JP2010224448A - カラーフィルターおよびそれを備えた表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】高輝度を実現することができるカラーフィルターおよびそれを備えた表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】カラーフィルター22は、少なくとも1種の着色層28からなる画素Eが2次元的に複数配列された表示領域Dを有する。そして、所定の表示を行う領域Sにおける画素Eが、1種の着色層28により形成されている。
【選択図】図6
【解決手段】カラーフィルター22は、少なくとも1種の着色層28からなる画素Eが2次元的に複数配列された表示領域Dを有する。そして、所定の表示を行う領域Sにおける画素Eが、1種の着色層28により形成されている。
【選択図】図6
Description
本発明は、カラーフィルターおよびそれを備えた液晶表示装置等の表示装置に関する。
表示装置の1つである液晶表示装置は、薄型で軽量であるため、ノートパソコンや携帯電話機等のモバイル機器、液晶テレビ等のAV機器、オーディオや空調、警告灯等が設けられた車載用のインストルメントパネル(インパネ)等に広く用いられている。
一般に、液晶表示装置は、互いに対向して配置された一対の基板(即ち、TFT(Thin Film Transistor)基板とCF(Color Filter)基板)と、一対の基板の間に設けられた液晶層と、一対の基板を互いに接着するとともに、両基板の間に液晶を封入するために枠状に設けられたシール材とを備えている。
また、液晶表示装置としては、画素(ピクセル)により画像を形成する各種のディスプレイが、情報や映像の表示手段として広く普及しているが、例えば、図8に示されるように、1つの画素Cが、赤(R)、緑(G)及び青(B)からなる3原色の着色層によって構成され、この3原色の着色層を有するカラーフィルター50によりカラー表示を行うものが一般的である。
ここで、従来、例えば、車載用インストルメントパネルにおいては、限られた光量で高輝度を実現する必要があるため、色再現範囲が狭く、警告灯等において、インパクトのある色を表現できないという問題があった。
そこで、近年では、表示品位を向上するために色再現範囲を拡大することが検討されている。より具体的には、例えば、複数種の着色層と、色変換色素を含み、複数種の着色層を覆って一体的に形成された色変換層とを備えた色変換機能付きカラーフィルターが提案されている。そして、このカラーフィルターにおいては、色再現範囲を拡大させるべく、複数種の着色層の一部が他の着色層より厚くなるように構成されている(例えば、特許文献1参照)。
ここで、上記特許文献1に記載のカラーフィルターにおいては、着色層の一部を他の着色層より厚く構成しているため、色再現範囲を拡大させることはできるものの、厚くした着色層の部分において、光の透過率が低下して、結果として、輝度が低下するという問題があった。
また、着色層を厚くする代わりに、着色層の色を変えて色を濃くすることにより、色再現範囲を拡大させることも可能であるが、この場合も、光の透過率が低下して、結果として、輝度が低下するという問題があった。
そこで、本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、高輝度を実現することができるカラーフィルターおよびそれを備えた表示装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、少なくとも1種の着色層からなる画素が2次元的に複数配列された表示領域を有するカラーフィルターであって、所定の表示を行う領域における画素が、1種の着色層により形成されていることを特徴とする。
同構成によれば、所定の表示を行う領域において、全ての着色層を単色(例えば、赤色)にすることが可能になるため、所定の表示を行う領域における輝度を向上させることが可能になる。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のカラーフィルターであって、所定の表示を行う領域における着色層の厚みをW1、所定の表示を行う領域以外の領域における着色層の厚みをW2とした場合に、0.5W2≦W1≦3.0W2の関係が成立することを特徴とする。
同構成によれば、所定の表示を行う領域において、輝度を向上させることができるとともに、色再現範囲を拡大することができる。
請求項3に記載の発明は、請求項2に記載のカラーフィルターであって、所定の表示が、ユーザーへの報知を行うための表示であることを特徴とする。
