JP2010219450A - 半導体素子封止体の製造方法および半導体パッケージの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体素子を備えるパッケージを優れた生産性で一括して複数製造することが可能であるとともに、前記パッケージを高い信頼性で製造することができる半導体素子封止体の製造方法および半導体パッケージの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体素子封止体の製造方法は、複数の貫通孔１５１が形成されたシート材１５’と、少なくとも１つの電極パッドを有する複数の半導体素子１６と、半導体素子１６を封止する封止部１７とを有する半導体素子封止体１７０を製造する方法であり、シート材１５’を用意し、シート材１５’の厚さ方向に貫通孔１５１を形成する工程と、貫通孔１５１に前記電極パッドが対応するように、半導体素子１６をシート材１５’上に配置する工程と、シート材１５’の上面に、シート材１５’と半導体素子１６とを覆うように封止して封止部１７を形成することにより半導体素子封止体１７０を得る工程とを有する。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体素子封止体の製造方法および半導体パッケージの製造方法に関する。

近年のエレクトロニクス産業の著しい発展に伴い、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩへと、半導体素子における回路の集積度は急激に増大している。このため、半導体素子の大きさも、従来長辺が数ｍｍ程度だったものが１０数ｍｍへと飛躍的に増大している。また、半導体素子の高速化のため外部と電気的に接合するピンの数も２００ピンを越えるようになってきている。

また、半導体装置の実装においても、より高密度化、より薄型化が一段と加速され、その結果、半導体製品自体もＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）等に代表される従来型のパッケージだけでなく、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）等の面実装タイプのパッケージが出現し、パッケージのより薄型化が進んでいる。

さらに、面実装タイプのパッケージが占有する面積を増加させずに、半導体装置の高密度化を図るために、２つ以上の面実装タイプのパッケージを積層するＰＯＰ（Ｐａｃｋａｇｅ Ｏｎ Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置が提案されている。

このような面実装タイプのパッケージを、一括して複数製造する方法として、例えば、以下に示すような、半導体素子をウエハー・レベル・パッケージ（ＷＬＰ）に封止して埋め込む基板技術（ＥＷＬＰ；Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

まず、図９（ａ）に示すように、上面に接着層６０２が設けられたダミー基板６０１を用意し、接着層６０２を介してダミー基板６０１上に、複数の半導体素子６１６を、このものが有する電極パッド（図示せず）がダミー基板６０１側となるように載置する。

次に、図９（ｂ）に示すように、ダミー基板６０１上に載置された半導体素子６１６を覆うように封止部６１７で封止する。

次に、接着層６０２に加熱等の処理を施すことによりその接着力を低下させて、図９（ｃ）に示すように、半導体素子６１６および封止部６１７からダミー基板６０１を取り除くことにより、一方の面側から半導体素子６１６が露出した状態で封止部６１７により封止された封止体６１０を得る（図９（ｄ）参照。）。

次に、図１０（ａ）に示すように、半導体素子６１６が備える電極パッドが露出するように、封止体６１０の半導体素子６１６が露出する側の面に、貫通孔６２５を有する第１の被覆層６１５を形成する。

次に、図１０（ｂ）に示すように、貫通孔６２５内に、電極パッドと電気的に接続する導体ポスト６１４を形成した後、この導体ポスト６１４に電気的に接続された配線６１３を第１の被覆層６１５上に形成する。

次に、図１０（ｃ）に示すように、配線６１３の後述するバンプ６１１と接続すべき領域が露出するように、第１の被覆層６１５上に、開口部６２２を有する第２の被覆層６１２を形成する。

次に、図１０（ｄ）に示すように、開口部６２２に、配線６１３と電気的に接続するバンプ６１１を形成するとともに、第１の被覆層６１５および第２の被覆層６１２が形成された封止体６１０をその厚さ方向に切断することにより個片化して、複数のパッケージ６００を一括して得る。

以上のようにして、複数のパッケージ（半導体パッケージ）６００を一括して製造することができるが、かかる方法では、図９（ｂ）〜図９（ｄ）に示したように、接着層６０２を介してダミー基板６０１上に形成された封止体６１０を、ダミー基板６０１から取り外す必要があるため、工程数の増加を招き、時間と手間を要することから、生産性の向上を図ることができないという問題がある。

さらに、ダミー基板６０１から封止体６１０を取り外した際に、半導体素子が有する電極パッドの一部に接着層６０２が残存し、これに起因して、電極パッドと導体ポスト６１４との間での導電性が十分に得られないという問題もある。

特開２００６−２８７２３５号公報

本発明の目的は、半導体素子を備えるパッケージを優れた生産性で一括して複数製造することが可能であるとともに、前記パッケージを高い信頼性で製造することができる半導体素子封止体の製造方法および半導体パッケージの製造方法を提供することにある。

（１） 複数の貫通孔が形成されたシート材と、該シート材上に配置され少なくとも１つの電極パッドを有する複数の半導体素子と、該半導体素子を封止する封止部とを有する半導体素子封止体の製造方法であって、
平板状をなすシート材を用意し、該シート材の厚さ方向に複数の貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔に前記電極パッドが対応するように、複数の前記半導体素子を前記シート材上に配置する半導体素子配置工程と、
前記半導体素子が配置されている側の面に、前記シート材と前記半導体素子とを覆うように封止して封止部を形成することにより前記半導体素子封止体を得る封止部形成工程とを有することを特徴とする半導体素子封止体の製造方法。

（２） 前記封止部形成工程において、前記封止部は、顆粒状のエポキシ樹脂組成物を溶融させた状態で、前記シート材および半導体素子を覆うように、前記半導体素子が配置されている側の面に供給した後、この溶融状態のエポキシ樹脂組成物を圧縮成形することにより形成される上記（１）に記載の半導体素子封止体の製造方法。

（３） 前記貫通孔形成工程において、前記貫通孔は、前記半導体素子配置工程で前記シート材上に配置される複数の前記半導体素子が備える電極パッドの総数よりも多く形成される上記（１）または（２）に記載の半導体素子封止体の製造方法。

（４） 前記半導体素子配置工程において、さらに、前記貫通孔に対応するように、導電性を有する導体柱を前記シート材上に配置する上記（３）に記載の半導体素子封止体の製造方法。

（５） 上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の半導体素子封止体の製造方法により製造された半導体素子封止体を用意し、前記貫通孔に導電性を有する導体ポストを形成する導体ポスト形成工程と、
前記シート材の前記半導体素子とは反対の面側に、前記導体ポストに電気的に接続する配線を形成する配線形成工程と、
前記半導体素子とは反対側の面に、前記配線の一部が露出するように、開口部を備える被覆部を形成する被覆部形成工程と、
前記開口部で露出する前記配線に、前記バンプを電気的に接続するバンプ接続工程と、
前記半導体素子毎に対応するように、前記半導体素子封止体を個片化することにより、複数の半導体パッケージを一括して得る個片化工程とを有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。

（６） 上記（４）に記載の半導体素子封止体の製造方法により製造された半導体素子封止体を用意し、前記貫通孔に導電性を有する導体ポストを形成する導体ポスト形成工程と、
前記シート材の前記半導体素子とは反対の面側に、前記導体ポストに電気的に接続する配線を形成する配線形成工程と、
前記半導体素子とは反対側の面に、前記配線の一部が露出するように、開口部を備える被覆部を形成する被覆部形成工程と、
前記開口部で露出する前記配線に、前記バンプを電気的に接続するバンプ接続工程と、
前記導体柱の前記シート材と反対側の端部が露出するまで、前記封止部の前記シート材と反対側の面を研削および／または研磨する研削・研磨工程と、
前記半導体素子毎に対応するように、前記半導体素子封止体を個片化することにより、複数の半導体パッケージを一括して得る個片化工程とを有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。

（７） 前記導体ポスト形成工程において、前記導体ポストは、電解メッキ法により形成される上記（５）または（６）に記載の半導体パッケージの製造方法。

（８） 前記配線形成工程において、前記配線は、電解メッキ法により形成される上記（５）ないし（７）のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。

（９） 前記導体ポストと前記バンプとは、前記シート材の面方向において、異なる位置に形成される上記（５）ないし（８）のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。

本発明によれば、半導体素子を備える半導体パッケージを一括して複数製造する際の、工程数の削減を図ることができるので、半導体パッケージの生産性の向上が図られる。

さらに、半導体素子が備える電極パッドに接着剤等の不純物が付着してしまうのを的確に抑制または防止された状態で半導体パッケージを製造できるので、信頼性の高い半導体パッケージを得ることができる。

本発明の半導体パッケージの製造方法により製造された半導体パッケージが適用された半導体装置の一例を示す縦断面図である。 半導体パッケージを複数一括して製造する半導体パッケージの製造方法を説明するための縦断面図である。 半導体パッケージを複数一括して製造する半導体パッケージの製造方法を説明するための縦断面図である。 半導体パッケージを複数一括して製造する半導体パッケージの製造方法を説明するための縦断面図である。 封止部を形成する方法を説明するための縦断面図である。 封止部を形成する方法を説明するための縦断面図である。 半導体パッケージを複数一括して製造する半導体パッケージの製造方法を説明するための縦断面図である。 半導体パッケージを複数一括して製造する半導体パッケージの製造方法を説明するための縦断面図である。 従来技術により半導体パッケージを複数一括して製造する方法を説明するための縦断面図である。 従来技術により半導体パッケージを複数一括して製造する方法を説明するための縦断面図である。

以下、本発明の半導体素子封止体の製造方法および本発明の半導体パッケージの製造方法を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。

図１は、本発明の半導体パッケージの製造方法により製造された半導体パッケージが適用された半導体装置の一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

図１に示す半導体装置３０は、ＰＯＰ（Ｐａｃｋａｇｅ Ｏｎ Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置であり、パッケージ２０と、このパッケージ２０上に積層されたパッケージ１０とを有している。

パッケージ（半導体パッケージ）１０は、厚さ方向に貫通する貫通孔１５１を備えるインターポーザー（基板）１５と、インターポーザー１５上に配置された半導体素子（ダイ）１６と、半導体素子１６を封止する封止部（モールド部）１７と、貫通孔１５１に設けられた導体ポスト１４と、導体ポスト１４に電気的に接続された配線１３と、配線１３に電気的に接続されたバンプ（端子）１１と、配線１３を被覆し、かつバンプ１１を露出させるように設けられた被覆部１２とを有している。

インターポーザー（基板）１５は、半導体素子１６を支持する基板であり、その平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。このインターポーザー１５には、その厚さ方向に貫通する複数（本実施形態では２つ）の貫通孔（スルーホール）１５１が形成されている。

