JP2010243205A - Substrate state inspection method, laser beam machining device, and method for manufacturing solar panel - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、レーザ光を用いて薄膜等を加工するレーザ加工方法及び装置並びにソーラパネル製造方法に係り、特にレーザ加工箇所へ搬入される基板の状態を検査する基板状態検査方法及びレーザ加工装置並びにソーラパネル製造方法に関する。 The present invention relates to a laser processing method and apparatus for processing a thin film or the like using a laser beam, and a solar panel manufacturing method, and more particularly to a substrate state inspection method and laser processing apparatus for inspecting the state of a substrate carried into a laser processing location, and The present invention relates to a solar panel manufacturing method.
従来、ソーラパネルの製造工程では、透光性基板(ガラス基板)上に透明電極層、半導体層、金属層を順次形成し、形成後の各工程で各層をレーザ光で短冊状に加工してソーラパネルモジュールを完成している。レーザ光でスクライブ線を形成する場合、通常は定速度で移動するガラス基板上にレーザ光を照射していた。これによって、深さ及び線幅の安定したスクライブ線を形成することが可能である。このようなソーラパネル(光電変換装置)の製造方法においては、ガラス基板である基板をレーザ加工装置内に正確にアライメントしなければならない。また、ガラス基板に欠けや曲がりが存在しないか検査する必要がある。ガラス基板をアライメントする方法については、特許文献1に記載のようなものが知られている。
Conventionally, in a solar panel manufacturing process, a transparent electrode layer, a semiconductor layer, and a metal layer are sequentially formed on a translucent substrate (glass substrate), and each layer is processed into a strip shape with laser light in each step after the formation. A solar panel module has been completed. When forming a scribe line with a laser beam, the laser beam is usually irradiated onto a glass substrate that moves at a constant speed. Thereby, it is possible to form a scribe line having a stable depth and line width. In such a method of manufacturing a solar panel (photoelectric conversion device), a substrate that is a glass substrate must be accurately aligned in the laser processing apparatus. Further, it is necessary to inspect the glass substrate for any chipping or bending. As a method for aligning a glass substrate, a method as described in
特許文献1に記載のものは、ガラス基板を載置した状態で上下に移動する位置決めピンを用いて基板を突き当てて所定の位置に固定している。しかしながら、ソーラパネルを製造する場合、ガラス基板上の薄膜に例えば10mmピッチでスクライブ線が形成され、このスクライブ線の線幅は約30μmで、線と線の間隔は約30μmとなるような3本の線で構成されている。従って、特許文献1のような突き当てによる位置決めでは、線と線が重なってしまい、所望のスクライブ線を形成することが困難であった。また、従来は、アライメントは行なっていたが、ガラス基板の欠けや曲がり(反り)について、検査していなかったので、欠けや曲がり(反り)を有するガラス基板にソーラパネルモジュールを形成してしまい問題となっていた。
In the device described in
本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであり、レーザ加工箇所へ搬入される基板の欠けや曲がり(反り)を検査することのできる基板状態検査方法及びレーザ加工装置並びにソーラパネル製造方法を提供することである。 The present invention has been made in view of the above points, and a substrate state inspection method, a laser processing apparatus, and a solar panel manufacturing method capable of inspecting chipping or bending (warping) of a substrate carried into a laser processing location. Is to provide.
本発明に係る基板状態検査方法の第1の特徴は、レーザ光による加工位置に基板を搬入する際に、前記基板の四隅付近の画像を取得し、その画像に基づいて前記基板の曲がり(反り)や前記基板の四隅付近の欠けを検出することにある。
レーザ光による加工は、レーザ発生装置から出射されたレーザ光を基板の加工面に略垂直に照射することによって行なわれる。従って、基板に曲がり(反り)や基板の四隅が欠けたりしていると正確な加工を行なうことが困難となり、ソーラパネルモジュールの品質に問題が生じる可能性がある。そこで、この発明では、基板を加工位置に搬入する際に、基板の四隅付近の画像を取得し、その画像に基づいて基板の曲がり(反り)や基板の四隅付近の欠けを検出するようにした。基板の四隅付近の画像を取得するカメラ手段の相対的な位置関係は、予め設定された既知の値なので、四隅の各頂点の画像の中で各頂点の位置がずれていた場合、そのずれ量に基づいて基板の曲がり(反り)を検出することができ、四隅付近の画像に基づいて基板の欠けを検出することも可能となる。
A first feature of the substrate state inspection method according to the present invention is that, when a substrate is carried into a processing position by a laser beam, images near the four corners of the substrate are acquired, and the substrate is bent (warped) based on the image. ) And the detection of chips near the four corners of the substrate.
Processing with laser light is performed by irradiating the processing surface of the substrate substantially perpendicularly with laser light emitted from a laser generator. Therefore, if the substrate is bent (warped) or the four corners of the substrate are missing, it is difficult to perform accurate processing, which may cause a problem in the quality of the solar panel module. Therefore, in the present invention, when the substrate is carried into the processing position, images near the four corners of the substrate are acquired, and bending (warping) of the substrate or chipping near the four corners of the substrate is detected based on the image. . Since the relative positional relationship of the camera means for acquiring images near the four corners of the board is a known value set in advance, if the position of each vertex is shifted in the image of each vertex at the four corners, the amount of shift It is possible to detect the bending (warping) of the substrate based on the above, and it is also possible to detect the chipping of the substrate based on the images near the four corners.
本発明に係る基板状態検査方法の第2の特徴は、前記第1の特徴に記載の基板状態検査方法において、前記基板の四隅付近の画像の取得を前記基板の四隅に対応して設けられた4個の画像取得手段を用いて行なうことにある。これは、基板の四隅付近の画像をそれぞれ基板上部又は下部側に設けられた4個の画像取得手段(例えばカメラ手段)を用いて取得するものである。これら4個の画像取得手段を基板の四辺に沿って移動させることによって、基板の外周縁の欠けを検出することも可能である。 According to a second aspect of the substrate state inspection method of the present invention, in the substrate state inspection method according to the first feature, acquisition of images near the four corners of the substrate is provided corresponding to the four corners of the substrate. This is done by using four image acquisition means. In this method, images near the four corners of the substrate are acquired using four image acquisition means (for example, camera means) provided on the upper or lower side of the substrate, respectively. By moving these four image acquisition means along the four sides of the substrate, it is possible to detect a chip in the outer peripheral edge of the substrate.
