JP2010244850A

JP2010244850A - Organic el display

Info

Publication number: JP2010244850A
Application number: JP2009092331A
Authority: JP
Inventors: Shiro Sumida; 祉朗炭田; Takashi Takenaka; 貴史竹中
Original assignee: Toshiba Mobile Display Co Ltd
Current assignee: Japan Display Central Inc
Priority date: 2009-04-06
Filing date: 2009-04-06
Publication date: 2010-10-28

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL display for suppressing increase of a production cost. SOLUTION: The organic EL display includes an organic EL element OLED provided with an insulation substrate 100, an insulation membrane 114 arranged on an active area 102 and around a peripheral area 104 of the active area 102 above the insulation substrate 100, a pixel electrode PE arranged on the insulation membrane 114 of the active area 102, an organic layer ORG arranged on the pixel electrode PE, and a counter electrode CE arranged on the organic layer ORG, an electrode pad 131 arranged on the peripheral area 104 above the insulation substrate 100, an elastic layer 132 arranged between the insulation substrate 100 and the electrode pad 131, and a protective layer 115 for covering the organic EL element OLED and the electrode pad 131. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescence (EL) display device.

近年、自発光型で、高速応答、広視野角、高コントラストの特徴を有し、かつ、更に薄型軽量化が可能な有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子を用いた表示装置の開発が盛んに行われている。 In recent years, active development of display devices using organic electroluminescence (EL) elements that are self-luminous, have high-speed response, wide viewing angle, high contrast, and can be made thinner and lighter. It has been broken.

例えば、特許文献１によれば、駆動用基板に表示領域及び外部接続領域を設け、駆動用基板の全面に保護膜を形成して表示領域及び外部接続領域を覆った後に、外部接続領域を覆う保護膜をエッチングによって除去し、駆動用基板と封止用基板とを接着層を介して貼り合わせた完全固体封止構造の表示装置が開示されている。 For example, according to Patent Document 1, a display region and an external connection region are provided on a driving substrate, a protective film is formed on the entire surface of the driving substrate to cover the display region and the external connection region, and then the external connection region is covered. A display device having a completely solid sealing structure in which a protective film is removed by etching and a driving substrate and a sealing substrate are bonded to each other through an adhesive layer is disclosed.

しかしながら、外部接続領域を覆う保護膜を除去する工程が必要であり、製造コストの増大を招く。 However, a process for removing the protective film covering the external connection region is necessary, resulting in an increase in manufacturing cost.

特開２００４−１２７６３７号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2004-127637

本発明の目的は、製造コストの増大を抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide an organic EL display device capable of suppressing an increase in manufacturing cost.

本発明の一態様によれば、
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方においてアクティブエリア及び前記アクティブエリアの周辺エリアに配置された絶縁膜と、前記アクティブエリアの前記絶縁膜の上に配置された画素電極と、前記画素電極の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えた有機ＥＬ素子と、前記絶縁基板の上方において前記周辺エリアに配置された電極パッドと、前記絶縁基板と前記電極パッドとの間に配置された弾性層と、
前記有機ＥＬ素子及び前記電極パッドを覆う保護膜と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。 According to one aspect of the invention,
An insulating substrate, an active film above the insulating substrate, an insulating film disposed in a peripheral area of the active area, a pixel electrode disposed on the insulating film in the active area, and on the pixel electrode An organic EL device comprising: an organic layer disposed; and a counter electrode disposed on the organic layer; an electrode pad disposed in the peripheral area above the insulating substrate; the insulating substrate; An elastic layer disposed between the electrode pads;
There is provided an organic EL display device comprising a protective film covering the organic EL element and the electrode pad.

本発明によれば、製造コストの増大を抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することができる。 According to the present invention, an organic EL display device capable of suppressing an increase in manufacturing cost can be provided.

図１は、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。FIG. 1 is a plan view schematically showing a configuration of an organic EL display device according to an aspect of the present invention. 図２は、第１実施形態における有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子を含む表示パネルの概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a display panel including an organic EL element of the organic EL display device according to the first embodiment. 図３は、図２に示した有機ＥＬ表示装置の接続部を拡大した図である。FIG. 3 is an enlarged view of a connection portion of the organic EL display device shown in FIG. 図４は、第１実施形態における第１実験の結果を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a result of the first experiment in the first embodiment. 図５は、第１実施形態における第２実験の結果を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a result of the second experiment in the first embodiment. 図６は、第２実施形態における有機ＥＬ表示装置の接続部を拡大した図である。FIG. 6 is an enlarged view of a connection portion of the organic EL display device according to the second embodiment. 図７は、第３実施形態における有機ＥＬ表示装置の接続部を拡大した図である。FIG. 7 is an enlarged view of a connection portion of the organic EL display device according to the third embodiment.

以下、本発明の一態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。 Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In each figure, the same reference numerals are given to components that exhibit the same or similar functions, and duplicate descriptions are omitted.

図１は、有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。 FIG. 1 is a plan view schematically showing a configuration of an organic EL display device.

すなわち、有機ＥＬ表示装置は、表示パネル１を備えている。この表示パネル１は、アレイ基板１００及び封止基板２００を備えている。アレイ基板１００は、画像を表示するアクティブエリア１０２において、マトリクス状に配置された複数の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを備えている。封止基板２００は、アクティブエリア１０２において、アレイ基板１００の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと向かい合っている。 That is, the organic EL display device includes a display panel 1. The display panel 1 includes an array substrate 100 and a sealing substrate 200. The array substrate 100 includes a plurality of organic EL elements OLED arranged in a matrix in an active area 102 that displays an image. The sealing substrate 200 faces the organic EL element OLED of the array substrate 100 in the active area 102.

これらのアレイ基板１００及び封止基板２００は、アクティブエリア１０２を囲む枠状に形成されたシール材３００によって貼り合わせされている。シール材３００は、例えば、紫外線硬化型樹脂などの有機系材料によって形成されている。アレイ基板１００と封止基板２００との間には、シール材３００によって囲まれた内側に樹脂層３１０が充填されている。このような樹脂層３１０は、例えば、紫外線硬化型樹脂などの有機系材料によって形成されている。 The array substrate 100 and the sealing substrate 200 are bonded together by a sealing material 300 formed in a frame shape surrounding the active area 102. The sealing material 300 is made of, for example, an organic material such as an ultraviolet curable resin. Between the array substrate 100 and the sealing substrate 200, a resin layer 310 is filled inside surrounded by the sealing material 300. Such a resin layer 310 is formed of, for example, an organic material such as an ultraviolet curable resin.

また、アレイ基板１００は、アクティブエリア１０２の外側の周辺エリア１０４において、封止基板２００の端部２００Ｅから外方に向かって延在した延在部１１０を備えている。この延在部１１０には、接続部１３０が設けられている。この接続部１３０には、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに電源や各種制御信号などの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを駆動するのに必要な信号を供給する駆動ＩＣチップやフレキシブル・プリンテッド・サーキット（以下、ＦＰＣと称する）などの信号供給源が接続可能である。 In addition, the array substrate 100 includes an extending portion 110 that extends outward from the end portion 200E of the sealing substrate 200 in the peripheral area 104 outside the active area 102. The extension part 110 is provided with a connection part 130. The connection unit 130 includes a driving IC chip and a flexible printed circuit (hereinafter referred to as FPC) that supply signals necessary for driving the organic EL element OLED such as a power source and various control signals to the organic EL element OLED. A signal supply source such as) can be connected.

図２は、第１実施形態における有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを含む表示パネル１の断面図である。 FIG. 2 is a cross-sectional view of the display panel 1 including the organic EL element OLED of the organic EL display device according to the first embodiment.