半導体素子１６は、図示しない電極パッドをその下面側に有しており、この電極パッドが貫通孔１５１に対応するようにインターポーザー１５上に配置されている。

かかる位置に半導体素子１６が配置された状態で、封止部１７は、半導体素子１６およびインターポーザー１５の上面側をほぼ全て覆うように形成される。

貫通孔１５１には、導体ポスト１４が設けられ、この導体ポスト１４がその上側の端部で、半導体素子１６が備える電極パッドと電気的に接続される。

また、インターポーザー１５の下面には、所定形状に形成された配線１３が設けられ、その一部が導体ポスト１４の下側の端部と電気的に接続される。

さらに、配線１３の下面には、球状体をなすバンプ１１が電気的に接続されており、これにより、半導体素子１６とバンプ１１とが、電極パッド、導体ポスト１４および配線１３を介して電気的に接続される。

そして、バンプ１１をその下側から露出させるための開口部１２１を備える被覆部１２が配線１３を被覆するように設けられている。

パッケージ（半導体パッケージ）２０は、その上側でパッケージ１０が積層されるパッケージであり、厚さ方向に貫通する貫通孔２５１を備えるインターポーザー（基板）２５と、インターポーザー２５上に配置された半導体素子（ダイ）２６および導体柱２８と、半導体素子２６および導体柱２８を封止する封止部（モールド部）２７と、貫通孔２５１に設けられた導体ポスト２４と、導体ポスト２４に電気的に接続された配線２３と、配線２３に電気的に接続されたバンプ（端子）２１と、配線２３を被覆し、かつバンプ２１を露出させるように設けられた被覆部２２とを有している。

インターポーザー２５は、半導体素子２６および導体柱２８を支持する基板であり、その平面視形状は、インターポーザー１５と同様に、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。このインターポーザー２５には、その厚さ方向に貫通する複数（本実施形態では４つ）の貫通孔（スルーホール）２５１が形成されている。

半導体素子２６および導体柱２８は、それぞれ、半導体素子２６がその下面側に有する電極パッドおよび導体柱２８が貫通孔２５１に対応するように、インターポーザー１５上に配置されている。

かかる位置に半導体素子２６および導体柱２８が配置された状態で、封止部２７は、半導体素子２６およびインターポーザー２５の上面側がほぼ全て覆われ、かつ導体柱２８の上面側の端部が露出するように形成される。

貫通孔２５１には、導体ポスト２４が設けられ、この導体ポスト２４は、その上側の端部で、半導体素子１６が備える電極パッドまたは導体柱２８と電気的に接続される。

また、インターポーザー２５の下面には、所定形状に形成された配線２３が設けられ、その一部が導体ポスト２４の下側の端部と電気的に接続される。

さらに、配線２３の下面には、球状体をなすバンプ２１が電気的に接続されており、これにより、半導体素子２６とバンプ２１とが、電極パッド、導体ポスト２４および配線２３を介して電気的に接続される。また、導体柱２８とバンプ２１とが、導体ポスト２４および配線２３を介して電気的に接続される。

そして、バンプ２１をその下側から露出させるための開口部２２１を備える被覆部２２が配線２３を被覆するように設けられている。

上記のような構成をなすパッケージ１０およびパッケージ２０を備える半導体装置３０において、パッケージ１０が有するバンプ１１とパッケージ２０が有する導体柱２８とが接続されることにより、半導体素子１６と半導体素子２６とが電気的に接続される。

かかる構成の半導体装置３０は、互いに異なる機能を有する半導体素子１６および半導体素子２６をそれぞれ備えるパッケージ１０およびパッケージ２０が積層されており、パッケージ（半導体素子）の組み合わせの自由度が高く、汎用性が高いといった利点を有する。

以上のような半導体装置３０は、パッケージ１０およびパッケージ２０をそれぞれ用意し、パッケージ１０を上側に、パッケージ２０を下側に配置した状態で、導体柱２８と、バンプ１１とを接続することにより製造されるが、これらパッケージ１０およびパッケージ２０の製造に、本発明の半導体パッケージの製造方法が適用される。

すなわち、パッケージ１０およびパッケージ２０の製造には、平板状をなすシート材を用意し、このシート材の厚さ方向に複数の貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、貫通孔に半導体素子が備える電極パッドが対応するように、複数の半導体素子をシート材上に配置する半導体素子配置工程と、半導体素子が配置されている側の面に、シート材と半導体素子とを覆うように封止して封止部を形成することにより半導体素子封止体を得る封止部形成工程と、貫通孔に導電性を有する導体ポストを形成する導体ポスト形成工程と、シート材の半導体素子とは反対の面側に、導体ポストに電気的に接続する配線を形成する配線形成工程と、半導体素子とは反対側の面に、配線の一部が露出するように、開口部を備える被覆部を形成する被覆部形成工程と、開口部で露出する前記配線に、バンプを電気的に接続するバンプ接続工程と、半導体素子毎に対応するように、半導体素子封止体を個片化することにより、複数の半導体パッケージを一括して得る個片化工程とを有する本発明の半導体パッケージの製造方法が適用される。

以下、本発明の半導体パッケージの製造方法を用いて、パッケージ１０およびパッケージ２０をそれぞれ製造する場合について詳述する。

＜パッケージ１０の製造＞
まず、パッケージ１０を製造する方法について説明する。

図２〜図４は、半導体パッケージ１０を複数一括して製造する半導体パッケージの製造方法を説明するための縦断面図、図５、図６は、封止部１７を形成する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図２〜図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

［１］まず、図２（ａ）に示すような、平板状をなすシート材１５’を用意し、このシート材１５’に、その厚さ方向に貫通する貫通孔１５１を形成する（図２（ｂ）参照。；貫通孔形成工程）。

なお、この貫通孔１５１は、次工程［２］において、半導体素子１６をシート材１５’上に配置した際に、半導体素子１６が備える電極パッドの位置に対応する位置に形成される。

また、シート材１５’は、その厚さ方向に切断して個片化することにより、半導体パッケージ１０が有するインターポーザー（基板）１５となり、半導体素子１６を支持する機能を発揮するものである。

このシート材１５’は、半導体素子１６を支持し得る程度の硬度を有するものであればよく、コア材で構成されるコア基板、ビルドアップ材で構成されるビルドアップ基板のようなリジット基板（硬性基板）またはフレキシブル基板（可撓性基板）の何れであってもよいが、これらの中でも、特に、ビルドアップ基板であるのが好ましい。ビルドアップ基材は、特に、加工性に優れることから好ましく用いられる。

コア基板としては、特に限定されないが、例えば、主として、シアネート樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂のような熱硬化性樹脂等で構成されるものが挙げられる。これらの中でも、シアネート樹脂を主材料として構成されているものが好ましく用いられる。かかる構成材料で構成されるシート材１５’は、優れた機械的強度を有するものである。

シアネート樹脂としては、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得られたものが挙げられる。具体的には、例えば、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂等が挙げられる。

なお、エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂のようなビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂のようなノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂のようなアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂およびフルオレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。

コア基板として、上記のような熱硬化性樹脂を用いる場合、コア基板としては、ガラス繊維織布に硬化前の熱硬化性樹脂を含浸させた後、この熱硬化性樹脂を硬化させることにより得られたものを用いるのが好ましい。これにより、シート材１５’（コア基板）は、より優れた機械的強度を発揮するものとなる。

ビルドアップ材料としては、特に限定されないが、例えば、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂と、硬化剤と、無機充填材とを含有する樹脂組成物等の硬化物を主材料として構成されるものが挙げられる。

かかる構成の樹脂組成物の中でも、熱硬化性樹脂として、下記一般式（１）で表わされる共重合体エポキシ樹脂を含むものが好ましく用いられる。このような樹脂組成物の硬化物で構成されるシート材１５’は、優れた機械的強度を有するものである。また、シート材１５’は、本工程［１］において、貫通孔１５１が形成されるが、微細な形状を有する貫通孔１５１を形成する際の加工性にも優れる。

[式中、Ａｒは縮合環芳香族炭化水素基を、Ｘは水素、またはエポキシ基（グリシジルエーテル基）を、Ｒ_２は、水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、およびベンジル基の中から選択される１種を表す。ｎは１以上の整数であり、ｐ、ｑは０以上の整数であり、またｐ、ｑの値は、繰り返し単位毎に同一でも、異なっていてもよい。]

なお、前記共重合体エポキシ樹脂の縮合環芳香族炭化水素基[Ａｒ]は、下記式（Ａｒ１）〜（Ａｒ４）で表される構造ののうち、いずれかであるのが好ましい。

[式中、Ｒ_１は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、およびベンジル基の中から選択される１種を表す。]

なお、前記共重合体エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、硬化物（第１のシート材２５’）中において、３〜４２重量％程度であるのが好ましく、５〜３５重量％程度であるのがより好ましい。

また、樹脂組成物中には、前記共重合体エポキシ樹脂の他に、さらに前記共重合体エポキシ樹脂とは異なる他のエポキシ樹脂を含有してもよい。他のエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂等が挙げられる。

硬化剤は、特に限定されないが、例えば、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾールのようなイミダゾール化合物、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（II）、トリスアセチルアセトナートコバルト（III）等の有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン等の３級アミン類、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノール等のフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸、またはこの混合物が挙げられる。硬化促進剤として、これらの中の誘導体も含めて１種類を単独で用いることもできるし、これらの誘導体も含めて２種類以上を併用してもよい。

無機充填材としては、特に限定されないが、例えば、タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカ等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

無機充填材の粒径は、特に限定されないが、平均粒子径が１．２μｍ以下であることが好ましく、平均粒径が０．０１〜１．０μｍ程度であるのがより好ましい。

また、無機充填材の含有量は、硬化物（第１のシート材２５’）中において、０〜８５重量％程度であるのが好ましく、３０〜６５重量％程度であるのがより好ましい。

前記樹脂組成物は、シアネート樹脂及び／又はそのプレポリマーを含有することが好ましい。

前記シアネート樹脂及び／又はそのプレポリマー樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる。また、このようにして調製された市販品を用いることもできる。

前記シアネート樹脂及び／又はそのプレポリマーを用いることにより、シート材１５’の弾性率を向上させることができる。また、シアネート樹脂（特にノボラック型シアネート樹脂）は、剛直な化学構造を有するため、耐熱性に優れており、ガラス転移温度以上でも弾性率の低下が小さく、高温においても高弾性率を維持することができる。さらに、硬化反応によって水酸基などの分極率の大きな官能基が生じないため、誘電特性においても優れたものとすることができる。

前記シアネート樹脂及び／又はそのプレポリマーの中でも、下記一般式（３）で表されるノボラック型シアネート樹脂が好ましい。これにより、前記効果に加えて、シート材１５’のガラス転移温度をさらに高くすることができるとともに、硬化後の絶縁樹脂層の難燃性をより向上させることができる。

前記シアネート樹脂及び／又はそのプレポリマーの含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物の５〜５０重量％であることが好ましく、さらに好ましくは１０〜４０重量％である。これにより、微細な形状を有する貫通孔１５１を形成する際の加工性により優れたものとなる。