本発明に係る基板状態検査方法の第3の特徴は、レーザ光による加工位置に基板を搬入する際に、前記基板の外周縁の画像を取得し、その画像に基づいて前記基板の曲がり(反り)及び前記基板の前記外周縁の欠けを検出することにある。
これは、基板を加工位置に搬入する際に、基板の外周縁の画像を取得し、その画像に基づいて基板の曲がり(反り)や基板の外周縁の欠けを検出するようにしたものである。基板の外周縁の画像を取得するためには、基板の外周縁に沿って移動する画道取得手段を設ければよい。この場合、1又は複数個の画像取得手段を基板の外周縁に沿って移動させるようにすればよい。
A third feature of the substrate state inspection method according to the present invention is that an image of the outer peripheral edge of the substrate is acquired when the substrate is carried into a processing position by laser light, and the substrate is bent (warped) based on the image. ) And detecting a chip in the outer peripheral edge of the substrate.
In this method, when the substrate is carried into the processing position, an image of the outer peripheral edge of the substrate is acquired, and bending (warping) of the substrate or chipping of the outer peripheral edge of the substrate is detected based on the image. . In order to acquire an image of the outer peripheral edge of the substrate, an image path acquisition unit that moves along the outer peripheral edge of the substrate may be provided. In this case, one or a plurality of image acquisition means may be moved along the outer peripheral edge of the substrate.
本発明に係る基板状態検査方法の第4の特徴は、前記第3の特徴に記載の基板状態検査方法において、前記基板の外周縁の画像の取得を前記基板の外周縁のそれぞれの対角に対応して設けられた2個の画像取得手段を用いて行なうことにある。これは、基板の外周縁の画像をそれぞれ基板上部又は下部側に設けられた2個の画像取得手段(例えばカメラ手段)を用いて取得するようにしたものである。2個の画像取得手段は、基板の移動を利用して基板の移動方向に平行な辺(外周縁の一部)の画像を取得し、基板の移動方向と垂直方向に移動させることによって基板の移動方向と垂直な方向に平行な辺(外周縁の一部)の画像をそれぞれ取得して、その画像に基づいて基板の曲がり(反り)や基板の外周縁の欠けを検出するようにしたものである。 According to a fourth aspect of the substrate state inspection method of the present invention, in the substrate state inspection method according to the third aspect, acquisition of an image of the outer peripheral edge of the substrate is performed at each diagonal of the outer peripheral edge of the substrate. There are two image acquisition means provided correspondingly. In this method, the image of the outer peripheral edge of the substrate is acquired using two image acquisition means (for example, camera means) provided on the upper or lower side of the substrate, respectively. The two image acquisition means acquire an image of a side (a part of the outer peripheral edge) parallel to the movement direction of the substrate by using the movement of the substrate, and move the substrate in a direction perpendicular to the movement direction of the substrate. An image of each side (part of the outer peripheral edge) parallel to the direction perpendicular to the moving direction is acquired, and the bending (warping) of the substrate and the chip of the outer peripheral edge of the substrate are detected based on the images. It is.
本発明に係るレーザ加工装置の第1の特徴は、基板を保持してレーザ光による加工位置に搬入する搬入手段と、前記搬入手段によって搬入された基板に保持する保持手段と、前記保持手段に保持された前記基板にレーザ光を照射して所定の加工処理を施すレーザ光照射手段と、前記搬入手段に保持された前記基板の四隅付近の画像を取得する画像取得手段と、前記画像取得手段によって取得された前記基板の四隅付近の画像に基づいて前記基板の曲がり(反り)や前記基板の四隅付近の欠けを検出する検出手段とを備えたことにある。これは、前記基板状態検査方法の第1の特徴に記載のものを用いたレーザ加工装置の発明である。 The first feature of the laser processing apparatus according to the present invention is that a carry-in means for holding a substrate and carrying it into a machining position by laser light, a holding means for holding the substrate carried by the carry-in means, and the holding means Laser light irradiation means for irradiating the held substrate with laser light to perform predetermined processing, image acquisition means for acquiring images near the four corners of the substrate held by the carry-in means, and the image acquisition means And detecting means for detecting bending (warping) of the substrate and chipping near the four corners of the substrate based on the images near the four corners of the substrate acquired by the above. This is an invention of a laser processing apparatus using the one described in the first feature of the substrate state inspection method.
本発明に係るレーザ加工装置の第2の特徴は、前記第1の特徴に記載のレーザ加工装置において、前記画像取得手段が、前記基板の四隅付近の画像をそれぞれ取得するカメラ手段で構成されることにある。これは、前記基板状態検査方法の第2の特徴に記載のものを用いたレーザ加工装置の発明である。 A second feature of the laser processing apparatus according to the present invention is the laser processing apparatus according to the first feature, wherein the image acquisition means is configured by camera means for acquiring images near the four corners of the substrate. There is. This is an invention of a laser processing apparatus using the one described in the second feature of the substrate state inspection method.
本発明に係るレーザ加工装置の第3の特徴は、基板を保持してレーザ光による加工位置に搬入する搬入手段と、前記搬入手段によって搬入された基板に保持する保持手段と、前記保持手段に保持された前記基板にレーザ光を照射して所定の加工処理を施すレーザ光照射手段と、前記搬入手段に保持された前記基板の外周縁の画像を取得する画像取得手段と、前記画像取得手段によって取得された画像に基づいて前記基板の曲がり(反り)及び前記基板の前記外周縁の欠けを検出する検出手段とを備えたことにある。これは、前記基板状態検査方法の第3の特徴に記載のものを用いたレーザ加工装置の発明である。 A third feature of the laser processing apparatus according to the present invention is that a carry-in means for holding a substrate and carrying it into a processing position by laser light, a holding means for holding the substrate carried by the carry-in means, and the holding means Laser light irradiation means for irradiating the held substrate with laser light to perform a predetermined processing, image acquisition means for acquiring an image of the outer periphery of the substrate held by the carry-in means, and the image acquisition means And detecting means for detecting bending (warping) of the substrate and chipping of the outer peripheral edge of the substrate on the basis of the image obtained by the above. This is an invention of a laser processing apparatus using the one described in the third feature of the substrate state inspection method.