アレイ基板１００は、ガラスなどの絶縁基板１０１、絶縁基板１０１の上に形成されたスイッチング素子ＳＷ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤなどを有している。絶縁基板１０１の上には、アンダーコート層１１１が配置されている。このアンダーコート層１１１は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などによって形成されている。このようなアンダーコート層１１１は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。 The array substrate 100 includes an insulating substrate 101 such as glass, a switching element SW formed on the insulating substrate 101, an organic EL element OLED, and the like. An undercoat layer 111 is disposed on the insulating substrate 101. The undercoat layer 111 is formed of, for example, silicon oxide or silicon nitride. Such an undercoat layer 111 extends over substantially the entire active area 102.

アンダーコート層１１１の上には、スイッチング素子ＳＷの半導体層ＳＣが配置されている。この半導体層ＳＣは、例えばポリシリコンによって形成されている。この半導体層ＳＣには、チャネル領域ＳＣＣを挟んでソース領域ＳＣＳ及びドレイン領域ＳＣＤが形成されている。 On the undercoat layer 111, the semiconductor layer SC of the switching element SW is disposed. The semiconductor layer SC is made of, for example, polysilicon. In the semiconductor layer SC, a source region SCS and a drain region SCD are formed with a channel region SCC interposed therebetween.

半導体層ＳＣは、ゲート絶縁膜１１２によって被覆されている。また、ゲート絶縁膜１１２は、アンダーコート層１１１の上に配置されている。このゲート絶縁膜１１２は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などによって形成されている。このようなゲート絶縁膜１１２は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。 The semiconductor layer SC is covered with a gate insulating film 112. The gate insulating film 112 is disposed on the undercoat layer 111. The gate insulating film 112 is made of, for example, silicon oxide or silicon nitride. Such a gate insulating film 112 extends over substantially the entire active area 102.

ゲート絶縁膜１１２の上には、チャネル領域ＳＣＣの直上にスイッチング素子ＳＷのゲート電極Ｇが配置されている。この例では、スイッチング素子ＳＷは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタである。このゲート電極Ｇは、パッシベーション膜１１３によって被覆されている。また、パッシベーション膜１１３は、ゲート絶縁膜１１２の上に配置されている。このパッシベーション膜１１３は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などによって形成されている。このようなパッシベーション膜１１３は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。 On the gate insulating film 112, the gate electrode G of the switching element SW is disposed immediately above the channel region SCC. In this example, the switching element SW is a top gate type p-channel thin film transistor. The gate electrode G is covered with a passivation film 113. The passivation film 113 is disposed on the gate insulating film 112. The passivation film 113 is formed of, for example, silicon oxide or silicon nitride. Such a passivation film 113 extends over substantially the entire active area 102.

パッシベーション膜１１３の上には、スイッチング素子ＳＷのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄが配置されている。ソース電極Ｓは、半導体層ＳＣのソース領域ＳＣＳにコンタクトしている。ドレイン電極Ｄは、半導体層ＳＣのドレイン領域ＳＣＤにコンタクトしている。スイッチング素子ＳＷのゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ、及び、ドレイン電極Ｄは、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）などを用いて形成されている。 On the passivation film 113, the source electrode S and the drain electrode D of the switching element SW are disposed. The source electrode S is in contact with the source region SCS of the semiconductor layer SC. The drain electrode D is in contact with the drain region SCD of the semiconductor layer SC. The gate electrode G, the source electrode S, and the drain electrode D of the switching element SW are formed using molybdenum (Mo), tungsten (W), aluminum (Al), titanium (Ti), or the like.

ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄは、絶縁膜１１４によって被覆されている。また、絶縁膜１１４は、パッシベーション膜１１３の上に配置されている。このような絶縁膜１１４は、例えば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などの有機系材料によって形成されている。また、このような絶縁膜１１４は、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。 The source electrode S and the drain electrode D are covered with an insulating film 114. Further, the insulating film 114 is disposed on the passivation film 113. Such an insulating film 114 is formed of, for example, an organic material such as an ultraviolet curable resin or a thermosetting resin. Further, such an insulating film 114 extends over the entire active area 102.

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する画素電極ＰＥは、絶縁膜１１４の上に配置されている。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷのドレイン電極Ｄに接続されている。この画素電極ＰＥは、この例では陽極に相当する。 The pixel electrode PE constituting the organic EL element OLED is disposed on the insulating film 114. The pixel electrode PE is connected to the drain electrode D of the switching element SW. The pixel electrode PE corresponds to an anode in this example.

この画素電極ＰＥは、反射電極ＰＥＲ及び透過電極ＰＥＴが積層された２層構造である。つまり、反射電極ＰＥＲは、絶縁膜１１４の上に配置されている。また、透過電極ＰＥＴは、反射電極ＰＥＲの上に積層されている。反射電極ＰＥＲは、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などの光反射性を有する導電材料によって形成されている。透過電極ＰＥＴは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。なお、画素電極ＰＥは、上述した２層構造に限らず、反射電極ＰＥＲ単層であっても良いし、透過電極ＰＥＴ単層であっても良い。 The pixel electrode PE has a two-layer structure in which a reflective electrode PER and a transmissive electrode PET are stacked. That is, the reflective electrode PER is disposed on the insulating film 114. Further, the transmissive electrode PET is laminated on the reflective electrode PER. The reflective electrode PER is formed of a conductive material having light reflectivity, such as silver (Ag) or aluminum (Al). The transmissive electrode PET is made of a conductive material having optical transparency such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and the like. The pixel electrode PE is not limited to the two-layer structure described above, and may be a reflective electrode PER single layer or a transmissive electrode PET single layer.

絶縁膜１１４の上には、隔壁ＰＩが配置されている。この隔壁ＰＩは、画素電極ＰＥの周縁に沿って配置されている。この隔壁ＰＩは、例えば有機系材料によって形成されている。 A partition wall PI is disposed on the insulating film 114. The partition wall PI is disposed along the periphery of the pixel electrode PE. The partition wall PI is made of, for example, an organic material.

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する有機層ＯＲＧは、画素電極ＰＥの上に配置されている。この有機層ＯＲＧは、少なくとも発光層を含み、さらに、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層などを含んでも良い。有機層ＯＲＧの材料については、蛍光材料を含んでいても良いし、燐光材料を含んでいても良い。 The organic layer ORG constituting the organic EL element OLED is arranged on the pixel electrode PE. The organic layer ORG includes at least a light emitting layer, and may further include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, an electron transport layer, and the like. The material of the organic layer ORG may include a fluorescent material or a phosphorescent material.

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。この対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧのみならず隔壁ＰＩも被覆している。この例では、対向電極ＣＥは、陰極に相当する。このような対向電極ＣＥは、例えば、マグネシウム・銀などによって形成されている。 The counter electrode CE constituting the organic EL element OLED is arranged on the organic layer ORG. The counter electrode CE covers not only the organic layer ORG but also the partition wall PI. In this example, the counter electrode CE corresponds to a cathode. Such a counter electrode CE is made of, for example, magnesium or silver.

対向電極ＣＥの上には、保護膜１１５が配置されている。保護膜１１５の上には、樹脂層３１０が配置されている。これらの保護膜１１５及び樹脂層３１０は、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。樹脂層３１０の上には、封止基板２００が配置されている。封止基板２００は、ガラスやプラスチックなどの光透過性を有する絶縁基板である。アレイ基板１００と封止基板２００とは、アクティブエリア１０２の外側に配置されたシール材３００によって貼り合わせられている。 A protective film 115 is disposed on the counter electrode CE. A resin layer 310 is disposed on the protective film 115. These protective film 115 and resin layer 310 extend over the entire active area 102. On the resin layer 310, the sealing substrate 200 is disposed. The sealing substrate 200 is a light-transmitting insulating substrate such as glass or plastic. The array substrate 100 and the sealing substrate 200 are bonded together by a sealing material 300 disposed outside the active area 102.

