KR101994278B1 - Flexible type organic electro luminescent device - Google Patents

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이경하
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Abstract

본 발명은, 다수의 화소영역을 갖는 표시영역과 이의 외측으로 비표시영역이 정의된 기판과; 상기 기판 상의 표시영역에 서로 교차하여 상기 다수의 화소영역을 정의하며 형성된 다수의 게이트 및 데이터 배선과, 상기 게이트 및 데이터 배선 중 어느 하나의 배선과 나란하게 형성된 전원배선과; 상기 각 화소영역에 형성된 어레이 소자 및 유기전계 발광다이오드와; 상기 기판의 비표시영역에 구비되며 상기 다수의 각 게이트 배선 또는 데이터 배선과 연결되며 형성된 다수의 제 1 패드와; 상기 표시영역에 대응하여 점착층을 개재하여 상기 유기전계 발광 다이오드와 접착되는 인캡슐레이션 필름을 포함하며, 상기 인캡슐레이션 필름은 상기 기판 외측으로 연장되는 연장부를 가지며 상기 연장부에는 상기 다수의 제 1 패드과 ACF를 개재하여 통전되는 다수의 금속배선이 구비되며, 상기 연장부는 상기 기판의 저면과 중첩하도록 밴딩된 것이 특징인 플렉서블 타입 유기전계 발광소자를 제공한다.The present invention provides a display device including a display area having a plurality of pixel areas and a non-display area defined outside thereof; A plurality of gate and data lines formed to define the plurality of pixel areas crossing each other on the display area on the substrate, and a power line formed to be parallel to any one of the gate and data lines; An array element and an organic light emitting diode formed in each pixel area; A plurality of first pads provided in a non-display area of the substrate and connected to each of the plurality of gate lines or data lines; An encapsulation film adhered to the organic light emitting diode via an adhesive layer corresponding to the display area, wherein the encapsulation film has an extension part extending outwardly of the substrate, and the extension part includes the plurality of agents. A plurality of metal wires are provided through a pad and an ACF, and the extension part is bent to overlap the bottom surface of the substrate, thereby providing a flexible organic light emitting device.

Description

플렉서블 타입 유기전계 발광소자{Flexible type organic electro luminescent device}Flexible type organic electroluminescent device

본 발명은 유기전계 발광소자(organic electro luminescent device)에 관한 것이며, 특히 밴딩 시 패드부에 구비되는 배선의 크렉 발생을 억제할 수 있는 플렉서블 타입 유기전계 발광소자에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent device, and more particularly, to a flexible type organic electroluminescent device capable of suppressing crack generation of wirings provided in a pad portion during bending.

평판 디스플레이(FPD; Flat Panel Display)중 하나인 유기전계 발광소자는 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 갖는다. Organic light emitting diodes, which are one of flat panel displays (FPDs), have high luminance and low operating voltage characteristics.

또한 스스로 빛을 내는 자체발광형이기 때문에 명암대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류 5 내지 15V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다.In addition, the self-luminous self-illuminating type provides high contrast ratio, enables ultra-thin display, easy response time with several microsecond response time, no restriction on viewing angle, and stable at low temperatures. Since it is driven at a low voltage of 5 to 15V DC, it is easy to manufacture and design a driving circuit.

따라서, 전술한 바와 같은 장점을 갖는 유기전계 발광소자는 최근에는 TV, 모니터, 핸드폰 등 다양한 IT기기에 이용되고 있다. Therefore, the organic light emitting device having the above-described advantages has been recently used in various IT devices such as TVs, monitors, and mobile phones.

이하, 유기전계 발광 소자의 기본적인 구조에 대해서 조금 더 상세히 설명한다. Hereinafter, the basic structure of the organic EL device will be described in more detail.

유기전계 발광소자는 크게 어레이 소자와 유기전계 발광 다이오드로 이루어지고 있다. The organic light emitting device is largely composed of an array device and an organic light emitting diode.

상기 어레이 소자는 게이트 및 데이터 배선과 연결된 스위칭 박막트랜지스터와, 상기 유기전계 발광 다이오드와 연결된 구동 박막트랜지스터로 이루어지며, 상기 유기전계 발광 다이오드는 상기 구동 박막트랜지스터와 연결된 제 1 전극과 유기 발광층 및 제 2 전극으로 이루어지고 있다.The array element includes a switching thin film transistor connected to a gate and a data line, and a driving thin film transistor connected to the organic light emitting diode. The organic light emitting diode includes a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode connected to the driving thin film transistor. It consists of electrodes.

그리고, 이러한 구성요소가 구비된 기판의 일끝단에는 상기 게이트 및 데이터 배선과 연결되어 상기 게이트 및 데이터 배선에 신호전압을 인가하는 패드부가 구비되고 있으며, 이러한 패드부와 FPC를 개재하여 구동회로부를 포함하는 인쇄회로기판의 실장되고 있다. One end of the substrate including the component includes a pad unit connected to the gate and data wires to apply a signal voltage to the gate and data wires, and includes a driving circuit unit through the pad unit and the FPC. The printed circuit board is mounted.

이러한 구성을 갖는 유기전계 발광소자는 상기 인쇄회로기판의 구동회로부로부터 신호가 인가됨으로서 패드부를 통해 최종적으로 상기 유기전계 발광 다이오드로 인가되며, 이에 의해 상기 유기 발광층으로부터 특정 휘도를 갖는 풀 컬러의 빛이 발생되고, 상기 제 1 전극 또는 제 2 전극을 향해 출사됨으로써 화상을 표시하게 된다. The organic light emitting device having such a configuration is finally applied to the organic light emitting diode through a pad portion by applying a signal from the driving circuit portion of the printed circuit board, whereby full-color light having a specific luminance is emitted from the organic light emitting layer. Is generated and emitted toward the first electrode or the second electrode to display an image.

한편, 이러한 유기전계 발광소자는 상기 구동 박막트랜지스터 및 유기전계 발광 다이오드가 형성되는 베이스 기판으로서 통상적으로 유리재질의 기판이 이용되고 있으나, 최근에는 경량 박형 구현과 시인성 향상을 위한 곡면의 표시영역 구현을 위해 유리재질의 기판을 대신하여 플렉서블한 특성을 갖는 플라스틱 기판이 이용되고 있다.On the other hand, such an organic light emitting device is a glass substrate is generally used as the base substrate on which the driving thin film transistor and the organic light emitting diode is formed, but in recent years to implement a lightweight display area and a curved display area for improved visibility In order to replace the glass substrate, a plastic substrate having flexible characteristics is used.

따라서 이러한 플렉서블한 플라스틱 기판을 이용한 유기전계 발광소자는 도 1(플렉서블 특성을 갖는 종래의 유기전계 발광소자의 패드부를 포함하는 일 비표시영역 및 표시영역 일부에 대한 단면도)을 참조하면, 플렉서블한 플라스틱 기판(10)의 상부에 구동 박막트랜지스터(DTr) 및 유기전계 발광 다이오드(E)를 형성한 후, 상기 유기전계발광 다이오드(E)가 외기와 접촉하여 열화되는 것을 방지하기 위해 점착층(72)을 개재하여 인캡슐레이션용 필름(70)이 부착됨으로서 플렉서블 특성이 구현되고 있다. Therefore, when the organic light emitting device using the flexible plastic substrate is illustrated in FIG. 1 (a cross-sectional view of a non-display area and a portion of the display area including the pad part of a conventional organic light emitting device having flexible characteristics), the flexible plastic After the driving thin film transistor DTr and the organic light emitting diode E are formed on the substrate 10, the adhesive layer 72 is formed to prevent the organic light emitting diode E from deteriorating in contact with the outside air. Through the encapsulation film 70 is attached to the flexible property is implemented.

그리고 이러한 플렉서블판 특성을 갖는 유기전계 발광소자의 경우, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr) 및 유기전계 발광 다이오드(E)이를 이루는 베이스 기판(10) 자체가 플렉서블한 특성을 갖는 플라스틱 기판(10)이 되고 있으므로 인쇄회로기판(90) 또한 FPC(fleible printed circuit board) 등의 개재없이 상기 패드부(PA)에 실장시키고 상기 플렉서블한 플라스틱 기판(10) 자체를 밴딩하여 인쇄회로기판(90)이 상기 유기전계 발광소자(1)의 저면에 위치하도록 하고 있다.In the case of the organic light emitting device having such a flexible plate property, the base substrate 10 itself, which constitutes the driving thin film transistor DTr and the organic light emitting diode E, becomes a plastic substrate 10 having flexible characteristics. Therefore, the printed circuit board 90 may also be mounted on the pad part PA without intervening a flexible printed circuit board (FPC), and the flexible plastic substrate 10 itself may be bent to print the printed circuit board 90. The bottom surface of the light emitting element 1 is positioned.

