JP2010231931A - Light-emitting device and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting device having a panel structure capable of narrowing a frame of a display panel, and to provide a method of manufacturing the same. <P>SOLUTION: In the light-emitting device structured of a plurality of display panels arrayed in two dimensions, each display panel includes a structure jointing a pixel array substrate 10 and opposed substrate 20 having the same outer shape and dimension through a sealing material BND so as to match end parts of a whole periphery of each other. On the pixel array substrate 10, a plurality of display pixels PIX are arrayed in a display area 12, and a plurality of signal wires connected with each display pixel PIX are arranged. The opposed substrate 20 is provided with pixel array connection pads 22s, 22a, 22d arrayed on one surface side so as to correspond to an end part of each signal wire, and an IC chip 26 connected with each pixel array connection pad 22s, 22a, 22d through pulling-around wires 23s, 23a, 23d are mounted on the other surface side. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光装置及びその製造方法に関し、特に、複数の表示パネルを2次元配列して大画面化した発光装置及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a light emitting device and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a light emitting device having a large screen by two-dimensionally arranging a plurality of display panels and a manufacturing method thereof.

近年、液晶発光装置(LCD)に続く次世代の表示デバイスとして、自発光素子を有する複数の表示画素を2次元配列した発光素子型の表示パネルを備えた発光装置が普及してきている。例えば、携帯電話や携帯音楽プレーヤ等の電子機器の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、「有機EL素子」と略記する)を2次元配列した表示パネル(有機EL表示パネル)が知られている。   In recent years, as a next-generation display device following a liquid crystal light-emitting device (LCD), a light-emitting device including a light-emitting element type display panel in which a plurality of display pixels having self-light-emitting elements are two-dimensionally arranged has been widespread. For example, a display panel (organic EL display panel) in which organic electroluminescence elements (hereinafter abbreviated as “organic EL elements”) are two-dimensionally arranged is known as a display device for electronic devices such as mobile phones and portable music players. Yes.

有機EL素子は、周知のように、例えばガラス基板等の一面側に、アノード(陽極)電極と、有機EL層(発光機能層)と、カソード(陰極)電極と、を順次積層した素子構造を有している。そして、有機EL層に発光しきい値を越えるようにアノード電極及びカソード電極間に電圧を印加することにより、有機EL層内で注入されたホールと電子が再結合する際に生じるエネルギーに基づいて光(励起光)が放射される。有機EL層は、概略、正孔輸送層や電子輸送層等の担体輸送層、発光層を順次積層した構成を有している。   As is well known, an organic EL element has an element structure in which, for example, an anode (anode) electrode, an organic EL layer (light emitting functional layer), and a cathode (cathode) electrode are sequentially laminated on one side of a glass substrate or the like. Have. Then, by applying a voltage between the anode electrode and the cathode electrode so as to exceed the emission threshold value in the organic EL layer, based on the energy generated when the holes and electrons injected in the organic EL layer recombine. Light (excitation light) is emitted. The organic EL layer generally has a configuration in which a carrier transport layer such as a hole transport layer or an electron transport layer, and a light emitting layer are sequentially laminated.

ここで、有機EL表示パネルにおいては、例えば特許文献1に示されているように、表示画素が配列された表示領域の内部に、各表示画素(有機EL素子)を駆動するための信号や電圧を印加するための各種の信号線(走査ラインやデータライン等)が配設されている。そして、これらの信号線は、表示領域の周辺領域において、個別の引き回し配線を介して、上記駆動信号や電圧等を生成して印加するドライバ回路に接続されている。   Here, in the organic EL display panel, as shown in, for example, Patent Document 1, signals and voltages for driving each display pixel (organic EL element) inside a display area in which display pixels are arranged. Various signal lines (scanning lines, data lines, etc.) for applying the signal are arranged. These signal lines are connected to a driver circuit that generates and applies the drive signal, voltage, and the like in the peripheral area of the display area via individual routing lines.

特開2007−026704号公報JP 2007-026704 A

上述したような有機EL表示パネルにおいては、表示領域を囲む領域(周辺領域)に、有機EL素子を発光駆動させるための信号や電源電圧を供給する引き回し配線やドライバ回路を配置するためのスペースを設けなければならない。この表示パネルの周辺領域は、額縁と呼ばれ、非表示領域となる。   In the organic EL display panel as described above, a space for arranging a lead wiring and a driver circuit for supplying a signal and a power supply voltage for driving the organic EL element to emit light is provided in a region (peripheral region) surrounding the display region. Must be provided. The peripheral area of the display panel is called a frame and becomes a non-display area.

そのため、表示領域外に配線のためのスペースを設けなければならず、表示パネルの周辺領域の寸法が大きくなり、商品デザインやサイズが制約されるという問題を有していた。表示パネルの周辺領域(額縁)の寸法が大きい場合には、表示パネルの製造時に、1枚のマザーガラスから切り出されるパネル基板の数が減少するため、製品コストの上昇を招くという問題も有していた。また、複数の表示パネルをタイル状に密着して配列(2次元配列)して大型の表示画面を有するタイリングディスプレイを構成しようとした場合に、表示パネル相互の繋ぎ目の近傍領域(上記周辺領域に相当する)に、非表示領域が形成されてしまい、表示品質が低下するという問題を有していた。   For this reason, a space for wiring must be provided outside the display area, which increases the size of the peripheral area of the display panel, and restricts the product design and size. When the size of the peripheral area (picture frame) of the display panel is large, the number of panel substrates cut out from one mother glass is reduced at the time of manufacturing the display panel, resulting in an increase in product cost. It was. In addition, when trying to construct a tiling display having a large display screen by arranging a plurality of display panels in close contact with each other in a tile shape (two-dimensional array), a region near the joint between the display panels (the above peripherals) In other words, a non-display area is formed in the area), and the display quality deteriorates.

そこで、本発明は、上述した問題点に鑑み、狭額縁化が可能なパネル構造を有する発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。   In view of the above-described problems, an object of the present invention is to provide a light emitting device having a panel structure capable of narrowing the frame and a manufacturing method thereof.

請求項1記載の発明に係る発光装置では、一面側に、複数の表示画素が配列された表示領域と、前記表示画素の各々に接続された複数の信号線の端部が露出する周縁部と、を有する第1の基板と、
一面側に、前記信号線の端部に対応するように配列された複数の接続パッドと、他面側に設けられ、前記信号線に前記表示画素を駆動させるための制御信号を供給する制御回路と、前記複数の接続パッドと前記制御回路とを個別に接続する複数の接続配線と、を有し、前記第1の基板と同一の外形形状及び外形寸法である第2の基板と、
前記第1の基板の前記一面側と、前記第2の基板の前記一面側とを接合するとともに、前記複数の信号線の端部と前記複数の接続パッドとを電気的に個別に接続する接合部材と、
を備えることを特徴とする。
In the light-emitting device according to the first aspect of the present invention, on one surface side, a display area in which a plurality of display pixels are arranged, and a peripheral edge portion at which ends of a plurality of signal lines connected to each of the display pixels are exposed A first substrate having:
A plurality of connection pads arranged on one surface side so as to correspond to the end portions of the signal lines, and a control circuit that is provided on the other surface side and supplies a control signal for driving the display pixels to the signal lines A plurality of connection wirings for individually connecting the plurality of connection pads and the control circuit, and a second substrate having the same outer shape and outer dimensions as the first substrate,
Joining the one surface side of the first substrate and the one surface side of the second substrate, and electrically connecting the end portions of the plurality of signal lines and the plurality of connection pads individually. A member,
It is characterized by providing.

請求項2記載の発明では、請求項1記載の発光装置において、前記制御回路は、前記第2の基板における、前記第1の基板の前記表示領域に対応する領域の内部に配置されていることを特徴とする。
請求項3記載の発明は、請求項1又は2記載の発光装置において、前記第1の基板と前記第2の基板との離間距離は、前記第2の基板における前記複数の接続パッド相互の離間距離よりも小さく設定されていることを特徴とする。
請求項4記載の発明では、請求項1乃至3のいずれかに記載の発光装置において、前記第1の基板と前記第2の基板との離間距離は、前記制御回路の高さより小さく設定されていることを特徴とする。
請求項5記載の発明は、請求項1乃至4のいずれかに記載の発光装置において、前記複数の信号線は、少なくとも、前記表示画素を選択状態に設定するための選択信号が印加される複数の走査ラインと、前記表示画素を所定の表示状態で駆動するための表示データが供給される複数のデータラインと、からなることを特徴とする。
請求項6記載の発明では、請求項1乃至5のいずれかに記載の発光装置において、前記第2の基板は、前記他面側に、前記第2の基板の外部と電気的に接続するための複数の外部接続パッドと、前記複数の外部接続パッドと前記制御回路とを個別に接続する複数の外部接続配線と、を有していることを特徴とする。
前記表示画素は、アクティブマトリクス型の駆動方式に対応した画素駆動回路と、発光素子と、を有していてもよい。
前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることが好ましい。
According to a second aspect of the present invention, in the light emitting device according to the first aspect, the control circuit is disposed in an area of the second substrate corresponding to the display area of the first substrate. It is characterized by.
According to a third aspect of the present invention, in the light emitting device according to the first or second aspect, the distance between the first substrate and the second substrate is a distance between the plurality of connection pads on the second substrate. It is characterized by being set smaller than the distance.
According to a fourth aspect of the present invention, in the light emitting device according to any one of the first to third aspects, a separation distance between the first substrate and the second substrate is set smaller than a height of the control circuit. It is characterized by being.
According to a fifth aspect of the present invention, in the light emitting device according to any one of the first to fourth aspects, the plurality of signal lines are applied with at least a plurality of selection signals for setting the display pixels in a selected state. And a plurality of data lines to which display data for driving the display pixels in a predetermined display state is supplied.
In a sixth aspect of the present invention, in the light emitting device according to any one of the first to fifth aspects, the second substrate is electrically connected to the outside of the second substrate on the other surface side. A plurality of external connection pads, and a plurality of external connection wirings for individually connecting the plurality of external connection pads and the control circuit.
The display pixel may include a pixel driving circuit corresponding to an active matrix driving method and a light emitting element.
The light emitting element is preferably an organic electroluminescence element.

請求項7記載の発明に係る発光装置の製造方法は、表示領域に複数の表示画素が配列され、該表示領域の外周に前記表示画素の各々に接続された複数の信号線の端部が露出する第1の基板に対向するためであって、且つ、前記第1の基板と同一の外形形状及び外形寸法を有する第2の基板の一面側に、前記複数の信号線の端部に対応するように配列された複数の接続パッドを形成する工程と、
前記第2の基板の前記一面側から他面側に貫通する複数のスルーホールを形成する工程と、
前記第2の基板の前記他面側に、前記複数のスルーホールを介して、一端側が前記複数の接続パッドの各々に接続された複数の接続配線を形成する工程と、
前記複数の接続配線の他端側に制御回路を接続する工程と、
接合部材を用いて、前記第1の基板と前記第2の基板の全周の端部が相互に整合するように、前記第1の基板と前記第2の基板とを接合するとともに、前記複数の信号線の端部と前記複数の接続パッドとを電気的に個別に接続する工程と、
を含むことを特徴とする。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a light emitting device, wherein a plurality of display pixels are arranged in a display region, and ends of a plurality of signal lines connected to each of the display pixels are exposed on the outer periphery of the display region Corresponding to the end portions of the plurality of signal lines on the one surface side of the second substrate having the same outer shape and outer dimensions as the first substrate. Forming a plurality of connection pads arranged in such a manner;
Forming a plurality of through holes penetrating from the one surface side to the other surface side of the second substrate;
Forming a plurality of connection wirings having one end connected to each of the plurality of connection pads on the other surface side of the second substrate via the plurality of through holes;
Connecting a control circuit to the other end of the plurality of connection wires;
Using the bonding member, the first substrate and the second substrate are bonded so that end portions of the entire circumference of the first substrate and the second substrate are aligned with each other, and the plurality Electrically connecting the ends of the signal lines and the plurality of connection pads individually;
It is characterized by including.

請求項8記載の発明は、請求項7記載の発光装置の製造方法において、前記第1の基板と前記第2の基板とを接合する際の、前記第1の基板と前記第2の基板の離間距離は、前記第2の基板における前記複数の接続パッド相互の離間距離よりも小さく設定されていることを特徴とする。   According to an eighth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a light emitting device according to the seventh aspect, the first substrate and the second substrate are bonded when the first substrate and the second substrate are bonded. The separation distance is set to be smaller than the separation distance between the plurality of connection pads on the second substrate.

本発明に係る発光装置及びその製造方法によれば、狭額縁化が可能なパネル構造が可能となる。   According to the light emitting device and the manufacturing method thereof according to the present invention, a panel structure capable of narrowing the frame becomes possible.

本発明に係る発光装置の第1の実施形態を示す概略構成図である。1 is a schematic configuration diagram illustrating a first embodiment of a light emitting device according to the present invention. 本実施形態に係る発光装置に適用される画素アレイ基板の一例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the pixel array substrate applied to the light-emitting device concerning this embodiment. 本実施形態に係る発光装置に適用される対向基板の一例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows an example of the opposing board | substrate applied to the light-emitting device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る表示パネルに2次元配列される表示画素の回路構成例を示す等価回路図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram illustrating a circuit configuration example of display pixels that are two-dimensionally arranged on the display panel according to the embodiment. 比較対象に係る発光装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the light-emitting device which concerns on a comparison object. 比較対象に係る発光装置に適用される画素アレイ基板の一例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the pixel array board | substrate applied to the light-emitting device which concerns on a comparison object. 本実施形態に係る複数の発光装置をタイリングディスプレイに適用した場合の一例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows an example at the time of applying the several light-emitting device which concerns on this embodiment to a tiling display. 本発明に係る発光装置の第2の実施形態に適用される対向基板の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the opposing board | substrate applied to 2nd Embodiment of the light-emitting device which concerns on this invention. 本発明に係る発光装置の第3の実施形態を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows 3rd Embodiment of the light-emitting device which concerns on this invention. 本実施形態に係る発光装置に適用される画素アレイ基板の一例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the pixel array substrate applied to the light-emitting device concerning this embodiment. 本実施形態に係る発光装置に適用される対向基板の一例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the opposing board | substrate applied to the light-emitting device which concerns on this embodiment.

以下、本発明に係る発光装置及びその製造方法について、実施形態を示して詳しく説明する。
<第1の実施形態>
(発光装置)
まず、本発明に係る発光装置に適用されるパネル構造について説明する。
Hereinafter, a light emitting device and a manufacturing method thereof according to the present invention will be described in detail with reference to embodiments.
<First Embodiment>
(Light emitting device)
First, the panel structure applied to the light emitting device according to the present invention will be described.

図1は、本発明に係る発光装置の第1の実施形態を示す概略構成図である。図1(a)は、本実施形態に係る発光装置を背面側(反視野側)から見た概略平面図であり、図1(b)は、本実施形態に係る発光装置の概略側断面図である。   FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a first embodiment of a light emitting device according to the present invention. FIG. 1A is a schematic plan view of the light emitting device according to the present embodiment as viewed from the back side (counter view side), and FIG. 1B is a schematic side sectional view of the light emitting device according to the present embodiment. It is.

また、図2は、本実施形態に係る発光装置に適用される画素アレイ基板の一例を示す概略平面図である。ここで、図2は、本実施形態に係る発光装置に適用される画素アレイ基板を、対向基板との接合面側から見た(すなわち、図1(b)に示したIIA−IIA線に沿って矢視した)概略平面図である。なお、本明細書においては図1中に示したローマ数字の「2」に対応する記号として便宜的に「II」を用いる。また、図2に示す平面図においては、説明の都合上、絶縁性基板上に配設される各配線層と表示領域、周縁部との関係のみを示し、各表示画素に設けられる発光素子(有機EL素子)、及び、該発光素子を発光駆動するための画素駆動回路(後述する図4参照)の表示を省略した。   FIG. 2 is a schematic plan view showing an example of a pixel array substrate applied to the light emitting device according to this embodiment. Here, FIG. 2 shows the pixel array substrate applied to the light emitting device according to the present embodiment as viewed from the side of the joint surface with the counter substrate (that is, along the line IIA-IIA shown in FIG. 1B). It is a schematic plan view). In this specification, “II” is used for convenience for the symbol corresponding to the Roman numeral “2” shown in FIG. In the plan view shown in FIG. 2, for convenience of explanation, only the relationship between each wiring layer provided on the insulating substrate, the display region, and the peripheral portion is shown, and a light emitting element ( The display of an organic EL element) and a pixel driving circuit (see FIG. 4 described later) for driving the light emitting element to emit light is omitted.

