JP5234648B2 - Laser processing method, laser processing apparatus, and solar panel manufacturing method - Google Patents

Laser processing method, laser processing apparatus, and solar panel manufacturing method Download PDF

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Description

本発明は、レーザ光を用いて薄膜等を加工するレーザ加工方法、レーザ加工装置及びソーラパネル製造方法に係り、特にレーザ光のパワーを最適化することのできるレーザ加工方法、レーザ加工装置及びソーラパネル製造方法に関する。   The present invention relates to a laser processing method, a laser processing apparatus, and a solar panel manufacturing method for processing a thin film or the like using laser light, and in particular, a laser processing method, a laser processing apparatus, and a solar capable of optimizing the power of laser light. The present invention relates to a panel manufacturing method.

従来、ソーラパネルの製造工程では、透光性基板(ガラス基板)上に透明電極層、半導体層、金属層を順次形成し、形成後の各工程で各層をレーザ光で短冊状に加工してソーラパネルモジュールを完成している。このようにしてソーラパネルモジュールを製造する場合、ガラス基板上の薄膜に例えば約10mmピッチでレーザ光でスクライブ線を形成している。このスクライブ線の線幅は約30μmで、線と線の間隔は約30μmとなるような3本の線で構成されている。レーザ光でスクライブ線を形成する場合、通常は定速度で移動するガラス基板上にレーザ光を照射していた。これによって、深さ及び線幅の安定したスクライブ線を形成することが可能であった。このようなレーザ光を用いた加工方法においてレーザ光を複数に分岐して加工を行なうものについては、特許文献1に記載のようなものが知られている。   Conventionally, in a solar panel manufacturing process, a transparent electrode layer, a semiconductor layer, and a metal layer are sequentially formed on a translucent substrate (glass substrate), and each layer is processed into a strip shape with laser light in each step after the formation. A solar panel module has been completed. When manufacturing a solar panel module in this manner, scribe lines are formed on a thin film on a glass substrate with laser light at a pitch of about 10 mm, for example. The scribe line has a line width of about 30 μm, and is composed of three lines such that the distance between the lines is about 30 μm. When forming a scribe line with a laser beam, the laser beam is usually irradiated onto a glass substrate that moves at a constant speed. As a result, it was possible to form a scribe line having a stable depth and line width. In such a processing method using laser light, a method described in Patent Document 1 is known for performing processing by branching a laser beam into a plurality of parts.

特開2004−141929号公報JP 2004-141929 A

特許文献1に記載のレーザ加工方法では、レーザを位相格子を用いて複数のレーザ光に分岐し、分岐された複数のレーザ光をワークに照射している。一般的に、ソーラパネル製造工程においては、レーザ光としてガウスビームをそのまま使用し、ビーム径を規定の幅にしぼり、基板を移動させて、スクライブ加工を行なっている。レーザ光としてガウスビームを用いると、加工形状がすり鉢状になり、中央部の膜が飛び過ぎ、それによってはガラス基板にダメージを与えるという問題があった。また、ソーラパネルにおいては、経年変化でガラス基板から析出するナトリウム成分により金属膜が錆びてしまい、ソーラパネルの劣化を加速させるという問題があるので、一般的な太陽電池用ガラス基板はガラス基板と透明電極層との間に薄い二酸化珪素(SiO2 )膜がコーティングしてある。 In the laser processing method described in Patent Document 1, a laser is branched into a plurality of laser beams using a phase grating, and the workpiece is irradiated with the plurality of branched laser beams. In general, in a solar panel manufacturing process, a Gaussian beam is used as it is as a laser beam, the beam diameter is reduced to a specified width, the substrate is moved, and scribing is performed. When a Gaussian beam is used as the laser light, the processed shape becomes a mortar shape, and the film in the center part jumps too much, thereby causing a problem that the glass substrate is damaged. Also, in solar panels, there is a problem that the metal film rusts due to the sodium component precipitated from the glass substrate over time, accelerating the deterioration of the solar panel, so a general solar cell glass substrate is a glass substrate. A thin silicon dioxide (SiO 2 ) film is coated between the transparent electrode layer.

図1は、ガラス基板と透明電極層との間に薄い二酸化珪素膜がコーティングしてあるワークに対して透明電極層のスクライブ加工を行なった場合の加工状態を示す図である。図1(A)に示すように、ガラス基板1上には二酸化珪素膜1aがコーティングされており、この二酸化珪素膜1a上に透明電極層1bが形成されている。このガラス基板1にガウスビームを用いてスクライブ加工が施される。図1(B)は、このスクライブ加工によって形成されたスクライブ線を上部から見た図であり、図1(C)は、このスクライブ線を斜め上部から見た3次元図である。図1に示すように、透明電極層のスクライブ加工時にレーザ光としてガウスビームを用いた場合、レーザ光のパワーが強すぎると、図1に示すように、加工形状がすり鉢状になり、中央部(A部)の膜が飛び過ぎ、二酸化珪素膜1aを切断されて削り取られてしまい、二酸化珪素膜1aの切断箇所からガラス基板のナトリウムが析出してしまい、経年変化によってソーラパネルの劣化を加速するという問題があった。   FIG. 1 is a diagram showing a processed state when a transparent electrode layer is scribed on a work in which a thin silicon dioxide film is coated between a glass substrate and a transparent electrode layer. As shown in FIG. 1A, a silicon dioxide film 1a is coated on a glass substrate 1, and a transparent electrode layer 1b is formed on the silicon dioxide film 1a. The glass substrate 1 is scribed using a Gaussian beam. FIG. 1B is a view of the scribe line formed by the scribing process as viewed from above, and FIG. 1C is a three-dimensional view of the scribe line as viewed from obliquely above. As shown in FIG. 1, when a Gaussian beam is used as the laser beam during scribing the transparent electrode layer, if the power of the laser beam is too strong, the processed shape becomes a mortar shape as shown in FIG. The film of (A part) jumps too much, the silicon dioxide film 1a is cut and scraped off, sodium of the glass substrate is deposited from the cut portion of the silicon dioxide film 1a, and the deterioration of the solar panel is accelerated by the secular change. There was a problem to do.

本発明の目的は、上述の点に鑑みてなされたものであり、レーザ光のパワーを最適化してスクライブ加工を行なうことのできるレーザ加工方法、レーザ加工装置及びソーラパネル製造方法を提供することである。   An object of the present invention has been made in view of the above-described points, and provides a laser processing method, a laser processing apparatus, and a solar panel manufacturing method capable of performing scribing while optimizing the power of laser light. is there.

本発明に係るレーザ加工方法の第1の特徴は、レーザ光をワークに対して相対的に移動させながら照射することによってワークに所定の加工を施すレーザ加工方法であって、エネルギー分散型X線分析手段を用いて前記ワークの加工箇所に電子線を照射し、発生する特性X線を検出してナトリウム成分値を測定し、前記ナトリウム成分値に基づいて前記レーザ光のパワーを調整することにある。
ワークであるガラス基板上には二酸化珪素膜がコーティングされている。レーザ加工によってこの二酸化珪素膜が削り取られると、ガラス基板からナトリウムが析出する。この発明では、エネルギー分散型X線分析手段を用いてワークの加工箇所に電子線を照射し、発生する特性X線を検出してナトリウム成分値を測定する。このナトリウム成分値が所定値よりも大きい場合には、レーザ光のパワーが大きいことを意味するので、ナトリウム成分値が検出されないようにレーザ光のパワーを適宜調整する。
A first feature of the laser processing method according to the present invention is a laser processing method for applying a predetermined processing to a workpiece by irradiating the laser beam while moving the laser beam relative to the workpiece. The processing means of the workpiece is irradiated with an electron beam using an analyzing means, the generated characteristic X-ray is detected to measure the sodium component value, and the power of the laser beam is adjusted based on the sodium component value is there.
A silicon dioxide film is coated on a glass substrate which is a workpiece. When this silicon dioxide film is scraped off by laser processing, sodium precipitates from the glass substrate. In the present invention, an energy dispersive X-ray analysis means is used to irradiate a processing portion of a workpiece with an electron beam, and the generated characteristic X-ray is detected to measure the sodium component value. If this sodium component value is larger than the predetermined value, it means that the power of the laser beam is large. Therefore, the power of the laser beam is appropriately adjusted so that the sodium component value is not detected.

