JP5234648B2 - Laser processing method, laser processing apparatus, and solar panel manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、レーザ光を用いて薄膜等を加工するレーザ加工方法、レーザ加工装置及びソーラパネル製造方法に係り、特にレーザ光のパワーを最適化することのできるレーザ加工方法、レーザ加工装置及びソーラパネル製造方法に関する。 The present invention relates to a laser processing method, a laser processing apparatus, and a solar panel manufacturing method for processing a thin film or the like using laser light, and in particular, a laser processing method, a laser processing apparatus, and a solar capable of optimizing the power of laser light. The present invention relates to a panel manufacturing method.
従来、ソーラパネルの製造工程では、透光性基板(ガラス基板)上に透明電極層、半導体層、金属層を順次形成し、形成後の各工程で各層をレーザ光で短冊状に加工してソーラパネルモジュールを完成している。このようにしてソーラパネルモジュールを製造する場合、ガラス基板上の薄膜に例えば約10mmピッチでレーザ光でスクライブ線を形成している。このスクライブ線の線幅は約30μmで、線と線の間隔は約30μmとなるような3本の線で構成されている。レーザ光でスクライブ線を形成する場合、通常は定速度で移動するガラス基板上にレーザ光を照射していた。これによって、深さ及び線幅の安定したスクライブ線を形成することが可能であった。このようなレーザ光を用いた加工方法においてレーザ光を複数に分岐して加工を行なうものについては、特許文献1に記載のようなものが知られている。
Conventionally, in a solar panel manufacturing process, a transparent electrode layer, a semiconductor layer, and a metal layer are sequentially formed on a translucent substrate (glass substrate), and each layer is processed into a strip shape with laser light in each step after the formation. A solar panel module has been completed. When manufacturing a solar panel module in this manner, scribe lines are formed on a thin film on a glass substrate with laser light at a pitch of about 10 mm, for example. The scribe line has a line width of about 30 μm, and is composed of three lines such that the distance between the lines is about 30 μm. When forming a scribe line with a laser beam, the laser beam is usually irradiated onto a glass substrate that moves at a constant speed. As a result, it was possible to form a scribe line having a stable depth and line width. In such a processing method using laser light, a method described in
特許文献1に記載のレーザ加工方法では、レーザを位相格子を用いて複数のレーザ光に分岐し、分岐された複数のレーザ光をワークに照射している。一般的に、ソーラパネル製造工程においては、レーザ光としてガウスビームをそのまま使用し、ビーム径を規定の幅にしぼり、基板を移動させて、スクライブ加工を行なっている。レーザ光としてガウスビームを用いると、加工形状がすり鉢状になり、中央部の膜が飛び過ぎ、それによってはガラス基板にダメージを与えるという問題があった。また、ソーラパネルにおいては、経年変化でガラス基板から析出するナトリウム成分により金属膜が錆びてしまい、ソーラパネルの劣化を加速させるという問題があるので、一般的な太陽電池用ガラス基板はガラス基板と透明電極層との間に薄い二酸化珪素(SiO2 )膜がコーティングしてある。
In the laser processing method described in
図1は、ガラス基板と透明電極層との間に薄い二酸化珪素膜がコーティングしてあるワークに対して透明電極層のスクライブ加工を行なった場合の加工状態を示す図である。図1(A)に示すように、ガラス基板1上には二酸化珪素膜1aがコーティングされており、この二酸化珪素膜1a上に透明電極層1bが形成されている。このガラス基板1にガウスビームを用いてスクライブ加工が施される。図1(B)は、このスクライブ加工によって形成されたスクライブ線を上部から見た図であり、図1(C)は、このスクライブ線を斜め上部から見た3次元図である。図1に示すように、透明電極層のスクライブ加工時にレーザ光としてガウスビームを用いた場合、レーザ光のパワーが強すぎると、図1に示すように、加工形状がすり鉢状になり、中央部(A部)の膜が飛び過ぎ、二酸化珪素膜1aを切断されて削り取られてしまい、二酸化珪素膜1aの切断箇所からガラス基板のナトリウムが析出してしまい、経年変化によってソーラパネルの劣化を加速するという問題があった。
FIG. 1 is a diagram showing a processed state when a transparent electrode layer is scribed on a work in which a thin silicon dioxide film is coated between a glass substrate and a transparent electrode layer. As shown in FIG. 1A, a
本発明の目的は、上述の点に鑑みてなされたものであり、レーザ光のパワーを最適化してスクライブ加工を行なうことのできるレーザ加工方法、レーザ加工装置及びソーラパネル製造方法を提供することである。 An object of the present invention has been made in view of the above-described points, and provides a laser processing method, a laser processing apparatus, and a solar panel manufacturing method capable of performing scribing while optimizing the power of laser light. is there.
本発明に係るレーザ加工方法の第1の特徴は、レーザ光をワークに対して相対的に移動させながら照射することによってワークに所定の加工を施すレーザ加工方法であって、エネルギー分散型X線分析手段を用いて前記ワークの加工箇所に電子線を照射し、発生する特性X線を検出してナトリウム成分値を測定し、前記ナトリウム成分値に基づいて前記レーザ光のパワーを調整することにある。
ワークであるガラス基板上には二酸化珪素膜がコーティングされている。レーザ加工によってこの二酸化珪素膜が削り取られると、ガラス基板からナトリウムが析出する。この発明では、エネルギー分散型X線分析手段を用いてワークの加工箇所に電子線を照射し、発生する特性X線を検出してナトリウム成分値を測定する。このナトリウム成分値が所定値よりも大きい場合には、レーザ光のパワーが大きいことを意味するので、ナトリウム成分値が検出されないようにレーザ光のパワーを適宜調整する。
A first feature of the laser processing method according to the present invention is a laser processing method for applying a predetermined processing to a workpiece by irradiating the laser beam while moving the laser beam relative to the workpiece. The processing means of the workpiece is irradiated with an electron beam using an analyzing means, the generated characteristic X-ray is detected to measure the sodium component value, and the power of the laser beam is adjusted based on the sodium component value is there.
