本発明の光電変換装置は高信頼性なものになっているので、本発明のエックス線撮像装置も高信頼性なものになる。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。説明に用いる図面において、特徴的な部分を分かりやすく示すために、図面中の構造の寸法や縮尺を実際の構造に対して異ならせている場合がある。また、実施形態において同様の構成要素については、同じ符号を付して図示し、その詳細な説明を省略する場合がある。
図1は、本実施形態に係るエックス線撮像装置1の概略構成を示す斜視図である。図1に示すようにエックス線撮像装置1は、光電変換装置2とシンチレーター(光変換部)3を含んでいる。光電変換装置2は、本発明の光電変換装置を適用したものである。
光電変換装置2は、略矩形状の光検出領域A1を有している。光検出領域A1は、略矩形状の複数の画素領域A2に区画されている。複数の画素領域A2は、行列状に配置されている。複数の画素領域A2域の各々に、後述する光電変換素子が配置されている。光検出領域A1の一辺に沿う周辺部(額縁)には、複数の第1外部接続端子211が設けられている。第1外部接続端子211は、第1のFPC4と接続されている。第1のFPC4は、複数の接続端子、接続端子の各々に接続された配線等を含んでいる。第1のFPC4の接続端子は、第1外部接続端子211と導通接続されている。第1のFPC4の配線は、図示略の走査線駆動回路(外部駆動回路)と接続されている。
光検出領域A1の他辺に沿う周辺部には、複数の第2外部接続端子221が設けられている。第2外部接続端子221は、第2のFPC5と接続されている。第2のFPC5は、複数の接続端子、接続端子の各々に接続された配線等を含んでいる。第2のFPC5の接続端子は、第2外部接続端子221と1対1で導通接続されている。第2のFPC5の配線は、図示略のデータ駆動回路(外部駆動回路)と接続されている。エックス線撮像装置1は、概略すると以下のように動作する。
例えば、エックス線撮像装置1は医療用機器であり、撮像対象物9は人である。エックス線L1の射出源8から射出されたエックス線L1は、撮像対象物9に入射する。撮像対象物9に入射したエックス線L1の一部は、撮像対象物9で散乱・吸収される。これにより、撮像対象物9を透過したエックス線L2の強度分布は、撮像対象物9の内部組成や内部構造を反映した分布になる。撮像対象物9を透過したエックス線L2は、シンチレーター3に入射する。シンチレーター3は、ヨウ化セシウム(CsI)等からなる膜により構成されており、実際には光電変換装置2の光検出領域A1側に当接して配置されている。シンチレーター3は、入射したエックス線L2をエックス線L2よりも長波長の蛍光L3に変換して射出する。射出された蛍光L3の強度分布は、シンチレーター3に入射するエックス線L2の強度分布を反映した分布になる。
シンチレーター3から射出された蛍光L3は、光電変換装置2の複数の画素領域A2に空間的に分かれて入射する。画素領域A2に入射した光は、この画素領域A2に配置された光電変換素子に電荷を発生させる。この電荷は、読出回路により画素領域A2ごとに読出され、撮像対象物9の透視画像を示すデータになる。
図2は、光電変換装置2の読出回路の構成を示す模式図であり、図3は、画素領域A2の平面構成を拡大して示す平面図である。図3では、図を見やすくするために光電変換装置2のいくつかの構成要素の図示を省いている。
図2に示すように、読出回路は、互いに平行して延在する複数の走査線(配線)212を含んでいる、複数の走査線212は、走査線212ごとに第1外部接続端子211と導通接続されている。走査線212と略直交する方向に沿って、複数のデータ線222が延設されている。複数のデータ線(配線)222は、データ線222ごとに第2外部接続端子221と導通接続されている。データ線222と略平行な方向に沿って、複数のバイアス線23が延設されている。複数のバイアス線23は、図示略のグランドラインに一括して接続されている。
走査線駆動回路21、データ線駆動回路22は、それぞれシフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチ等を含んでいる。走査線駆動回路21、データ線駆動回路22は、それぞれ第1のFPC4の接続端子、第2のFPC5の接続端子を介して、第1外部接続端子211、第2外部接続端子221と電気的に接続されている。
走査線212とデータ線222とにより区画される領域の各々が画素領域A2になっている。画素領域A2は、例えば50〜100μm角の概略矩形状の領域である。図3に示すように、複数の画素領域A2の各々に、フォトダイオード(光電変換素子)25が配置されている。画素領域A2において走査線212がデータ線222と交差する領域付近には、TFT(薄膜トランジスター)24が配置されている。