本発明に係るレーザ加工方法の第2の特徴は、前記第1の特徴に記載のレーザ加工方法において、前記レーザ光を複数のレーザ光に分岐し、前記レーザ光の分岐前の光路中に位相型回折光学素子手段を配置して前記レーザ光をトップハット強度分布に変換し、変換後の複数のレーザ光が前記ワークに照射されるまでのそれぞれの光路長が同じとなるようにしたことにある。
この発明では、レーザ光を複数のレーザ光に分岐し、分岐された複数のレーザ光をワークに対して相対的に移動させながら照射する場合に、レーザ光の分岐前の光路中に位相型回折光学素子手段(DOE:Diffractive Optical Element)を配置してレーザ光をトップハット強度分布に変換している。変換後のレーザ光は、ハーフミラーや反射ミラーなどによって複数のレーザ光に分岐される。このとき、変換後の複数のレーザ光がワークに照射されるまでのそれぞれの光路長が互いに等しくなるようにレーザ光をワークまで導いて照射する。このように、レーザ光の光路中に、位相型回折光学素子を配置して、レーザ光のガウシアン強度分布をフラットトップ(トップハット)強度分布に変換して、ワークに照射することによって、レーザ光の照射形状はほぼ正方形状とすることができ、スクライブ線の両側稜線を滑らかに形成することができると共に二酸化珪素膜が削り取られるのを抑制することができる。また、分岐された複数のレーザ光毎に位相型回折光学素子(DOE)を設けなくても、トップハットビームに変換された複数のレーザ光を基板に照射することができるため、コスト低減が図れる。さらに、1つの(DOE)光源からの分岐のため、分岐したレーザ光の特性を比較的容易に均一化することが可能となる。
A second feature of the laser processing method according to the present invention is that in the laser processing method according to the first feature, the laser beam is branched into a plurality of laser beams, and the phase in the optical path before the laser beam is branched. The type diffractive optical element means is arranged to convert the laser light into a top hat intensity distribution, and the respective optical path lengths until the converted laser lights are irradiated onto the workpiece are the same. is there.
In this invention, when the laser beam is split into a plurality of laser beams and irradiated while moving the plurality of branched laser beams relative to the workpiece, the phase-type diffraction is performed in the optical path before the splitting of the laser beams. Optical element means (DOE: Diffractive Optical Element) is arranged to convert the laser light into a top hat intensity distribution. The converted laser beam is branched into a plurality of laser beams by a half mirror, a reflection mirror, or the like. At this time, the laser light is guided to the workpiece and irradiated so that the respective optical path lengths until the converted laser beams are irradiated onto the workpiece are equal to each other. As described above, the phase-type diffractive optical element is disposed in the optical path of the laser beam, the Gaussian intensity distribution of the laser beam is converted into a flat top (top hat) intensity distribution, and the workpiece is irradiated with the laser beam. The irradiating shape can be substantially square, both sides of the scribe line can be smoothly formed and the silicon dioxide film can be prevented from being scraped off. Further, even if a phase type diffractive optical element (DOE) is not provided for each of a plurality of branched laser beams, the substrate can be irradiated with a plurality of laser beams converted into a top hat beam, thereby reducing costs. . Furthermore, since the light is branched from one (DOE) light source, the characteristics of the branched laser light can be made relatively easy.

本発明に係るレーザ加工装置の第1の特徴は、レーザ光を保持手段に保持されたワークに対して相対的に移動させながら照射することによってワークに所定の加工を施すレーザ加工装置において、前記ワークの加工箇所に電子線を照射し、発生する特性X線を検出してナトリウム成分値を測定するエネルギー分散型X線分析手段と、前記エネルギー分散型X線分析手段によって測定された前記ナトリウム成分値に基づいて前記レーザ光のパワーを調整する制御手段とを備えたことにある。これは、前記レーザ加工方法の第1の特徴に対応したレーザ加工装置の発明である。   A first feature of the laser processing apparatus according to the present invention is that the laser processing apparatus performs predetermined processing on the workpiece by irradiating the workpiece while moving the laser beam relative to the workpiece held by the holding means. An energy dispersive X-ray analyzer that irradiates an electron beam to a processing part of a work, detects a characteristic X-ray generated, and measures a sodium component value, and the sodium component measured by the energy dispersive X-ray analyzer And a control means for adjusting the power of the laser beam based on the value. This is an invention of a laser processing apparatus corresponding to the first feature of the laser processing method.

本発明に係るレーザ加工装置の第2の特徴は、前記第1の特徴に記載のレーザ加工装置において、前記レーザ光を複数のレーザ光にに分岐し、分岐後の複数のレーザ光が前記ワークに照射されるまでのそれぞれの光路長が同じとなるように前記ワークに照射する分岐手段と、前記レーザ光の分岐前の光路中に設けられ、前記レーザ光をトップハット強度分布に変換する位相型回折光学素子手段とを備えたことにある。これは、前記レーザ加工方法の第2の特徴に対応したレーザ加工装置の発明である。   A second feature of the laser processing apparatus according to the present invention is the laser processing apparatus according to the first feature, wherein the laser beam is branched into a plurality of laser beams, and the plurality of laser beams after branching are the workpiece. A branching means for irradiating the workpiece so that the respective optical path lengths until the laser beam is irradiated, and a phase provided in the optical path before branching of the laser beam, and converting the laser beam into a top hat intensity distribution Diffractive optical element means. This is an invention of a laser processing apparatus corresponding to the second feature of the laser processing method.

本発明に係るソーラパネル製造方法の特徴は、前記第1若しくは第2の特徴に記載のレーザ加工方法、又は前記第1若しくは第2の特徴に記載のレーザ加工装置を用いて、ソーラパネルを製造することにある。これは、前記レーザ加工方法又は前記レーザ加工装置のいずれかを用いて、ソーラパネルを製造するようにしたものである。   The solar panel manufacturing method according to the present invention is characterized in that a solar panel is manufactured using the laser processing method according to the first or second feature or the laser processing apparatus according to the first or second feature. There is to do. In this method, a solar panel is manufactured using either the laser processing method or the laser processing apparatus.

本発明によれば、レーザ光のパワーを最適化してスクライブ加工を行なうことができるという効果がある。   According to the present invention, there is an effect that scribing can be performed by optimizing the power of laser light.

ガラス基板と透明電極層との間に薄い二酸化珪素膜がコーティングしてあるワークに対して透明電極層のスクライブ加工を行なった場合の加工状態を示す図である。It is a figure which shows the processing state at the time of performing the scribe process of a transparent electrode layer with respect to the workpiece | work with which the thin silicon dioxide film is coated between the glass substrate and the transparent electrode layer. 本発明の一実施の形態に係るレーザ加工装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the laser processing apparatus which concerns on one embodiment of this invention. 図2の光学系部材の詳細構成を示す図である。It is a figure which shows the detailed structure of the optical system member of FIG. 図2の検出光学系部材の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the detection optical system member of FIG. 透明電極層のスクライブ加工時をガウスビームのレーザ光を用いた場合の加工箇所の分析結果の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the analysis result of the process location at the time of using the laser beam of a gauss beam at the time of the scribe process of a transparent electrode layer. 制御装置の処理の詳細を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the detail of a process of a control apparatus. 図4のパルス抜け判定手段の動作の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of operation | movement of the pulse missing determination means of FIG. 図6の高速フォトダイオードから出力される波形の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the waveform output from the high-speed photodiode of FIG. 図2の光学系部材を下側(ワーク側)から見た図である。It is the figure which looked at the optical system member of FIG. 2 from the lower side (working side). 光学系部材の回転量とスクライブ線のピッチ幅との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the rotation amount of an optical system member, and the pitch width of a scribe line. ガラス基板と透明電極層との間に薄い二酸化珪素膜がコーティングしてあるワークに対して、上述のトップハット強度分布のレーザ光を用いて透明電極層にスクライブ加工を行なった場合の加工状態を示す図である。For the workpiece coated with a thin silicon dioxide film between the glass substrate and the transparent electrode layer, the processing state when the transparent electrode layer is scribed using the laser beam having the top hat intensity distribution described above. FIG.

以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。図2は、本発明の一実施の形態に係るレーザ加工装置の概略構成を示す図である。このレーザ加工装置は、ソーラパネル製造装置のレーザ光加工処理(レーザスクライブ)工程を行なうものである。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention. This laser processing apparatus performs a laser beam processing (laser scribing) process of a solar panel manufacturing apparatus.

図2のソーラパネル製造装置は、台座10、XYテーブル20、レーザ発生装置40と、光学系部材50、アライメントカメラ装置60、リニアエンコーダ70、制御装置80、エネルギー分散型X線分析装置90及び検出光学系部材等によって構成されている。台座10上には台座10のX軸方向及びY軸方向(XY平面)に沿って駆動制御されるXYテーブル20が設けられている。   2 includes a pedestal 10, an XY table 20, a laser generator 40, an optical system member 50, an alignment camera device 60, a linear encoder 70, a control device 80, an energy dispersive X-ray analyzer 90, and a detection. It is comprised by the optical system member etc. An XY table 20 that is driven and controlled along the X-axis direction and the Y-axis direction (XY plane) of the pedestal 10 is provided on the pedestal 10.