A silicon dioxide film is coated on a glass substrate which is a workpiece. When this silicon dioxide film is scraped off by laser processing, sodium precipitates from the glass substrate. In the present invention, an energy dispersive X-ray analysis means is used to irradiate a processing portion of a workpiece with an electron beam, and the generated characteristic X-ray is detected to measure the sodium component value. If this sodium component value is larger than the predetermined value, it means that the power of the laser beam is large. Therefore, the power of the laser beam is appropriately adjusted so that the sodium component value is not detected.
本発明に係るレーザ加工方法の第2の特徴は、前記第1の特徴に記載のレーザ加工方法において、前記レーザ光を複数のレーザ光に分岐し、前記レーザ光の分岐前の光路中に位相型回折光学素子手段を配置して前記レーザ光をトップハット強度分布に変換し、変換後の複数のレーザ光が前記ワークに照射されるまでのそれぞれの光路長が同じとなるようにしたことにある。
この発明では、レーザ光を複数のレーザ光に分岐し、分岐された複数のレーザ光をワークに対して相対的に移動させながら照射する場合に、レーザ光の分岐前の光路中に位相型回折光学素子手段(DOE:Diffractive Optical Element)を配置してレーザ光をトップハット強度分布に変換している。変換後のレーザ光は、ハーフミラーや反射ミラーなどによって複数のレーザ光に分岐される。このとき、変換後の複数のレーザ光がワークに照射されるまでのそれぞれの光路長が互いに等しくなるようにレーザ光をワークまで導いて照射する。このように、レーザ光の光路中に、位相型回折光学素子を配置して、レーザ光のガウシアン強度分布をフラットトップ(トップハット)強度分布に変換して、ワークに照射することによって、レーザ光の照射形状はほぼ正方形状とすることができ、スクライブ線の両側稜線を滑らかに形成することができると共に二酸化珪素膜が削り取られるのを抑制することができる。また、分岐された複数のレーザ光毎に位相型回折光学素子(DOE)を設けなくても、トップハットビームに変換された複数のレーザ光を基板に照射することができるため、コスト低減が図れる。さらに、1つの(DOE)光源からの分岐のため、分岐したレーザ光の特性を比較的容易に均一化することが可能となる。
A second feature of the laser processing method according to the present invention is that in the laser processing method according to the first feature, the laser beam is branched into a plurality of laser beams, and the phase in the optical path before the laser beam is branched. The type diffractive optical element means is arranged to convert the laser light into a top hat intensity distribution, and the respective optical path lengths until the converted laser lights are irradiated onto the workpiece are the same. is there.
In this invention, when the laser beam is split into a plurality of laser beams and irradiated while moving the plurality of branched laser beams relative to the workpiece, the phase-type diffraction is performed in the optical path before the splitting of the laser beams. Optical element means (DOE: Diffractive Optical Element) is arranged to convert the laser light into a top hat intensity distribution. The converted laser beam is branched into a plurality of laser beams by a half mirror, a reflection mirror, or the like. At this time, the laser light is guided to the workpiece and irradiated so that the respective optical path lengths until the converted laser beams are irradiated onto the workpiece are equal to each other. As described above, the phase-type diffractive optical element is disposed in the optical path of the laser beam, the Gaussian intensity distribution of the laser beam is converted into a flat top (top hat) intensity distribution, and the workpiece is irradiated with the laser beam. The irradiating shape can be substantially square, both sides of the scribe line can be smoothly formed and the silicon dioxide film can be prevented from being scraped off. Further, even if a phase type diffractive optical element (DOE) is not provided for each of a plurality of branched laser beams, the substrate can be irradiated with a plurality of laser beams converted into a top hat beam, thereby reducing costs. . Furthermore, since the light is branched from one (DOE) light source, the characteristics of the branched laser light can be made relatively easy.
本発明に係るレーザ加工装置の第1の特徴は、レーザ光を保持手段に保持されたワークに対して相対的に移動させながら照射することによってワークに所定の加工を施すレーザ加工装置において、前記ワークの加工箇所に電子線を照射し、発生する特性X線を検出してナトリウム成分値を測定するエネルギー分散型X線分析手段と、前記エネルギー分散型X線分析手段によって測定された前記ナトリウム成分値に基づいて前記レーザ光のパワーを調整する制御手段とを備えたことにある。これは、前記レーザ加工方法の第1の特徴に対応したレーザ加工装置の発明である。 A first feature of the laser processing apparatus according to the present invention is that the laser processing apparatus performs predetermined processing on the workpiece by irradiating the workpiece while moving the laser beam relative to the workpiece held by the holding means. An energy dispersive X-ray analyzer that irradiates an electron beam to a processing part of a work, detects a characteristic X-ray generated, and measures a sodium component value, and the sodium component measured by the energy dispersive X-ray analyzer And a control means for adjusting the power of the laser beam based on the value. This is an invention of a laser processing apparatus corresponding to the first feature of the laser processing method.