同構成によれば、ユーザーへの報知を行うための表示を行う領域の輝度が向上するため、警告表示等のユーザーへの報知を行うための表示をユーザーが容易に認識することができ、ユーザーへの報知を確実に行うことが可能になる。
また、本発明の請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のカラーフィルタは、所定の表示を行う領域における輝度を向上させることができるという優れた特性を備えている。従って、請求項4に記載の発明のように、第1基板と、第1基板に対向して配置され、請求項1〜3のいずれか1項に記載のカラーフィルターを有する第2基板と、第1基板及び第2基板の間に設けられた表示媒体層とを備えた表示装置に好適に使用され、特に、請求項5に記載の発明のように、請求項4に記載の表示装置であって、表示媒体層に、液晶層を使用した表示装置に好適に使用される。
本発明によれば、表示領域を有するカラーフィルターにおいて、所定の表示を行う領域における輝度を向上させることが可能になる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
図1は、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す平面図であり、図2は、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の断面図である。また、図3は、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の等価回路図であり、図4は、本発明の実施形態に係る液晶表示装置を構成するTFT基板の全体構成を示す断面図である。また、図5は、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の表示部の全体構成を示す断面図であり、図6は、本発明の実施形態に係るカラーフィルターの全体構成を示す平面図である。また、図7は、図6のA−A断面図である。なお、本実施形態においては、表示装置として、液晶表示装置を例に挙げて説明する。
図1、図2に示す様に、液晶表示装置1は、第1基板であるTFT基板2と、TFT基板2に対向して配置された第2基板であるCF基板3と、TFT基板2及びCF基板3の間に挟持して設けられた表示媒体層である液晶層4と、TFT基板2とCF基板3との間に狭持され、TFT基板2及びCF基板3を互いに接着するとともに液晶層4を封入するために枠状に設けられたシール材40とを備えている。このシール材40は、液晶層4を周回するように形成されており、TFT基板2とCF基板3は、このシール材40を介して相互に貼り合わされている。また、図5に示すように、液晶表示装置1は、液晶層4の厚み(即ち、セルギャップ)を規制するための複数のフォトスペーサ25を備えている。
また、図1に示すように、液晶表示装置1は、矩形状に形成されており、液晶表示装置1の長手方向Xにおいて、TFT基板2がその上辺においてCF基板3よりも突出し、その突出した領域には、後述するゲート線やソース線等の複数の表示用配線が引き出され、端子領域Tが構成されている。
また、液晶表示装置1では、TFT基板2及びCF基板3が重なる領域に画像表示を行う表示領域Dが規定されている。ここで、表示領域Dは、画像の最小単位である画素がマトリクス状に複数配列されることにより構成され、図6に示すように、カラーフィルター22は、少なくとも1種の着色層(本実施形態においては、赤色層R、緑色層G、および青色層Bの3種の着色層)28からなる画素Eが2次元的に複数配列された表示領域Dを有する。
また、シール材40は、図1に示すように、表示領域Dの周囲全体を囲む矩形枠状に設けられている。このシール材40の枠幅Zは、特に限定されないが、例えば、0.5mm以上2.0mm以下に設定できる。
TFT基板2は、図3、図4に示すように、ガラス基板等の絶縁基板6と、当該絶縁基板6上に互いに平行に延設された複数のゲート線11と、各ゲート線11を覆うように設けられたゲート絶縁膜12と、ゲート絶縁膜12上に各ゲート線11と直交する方向に互いに平行に延設された複数のソース線14と、各ゲート線11及び各ソース線14の交差部分毎にそれぞれ設けられた複数のTFT5と、各ソース線14及び各TFT5を覆うように順に設けられた層間絶縁膜10である第1層間絶縁膜15及び第2層間絶縁膜16と、第2層間絶縁膜16上にマトリクス状に設けられ、各TFT5の各々に接続された複数の画素電極19と、各画素電極19を覆うように設けられた配向膜9とを有している。