XYテーブル20は、X方向及びY方向へ移動制御される。なお、XYテーブル20の駆動手段としては、ボールネジやリニアモータ等が用いられるが、これらの図示は省略してある。XYテーブル20の上側にはレーザ加工の対象となるワーク1が保持されている。また、台座10の上には光学系部材を保持しながらY軸方向にスライド駆動されるスライドフレーム30が設けられている。XYテーブル20は、Z軸を回転軸としてθ方向に回転可能に構成されている。なお、スライドフレーム30によりY軸方向の移動量が十分に確保できる場合には、XYテーブル20は、X軸方向の移動だけを行なう構成であってもよい。この場合、XYテーブル20はX軸テーブルの構成でもよい。   The XY table 20 is controlled to move in the X direction and the Y direction. In addition, although a ball screw, a linear motor, etc. are used as a drive means of the XY table 20, these illustration is abbreviate | omitted. On the upper side of the XY table 20, a workpiece 1 to be laser processed is held. A slide frame 30 that is slid in the Y-axis direction while holding the optical system member is provided on the base 10. The XY table 20 is configured to be rotatable in the θ direction about the Z axis. Note that when the amount of movement in the Y-axis direction can be sufficiently secured by the slide frame 30, the XY table 20 may be configured to only move in the X-axis direction. In this case, the XY table 20 may have an X-axis table configuration.

スライドフレーム30は、台座10上の四隅に設けられた移動台に取り付けられている。スライドフレーム30は、この移動台によってY方向へ移動制御される。ベース板31と移動台との間には除振部材(図示せず)が設けられている。スライドフレーム30のベース板31には、レーザ発生装置40、光学系部材50及び制御装置80が設置されている。光学系部材50は、ミラーやレンズの組み合わせで構成され、レーザ発生装置40で発生したレーザ光を4系列に分割してXYテーブル20上のワーク1上に導くものである。なお、レーザ光の分割数は4系列に限るものではなく、2系列以上であればよい。   The slide frame 30 is attached to a movable table provided at four corners on the base 10. The slide frame 30 is controlled to move in the Y direction by this moving table. A vibration isolation member (not shown) is provided between the base plate 31 and the moving table. A laser generator 40, an optical system member 50, and a control device 80 are installed on the base plate 31 of the slide frame 30. The optical system member 50 is constituted by a combination of a mirror and a lens, and divides the laser beam generated by the laser generator 40 into four lines and guides it onto the work 1 on the XY table 20. Note that the number of divisions of the laser light is not limited to four, but may be two or more.

アライメントカメラ装置60は、XYテーブル20上であってワーク1の両端部(X軸方向の前後縁部)付近の画像を取得する。このアライメントカメラ装置60で取得された画像は、制御装置80に出力される。制御装置80は、アライメントカメラ装置60からの画像を、ワーク1のIDデータと共にデータベース手段に格納し、これ以降のワーク1のアライメント処理に利用する。   The alignment camera device 60 acquires images near the both end portions (front and rear edge portions in the X-axis direction) of the work 1 on the XY table 20. An image acquired by the alignment camera device 60 is output to the control device 80. The control device 80 stores the image from the alignment camera device 60 in the database unit together with the ID data of the workpiece 1 and uses it for the subsequent alignment processing of the workpiece 1.

リニアエンコーダ70は、XYテーブル20のX軸移動テーブルの側面に設けられたスケール部材と検出部で構成される。リニアエンコーダ70の検出信号は、制御装置80に出力される。制御装置80は、リニアエンコーダ70からの検出信号に基づいてXYテーブル20のX軸方向の移動速度(移動周波数)を検出し、レーザ発生装置40の出力(レーザ周波数)を制御する。   The linear encoder 70 includes a scale member and a detection unit provided on the side surface of the X-axis movement table of the XY table 20. The detection signal of the linear encoder 70 is output to the control device 80. The control device 80 detects the moving speed (moving frequency) in the X-axis direction of the XY table 20 based on the detection signal from the linear encoder 70 and controls the output (laser frequency) of the laser generator 40.

光学系部材50は、図示のように、ベース板31の側面側に設けられており、ベース板31の側面に沿って移動するように構成されている。レーザ発生装置40から出射されるレーザ光を光学系部材50に導くためのミラー33はベース板31上に設けられている。ミラー34,35は、光学系部材50上に設けられており、光学系部材50のスライド移動に連動するようになっている。レーザ発生装置40から出射されたレーザ光は、ミラー33によってミラー34へ向かって反射され、ミラー34に向かうレーザ光はミラー34によってミラー35に向かって反射される。ミラー35は、ミラー34からの反射レーザ光をベース板31に設けられた貫通穴を介して光学系部材50内に導く。なお、レーザ光発生装置40から出射されたレーザ光は、ベース板31に設けられた貫通穴から光学系部材50に対して上側から導入されるように構成されれば、どのような構成のものであってもよい。例えば、レーザ発生装置40を貫通穴の上側に設け、貫通穴を介して光学系部材50に直接レーザ光を導くようにしてもよい。   As illustrated, the optical system member 50 is provided on the side surface side of the base plate 31 and is configured to move along the side surface of the base plate 31. A mirror 33 for guiding laser light emitted from the laser generator 40 to the optical system member 50 is provided on the base plate 31. The mirrors 34 and 35 are provided on the optical system member 50 and are interlocked with the slide movement of the optical system member 50. The laser beam emitted from the laser generator 40 is reflected by the mirror 33 toward the mirror 34, and the laser beam toward the mirror 34 is reflected by the mirror 34 toward the mirror 35. The mirror 35 guides the reflected laser light from the mirror 34 into the optical system member 50 through a through hole provided in the base plate 31. The laser light emitted from the laser light generating device 40 may have any configuration as long as the laser light is configured to be introduced from above into the optical system member 50 through a through hole provided in the base plate 31. It may be. For example, the laser generator 40 may be provided on the upper side of the through hole, and the laser beam may be directly guided to the optical system member 50 through the through hole.

図3は、光学系部材50の詳細構成を示す図である。実際の光学系部材50の構成は、複雑であるが、ここでは説明を簡単にするために図示を簡略化して示している。図3は、光学系部材50の内部を図2の−X軸方向から見た図である。図3に示すようにベース板31にはミラー35で反射されたレーザ光を光学系部材50内に導入するための貫通穴37を有する。この貫通穴37の直下には、ガウシアン強度分布のレーザ光をトップハット強度分布のレーザ光に変換する位相型回折光学素子(DOE:Diffractive Optical Element)500が設けられている。   FIG. 3 is a diagram illustrating a detailed configuration of the optical system member 50. Although the actual configuration of the optical system member 50 is complicated, the illustration is simplified here for the sake of simplicity. FIG. 3 is a view of the inside of the optical system member 50 as viewed from the −X axis direction of FIG. 2. As shown in FIG. 3, the base plate 31 has a through hole 37 for introducing the laser beam reflected by the mirror 35 into the optical system member 50. A phase type diffractive optical element (DOE) 500 that converts laser light having a Gaussian intensity distribution into laser light having a top hat intensity distribution is provided directly below the through hole 37.

DOE500によってトップハット強度分布のレーザ光(トップハットビーム)に変換されたレーザ光はハーフミラー511によって反射ビームと透過ビームにそれぞれ分岐され、反射ビームは右方向のハーフミラー512に向かって、透過ビームは下方向の反射ミラー524に向かって進む。ハーフミラー511で反射したビームは、ハーフミラー512によってさらに反射ビームと透過ビームに分岐され、反射ビームは下方向の反射ミラー522に向かって、透過ビームは右方向の反射ミラー521に向かって進む。ハーフミラー512を透過したビームは反射ミラー521によって反射され、下方向の集光レンズ541を介してワーク1に照射される。ハーフミラー512で反射したビームは、反射ミラー522,523によって反射され、下方向の集光レンズ542を介してワーク1に照射される。ハーフミラー511を透過したビームは、反射ミラー524によって反射され、左方向に向かって進む。反射ミラー524で反射したビームは、ハーフミラー513によって反射ビームと透過ビームに分岐され、反射ビームは下方向の反射ミラー526に向かって、透過ビームは左方向の反射ミラー528に向かって進む。ハーフミラー513で反射したビームは、反射ミラー526,527によって反射され、下方向の集光レンズ543を介してワーク1に照射される。ハーフミラー513を透過したビームは反射ミラー528によって反射され、下方向の集光レンズ544を介してワーク1に照射される。   The laser light converted into laser light having a top hat intensity distribution (top hat beam) by the DOE 500 is branched into a reflected beam and a transmitted beam by the half mirror 511, and the reflected beam is transmitted toward the right half mirror 512. Advances toward the reflective mirror 524 in the downward direction. The beam reflected by the half mirror 511 is further branched into a reflected beam and a transmitted beam by the half mirror 512, and the reflected beam travels toward the lower reflecting mirror 522, and the transmitted beam travels toward the right reflecting mirror 521. The beam that has passed through the half mirror 512 is reflected by the reflecting mirror 521, and is irradiated onto the work 1 through the condensing lens 541 in the downward direction. The beam reflected by the half mirror 512 is reflected by the reflection mirrors 522 and 523 and is irradiated onto the workpiece 1 through the condensing lens 542 in the downward direction. The beam transmitted through the half mirror 511 is reflected by the reflection mirror 524 and travels in the left direction. The beam reflected by the reflection mirror 524 is branched into a reflection beam and a transmission beam by the half mirror 513, the reflection beam proceeds toward the reflection mirror 526 in the downward direction, and the transmission beam proceeds toward the reflection mirror 528 in the left direction. The beam reflected by the half mirror 513 is reflected by the reflection mirrors 526 and 527 and is irradiated onto the work 1 through the condensing lens 543 in the downward direction. The beam that has passed through the half mirror 513 is reflected by the reflecting mirror 528, and is irradiated onto the work 1 through the condensing lens 544 in the downward direction.