本発明に係るレーザ加工装置の第2の特徴は、前記第1の特徴に記載のレーザ加工装置において、前記レーザ光を複数のレーザ光にに分岐し、分岐後の複数のレーザ光が前記ワークに照射されるまでのそれぞれの光路長が同じとなるように前記ワークに照射する分岐手段と、前記レーザ光の分岐前の光路中に設けられ、前記レーザ光をトップハット強度分布に変換する位相型回折光学素子手段とを備えたことにある。これは、前記レーザ加工方法の第2の特徴に対応したレーザ加工装置の発明である。 A second feature of the laser processing apparatus according to the present invention is the laser processing apparatus according to the first feature, wherein the laser beam is branched into a plurality of laser beams, and the plurality of laser beams after branching are the workpiece. A branching means for irradiating the workpiece so that the respective optical path lengths until the laser beam is irradiated, and a phase provided in the optical path before branching of the laser beam, and converting the laser beam into a top hat intensity distribution Diffractive optical element means. This is an invention of a laser processing apparatus corresponding to the second feature of the laser processing method.
本発明に係るソーラパネル製造方法の特徴は、前記第1若しくは第2の特徴に記載のレーザ加工方法、又は前記第1若しくは第2の特徴に記載のレーザ加工装置を用いて、ソーラパネルを製造することにある。これは、前記レーザ加工方法又は前記レーザ加工装置のいずれかを用いて、ソーラパネルを製造するようにしたものである。 The solar panel manufacturing method according to the present invention is characterized in that a solar panel is manufactured using the laser processing method according to the first or second feature or the laser processing apparatus according to the first or second feature. There is to do. In this method, a solar panel is manufactured using either the laser processing method or the laser processing apparatus.
本発明によれば、レーザ光のパワーを最適化してスクライブ加工を行なうことができるという効果がある。 According to the present invention, there is an effect that scribing can be performed by optimizing the power of laser light.
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。図2は、本発明の一実施の形態に係るレーザ加工装置の概略構成を示す図である。このレーザ加工装置は、ソーラパネル製造装置のレーザ光加工処理(レーザスクライブ)工程を行なうものである。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention. This laser processing apparatus performs a laser beam processing (laser scribing) process of a solar panel manufacturing apparatus.
図2のソーラパネル製造装置は、台座10、XYテーブル20、レーザ発生装置40と、光学系部材50、アライメントカメラ装置60、リニアエンコーダ70、制御装置80、エネルギー分散型X線分析装置90及び検出光学系部材等によって構成されている。台座10上には台座10のX軸方向及びY軸方向(XY平面)に沿って駆動制御されるXYテーブル20が設けられている。
2 includes a
XYテーブル20は、X方向及びY方向へ移動制御される。なお、XYテーブル20の駆動手段としては、ボールネジやリニアモータ等が用いられるが、これらの図示は省略してある。XYテーブル20の上側にはレーザ加工の対象となるワーク1が保持されている。また、台座10の上には光学系部材を保持しながらY軸方向にスライド駆動されるスライドフレーム30が設けられている。XYテーブル20は、Z軸を回転軸としてθ方向に回転可能に構成されている。なお、スライドフレーム30によりY軸方向の移動量が十分に確保できる場合には、XYテーブル20は、X軸方向の移動だけを行なう構成であってもよい。この場合、XYテーブル20はX軸テーブルの構成でもよい。
The XY table 20 is controlled to move in the X direction and the Y direction. In addition, although a ball screw, a linear motor, etc. are used as a drive means of the XY table 20, these illustration is abbreviate | omitted. On the upper side of the XY table 20, a
スライドフレーム30は、台座10上の四隅に設けられた移動台に取り付けられている。スライドフレーム30は、この移動台によってY方向へ移動制御される。ベース板31と移動台との間には除振部材(図示せず)が設けられている。スライドフレーム30のベース板31には、レーザ発生装置40、光学系部材50及び制御装置80が設置されている。光学系部材50は、ミラーやレンズの組み合わせで構成され、レーザ発生装置40で発生したレーザ光を4系列に分割してXYテーブル20上のワーク1上に導くものである。なお、レーザ光の分割数は4系列に限るものではなく、2系列以上であればよい。