また、TFT5は、図4に示すように、各ゲート線11が側方に突出したゲート電極17と、ゲート電極17を覆うように設けられたゲート絶縁膜12と、ゲート絶縁膜12上でゲート電極17に重なる位置において島状に設けられた半導体層13と、半導体層13上で互いに対峙するように設けられたソース電極18及びドレイン電極20とを備えている。ここで、ソース電極18は、各ソース線14が側方に突出した部分である。また、ドレイン電極20は、図4に示すように、第1層間絶縁膜15及び第2層間絶縁膜16に形成されたコンタクトホール30を介して画素電極19に接続されている。また、画素電極19は、図5に示すように、第2層間絶縁膜16上に設けられた透明電極31と、透明電極31上に積層され、透明電極31の表面上に設けられた反射電極32とにより構成されている。また、半導体層13は、図4に示すように、下層の真性アモルファスシリコン層13aと、その上層のリンがドープされたn+アモルファスシリコン層13bとを備え、ソース電極18及びドレイン電極20から露出する真性アモルファスシリコン層13aがチャネル領域を構成している。
また、液晶表示装置1の表示部では、図5に示すように、反射電極32により反射領域Rが規定され、反射電極32から露出する透明電極31により透過領域Tが規定されている。また、画素電極19の下層の第2層間絶縁膜16の表面は、図5に示すように、凹凸状に形成されており、第2層間絶縁膜16の表面に透明電極31を介して設けられた反射電極32の表面も凹凸状に形成されている。
なお、第1層間絶縁膜15を構成する材料としては、特に限定されず、例えば、酸化シリコン(SiO2)、窒化シリコン(SiNx(xは正数))等が挙げられる。また、第1層間絶縁膜15の厚みは、600nm以上1000nm以下が好ましい。これは、第1層間絶縁膜15の厚みが600nm未満の場合は、第1層間絶縁膜15を平坦化することが困難になるという不都合が生じる場合があるためであり、1000nmより大きい場合は、エッチングにより、コンタクトホール30を形成することが困難になるという不都合が生じる場合があるためである。
また、CF基板3は、図5に示すように、ガラス基板等の絶縁基板21と、絶縁基板21上に設けられたカラーフィルター22と、カラーフィルター22の反射領域Rにおいて、反射領域R及び透過領域Tにおける光路差を補償するための透明層23と、カラーフィルター層22の透過領域T及び透明層23(即ち、反射領域R)覆うように設けられた共通電極24と、共通電極24上に柱状に設けられたフォトスペーサ25と、共通電極24及びフォトスペーサ25を覆うように設けられた配向膜26とを有している。
なお、カラーフィルター22には、図5、図6に示すように、各画素Eに対して設けられた複数種の着色層28(即ち、赤色層R、緑色層G、および青色層B)と、遮光膜であるブラックマトリクス27とが含まれる。ブラックマトリクス27は、隣接する着色層28の間に設けられ、これら複数種の着色層28を区画する役割を有するものである。このブラックマトリクス27は、Ta(タンタル)、Cr(クロム)、Mo(モリブデン)、Ni(ニッケル)、Ti(チタン)、Cu(銅)、Al(アルミニウム)などの金属材料、カーボンなどの黒色顔料が分散された樹脂材料、または、各々、光透過性を有する複数色の着色層が積層された樹脂材料などにより形成される。また、フォトスペーサ25は、例えば、アクリル系の感光性樹脂からなり、フォトリソグラフィー法により形成される。
上記構成の半透過型の液晶表示装置1は、反射領域RにおいてCF基板3側から入射する光を反射電極32で反射するとともに、透過領域TにおいてTFT基板2側から入射するバックライト(不図示)からの光を透過するように構成されている。
そして、液晶表示装置1は、各画素電極19毎に1つの画素Eが構成されており、各画素Eにおいて、ゲート線11からゲート信号が送られてTFT5をオン状態にした場合に、ソース線14からソース信号が送られてソース電極18及びドレイン電極20を介して、画素電極19に所定の電荷が書き込まれ、画素電極19と共通電極24との間で電位差が生じ、液晶層4に所定の電圧が印加されるように構成されている。そして、液晶表示装置1では、印加された電圧の大きさに応じて、液晶分子の配向状態が変わることを利用して、バックライトから入射する光の透過率を調整することにより、画像が表示される構成となっている。
ここで、本実施形態においては、図6に示すように、カラーフィルタ22の、所定の表示を行う領域S(以下、「領域S」という。)における画素Eが、複数種の着色層28(即ち、赤色層R、緑色層G、および青色層B)のうちの1種の着色層(即ち、赤色層R)により形成されている点に特徴がある。
このような構成により、領域Sにおいて、全ての着色層28を単色(即ち、赤色)にすることが可能になるため、当該領域Sにおける輝度を向上させることが可能になる。