TFT24のゲート電極241は、走査線212と一体に形成されている。走査線212において、画素領域A2に張り出して形成された部分がゲート電極241になっている。TFT24のドレイン領域242は、データ線222において画素領域A2に張り出して形成された部分と導通接続されている。TFT24のソース領域243は、導電部281と導通接続されている。フォトダイオード25の第1電極251は、コンタクトホールH1内に埋め込まれており、コンタクトホールH1内で導電部281と導通接続されている。フォトダイオード25の第2電極252は、バイアス線23と導通接続されている。
本実施形態の第2電極252は、画素領域A2ごとに独立して設けられている。バイアス線23の延在方向に並ぶ複数のフォトダイオード25の第2電極252は、このバイアス線23に一括して導電接続されている。走査線212やデータ線222は、画素領域A2の間に設けられており、第2電極252は、走査線212やデータ線222と平面的に重なり合わないようになっている。これにより、第2電極252と走査線212との間の容量、第2電極252とデータ線222との間の容量が低減される。
フォトダイオード25に蛍光L3が入射すると、フォトダイオード25の光電変換層に電荷が生じる。走査線駆動回路21から走査線212に走査信号が供給されると、この走査線212に接続された複数のTFT24がオンになる。TFT24がオンになると、フォトダイオード25に生じた電荷がTFT24のチャネル領域を通ってデータ線222に流れ、この電流が電気信号としてデータ線駆動回路22に読出される。このように、1つの走査線212に接続された複数のTFT24から電気信号が並行して読出される。
1つの走査線212に対応するTFT24から電気信号が読出された後に、複数のデータ線222は放電されて所定の電位に保持される。複数のデータ線222が所定の電位になった後に、次の走査線212に走査線駆動回路21から走査信号が供給される。同様にして複数のフォトダイオード25に発生した電荷の各々に対応した電気信号が順に読出される。前記のように、走査線212やデータ線222と第2電極252との間の容量が低減されているので、走査線212やデータ線222を通る電気信号に容量に起因するノイズを生じることが低減される。
図4は、図3におけるB−B’線に沿う断面図である。図4に示すように、光電変換装置2は、例えばガラス等からなる基板20上に素子層が形成された構造になっている。本実施形態の素子層は、第3パッシベーション膜294を表層として、表層、及び表層と基板20との間に配置された各層により構成されている。基板20上には、TFT24が設けられている。TFT24は、ゲート電極241、ドレイン領域242、ソース領域243、ゲート絶縁膜244、半導体層245を含んでいる。
ゲート電極241は、適宜選択される配線材料、例えばアルミニウム、モリブデン、チタン、銀、タンタル、クロム、タングステン等のメタル材料の単体や合金からなる。本実施形態のゲート電極241は、アルミニウム・モリブデンからなる。ゲート絶縁膜244は、ゲート電極241を覆って、基板20上のほぼ全面に設けられている。ゲート絶縁膜244は、シリコン窒化物やシリコン酸化物等の絶縁材料からなる。本実施形態のゲート絶縁膜244は、シリコン窒化物等からなり、厚みが200〜500nm程度のものである。
半導体層245は、例えばポリシリコンやアモルファスシリコン等からなる。ドレイン領域242、ソース領域243は、半導体層245上において、互いに離れた位置に設けられている。ドレイン領域242、ソース領域243は、例えば不純物が高濃度に注入されたアモルファスシリコンからなる。半導体層245においてドレイン領域242、ソース領域243間の領域が、チャネル領域として機能する。
ドレイン領域242に接触して、データ線222が設けられている。ソース領域243と接触して、ソース領域243上からゲート絶縁膜244上に連続して導電部281が設けられている。データ線222、導電部281は、例えばアルミニウム・モリブデン等の配線材料からなる。データ線222、導電部281、ゲート絶縁膜244等を覆って、TFT24を保護する第1パッシベーション膜291が設けられている。第1パッシベーション膜291は、基板20のほぼ全面にわたって設けられている。第1パッシベーション膜291は、例えばシリコン窒化物からなり、厚みが200nm〜500nm程度のものである。
第1パッシベーション膜291には、導電部281に通じるコンタクトホールH1が設けられている。コンタクトホールH1内と第1パッシベーション膜291上とに連続して、第1電極251が設けられている。第1電極251は、コンタクトホールH1内で導電部281と接触している。第1パッシベーション膜291上に引き出された第1電極251上に、p型の半導体層253、i型の半導体層254、n型の半導体層255が、第1電極251側からこの順に配置されている。半導体層253〜255により、光電変換層が構成されている。光電変換層上には、第2電極252が形成されている。第2電極252は、光の入射側になっており、例えばインジウム錫酸化物(ITO)等の透明導電材料からなっている。