The
アライメントカメラ装置60は、XYテーブル20上であってワーク1の両端部(X軸方向の前後縁部)付近の画像を取得する。このアライメントカメラ装置60で取得された画像は、制御装置80に出力される。制御装置80は、アライメントカメラ装置60からの画像を、ワーク1のIDデータと共にデータベース手段に格納し、これ以降のワーク1のアライメント処理に利用する。
The
リニアエンコーダ70は、XYテーブル20のX軸移動テーブルの側面に設けられたスケール部材と検出部で構成される。リニアエンコーダ70の検出信号は、制御装置80に出力される。制御装置80は、リニアエンコーダ70からの検出信号に基づいてXYテーブル20のX軸方向の移動速度(移動周波数)を検出し、レーザ発生装置40の出力(レーザ周波数)を制御する。
The
光学系部材50は、図示のように、ベース板31の側面側に設けられており、ベース板31の側面に沿って移動するように構成されている。レーザ発生装置40から出射されるレーザ光を光学系部材50に導くためのミラー33はベース板31上に設けられている。ミラー34,35は、光学系部材50上に設けられており、光学系部材50のスライド移動に連動するようになっている。レーザ発生装置40から出射されたレーザ光は、ミラー33によってミラー34へ向かって反射され、ミラー34に向かうレーザ光はミラー34によってミラー35に向かって反射される。ミラー35は、ミラー34からの反射レーザ光をベース板31に設けられた貫通穴を介して光学系部材50内に導く。なお、レーザ光発生装置40から出射されたレーザ光は、ベース板31に設けられた貫通穴から光学系部材50に対して上側から導入されるように構成されれば、どのような構成のものであってもよい。例えば、レーザ発生装置40を貫通穴の上側に設け、貫通穴を介して光学系部材50に直接レーザ光を導くようにしてもよい。
As illustrated, the
図3は、光学系部材50の詳細構成を示す図である。実際の光学系部材50の構成は、複雑であるが、ここでは説明を簡単にするために図示を簡略化して示している。図3は、光学系部材50の内部を図2の−X軸方向から見た図である。図3に示すようにベース板31にはミラー35で反射されたレーザ光を光学系部材50内に導入するための貫通穴37を有する。この貫通穴37の直下には、ガウシアン強度分布のレーザ光をトップハット強度分布のレーザ光に変換する位相型回折光学素子(DOE:Diffractive Optical Element)500が設けられている。
FIG. 3 is a diagram illustrating a detailed configuration of the
DOE500によってトップハット強度分布のレーザ光(トップハットビーム)に変換されたレーザ光はハーフミラー511によって反射ビームと透過ビームにそれぞれ分岐され、反射ビームは右方向のハーフミラー512に向かって、透過ビームは下方向の反射ミラー524に向かって進む。ハーフミラー511で反射したビームは、ハーフミラー512によってさらに反射ビームと透過ビームに分岐され、反射ビームは下方向の反射ミラー522に向かって、透過ビームは右方向の反射ミラー521に向かって進む。ハーフミラー512を透過したビームは反射ミラー521によって反射され、下方向の集光レンズ541を介してワーク1に照射される。ハーフミラー512で反射したビームは、反射ミラー522,523によって反射され、下方向の集光レンズ542を介してワーク1に照射される。ハーフミラー511を透過したビームは、反射ミラー524によって反射され、左方向に向かって進む。反射ミラー524で反射したビームは、ハーフミラー513によって反射ビームと透過ビームに分岐され、反射ビームは下方向の反射ミラー526に向かって、透過ビームは左方向の反射ミラー528に向かって進む。ハーフミラー513で反射したビームは、反射ミラー526,527によって反射され、下方向の集光レンズ543を介してワーク1に照射される。ハーフミラー513を透過したビームは反射ミラー528によって反射され、下方向の集光レンズ544を介してワーク1に照射される。
The laser light converted into laser light having a top hat intensity distribution (top hat beam) by the
DOE500によって変換されたトップハットビームは、上述のハーフミラー511〜513及び反射ミラー521〜528によって、透過・反射されて集光レンズ541〜544に導かれる。このとき、DOE500から各集光レンズ541〜544までの光路長は等しくなるように設定されている。すなわち、ハーフミラー511で反射したビームがハーフミラ512を透過して反射ミラー521で反射して集光レンズ541に到達するまでの光路長、ハーフミラー511で反射したビームがハーフミラー512、反射ミラー522,523でそれぞれ反射して集光レンズ542に到達するまでの光路長、ハーフミラー511を透過したビームが反射ミラー523、ハーフミラー513、反射ミラー526,527でそれぞれ反射して集光レンズ543に到達するまでの光路長、ハーフミラー511を透過したビームが反射ミラー523で反射してハーフミラー513を透過して反射ミラー528で反射して集光レンズ544に到達するまでの光路長は、それぞれ等しい距離である。これによって、ビームが分岐される直前にDOE500を配置しても、トップハット強度分布のレーザ光を集光レンズ541〜544に同様に導くことが可能となる。
The top hat beam converted by the
シャッター機構531〜534は、光学系部材50の各集光レンズ541〜544から出射されるレーザ光がワーク1から外れた場合にレーザ光の出射を遮蔽するものである。オートフォーカス用測長システム52,54は、図示していない検出光照射用レーザとオートフォーカス用フォトダイオードとから構成され、検出光照射用レーザから照射された光の中でワーク1の表面から反射した反射光を受光し、その反射光量に応じて光学系部材50内の集光レンズ541〜544を上下に駆動し、ワーク1に対する高さ(集光レンズ541〜544のフォーカス)を調整する。なお、フォーカス調整用駆動機構は図示していない。
The
