JP2010234669A - Method and device for forming fine uneven pattern - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To efficiently prevent a fine uneven pattern transferred to a resist layer of a transfer substrate from getting damaged, when releasing a mold on the side for transferring the fine uneven pattern from the transfer substrate on the side for receiving the pattern to be transferred. <P>SOLUTION: This method for forming the fine uneven pattern includes a release process to peel the transfer substrate 14 from the mold 10, after transferring the fine uneven pattern of the mold 10 to the resist layer 12 of the transfer substrate 14 in which the resist layer 12 is formed on the substrate 16 and curing the fine uneven pattern. The release process comprises a curving process to curve the transfer substrate 14 to a specified curvature showing a projecting shape of the resist layer side, and a pressurizing process to pressurize the back side of the substrate in such a state that the circumferential edge of the transfer substrate 14 is immobilized, and keeps the specified curvature of the transfer substrate 14 from the start of release to the end of release, when the transfer substrate 14 and the mold 10 are released from each other by imparting a release force in a direction where they are mutually peeled apart. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は微細凹凸パターンの形成方法及び形成装置に係り、特に転写後のレジスト層をモールドから微細凹凸パターンを損傷させることなく剥離するための剥離技術に関する。   The present invention relates to a method and apparatus for forming a fine concavo-convex pattern, and more particularly to a peeling technique for peeling a transferred resist layer from a mold without damaging the fine concavo-convex pattern.

近年、半導体製造におけるリソグラフィ工程においては、集積回路の高速、高集積化実現のため、露光工程で紫外線(KrF、ArF、F2レーザ)を利用したものが開発されている。今後は、更に短波長のEUV光(極端紫外光)を利用した技術開発が進んでいるが、装置コストが高価である等の問題がある。   In recent years, in lithography processes in semiconductor manufacturing, those using ultraviolet rays (KrF, ArF, F2 laser) in the exposure process have been developed in order to realize high speed and high integration of integrated circuits. In the future, technological development using EUV light (extreme ultraviolet light) with a shorter wavelength is progressing, but there is a problem that the apparatus cost is high.

また、これまで微細パターニングに利用されてきた電子ビーム露光技術では露光に長時間必要なため、現状では特殊用途の少量試作に利用されるのみであり、大量生産が求められる半導体製造などには応用できないという問題がある。   In addition, the electron beam exposure technology that has been used for fine patterning until now requires a long time for exposure, so it is currently only used for small-scale trials for special applications, and it can be applied to semiconductor manufacturing that requires mass production. There is a problem that you can not.

これら両方の問題(装置コスト、スループット)を解決する方法として、ポリマーを材料としてナノサイズの微細凹凸パターンを基板上に形成し、半導体、記録メディア、光学素子などの高機能デバイスを製造するナノインプリント技術が注目を集めている。   As a method to solve both of these problems (equipment cost and throughput), a nanoimprint technology is used to produce nano-sized fine concavo-convex patterns on a substrate using a polymer as a material to manufacture high-performance devices such as semiconductors, recording media, and optical elements. Has attracted attention.

ナノインプリント法とは、電子ビーム露光などで微細凹凸パターンを形成したモールド(型)に、レジスト(樹脂材料)を塗布した基板を押付け、モールドの微細凹凸パターンをレジスト層に転写する方法である。   The nanoimprint method is a method in which a substrate coated with a resist (resin material) is pressed against a mold (mold) on which a fine concavo-convex pattern is formed by electron beam exposure or the like, and the fine concavo-convex pattern of the mold is transferred to a resist layer.

ナノインプリント技術の特徴としては、微細化による装置コストがEUV方式などと比較して安価であり、数十ナノサイズの微細凹凸パターン形状が転写可能であることが確認されている。   As a feature of the nanoimprint technology, it has been confirmed that the device cost for miniaturization is lower than that of the EUV method and the like, and a fine concavo-convex pattern shape of several tens of nanometers can be transferred.

しかし、ナノインプリント技術では、基板上のレジスト層に微細凹凸パターンを転写した後、レジスト層とモールドとを剥離する際にレジスト層に転写された微細凹凸パターンが損傷を受け易いという剥離不良の問題がある。これは、ナノインプリント技術は微細凹凸パターンを形成するために、モールドとレジスト層とを接触させる転写工程を取ることによって生じる避けがたい根本的な問題である。   However, in the nanoimprint technology, after transferring the fine concavo-convex pattern to the resist layer on the substrate, the fine concavo-convex pattern transferred to the resist layer is easily damaged when the resist layer and the mold are peeled off. is there. This is an unavoidable fundamental problem caused by taking a transfer process in which the mold and the resist layer are brought into contact with each other in order to form a fine uneven pattern in the nanoimprint technique.

この剥離不良問題を改善するための対策は今までも幾つか提案されている。例えば特許文献1には、剥離開始点を検出し、それに基づいて剥離力を制御するようにしている。また、特許文献2には、モールドにあらかじめ曲面をもたせることで剥離をアシストする方法が開示されている。また、特許文献3には、微細凹凸パターンに対してモールドの剥離方法を制御する方法が開示されている。   Several countermeasures for improving the problem of peeling failure have been proposed. For example, in Patent Document 1, a peeling start point is detected, and the peeling force is controlled based on the detected peeling start point. Patent Document 2 discloses a method of assisting peeling by providing a mold with a curved surface in advance. Patent Document 3 discloses a method for controlling a mold peeling method for a fine uneven pattern.

特開2007−081048号公報JP 2007-081048 A 特開2004−288845号公報JP 2004-288845 A 特開2007−296683号公報JP 2007-296683 A

しかしながら、特許文献1〜3のいずれの剥離方法を採用しても、剥離不良問題を本質的に解決することができない。   However, even if any of the peeling methods of Patent Documents 1 to 3 is adopted, the peeling failure problem cannot be essentially solved.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、微細凹凸パターンを転写する側のモールドと、転写される側の転写用基板とを剥離する際に、転写用基板のレジスト層に転写された微細凹凸パターンが損傷を受けることを効果的に防止できるので、ナノサイズの微細凹凸パターンであっても高精度な微細凹凸パターンを形成することができる微細凹凸パターンの形成方法及び形成装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and when the mold on the side to which the fine concavo-convex pattern is transferred and the transfer substrate on the side to be transferred are peeled off, the resist layer of the transfer substrate is used. Since the transferred fine concavo-convex pattern can be effectively prevented from being damaged, even if it is a nano-sized fine concavo-convex pattern, a fine concavo-convex pattern forming method and forming apparatus capable of forming a highly accurate fine concavo-convex pattern The purpose is to provide.

本発明の請求項1は前記目的を達成するために、基板上にレジスト層が形成された転写用基板のレジスト層に、モールドの微細凹凸パターンを転写して硬化した後、前記転写用基板と前記モールドとを剥離する剥離工程を備えた微細凹凸パターンの形成方法において、前記剥離工程は、前記転写用基板を前記レジスト層側が凸な所定曲率に湾曲させる湾曲化工程と、前記転写用基板と前記モールドとを互いに引き剥がす方向に剥離力を付与して剥離する際に、前記転写用基板の周縁部を固定した状態で基板裏面側を加圧して、前記転写用基板の前記所定曲率を剥離開始から剥離終了まで維持する加圧工程と、とを備えることを特徴とする微細凹凸パターンの形成方法を提供する。   In order to achieve the above object, according to a first aspect of the present invention, after transferring and curing a fine concavo-convex pattern of a mold onto a resist layer of a transfer substrate having a resist layer formed on the substrate, the transfer substrate and In the method for forming a fine concavo-convex pattern including a peeling step for peeling off the mold, the peeling step includes a bending step for bending the transfer substrate to a predetermined curvature with a convex convex side on the resist layer side, and the transfer substrate; When peeling by applying a peeling force in the direction of peeling the mold from each other, press the back side of the substrate with the peripheral edge of the transfer substrate fixed, and peel off the predetermined curvature of the transfer substrate. There is provided a method for forming a fine concavo-convex pattern, comprising a pressing step for maintaining from the start to the end of peeling.

本発明の請求項1によれば、転写用基板を所定曲率に湾曲化した後、転写用基板とモールドとを互いに引き剥がす方向に剥離力を付与して剥離する際に、転写用基板の周縁部を固定した状態で転写用基板の基板裏面側を加圧して該転写用基板の所定曲率を剥離開始から剥離終了まで維持するようにした。この基板裏面側の加圧により、剥離力で転写用基板が変形しない剛性を付与した状態で剥離を行うことができ、転写用基板の所定曲率が剥離開始から剥離終了まで変わらないので、剥離開始から剥離終了まで剥離速度を略一定にすることができる。これにより、転写用基板のレジスト層に転写された微細凹凸パターンが損傷を受けないように剥離することができる。したがって、ナノサイズの微細凹凸パターンであっても高精度な微細凹凸パターンを形成することができる。   According to the first aspect of the present invention, when the transfer substrate is curved to a predetermined curvature, the transfer substrate and the mold are peeled from each other by applying a peeling force in a direction in which the transfer substrate and the mold are peeled from each other. The substrate back surface side of the transfer substrate was pressed with the portion fixed, and the predetermined curvature of the transfer substrate was maintained from the start of peeling to the end of peeling. By applying pressure on the back side of the substrate, peeling can be performed with the rigidity that prevents the transfer substrate from being deformed by the peeling force, and the predetermined curvature of the transfer substrate does not change from the start of peeling to the end of peeling. The peeling rate can be made substantially constant from the end of peeling to the end of peeling. Thereby, it can peel so that the fine uneven | corrugated pattern transcribe | transferred by the resist layer of the board | substrate for transfer may not be damaged. Therefore, even with a nano-sized fine uneven pattern, a highly accurate fine uneven pattern can be formed.

本発明の形成方法において、前記所定曲率は、曲率半径Rで1400〜2800mmの範囲であることが好ましい。   In the forming method of the present invention, the predetermined curvature is preferably in the range of 1400 to 2800 mm in radius of curvature R.