なお、樹脂組成物中には、樹脂の相溶性、安定性、作業性等の各種特性向上のため、各種添加剤、例えば、レベリング剤、消泡剤、酸化防止剤、顔料、染料、消泡剤、難燃剤、紫外線吸収剤、イオン捕捉剤、非反応性希釈剤、反応性希釈剤、揺変性付与剤、増粘剤等を添加するようにしてもよい。

フレキシブル基板としては、例えば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリイミドベンゾオキサゾール（ＰＩＢＯ）、液晶ポリマーのような熱可塑性樹脂等で構成されるものが挙げられる。

また、シート材１５’に対する貫通孔１５１の形成は、如何なる方法を用いてもよいが、例えば、Ｉ：シート材１５’の貫通孔１５１を形成しない領域にマスクを形成し、このマスクを用いて、シート材１５’をエッチングして貫通孔１５１を形成する方法、II：シート材１５’の貫通孔１５１を形成する領域にレーザーを選択的に照射して貫通孔１５１を形成する方法等が挙げられるが、IIの方法を用いるのが好ましい。IIの方法によれば、微細な形状の貫通孔１５１を比較的容易に形成することができる。

なお、Ｉの方法において、シート材１５’をエッチングする方法としては、例えば、プラズマエッチング、リアクティブエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法や、ウェットエッチング等の化学的エッチング法が挙げられる。

また、IIの方法において用いられるレーザーの種類としては、例えば、Ｎｅ−Ｈｅレーザー、ＹＡＧレーザー、ＹＶＯ_４レーザー、エキシマレーザー等が挙げられる。

［２］次に、半導体素子１６をシート材１５’上に配置（載置）する（図２（ｃ）参照。；半導体素子配置工程）。

この際、半導体素子１６は、前記工程［１］において形成された貫通孔１５１の位置に、半導体素子１６が有する電極パッド（図示せず）が対応する位置に配置される。

なお、本工程においてシート材１５’上に配置される半導体素子１６を、予め評価試験を行い良品と判断されたもの選定する構成とすることにより、本実施形態で一括して製造されるパッケージ１０の歩留まりの向上を図ることができる。

また、半導体素子１６は、シート材１５’上に固定されていても固定されていなくてもよいが、エポキシ系接着剤等の接着剤により固定されているのが好ましい。これにより、次工程［３］において、半導体素子１６を封止部１７で封止する際に、半導体素子１６の位置ずれが生じてしまうのを効果的に防止することができる。

［３］次に、シート材１５’の上面、すなわち半導体素子１６が配置されている側の面を、シート材１５’と半導体素子１６とを覆うように封止部１７を形成する（図２（ｄ）参照。；封止部形成工程）。

これにより、シート材１５’と半導体素子１６とがシート材１５’の上面側で封止部１７により封止された半導体素子封止体１７０が得られる。

なお、上記の貫通孔形成工程［１］、半導体素子配置工程［２］および封止部形成工程［３］により、複数の貫通孔１５１が形成されたシート材１５’と、このシート材１５’上に配置され少なくとも１つの電極パッドを有する複数の半導体素子１６と、この半導体素子１６を封止する封止部１７とを有する半導体素子封止体１７０が製造される、本発明の半導体素子封止体の製造方法が構成される。

封止部１７を形成する方法としては、特に限定されないが、例えば、顆粒状のエポキシ樹脂組成物を溶融させた状態で、シート材１５’および半導体素子１６を覆うようにシート材１５’の上面に供給した後、この溶融状態のエポキシ樹脂組成物を圧縮成形する方法が挙げられる。かかる方法によれば、半導体素子１６をシート材１５’上において容易かつ高密度に封止部１７で封止することができる。

また、本実施形態のように、エポキシ樹脂組成物で構成される封止部１７によりシート材１５’上に配置された半導体素子１６を取り囲むようにして半導体素子１６を封止する構成とすることにより、シート材１５’と封止部１７との間での熱線膨張係数の差を小さく設定することができる。これにより、パッケージ２０上に得られたパッケージ１０を積層して半導体装置３０を製造する際には、バンプ１１を溶融・固化する半田リフロー工程を経ることになるが、この半田リフロー工程において、シート材１５’と封止部１７との間で反りが生じ、これに起因して、これら同士の間で剥離が生じてしまうのを的確に抑制または防止することができる。

以下、かかる方法により、封止部１７を形成する場合について詳述する。
［３−１］まず、エポキシ樹脂組成物を瞬時に下型キャビティ５０４内に供給することができるシャッター等の樹脂材料供給機構を備えた樹脂材料供給容器５０２上に、振動フィーダー５０１等の搬送手段を用いて顆粒状のエポキシ樹脂組成物５０３を一定量搬送し、これにより、顆粒状のエポキシ樹脂組成物５０３が入れられた樹脂材料供給容器５０２を用意する（図５参照。）。

この際、樹脂材料供給容器５０２における顆粒状のエポキシ樹脂組成物５０３の計量は、樹脂材料供給容器５０２の下に設置した計量手段により行われる。

ここで、顆粒状のエポキシ樹脂組成物５０３は、その構成材料として、エポキシ樹脂を含有するものである。

エポキシ樹脂としては、例えば、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量および分子構造を特に限定するものではない。具体的には、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格含有ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂；トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の３官能型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、テルペン変性フェノール型エポキシ樹脂等の変性フェノール型エポキシ樹脂；トリアジン核含有エポキシ樹脂等の複素環含有エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、エポキシ樹脂組成物５０３は、その構成材料として、硬化剤を含有しているのが好ましい。

硬化剤としては、エポキシ樹脂と反応して硬化させるものであればよく、特に限定されるものではないが、例えば、エチレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等の炭素数２〜２０の直鎖脂肪族ジアミン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジアミン、パラキシレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジシクロヘキサン、ビス（４−アミノフェニル）フェニルメタン、１，５−ジアミノナフタレン、メタキシレンジアミン、パラキシレンジアミン、１，１−ビス（４−アミノフェニル）シクロヘキサン、ジシアノジアミド等のアミノ類；アニリン変性レゾール樹脂やジメチルエーテルレゾール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂；フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂等のフェノールアラルキル樹脂；ナフタレン骨格やアントラセン骨格のような縮合多環構造を有するフェノール樹脂；ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン；ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）等の脂環族酸無水物、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）等の芳香族酸無水物等を含む酸無水物等；ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテル等のポリメルカプタン化合物；イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネート等のイソシアネート化合物；カルボン酸含有ポリエステル樹脂等の有機酸類が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、これらの中でも、半導体素子１６を封止するための封止部１７の構成材料に用いる硬化剤としては、耐湿性、信頼性等の観点から、１分子内に少なくとも２個のフェノール性水酸基を有する化合物が好ましく用いられる。かかる硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂；レゾール型フェノール樹脂；ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂等が挙げられる。

また、エポキシ樹脂組成物５０３は、その構成材料として、無機充填材を含有しているものを用いることができる。

無機充填材としては、特に限定されず、例えば、溶融破砕シリカ、溶融球状シリカ、結晶シリカ、２次凝集シリカ等のシリカ；アルミナ；チタンホワイト；水酸化アルミニウム；タルク；クレー；マイカ；ガラス繊維等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、特に溶融球状シリカが好ましい。また、粒子形状は限りなく真球状であることが好ましい。さらに、粒子の大きさの異なるものを混合することにより無機充填量を多くすることができるが、その粒径としては、下型キャビティ５０４内での半導体素子１６の周辺への充填性を考慮すると０．０１μｍ以上、１５０μｍ以下であることが好ましい。

また、エポキシ樹脂組成物５０３は、その構成材料として、硬化促進剤を含有しているのが好ましい。

硬化促進剤としては、特に限定されず、例えば、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等のジアザビシクロアルケン及びその誘導体；トリブチルアミン、ベンジルジメチルアミン等のアミン系化合物；２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物；トリフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類；テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラ安息香酸ボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイックアシッドボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイルオキシボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフチルオキシボレート等のテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート；ベンゾキノンをアダクトしたトリフェニルホスフィン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

さらに、エポキシ樹脂組成物５０３は、上記の構成材料の他に、必要に応じて、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のカップリング剤；カーボンブラック等の着色剤；天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸もしくはその金属塩類、パラフィン、酸化ポリエチレン等の離型剤；シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力剤；ハイドロタルサイト等のイオン捕捉剤；水酸化アルミニウム等の難燃剤；酸化防止剤等の各種添加剤を含有していてもよい。

また、顆粒状のエポキシ樹脂組成物５０３は、ＪＩＳ標準篩を用いて篩分により測定した粒度分布における、２ｍｍ以上の粗粒の割合が全樹脂組成物に対して３質量％以下であることが好ましく、１質量％以下であることがより好ましい。これは、粒子サイズが大きくなるほどその質量、体積とも大きくなることから、サイズの大きな粒子の割合が多いほど、秤量時の秤量精度が低下し、圧縮成形後の封止部１７の品質低下の一因となったり、振動フィーダー５０１や樹脂材料供給容器５０２等の供給口での詰まり等の問題が生じたりする。これに対して、上述した上限値以下の範囲とすると、良好な秤量精度が得られることで半導体装置における品質の低下を引き起こす恐れが低くなり、さらに、前記供給口での詰まり等の問題を生じる恐れも低くなるためである。また、２ｍｍ以上の粗粒の割合の下限値については、特に限定するものではなく、０質量％であってもよい。

また、顆粒状のエポキシ樹脂組成物５０３は、安定した秤量精度を得るため、ＪＩＳ標準篩を用いて篩分により測定した粒度分布における、１０６μｍ未満の微粉の割合が全樹脂組成物に対して５質量％以下であることが好ましく、３質量％以下であることがより好ましい。このことは、１０６μｍ未満の微粉が、顆粒状のエポキシ樹脂組成物５０３の保管中における固着、顆粒状のエポキシ樹脂組成物５０３の搬送経路上での粒子同士の固着や搬送装置への付着を生じ、搬送不良の原因となり、連続生産性や生産のタクトタイムに支障をきたしたりする。これに対して、上述した上限値以下の範囲とすると、粒子同士の固着や搬送装置への付着がほとんどなく、良好な連続生産性や安定した生産性が得られる。また、粒径が１０６μｍ未満の微粉の割合の下限値については、特に限定されるものではなく、０質量％であってもよい。

なお、顆粒状のエポキシ樹脂組成物５０３の粒度分布を測定する方法としては、例えば、ロータップ型篩振動機に備え付けた目開き２．００ｍｍおよび１０６μｍのＪＩＳ標準篩を用い、これらの篩を２０分間に亘って振動（ハンマー打数：１２０回／分）させながら４０ｇの試料を篩に通して分級し、分級前の試料質量に対する２．００ｍｍの篩に残る粗粒の質量％、１０６μｍの篩を通過する微粉の質量％を求める方法が、実際の圧縮成形に必要な特性を体現できるので好ましい。なお、この方法の場合、アスペクト比の高い粒子（短径は篩の目開きより小さく、長径は大きいもの）は、それぞれの篩を通過する可能性があるが、便宜上、一定の方法により分級した成分の質量％により、顆粒状の樹脂組成物の粒度分布と定義する。