図4は、検出光学系部材の構成を示す模式図である。検出光学系部材は、図2及び図4に示すように、ビームサンプラ92,93、高速フォトダイオード94及び光軸検査用CCDカメラ96から構成される。ビームサンプラ92,93は、光学系部材50内に導入されるレーザ光の光路中に設けられている。この実施の形態では、レーザ発生装置40と反射ミラー33との間に設けられている。ビームサンプラ92,93はレーザ光の一部(例えば、レーザ光の約1割程度又はそれ以下の光量)をサンプリングして外部に分岐出力する素子である。高速フォトダイオード94は、ビームサンプラ92で分岐出力されたレーザ光の一部(サンプリングビーム)を受光面のほぼ中央付近で受光するように配置される。高速フォトダイオード94によって検出されたレーザ光の強度に対応した出力信号は、制御手段80に出力される。光軸検査用CCDカメラ96は、ビームサンプラ93で分岐出力されたレーザ光の一部(サンプリングビーム)を受光面のほぼ中央付近で受光するように配置される。光軸検査用CCDカメラ96によって撮像された映像は、制御手段80に出力される。なお、光軸検査用CCDカメラ96は、高速フォトダイオード94に照射されるレーザ光の位置を示す画像を取り込み、その画像を制御手段80に出力するようにしてもよい。
FIG. 4 is a schematic diagram showing the configuration of the detection optical system member. As shown in FIGS. 2 and 4, the detection optical system member includes
制御装置80は、リニアエンコーダ70からの検出信号に基づいてXYテーブル20のX軸方向の移動速度(移動周波数)を検出し、レーザ発生装置40の出力(レーザ周波数)を制御し、高速フォトダイオード94及び光軸検査用CCDカメラ96から出力される信号に基づいてレーザ発生装置40から出射されるレーザ光のパルス抜けを検出したり、レーザ光の光軸ずれ量に基づいてレーザ発生装置40の出射条件を制御したり、光学系部材50内のレーザ光を導入するための反射ミラー33〜35の配置等をフィードバック制御する。
The
エネルギー分散型X線分析装置90は、電子線を試料に照射して、発生する特性X線を検出して試料を構成している元素とその量を測定するエネルギー分散型X線分析装置である。図5は、透明電極層のスクライブ加工時をガウスビームのレーザ光を用いた場合の加工箇所の分析結果の一例を示す図である。図5(A)は、加工形状がすり鉢状の加工形状のほぼ中央部(図1(A)のA部)の分析結果を示す図である。図5(B)は、スクライブ加工によって形成されたスクライブ線を上部から見た図であり、図1(B)と同じものである。図5(C)は、加工形状がすり鉢状の加工形状の中で二酸化珪素膜1aの存在する箇所(図1(A)のB部)の分析結果を示す図である。
The energy
図5に示すように、A部(二酸化珪素膜1aが切断されて削り取られた箇所)すなわちガラス基板の下地の分析結果は、ナトリウム9.8%、マグネシウム3.4%、アルミニウム1.3%、ケイ素57.3%、カルシウム8.9%、スズ19.3%である。一方、B部(二酸化珪素膜1aの存在する箇所)の分析結果は、ナトリウム4.8%、マグネシウム3.2%、アルミニウム1.3%、ケイ素55.4%、カルシウム8.6%、チタン2.0、スズ24.7%である。A部とB部の分析結果を比較した場合、二酸化珪素膜1a無しのナトリウム成分の値が二酸化珪素膜1a有りの値の約2分の1と大幅に減少している。従って、この実施の形態では、このナトリウム成分値の違いに着目して、レーザ光によるスクライブ加工によって二酸化珪素膜1aが削り取られたか否かを検出し、レーザ光のパワーを適宜調整するようにした。
As shown in FIG. 5, the analysis result of the portion A (the portion where the
図6は、制御装置80の処理の詳細を示すブロック図である。制御装置80は、分岐手段81、パルス抜け判定手段82、アラーム発生手段83、基準CCD画像記憶手段84、光軸ずれ量計測手段85、レーザコントローラ86、レンズ変位量計測手段87、レンズ高さ調整手段88、照射レーザ状態検査手段89、照射レーザ調整手段8A及び二酸化珪素膜の有無判定手段8Cから構成される。
FIG. 6 is a block diagram showing details of processing of the
分岐手段81は、リニアエンコーダ70の検出信号(クロックパルス)を分岐して後段のレーザコントローラ86に出力する。パルス抜け判定手段82は、高速フォトダイオード94からのレーザ光強度に対応した出力信号(ダイオード出力)と分岐手段81から出力される検出信号(クロックパルス)とを入力し、それに基づいてレーザ光のパルス抜けを判定する。図7は、パルス抜け判定手段82の動作の一例を示す図である。図7において、図7(A)は分岐手段81から出力される検出信号(クロックパルス)の一例、図7(B)は高速フォトダイオード94から出力されるレーザ光強度に対応した出力信号(ダイオード出力)の一例、図7(C)はパルス抜け判定手段82がパルス抜け検出時に出力するアラーム信号の一例をそれぞれ示す。
The branching
図7に示すように、パルス抜け判定手段82は、分岐手段81からのクロックパルスの立ち下がり時点をトリガ信号として、ダイオード出力値が所定のしきい値Th以上であるか否かの判定を行い、ダイオード出力値がしきい値Thよりも小さい場合には、ハイレベル信号をアラーム発生手段83に出力する。アラーム発生手段83は、パルス抜け判定手段82からの信号がローレベルからハイレベルに変化した時点でパルス抜けが発生したことを示すアラームを外部に報知する。アラームの報知は、画像表示、発音等の種々の方法で行なう。アラームの発生によって、オペレータはパルス抜けが発生したことを認識することができる。また、このアラームが頻繁に発生する場合には、レーザ発生装置の性能が劣化したか又は寿命になったことを意味する。
As shown in FIG. 7, the pulse missing determining
基準CCD画像記憶手段84は、図6に示すような基準CCD画像84aを記憶している。この基準CCD画像84aは、光軸検査用CCDカメラ96の受光面の中央にレーザ光が受光した状態の画像を示すものである。光軸検査用CCDカメラ96からは、図6に示すような被検査画像85aが出力される。光軸ずれ量計測手段85は、光軸検査用CCDカメラ96からの被検査画像85aを取り込み、これと基準CCD画像84aとを比較し、光軸のずれ量を計測し、そのずれ量をレーザコントローラ86に出力する。例えば、図6に示す被検査画像85aのような画像が光軸検査用CCDカメラ96から出力された場合には、光軸ずれ量計測手段85は、両者を比較して、X軸及びY軸方向のずれ量を計測し、それをレーザコントローラ86に出力する。レーザコントローラ86は、被検査画像85aと基準CCD画像84aとが一致するように、レーザ光の光軸に関係する装置、すなわちレーザ発生装置40の出射条件や光学系部材50内にレーザ光を導入するための反射ミラー33〜35の配置等をフィードバックして調整する。