本発明の形成方法において、前記基板裏面側に前記所定曲率の当接面を有する固体物を当接させることにより前記転写用基板を湾曲させると共に、該当接面に形成された多数の吸引孔で前記基板裏面を吸引することにより前記基板裏面側を前記固体物の当接面で加圧することが好ましい。   In the forming method of the present invention, the transfer substrate is curved by bringing a solid object having the contact surface having the predetermined curvature into contact with the back surface side of the substrate, and a plurality of suction holes formed on the contact surface. It is preferable to pressurize the back surface side of the substrate with the contact surface of the solid object by sucking the back surface of the substrate.

これは、湾曲化工程と加圧工程とを行う好ましい態様として、所定曲率を有すると共に吸引孔を有する当接面を備えた固体物を用いたものである。   As a preferable mode for performing the bending step and the pressurizing step, a solid object having a predetermined curvature and a contact surface having a suction hole is used.

本発明の形成方法において、前記基板裏側を流体で加圧することにより、前記転写用基板の湾曲と前記基板裏面側への加圧とを一緒に行うことが好ましい。   In the formation method of the present invention, it is preferable that the back side of the substrate is pressurized with a fluid to perform the bending of the transfer substrate and pressurization to the back side of the substrate together.

これは、湾曲化工程と加圧工程とを行う好ましい別態様として、基板裏側を流体で加圧するようにしたものである。流体であれば固体物と違って、所望の所定曲率に適宜調整できる。   This is a preferred embodiment in which the bending step and the pressurizing step are performed, and the back side of the substrate is pressurized with a fluid. If it is a fluid, unlike a solid substance, it can be appropriately adjusted to a desired predetermined curvature.

本発明の形成方法において、前記加圧工程は、前記剥離力を付与する前のタイミングで行うことが好ましい。   In the forming method of the present invention, the pressurizing step is preferably performed at a timing before the peeling force is applied.

これにより、剥離力で転写用基板が変形しない剛性を確実に確保した後で剥離を開始することができるので、剥離開始から剥離終了まで剥離速度を更に一定にでき、微細凹凸を一層損傷しにくくできる。   As a result, it is possible to start peeling after ensuring the rigidity that the transfer substrate is not deformed by the peeling force, so that the peeling speed can be made more constant from the start of peeling to the end of peeling, and the fine unevenness is more difficult to damage. it can.

本発明の形成方法において、前記転写用基板が前記所定曲率に湾曲化する湾曲領域にのみ前記モールドの微細凹凸パターンが転写されていることが好ましい。   In the forming method of the present invention, it is preferable that the fine concavo-convex pattern of the mold is transferred only to a curved region where the transfer substrate is curved to the predetermined curvature.

転写用基板の周縁部を固定すると、転写用基板の周縁部は所定曲率になりにくく、その領域は剥離速度が一定になりにくいが、本発明では、転写用基板が所定曲率に湾曲化する湾曲領域にのみモールドの微細凹凸パターンが転写されるようにしたので、剥離速度の一定化を一層向上できる。   When the peripheral edge of the transfer substrate is fixed, the peripheral edge of the transfer substrate is less likely to have a predetermined curvature, and the peeling speed of the region is less likely to be constant, but in the present invention, the transfer substrate is curved to bend to a predetermined curvature. Since the fine concavo-convex pattern of the mold is transferred only to the region, it is possible to further improve the debonding speed.

本発明の請求項7は前記目的を達成するために、基板上にレジスト層が形成された転写用基板のレジスト層に、モールドの微細凹凸パターンを転写して硬化した後、前記転写用基板と前記モールドとを剥離する剥離装置を備えた微細凹凸パターンの形成装置において、前記剥離装置は、前記転写用基板の周縁部を固定する周縁部固定手段と、前記転写用基板の基板裏面側に、当接面が凸状な所定曲率に形成されると共に該当接面に多数の吸引孔が形成された固体物を当接させ、前記吸引孔で基板裏面を吸引することによって前記転写用基板を前記所定曲率に湾曲させると共に、前記吸引によって生じる反力によって前記当接面で前記基板裏面を加圧する固体式の加圧手段と、前記転写用基板と前記モールドとを互いに引き剥がす方向に剥離力を付与する剥離力付与手段と、を備えたことを特徴とする微細凹凸パターンの形成装置を提供する。   According to a seventh aspect of the present invention, in order to achieve the above object, after transferring and curing a fine uneven pattern of a mold onto a resist layer of a transfer substrate having a resist layer formed on the substrate, the transfer substrate and In the apparatus for forming a fine concavo-convex pattern provided with a peeling device for peeling the mold, the peeling device includes a peripheral edge fixing means for fixing the peripheral edge of the transfer substrate, and a substrate back side of the transfer substrate. The abutting surface is formed to have a convex predetermined curvature, and a solid object having a large number of suction holes formed on the corresponding contact surface is brought into contact, and the back surface of the substrate is sucked by the suction holes to thereby remove the transfer substrate. A solid-type pressurizing unit that curves to a predetermined curvature and pressurizes the back surface of the substrate with the contact surface by a reaction force generated by the suction, and a peeling force in a direction to peel the transfer substrate and the mold from each other. Providing forming apparatus of the fine concavo-convex pattern comprising the a peel force applying means for applying.

また、本発明の請求項8は前記目的を達成するために、基板上にレジスト層が形成された転写用基板のレジスト層に、モールドの微細凹凸パターンを転写して硬化した後、前記転写用基板と前記モールドとを剥離する剥離装置を備えた微細凹凸パターンの形成装置において、前記剥離装置は、前記転写用基板の周縁部を固定する周縁部固定手段と、前記転写用基板の基板裏面側に、当接面が凸状な所定曲率に形成された固体物を当接させた状態で前記当接面に形成された多数の吸引孔で前記基板裏面を吸引することによって前記転写用基板を前記所定曲率に湾曲させると共に、前記吸引によって生じる反力によって前記当接面で前記基板裏面を加圧する固体式の加圧手段と、前記転写用基板と前記モールドとを互いに引き剥がす方向に剥離力を付与する剥離力付与手段と、を備えたことを特徴とする微細凹凸パターンの形成装置を提供する。   In order to achieve the above object, according to the present invention, after transferring a fine uneven pattern of a mold to a resist layer of a transfer substrate having a resist layer formed on the substrate and curing, the transfer In the fine unevenness pattern forming apparatus provided with a peeling device for peeling the substrate and the mold, the peeling device includes a peripheral edge fixing means for fixing a peripheral edge of the transfer substrate, and a substrate back side of the transfer substrate. In addition, the transfer substrate is sucked by sucking the back surface of the substrate with a plurality of suction holes formed in the contact surface in a state in which a solid object having a contact surface having a convex curvature is contacted. A solid-type pressurizing unit that curves to the predetermined curvature and pressurizes the back surface of the substrate with the contact surface by a reaction force generated by the suction, and a peeling force in a direction to peel the transfer substrate and the mold from each other. Providing forming apparatus of the fine concavo-convex pattern comprising the a peel force applying means for applying.

本発明の請求項7及び8は、本発明を装置として構成したものであり、請求項7は加圧手段として流体式のもので構成し、請求項8は固体式のもので構成した。   Claims 7 and 8 of the present invention constitute the present invention as an apparatus, claim 7 comprises a fluid type as the pressurizing means, and claim 8 comprises a solid type.

本発明の形成装置において、前記所定曲率は、曲率半径Rで1400〜2800mmの範囲であることが好ましい。   In the forming apparatus of the present invention, the predetermined curvature is preferably in the range of 1400 to 2800 mm in radius of curvature R.

本発明の形成装置において、前記周縁部固定手段は、前記転写用基板の周縁部を挟み込む構造に形成されていることが好ましい。   In the forming apparatus of the present invention, it is preferable that the peripheral edge fixing means is formed in a structure that sandwiches the peripheral edge of the transfer substrate.

周縁部固定手段が転写用基板の周縁部を挟み込む構造にすることで、基板裏面からの加圧に対して転写用基板の周縁部を確実に固定することができる。   By using a structure in which the peripheral edge fixing unit sandwiches the peripheral edge of the transfer substrate, the peripheral edge of the transfer substrate can be reliably fixed against pressure from the back surface of the substrate.

本発明の形成装置において、周縁部固定手段は、前記転写用基板の湾曲方向に追従して首を振る構造に形成されていることが好ましい。   In the forming apparatus of the present invention, it is preferable that the peripheral edge fixing means is formed in a structure in which the neck is swung following the bending direction of the transfer substrate.

これは、転写用基板の周縁部を固定すると、転写用基板の周縁部は所定曲率になりにくいという問題を装置的に解決したものである。即ち、周縁部固定手段が転写用基板の湾曲方向に追従して首を振るので、転写用基板の周縁部まで精度良く所定曲率に形成できる。したがって、モールドの微細凹凸パターンを転写する転写用基板の転写領域に制限をもたせなくてもよくなる。   This solves the problem that if the peripheral edge of the transfer substrate is fixed, the peripheral edge of the transfer substrate is less likely to have a predetermined curvature. That is, since the peripheral edge fixing means swings the head following the curve direction of the transfer substrate, the peripheral edge portion of the transfer substrate can be accurately formed with a predetermined curvature. Therefore, it is not necessary to limit the transfer area of the transfer substrate to which the fine uneven pattern of the mold is transferred.

本発明の微細凹凸パターンの形成方法及び装置によれば、微細凹凸パターンを転写する側のモールドと、転写される側の転写用基板とを剥離する際に、転写用基板のレジスト層に転写された微細凹凸パターンが損傷を受けることを効果的に防止できる。したがって、ナノサイズの微細凹凸パターンであっても高精度な微細凹凸パターンを形成することができる。   According to the fine concavo-convex pattern forming method and apparatus of the present invention, when the mold on the side to which the fine concavo-convex pattern is transferred and the transfer substrate on the side to be transferred are peeled off, the pattern is transferred to the resist layer of the transfer substrate. It is possible to effectively prevent the fine uneven pattern from being damaged. Therefore, even with a nano-sized fine uneven pattern, a highly accurate fine uneven pattern can be formed.