第2電極252の中央部を除いたフォトダイオード25を覆って第2パッシベーション膜292が設けられている。ここでは、第2パッシベーション膜292が基板20上のほぼ全面に設けられている。第2パッシベーション膜292は、例えばシリコン窒化物からなり、厚みが200〜500nm程度のものである。
フォトダイオード25の中央部を除いた基板20上のほぼ全面を覆って、平坦化膜293が設けられている。平坦化膜293は、例えばポリイミド樹脂やアクリル樹脂等の樹脂材料からなり、厚みが1〜5μm程度のものである。
平坦化膜293の間に露出した第2電極252の中央部に接触して、バイアス線23が形成されている。バイアス線23は、画素領域A2の第2電極252上から平坦化膜293上を経て別の画素領域A2上に延設されている。バイアス線23は、平坦化膜293上にて走査線212と立体的に交差している。バイアス線23は、第2電極252よりも導電性が高い配線材料、例えばアルミニウム・モリブデン等のメタル材料からなる。
平坦化膜293と、平坦化膜293の間に露出したフォトダイオード25と、バイアス線23とを覆って、第3パッシベーション膜294が設けられている。第3パッシベーション膜294が基板20上のほぼ全面に設けられている。第3パッシベーション膜294は、例えばシリコン窒化物からなり、厚みが200〜500nm程度のものである。
次に、第1外部接続端子211、第2外部接続端子221の構造について説明する。図5(a)は、第1外部接続端子211を含んだ第1端子部の平面図であり、図5(b)は、図5(a)のC−C’線矢視断面図である。図6(a)は、第2外部接続端子221を含んだ第2端子部の平面図であり、図6(b)は、図6(a)のD−D’線矢視断面図である。図5(a)、図6(a)では、図を見やすくするために、パッシベーション膜等の図示を省略している。
図5(a)、(b)に示すように、第1端子部は、コンタクトホールH2、第1外部接続端子211、走査線212の端部を含んでいる。コンタクトホールH2は、走査線212の端部と平面的に重なる位置に設けられている。コンタクトホールH2は、第3パッシベーション膜294、平坦化膜293、第2パッシベーション膜292、第1パッシベーション膜291、ゲート絶縁膜244を貫通して設けられている。コンタクトホールH2の走査線212側の開口は、その全体が平面視した走査線212内に収まるように形成されている。
第1外部接続端子211は、コンタクトホールH2内と第3パッシベーション膜294上とに連続して設けられた導電膜により構成されている。この導電膜は、コンタクトホールH2内で走査線212と接触して導通接続されている。本実施形態の第1外部接続端子211は、ITOからなっており、走査線212等を腐食や酸化から保護する保護膜としても機能する。
本実施形態の第1外部接続端子211は、平面視略矩形状のものである。ここでは、第1外部接続端子211の面方向の中心位置が、コンタクトホールH2の開口外側に位置するように、第1外部接続端子211を構成する導電膜が形成されている。換言すると、コンタクトホールH2は、第1外部接続端子211の中心位置よりも長辺方向の一端(光電変換装置2の中央側)に寄せて配置されている。コンタクトホールH2よりも第1外部接続端子211の他端側(光電変換装置2の外周側)は、接続領域A3になっている。第1のFPC4の接続端子41は、接続領域A3内に位置するように位置合わせされており、接続領域A3の第1外部接続端子211と接続導電部43を介して間接的に当接している。接続導電部43は、例えば異方性導電フィルム(ACF)や異方性導電ペースト(ACP)等からなり、接続領域A3の第1外部接続端子211と接続端子41とを導通接続している。接続端子41は、第1のFPC4の配線42と一体に形成されており、図示略の走査線駆動回路と電気的に接続されている。
図6(a)、(b)に示すように、第2端子部は、第1端子部と同様の構成になっており、コンタクトホールH3、第2外部接続端子221、データ線222の端部を含んでいる。コンタクトホールH3は、データ線222の端部と平面的に重なる位置に設けられている。コンタクトホールH3は、第3パッシベーション膜294、平坦化膜293、第2パッシベーション膜292、第1パッシベーション膜291を貫通して設けられている。第2外部接続端子221は、コンタクトホールH2内と第3パッシベーション膜294上とに連続して設けられた導電膜により構成されている。この導電膜は、第1端子部の導電膜と同一の工程で形成されたものであり、ここではITOからなっている。