The reference CCD image storage means 84 stores a
レンズ変位量計測手段87は、集光レンズ高さ測長システム26によって検出された各集光レンズ541〜544の高さに対応した信号を入力し、各集光レンズ541〜544の高さが許容範囲内にあるか、この許容範囲よりも大きくずれているかを判定し、大きくずれている集光レンズ541〜544の高さをどの程度調整すればよいかを示す制御信号をレンズ高さ調整手段88に出力する。レンズ高さ調整手段88は、レンズ変位量計測手段87からの制御信号に応じて各集光レンズ541〜544の配置を調整する。なお、集光レンズ541〜544の高さ調整機構が存在しない場合には、レンズ高さ調整手段88は、レンズ変位量計測手段87からの制御信号に基づいて、集光レンズ541〜544のどれをどの程度調整すればよいのか、その調整情報をオペレータに伝達(視認表示、音声発音など)するようにしてもよい。
The lens displacement amount measuring means 87 inputs a signal corresponding to the height of each of the
照射レーザ状態検査手段89は、フォーカス及び光軸調整用CCDカメラ28からの画像89aを取り込み、これに基づいてフォーカス及び光軸のずれ量を計測し、そのずれ量を照射レーザ調整手段8Aに出力する。例えば、図6に示すような画像89aがフォーカス及び光軸調整用CCDカメラから出力された場合には、照射レーザ状態検査手段89は、画像89a内の円状の輪郭線89b(集光レンズ541〜544の外縁に対応した線)を基準にフォーカス円89c(画像89a内の小円)の位置を検出し、フォーカス円89cが輪郭線89bのほぼ中央に位置しているか否かに基づいて光軸のX軸及びY軸方向のずれ量を計測し、それを照射レーザ調整手段8Aに出力する。また、照射レーザ状態検査手段89は、フォーカス円89cの大きさ(面積)を計測し、それも基づいたフォーカス位置を照射レーザ調整手段8Aに出力する。照射レーザ調整手段8Aは、照射レーザ状態検査手段89からの光軸のずれ量及びフォーカス位置に対応した信号に基づいて、光学系部材50内の各ハーフミラー511〜513及び反射ミラー521〜528の配置等をフィードバックして調整する。なお、レンズ高さ調整手段88及び照射レーザ調整手段8Aを省略して、これらの機能をレーザコントローラ86に持たせるようにしてもよい。
The irradiation laser
二酸化珪素膜有無判定手段8Cは、エネルギー分散型X線分析装置90から出力されるナトリウム成分値(質量濃度値)を入力し、それが所定のしきい値Na(例えば8.0%)以上であるか否かの判定を行い、ナトリウム成分値がこのしきい値Naよりも小さい場合には、ハイレベル信号をレーザコントローラ86に出力する。このハイレベル信号を入力したレーザコントローラ86は、レーザ発生装置40の出射条件(レーザ光のパワー)を減少させて、ナトリウム成分値がしきい値Naよりも小さくなるように調整する。なお、この実施の形態では、二酸化珪素膜有無判定手段8Cを用いて、レーザコントローラ86を制御する場合について説明したが、エネルギー分散型X線分析装置90から出力されるナトリウム成分値(質量濃度値)を直接レーザコントローラ86で取り込み、このナトリウム成分値に基づいてレーザ光のパワーをフィードバック制御するようにしてもよい。
The silicon dioxide film presence / absence determining means 8C receives the sodium component value (mass concentration value) output from the energy
上述の実施の形態では、レーザ加工(スクライブ加工)時に光軸ずれ量計測手段85でレーザ光の光軸ずれを、パルス抜け判定手段82でパルス抜けをそれぞれ検査する場合について説明したが、図8に示すように高速フォトダイオード94からの出力波形に基づいてレーザ光のパルス状態を検査するようにしてもよい。例えば、図8では、レーザ光のパルス幅及びパルス高さを計測し、これらに異常が発生した場合にはアラームを発生するようにしてもよい。なお、レーザ光のパルス幅は、高速フォトダイオード94からの出力波形が所定値以上になっている期間が所定の範囲にある場合を正常とし、この範囲よりも大きかったり小さい場合にはパルス幅異常と判定し、アラームを出力する。また、レーザ光のパルス高さは、高速フォトダイオード94からの出力波形の最大値が許容範囲内に存在する場合を正常とし、この許容範囲よもも大きかったり小さい場合にはパルス高さ異常と判定し、アラームを出力する。このように、レーザ光を常時サンプリングしているので、リアルタイムでパルス幅、パルス高さ(パワー)などのレーザ光の品質を管理することができる。上述のようなパルス抜けが頻発するようになったら、レーザ発生装置40の劣化あるいは寿命と判断できる。
In the above-described embodiment, the case where the optical axis
図9は、図1の光学系部材を下側(基板側)から見た図である。図9は、光学系部材50とベース板31の一部を示している。図9(A)は、図1に示す光学系部材50とベース板31との位置関係を示す図であり、図に示すように、光学系部材50の端面(図の上側端部)とベース板31の端面(図の上側端部)とが一致している。図9(B)は、光学系部材50が貫通穴37の中心を回転軸としてベース板31に対して左回りに約30度回転した状態を示す図である。図9(C)は、光学系部材50が貫通穴37の中心を回転軸としてベース板31に対して左回りに約45度回転した状態を示す図である。
FIG. 9 is a view of the optical system member of FIG. 1 as viewed from the lower side (substrate side). FIG. 9 shows a part of the
この実施の形態に係るソーラパネル製造装置においては、光学系部材50がレーザ光の導入穴である貫通穴37の中心を回転軸として、自在に回転可能に構成されている。すなわち、分岐手段である光学系部材50は、図6の反射ミラー35からDOE500を通過してハーフミラー511に向かう垂直レーザ光の進行方向を中心軸として回転制御されている。これによって、レーザ光の分岐方向とレーザ光の基板に対する相対的な移動方向(図9の垂直方向)とのなす角度θを自在に可変制御することができる。なお、光学系部材50の回転駆動手段としては、ボールネジやリニアモータ等の既存の技術が用いられるが、これらの図示は省略する。