本発明に係るレーザ加工装置の第4の特徴は、前記第3の特徴に記載のレーザ加工装置において、前記画像取得手段が、前記基板の外周縁のそれぞれの対角に対応して設けられた2個のカメラ手段で構成されることにある。これは、前記基板状態検査方法の第4の特徴に記載のものを用いたレーザ加工装置の発明である。 According to a fourth aspect of the laser processing apparatus of the present invention, in the laser processing apparatus according to the third aspect, the image acquisition unit is provided corresponding to each diagonal of the outer peripheral edge of the substrate. It consists of two camera means. This is an invention of a laser processing apparatus using the one described in the fourth feature of the substrate state inspection method.
本発明に係るソーラパネル製造方法の特徴は、前記第1の特徴から第4の特徴までのいずれか1に記載の基板状態検査方法又は前記第1の特徴から第4の特徴までのいずれか1に記載のレーザ加工装置を用いて、ソーラパネルを製造することにある。これは、前記基板状態検査方法又はレーザ加工装置のいずれか1を用いて、ソーラパネルを製造するようにしたものである。 The feature of the solar panel manufacturing method according to the present invention is any one of the substrate state inspection method according to any one of the first feature to the fourth feature or the first feature to the fourth feature. A solar panel is manufactured using the laser processing apparatus described in 1). In this method, a solar panel is manufactured using any one of the substrate state inspection method and the laser processing apparatus.
本発明によれば、レーザ加工箇所へ搬入される基板の欠けや曲がり(反り)を検査することができるという効果がある。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, there exists an effect that the chip | tip and bending (warp) of the board | substrate carried in to a laser processing location can be test | inspected.
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。図1は、本発明の一実施の形態に係る基板状態検査装置を搭載したレーザ加工装置の概略構成を示す図である。このレーザ加工装置は、ソーラパネル製造装置のレーザ光加工処理(レーザスクライブ)工程を行なうものである。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a laser processing apparatus equipped with a substrate state inspection apparatus according to an embodiment of the present invention. This laser processing apparatus performs a laser beam processing (laser scribing) process of a solar panel manufacturing apparatus.
図1のソーラパネル製造装置は、台座10、XYテーブル20、レーザ発生装置40と、光学系部材50、アライメントカメラ装置60、基板検出カメラ65〜68、リニアエンコーダ70、制御装置80、第1検出光学系部材、第2検出光学系部材等によって構成されている。台座10上には台座10のX軸方向及びY軸方向(XY平面)に沿って駆動制御されるXYテーブル20が設けられている。
1 includes a
XYテーブル20は、X方向及びY方向へ移動制御される。なお、XYテーブル20の駆動手段としては、ボールネジやリニアモータ等が用いられるが、これらの図示は省略してある。XYテーブル20の上側にはレーザ加工の対象となる基板1が保持されている。また、台座10の上には光学系部材を保持しながらY軸方向にスライド駆動されるスライドフレーム30が設けられている。XYテーブル20は、Z軸を回転軸としてθ方向に回転可能に構成されている。なお、スライドフレーム30によりY軸方向の移動量が十分に確保できる場合には、XYテーブル20は、X軸方向の移動だけを行なう構成であってもよい。この場合、XYテーブル20はX軸テーブルの構成でもよい。
The XY table 20 is controlled to move in the X direction and the Y direction. In addition, although a ball screw, a linear motor, etc. are used as a drive means of the XY table 20, these illustration is abbreviate | omitted. On the upper side of the XY table 20, a
スライドフレーム30は、台座10上の四隅に設けられた移動台に取り付けられている。スライドフレーム30は、この移動台によってY方向へ移動制御される。ベース板31と移動台との間には除振部材(図示せず)が設けられている。スライドフレーム30のベース板31には、レーザ発生装置40、光学系部材50及び制御装置80が設置されている。
The
アライメントカメラ装置60は、XYテーブル20上であって基板1の両端部(X軸方向の前後縁部)付近の画像を取得する。このアライメントカメラ装置60で取得された画像は、制御装置80に出力される。制御装置80は、アライメントカメラ装置60からの画像を、基板1のIDデータと共にデータベース手段に格納し、これ以降の基板1のアライメント処理に利用する。
The
図2は、基板検出カメラと基板との関係を示す図であり、図2(A)は、移動台に載置されて移動する基板と基板検出カメラの関係を示す側面図であり、図2(B)はその上面図である。基板検出カメラ65〜68は、移動台24上に載置された基板1がXYテーブル20上に投入されるときに、基板1の四隅付近の画像をその上側から取得するものである。図2では、基板1は移動台24上に載置され、左側から右側に移動して、XYテーブル20上に投入される直前の様子を示す。図2(B)に示す画像65a〜68aは、基板検出カメラ65〜68によって取得された基板1の四隅付近の画像である。基板検出カメラ65〜68の相対的な位置関係は予め設定された既知の値なので、画像65a〜68aに示すように、反りや曲がりのない基板1の四隅の各頂点は、基板検出カメラ65〜68の撮像範囲のほぼ中央付近に位置するように設定されている。従って、画像65a〜68aの中で各頂点の位置がずれていた場合、そのずれ量に基づいて基板1の曲がり(反り)を検出することができるようになっている。また、画像65a〜68aに基づいて基板1の四隅付近の欠けを検出することができる。なお、基板検出カメラ65〜68を基板1の各辺に沿って移動させることによって基板1の各辺の欠けを検出することができる。