이렇게 플렉서블한 기판(10) 자체를 이용하여 FPC 개재 없이 밴딩함으로서 인쇄회로기판(90)을 상기 유기전계 발광소자(1)의 저면에 위치하도록 함으로서 FPC를 개재하여 인쇄회로기판을 실장하는 것 대비 재료비가 저감될 수 있으며, 패드부(PA) 등이 구비되는 비표시영역(NA)의 폭이 줄어들게 됨으로서 네로우 베젤을 구현하는 장점을 갖기 때문이다. By using the flexible substrate 10 itself, the flexible printed circuit board 90 is placed on the bottom surface of the organic light emitting device 1 by bending the FPC without interposing the material cost, and the cost of mounting the printed circuit board through the FPC. This is because the width of the non-display area NA where the pad part PA is provided can be reduced, and thus the narrow bezel can be realized.

하지만, 전술한 바와같이 구동 박막트랜지스터(DTr)와 유기전계 발광 다이오드(E)가 형성되는 베이스 기판(10) 자체를 밴딩하게 되면, 도 2(플렉서블 특성을 갖는 종래의 유기전계 발광소자에 있어 밴딩된 비표시영역 부분에 대한 확대도)에 도시한 바와같이, 화상을 표시하는 표시영역에 구비된 게이트 배선(17) 및 데이터 배선(미도시)과 게이트 및 데이터 패드전극(19, 미도시)를 연결시키는 게이트 및 데이터 링크 배선(18, 미도시)과 이의 상부 및 하부를 덮으며 형성된 절연층(23, 11, 16)에 크렉(creck)이 발생되어 인쇄회로기판(90)으로부터의 신호 전압이 원활하게 구동 박막트랜지스터(DTr) 및 유기전계 발광 다이오드(E)로 인가되지 않아 구동 불량을 야기하거나, 또는 링크 배선(18, 미도시) 자체가 이를 덮으며 구성된 절연층(23, 11, 16)에 발생된 크렉에 의해 외부로 노출되어 산화됨으로서 내부 저항 증가에 의해 신호지연 등을 발생시킴으로서 또 다시 구동 불량을 야기시키는 문제가 발생되고 있다.However, when the base substrate 10 itself, in which the driving thin film transistor DTr and the organic light emitting diode E are formed, is banded as described above, FIG. 2 (bending in the conventional organic light emitting diode having flexible characteristics). Enlarged view of the portion of the non-display area shown), the gate wiring 17 and the data wiring (not shown) and the gate and data pad electrodes 19 (not shown) provided in the display area for displaying an image are shown. Cracks are generated in the gate and data link wirings 18 (not shown) to be connected and the insulating layers 23, 11, and 16 formed covering the upper and lower portions thereof, so that the signal voltage from the printed circuit board 90 is reduced. Insulation layers 23, 11, and 16 that are not smoothly applied to the driving thin film transistor DTr and the organic light emitting diode E to cause a driving failure, or the link wiring 18 itself is covered. Besides caused by cracks in As a result of negative exposure and oxidation, a signal delay or the like is caused by an increase in internal resistance, thereby causing a problem of driving failure again.

상기 플렉서블한 특성을 갖는 플라스틱 기판(10)에는 구동 박막트랜지스터(DTr) 형성을 위해 무기절연물질로 이루어진 다수의 절연층 예를들면 상기 기판(10)과 접촉하며 형성된 버퍼층(11), 게이트 절연막(16), 층간절연막(26) 및 보호층(미도시)이 구비되고 있다.The flexible substrate 10 has a plurality of insulating layers made of an inorganic insulating material, for example, a buffer layer 11 and a gate insulating film formed in contact with the substrate 10 to form a driving thin film transistor DTr. 16), an interlayer insulating film 26 and a protective layer (not shown) are provided.

이러한 무기절연물질로 이루어진 절연층(23, 11, 16, 미도시)은 그 자체가 신축성 또는 신장력 등이 매우 작으므로 밴딩 시 큰 스트레스를 받게되어 우선적으로 크렉이 발생된다.Since the insulating layers 23, 11, 16, and the like, which are made of such an inorganic insulating material, are very small in elasticity or elongation, they are subjected to a large stress during bending and preferentially generate cracks.

그리고 이러한 무기절연물질로 이루어진 절연층(23, 11, 16, 미도시)에 발생된 크렉에 의해 링크 배선(18, 미도시)이 외부로 노출됨으로서 산화되고, 나아가 크렉이 형성된 절연층(23, 11, 16, 미도시)의 측단이 지속적으로 상기 링크 배선(18, 미도시)에 압력을 가하게 됨으로서 링크 배선 자체도 큰 스트레스를 받게 되어 크렉이 발생하게 되는 것이다.
The link wiring 18 (not shown) is exposed to the outside by the cracks generated in the insulating layers 23, 11, 16, and the like, which are made of such an inorganic insulating material, and are oxidized. 11, 16, the side ends of the link wires (11, 16, not shown) is continuously pressurized by the link wiring (18, not shown), the link wiring itself is also subjected to a large stress will cause cracks.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 인쇄회로기판과 패드부를 FPC 개재없이 전기적으로 연결시키면서 인쇄회로기판이 유기전계 발광소자의 저면에 위치하도록 유기전계 발광소자의 비표시영역이 밴딩되더라도 링크 배선 등에 발생되는 크렉을 억제하여 구동 불량을 원천적으로 억제할 수 있는 플렉서블 타입 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
The present invention has been made to solve the above problems, even if the non-display area of the organic light emitting device is bent so that the printed circuit board is located on the bottom of the organic light emitting device while electrically connecting the printed circuit board and the pad unit without FPC intervening. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a flexible type organic light emitting device and a method of manufacturing the same, which can suppress cracks generated in link wirings and the like, thereby preventing a driving failure from occurring.

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상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자는, 다수의 화소영역을 갖는 표시영역과 이의 외측으로 비표시영역이 정의된 기판과; 상기 기판 상의 표시영역에 서로 교차하여 형성되어 상기 다수의 화소영역을 정의하는 다수의 게이트 및 데이터 배선과, 상기 게이트 및 데이터 배선 중 어느 하나의 배선과 나란하게 형성된 전원배선과; 상기 각 화소영역에 형성된 어레이 소자 및 유기전계 발광다이오드와; 상기 기판의 비표시영역에 구비되며 상기 다수의 각 게이트 배선 또는 데이터 배선과 연결되는 다수의 제 1 패드와; 상기 표시영역에 대응하여 점착층을 개재하여 상기 유기전계 발광 다이오드와 접착되는 인캡슐레이션 필름을 포함하며, 상기 인캡슐레이션 필름은 상기 표시영역에서 상기 비표시영역 및 상기 기판 외측으로 연장되는 연장부를 가지며, 상기 연장부에는 다수의 금속배선이 배치되고 상기 금속배선이 비표영역에서 ACF(anisotropic conductive film)를 통해 상기 다수의 제 1 패드와 ACF(anisotropic conductive film)와 전기적으로 접속되며, 상기 연장부는 상기 기판의 저면과 중첩하도록 밴딩된 것이 특징이다.
상기 인캡슐레이션 필름에는 상기 다수의 금속배선을 덮으며 유기막이 형성되며, 상기 유기막에는 상기 각 금속배선의 양 끝단을 각각 노출시키는 배선 콘택홀이 구비된 특징이며, 이때, 상기 유기막 상부에는 상기 배선 콘택홀을 통해 상기 금속배선과 접촉하는 배선 패드가 형성된 것이 특징이며, 상기 ACF는 상기 배선 패드와 접촉하며 형성된 것이 특징이다.According to an embodiment of the present invention, an organic light emitting display device includes: a display area having a plurality of pixel areas and a non-display area defined outside thereof; A plurality of gate and data lines formed to cross each other in the display area on the substrate to define the plurality of pixel areas, and a power supply line formed in parallel with any one of the gate and data lines; An array element and an organic light emitting diode formed in each pixel area; A plurality of first pads provided in the non-display area of the substrate and connected to the plurality of gate lines or data lines; And an encapsulation film adhered to the organic light emitting diode via an adhesive layer corresponding to the display area, wherein the encapsulation film includes an extension part extending from the display area to the non-display area and the outside of the substrate. A plurality of metal wires are disposed in the extension part, and the metal wires are electrically connected to the plurality of first pads and an anisotropic conductive film (ACF) through an anisotropic conductive film (ACF) in a non-surface area. It is characterized in that the bending so as to overlap the bottom surface of the substrate.
The encapsulation film is formed with an organic film covering the plurality of metal wires, and the organic film is provided with a wiring contact hole for exposing both ends of each metal wire, respectively, wherein the upper part of the organic film The wiring pad may be formed in contact with the metal wiring through the wiring contact hole, and the ACF may be formed in contact with the wiring pad.

그리고 상기 인캡슐레이션 필름의 연장부에는 상기 금속배선 끝단과 연결되며 인쇄회로기판이 실장된 것이 특징이다.And the extension portion of the encapsulation film is connected to the end of the metal wiring is characterized in that the printed circuit board is mounted.

또한, 상기 어레이 소자는 상기 각 화소영역을 정의하는 게이트 및 데이터 배선과 연결된 스위칭 박막트랜지스터와 상기 스위칭 박막트랜지스터와 상기 전원배선 및 유기전계 발광다이오드와 연결된 구동 박막트랜지스터를 포함한다.The array element may include a switching thin film transistor connected to a gate and a data line defining each pixel area, and a driving thin film transistor connected to the switching thin film transistor, the power line, and the organic light emitting diode.