また、図3は、本実施形態に係る発光装置に適用される対向基板の一例を示す概略構成図である。ここで、図3(a)は、本実施形態に係る発光装置に適用される対向基板の概略断面図(すなわち、図1(a)に示したIIIB−IIIB線に沿った断面を示す概略断面図)であり、図3(b)は、本実施形態に係る発光装置に適用される対向基板を、画素アレイ基板との接合面側から見た(すなわち、図1(b)に示したIIIC−IIIC線に沿って矢視した)概略平面図である。なお、本明細書においては図1中に示したローマ数字の「3」に対応する記号として便宜的に「III」を用いる。また、図2、図3(b)においては、画素アレイ基板及び対向基板を接合するための接着剤が設けられる領域を明瞭にするために、便宜的にハッチングを施して示した。   FIG. 3 is a schematic configuration diagram illustrating an example of a counter substrate applied to the light emitting device according to the present embodiment. Here, FIG. 3A is a schematic cross-sectional view of a counter substrate applied to the light emitting device according to the present embodiment (that is, a schematic cross-section showing a cross section taken along line IIIB-IIIB shown in FIG. 1A). FIG. 3B shows the counter substrate applied to the light emitting device according to the present embodiment as viewed from the side of the joint surface with the pixel array substrate (that is, the IIIC shown in FIG. 1B). FIG. 3 is a schematic plan view taken along the line -IIIC. In this specification, “III” is used as a symbol corresponding to the Roman numeral “3” shown in FIG. In FIG. 2 and FIG. 3B, hatching is shown for convenience in order to clarify the region where the adhesive for bonding the pixel array substrate and the counter substrate is provided.

本実施形態に係る発光装置(表示パネル)は、図1(a)〜(c)に示すように、画素アレイ基板(第1の基板)10と、対向基板(第2の基板)20と、を有している。画素アレイ基板10と対向基板20とは、異方導電性接着剤(又は、異方性導電コネクタ付シール材;接合部材)等のシール材BNDを介して対向するように接合されることによって相互に電気的に接続されているとともに対向面同士が所定の間隔で離間している。ここで、図1(a)、(b)に示すように、画素アレイ基板10の絶縁性基板11と対向基板20の絶縁性基板21は、各々、矩形状の平面形状を有する平行平板であって、外形形状及び外形寸法が、同一又は略同一に設定され、かつ、絶縁性基板21と絶縁性基板11の四辺(すなわち全周の端部)が整合するように、接合されている。   As shown in FIGS. 1A to 1C, a light emitting device (display panel) according to the present embodiment includes a pixel array substrate (first substrate) 10, a counter substrate (second substrate) 20, and have. The pixel array substrate 10 and the counter substrate 20 are bonded together so as to face each other via a sealing material BND such as an anisotropic conductive adhesive (or a sealing material with an anisotropic conductive connector; a bonding member). The opposing surfaces are spaced apart from each other at a predetermined interval. Here, as shown in FIGS. 1A and 1B, the insulating substrate 11 of the pixel array substrate 10 and the insulating substrate 21 of the counter substrate 20 are parallel flat plates each having a rectangular planar shape. Thus, the outer shape and the outer dimension are set to be the same or substantially the same, and the insulating substrate 21 and the insulating substrate 11 are joined so that the four sides (that is, end portions of the entire circumference) are aligned.

画素アレイ基板10は、図1(b)、図2に示すように、ガラス等の絶縁性基板11からなり、対向基板20との接合面側(以下、便宜的に「一面側」と記す)に、表示領域12が設けられている。また、表示領域12の外周には、後述するシール材BNDが設けられる周縁部が設定されている。   As shown in FIGS. 1B and 2, the pixel array substrate 10 is made of an insulating substrate 11 such as glass, and is bonded to the counter substrate 20 (hereinafter referred to as “one side” for convenience). In addition, a display area 12 is provided. Further, on the outer periphery of the display area 12, a peripheral edge where a seal material BND described later is provided is set.

表示領域12には、例えば有機EL素子等の発光素子を備えた複数の表示画素PIXがマトリックス状に2次元配列され、各表示画素PIXの発光素子を発光駆動するための制御信号や表示データ、電源電圧等を供給するための信号線が、表示画素PIXの配列に対応して、表示領域12の行方向及び列方向に配列されている。なお、図1(b)において、後述する画素駆動回路DC、走査ラインLs及び電源電圧ラインLaの記載を省略している。   In the display area 12, for example, a plurality of display pixels PIX having light emitting elements such as organic EL elements are two-dimensionally arranged in a matrix, and control signals and display data for driving the light emitting elements of the display pixels PIX to emit light, Signal lines for supplying a power supply voltage and the like are arranged in the row direction and the column direction of the display region 12 corresponding to the arrangement of the display pixels PIX. In FIG. 1B, description of a pixel drive circuit DC, a scanning line Ls, and a power supply voltage line La, which will be described later, is omitted.

具体的には、図2の上下方向(行方向)に、走査ラインLs及び電源電圧ラインLaが配設され、図面左右方向(列方向)に、データラインLdが配設されている。走査ラインLs(或いは電源電圧ラインLa)と、データラインLdとの各交点には、有機EL素子等の発光素子を備えた表示画素PIXが設けられている。走査ラインLsには、後述するように、各行の表示画素PIXを選択状態に設定するための選択信号が印加される。また、電源電圧ラインLaには、後述するように、各行の表示画素PIXの発光素子を発光動作させるための電源電圧(例えばアノード電圧)Vddが印加される。データラインLdには、後述するように、各列の表示画素PIXの発光素子を所望の輝度で発光動作させるための表示データ(例えば階調電圧)が印加される。なお、表示画素PIXの詳細、及び、表示画素PIXと各信号線の関係については、詳しく後述する。   Specifically, scanning lines Ls and power supply voltage lines La are arranged in the vertical direction (row direction) in FIG. 2, and data lines Ld are arranged in the horizontal direction (column direction) in the drawing. At each intersection of the scanning line Ls (or power supply voltage line La) and the data line Ld, a display pixel PIX including a light emitting element such as an organic EL element is provided. As will be described later, a selection signal for setting the display pixel PIX in each row to a selected state is applied to the scanning line Ls. Further, as will be described later, a power supply voltage (for example, an anode voltage) Vdd for causing the light emitting elements of the display pixels PIX in each row to emit light is applied to the power supply voltage line La. As will be described later, display data (for example, gradation voltage) for causing the light emitting elements of the display pixels PIX in each column to emit light with a desired luminance is applied to the data line Ld. The details of the display pixel PIX and the relationship between the display pixel PIX and each signal line will be described in detail later.

一方、表示領域12の外周に設定された周縁部には、上述した各信号線(走査ラインLs及び電源電圧ラインLa、データラインLd)の一端側の端部が露出され、シール材BNDと部分的に重なることによってシール材BNDを介して対向基板20側と電気的に接続される。   On the other hand, at the peripheral edge set on the outer periphery of the display region 12, the end portions on one end side of each of the signal lines (scanning line Ls, power supply voltage line La, and data line Ld) are exposed, and the seal material BND and the part are exposed. By overlapping, the counter substrate 20 side is electrically connected through the sealing material BND.

具体的には、図2に示すように、絶縁性基板11の上方の周縁部には、各行の走査ラインLsの端部が延在して設けられている。また、絶縁性基板11の下方の周縁部には、各行の電源電圧ラインLaの端部が延在して設けられている。また、絶縁性基板11の左方の周縁部には、各列のデータラインLdの端部が延在して設けられている。ここで、各走査ラインLs相互及び各電源電圧ラインLa相互、各データラインLd相互は、所定のピッチを有して配列されている。なお、各信号線の端部は、各信号線の幅より幅広な接続パッドが設けられているものであってもよい。この場合、接続パッドは、隣接する接続パッド同士が短絡しないように偶数行(或いは偶数列)、奇数行(或いは奇数列)で千鳥配列になっていることが好ましい。   Specifically, as shown in FIG. 2, the edge of the scanning line Ls of each row is provided to extend at the peripheral edge above the insulating substrate 11. In addition, at the lower peripheral portion of the insulating substrate 11, end portions of the power supply voltage lines La of the respective rows are provided so as to extend. Further, the end of the data line Ld of each column is provided to extend to the left peripheral edge of the insulating substrate 11. Here, the scanning lines Ls, the power supply voltage lines La, and the data lines Ld are arranged with a predetermined pitch. Note that the end of each signal line may be provided with a connection pad wider than the width of each signal line. In this case, the connection pads are preferably staggered in even rows (or even columns) and odd rows (or odd columns) so that adjacent connection pads do not short-circuit.

また、画素アレイ基板10の周縁部と対向基板20との間に介在するシール材BNDは、基板相互を接着固定して封着するためのバインダー(接着溶剤)中に、各信号線(走査ラインLs及び電源電圧ラインLa、データラインLd)の端部と、後述する対向基板20側の接続パッドとを電気的に接続するための導電フィラー(導電性粒子)CFLが均一に分散された、市販の接着剤を適用することができる。ここで、シール材BNDは、絶縁性基板11上に印刷可能なペーストタイプや塗布可能な液状タイプ、薄膜状のフィルムタイプ等の態様や、熱及び圧力によりバインダーを固化させるタイプや紫外線等を照射して固化させるタイプ等の固化方法から、製造プロセス等に応じて適切なものを選択することができる。具体的には、シール材BNDとして、ニッケルまたは金メッキされたニッケル等の微粒子、もしくは金メッキされたアクリル系またはポリスチレン系等樹脂等の微粒子が、エポキシ系または合成ゴム系樹脂等のバインダー中に分散された異方性導電性ペーストを用いることができる。例えば藤倉化成株式会社の「ドータイト」シリーズや株式会社スリーボンドの「ThreeBond3373」等を良好に適用することができる。   In addition, the sealing material BND interposed between the peripheral edge of the pixel array substrate 10 and the counter substrate 20 is connected to each signal line (scanning line) in a binder (adhesive solvent) for bonding and fixing the substrates together. A conductive filler (conductive particle) CFL for electrically connecting the ends of Ls, the power supply voltage line La, and the data line Ld) and a connection pad on the counter substrate 20 described later is uniformly distributed. The adhesive can be applied. Here, the sealing material BND is irradiated with a paste type that can be printed on the insulating substrate 11, a liquid type that can be applied, a thin film type, a type that solidifies the binder by heat and pressure, or ultraviolet rays. From the solidification method such as the type to be solidified, an appropriate one can be selected according to the manufacturing process. Specifically, as the sealing material BND, fine particles such as nickel or gold-plated nickel, or gold-plated acrylic or polystyrene resin or the like are dispersed in a binder such as an epoxy or synthetic rubber resin. An anisotropic conductive paste can be used. For example, “Dotite” series by Fujikura Kasei Co., Ltd., “ThreeBond 3373” by ThreeBond Co., Ltd., etc. can be applied satisfactorily.

対向基板20は、図1(a)、図3(a)、(b)に示すように、ガラス基板や樹脂基板等の絶縁性基板21からなり、画素アレイ基板10との接合面側(以下、便宜的に「一面側」と記す)に、画素アレイ接続パッド22s、22a、22dが設けられている。また、対向基板20の他面側(接合面の反対面側;発光装置の背面側に相当する)に、引き回し配線(接続配線)23s、23a、23dと、引き回し配線(外部接続配線)25と、外部回路接続パッド(外部接続パッド)24と、ICチップ(制御回路、集積回路)26と、が設けられている。また、絶縁性基板21には、一面側から他面側に貫通し、各画素アレイ接続パッド22s、22a、22dに各引き回し配線23s、23a、23dの端部を個別に接続するため複数のスルーホール27が設けられている。   The counter substrate 20 is made of an insulating substrate 21 such as a glass substrate or a resin substrate, as shown in FIGS. 1A, 3A, and 3B. The pixel array connection pads 22s, 22a, and 22d are provided on the “one side” for convenience. Further, on the other side of the counter substrate 20 (on the opposite side of the bonding surface; corresponding to the back side of the light emitting device), routing wirings (connection wirings) 23s, 23a, 23d, routing wirings (external connection wirings) 25, An external circuit connection pad (external connection pad) 24 and an IC chip (control circuit, integrated circuit) 26 are provided. The insulating substrate 21 penetrates from one surface side to the other surface side, and has a plurality of through holes for individually connecting the end portions of the lead wirings 23s, 23a, and 23d to the pixel array connection pads 22s, 22a, and 22d. A hole 27 is provided.

引き回し配線23s、23a、23d、25は、例えば薄膜配線により構成されている。引き回し配線23s、23a、23dはそれぞれ、図1(a)、図3(a)、(b)に示すように、一端側が、絶縁性基板21の周縁部において、絶縁性基板21を貫通して設けられた各スルーホール27を介して、絶縁性基板21の一面側に設けられた画素アレイ接続パッド22s、22a、22dに接続され、他端側が、絶縁性基板21の他面(絶縁性基板21の一面と反対の面)側に搭載されたICチップ26の接続端子に接続されている。つまり、引き回し配線23sの端部のピッチPt1と、画素アレイ接続パッド22sのピッチPsとが同一又は略同一の長さに設定され、引き回し配線23aの端部のピッチPt2と、画素アレイ接続パッド22aのピッチPaとが同一又は略同一の長さに設定され、引き回し配線23dの端部のピッチPt3と、画素アレイ接続パッド22dのピッチPdとが同一又は略同一の長さに設定されている。また、引き回し配線25は、一端側が、ICチップ26の接続端子に接続され、他端側が、外部回路接続パッド24に接続されている。   The routing wirings 23s, 23a, 23d, and 25 are constituted by thin film wirings, for example. As shown in FIGS. 1 (a), 3 (a), and 3 (b), one end side of each of the routing wirings 23s, 23a, and 23d penetrates the insulating substrate 21 at the peripheral portion of the insulating substrate 21. It is connected to the pixel array connection pads 22s, 22a, 22d provided on one surface side of the insulating substrate 21 through the provided through holes 27, and the other end side is connected to the other surface of the insulating substrate 21 (insulating substrate). 21 is connected to the connection terminal of the IC chip 26 mounted on the side opposite to the one surface. That is, the pitch Pt1 at the end of the routing wiring 23s and the pitch Ps of the pixel array connection pad 22s are set to the same or substantially the same length, and the pitch Pt2 at the end of the routing wiring 23a and the pixel array connection pad 22a. The pitch Pa is set to the same or substantially the same length, and the pitch Pt3 at the end of the lead wiring 23d and the pitch Pd of the pixel array connection pad 22d are set to the same or substantially the same length. Further, one end side of the routing wiring 25 is connected to the connection terminal of the IC chip 26, and the other end side is connected to the external circuit connection pad 24.

画素アレイ接続パッド22s、22a、22dは、図3(b)に示すように、対向基板20を構成する絶縁性基板21の周縁部であって、画素アレイ基板10との接合の際にシール材BNDが介在する領域に配列される。ここで、絶縁性基板21の周縁部は、上記の画素アレイ基板10の絶縁性基板11が接合される領域(以下「接合領域」と記す)の周縁部に相当する。   As shown in FIG. 3B, the pixel array connection pads 22s, 22a, and 22d are peripheral portions of the insulating substrate 21 constituting the counter substrate 20, and are sealed when bonded to the pixel array substrate 10. Arranged in the region where BND is interposed. Here, the peripheral portion of the insulating substrate 21 corresponds to a peripheral portion of a region (hereinafter referred to as “joining region”) to which the insulating substrate 11 of the pixel array substrate 10 is bonded.