微細凹凸パターンの形成ステップを示す工程図Process drawing showing the steps of forming fine uneven patterns 転写工程でモールドと転写用基板とが合体した合体物を説明する説明図Explanatory drawing explaining the union | merged thing which the mold and the board | substrate for transcription | transfer merged at the transfer process 本発明の微細凹凸パターンの形成装置において流体式加圧手段を備えた剥離装置を説明する説明図Explanatory drawing explaining the peeling apparatus provided with the fluid type pressurization means in the formation apparatus of the fine unevenness | corrugation pattern of this invention 周縁部固定手段に固定された転写用基板周縁部の湾曲状態を説明する説明図Explanatory drawing explaining the curved state of the peripheral part of the board | substrate for transfer fixed to the peripheral part fixing means 周縁部固定手段に設けられた挟み込み構造及び首振り構造を説明する説明図Explanatory drawing explaining the pinching structure and the swing structure provided in the peripheral edge fixing means 本発明における剥離メカニズムを説明する説明図Explanatory drawing explaining the peeling mechanism in this invention 本発明の微細凹凸パターンの形成装置において固体式加圧手段を備えた剥離装置を説明する説明図Explanatory drawing explaining the peeling apparatus provided with the solid-type press means in the formation apparatus of the fine unevenness | corrugation pattern of this invention. 試験Aにおいて3通りの剥離方法を説明する概念図Conceptual diagram explaining three peeling methods in Test A 試験Aの試験結果を説明する表図Table illustrating test results of test A 試験Bの試験結果を説明する表図Table illustrating the test results of test B

添付図面に従って本発明の微細凹凸パターンの形成方法及び形成装置の好ましい実施形態を詳細に説明する。   Preferred embodiments of a method and apparatus for forming a fine concavo-convex pattern according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

本発明の微細凹凸パターンの形成方法の各工程を説明しながら、本発明の特徴部分である剥離方法及び剥離装置について説明する。   While explaining each step of the fine uneven pattern forming method of the present invention, a peeling method and a peeling apparatus, which are features of the present invention, will be described.

〈モールドの製作〉
金属材料に、半導体微細加工技術を用いて三次元立体加工を行って、図1(A)に示すように、微細凹凸パターン10Aを備えたモールド(型)10を成形する。この場合、金属材料で原版を成形加工し、原版を樹脂材料に転写加工して樹脂スタンパを作製し、この樹脂スタンパをモールド10として使用してもよい。モールド10の材料としては、目的に応じて適宜選択できるが、金属、石英、樹脂等を好適に使用できる。金属材料としては、Ni、Si又はSiO2、Cu、Cr、Ptなどを使用でき、樹脂材料としてはポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、フッソ樹脂等を使用できる。
<Mold production>
The metal material is subjected to three-dimensional solid processing using a semiconductor fine processing technique to form a mold 10 having a fine uneven pattern 10A as shown in FIG. In this case, the original may be molded with a metal material, the original may be transferred to a resin material to produce a resin stamper, and the resin stamper may be used as the mold 10. The material of the mold 10 can be appropriately selected according to the purpose, but metal, quartz, resin and the like can be suitably used. Ni, Si or SiO2 , Cu, Cr, Pt, etc. can be used as the metal material, and polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, fluorine resin, etc. can be used as the resin material.

そして、作製したモールド10の微細凹凸パターン10Aの表面に剥離層を被覆することが好ましい。剥離剤は後記する転写・硬化工程後にモールド10とレジスト層12の転写界面で剥離時の応力による不良が発生せずに剥離できるように、微細凹凸パターン10Aの表面に形成することが好ましい。剥離剤材料としては、モールド側に付着、結合しやすく、レジスト層側に吸着しにくいという目的に合う材料がよく、適宜選択できる。中でもレジスト層側に吸着しにくいと言う点で、電気陰性度の低いフッ素系樹脂が好ましい。   And it is preferable to coat | cover a peeling layer on the surface of the fine uneven | corrugated pattern 10A of the produced mold 10. FIG. The release agent is preferably formed on the surface of the fine concavo-convex pattern 10 </ b> A so that it can be peeled off at the transfer interface between the mold 10 and the resist layer 12 without causing defects due to stress at the time of peeling after the transfer / curing step described later. As the release agent material, a material suitable for the purpose of being easily adhered and bonded to the mold side and hardly adsorbed to the resist layer side can be selected as appropriate. Among them, a fluorine resin having a low electronegativity is preferable in that it is difficult to adsorb on the resist layer side.

剥離層の厚みとしては、厚過ぎると微細凹凸パターン10Aが変化するため、可能な限り薄層化することが好ましく、具体的には5nm以下が好ましく、3nm以下がより好ましい。  As the thickness of the release layer, since the fine uneven pattern 10A changes when it is too thick, it is preferable to make it as thin as possible, specifically 5 nm or less, more preferably 3 nm or less.

剥離層の形成方法としては、剥離剤の塗布又は蒸着を用いることができる。さらに、剥離層を形成した後、ベーキング等の手段によりモールド10への密着性を高め、剥離層自体の強度を向上することが好ましい。   As a method for forming the release layer, application or vapor deposition of a release agent can be used. Further, after the release layer is formed, it is preferable to improve the adhesion to the mold 10 by means such as baking to improve the strength of the release layer itself.

上記の如く製作したモールド10を使用して、塗布工程、転写工程、剥離工程を行うことで転写用基板14のレジスト層12に微細凹凸パターン12Aを形成する。   Using the mold 10 manufactured as described above, a fine uneven pattern 12A is formed on the resist layer 12 of the transfer substrate 14 by performing a coating process, a transfer process, and a peeling process.

[塗布工程]
図1(A)に示すように、レジスト層12を形成する樹脂素材を溶媒に溶解したレジスト液を基板16に塗布して、基板16上にレジスト層12が形成された転写用基板14を形成する。レジスト層12を形成する樹脂素材としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、及び光硬化性樹脂を好ましく使用できる。また、基板16の材料としては、例えばガラス基板、Si基板等を用いることができる。
[Coating process]
As shown in FIG. 1 (A), a resist solution in which a resin material for forming the resist layer 12 is dissolved in a solvent is applied to the substrate 16 to form a transfer substrate 14 on which the resist layer 12 is formed. To do. As a resin material for forming the resist layer 12, for example, a thermoplastic resin, a thermosetting resin, and a photocurable resin can be preferably used. Moreover, as a material of the board | substrate 16, a glass substrate, Si substrate, etc. can be used, for example.

レジスト液を基板16上に塗布する方法としては、下記の方法を好適に使用できる。   As a method for applying the resist solution onto the substrate 16, the following method can be suitably used.

(1)インクジェットなどの液滴装置で基板上の適切な場所に滴下し、レジスト液自体の流動性により広げて基板16上に均一に塗布する。   (1) The ink is dropped on an appropriate location on the substrate by a droplet device such as an ink jet, spreads by the fluidity of the resist solution itself, and uniformly applied onto the substrate 16.

(2)スピン塗布により、基板16を回転させることにより基板16上に滴下したレジスト液を広げて均一に塗布する。   (2) By rotating the substrate 16 by spin coating, the resist solution dropped on the substrate 16 is spread and applied uniformly.

(3)バーコータなどを用いて基板16上に均一に塗布する。   (3) Apply uniformly on the substrate 16 using a bar coater or the like.

基板16上に塗布されるレジスト層12の厚さは、例えば、エリプソメーター等を用いた光学的な測定法、又は触針式段差計、原子間力顕微鏡(AFM)等の接触測定法等により計測できる。   The thickness of the resist layer 12 applied on the substrate 16 is determined by, for example, an optical measurement method using an ellipsometer or the like, or a contact measurement method such as a stylus type step gauge or an atomic force microscope (AFM). It can be measured.

[転写工程]
次に、図1(B)に示すように、転写用基板14のレジスト層12に、モールド10の微細凹凸パターン10Aを転写する。一般的に、モールド10を転写用基板14のレジスト層12に載せた重みだけでは、モールド10に形成された微細凹凸パターン10Aの凹部にレジスト層12のレジスト液が充填されないので、転写されない。そこで、モールド10の微細凹凸パターン10Aを転写用基板14のレジスト層12に転写するには、周囲の圧力条件を変化させて、強制的に充填することが必要となる。例えば次の充填方法を好適に使用できる。
[Transfer process]
Next, as shown in FIG. 1B, the fine uneven pattern 10 </ b> A of the mold 10 is transferred to the resist layer 12 of the transfer substrate 14. Generally, only the weight on which the mold 10 is placed on the resist layer 12 of the transfer substrate 14 is not transferred because the resist solution of the resist layer 12 is not filled in the concave portions of the fine concavo-convex pattern 10A formed on the mold 10. Therefore, in order to transfer the fine concavo-convex pattern 10A of the mold 10 to the resist layer 12 of the transfer substrate 14, it is necessary to forcibly fill by changing the surrounding pressure conditions. For example, the following filling method can be used suitably.

(1)モールド10をレジスト層12に向けてプレス機などで加圧する。この場合、レジスト層12を加圧や加熱することでレジスト液を微細凹凸パターン10Aの凹部に一層充填し易くなる。   (1) The mold 10 is pressed against the resist layer 12 with a press or the like. In this case, it becomes easier to fill the concave portion of the fine concavo-convex pattern 10 </ b> A with the resist solution by pressurizing or heating the resist layer 12.

(2)レジスト液を基板16上に塗布後、レジスト層12の上にモールド10を載せて加熱・減圧の条件下に置く。これにより、微細凹凸パターン10Aの凹部に残った空気や気泡が除去されるので、レジスト液が凹部に充填される。   (2) After applying the resist solution on the substrate 16, the mold 10 is placed on the resist layer 12 and placed under heating and decompression conditions. As a result, air and air bubbles remaining in the concave portions of the fine concavo-convex pattern 10A are removed, so that the resist solution is filled in the concave portions.