DOE500によって変換されたトップハットビームは、上述のハーフミラー511〜513及び反射ミラー521〜528によって、透過・反射されて集光レンズ541〜544に導かれる。このとき、DOE500から各集光レンズ541〜544までの光路長は等しくなるように設定されている。すなわち、ハーフミラー511で反射したビームがハーフミラ512を透過して反射ミラー521で反射して集光レンズ541に到達するまでの光路長、ハーフミラー511で反射したビームがハーフミラー512、反射ミラー522,523でそれぞれ反射して集光レンズ542に到達するまでの光路長、ハーフミラー511を透過したビームが反射ミラー523、ハーフミラー513、反射ミラー526,527でそれぞれ反射して集光レンズ543に到達するまでの光路長、ハーフミラー511を透過したビームが反射ミラー523で反射してハーフミラー513を透過して反射ミラー528で反射して集光レンズ544に到達するまでの光路長は、それぞれ等しい距離である。これによって、ビームが分岐される直前にDOE500を配置しても、トップハット強度分布のレーザ光を集光レンズ541〜544に同様に導くことが可能となる。   The top hat beam converted by the DOE 500 is transmitted and reflected by the above-described half mirrors 511 to 513 and the reflection mirrors 521 to 528 and guided to the condenser lenses 541 to 544. At this time, the optical path lengths from the DOE 500 to the condenser lenses 541 to 544 are set to be equal. That is, the optical path length from when the beam reflected by the half mirror 511 passes through the half mirror 512 and is reflected by the reflection mirror 521 to reach the condenser lens 541, and the beam reflected by the half mirror 511 is the half mirror 512 and the reflection mirror 522. , 523, the optical path length until reaching the condenser lens 542, and the beam transmitted through the half mirror 511 are reflected by the reflection mirror 523, half mirror 513, reflection mirrors 526 and 527, respectively, and enter the condenser lens 543. The optical path length until the beam reaches the condensing lens 544 is reflected by the reflection mirror 523, reflected by the reflection mirror 523, reflected by the reflection mirror 528, and reaches the condenser lens 544, respectively. Are equal distances. As a result, even if the DOE 500 is disposed immediately before the beam is branched, the laser light having the top hat intensity distribution can be similarly guided to the condenser lenses 541 to 544.

シャッター機構531〜534は、光学系部材50の各集光レンズ541〜544から出射されるレーザ光がワーク1から外れた場合にレーザ光の出射を遮蔽するものである。オートフォーカス用測長システム52,54は、図示していない検出光照射用レーザとオートフォーカス用フォトダイオードとから構成され、検出光照射用レーザから照射された光の中でワーク1の表面から反射した反射光を受光し、その反射光量に応じて光学系部材50内の集光レンズ541〜544を上下に駆動し、ワーク1に対する高さ(集光レンズ541〜544のフォーカス)を調整する。なお、フォーカス調整用駆動機構は図示していない。   The shutter mechanisms 531 to 534 block the emission of laser light when the laser light emitted from the condenser lenses 541 to 544 of the optical system member 50 is detached from the work 1. The autofocus length measuring systems 52 and 54 are composed of a detection light irradiation laser and an autofocus photodiode (not shown), and are reflected from the surface of the work 1 in the light irradiated from the detection light irradiation laser. The reflected light is received, and the condensing lenses 541 to 544 in the optical system member 50 are driven up and down in accordance with the amount of reflected light to adjust the height relative to the work 1 (the focus of the condensing lenses 541 to 544). The focus adjustment drive mechanism is not shown.

図4は、検出光学系部材の構成を示す模式図である。検出光学系部材は、図2及び図4に示すように、ビームサンプラ92,93、高速フォトダイオード94及び光軸検査用CCDカメラ96から構成される。ビームサンプラ92,93は、光学系部材50内に導入されるレーザ光の光路中に設けられている。この実施の形態では、レーザ発生装置40と反射ミラー33との間に設けられている。ビームサンプラ92,93はレーザ光の一部(例えば、レーザ光の約1割程度又はそれ以下の光量)をサンプリングして外部に分岐出力する素子である。高速フォトダイオード94は、ビームサンプラ92で分岐出力されたレーザ光の一部(サンプリングビーム)を受光面のほぼ中央付近で受光するように配置される。高速フォトダイオード94によって検出されたレーザ光の強度に対応した出力信号は、制御手段80に出力される。光軸検査用CCDカメラ96は、ビームサンプラ93で分岐出力されたレーザ光の一部(サンプリングビーム)を受光面のほぼ中央付近で受光するように配置される。光軸検査用CCDカメラ96によって撮像された映像は、制御手段80に出力される。なお、光軸検査用CCDカメラ96は、高速フォトダイオード94に照射されるレーザ光の位置を示す画像を取り込み、その画像を制御手段80に出力するようにしてもよい。   FIG. 4 is a schematic diagram showing the configuration of the detection optical system member. As shown in FIGS. 2 and 4, the detection optical system member includes beam samplers 92 and 93, a high-speed photodiode 94, and an optical axis inspection CCD camera 96. The beam samplers 92 and 93 are provided in the optical path of laser light introduced into the optical system member 50. In this embodiment, it is provided between the laser generator 40 and the reflection mirror 33. The beam samplers 92 and 93 are elements that sample a part of the laser beam (for example, about 10% of the laser beam or less) and branch and output it to the outside. The high-speed photodiode 94 is disposed so as to receive a part (sampling beam) of the laser beam branched and output by the beam sampler 92 near the center of the light receiving surface. An output signal corresponding to the intensity of the laser light detected by the high speed photodiode 94 is output to the control means 80. The optical axis inspection CCD camera 96 is arranged so as to receive a part (sampling beam) of the laser beam branched and output by the beam sampler 93 near the center of the light receiving surface. The image captured by the optical axis inspection CCD camera 96 is output to the control means 80. The optical axis inspection CCD camera 96 may capture an image indicating the position of the laser light irradiated to the high-speed photodiode 94 and output the image to the control means 80.

制御装置80は、リニアエンコーダ70からの検出信号に基づいてXYテーブル20のX軸方向の移動速度(移動周波数)を検出し、レーザ発生装置40の出力(レーザ周波数)を制御し、高速フォトダイオード94及び光軸検査用CCDカメラ96から出力される信号に基づいてレーザ発生装置40から出射されるレーザ光のパルス抜けを検出したり、レーザ光の光軸ずれ量に基づいてレーザ発生装置40の出射条件を制御したり、光学系部材50内のレーザ光を導入するための反射ミラー33〜35の配置等をフィードバック制御する。   The control device 80 detects the moving speed (moving frequency) of the XY table 20 in the X-axis direction based on the detection signal from the linear encoder 70, controls the output (laser frequency) of the laser generator 40, and is a high-speed photodiode. 94 and the signal output from the optical axis inspection CCD camera 96 are used to detect missing pulses of the laser light emitted from the laser generator 40, or based on the amount of optical axis deviation of the laser light. The emission conditions are controlled, and the arrangement of the reflection mirrors 33 to 35 for introducing the laser light in the optical system member 50 is feedback-controlled.