また、画素アレイ接続パッド22s、22a、22dはそれぞれ、上記の画素アレイ基板10の周縁部に、一端側が延在して配列された走査ラインLs及び電源電圧ラインLa、データラインLdの各端部との間で、シール材BND中の導電フィラーCFLを介して電気的に個別に接続されるように、所定のピッチを有し、かつ、相互に対応する位置に配列されている。すなわち、対向基板20に配列される画素アレイ接続パッド22sのピッチPsと、画素アレイ基板10の周縁部に配列される走査ラインLsのピッチは、同一又は略同一の長さに設定され、画素アレイ接続パッド22aのピッチPaと、画素アレイ基板10の周縁部に配列される電源電圧ラインLaのピッチは、同一又は略同一の長さに設定され、画素アレイ接続パッド22dのピッチPdと、画素アレイ基板10の周縁部に配列されるデータラインLdのピッチは、同一又は略同一の長さに設定されている。より好ましくはさらに、ピッチPs、ピッチPa、ピッチPdが同一又は略同一の長さに設定されている。また、画素アレイ接続パッド22s、22a、22dとICチップ26とを接続する引き回し配線23s、23a、23dは、図1(a)、図3(a)に示すように、対向基板20を構成する絶縁性基板21の他面側であって、例えば画素アレイ基板10の表示領域12に対応する領域の内部に配設されている。   Further, the pixel array connection pads 22s, 22a, and 22d are respectively end portions of the scanning line Ls, the power supply voltage line La, and the data line Ld that are arranged so that one end side extends to the peripheral portion of the pixel array substrate 10 described above. And a predetermined pitch and arranged at positions corresponding to each other so as to be electrically connected individually via the conductive filler CFL in the sealing material BND. That is, the pitch Ps of the pixel array connection pads 22s arranged on the counter substrate 20 and the pitch of the scanning lines Ls arranged on the peripheral edge of the pixel array substrate 10 are set to the same or substantially the same length. The pitch Pa of the connection pads 22a and the pitch of the power supply voltage lines La arranged on the periphery of the pixel array substrate 10 are set to the same or substantially the same length, and the pitch Pd of the pixel array connection pads 22d and the pixel array The pitch of the data lines Ld arranged on the peripheral edge of the substrate 10 is set to the same or substantially the same length. More preferably, the pitch Ps, the pitch Pa, and the pitch Pd are set to the same or substantially the same length. Further, the lead wirings 23s, 23a, and 23d that connect the pixel array connection pads 22s, 22a, and 22d and the IC chip 26 constitute the counter substrate 20 as shown in FIGS. 1 (a) and 3 (a). On the other surface side of the insulating substrate 21, for example, is disposed in an area corresponding to the display area 12 of the pixel array substrate 10.

また、外部回路接続パッド24は、図1(a)に示すように、対向基板20を構成する絶縁性基板21の他面側であって、例えば画素アレイ基板10の表示領域12に対応する領域の内部に配列されている。ここで、外部回路接続パッド24は、発光装置の外部に設けられる制御回路や電源回路等(いずれも図示を省略)と電気的に個別に接続されるように、所定のピッチを有して配列されている。なお、外部回路接続パッド24は、絶縁性基板21の他面側であって、例えば上記画素アレイ接続パッド22s、22a、22dが配列されていない辺の絶縁性基板21の周縁部(すなわち図面右辺側の周縁部)や、その近傍に配列されているものであってもよい。外部回路接続パッド24は、図示しない外部回路に接続されたフレキシブル配線基板の各配線に接続されている。   Further, as shown in FIG. 1A, the external circuit connection pad 24 is on the other surface side of the insulating substrate 21 constituting the counter substrate 20, for example, a region corresponding to the display region 12 of the pixel array substrate 10. Is arranged inside. Here, the external circuit connection pads 24 are arranged with a predetermined pitch so as to be electrically connected individually to a control circuit, a power supply circuit, etc. (all of which are not shown) provided outside the light emitting device. Has been. The external circuit connection pad 24 is on the other surface side of the insulating substrate 21, and for example, the peripheral portion of the insulating substrate 21 on the side where the pixel array connection pads 22s, 22a, 22d are not arranged (that is, the right side of the drawing). Side peripheral part) or the vicinity thereof. The external circuit connection pad 24 is connected to each wiring of the flexible wiring board connected to an external circuit (not shown).

また、ICチップ26は、既存かつ市販されている(汎用の)ICチップの形態を有する集積回路であって、図1(a)、図3(a)、(b)に示すように、対向基板20を構成する絶縁性基板21の他面側であって、画素アレイ基板10の表示領域12に対応する領域の内部に配置されている。ICチップ26は、例えば、上記の外部回路接続パッド24及び引き回し配線25を介して外部回路から印加される制御信号や電源電圧等に基づいて、各種信号や駆動電圧等を生成し、引き回し配線23s、23a、23d、スルーホール27内の引き回し配線23s、23a、23d及び画素アレイ接続パッド22s、22a、22d、シール材BNDを介して、画素アレイ基板10に配設された走査ラインLs及び電源電圧ラインLa、データラインLdに印加するドライバ回路の機能を有している。   Further, the IC chip 26 is an integrated circuit having the form of an existing and commercially available (general purpose) IC chip, as shown in FIGS. 1 (a), 3 (a), and 3 (b). It is disposed on the other surface side of the insulating substrate 21 constituting the substrate 20 and in the region corresponding to the display region 12 of the pixel array substrate 10. The IC chip 26 generates various signals, drive voltages, and the like based on a control signal, a power supply voltage, and the like applied from an external circuit via the external circuit connection pad 24 and the routing wiring 25, for example, and leads the wiring 23s. , 23a, 23d, the wiring lines 23s, 23a, 23d in the through hole 27, the pixel array connection pads 22s, 22a, 22d, and the sealing material BND, and the scanning line Ls disposed on the pixel array substrate 10 and the power supply voltage The driver circuit functions to be applied to the line La and the data line Ld.

そして、本実施形態に係る発光装置においては、画素アレイ基板10と対向基板20とを接合する際の離間距離(基板間ギャップ)Gが、画素アレイ接続パッド22s、22a、22dにおける隣接するパッド相互の離間距離(端子間スペース)Sよりも小さくなるように設定されている。具体的には、画素アレイ基板10と対向基板20の基板間ギャップGは、例えば5μm以下に設定され、一方、隣接する各画素アレイ接続パッド22s、22a、22d相互の端子間スペースSは、例えば120μm以下に設定される。   In the light emitting device according to the present embodiment, the separation distance (inter-substrate gap) G when the pixel array substrate 10 and the counter substrate 20 are joined is equal to each other in the pixel array connection pads 22s, 22a, and 22d. Is set to be smaller than the separation distance (inter-terminal space) S. Specifically, the inter-substrate gap G between the pixel array substrate 10 and the counter substrate 20 is set to, for example, 5 μm or less, while the inter-terminal space S between the adjacent pixel array connection pads 22s, 22a, and 22d is, for example, It is set to 120 μm or less.

これによれば、上記基板間ギャップGよりも大きく、かつ、上記端子間スペースSよりも小さい粒径を有する導電フィラーCFLを含むシール材BNDを用いて、画素アレイ基板10と対向基板20を良好に接合することができる。すなわち、このような条件を満たす導電フィラーCFLを含むシール材BNDを用いることにより、各画素アレイ接続パッド22s、22a、22d相互の短絡を防止しつつ、画素アレイ基板10と対向基板20間の電気的な接続と、所望の基板間ギャップGを良好に実現することができる。また、画素アレイ基板10と対向基板20とを接合する際の離間距離(基板間ギャップ)Gは、対向基板20の他面側に設けられるICチップ26の高さより短く設定されている。このため、ICチップ26として、比較的厚みの大きい市販品(汎用品)を良好に適用することができ、またICチップ26以外の発光装置を薄型にすることができ、全体的に装置を小型化できる。   According to this, the pixel array substrate 10 and the counter substrate 20 are excellent using the sealing material BND including the conductive filler CFL having a particle size larger than the inter-substrate gap G and smaller than the inter-terminal space S. Can be joined. That is, by using the sealing material BND including the conductive filler CFL that satisfies such conditions, the electrical connection between the pixel array substrate 10 and the counter substrate 20 can be prevented while preventing the pixel array connection pads 22s, 22a, and 22d from being short-circuited. Connection and a desired inter-substrate gap G can be realized satisfactorily. Further, a separation distance (inter-substrate gap) G when the pixel array substrate 10 and the counter substrate 20 are bonded is set to be shorter than the height of the IC chip 26 provided on the other surface side of the counter substrate 20. For this reason, a commercially available product (general-purpose product) having a relatively large thickness can be satisfactorily applied as the IC chip 26, and the light emitting device other than the IC chip 26 can be made thin, so that the device is small overall. Can be

(表示画素)
次に、本実施形態に係る発光装置に適用可能な表示画素の具体例について説明する。
図4は、本実施形態に係る表示パネルに2次元配列される表示画素の回路構成例を示す等価回路図である。図4(a)は、2個のトランジスタと1個のキャパシタからなる画素駆動回路を有する表示画素の回路構成例であり、図4(b)は、3個のトランジスタと1個のキャパシタからなる画素駆動回路を有する表示画素の回路構成例である。
(Display pixel)
Next, specific examples of display pixels applicable to the light emitting device according to this embodiment will be described.
FIG. 4 is an equivalent circuit diagram showing a circuit configuration example of display pixels that are two-dimensionally arranged on the display panel according to the present embodiment. FIG. 4A is a circuit configuration example of a display pixel having a pixel driving circuit composed of two transistors and one capacitor, and FIG. 4B is composed of three transistors and one capacitor. 3 is a circuit configuration example of a display pixel having a pixel driving circuit.

図4(a)、(b)に示すように、表示画素PIXは、画素駆動回路DCと有機EL素子(発光素子)OELとを備えている。画素駆動回路DCは、複数のトランジスタ(例えばアモルファスシリコン薄膜トランジスタTFT等)を備えた回路構成を有している。また、有機EL素子OELは、画素駆動回路DCにより制御される発光駆動電流がアノード端子に供給されることにより発光動作する。   As shown in FIGS. 4A and 4B, the display pixel PIX includes a pixel drive circuit DC and an organic EL element (light emitting element) OEL. The pixel drive circuit DC has a circuit configuration including a plurality of transistors (for example, amorphous silicon thin film transistors TFT). The organic EL element OEL emits light when a light emission drive current controlled by the pixel drive circuit DC is supplied to the anode terminal.

(構成例1)
図4(a)に示す画素駆動回路DCは、具体的には、トランジスタTr11、Tr12と、キャパシタCsとを備えている。トランジスタTr11は、ゲート端子が表示領域12の行方向(図2においては図面上下方向に相当する)に配設された走査ラインLsに接続され、また、ドレイン端子が表示領域12の列方向(図2においては図面左右方向に相当する)に配設されたデータラインLdに接続され、また、ソース端子が接点N11に接続されている。トランジスタTr12は、ゲート端子が接点N11に接続され、ドレイン端子が行方向(図2においては図面上下方向に相当する)に配設された電源電圧ラインLaに接続され、ソース端子が接点N12に接続されている。キャパシタCsは、トランジスタTr12のゲート端子(接点N11)及びソース端子(接点N12)間に接続されている。
(Configuration example 1)
Specifically, the pixel drive circuit DC illustrated in FIG. 4A includes transistors Tr11 and Tr12 and a capacitor Cs. The transistor Tr11 has a gate terminal connected to a scanning line Ls arranged in the row direction of the display region 12 (corresponding to the vertical direction in FIG. 2), and a drain terminal in the column direction of the display region 12 (FIG. 2 corresponds to the data line Ld disposed in the horizontal direction of the drawing), and the source terminal is connected to the contact N11. The transistor Tr12 has a gate terminal connected to the contact N11, a drain terminal connected to the power supply voltage line La arranged in the row direction (corresponding to the vertical direction in FIG. 2), and a source terminal connected to the contact N12. Has been. The capacitor Cs is connected between the gate terminal (contact N11) and the source terminal (contact N12) of the transistor Tr12.

また、有機EL素子OELは、アノード端子(アノード電極)が上記画素駆動回路DCの接点N12に接続され、カソード端子(カソード電極)が例えば所定の低電位電源(基準電圧Vss;例えば接地電位Vgnd)に直接又は間接的に接続されている。   The organic EL element OEL has an anode terminal (anode electrode) connected to the contact N12 of the pixel drive circuit DC and a cathode terminal (cathode electrode), for example, a predetermined low potential power supply (reference voltage Vss; for example, ground potential Vgnd). Connected directly or indirectly.

走査ラインLs及びデータラインLdは、図2に示したように、各々の一方の端部が絶縁性基板11の周縁部にまで延在するように形成されている。そして、図1に示したように、当該周縁部において、シール材BND、対向基板20側に設けられた画素アレイ接続パッド22s、22d、スルーホール27内の引き回し配線23s、23d、及び、絶縁性基板21の他面上の引き回し配線23s、23dを介して、ICチップ26に接続されている。   As shown in FIG. 2, the scanning line Ls and the data line Ld are formed so that one end of each of them extends to the peripheral edge of the insulating substrate 11. As shown in FIG. 1, at the peripheral portion, the sealing material BND, the pixel array connection pads 22s and 22d provided on the counter substrate 20 side, the routing wirings 23s and 23d in the through hole 27, and the insulating property The wiring is connected to the IC chip 26 via routing wires 23 s and 23 d on the other surface of the substrate 21.

ここで、本構成例におけるICチップ26は、例えば走査ドライバの機能を有し、所定のタイミングで各行の走査ラインLsに対して選択信号(選択電圧)Vselを印加する。これにより、画素アレイ基板10に配列された各行の表示画素PIXが、順次選択状態に設定される。また、ICチップ26は、例えばデータドライバとしての機能も有し、所定のタイミングで各列のデータラインLdに対して表示データに応じた階調信号(階調電圧)Vdataを印加する。これにより、各行の表示画素PIXの選択状態に同期するタイミングで、表示データが書き込まれる。   Here, the IC chip 26 in this configuration example has a function of, for example, a scanning driver, and applies a selection signal (selection voltage) Vsel to the scanning line Ls of each row at a predetermined timing. Thereby, the display pixels PIX in each row arranged on the pixel array substrate 10 are sequentially set to the selected state. The IC chip 26 also has a function as a data driver, for example, and applies a gradation signal (gradation voltage) Vdata corresponding to display data to the data line Ld of each column at a predetermined timing. Thereby, the display data is written at a timing synchronized with the selection state of the display pixel PIX in each row.

また、電源電圧ラインLaも、走査ラインLsやデータラインLdと同様に、図2に示したように、一方の端部が絶縁性基板11の周縁部にまで延在するように形成されている。そして、図1に示したように、当該周縁部において、シール材BND、対向基板20側に設けられた画素アレイ接続パッド22a、スルーホール27内の引き回し配線23a、及び、絶縁性基板21の他面上の引き回し配線23aを介して、上記ICチップ26を経由して、又は、直接外部回路接続パッド24に接続されている。電源電圧ラインLaが接続された外部回路接続パッド24は、例えば所定の高電位電源に直接又は間接的に接続されている。なお、電源電圧ラインLaは、ICチップ26を介することなしに、シール材BND、対向基板20側に設けられた画素アレイ接続パッド22a、スルーホール27内の引き回し配線、スルーホール27と外部回路接続パッド24とを直接接続する引き回し配線を介して外部回路接続パッド24と接続してもよい。   Similarly to the scanning line Ls and the data line Ld, the power supply voltage line La is also formed so that one end thereof extends to the peripheral edge of the insulating substrate 11 as shown in FIG. . As shown in FIG. 1, in addition to the sealing material BND, the pixel array connection pad 22 a provided on the counter substrate 20 side, the routing wiring 23 a in the through hole 27, and the insulating substrate 21 at the peripheral portion. It is connected to the external circuit connection pad 24 via the IC chip 26 or directly through the wiring 23a on the surface. The external circuit connection pad 24 to which the power supply voltage line La is connected is directly or indirectly connected to, for example, a predetermined high potential power supply. The power supply voltage line La is connected to the sealing material BND, the pixel array connection pad 22a provided on the counter substrate 20 side, the lead-out wiring in the through hole 27, the through hole 27 and the external circuit without passing through the IC chip 26. You may connect with the external circuit connection pad 24 through the lead wiring which connects the pad 24 directly.

ここで、電源電圧ラインLaには、各表示画素PIXに設けられる有機EL素子OELのアノード端子(アノード電極)に、上記の表示データに応じた発光駆動電流を流すための所定の電圧が印加される。この電圧は、有機EL素子OELのカソード端子(カソード電極に印加される基準電圧Vss(例えば接地電位Vgnd)より電位の高い、一定の高電圧(電源電圧Vdd)に設定されている。   Here, a predetermined voltage is applied to the power supply voltage line La to flow a light emission driving current corresponding to the display data to the anode terminal (anode electrode) of the organic EL element OEL provided in each display pixel PIX. The This voltage is set to a constant high voltage (power supply voltage Vdd) having a higher potential than the cathode terminal (reference voltage Vss applied to the cathode electrode (for example, ground potential Vgnd)) of the organic EL element OEL.