그리고 상기 다수의 각 게이트 배선 또는 데이터 배선과 다수의 제 1 패드는 링크 배선을 통해 서로 연결된 것이 특징이다.The plurality of gate lines or data lines and the plurality of first pads are connected to each other through link lines.

또한, 상기 유기전계 발광 다이오드는 순차 적층된 형태로 각 화소영역별로 분리된 제 1 전극 및 유기 발광층과 상기 표시영역 전면에 형성된 제 2 전극으로 구성되며, 상기 화소영역의 경계에는 뱅크가 구비됨으로서 상기 유기 발광층은 상기 뱅크로 둘러싸인 영역별로 분리 형성된 것이 특징이다.
In addition, the organic light emitting diode includes a first electrode and an organic light emitting layer separated by each pixel area in a stacked form, and a second electrode formed on the front of the display area, and a bank is provided at a boundary between the pixel areas. The organic light emitting layer is formed to be separated for each area surrounded by the bank.

본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 타입 유기전계 발광소자는 유기물질로 이루어진 절연층이 없는 인캡슐레이션 필름에 구동회로를 포함하는 인쇄회로기판이 실장되고, 상기 인캡슐레이션 필름 중 기판 외측으로 연장되는 연장부(EtA)가 밴딩되는 구성을 이룸으로서 종래의 기판 자체가 밴딩되는 플렉서블 타입 유기전계 발광소자에서 발생되는 링크 배선의 크렉을 억제하는 효과를 갖는다.In the flexible organic light emitting device according to the embodiment of the present invention, a printed circuit board including a driving circuit is mounted on an encapsulation film without an insulating layer made of an organic material, and extends to the outside of the substrate among the encapsulation films. By forming a configuration in which the extension EtA is bent, the crack of the link wiring generated in the flexible organic light emitting device in which the conventional substrate itself is bent is suppressed.

나아가 인쇄회로기판의 실장 시 별도의 FPC를 필요치 않으므로 재료비를 저감시키는 효과가 있다.
Furthermore, there is no need for a separate FPC when mounting a printed circuit board, thereby reducing the material cost.

도 1은 플렉서블 특성을 갖는 종래의 유기전계 발광소자의 패드부를 포함하는 일 비표시영역 및 표시영역 일부에 대한 단면도.
도 2는 플렉서블 특성을 갖는 종래의 유기전계 발광소자에 있어 밴딩된 비표시영역 부분에 대한 확대도.
도 3은 일반적인 유기전계 발광소자의 한 화소에 대한 회로도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 타입 유기전계 발광소자의 표시영역 일부와 패드부를 포함하는 비표시영역에 대한 단면도
도 5는 본 발명의 실시예의 일 변형예에 따른 플렉서블 타입 유기전계 발광소자에 있어서 구동 박막트랜지스터에 대한 단면도.
도 6은 본 발명의 실시예의 또 다른 변형예에 따른 플렉서블 타입 유기전계 발광소자에 있어서 구동 박막트랜지스터에 대한 단면도.1 is a cross-sectional view of a non-display area and a portion of a display area including a pad part of a conventional organic light emitting diode having flexible characteristics.
2 is an enlarged view of a portion of a non-display area that is bent in a conventional organic light emitting diode having flexible characteristics.
3 is a circuit diagram of one pixel of a general organic light emitting diode.
4 is a cross-sectional view of a non-display area including a portion of a display area and a pad of a flexible organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of a driving thin film transistor in a flexible organic light emitting diode according to a modification of the embodiment of the present invention;
6 is a cross-sectional view of a driving thin film transistor in a flexible organic light emitting diode according to still another modification of the embodiment of the present invention;

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

우선, 유기전계 발광소자의 기본적인 구조 및 동작특성에 대해서 도면을 참조하여 상세히 설명한다. First, the basic structure and operation characteristics of the organic light emitting device will be described in detail with reference to the drawings.

도 3은 일반적인 유기전계 발광소자의 한 화소에 대한 회로도이다. 3 is a circuit diagram of one pixel of a general organic light emitting diode.

도시한 바와 같이, 유기전계 발광소자에 있어 게이트 배선과 데이터 배선으로 둘러싸인 영역으로 정의되는 각 화소는 상기 게이트 배선과 데이터 배선 및 전원배선과, 스위칭(switching) 박막트랜지스터(STr) 및 구동(driving) 박막트랜지스터(DTr), 스토리지 커패시터(StgC) 그리고 유기전계 발광 다이오드(E)를 포함하여 구성되고 있다. As illustrated, each pixel defined as an area surrounded by gate wiring and data wiring in the organic light emitting diode includes the gate wiring, the data wiring, the power wiring, the switching thin film transistor STr, and the driving. A thin film transistor DTr, a storage capacitor StgC, and an organic light emitting diode E are included.

조금 더 상세히 유기전계 발광소자의 구성에 대해 설명하면, 제 1 방향으로 게이트 배선(GL)이 형성되어 있고, 이러한 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 형성되어 상기 각 화소영역(P)을 정의하며 데이터 배선(DL)이 형성되어 있으며, 상기 데이터 배선(DL)과 이격하며 전원전압을 인가하기 위한 전원배선(PL)이 형성되어 있다. The structure of the organic light emitting diode will be described in more detail. The gate line GL is formed in a first direction, and is formed in a second direction crossing the first direction to define each pixel area P. FIG. The data line DL is formed, and the power line PL is spaced apart from the data line DL to apply a power voltage.

또한, 각 화소 내부에 있어 상기 데이터 배선(DL)과 게이트 배선(GL)이 교차하는 부분에는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 형성되어 있으며, 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)와 전기적으로 연결된 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있다. In addition, a switching thin film transistor STr is formed at a portion where the data line DL and the gate line GL intersect within each pixel, and a driving thin film transistor STr electrically connected to the switching thin film transistor STr. DTr) is formed.

이때, 상기 유기전계 발광 다이오드(E)의 일측 단자인 제 1 전극은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극과 연결되고, 타측 단자인 제 2 전극은 전원배선(PL)과 연결되고 있으며, 이에 의해 상기 전원배선(PL)은 전원전압을 상기 유기전계발광 다이오드(E)로 전달하게 된다. In this case, the first electrode, which is one terminal of the organic light emitting diode E, is connected to the drain electrode of the driving thin film transistor DTr, and the second electrode, which is the other terminal, is connected to the power line PL. As a result, the power line PL transfers a power supply voltage to the organic light emitting diode E.

또한, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에는 스토리지 커패시터(StgC)가 형성되고 있다. In addition, a storage capacitor StgC is formed between the gate electrode and the source electrode of the driving thin film transistor DTr.

따라서, 상기 게이트 배선(GL)을 통해 신호가 인가되면 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 온(on) 되고, 상기 데이터 배선(DL)의 신호가 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극에 전달되어 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 되므로 유기전계발광 다이오드(E)를 통해 빛이 출력된다. Therefore, when a signal is applied through the gate line GL, the switching thin film transistor STr is turned on, and the signal of the data line DL is transferred to the gate electrode of the driving thin film transistor DTr. Since the driving thin film transistor DTr is turned on, light is output through the organic light emitting diode E.

이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 상태가 되면, 상기 전원배선(PL)으로부터 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨이 정해지며 이로 인해 상기 유기전계발광 다이오드(E)는 그레이 스케일(gray scale)을 구현할 수 있게 된다.At this time, when the driving thin film transistor DTr is in an on state, the level of the current flowing from the power supply line PL to the organic light emitting diode E is determined, and thus, the organic light emitting diode E It is possible to implement gray scale.

또한, 상기 스토리지 커패시터(StgC)는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 되었을 때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전압을 일정하게 유지시키는 역할을 함으로써 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 상태가 되더라도 다음 프레임(frame)까지 상기 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨을 일정하게 유지할 수 있게 된다.
In addition, the storage capacitor StgC serves to maintain a constant gate voltage of the driving thin film transistor DTr when the switching thin film transistor STr is turned off, so that the switching thin film transistor STr is turned off. Even in the off state, the level of the current flowing through the organic light emitting diode E can be kept constant until the next frame.

이후에는 이러한 구동에 의해 화상을 표시하는 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 타입 유기전계 발광소자의 구성에 대해 설명한다. Hereinafter, the configuration of the flexible type organic light emitting device according to the embodiment of the present invention for displaying an image by such driving will be described.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 타입 유기전계 발광소자의 표시영역 일부와 패드부를 포함하는 비표시영역에 대한 단면도이다. 이때, 설명의 편의를 위해 각 화소영역(P) 내에 스위칭 박막트랜지스터가 형성될 영역을 스위칭 영역, 구동 박막트랜지스터가 형성될 영역을 구동 영역(DrA)이라 정의하였다. 4 is a cross-sectional view of a non-display area including a part of a display area and a pad part of a flexible organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention. In this case, for convenience of description, a region in which the switching thin film transistor is to be formed in each pixel region P is defined as a switching region and a region in which the driving thin film transistor is to be formed as a driving region DrA.