In the solar panel manufacturing apparatus according to this embodiment, the
図9に示すように、レーザ光の分岐方向とレーザ光の走査方向(図9の垂直方向)とのなす角度を可変制御した場合でも、レーザ光の相対的な移動方向に対してDOE500は回転しないように構成している。すなわち、DOE500を使用することによって、レーザ光の照射形状は、図9の集光レンズ541〜544内に示したように、点線正方形のような照射形状を示すことになる。従って、光学系部材50の回転制御と共にDOE500を回転させると、集光レンズ541〜544内の点線正方形もその回転量に応じて回転するようになる。この状態でレーザ光を走査照射すると、スクライブ線の両側稜線に正方形の角が位置するようになり、稜線が波打ち形状を示すようになる。そこで、この実施の形態のように、光学系部材50を回転制御しても、DOE500は回転させないような構成とすることで、図9(B)及び図9(C)に示すように、走査方向(図9の垂直方向)と集光レンズ541〜544内の点線正方形の左右両辺とが一致し、スクライブ線の両側稜線を極めて滑らかに形成することができ、また、光学系部材50を回転させてスクライブ線のピッチを適宜制御した場合でも滑らかな稜線のスクライブ線を形成することが可能となる。なお、上述の実施の形態では、DOEをレーザ光の光路中に1つだけ設ける場合について説明したが、DOEを分岐後の各集光レンズの直前にそれぞれ設けてもよい。この場合でも、光学系部材50を回転制御しても各DOEは回転させないように構成する必要がある。DOE500は、光学系部材50とは分離した形でベース板31に直結して設けることによって、光学系部材50の回転から独立させることが可能である。
As shown in FIG. 9, even when the angle formed between the laser beam branching direction and the laser beam scanning direction (vertical direction in FIG. 9) is variably controlled, the
図10は、光学系部材の回転量とスクライブ線のピッチ幅との関係を示す図である。図10(A)は図9(A)に示すように光学系部材50が回転していない状態、図10(B)は図9(B)に示すように光学系部材50が約30度回転した状態、図10(C)は図9(C)に示すように光学系部材50が約45度回転した状態でそれぞれレーザスクライブ加工処理を行なった場合のスクライブ線の状態を示す図である。図10(A)の場合のスクライブ線のピッチをP0とすると、図10(B)の場合のピッチP30はP0×cos30°となり、図10(C)の場合のピッチP45はP0×cos45°となる。このように、この実施の形態に係るソーラパネル製造装置は、光学系部材50の回転角度を適宜調整することによって、スクライブ線のピッチ幅を所望の値に適宜可変調整することができる。図11は、ガラス基板と透明電極層との間に薄い二酸化珪素膜がコーティングしてあるワークに対して、上述のトップハット強度分布のレーザ光を用いて透明電極層にスクライブ加工を行なった場合の加工状態を示す図である。図11に示すように、ガラス基板1上には二酸化珪素膜1aがコーティングされており、この二酸化珪素膜1a上に透明電極層1bが形成されている。このガラス基板1に図3、図9及び図10に示すようなトップハット強度分布のレーザ光を用いてスクライブ加工が施される。図11に示すように、透明電極層のスクライブ加工時にレーザ光としてトップハット強度分布のレーザ光を用いた場合、レーザ光のパワーが照射領域で均一となるため、図11に示すように、加工形状が平坦状になり、二酸化珪素膜1aを透明電極層1bだけを削り取ることが可能となる。上述のエネルギー分散型X線分析装置90を用いて図11に示すような加工形状のスクライブ線におけるナトリウム成分値を検出しても、ナトリウム成分値はしきい値Naよりも十分に小さな値となり、ガラス基板のナトリウムが析出するおそれがなくなる。
FIG. 10 is a diagram illustrating the relationship between the rotation amount of the optical system member and the pitch width of the scribe line. 10A shows a state where the
上述の実施の形態では、パルス抜けの発生だけを見ているが、パルス抜けが発生した箇所の座標データ(位置データ)を取得して記憶することによって、スクライブ線のリペア処理を行なうことが可能となる。
上述の実施の形態では、光軸検査用CCDカメラ96を用いてビームサンプラ93で分岐出力されたレーザ光の一部(サンプリングビーム)を直接受光して、それを画像処理することによって、光軸ずれを検査する場合について説明したが、高速フォトダイオード94の受光面の中央にレーザ光が受光した状態を示す画像を被検査画像として光軸検査用CCDカメラ96あるいは分割型フォトダイオードで取得することによって光軸ずれを検査するようにしてもよい。
上述の実施の形態では、レーザ光の光軸ずれ及びパルス抜けを検査する場合について説明したが、光軸ずれ、パルス抜け、パルス幅及びパルス高さのそれぞれを適宜組み合わせてレーザ光の状態を検査するようにしてもよい。
上述の実施の形態では、薄膜の形成された基板1の表面からレーザ光を照射して薄膜にスクライブ線(溝)を形成する場合について説明したが、基板1の裏面からレーザ光を照射して、基板表面の薄膜にスクライブ線を形成するようにしてもよい。
上述の実施の形態では、ソーラパネル製造装置を例に説明したが、本発明はELパネル製造装置、ELパネル修正装置、FPD修正装置などのレーザ加工を行なう装置にも適用可能である。
In the above-described embodiment, only the occurrence of missing pulses is observed, but by acquiring and storing the coordinate data (position data) of the location where the missing pulses have occurred, it is possible to perform a scribe line repair process. It becomes.