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが封止基板２００の側から光を放射するトップエミッションタイプである場合には、保護膜１１５及び樹脂層３１０は、光透過性を有する材料によって形成されている。保護膜１１５は、プラズマＣＶＤ法や、スパッタ法により形成可能である。このような保護膜１１５は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ）やシリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、アルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３）などの無機系材料によって形成されている。樹脂層３１０は、例えば、透明な紫外線硬化型樹脂によって形成されている。 When the organic EL element OLED is a top emission type that emits light from the sealing substrate 200 side, the protective film 115 and the resin layer 310 are formed of a light-transmitting material. The protective film 115 can be formed by a plasma CVD method or a sputtering method. Such a protective film 115 is formed of, for example, an inorganic material such as silicon oxide (SiO), silicon nitride (SiN), silicon oxynitride (SiON), or aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ). Yes. The resin layer 310 is formed of, for example, a transparent ultraviolet curable resin.

アクティブエリア１０２の外側の周辺エリア１０４に位置するアレイ基板１００の延在部１１０においては、絶縁基板１０１の上に、アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、及び、パッシベーション膜１１３が順に積層されている。これらのアンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、及び、パッシベーション膜１１３は、アクティブエリア１０２から延在している。 In the extending portion 110 of the array substrate 100 located in the peripheral area 104 outside the active area 102, an undercoat layer 111, a gate insulating film 112, and a passivation film 113 are sequentially stacked on the insulating substrate 101. Yes. These undercoat layer 111, gate insulating film 112, and passivation film 113 extend from the active area 102.

また、このアレイ基板１００の延在部１１０において、パッシベーション膜１１３の上には、接続部１３０が設けられている。この接続部１３０は、電極パッド１３１を備えている。電極パッド１３１とパッシベーション膜１１３との間には、弾性層１３２が配置されている。 Further, in the extended portion 110 of the array substrate 100, a connection portion 130 is provided on the passivation film 113. The connection part 130 includes an electrode pad 131. An elastic layer 132 is disposed between the electrode pad 131 and the passivation film 113.

この弾性層１３２は、電気的に絶縁体であり、例えば、紫外線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、ゴム、低分子の有機物、ゼラチン、ゲルなどによって形成されている。ここに示した例では、弾性層１３２は、アクティブエリア１０２に配置された絶縁膜１１４と同一材料によって形成されている。これにより、弾性層１３２は、絶縁膜１１４と同一工程で形成可能である。このため、弾性層１３２を形成するに際して、製造工程が増加することはない。図２に示した弾性層１３２は、延在部１１０において島状に形成されているが、絶縁膜１１４がアクティブエリア１０２から周辺エリア１０４まで延在して絶縁膜１１４と一体的に形成されても良い。なお、この弾性層１３２は、アクティブエリア１０２に配置された隔壁ＰＩと同一材料によって形成しても良い。 The elastic layer 132 is an electrically insulating material, and is formed of, for example, an ultraviolet curable resin, a thermosetting resin, rubber, a low molecular organic substance, gelatin, gel, or the like. In the example shown here, the elastic layer 132 is formed of the same material as the insulating film 114 disposed in the active area 102. Thereby, the elastic layer 132 can be formed in the same process as the insulating film 114. For this reason, when forming the elastic layer 132, a manufacturing process does not increase. The elastic layer 132 shown in FIG. 2 is formed in an island shape in the extending portion 110, but the insulating film 114 extends from the active area 102 to the peripheral area 104 and is integrally formed with the insulating film 114. Also good. The elastic layer 132 may be formed of the same material as the partition wall PI disposed in the active area 102.

電極パッド１３１は、弾性層１３２の上に配置されている。この電極パッド１３１は、画素電極ＰＥまたは対向電極ＣＥと同一材料によって形成されている。ここに示した例では、電極パッド１３１は、画素電極ＰＥの透過電極ＰＥＴと同一材料によって形成され、例えば、ＩＴＯによって形成されている。 The electrode pad 131 is disposed on the elastic layer 132. The electrode pad 131 is made of the same material as the pixel electrode PE or the counter electrode CE. In the example shown here, the electrode pad 131 is made of the same material as the transmissive electrode PET of the pixel electrode PE, and is made of, for example, ITO.

このような接続部１３０は、保護膜１１５によって覆われている。この保護膜１１５は、アレイ基板１００の全面を覆うように配置されており、アクティブエリア１０２のみならず周辺エリア１０４にも延在している。つまり、保護膜１１５は、アクティブエリア１０２において有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを覆うとともに、周辺エリア１０４の延在部１１０において電極パッド１３１を覆い、さらに、アレイ基板１００の端部１００Ｅまで延在している。 Such a connection part 130 is covered with a protective film 115. The protective film 115 is disposed so as to cover the entire surface of the array substrate 100 and extends not only to the active area 102 but also to the peripheral area 104. That is, the protective film 115 covers the organic EL element OLED in the active area 102, covers the electrode pad 131 in the extending part 110 of the peripheral area 104, and further extends to the end part 100 E of the array substrate 100.

ここに示した例では、信号供給源の一例として、ＦＰＣ４００が接続部１３０に接続されている。このＦＰＣ４００は、絶縁基板４１０と、この絶縁基板４１０の上に配置された端子４２０と、を備えている。ＦＰＣ４００の端子４２０と電極パッド１３１を覆う保護膜１１５との間には、導電性を有する接着剤、例えば、異方性導電膜５００が介在しており、端子４２０と保護膜１１５とが接着されている。異方性導電膜５００は、接着剤５０１の中に分散された粒状の導電部材５０２を有している。 In the example shown here, the FPC 400 is connected to the connection unit 130 as an example of a signal supply source. The FPC 400 includes an insulating substrate 410 and terminals 420 disposed on the insulating substrate 410. An adhesive having conductivity, for example, an anisotropic conductive film 500 is interposed between the terminal 420 of the FPC 400 and the protective film 115 covering the electrode pad 131, and the terminal 420 and the protective film 115 are bonded. ing. The anisotropic conductive film 500 includes granular conductive members 502 dispersed in an adhesive 501.

図３は、図２に示した接続部１３０の拡大図であり、異方性導電膜５００を介してＦＰＣ４００を接続部１３０に接続した状態を模式的に示す図である。 FIG. 3 is an enlarged view of the connection part 130 shown in FIG. 2, schematically showing a state in which the FPC 400 is connected to the connection part 130 via the anisotropic conductive film 500.

絶縁基板１０１と接続部１３０との間には、アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、及び、パッシベーション膜１１３が配置されている。弾性層１３２は、電極パッド１３１とパッシベーション膜１１３との間に配置されている。電極パッド１３１は、保護膜１１５によって覆われている。 An undercoat layer 111, a gate insulating film 112, and a passivation film 113 are disposed between the insulating substrate 101 and the connection portion 130. The elastic layer 132 is disposed between the electrode pad 131 and the passivation film 113. The electrode pad 131 is covered with a protective film 115.

絶縁基板４１０の上の端子４２０を有するＦＰＣ４００は、接着剤５０１の中に導電部材５０２を含む異方性導電膜５００を介して接続部１３０に接続されている。このような接続は、例えば、加熱しながらＦＰＣ４００を接続部１３０に向けて押圧する熱圧着によってなされる。この熱圧着により、端子４２０と保護膜１１５との間に介在する異方性導電膜５００の導電部材５０２の一部が保護膜１１５を貫通し、電極パッド１３１に接触する。場合によっては、導電部材５０２の一部は、保護膜１１５のみならず電極パッド１３１も貫通し、弾性層１３２に陥没する。一部の導電部材５０２は端子４２０に接触し、また、他の導電部材５０２は電極パッド１３１に接触している。これらの導電部材５０２は、接着剤５０１の中で連なり、電極パッド１３１と端子４２０とが電気的に接続される。 The FPC 400 having the terminal 420 on the insulating substrate 410 is connected to the connection portion 130 via the anisotropic conductive film 500 including the conductive member 502 in the adhesive 501. Such a connection is made by, for example, thermocompression bonding that presses the FPC 400 toward the connection portion 130 while heating. By this thermocompression bonding, a part of the conductive member 502 of the anisotropic conductive film 500 interposed between the terminal 420 and the protective film 115 penetrates the protective film 115 and contacts the electrode pad 131. In some cases, a part of the conductive member 502 penetrates not only the protective film 115 but also the electrode pad 131 and sinks into the elastic layer 132. Some of the conductive members 502 are in contact with the terminals 420, and the other conductive members 502 are in contact with the electrode pads 131. These conductive members 502 are continuous in the adhesive 501 and the electrode pads 131 and the terminals 420 are electrically connected.