エネルギー分散型X線分析装置90は、電子線を試料に照射して、発生する特性X線を検出して試料を構成している元素とその量を測定するエネルギー分散型X線分析装置である。図5は、透明電極層のスクライブ加工時をガウスビームのレーザ光を用いた場合の加工箇所の分析結果の一例を示す図である。図5(A)は、加工形状がすり鉢状の加工形状のほぼ中央部(図1(A)のA部)の分析結果を示す図である。図5(B)は、スクライブ加工によって形成されたスクライブ線を上部から見た図であり、図1(B)と同じものである。図5(C)は、加工形状がすり鉢状の加工形状の中で二酸化珪素膜1aの存在する箇所(図1(A)のB部)の分析結果を示す図である。   The energy dispersive X-ray analyzer 90 is an energy dispersive X-ray analyzer that irradiates a sample with an electron beam, detects generated characteristic X-rays, and measures the elements constituting the sample and the amount thereof. . FIG. 5 is a diagram illustrating an example of an analysis result of a processing portion when a Gaussian laser beam is used at the time of scribing the transparent electrode layer. FIG. 5A is a diagram illustrating an analysis result of a substantially central portion (A portion in FIG. 1A) of a mortar-shaped processed shape. FIG. 5B is a view of a scribe line formed by scribe processing as viewed from above, and is the same as FIG. 1B. FIG. 5C is a diagram illustrating an analysis result of a portion where the silicon dioxide film 1a is present (B portion in FIG. 1A) in a mortar-shaped processed shape.

図5に示すように、A部(二酸化珪素膜1aが切断されて削り取られた箇所)すなわちガラス基板の下地の分析結果は、ナトリウム9.8%、マグネシウム3.4%、アルミニウム1.3%、ケイ素57.3%、カルシウム8.9%、スズ19.3%である。一方、B部(二酸化珪素膜1aの存在する箇所)の分析結果は、ナトリウム4.8%、マグネシウム3.2%、アルミニウム1.3%、ケイ素55.4%、カルシウム8.6%、チタン2.0、スズ24.7%である。A部とB部の分析結果を比較した場合、二酸化珪素膜1a無しのナトリウム成分の値が二酸化珪素膜1a有りの値の約2分の1と大幅に減少している。従って、この実施の形態では、このナトリウム成分値の違いに着目して、レーザ光によるスクライブ加工によって二酸化珪素膜1aが削り取られたか否かを検出し、レーザ光のパワーを適宜調整するようにした。   As shown in FIG. 5, the analysis result of the portion A (the portion where the silicon dioxide film 1a was cut and scraped), that is, the base of the glass substrate, was 9.8% sodium, 3.4% magnesium, 1.3% aluminum. Silicon, 57.3%, calcium, 8.9%, and tin, 19.3%. On the other hand, the analysis results of part B (where the silicon dioxide film 1a is present) are: sodium 4.8%, magnesium 3.2%, aluminum 1.3%, silicon 55.4%, calcium 8.6%, titanium 2.0, tin 24.7%. When the analysis results of the A part and the B part are compared, the value of the sodium component without the silicon dioxide film 1a is greatly reduced to about one half of the value with the silicon dioxide film 1a. Therefore, in this embodiment, paying attention to the difference in the sodium component value, it is detected whether or not the silicon dioxide film 1a has been scraped off by scribing with laser light, and the power of the laser light is adjusted appropriately. .

図6は、制御装置80の処理の詳細を示すブロック図である。制御装置80は、分岐手段81、パルス抜け判定手段82、アラーム発生手段83、基準CCD画像記憶手段84、光軸ずれ量計測手段85、レーザコントローラ86、レンズ変位量計測手段87、レンズ高さ調整手段88、照射レーザ状態検査手段89、照射レーザ調整手段8A及び二酸化珪素膜の有無判定手段8Cから構成される。   FIG. 6 is a block diagram showing details of processing of the control device 80. The control device 80 includes a branching unit 81, a missing pulse determining unit 82, an alarm generating unit 83, a reference CCD image storage unit 84, an optical axis deviation measuring unit 85, a laser controller 86, a lens displacement measuring unit 87, and a lens height adjustment. It comprises means 88, irradiation laser state inspection means 89, irradiation laser adjustment means 8A, and silicon dioxide film presence / absence determination means 8C.

分岐手段81は、リニアエンコーダ70の検出信号(クロックパルス)を分岐して後段のレーザコントローラ86に出力する。パルス抜け判定手段82は、高速フォトダイオード94からのレーザ光強度に対応した出力信号(ダイオード出力)と分岐手段81から出力される検出信号(クロックパルス)とを入力し、それに基づいてレーザ光のパルス抜けを判定する。図7は、パルス抜け判定手段82の動作の一例を示す図である。図7において、図7(A)は分岐手段81から出力される検出信号(クロックパルス)の一例、図7(B)は高速フォトダイオード94から出力されるレーザ光強度に対応した出力信号(ダイオード出力)の一例、図7(C)はパルス抜け判定手段82がパルス抜け検出時に出力するアラーム信号の一例をそれぞれ示す。   The branching unit 81 branches the detection signal (clock pulse) of the linear encoder 70 and outputs it to the laser controller 86 at the subsequent stage. The pulse missing determination means 82 receives an output signal (diode output) corresponding to the laser light intensity from the high-speed photodiode 94 and a detection signal (clock pulse) output from the branching means 81, and based on this, the laser light Determine missing pulses. FIG. 7 is a diagram illustrating an example of the operation of the missing pulse determination unit 82. 7A is an example of a detection signal (clock pulse) output from the branching unit 81, and FIG. 7B is an output signal (diode corresponding to the laser light intensity output from the high-speed photodiode 94. FIG. 7C shows an example of an alarm signal output by the missing pulse determination means 82 when a missing pulse is detected.

図7に示すように、パルス抜け判定手段82は、分岐手段81からのクロックパルスの立ち下がり時点をトリガ信号として、ダイオード出力値が所定のしきい値Th以上であるか否かの判定を行い、ダイオード出力値がしきい値Thよりも小さい場合には、ハイレベル信号をアラーム発生手段83に出力する。アラーム発生手段83は、パルス抜け判定手段82からの信号がローレベルからハイレベルに変化した時点でパルス抜けが発生したことを示すアラームを外部に報知する。アラームの報知は、画像表示、発音等の種々の方法で行なう。アラームの発生によって、オペレータはパルス抜けが発生したことを認識することができる。また、このアラームが頻繁に発生する場合には、レーザ発生装置の性能が劣化したか又は寿命になったことを意味する。   As shown in FIG. 7, the pulse missing determining means 82 determines whether or not the diode output value is equal to or greater than a predetermined threshold value Th by using the falling edge of the clock pulse from the branching means 81 as a trigger signal. When the diode output value is smaller than the threshold value Th, a high level signal is output to the alarm generating means 83. The alarm generating unit 83 notifies the outside of the alarm indicating that a pulse missing has occurred when the signal from the pulse missing judging unit 82 changes from a low level to a high level. The alarm is notified by various methods such as image display and pronunciation. The occurrence of an alarm allows the operator to recognize that a pulse drop has occurred. If this alarm occurs frequently, it means that the performance of the laser generator has deteriorated or has reached the end of its life.

基準CCD画像記憶手段84は、図6に示すような基準CCD画像84aを記憶している。この基準CCD画像84aは、光軸検査用CCDカメラ96の受光面の中央にレーザ光が受光した状態の画像を示すものである。光軸検査用CCDカメラ96からは、図6に示すような被検査画像85aが出力される。光軸ずれ量計測手段85は、光軸検査用CCDカメラ96からの被検査画像85aを取り込み、これと基準CCD画像84aとを比較し、光軸のずれ量を計測し、そのずれ量をレーザコントローラ86に出力する。例えば、図6に示す被検査画像85aのような画像が光軸検査用CCDカメラ96から出力された場合には、光軸ずれ量計測手段85は、両者を比較して、X軸及びY軸方向のずれ量を計測し、それをレーザコントローラ86に出力する。レーザコントローラ86は、被検査画像85aと基準CCD画像84aとが一致するように、レーザ光の光軸に関係する装置、すなわちレーザ発生装置40の出射条件や光学系部材50内にレーザ光を導入するための反射ミラー33〜35の配置等をフィードバックして調整する。   The reference CCD image storage means 84 stores a reference CCD image 84a as shown in FIG. The reference CCD image 84a shows an image in a state where the laser beam is received at the center of the light receiving surface of the CCD camera 96 for optical axis inspection. An inspection image 85a as shown in FIG. 6 is output from the CCD camera 96 for optical axis inspection. The optical axis deviation amount measuring means 85 captures the inspected image 85a from the optical axis inspection CCD camera 96, compares it with the reference CCD image 84a, measures the optical axis deviation amount, and calculates the deviation amount by the laser. Output to the controller 86. For example, when an image such as the inspected image 85a shown in FIG. 6 is output from the optical axis inspection CCD camera 96, the optical axis deviation measuring means 85 compares the X axis and the Y axis. The amount of direction deviation is measured and output to the laser controller 86. The laser controller 86 introduces the laser beam into a device related to the optical axis of the laser beam, that is, the emission condition of the laser generator 40 and the optical system member 50 so that the inspected image 85a and the reference CCD image 84a coincide. The arrangement and the like of the reflecting mirrors 33 to 35 are adjusted by feedback.