例えば、領域Sが、ユーザーへの報知を行うための表示(例えば、警告表示等)を行う領域の場合、当該領域Sの輝度が向上しているため、ユーザーが警告表示等を容易に認識することができ、ユーザーへの報知を確実に行うことが可能になる。
また、本実施形態においては、領域Sにおける輝度の低下を抑制するとともに色再現範囲を拡大するとの観点から、図7に示すように、上記領域Sにおける着色層28(即ち、赤色層R)の厚みをW1、上記領域S以外の領域におけるにおける着色層28の厚みをW2とした場合に、0.5W2≦W1≦3.0W2の関係が成立する構成としている。これは、W1が3.0W2よりも大きい場合は、領域Sにおける色再現範囲は拡大するものの、光の透過率が低下して、輝度が低下する場合があり、W1が0.5W2未満の場合は、領域Sにおける光の透過率が向上して輝度は向上するものの、色再現範囲が縮小する場合があるためである。
そして、本実施形態においては、上述のごとく、領域Sにおいて、全ての着色層28を単色層(即ち、赤色層R)にしているため、領域Sにおいて、着色層28の厚みW1を大きくすることによる輝度の低下を補うことが可能になり、結果として、当該領域Sにおける輝度を向上させることが可能になる。また、上記領域Sにおいて、着色層28の厚みW1を大きくしているため、上記領域Sにおける色再現範囲を拡大することができる。
即ち、本実施形態においては、上述のごとく、領域Sにおいて、全ての着色層28を単色層にするとともに、0.5W2≦W1≦3.0W2の関係が成立するように着色層28の厚みを設定することにより、上記領域Sにおいて、着色層28の厚みを大きくしたことによる輝度の低下を効果的に抑制して、輝度を向上させることができるとともに、領域Sにおける色再現範囲を拡大することが可能になる。
次に、本実施形態の液晶表示装置の製造方法について一例を挙げて説明する。なお、本実施形態の製造方法は、TFT基板作製工程、CF基板作製工程、及び基板貼り合わせ工程を備える。
<TFT基板作製工程>
まず、絶縁基板6の全体に、スパッタリング法により、例えば、チタン膜、アルミニウム膜及びチタン膜などを順に成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、ゲート線11及びゲート電極17を厚さ4000Å程度に形成する。
まず、絶縁基板6の全体に、スパッタリング法により、例えば、チタン膜、アルミニウム膜及びチタン膜などを順に成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、ゲート線11及びゲート電極17を厚さ4000Å程度に形成する。
続いて、ゲート線11及びゲート電極17が形成された基板全体に、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法により、例えば、窒化シリコン膜などを成膜し、ゲート絶縁膜12を厚さ4000Å程度に形成する。
さらに、ゲート絶縁膜12が形成された基板全体に、プラズマCVD法により、例えば、真性アモルファスシリコン膜(厚さ2000Å程度)、及びリンがドープされたn+アモルファスシリコン膜(厚さ500Å程度)を連続して成膜し、その後、フォトリソグラフィによりゲート電極17上に島状にパターニングして、真性アモルファスシリコン層及びn+アモルファスシリコン層が積層された半導体形成層を形成する。
そして、上記半導体形成層が形成された基板全体に、スパッタリング法により、例えば、アルミニウム膜及びチタン膜などを順に成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、ソース線14、ソース電極18及びドレイン電極20を厚さ2000Å程度に形成する。
続いて、ソース電極18及びドレイン電極20をマスクとして上記半導体形成層のn+アモルファスシリコン層をエッチングすることにより、チャネル領域をパターニングして、半導体層13及びそれを備えたTFT5を形成する。
さらに、TFT5が形成された基板全体に、プラズマCVD法により、例えば、窒化シリコン膜などを成膜し、第1層間絶縁膜15を厚さ4000Å程度に形成する。
そして、第1層間絶縁膜15が形成された基板全体に、スピンコート法により、例えば、ポジ型の感光性樹脂を厚さ3μm程度に塗布し、その塗布された感光性樹脂を、複数の円形状の遮光部が互いに離間してランダムに形成された第1のフォトマスクを介して均一に且つ相対的に低照度で露光し、続いて、ドレイン電極20上のコンタクトホール30に対応する位置に開口部がそれぞれ形成された第2のフォトマスクを介して均一に且つ相対的に高照度で露光した後に、現像する。これにより、上述した高照度の露光部分の感光性樹脂は、完全に除去され、同低照度の露光部分の感光性樹脂は、塗布厚の40%程度が残膜し、未露光部分の感光性樹脂は、塗布厚の80%程度が残膜することになる。さらに、感光性樹脂が現像された基板を200℃程度に加熱して、感光性樹脂を熱だれさせることにより、反射領域Rの表面がなめらかな凹凸状になった第2層間絶縁膜16を形成する。その後、第2層間絶縁膜16から露出する第1層間絶縁膜15をエッチングして、コンタクトホール30を形成する。