도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 타입 유기전계 발광소자(101)는 플렉서블한 특성을 갖는 플라스틱 또는 고분자 물질로 이루어진 기판(110) 상의 표시영역(DA) 내의 각 화소영역(P)에 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)와 유기전계 발광 다이오드(E)가 구비되고 있으며, 상기 유기전계 발광 다이오드(E)의 보호를 위해 인캡슐레이션용 필름(170)이 점착층(172)을 개재하여 부착 구성되고 있다. As illustrated, the flexible organic light emitting diode 101 according to an exemplary embodiment of the present invention includes each pixel region P in the display area DA on the substrate 110 made of a plastic or polymer material having flexible characteristics. A driving and switching thin film transistor (DTr, not shown) and an organic light emitting diode (E) are provided, and the encapsulation film 170 is attached to the adhesive layer 172 to protect the organic light emitting diode (E). It is attached and configured through).

우선, 플렉서블한 특성을 가지며 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)와 유기전계 발광 다이오드(E)가 구비된 기판(110)의 구성에 대해 설명한다.First, a configuration of a substrate 110 having flexible characteristics and including a driving and switching thin film transistor DTr (not shown) and an organic light emitting diode E will be described.

상기 플렉서블한 기판(110) 상에는 각 화소영역(P) 내의 각 스위칭 영역(미도시) 및 구동 영역(DA)에 대응하여 순수 폴리실리콘으로 이루어지며 그 중앙부는 채널이 형성되는 제 1 영역(113a), 그리고 상기 제 1 영역(113a) 양측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 제 2 영역(113b)으로 구성된 반도체층(113)이 형성되어 있다. The flexible substrate 110 is formed of pure polysilicon corresponding to each switching region (not shown) and the driving region DA in each pixel region P, and the center portion of the first region 113a is formed with a channel. The semiconductor layer 113 including the second region 113b doped with a high concentration of impurities is formed on both sides of the first region 113a.

이때, 상기 반도체층(113)과 상기 기판(110) 사이에는 상기 기판(110) 전면에 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 단일층 또는 다중층 구조의 버퍼층(111)이 구비되고 있다. At this time, between the semiconductor layer 113 and the substrate 110 of a single layer or multilayer structure made of an inorganic insulating material, such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx) on the entire surface of the substrate 110. The buffer layer 111 is provided.

이러한 단일층 또는 다중층 구조를 갖는 버퍼층(111)은 상기 반도체층(113)의 결정화 시 상기 제 1 기판(110) 내부로부터 나오는 알카리 이온 등의 방출에 의한 상기 반도체층(113)의 특성 저하를 방지하며, 상기 반도체층(113)의 접합력을 향상시키기 위해 형성하는 것이다. The buffer layer 111 having a single layer structure or a multilayer structure prevents deterioration of the characteristics of the semiconductor layer 113 due to emission of alkali ions emitted from the inside of the first substrate 110 during crystallization of the semiconductor layer 113. And to improve the bonding strength of the semiconductor layer 113.

이러한 버퍼층(111)은 상기 기판(110) 전면에 대해 동일한 두께를 가지며 형성될 수도 있지만, 상기 반도체층(113)이 구비되는 스위칭 및 구동 영역(미도시, DrA)이 구비된 표시영역(DA)에 대해서는 제 1 두께를 갖고, 비표시영역(NA) 더욱 정확히는 인쇄회로기판(190)이 실장되는 패드부(PA)를 구비한 비표시영역(NA)에 대해서는 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께를 갖도록 형성될 수도 있으며, 나아가 상기 비표시영역(NA)에 있어서는 형성되지 않고 표시영역(DA)에 대해서만 형성될 수도 있다. Although the buffer layer 111 may be formed to have the same thickness on the entire surface of the substrate 110, the display area DA provided with a switching and driving region (not shown, DrA) provided with the semiconductor layer 113. For the non-display area NA having a first thickness and more precisely the non-display area NA and more precisely the non-display area NA including the pad portion PA on which the printed circuit board 190 is mounted, the second thickness is thinner than the first thickness. In addition, the non-display area NA may not be formed and may be formed only for the display area DA.

도면에 있어서는 상기 버퍼층(111)이 상기 기판(110) 전면에 형성된 것을 일례로 나타내었다.In the drawings, the buffer layer 111 is formed on the entire surface of the substrate 110 as an example.

또한, 상기 반도체층(113)을 덮으며 상기 기판(110) 전면에 대응하여 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 게이트 절연막(116)이 형성되어 있으며, 상기 게이트 절연막(116) 위로 표시영역(DA)에는 각 화소영역(P)의 경계에 일 방향으로 연장하는 게이트 배선(117)이 형성되어 있다. In addition, a gate insulating layer 116 formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx) is formed to cover the semiconductor layer 113 and correspond to the entire surface of the substrate 110. A gate line 117 is formed in the display area DA on the gate insulating layer 116 and extends in one direction at the boundary of each pixel area P.

이때, 이러한 게이트 배선(117)은 그 일끝단이 상기 패드부(PA)까지 연장됨으로서 게이트 링크 배선(119)을 이루고 있으며, 상기 패드부(PA)에는 상기 게이트 링크배선(119)의 일 끝단과 연결된 게이트 패드전극(119)이 형성되고 있다.In this case, one end of the gate line 117 extends to the pad part PA to form the gate link wire 119, and the pad part PA includes one end of the gate link wire 119. Connected gate pad electrodes 119 are formed.

또한, 상기 각 화소영역(P) 내의 스위칭 영역(미도시)에는 상기 게이트 절연막(116) 위로 상기 반도체층(113)의 제 1 영역(113a)에 대응하여 상기 게이트 배선(117)과 연결된 게이트 전극(120)이 구비되고 있으며, 각 구동 영역(DrA)에도 상기 게이트 절연막(116) 위로 각 반도체층(113)의 제 1 영역(113a)에 대응하여 게이트 전극(120)이 형성되어 있다.In addition, a gate electrode connected to the gate wiring 117 in the switching region (not shown) in each pixel region P corresponding to the first region 113a of the semiconductor layer 113 over the gate insulating layer 116. 120 is provided, and a gate electrode 120 is formed in each driving region DrA corresponding to the first region 113a of each semiconductor layer 113 on the gate insulating layer 116.

이때, 상기 구동 및 스위칭 영역(DrA, 미도시)에 구비된 게이트 전극(120)과, 상기 게이트 배선(117) 및 링크 배선(118)과 게이트 패드전극(119)은 저저항 특성을 갖는 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금, 몰리브덴(Mo), 몰리브덴합금(MoTi) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질로 이루어져 단일층 또는 다중층 구조를 이룬다.In this case, the gate electrode 120 provided in the driving and switching region DrA (not shown), the gate wiring 117, the link wiring 118, and the gate pad electrode 119 have a low resistance characteristic. For example, aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), copper (Cu), copper alloy, molybdenum (Mo), molybdenum alloy (MoTi) of any one or two or more of the materials to form a single layer or multi-layer structure.

또한, 상기 게이트 전극(120)과 게이트 배선(117)과 링크 배선(118) 및 게이트 패드전극(119) 위로 상기 기판(110) 전면에 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)로 이루어진 층간절연막(123)이 형성되어 있다. In addition, an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride is formed on the entire surface of the substrate 110 over the gate electrode 120, the gate wiring 117, the link wiring 118, and the gate pad electrode 119. An interlayer insulating film 123 made of (SiNx) is formed.

이때, 상기 층간절연막(123)과 그 하부에 위치하는 상기 게이트 절연막(116)에는 상기 각 반도체층(113)의 상기 제 1 영역(113a) 양측면에 위치한 상기 제 2 영역(113b) 각각을 노출시키는 반도체층 콘택홀(125)이 형성되어 있다. In this case, the interlayer insulating layer 123 and the gate insulating layer 116 disposed under the interlayer insulating layer 123 may expose each of the second regions 113b disposed on both sides of the first region 113a of the semiconductor layer 113. The semiconductor layer contact hole 125 is formed.

다음, 상기 반도체층 콘택홀(125)이 구비된 상기 층간절연막(123) 상에는 상기 게이트 배선(117)과 교차하여 각 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(130)이 형성되고 있으며, 이러한 데이터 배선(130)은 그 일끝단이 패드부까지 연장됨으로서 데이터 링크 배선(미도시)을 이루며, 이러한 데이터 링크 배선(미도시)의 일끝단에는 데이터 패드전극(미도시)이 형성되고 있다.Next, a data line 130 is formed on the interlayer insulating layer 123 including the semiconductor layer contact hole 125 to define each pixel region P by crossing the gate line 117. One end of the wiring 130 extends to the pad portion to form a data link wiring (not shown). A data pad electrode (not shown) is formed at one end of the data link wiring (not shown).

