JP2010213015A - Piezoelectric device and manufacturing method thereof - Google Patents

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Yugo Koyama
裕吾 小山
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a piezoelectric device in which reliability is improved by preventing or suppressing a package from being deviated from a predetermined position with respect to a mount substrate, and a manufacturing method of the piezoelectric device. <P>SOLUTION: A piezoelectric device 1 includes a package 3 housing a piezoelectric vibrating chip 2 therein, a mount substrate 4, spacers 51-54 forming a gap between the package 3 and the mount substrate 4, and an electronic component 6. Among the spacers 51-54, the spacers 51, 52 are fixed in the package 3 by a brazing metal 7 and the spacers 53, 54 are fixed in the package 3 by a thermosetting adhesive 8. The spacers 53, 54 and the package 3 are fixed by the thermosetting adhesive 8 prior to fixing the spacers 51, 52 and the package 3 using the brazing metal 7. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、圧電デバイスおよびその製造方法に関する。   The present invention relates to a piezoelectric device and a manufacturing method thereof.

圧電デバイスとしては、支持基板上に水晶発振器回路を構成する電子部品を設けるとともに、この電子部品の上方に水晶振動子を位置させるように、水晶振動子をスペーサを介して前記支持基板に固定した構成のものが知られている(特許文献1参照)。
特許文献1の圧電デバイス(圧電発振器)は、内部に圧電振動片を収容するパッケージと、パッケージを接続部材(スペーサ)を介して固定する回路基板と、接続部材により形成された回路基板とパッケージの間の空間に位置するように回路基板に実装された集積回路(IC)とを有している。
このような圧電デバイスでは、接続部材として、融点の高い球形部材を核の周囲に、融点の低い導電性部材(ハンダ)をコーティングしたハンダボールを用いており、これにより、核の周囲にコーティングされたハンダにて電気的接続を行いつつ、核によりパッケージを支持することができるようになっている。
As a piezoelectric device, an electronic component constituting a crystal oscillator circuit is provided on a support substrate, and the crystal resonator is fixed to the support substrate via a spacer so that the crystal resonator is positioned above the electronic component. The thing of a structure is known (refer patent document 1).
The piezoelectric device (piezoelectric oscillator) of Patent Document 1 includes a package that houses a piezoelectric vibrating piece therein, a circuit board that fixes the package via a connection member (spacer), a circuit board formed by the connection member, and a package. And an integrated circuit (IC) mounted on a circuit board so as to be located in the space between them.
In such a piezoelectric device, a spherical member having a high melting point is used as a connecting member, and a solder ball coated with a conductive member (solder) having a low melting point is used as a connecting member. The package can be supported by the core while being electrically connected with solder.

しかしながら、このような圧電デバイスでは、接続部材のハンダを溶融・固化し、接続部材と回路基板および接続部材とパッケージが、それぞれ接合されるまでは、パッケージが回路基板に対して変位し易い。特に、4つの接続部材の溶融は、必ずしも同時に起こるわけではなく、4つの接続部材の溶融開始時刻がずれると、最後に溶融する接続部材を軸として、パッケージがその面方向に変位する。
このように、特許文献1の圧電デバイスでは、パッケージの配設位置が所定位置に対してずれるという問題がある。パッケージの配設位置が所定位置に対してずれると、例えば、回路基板と圧電振動片とを電気的に接続できなかったり、圧電デバイスの大型化(異形化)を招いたりしてしまう。
However, in such a piezoelectric device, the package is likely to be displaced with respect to the circuit board until the solder of the connection member is melted and solidified and the connection member, the circuit board, and the connection member and the package are joined to each other. In particular, the melting of the four connecting members does not necessarily occur simultaneously, and when the melting start time of the four connecting members shifts, the package is displaced in the surface direction around the connecting member that is melted last.
As described above, the piezoelectric device disclosed in Patent Document 1 has a problem that the arrangement position of the package is deviated from the predetermined position. If the arrangement position of the package is deviated from the predetermined position, for example, the circuit board and the piezoelectric vibrating piece cannot be electrically connected, or the piezoelectric device is enlarged (deformed).

特開2008−104151号公報JP 2008-104151 A

本発明の目的は、パッケージの所定位置からのずれを防止または抑制し、信頼性の高い圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a highly reliable piezoelectric device and a method for manufacturing a piezoelectric device that prevent or suppress a shift of a package from a predetermined position.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
[適用例1]
本発明の圧電デバイスは、圧電振動片を収容したパッケージと、
前記パッケージを実装する実装基板と、
前記パッケージと前記実装基板との間に設けられ、前記パッケージと前記実装基板との間に隙間を形成する複数のスペーサと、
前記隙間に位置するように配置され、前記圧電振動片を駆動する電子部品と、
を有し、
前記複数のスペーサのうちの少なくとも1つは、第1の固定材料により前記パッケージに固定され、他の前記スペーサの少なくとも1つは、第2の固定材料により前記パッケージに固定されており、
前記第1の固定材料は、金属ろうであり、
前記第2の固定材料は、前記第1の固定材料に先立って前記スペーサと前記パッケージとを接着固定する接着剤であることを特徴とする。
これにより、パッケージの所定位置からのずれを防止または抑制でき、信頼性の高い圧電デバイスが得られる。
SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.
[Application Example 1]
A piezoelectric device of the present invention includes a package containing a piezoelectric vibrating piece,
A mounting substrate for mounting the package;
A plurality of spacers provided between the package and the mounting substrate, and forming a gap between the package and the mounting substrate;
An electronic component that is disposed so as to be positioned in the gap and drives the piezoelectric vibrating piece,
Have
At least one of the plurality of spacers is fixed to the package by a first fixing material, and at least one of the other spacers is fixed to the package by a second fixing material;
The first fixing material is a metal braze;
The second fixing material is an adhesive that adheres and fixes the spacer and the package prior to the first fixing material.
Thereby, the shift | offset | difference from the predetermined position of a package can be prevented or suppressed, and a highly reliable piezoelectric device is obtained.

[適用例2]
本発明の圧電デバイスは、圧電振動片を収容したパッケージと、
前記パッケージを実装する実装基板と、
前記パッケージと前記実装基板との間に設けられ、前記パッケージと前記実装基板との間に隙間を形成する複数のスペーサと、
前記隙間に位置するように配置され、前記圧電振動片を駆動する電子部品と、
を有し、
前記複数のスペーサのうちの少なくとも1つは、第1の固定材料により前記パッケージに固定され、他の前記スペーサの少なくとも1つは、第2の固定材料により前記パッケージに固定されており、
前記第1の固定材料は、金属ろうであり、
前記第2の固定材料は、前記第1の固定材料に先立って前記スペーサと前記パッケージとを接着固定する接着剤であり、
前記接着剤は、前記金属ろうの融点よりも低い硬化温度を有する熱硬化性接着剤であることを特徴とする。
これにより、熱硬化性接着剤の硬化温度以上かつ金属ろうの融点以下の温度に加熱することにより、金属ろうを溶融させずに、熱硬化性接着剤を硬化させることができる。そのため、簡単に、熱硬化性接着剤によるスペーサとパッケージとの固定を、金属ろうによるスペーサとパッケージとの固定に先立って行うことができる。
[Application Example 2]
A piezoelectric device of the present invention includes a package containing a piezoelectric vibrating piece,
A mounting substrate for mounting the package;
A plurality of spacers provided between the package and the mounting substrate, and forming a gap between the package and the mounting substrate;
An electronic component that is disposed so as to be positioned in the gap and drives the piezoelectric vibrating piece,
Have
At least one of the plurality of spacers is fixed to the package by a first fixing material, and at least one of the other spacers is fixed to the package by a second fixing material;
The first fixing material is a metal braze;
The second fixing material is an adhesive that bonds and fixes the spacer and the package prior to the first fixing material,
The adhesive is a thermosetting adhesive having a curing temperature lower than the melting point of the metal brazing.
Accordingly, the thermosetting adhesive can be cured without melting the metal brazing by heating to a temperature not lower than the curing temperature of the thermosetting adhesive and not higher than the melting point of the metal brazing. Therefore, it is possible to simply fix the spacer and the package with the thermosetting adhesive prior to fixing the spacer and the package with the metal brazing.

[適用例3]
本発明の圧電デバイスでは、前記接着剤の前記硬化温度は、前記金属ろうの前記融点よりも10度以上低いことが好ましい。
これにより、金属ろうは溶融しないが、熱硬化性接着剤は硬化する温度範囲を比較的広く確保することができる。
[Application Example 3]
In the piezoelectric device of the present invention, it is preferable that the curing temperature of the adhesive is 10 degrees or more lower than the melting point of the metal brazing.
Thereby, although the metal brazing does not melt, the thermosetting adhesive can ensure a relatively wide temperature range for curing.