In the above-described embodiment, a part of the laser beam (sampling beam) branched and output by the
In the above embodiment, the case of inspecting the optical axis deviation and the missing pulse of the laser beam has been described. However, the laser beam state is inspected by appropriately combining the optical axis deviation, the missing pulse, the pulse width, and the pulse height. You may make it do.
In the above-described embodiment, the case where the laser beam is irradiated from the surface of the
In the above-described embodiment, the solar panel manufacturing apparatus has been described as an example. However, the present invention can also be applied to an apparatus that performs laser processing, such as an EL panel manufacturing apparatus, an EL panel correction apparatus, and an FPD correction apparatus.
1…ワーク
1a…二酸化珪素膜
1b…透明電極層
10…台座
20…XYテーブル
30…スライドフレーム
31…ベース板
33〜35…反射ミラー
37…貫通穴
40…レーザ発生装置
50…光学系部材
500…位相型回折光学素子(DOE)
511〜513…ハーフミラー
521〜528…反射ミラー
531〜534…シャッター機構
541〜544…集光レンズ
52,54…オートフォーカス用測長システム
60…アライメントカメラ装置
70…リニアエンコーダ
80…制御装置
81…分岐手段
82…パルス抜け判定手段
83…アラーム発生手段
84…基準CCD画像記憶手段
85…光軸ずれ量計測手段
86…レーザコントローラ
8C…二酸化珪素膜有無判定手段
90…エネルギー分散型X線分析装置
92,93…ビームサンプラ
94…高速フォトダイオード
96…光軸検査用CCDカメラ
DESCRIPTION OF
511 to 513 ... half mirrors 521 to 528 ... reflection mirrors 531 to 534 ... shutter
Claims (5)
エネルギー分散型X線分析手段を用いて前記ワークの加工箇所に電子線を照射し、発生する特性X線を検出してナトリウム成分値を測定し、前記ナトリウム成分値に基づいて前記レーザ光のパワーを調整することを特徴とするレーザ加工方法。 A laser processing method for performing predetermined processing on a workpiece by irradiating while moving the laser beam relative to the workpiece,
The processing part of the workpiece is irradiated with an electron beam using an energy dispersive X-ray analysis means, the characteristic X-ray generated is detected to measure the sodium component value, and the power of the laser beam based on the sodium component value The laser processing method characterized by adjusting.
前記ワークの加工箇所に電子線を照射し、発生する特性X線を検出してナトリウム成分値を測定するエネルギー分散型X線分析手段と、
前記エネルギー分散型X線分析手段によって測定された前記ナトリウム成分値に基づいて前記レーザ光のパワーを調整する制御手段と
を備えたことを特徴とするレーザ加工装置。 In a laser processing apparatus that performs predetermined processing on a workpiece by irradiating the workpiece while moving the laser beam relative to the workpiece held by the holding means,
An energy dispersive X-ray analysis means for irradiating a processing portion of the workpiece with an electron beam, detecting a generated characteristic X-ray and measuring a sodium component value;
And a control means for adjusting the power of the laser beam based on the sodium component value measured by the energy dispersive X-ray analysis means.
前記レーザ光の分岐前の光路中に設けられ、前記レーザ光をトップハット強度分布に変換する位相型回折光学素子手段と
を備えたことを特徴とするレーザ加工装置。 The laser processing apparatus according to claim 3, wherein the laser light is branched into a plurality of laser lights, and the respective optical path lengths until the branched laser lights are irradiated onto the workpiece are the same. A laser processing apparatus comprising: a branching unit that irradiates the workpiece; and a phase type diffractive optical element unit that is provided in an optical path before branching of the laser beam and converts the laser beam into a top hat intensity distribution. .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009089311A JP5234648B2 (en) | 2009-04-01 | 2009-04-01 | Laser processing method, laser processing apparatus, and solar panel manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009089311A JP5234648B2 (en) | 2009-04-01 | 2009-04-01 | Laser processing method, laser processing apparatus, and solar panel manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010240666A JP2010240666A (en) | 2010-10-28 |
JP5234648B2 true JP5234648B2 (en) | 2013-07-10 |
Family
ID=43094328
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009089311A Expired - Fee Related JP5234648B2 (en) | 2009-04-01 | 2009-04-01 | Laser processing method, laser processing apparatus, and solar panel manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5234648B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5834335B2 (en) * | 2011-03-10 | 2015-12-16 | シチズンファインデバイス株式会社 | Substrate with thin film, thin film processing method, piezoelectric device, and frequency adjustment method of piezoelectric vibrator |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08125206A (en) * | 1994-10-27 | 1996-05-17 | Yazaki Corp | Thin-film solar cell |
JPH08192280A (en) * | 1995-01-17 | 1996-07-30 | Toshiba Corp | Laser beam machining device |
JP2002265233A (en) * | 2001-03-05 | 2002-09-18 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Glass preform for laser beam machining and glass for laser beam machining |
JP2003112278A (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Machining device and method |
JP4336239B2 (en) * | 2004-04-20 | 2009-09-30 | 新日本製鐵株式会社 | Zinc-based plated steel material for laser welding, method for producing the same, and laser welding method |
JP2006054255A (en) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Kaneka Corp | Solar cell manufacturing apparatus |
JP4440036B2 (en) * | 2004-08-11 | 2010-03-24 | 株式会社ディスコ | Laser processing method |
JP2008207245A (en) * | 2007-01-29 | 2008-09-11 | Kobe Steel Ltd | Joined product of dissimilar materials of steel and aluminum material |
JP2008246537A (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Toray Ind Inc | Laser perforation film and stencil paper for stencil printing |
-
2009
- 2009-04-01 JP JP2009089311A patent/JP5234648B2/en not_active Expired - Fee Related
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---|---|
JP2010240666A (en) | 2010-10-28 |
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