한편, 상기 게이트 배선(117)과 연결되는 게이트 패드전극(119)이 형성되는 패드부(PA)와 상기 데이터 배선(130)과 연결되는 데이터 패드전극(미도시)이 형성되는 패드부(PA)는 동일한 비표시영역(NA)에 구비 될 수도 있으며, 또는 서로 다른 비표시영역(NA)에 구비될 수도 있다.Meanwhile, a pad part PA in which the gate pad electrode 119 is connected to the gate line 117 and a pad part PA in which a data pad electrode (not shown) is connected to the data line 130 are formed. May be provided in the same non-display area NA, or may be provided in different non-display areas NA.

도면에 있어서는 게이트 배선(117)과 연결된 게이트 패드전극(119)이 형성된 패드부(PA)를 포함하는 비표시영역(NA)을 나타내었다. In the drawing, the non-display area NA including the pad part PA in which the gate pad electrode 119 is connected to the gate line 117 is illustrated.

그리고 상기 게이트 배선(117)과 게이트 패드전극(119)을 연결시키는 게이트 링크배선(118)과 상기 데이터 배선(130)과 데이터 패드전극(미도시)을 연결시키는 데이터 링크배선(미도시) 각각은 상기 게이트 배선(117) 및 데이터 배선(130) 형성되는 층 모두에 형성될 수도 있고, 또는 어느 하나의 층에만 형성될 수도 있다. The gate link wiring 118 connecting the gate wiring 117 and the gate pad electrode 119 and the data link wiring (not shown) connecting the data wiring 130 and the data pad electrode (not shown) may be provided. The gate line 117 and the data line 130 may be formed on both layers, or may be formed on only one layer.

이때, 상기 게이트 배선(117) 및 데이터 배선(130)과 동일한 층에 형성되는 링크배선(118, 미도시)은 상기 게이트 배선(117) 및 데이터 배선(130)의 일끝단이 연장하는 형태가 되며, 서로 다른 층에 형성되는 경우에는 링크 콘택홀(미도시)을 통해 게이트 배선(117)과 링크배선(118) 또는 데이터 배선(130)과 링크배선(미도시)이 연결된 형태를 이룬다.At this time, the link wiring 118 (not shown) formed on the same layer as the gate wiring 117 and the data wiring 130 has a form in which one end of the gate wiring 117 and the data wiring 130 extends. When formed in different layers, the gate wiring 117 and the link wiring 118 or the data wiring 130 and the link wiring (not shown) are connected to each other through a link contact hole (not shown).

도면에 있어서는 게이트 배선(117)과 이와 연결되는 링크배선(118)이 동일한 층에 형성된 것을 일례로 나타내었다.In the drawings, the gate wiring 117 and the link wiring 118 connected thereto are formed in the same layer as an example.

한편, 상기 층간절연막(123) 위로 각 구동 영역(DrA) 및 스위칭 영역(미도시)에는 각각 서로 이격하며 상기 반도체층 콘택홀(125)을 통해 노출된 제 2 영역(113b)과 각각 접촉하며 소스 및 드레인 전극(133, 136)이 형성되어 있다. On the other hand, the driving region DrA and the switching region (not shown) are spaced apart from each other on the interlayer insulating layer 123 and contact the second region 113b exposed through the semiconductor layer contact hole 125, respectively. And drain electrodes 133 and 136 are formed.

이때, 구동 및 스위칭 영역(DrA, 미도시)에 각각 형성된 상기 소스 및 드레인 전극(133, 136)과, 이들 두 전극(133, 136)과 각각 접촉하는 제 2 영역(113b)을 포함하는 반도체층(113)과, 상기 반도체층(113) 상부에 형성된 게이트 절연막(116) 및 게이트 전극(120)은 각각 구동 박막트랜지스터(DTr) 및 스위칭 박막트랜지스터(미도시)를 이룬다. In this case, the semiconductor layer includes the source and drain electrodes 133 and 136 formed in the driving and switching regions DrA (not shown), and the second region 113b that contacts the two electrodes 133 and 136, respectively. Reference numeral 113 and the gate insulating layer 116 and the gate electrode 120 formed on the semiconductor layer 113 form a driving thin film transistor DTr and a switching thin film transistor (not shown), respectively.

상기 데이터 배선(130)과 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(133, 136) 및 링크배선(미도시) 또한 저저항 특성을 갖는 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금, 몰리브덴(Mo), 몰리브덴합금(MoTi) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질로 이루어져 단일층 또는 다중층 구조를 이룬다.The source and drain electrodes 133 and 136 spaced apart from the data line 130 and the link wires (not shown) also have a low resistance property such as aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), and copper ( Cu), copper alloy, molybdenum (Mo), molybdenum alloy (MoTi) of any one or two or more materials to form a single layer or multi-layer structure.

한편, 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(130)과 전기적으로 연결되고 있으며, 상기 데이터 배선(130)은 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 소스 전극(미도시)과 연결되며, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 전원배선(미도시)과 유기전계 발광 다이오드(E)와 연결되고 있다.The switching thin film transistor (not shown) is electrically connected to the driving thin film transistor DTr, the gate line (not shown), and the data line 130, and the data line 130 is the switching thin film transistor ( The driving thin film transistor DTr is connected to a power supply wiring (not shown) and an organic light emitting diode E. Referring to FIG.

본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 타입 유기전계 발광소자(101)에 있어서는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr) 및 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 폴리실리콘의 반도체층(113)을 가지며 탑 게이트 타입(Top gate type)으로 구성된 것을 일례로 보이고 있지만, 이에 한정되지 않고 다양하게 변형될 수 있다.In the flexible organic light emitting diode 101 according to an exemplary embodiment of the present invention, the driving thin film transistor DTr and the switching thin film transistor (not shown) have a semiconductor layer 113 of polysilicon and have a top gate type (Top gate). type) is shown as an example, but is not limited thereto and may be variously modified.

즉, 상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)는 도 5(본 발명의 실시예의 일 변형예에 따른 플렉서블 타입 유기전계 발광소자에 있어서 구동 박막트랜지스터에 대한 단면도) 및 6(본 발명의 실시예의 또 다른 변형예에 따른 플렉서블 타입 유기전계 발광소자에 있어서 구동 박막트랜지스터에 대한 단면도)에 각각 도시한 바와같이, 비정질 실리콘의 반도체층(도 5의 220) 또는 산화물 반도체 물질로 이루어진 산화물 반도체층(도 6의 320)을 갖는 보텀 게이트 타입(Bottom gate type)으로 구성될 수도 있다. That is, the driving and switching thin film transistors DTr (not shown) are shown in FIGS. 5 (cross-sectional view of the driving thin film transistor in the flexible organic light emitting diode according to the modification of the embodiment of the present invention) and 6 (the embodiment of the present invention). As shown in a cross-sectional view of a driving thin film transistor in a flexible organic light emitting diode according to another modified example of the example, an oxide semiconductor layer (220 of FIG. 5) or an oxide semiconductor layer made of an oxide semiconductor material ( 6 may be configured as a bottom gate type having a 320 in FIG. 6.

상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터가 보텀 게이트 타입으로 구성되는 경우, 도 5에 도시한 바와같이, 게이트 전극(215)과, 게이트 절연막(216)과, 순수 비정질 실리콘의 액티브층(220a)과 서로 이격하며 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층(220b)으로 이루어진 반도체층(220)과, 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(233, 236)의 적층구조를 갖거나, 또는 도 6에 도시한 바와같이, 게이트 전극(315)과, 게이트 절연막(316)과, 산화물 반도체층(320)과, 에치스토퍼(322)와, 상기 에치스토퍼(322) 상에서 서로 이격하며 각각 상기 산화물 반도체층(320)과 접촉하는 소스 및 드레인 전극(333, 336)의 적층구조를 갖는다.When the driving and switching thin film transistor is configured as a bottom gate type, as shown in FIG. 5, the driving and switching thin film transistors are spaced apart from the gate electrode 215, the gate insulating layer 216, and the active layer 220a of pure amorphous silicon. The semiconductor layer 220 made of the ohmic contact layer 220b of impurity amorphous silicon and the source and drain electrodes 233 and 236 spaced apart from each other, or have a stacked structure as shown in FIG. 315, the gate insulating layer 316, the oxide semiconductor layer 320, the etch stopper 322, and the source and drain spaced apart from each other on the etch stopper 322 and in contact with the oxide semiconductor layer 320, respectively. The electrodes 333 and 336 have a stacked structure.

이러한 보텀 게이트 타입의 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)가 형성된 기판(도 5의 210, 도 6의 310)의 경우, 상기 게이트 배선(미도시)은 상기 게이트 전극(도 5의 215, 도 6의 315)이 형성된 동일한 층에 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 게이트 전극(미도시)과 연결되도록 형성되며, 상기 데이터 배선(미도시)은 상기 구동 박막트랜지스터(미도시)의 소스 전극(미도시)이 형성된 동일한 층에 형성된다. In the case of a substrate (210 in FIG. 5 and 310 in FIG. 6) on which the bottom gate type driving and switching thin film transistor DTr (not shown) is formed, the gate wiring (not shown) may include the gate electrode (215, FIG. 5). 6 is formed to be connected to a gate electrode (not shown) of the switching thin film transistor (not shown) on the same layer where 315 of FIG. 6 is formed, and the data line (not shown) is a source electrode of the driving thin film transistor (not shown). (Not shown) is formed on the same layer formed.