[適用例4]
本発明の圧電デバイスでは、前記複数のスペーサのうちの前記第2の固定材料を介して前記パッケージに固定される前記スペーサは、球状の核と、前記核の表面を覆うように形成された半田とを有していることが好ましい。
これにより、核にスペーサとしての機能(すなわち、パッケージと実装基板との間に電子部品を設けるための隙間を形成する機能)を発揮させつつ、半田を介してパッケージを実装基板に固着することができる。
[Application Example 4]
In the piezoelectric device of the present invention, the spacer fixed to the package through the second fixing material among the plurality of spacers includes a spherical core and solder formed so as to cover the surface of the core It is preferable to have.
As a result, the package can be fixed to the mounting substrate via solder while exhibiting a function as a spacer (that is, a function of forming a gap for providing an electronic component between the package and the mounting substrate) at the core. it can.

[適用例5]
本発明の圧電デバイスでは、前記複数のスペーサのうちの前記第2の固定材料を介して前記パッケージに固定される前記スペーサおよび前記接着剤は、それぞれ、導電性を有していることが好ましい。
これにより、姿勢安定スペーサを介しても、電子部品と圧電振動片とを電気的に接続することができる。
[Application Example 5]
In the piezoelectric device according to the aspect of the invention, it is preferable that the spacer and the adhesive fixed to the package via the second fixing material among the plurality of spacers have conductivity.
Accordingly, the electronic component and the piezoelectric vibrating piece can be electrically connected through the posture stabilizing spacer.

[適用例6]
本発明の圧電デバイスの製造方法は、圧電振動片を収容したパッケージを複数のスペーサを介して実装基板に実装した圧電デバイスの製造方法であって、
前記複数のスペーサのうちの少なくとも1つの前記スペーサを、接着剤を介して前記パッケージに固定する第1の工程と、
前記第1の工程の後、前記複数のスペーサのうちの、前記接着剤を介して前記パッケージに固定された前記スペーサ以外の前記スペーサの少なくとも1つを、金属ろうを介して前記パッケージに固定する第2の工程とを有することを特徴とする。
これにより、パッケージの所定位置からのずれを防止または抑制でき、信頼性の高い圧電デバイスを製造することができる。
[Application Example 6]
A method for manufacturing a piezoelectric device of the present invention is a method for manufacturing a piezoelectric device in which a package containing a piezoelectric vibrating piece is mounted on a mounting substrate via a plurality of spacers,
A first step of fixing at least one of the plurality of spacers to the package via an adhesive;
After the first step, among the plurality of spacers, at least one of the spacers other than the spacer fixed to the package via the adhesive is fixed to the package via a metal braze. And a second step.
Thereby, the shift | offset | difference from the predetermined position of a package can be prevented or suppressed, and a highly reliable piezoelectric device can be manufactured.

[適用例7]
本発明の圧電デバイスの製造方法では、前記接着剤は、前記金属ろうの融点よりも低い硬化温度の熱硬化性接着剤であり、
前記第1の工程は、前記熱硬化性接着剤の前記硬化温度より高く、かつ、前記金属ろうの前記融点よりも低い温度に加熱することにより行われることが好ましい。
これにより、熱硬化性接着剤の硬化温度以上かつ金属ろうの融点以下の温度に加熱することにより、金属ろうを溶融させずに、熱硬化性接着剤を硬化させることができる。そのため、簡単に、熱硬化性接着剤によるスペーサとパッケージとの固定を、金属ろうによるスペーサとパッケージとの固定に先立って行うことができる。
[Application Example 7]
In the piezoelectric device manufacturing method of the present invention, the adhesive is a thermosetting adhesive having a curing temperature lower than the melting point of the metal brazing,
The first step is preferably performed by heating to a temperature higher than the curing temperature of the thermosetting adhesive and lower than the melting point of the metal brazing.
Accordingly, the thermosetting adhesive can be cured without melting the metal brazing by heating to a temperature not lower than the curing temperature of the thermosetting adhesive and not higher than the melting point of the metal brazing. Therefore, it is possible to simply fix the spacer and the package with the thermosetting adhesive prior to fixing the spacer and the package with the metal brazing.

[適用例8]
本発明の圧電デバイスの製造方法では、前記接着剤の硬化温度は、前記金属ろうの融点よりも10度以上低いことが好ましい。
これにより、金属ろうは溶融しないが、熱硬化性接着剤は硬化する温度範囲を比較的広く確保することができる。
[Application Example 8]
In the method for manufacturing a piezoelectric device of the present invention, it is preferable that the curing temperature of the adhesive is 10 degrees or more lower than the melting point of the metal brazing.
Thereby, although the metal brazing does not melt, the thermosetting adhesive can ensure a relatively wide temperature range for curing.

本発明の圧電デバイスの第1実施形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows 1st Embodiment of the piezoelectric device of this invention. 図1に示す圧電デバイスが備えるパッケージの上面図および下面図である。FIG. 2 is a top view and a bottom view of a package included in the piezoelectric device shown in FIG. 1. 図1に示す圧電デバイスが備える実装基板の上面図である。It is a top view of the mounting substrate with which the piezoelectric device shown in FIG. 1 is provided. 図1に示す圧電デバイスが備えるスペーサの断面図である。It is sectional drawing of the spacer with which the piezoelectric device shown in FIG. 1 is provided. 図1に示す圧電デバイスをモールドした状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which molded the piezoelectric device shown in FIG. 図5に示す圧電デバイスの製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the piezoelectric device shown in FIG. 図5に示す圧電デバイスの製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the piezoelectric device shown in FIG. 図5に示す圧電デバイスの製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the piezoelectric device shown in FIG. 本発明の第2実施形態に係る圧電デバイスが備えるパッケージの下面図である。It is a bottom view of the package with which the piezoelectric device which concerns on 2nd Embodiment of this invention is provided. 図9に示す圧電デバイスが備える実装基板の上面図である。FIG. 10 is a top view of a mounting substrate included in the piezoelectric device shown in FIG. 9. 本発明の第3実施形態に係る圧電デバイスが備えるパッケージの下面図である。It is a bottom view of the package with which the piezoelectric device which concerns on 3rd Embodiment of this invention is provided. 図11に示す圧電デバイスが備える実装基板の上面図である。It is a top view of the mounting substrate with which the piezoelectric device shown in FIG. 11 is provided.

以下、本発明の圧電デバイスを添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
<第1実施形態>
まず、本発明の圧電デバイスの第1実施形態について説明する。
図1は、本発明の圧電デバイスの第1実施形態を示す断面図、図2は、図1に示す圧電デバイスが備えるパッケージの上面図および下面図、図3は、図1に示す圧電デバイスが備える実装基板の上面図、図4は、図1に示す圧電デバイスが備えるスペーサの断面図、図5は、図1に示す圧電デバイスをモールドした状態を示す断面図、図6ないし図8は、それぞれ、図5に示す圧電デバイスの製造方法を説明する断面図である。なお、図3では、後述する配線パターン42の図示を省略している。また、以下の説明では、図1〜図8中の上側を「上」、下側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言う。
図1に示す圧電デバイス1は、圧電振動片2を収容するパッケージ3と、スペーサ51〜54を介してパッケージ3を実装(固定・支持)する実装基板4と、パッケージ3と実装基板4の間に位置するように実装基板4上に設けられた電子部品6とを有している。以下、これらについて、順次、詳細に説明する。
Hereinafter, a piezoelectric device of the present invention will be described in detail based on embodiments shown in the accompanying drawings.
<First Embodiment>
First, a first embodiment of the piezoelectric device of the present invention will be described.
1 is a cross-sectional view showing a first embodiment of the piezoelectric device of the present invention, FIG. 2 is a top view and a bottom view of a package included in the piezoelectric device shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a diagram of the piezoelectric device shown in FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view of a spacer provided in the piezoelectric device shown in FIG. 1, FIG. 5 is a cross-sectional view showing a state in which the piezoelectric device shown in FIG. 1 is molded, and FIGS. FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing the piezoelectric device shown in FIG. 5. In FIG. 3, illustration of a wiring pattern 42 described later is omitted. In the following description, the upper side in FIGS. 1 to 8 is referred to as “upper”, the lower side as “lower”, the right side as “right”, and the left side as “left”.
A piezoelectric device 1 shown in FIG. 1 includes a package 3 that accommodates a piezoelectric vibrating piece 2, a mounting substrate 4 that mounts (fixes and supports) the package 3 via spacers 51 to 54, and between the package 3 and the mounting substrate 4. And the electronic component 6 provided on the mounting substrate 4 so as to be positioned at the position. Hereinafter, these will be described in detail in order.

まず、圧電振動片2について説明する。
本実施形態では、圧電振動片2は、弾性表面波素子である。図2に示すように、弾性表面波素子2は、長手形状をなす圧電体基板21と、圧電体基板21上に設けられたIDT(櫛歯電極)22と、IDT22の両側に配置された一対の反射器23a、23bとを有している。
First, the piezoelectric vibrating piece 2 will be described.
In the present embodiment, the piezoelectric vibrating piece 2 is a surface acoustic wave element. As shown in FIG. 2, the surface acoustic wave element 2 includes a piezoelectric substrate 21 having a longitudinal shape, an IDT (comb electrode) 22 provided on the piezoelectric substrate 21, and a pair disposed on both sides of the IDT 22. Reflectors 23a and 23b.