(表示画素の駆動制御)
そして、図4(a)に示したような回路構成を有する表示画素PIXにおける駆動制御動作は、まず、所定の選択期間において、一部の外部回路接続パッド24からICチップ26に供給されるクロック信号、スタート信号等の制御信号に基づいて動作されるICチップ26の走査ドライバ機能を用い、絶縁性基板21の他面上の引き回し配線23s、スルーホール27内の引き回し配線23s、画素アレイ接続パッド22s及びシール材BNDを介して、走査ラインLsに対して、選択レベル(オンレベル;例えばハイレベル)の選択電圧Vselを印加する。これにより、トランジスタTr11がオン動作して表示画素PIXが選択状態に設定される。
(Display pixel drive control)
The drive control operation in the display pixel PIX having the circuit configuration as shown in FIG. 4A is first performed by a clock supplied from some external circuit connection pads 24 to the IC chip 26 in a predetermined selection period. Using the scan driver function of the IC chip 26 that is operated based on a control signal such as a signal or a start signal, the routing wiring 23 s on the other surface of the insulating substrate 21, the routing wiring 23 s in the through hole 27, and the pixel array connection pad A selection voltage Vsel of a selection level (on level; for example, high level) is applied to the scanning line Ls via 22s and the sealing material BND. As a result, the transistor Tr11 is turned on and the display pixel PIX is set to the selected state.

このタイミングに同期して、一部の外部回路接続パッド24からICチップ26に供給されるデジタル階調の表示データ、クロック信号等の制御信号に基づいて動作されるICチップ26のデータドライバ機能を用い、絶縁性基板21の他面上の引き回し配線23d、スルーホール27内の引き回し配線23d、画素アレイ接続パッド22d及びシール材BNDを介して、データラインLdに対して、表示データに応じた電圧値を有する階調電圧Vdataを印加する。これにより、トランジスタTr11を介して、階調電圧Vdataに応じた電位が接点N11(すなわち、トランジスタTr12のゲート端子)に印加されるので、トランジスタTr12がその電位に応じた導通状態でオン動作する。   In synchronization with this timing, the data driver function of the IC chip 26 operated based on control signals such as digital gradation display data and clock signals supplied from some external circuit connection pads 24 to the IC chip 26. The voltage corresponding to the display data is applied to the data line Ld via the routing wiring 23d on the other surface of the insulating substrate 21, the routing wiring 23d in the through hole 27, the pixel array connection pad 22d, and the sealing material BND. A gradation voltage Vdata having a value is applied. As a result, a potential corresponding to the gradation voltage Vdata is applied to the contact N11 (that is, the gate terminal of the transistor Tr12) via the transistor Tr11, so that the transistor Tr12 is turned on in a conductive state corresponding to the potential.

したがって、高電位側の電源電圧Vddが印加される電源電圧ラインLaからトランジスタTr12及び有機EL素子OELを介して、低電位側の基準電圧Vss(接地電位Vgnd)に、表示データの階調に応じた電流値の発光駆動電流が流れるので、有機EL素子OELが階調電圧Vdata(すなわち表示データ)に応じた輝度階調で発光動作する。このとき、接点N11に印加された階調電圧Vdataに基づいて、トランジスタTr12のゲート−ソース間のキャパシタCsに電荷が蓄積(充電)される。ここで、表示画素PIXの有機EL素子OELから放出された光は、画素アレイ基板10を構成する絶縁性基板11を介して視野側(図1(b)の図面下方側)に出射される。すなわち、本実施形態に係る発光装置は、ボトムエミッション型の発光構造を有している。   Accordingly, the reference voltage Vss (ground potential Vgnd) on the low potential side is applied to the low potential side reference voltage Vss (ground potential Vgnd) from the power supply voltage line La to which the high potential side power supply voltage Vdd is applied via the transistor Tr12 and the organic EL element OEL. Since the light emission driving current having the current value flows, the organic EL element OEL emits light with a luminance gradation corresponding to the gradation voltage Vdata (that is, display data). At this time, charges are accumulated (charged) in the capacitor Cs between the gate and the source of the transistor Tr12 based on the gradation voltage Vdata applied to the contact N11. Here, the light emitted from the organic EL element OEL of the display pixel PIX is emitted to the visual field side (lower side of the drawing in FIG. 1B) through the insulating substrate 11 constituting the pixel array substrate 10. That is, the light emitting device according to this embodiment has a bottom emission type light emitting structure.

次いで、上記選択期間終了後の非選択期間において、ICチップ26から走査ラインLsに対して、非選択レベル(オフレベル;例えばローレベル)の選択電圧Vselを印加することにより、トランジスタTr11がオフ動作して表示画素PIXが非選択状態に設定される。これにより、データラインLdと画素駆動回路DCとが電気的に遮断される。このとき、上記キャパシタCsに蓄積された電荷が保持されることにより、トランジスタTr12のゲート端子に階調電圧Vdataに相当する電圧(すなわち、ゲート−ソース間の電位差)が維持された状態となる。   Next, in the non-selection period after the end of the selection period, the transistor Tr11 is turned off by applying a selection voltage Vsel of a non-selection level (off level; for example, low level) from the IC chip 26 to the scanning line Ls. Thus, the display pixel PIX is set to a non-selected state. As a result, the data line Ld and the pixel drive circuit DC are electrically disconnected. At this time, the charge accumulated in the capacitor Cs is held, so that a voltage corresponding to the gradation voltage Vdata (that is, a potential difference between the gate and the source) is maintained at the gate terminal of the transistor Tr12.

したがって、上記選択状態における発光動作と同様に、電源電圧ラインLa(電源電圧Vdd)からトランジスタTr12を介して、有機EL素子OELに所定の発光駆動電流が流れて、所定の期間同じ輝度で発光し続ける。この発光動作状態は、次の階調電圧Vdataが印加される(書き込まれる)まで、例えば、1フレーム期間継続するように制御される。そして、このような駆動制御動作を、画素アレイ基板10に2次元配列された全ての表示画素PIXについて、例えば各行ごとに順次実行することにより、所望の画像情報を表示する画像表示動作を実行することができる。   Therefore, similarly to the light emission operation in the selected state, a predetermined light emission drive current flows from the power supply voltage line La (power supply voltage Vdd) to the organic EL element OEL via the transistor Tr12, and light is emitted with the same luminance for a predetermined period. to continue. This light emitting operation state is controlled so as to continue, for example, for one frame period until the next gradation voltage Vdata is applied (written). Then, such a drive control operation is performed on all the display pixels PIX two-dimensionally arranged on the pixel array substrate 10, for example, for each row, thereby executing an image display operation for displaying desired image information. be able to.

なお、図4(a)に示した表示画素PIXにおいては、ICチップ26により、表示データに応じて各表示画素PIXに書き込む階調電圧Vdataの電圧値を調整(指定)し、画素駆動回路DCにより、有機EL素子OELに流す発光駆動電流の電流値を制御して、所望の輝度階調で発光動作させる電圧指定型の階調制御方式の回路構成を示した。本発明は、これに限定されるものではなく、ICチップ26により、表示データに応じて各表示画素PIXに書き込む電流値を調整(指定)し、画素駆動回路DCにより、有機EL素子OELに流す発光駆動電流の電流値を制御して、所望の輝度階調で発光動作させる電流指定型の階調制御方式の回路構成を有するものであってもよい。以下の構成例2では、電流指定型の階調制御方式に対応した画素駆動回路DCを有する表示画素PIXについて説明する。   In the display pixel PIX shown in FIG. 4A, the IC chip 26 adjusts (specifies) the voltage value of the gradation voltage Vdata written to each display pixel PIX according to the display data, and the pixel driving circuit DC. Thus, the circuit configuration of the voltage designation type gradation control method in which the current value of the light emission driving current flowing through the organic EL element OEL is controlled to perform the light emission operation at a desired luminance gradation is shown. The present invention is not limited to this, the current value written to each display pixel PIX is adjusted (designated) according to display data by the IC chip 26, and the current is passed to the organic EL element OEL by the pixel driving circuit DC. It may have a circuit configuration of a current designation type gradation control system in which the light emission driving current is controlled to emit light at a desired luminance gradation. In the following configuration example 2, a display pixel PIX having a pixel driving circuit DC corresponding to a current designation type gradation control method will be described.

(構成例2)
図4(b)に示す画素駆動回路DCは、具体的には、トランジスタTr21、Tr22、Tr23と、キャパシタCsとを備えている。トランジスタTr21は、ゲート端子が走査ラインLsに接続され、また、ドレイン端子が電源電圧ラインLaに接続され、また、ソース端子が接点N21に接続されている。トランジスタTr22は、ゲート端子が走査ラインLsに接続され、ソース端子がデータラインLdに接続され、ドレイン端子が接点N22に接続されている。トランジスタTr23は、ゲート端子が接点N21に接続され、ドレイン端子が電源電圧ラインLaに接続され、ソース端子が接点N22に接続されている。キャパシタCsは、トランジスタTr23のゲート端子(接点N21)及びソース端子(接点N22)間に接続されている。
(Configuration example 2)
Specifically, the pixel drive circuit DC illustrated in FIG. 4B includes transistors Tr21, Tr22, Tr23, and a capacitor Cs. The transistor Tr21 has a gate terminal connected to the scanning line Ls, a drain terminal connected to the power supply voltage line La, and a source terminal connected to the contact N21. The transistor Tr22 has a gate terminal connected to the scanning line Ls, a source terminal connected to the data line Ld, and a drain terminal connected to the contact N22. The transistor Tr23 has a gate terminal connected to the contact N21, a drain terminal connected to the power supply voltage line La, and a source terminal connected to the contact N22. The capacitor Cs is connected between the gate terminal (contact N21) and the source terminal (contact N22) of the transistor Tr23.

また、有機EL素子OELは、アノード端子(アノード電極)が上記画素駆動回路DCの接点N22に接続され、カソード端子(カソード電極)が所定の低電位の基準電圧Vss(例えば接地電位Vgnd)に直接又は間接的に接続されている。   The organic EL element OEL has an anode terminal (anode electrode) connected to the contact N22 of the pixel drive circuit DC, and a cathode terminal (cathode electrode) directly to a predetermined low potential reference voltage Vss (for example, ground potential Vgnd). Or indirectly connected.

走査ラインLs及びデータラインLd、電源電圧ラインLaはそれぞれ、上述した構成例1と同様に、各々の一方の端部が絶縁性基板11の周縁部にまで延在するように形成され、当該周縁部において、シール材BND、対向基板20側に設けられた画素アレイ接続パッド22s、22d、22a、スルーホール27内の引き回し配線23s、23d、23a、及び、絶縁性基板21の他面側の引き回し配線23s、23d、23aを介して、ICチップ26に接続されている。   Each of the scanning line Ls, the data line Ld, and the power supply voltage line La is formed so that one end of each of the scanning line Ls, the data line Ld, and the power supply voltage line La extends to the peripheral edge of the insulating substrate 11. In this section, the sealing material BND, the pixel array connection pads 22s, 22d, 22a provided on the counter substrate 20 side, the routing wirings 23s, 23d, 23a in the through hole 27, and the routing on the other surface side of the insulating substrate 21 are provided. It is connected to the IC chip 26 through wirings 23s, 23d, and 23a.

そして、ICチップ26により、所定のタイミングで、走査ラインLsに対して選択電圧Vselが印加され、また、データラインLdに対しては表示データに応じた階調信号(階調電圧Vdata又は階調電流Idata)が供給される。一方、電源電圧ラインLaは、対向基板20側に設けられたICチップ26を経由して、又は、直接外部回路接続パッド24に接続されている。電源電圧ラインLaには、後述するように、表示画素PIXの動作状態に応じて所定のローレベル又はハイレベルの電源電圧Vscが印加される。   The selection voltage Vsel is applied to the scanning line Ls by the IC chip 26 at a predetermined timing, and the gradation signal (gradation voltage Vdata or gradation) corresponding to the display data is applied to the data line Ld. Current Idata). On the other hand, the power supply voltage line La is connected to the external circuit connection pad 24 via the IC chip 26 provided on the counter substrate 20 side or directly. As will be described later, a predetermined low level or high level power supply voltage Vsc is applied to the power supply voltage line La in accordance with the operating state of the display pixel PIX.

なお、有機EL素子OELのカソード端子(カソード電極)に印加される基準電圧Vssは定電圧(例えば接地電位Vgnd)であって、電源電圧ラインLaに印加される電源電圧Vscは、基準電圧Vssに基づいて設定される。すなわち、表示データに応じた階調電圧Vdata又は階調電流Idataが表示画素PIX(画素駆動回路DC)に供給される選択期間において、ローレベルに設定される電源電圧Vscは基準電圧Vss以下に設定され、かつ、有機EL素子(発光素子)OELに発光駆動電流が供給されて表示データに応じた輝度階調で発光動作する非選択期間において、ハイレベルに設定される電源電圧Vscは基準電圧Vssより十分高電位に設定されている。   The reference voltage Vss applied to the cathode terminal (cathode electrode) of the organic EL element OEL is a constant voltage (for example, the ground potential Vgnd), and the power supply voltage Vsc applied to the power supply voltage line La is equal to the reference voltage Vss. Set based on. That is, in the selection period in which the grayscale voltage Vdata or the grayscale current Idata corresponding to the display data is supplied to the display pixel PIX (pixel drive circuit DC), the power supply voltage Vsc set to the low level is set to the reference voltage Vss or lower. In addition, in a non-selection period in which a light emission driving current is supplied to the organic EL element (light emitting element) OEL and a light emission operation is performed at a luminance gradation according to display data, the power supply voltage Vsc set to a high level is the reference voltage Vss It is set to a sufficiently high potential.

(表示画素の駆動制御)
そして、図4(b)に示したような回路構成を有する表示画素PIXにおける駆動制御動作は、所定の1処理サイクル期間内に、表示データに応じた電圧成分を保持させる書込動作(選択期間)と、有機EL素子OELを表示データに応じた輝度階調で発光動作させる発光動作(非選択期間)と、を実行するように設定されている。
(Display pixel drive control)
The drive control operation in the display pixel PIX having the circuit configuration as shown in FIG. 4B is a write operation (selection period) for holding a voltage component corresponding to display data within a predetermined one processing cycle period. ) And a light emission operation (non-selection period) for causing the organic EL element OEL to perform a light emission operation at a luminance gradation corresponding to display data.

まず、表示画素PIXへの書込動作(選択期間)においては、ICチップ26の走査ドライバ機能を用い、一部の外部回路接続パッド24からICチップ26に供給されるクロック信号、スタート信号等の制御信号によってICチップ26が、絶縁性基板21の他面側の引き回し配線23s、スルーホール27内の引き回し配線23s、画素アレイ接続パッド22s及びシール材BNDを介して、走査ラインLsに対して、選択レベル(オンレベル;例えばハイレベル)の選択電圧Vselを印加する。また、この書込動作(選択期間)においては、例えばICチップ26の電源ドライバ機能を用い、一部の外部回路接続パッド24からICチップ26に供給されるクロック信号等の制御信号によってICチップ26が、絶縁性基板21の他面側の引き回し配線23s、スルーホール27内の引き回し配線23s、画素アレイ接続パッド22a及びシール材BNDを介して、電源電圧ラインLaに対して、ローレベルの電源電圧Vscを印加するか、あるいは、発光装置外部の電源回路(図示を省略)が、一部の外部回路接続パッド24、一部の外部回路接続パッド24とスルーホール27との間を直接接続する引き回し配線、画素アレイ接続パッド22a及びシール材BNDを介して、電源電圧ラインLaにローレベルの電源電圧Vscを印加する。そして、このタイミングに同期して、ICチップ26のデータドライバ機能を用い、一部の外部回路接続パッド24からICチップ26に供給されるデジタル階調の表示データ、クロック信号等の制御信号によってICチップ26が、絶縁性基板21の他面側の引き回し配線23d、スルーホール27内の引き回し配線23d、画素アレイ接続パッド22d及びシール材BNDを介して、データラインLdに対して、階調電圧Vdata又は階調電流Idataを供給し、表示データに応じた電流値の電流を流す。   First, in the writing operation (selection period) to the display pixel PIX, the scan driver function of the IC chip 26 is used, and a clock signal, a start signal, etc. supplied from some external circuit connection pads 24 to the IC chip 26 are used. The IC chip 26 is controlled by the control signal with respect to the scanning line Ls via the routing wiring 23 s on the other surface side of the insulating substrate 21, the routing wiring 23 s in the through hole 27, the pixel array connection pad 22 s and the sealing material BND. A selection voltage Vsel of a selection level (on level; for example, high level) is applied. In this writing operation (selection period), for example, the power supply driver function of the IC chip 26 is used, and the IC chip 26 is controlled by a control signal such as a clock signal supplied from some external circuit connection pads 24 to the IC chip 26. However, the low-level power supply voltage is applied to the power supply voltage line La via the lead wiring 23s on the other surface side of the insulating substrate 21, the lead wiring 23s in the through hole 27, the pixel array connection pad 22a, and the sealing material BND. Vsc is applied, or a power supply circuit (not shown) outside the light emitting device is connected to a part of the external circuit connection pads 24, and a part of the external circuit connection pads 24 and the through holes 27 are directly connected. A low-level power supply voltage Vsc is applied to the power supply voltage line La via the wiring, the pixel array connection pad 22a, and the sealing material BND. . In synchronism with this timing, the data driver function of the IC chip 26 is used to control the IC by the control signal such as the display data of digital gradation and the clock signal supplied from some external circuit connection pads 24 to the IC chip 26. The chip 26 applies the gradation voltage Vdata to the data line Ld through the routing wiring 23d on the other surface side of the insulating substrate 21, the routing wiring 23d in the through hole 27, the pixel array connection pad 22d, and the sealing material BND. Alternatively, the gradation current Idata is supplied, and a current having a current value corresponding to the display data is supplied.