[硬化工程]
次に、モールド10の微細凹凸パターン10Aが転写されたレジスト層12を硬化する。これにより、図2に示すように、モールド10と転写用基板14とが合体した合体物20が形成される。図2(A)は合体物20の縦断面図であり、図2(B)は上面図である。なお、本実施の形態では、合体物20が円形状のもので説明するが、これに限定されるものではなく、例えば四角形状でもよい。
[Curing process]
Next, the resist layer 12 to which the fine uneven pattern 10A of the mold 10 is transferred is cured. As a result, as shown in FIG. 2, a combined product 20 is formed in which the mold 10 and the transfer substrate 14 are combined. FIG. 2A is a longitudinal sectional view of the combined product 20, and FIG. 2B is a top view. In the present embodiment, the combined object 20 is described as having a circular shape, but is not limited to this, and may be, for example, a rectangular shape.

レジスト層12の硬化方法としては次の方法を好適に使用できる。   As a method for curing the resist layer 12, the following method can be preferably used.

(1)光硬化性樹脂の場合は硬化開始剤の反応する波長帯域の硬化光をレジスト層12に照射することで硬化する。図1(B)は、光を通す透明なモールド10の裏面から硬化光を照射してレジスト層12を硬化する例である。   (1) In the case of a photo-curing resin, the resist layer 12 is cured by irradiating the resist layer 12 with curing light in a wavelength band where the curing initiator reacts. FIG. 1B is an example in which the resist layer 12 is cured by irradiating curing light from the back surface of the transparent mold 10 that transmits light.

(2)溶剤に可溶なレジスト素材の場合は溶媒に溶解し、転写後に乾燥することで硬化する。   (2) In the case of a resist material soluble in a solvent, it is dissolved in a solvent and cured by drying after transfer.

(3)熱可塑性の天然高分子の場合は、転写後にレジスト層12を冷却することで硬化する。   (3) In the case of a thermoplastic natural polymer, it is cured by cooling the resist layer 12 after transfer.

[剥離工程]
次に、図1(C)に示すように、転写用基板14とモールド10とを互いに引き剥がす方向に剥離力Fを付与して剥離する。図1(C)は、転写用基板14を固定してモールド10を垂直方向上向きに引っ張ることによりモールド10を転写用基板14から剥離する例である。
[Peeling process]
Next, as shown in FIG. 1C, the transfer substrate 14 and the mold 10 are peeled off by applying a peeling force F in a direction in which they are peeled off from each other. FIG. 1C shows an example in which the mold 10 is peeled from the transfer substrate 14 by fixing the transfer substrate 14 and pulling the mold 10 upward in the vertical direction.

かかる、剥離工程において、従来はレジスト層12に転写された微細凹凸パターン12Aが、モールド10を転写用基板14から剥離する際の剥離不良によって損傷するという問題があった。特に、転写される微細凹凸パターンがナノサイズの極めて細かい凹凸形状では、損傷の度合いが大きかった。   In such a peeling process, conventionally, there has been a problem that the fine uneven pattern 12A transferred to the resist layer 12 is damaged by a peeling failure when the mold 10 is peeled off from the transfer substrate 14. In particular, the degree of damage was large when the fine uneven pattern to be transferred was a nano-sized extremely fine uneven form.

そこで、本発明では、剥離工程として、転写用基板14をレジスト層12側が凸な所定曲率に湾曲させる湾曲化工程と、転写用基板14とモールド10とを互いに引き剥がす方向に剥離力を付与して剥離する際に、転写用基板14の周縁部を固定した状態で基板裏面側を加圧して、転写用基板14の所定曲率を剥離開始から剥離終了まで維持する加圧工程と、行うことで解決するようにした。   Therefore, in the present invention, as the peeling step, a curving step for bending the transfer substrate 14 to a predetermined curvature with the resist layer 12 side convex, and a peeling force in the direction in which the transfer substrate 14 and the mold 10 are peeled from each other are applied. A pressing step of pressing the back side of the substrate with the peripheral edge of the transfer substrate 14 fixed and maintaining the predetermined curvature of the transfer substrate 14 from the start of peeling to the end of peeling. It was made to solve.

図3は、本発明における流体式加圧手段を備えた剥離装置の説明図である。   FIG. 3 is an explanatory view of a peeling apparatus provided with a fluid pressurizing means in the present invention.

図3に示すように、剥離装置は、主として、周縁部固定手段24と、流体式加圧手段26と、剥離力付与手段32と、で構成される。   As shown in FIG. 3, the peeling device mainly includes a peripheral edge fixing unit 24, a fluid pressure unit 26, and a peeling force applying unit 32.

図3(A)に示すように、周縁部固定手段24は、転写工程においてモールド10と転写用基板14とが合体した合体物20を基台22上に載置した状態で転写用基板14の周縁部を固定するものである。周縁部固定手段24は、主として、基台22上の周縁部に支持された環状部材24Aと、環状部材24Aの上面よりも幅広に形成された環状押圧板24Bと、で構成される。   As shown in FIG. 3 (A), the peripheral edge fixing means 24 is configured so that the transfer substrate 14 is placed in a state where the combined product 20 in which the mold 10 and the transfer substrate 14 are combined is placed on the base 22 in the transfer process. The peripheral edge is fixed. The peripheral edge fixing means 24 mainly includes an annular member 24A supported on the peripheral edge on the base 22 and an annular pressing plate 24B formed wider than the upper surface of the annular member 24A.

環状押圧板24Bには、等間隔に複数本のボルト24Cが螺合した状態で貫通すると共に、環状部材24Aのボルト対応位置には、上面から内部に向けて垂直に雌ネジが刻設される。ボルト24Cの配置位置としては、環状押圧板24Bの120度間隔(ボルト3本)や90度間隔(ボルト4本)で配置することが好ましいが、等間隔であればボルト本数は限定されない。これにより、押圧板24Bを貫通したボルト24C先端部が環状部材24Aに形成された雌ネジに螺合することができる。また、環状部材24Aの高さは、転写用基板14周縁部の厚みよりも低くなっていると共に、押圧板24Bの上面には、ボルト24Cに螺合するナット部材24Dが設けられる。   A plurality of bolts 24C are threaded through the annular pressing plate 24B at equal intervals, and female screws are vertically engraved from the upper surface toward the inside at the bolt corresponding positions of the annular member 24A. . The bolts 24C are preferably arranged at intervals of 120 degrees (three bolts) or 90 degrees (four bolts) of the annular pressing plate 24B, but the number of bolts is not limited as long as they are equidistant. Thereby, the front-end | tip part of the volt | bolt 24C which penetrated the press board 24B can be screwed by the internal thread formed in 24 A of annular members. Further, the height of the annular member 24A is lower than the thickness of the peripheral portion of the transfer substrate 14, and a nut member 24D that is screwed into the bolt 24C is provided on the upper surface of the pressing plate 24B.

したがって、図3(B)に示すように、上記の合体物20を基台22に載置した状態で、環状押圧板24Bに貫通したボルト24C先端部を環状部材24Aの雌ネジに螺合して環状押圧板24Bを環状部材24Aに連結すると共に、ナット部材24Dを締めつけて環状押圧板24Bを環状部材24A側に押圧する。これにより、転写用基板14の周縁部が基台22と環状押圧板24Bとにより挟み込まれるので、周縁部固定手段24によって、転写用基板14の周縁部を確実に固定することができる。   Therefore, as shown in FIG. 3B, in the state where the combined product 20 is placed on the base 22, the tip of the bolt 24C penetrating the annular pressing plate 24B is screwed into the female screw of the annular member 24A. The annular pressing plate 24B is coupled to the annular member 24A, and the nut member 24D is tightened to press the annular pressing plate 24B toward the annular member 24A. As a result, the peripheral edge of the transfer substrate 14 is sandwiched between the base 22 and the annular pressing plate 24B, so that the peripheral edge of the transfer substrate 14 can be reliably fixed by the peripheral edge fixing means 24.

環状押圧板24Bの材質としては、転写用基板14を湾曲させたときに、転写用基板14の周縁部も固定した状態で且つ湾曲し易いように弾性部材(例えばゴム製)が好適である。   The material of the annular pressing plate 24B is preferably an elastic member (for example, made of rubber) so that when the transfer substrate 14 is bent, the peripheral portion of the transfer substrate 14 is also fixed and is easily bent.

また、流体式加圧手段26は、基台22上の環状部材24A内に敷設された円形なゴム製シート28と、基台22を貫通して基台上面22Aに加圧流体の吹出口30Aを有する配管30と、配管30に連結された加圧流体供給装置(図示せず)とで構成される。そして、ゴム製シート28の周縁部は接着剤により基台上面22Aに接着される。これにより、ゴム製シート28と基台上面22Aとの間には、接着剤で接着されていない非接着領域が形成される。したがって、配管30の吹出口30Aから加圧流体を非接着領域に供給することにより、ゴム製シート28を膨らませることができる。加圧流体は、気体又は液体を使用でき、通常は空気又は水を使用するとよい。   The fluid pressurizing means 26 includes a circular rubber sheet 28 laid in an annular member 24A on the base 22 and a pressurized fluid outlet 30A penetrating the base 22 to the base upper surface 22A. And a pressurized fluid supply device (not shown) connected to the pipe 30. And the peripheral part of the rubber-made sheet | seat 28 is adhere | attached on 22 A of base upper surfaces with an adhesive agent. As a result, a non-adhesive region that is not bonded with an adhesive is formed between the rubber sheet 28 and the base upper surface 22A. Therefore, the rubber sheet 28 can be inflated by supplying the pressurized fluid from the outlet 30A of the pipe 30 to the non-bonding region. As the pressurized fluid, gas or liquid can be used, and usually air or water is preferably used.

また、剥離力付与手段32は、図3(C)に示すように、モールド10に垂直方向の剥離力Fを付与して、モールド10を転写用基板14から引き剥がすための手段であればどのようなものでもよい。   Further, as shown in FIG. 3C, any peeling force applying means 32 may be any means for applying a vertical peeling force F to the mold 10 and peeling the mold 10 from the transfer substrate 14. Something like that.