レンズ変位量計測手段87は、集光レンズ高さ測長システム26によって検出された各集光レンズ541〜544の高さに対応した信号を入力し、各集光レンズ541〜544の高さが許容範囲内にあるか、この許容範囲よりも大きくずれているかを判定し、大きくずれている集光レンズ541〜544の高さをどの程度調整すればよいかを示す制御信号をレンズ高さ調整手段88に出力する。レンズ高さ調整手段88は、レンズ変位量計測手段87からの制御信号に応じて各集光レンズ541〜544の配置を調整する。なお、集光レンズ541〜544の高さ調整機構が存在しない場合には、レンズ高さ調整手段88は、レンズ変位量計測手段87からの制御信号に基づいて、集光レンズ541〜544のどれをどの程度調整すればよいのか、その調整情報をオペレータに伝達(視認表示、音声発音など)するようにしてもよい。   The lens displacement amount measuring means 87 inputs a signal corresponding to the height of each of the condenser lenses 541 to 544 detected by the condenser lens height measuring system 26, and the height of each of the condenser lenses 541 to 544 is determined. It is determined whether it is within the allowable range or greatly deviated from this allowable range, and a control signal indicating how much the height of the condensing lenses 541 to 544 that are largely deviated should be adjusted is the lens height adjustment It outputs to the means 88. The lens height adjusting unit 88 adjusts the arrangement of the condenser lenses 541 to 544 in accordance with a control signal from the lens displacement amount measuring unit 87. When there is no height adjustment mechanism for the condensing lenses 541 to 544, the lens height adjusting unit 88 selects any of the condensing lenses 541 to 544 based on a control signal from the lens displacement amount measuring unit 87. The adjustment information may be transmitted to the operator (visual display, voice pronunciation, etc.).

照射レーザ状態検査手段89は、フォーカス及び光軸調整用CCDカメラ28からの画像89aを取り込み、これに基づいてフォーカス及び光軸のずれ量を計測し、そのずれ量を照射レーザ調整手段8Aに出力する。例えば、図6に示すような画像89aがフォーカス及び光軸調整用CCDカメラから出力された場合には、照射レーザ状態検査手段89は、画像89a内の円状の輪郭線89b(集光レンズ541〜544の外縁に対応した線)を基準にフォーカス円89c(画像89a内の小円)の位置を検出し、フォーカス円89cが輪郭線89bのほぼ中央に位置しているか否かに基づいて光軸のX軸及びY軸方向のずれ量を計測し、それを照射レーザ調整手段8Aに出力する。また、照射レーザ状態検査手段89は、フォーカス円89cの大きさ(面積)を計測し、それも基づいたフォーカス位置を照射レーザ調整手段8Aに出力する。照射レーザ調整手段8Aは、照射レーザ状態検査手段89からの光軸のずれ量及びフォーカス位置に対応した信号に基づいて、光学系部材50内の各ハーフミラー511〜513及び反射ミラー521〜528の配置等をフィードバックして調整する。なお、レンズ高さ調整手段88及び照射レーザ調整手段8Aを省略して、これらの機能をレーザコントローラ86に持たせるようにしてもよい。   The irradiation laser state inspection unit 89 captures the image 89a from the CCD camera 28 for focus and optical axis adjustment, measures the shift amount of the focus and the optical axis based on this, and outputs the shift amount to the irradiation laser adjustment unit 8A. To do. For example, when an image 89a as shown in FIG. 6 is output from the focus and optical axis adjusting CCD camera, the irradiation laser state inspection unit 89 uses the circular outline 89b (the condensing lens 541 in the image 89a). The line of the focus circle 89c (small circle in the image 89a) is detected on the basis of (a line corresponding to the outer edge of .about.544), and light is detected based on whether or not the focus circle 89c is located substantially at the center of the contour line 89b. The amount of deviation of the axis in the X-axis and Y-axis directions is measured and output to the irradiation laser adjusting means 8A. The irradiation laser state inspection unit 89 measures the size (area) of the focus circle 89c, and outputs the focus position based on the size (area) to the irradiation laser adjustment unit 8A. The irradiation laser adjusting unit 8A is configured to detect the half mirrors 511 to 513 and the reflection mirrors 521 to 528 in the optical system member 50 based on the signal corresponding to the optical axis shift amount and the focus position from the irradiation laser state inspection unit 89. Feed back and adjust the placement. The lens height adjusting unit 88 and the irradiation laser adjusting unit 8A may be omitted, and the laser controller 86 may have these functions.

二酸化珪素膜有無判定手段8Cは、エネルギー分散型X線分析装置90から出力されるナトリウム成分値(質量濃度値)を入力し、それが所定のしきい値Na(例えば8.0%)以上であるか否かの判定を行い、ナトリウム成分値がこのしきい値Naよりも小さい場合には、ハイレベル信号をレーザコントローラ86に出力する。このハイレベル信号を入力したレーザコントローラ86は、レーザ発生装置40の出射条件(レーザ光のパワー)を減少させて、ナトリウム成分値がしきい値Naよりも小さくなるように調整する。なお、この実施の形態では、二酸化珪素膜有無判定手段8Cを用いて、レーザコントローラ86を制御する場合について説明したが、エネルギー分散型X線分析装置90から出力されるナトリウム成分値(質量濃度値)を直接レーザコントローラ86で取り込み、このナトリウム成分値に基づいてレーザ光のパワーをフィードバック制御するようにしてもよい。   The silicon dioxide film presence / absence determining means 8C receives the sodium component value (mass concentration value) output from the energy dispersive X-ray analyzer 90, and is greater than or equal to a predetermined threshold value Na (for example, 8.0%). A determination is made as to whether or not there is, and if the sodium component value is smaller than the threshold value Na, a high level signal is output to the laser controller 86. The laser controller 86 to which the high level signal is input adjusts the sodium component value to be smaller than the threshold value Na by reducing the emission condition (laser light power) of the laser generator 40. In this embodiment, the case where the laser controller 86 is controlled using the silicon dioxide film presence / absence determining means 8C has been described. However, the sodium component value (mass concentration value) output from the energy dispersive X-ray analyzer 90 is described. ) May be directly captured by the laser controller 86, and the power of the laser beam may be feedback controlled based on the sodium component value.

上述の実施の形態では、レーザ加工(スクライブ加工)時に光軸ずれ量計測手段85でレーザ光の光軸ずれを、パルス抜け判定手段82でパルス抜けをそれぞれ検査する場合について説明したが、図8に示すように高速フォトダイオード94からの出力波形に基づいてレーザ光のパルス状態を検査するようにしてもよい。例えば、図8では、レーザ光のパルス幅及びパルス高さを計測し、これらに異常が発生した場合にはアラームを発生するようにしてもよい。なお、レーザ光のパルス幅は、高速フォトダイオード94からの出力波形が所定値以上になっている期間が所定の範囲にある場合を正常とし、この範囲よりも大きかったり小さい場合にはパルス幅異常と判定し、アラームを出力する。また、レーザ光のパルス高さは、高速フォトダイオード94からの出力波形の最大値が許容範囲内に存在する場合を正常とし、この許容範囲よもも大きかったり小さい場合にはパルス高さ異常と判定し、アラームを出力する。このように、レーザ光を常時サンプリングしているので、リアルタイムでパルス幅、パルス高さ(パワー)などのレーザ光の品質を管理することができる。上述のようなパルス抜けが頻発するようになったら、レーザ発生装置40の劣化あるいは寿命と判断できる。   In the above-described embodiment, the case where the optical axis misalignment measuring unit 85 inspects the optical axis misalignment of the laser beam and the missing pulse determining unit 82 inspects the missing pulse during laser processing (scribe processing) has been described. As shown in FIG. 4, the pulse state of the laser beam may be inspected based on the output waveform from the high-speed photodiode 94. For example, in FIG. 8, the pulse width and pulse height of the laser beam may be measured, and an alarm may be generated when an abnormality occurs in these. The pulse width of the laser light is normal when the period during which the output waveform from the high-speed photodiode 94 is equal to or greater than a predetermined value is within a predetermined range, and when it is larger or smaller than this range, the pulse width is abnormal. And outputs an alarm. The pulse height of the laser beam is normal when the maximum value of the output waveform from the high-speed photodiode 94 is within the allowable range, and when it is larger or smaller than this allowable range, the pulse height is abnormal. Judge and output an alarm. As described above, since the laser light is always sampled, the quality of the laser light such as the pulse width and the pulse height (power) can be managed in real time. If the above-described pulse omission occurs frequently, it can be determined that the laser generator 40 is deteriorated or has a lifetime.