これにより、表示画素PIXが選択状態に設定され、トランジスタTr21及びTr22がオン動作して、ローレベルの電源電圧VscがトランジスタTr23のゲート端子(接点N21)に印加されるとともに、トランジスタTr23のソース端子(接点N22)がデータラインLdに電気的に接続される。   As a result, the display pixel PIX is set to the selected state, the transistors Tr21 and Tr22 are turned on, the low-level power supply voltage Vsc is applied to the gate terminal (contact N21) of the transistor Tr23, and the source terminal of the transistor Tr23 (Contact N22) is electrically connected to the data line Ld.

ここで、データラインLdに供給される階調電圧Vdata又は階調電流Idataは、各表示画素PIXに書き込まれる表示データに含まれる輝度階調値に応じて、ローレベルの電源電圧Vscに対して相対的に負電位なので、電源電圧ラインLaから表示画素PIXを経由してデータラインLdに向けて階調電圧Vdata又は階調電流Idataに対応した書込電流Iaが引き抜かれるように流れる。これにより、ローレベルの電源電圧Vscよりもさらに低電位の電圧レベルがトランジスタTr23のソース端子(接点N22)に印加される。   Here, the gradation voltage Vdata or the gradation current Idata supplied to the data line Ld corresponds to the low-level power supply voltage Vsc according to the luminance gradation value included in the display data written to each display pixel PIX. Since the voltage is relatively negative, the write current Ia corresponding to the gradation voltage Vdata or the gradation current Idata flows from the power supply voltage line La to the data line Ld via the display pixel PIX. As a result, a voltage level lower than the low-level power supply voltage Vsc is applied to the source terminal (contact N22) of the transistor Tr23.

したがって、接点N21及びN22間(すなわち、トランジスタTr23のゲート−ソース間)に電位差が生じることによりトランジスタTr23がオン動作して、電源電圧ラインLaからトランジスタTr23、接点N22、トランジスタTr22、データラインLdを介してICチップ26方向に、階調電圧Vdata又は階調電流Idataに対応した書込電流Iaが流れる。   Accordingly, a potential difference is generated between the contacts N21 and N22 (that is, between the gate and source of the transistor Tr23), so that the transistor Tr23 is turned on, and the transistor Tr23, the contact N22, the transistor Tr22, and the data line Ld are connected from the power supply voltage line La. Thus, a write current Ia corresponding to the gradation voltage Vdata or the gradation current Idata flows in the direction of the IC chip 26.

このとき、キャパシタCsには、接点N21及びN22間に生じた電位差に対応する電荷が蓄積され、電圧成分として保持される。また、電源電圧ラインLaには、基準電圧Vss(接地電位Vgnd)以下の電圧レベルを有する電源電圧Vscが印加され、さらに、書込電流Iaが表示画素PIXからデータラインLd方向に流れるように制御されている。これにより、有機EL素子OELのアノード端子(接点N22)に印加される電位はカソード端子の電位(基準電圧Vss)よりも低くなるため、有機EL素子OELには電流が流れず発光動作は行われない(非発光動作)。   At this time, charges corresponding to the potential difference generated between the contacts N21 and N22 are accumulated in the capacitor Cs and held as a voltage component. Further, a power supply voltage Vsc having a voltage level equal to or lower than the reference voltage Vss (ground potential Vgnd) is applied to the power supply voltage line La, and the write current Ia is controlled to flow from the display pixel PIX in the direction of the data line Ld. Has been. As a result, the potential applied to the anode terminal (contact N22) of the organic EL element OEL is lower than the potential of the cathode terminal (reference voltage Vss), so that no current flows through the organic EL element OEL and the light emission operation is performed. No (non-light emitting operation).

次いで、書込動作終了後の発光動作(非選択期間)においては、ICチップ26の走査ドライバ機能を用い、絶縁性基板21の他面側の引き回し配線23s、スルーホール27内の引き回し配線23s、画素アレイ接続パッド22s及びシール材BNDを介して、走査ラインLsに対して、非選択レベル(ローレベル)の選択電圧Vselを印加する。そして、このタイミングに同期して、又は、所定のタイミングで、例えばICチップ26の電源ドライバ機能、あるいは、発光装置外部の電源回路(図示を省略)を用い、一部の外部回路接続パッド24からICチップ26に供給されるクロック信号等の制御信号によってICチップ26が、絶縁性基板21の他面側の引き回し配線23a、スルーホール27内の引き回し配線23a、画素アレイ接続パッド22a及びシール材BNDを介して、電源電圧ラインLaに対して、ハイレベルの電源電圧Vscを印加する。   Next, in the light emission operation (non-selection period) after the end of the writing operation, using the scan driver function of the IC chip 26, the routing wiring 23s on the other surface side of the insulating substrate 21, the routing wiring 23s in the through hole 27, A non-selection level (low level) selection voltage Vsel is applied to the scanning line Ls via the pixel array connection pad 22s and the sealing material BND. Then, in synchronization with this timing or at a predetermined timing, for example, by using a power driver function of the IC chip 26 or a power circuit outside the light emitting device (not shown), from some external circuit connection pads 24 In response to a control signal such as a clock signal supplied to the IC chip 26, the IC chip 26 causes the routing wiring 23a on the other surface side of the insulating substrate 21, the routing wiring 23a in the through hole 27, the pixel array connection pad 22a, and the sealing material BND. A high-level power supply voltage Vsc is applied to the power supply voltage line La via

これにより、トランジスタTr21、Tr22がオフ動作して、トランジスタTr23のゲート端子(接点N21)への電源電圧Vscの印加が遮断されるとともに、トランジスタTr23のソース端子(接点N22)への階調電圧Vdata又は階調電流Idataの引き込み動作に起因する電圧レベルの印加が遮断される。このとき、キャパシタCsには、上述した書込動作において蓄積された電荷が保持されるので、トランジスタTr23はオン状態を維持する。また、電源電圧ラインLaには、基準電圧Vss(接地電位Vgnd)よりも高電位の電源電圧Vscが印加されるので、有機EL素子OELのアノード端子(接点N22)に印加される電位はカソード端子の電位(接地電位)よりも高くなる。   As a result, the transistors Tr21 and Tr22 are turned off, the application of the power supply voltage Vsc to the gate terminal (contact N21) of the transistor Tr23 is cut off, and the gradation voltage Vdata to the source terminal (contact N22) of the transistor Tr23 is cut off. Alternatively, the application of the voltage level due to the pull-in operation of the gradation current Idata is cut off. At this time, since the charge accumulated in the above-described write operation is held in the capacitor Cs, the transistor Tr23 maintains the on state. Further, since the power supply voltage Vsc higher than the reference voltage Vss (ground potential Vgnd) is applied to the power supply voltage line La, the potential applied to the anode terminal (contact N22) of the organic EL element OEL is the cathode terminal. Higher than the potential (ground potential).

したがって、電源電圧ラインLaからトランジスタTr23、接点N22を介して、有機EL素子OELに順バイアス方向に所定の発光駆動電流Ibが流れるので、有機EL素子OELが発光動作する。このとき、キャパシタCsにより保持される電圧成分は、トランジスタTr23において階調電圧Vdata又は階調電流Idataに対応する書込電流Iaを流す場合の電位差に相当するので、有機EL素子OELに流れる発光駆動電流Ibは、上記書込電流Iaと略同等の電流値(Ib≒Ia)を有している。これにより、有機EL素子OELは、表示データに応じた輝度階調で発光する。ここで、表示画素PIXの有機EL素子OELから放出された光は、画素アレイ基板10を構成する絶縁性基板11を介して視野側(図1(b)の図面下方側)に出射される。   Therefore, since the predetermined light emission drive current Ib flows in the forward bias direction from the power supply voltage line La to the organic EL element OEL via the transistor Tr23 and the contact N22, the organic EL element OEL performs a light emission operation. At this time, the voltage component held by the capacitor Cs corresponds to a potential difference in the case where the write current Ia corresponding to the gradation voltage Vdata or the gradation current Idata is caused to flow in the transistor Tr23. Therefore, the light emission drive that flows through the organic EL element OEL. The current Ib has a current value (Ib≈Ia) substantially equal to the write current Ia. Thereby, the organic EL element OEL emits light at a luminance gradation corresponding to the display data. Here, the light emitted from the organic EL element OEL of the display pixel PIX is emitted to the visual field side (lower side of the drawing in FIG. 1B) through the insulating substrate 11 constituting the pixel array substrate 10.

なお、上述した各構成例においては、画素駆動回路DCとして2個又は3個のトランジスタを備えた回路構成を示したが、本発明はこの実施形態に限定されるものではなく、2個以上のトランジスタを備えた他の回路構成を有するものであってもよい。また、画素駆動回路DCにより発光駆動される発光素子として有機EL素子OELを適用した場合を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、電流制御型の発光素子であれば、例えば、発光ダイオード等の他の発光素子であってもよい。   In each of the above-described configuration examples, the circuit configuration including two or three transistors as the pixel driving circuit DC is shown, but the present invention is not limited to this embodiment, and two or more transistors are included. It may have another circuit configuration including a transistor. In addition, the case where the organic EL element OEL is applied as the light emitting element driven to emit light by the pixel driving circuit DC is shown, but the present invention is not limited to this, and any current-controlled light emitting element can be used. Other light emitting elements such as light emitting diodes may be used.

(製造方法)
次に、上述した発光装置の製造方法について説明する。ここでは、上述したような画素駆動回路DC及び有機EL素子OELからなる表示画素PIXを有する発光装置について説明する。なお、以下の説明では適宜図1〜図3を参照する。
(Production method)
Next, a method for manufacturing the above-described light emitting device will be described. Here, a light emitting device having the display pixel PIX composed of the pixel driving circuit DC and the organic EL element OEL as described above will be described. In the following description, FIGS.

上述した発光装置の製造方法は、まず、画素アレイ基板10と対向基板20を個別に製造する。画素アレイ基板10の製造方法は、図2に示すように、例えばガラスや石英、透明な樹脂等からなる絶縁性基板11の一面側(対向基板20との接合面側)に、上述した画素駆動回路DCを構成するトランジスタやキャパシタ、各種配線層及び層間絶縁膜、並びに、有機EL素子OELを備えた複数の表示画素PIXを2次元配列して、表示領域12に画素アレイを形成する。   In the method for manufacturing the light emitting device described above, first, the pixel array substrate 10 and the counter substrate 20 are individually manufactured. As shown in FIG. 2, the method for manufacturing the pixel array substrate 10 includes the pixel driving described above on one side of the insulating substrate 11 made of, for example, glass, quartz, or transparent resin (on the side of the bonding surface with the counter substrate 20). A plurality of display pixels PIX each including a transistor and a capacitor constituting the circuit DC, various wiring layers and interlayer insulating films, and an organic EL element OEL are two-dimensionally arranged to form a pixel array in the display region 12.

ここで、少なくとも画素アレイが形成された絶縁性基板11上には、例えば無機の絶縁膜が被覆形成されて、画素アレイ基板10の表示領域12の表面が保護されている。また、画素駆動回路DCや有機EL素子OELに選択信号Vselや階調信号Vdata、Idata、電源電圧Vdd、Vscを印加する各信号線(走査ラインLs及び電源電圧ラインLa、データラインLd)の端部は、図2に示したように、絶縁性基板11の周縁部の各辺に沿って所定のピッチを有して配列され、かつ、その上面が露出するように形成される。   Here, on the insulating substrate 11 on which at least the pixel array is formed, for example, an inorganic insulating film is coated to protect the surface of the display region 12 of the pixel array substrate 10. Also, the end of each signal line (scanning line Ls, power supply voltage line La, data line Ld) for applying the selection signal Vsel, gradation signals Vdata, Idata, power supply voltages Vdd, Vsc to the pixel drive circuit DC and the organic EL element OEL. As shown in FIG. 2, the portions are arranged with a predetermined pitch along each side of the peripheral portion of the insulating substrate 11, and are formed so that the upper surface thereof is exposed.

なお、この画素アレイ基板10を構成する画素アレイは、例えばマザーガラスの一面側に、複数箇所規則的に形成され、最終的に、各画素アレイ基板10ごとに切り離すことにより、複数枚の画素アレイ基板10が切り出される。   Note that the pixel array constituting the pixel array substrate 10 is regularly formed at a plurality of locations on one surface of the mother glass, for example, and finally separated into each pixel array substrate 10 to obtain a plurality of pixel arrays. The substrate 10 is cut out.

一方、対向基板20の製造方法は、まず、図3に示すように、例えばガラスや石英、透明な樹脂等からなる絶縁性基板21の一面側(画素アレイ基板10との接合面側)に、上述した画素アレイ基板10の周縁部に配列された各信号線に対応するように、画素アレイ接続パッド22s、22a、22dを形成する。画素アレイ接続パッド22s、22a、22dは、例えば、絶縁性基板21上にスパッタリング法や蒸着法を用いて成膜された導電膜をパターニングすることにより一括して形成されるか、もしくはワイヤボンディングにて形成される。これにより、画素アレイ接続パッド22s、22a、22dは、絶縁性基板21における画素アレイ基板10の接合領域の周縁部(すなわち、画素アレイ基板10の表示領域12の外周)に沿って、画素アレイ基板10側に形成される各信号線のピッチに対応するように配列される。   On the other hand, as shown in FIG. 3, the manufacturing method of the counter substrate 20 is first made on one surface side of the insulating substrate 21 made of, for example, glass, quartz, transparent resin, or the like (on the bonding surface side with the pixel array substrate 10). Pixel array connection pads 22s, 22a, and 22d are formed so as to correspond to the signal lines arranged on the peripheral edge of the pixel array substrate 10 described above. The pixel array connection pads 22s, 22a, and 22d are collectively formed by patterning a conductive film formed on the insulating substrate 21 using a sputtering method or a vapor deposition method, or by wire bonding. Formed. Accordingly, the pixel array connection pads 22s, 22a, and 22d are arranged along the peripheral edge portion of the bonding area of the pixel array substrate 10 in the insulating substrate 21 (that is, the outer periphery of the display area 12 of the pixel array substrate 10). They are arranged so as to correspond to the pitch of each signal line formed on the 10 side.

次いで、図1(a)、図3に示すように、絶縁性基板21を他面側からエッチングして、画素アレイ接続パッド22s、22a、22dの配置位置に対応する位置それぞれにスルーホール27を形成する。ここで、スルーホール27は、絶縁性基板21の他面側から見て、各スルーホール27の内部に、上述した画素アレイ接続パッド22s、22a、22dが露出するように形成する。これにより、絶縁性基板21における画素アレイ基板10の接合領域の周縁部(すなわち、画素アレイ基板10の表示領域12の外周)に沿って、スルーホール27が所定の間隔で規則的に配置される。   Next, as shown in FIGS. 1A and 3, the insulating substrate 21 is etched from the other surface side, and through holes 27 are formed at positions corresponding to the arrangement positions of the pixel array connection pads 22 s, 22 a, and 22 d, respectively. Form. Here, the through holes 27 are formed so that the pixel array connection pads 22 s, 22 a, and 22 d are exposed inside the through holes 27 when viewed from the other surface side of the insulating substrate 21. As a result, the through holes 27 are regularly arranged at predetermined intervals along the peripheral edge of the bonding region of the pixel array substrate 10 in the insulating substrate 21 (that is, the outer periphery of the display region 12 of the pixel array substrate 10). .