そして、上記の流体式加圧手段を備えた剥離装置を用いて本発明の剥離方法を行うには、先ず図2の合体物20を、図3(B)のようにゴム製シート28上に載置すると共に、転写用基板14の周縁部を周縁部固定手段24で固定する。   And in order to perform the peeling method of this invention using the peeling apparatus provided with said fluid type pressurization means, first, the unification thing 20 of FIG. 2 is put on the rubber-made sheet 28 like FIG.3 (B). At the same time, the peripheral portion of the transfer substrate 14 is fixed by the peripheral portion fixing means 24.

次に、加圧流体供給装置から加圧流体を配管30を介して吹出口30Aから基台上面22Aとゴム製シート28との間の非接着領域に供給してゴム製シート28を膨らませることにより、周縁部固定手段24によって周縁部が固定された転写用基板14の基板裏面を加圧する。これにより、転写用基板14のレジスト層側が凸に湾曲化する。転写用基板14が湾曲化する曲率としては、曲率半径Rで1400〜2800mmの範囲であることが好ましい。   Next, the pressurized fluid supply device supplies the pressurized fluid from the outlet 30 </ b> A to the non-bonding region between the base upper surface 22 </ b> A and the rubber sheet 28 via the pipe 30 to inflate the rubber sheet 28. Thus, the substrate rear surface of the transfer substrate 14 whose periphery is fixed by the periphery fixing means 24 is pressurized. Thereby, the resist layer side of the transfer substrate 14 is convexly curved. The curvature at which the transfer substrate 14 is curved is preferably in the range of 1400 to 2800 mm in radius of curvature R.

次に、剥離力付与手段32を駆動して転写用基板14からモールド10を剥離する。その際に、転写用基板14の曲率を剥離開始から剥離終了まで維持するように加圧したままで剥離を行う。   Next, the peeling force applying means 32 is driven to peel the mold 10 from the transfer substrate 14. At that time, peeling is performed while the pressure is maintained so that the curvature of the transfer substrate 14 is maintained from the start to the end of peeling.

これにより、剥離時に転写用基板14のレジスト層12に転写された微細凹凸パターン12Aが損傷を受けることを効果的に防止できる。したがって、例えばナノサイズの微細凹凸パターン12Aであっても高精度な微細凹凸パターンを形成することができる。   Thereby, it can prevent effectively that the fine uneven | corrugated pattern 12A transferred to the resist layer 12 of the transfer substrate 14 at the time of peeling is damaged. Therefore, for example, even with the nano-sized fine uneven pattern 12A, a highly accurate fine uneven pattern can be formed.

かかる剥離工程において、図4に示すように、周縁部固定手段24によって固定された転写用基板14の周縁部領域Wは所定曲率になりにくい。したがって、転写用基板14が所定曲率に湾曲化する湾曲領域(周縁部領域Wの内側)にのみモールド10の微細凹凸パターン10Aが転写されることが好ましい。   In such a peeling step, as shown in FIG. 4, the peripheral edge region W of the transfer substrate 14 fixed by the peripheral edge fixing means 24 is unlikely to have a predetermined curvature. Therefore, it is preferable that the fine concavo-convex pattern 10A of the mold 10 is transferred only to a curved region (inside the peripheral region W) where the transfer substrate 14 is curved to a predetermined curvature.

かかる問題を装置的に解決するには、図5のように、上記の周縁部固定手段24が湾曲方向に首振りする構造であることが好ましい。即ち、周縁部固定手段24は、主として、基台22の周縁部に所定の等間隔を置いて立設された複数の支柱24aと、支柱24aの上端部にピン24bを介して回動自在に支持された回動部材24cと、回動部材24cに固定された下板24dと、ボルト24eが螺合した状態で貫通する上板24fと、スカート状に形成されたシール部材24gとで構成される。回動部材24cの上下方向の厚みは、転写用基板14の周縁部とゴム製シート28の周縁部とを合計した厚みよりも薄くなるように形成される。支柱24aは120度(3本の支柱)又は90度間隔(4本の支柱)であることが好ましいが、等間隔であれば限定されない。   In order to solve such a problem as a device, it is preferable that the peripheral edge fixing means 24 swings in the bending direction as shown in FIG. That is, the peripheral edge fixing means 24 is mainly pivotable via a plurality of support columns 24a erected on the peripheral edge portion of the base 22 at predetermined equal intervals, and the upper ends of the support columns 24a via pins 24b. The rotating member 24c is supported, the lower plate 24d is fixed to the rotating member 24c, the upper plate 24f is penetrated in a state where the bolt 24e is screwed, and the sealing member 24g is formed in a skirt shape. The The thickness of the rotating member 24 c in the vertical direction is formed to be thinner than the total thickness of the peripheral edge of the transfer substrate 14 and the peripheral edge of the rubber sheet 28. The struts 24a are preferably 120 degrees (three struts) or 90 degrees apart (four struts), but are not limited as long as they are equally spaced.

また、回動部材24cには、ボルト24e先端部が螺合する雌ネジが刻設されると共に、上板24fの上面には押さえ用ナット部材24hが設けられる。   The rotating member 24c is engraved with a female screw into which the front end of the bolt 24e is screwed, and a pressing nut member 24h is provided on the upper surface of the upper plate 24f.

そして、上板24fと下板24dとの間に、転写用基板14の周縁部とゴム製シート28の周縁部とを位置決めした状態で、上板24fに貫通したボルト24e先端部を回動部材24cの雌ネジに螺合して上板24fを回動部材24cに連結すると共に、ナット部材24hを締めつけて上板24fを下板24d側に押圧する。これにより、転写用基板14の周縁部とゴム製シート28の周縁部とは上板24fと下板24dとに挟持固定される。また、下板24dに支持されたシール部材24gがスカート状に設けられることで、配管30の吹出口30Aから吹き出された流体が外部に洩れないようにシールされる。   Then, with the peripheral portion of the transfer substrate 14 and the peripheral portion of the rubber sheet 28 positioned between the upper plate 24f and the lower plate 24d, the tip end portion of the bolt 24e penetrating the upper plate 24f is used as a rotating member. The upper plate 24f is screwed into the female screw 24c to connect the upper plate 24f to the rotating member 24c, and the nut member 24h is tightened to press the upper plate 24f toward the lower plate 24d. Thereby, the peripheral edge of the transfer substrate 14 and the peripheral edge of the rubber sheet 28 are sandwiched and fixed between the upper plate 24f and the lower plate 24d. Further, the sealing member 24g supported by the lower plate 24d is provided in a skirt shape, so that the fluid blown from the outlet 30A of the pipe 30 is sealed so as not to leak to the outside.

これにより、加圧流体供給装置から加圧流体を配管30を介して吹出口30Aから基台22上面22Aとゴム製シート28との間に供給してゴム製シート28を膨らませることにより、周縁部固定手段24によって周縁部が固定された転写用基板14の基板裏面を加圧する。したがって、転写用基板14のレジスト層側が凸に湾曲化する。この場合、周縁部固定手段24は、ピン24bを介して回動し、湾曲方向に首振りするので、周縁部固定手段24によって固定された転写用基板14の周縁部領域Wが所定曲率になりにくいという問題を解決できる。   As a result, the pressurized fluid is supplied from the pressurized fluid supply device through the piping 30 from the outlet 30A between the upper surface 22A of the base 22 and the rubber sheet 28 to inflate the rubber sheet 28. The back surface of the transfer substrate 14 whose peripheral edge portion is fixed by the portion fixing means 24 is pressurized. Therefore, the resist layer side of the transfer substrate 14 is convexly curved. In this case, the peripheral edge fixing means 24 rotates via the pin 24b and swings in the bending direction, so that the peripheral edge area W of the transfer substrate 14 fixed by the peripheral edge fixing means 24 has a predetermined curvature. Can solve the problem of difficulty.

図6は、本発明における剥離工程を行うことにより、微細凹凸パターン12Aが損傷を受けにくいメカニズムを説明する模式図である。図6(A)は本発明における剥離工程を行った場合の剥離開始時と剥離途中時の転写用基板14の曲率を示す。   FIG. 6 is a schematic diagram for explaining a mechanism in which the fine concavo-convex pattern 12A is not easily damaged by performing the peeling step in the present invention. FIG. 6A shows the curvature of the transfer substrate 14 at the start of peeling and in the middle of peeling when the peeling step according to the present invention is performed.

図6(A)から分かるように、本発明における剥離工程は、剥離開始時も剥離途中時も転写用基板14の所定曲率を剥離に適切な同じ曲率半径Rに維持した状態で剥離を行うことができるので、剥離開始から剥離終了まで略一定の剥離速度で剥離することができる。   As can be seen from FIG. 6 (A), the peeling process in the present invention is performed in a state where the predetermined curvature of the transfer substrate 14 is maintained at the same curvature radius R suitable for peeling, both at the start of peeling and during the peeling. Therefore, it can peel at a substantially constant peeling speed from the start of peeling to the end of peeling.

ここで「剥離速度」とは、モールド10と転写用基板14のレジスト層12との転写界面における単位剥離時間当たりの剥離面積量をいい、剥離速度が一定とは、剥離開始から剥離終了まで単位剥離時間当たりの剥離面積量が一定であることをいう。   Here, the “peeling speed” refers to the amount of peeled area per unit peeling time at the transfer interface between the mold 10 and the resist layer 12 of the transfer substrate 14, and the constant peeling speed means from the start of peeling to the end of peeling. It means that the amount of peeled area per peeling time is constant.

このように、転写用基板14の曲率を剥離開始から剥離終了まで同じにできる理由は、転写用基板14の周縁部を固定枠24Aで固定した状態で転写用基板14の基板裏面側を加圧することにより転写用基板14が強く緊張した状態になり、転写用基板14には剥離力Fによって変形しないだけの剛性が付与されるためであると考察される。   As described above, the reason why the curvature of the transfer substrate 14 can be made the same from the start of peeling to the end of peeling is to pressurize the back side of the transfer substrate 14 with the peripheral edge of the transfer substrate 14 fixed by the fixing frame 24A. It is considered that this is because the transfer substrate 14 is strongly strained, and the transfer substrate 14 is given rigidity enough to prevent deformation due to the peeling force F.