圧電体基板21は、水晶で構成されている。圧電体基板21を水晶で構成することにより優れた温度特性を発揮することができる。なお、圧電体基板21は、例えば、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、四硼酸リチウム等の水晶以外の圧電材料で構成されていてもよい。
IDT22は、圧電体基板21の中央部に設けられている。このIDT22は、一対の電極22a、22bで構成されている。一対の電極22a、22bは、電極22aの電極指221aと、電極22bの電極指221bとが噛み合うように配置されている。一対の電極22a、22b間に電圧を印加すると、圧電体基板21の圧電効果によって、電極指221a、221b間に周期的なひずみが生じ、弾性表面波が励起される。励起した弾性表面波は、電極指221a、221bの連続方向(すなわち、圧電体基板21の長手方向)に沿って伝搬する。
一対の反射器23a、23bは、前述した弾性表面波の伝搬方向において、IDT22を挟んでその両側に配置されている。このような反射器23a、23bは、圧電体基板21に伝搬する弾性表面波を反射して、反射器23aと反射器23bとの間に封じ込める機能を有する。
The piezoelectric substrate 21 is made of quartz. By configuring the piezoelectric substrate 21 with quartz, excellent temperature characteristics can be exhibited. The piezoelectric substrate 21 may be made of a piezoelectric material other than quartz, such as lithium tantalate, lithium niobate, lithium tetraborate, and the like.
The IDT 22 is provided at the center of the piezoelectric substrate 21. The IDT 22 includes a pair of electrodes 22a and 22b. The pair of electrodes 22a and 22b are arranged so that the electrode finger 221a of the electrode 22a and the electrode finger 221b of the electrode 22b are engaged with each other. When a voltage is applied between the pair of electrodes 22a and 22b, periodic distortion occurs between the electrode fingers 221a and 221b due to the piezoelectric effect of the piezoelectric substrate 21, and the surface acoustic wave is excited. The excited surface acoustic wave propagates along the continuous direction of the electrode fingers 221a and 221b (that is, the longitudinal direction of the piezoelectric substrate 21).
The pair of reflectors 23a and 23b are arranged on both sides of the IDT 22 in the above-described propagation direction of the surface acoustic wave. Such reflectors 23a and 23b have a function of reflecting the surface acoustic wave propagating to the piezoelectric substrate 21 and confining it between the reflectors 23a and 23b.

このようなIDT22および反射器23a、23bは、全体的に、圧電体基板21の長手方向の一端側(図2中右側の端側)にずれて形成されている。そして、圧電体基板21の他端側(図2中左側の端側)には、一対の引出電極24a、24bが形成されている。引出電極24a、24bは、それぞれ、圧電体基板21の上面(IDT22が形成されている面)から側面を介して下面に回り込むように形成されている。また、引出電極24aは、電極22aと電気的に接続されており、引出電極24bは、電極22bと電気的に接続されている。   The IDT 22 and the reflectors 23a and 23b are formed so as to be shifted to one end side in the longitudinal direction of the piezoelectric substrate 21 (right end side in FIG. 2). A pair of extraction electrodes 24 a and 24 b are formed on the other end side (left end side in FIG. 2) of the piezoelectric substrate 21. The extraction electrodes 24a and 24b are each formed so as to go from the upper surface (the surface on which the IDT 22 is formed) of the piezoelectric substrate 21 to the lower surface via the side surface. The extraction electrode 24a is electrically connected to the electrode 22a, and the extraction electrode 24b is electrically connected to the electrode 22b.

このようなIDT22、反射器23a、23bおよび引出電極24a、24bは、それぞれ、アルミニウム、アルミニウム合金等の導電性の優れた金属材料により形成することができる。
このような弾性表面波素子2を備えることにより、圧電デバイス1は、SAW発振器等のSAWデバイスを構成することができる。
The IDT 22, the reflectors 23a and 23b, and the extraction electrodes 24a and 24b can be formed of a metal material having excellent conductivity such as aluminum and aluminum alloy, respectively.
By providing such a surface acoustic wave element 2, the piezoelectric device 1 can constitute a SAW device such as a SAW oscillator.

次いで、弾性表面波素子2を収容・固定するパッケージ3について説明する。
パッケージ3は、その平面視にて、略長方形状をなしている。このようなパッケージ3は、板状のベース基板31と、枠状の枠部材32と、板状の蓋部材33とを有しており、ベース基板31と、枠部材32と、蓋部材33とが、実装基板4側からこの順で積層している。ベース基板31と枠部材32および枠部材32と蓋部材33は、それぞれ、例えば、接着剤やろう材を介して接合されている。そして、パッケージ3は、ベース基板31、枠部材32および蓋部材33で画成された内部空間Sに弾性表面波素子2を収容している。
Next, the package 3 that houses and fixes the surface acoustic wave element 2 will be described.
The package 3 has a substantially rectangular shape in plan view. Such a package 3 has a plate-like base substrate 31, a frame-like frame member 32, and a plate-like lid member 33, and the base substrate 31, the frame member 32, the lid member 33, and However, they are stacked in this order from the mounting substrate 4 side. The base substrate 31 and the frame member 32, and the frame member 32 and the lid member 33 are bonded to each other through, for example, an adhesive or a brazing material. The package 3 accommodates the surface acoustic wave element 2 in the internal space S defined by the base substrate 31, the frame member 32 and the lid member 33.

このようなベース基板31の構成材料としては、絶縁性(非導電性)を有しているものが好ましく、例えば、各種ガラス、酸化物セラミックス、窒化物セラミックス、炭化物系セラミックス等の各種セラミックス、ポリイミド等の各種樹脂材料などを用いることができる。
また、枠部材32および蓋部材33の構成材料としては、例えば、ベース基板31と同様の構成材料、Al、Cu等の各種金属材料、各種ガラス材料などを用いることができる。
As a constituent material of such a base substrate 31, those having insulating properties (non-conductive) are preferable. For example, various ceramics such as various glasses, oxide ceramics, nitride ceramics, carbide ceramics, polyimide Various resin materials such as can be used.
Moreover, as a constituent material of the frame member 32 and the lid member 33, the same constituent material as the base substrate 31, various metal materials such as Al and Cu, various glass materials, and the like can be used, for example.

図1および図2に示すように、ベース基板31の上面には、一対の内部端子34a、34bが内部空間Sに露出するように形成されている。この内部端子34a、34bの上には、それぞれ、エポキシ系、ポリイミド系等の導電性接着剤39a、39bが塗布されて(盛られて)おり、さらに、この導電性接着剤39a、39b上に、前述した弾性表面波素子2がIDT22等が形成された面を上側(蓋部材33側)にして載置されている。そして、導電性接着剤39a、39bを硬化することにより、弾性表面波素子2を内部端子34a、34b(ベース基板31)に固定する。   As shown in FIGS. 1 and 2, a pair of internal terminals 34 a and 34 b are formed on the upper surface of the base substrate 31 so as to be exposed to the internal space S. On the internal terminals 34a and 34b, epoxy-type and polyimide-type conductive adhesives 39a and 39b are respectively applied (stacked), and further, on the conductive adhesives 39a and 39b. The surface acoustic wave element 2 described above is placed with the surface on which the IDT 22 and the like are formed facing upward (the lid member 33 side). Then, the surface acoustic wave element 2 is fixed to the internal terminals 34a and 34b (base substrate 31) by curing the conductive adhesives 39a and 39b.

なお、この固定は、導電性接着剤39aが引出電極24aに接触するとともに、導電性接着剤39bが引出電極24bに接触するようにして行われる。これにより、導電性接着剤39a、39bを介して、弾性表面波素子2がベース基板31に固定されるとともに、導電性接着剤39aを介して引出電極24aおよび内部端子34aが電気的に接続され、導電性接着剤39bを介して引出電極24bおよび内部端子34bが電気的に接続される。   This fixing is performed such that the conductive adhesive 39a contacts the extraction electrode 24a and the conductive adhesive 39b contacts the extraction electrode 24b. As a result, the surface acoustic wave element 2 is fixed to the base substrate 31 via the conductive adhesives 39a and 39b, and the extraction electrode 24a and the internal terminal 34a are electrically connected via the conductive adhesive 39a. The lead electrode 24b and the internal terminal 34b are electrically connected through the conductive adhesive 39b.