図9は、図1の光学系部材を下側(基板側)から見た図である。図9は、光学系部材50とベース板31の一部を示している。図9(A)は、図1に示す光学系部材50とベース板31との位置関係を示す図であり、図に示すように、光学系部材50の端面(図の上側端部)とベース板31の端面(図の上側端部)とが一致している。図9(B)は、光学系部材50が貫通穴37の中心を回転軸としてベース板31に対して左回りに約30度回転した状態を示す図である。図9(C)は、光学系部材50が貫通穴37の中心を回転軸としてベース板31に対して左回りに約45度回転した状態を示す図である。   FIG. 9 is a view of the optical system member of FIG. 1 as viewed from the lower side (substrate side). FIG. 9 shows a part of the optical system member 50 and the base plate 31. FIG. 9A is a diagram showing the positional relationship between the optical system member 50 and the base plate 31 shown in FIG. 1, and as shown in the drawing, the end surface (upper end portion in the figure) of the optical system member 50 and the base are shown. The end surface (upper end portion in the figure) of the plate 31 coincides. FIG. 9B is a view showing a state in which the optical system member 50 is rotated about 30 degrees counterclockwise with respect to the base plate 31 with the center of the through hole 37 as the rotation axis. FIG. 9C is a view showing a state in which the optical system member 50 is rotated about 45 degrees counterclockwise with respect to the base plate 31 with the center of the through hole 37 as the rotation axis.

この実施の形態に係るソーラパネル製造装置においては、光学系部材50がレーザ光の導入穴である貫通穴37の中心を回転軸として、自在に回転可能に構成されている。すなわち、分岐手段である光学系部材50は、図6の反射ミラー35からDOE500を通過してハーフミラー511に向かう垂直レーザ光の進行方向を中心軸として回転制御されている。これによって、レーザ光の分岐方向とレーザ光の基板に対する相対的な移動方向(図9の垂直方向)とのなす角度θを自在に可変制御することができる。なお、光学系部材50の回転駆動手段としては、ボールネジやリニアモータ等の既存の技術が用いられるが、これらの図示は省略する。   In the solar panel manufacturing apparatus according to this embodiment, the optical system member 50 is configured to be freely rotatable with the center of the through hole 37, which is a laser light introduction hole, as the rotation axis. That is, the rotation of the optical system member 50 that is a branching unit is controlled with the traveling direction of the vertical laser light traveling from the reflection mirror 35 of FIG. 6 through the DOE 500 toward the half mirror 511 as the central axis. Accordingly, the angle θ formed by the laser beam branching direction and the relative movement direction of the laser beam with respect to the substrate (vertical direction in FIG. 9) can be variably controlled. In addition, although the existing techniques, such as a ball screw and a linear motor, are used as a rotational drive means of the optical system member 50, these illustration is abbreviate | omitted.

図9に示すように、レーザ光の分岐方向とレーザ光の走査方向(図9の垂直方向)とのなす角度を可変制御した場合でも、レーザ光の相対的な移動方向に対してDOE500は回転しないように構成している。すなわち、DOE500を使用することによって、レーザ光の照射形状は、図9の集光レンズ541〜544内に示したように、点線正方形のような照射形状を示すことになる。従って、光学系部材50の回転制御と共にDOE500を回転させると、集光レンズ541〜544内の点線正方形もその回転量に応じて回転するようになる。この状態でレーザ光を走査照射すると、スクライブ線の両側稜線に正方形の角が位置するようになり、稜線が波打ち形状を示すようになる。そこで、この実施の形態のように、光学系部材50を回転制御しても、DOE500は回転させないような構成とすることで、図9(B)及び図9(C)に示すように、走査方向(図9の垂直方向)と集光レンズ541〜544内の点線正方形の左右両辺とが一致し、スクライブ線の両側稜線を極めて滑らかに形成することができ、また、光学系部材50を回転させてスクライブ線のピッチを適宜制御した場合でも滑らかな稜線のスクライブ線を形成することが可能となる。なお、上述の実施の形態では、DOEをレーザ光の光路中に1つだけ設ける場合について説明したが、DOEを分岐後の各集光レンズの直前にそれぞれ設けてもよい。この場合でも、光学系部材50を回転制御しても各DOEは回転させないように構成する必要がある。DOE500は、光学系部材50とは分離した形でベース板31に直結して設けることによって、光学系部材50の回転から独立させることが可能である。   As shown in FIG. 9, even when the angle formed between the laser beam branching direction and the laser beam scanning direction (vertical direction in FIG. 9) is variably controlled, the DOE 500 rotates with respect to the relative movement direction of the laser beam. It is configured not to. That is, by using the DOE 500, the irradiation shape of the laser light shows an irradiation shape like a dotted square as shown in the condensing lenses 541 to 544 in FIG. Therefore, when the DOE 500 is rotated together with the rotation control of the optical system member 50, the dotted squares in the condenser lenses 541 to 544 also rotate according to the rotation amount. When the laser beam is scanned and irradiated in this state, square corners are positioned on both side ridge lines of the scribe line, and the ridge line shows a wavy shape. Therefore, as shown in FIGS. 9B and 9C, the DOE 500 is not rotated even if the rotation of the optical system member 50 is controlled as in this embodiment. The direction (vertical direction in FIG. 9) coincides with the left and right sides of the dotted square in the condenser lenses 541 to 544, and both sides of the scribe line can be formed very smoothly, and the optical system member 50 is rotated. Thus, even when the pitch of the scribe lines is appropriately controlled, it is possible to form a scribe line having a smooth ridge line. In the above-described embodiment, the case where only one DOE is provided in the optical path of the laser beam has been described. However, the DOE may be provided immediately before each condensing lens after branching. Even in this case, each DOE needs to be configured not to rotate even if the rotation of the optical system member 50 is controlled. The DOE 500 can be made independent of the rotation of the optical system member 50 by being directly connected to the base plate 31 in a form separated from the optical system member 50.

図10は、光学系部材の回転量とスクライブ線のピッチ幅との関係を示す図である。図10(A)は図9(A)に示すように光学系部材50が回転していない状態、図10(B)は図9(B)に示すように光学系部材50が約30度回転した状態、図10(C)は図9(C)に示すように光学系部材50が約45度回転した状態でそれぞれレーザスクライブ加工処理を行なった場合のスクライブ線の状態を示す図である。図10(A)の場合のスクライブ線のピッチをP0とすると、図10(B)の場合のピッチP30はP0×cos30°となり、図10(C)の場合のピッチP45はP0×cos45°となる。このように、この実施の形態に係るソーラパネル製造装置は、光学系部材50の回転角度を適宜調整することによって、スクライブ線のピッチ幅を所望の値に適宜可変調整することができる。図11は、ガラス基板と透明電極層との間に薄い二酸化珪素膜がコーティングしてあるワークに対して、上述のトップハット強度分布のレーザ光を用いて透明電極層にスクライブ加工を行なった場合の加工状態を示す図である。図11に示すように、ガラス基板1上には二酸化珪素膜1aがコーティングされており、この二酸化珪素膜1a上に透明電極層1bが形成されている。このガラス基板1に図3、図9及び図10に示すようなトップハット強度分布のレーザ光を用いてスクライブ加工が施される。図11に示すように、透明電極層のスクライブ加工時にレーザ光としてトップハット強度分布のレーザ光を用いた場合、レーザ光のパワーが照射領域で均一となるため、図11に示すように、加工形状が平坦状になり、二酸化珪素膜1aを透明電極層1bだけを削り取ることが可能となる。上述のエネルギー分散型X線分析装置90を用いて図11に示すような加工形状のスクライブ線におけるナトリウム成分値を検出しても、ナトリウム成分値はしきい値Naよりも十分に小さな値となり、ガラス基板のナトリウムが析出するおそれがなくなる。   FIG. 10 is a diagram illustrating the relationship between the rotation amount of the optical system member and the pitch width of the scribe line. 10A shows a state where the optical system member 50 is not rotating as shown in FIG. 9A, and FIG. 10B shows a state where the optical system member 50 is rotated about 30 degrees as shown in FIG. 9B. FIG. 10C shows the state of the scribe line when the laser scribing process is performed with the optical system member 50 rotated about 45 degrees as shown in FIG. 9C. When the pitch of the scribe line in the case of FIG. 10A is P0, the pitch P30 in the case of FIG. 10B is P0 × cos 30 °, and the pitch P45 in the case of FIG. 10C is P0 × cos 45 °. Become. As described above, the solar panel manufacturing apparatus according to this embodiment can appropriately adjust the pitch width of the scribe line to a desired value by appropriately adjusting the rotation angle of the optical system member 50. FIG. 11 shows a case where the transparent electrode layer is scribed using a laser beam having the above-mentioned top hat intensity distribution on a work in which a thin silicon dioxide film is coated between the glass substrate and the transparent electrode layer. It is a figure which shows the processing state of. As shown in FIG. 11, a silicon dioxide film 1a is coated on a glass substrate 1, and a transparent electrode layer 1b is formed on the silicon dioxide film 1a. The glass substrate 1 is scribed using a laser beam having a top hat intensity distribution as shown in FIGS. As shown in FIG. 11, when laser light having a top hat intensity distribution is used as the laser light during scribing of the transparent electrode layer, the power of the laser light becomes uniform in the irradiated region. The shape becomes flat, and only the transparent electrode layer 1b can be scraped off from the silicon dioxide film 1a. Even if the sodium component value in the scribe line having the processed shape as shown in FIG. 11 is detected using the energy dispersive X-ray analyzer 90, the sodium component value is sufficiently smaller than the threshold value Na, There is no risk of sodium precipitation on the glass substrate.