このように、剥離開始から剥離終了までの剥離速度を略一定にすることによって、図6(A)の剥離途中時の図から分かるように、転写用基板14の周縁部側に近い微細凹凸の剥離が終了する頃には中央部近傍(剥離終端界面部分)の微細凹凸の剥離がかなり進んでいる。これにより、最後に剥離される剥離終端界面である中央部の微細凹凸が大きな剥離速度で一気に剥離されることはない。この結果、最後に剥離される中央部の微細凹凸に加わる衝撃応力が減少するので、中央部の微細凹凸が損傷を受けることを効果的に防止できる。   In this way, by making the peeling rate from the start of peeling to the end of peeling substantially constant, as can be seen from the drawing in the middle of peeling in FIG. 6A, the fine unevenness close to the peripheral edge side of the transfer substrate 14 is obtained. By the time when the peeling is completed, peeling of fine irregularities in the vicinity of the central portion (peeling end interface portion) has progressed considerably. Thereby, the fine unevenness | corrugation of the center part which is the peeling termination | terminus interface peeled last is not peeled at a stretch at a big peeling speed. As a result, since the impact stress applied to the fine irregularities in the central portion that is finally peeled is reduced, the fine irregularities in the central portion can be effectively prevented from being damaged.

これに対して、図6(B)は、転写用基板14の周縁部を固定枠24Aや固定しても転写用基板14の基板裏面を加圧しない場合の剥離開始時と剥離途中時の転写用基板14の曲率を示すものである。   On the other hand, FIG. 6B shows the transfer at the start of peeling and during the peeling in the case where the substrate back surface of the transfer substrate 14 is not pressurized even if the peripheral edge of the transfer substrate 14 is fixed to the fixing frame 24A. This shows the curvature of the substrate 14 for use.

図6(B)のように、転写用基板14の周縁部を固定しても転写用基板14を加圧しないと、転写用基板14は剥離力Fによって曲率の変わる自由面を形成する。これにより、剥離開始時の転写用基板14は本発明の剥離工程と同じ曲率半径Rを形成するが、剥離が進行した剥離途中時の転写用基板14は曲率半径R1となり、剥離開始時の曲率半径Rよりも小さくなる。剥離進行にしたがって転写用基板14の曲率半径が小さくなると、図6(B)の剥離途中時の図から分かるように、転写用基板14の周縁部側に近い微細凹凸の剥離が終了しているにもかかわらず中央部近傍(剥離終端界面部分)の微細凹凸の剥離が全く行われていない状態が形成される。これにより、最後に剥離される剥離終端界面である中央部の微細凹凸が大きな剥離速度で一気に剥離されることになる。この結果、最後に剥離される中央部の微細凹凸に加わる衝撃応力が増大するので、中央部の微細凹凸が破壊してしまう。   As shown in FIG. 6B, even if the peripheral portion of the transfer substrate 14 is fixed, if the transfer substrate 14 is not pressurized, the transfer substrate 14 forms a free surface whose curvature is changed by the peeling force F. Thereby, the transfer substrate 14 at the start of peeling forms the same radius of curvature R as in the peeling step of the present invention, but the transfer substrate 14 in the middle of peeling after the peeling has progressed has a radius of curvature R1, and the curvature at the start of peeling. It becomes smaller than the radius R. When the radius of curvature of the transfer substrate 14 becomes smaller as the peeling progresses, as shown in the drawing in the middle of peeling in FIG. 6B, peeling of fine irregularities near the peripheral edge side of the transfer substrate 14 is finished. Nevertheless, a state is formed in which the fine unevenness in the vicinity of the central portion (peeling end interface portion) is not peeled off at all. Thereby, the fine unevenness | corrugation of the center part which is a peeling termination | terminus interface peeled last is peeled at a stretch at a big peeling speed. As a result, the impact stress applied to the fine irregularities in the central portion that is finally peeled increases, so that the fine irregularities in the central portion are destroyed.

図7は、図3で説明した流体式加圧手段とは別態様の固体式加圧手段を備えた剥離装置の概念図である。   FIG. 7 is a conceptual diagram of a peeling apparatus provided with a solid-state pressurizing unit different from the fluid-type pressurizing unit described in FIG.

図7(A)に示すように、周縁部固定手段24は、円筒形状に形成された環状部材24Aが設けられ、環状部材24Aの上端は内側に折曲して鍔部24Eを形成している。環状部材24Aの材質としては、合体物20を環状部材24A内に収納し易いように伸縮性を有するゴム製のものが好適である。また、後記する固体物34を環状部材24Aに対して上下方向にスライド自在な構造にすれば、環状部材24Aの材質を伸縮しない金属や樹脂で形成することもできる。   As shown in FIG. 7A, the peripheral edge fixing means 24 is provided with an annular member 24A formed in a cylindrical shape, and the upper end of the annular member 24A is bent inward to form a flange 24E. . The material of the annular member 24A is preferably made of rubber having elasticity so that the combined product 20 can be easily accommodated in the annular member 24A. Further, if a solid material 34 described later is configured to be slidable in the vertical direction with respect to the annular member 24A, the material of the annular member 24A can be formed of a metal or resin that does not expand or contract.

また、固体式加圧手段33は、当接面34Aが凸状な所定曲率に形成されると共に該当接面34Aに多数の吸引孔34Bが形成された固体物34と、吸引孔34Bに連通する固体物34の内部空間34Cから空気を吸引する吸引配管36と、吸引配管36に連結される吸引装置(図示せず)とで構成される。   Further, the solid-type pressurizing means 33 communicates with the solid hole 34 in which the contact surface 34A is formed with a predetermined convex curvature and a plurality of suction holes 34B are formed on the corresponding contact surface 34A, and the suction hole 34B. The suction pipe 36 sucks air from the internal space 34C of the solid object 34, and a suction device (not shown) connected to the suction pipe 36.

剥離力付与手段32は、図7(C)に示すように、モールド10に垂直方向の剥離力を付与して、モールド10を転写用基板14から引き剥がすための手段であればどのようなものでもよい。   As shown in FIG. 7C, the peeling force applying means 32 is any means as long as it applies a vertical peeling force to the mold 10 and peels the mold 10 from the transfer substrate 14. But you can.

そして、上記の固体式加圧手段33を備えた剥離装置を用いて本発明の剥離方法を行うには、先ず図7(B)に示すように、モールド10と転写用基板14の合体物20を固体物34の当接面34Aに載置すると共に、転写用基板14の周縁部を周縁部固定手段24で固定する。この場合、環状部材24Aと鍔部24Eとを切り離した別の部材とし、図3で説明したように、転写用基板14の周縁部を挟み込める構造にすると一層よい。   And in order to perform the peeling method of this invention using the peeling apparatus provided with said solid-type pressurization means 33, as shown in FIG.7 (B), the unification thing 20 of the mold 10 and the board | substrate 14 for transcription | transfer 14 first. Is placed on the contact surface 34A of the solid object 34, and the peripheral edge of the transfer substrate 14 is fixed by the peripheral edge fixing means 24. In this case, it is more preferable that the annular member 24A and the flange portion 24E are separated from each other, and the peripheral portion of the transfer substrate 14 is sandwiched as described with reference to FIG.

次に、吸引装置を駆動して固体物34の内部空間34C内を減圧することにより、吸引孔34Bを介して転写用基板14の基板裏面を吸引する。これにより、転写用基板14は固体物34の当接面34Aに倣って湾曲するので、転写用基板14は所定曲率に湾曲化される。転写用基板14が湾曲化する曲率としては、曲率半径Rで1400〜2800mmの範囲であることが好ましい。   Next, the suction device is driven to depressurize the internal space 34C of the solid material 34, whereby the back surface of the transfer substrate 14 is sucked through the suction holes 34B. As a result, the transfer substrate 14 is curved following the contact surface 34A of the solid object 34, so that the transfer substrate 14 is curved to a predetermined curvature. The curvature at which the transfer substrate 14 is curved is preferably in the range of 1400 to 2800 mm in radius of curvature R.

この場合、固体物34を環状部材24Aにスライド移動できる構造にすると共に、固体物34の裏面にシリンダ装置35を設けて、固体物34をモールド側にスライドして押圧することで、転写用基板14を所定曲率に湾曲化させてもよい。   In this case, the solid object 34 is slidably moved to the annular member 24A, and a cylinder device 35 is provided on the back surface of the solid object 34, and the solid object 34 is slid and pressed to the mold side, thereby transferring the substrate for transfer. 14 may be curved to a predetermined curvature.

シリンダ装置35は、図示しないシリンダ本体と、シリンダロッド35Aと、固体物34の裏面を押圧ロッド35Bと、シリンダロッド35Aと押圧ロッド35Bとを連結するピン35Cと、によって構成される。   The cylinder device 35 includes a cylinder body (not shown), a cylinder rod 35A, a pressing rod 35B on the back surface of the solid object 34, and a pin 35C that connects the cylinder rod 35A and the pressing rod 35B.

また、固体物34と環状部材24Aとの間には隙間が形成されると共に、その隙間がリング状の弾性部材(Oリング)37によってシールされる。この弾性部材37は、外力によって固体物34を図7の垂直方向に対して±5mm以内で傾けることが可能である。   Further, a gap is formed between the solid object 34 and the annular member 24 </ b> A, and the gap is sealed by a ring-shaped elastic member (O-ring) 37. The elastic member 37 can tilt the solid object 34 within ± 5 mm with respect to the vertical direction of FIG. 7 by an external force.

したがって、転写用基板14を湾曲させるためにシリンダ装置35で固体物34をスライドさせて転写用基板14を押圧するときに、シリンダ装置35のピン35Cと上記の弾性部材37とによって固体物34が若干傾斜可能なので、転写用基板14に対して押圧力を均等に付与することができる。これにより、転写用基板14が固体物34の当接面34Aに精度良く倣って湾曲する。   Therefore, when the solid substrate 34 is slid by the cylinder device 35 and the transfer substrate 14 is pressed by the cylinder device 35 to bend the transfer substrate 14, the solid material 34 is formed by the pins 35 </ b> C of the cylinder device 35 and the elastic member 37. Since it can be slightly tilted, it is possible to apply a pressing force evenly to the transfer substrate 14. Thereby, the transfer substrate 14 is curved following the contact surface 34A of the solid object 34 with high accuracy.