次いで、絶縁性基板21の他面側に、例えばスパッタリング法や蒸着法を用いて導電膜を成膜する。このとき、上記スルーホール27内部にも導電膜が形成されることにより、当該導電膜と、スルーホール27内に露出する画素アレイ接続パッド22s、22a、22dとが接続される。次いで、この導電膜をパターニングすることにより、図1(a)、図3(a)に示したように、絶縁性基板21の他面側に、複数の引き回し配線23s、23a、23d、25及び外部回路接続パッド24を一括して形成する。ここで、各引き回し配線23s、23a、23dは、絶縁性基板21の一面側に形成された各画素アレイ接続パッド22s、22a、22dにスルーホール27を介して接続され、かつ、後述するICチップ26の搭載位置まで延在する配線パターンを有するように形成される。また、複数の引き回し配線25及び外部回路接続パッド24は、絶縁性基板21の他面側の端部位置からICチップ26の搭載位置まで延在する配線パターンを有するように一体化して形成される。ここで、外部回路接続パッド24は、外部回路との接続に適した所定のピッチで配列される。   Next, a conductive film is formed on the other surface side of the insulating substrate 21 by using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method. At this time, a conductive film is also formed in the through hole 27, so that the conductive film is connected to the pixel array connection pads 22s, 22a, and 22d exposed in the through hole 27. Next, by patterning this conductive film, as shown in FIGS. 1 (a) and 3 (a), a plurality of routing wires 23s, 23a, 23d, 25, and 25 are formed on the other surface side of the insulating substrate 21. External circuit connection pads 24 are collectively formed. Here, each lead-out wiring 23s, 23a, 23d is connected to each pixel array connection pad 22s, 22a, 22d formed on one surface side of the insulating substrate 21 through a through hole 27, and an IC chip to be described later. It is formed so as to have a wiring pattern extending to 26 mounting positions. Further, the plurality of lead wirings 25 and the external circuit connection pads 24 are integrally formed so as to have a wiring pattern extending from the end portion position on the other surface side of the insulating substrate 21 to the mounting position of the IC chip 26. . Here, the external circuit connection pads 24 are arranged at a predetermined pitch suitable for connection with an external circuit.

次いで、絶縁性基板21の他面側であって、画素アレイ基板10の表示領域12に対応する領域内の所定の位置に、ICチップ26を搭載する。ここで、ICチップ26は、上述した複数の引き回し配線23s、23a、23d、25の各端部に、図示を省略した接続端子が個別に接続されるように接合する。
Next, the IC chip 26 is mounted at a predetermined position in the region corresponding to the display region 12 of the pixel array substrate 10 on the other surface side of the insulating substrate 21. Here, the IC chip 26 is joined so that connection terminals (not shown) are individually connected to the end portions of the plurality of routing wires 23s, 23a, 23d, and 25 described above.

次いで、画素アレイ基板10と対向基板20を、シール材BNDを介して接合し、表示領域12に形成された画素アレイ(表示画素PIX)を封止する。具体的には、画素アレイ基板10側の絶縁性基板11の一面側の周縁部に、例えばペースト状の未硬化のシール材BNDを印刷し、該周縁部に配列された各信号線(走査ラインLs及び電源電圧ラインLa、データラインLd)の端部と、対向基板20側の絶縁性基板21の一面側に設けられた画素アレイ接続パッド22s、22a、22dの位置が整合するように、絶縁性基板11、21を相互に対向させて接合する。   Next, the pixel array substrate 10 and the counter substrate 20 are bonded to each other through a sealing material BND, and the pixel array (display pixel PIX) formed in the display region 12 is sealed. Specifically, for example, a paste-like uncured sealing material BND is printed on the peripheral edge of one side of the insulating substrate 11 on the pixel array substrate 10 side, and each signal line (scanning line) arranged on the peripheral edge is printed. Ls and the end of the power supply voltage line La and the data line Ld) are insulated so that the positions of the pixel array connection pads 22s, 22a and 22d provided on the one surface side of the insulating substrate 21 on the counter substrate 20 side are aligned. The conductive substrates 11 and 21 are bonded to face each other.

次いで、シール材BNDに例えば熱及び圧力を印加することにより、シール材BNDのバインダーを押し広げて、シール材BND内の導電フィラーCFLを画素アレイ基板10側の各信号線(走査ラインLs及び電源電圧ラインLa、データラインLd)の端部と、対向基板20側の画素アレイ接続パッド22s、22a、22dとの双方に接触させるとともに、バインダーを固化させて画素アレイ基板10と対向基板20を封着する。これにより、表示領域12の画素アレイが、画素アレイ基板10と対向基板20との間に封止されるとともに、画素アレイ基板10と対向基板20がシール材BNDを介して電気的に接続される。   Next, for example, by applying heat and pressure to the sealing material BND, the binder of the sealing material BND is expanded, and the conductive filler CFL in the sealing material BND is transferred to each signal line (scanning line Ls and power source) on the pixel array substrate 10 side. The ends of the voltage line La and the data line Ld) are brought into contact with both the pixel array connection pads 22s, 22a, and 22d on the counter substrate 20 side, and the binder is solidified to seal the pixel array substrate 10 and the counter substrate 20 together. To wear. As a result, the pixel array in the display area 12 is sealed between the pixel array substrate 10 and the counter substrate 20, and the pixel array substrate 10 and the counter substrate 20 are electrically connected via the sealing material BND. .

その後、複数の絶縁性基板11を構成するマザーガラスを個々の絶縁性基板11毎に切断し、複数の絶縁性基板21を構成するマザーガラスを個々の絶縁性基板11毎に切断して複数枚の発光パネルが得られる。そして、マザーガラスから切り出された画素アレイ基板10及び対向基板20について、例えばプローバ等の検査装置を用いて、所定の検査を行う。具体的には、絶縁性基板21上の複数の外部回路接続パッド24にプローブ針を接触させて所定の信号や電圧を印加することによりICチップ26から適宜信号を各表示画素PIXに出力してICチップ26や表示画素PIXの動作特性や制御機能等の検査が行われる。   Thereafter, the mother glass constituting the plurality of insulating substrates 11 is cut for each individual insulating substrate 11, and the mother glass constituting the plurality of insulating substrates 21 is cut for each individual insulating substrate 11. A light emitting panel is obtained. Then, the pixel array substrate 10 and the counter substrate 20 cut out from the mother glass are subjected to a predetermined inspection using an inspection device such as a prober. Specifically, a probe needle is brought into contact with a plurality of external circuit connection pads 24 on the insulating substrate 21 and a predetermined signal or voltage is applied to appropriately output a signal from the IC chip 26 to each display pixel PIX. Inspections such as operation characteristics and control functions of the IC chip 26 and the display pixel PIX are performed.

(作用効果の検証)
次に、本実施形態に係る発光装置及びその製造方法に特有の作用効果について詳しく説明する。
図5は、本実施形態に係る発光装置の作用効果を検証するために、従来技術に係る発光装置を本実施形態に対応させて模式的に示した概略構成図である(以下、図5に示す発光装置を「比較対象」と記す)。図5(a)は、比較対象に係る発光装置を視野側から見た概略平面図であり、図5(b)は、比較対象に係る発光装置の概略側面図である。
(Verification of effects)
Next, functions and effects unique to the light emitting device and the manufacturing method thereof according to the present embodiment will be described in detail.
FIG. 5 is a schematic configuration diagram schematically showing a light emitting device according to the related art corresponding to the present embodiment in order to verify the operation effect of the light emitting device according to the present embodiment (hereinafter, FIG. 5). The light emitting device shown is referred to as “comparative object”). FIG. 5A is a schematic plan view of the light-emitting device according to the comparison target as viewed from the view side, and FIG. 5B is a schematic side view of the light-emitting device according to the comparison target.

また、図6は、比較対象に係る発光装置に適用される画素アレイ基板の一例を示す概略平面図である。ここで、図6は、比較対象に係る発光装置に適用される画素アレイ基板を、封止基板との接合面側から見た(すなわち、図5(b)に示したVID−VID線に沿って矢視した)概略平面図である。なお、本明細書においては図5中に示したローマ数字の「6」に対応する記号として便宜的に「VI」を用いる。また、図6に示す平面図においては、説明の都合上、絶縁性基板上に配設される各配線層と表示領域、周縁部との関係のみを示し、各表示画素に設けられる発光素子(有機EL素子)や画素駆動回路(上述した図4参照)の表示を省略した。また、図6においては、画素アレイ基板及び封止基板を接合するための接着剤が設けられる領域を明瞭にするために、便宜的にハッチングを施して示した。   FIG. 6 is a schematic plan view illustrating an example of a pixel array substrate applied to a light emitting device according to a comparison target. Here, FIG. 6 shows the pixel array substrate applied to the light emitting device according to the comparison target as viewed from the side of the bonding surface with the sealing substrate (that is, along the VID-VID line shown in FIG. 5B). It is a schematic plan view). In this specification, “VI” is used for convenience for the symbol corresponding to the Roman numeral “6” shown in FIG. Further, in the plan view shown in FIG. 6, for convenience of explanation, only the relationship between each wiring layer disposed on the insulating substrate, the display region, and the peripheral portion is shown, and a light emitting element ( The display of the organic EL element) and the pixel driving circuit (see FIG. 4 described above) is omitted. Further, in FIG. 6, hatching is shown for convenience in order to clarify a region where an adhesive for bonding the pixel array substrate and the sealing substrate is provided.

また、図7は、本実施形態に係る発光装置を、タイリングディスプレイに適用した場合の一例を示す概略構成図である。ここで、図6は、図1に示した発光装置を、行方向及び列方向に各々3面ずつ計9面配置した場合のタイリングディスプレイを、背面側(反視野側)から見た概略平面図である。   FIG. 7 is a schematic configuration diagram illustrating an example when the light-emitting device according to the present embodiment is applied to a tiling display. Here, FIG. 6 is a schematic plan view of a tiling display when the light emitting device shown in FIG. 1 is arranged in a total of nine planes each in the row direction and the column direction as viewed from the back side (counter view side). FIG.

図5(a)、(b)、図6に示すように、比較対象に係る発光装置は、画素アレイ基板110と、封止基板120と、を有している。画素アレイ基板110と封止基板120とは、絶縁性の接着剤130を介して対向するように接合されている。画素アレイ基板110は、図6に示すように、絶縁性基板111の一面側(封止基板120との接合面側)に、複数の表示画素PIXが2次元配列された表示領域112が設定されている。表示領域112には、2次元配列された複数の表示画素に対応して、走査ラインLs及び電源電圧ラインLaが図面上下方向(行方向)に配設され、また、データラインLdが図面左右方向(列方向)に配設されている。   As illustrated in FIGS. 5A, 5 </ b> B, and 6, the light emitting device according to the comparison target includes a pixel array substrate 110 and a sealing substrate 120. The pixel array substrate 110 and the sealing substrate 120 are bonded to each other with an insulating adhesive 130 therebetween. In the pixel array substrate 110, as shown in FIG. 6, a display region 112 in which a plurality of display pixels PIX are two-dimensionally arranged is set on one surface side of the insulating substrate 111 (the bonding surface side with the sealing substrate 120). ing. In the display area 112, scanning lines Ls and power supply voltage lines La are arranged in the vertical direction (row direction) in the drawing corresponding to a plurality of two-dimensionally arranged display pixels, and the data lines Ld are in the horizontal direction in the drawing. It is arranged in the (column direction).

一方、表示領域112の外周の周辺領域には、複数のライン引き出しパッド122s、122a、122dと、複数の引き回し配線123s、123a、123d、125と、複数の外部回路接続パッド124と、ドライバ回路126と、が設けられている。ライン引き出しパッド122s、122a、122dは、表示領域112の外周に規則的に配列され、各々、走査ラインLs、電源電圧ラインLa、データラインLdの一端側の端部に接続されている。引き回し配線123s、123a、123dは、ライン引き出しパッド122s、122a、122dのさらに外周側に配設され、各ライン引き出しパッド122s、122a、122dとドライバ回路126を接続する。つまり、画素アレイ基板110の表示領域112に、走査ラインLs、電源電圧ラインLa、データラインLdが配置されているので、画素アレイ基板110に引き回し配線123s、123a、123dを配置させるには、表示領域112の外周に配置させなければならなかった。   On the other hand, in the peripheral region on the outer periphery of the display region 112, a plurality of line lead pads 122s, 122a, 122d, a plurality of lead wirings 123s, 123a, 123d, 125, a plurality of external circuit connection pads 124, and a driver circuit 126 are provided. And are provided. The line lead-out pads 122s, 122a, and 122d are regularly arranged on the outer periphery of the display region 112, and are connected to the ends on one end side of the scanning line Ls, the power supply voltage line La, and the data line Ld, respectively. The lead-out wirings 123s, 123a, and 123d are disposed on the outer peripheral side of the line lead-out pads 122s, 122a, and 122d, and connect the line lead-out pads 122s, 122a, and 122d to the driver circuit 126. That is, since the scanning line Ls, the power supply voltage line La, and the data line Ld are arranged in the display area 112 of the pixel array substrate 110, the display wirings 123s, 123a, and 123d can be arranged on the pixel array substrate 110 by displaying. It had to be arranged on the outer periphery of the region 112.

外部回路接続パッド124は、絶縁性基板111の表示領域112外であって、例えば絶縁性基板111の図面右辺側の周縁部に配列されている。引き回し配線125は、外部回路接続パッド124とドライバ回路126を接続する。また、ドライバ回路126は、例えばICチップの形態を有し、絶縁性基板111の表示領域112外に配置されている。   The external circuit connection pads 124 are arranged outside the display area 112 of the insulating substrate 111, for example, at the peripheral edge of the insulating substrate 111 on the right side of the drawing. The lead wiring 125 connects the external circuit connection pad 124 and the driver circuit 126. The driver circuit 126 has an IC chip form, for example, and is disposed outside the display area 112 of the insulating substrate 111.

封止基板120は、ガラス等の絶縁性の平行平板であって、少なくとも画素アレイ基板110の表示領域112に対向するように接合される。図5、図6においては、封止基板120は、例えばライン引き出しパッド122s、122a、122dが配列された領域の外周において、絶縁性の接着剤130を介して画素アレイ基板110に接合されている。すなわち、画素アレイ基板110の表示領域112及びその外周のライン引き出しパッド122s、122a、122dが配列された領域を含む領域が、封止基板120により封止されている。   The sealing substrate 120 is an insulating parallel plate such as glass, and is bonded so as to face at least the display region 112 of the pixel array substrate 110. 5 and 6, the sealing substrate 120 is bonded to the pixel array substrate 110 via an insulating adhesive 130, for example, at the outer periphery of the region where the line drawing pads 122s, 122a, and 122d are arranged. . That is, the area including the display area 112 of the pixel array substrate 110 and the area where the line drawing pads 122s, 122a, and 122d on the outer periphery thereof are arranged is sealed by the sealing substrate 120.

このように、比較対象に係る(従来技術における)発光装置においては、画素アレイ基板110の表示領域112の外周に、走査ラインLs及び電源電圧ラインLa、データラインLdの各々に接続されたライン引き出しパッド122s、122a、122dが配列され、さらにその外周領域に配設された引き回し配線123s、123a、123dにより、ライン引き出しパッド122s、122a、122dとドライバ回路126が接続されている。   As described above, in the light emitting device according to the comparison target (in the prior art), the line lead connected to each of the scanning line Ls, the power supply voltage line La, and the data line Ld on the outer periphery of the display region 112 of the pixel array substrate 110. The pads 122s, 122a, 122d are arranged, and the line lead-out pads 122s, 122a, 122d and the driver circuit 126 are connected by the lead wirings 123s, 123a, 123d arranged in the outer peripheral area.

すなわち、画素アレイ基板110の表示領域112の周辺領域に引き回し配線123s、123a、123dを配設するための領域(スペース)を設けなければならないため、表示領域12の外周に非表示領域が形成されることになる。そのため、複数の表示パネルをタイル状に密着して配列(2次元配列)して大型の表示画面を有するタイリングディスプレイを構成しようとした場合に、表示パネル相互の繋ぎ目近傍に、額縁部分の非表示領域が視認されてしまい、表示品質が低下するという問題を有していた。   That is, since a region (space) for arranging the routing wirings 123 s, 123 a, and 123 d has to be provided in the peripheral region of the display region 112 of the pixel array substrate 110, a non-display region is formed on the outer periphery of the display region 12. Will be. Therefore, when trying to construct a tiling display having a large display screen by arranging a plurality of display panels in close contact with each other in a tile shape (two-dimensional arrangement), the frame portion is located near the joint between the display panels. The non-display area is visually recognized, and there is a problem that display quality is deteriorated.