また、図2に示すように、ベース基板31の下面には、その四隅(角)付近に位置するように4つの外部端子35a、35b、35c、35dが設けられている。これら外部端子35a〜35dは、それぞれ、実装基板4上に設けられた後述する4つの接続端子41a〜41dに対向するように位置する。
4つの外部端子35a〜35dのうち、外部端子35a、35bは、それぞれ、ベース基板31に形成されたビアホールを介して内部端子34a、34bに電気的に接続されたホット端子である。他の2つの外部端子35c、35dは、それぞれ、パッケージ3を実装基板4に実装するときの接合強度(スペーサ51〜54とパッケージ3の接合強度)を高めるためのダミー端子である。
このような内部端子34a、34bおよび外部端子35a〜35dは、それぞれ、例えば、タングステンおよびニッケルメッキの下地層に、金メッキを施すことで形成することができる。
As shown in FIG. 2, four external terminals 35a, 35b, 35c, and 35d are provided on the lower surface of the base substrate 31 so as to be positioned in the vicinity of the four corners. These external terminals 35a to 35d are positioned so as to face four connection terminals 41a to 41d, which will be described later, provided on the mounting substrate 4, respectively.
Out of the four external terminals 35a to 35d, the external terminals 35a and 35b are hot terminals that are electrically connected to the internal terminals 34a and 34b through via holes formed in the base substrate 31, respectively. The other two external terminals 35c and 35d are dummy terminals for increasing the bonding strength (the bonding strength between the spacers 51 to 54 and the package 3) when the package 3 is mounted on the mounting substrate 4, respectively.
Such internal terminals 34a and 34b and external terminals 35a to 35d can be formed, for example, by applying gold plating to an underlying layer of tungsten and nickel plating.

次いで、上記のようなパッケージ3を実装(固定する)する実装基板4について説明する。図3に示すように、実装基板4は、その平面視にて、略長方形状をなしている。また、実装基板4は、前述したパッケージ3のベース基板31よりも若干大きく形成されている。
実装基板4は、リジッド基板、フレキシブル基板あるいはリジッドフレキシブル基板のいずれでもよい。また、実装基板4の構成材料としては、絶縁性(非導電性)を有しているものが好ましく、例えば、各種ガラス、酸化物セラミックス、窒化物セラミックス、炭化物系セラミックス等の各種セラミックス、ポリイミド等の各種樹脂材料などを用いることができる。
Next, the mounting substrate 4 on which the above package 3 is mounted (fixed) will be described. As shown in FIG. 3, the mounting substrate 4 has a substantially rectangular shape in plan view. Further, the mounting substrate 4 is formed slightly larger than the base substrate 31 of the package 3 described above.
The mounting substrate 4 may be a rigid substrate, a flexible substrate, or a rigid flexible substrate. In addition, the constituent material of the mounting substrate 4 is preferably an insulating (non-conductive) material, for example, various ceramics such as various glasses, oxide ceramics, nitride ceramics, carbide ceramics, polyimide, etc. Various resin materials can be used.

図1ないし図3に示すように、実装基板4の上面(パッケージ3側の面)には、4つの接続端子41a、41b、41c、41dと、配線パターン42とが形成されている。なお、図3では、配線パターン42の図示を省略している。
4つの接続端子41a〜41dは、それぞれ、パッケージ3の外部端子35a〜35dと対向するように、実装基板4の角部付近に形成されている。また、これら接続端子41a〜41dのうち、外部端子(ホット端子)35a、35bに対応する接続端子41a、41bは、それぞれ、配線パターン42と電気的に接続されている。
As shown in FIGS. 1 to 3, four connection terminals 41 a, 41 b, 41 c, 41 d and a wiring pattern 42 are formed on the upper surface (the surface on the package 3 side) of the mounting substrate 4. In FIG. 3, the wiring pattern 42 is not shown.
The four connection terminals 41a to 41d are formed near the corners of the mounting substrate 4 so as to face the external terminals 35a to 35d of the package 3, respectively. Of these connection terminals 41a to 41d, connection terminals 41a and 41b corresponding to external terminals (hot terminals) 35a and 35b are electrically connected to the wiring pattern 42, respectively.

一方、図1に示すように、実装基板4の下面には、例えば、圧電デバイス1を実装する回路基板(図示しない)と電気的、機械的に接続される実装端子43が複数形成されている。各実装端子43は、実装基板4に形成されたビアホールを介して配線パターン42と電気的に接続されている。
なお、実装基板4の下面には、必要に応じて、電子部品6の特性検査や、電子部品6内部の各種情報(例えば、圧電デバイス1の温度補償情報)の書き換え(調整)を行うための書込端子を形成してもよい。
On the other hand, as shown in FIG. 1, on the lower surface of the mounting substrate 4, for example, a plurality of mounting terminals 43 that are electrically and mechanically connected to a circuit board (not shown) on which the piezoelectric device 1 is mounted are formed. . Each mounting terminal 43 is electrically connected to the wiring pattern 42 through a via hole formed in the mounting substrate 4.
In addition, on the lower surface of the mounting substrate 4, it is possible to perform characteristic inspection of the electronic component 6 and rewrite (adjustment) of various information inside the electronic component 6 (for example, temperature compensation information of the piezoelectric device 1) as necessary. A write terminal may be formed.

実装基板4の上面の中央部には、電子部品6が搭載(載置)されている。電子部品6は、弾性表面波素子2を駆動するための回路素子としての例えば集積回路素子(以下、単に「IC」とも言う)である。図1に示すように、IC6は、絶縁性(非導電性)の接着剤や、接着シート等の接着部材44により実装基板4に固定されており、さらに、金属ワイヤ(ボンディングワイヤ)45により、配線パターン42と電気的に接続されている。これにより、各端子(接続端子41a、41bおよび実装端子43)とIC6とが配線パターン42を介して電気的に接続される。   An electronic component 6 is mounted (placed) on the center of the upper surface of the mounting substrate 4. The electronic component 6 is, for example, an integrated circuit element (hereinafter also simply referred to as “IC”) as a circuit element for driving the surface acoustic wave element 2. As shown in FIG. 1, the IC 6 is fixed to the mounting substrate 4 with an insulating (non-conductive) adhesive or an adhesive member 44 such as an adhesive sheet, and further, with a metal wire (bonding wire) 45, The wiring pattern 42 is electrically connected. Thereby, each terminal (connection terminal 41a, 41b and mounting terminal 43) and IC6 are electrically connected via the wiring pattern 42. FIG.

実装基板4は、その上面側にて、スペーサ51〜54を介してパッケージ3を固定している。スペーサ51〜54は、IC6の周囲に配置されており、実装基板4とパッケージ3の間に、IC6等を搭載するための隙間を形成する。これにより、パッケージ3とIC6とを圧電デバイス1の高さ方向に重ねる(積層する)ことができるため、圧電デバイス1の小型化を図ることができる。   The mounting substrate 4 fixes the package 3 on the upper surface side via spacers 51 to 54. The spacers 51 to 54 are arranged around the IC 6 and form a gap for mounting the IC 6 and the like between the mounting substrate 4 and the package 3. Thereby, since the package 3 and the IC 6 can be stacked (stacked) in the height direction of the piezoelectric device 1, the size of the piezoelectric device 1 can be reduced.

図3に示すように、4つのスペーサ51〜54のうち、スペーサ51は、実装基板4の接続端子41a上に設けられており、スペーサ52は、接続端子41b上に設けられており、スペーサ53は、接続端子41c上に設けられており、スペーサ54は、接続端子41d上に設けられている。
これら4つのスペーサは、前述したように、実装基板4とパッケージ3の間にIC6を搭載するための隙間を形成するためのものであるが、さらに、スペーサ51、52は、IC6と圧電振動片2とを電気的に接続する電気接続スペーサとしての機能も有し、スペーサ53、54は、パッケージ3の姿勢を安定させる姿勢安定スペーサとしての機能も有している。
As shown in FIG. 3, among the four spacers 51 to 54, the spacer 51 is provided on the connection terminal 41a of the mounting substrate 4, the spacer 52 is provided on the connection terminal 41b, and the spacer 53 is provided. Is provided on the connection terminal 41c, and the spacer 54 is provided on the connection terminal 41d.
These four spacers are for forming a gap for mounting the IC 6 between the mounting substrate 4 and the package 3 as described above. Further, the spacers 51 and 52 are the IC 6 and the piezoelectric vibrating piece. The spacers 53 and 54 also have a function as a posture stabilization spacer that stabilizes the posture of the package 3.

以下、これらスペーサ51〜54の構成について具体的に説明するが、これらスペーサ51〜54は、それぞれ、同様の構成であるため、スペーサ51について代表して説明し、スペーサ52〜54については、その説明を省略する。
図4に示すように、スペーサ51は、略球状をなしている。このようなスペーサ51は、球状の核511と、核511の表面にコーティングされた半田(導電性材料層)512とで構成されている。また、核511は、半田512の融点よりも高い融点を有している。核511の構成材料としては、半田512の融点より高い材料であれば、特に限定されず、例えば、金、銀、銅等の各種金属材料を用いることができる。
Hereinafter, although the structure of these spacers 51-54 is demonstrated concretely, since these spacers 51-54 are respectively the same structures, it demonstrates on behalf of the spacer 51, and about the spacers 52-54, Description is omitted.
As shown in FIG. 4, the spacer 51 is substantially spherical. Such a spacer 51 includes a spherical nucleus 511 and solder (conductive material layer) 512 coated on the surface of the nucleus 511. The core 511 has a melting point higher than that of the solder 512. The constituent material of the core 511 is not particularly limited as long as the material is higher than the melting point of the solder 512. For example, various metal materials such as gold, silver, and copper can be used.