2 is a diagram illustrating a relationship between the substrate detection camera and the substrate, and FIG. 2A is a side view illustrating a relationship between the substrate mounted on the moving table and the substrate detection camera, and FIG. (B) is a top view thereof. The
図3は、基板検出カメラと基板との別の関係を示す図である。上述の実施の形態では、基板検出カメラ65〜68は基板1の四隅付近の上部に設けられていたが、この実施の形態では、2台の基板検出カメラ65,68が基板1の対角付近の上側に位置するようになっている。図3(A)において、基板1が移動台24上に載置された状態で、点線で示す基板1がその位置から矢印のように右側に移動して実線で示す基板1の位置(基板1の対角の上部に基板検出カメラ65,68が位置する位置)に移動する。この基板1の移動時に、基板検出カメラ68は、移動する基板1の辺1aの画像を取得する。そして、基板移動終了時には、基板検出カメラ65,68は基板1の対角付近の頂点の画像(図2の画像65a,68a)を取得する。基板1が停止した状態で、今度は基板検出カメラ65,68は、図3(B)に示すように、点線矢印に沿って移動する。この基板検出カメラ65,68の移動時に、基板検出カメラ65は、基板1の辺1bの画像を取得し、基板検出カメラ68は、基板1の辺1cの画像を取得する。基板検出カメラ65,68の移動終了時には、基板検出カメラ65,68は基板1の別の対角付近の頂点の画像(図2の画像66a,67a)を取得する。基板検出カメラ65,68が停止した状態で、今度は基板1が図3(C)に示すように、点線で示す基板1がその位置から矢印のように右側に移動して実線で示す基板1の位置に移動する。この基板1の移動時に、基板検出カメラ65は、移動する基板1の辺1dの画像を取得する。上述の一連の動作によって、2台の基板検出カメラ65,68を用いて、図2の場合と同様に、画像65a〜68aと基板1の各辺の画像を取得することができる。これによって、画像65a〜68aの各頂点の位置のずれ量に基づいて基板1の曲がり(反り)や基板1の各辺の欠けを検出することができる。なお、一連の検出動作終了後に、基板検出カメラ65,68を図3(A)の初期位置に復帰させてもよいし、復帰させずに、逆の動作を行なうようにしてもよい。
FIG. 3 is a diagram illustrating another relationship between the substrate detection camera and the substrate. In the above-described embodiment, the
リニアエンコーダ70は、XYテーブル20のX軸移動テーブルの側面に設けられたスケール部材と検出部で構成される。リニアエンコーダ70の検出信号は、制御装置80に出力される。制御装置80は、リニアエンコーダ70からの検出信号に基づいてXYテーブル20のX軸方向の移動速度(移動周波数)を検出し、レーザ発生装置40の出力(レーザ発振周波数)を制御する。
The
光学系部材50は、ミラーやレンズの組み合わせで構成され、レーザ発生装置40で発生したレーザ光を4系列に分割してXYテーブル20上の基板1上に導くものである。図1では、光学系部材50は、ベース板31の側面側に設けられており、ベース板31の側面に沿って移動するように構成されている。レーザ発生装置40から出射されるレーザ光を光学系部材50に導くためのミラー33はベース板31上に設けられている。ミラー34,35は、光学系部材50上に設けられており、光学系部材50のスライド移動に連動するようになっている。レーザ発生装置40から出射されたレーザ光は、ミラー33によってミラー34へ向かって反射され、ミラー34に向かうレーザ光はミラー34によってミラー35に向かって反射される。ミラー35は、ミラー34からの反射レーザ光をベース板31に設けられた貫通穴を介して光学系部材50内に導く。なお、レーザ光発生装置40から出射されたレーザ光は、ベース板31に設けられた貫通穴から光学系部材50に対して上側から導入されるように構成されれば、どのような構成のものであってもよい。例えば、レーザ発生装置40を貫通穴の上側に設け、貫通穴を介して光学系部材50に直接レーザ光を導くようにしてもよい。この実施の形態では、レーザ光の分割数を4系列として説明するが、これに限るものではなく、2系列以上であればよい。
The
図4及び図5は、図1のXYテーブル上に基板をアライメントする基板アライメント方法の概念を示す図であり、図4は最初のスクライブ処理前のアイランメト処理を示し、図5は2回目以降のスクライブ処理前のアライメント処理の一例をそれぞれ示す図である。まず、図4に示すように基板1を載置した状態で基板1の左側端部の下側縁部を位置決めピン21に、基板1の下側端部の左側縁部を位置決めピン22に、基板1の下側端部の右側縁部を位置決めピン23に、それぞれ突き当て、基板1をXYテーブル20上の所定位置に位置決めする。この状態で基板1上の透明電極層にレーザ光を照射し、スクライブ処理を実行する。最初のスクライブ処理の結果、基板1上には、ピッチ10mmでスクライブ線が形成される。
4 and 5 are views showing the concept of the substrate alignment method for aligning the substrate on the XY table of FIG. 1, FIG. 4 shows the island met process before the first scribe process, and FIG. 5 shows the second and subsequent times. It is a figure which shows an example of the alignment process before a scribe process, respectively. First, as shown in FIG. 4, with the
図4は複数のスクライブ線のうち、基板中央付近の1本のスクライブ線25を示す。このスクライブ線25の両端部付近、すなわちスクライブ線25と基板1の縁部との両方を含む箇所27,29付近の画像27a,29aを前述のアライメントカメラ装置60で取得する。画像27a,29aを見ると分かるように、画像の中にスクライブ線25の画像と基板1の縁部の形状の画像の両方を含んでいるので、画像認識処理が容易となる。取得された画像27a,29aは制御装置によって基板1のIDデータとしてデータベース手段75に順次記憶される。
FIG. 4 shows one
図4のように、レーザ加工によるスクライブ処理と共に画像27a,29aの取得処理が終了すると、次は、この透明電極層の上に半導体層を形成する処理が行なわれる。半導体層形成処理が終了した後、基板1に対して前述と同様のレーザ光によるスクライブ処理が実行される。この2回目のスクライブ処理の前に図5に示すような方法でアライメント処理が行なわれる。
As shown in FIG. 4, when the acquisition process of the
図5では、最初のアライメント処理と同じように基板1を載置した状態で基板1の左側端部の下側縁部を位置決めピン21に、基板1の下側端部の左側縁部を位置決めピン22に、基板1の下側端部の右側縁部を位置決めピン23に、それぞれ突き当て、基板1をXYテーブル20上の所定位置に位置決めする。この状態で、スクライブ線25の両端部付近、すなわちスクライブ線25と基板1の縁部との両方を含む箇所27,29付近の画像27b,29bをアライメントカメラ装置60で取得する。一方、制御装置は、データベース手段75から基板1のIDデータの画像27a,29aを読みだす。制御装置によって、読み出された画像27a,29aと、アライメントカメラ装置60で取得された画像27b,29bとが比較され、両者が一致するように、XYテーブル20のX軸,Y軸及びθ軸が制御され、正確なアライメント処理が行なわれる。
In FIG. 5, the lower edge of the left end of the