また、顆粒状のエポキシ樹脂組成物５０３は、顆粒密度Ｄ１と硬化後の硬化物比重Ｄ２の比Ｄ１／Ｄ２が０．８８〜０．９５程度であることが好ましく、０．９０〜０．９４程度であることがより好ましい。このような下限値以上とすると、粒子内部の空隙率が高くなり過ぎることがなく、圧縮成形時における封止部１７内でのボイドの発生等の問題が生じるおそれが低い。また、上述した上限値以下とすると、顆粒密度が高くなり過ぎることがなく、振動フィーダー５０１等の搬送手段による搬送時に顆粒の移動速度が遅くなる問題もない。移動速度が遅くなると停滞する恐れがあり、それによる固着、つまり等の問題が生じる。さらに、顆粒状のエポキシ樹脂組成物５０３の顆粒密度Ｄ１としては、１．９５以下であることが好ましく、１．９０以下であることがより好ましい。このような上限値以下とすると、良好な搬送性が得られる。また、顆粒状のエポキシ樹脂組成物５０３の顆粒密度Ｄ１の下限値としては、特に限定されるものではないが、粒子内部の空隙率が高くなり過ぎない範囲となる１．７５以上とすることが好ましい。

顆粒密度Ｄ１の測定方法としては、取扱し易いように顆粒状の樹脂組成物を３２メッシュ（目開き５００μｍ）のＪＩＳ標準篩にて篩分後、篩上の顆粒状の樹脂組成物約５ｇを０．１ｍｇまで秤量したものを試料とする。ピクノメータ（容量５０ｃｃ）を蒸留水で満たし、さらに界面活性剤を数滴添加した後、蒸留水と界面活性剤の入ったピクノメータの質量を測定する。次いで、ピクノメータに試料をいれ、蒸留水と界面活性剤と試料の入ったピクノメータ全体の質量を測定し、以下の式（１）にしたがって算出する。

顆粒密度（ｇ／ｍｌ）＝（Ｍｐ×ρｗ）／（Ｍｗ＋Ｍｐ−Ｍｔ） ・・・（１）
ρｗ：測定時の温度における蒸留水の密度（ｇ／ｍｌ）
Ｍｗ：蒸留水を満たし、さらに界面活性剤を数滴添加したピクノメータの質量（ｇ）
Ｍｐ：試料の質量（ｇ）
Ｍｔ：蒸留水と界面活性剤と試料をいれたピクノメータの質量（ｇ）

なお、界面活性剤は蒸留水と試料の濡れを高め、気泡の巻き込みを極小にするために用いる。使用可能な界面活性剤は特に制限がなく、気泡の巻き込みがなくなるような材料を選択すればよい。

また、硬化物比重Ｄ２の測定方法としては、より簡便な方法であるトランスファー成形による硬化物比重の測定方法を用いる。具体的には、顆粒状のエポキシ樹脂組成物５０３を一旦所定の寸法のタブレットに打錠し、トランスファー成形機を用い、金型温度１７５±５℃、注入圧力７ＭＰａ、硬化時間１２０秒で、直径５０ｍｍ×厚さ３ｍｍの円盤を成形し、質量、体積を求め成形材料の硬化物比重を算出する方法が挙げられる。

［３−２］次に、圧縮成形金型の上型と下型の間に、顆粒状のエポキシ樹脂組成物５０３が入れられた樹脂材料供給容器５０２を設置するとともに、前記工程［２］において形成された、半導体素子１６が配置されたシート材１５’を、クランプ、吸着のような固定手段により圧縮成型金型の上型に、半導体素子１６が下側になるようにして固定する（図示せず。）。

［３−３］次に、樹脂材料供給容器５０２の底面を構成するシャッター等の樹脂材料供給機構により、秤量された顆粒状のエポキシ樹脂組成物５０３を下型が備える下型キャビティ５０４内へ供給する（図６参照。）。

これにより、顆粒状のエポキシ樹脂組成物５０３は、下型キャビティ５０４内で所定温度に加熱され、その結果、溶融される。

［３−４］次に、樹脂材料供給容器５０２を圧縮成形金型の上型と下型の間から搬出した後、上型と下型との距離を接近させることにより型締めを行うことにより、溶融したエポキシ樹脂組成物が半導体素子１６を取り囲むように下型キャビティ５０４内に充填させる。さらに、溶融したエポキシ樹脂組成物を硬化させることにより封止部１７を形成して、シート材１５’上に配置された半導体素子１６を封止する。

なお、この際、下型キャビティ５０４内は、減圧下であるのが好ましい。これにより、エポキシ樹脂組成物による充填率をより向上させることができる。

［３−５］次に、所定時間放置した後、圧縮成形金型の上型と下型とを離間することにより圧縮成型金型を開き、固定手段を解放することにより、封止部１７が形成されたシート材１５’を取り出す。

以上のようにして、シート材１５’の上面に、シート材１５’と半導体素子１６とを覆う封止部１７が形成され、その結果、半導体素子封止体１７０が得られる。

［４］次に、貫通孔１５１に、導電性を有する導体ポスト１４を形成する（導体ポスト形成工程）。

この導体ポスト１４を形成する方法としては、特に限定されず、例えば、Ｉ：電解メッキ法、無電解メッキ法のようなメッキ法を用いて導体ポスト１４を形成する方法、II：導電性材料を含有する液状材料を貫通孔１５１に供給し乾燥・固化することにより導体ポスト１４を形成する方法等が挙げられるが、Ｉの方法、特に電解メッキ法を用いて導体ポスト１４を形成するのが好ましい。電解メッキ法によれば、半導体素子１６が有する電極パッドおよび次工程［５］で形成する配線１３に対して、優れた密着性を発揮する導体ポスト１４を容易かつ確実に形成することができる。

以下、電解メッキ法を用いて導体ポスト１４を形成する方法について説明する。
［４−１］まず、図２（ｅ）に示すように、シート材１５’の上面側、すなわちシート材１５’の半導体素子１６とは反対側に、シート材１５’の上面、貫通孔１５１の内面および貫通孔１５１から露出する電極パッドを覆うように一体的に、導電性を有するシード層１４１を形成する。

このシード層１４１は、例えば、Ｃｕ／Ｔｉ膜で構成され、スパッタリング法等の気相成膜法を用いて、まず、Ｔｉ膜を形成した後、このＴｉ膜上にＣｕ膜を形成することにより得ることができる。

なお、本図２（ｅ）から、図２（ａ）〜図２（ｄ）とは異なり、シート材１５’と半導体素子１６との位置を上下入れ替えて記載している。

［４−２］次いで、図２（ｆ）に示すように、導体ポスト１４を形成しない領域すなわち貫通孔１５１を除く領域にマスク（レジスト層）１４２を形成する。

このマスク１４２の形成は、感光性材料を含有する液状材料を塗布法等を用いてシード層１４１上に供給し、次に、形成すべき導体ポスト１４の形状に対応するフォトマスクを介して露光した後、現像液で現像することにより形成することができる。

なお、本工程で用いられる、感光性材料としては、ネガ型の感光性材料およびポジ型の感光性材料の何れであってもよい。

［４−３］次いで、シード層１４１を電極として用いた電解メッキ法により、導体ポスト１４を形成する（図３（ａ）参照。）。

ここで、前記工程［４−２］により、貫通孔１５１がマスク１４２から選択的に露出するようにマスク１４２が形成されているため、本工程において、導体ポスト１４を、貫通孔１５１を埋めるように選択的に形成することができる。

導体ポスト１４を構成する金属としては、特に限定されず、例えば、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、Ｎｉ、Ｎｉ系合金、Ａｕ等が挙げられる。

なお、導体ポスト１４は、図３（ａ）に示すように、貫通孔１５１のほぼ全てを埋めるように形成されている必要はなく、少なくとも貫通孔１５１の内面および電極パッドを覆うように形成されていればよい。

［４−４］次いで、シード層１４１上に形成されたマスク１４２を除去する（図３（ｂ）参照。）。

このマスク１４２の除去は、プラズマエッチング、リアクティブエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうち１種または２種以上を組み合わせて行うことができるが、具体的には、マスク１４２をアルカリ現像液で膨潤・溶解し除去する方法が好ましく用いられる。

なお、次工程［５］において配線１３を電解メッキ法を用いて形成する場合には、このマスク１４２の除去の際に、シード層１４１を除去することなくシート材１５’上に残存させておく。
以上のような工程を経て、貫通孔１５１内に導体ポスト１４が形成される。

［５］次に、シート材１５’の上面側、すなわちシート材１５’の半導体素子１６とは反対の面側に、導体ポスト１４に電気的に接続するように、所定形状にパターニングされた配線１３を形成する（配線形成工程）。

この配線１３を形成する方法としては、前記工程［４］で説明した導体ポスト１４を形成する方法と同一のものを用いることができ、導体ポスト１４を形成する場合と同様に電解メッキ法を用いるのが好ましい。

以下、電解メッキ法を用いて配線１３を形成する方法について説明する。
［５−１］まず、図３（ｃ）に示すように、シート材１５’の上面側、すなわち本実施形態ではシード層１４１の上面の配線１３を形成しない領域にマスク１３２を形成する。

このマスク１３２の形成には、前記工程［４−２］においてマスク１４２を形成する方法として説明したのと同様の方法が用いられる。

［５−２］次いで、電解メッキ法により配線１３を形成する（図３（ｄ）参照。）。
ここで、本工程［５−２］において、配線１３を電解メッキ法により形成する場合には、前述のように、シード層１４１を除去することなくシート材１５’の上面に残存させていることから、このシード層１４１を電極として用いて、電解メッキ法により配線１３を形成することができる。

なお、配線１３を構成する金属としては、特に限定されず、導体ポスト１４を構成する金属として挙げたのと同様のものを用いることができる。さらに、導体ポスト１４と配線１３との構成材料は、同一であっても、異なっていてもよい。

［５−３］次いで、図４（ａ）に示すように、シード層１４１上に形成されたマスク１３２を除去した後、図４（ｂ）に示すように、シート材１５’の上面でマスク１３２の除去により露出するシード層１４１を除去する。

これらマスク１３２およびシード層１４１の除去は、それぞれ、前記工程［４−４］において説明したのと同様の方法を用いることができる。これらの中でも、マスク１３２の除去には、マスク１３２をアルカリ現像液で膨潤・溶解して除去する方法、シード層１４１の除去には、エッチング液を用いてシード層１４１を除去する方法が好ましく用いられる。