後述するように、このようなスペーサ51を半田512の融点以上かつ核511の融点以下に加熱し、半田512を溶融・固化することにより、核511にスペーサとしての機能(すなわち、パッケージ3と実装基板4との間にIC6を設けるための隙間を形成する機能)を発揮させつつ、半田512を介してパッケージ3を実装基板4に固着(固定)することができる。   As will be described later, the spacer 51 is heated to a melting point of the solder 512 or higher and lower than the melting point of the core 511, and the solder 512 is melted and solidified, whereby the core 511 functions as a spacer (that is, package 3 and mounting). The package 3 can be fixed (fixed) to the mounting substrate 4 via the solder 512 while exhibiting the function of forming a gap for providing the IC 6 between the substrate 4 and the substrate 4.

このような構成をなすスペーサ51〜54のうち、パッケージ3のホット端子35a、35bに対応するスペーサ(電気接続スペーサ)51、52は、半田等の導電性を有する金属ろう(第1の固定部材)7によりホット端子35a、35bに固着(固定)されており、ダミー端子35c、35dに対応するスペーサ(姿勢安定スペーサ)53、54は、それぞれ、熱硬化性接着剤(第2の固定部材)8によりダミー端子35c、35dに固着(固定)されている。   Among the spacers 51 to 54 having such a configuration, the spacers (electrical connection spacers) 51 and 52 corresponding to the hot terminals 35a and 35b of the package 3 are metal brazing (first fixing member) having conductivity such as solder. ) 7 are fixed (fixed) to the hot terminals 35a and 35b by spacers 7, and the spacers (posture stabilizing spacers) 53 and 54 corresponding to the dummy terminals 35c and 35d are respectively thermosetting adhesives (second fixing members). 8 is fixed (fixed) to the dummy terminals 35c and 35d.

ここで、熱硬化性接着剤8によるスペーサ53、54とダミー端子35c、35dとの固着は、金属ろう7によるスペーサ51、52とホット端子35a、35bとの固着に先立って行われている。これにより、圧電デバイス1の製造時にて、パッケージ3の不本意な変位(所定位置からのずれ)を防止または抑制することができ、圧電デバイス1の信頼性が向上する。これについては、後に記載の圧電デバイスの製造方法の説明とともに詳述する。   Here, the fixing of the spacers 53 and 54 and the dummy terminals 35c and 35d by the thermosetting adhesive 8 is performed prior to the fixing of the spacers 51 and 52 and the hot terminals 35a and 35b by the metal brazing 7. Thereby, at the time of manufacturing the piezoelectric device 1, unintentional displacement (displacement from a predetermined position) of the package 3 can be prevented or suppressed, and the reliability of the piezoelectric device 1 is improved. This will be described in detail together with the description of the piezoelectric device manufacturing method described later.

特に、本実施形態では、スペーサ51、52とホット端子35a、35bとを、導電性を有する金属ろう7により固着している。そのため、圧電デバイス1の製造時にて、前述したパッケージ3の不本意な変位を防止することができるとともに、簡単に、IC6と圧電振動片2とを電気的に接続することができる。その結果、圧電デバイス1の製造工程の簡易化を図ることができる。   In particular, in the present embodiment, the spacers 51 and 52 and the hot terminals 35a and 35b are fixed by the metal brazing 7 having conductivity. Therefore, the unintentional displacement of the package 3 described above can be prevented when the piezoelectric device 1 is manufactured, and the IC 6 and the piezoelectric vibrating piece 2 can be electrically connected easily. As a result, the manufacturing process of the piezoelectric device 1 can be simplified.

熱硬化性接着剤8の硬化温度は、金属ろう7の融点よりも低く、例えば150度程度である。これにより、熱硬化性接着剤8の硬化温度以上かつ金属ろう7の融点以下の温度に加熱することにより、金属ろう7を溶融させずに、熱硬化性接着剤8を硬化し、スペーサ53、54のみをパッケージ3に固着することができる。すなわち、加熱温度を調節するだけで、簡単に、金属ろう7によるスペーサ51、52とパッケージ3との固着に先立って、熱硬化性接着剤8によるスペーサ53、54とパッケージ3との固着を行うことができる。   The curing temperature of the thermosetting adhesive 8 is lower than the melting point of the metal brazing 7 and is, for example, about 150 degrees. Accordingly, the thermosetting adhesive 8 is cured without melting the metal brazing 7 by heating to a temperature not lower than the curing temperature of the thermosetting adhesive 8 and not higher than the melting point of the metal brazing 7, and the spacer 53, Only 54 can be fixed to the package 3. That is, simply by adjusting the heating temperature, the spacers 53 and 54 and the package 3 are fixed by the thermosetting adhesive 8 prior to the fixing of the spacers 51 and 52 and the package 3 by the metal brazing 7. be able to.

熱硬化性接着剤8の硬化温度としては、金属ろう7の融点よりも低ければ、特に限定されないが、金属ろう7の融点よりも10度以上低いことが好ましく、20度以上低いことがより好ましい。これにより、金属ろう7は溶融しないが、熱硬化性接着剤8は硬化する温度範囲を比較的広く確保することができ、より簡単に、金属ろう7によるスペーサ51、52とパッケージ3との固着に先立って、熱硬化性接着剤8によるスペーサ53、54とパッケージ3との固着を行うことができる。
このような熱硬化性接着剤8としては、特に限定されず、例えば、エポキシ系の接着剤等を用いることができる。
以上、本実施形態の圧電デバイス1について説明したが、図5に示すように、このような圧電デバイス1に流動性のある樹脂で構成されたモールド材9を流し込み、パッケージ3の蓋部材33の上面および実装基板4の下面がそれぞれ外部に露出するように、圧電デバイス1全体をモールド材9で覆ってもよい。
The curing temperature of the thermosetting adhesive 8 is not particularly limited as long as it is lower than the melting point of the metal braze 7, but is preferably 10 degrees or more lower than the melting point of the metal braze 7, and more preferably 20 degrees or more. . As a result, the metal braze 7 does not melt, but the thermosetting adhesive 8 can ensure a relatively wide temperature range for curing, and the metal braze 7 can be used to more easily fix the spacers 51 and 52 to the package 3. Prior to this, the spacers 53 and 54 and the package 3 can be fixed by the thermosetting adhesive 8.
Such a thermosetting adhesive 8 is not particularly limited, and for example, an epoxy-based adhesive or the like can be used.
The piezoelectric device 1 according to the present embodiment has been described above. As shown in FIG. 5, the molding material 9 made of a fluid resin is poured into the piezoelectric device 1, and the lid member 33 of the package 3 is poured. The entire piezoelectric device 1 may be covered with the molding material 9 so that the upper surface and the lower surface of the mounting substrate 4 are exposed to the outside.

次いで、圧電デバイス1の製造方法(本発明の圧電デバイスの製造方法)について説明する。
圧電デバイス1の製造方法は、[1]実装基板4上にIC6を搭載し、IC6と配線パターン42とを電気的に接続するA工程と、[2]接続端子41a〜41dに、それぞれ、スペーサ51〜54を載置し、スペーサ51、52の頂部に金属ろう7を塗布するとともに、スペーサ53、54の頂部に熱硬化性接着剤8を塗布するB工程と、[3]スペーサ51〜54上にパッケージを載置した状態にて、スペーサ53、54とパッケージ3とを固着(固定)するC工程(第1の工程)と、[4]スペーサ51、52とパッケージ3とを固着(固定)するD工程(第2の工程)と、[5]パッケージ3と実装基板4の間の隙間にモールド材9を充填するE工程とを有している。以下、これら工程を詳細に説明する。
Next, a manufacturing method of the piezoelectric device 1 (a manufacturing method of the piezoelectric device of the present invention) will be described.
The manufacturing method of the piezoelectric device 1 includes: [1] A process of mounting the IC 6 on the mounting substrate 4 and electrically connecting the IC 6 and the wiring pattern 42; [2] spacers to the connection terminals 41a to 41d, respectively. 51-54 is mounted, and the metal brazing 7 is applied to the tops of the spacers 51, 52 and the thermosetting adhesive 8 is applied to the tops of the spacers 53, 54, and [3] spacers 51-54. C process (first process) in which the spacers 53 and 54 and the package 3 are fixed (fixed) in a state where the package is placed thereon, and [4] the spacers 51 and 52 and the package 3 are fixed (fixed). ) D process (second process) and [5] E process for filling the gap between the package 3 and the mounting substrate 4 with the molding material 9. Hereinafter, these steps will be described in detail.