図5のようにして、画像27a,29aと画像27b,29bの比較処理によるアライメント処理が終了すると、前回のスクライブ線25から約30μmはなれた位置でレーザ光によるスクライブ処理が実行される。このスクライブ処理が終了すると、別の装置で半導体層の上に金属層を形成する処理が行なわれる。再び、レーザ加工装置に基板が搬入され、図5と同様のアライメント処理が行なわれ、基板1に対して同様にレーザ光によるスクライブ処理が実行される。これによって、基板1には、3本のスクライブ線が形成される。
As shown in FIG. 5, when the alignment process by the comparison process of the
上述の実施の形態では、最初のスクライブ処理の結果、基板1上に形成されたスクライブ線を含む画像を取得する場合について説明したが、2回目のスクライブ処理の結果、基板1上に形成された2本のスクライブ線を含む画像を取得して、それを用いてアライメント処理を行なうようにしてもよい。また、上述の実施の形態では、アライメントカメラ装置60と基板検出カメラ65〜68を別々に設ける場合について説明したが、アライメントカメラ装置60に図3に示すような移動機構を設けて、基板検出カメラ65〜68の機能を兼用させるようにしてもよい。
In the above-described embodiment, the case where an image including a scribe line formed on the
図6は、光学系部材50の詳細構成を示す図である。実際の光学系部材50の構成は、複雑であるが、ここでは説明を簡単にするために図示を簡略化して示している。図6は、光学系部材50の内部を図1の−X軸方向から見た図である。図6に示すようにベース板31にはミラー35で反射されたレーザ光を光学系部材50内に導入するための貫通穴37を有する。この貫通穴37の直下には、ガウシアン強度分布のレーザ光をトップハット強度分布のレーザ光に変換する位相型回折光学素子(DOE:Diffractive Optical Element)500が設けられている。
FIG. 6 is a diagram showing a detailed configuration of the
DOE500によってトップハット強度分布のレーザ光(トップハットビーム)に変換されたレーザ光はハーフミラー511によって反射ビームと透過ビームにそれぞれ分岐され、反射ビームは右方向のハーフミラー512に向かって、透過ビームは下方向の反射ミラー524に向かって進む。ハーフミラー511で反射したビームは、ハーフミラー512によってさらに反射ビームと透過ビームに分岐され、反射ビームは下方向の反射ミラー522に向かって、透過ビームは右方向の反射ミラー521に向かって進む。ハーフミラー512を透過したビームは反射ミラー521によって反射され、下方向の集光レンズ541を介して基板1に照射される。ハーフミラー512で反射したビームは、反射ミラー522,523によって反射され、下方向の集光レンズ542を介して基板1に照射される。ハーフミラー511を透過したビームは、反射ミラー524によって反射され、左方向に向かって進む。反射ミラー524で反射したビームは、ハーフミラー513によって反射ビームと透過ビームに分岐され、反射ビームは下方向の反射ミラー526に向かって、透過ビームは左方向の反射ミラー528に向かって進む。ハーフミラー513で反射したビームは、反射ミラー526,527によって反射され、下方向の集光レンズ543を介して基板1に照射される。ハーフミラー513を透過したビームは反射ミラー528によって反射され、下方向の集光レンズ544を介して基板1に照射される。
The laser light converted into laser light having a top hat intensity distribution (top hat beam) by the
DOE500によって変換されたトップハットビームは、上述のハーフミラー511〜513及び反射ミラー521〜528によって、透過・反射されて集光レンズ541〜544に導かれる。このとき、DOE500から各集光レンズ541〜544までの光路長は等しくなるように設定されている。すなわち、ハーフミラー511で反射したビームがハーフミラ512を透過して反射ミラー521で反射して集光レンズ541に到達するまでの光路長、ハーフミラー511で反射したビームがハーフミラー512、反射ミラー522,523でそれぞれ反射して集光レンズ542に到達するまでの光路長、ハーフミラー511を透過したビームが反射ミラー523、ハーフミラー513、反射ミラー526,527でそれぞれ反射して集光レンズ543に到達するまでの光路長、ハーフミラー511を透過したビームが反射ミラー523で反射してハーフミラー513を透過して反射ミラー528で反射して集光レンズ544に到達するまでの光路長は、それぞれ等しい距離である。これによって、ビームが分岐される直前にDOE500を配置しても、トップハット強度分布のレーザ光を集光レンズ541〜544に同様に導くことが可能となる。
The top hat beam converted by the
シャッター機構531〜534は、光学系部材50の各集光レンズ541〜544から出射されるレーザ光が基板1から外れた場合にレーザ光の出射を遮蔽するものである。オートフォーカス用測長システム52,54は、図示していない検出光照射用レーザとオートフォーカス用フォトダイオードとから構成され、検出光照射用レーザから照射された光の中で基板1の表面から反射した反射光を受光し、その反射光量に応じて光学系部材50内の集光レンズ541〜544を上下に駆動し、基板1に対する高さ(集光レンズ541〜544のフォーカス)を調整する。なお、フォーカス調整用駆動機構は図示していない。
The
図7は、第1検出光学系部材及び第2検出光学系部材の構成を示す模式図である。第1検出光学系部材は、集光レンズ高さ測長システム26と、フォーカス及び光軸調整用CCDカメラ28とから構成される。図7では、集光レンズ高さ測長システム26とフォーカス及び光軸調整用CCDカメラ28が重複して示されているので、符号で区別するようにしている。図6に記載のオートフォーカス用測長システム52,54によって、基板1から光学系部材50の両側下面までの高さを調整した場合、光学系部材50の下面の高さを同じにすることはできても、基板1から各集光レンズ541〜544までの高さを同じにすることができるとは限らない。そこで、この実施の形態では、XYテーブル20のX軸方向の側面のいずれか一方(図ではXYテーブル20の−X軸方向の側面)に集光レンズ高さ測長システム26を取り付け、基板1から各集光レンズ541〜544までの高さをそれぞれ測長するようにした。集光レンズ高さ測長システム26によって検出された各集光レンズ541〜544の高さに対応した信号は、制御装置80に出力される。制御装置80は、基板1から各集光レンズ541〜544までの高さが適正であるか否かの判定を行なう。集光レンズ高さ測長システム26の測長結果に応じて、各集光レンズ541〜544の配置(高さ)は調整されるようになっている。この場合、この集光レンズ541〜544の配置(高さ)の調整は、手動又は自動で行なえるように構成する。
FIG. 7 is a schematic diagram showing the configuration of the first detection optical system member and the second detection optical system member. The first detection optical system member includes a condenser lens