また、本発明における剥離工程では、上記した転写用基板14の所定曲率の湾曲に加えて、吸引によって生じる反力によって固体物34の当接面34Aで転写用基板14の基板裏面を加圧する。   In the peeling step according to the present invention, in addition to the above-described curvature of the transfer substrate 14, the substrate back surface of the transfer substrate 14 is pressed by the contact surface 34 </ b> A of the solid object 34 by a reaction force generated by suction.

次に、剥離力付与手段32を駆動して転写用基板14からモールド10を剥離する際に、転写用基板14の曲率を剥離開始から剥離終了まで維持するように、転写用基板14の基板裏面を固体物34の当接面34Aで加圧したままで剥離を行う。   Next, when the peeling force applying means 32 is driven to peel the mold 10 from the transfer substrate 14, the back surface of the transfer substrate 14 is maintained so that the curvature of the transfer substrate 14 is maintained from the start of peeling to the end of peeling. Is peeled while being pressed by the contact surface 34 </ b> A of the solid object 34.

これにより、上記した流体式加圧手段26を備えた剥離装置のときに説明したと同じ理由により、剥離時に転写用基板14のレジスト層12に転写された微細凹凸パターン12Aが損傷を受けることを効果的に防止できる。   Thereby, for the same reason as explained in the case of the peeling apparatus provided with the fluid type pressurizing means 26 described above, the fine uneven pattern 12A transferred to the resist layer 12 of the transfer substrate 14 is damaged at the time of peeling. It can be effectively prevented.

次に、本発明の実施例を説明する。   Next, examples of the present invention will be described.

[試験A]
試験Aでは、本発明の実施例1、比較例1、及び比較例2の3通りの剥離方法について剥離性を調べた。
[Test A]
In the test A, the peelability was examined for the three peeling methods of Example 1, Comparative Example 1, and Comparative Example 2 of the present invention.

実施例1は、図8(A)に示すように、図3で説明した剥離装置を使用して本発明における剥離方法を実施した場合である。転写用基板14の周縁部を周縁部固定手段24で固定すると共に、流体式加圧手段26で基板裏面から0.5MPaのアシスト圧で加圧して転写用基板14を曲率半径で2100mmの曲率になるように湾曲させた。そして、0.5MPaのアシスト圧を保持したまま、モールド10に垂直方向上向きの剥離力Fを加えて転写用基板14からモールド10を剥離した。   Example 1 is a case where the peeling method according to the present invention was performed using the peeling apparatus described in FIG. 3 as shown in FIG. The peripheral edge portion of the transfer substrate 14 is fixed by the peripheral edge fixing means 24, and the fluid pressure means 26 pressurizes the back surface of the substrate with an assist pressure of 0.5 MPa so that the transfer substrate 14 has a curvature radius of 2100 mm. It was curved to become. Then, the mold 10 was peeled from the transfer substrate 14 by applying a vertical upward peeling force F to the mold 10 while maintaining the assist pressure of 0.5 MPa.

比較例1は、図8(B)に示すように、図3で説明した剥離装置を使用したが転写用基板14の基板背面を流体で加圧しなかった(アシスト圧0)以外は実施例1と同様である。   In Comparative Example 1, as shown in FIG. 8B, the peeling apparatus described in FIG. 3 was used, but the back surface of the transfer substrate 14 was not pressurized with fluid (assist pressure 0). It is the same.

比較例2は、図8(C)に示すように、モールド10の一方端側に剥離力Fを付与して、モールド10を転写用基板14の一方端側から他方端側に向けて剥離していった場合である。   In Comparative Example 2, as shown in FIG. 8C, a peeling force F is applied to one end side of the mold 10, and the mold 10 is peeled from one end side to the other end side of the transfer substrate 14. This is the case.

モールド10の作製、塗布工程、転写工程、硬化工程は、実施例1、比較例1、比較例2ともに共通である。   The fabrication, coating process, transfer process, and curing process of the mold 10 are common to Example 1, Comparative Example 1, and Comparative Example 2.

〈モールドの作製〉
縦・横100mm×100mm、厚み1mmのニッケル(Ni)材料を用いて、縦・横20mm×20mmのパターン形成エリアに、幅0.5μm、高さ2μm、ピッチ1μmの微細凹凸パターン(ライン&スペース形状)をステッパによるパターニング及びドライエッチングで作成し、モールド10とした。
<Mold production>
Using a nickel (Ni) material of vertical and horizontal 100 mm x 100 mm and thickness 1 mm, a fine uneven pattern (line and space) with a width of 0.5 μm, height of 2 μm, and pitch of 1 μm in a pattern formation area of vertical and horizontal 20 mm × 20 mm Shape) was formed by patterning with a stepper and dry etching to obtain a mold 10.

〈塗布工程〉
UV硬化樹脂材料(例えば東洋合成製PAK−01)を含むレジスト液を、直径が147mm(6インチ)で厚みが0.7mmの円板状のガラス基板16(信越化学製)上にスピンコート塗布装置で塗布した。これにより、ガラス基板16上にレジスト層12が形成された転写用基板14を作製した。
<Application process>
A resist solution containing a UV curable resin material (for example, PAK-01 manufactured by Toyo Gosei Co., Ltd.) is spin-coated on a disk-shaped glass substrate 16 (manufactured by Shin-Etsu Chemical) having a diameter of 147 mm (6 inches) and a thickness of 0.7 mm. It was applied with a device. Thus, a transfer substrate 14 in which the resist layer 12 was formed on the glass substrate 16 was produced.

〈転写工程〉
転写用基板14のレジスト層12に、微細凹凸パターン10Aが形成されているモールド10を位置合わせした。そして、モールド側からインプリント装置でレジスト層12を加圧することで微細凹凸パターン10Aの凹部に残存している空気を圧力変化により除去しながら、モールド10の微細凹凸パターン10Aをレジスト層12に転写した。
<Transfer process>
The mold 10 on which the fine concavo-convex pattern 10 </ b> A is formed is aligned with the resist layer 12 of the transfer substrate 14. Then, by pressing the resist layer 12 from the mold side with an imprint apparatus, the air remaining in the concave portions of the fine concave / convex pattern 10A is removed by pressure change, and the fine concave / convex pattern 10A of the mold 10 is transferred to the resist layer 12 did.

〈硬化工程〉
転写工程の後、レジスト層12に光硬化樹脂の硬化波長である365nmの光を照射し、レジスト層12を硬化した。
<Curing process>
After the transfer process, the resist layer 12 was irradiated with light having a wavelength of 365 nm, which is the curing wavelength of the photocurable resin, to cure the resist layer 12.

[試験結果]
試験結果を、図9の表1に示す。
[Test results]
The test results are shown in Table 1 of FIG.

転写用基板14の基板裏面に0.5MPaのアシスト圧を加圧しながら剥離した実施例1は、剥離開始から剥離終了まで転写用基板14の曲率を曲率半径2100mmに均一に維持することができ、レジスト層12に転写された微細凹凸パターン12Aをモールド10から損傷なく剥離することができた。   In Example 1, which was peeled off while applying an assist pressure of 0.5 MPa on the back surface of the transfer substrate 14, the curvature of the transfer substrate 14 can be uniformly maintained at a curvature radius of 2100 mm from the start of peeling to the end of peeling. The fine concavo-convex pattern 12A transferred to the resist layer 12 could be peeled from the mold 10 without damage.

また、転写用基板14の基板裏面にアシスト圧を加圧せずに剥離した比較例1は、剥離の途中で転写用基板14の曲率が変動して不均一化し、剥離が進むにしたがって転写用基板14の曲率半径が小さくなった。これにより、比較例1の場合には、剥離終端界面部分である転写用基板14の中央部分の微細凹凸に損傷が見られた(図8(B)参照)。   Further, in Comparative Example 1 where the backing surface of the transfer substrate 14 was peeled off without applying an assist pressure, the curvature of the transfer substrate 14 fluctuated and became non-uniform during peeling, and the transfer progressed as the peeling progressed. The radius of curvature of the substrate 14 is reduced. Thereby, in the case of the comparative example 1, damage was seen by the fine unevenness | corrugation of the center part of the board | substrate 14 for a transfer which is a peeling termination | terminus interface part (refer FIG. 8 (B)).

また、比較例2については、転写用基板14をモールド10から剥がす際に剥離終端界面部分である転写用基板14の他方端部分の微細凹凸に集中的に損傷が発生した(図8(C)参照)。   In Comparative Example 2, when the transfer substrate 14 was peeled from the mold 10, damage was concentrated on the fine irregularities on the other end portion of the transfer substrate 14 which is the separation termination interface portion (FIG. 8C). reference).

また、図9の表1から分かるように、実施例1は剥離に要した剥離力Fは4N(ニュートン)であり、比較例1の10Nや、比較例2の8Nよりも小さい力で剥離することができた。   Further, as can be seen from Table 1 of FIG. 9, in Example 1, the peeling force F required for peeling is 4N (Newton), and peeling is performed with a force smaller than 10N of Comparative Example 1 and 8N of Comparative Example 2. I was able to.

なお、剥離力Fの測定は、モールド10の裏面にロードセルを取り付け、ロードセルを介してモールド10を垂直方向上向きに引っ張って、モールド10と転写用基板14とが完全に剥離するまでに要する剥離力Fの最大値を測定した。   The peel force F is measured by attaching a load cell to the back surface of the mold 10 and pulling the mold 10 upward in the vertical direction via the load cell so that the mold 10 and the transfer substrate 14 are completely peeled off. The maximum value of F was measured.

[試験B]
試験Bでは、転写用基板14の基板裏面を加圧する適切なアシスト圧の範囲及び適切な曲率半径について調べた。モールド作製、塗布工程及び転写工程は、試験Aと同様であり、剥離工程において、アシスト圧を0〜1.3MPaの範囲で変化させた。アシスト圧0が試験Aの比較例1に相当する。
[Test B]
In the test B, an appropriate assist pressure range and an appropriate radius of curvature for pressing the back surface of the transfer substrate 14 were examined. The mold preparation, coating process, and transfer process were the same as in Test A, and the assist pressure was changed in the range of 0 to 1.3 MPa in the peeling process. An assist pressure of 0 corresponds to Comparative Example 1 of Test A.