以上のような工程を経て、シート材１５’の上面に所定形状に形成された配線１３を、導体ポスト１４に電気的に接続された状態で形成することができる。

［６］次に、図４（ｃ）に示すように、シート材１５’の上面側、すなわちシート材１５’の半導体素子１６とは反対の面側に、配線１３の一部が露出するように、開口部１２１を備える被覆部１２を形成する（被覆部形成工程）。

なお、この開口部１２１は、次工程［７］において、バンプ１１を形成する位置に対応するように形成される。

また、開口部１２１から露出する配線１３上には、被覆層（アンダー・バリア・メタル層（ＵＢＭ層））を形成するのが好ましい。これにより、例えば、配線１３がＣｕや、Ｃｕ系合金で構成される場合には、配線１３からバンプ１１に対するＣｕ原子の溶出を的確に抑制または防止することができる。

このような、被覆層は、通常、主としてＮｉで構成される下層上に、主としてＡｕで構成される上層を積層した積層体で構成され、例えば、無電解メッキ法を用いて形成される。

この被覆部１２の形成は、感光性を有する絶縁性材料を含有する液状材料（ワニス）を塗布法等を用いてシート材１５’の上面側に供給し、次いで、形成すべき開口部１２１の形状に対応するフォトマスクを介して露光した後、現像液（エッチング液）で開口部１２１とすべき領域を除去することにより形成される。

ここで、本工程において用いられる、感光性を有する絶縁性材料としては、特に限定されないが、優れた密着性、厚さ均一性および段差埋め込み性を有するものとして、例えば、以下に示すものが好適に用いられる。

まず、アルカリ可溶性樹脂と感光剤とを含有するアルカリ可溶系樹脂組成物が、感光性を有する絶縁性材料として好適に用いられる。

アルカリ可溶性樹脂としては、例えば、クレゾール型ノボラック樹脂、ヒドロキシスチレン樹脂、メタクリル酸樹脂、メタクリル酸エステル樹脂等のアクリル系樹脂、水酸基、カルボキシル基等を含む環状オレフィン系樹脂、ポリアミド系樹脂等が挙げられる。これらの中でもポリアミド系樹脂が好ましく、具体的にはポリベンゾオキサゾール構造およびポリイミド構造の少なくとも一方を有し、かつ主鎖または側鎖に水酸基、カルボキシル基、エーテル結合またはエステル結合を有する樹脂、ポリベンゾオキサゾール前駆体構造を有する樹脂、ポリイミド前駆体構造を有する樹脂、ポリアミド酸エステル構造を有する樹脂等が挙げられる。このようなポリアミド系樹脂としては、例えば下記一般式（４）で示されるポリアミド系樹脂を挙げることができる。

前記一般式（４）で示されるポリアミド系樹脂は、例えばＸの構造を有するジアミン、ビス（アミノフェノール）またはジアミノフェノール等から選ばれる化合物と、Ｙの構造を有するテトラカルボン酸無水物、トリメリット酸無水物、ジカルボン酸またはジカルボン酸ジクロライド、ジカルボン酸誘導体、ヒドロキシジカルボン酸、ヒドロキシジカルボン酸誘導体等から選ばれる化合物とを反応して得られる。なお、ジカルボン酸の場合には反応収率等を高めるため、１−ヒドロキシ−１，２，３−ベンゾトリアゾール等を予め反応させた活性エステルの型のジカルボン酸誘導体を用いてもよい。

前記一般式（４）で示されるポリアミド樹脂を、例えば１５０〜４００℃で加熱すると脱水閉環し、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、または両者の共重合体という形で耐熱性樹脂が得られる。

前記一般式（４）で示されるＸは環状化合物基であり、例えばベンゼン環、ナフタレン環等の芳香族化合物、ビスフェノール類、ピロール類、フラン類等の複素環式化合物等が挙げられる。

Ｒ^１は、水酸基または−Ｏ−Ｒ^３であり、Ｒ^３が炭素数１〜１５の有機基または窒素含有環状化合物である。Ｒ^３の具体例としては、ホルミル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、ターシャリーブトキシカルボニル基、フェニル基、ベンジル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基等が挙げられる。

上記Ｒ^３は、水酸基のアルカリ水溶液に対する溶解性を調節する目的で用いられる。
また、Ｒ^３として窒素含有環状化合物を用いても良い。これにより、金属配線（特に銅配線）等との密着性に優れる。この前記窒素含有環状化合物としては、例えば（１Ｈ−テトラゾル−５−イル）アミノ基、１−（１Ｈ−テトラゾル−５−イル）メチル−アミノ基、３−（１Ｈ−テトラゾル−５−イル）ベンズ−アミノ基等が挙げられる。

前記一般式（４）で示されるＹは、環状化合物基であり、前記Ｘと同様のものが挙げられ、例えばベンゼン環、ナフタレン環等の芳香族化合物、ビスフェノール類、ピロール類、フラン類、ピリジン類等の複素環式化合物等が挙げられる。
前記一般式（４）で示すように、Ｙには、Ｒ^２が０〜４個結合される。

Ｒ^２は、水酸基、カルボキシル基、−Ｏ−Ｒ^３、−ＣＯＯＲ^３であり、それぞれ同じであっても異なっていても良い。Ｒ^３が炭素数１〜１５の有機基または窒素含有環状化合物である。Ｒ^３の具体例としては、ホルミル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、ターシャリーブトキシカルボニル基、フェニル基、ベンジル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基等が挙げられる。

但し、Ｒ^１として水酸基が無い場合、Ｒ^２の少なくとも１つはカルボキシル基でなければならない。また、Ｒ^２としてカルボキシル基が無い場合、Ｒ^１の少なくとも１つは水酸基でなければならない。
上記Ｒ^３は、水酸基のアルカリ水溶液に対する溶解性を調節する目的で用いられる。

また、前記アルカリ可溶性樹脂の側鎖および他方の末端の少なくとも一方は、窒素含有環状化合物で置換されているのが好ましい。これにより、被覆部１２の配線１３に対する密着性を向上させることができる。

前記窒素含有環状化合物としては、例えば１−（５−１Ｈ−トリアゾイル）メチルアミノ基、３−（１Ｈ−ピラゾイル）アミノ基、４−（１Ｈ−ピラゾイル）アミノ基、５−（１Ｈ−ピラゾイル）アミノ基、１−（３−１Ｈ−ピラゾイル）メチルアミノ基、１−（４−１Ｈ−ピラゾイル）メチルアミノ基、１−（５−１Ｈ−ピラゾイル）メチルアミノ基、（１Ｈ−テトラゾル−５−イル）アミノ基、１−（１Ｈ−テトラゾル−５−イル）メチル−アミノ基、３−（１Ｈ−テトラゾル−５−イル）ベンズ−アミノ基等が挙げられる。

また、アルカリ可溶系樹脂組成物は、感光剤を含有する。これにより、紫外線等の照射によりアルカリ可溶系樹脂に化学反応が生じ、これに起因してアルカリ水溶液に溶解しやすくなり、溶解度の差異を設けることができる。

また、前記感光剤としては、特に限定されないが、例えば、フェノール化合物と１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−スルホン酸または１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−４−スルホン酸とのエステルが挙げられる。

前記感光剤の含有量は、アルカリ可溶系樹脂組成物全体の１〜５０重量％が好ましく、特に５〜３０重量％が好ましい。含有量が前記範囲内であると、特に感度に優れる。

また、アルカリ可溶系樹脂組成物には、必要によりレベリング剤、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤等のカップリング剤およびそれらの各反応物等の添加剤を添加することができる。

以上のようなアルカリ可溶系樹脂組成物は、通常、前述の各成分を溶媒に溶解し、液状材料（ワニス状）にして使用される。

溶媒としては、特に限定されないが、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ′−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル−１，３−ブチレングリコールアセテート、１，３−ブチレングリコール−３−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−３−メトキシプロピオネート等が挙げられ、単独溶媒またはこれらの混合溶媒が用いられる。

＜＜ノルボルネン系樹脂組成物＞＞
次に、上述したアルカリ可溶系樹脂組成物の他に、感光性を有する絶縁性材料として好適に用いられるものとして、ノルボルネン系樹脂組成物が挙げられる。このノルボルネン系樹脂組成物の中でも、特に、密着性、厚さ均一性および段差埋め込み性を顕著に発揮するものとして、環状オレフィンの重合体またはその水素添加物（Ａ）および下記一般式（５）で示される構造を有する化合物（Ｂ）を含む樹脂組成物が好ましく用いられる。

前記樹脂組成物に含まれる環状オレフィンの重合体またはその水素添加物（Ａ）は、特に制限されるものではないが、シクロヘキセン系、シクロオクテン系等の単環体オレフィン系モノマーの重合体、ノルボルネン系、ノルボルナジエン系、ジシクロペンタジエン系、ジヒドロジシクロペンタジエン系、テトラシクロドデセン系、トリシクロペンタジエン系、ジヒドロトリシクロペンタジエン系、テトラシクロペンタジエン系、ジヒドロテトラシクロペンタジエン系等の多環体オレフィン系モノマーの重合体等が挙げられる。これらの中でも、耐湿性や耐薬品性に優れる多環体オレフィンモノマーの重合体が好ましく、その中でも、硬化後の樹脂組成物の耐熱性や機械強度の観点からノルボルネン系モノマーが特に好ましい。

また、環状オレフィンの重合体またはその水素添加物（Ａ）のカチオン重合性の官能基は、特に制限されるものではなく、エポキシ基、オキセタニル基、ビニルエーテル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシシリル基等が挙げられるが、光解像性や硬化後の機械強度の観点より、エポキシ基、オキセタニル基が好ましい。

このようなカチオン重合性官能基を有するモノマーは、特に制限されるものではないが、例えば、エポキシ基を有するものとしては、５−[（２，３−エポキシプロポキシ）メチル]−２−ノルボルネン等、オキセタニル基を有するものとしては５−[｛（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシ｝メチル]−２−ノルボルネン等、ビニルエーテル基を有するものとしては、５−ビニロキシメチル−２−ノルボルネン等、アルケニル基を有するものとしては、５−アリル−２−ノルボルネン、５−メチリデン−２−ノルボルネン、５−エチリデン−２−ノルボルネン、５−イソプロピリデン−２−ノルボルネン、５−（２−プロペニル）−２−ノルボルネン、５−（３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（１−メチル−２−プロペニル）−２−ノルボルネン、５−（４−ペンテニル）−２−ノルボルネン、５−（１−メチル−３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（５−ヘキセニル）−２−ノルボルネン、５−（１−メチル−４−ペンテニル）−２−ノルボルネン、５−（２，３−ジメチル−３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（２−エチル−３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（３，４−ジメチル−４−ペンテニル）−２−ノルボルネン、５−（７−オクテニル）−２−ノルボルネン、５−（２−メチル−６−ヘプテニル）−２−ノルボルネン、５−（１，２−ジメチル−５−ヘキセニル）−２−ノルボルネン、５−（５−エチル−５−ヘキセニル）−２−ノルボルネン、５−（１，２，３−トリメチル−４−ペンテニル）−２−ノルボルネン、８−エチリデンテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,12]ドデック−３−エン、８−エチリデンテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10０^1,6]ドデック−３−エン等、アルキニル基を有するものとしては、５−エチニル−２−ノルボルネン等、アルコキシシリル基を有するものとしては、ジメチル（５−ノルボルネン−２−イル）メトキシシラン、５−トリメトキシシリル−２−ノルボルネン、５−トリエトキシシリル−２−ノルボルネン、５−（２−トリメトキシシリルエチル）−２−ノルボルネン、５−（２−トリエトキシシリルエチル）−２−ノルボルネン、５−（３−トリメトキシシリルプロピル）−２−ノルボルネン、５−（４−トリメトキシシリルブチル）−２−ノルボルネン等が挙げられる。