フォーカス及び光軸調整用CCDカメラ28は、XYテーブル20のX軸方向の側面のいずれか一方(図ではXYテーブル20の−X軸方向の側面)であって、集光レンズ高さ測長システム26の隣接する位置(近傍)に設けられている。フォーカス及び光軸調整用CCDカメラ28は、XYテーブル20と光学系部材50の各集光レンズ541〜544との位置を関連付けるものであり、XYテーブル20の上空側を視認可能に設置されている。フォーカス及び光軸調整用CCDカメラ28によって撮像された映像は、制御装置80に出力される。制御装置80は、各集光レンズ541〜544から出射されるレーザ光の光軸が適正であるか否かの判定を行なう。すなわち、フォーカス及び光軸調整用CCDカメラ28は、光学系部材50の各集光レンズ541〜544から出射するレーザ光を直接観察することができるので、これを画像化することによって、制御装置80は、各集光レンズ541〜544のフォーカス及び光軸が適正であるか否かを判断することができる。また、レーザ発生装置40、光学系部材50などのレーザ光に係わる各光学系の交換した時に、交換前と交換後の画像を取得し数値化して置くことによって、交換後のフォーカス及び光軸の調整を容易に行なうことができる。さらに、複数ヘッドの場合、各レーザ光の画像を取得して数値化することによって、バラツキを適正に調整することができる。
The focus and optical axis adjusting
第2検出光学系部材は、図1に示すように、ビームサンプラ92,93、高速フォトダイオード94及び光軸検査用CCDカメラ96から構成される。ビームサンプラ92,93は、光学系部材50内に導入されるレーザ光の光路中に設けられている。この実施の形態では、レーザ発生装置40と反射ミラー33との間に設けられている。ビームサンプラ92,93はレーザ光の一部(例えば、レーザ光の約1割程度又はそれ以下の光量)をサンプリングして外部に分岐出力する素子である。高速フォトダイオード94は、ビームサンプラ92で分岐出力されたレーザ光の一部(サンプリングビーム)を受光面のほぼ中央付近で受光するように配置される。高速フォトダイオード94によって検出されたレーザ光の強度に対応した出力信号は、制御装置80に出力される。光軸検査用CCDカメラ96は、ビームサンプラ93で分岐出力されたレーザ光の一部(サンプリングビーム)を受光面のほぼ中央付近で受光するように配置される。光軸検査用CCDカメラ96によって撮像された映像は、制御装置80に出力される。なお、光軸検査用CCDカメラ96は、高速フォトダイオード94に照射されるレーザ光の位置を示す画像を取り込み、その画像を制御装置80に出力するようにしてもよい。
As shown in FIG. 1, the second detection optical system member includes
制御装置80は、リニアエンコーダ70からの検出信号に基づいてXYテーブル20のX軸方向の移動速度(移動周波数)を検出し、レーザ発生装置40の出力(レーザ周波数)を制御し、集光レンズ高さ測長システム26、フォーカス及び光軸調整用CCDカメラ28、高速フォトダイオード94及び光軸検査用CCDカメラ96から出力される各信号に基づいて、基板1から各集光レンズ541〜544までの高さが適正であるか否かを判断したり、各集光レンズ541〜544のフォーカス及び光軸が適正であるか否かを判断したり、レーザ発生装置40から出射されるレーザ光のパルス抜けを検出したり、レーザ光の光軸ずれ量などの基板加工状態に基づいてレーザ発生装置40の出射条件を制御したり、光学系部材50内にレーザ光を導入するための反射ミラー33〜35の配置等をフィードバック制御したり、各集光レンズ541〜544の配置を調整したりする。
The
図8は、制御装置80の処理の詳細を示すブロック図である。制御装置80は、分岐手段81、パルス抜け判定手段82、アラーム発生手段83、基準CCD画像記憶手段84、光軸ずれ量計測手段85、レーザコントローラ86、レンズ変位量計測手段87、レンズ高さ調整手段88、照射レーザ状態検査手段89及び照射レーザ調整手段8Aから構成される。
FIG. 8 is a block diagram showing details of processing of the
分岐手段81は、リニアエンコーダ70の検出信号(クロックパルス)を分岐して後段のレーザコントローラ86に出力する。パルス抜け判定手段82は、高速フォトダイオード94からのレーザ光強度に対応した出力信号(ダイオード出力)と分岐手段81から出力される検出信号(クロックパルス)とを入力し、それに基づいてレーザ光のパルス抜けを判定する。図9は、パルス抜け判定手段82の動作の一例を示す図である。図9において、図9(A)は分岐手段81から出力される検出信号(クロックパルス)の一例、図9(B)は高速フォトダイオード94から出力されるレーザ光強度に対応した出力信号(ダイオード出力)の一例、図9(C)はパルス抜け判定手段82がパルス抜け検出時に出力するアラーム信号の一例をそれぞれ示す。
The branching
図9に示すように、パルス抜け判定手段82は、分岐手段81からのクロックパルスの立ち下がり時点をトリガ信号として、ダイオード出力値が所定のしきい値Th以上であるか否かの判定を行い、ダイオード出力値がしきい値Thよりも小さい場合には、ハイレベル信号をアラーム発生手段83に出力する。アラーム発生手段83は、パルス抜け判定手段82からの信号がローレベルからハイレベルに変化した時点でパルス抜けが発生したことを示すアラームを外部に報知する。アラームの報知は、画像表示、発音等の種々の方法で行なう。アラームの発生によって、オペレータはパルス抜けが発生したことを認識することができる。また、このアラームが頻繁に発生する場合には、レーザ発生装置の性能が劣化したか又は寿命になったことを意味する。
As shown in FIG. 9, the pulse missing determining
基準CCD画像記憶手段84は、図8に示すような基準CCD画像84aを記憶している。この基準CCD画像84aは、光軸検査用CCDカメラ96の受光面の中央にレーザ光が受光した状態の画像を示すものである。光軸検査用CCDカメラ96からは、図8に示すような被検査画像85aが出力される。光軸ずれ量計測手段85は、光軸検査用CCDカメラ96からの被検査画像85aを取り込み、これと基準CCD画像84aとを比較し、光軸のずれ量を計測し、そのずれ量をレーザコントローラ86に出力する。例えば、図8に示す被検査画像85aのような画像が光軸検査用CCDカメラ96から出力された場合には、光軸ずれ量計測手段85は、両者を比較して、X軸及びY軸方向のずれ量を計測し、それをレーザコントローラ86に出力する。レーザコントローラ86は、被検査画像85aと基準CCD画像84aとが一致するように、レーザ光の光軸に関係する装置、すなわちレーザ発生装置40の出射条件や光学系部材50内にレーザ光を導入するための反射ミラー33〜35の配置等をフィードバックして調整する。
The reference CCD image storage means 84 stores a
レンズ変位量計測手段87は、集光レンズ高さ測長システム26によって検出された各集光レンズ541〜544の高さに対応した信号を入力し、各集光レンズ541〜544の高さが許容範囲内にあるか、この許容範囲よりも大きくずれているかを判定し、大きくずれている集光レンズ541〜544の高さをどの程度調整すればよいかを示す制御信号をレンズ高さ調整手段88に出力する。レンズ高さ調整手段88は、レンズ変位量計測手段87からの制御信号に応じて各集光レンズ541〜544の配置を調整する。なお、集光レンズ541〜544の高さ調整機構が存在しない場合には、レンズ高さ調整手段88は、レンズ変位量計測手段87からの制御信号に基づいて、集光レンズ541〜544のどれをどの程度調整すればよいのか、その調整情報をオペレータに伝達(視認表示、音声発音など)するようにしてもよい。
The lens displacement amount measuring means 87 inputs a signal corresponding to the height of each of the