本実施形態の第2外部接続端子221は、平面視略矩形状のものである。コンタクトホールH3は、第2外部接続端子221の中心位置よりも長辺方向の一端に寄せて配置されている。コンタクトホールH3よりも第2外部接続端子221の他端側は、接続領域A4になっている。第2のFPC5の接続端子51は、接続領域A3の第2外部接続端子221と接続導電部53を介して間接的に当接している。接続導電部53は、例えばACFやACP等からなり、接続領域A4の第2外部接続端子221と接続端子51とを導通接続している。接続端子51は、第2のFPC5の配線52と一体に形成されており、図示略のデータ駆動回路と電気的に接続されている。
ところで、光電変換装置2に第1のFPC4を実装する方法としては、例えば以下のような方法が挙げられる。まず、複数の第1外部接続端子211の接続領域A3に一括してACFを配置し、接続領域A3と第1のFPC4の接続端子41とを位置合わせする。そして、第1外部接続端子211と接続端子41との間にACFが挟まれた状態で、ACFを加熱しつつ、第1のFPC4を第1外部接続端子211に押圧する。すると、ACF内に分散されている導電粒子が互いに押し付けられることで、導電粒子間に導電経路が構成される。このような導電経路の一端が接続端子41と接触し、他端が第1外部接続端子211と接触することにより、接続端子41が第1外部接続端子211と導電接続される。
光電変換装置2において、接続領域A3がコンタクトホールH2の開口と重ならない領域であるので、接続領域A3内にコンタクトホールH2に起因する段差がない。したがって、第1外部接続端子211と接続端子41とを互いに押圧する力が接続領域A3において均一に作用し、第1外部接続端子211と接続端子41とを良好に密着させることができる。よって、第1外部接続端子211と接続端子41との接続信頼性が高くなり、走査線駆動回路21からの走査信号を、第1外部接続端子211、走査線212を介してTFT24のゲート電極241に良好に伝達することが可能になる。
また、第2のFPC5についても同様にして、第2外部接続端子221と接続端子51とを良好に密着させることができ、フォトダイオード25からの電気信号をデータ線222、第2外部接続端子221を介して、データ線駆動回路22に良好に読出すことが可能になる。以上のように、光電変換装置2にあっては、TFT24のゲート電極241に走査信号が良好に伝達されるので、TFT24を正確なタイミングでオンオフすることができる。また、フォトダイオード25からの電気信号が高信頼性で読出されるので、良好な透視画像が得ることが可能になっている。
なお、本発明の技術範囲は前記実施形態に限定されるものではない。本発明の主旨を逸脱しない範囲内で多様な変形が可能である。例えば、第1外部接続端子211と第2外部接続端子221とを配線の引き回し等により、光検出領域A1の一辺に沿う周辺部に配列し、1つのFPCあるいはICチップと接続させた構成を採用してもよい。
また、前記実施形態では、データ線222がバイアス線23と略平行になっているが、走査線212がバイアス線23と略平行になっていてもよい。フォトダイオード25に生じた電荷を保持する保持容量や、電流を増幅する増幅用TFT等を設けてもよい。
また、外部接続端子の態様についても様々な変形が考えられる。以下、第1、第2変形例の第1端子部について説明する。
また、外部接続端子の態様についても様々な変形が考えられる。以下、第1、第2変形例の第1端子部について説明する。
図7(a)は、第1変形例の第1端子部の構成を示す平面図である。図7(a)に示すように、第1変形例が前記実施形態と異なる点は、走査線212の延在方向に対する直交方向において、第1外部接続端子211の中心から第1外部接続端子211の一端に寄せて、コンタクトホールH2が配置されている点である。
接続端子41の延在方向は、走査線212の延在方向と略平行になっている。走査線212や接続端子41は、第1外部接続端子211よりも導電率が高い形成材料からなっている。接続端子41は、コンタクトホールH2に近接させて配置されている。コンタクトホールH2内に露出した走査線212の露出部212aは、走査線212の延在方向の長さが、延在方向に対する幅よりも長くなっている。接続端子41は、露出部212aと、延在方向に沿った一辺、すなわち長辺を向かい合わせて配置されている。接続端子41と露出部212aとが前記直交方向において重なり合う部分の長さは、接続端子41の幅や走査線212の幅よりも大きくなっている。
第1変形例の接続端子41は、コンタクトホールH2に近接して配置されており、また走査線212の露出部と対面する長さが幅よりも大きくなっている。したがって、接続端子41と第1外部接続端子211との間の抵抗値が低くなり、光電変換装置2の電気特性が良好になる。
図7(b)は、第2変形例の第1端子部の構成を示す平面図である。図7(b)に示すように、第2変形例が前記実施形態と異なる点は、走査線212の延在方向における第1外部接続端子211の幅が、コンタクトホールH2と対応する部分において接続領域A3と対応する部分よりも狭くなっている点である。