このような第１実施形態によれば、電極パッド１３１の下地として比較的柔軟な弾性層１３２が配置されているため、電極パッド１３１を覆う保護膜１１５とＦＰＣ４００の端子４２０との間に異方性導電膜５００を介在させた状態で熱圧着することによって、異方性導電膜５００に含まれる導電部材５０２が保護膜１１５を貫通して電極パッド１３１と端子４２０との電気的な接続がなされる。 According to the first embodiment, since the relatively flexible elastic layer 132 is disposed as the base of the electrode pad 131, anisotropy is provided between the protective film 115 covering the electrode pad 131 and the terminal 420 of the FPC 400. The conductive member 502 included in the anisotropic conductive film 500 penetrates the protective film 115 and is electrically connected to the electrode pad 131 and the terminal 420 by thermocompression bonding with the conductive conductive film 500 interposed. The

このため、電極パッド１３１を覆う保護膜１１５を除去して電極パッド１３１を露出させる工程が不要であり、製造コストの増大を抑制することが可能となる。また、保護膜１１５を除去するためのエッチングが不要であるため、電極パッド１３１に与えるダメージを軽減できる。さらに、電極パッド１３１は、導電部材５０２が貫通した部分を除いて保護膜１１５によって覆われているため、保護膜１１５を除去して電極パッド１３１を露出させる場合と比較して、電極パッド１３１の腐食などの劣化を抑制できる。 For this reason, the process of removing the protective film 115 covering the electrode pad 131 and exposing the electrode pad 131 is unnecessary, and an increase in manufacturing cost can be suppressed. Further, since the etching for removing the protective film 115 is unnecessary, damage to the electrode pad 131 can be reduced. Further, since the electrode pad 131 is covered with the protective film 115 except for a portion through which the conductive member 502 penetrates, the electrode pad 131 is compared with the case where the electrode pad 131 is exposed by removing the protective film 115. Deterioration such as corrosion can be suppressed.

また、この第１実施形態においては、アレイ基板１００と封止基板２００との間に樹脂層３１０が充填された固体封止構造を採用し、しかも、アレイ基板１００に形成された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと樹脂層３１０との間に保護膜１１５が配置されている。このため、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへの水分の到達を抑制することができ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化が抑制できる。 In the first embodiment, a solid sealing structure in which the resin layer 310 is filled between the array substrate 100 and the sealing substrate 200 is employed, and the organic EL element OLED formed on the array substrate 100 is used. A protective film 115 is disposed between the resin layer 310 and the resin layer 310. For this reason, the arrival of moisture to the organic EL element OLED can be suppressed, and the deterioration of the organic EL element OLED can be suppressed.

次に、この第１実施形態における第１実験について説明する。この第１実験は、弾性層１３２の厚さを一定とし、その硬度を変化させた場合の表示不具合を発生した表示パネルの数を計数した実験である。 Next, the first experiment in the first embodiment will be described. The first experiment is an experiment in which the number of display panels having a display defect when the thickness of the elastic layer 132 is constant and the hardness is changed is counted.

１４００ｍｍ×５００ｍｍの長方形状の絶縁基板の上にスイッチング素子ＳＷなどを形成した５枚のマザー基板Ｍａ、Ｍｂ、Ｍｃ、Ｍｄ、Ｍｅを作成した。各マザー基板Ｍａ〜Ｍｅには、アレイ基板１００を形成するための領域が２４箇所形成される。 Five mother substrates Ma, Mb, Mc, Md, and Me having switching elements SW and the like formed on a 1400 mm × 500 mm rectangular insulating substrate were prepared. In each of the mother substrates Ma to Me, 24 regions for forming the array substrate 100 are formed.

各マザー基板Ｍａ〜Ｍｅにおいて、スイッチング素子ＳＷの上には絶縁膜１１４が配置されている。このような絶縁膜１１４は、紫外線硬化型樹脂によって形成され、フォトリソグフィ方式によりパターニングされている。この絶縁膜１１４の厚さは、２μｍである。 In each of the mother substrates Ma to Me, an insulating film 114 is disposed on the switching element SW. Such an insulating film 114 is formed of an ultraviolet curable resin and is patterned by a photolithography method. The insulating film 114 has a thickness of 2 μm.

各マザー基板Ｍｂ、Ｍｃ、Ｍｄ、Ｍｅについては、絶縁膜１１４は、スイッチング素子ＳＷが形成されたアクティブエリア１０２のみならず周辺エリア１０４の接続部１３０が形成される領域まで延在している。これらのマザー基板Ｍｂ〜Ｍｅは、アクティブエリア１０２から延在した絶縁膜１１４によって形成された厚さ２μｍの弾性層１３２を備えている。 For each mother substrate Mb, Mc, Md, Me, the insulating film 114 extends not only to the active area 102 where the switching element SW is formed, but also to the region where the connection portion 130 of the peripheral area 104 is formed. These mother substrates Mb to Me include an elastic layer 132 having a thickness of 2 μm formed by an insulating film 114 extending from the active area 102.

マザー基板Ｍｂに形成された絶縁膜１１４及び弾性層１３２の鉛筆硬度はＨとした。マザー基板Ｍｃに形成された絶縁膜１１４及び弾性層１３２の鉛筆硬度は２Ｈとした。マザー基板Ｍｄに形成された絶縁膜１１４及び弾性層１３２の鉛筆硬度は３Ｈとした。マザー基板Ｍｅに形成された絶縁膜１１４及び弾性層１３２の鉛筆硬度は４Ｈとした。なお、ここで硬度の一例である鉛筆硬度とは、ＪＩＳ規格〔Ｋ５４００〕の鉛筆硬度試験に従って測定した硬度である。 The pencil hardness of the insulating film 114 and the elastic layer 132 formed on the mother substrate Mb was H. The pencil hardness of the insulating film 114 and the elastic layer 132 formed on the mother substrate Mc was 2H. The pencil hardness of the insulating film 114 and the elastic layer 132 formed on the mother substrate Md was 3H. The pencil hardness of the insulating film 114 and the elastic layer 132 formed on the mother substrate Me was 4H. In addition, the pencil hardness which is an example of hardness here is the hardness measured according to the pencil hardness test of JIS specification [K5400].

比較例であるマザー基板Ｍａについては、絶縁膜１１４は、各アクティブエリア１０２に配置され、接続部１３０が形成される領域には配置されていない。つまり、このマザー基板Ｍａには、接続部１３０が形成される領域に弾性層を備えていない。マザー基板Ｍａに形成された絶縁膜１１４の鉛筆硬度はＨとした。 For the mother substrate Ma which is a comparative example, the insulating film 114 is disposed in each active area 102 and is not disposed in a region where the connection portion 130 is formed. That is, the mother substrate Ma does not include an elastic layer in the region where the connection portion 130 is formed. The pencil hardness of the insulating film 114 formed on the mother substrate Ma is H.