これに対して、本実施形態に係る発光装置及びその製造方法においては、上述したように、画素アレイ基板10の絶縁性基板11と、対向基板20の絶縁性基板21とが、外径形状及び外形寸法が同一又は略同一に設定され、かつ、絶縁性基板21と絶縁性基板11の四辺(すなわち全周の端部)が整合するように、対向して接合されている。加えて、画素アレイ基板10にシール材BNDを介して接合される対向基板20に、引き回し配線23s、23a、23d、25や、ドライバ回路であるICチップ26を設けた構成を有している。このため、平面視して対向基板20の引き回し配線23s、23a、23d、25が、画素アレイ基板10の表示領域12と重なっている。   On the other hand, in the light emitting device and the manufacturing method thereof according to the present embodiment, as described above, the insulating substrate 11 of the pixel array substrate 10 and the insulating substrate 21 of the counter substrate 20 have outer diameter shapes and The outer dimensions are set to be the same or substantially the same, and the insulating substrate 21 and the insulating substrate 11 are joined to face each other so that the four sides (that is, the end portions of the entire circumference) are aligned. In addition, the counter substrate 20 joined to the pixel array substrate 10 via the sealing material BND has a configuration in which lead wirings 23s, 23a, 23d, and 25 and an IC chip 26 that is a driver circuit are provided. For this reason, the wiring lines 23 s, 23 a, 23 d, and 25 of the counter substrate 20 overlap with the display area 12 of the pixel array substrate 10 in plan view.

これにより、画素アレイ基板10の表示領域12の外周に引き回し配線を配設するための領域を設ける必要がなく、画素アレイ基板10及び対向基板20のサイズを極力小型化することができる。これは換言すると、表示パネルに占める表示領域の相対的な比率を高くすることができ、表示パネルの四辺の非表示領域(額縁)を大幅に狭くして、表示パネル(絶縁性基板11)の端部近傍にまで画像を表示することができることを意味する。   Thereby, it is not necessary to provide a region for arranging the lead wiring around the outer periphery of the display region 12 of the pixel array substrate 10, and the size of the pixel array substrate 10 and the counter substrate 20 can be reduced as much as possible. In other words, the relative proportion of the display area in the display panel can be increased, the non-display areas (frames) on the four sides of the display panel are greatly reduced, and the display panel (insulating substrate 11) This means that an image can be displayed up to the vicinity of the end.

したがって、図7に示すように、本実施形態に係る複数の表示パネル100(発光装置)を、タイル状に密着して2次元配列して表示面積の大きいタイリングディスプレイを構成する場合に、隣接する表示パネル100相互の繋ぎ目の近傍領域に形成される、額縁部分の非表示領域を極力視認されにくくすることができる。これにより、本実施形態に係る発光装置及びその製造方法によれば、簡易かつ安価に表示品質に優れた大画面の発光装置(タイリングディスプレイ)を実現することができる。   Accordingly, as shown in FIG. 7, when a plurality of display panels 100 (light emitting devices) according to the present embodiment are closely arranged in a tile shape and arranged two-dimensionally to form a tiling display having a large display area, they are adjacent to each other. It is possible to make the non-display area of the frame portion formed in the vicinity area of the joint of the display panels 100 to be as difficult to see as possible. Thereby, according to the light-emitting device and the manufacturing method thereof according to the present embodiment, a large-screen light-emitting device (tiling display) excellent in display quality can be realized easily and inexpensively.

このようなタイリングディスプレイにおける画像情報の表示駆動方法は、走査ラインの延在方向(行方向;図7では上下方向に相当する)に配列された各表示パネル100の表示画素を、各行毎に同期して選択状態又は非選択状態に設定して、表示データの書込動作並びに有機EL素子の発光動作を実行する。そして、このような動作を各行毎に順次列方向(図7では左右方向に相当する)に繰り返し実行することにより、タイリングディスプレイに所望の画像情報が表示される。なお、このような表示駆動制御は、タイリングディスプレイの外部に設けられたタイミング制御回路や表示データ生成回路(いずれも図示を省略)から、各表示パネル100の外部回路接続パッド24を介してICチップ26に、タイミング制御信号や表示データを所定のタイミングで供給することにより実現される。   The display driving method of the image information in such a tiling display is such that the display pixels of each display panel 100 arranged in the scanning line extending direction (row direction; corresponding to the up and down direction in FIG. 7) are arranged for each row. The display data writing operation and the light emitting operation of the organic EL element are executed in synchronization with the selection state or the non-selection state. Then, the desired image information is displayed on the tiling display by repeatedly executing such an operation sequentially for each row in the column direction (corresponding to the horizontal direction in FIG. 7). Such display drive control is performed by a timing control circuit or a display data generation circuit (both not shown) provided outside the tiling display via an external circuit connection pad 24 of each display panel 100. This is realized by supplying a timing control signal and display data to the chip 26 at a predetermined timing.

また、実施形態によれば、画素アレイ基板110の外形サイズを小さくすることができるので、表示パネルの製造時に、1枚のマザーガラスから切り出される画素アレイ基板110の数を増やすことができ、製品コストの削減を図ることができる。さらに、周辺領域において引き回し配線を多層化したり、配線間ピッチを狭くしたりする必要がないので、製造プロセスを簡素化して製造歩留まりを改善することができる。   Further, according to the embodiment, since the outer size of the pixel array substrate 110 can be reduced, the number of the pixel array substrates 110 cut out from one mother glass can be increased at the time of manufacturing the display panel, and the product Cost can be reduced. Furthermore, since it is not necessary to make the routing wiring multilayer or to reduce the pitch between the wirings in the peripheral region, the manufacturing process can be simplified and the manufacturing yield can be improved.

特に、図4(a)、(b)に示したように、各表示画素PIXに画素駆動回路DCを設け、アクティブマトリクス型の駆動方式で画像表示を行う場合には、表示領域12に配設される信号線の種類や数が増加する。このような場合であっても、本実施形態によれば、引き回し配線23s、23a、23dを対向基板20側に配設することにより、配線パターンや配線間ピッチ、配線構造等に対する制約を大幅に緩和することができるので、製造プロセスの簡素化や製造歩留まりの改善に極めて有効である。   In particular, as shown in FIGS. 4A and 4B, each display pixel PIX is provided with a pixel driving circuit DC, and is arranged in the display region 12 when performing image display using an active matrix driving method. The number and type of signal lines to be increased. Even in such a case, according to the present embodiment, by arranging the routing wirings 23s, 23a, and 23d on the counter substrate 20 side, the restrictions on the wiring pattern, the pitch between wirings, the wiring structure, etc. are greatly reduced. Since it can be mitigated, it is extremely effective in simplifying the manufacturing process and improving the manufacturing yield.

また、本実施形態においては、画素アレイ基板10に接合される対向基板20の他面側に、ドライバ回路であるICチップ26が搭載されているので、ICチップの厚みに制約されることなく、安価かつ最適な汎用ICチップを選択することができ、製品コストの上昇を抑制することができる。   In the present embodiment, since the IC chip 26 that is a driver circuit is mounted on the other surface side of the counter substrate 20 bonded to the pixel array substrate 10, the thickness of the IC chip is not limited. An inexpensive and optimal general-purpose IC chip can be selected, and an increase in product cost can be suppressed.

加えて、本実施形態においては、引き回し配線23s、23a、23d及びドライバ回路となるICチップ26を、対向基板20における画素アレイ基板10の表示領域12に対応する領域の内部に設けることにより、配線経路(配線パターン)の自由度を向上させることができるとともに、比較対象に係る発光装置に示した場合(図6参照)に比較して、配線長を実質的に短くして配線抵抗を低くすることができ、また、比較対象に係る発光装置に比べ配線間ピッチを拡張できるので配線幅を広げて配線抵抗を低くすることが可能となる。   In addition, in the present embodiment, the wiring lines 23 s, 23 a, 23 d and the IC chip 26 serving as a driver circuit are provided inside the area corresponding to the display area 12 of the pixel array substrate 10 in the counter substrate 20. The degree of freedom of the path (wiring pattern) can be improved, and the wiring length can be substantially shortened and the wiring resistance can be lowered compared to the case shown in the light emitting device as a comparison target (see FIG. 6). In addition, since the pitch between the wirings can be expanded as compared with the light emitting device according to the comparison target, it is possible to widen the wiring width and reduce the wiring resistance.

これにより、配線抵抗を低減して電圧降下を抑制することができるとともに、電圧のばらつきを抑制することができ、表示特性を改善することができる。特に、表示画素に設ける発光素子として有機EL素子を適用した場合、発光動作させるためには電流(発光駆動電流)が必要となる。そのため、本実施形態に示したように、電力配線である電源電圧ラインLaを低抵抗化することが、表示特性の向上や発光装置の省電力化に極めて有効である。   As a result, the wiring resistance can be reduced and the voltage drop can be suppressed, the voltage variation can be suppressed, and the display characteristics can be improved. In particular, when an organic EL element is used as a light emitting element provided in a display pixel, a current (light emission driving current) is required to perform a light emitting operation. Therefore, as shown in this embodiment, reducing the resistance of the power supply voltage line La, which is a power wiring, is extremely effective in improving display characteristics and saving power in the light emitting device.

また、本実施形態においては、画素アレイ基板10の表示領域12に配設される各信号線(走査ラインLs及び電源電圧ラインLa、データラインLd)相互の離間距離や、対向基板20に配列される各画素アレイ接続パッド22s、22a、22d相互の離間距離(端子間スペース)Sを、画素アレイ基板10と対向基板20を接合した際の離間距離(基板間ギャップ)Gに基づいて設定している。   In the present embodiment, the signal lines (scanning line Ls, power supply voltage line La, and data line Ld) arranged in the display area 12 of the pixel array substrate 10 are separated from each other or arranged on the counter substrate 20. The pixel array connection pads 22s, 22a, and 22d are separated from each other (a space between terminals) S based on a separation distance (an inter-substrate gap) G when the pixel array substrate 10 and the counter substrate 20 are joined. Yes.

したがって、画素アレイ基板10及び対向基板20に対してプローブ検査を実施する際に、隣接する信号線間や接続パッド間の離間距離を比較的広く設定することができるので、高精度の接触精度や位置決め精度を有するプローバ(検査装置)を用いる必要がなく、簡易かつ安価な検査装置により、プローブ針と信号線又は接続パッドとを良好に接触させることができ、検査ミス等の発生を抑制することができる。   Therefore, when the probe inspection is performed on the pixel array substrate 10 and the counter substrate 20, the distance between adjacent signal lines and connection pads can be set relatively wide. There is no need to use a prober (inspection device) with positioning accuracy, and the probe needle and the signal line or connection pad can be brought into good contact with a simple and inexpensive inspection device, thereby suppressing the occurrence of inspection errors. Can do.

なお、本実施形態においては、対向基板20の絶縁性基板21の他面側にICチップ26のみを搭載した構成について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、絶縁性基板21の他面側に、上記のICチップ26に加え、チップコンデンサやインダクタ、抵抗等の回路素子を形成又は搭載した構成を有するものであってもよい。これによれば、規格化されたICチップ26を本実施形態に適用した場合であっても、対向基板20側で信号や電圧特性の調整や制御を行うことができるので、表示特性を向上させることができる。   In the present embodiment, the configuration in which only the IC chip 26 is mounted on the other surface side of the insulating substrate 21 of the counter substrate 20 has been described, but the present invention is not limited to this. For example, a circuit element such as a chip capacitor, an inductor, or a resistor may be formed or mounted on the other surface side of the insulating substrate 21 in addition to the IC chip 26 described above. According to this, even when the standardized IC chip 26 is applied to the present embodiment, the signal and voltage characteristics can be adjusted and controlled on the counter substrate 20 side, so that the display characteristics are improved. be able to.

<第2の実施形態>
次に、本発明に係る発光装置の第2の実施形態について説明する。なお、本実施形態において、上述した第1の実施形態と同等の構成については、図1〜図4を適宜参照して、その説明を簡略化又は省略する。
<Second Embodiment>
Next, a second embodiment of the light emitting device according to the present invention will be described. In the present embodiment, the configuration equivalent to that of the first embodiment described above is simplified or omitted with reference to FIGS. 1 to 4 as appropriate.

図8は、第2の実施形態に係る発光装置に適用される対向基板の概略構成図である。図8(a)は、本実施形態に係る発光装置を背面側(反視野側)から見た概略平面図であり、図8(b)は、本実施形態に係る発光装置に適用される対向基板の概略断面図(すなわち、図8(a)に示したVIIIE−VIIIE線に沿った断面を示す概略断面図)である。なお、本明細書においては図7中に示したローマ数字の「8」に対応する記号として便宜的に「VIII」を用いる。   FIG. 8 is a schematic configuration diagram of a counter substrate applied to the light emitting device according to the second embodiment. FIG. 8A is a schematic plan view of the light-emitting device according to the present embodiment as viewed from the back side (counter-view side), and FIG. 8B is an opposing view applied to the light-emitting device according to the present embodiment. It is a schematic sectional drawing of a board | substrate (namely, schematic sectional drawing which shows the cross section along the VIIIE-VIIIE line shown to Fig.8 (a)). In this specification, “VIII” is used as a symbol corresponding to the Roman numeral “8” shown in FIG.

上述した第1の実施形態においては、図1(a)に示したように、対向基板20を構成する絶縁性基板21の他面側に、1個のICチップ26を搭載した構成を示した。本実施形態においては、図8(a)、(b)に示すように、絶縁性基板21の他面側に、複数のICチップ26、28が搭載されている。ここで、ICチップ26は、上述した第1の実施形態と同様に、画素アレイ基板10に配列された表示画素PIXを駆動制御するための各種のドライバ機能を有している。また、ICチップ28は、例えばメモリモジュールであって、ICチップ26により表示画素PIXを駆動制御する際に必要となる各種の制御データや、有機EL素子OELの輝度階調値を含む表示データを一時保存する。   In the first embodiment described above, as shown in FIG. 1A, a configuration in which one IC chip 26 is mounted on the other surface side of the insulating substrate 21 constituting the counter substrate 20 is shown. . In this embodiment, as shown in FIGS. 8A and 8B, a plurality of IC chips 26 and 28 are mounted on the other surface side of the insulating substrate 21. Here, the IC chip 26 has various driver functions for driving and controlling the display pixels PIX arranged on the pixel array substrate 10 as in the first embodiment described above. The IC chip 28 is, for example, a memory module, and receives various control data necessary for driving and controlling the display pixels PIX by the IC chip 26 and display data including the luminance gradation value of the organic EL element OEL. Save temporarily.

このような構成を有することにより、対向基板20を高機能化することができるので、発光装置の外部に設けられる制御回路やメモリ回路等を簡略化することができる。なお、本実施形態においては、ICチップ26がドライバ機能を有し、ICチップ28がメモリ機能を有する構成について説明したが、本発明はこれに限定されない。すなわち、ICチップ26、28の双方が個別のドライバ機能を有し、例えばICチップ26が走査ドライバ及びデータドライバの機能を有し、ICチップ28が電源ドライバの機能を有するものであってもよいし、さらに他の形態を有するものであってもよい。   With such a configuration, the counter substrate 20 can be enhanced in function, so that a control circuit, a memory circuit, and the like provided outside the light emitting device can be simplified. In the present embodiment, the IC chip 26 has a driver function and the IC chip 28 has a memory function. However, the present invention is not limited to this. That is, both of the IC chips 26 and 28 have individual driver functions. For example, the IC chip 26 may have a scan driver and data driver function, and the IC chip 28 may have a power driver function. However, it may have other forms.

<第3の実施形態>
次に、本発明に係る発光装置の第3の実施形態について説明する。なお、本実施形態において、上述した第1の実施形態と同等の構成については、図1〜図4を適宜参照して、その説明を簡略化又は省略する。
<Third Embodiment>
Next, a third embodiment of the light emitting device according to the present invention will be described. In the present embodiment, the configuration equivalent to that of the first embodiment described above is simplified or omitted with reference to FIGS. 1 to 4 as appropriate.

図9は、第3の実施形態に係る発光装置を示す概略構成図である。図9(a)は、本実施形態に係る発光装置を背面側から見た概略平面図であり、図9(b)は、本実施形態に係る発光装置の概略側面図である。また、図10は、本実施形態に係る発光装置に適用される画素アレイ基板の一例を示す概略平面図である。ここで、図10は、本実施形態に係る発光装置に適用される画素アレイ基板を、対向基板との接合面側から見た(すなわち、図9(b)に示したXF−XF線に沿って矢視した)概略平面図である。なお、本明細書においては図9中に示したローマ数字の「10」に対応する記号として便宜的に「X」を用いる。   FIG. 9 is a schematic configuration diagram illustrating a light emitting device according to the third embodiment. FIG. 9A is a schematic plan view of the light emitting device according to the present embodiment as viewed from the back side, and FIG. 9B is a schematic side view of the light emitting device according to the present embodiment. FIG. 10 is a schematic plan view showing an example of a pixel array substrate applied to the light emitting device according to this embodiment. Here, FIG. 10 shows the pixel array substrate applied to the light emitting device according to the present embodiment as viewed from the side of the bonding surface with the counter substrate (that is, along the XF-XF line shown in FIG. 9B). It is a schematic plan view). In this specification, “X” is used for convenience as a symbol corresponding to the Roman numeral “10” shown in FIG.