試験Bの結果を図10の表2に示す。   The results of Test B are shown in Table 2 in FIG.

図10の表2から分かるように、アシスト圧が0.3〜1.0MPaの範囲で曲率半径が2800〜1400mmの範囲に形成した試験2〜4は、剥離不良が発生することなく転写用基板14のレジスト層12に良好な微細凹凸パターンを形成することができた。   As can be seen from Table 2 in FIG. 10, tests 2 to 4 formed in the range of the assist pressure in the range of 0.3 to 1.0 MPa and the radius of curvature in the range of 2800 to 1400 mm are the transfer substrates without causing the separation failure. Good fine unevenness patterns could be formed on the 14 resist layers 12.

一方、アシスト圧が0で曲率半径が∞(平坦)の試験1は、剥離終端界面部分である転写用基板14の中央部分の微細凹凸に損傷が発生していた。   On the other hand, in the test 1 in which the assist pressure was 0 and the radius of curvature was ∞ (flat), damage was generated on the fine irregularities in the central portion of the transfer substrate 14 that is the peeling termination interface portion.

アシスト圧が1.3MPaで曲率半径が1000mmの試験5は、湾曲させ過ぎて転写用基板14のガラス基板16に破断が見られた。   In the test 5 in which the assist pressure was 1.3 MPa and the radius of curvature was 1000 mm, the glass substrate 16 of the transfer substrate 14 was broken due to excessive bending.

10…モールド、12…レジスト層、14…転写用基板、16…基板、20…合体物、22…基台、24…周縁部固定手段、24A…環状部材、24B…押圧板、26…流体式加圧手段、28…ゴム製シート、30…配管、32…剥離力付与手段、33…固体式加圧手段、34…固体物、36…吸引配管   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Mold, 12 ... Resist layer, 14 ... Substrate for transfer, 16 ... Substrate, 20 ... Combined thing, 22 ... Base, 24 ... Peripheral part fixing means, 24A ... Ring member, 24B ... Pressing plate, 26 ... Fluid type Pressurizing means, 28 ... rubber sheet, 30 ... piping, 32 ... peeling force applying means, 33 ... solid pressurizing means, 34 ... solid matter, 36 ... suction piping

Claims (11)

基板上にレジスト層が形成された転写用基板のレジスト層に、モールドの微細凹凸パターンを転写して硬化した後、前記転写用基板と前記モールドとを剥離する剥離工程を備えた微細凹凸パターンの形成方法において、
前記剥離工程は、
前記転写用基板を前記レジスト層側が凸な所定曲率に湾曲させる湾曲化工程と、
前記転写用基板と前記モールドとを互いに引き剥がす方向に剥離力を付与して剥離する際に、前記転写用基板の周縁部を固定した状態で基板裏面側を加圧して、前記転写用基板の前記所定曲率を剥離開始から剥離終了まで維持する加圧工程と、とを備えることを特徴とする微細凹凸パターンの形成方法。
A fine concavo-convex pattern comprising a peeling step for separating the transfer substrate and the mold after transferring and curing the fine concavo-convex pattern of the mold onto the resist layer of the transfer substrate having a resist layer formed on the substrate. In the forming method,
The peeling step includes
A curving step of curving the transfer substrate into a predetermined curvature convex on the resist layer side;
When the transfer substrate and the mold are peeled by applying a peeling force in the direction of peeling, the back surface side of the transfer substrate is pressed with the peripheral edge of the transfer substrate fixed. And a pressurizing step for maintaining the predetermined curvature from the start of peeling to the end of peeling.
前記所定曲率は、曲率半径Rで1400〜2800mmの範囲であることを特徴とする請求項1の微細凹凸パターンの形成方法。   The method of forming a fine concavo-convex pattern according to claim 1, wherein the predetermined curvature has a radius of curvature R in the range of 1400 to 2800 mm. 前記基板裏面側に前記所定曲率の当接面を有する固体物を当接させることにより前記転写用基板を湾曲させると共に、該当接面に形成された多数の吸引孔で前記基板裏面を吸引することにより前記基板裏面側を前記固体物の当接面で加圧することを特徴とする請求項1又は2の微細凹凸パターンの形成方法。   The transfer substrate is curved by bringing a solid object having a contact surface with the predetermined curvature into contact with the back surface side of the substrate, and the back surface of the substrate is sucked by a number of suction holes formed on the contact surface. 3. The method for forming a fine concavo-convex pattern according to claim 1 or 2, wherein the back surface side of the substrate is pressed by the contact surface of the solid object. 前記基板裏側を流体で加圧することにより、前記転写用基板の湾曲と前記基板裏面側への加圧とを一緒に行うことを特徴とする請求項1又は2の微細凹凸パターンの形成方法。   3. The method for forming a fine concavo-convex pattern according to claim 1 or 2, wherein the back side of the substrate is pressurized with a fluid, whereby the curve of the transfer substrate and the pressurization to the back side of the substrate are performed together. 前記加圧工程は、前記剥離力を付与する前のタイミングで行うことを特徴とする請求項1〜4の何れか1の微細凹凸パターンの形成方法。   The method for forming a fine unevenness pattern according to any one of claims 1 to 4, wherein the pressing step is performed at a timing before the peeling force is applied. 前記転写用基板が前記所定曲率に湾曲化する湾曲領域にのみ前記モールドの微細凹凸パターンが転写されていることを特徴とする請求項1〜5の何れか1の微細凹凸パターンの形成方法。   6. The method for forming a fine concavo-convex pattern according to claim 1, wherein the fine concavo-convex pattern of the mold is transferred only in a curved region where the transfer substrate is curved to the predetermined curvature. 基板上にレジスト層が形成された転写用基板のレジスト層に、モールドの微細凹凸パターンを転写して硬化した後、前記転写用基板と前記モールドとを剥離する剥離装置を備えた微細凹凸パターンの形成装置において、
前記剥離装置は、
前記転写用基板の周縁部を固定する周縁部固定手段と、
前記転写用基板の基板裏面側に設けられ、加圧流体によって前記基板裏面側を膨らませることによって前記転写用基板を所定曲率に湾曲させると共に前記基板裏面を加圧する流体式の加圧手段と、
前記転写用基板と前記モールドとを互いに引き剥がす方向に剥離力を付与する剥離力付与手段と、を備えたことを特徴とする微細凹凸パターンの形成装置。
A fine concavo-convex pattern provided with a peeling device for separating the transfer substrate and the mold after transferring and curing the fine concavo-convex pattern of the mold onto the resist layer of the transfer substrate having a resist layer formed on the substrate. In the forming device,
The peeling device is
Peripheral edge fixing means for fixing the peripheral edge of the transfer substrate;
A fluid-type pressurizing means that is provided on the back side of the substrate of the transfer substrate, and inflates the back side of the substrate with a pressurized fluid so as to curve the transfer substrate to a predetermined curvature and pressurize the back side of the substrate;
An apparatus for forming a fine concavo-convex pattern, comprising: peeling force applying means for applying a peeling force in a direction in which the transfer substrate and the mold are peeled from each other.
基板上にレジスト層が形成された転写用基板のレジスト層に、モールドの微細凹凸パターンを転写して硬化した後、前記転写用基板と前記モールドとを剥離する剥離装置を備えた微細凹凸パターンの形成装置において、
前記剥離装置は、
前記転写用基板の周縁部を固定する周縁部固定手段と、
前記転写用基板の基板裏面側に、当接面が凸状な所定曲率に形成された固体物を当接させた状態で前記当接面に形成された多数の吸引孔で前記基板裏面を吸引することによって前記転写用基板を前記所定曲率に湾曲させると共に、前記吸引によって生じる反力によって前記当接面で前記基板裏面を加圧する固体式の加圧手段と、
前記転写用基板と前記モールドとを互いに引き剥がす方向に剥離力を付与する剥離力付与手段と、を備えたことを特徴とする微細凹凸パターンの形成装置。
A fine concavo-convex pattern provided with a peeling device for separating the transfer substrate and the mold after transferring and curing the fine concavo-convex pattern of the mold onto the resist layer of the transfer substrate having a resist layer formed on the substrate. In the forming device,
The peeling device is
Peripheral edge fixing means for fixing the peripheral edge of the transfer substrate;
The back surface of the substrate is sucked by a large number of suction holes formed in the contact surface in a state in which a solid object having a convex contact surface is formed on the back surface side of the transfer substrate. Solid-state pressurizing means for curving the transfer substrate to the predetermined curvature and pressurizing the back surface of the substrate with the contact surface by a reaction force generated by the suction;
An apparatus for forming a fine concavo-convex pattern, comprising: peeling force applying means for applying a peeling force in a direction in which the transfer substrate and the mold are peeled from each other.
前記所定曲率は、曲率半径Rで1400〜2800mmの範囲であることを特徴とする請求項7又は8の微細凹凸パターンの形成装置。   The apparatus for forming a fine unevenness pattern according to claim 7 or 8, wherein the predetermined curvature has a radius of curvature R in a range of 1400 to 2800 mm. 前記周縁部固定手段は、前記転写用基板の周縁部を挟み込む構造に形成されていることを特徴とする請求項7〜9の何れか1の微細凹凸パターンの形成装置。   The apparatus for forming a fine unevenness pattern according to any one of claims 7 to 9, wherein the peripheral edge fixing means is formed so as to sandwich the peripheral edge of the transfer substrate. 前記周縁部固定手段は、前記転写用基板の湾曲方向に追従して首を振る構造に形成されていることを特徴とする請求項7〜10の何れか1の微細凹凸パターンの形成装置。   The apparatus for forming a fine unevenness pattern according to any one of claims 7 to 10, wherein the peripheral edge fixing means is formed in a structure in which a neck is swung following the bending direction of the transfer substrate.
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