続いて、各マザー基板Ｍａ〜Ｍｅにおいて、アクティブエリア１０２の絶縁膜１１４の上に反射電極ＰＥＲを形成し、この反射電極ＰＥＲの上にＩＴＯからなる厚さ５０ｎｍの透過電極ＰＥＴを形成した。このとき、各マザー基板Ｍａ〜Ｍｅの接続部１３０が形成される領域には、各々透過電極ＰＥＴと同一材料によって電極パッド１３１を形成した。各マザー基板Ｍｂ〜Ｍｅについては、電極パッド１３１は弾性層１３２の上に形成される。また、マザー基板Ｍａについては、電極パッド１３１は絶縁基板の上に形成される。その後、各マザー基板Ｍａ〜Ｍｅにおいて、反射電極ＰＥＲ及び透過電極ＰＥＴを積層した画素電極ＰＥの周辺に隔壁ＰＩを形成した。 Subsequently, in each of the mother substrates Ma to Me, a reflective electrode PER was formed on the insulating film 114 in the active area 102, and a 50 nm thick transmissive electrode PET made of ITO was formed on the reflective electrode PER. At this time, the electrode pad 131 was formed of the same material as that of the transmissive electrode PET in the region where the connection portion 130 of each of the mother substrates Ma to Me was formed. For each of the mother substrates Mb to Me, the electrode pad 131 is formed on the elastic layer 132. For the mother substrate Ma, the electrode pad 131 is formed on the insulating substrate. Thereafter, in each of the mother substrates Ma to Me, a partition wall PI was formed around the pixel electrode PE in which the reflective electrode PER and the transmissive electrode PET were laminated.

続いて、各マザー基板Ｍａ〜Ｍｅを抵抗加熱方式の有機ＥＬ成膜装置にセットし、画素電極ＰＥの上に有機ＥＬ材料として、ビス〔（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル〕ベンジジン（略称；α−ＮＰＤ）を用いて厚さ２００ｎｍホール輸送層を形成し、このホール輸送層の上に８−キノリノールアルミニウム錯体（略称；Ａｌｑ３）を用いて厚さ５０ｎｍの発光層兼電子輸送層を形成し、さらに、この電子輸送層の上にマグネシウム・銀を用いて厚さ２ｎｍの電子注入層兼陰極を形成した。 Subsequently, each mother substrate Ma to Me is set in a resistance heating type organic EL film forming apparatus, and bis [(N-naphthyl) -N-phenyl] benzidine (abbreviation; A 200 nm-thick hole transport layer is formed using α-NPD), and a 50 nm thick light-emitting / electron transport layer is formed on the hole transport layer using 8-quinolinol aluminum complex (abbreviation: Alq3). Furthermore, an electron injection layer / cathode having a thickness of 2 nm was formed on the electron transport layer using magnesium / silver.

続いて、各マザー基板Ｍａ〜Ｍｅの全面に、プラズマＣＶＤ法により窒化シリコン（ＳｉＮ）を用いて厚さ２μｍの保護膜１１５を形成した。 Subsequently, a protective film 115 having a thickness of 2 μm was formed on the entire surfaces of the mother substrates Ma to Me using silicon nitride (SiN) by plasma CVD.

一方で、５枚の封止基板２００の上には、シール材３００としてディスペンサーを用いて紫外線硬化型樹脂を塗布し、更にシール材３００で囲まれた内側には樹脂層３１０として適量に紫外線硬化型樹脂を適量滴下した。これらの５枚の封止基板２００は、真空チャンバー中でそれぞれ５枚のマザー基板Ｍａ〜Ｍｅに貼りあわせられる。その後、シール材３００及び樹脂層３１０となる紫外線硬化型樹脂に紫外線が照射され、これらの紫外線硬化型樹脂を硬化させた。 On the other hand, an ultraviolet curable resin is applied onto the five sealing substrates 200 using a dispenser as the sealing material 300, and further, an ultraviolet ray is cured to an appropriate amount as the resin layer 310 inside the sealing material 300. An appropriate amount of mold resin was dropped. These five sealing substrates 200 are bonded to the five mother substrates Ma to Me, respectively, in a vacuum chamber. Thereafter, ultraviolet rays were irradiated to the ultraviolet curable resin to be the sealing material 300 and the resin layer 310 to cure these ultraviolet curable resins.

各マザー基板Ｍａ〜Ｍｅと封止基板２００とが貼り合わせられた基板対は、それぞれ２４個の表示パネルに割断される。その後、各表示パネルの接続部１３０には、熱圧着により異方性導電膜５００を用いて信号供給源４００を実装した。異方性導電膜５００は、直径４μｍの粒状の導電部材５０２を含んでいる。 The substrate pair in which each of the mother substrates Ma to Me and the sealing substrate 200 are bonded is divided into 24 display panels. Thereafter, the signal supply source 400 was mounted on the connection portion 130 of each display panel using the anisotropic conductive film 500 by thermocompression bonding. The anisotropic conductive film 500 includes a granular conductive member 502 having a diameter of 4 μm.

これらの各表示パネルに電源を供給して点灯させ、それぞれの点灯状態を観察して、接続部１３０と信号供給源４００との接続不良によると思われる表示不具合が生じた表示パネルの枚数を計数した。この結果を図４に示す。なお、この図４においては、マザー基板Ｍａから割断された表示パネルをａとして表し、マザー基板Ｍｂから割断された表示パネルをｂとして表し、マザー基板Ｍｃから割断された表示パネルをｃとして表し、マザー基板Ｍｄから割断された表示パネルをｄとして表し、マザー基板Ｍｅから割断された表示パネルをｅとして表している。 Power is supplied to each of these display panels to light them, the respective lighting states are observed, and the number of display panels in which a display failure is considered to be caused by poor connection between the connection unit 130 and the signal supply source 400 is counted. did. The result is shown in FIG. In FIG. 4, a display panel cleaved from the mother substrate Ma is represented as a, a display panel cleaved from the mother substrate Mb is represented as b, and a display panel cleaved from the mother substrate Mc is represented as c. A display panel cleaved from the mother substrate Md is represented as d, and a display panel cleaved from the mother substrate Me is represented as e.

表示パネルａは、電極パッド１３１の下地として弾性層を備えていない。表示パネルａの電極パッド１３１は、厚さ２μｍの保護膜１１５によって覆われている。このような表示パネルａについては、２４個中の２４個で接続不良が原因と思われる表示不具合が発生した。 The display panel a does not include an elastic layer as a base for the electrode pad 131. The electrode pad 131 of the display panel a is covered with a protective film 115 having a thickness of 2 μm. With respect to such a display panel a, 24 out of 24 display defects occurred due to connection failure.

表示パネルｂは、電極パッド１３１の下地として厚さが２μｍであり鉛筆硬度がＨの弾性層１３２を備えている。表示パネルｂの電極パッド１３１は、厚さ２μｍの保護膜１１５によって覆われている。このような表示パネルｂについては、２４個のいずれも表示不具合が発生しなかった。 The display panel b includes an elastic layer 132 having a thickness of 2 μm and a pencil hardness of H as a base of the electrode pad 131. The electrode pad 131 of the display panel b is covered with a protective film 115 having a thickness of 2 μm. For such a display panel b, none of the 24 display defects occurred.

表示パネルｃは、電極パッド１３１の下地として厚さが２μｍであり鉛筆硬度が２Ｈの弾性層１３２を備えている。表示パネルｃの電極パッド１３１は、厚さ２μｍの保護膜１１５によって覆われている。このような表示パネルｃについては、２４個のいずれも表示不具合が発生しなかった。 The display panel c includes an elastic layer 132 having a thickness of 2 μm and a pencil hardness of 2H as a base for the electrode pad 131. The electrode pad 131 of the display panel c is covered with a protective film 115 having a thickness of 2 μm. With respect to such a display panel c, no display trouble occurred in any of the 24 display panels.