한편, 도 4를 참조하면, 비록 도면에 나타나지 않았지만, 상기 게이트 배선(117)이 형성된 동일한 층 또는 상기 데이터 배선(130)이 형성된 동일한 층에는 전원배선(미도시)이 형성되고 있으며, 이러한 전원배선(미도시)은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 일 전극과 연결되고 있다. Meanwhile, referring to FIG. 4, although not shown in the drawing, a power line (not shown) is formed on the same layer on which the gate line 117 is formed or on the same layer on which the data line 130 is formed. (Not shown) is connected to one electrode of the driving thin film transistor DTr.

또한, 상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시) 위로는 상기 기판(110) 전면에 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 보호층(140)이 형성되어 있으며, 상기 보호층(140) 위로 상기 표시영역(DA)에는 유기절연물질 예를들면 포토아크릴로 이루어지며 평탄한 표면을 갖는 평탄화층(152)이 형성되고 있다.In addition, a protective layer 140 made of an inorganic insulating material, for example, silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx), is formed on the driving and switching thin film transistor DTr (not shown). In the display area DA, a planarization layer 152 formed of an organic insulating material such as photoacryl and having a flat surface is formed on the passivation layer 140.

그리고, 상기 보호층(140)과 평탄화층(152)에는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(143)이 형성되어 있으며, 상기 패드부(PA)에 있어서 상기 보호층(140) 또는 상기 보호층(140) 및 게이트 절연막(116)에는 각각 게이트 패드전극(119) 및 데이터 패드전극(미도시)을 노출시키는 패드 콘택홀(145)이 형성되어 있다. In addition, a drain contact hole 143 exposing the drain electrode 136 of the driving thin film transistor DTr is formed in the passivation layer 140 and the planarization layer 152. A pad contact hole 145 exposing the gate pad electrode 119 and the data pad electrode (not shown) is formed in the passivation layer 140 or the passivation layer 140 and the gate insulating layer 116, respectively.

상기 드레인 콘택홀(143)이 구비된 상기 평탄화층(140) 위로는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)과 상기 드레인 콘택홀(143)을 통해 접촉하며, 각 화소영역(P) 별로 제 1 전극(147)이 형성되어 있다. The drain electrode 136 of the driving thin film transistor DTr contacts the drain electrode 136 through the drain contact hole 143 on the planarization layer 140 having the drain contact hole 143. Each first electrode 147 is formed.

이러한 제 1 전극(147)은 이중층 구조로서 상부층(147b)은 애노드 전극의 역할을 하며, 하부층(147a)은 반사판의 역할을 하도록 형성되고 있다. The first electrode 147 has a double layer structure, and the upper layer 147b serves as an anode electrode, and the lower layer 147a is formed to serve as a reflector.

즉, 상기 제 1 전극(147)의 상부층(147b)은 애노드 전극의 역할을 하도록 일함수 값이 비교적 큰 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어지고 있으며, 상기 제 1 전극(147)의 하부층(147a)은 반사효율이 우수한 금속물질 예를들면 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)으로 이루어짐으로써 상기 제 1 전극(147) 상부에 형성되는 유기 발광층(155)으로부터 발광된 빛을 상부로 반사시켜 재활용함으로서 발광효율을 향상시키는 역할을 하게 된다.That is, the upper layer 147b of the first electrode 147 is a transparent conductive material having a relatively large work function value such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) to serve as an anode electrode. The lower layer 147a of the first electrode 147 is formed of a metal material having excellent reflection efficiency, for example, aluminum (Al) or silver (Ag), to be formed on the first electrode 147. By reflecting the light emitted from the organic light emitting layer 155 to the upper portion and recycling it, it serves to improve the luminous efficiency.

이러한 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 타입 유기전계 발광소자(101)는 상부발광 방식이 되고 있으며, 유기 발광층(155)으로부터 발광된 빛 중 상기 기판(110) 쪽으로 출사되는 빛은 실질적으로 사용자가 느끼지 못하며 사라지게 되므로 이러한 빛을 재활용함으로서 휘도 특성을 향상시키고, 나아가 제조공정 단순화를 구현할 수 있도록 상기 제 1 전극(147)을 반사 능력이 우수한 금속물질로 이루어진 하부층(147a)을 포함하여 이중층 구조를 갖도록 형성한 것이다.The flexible organic light emitting diode 101 according to the embodiment of the present invention having the above configuration has become a top emission type, and light emitted from the organic light emitting layer 155 toward the substrate 110 is substantially emitted. Since the user does not feel and disappears, a double layer structure including a lower layer 147a made of a metal material having excellent reflecting ability on the first electrode 147 to improve luminance characteristics and further simplify the manufacturing process by recycling such light. It is formed to have.

한편, 패드부(PA)가 구비된 비표시영역(NA)에 있어서는 상기 보호층(140) 위로 상기 제 1 전극(147)을 이루는 동일한 물질로 이루어지며 각각 패드 콘택홀(145)을 통해 게이트 및 데이터 패드전극(119, 미도시)과 접촉하며 보조 패드전극(168)이 형성되고 있다.Meanwhile, in the non-display area NA provided with the pad part PA, the gate and the gate may be formed through the pad contact hole 145, respectively, on the protective layer 140. The auxiliary pad electrode 168 is formed in contact with the data pad electrode 119 (not shown).

다음, 표시영역(DA)에 있어서 상기 이중층 구조를 갖는 제 1 전극(147) 위로 각 화소영역(P)의 경계에는 각 화소영역(P)을 둘러싸는 형태로 상기 제 1 전극(147)의 테두리와 중첩하며 상기 제 1 전극(150)의 중앙부를 노출시키며 뱅크(150)가 형성되어 있다. Next, an edge of the first electrode 147 is formed on the boundary of each pixel region P on the first electrode 147 having the double layer structure in the display area DA. The bank 150 is formed to overlap the center and expose the central portion of the first electrode 150.

이때, 상기 뱅크(150)는 일반적인 투명한 유기절연물질 예를들면 폴리이미드(poly imide), 포토아크릴(Photo acryl), 벤조사이클로뷰텐(BCB) 중 어느 하나로 이루어질 수도 있으며, 또는 블랙을 나타내는 물질 예를들면 블랙수지로 이루어질 수도 있다. In this case, the bank 150 may be made of a general transparent organic insulating material, for example, polyimide, photo acryl, benzocyclobutene (BCB), or a material representing black. For example, it may be made of black resin.

또한, 상기 뱅크(150)로 둘러싸인 각 화소영역(P)에 있어 상기 제 1 전극(147) 위로는 적, 녹, 청색 중 어느 하나의 색을 발광하는 것을 특징으로 하는 유기 발광층(155)이 형성되고 있다. In addition, in the pixel area P surrounded by the bank 150, the organic light emitting layer 155 is formed on the first electrode 147 to emit one of red, green, and blue colors. It is becoming.

한편, 상기 유기 발광층(155)은 전술한 적, 녹, 청색을 발광하는 발광 물질 이외에 화이트를 발광하는 물질로 이루어진 것을 더욱 포함하여 적, 녹, 청 및 화이트를 발광하는 구성을 이룰 수도 있다. Meanwhile, the organic light emitting layer 155 may further include a material emitting white light in addition to the above-mentioned light emitting materials emitting red, green, and blue light, and thus may be configured to emit red, green, blue, and white light.

그리고 상기 유기 발광층(155) 상부에는 상기 표시영역(DA) 전면에는 캐소드 전극의 역할을 하며 투명성을 유지하는 것을 특징으로 하며, 캐소드 전극의 역할을 하도록 일함수 값이 비교적 낮은 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 알루미늄마그네슘 합금(AlMg) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질로 이루어진 제 2 전극(158)이 형성되어 있다. In addition, the organic light emitting layer 155 may be formed on the entire surface of the display area DA to serve as a cathode and maintain transparency, and a metal material having a relatively low work function to serve as the cathode may be aluminum. A second electrode 158 made of any one or two or more materials of (Al), aluminum alloy (AlNd), silver (Ag), magnesium (Mg), gold (Au), and aluminum magnesium alloy (AlMg) is formed. .

이때, 상기 표시영역(DA)에 순차 적층된 상기 제 1 전극(147)과 유기 발광층(155) 및 제 2 전극(158)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이루게 된다.In this case, the first electrode 147, the organic emission layer 155, and the second electrode 158 sequentially stacked on the display area DA form an organic light emitting diode E.

한편, 도면에 나타나지 않았지만, 상기 제 1 전극(147)과 유기 발광층(155) 사이 및 상기 유기 발광층(155)과 제 2 전극(158) 사이에는 각각 상기 유기 발광층(155)의 발광 효율 향상을 위해 다층 구조의 제 1 보조층(미도시)과 제 2 보조층(미도시)이 더욱 형성될 수도 있다. Although not shown in the drawings, the light emitting efficiency of the organic light emitting layer 155 may be improved between the first electrode 147 and the organic light emitting layer 155 and between the organic light emitting layer 155 and the second electrode 158, respectively. The first auxiliary layer (not shown) and the second auxiliary layer (not shown) of the multilayer structure may be further formed.