上述の実施の形態では、パルス抜けの発生だけを見ているが、パルス抜けが発生した箇所の座標データ(位置データ)を取得して記憶することによって、スクライブ線のリペア処理を行なうことが可能となる。
上述の実施の形態では、光軸検査用CCDカメラ96を用いてビームサンプラ93で分岐出力されたレーザ光の一部(サンプリングビーム)を直接受光して、それを画像処理することによって、光軸ずれを検査する場合について説明したが、高速フォトダイオード94の受光面の中央にレーザ光が受光した状態を示す画像を被検査画像として光軸検査用CCDカメラ96あるいは分割型フォトダイオードで取得することによって光軸ずれを検査するようにしてもよい。
上述の実施の形態では、レーザ光の光軸ずれ及びパルス抜けを検査する場合について説明したが、光軸ずれ、パルス抜け、パルス幅及びパルス高さのそれぞれを適宜組み合わせてレーザ光の状態を検査するようにしてもよい。
上述の実施の形態では、薄膜の形成された基板1の表面からレーザ光を照射して薄膜にスクライブ線(溝)を形成する場合について説明したが、基板1の裏面からレーザ光を照射して、基板表面の薄膜にスクライブ線を形成するようにしてもよい。
上述の実施の形態では、ソーラパネル製造装置を例に説明したが、本発明はELパネル製造装置、ELパネル修正装置、FPD修正装置などのレーザ加工を行なう装置にも適用可能である。
In the above-described embodiment, only the occurrence of missing pulses is observed, but by acquiring and storing the coordinate data (position data) of the location where the missing pulses have occurred, it is possible to perform a scribe line repair process. It becomes.
In the above-described embodiment, a part of the laser beam (sampling beam) branched and output by the beam sampler 93 is directly received using the CCD camera 96 for optical axis inspection, and the optical beam is processed by image processing. The case where the deviation is inspected has been described. An image showing a state where the laser beam is received at the center of the light receiving surface of the high-speed photodiode 94 is acquired as an inspection image by the CCD camera 96 for optical axis inspection or the split type photodiode. Thus, the optical axis deviation may be inspected.
In the above embodiment, the case of inspecting the optical axis deviation and the missing pulse of the laser beam has been described. However, the laser beam state is inspected by appropriately combining the optical axis deviation, the missing pulse, the pulse width, and the pulse height. You may make it do.
In the above-described embodiment, the case where the laser beam is irradiated from the surface of the substrate 1 on which the thin film is formed and the scribe line (groove) is formed in the thin film is described. A scribe line may be formed on the thin film on the substrate surface.
In the above-described embodiment, the solar panel manufacturing apparatus has been described as an example. However, the present invention can also be applied to an apparatus that performs laser processing, such as an EL panel manufacturing apparatus, an EL panel correction apparatus, and an FPD correction apparatus.

1…ワーク
1a…二酸化珪素膜
1b…透明電極層
10…台座
20…XYテーブル
30…スライドフレーム
31…ベース板
33〜35…反射ミラー
37…貫通穴
40…レーザ発生装置
50…光学系部材
500…位相型回折光学素子(DOE)
511〜513…ハーフミラー
521〜528…反射ミラー
531〜534…シャッター機構
541〜544…集光レンズ
52,54…オートフォーカス用測長システム
60…アライメントカメラ装置
70…リニアエンコーダ
80…制御装置
81…分岐手段
82…パルス抜け判定手段
83…アラーム発生手段
84…基準CCD画像記憶手段
85…光軸ずれ量計測手段
86…レーザコントローラ
8C…二酸化珪素膜有無判定手段
90…エネルギー分散型X線分析装置
92,93…ビームサンプラ
94…高速フォトダイオード
96…光軸検査用CCDカメラ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Work 1a ... Silicon dioxide film 1b ... Transparent electrode layer 10 ... Base 20 ... XY table 30 ... Slide frame 31 ... Base plate 33-35 ... Reflection mirror 37 ... Through-hole 40 ... Laser generator 50 ... Optical system member 500 ... Phase diffractive optical element (DOE)
511 to 513 ... half mirrors 521 to 528 ... reflection mirrors 531 to 534 ... shutter mechanisms 541 to 544 ... condensing lenses 52 and 54 ... length measurement system 60 for autofocus ... alignment camera device 70 ... linear encoder 80 ... control device 81 ... Branch means 82 ... Pulse missing judgment means 83 ... Alarm generation means 84 ... Reference CCD image storage means 85 ... Optical axis deviation amount measurement means 86 ... Laser controller 8C ... Silicon dioxide film presence / absence judgment means 90 ... Energy dispersive X-ray analyzer 92 , 93 ... Beam sampler 94 ... High-speed photodiode 96 ... CCD camera for optical axis inspection

Claims (5)

レーザ光をワークに対して相対的に移動させながら照射することによってワークに所定の加工を施すレーザ加工方法であって、
エネルギー分散型X線分析手段を用いて前記ワークの加工箇所に電子線を照射し、発生する特性X線を検出してナトリウム成分値を測定し、前記ナトリウム成分値に基づいて前記レーザ光のパワーを調整することを特徴とするレーザ加工方法。
A laser processing method for performing predetermined processing on a workpiece by irradiating while moving the laser beam relative to the workpiece,
The processing part of the workpiece is irradiated with an electron beam using an energy dispersive X-ray analysis means, the characteristic X-ray generated is detected to measure the sodium component value, and the power of the laser beam based on the sodium component value The laser processing method characterized by adjusting.
請求項1に記載のレーザ加工方法において、前記レーザ光を複数のレーザ光に分岐し、前記レーザ光の分岐前の光路中に位相型回折光学素子手段を配置して前記レーザ光をトップハット強度分布に変換し、変換後の複数のレーザ光が前記ワークに照射されるまでのそれぞれの光路長が同じとなるようにしたことを特徴とするレーザ加工方法。   2. The laser processing method according to claim 1, wherein the laser beam is branched into a plurality of laser beams, phase type diffractive optical element means is disposed in an optical path before the laser beam is branched, and the laser beam is split into a top hat intensity. A laser processing method, wherein the optical path lengths are converted to distributions and the lengths of the converted laser beams until the workpieces are irradiated with the plurality of converted laser beams are the same. レーザ光を保持手段に保持されたワークに対して相対的に移動させながら照射することによってワークに所定の加工を施すレーザ加工装置において、
前記ワークの加工箇所に電子線を照射し、発生する特性X線を検出してナトリウム成分値を測定するエネルギー分散型X線分析手段と、
前記エネルギー分散型X線分析手段によって測定された前記ナトリウム成分値に基づいて前記レーザ光のパワーを調整する制御手段と
を備えたことを特徴とするレーザ加工装置。
In a laser processing apparatus that performs predetermined processing on a workpiece by irradiating the workpiece while moving the laser beam relative to the workpiece held by the holding means,
An energy dispersive X-ray analysis means for irradiating a processing portion of the workpiece with an electron beam, detecting a generated characteristic X-ray and measuring a sodium component value;
And a control means for adjusting the power of the laser beam based on the sodium component value measured by the energy dispersive X-ray analysis means.
請求項3に記載のレーザ加工装置において、前記レーザ光を複数のレーザ光にに分岐し、分岐後の複数のレーザ光が前記ワークに照射されるまでのそれぞれの光路長が同じとなるように前記ワークに照射する分岐手段と
前記レーザ光の分岐前の光路中に設けられ、前記レーザ光をトップハット強度分布に変換する位相型回折光学素子手段と
を備えたことを特徴とするレーザ加工装置。
The laser processing apparatus according to claim 3, wherein the laser light is branched into a plurality of laser lights, and the respective optical path lengths until the branched laser lights are irradiated onto the workpiece are the same. A laser processing apparatus comprising: a branching unit that irradiates the workpiece; and a phase type diffractive optical element unit that is provided in an optical path before branching of the laser beam and converts the laser beam into a top hat intensity distribution. .
請求項1若しくは2に記載のレーザ加工方法、又は請求項3若しくは4に記載のレーザ加工装置を用いて、ソーラパネルを製造することを特徴とするソーラパネル製造方法。   A solar panel manufacturing method, wherein a solar panel is manufactured using the laser processing method according to claim 1 or 2, or the laser processing apparatus according to claim 3 or 4.
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