表示パネルｄは、電極パッド１３１の下地として厚さが２μｍであり鉛筆硬度が３Ｈの弾性層１３２を備えている。表示パネルｄの電極パッド１３１は、厚さ２μｍの保護膜１１５によって覆われている。このような表示パネルｄについては、２４個中の１１個で接続不良が原因と思われる表示不具合が発生した。 The display panel d includes an elastic layer 132 having a thickness of 2 μm and a pencil hardness of 3H as a base of the electrode pad 131. The electrode pad 131 of the display panel d is covered with a protective film 115 having a thickness of 2 μm. With respect to such a display panel d, 11 out of 24 display defects occurred due to poor connection.

表示パネルｅは、電極パッド１３１の下地として厚さが２μｍであり鉛筆硬度が４Ｈの弾性層１３２を備えている。表示パネルｅの電極パッド１３１は、厚さ２μｍの保護膜１１５によって覆われている。このような表示パネルｅについては、２４個中の２４個で接続不良が原因と思われる表示不具合が発生した。 The display panel e includes an elastic layer 132 having a thickness of 2 μm and a pencil hardness of 4H as a base of the electrode pad 131. The electrode pad 131 of the display panel e is covered with a protective film 115 having a thickness of 2 μm. With respect to such a display panel e, 24 out of 24 display defects occurred due to poor connection.

以上の結果から、電極パッド１３１の下地として弾性層を備えていない場合には、電極パッド１３１と信号供給源４００との間が保護膜１１５によって絶縁され、接続部１３０と信号供給源４００との接続不良が発生しやすい傾向が確認された。一方、電極パッド１３１の下層に弾性層１３２を設置した場合には、電極パッド１３１と信号供給源４００とが電気的に接続され、表示パネルを点灯させることが可能となるが、弾性層１３２の硬度が高くなるにしたがって、接続不良の発生が増える傾向が確認された。ここで説明した第１実施権においては、弾性層１３２の鉛筆硬度は３Ｈ未満であることが望ましく、２Ｈ以下であることがより望ましい。 From the above results, when the elastic layer is not provided as the base of the electrode pad 131, the electrode pad 131 and the signal supply source 400 are insulated by the protective film 115, and the connection portion 130 and the signal supply source 400 are separated from each other. The tendency for poor connection to occur was confirmed. On the other hand, when the elastic layer 132 is provided below the electrode pad 131, the electrode pad 131 and the signal supply source 400 are electrically connected to enable lighting of the display panel. It was confirmed that the occurrence of poor connection increases as the hardness increases. In the first license described here, the pencil hardness of the elastic layer 132 is preferably less than 3H, and more preferably 2H or less.

次に、第２実験について説明する。この第２実験は、弾性層１３２の鉛筆硬度を一定とし、弾性層１３２の厚さ及び保護膜１１５の厚さを変化させた場合の表示不具合を発生した表示パネルの数を計数した実験である。この第２実験では、弾性層１３２の鉛筆硬度を２Ｈとし、弾性層１３２の厚さを１．５μｍ、２．０μｍ、２．５μｍの３通りとし、保護膜（ＳｉＮ）１１５の厚さを１μｍ、２μｍ、３μｍの３通りとした以外は、上述した第１実験と同様の作成手順にて表示パネルを作成した。 Next, the second experiment will be described. This second experiment is an experiment in which the number of display panels that caused display defects when the pencil hardness of the elastic layer 132 was constant and the thickness of the elastic layer 132 and the thickness of the protective film 115 were changed was counted. . In the second experiment, the pencil hardness of the elastic layer 132 is 2H, the thickness of the elastic layer 132 is 1.5 μm, 2.0 μm, and 2.5 μm, and the thickness of the protective film (SiN) 115 is 1 μm. A display panel was produced by the same production procedure as in the first experiment described above except that there were three patterns of 2 μm and 3 μm.

これらの各表示パネルに電源を供給して点灯させ、それぞれの点灯状態を観察して、接続部１３０と信号供給源４００との接続不良によると思われる表示不具合が生じたパネル枚数を計数した。この結果を図５に示す。 Power was supplied to each of these display panels to light them, and the respective lighting states were observed to count the number of panels in which display defects that were thought to be caused by poor connection between the connection unit 130 and the signal supply source 400 occurred. The result is shown in FIG.

表示パネルｆは、電極パッド１３１の下地として厚さが１．５μｍの弾性層１３２を備えている。表示パネルｆの電極パッド１３１は、厚さ１μｍの保護膜１１５によって覆われている。このような表示パネルｆについては、２４個のいずれも表示不具合が発生しなかった。 The display panel f includes an elastic layer 132 having a thickness of 1.5 μm as a base for the electrode pad 131. The electrode pad 131 of the display panel f is covered with a protective film 115 having a thickness of 1 μm. With respect to such a display panel f, none of the 24 display defects occurred.

表示パネルｇは、電極パッド１３１の下地として厚さが１．５μｍの弾性層１３２を備えている。表示パネルｇの電極パッド１３１は、厚さ２μｍの保護膜１１５によって覆われている。このような表示パネルｇについては、２４個中の１７個で表示不具合が発生した。 The display panel g includes an elastic layer 132 having a thickness of 1.5 μm as a base for the electrode pad 131. The electrode pad 131 of the display panel g is covered with a protective film 115 having a thickness of 2 μm. For such display panel g, 17 out of 24 display defects occurred.

表示パネルｈは、電極パッド１３１の下地として厚さが１．５μｍの弾性層１３２を備えている。表示パネルｈの電極パッド１３１は、厚さ３μｍの保護膜１１５によって覆われている。このような表示パネルｈについては、２４個中の２４個で表示不具合が発生した。 The display panel h includes an elastic layer 132 having a thickness of 1.5 μm as a base for the electrode pad 131. The electrode pad 131 of the display panel h is covered with a protective film 115 having a thickness of 3 μm. Regarding such display panel h, 24 out of 24 display defects occurred.

表示パネルｉは、電極パッド１３１の下地として厚さが２．０μｍの弾性層１３２を備えている。表示パネルｉの電極パッド１３１は、厚さ１μｍの保護膜１１５によって覆われている。このような表示パネルｉについては、２４個のいずれも表示不具合が発生しなかった。 The display panel i includes an elastic layer 132 having a thickness of 2.0 μm as a base of the electrode pad 131. The electrode pad 131 of the display panel i is covered with a protective film 115 having a thickness of 1 μm. For such a display panel i, no display defect occurred in any of the 24 display panels i.

表示パネルｊは、電極パッド１３１の下地として厚さが２．０μｍの弾性層１３２を備えている。表示パネルｊの電極パッド１３１は、厚さ２μｍの保護膜１１５によって覆われている。このような表示パネルｊについては、２４個のいずれも表示不具合が発生しなかった。 The display panel j includes an elastic layer 132 having a thickness of 2.0 μm as a base for the electrode pad 131. The electrode pad 131 of the display panel j is covered with a protective film 115 having a thickness of 2 μm. With respect to such a display panel j, no display defects occurred in any of the 24 display panels.

表示パネルｋは、電極パッド１３１の下地として厚さが２．０μｍの弾性層１３２を備えている。表示パネルｋの電極パッド１３１は、厚さ３μｍの保護膜１１５によって覆われている。このような表示パネルｋについては、２４個中の２４個で表示不具合が発生した。 The display panel k includes an elastic layer 132 having a thickness of 2.0 μm as a base of the electrode pad 131. The electrode pad 131 of the display panel k is covered with a protective film 115 having a thickness of 3 μm. As for such display panel k, 24 out of 24 display defects occurred.

表示パネルｌは、電極パッド１３１の下地として厚さが２．５μｍの弾性層１３２を備えている。表示パネルｌの電極パッド１３１は、厚さ１μｍの保護膜１１５によって覆われている。このような表示パネルｌについては、２４個のいずれも表示不具合が発生しなかった。 The display panel l includes an elastic layer 132 having a thickness of 2.5 μm as a base of the electrode pad 131. The electrode pad 131 of the display panel l is covered with a protective film 115 having a thickness of 1 μm. With respect to such a display panel l, no display defects occurred in any of the 24 display panels.