さらに、環状オレフィンの重合体またはその水素添加物（Ａ）は、上記のカチオン重合性官能基を有する環状オレフィン系モノマーの単量体だけではなく、カチオン重合性官能基を有する環状オレフィン系モノマーと他のモノマーとの重合体でもよい。光解像性や硬化後の機械強度の観点から、光反応性官能基を有する環状オレフィン系モノマーの重合割合は、２０〜８０ｍｏｌ％が好ましく、３０〜７０ｍｏｌ％が特に好ましい。

また、前記他のモノマーとしては、特に制限されるものではないが、例えば、アルキル基を有するものとして、５−メチル−２−ノルボルネン、５−エチル−２−ノルボルネン、５−プロピル−２−ノルボルネン、５−ブチル−２−ノルボルネン、５−ペンチル−２−ノルボルネン、５−ヘキシル−２−ノルボルネン、５−ヘプチル−２−ノルボルネン、５−オクチル−２−ノルボルネン、５−ノニル−２−ノルボルネン、５−デシル−２−ノルボルネン等、シリル基を有するものとしては、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ジメチルビス（２−（５−ノルボルネン−２−イル）エチル）トリシロキサン、５ートリメチルシリルメチルエーテル−２−ノルボルネン等、アリール基を有するものとしては、５−フェニルー２−ノルボルネン、５−ナフチル−２−ノルボルネン、５−ペンタフルオロフェニル−２−ノルボルネン等、アラルキル基を有するものとしては、５−ベンジル−２−ノルボルネン、５−フェネチル−２−ノルボルネン、５−ペンタフルオロフェニルメチル−２−ノルボルネン、５−（２−ペンタフルオロフェニルエチル）−２−ノルボルネン、５−（３−ペンタフルオロフェニルプロピル）−２−ノルボルネン等、ヒドロキシル基、エーテル基、カルボキシル基、エステル基、アクリロイル基またはメタクリロイル基を有するものとしては、５−ノルボルネン−２−メタノール、及びこのアルキルエーテル、酢酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、プロピオン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、酪酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、吉草酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、カプロン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、カプリル酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、カプリン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、ラウリン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、ステアリン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、オレイン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、リノレン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸、５−ノルボルネン−２−カルボン酸メチルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸エチルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸ｔ−ブチルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸ｉ−ブチルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸トリメチルシリルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸トリエチルシリルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸イソボルニルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−ヒドロキシエチルエステル、５−ノルボルネン−２−メチル−２−カルボン酸メチルエステル、ケイ皮酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、５−ノルボルネン−２−メチルエチルカルボネート、５−ノルボルネン−２−メチルｎ−ブチルカルボネート、５−ノルボルネン−２−メチルｔ−ブチルカルボネート、５−メトキシ−２−ノルボルネン、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−エチルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−ｎ−ブチルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−ｎ―プロピルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−ｉ−ブチルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−ｉ−プロピルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−ヘキシルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−オクチルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−デシルエステル等、またテトラシクロ環から成るものとして、８−メトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−エトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−ｎ−プロポキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−ｉ−プロポキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−ｎ−ブトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−（２−メチルプロポキシ）カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−（１−メチルプロポキシ）カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−ｔ−ブトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−シクロヘキシロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−（４’−ｔ−ブチルシクロヘキシロキシ）カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−フェノキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−テトラヒドロフラニロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]−３−ドデセン、８−テトラヒドロピラニロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−メトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−エトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−ｎ−プロポキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−ｉ−プロポキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−ｎ−ブトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−（２−メチルプロポキシ）カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−（１−メチルプロポキシ）カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−ｔ−ブトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−シクロヘキシロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−（４’−ｔ−ブチルシクロヘキシロキシ）カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−フェノキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−テトラヒドロフラニロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−テトラヒドロピラニロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]−３−ドデセン、８−メチル−８−アセトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８，９−ジ（メトキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８，９−ジ（エトキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８，９−ジ（ｎ−プロポキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８，９−ジ（ｉ−プロポキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８，９−ジ（ｎ−ブトキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８，９−ジ（ｔ−ブトキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８，９−ジ（シクロへキシロキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８，９−ジ（フェノキシロキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８，９−ジ（テトラヒドロフラニロキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]−３−ドデセン、８，９−ジ（テトラヒドロピラニロキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]−３−ドデセン、テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン−８−カルボン酸、８−メチルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン−８−カルボン酸、８−メチルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−エチルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．０^1,6]ドデック−３−エン等が挙げられる。

また、前記環状オレフィン系モノマーの重合形態は、特に制限されるものではなく、ランダム重合、ブロック重合等の公知の形態を適用することができ、さらに、重合方法は、付加重合法や開環重合法等が挙げられる。具体的に重合体としては、１種または複数のノルボルネン系化合物等のビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン誘導体モノマ−の（共）重合体、ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン誘導体モノマ−とα−オレフィン類等の共重合可能な他のモノマ−との共重合体、およびこれらの共重合体の水素添加物等が挙げられるが、樹脂の耐熱性の観点から、１種または２種以上のビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン誘導体の付加重合体が好ましい。

なお、環状オレフィンの重合体またはその水素添加物（Ａ）の重量平均分子量は、特に制限されないが、溶剤に対する溶解性や感光性樹脂組成物の流動性の観点から５０００〜５０００００程度であるが好ましく、７０００〜２０００００程度であるのが特に好ましい。重量平均分子量は、標準ポリノルボルネンを用いてゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて測定することができる（ＡＳＴＭＤＳ３６３５−９１に準拠。）。

環状オレフィンの重合体またはその水素添加物（Ａ）の重量平均分子量は、重合開始剤とモノマーの比を変えたり、重合時間を変えたりすることにより制御することができる。

ここで、前記樹脂組成物に、下記一般式（５）で示される構造を有する化合物（Ｂ）を含有する構成とすることにより、このものの硬化物に充分な機械強度をもたせるだけでなく、被覆部１２を作製した場合に、この被覆部１２に充分な平坦性をもたせることができる。

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２は有機基であり、同じでも異なっていてもよく、Ｒ^３〜Ｒ^１０はそれぞれ独立して水素原子あるいは炭素数１〜２のアルキル基またはアルコキシル基であり、Ｘ、Ｙ、Ｚは有機基であり、同じでも異なっていてもよく、Ｒ^１１は直結あるいは炭素数１〜６の炭化水素基または酸素を含んでいる炭素数１〜１２の有機基のいずれかであり、ｎは０〜６である。）

一般式（５）中の、Ｒ^１、Ｒ^２は、有機基であり、同じでも異なっていてもよく、それぞれ炭素数１〜１２の炭化水素基または酸素を含んだ炭素数１〜１２の有機基が好ましい。Ｒ^３〜Ｒ^１０はそれぞれ独立して水素原子あるいは炭素数１〜２のアルキル基またはアルコキシル基である。Ｒ^１１は直結あるいは炭素数１〜６の炭化水素基または酸素を含んでいる炭素数１〜１２の有機基のいずれかであり、好ましくは、直結または炭素数１〜４の炭化水素基である。Ｘ、Ｙ、Ｚは有機基であり、同じでも異なっていてもよく、Ｒ^１１は炭素数１〜６の炭化水素基または酸素を含んだ炭素数１〜１２の有機基であり、ｎは０〜６である。このような構成とすることにより、このものの硬化物に充分な機械強度をもたせるだけでなく、被覆部１２を作製した場合に、充分な平坦性をもたせることができる。

また、上記一般式（５）で示される構造を有する化合物（Ｂ）において、有機基である基Ｙは、例えば、−Ｃ（ＣＨ_３）_２−、−ＣＨ_２−、直結（ダングリングボンド）、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−等が挙げられ、その中でも直結、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−のいずれかであることが好ましい。有機基である基Ｘ、基Ｚは、−ＣＯ−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２−、−ＣＨ_２−、直結、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−等が挙げられ、その中でも直結、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−のいずれかであり、同一であることが好ましい。有機基である基Ｒ^１、基Ｒ^２は、エポキシ基や、炭素数１〜１２の炭化水素基または酸素を含んだ炭素数１〜１２の有機基が好ましい。さらに好ましい一般式（５）の基Ｒ^１、基Ｒ^２は、下記式（６）の構造を有するものである。これらの一般式（５）で示される構造を有する化合物（Ｂ）は、単独でも２種以上混合して用いても良い。これらの構造の化合物を用いることにより、被覆部１２を作製した場合に、得られる被覆部１２に充分な平坦性と、優れた機械強度を付与できる点から好ましい。さらに、前記樹脂組成物を含有する液状材料（ワニス）中での、樹脂組成物の溶媒に対する相溶性が優れる点からも好ましく用いられる。

（式中、Ｒ^１２は、アルキル基である。）

なお、上記一般式（５）において基Ｒ^１、基Ｒ^２として上記一般式（６）の構造を有する化合物としては、例えば、３−エチル−３−フェノキシメチルオキセタン、３−エチル−３−シクロヘキシロキシメチルオキセタン、３−エチル−３−［（２−エチルヘキシロキシ）メチル］オキセタン、１，４−ビス｛［（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシ］メチル｝ベンゼン、４，４−ビス［（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシ］ビフェニル、フェノールノボラック型オキセタン等を挙げられる。

これらの中でも、１，４−ビス｛［（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシ］メチル｝ベンゼン、４，４−ビス［（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシ］ビフェニル、フェノールノボラック型オキセタンが好ましく、４，４−ビス［（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシ］ビフェニル、イソフタル酸ビス［（３−エチル−３−オキセタルニル）メチル］エステル等が特に好ましい。

なお、樹脂組成物中における上記一般式（５）で示される構造を有する化合物（Ｂ）の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物を含む液状材料中における溶媒との相溶性の観点から、前記環状オレフィンの重合体またはその水素添加物（Ａ）１００重量部に対して１〜３０重量部が好ましく、特に５〜１０重量部が好ましい。