また、図11は、本実施形態に係る発光装置に適用される対向基板の一例を示す概略平面図である。ここで、図11は、本実施形態に係る発光装置に適用される対向基板を、画素アレイ基板との接合面側から見た(すなわち、図9(b)に示したXIG−XIG線に沿って矢視した)概略平面図である。なお、本明細書においては図9中に示したローマ数字の「11」に対応する記号として便宜的に「XI」を用いる。   FIG. 11 is a schematic plan view showing an example of a counter substrate applied to the light emitting device according to this embodiment. Here, FIG. 11 shows the counter substrate applied to the light emitting device according to the present embodiment as viewed from the side of the joint surface with the pixel array substrate (that is, along the XIG-XIG line shown in FIG. 9B). It is a schematic plan view). In this specification, “XI” is used as a symbol corresponding to the Roman numeral “11” shown in FIG.

上述した第1及び第2の実施形態においては、画素アレイ基板10に2次元配列される各表示画素PIXに画素駆動回路DCを設け、アクティブマトリクス型の駆動方式で画像表示を行う場合の発光装置の構成について説明した。本実施形態においては、パッシブマトリクス型の駆動方式で画像表示を行う場合に対応した発光装置の構成を有している。   In the first and second embodiments described above, a light emitting device in which a pixel driving circuit DC is provided for each display pixel PIX that is two-dimensionally arranged on the pixel array substrate 10 and image display is performed by an active matrix driving method. The configuration of was explained. In the present embodiment, the light emitting device has a configuration corresponding to a case where image display is performed by a passive matrix driving method.

具体的には、図10に示すように、画素アレイ基板10の表示領域に2次元配列される複数の表示画素PIXに対応して、行方向(図面上下方向)に複数の走査ラインLsが配設され、列方向(図面左右方向)に複数のデータラインLdが配設されている。そして、例えば、走査ラインLsは、各表示画素PIXの有機EL素子のアノード電極となり、データラインLdは、有機EL素子のカソード電極となる。走査ラインLsとデータラインLdの各交点には、発光層となる有機EL層(図示を省略)が介在するように形成されている。   Specifically, as shown in FIG. 10, a plurality of scanning lines Ls are arranged in the row direction (vertical direction in the drawing) corresponding to the plurality of display pixels PIX that are two-dimensionally arranged in the display area of the pixel array substrate 10. A plurality of data lines Ld are arranged in the column direction (left-right direction in the drawing). For example, the scanning line Ls becomes an anode electrode of the organic EL element of each display pixel PIX, and the data line Ld becomes a cathode electrode of the organic EL element. At each intersection of the scanning line Ls and the data line Ld, an organic EL layer (not shown) serving as a light emitting layer is interposed.

走査ラインLsは、図10に示すように、例えば、表示領域12の図面左側の領域では、その一端側の端部が絶縁性基板11の図面上方の周縁部に延在するように配設され、表示領域12の図面右側の領域では、その一端側の端部が絶縁性基板11の図面下方の周縁部に延在するように配設されている。データラインLdは、図10に示すように、上述した各実施形態と同様に、例えば、その一端側の端部が絶縁性基板11の図面左方の周縁部に延在するように配設されている。これらの走査ラインLs及びデータラインLdは、図9〜図11に示すように、絶縁性基板11の周縁部に設けられるシール材BNDを介して、対向基板20の絶縁性基板21の一面側に設けられる各画素アレイ接続パッド22s、22dに電気的に接続される。対向基板20の絶縁性基板21の他面側には、図9(a)、図11に示すように、画素アレイ基板10の表示領域12に対応する領域の内部にICチップ26が搭載されている。そして、上記画素アレイ接続パッド22s、22dは、各々、個別のスルーホール27及び引き回し配線23s、23dを介して、ICチップ26の接続端子(図示を省略)に接続されている。   As shown in FIG. 10, for example, in the region on the left side of the display region 12 in the drawing, the scanning line Ls is disposed so that the end on one end side extends to the peripheral portion on the upper side of the insulating substrate 11. In the region on the right side of the display region 12 in the drawing, the end portion on one end side thereof is disposed so as to extend to the peripheral portion below the drawing of the insulating substrate 11. As shown in FIG. 10, the data line Ld is arranged so that, for example, an end portion on one end side thereof extends to a peripheral portion on the left side of the insulating substrate 11 as in the above-described embodiments. ing. These scanning lines Ls and data lines Ld are formed on one surface side of the insulating substrate 21 of the counter substrate 20 via a sealing material BND provided at the peripheral edge of the insulating substrate 11 as shown in FIGS. The pixel array connection pads 22s and 22d provided are electrically connected. On the other surface side of the insulating substrate 21 of the counter substrate 20, an IC chip 26 is mounted inside a region corresponding to the display region 12 of the pixel array substrate 10, as shown in FIGS. 9A and 11. Yes. The pixel array connection pads 22s and 22d are connected to connection terminals (not shown) of the IC chip 26 through individual through holes 27 and lead wirings 23s and 23d, respectively.

これにより、本実施形態においても、上述した第1又は第2の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。特に、パッシブマトリクス型の駆動方式に対応した発光装置の場合には、アクティブマトリクス型に比較して、表示領域12に配設する信号線の種類や数を少なくすることができる。したがって、対向基板20に配設される引き回し配線23s、23d、25の配線パターンや配線間ピッチ、配線構造等に対する自由度を向上することができるので、製造プロセスの簡素化や製造歩留まりの改善を図ることができる。   Thereby, also in this embodiment, the same effect as the 1st or 2nd embodiment mentioned above can be acquired. In particular, in the case of a light-emitting device that supports a passive matrix driving method, the types and number of signal lines provided in the display region 12 can be reduced as compared with an active matrix type. Accordingly, the degree of freedom with respect to the wiring pattern, the pitch between the wirings, the wiring structure, and the like of the routing wirings 23s, 23d, and 25 disposed on the counter substrate 20 can be improved, thereby simplifying the manufacturing process and improving the manufacturing yield. Can be planned.

なお、本実施形態においては、図10に示したように、表示領域12を左右の領域で分割して、絶縁性基板11の図面上方の周縁部に一端側の端部が延在する走査ラインLsのグループと、図面下方の周縁部に一端側の端部が延在する走査ラインLsのグループを設けた構成を示した。この場合、図面下方の周縁部のうち左方側の領域DLa、及び、図面上方の周縁部のうち右方の領域DLbには、配線層が形成されない。また、図11に示したように、これらの領域DLa、DLbに対向する対向基板20(絶縁性基板21)の周縁部にも画素アレイ接続パッド22sが形成されない領域DPa、DPbが発生する。このような画素アレイ基板10と対向基板20とを、シール材BNDを用いて接合した場合、走査ラインLsと画素アレイ接続パッド22sが導電フィラーCFLを介して接合された領域と、走査ラインLs及び画素アレイ接続パッド22sが形成されていない領域DLa、DLb及びDPa、DPbにおいて、基板相互の離間距離(基板間ギャップG)に差異や偏りが生じる可能性がある。そこで、例えば、画素アレイ基板10の絶縁性基板11において、走査ラインLsが形成されていない領域DLa、DLbに擬似的な(ダミーの)配線層を形成し、また、対向基板20の絶縁性基板21において、画素アレイ接続パッド22sが形成されていない領域DPa、DPbに擬似的な(ダミーの)接続パッドを形成するようにしてもよい。これにより、基板相互の離間距離(基板間ギャップ)を均一化することができるので、画素アレイ基板10と対向基板20とを均一に封着して、良好な封止状態を実現することができる。   In the present embodiment, as shown in FIG. 10, the display area 12 is divided into left and right areas, and a scanning line in which an end on one end side extends to the peripheral edge above the insulating substrate 11 in the drawing. A configuration is shown in which a group of Ls and a group of scanning lines Ls extending at one end on the peripheral edge below the drawing are provided. In this case, no wiring layer is formed in the left side region DLa of the peripheral portion below the drawing and the right region DLb of the peripheral portion above the drawing. In addition, as shown in FIG. 11, regions DPa and DPb in which the pixel array connection pads 22s are not formed also occur at the peripheral portion of the counter substrate 20 (insulating substrate 21) facing these regions DLa and DLb. When such a pixel array substrate 10 and the counter substrate 20 are bonded using the sealing material BND, the scanning line Ls and the pixel array connection pad 22s are bonded via the conductive filler CFL, the scanning line Ls, In the regions DLa, DLb and DPa, DPb in which the pixel array connection pads 22s are not formed, there is a possibility that a difference or deviation occurs in the distance between the substrates (inter-substrate gap G). Therefore, for example, in the insulating substrate 11 of the pixel array substrate 10, pseudo (dummy) wiring layers are formed in the regions DLa and DLb where the scanning lines Ls are not formed, and the insulating substrate of the counter substrate 20 is formed. In FIG. 21, pseudo (dummy) connection pads may be formed in the regions DPa and DPb where the pixel array connection pads 22s are not formed. As a result, the separation distance between the substrates (inter-substrate gap) can be made uniform, so that the pixel array substrate 10 and the counter substrate 20 can be uniformly sealed to realize a good sealing state. .

また、本実施形態においては、パッシブマトリクス型の駆動方式に対応した画素アレイ基板を、第1の実施形態に係る対向基板20に接合する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、第2の実施形態に係る対向基板に接合するものであってもよい。
また、本実施形態における発光装置は表示パネルであったが、これに限らず、印刷装置の露光装置として適用してもよい。
In the present embodiment, the case where the pixel array substrate corresponding to the passive matrix driving method is bonded to the counter substrate 20 according to the first embodiment has been described. However, the present invention is not limited to this. Instead, it may be bonded to the counter substrate according to the second embodiment.
In addition, the light emitting device in the present embodiment is a display panel.

10 画素アレイ基板
11 絶縁性基板
12 表示領域
20 対向基板
21 絶縁性基板
22s、22a、22d 画素アレイ接続パッド
23s、23a、23d、25 引き回し配線
24 外部回路接続パッド
26、28 ICチップ
27 スルーホール
100 表示パネル
BND シール材
PIX 表示画素
Ls 走査ライン
La 電源電圧ライン
Ld データライン
DC 画素駆動回路
OEL 有機EL素子
10 pixel array substrate 11 insulating substrate 12 display area 20 counter substrate 21 insulating substrate 22s, 22a, 22d pixel array connection pads 23s, 23a, 23d, 25 lead-out wiring 24 external circuit connection pads 26, 28 IC chip 27 through hole 100 Display panel BND Sealing material PIX Display pixel Ls Scan line La Power supply voltage line Ld Data line DC Pixel drive circuit OEL Organic EL element

Claims (8)

一面側に、複数の表示画素が配列された表示領域と、前記表示画素の各々に接続された複数の信号線の端部が露出する周縁部と、を有する第1の基板と、
一面側に、前記信号線の端部に対応するように配列された複数の接続パッドと、他面側に設けられ、前記信号線に前記表示画素を駆動させるための制御信号を供給する制御回路と、前記複数の接続パッドと前記制御回路とを個別に接続する複数の接続配線と、を有し、前記第1の基板と同一の外形形状及び外形寸法である第2の基板と、
前記第1の基板の前記一面側と、前記第2の基板の前記一面側とを接合するとともに、前記複数の信号線の端部と前記複数の接続パッドとを電気的に個別に接続する接合部材と、
を備えることを特徴とする発光装置。
A first substrate having, on one side, a display area in which a plurality of display pixels are arrayed, and a peripheral edge where ends of a plurality of signal lines connected to each of the display pixels are exposed;
A plurality of connection pads arranged on one surface side so as to correspond to the end portions of the signal lines, and a control circuit that is provided on the other surface side and supplies a control signal for driving the display pixels to the signal lines A plurality of connection wirings for individually connecting the plurality of connection pads and the control circuit, and a second substrate having the same outer shape and outer dimensions as the first substrate,
Joining the one surface side of the first substrate and the one surface side of the second substrate, and electrically connecting the end portions of the plurality of signal lines and the plurality of connection pads individually. A member,
A light emitting device comprising:
前記制御回路は、前記第2の基板における、前記第1の基板の前記表示領域に対応する領域の内部に配置されていることを特徴とする請求項1記載の発光装置。   2. The light emitting device according to claim 1, wherein the control circuit is disposed in an area of the second substrate corresponding to the display area of the first substrate. 前記第1の基板と前記第2の基板との離間距離は、前記第2の基板における前記複数の接続パッド相互の離間距離よりも小さく設定されていることを特徴とする請求項1又は2記載の発光装置。   The distance between the first substrate and the second substrate is set to be smaller than the distance between the plurality of connection pads on the second substrate. Light-emitting device. 前記第1の基板と前記第2の基板との離間距離は、前記制御回路の高さより小さく設定されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の発光装置。   4. The light emitting device according to claim 1, wherein a separation distance between the first substrate and the second substrate is set to be smaller than a height of the control circuit. 5. 前記複数の信号線は、少なくとも、前記表示画素を選択状態に設定するための選択信号が印加される複数の走査ラインと、前記表示画素を所定の表示状態で駆動するための表示データが供給される複数のデータラインと、からなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の発光装置。   The plurality of signal lines are supplied with at least a plurality of scanning lines to which a selection signal for setting the display pixel in a selected state is applied and display data for driving the display pixel in a predetermined display state. The light-emitting device according to claim 1, comprising a plurality of data lines. 前記第2の基板は、前記他面側に、前記第2の基板の外部と電気的に接続するための複数の外部接続パッドと、前記複数の外部接続パッドと前記制御回路とを個別に接続する複数の外部接続配線と、を有していることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の発光装置。   The second substrate individually connects a plurality of external connection pads for electrically connecting to the outside of the second substrate, the plurality of external connection pads, and the control circuit on the other surface side. The light emitting device according to claim 1, further comprising: a plurality of external connection wirings. 表示領域に複数の表示画素が配列され、該表示領域の外周に前記表示画素の各々に接続された複数の信号線の端部が露出する第1の基板に対向するためであって、且つ、前記第1の基板と同一の外形形状及び外形寸法を有する第2の基板の一面側に、前記複数の信号線の端部に対応するように配列された複数の接続パッドを形成する工程と、
前記第2の基板の前記一面側から他面側に貫通する複数のスルーホールを形成する工程と、
前記第2の基板の前記他面側に、前記複数のスルーホールを介して、一端側が前記複数の接続パッドの各々に接続された複数の接続配線を形成する工程と、
前記複数の接続配線の他端側に制御回路を接続する工程と、
接合部材を用いて、前記第1の基板と前記第2の基板の全周の端部が相互に整合するように、前記第1の基板と前記第2の基板とを接合するとともに、前記複数の信号線の端部と前記複数の接続パッドとを電気的に個別に接続する工程と、
を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
A plurality of display pixels are arranged in the display area, and the display area is opposed to the first substrate where the ends of the plurality of signal lines connected to each of the display pixels are exposed on the outer periphery of the display area, and Forming a plurality of connection pads arranged on one side of a second substrate having the same outer shape and outer dimensions as the first substrate so as to correspond to ends of the plurality of signal lines;
Forming a plurality of through holes penetrating from the one surface side to the other surface side of the second substrate;
Forming a plurality of connection wirings having one end connected to each of the plurality of connection pads on the other surface side of the second substrate via the plurality of through holes;
Connecting a control circuit to the other end of the plurality of connection wires;
Using the bonding member, the first substrate and the second substrate are bonded so that end portions of the entire circumference of the first substrate and the second substrate are aligned with each other, and the plurality Electrically connecting the ends of the signal lines and the plurality of connection pads individually;
A method for manufacturing a light-emitting device, comprising:
前記第1の基板と前記第2の基板とを接合する際の、前記第1の基板と前記第2の基板の離間距離は、前記第2の基板における前記複数の接続パッド相互の離間距離よりも小さく設定されていることを特徴とする請求項7記載の発光装置の製造方法。   The distance between the first substrate and the second substrate when the first substrate and the second substrate are bonded is greater than the distance between the plurality of connection pads on the second substrate. The method of manufacturing a light emitting device according to claim 7, wherein the light emitting device is set to be smaller.
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