表示パネルｍは、電極パッド１３１の下地として厚さが２．５μｍの弾性層１３２を備えている。表示パネルｍの電極パッド１３１は、厚さ２μｍの保護膜１１５によって覆われている。このような表示パネルｍについては、２４個のいずれも表示不具合が発生しなかった。 The display panel m includes an elastic layer 132 having a thickness of 2.5 μm as a base of the electrode pad 131. The electrode pad 131 of the display panel m is covered with a protective film 115 having a thickness of 2 μm. For such a display panel m, none of the 24 display defects occurred.

表示パネルｎは、電極パッド１３１の下地として厚さが２．５μｍの弾性層１３２を備えている。表示パネルｎの電極パッド１３１は、厚さ３μｍの保護膜１１５によって覆われている。このような表示パネルｎについては、２４個中の２４個で表示不具合が発生した。 The display panel n includes an elastic layer 132 having a thickness of 2.5 μm as a base for the electrode pad 131. The electrode pad 131 of the display panel n is covered with a protective film 115 having a thickness of 3 μm. For such display panel n, 24 out of 24 display defects occurred.

以上の結果から、電極パッド１３１を覆う保護膜１１５の厚さが薄いほど、電極パッド１３１と信号供給源４００とが電気的に接続される傾向が確認された。また、弾性層１３２の厚さと、保護膜１１５の厚さとの関係については、保護膜１１５の厚さが弾性層１３２の厚さ以下である場合に電極パッド１３１と信号供給源４００とが電気的に接続される傾向が確認された。 From the above results, it was confirmed that the electrode pad 131 and the signal supply source 400 tend to be electrically connected as the protective film 115 covering the electrode pad 131 is thinner. Further, regarding the relationship between the thickness of the elastic layer 132 and the thickness of the protective film 115, the electrode pad 131 and the signal supply source 400 are electrically connected when the thickness of the protective film 115 is equal to or less than the thickness of the elastic layer 132. The tendency to be connected to was confirmed.

次に、第２実施形態について説明する。 Next, a second embodiment will be described.

図６は、第２実施形態における有機ＥＬ表示装置の接続部１３０の拡大図であり、異方性導電膜５００を介してＦＰＣ４００を接続部１３０に接続した状態を模式的に示す図である。なお、図３に示した第１実施形態の構成と同一構成については、同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。また、図６で図示していないアクティブエリアの構造は、図２に示した通りである。 FIG. 6 is an enlarged view of the connection portion 130 of the organic EL display device according to the second embodiment, and is a diagram schematically showing a state in which the FPC 400 is connected to the connection portion 130 via the anisotropic conductive film 500. In addition, about the same structure as the structure of 1st Embodiment shown in FIG. 3, the same referential mark is attached | subjected and detailed description is abbreviate | omitted. Also, the structure of the active area not shown in FIG. 6 is as shown in FIG.

この第２実施形態においては、上述した第１実施形態と比較して、絶縁基板１０１と弾性層１３２との間に配線１４０が配置され、この配線１４０が電極パッド１３１に電気的に接続された点で相違する。 In the second embodiment, the wiring 140 is arranged between the insulating substrate 101 and the elastic layer 132 and the wiring 140 is electrically connected to the electrode pad 131 as compared with the first embodiment described above. It is different in point.

絶縁基板１０１と接続部１３０との間には、アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、及び、パッシベーション膜１１３が配置されている。配線１４０は、パッシベーション膜１１３の上に配置されている。この配線１４０は、図示しないアクティブエリアに延在してスイッチング素子や有機ＥＬ素子などに接続されている。また、この配線１４０は、アレイ基板１００の端部１００Ｅの側にも延在している。 An undercoat layer 111, a gate insulating film 112, and a passivation film 113 are disposed between the insulating substrate 101 and the connection portion 130. The wiring 140 is disposed on the passivation film 113. The wiring 140 extends to an active area (not shown) and is connected to a switching element or an organic EL element. The wiring 140 also extends to the end 100E side of the array substrate 100.

配線１４０の上には、島状に形成された弾性層１３２が配置されている。この弾性層１３２は、接続部１３０を形成し、アクティブエリア側には延在していない。配線１４０の一部は、弾性層１３２よりもアクティブエリア側及びアレイ基板１００の端部１００Ｅの側において、弾性層１３２から露出している。 An elastic layer 132 formed in an island shape is disposed on the wiring 140. The elastic layer 132 forms the connection portion 130 and does not extend to the active area side. A part of the wiring 140 is exposed from the elastic layer 132 on the active area side and the end portion 100 E side of the array substrate 100 with respect to the elastic layer 132.

電極パッド１３１は、島状の弾性層１３２を覆うように配置され、弾性層１３２から露出した配線１４０と電気的に接続されている。電極パッド１３１は、保護膜１１５によって覆われている。保護膜１１５は、アレイ基板１００の端部１００Ｅまで延在している。 The electrode pad 131 is disposed so as to cover the island-shaped elastic layer 132, and is electrically connected to the wiring 140 exposed from the elastic layer 132. The electrode pad 131 is covered with a protective film 115. The protective film 115 extends to the end 100E of the array substrate 100.

配線１４０は、パッシベーション膜１１３の上に配置された図示しないスイッチング素子のソース電極やドレイン電極と同一材料によって形成可能である。なお、この配線１４０は、ゲート絶縁膜１１２とパッシベーション膜１１３との間に配置されてもよく、この場合、図示しないスイッチング素子のゲート電極と同一材料によって形成しても良い。 The wiring 140 can be formed of the same material as the source electrode and drain electrode of a switching element (not shown) disposed on the passivation film 113. The wiring 140 may be disposed between the gate insulating film 112 and the passivation film 113. In this case, the wiring 140 may be formed of the same material as that of a gate electrode of a switching element (not shown).

絶縁基板４１０の上の端子４２０を有するＦＰＣ４００は、例えば熱圧着により接着剤５０１の中に導電部材５０２を含む異方性導電膜５００を介して接続部１３０に接続されている。端子４２０と保護膜１１５との間に介在する導電部材５０２の一部は、保護膜１１５を貫通して電極パッド１３１に接触する。場合によっては、導電部材５０２の一部は、保護膜１１５のみならず電極パッド１３１も貫通し、弾性層１３２に陥没する。これらの導電部材５０２は、接着剤５０１の中で連なり、電極パッド１３１と端子４２０とが電気的に接続される。 The FPC 400 having the terminal 420 on the insulating substrate 410 is connected to the connecting portion 130 via an anisotropic conductive film 500 including the conductive member 502 in the adhesive 501 by, for example, thermocompression bonding. A part of the conductive member 502 interposed between the terminal 420 and the protective film 115 penetrates the protective film 115 and contacts the electrode pad 131. In some cases, a part of the conductive member 502 penetrates not only the protective film 115 but also the electrode pad 131 and sinks into the elastic layer 132. These conductive members 502 are continuous in the adhesive 501 and the electrode pads 131 and the terminals 420 are electrically connected.

このような第２実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果が得られる。加えて、配線１４０とこの配線１４０の上に形成された弾性層１３２を覆う電極パッド１３１とが電気的に接続されているため、電極パッド１３１の低抵抗化が可能となる。 According to such 2nd Embodiment, the effect similar to 1st Embodiment is acquired. In addition, since the wiring 140 and the electrode pad 131 covering the elastic layer 132 formed on the wiring 140 are electrically connected, the resistance of the electrode pad 131 can be reduced.