이때, 다층의 상기 제 1 보조층(미도시)은 상기 제 1 전극(147)으로부터 순차 적층되며 정공주입층(hole injection layer)과 정공수송층(hole transporting layer)으로 이루어질 수 있으며, 상기 제 2 보조층(미도시)은 상기 유기 발광층(155)으로부터 전자수송층(electron transporting layer)과 전자주입층(electron injection layer)으로 이루어질 수 있다. In this case, the multi-layered first auxiliary layer (not shown) may be sequentially stacked from the first electrode 147, and may include a hole injection layer and a hole transporting layer. The layer (not shown) may include an electron transporting layer and an electron injection layer from the organic light emitting layer 155.

한편, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)의 기판(110)에 있어서 특징적인 것으로 상기 비표시영역(NA)에 구비된 패드부(PA)에는 상기 각 보조패드전극(168)과 접촉하며 탄성력이 있는 다수의 도전볼(195)을 포함하며 열경화성 수지(197)로 이루어진 ACF(anisotropic conductive film)(199)이 구비되고 있다.On the other hand, it is characteristic of the substrate 110 of the organic light emitting device 101 according to an embodiment of the present invention, each of the auxiliary pad electrode 168 in the pad portion PA provided in the non-display area NA. And an anisotropic conductive film (ACF) 199 made of a thermosetting resin 197, which includes a plurality of conductive balls 195 having elastic force and in contact therewith.

이러한 ACF(199)는 가열가압 시 이와 접촉하는 면에 접착되는 동시에 상기 도전볼(195)에 의해 상기 ACF(199)와 접촉하는 두 구성 요소간을 통전시키는 역할을 하는 것이 특징이다. The ACF 199 is adhered to a surface contacting it when heated and pressurized and at the same time serves to conduct electricity between two components in contact with the ACF 199 by the conductive ball 195.

한편, 전술한 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)의 기판(110)에 대응하여 본 발명의 실싱예에 따른 플렉서블 타입 유기전계 발광소자(101)에 있어서 가장 특징적인 구성 중 하나로서 상기 유기전계 발광 다이오드(E)의 보호와 외기와의 접촉을 통한 열화를 억제시키기 위해 상기 제 2 전극(158) 위로 점착층(172)을 개재하여 인캡슐레이션 필름(170)이 부착 구비되고 있다. On the other hand, the flexible type of the organic light emitting device 101 according to the embodiment of the present invention corresponding to the substrate 110 of the organic light emitting device 101 according to an embodiment of the present invention having the above-described configuration As one of the configurations, the encapsulation film 170 may be disposed on the second electrode 158 via the adhesive layer 172 on the second electrode 158 to suppress deterioration through protection of the organic light emitting diode E and contact with external air. It is attached.

이때, 이러한 인캡슐레이션 필름(170)은 적어도 일측 더욱 정확히는 상기 기판(110)의 패드부(PA)가 구비된 비표시영역(NA)이 위치하는 방향으로는 상기 패드부(PA)가 구비된 비표시영역(NA) 외측으로 노출 연장되는 부분이 구비되고 있는 것이 특징이다. In this case, at least one side of the encapsulation film 170 is more precisely provided with the pad part PA in a direction in which the non-display area NA having the pad part PA of the substrate 110 is located. It is characterized in that a portion is provided which extends outside the non-display area NA.

이하 이러한 인캡슐레이선 필름(170)에 있어 상기 기판(110)의 패드부(PA)가 구비된 비표시영역(NA)에 대응하는 이의 외측으로 노출 연장된 부분을 이하 연장부(EtA)라 칭한다.Hereinafter, a portion of the encapsulated ray film 170 extending outwardly corresponding to the non-display area NA provided with the pad part PA of the substrate 110 is referred to as an extension EtA. It is called.

한편, 또 다른 특징으로서 상기 인캡슐레이션 필름(170)의 내측면 중 상기 기판(110)의 패드부(PA)에 대응하는 부분을 포함하여 상기 연장부(EtA)에는 다수의 금속배선(185)과 구비되고 있으며 이러한 다수의 금속배선(185)은 상기 기판(110)의 패드부(PA)에 구비된 보조 패드전극(168)과 일대일 대응될 수 있도록 상기 보조 패드전극(168)의 개수 이상이 구비되고 있는 것이 특징이다. Meanwhile, as another feature, a plurality of metal wires 185 may be provided on the extension part EtA, including a part of the inner surface of the encapsulation film 170 corresponding to the pad part PA of the substrate 110. The plurality of metal wires 185 may have at least the number of the auxiliary pad electrodes 168 so as to correspond one-to-one with the auxiliary pad electrodes 168 provided in the pad part PA of the substrate 110. It is characterized by being provided.

이때, 설명의 편의를 위해 상기 인캡슐레이션 필름(170)에 있어 상기 다수의 금속배선(185)이 형성된 영역을 배선부(LA)라 칭한다.In this case, for convenience of description, an area in which the plurality of metal wires 185 are formed in the encapsulation film 170 is referred to as a wiring part LA.

한편, 상기 인캡슐레이션 필름(170)의 내측면에는 상기 다수의 금속배선(185)이 외부로 노출됨에 의해 산화되는 것을 방지하고자 상기 배선부(LA)에는 유기절연물질로 이루어진 유기막(187)이 더욱 구비되며, 이때, 상기 유기막(187)에는 상기 다수의 금속배선(185) 양 끝단을 각각 노출시키는 배선 콘택홀(189)이 구비되고 있는 것이 특징이다.Meanwhile, an organic layer 187 made of an organic insulating material is formed on the wiring part LA to prevent oxidation of the plurality of metal wires 185 on the inner surface of the encapsulation film 170. In this case, the organic layer 187 is provided with a wiring contact hole 189 for exposing both ends of the plurality of metal wires 185, respectively.

그리고 상기 배선 콘택홀(189)에 대응하여 상기 유기막(187) 위로 상기 금속배선(185)과 접촉하는 배선 패드(191)가 형성되고 있다. A wiring pad 191 is formed on the organic layer 187 to contact the metal wiring 185 in correspondence with the wiring contact hole 189.

그리고, 전술한 구성을 갖는 인캡슐레이션 필름(170)의 연장부(EtA) 중 노출된 상기 금속배선(185)과 접촉하며 형성된 배선 패드(191)가 형성된 부분은 상기 기판(110) 상의 패드부(PA)에 구비된 ACF(199)를 통해 상기 기판(110)과 접착되어 상기 기판(110)에 고정되며, 나아가 상기 ACF(199) 내부에 구비된 도전볼(195)에 의해 상기 기판(110)에 구비된 보조 패드전극(168)과 상기 인캡슐레이션 필름(170)에 구비된 금속배선(185)의 일 끝단은 통전된 상태를 이룬다.In addition, a portion of the extension portion EtA of the encapsulation film 170 having the above-described configuration, in which the wiring pad 191 formed in contact with the exposed metal wiring 185 is formed, is a pad portion on the substrate 110. The substrate 110 is adhered to the substrate 110 through the ACF 199 provided in the PA and fixed to the substrate 110, and furthermore, the substrate 110 is formed by the conductive ball 195 provided in the ACF 199. The one end of the auxiliary pad electrode 168 and the metal wiring 185 provided in the encapsulation film 170 is in an energized state.

그리고, 이렇게 인캡슐레이션 필름(170)이 상기 기판(110)과 점착층 및 ACF(199)에 의해 부착 고정된 상태에서 상기 인캡슐레이션 필름(170)의 연장부(EtA)는 밴딩되어 상기 기판(110)의 배면으로 위치되며, 상기 연장부(EtA)의 일끝단에는 또 다른 ACF(미도시)를 개재하여 상기 금속배선(185)의 타 끝단과 배선 패드(191)를 통해 통전되며 인쇄회로기판(190)이 실장된다.In addition, while the encapsulation film 170 is attached and fixed by the substrate 110, the adhesive layer, and the ACF 199, an extension EtA of the encapsulation film 170 is bent to the substrate. Located on the back of the 110, one end of the extension EtA is energized through the other end of the metal wiring 185 and the wiring pad 191 via another ACF (not shown) and a printed circuit The substrate 190 is mounted.

이러한 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 타입 유기전계 발광소자(101)는 인캡슐레이션 필름(170)에 구동회로를 포함하는 인쇄회로기판(190)이 실장되고 상기 기판(110) 외측으로 연장되는 연장부(EtA)가 밴딩됨으로서 종래의 기판(도 1의 10) 자체가 밴딩되는 플렉서블 타입 유기전계 발광소자(1)에서 발생되는 배선 크렉을 억제하는 효과를 갖는다.In the flexible organic light emitting device 101 according to the exemplary embodiment having the above configuration, the printed circuit board 190 including the driving circuit is mounted on the encapsulation film 170, and the substrate 110 is disposed outside the substrate 110. The extended portion EtA is bent to have an effect of suppressing wiring cracks generated in the flexible organic light emitting device 1 in which the conventional substrate 10 (in FIG. 1) itself is bent.