[1]A工程
まず、図6(a)に示すように、上面に接続端子41a〜41dおよび配線パターン42が形成され、下面にビアホールを介して配線パターン42と導通する実装端子43が形成された実装基板4を用意する。接続端子41a〜41dおよび配線パターン42は、例えば、実装基板4の上面に導電性膜(金属膜)をスパッタリング等により形成し、エッチングにより前記導電性膜の不要な部分(接続端子41a〜41dおよび配線パターン42に対応しない部分)を除去することにより形成することができる。実装端子43についても同様にして形成することができる。
[1] Step A First, as shown in FIG. 6A, the connection terminals 41a to 41d and the wiring pattern 42 are formed on the upper surface, and the mounting terminal 43 that is electrically connected to the wiring pattern 42 through the via hole is formed on the lower surface. A mounting substrate 4 is prepared. The connection terminals 41a to 41d and the wiring pattern 42 are formed, for example, by forming a conductive film (metal film) on the upper surface of the mounting substrate 4 by sputtering or the like, and etching to remove unnecessary portions of the conductive film (connection terminals 41a to 41d and It can be formed by removing a portion that does not correspond to the wiring pattern 42. The mounting terminal 43 can be formed in the same manner.

次いで、図6(b)に示すように、実装基板4の上面に、接着剤である接着部材44を介してIC6を載置し、接着部材44を固化することにより、IC6を実装基板4に固着(固定)する。その後、ワイヤボンディング(ボンディングワイヤ45)により、IC6と配線パターン42とを電気的に接続する。ワイヤボンディングとしては、特に限定されず、例えば、ボールボンディング、ウェッジボンディング等の各種ボンディングを用いることができる。なお、IC6と配線パターン42との電気的接続は、例えば、半田ボールを介して(すなわち、BGAにより)行ってもよい。   Next, as shown in FIG. 6B, the IC 6 is placed on the upper surface of the mounting substrate 4 via an adhesive member 44 that is an adhesive, and the adhesive member 44 is solidified, whereby the IC 6 is mounted on the mounting substrate 4. Secure (fix). Thereafter, the IC 6 and the wiring pattern 42 are electrically connected by wire bonding (bonding wire 45). The wire bonding is not particularly limited, and various types of bonding such as ball bonding and wedge bonding can be used. Note that the electrical connection between the IC 6 and the wiring pattern 42 may be performed, for example, via a solder ball (that is, by BGA).

[2]B工程
図6(c)に示すように、スペーサ51〜54を、それぞれ、実装基板4の接続端子41a〜41d上に載置する。次いで、図6(d)に示すように、スペーサ51、52の頂部にペースト状の金属ろう7を塗布するとともに、スペーサ53、54の頂部に熱硬化性接着剤8を塗布する。次いで、図7(a)に示すように、圧電振動片2を収容したパッケージ3を実装基板4の上方からスペーサ51〜54上に載置する。この時、パッケージ3のホット端子35a、35bがスペーサ51、52と合わさるように、かつ、ダミー端子35c、35dがスペーサ53、54と合わさるようにパッケージ3を載置する。
[2] Step B As shown in FIG. 6C, the spacers 51 to 54 are placed on the connection terminals 41 a to 41 d of the mounting substrate 4, respectively. Next, as shown in FIG. 6 (d), the paste-like metal braze 7 is applied to the tops of the spacers 51 and 52, and the thermosetting adhesive 8 is applied to the tops of the spacers 53 and 54. Next, as shown in FIG. 7A, the package 3 containing the piezoelectric vibrating reed 2 is placed on the spacers 51 to 54 from above the mounting substrate 4. At this time, the package 3 is mounted so that the hot terminals 35a and 35b of the package 3 are aligned with the spacers 51 and 52 and the dummy terminals 35c and 35d are aligned with the spacers 53 and 54.

[3]C工程
熱硬化性接着剤8の硬化温度以上かつ金属ろう7の融点以下の温度に加熱し、熱硬化性接着剤8を硬化することにより、図7(b)に示すように、スペーサ53、54とパッケージ3とを熱硬化性接着剤8により固着する。これにより、パッケージ3の面方向への不本意な変位が防止(抑制)される。
[3] Step C By heating to a temperature not lower than the curing temperature of the thermosetting adhesive 8 and not higher than the melting point of the metal brazing 7 to cure the thermosetting adhesive 8, as shown in FIG. The spacers 53 and 54 and the package 3 are fixed by the thermosetting adhesive 8. Thereby, the unintentional displacement to the surface direction of the package 3 is prevented (suppressed).

[4]D工程
金属ろう7の融点以上の温度に加熱し、金属ろう7を溶融・固化することにより、図7(c)に示すように、スペーサ51、52とパッケージ3とを金属ろう7を介して固着する。また、このD工程では、金属ろう7を溶融するとともに、各スペーサ51〜54の半田(例えばスペーサ51の半田512)も溶融することにより、スぺーサ51〜54と接続端子41a〜41cとを固着する。特に、スペーサ51においては、金属ろう7と半田512とが相溶し、スペーサ51とパッケージ3とが金属ろう7を介して強固に固着される(スペーサ52についても同様)。
[4] Step D By heating to a temperature equal to or higher than the melting point of the metal brazing 7 and melting and solidifying the metal brazing 7, the spacers 51, 52 and the package 3 are joined to the metal brazing 7 as shown in FIG. It sticks through. Further, in the step D, the metal brazing 7 is melted and the solders of the spacers 51 to 54 (for example, the solder 512 of the spacer 51) are also melted, whereby the spacers 51 to 54 and the connection terminals 41a to 41c are connected. Stick. In particular, in the spacer 51, the metal braze 7 and the solder 512 are compatible, and the spacer 51 and the package 3 are firmly fixed via the metal braze 7 (the same applies to the spacer 52).

このような観点からすれば、金属ろう7と各スペーサ51〜54の半田(例えば半田512)とは、同一の材料(例えば、銀などの金属材料)を主材料として構成されているのが好ましい。これにより、金属ろう7と各スペーサ51〜54の半田の溶融点をほぼ等しでき、金属ろう7と半田512とをほぼ同時に溶融することができるため、より簡単に、上記固着を行うことができる。また、金属ろう7と半田の相溶性が良好となり、これらの接合強度も向上する。
このようにして、スペーサ51〜54を介してパッケージ3が実装基板4に固定され、パッケージ3の実装基板4への実装が完了し、図1に示す圧電デバイスが得られる。
From this point of view, it is preferable that the metal braze 7 and the solder (for example, solder 512) of each of the spacers 51 to 54 are mainly composed of the same material (for example, a metal material such as silver). . As a result, the melting points of the solder of the metal braze 7 and each of the spacers 51 to 54 can be made almost equal, and the metal braze 7 and the solder 512 can be melted almost simultaneously, so that the fixing can be performed more easily. it can. Further, the compatibility between the metal braze 7 and the solder is improved, and the bonding strength of these is also improved.
In this way, the package 3 is fixed to the mounting substrate 4 via the spacers 51 to 54, and the mounting of the package 3 on the mounting substrate 4 is completed, whereby the piezoelectric device shown in FIG. 1 is obtained.

[5]E工程
最後に、図8(a)に示すように、パッケージ3と実装基板4との間の隙間(空間)にモールド材9を充填し固化する。これにより、図5に示す圧電デバイス1が得られる。
以上のようにして圧電デバイス1を製造することができる。なお、このD工程は、省略してもよい。
以上、圧電デバイス1の製造方法について説明した。
[5] Step E Finally, as shown in FIG. 8A, the gap (space) between the package 3 and the mounting substrate 4 is filled with a molding material 9 and solidified. Thereby, the piezoelectric device 1 shown in FIG. 5 is obtained.
The piezoelectric device 1 can be manufactured as described above. This step D may be omitted.
The method for manufacturing the piezoelectric device 1 has been described above.

ここで、従来のように、全スペーサとパッケージとを金属ろうを介して接合する場合(すなわち、スペーサとパッケージとの接合を1段階で行う場合)には、金属ろうが溶融することによりその粘性が低下し、当該粘性の低下により、パッケージがスペーサに対して変位し易くなる。特に、各スペーサに設けられた金属ろう間で、溶融開始時刻が異なる場合には、パッケージの変位(位置ずれ)が顕著となる。そのため、従来のような方法では、パッケージを所望位置に配置することが困難であり、信頼性の高い圧電デバイスを得ることが困難であった。   Here, as in the conventional case, when all the spacers and the package are joined via the metal brazing (that is, when the joining of the spacer and the package is performed in one stage), the viscosity of the metal braze is melted to melt the viscosity. The package is easily displaced with respect to the spacer due to the decrease in the viscosity. In particular, when the melting start time differs between the metal brazing provided in each spacer, the package displacement (positional deviation) becomes significant. Therefore, in the conventional method, it is difficult to arrange the package at a desired position, and it is difficult to obtain a highly reliable piezoelectric device.