次いで、第2層間絶縁膜16上の基板全体に、ITO膜などからなる透明導電膜をスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、絶縁基板6に透明電極31を厚さ1000Å程度に形成する。
次いで、透明電極31が形成された基板全体に、モリブデン膜(厚さ750Å程度)及びアルミニウム膜(厚さ1000Å程度)をスパッタリング法により順に成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、反射領域Rにおいて、透明電極31の表面上に反射電極32を形成して、透明電極31及び反射電極32を備えた画素電極19を形成する。
次いで、画素電極19が形成された基板全体に、印刷法によりポリイミド樹脂を塗布し、その後、ラビング処理を行って、配向膜9を厚さ1000Å程度に形成する。
以上のようにして、TFT基板2を作製することができる。
<CF基板作製工程>
まず、ガラス基板などの絶縁基板21の基板全体に、スピンコート法により、例えば、カーボン微粒子などの黒色顔料が分散されたポジ型の感光性樹脂を塗布し、その塗布された感光性樹脂をフォトマスクを介して露光した後に、現像及び加熱することにより、ブラックマトリクス27を厚さ2.0μm程度に形成する。
まず、ガラス基板などの絶縁基板21の基板全体に、スピンコート法により、例えば、カーボン微粒子などの黒色顔料が分散されたポジ型の感光性樹脂を塗布し、その塗布された感光性樹脂をフォトマスクを介して露光した後に、現像及び加熱することにより、ブラックマトリクス27を厚さ2.0μm程度に形成する。
続いて、ブラックマトリクス27が形成された基板上に、例えば、赤、緑又は青に着色されたアクリル系の感光性樹脂を塗布し、その塗布された感光性樹脂をフォトマスクを介して露光した後に、現像することによりパターニングして、選択した色の着色層(例えば、赤色層R)28を形成する。さらに、他の2色についても同様な工程を繰り返して、他の2色の着色層(例えば、緑色層G及び青色層B)28を形成して、赤色層R、緑色層G及び青色層Bを備えたカラーフィルター22を形成する。
この際、上記領域Sにおいては、上述のごとく、赤色層Rのみを形成するとともに、領域Sにおける赤色層Rを、例えば、厚さ1.75μm程度に形成し、領域S以外の着色層28を、例えば、厚さ1.0μm程度に形成する。
次いで、カラーフィルター22が形成された基板上に、スピンコート法により、アクリル系の感光性樹脂を塗布し、その塗布された感光性樹脂をフォトマスクを介して露光した後に、現像することにより、透明層23を厚さ2μm程度に形成する。
次いで、透明層23が形成された基板全体に、スパッタリング法により、例えば、ITO膜を成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、共通電極24を厚さ1500Å程度に形成する。
次いで、共通電極24が形成された基板全体に、スピンコート法により、アクリル系の感光性樹脂を塗布し、その塗布された感光性樹脂をフォトマスクを介して露光した後に、現像することにより、フォトスペーサ25を厚さ4μm程度に形成する。
最後に、フォトスペーサ25が形成された基板全体に、印刷法によりポリイミド系樹脂を塗布し、その後、ラビング処理を行って、配向膜26を厚さ1000Å程度に形成する。
以上のようにして、CF基板3を作製することができる。
<貼り合わせ工程>
まず、例えば、ディスペンサを用いて、上記CF基板作製工程で作製されたCF基板3に、紫外線硬化及び熱硬化併用型樹脂などにより構成されたシール材40を枠状に描画する。
まず、例えば、ディスペンサを用いて、上記CF基板作製工程で作製されたCF基板3に、紫外線硬化及び熱硬化併用型樹脂などにより構成されたシール材40を枠状に描画する。
次いで、上記シール材40が描画されたCF基板3におけるシール材40の内側の領域に液晶材料を滴下する。
さらに、上記液晶材料が滴下されたCF基板3と、上記TFT基板作製工程で作製されたTFT基板2とを、減圧下で貼り合わせた後に、その貼り合わせた貼合体を大気圧に開放することにより、その貼合体の表面及び裏面を加圧する。
次いで、上記貼合体に挟持されたシール材40にUV光を照射した後に、その貼合体を加熱することによりシール材40を硬化させる。