また、環状オレフィンの重合体またはその水素添加物（Ａ）および下記一般式（５）で示される構造を有する化合物（Ｂ）を含む樹脂組成物には、酸を発生する化合物（Ｃ）が含まれているのが好ましい。

酸を発生する化合物（Ｃ）は、光照射や熱によりブレンステッド酸またはルイス酸を発生するものである。具体的には、例えば、オニウム塩、ハロゲン化合物、硫酸塩やそれらの混合物等が挙げられる。オニウム塩としては、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ヨードニウム塩、スルフォニウム塩、リン酸塩、アルソニウム塩、オキソニウム塩等が挙げられ、前記のオニウム塩とカウンターアニオンを作ることができる化合物である限り、カウンターアニオンの制限はない。カウンターアニオンの例としては、ホウ酸、アルソニウム酸、リン酸、アンチモニック酸、硫酸塩、カルボン酸とそれらのハロゲン置換体等が挙げられる。

前記オニウム塩の酸発生剤としては、特に限定されず、トリフェニルスルフォニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルフォニウムヘキサフルオロボレート、トリフェニルスルフォニウムテトラフルオロアルセナート、トリフェニルスルフォニウムテトラフルオロフォスフェート、トリフェニルスルフォニウムテトラフルオロサルフェート、４−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロボレート、４−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロアンチモネート、４−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロアルセナート、４−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロフォスフェート、４−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロスルフォネート、トリス（ｔ−ブチルフェニル）スルフォニムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムテトラフルオロボレート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムテトラフルオロスルフォネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムテトラフルオロアンチモネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムトリフルオロフォスフォネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムトリフルオロスルフォネート、トリス（４−メチルフェニル）スルフォニウムトリフルオロボレート、４，４’，４”−トリス（ｔ−ブチルフェニル）スルフォニウムトリフレート、トリス（４−メチルフェニル）スルフォニウムテトラフルオロボレート、トリス（４−メチルフェニル）スルフォニウムヘキサフルオロアルセネート、トリス（４−メチルフェニル）スルフォニウムヘキサフルオロフォスフェート、トリス（４−メチルフェニル）スルフォニウムヘキサフルオロスルフォネート、トリス（４−メトキシフェニル）スルフォニウムテトラフルオロボレート、トリス（４−メトキシフェニル）スルフォニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリス（４−メトキシフェニル）スルフォニウムヘキサフルオロフォスフェート、トリス（４−メトキシフェニル）スルフォニウムトリフルオロスルフォネート、トリフェニルスルフォニウムジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、トリフェニルヨードニウムヘキサフルオロフォスフェート、トリフェニルヨードニウムトリフルオロスルフォネート、３，３−ジニトロジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、３，３−ジニトロジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、３，３−ジニトロジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、３，３−ジニトロジフェニルヨードニウムトリフルオロサルフォネート、４，４’−ジ−ｔ−ブチルフェニルヨードニウムトリフレート、４，４’−ジ−ｔ−ブチルフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、４，４−ジニトロジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、４，４−ジニトロジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、４，４−ジニトロジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、４，４−ジニトロジフェニルヨードニウムトリフルオロサルフォネート、（４−メチルフェニル−４−（１−メチルエチル）フェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、ハロゲンを含有している酸発生剤としては、２，４，６−トリス（トリクロロメチル）トリアジン、２−アリル−４，６−ビス（トリクロロメチル）トリアジン、α，β，α−トリブロモメチルフェニルスルフォン、α、α―２，３，５，６−ヘキサクロロキシレン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロキシレン、１，１，１−トリス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）エタン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

スルフォネート系の酸発生剤としては、具体的には、２−ニトロベンジルトシレート、２，６−ジニトロベンジルトシレート、２，４−ジニトロベンジルトシレート、２−ニトロベンジルメタンスルフォネート、２−ニトロベンジルエタンスルフォネート、９，１０−ジメトキシアントラセン−２−スルフォネート、１，２，３−トリス（メタンスルフォニルロキシ）ベンゼン、１，２，３−トリス（エタンスルフォニルロキシ）ベンゼン、１，２，３−トリス（プロパンスルフォニルロキシ）ベンゼン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

前述のような酸発生剤の中でも、４，４’−ジ−ｔ−ブチルフェニルヨードニウムトリフレート、４，４’，４”−トリス（ｔ−ブチルフェニル）スルフォニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルスルフォニウムジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、４，４’−ジ−ｔ−ブチルフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリス（ｔ−ブチルフェニル）スルフォニムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、４−メチルフェニル−４−（１−メチルエチル）フェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート単体またはそれらの混合物の中から選ばれる１種または２種以上が好ましく用いられる。

また、樹脂組成物中における酸を発生する化合物（Ｃ）の含有量は、特に限定されないが、前記環状オレフィンの重合体またはその水素添加物（Ａ）と酸を発生する化合物（Ｃ）の作用により硬化反応可能な化合物の合計１００重量部に対して０．１〜２０重量部が好ましく、特に０．５〜１０重量部が好ましい。含有量が前記範囲内であると、特に光解像後の開口形状、および感度（被覆部１２のパターニング性）に優れる。

酸を発生する化合物（Ｃ）の作用により硬化反応可能な化合物の重量平均分子量は、特に制限されるものではないが、１０００以下であることが好ましく、特に１００〜６００であることが好ましい。

また、酸を発生する化合物（Ｃ）の作用により硬化反応可能な化合物の配合量は、特に制限されるものではないが、光反応性官能基を有する環状オレフィンの重合体またはその水素添加物（Ａ）１００重量部に対して、１〜５０重量部であることが好ましく、１０〜４０重量部が特に好ましい。

以上のような樹脂組成物は、通常、前述の各成分を溶媒に溶解し、液状材料（ワニス状）にして使用される。

溶媒としては、樹脂組成物のキャリアとして働き、シート材１５’上への塗布後や硬化過程で除去される非反応性溶媒、樹脂組成物と相溶性のある反応基を含んでいる反応性溶媒が挙げられる。

非反応性溶媒としては、特に制限されるものではないが、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、デカヒドロナフタレン等のアルカン、シクロアルカン類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族類が挙げられる。また、必要に応じて、ジエチルエーテル類、テトラヒドロフラン、アニソール、アセテート類、エステル類、ラクトン類、ケトン類、アミド類等を用いることもできる。

反応性溶媒としては、特に制限されるものではないが、シクロヘキセンオキサイドやα−ピネンオキサイド等のシクロエーテル化合物、［メチレンビス（４，１−フェニレンオキシメチレン）］ビスオキシラン等の芳香族シクロエーテル、１，４−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル等のシクロアリファティックビニルエーテル化合物、ビス（４−ビニルフェニル）メタン等の芳香族類が挙げられる。
これらの中でも、樹脂組成物のシート材１５’に対する塗布性の観点から、メシチレン、デカヒドロナフタレン、２−ヘプタノンが好ましい。

なお、環状オレフィンの重合体またはその水素添加物（Ａ）および下記一般式（５）で示される構造を有する化合物（Ｂ）を含む樹脂組成物を含有する液状材料は、その固形分濃度が５〜６０重量％であることが好ましく、３０〜５５重量％が特に好ましく、粘度は１０〜２５０００ｍＰａ・ｓが好ましく、１００〜３０００ｍＰａ・ｓが特に好ましい。上記範囲とすることで、シート材１５’に対する塗布性を確保することが可能となる。

［７］次に、図４（ｄ）に示すように、開口部１２１から露出する配線１３に電気的に接続するようにバンプ１１を形成する（バンプ接続工程）。

ここで、本実施形態のように、導体ポスト１４とバンプ１１との接続を、配線１３を介して行う構成とすることにより、バンプ１１を、シート材１５’の面方向において、導体ポスト１４とは異なる位置に配置することができる。換言すれば、バンプ１１と導体ポスト１４との中心部が重ならないように、これらを配置することができる。したがって、得られるパッケージ１０における下面の所望の位置にバンプ１１を形成することができるので、このパッケージ１０を積層するパッケージ２０の種類の選択の幅が広がる。また、パッケージの出力ピン数を増大させることができる。

このバンプ１１を配線１３に接合する方法としては、特に限定されないが、例えば、バンプ１１と配線１３との間に、粘性を有するフラックスを介在させることにより行われる。

また、バンプ１１の構成材料としては、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材等が挙げられる。

［８］ 次に、図４（ｅ）に示すように、半導体素子１６毎に対応するように、被覆部１２が設けられた半導体素子封止体１７０を個片化することにより、複数の半導体パッケージ１０を一括して得る（個片化工程）。

この半導体素子封止体１７０の個片化は、例えば、半導体素子封止体１７０の厚さ方向に、ダイシングソーを用いて、封止部１７、シート材１５’および被覆部１２を切断することにより行うことができる。

以上のような工程を経て、半導体パッケージ１０が製造される。
このような半導体パッケージ１０の製造方法によれば、前記工程［１］において、半導体素子１６を配置したシート材１５’に、直接、貫通孔１５１が形成され、前記工程［４］において、この貫通孔１５１に導体ポスト１４が形成される。そのため、前記背景技術で説明した半導体パッケージの製造方法のように、ダミー基板から半導体素子封止体を取り外し、さらに導体ポストを形成するための被覆層を半導体素子封止体に形成する必要がないので、半導体パッケージを一括して複数製造する際の、工程数の削減を図ることができるため、半導体パッケージの生産性の向上を図ることができる。

さらに、前記工程［２］において、シート材１５’に予め形成された貫通孔１５１に、半導体素子１６が備える電極パッドが対応するようにして、半導体素子１６をシート材１５’上に配置するため、前記電極パッドに接着剤等の不純物が付着してしまうのを的確に抑制または防止することができるので、信頼性の高い半導体パッケージを製造することができる。

＜パッケージ２０の製造＞
次に、パッケージ２０を製造する方法について説明する。

図７、図８は、半導体パッケージ２０を複数一括して製造する半導体パッケージの製造方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図７、図８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

［１’］まず、図７（ａ）に示すような、平板状をなすシート材２５’を用意し、このシート材２５’に、その厚さ方向に貫通する貫通孔２５１を形成する（図７（ｂ）参照；貫通孔形成工程）。

なお、この貫通孔２５１は、次工程［２’］において、半導体素子２６をシート材２５’上に配置した際に、半導体素子２６が備える電極パッドの位置に対応する位置、および導体柱２８を配置する位置に対応する位置に形成される。

すなわち、パッケージ２０を製造する際には、次工程［２’］において、シート材２５’上に配置される複数の半導体素子２６が備える電極パッドの総数よりも多く形成されており、半導体素子２６の電極パッドが配置されない位置に形成されている貫通孔２５１に対応するように導体柱２８が配置される。