照射レーザ状態検査手段89は、フォーカス及び光軸調整用CCDカメラ28からの画像89aを取り込み、これに基づいてフォーカス及び光軸のずれ量を計測し、そのずれ量を照射レーザ調整手段8Aに出力する。例えば、図8に示すような画像89aがフォーカス及び光軸調整用CCDカメラから出力された場合には、照射レーザ状態検査手段89は、画像89a内の円状の輪郭線89b(集光レンズ541〜544の外縁に対応した線)を基準にフォーカス円89c(画像89a内の小円)の位置を検出し、フォーカス円89cが輪郭線89bのほぼ中央に位置しているか否かに基づいて光軸のX軸及びY軸方向のずれ量を計測し、それを照射レーザ調整手段8Aに出力する。また、照射レーザ状態検査手段89は、フォーカス円89cの大きさ(面積)を計測し、それも基づいたフォーカス位置を照射レーザ調整手段8Aに出力する。照射レーザ調整手段8Aは、照射レーザ状態検査手段89からの光軸のずれ量及びフォーカス位置に対応した信号に基づいて、光学系部材50内の各ハーフミラー511〜513及び反射ミラー521〜528の配置等をフィードバックして調整する。なお、レンズ高さ調整手段88及び照射レーザ調整手段8Aを省略して、これらの機能をレーザコントローラ86に持たせるようにしてもよい。
The irradiation laser
上述の実施の形態では、レーザ加工(スクライブ加工)時に光軸ずれ量計測手段85でレーザ光の光軸ずれを、パルス抜け判定手段82でパルス抜けをそれぞれ検査する場合について説明したが、図10に示すように高速フォトダイオード94からの出力波形に基づいてレーザ光のパルス状態を検査するようにしてもよい。例えば、図10では、レーザ光のパルス幅及びパルス高さを計測し、これらに異常が発生した場合にはアラームを発生するようにしてもよい。なお、レーザ光のパルス幅は、高速フォトダイオード94からの出力波形が所定値以上になっている期間が所定の範囲にある場合を正常とし、この範囲よりも大きかったり小さい場合にはパルス幅異常と判定し、アラームを出力する。また、レーザ光のパルス高さは、高速フォトダイオード94からの出力波形の最大値が許容範囲内に存在する場合を正常とし、この許容範囲よもも大きかったり小さい場合にはパルス高さ異常と判定し、アラームを出力する。このように、レーザ光を常時サンプリングしているので、リアルタイムでパルス幅、パルス高さ(パワー)などのレーザ光の品質を管理することができる。上述のようなパルス抜けが頻発するようになったら、レーザ発生装置40の劣化あるいは寿命と判断できる。
In the above-described embodiment, the case where the optical axis
図11は、図1の光学系部材を下側(基板側)から見た図である。図11は、光学系部材50とベース板31の一部を示している。図11(A)は、図1に示す光学系部材50とベース板31との位置関係を示す図であり、図に示すように、光学系部材50の端面(図の上側端部)とベース板31の端面(図の上側端部)とが一致している。図11(B)は、光学系部材50が貫通穴37の中心を回転軸としてベース板31に対して左回りに約30度回転した状態を示す図である。図11(C)は、光学系部材50が貫通穴37の中心を回転軸としてベース板31に対して左回りに約45度回転した状態を示す図である。
FIG. 11 is a view of the optical system member of FIG. 1 as viewed from the lower side (substrate side). FIG. 11 shows a part of the
この実施の形態に係るソーラパネル製造装置においては、光学系部材50がレーザ光の導入穴である貫通穴37の中心を回転軸として、自在に回転可能に構成されている。すなわち、分岐手段である光学系部材50は、図6の反射ミラー35からDOE500を通過してハーフミラー511に向かう垂直レーザ光の進行方向を中心軸として回転制御されている。これによって、レーザ光の分岐方向とレーザ光の基板に対する相対的な移動方向(図11の垂直方向)とのなす角度θを自在に可変制御することができる。なお、光学系部材50の回転駆動手段としては、ボールネジやリニアモータ等の既存の技術が用いられるが、これらの図示は省略する。
In the solar panel manufacturing apparatus according to this embodiment, the
図11に示すように、レーザ光の分岐方向とレーザ光の走査方向(図11の垂直方向)とのなす角度を可変制御した場合でも、レーザ光の相対的な移動方向に対してDOE500は回転しないように構成している。すなわち、DOE500を使用することによって、レーザ光の照射形状は、図11の集光レンズ541〜544内に示したように、点線正方形のような照射形状を示すことになる。従って、光学系部材50の回転制御と共にDOE500を回転させると、集光レンズ541〜544内の点線正方形もその回転量に応じて回転するようになる。この状態でレーザ光を走査照射すると、スクライブ線の両側稜線に正方形の角が位置するようになり、稜線が波打ち形状を示すようになる。そこで、この実施の形態のように、光学系部材50を回転制御しても、DOE500は回転させないような構成とすることで、図11(B)及び図11(C)に示すように、走査方向(図11の垂直方向)と集光レンズ541〜544内の点線正方形の左右両辺とが一致し、スクライブ線の両側稜線を極めて滑らかに形成することができ、また、光学系部材50を回転させてスクライブ線のピッチを適宜制御した場合でも滑らかな稜線のスクライブ線を形成することが可能となる。なお、上述の実施の形態では、DOEをレーザ光の光路中に1つだけ設ける場合について説明したが、DOEを分岐後の各集光レンズの直前にそれぞれ設けてもよい。この場合でも、光学系部材50を回転制御しても各DOEは回転させないように構成する必要がある。DOE500は、光学系部材50とは分離した形でベース板31に直結して設けることによって、光学系部材50の回転から独立させることが可能である。
As shown in FIG. 11, even when the angle between the laser beam branching direction and the laser beam scanning direction (vertical direction in FIG. 11) is variably controlled, the
図12は、光学系部材の回転量とスクライブ線のピッチ幅との関係を示す図である。図12(A)は図11(A)に示すように光学系部材50が回転していない状態、図12(B)は図11(B)に示すように光学系部材50が約30度回転した状態、図12(C)は図11(C)に示すように光学系部材50が約45度回転した状態でそれぞれレーザスクライブ加工処理を行なった場合のスクライブ線の状態を示す図である。図12(A)の場合のスクライブ線のピッチをP0とすると、図12(B)の場合のピッチP30はP0×cos30°となり、図12(C)の場合のピッチP45はP0×cos45°となる。このように、この実施の形態に係るソーラパネル製造装置は、光学系部材50の回転角度を適宜調整することによって、スクライブ線のピッチ幅を所望の値に適宜可変調整することができる。
FIG. 12 is a diagram illustrating the relationship between the rotation amount of the optical system member and the pitch width of the scribe line. 12A shows a state where the
上述の実施の形態では、パルス抜けの発生だけを見ているが、パルス抜けが発生した箇所の座標データ(位置データ)を取得して記憶することによって、スクライブ線のリペア処理を行なうことが可能となる。
上述の実施の形態では、光軸検査用CCDカメラ96を用いてビームサンプラ93で分岐出力されたレーザ光の一部(サンプリングビーム)を直接受光して、それを画像処理することによって、光軸ずれを検査する場合について説明したが、高速フォトダイオード94の受光面の中央にレーザ光が受光した状態を示す画像を被検査画像として光軸検査用CCDカメラ96あるいは分割型フォトダイオードで取得することによって光軸ずれを検査するようにしてもよい。
上述の実施の形態では、レーザ光の光軸ずれ及びパルス抜けを検査する場合について説明したが、光軸ずれ、パルス抜け、パルス幅及びパルス高さのそれぞれを適宜組み合わせてレーザ光の状態を検査するようにしてもよい。
上述の実施の形態では、薄膜の形成された基板1の表面からレーザ光を照射して薄膜にスクライブ線(溝)を形成する場合について説明したが、基板1の裏面からレーザ光を照射して、基板表面の薄膜にスクライブ線を形成するようにしてもよい。