これに対して、本発明では、前述したように、まず、金属ろうが溶融していない状態で、熱硬化性接着剤を硬化し、スペーサ(姿勢安定スペーサ)とパッケージとの固着を完了させた後、金属ろうを溶融・固化し、スペーサ(電気接続スペーサ)とパッケージとの固着を完了させる。このように、金属ろうを溶融する前に、スペーサ(姿勢安定スペーサ)とパッケージとを固着し、パッケージの変位が起きない(起き難い)状態としておくことにより、金属ろう7が溶融した際のパッケージの変位が効果的に防止される。したがって、本発明の圧電デバイスの製造方法によれば、パッケージを所定位置に配置することができ、信頼性の高い圧電デバイスを製造することができる。
特に、本実施形態では、熱硬化性接着剤8の硬化温度が、金属ろう7の融点よりも低いため、C工程で述べたように、加熱温度を調節するだけで、簡単に、金属ろう7によるスペーサ51、52とパッケージ3との固着に先立って、熱硬化性接着剤8によるスペーサ53、54とパッケージ3との固着を行うことができる。
On the other hand, in the present invention, as described above, the thermosetting adhesive is first cured in a state where the metal brazing is not melted, and the fixing between the spacer (posture stabilizing spacer) and the package is completed. Thereafter, the metal brazing is melted and solidified to complete the fixing between the spacer (electrical connection spacer) and the package. Thus, before melting the metal brazing, the spacer (posture stabilizing spacer) and the package are fixed, and the package is not displaced (is difficult to occur), so that the package when the metal brazing 7 is melted is obtained. Is effectively prevented. Therefore, according to the method for manufacturing a piezoelectric device of the present invention, the package can be arranged at a predetermined position, and a highly reliable piezoelectric device can be manufactured.
In particular, in the present embodiment, since the curing temperature of the thermosetting adhesive 8 is lower than the melting point of the metal braze 7, as described in the step C, simply by adjusting the heating temperature, the metal braze 7 can be easily obtained. The spacers 53 and 54 and the package 3 can be fixed by the thermosetting adhesive 8 before the spacers 51 and 52 and the package 3 are fixed.

また、本実施形態では、スペーサ(電気接続スペーサ)51、52とパッケージ3との固着を金属ろう7で行っているため、スペーサ51、52を介して、IC6と圧電振動片2とを電気的に接続することができる。このように、IC6と圧電振動片2の電気的接続に用いられるスペーサ51、52には金属ろう7を用い、それ以外のスペーサ53、54には熱硬化性接着剤8を用いることにより、圧電デバイス1の製造時にて、前述したパッケージ3の不本意な変位を防止または抑制することができるとともに、簡単に、IC6と圧電振動片2とを電気的に接続することができる。   In this embodiment, since the spacers (electrical connection spacers) 51 and 52 and the package 3 are fixed by the metal brazing 7, the IC 6 and the piezoelectric vibrating piece 2 are electrically connected via the spacers 51 and 52. Can be connected to. As described above, the metal brazing 7 is used for the spacers 51 and 52 used for the electrical connection between the IC 6 and the piezoelectric vibrating piece 2, and the thermosetting adhesive 8 is used for the other spacers 53 and 54. When the device 1 is manufactured, the above-described unintentional displacement of the package 3 can be prevented or suppressed, and the IC 6 and the piezoelectric vibrating piece 2 can be easily electrically connected.

<第2実施形態>
次に、本発明の圧電デバイスの第2実施形態について説明する。
図9は、本発明の第2実施形態に係る圧電デバイスが備えるパッケージの下面図、図10は、図9に示す圧電デバイスが備える実装基板の上面図である。なお、図10では、配線パターン42の図示を省略している。また、以下の説明では、図9、図10中の上側を「上」、下側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言う。
<Second Embodiment>
Next, a second embodiment of the piezoelectric device of the present invention will be described.
9 is a bottom view of a package included in the piezoelectric device according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a top view of a mounting substrate included in the piezoelectric device shown in FIG. In FIG. 10, the wiring pattern 42 is not shown. In the following description, the upper side in FIGS. 9 and 10 is referred to as “upper”, the lower side as “lower”, the right side as “right”, and the left side as “left”.

以下、第2実施形態の圧電デバイスについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本発明の第2実施形態にかかる圧電デバイスは、パッケージ3に形成された外部端子35a〜35dの配置および実装基板4に形成された接続端子41a〜41dの配置が異なる以外は、前述した第1実施形態と同様である。なお、前述した第1実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
Hereinafter, the piezoelectric device according to the second embodiment will be described focusing on the differences from the above-described embodiment, and description of similar matters will be omitted.
The piezoelectric device according to the second embodiment of the present invention is the same as that described above except that the arrangement of the external terminals 35a to 35d formed on the package 3 and the arrangement of the connection terminals 41a to 41d formed on the mounting substrate 4 are different. This is the same as the embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the structure similar to 1st Embodiment mentioned above.

図9に示すように、パッケージ3の下面(ベース基板31の下面)には、4つの外部端子35a〜35dが形成されている。このうち、外部端子(ホット端子)35a、35bは、パッケージ3の対角(図9左下の角と、右上の角)に対応するように形成されており、外部端子(ダミー端子)35c、35dは、外部端子35a、35bが形成された対角とは別の対角(図9左上の角と、右下の角)に対応するように設けられている。   As shown in FIG. 9, four external terminals 35a to 35d are formed on the lower surface of the package 3 (the lower surface of the base substrate 31). Among these, the external terminals (hot terminals) 35a and 35b are formed so as to correspond to the diagonals of the package 3 (lower left corner and upper right corner in FIG. 9), and external terminals (dummy terminals) 35c and 35d. Is provided so as to correspond to a diagonal (an upper left corner and a lower right corner in FIG. 9) different from the diagonal on which the external terminals 35a and 35b are formed.

また、図10に示すように、実装基板4には、接続端子41a〜41dが、それぞれ、パッケージ3を実装基板と対向させた時に、外部端子35a〜35dと対向するように形成されている。さらに、接続端子41a〜41d上には、それぞれ、スペーサ51〜54が設けられている。
このような第2実施形態によっても、第1実施形態と同様の効果を奏することができる。
As shown in FIG. 10, the connection terminals 41 a to 41 d are formed on the mounting board 4 so as to face the external terminals 35 a to 35 d when the package 3 faces the mounting board, respectively. Furthermore, spacers 51 to 54 are provided on the connection terminals 41a to 41d, respectively.
Also according to the second embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained.

<第3実施形態>
次に、本発明の圧電デバイスの第3実施形態について説明する。
図11は、本発明の第3実施形態に係る圧電デバイスが備えるパッケージの下面図、図12は、図11に示す圧電デバイスが備える実装基板の上面図である。なお、図12では、配線パターン42の図示を省略している。なお、図12では、配線パターン42の図示を省略している。また、以下の説明では、図11、図12中の上側を「上」、下側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言う。
<Third Embodiment>
Next, a third embodiment of the piezoelectric device of the present invention will be described.
FIG. 11 is a bottom view of a package included in the piezoelectric device according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a top view of a mounting substrate included in the piezoelectric device shown in FIG. In FIG. 12, the wiring pattern 42 is not shown. In FIG. 12, the wiring pattern 42 is not shown. In the following description, the upper side in FIGS. 11 and 12 is referred to as “upper”, the lower side as “lower”, the right side as “right”, and the left side as “left”.

以下、第3実施形態の圧電デバイスについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本発明の第3実施形態にかかる圧電デバイスは、パッケージ3に形成された外部端子の数および配置と、実装基板4に形成された接続端子の数および配置が異なる以外は、前述した第1実施形態と同様である。なお、前述した第1実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
Hereinafter, the piezoelectric device according to the third embodiment will be described with a focus on differences from the above-described embodiments, and description of similar matters will be omitted.
The piezoelectric device according to the third embodiment of the present invention is the first embodiment described above except that the number and arrangement of external terminals formed on the package 3 are different from the number and arrangement of connection terminals formed on the mounting substrate 4. It is the same as the form. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the structure similar to 1st Embodiment mentioned above.

図11に示すように、パッケージ3の下面(ベース基板31の下面)には、2つの外部端子35a、35bが形成されている。これら外部端子35a、35bは、圧電振動片2と電気的に接続するホット端子である。すなわち、本実施形態では、前述した実施形態に形成されていたダミー端子35c、35dを省略している。外部端子35aは、パッケージ3の下面の図11中左側に形成され、外部端子35bは、図11中右側に形成されている。   As shown in FIG. 11, two external terminals 35a and 35b are formed on the lower surface of the package 3 (the lower surface of the base substrate 31). These external terminals 35 a and 35 b are hot terminals that are electrically connected to the piezoelectric vibrating piece 2. That is, in this embodiment, the dummy terminals 35c and 35d formed in the above-described embodiment are omitted. The external terminal 35a is formed on the left side in FIG. 11 of the lower surface of the package 3, and the external terminal 35b is formed on the right side in FIG.