また、シート材２５’は、前記工程［１］で説明した、シート材１５’と同様のものを用いることができる。

さらに、シート材２５’に貫通孔２５１を形成する方法としては、前記工程［１］において、シート材１５’に貫通孔１５１を形成する方法で説明したのと同様の方法を用いることができる。

［２’］次に、半導体素子２６および導体柱２８をシート材２５’上に配置する（図７（ｃ）参照；半導体素子配置工程）。

この際、半導体素子２６および導体柱２８は、前記工程［１’］において形成された貫通孔２５１の位置に、それぞれ、半導体素子２６が有する電極パッド（図示せず）および導体柱２８が対応するような位置に配置される。

すなわち、パッケージ２０を製造する際には、半導体素子２６の他に、さらに、導体柱２８を貫通孔２５１に対応するようにシート材２５’に配置する。

導体柱２８は、導電性を有する材料で構成されていればよく、特に限定されるものではないが、その構成材料としては、例えば、金属材料が好適に用いられ、具体的には、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、Ｎｉ、Ｎｉ系合金、Ｓｎ、Ｓｎ系合金、Ａｕ、等が挙げられる。

［３’］次に、シート材２５’の上面、すなわち半導体素子２６および導体柱２８が配置されている側の面を、シート材２５’、半導体素子２６および導体柱２８を覆うように封止部２７を形成する（図７（ｄ）参照；封止部形成工程）。

これにより、シート材２５’、半導体素子２６および導体柱２８がシート材２５’の上面側で封止部２７により封止された半導体素子封止体２７０が得られる。

封止部２７を形成する方法としては、前記工程［３］において、封止部１７を形成する方法として説明したのと同様の方法を用いることができる。

［４’］次に、図８（ａ）に示すように、半導体素子封止体２７０が備える貫通孔２５１に、導電性を有する導体ポスト２４を形成する（導体ポスト形成工程）。

この導体ポスト２４を形成する方法としては、前記工程［４］において、導体ポスト１４を形成する方法として説明したのと同様の方法を用いることができる。

なお、本図８（ａ）から、図７（ａ）〜図７（ｄ）とは異なり、シート材２５’と半導体素子２６との位置を上下入れ替えて記載している。

［５’］次に、図８（ｂ）に示すように、シート材２５’の上面側、すなわちシート材２５’の半導体素子２６とは反対の面側に、導体ポスト２４に電気的に接続するように、所定形状にパターニングされた配線２３を形成する（配線形成工程）。

この配線２３を形成する方法としては、前記工程［５］において、配線１３を形成する方法として説明したのと同様の方法を用いることができる。

［６’］次に、図８（ｃ）に示すように、シート材２５’の上面側、すなわちシート材２５’の半導体素子２６および導体柱２８とは反対の面側に、配線２３の一部が露出するように、開口部２２１を備える被覆部２２を形成する（被覆部形成工程）。

なお、この開口部２２１は、次工程［７’］において、バンプ２１を形成する位置に対応するように形成される。

この被覆部２２を形成する方法としては、前記工程［６］において、被覆部１２を形成する方法として説明したのと同様の方法を用いることができる。

［７’］次に、図８（ｄ）に示すように、開口部２２１から露出する配線２３に電気的に接続するようにバンプ２１を形成する（バンプ接続工程）。

このバンプ２１を形成する方法としては、前記工程［７］において、バンプ１１を形成する方法として説明したのと同様の方法を用いることができる。

［８’］ 次に、図８（ｅ）に示すように、封止部２７の上面を、導体柱２８の上面側の端部が露出するまで、研削および／または研磨する（研削・研磨工程）。

これにより、パッケージ１０が備えるバンプ１１と電気的に接続される端子として機能する導体柱２８が、形成されるパッケージ２０の上面側で露出することとなる。

この封止部２７の研削および／または研磨は、例えば、研削装置（グラインダー）が備える研削盤を用いて行うことができる。

［９’］ 次に、図８（ｆ）に示すように、半導体素子２６毎に対応するように被覆部２２が設けられた半導体素子封止体２７０を個片化することにより、複数の半導体パッケージ２０を一括して得る（個片化工程）。

この半導体素子封止体２７０の個片化は、前記工程［８］において、半導体素子封止体１７０を個片化する方法として説明したのと同様の方法を用いることができる。
以上のような工程を経て、半導体パッケージ２０が製造される。

このような半導体パッケージ２０の製造方法によれば、前記工程［２’］において、半導体素子２６を配置したシート材２５’に、直接、貫通孔２５１が形成され、前記工程［４’］において、この貫通孔２５１に導体ポスト２４が形成される。そのため、前記背景技術で説明した半導体パッケージの製造方法のように、ダミー基板から半導体素子封止体を取り外し、さらに導体ポストを形成するための被覆層を半導体素子封止体に形成する必要がないので、半導体パッケージを一括して複数製造する際の、工程数の削減を図ることができるため、半導体パッケージの生産性の向上を図ることができる。

さらに、前記工程［２’］において、シート材１５’に予め形成された貫通孔１５１に、半導体素子１６が備える電極パッドが対応するようにして、半導体素子１６をシート材１５’上に配置するため、前記電極パッドに接着剤等の不純物が付着してしまうのを的確に抑制または防止することができるので、信頼性の高い半導体パッケージを製造することができる。

なお、本発明の半導体素子封止体の製造方法および本発明の半導体パッケージの製造方法により製造された半導体装置３０は、例えば、携帯電話、デジタルカメラ、ビデオカメラ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、ゲーム機、液晶テレビ、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、プリンタ等に広く用いることができる。

以上、本発明の半導体素子封止体の製造方法および本発明の半導体パッケージの製造方法について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。

例えば前記実施形態では、パッケージ１０およびパッケージ２０は、それぞれ、１つの半導体素子１６および半導体素子２６を備える場合について説明したが、かかる場合に限定されず、各パッケージ１０、２０は、２つ以上の同一または異種の半導体素子を備えるものであってもよい。かかる構成とすることにより、パッケージ１０、２０の高機能化および多機能化を図ることができる。

また、前記実施形態では、ＰＯＰ（Ｐａｃｋａｇｅ Ｏｎ Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置３０の製造に、本発明の半導体パッケージの製造方法を適用する場合について説明したが、かかる構成の装置の製造に適用されるばかりでなく、例えば、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｌｌａｙ）型の半導体装置、ＦＢＧＡ（Ｆｉｎｅ Ｐｉｔｃｈ Ｂａｌｌ Ｇｉｒｄ Ａｌｌａｙ）等の製造に適用することができる。

また、本発明の半導体素子封止体の製造方法および本発明の半導体パッケージの製造方法には、任意の目的の工程が１または２以上追加されてもよい。

１０、２０ パッケージ
１１、２１ バンプ
１２、２２ 被覆部
１２１、２２１ 開口部
１３、２３ 配線
１３２、１４２ マスク
１４、２４ 導体ポスト
１４１ シード層
１５、２５ インターポーザー
１５１、２５１ 貫通孔
１５’、２５’ シート材
１６、２６ 半導体素子
１７、２７ 封止部
１７０、２７０ 半導体素子封止体
２８ 導体柱
３０ 半導体装置
５０１ 振動フィーダー
５０２ 樹脂材料供給容器
５０３ エポキシ樹脂組成物
５０４ 下型キャビティ
６００ 半導体パッケージ
６０１ ダミー基板
６０２ 接着層
６１０ 封止体
６１１ バンプ
６１２ 第２の被覆層
６１３ 配線
６１４ 導体ポスト
６１５ 第１の被覆層
６１６ 半導体素子
６１７ 封止部
６２２ 開口部
６２５ 貫通孔

Claims (9)

1. 複数の貫通孔が形成されたシート材と、該シート材上に配置され少なくとも１つの電極パッドを有する複数の半導体素子と、該半導体素子を封止する封止部とを有する半導体素子封止体の製造方法であって、
   平板状をなすシート材を用意し、該シート材の厚さ方向に複数の貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
   前記貫通孔に前記電極パッドが対応するように、複数の前記半導体素子を前記シート材上に配置する半導体素子配置工程と、
   前記半導体素子が配置されている側の面に、前記シート材と前記半導体素子とを覆うように封止して封止部を形成することにより前記半導体素子封止体を得る封止部形成工程とを有することを特徴とする半導体素子封止体の製造方法。
2. 前記封止部形成工程において、前記封止部は、顆粒状のエポキシ樹脂組成物を溶融させた状態で、前記シート材および半導体素子を覆うように、前記半導体素子が配置されている側の面に供給した後、この溶融状態のエポキシ樹脂組成物を圧縮成形することにより形成される請求項１に記載の半導体素子封止体の製造方法。
3. 前記貫通孔形成工程において、前記貫通孔は、前記半導体素子配置工程で前記シート材上に配置される複数の前記半導体素子が備える電極パッドの総数よりも多く形成される請求項１または２に記載の半導体素子封止体の製造方法。
4. 前記半導体素子配置工程において、さらに、前記貫通孔に対応するように、導電性を有する導体柱を前記シート材上に配置する請求項３に記載の半導体素子封止体の製造方法。
5. 請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体素子封止体の製造方法により製造された半導体素子封止体を用意し、前記貫通孔に導電性を有する導体ポストを形成する導体ポスト形成工程と、
   前記シート材の前記半導体素子とは反対の面側に、前記導体ポストに電気的に接続する配線を形成する配線形成工程と、
   前記半導体素子とは反対側の面に、前記配線の一部が露出するように、開口部を備える被覆部を形成する被覆部形成工程と、
   前記開口部で露出する前記配線に、前記バンプを電気的に接続するバンプ接続工程と、
   前記半導体素子毎に対応するように、前記半導体素子封止体を個片化することにより、複数の半導体パッケージを一括して得る個片化工程とを有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
6. 請求項４に記載の半導体素子封止体の製造方法により製造された半導体素子封止体を用意し、前記貫通孔に導電性を有する導体ポストを形成する導体ポスト形成工程と、
   前記シート材の前記半導体素子とは反対の面側に、前記導体ポストに電気的に接続する配線を形成する配線形成工程と、
   前記半導体素子とは反対側の面に、前記配線の一部が露出するように、開口部を備える被覆部を形成する被覆部形成工程と、
   前記開口部で露出する前記配線に、前記バンプを電気的に接続するバンプ接続工程と、
   前記導体柱の前記シート材と反対側の端部が露出するまで、前記封止部の前記シート材と反対側の面を研削および／または研磨する研削・研磨工程と、
   前記半導体素子毎に対応するように、前記半導体素子封止体を個片化することにより、複数の半導体パッケージを一括して得る個片化工程とを有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
7. 前記導体ポスト形成工程において、前記導体ポストは、電解メッキ法により形成される請求項５または６に記載の半導体パッケージの製造方法。
8. 前記配線形成工程において、前記配線は、電解メッキ法により形成される請求項５ないし７のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
9. 前記導体ポストと前記バンプとは、前記シート材の面方向において、異なる位置に形成される請求項５ないし８のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。

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