以上のようにして、図1に示す液晶表示装置1を作製することができる。
以上に説明した本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
本実施形態においては、カラーフィルター22において、領域Sにおける画素Eを、1種の着色層(即ち、赤色層G)28により形成する構成としている。従って、領域Sにおいて、全ての着色層28を単色(即ち、赤色)にすることが可能になるため、当該領域Sにおける輝度を向上させることが可能になる。
また、本実施形態においては、領域Sにおける着色層28の厚みをW1、領域S以外の領域における着色層28の厚みをW2とした場合に、0.5W2≦W1≦3.0W2の関係が成立する構成としている。従って、領域Sにおいて、輝度を向上させることができるとともに、色再現範囲を拡大することができる。
また、本実施形態においては、所定の表示を、警告表示等のユーザーへの報知を行うための表示とした場合、領域Sの輝度が向上しているため、警告表示等をユーザーが容易に認識することができ、ユーザーへの報知を確実に行うことが可能になる。
なお、上記実施形態は以下のように変更しても良い。
上記実施形態においては、表示装置として、液晶表示装置1を例に挙げて説明したが、例えば、有機EL表示装置等の他の表示装置についても、本発明を適用することができる。
また、上記実施形態においては、領域Sにおける画素を赤色層Rにより形成したが、表示する内容に対応させて、緑色層G、または青色層Bにより、領域Sにおける画素を形成する構成としても良い。
また、上記実施形態においては、領域Sにおける画素Eを、1種の着色層(即ち、赤色層R)28により形成したが、当該領域Sにおいて、他の着色層(例えば、青色層B)を使用して、文字や記号等の表示を行う構成としても良い。このような構成により、領域Sにおいて、文字や記号等を固定表示することが可能になるため、通常の領域(即ち、領域S以外の領域)に比し、輝度または色純度を向上させることが可能になる。
以上説明したように、本発明は、着色層からなる画素が配列された表示領域を有するカラーフィルターおよびそれを用いた表示装置に適している。
1 液晶表示装置
2 TFT基板(第1基板)
3 CF基板(第2基板)
4 液晶層(表示媒体層)
22 カラーフィルター
28 着色層
B 青色層
D 表示領域
E 画素
G 緑色層
R 赤色層
S 所定の表示を行う領域
W1 所定の表示を行う領域における着色層の厚み
W2 所定の表示を行う領域以外の領域における着色層の厚み
2 TFT基板(第1基板)
3 CF基板(第2基板)
4 液晶層(表示媒体層)
22 カラーフィルター
28 着色層
B 青色層
D 表示領域
E 画素
G 緑色層
R 赤色層
S 所定の表示を行う領域
W1 所定の表示を行う領域における着色層の厚み
W2 所定の表示を行う領域以外の領域における着色層の厚み
Claims (5)
- 少なくとも1種の着色層からなる画素が2次元的に複数配列された表示領域を有するカラーフィルターであって、
所定の表示を行う領域における前記画素が、1種の前記着色層により形成されていることを特徴とするカラーフィルター。 - 前記所定の表示を行う領域における前記着色層の厚みをW1、前記所定の表示を行う領域以外の領域における前記着色層の厚みをW2とした場合に、0.5W2≦W1≦3.0W2の関係が成立することを特徴とする請求項1に記載のカラーフィルター。
- 前記所定の表示が、ユーザーへの報知を行うための表示であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のカラーフィルター。
- 第1基板と、
前記第1基板に対向して配置され、請求項1〜3のいずれか1項に記載のカラーフィルターを有する第2基板と、
前記第1基板及び前記第2基板の間に設けられた表示媒体層と
を備えた表示装置。 - 前記表示媒体層が液晶層であることを特徴とする請求項4に記載の表示装置。
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2009074274A Pending JP2010224448A (ja) | 2009-03-25 | 2009-03-25 | カラーフィルターおよびそれを備えた表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2010224448A (ja) |
-
2009
- 2009-03-25 JP JP2009074274A patent/JP2010224448A/ja active Pending
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