接続領域A3に比べてコンタクトホールH2の周辺では、コンタクトホールH2に起因する凹凸により、第1外部接続端子211を構成する導電膜のパターニング精度が低くなりやすい。第2変形例では、コンタクトホールH2と対応する部分において、複数の第1外部接続端子211の間隔が大きくなるので、複数の第1外部接続端子211間の短絡が防止される。
また、第1外部接続端子211において幅が変化する幅変化部211aは、コンタクトホールH2と接続領域A3との間に位置している。したがって、コンタクトホールH2と接続領域A3とが並ぶ方向において第1のFPC4を位置合わせする際に、幅変化部211aをアライメントマークとして用いることもできる。例えば、コンタクトホールH2と接続領域A3とが並ぶ方向に直交する第1のFPC4の外周を、第幅変化部211aと位置合わせすることにより、コンタクトホールH2と重ならない領域に接続端子41を配置することができる。
以上のような第1、第2変形例の他にも、例えば第1外部接続端子211を保護する保護膜を絶縁材料で形成しておき、接続領域A3上の保護膜を除去して接続領域A3を露出させた構成等も考えられる。これにより、コンタクトホールH2の形成領域と、接続領域A3とを区画することができる。
1・・・エックス線撮像装置、2・・・光電変換装置、3・・・シンチレーター、4・・・第1のFPC(電子部品)、5・・・第2のFPC(電子部品)、24・・・TFT(読出回路)、25・・・フォトダイオード(光電変換素子)、211・・・第1外部接続端子(外部接続端子)、212・・・走査線(配線)、221・・・第2外部接続端子(外部接続端子)、222・・・データ線(配線)、293・・・平坦化膜、A3・・・接続領域、H2・・・コンタクトホール
Claims (5)
- 複数の層からなる素子層と、
前記素子層内に設けられた光電変換素子と、
前記素子層内に設けられて前記光電変換素子から信号を読出す読出回路と、
前記素子層の表層に設けられて前記読出回路を外部に接続する外部接続端子と、を備え、
前記素子層には、前記読出回路の一部を構成する配線上に、前記表層を貫通して前記配線の一部に通じるコンタクトホールが形成されており、
前記外部接続端子は、前記コンタクトホール内と前記表層上とにわたって設けられて前記配線と導通接続された導電膜を含み、
前記導電膜において前記外部に導通接続される接続領域が、前記コンタクトホールの開口と重ならない領域になっていることを特徴とする光電変換装置。 - 前記素子層は、前記表層の下層に配置された平坦化膜を含んでいることを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記導電膜において面方向の中心位置が、前記コンタクトホールの開口内に位置していないことを特徴とする請求項1又は2に記載の光電変換装置。
- 外部駆動回路を含んだ電子部品を備え、
前記電子部品の接続端子が、前記接続領域における前記外部接続端子と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の光電変換装置。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の光電変換装置と、
入射したエックス線を該エックス線よりも長波長の光に変換して該光を前記光電変換装置に向けて射出する光変換部と、を備えていることを特徴とするエックス線撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009088631A JP2010245080A (ja) | 2009-04-01 | 2009-04-01 | 光電変換装置、エックス線撮像装置 |
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Country Status (1)
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02264470A (ja) * | 1989-04-05 | 1990-10-29 | Konica Corp | マトリックス駆動型イメージセンサー |
JP2003513472A (ja) * | 1999-11-02 | 2003-04-08 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 完成度の高いコンタクトバイアを備え且つfetの光応答を低減したイメージャ |
JP2003124450A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-04-25 | Canon Inc | 撮像装置 |
-
2009
- 2009-04-01 JP JP2009088631A patent/JP2010245080A/ja not_active Withdrawn
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