この第２実施形態においても、上述した第１実施形態と同様の第１実験及び第２実験にて接続部１３０と信号供給源４００との接続不良の発生状況を確認したところ、同様の傾向が確認された。 Also in the second embodiment, when the occurrence of poor connection between the connection unit 130 and the signal supply source 400 is confirmed in the first experiment and the second experiment similar to the first embodiment described above, the same tendency is found. confirmed.

次に、第３実施形態について説明する。 Next, a third embodiment will be described.

図７は、第３実施形態における有機ＥＬ表示装置の接続部１３０の拡大図であり、異方性導電膜５００を介してＦＰＣ４００を接続部１３０に接続した状態を模式的に示す図である。なお、図６に示した第２実施形態の構成と同一構成については、同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。また、図７で図示していないアクティブエリアの構造は、図２に示した通りである。 FIG. 7 is an enlarged view of the connection portion 130 of the organic EL display device according to the third embodiment, and is a diagram schematically showing a state in which the FPC 400 is connected to the connection portion 130 via the anisotropic conductive film 500. In addition, about the same structure as the structure of 2nd Embodiment shown in FIG. 6, the same referential mark is attached | subjected and detailed description is abbreviate | omitted. Further, the structure of the active area not shown in FIG. 7 is as shown in FIG.

この第３実施形態においては、上述した第２実施形態と比較して、弾性層１３２が配線１４０の上に配置された複数のセグメント１３２Ａ、１３２Ｂ、１３２Ｃ、…を有し、配線１４０と電極パッド１３１とが弾性層１３２のセグメントの間で電気的に接続された点で相違する。 In the third embodiment, as compared with the second embodiment described above, the elastic layer 132 has a plurality of segments 132A, 132B, 132C,. 131 is different in that it is electrically connected between the segments of the elastic layer 132.

絶縁基板１０１と接続部１３０との間には、アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、及び、パッシベーション膜１１３が配置されている。配線１４０は、パッシベーション膜１１３の上に配置されている。配線１４０の上には、複数のセグメント１３２Ａ、１３２Ｂ、１３２Ｃ、…からなる弾性層１３２が配置されている。各セグメント１３２Ａ、１３２Ｂ、１３２Ｃ、…は、互いに離間している。配線１４０の一部は、各セグメントの間、例えば、図示した例では、セグメント１３２Ａとセグメント１３２Ｂとの間、セグメント１３２Ｂとセグメント１３２Ｃとの間において、弾性層１３２から露出している。 An undercoat layer 111, a gate insulating film 112, and a passivation film 113 are disposed between the insulating substrate 101 and the connection portion 130. The wiring 140 is disposed on the passivation film 113. An elastic layer 132 composed of a plurality of segments 132A, 132B, 132C,. The segments 132A, 132B, 132C,... Are separated from each other. A part of the wiring 140 is exposed from the elastic layer 132 between each segment, for example, between the segment 132A and the segment 132B and between the segment 132B and the segment 132C in the illustrated example.

電極パッド１３１は、弾性層１３２の各セグメント１３２Ａ、１３２Ｂ、１３２Ｃ、…を覆うように配置され、各セグメントの間から露出した配線１４０と電気的に接続されている。電極パッド１３１は、保護膜１１５によって覆われている。 The electrode pad 131 is disposed so as to cover the segments 132A, 132B, 132C,... Of the elastic layer 132, and is electrically connected to the wiring 140 exposed from between the segments. The electrode pad 131 is covered with a protective film 115.

このような第３実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果が得られる。加えて、弾性層１３２が複数のセグメント１３２Ａ、１３２Ｂ、１３２Ｃ、…によって構成されているため、熱圧着の際、各セグメントに荷重が集中しやすくなり、導電部材５０２が保護膜１１５を貫通しやすくなる。また、弾性層１３２のセグメント１３２Ａ、１３２Ｂ、１３２Ｃ、…の間で配線１４０と電極パッド１３１とが接触するため、電極パッド１３１の低抵抗化が可能となる。 According to such 3rd Embodiment, the effect similar to 1st Embodiment is acquired. In addition, since the elastic layer 132 is composed of a plurality of segments 132A, 132B, 132C,..., The load tends to concentrate on each segment during thermocompression bonding, and the conductive member 502 easily penetrates the protective film 115. Become. Further, since the wiring 140 and the electrode pad 131 are in contact between the segments 132A, 132B, 132C,... Of the elastic layer 132, the resistance of the electrode pad 131 can be reduced.

この第３実施形態においても、上述した第１実施形態と同様の第１実験及び第２実験にて接続部１３０と信号供給源４００との接続不良の発生状況を確認したところ、同様の傾向が確認された。 Also in the third embodiment, when the occurrence of poor connection between the connection unit 130 and the signal supply source 400 is confirmed in the first experiment and the second experiment similar to the first embodiment described above, the same tendency is found. confirmed.

なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。 Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the spirit of the invention in the stage of implementation. Further, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, you may combine suitably the component covering different embodiment.

本実施形態において、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、封止基板２００側から光を放射するトップエミッションタイプとして構成されても良いし、アレイ基板１００の絶縁基板１０１側から光を放射するボトムエミッションタイプとして構成されても良い。 In the present embodiment, the organic EL element OLED may be configured as a top emission type that emits light from the sealing substrate 200 side, or configured as a bottom emission type that emits light from the insulating substrate 101 side of the array substrate 100. May be.

また、本実施形態では、アレイ基板１００と封止基板２００との間に樹脂層３１０が充填された固体封止構造を採用した例について説明したが、この例に限らない。例えば、アレイ基板１００と封止基板２００とがアクティブエリア１０２を囲むように枠状に配置されたフリットガラスからなるシール部材３００によって接合されるフリット封止構造を採用しても良い。 Further, in the present embodiment, the example in which the solid sealing structure in which the resin layer 310 is filled between the array substrate 100 and the sealing substrate 200 is described, but the present invention is not limited to this example. For example, a frit sealing structure in which the array substrate 100 and the sealing substrate 200 are joined by a seal member 300 made of frit glass arranged in a frame shape so as to surround the active area 102 may be employed.

１…表示パネル
１００…アレイ基板
１１４…絶縁膜
１１５…保護膜
１３０…接続部１３１…電極パッド１３２…弾性層
１４０…配線
２００…封止基板
３００…シール材３１０…樹脂層
ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子
ＰＥ…画素電極（ＰＥＲ…反射電極ＰＥＴ…透過電極）
ＣＥ…対向電極
ＯＲＧ…有機層
５００…異方性導電膜５０２…導電部材 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Display panel 100 ... Array substrate 114 ... Insulating film 115 ... Protective film 130 ... Connection part 131 ... Electrode pad 132 ... Elastic layer 140 ... Wiring 200 ... Sealing substrate 300 ... Sealing material 310 ... Resin layer OLED ... Organic EL element PE ... Pixel electrode (PER ... Reflective electrode PET ... Transparent electrode)
CE ... Counter electrode ORG ... Organic layer 500 ... Anisotropic conductive film 502 ... Conductive member

Claims

An insulating substrate;
An insulating film disposed in an active area and a peripheral area of the active area above the insulating substrate;
An organic EL element comprising: a pixel electrode disposed on the insulating film in the active area; an organic layer disposed on the pixel electrode; and a counter electrode disposed on the organic layer; ,
An electrode pad disposed in the peripheral area above the insulating substrate;
An elastic layer disposed between the insulating substrate and the electrode pad;
A protective film covering the organic EL element and the electrode pad;
An organic EL display device comprising:

The organic EL display device according to claim 1, wherein the elastic layer is formed of the same material as the insulating film.

The organic EL display device according to claim 1, wherein the electrode pad is formed of the same material as the pixel electrode or the counter electrode.

The organic EL display device according to claim 1, further comprising a wiring disposed between the insulating substrate and the elastic layer and electrically connected to the electrode pad.

The elastic layer has a plurality of segments arranged on the wiring,
The organic EL display device according to claim 4, wherein the electrode pad and the wiring are connected between the segments.