이는 그 연장부(EtA)에 대해 상기 다수의 금속배선(185)이 구비된 인캡슐레이션 필름(170)은 그 자체로 무기물질로 이루어진 절연층 대비 신축력이 우수한 고분자 물질로 이루어지며, 상기 금속배선(185)을 보호하기 위해 구비된 유기막(187) 또한 무기절연물질로 이루어진 절연층 대비 신축력이 우수하므로 밴딩된다 하더라도 필름(170) 또는 유기막(187) 자체에는 크렉이 전혀 발생되지 않는다.The encapsulation film 170 provided with the plurality of metal wires 185 with respect to the extension portion EtA is made of a polymer material having excellent elasticity as compared to an insulating layer made of an inorganic material. Since the organic layer 187 provided to protect 185 also has excellent elasticity compared to an insulating layer made of an inorganic insulating material, no cracks are generated in the film 170 or the organic layer 187 itself even when banded.

따라서, 종래의 플렉서블 타입 유기전계 발광소자(도 1의 1)에 있어 신축력이 거의 없는 무기물질로 이루어진 절연층에 크렉이 우선적으로 발생되고 이로 인해 이의 영향을 받아 금속물질로 이루어진 링크배선(도 1의 18)에 크렉이 진행되는 문제를 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 타입 유기전계 발광소자(101)는 원천적으로 억제할 수 있는 것이다.
Therefore, in the conventional flexible organic light emitting device (1 of FIG. 1), a crack is preferentially generated in an insulating layer made of an inorganic material having almost no elasticity, and thus, a link wiring made of a metal material is affected by this. In 18), the flexible type organic light emitting device 101 according to the embodiment of the present invention can suppress the problem of cracking.

본 발명은 전술한 실시예 및 변형예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다. The present invention is not limited to the above-described embodiments and modifications, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

101 : 유기전계 발광소자 110 : 플렉서블 기판
113 : 반도체층 113a : 제 1 영역
113b : 제 2 영역 116 : 게이트 절연막
120 : (구동 박막트랜지스터의)게이트 전극
123 : 층간절연막 125 : 반도체층 콘택홀
133 : (구동 박막트랜지스터의)소스 전극
136 : (구동 박막트랜지스터의)드레인 전극
140 : 보호층 142 : 평탄화층
143 : 드레인 콘택홀 145 : 패드 콘택홀
147 : 제 1 전극 147a : (제1전극의)하부층
147b : (제1전극의)상부층 150 : 뱅크
155 : 유기 발광층 158 : 제 2 전극
168 : 보조 패드전극 170 : 인캡슐레이션 필름
172 : 점착층 185 : 금속배선
187 : 유기막 189 : 배선 홀
190 : 인쇄회로기판 191 : 배선 패드
DA : 표시영역 DrA : 구동 영역
DTr : 구동 박막트랜지스터 E: 유기전계 발광 다이오드
EtA : 연장부 LA : 배선부
NA : 비표시영역 P : 화소영역
PA : 패드부 101: organic light emitting device 110: flexible substrate
113: semiconductor layer 113a: first region
113b: second region 116: gate insulating film
120: gate electrode (of driving thin film transistor)
123: interlayer insulating film 125: semiconductor layer contact hole
133: source electrode (of the driving thin film transistor)
136: drain electrode (of driving thin film transistor)
140: protective layer 142: planarization layer
143: drain contact hole 145: pad contact hole
147: First electrode 147a: Lower layer (of the first electrode)
147b: upper layer (of the first electrode) 150: bank
155: organic light emitting layer 158: second electrode
168: auxiliary pad electrode 170: encapsulation film
172: adhesive layer 185: metal wiring
187: organic film 189: wiring hole
190: printed circuit board 191: wiring pad
DA: Display Area DrA: Drive Area
DTr: driving thin film transistor E: organic light emitting diode
EtA: Extension part LA: Wiring part
NA: non-display area P: pixel area
PA: Pad

Claims (7)

다수의 화소영역을 갖는 표시영역과 이의 외측으로 비표시영역이 정의된 기판과;
상기 기판 상의 표시영역에 서로 교차하여 형성되어 상기 다수의 화소영역을 정의하는 다수의 게이트 및 데이터 배선과, 상기 게이트 및 데이터 배선 중 어느 하나의 배선과 나란하게 형성된 전원배선과;
상기 각 화소영역에 형성된 어레이 소자 및 유기전계 발광다이오드와;
상기 기판의 비표시영역에 구비되며 상기 다수의 각 게이트 배선 또는 데이터 배선과 연결되는 다수의 제 1 패드와;
상기 표시영역에 대응하여 점착층을 개재하여 상기 유기전계 발광 다이오드와 접착되는 인캡슐레이션 필름을 포함하며,
상기 인캡슐레이션 필름은 상기 표시영역에서 상기 비표시영역 및 상기 기판 외측으로 연장되는 연장부를 가지며,
상기 연장부에는 다수의 금속배선이 배치되고 상기 금속배선이 비표시영역에서 ACF(anisotropic conductive film)를 통해 상기 다수의 제 1 패드와 삭제 전기적으로 접속되며,
상기 연장부는 상기 기판의 저면과 중첩하도록 밴딩된 것이 특징인 플렉서블 타입 유기전계 발광소자.
A display area having a plurality of pixel areas and a non-display area defined outside thereof;
A plurality of gate and data lines formed to cross each other in the display area on the substrate to define the plurality of pixel areas, and a power supply line formed in parallel with any one of the gate and data lines;
An array element and an organic light emitting diode formed in each pixel area;
A plurality of first pads provided in the non-display area of the substrate and connected to the plurality of gate lines or data lines;
An encapsulation film adhered to the organic light emitting diode through an adhesive layer corresponding to the display area;
The encapsulation film has an extension part which extends from the display area to the non-display area and the substrate,
A plurality of metal wires are disposed in the extension part, and the metal wires are electrically connected to the plurality of first pads through an anisotropic conductive film (ACF) in a non-display area.
And the extension part is bent to overlap the bottom surface of the substrate.
제 1 항에 있어서,
상기 인캡슐레이션 필름에는 상기 다수의 금속배선을 덮으며 유기막이 형성되며, 상기 유기막에는 상기 각 금속배선의 양 끝단을 각각 노출시키는 배선 콘택홀이 구비된 특징인 플렉서블 타입 유기전계 발광소자.
The method of claim 1,
The encapsulation film covers the plurality of metal interconnections and an organic layer is formed, wherein the organic layer includes a wiring contact hole for exposing both ends of the metal interconnections, respectively.
제 2 항에 있어서,
상기 유기막 상부에는 상기 배선 콘택홀을 통해 상기 금속배선과 접촉하는 배선 패드가 형성된 것이 특징이며, 상기 ACF(anisotropic conductive film)는 상기 배선 패드와 접촉하며 형성된 것이 특징인 플렉서블 타입 유기전계 발광소자.
The method of claim 2,
And an interconnection pad in contact with the metal wiring through the interconnection contact hole, and the anisotropic conductive film (ACF) is formed in contact with the interconnection pad.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 인캡슐레이션 필름의 연장부에는 상기 금속배선의 끝단과 연결되며 인쇄회로기판이 실장된 것이 특징인 플렉서블 타입 유기전계 발광소자.
The method according to claim 1 or 2,
A flexible type organic light emitting diode, characterized in that the extension portion of the encapsulation film is connected to the end of the metal wiring and a printed circuit board is mounted.
제 1 항에 있어서,
상기 어레이 소자는 상기 각 화소영역을 정의하는 게이트 및 데이터 배선과 연결된 스위칭 박막트랜지스터와 상기 스위칭 박막트랜지스터와 상기 전원배선 및 유기전계 발광다이오드와 연결된 구동 박막트랜지스터를 포함하는 플렉서블 타입 유기전계 발광소자.
The method of claim 1,
The array device includes a switching thin film transistor connected to a gate and a data line defining each pixel area, and a driving thin film transistor connected to the switching thin film transistor and the power source wiring and the organic light emitting diode.
제 1 항에 있어서,
상기 다수의 각 게이트 배선 또는 데이터 배선과 다수의 제 1 패드는 링크 배선을 통해 서로 연결된 것이 특징인 플렉서블 타입 유기전계 발광소자.
The method of claim 1,
The plurality of gate lines or data lines and the plurality of first pads are connected to each other through a link line.
제 1 항에 있어서,
상기 유기전계 발광 다이오드는 순차 적층된 형태로 각 화소영역별로 분리된 제 1 전극 및 유기 발광층과 상기 표시영역 전면에 형성된 제 2 전극으로 구성되며, 상기 화소영역의 경계에는 뱅크가 구비됨으로서 상기 유기 발광층은 상기 뱅크로 둘러싸인 영역별로 분리 형성된 것이 특징인 플렉서블 타입 유기전계 발광소자.The method of claim 1,
The organic light emitting diode includes a first electrode and an organic light emitting layer separated for each pixel area in a stacked form, and a second electrode formed on the front of the display area, and a bank is provided at a boundary between the pixel areas so that the organic light emitting layer is formed. Flexible organic light emitting device, characterized in that formed separately for each area surrounded by the bank.
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