上述の実施の形態では、ソーラパネル製造装置を例に説明したが、本発明はELパネル製造装置、ELパネル修正装置、FPD修正装置などのレーザ加工を行なう装置にも適用可能である。
In the above-described embodiment, only the occurrence of missing pulses is observed, but by acquiring and storing the coordinate data (position data) of the location where the missing pulses have occurred, it is possible to perform scribe line repair processing. It becomes.
In the above-described embodiment, a part of the laser beam (sampling beam) branched and output by the
In the above-described embodiment, the case of inspecting the optical axis deviation and the missing pulse of the laser beam has been described. However, the state of the laser beam is inspected by appropriately combining the optical axis deviation, the missing pulse, the pulse width, and the pulse height. You may make it do.
In the above-described embodiment, the case where the laser beam is irradiated from the surface of the
In the above-described embodiment, the solar panel manufacturing apparatus has been described as an example. However, the present invention can also be applied to an apparatus that performs laser processing, such as an EL panel manufacturing apparatus, an EL panel correction apparatus, and an FPD correction apparatus.
1…基板
10…台座
20…XYテーブル
21,〜23…位置決めピン
27a,29a,27b,29b…画像
26…集光レンズ高さ測長システム
28…フォーカス及び光軸調整用CCDカメラ
30…スライドフレーム
31…ベース板
33〜35…反射ミラー
37…貫通穴
40…レーザ発生装置
50…光学系部材
500…位相型回折光学素子(DOE)
511〜513…ハーフミラー
521〜528…反射ミラー
531〜534…シャッター機構
541〜544…集光レンズ
52,54…オートフォーカス用測長システム
60…アライメントカメラ装置
65〜68…基板検出カメラ
65a〜68a…画像
70…リニアエンコーダ
75…データベー手段
80…制御装置
81…分岐手段
82…パルス抜け判定手段
83…アラーム発生手段
84…基準CCD画像記憶手段
85…光軸ずれ量計測手段
86…レーザコントローラ
87…レンズ変位量計測手段
88…レンズ高さ調整手段
89…照射レーザ状態検査手段
8A…照射レーザ調整手段
92,93…ビームサンプラ
94…高速フォトダイオード
96…光軸検査用CCDカメラ
DESCRIPTION OF
511 to 513, half mirrors 521 to 528, reflection mirrors 531 to 534,
Claims (9)
前記搬入手段によって搬入された基板に保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された前記基板にレーザ光を照射して所定の加工処理を施すレーザ光照射手段と、
前記搬入手段に保持された前記基板の四隅付近の画像を取得する画像取得手段と、
前記画像取得手段によって取得された前記基板の四隅付近の画像に基づいて前記基板の曲がり(反り)や前記基板の四隅付近の欠けを検出する検出手段と
を備えたことを特徴とするレーザ加工装置 Carrying-in means for holding the substrate and carrying it into a processing position by laser light;
Holding means for holding the substrate carried in by the carry-in means;
Laser light irradiation means for applying a predetermined processing by irradiating the substrate held by the holding means with laser light;
Image acquisition means for acquiring images near the four corners of the substrate held by the carry-in means;
A laser processing apparatus comprising: detecting means for detecting bending (warping) of the substrate or chipping near the four corners of the substrate based on images near the four corners of the substrate acquired by the image acquisition means
前記搬入手段によって搬入された基板に保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された前記基板にレーザ光を照射して所定の加工処理を施すレーザ光照射手段と、
前記搬入手段に保持された前記基板の外周縁の画像を取得する画像取得手段と、
前記画像取得手段によって取得された画像に基づいて前記基板の曲がり(反り)及び前記基板の前記外周縁の欠けを検出する検出手段と
を備えたことを特徴とするレーザ加工装置 Carrying-in means for holding the substrate and carrying it into a processing position by laser light;
Holding means for holding the substrate carried in by the carry-in means;
Laser light irradiation means for applying a predetermined processing by irradiating the substrate held by the holding means with laser light;
Image acquisition means for acquiring an image of the outer periphery of the substrate held by the carry-in means;
A laser processing apparatus comprising: detecting means for detecting bending (warping) of the substrate and chipping of the outer peripheral edge of the substrate based on an image acquired by the image acquiring means.
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