また、図12に示すように、実装基板4には、2つの接続端子41a、41bが、それぞれ、パッケージ3を実装基板と対向させた時に、外部端子35a、35bと対向するように形成されている。さらに、接続端子41a上には、スペーサ51、53が設けられており、接続端子41b上にはスペーサ52、54が設けられている。ここで、金属ろう7によりパッケージ3に固定されるスペーサ51、52は、実装基板4の対角に対応するように設けられており、熱硬化性接着剤8によりパッケージ3に固定されるスペーサ53、54は、スペーサ51、52が設けられた対角とは別の対角に対応するように設けられている。   Also, as shown in FIG. 12, two connection terminals 41a and 41b are formed on the mounting board 4 so as to face the external terminals 35a and 35b when the package 3 faces the mounting board, respectively. Yes. Furthermore, spacers 51 and 53 are provided on the connection terminal 41a, and spacers 52 and 54 are provided on the connection terminal 41b. Here, the spacers 51 and 52 fixed to the package 3 by the metal braze 7 are provided so as to correspond to the diagonal of the mounting substrate 4, and the spacer 53 fixed to the package 3 by the thermosetting adhesive 8. , 54 are provided so as to correspond to a diagonal different from the diagonal provided with the spacers 51, 52.

このような構成では、外部端子35aと接続端子41aとが、スペーサ51および金属ろう7を介して電気的に接続され、外部端子35bと接続端子41bとが、スペーサ52および金属ろう7を介して電気的に接続される。ここで、外部端子35aと接続端子41aとの電気的接続をさらに良好とするために、熱硬化性接着剤8は、導電性を有することが好ましい。これにより、外部端子35aと接続端子41aとを、スペーサ51および金属ろう7により電気的に接続することができるとともに、スペーサ53および熱硬化性接着剤8によっても電気的に接続することができる。外部端子35bと接続端子41bとの電気的な接続についても同様である。
導電性を有する熱硬化性接着剤8としては、例えば、銀フィラー等の導電性粒子を含む熱硬化性の接着剤を用いることができる。
このような第3実施形態によっても、第1実施形態と同様の効果を奏することができる。
In such a configuration, the external terminal 35 a and the connection terminal 41 a are electrically connected via the spacer 51 and the metal brazing 7, and the external terminal 35 b and the connection terminal 41 b are connected via the spacer 52 and the metal brazing 7. Electrically connected. Here, in order to further improve the electrical connection between the external terminal 35a and the connection terminal 41a, the thermosetting adhesive 8 preferably has conductivity. Thereby, the external terminal 35a and the connection terminal 41a can be electrically connected by the spacer 51 and the metal braze 7, and can also be electrically connected by the spacer 53 and the thermosetting adhesive 8. The same applies to the electrical connection between the external terminal 35b and the connection terminal 41b.
As the thermosetting adhesive 8 having conductivity, for example, a thermosetting adhesive containing conductive particles such as a silver filler can be used.
Also according to the third embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained.

以上、本発明の圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。また、本発明の圧電デバイスは、前記各実施形態のうち、任意の2以上の構成(特徴)を組み合わせたものであってもよい。
また、前述した実施形態では、圧電振動片として表面弾性波素子を用いた構成について説明したが、圧電振動片としては、これに限定されず、例えば、水晶等の圧電体を用いたジャイロセンサ、音叉型圧電振動片、または矩形状の厚みすべり振動片であってもよい。
As described above, the piezoelectric device and the manufacturing method of the piezoelectric device according to the present invention have been described based on the illustrated embodiments. However, the present invention is not limited to these embodiments, and the configuration of each part may be any arbitrary function having the same function. It can be replaced with that of the configuration. Moreover, other arbitrary structures and processes may be added. Moreover, the piezoelectric device of the present invention may be a combination of any two or more configurations (features) of the above-described embodiments.
In the above-described embodiment, the configuration using the surface acoustic wave element as the piezoelectric vibrating piece has been described. However, the piezoelectric vibrating piece is not limited to this, for example, a gyro sensor using a piezoelectric body such as quartz, A tuning fork-type piezoelectric vibrating piece or a rectangular thickness-shear vibrating piece may be used.

1……圧電デバイス 2……圧電振動片(弾性表面波素子) 21……圧電体基板 22……IDT 22a、22b……電極 221a、221b……電極指 23a、23b……反射器 24a、24b……引出電極 3……パッケージ 31……ベース基板 32……枠部材 33……蓋部材 34a、34b……内部端子 35a〜35d……外部端子 39a、39b……導電性接着剤 4……実装基板 41a〜41d……接続端子 42……配線パターン 43……実装端子 44……接着部材 45……ボンディングワイヤ 51〜54……スペーサ 511……核 512……半田 6……電子部品(IC) 7……金属ろう 8……熱硬化性接着剤 9……モールド材   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Piezoelectric device 2 ... Piezoelectric vibrating piece (surface acoustic wave element) 21 ... Piezoelectric substrate 22 ... IDT 22a, 22b ... Electrode 221a, 221b ... Electrode finger 23a, 23b ... Reflector 24a, 24b …… Extraction electrode 3 …… Package 31 …… Base substrate 32 …… Frame member 33 …… Cover member 34a, 34b …… Internal terminal 35a-35d …… External terminal 39a, 39b …… Conductive adhesive 4 …… Mounting Substrate 41a to 41d ... Connection terminal 42 ... Wiring pattern 43 ... Mounting terminal 44 ... Adhesive member 45 ... Bonding wire 51-54 ... Spacer 511 ... Core 512 ... Solder 6 ... Electronic component (IC) 7 ... Metal brazing 8 ... Thermosetting adhesive 9 ... Mold material

Claims (8)

圧電振動片を収容したパッケージと、
前記パッケージを実装する実装基板と、
前記パッケージと前記実装基板との間に設けられ、前記パッケージと前記実装基板との間に隙間を形成する複数のスペーサと、
前記隙間に位置するように配置され、前記圧電振動片を駆動する電子部品と、
を有し、
前記複数のスペーサのうちの少なくとも1つは、第1の固定材料により前記パッケージに固定され、他の前記スペーサの少なくとも1つは、第2の固定材料により前記パッケージに固定されており、
前記第1の固定材料は、金属ろうであり、
前記第2の固定材料は、前記第1の固定材料に先立って前記スペーサと前記パッケージとを接着固定する接着剤であることを特徴とする圧電デバイス。
A package containing a piezoelectric vibrating piece;
A mounting substrate for mounting the package;
A plurality of spacers provided between the package and the mounting substrate, and forming a gap between the package and the mounting substrate;
An electronic component that is disposed so as to be positioned in the gap and drives the piezoelectric vibrating piece,
Have
At least one of the plurality of spacers is fixed to the package by a first fixing material, and at least one of the other spacers is fixed to the package by a second fixing material;
The first fixing material is a metal braze;
2. The piezoelectric device according to claim 1, wherein the second fixing material is an adhesive that adheres and fixes the spacer and the package prior to the first fixing material.
圧電振動片を収容したパッケージと、
前記パッケージを実装する実装基板と、
前記パッケージと前記実装基板との間に設けられ、前記パッケージと前記実装基板との間に隙間を形成する複数のスペーサと、
前記隙間に位置するように配置され、前記圧電振動片を駆動する電子部品と、
を有し、
前記複数のスペーサのうちの少なくとも1つは、第1の固定材料により前記パッケージに固定され、他の前記スペーサの少なくとも1つは、第2の固定材料により前記パッケージに固定されており、
前記第1の固定材料は、金属ろうであり、
前記第2の固定材料は、前記第1の固定材料に先立って前記スペーサと前記パッケージとを接着固定する接着剤であり、
前記接着剤は、前記金属ろうの融点よりも低い硬化温度を有する熱硬化性接着剤であることを特徴とする圧電デバイス。
A package containing a piezoelectric vibrating piece;
A mounting substrate for mounting the package;
A plurality of spacers provided between the package and the mounting substrate, and forming a gap between the package and the mounting substrate;
An electronic component that is disposed so as to be positioned in the gap and drives the piezoelectric vibrating piece,
Have
At least one of the plurality of spacers is fixed to the package by a first fixing material, and at least one of the other spacers is fixed to the package by a second fixing material;
The first fixing material is a metal braze;
The second fixing material is an adhesive that bonds and fixes the spacer and the package prior to the first fixing material,
The piezoelectric device, wherein the adhesive is a thermosetting adhesive having a curing temperature lower than a melting point of the metal brazing.
前記接着剤の前記硬化温度は、前記金属ろうの前記融点よりも10度以上低い請求項2に記載の圧電デバイス。   The piezoelectric device according to claim 2, wherein the curing temperature of the adhesive is 10 degrees or more lower than the melting point of the metal brazing. 前記複数のスペーサのうちの前記第2の固定材料を介して前記パッケージに固定される前記スペーサは、球状の核と、前記核の表面を覆うように形成された半田とを有している請求項1ないし3のいずれかに記載の圧電デバイス。   The spacer that is fixed to the package through the second fixing material among the plurality of spacers includes a spherical nucleus and solder formed so as to cover a surface of the nucleus. Item 4. The piezoelectric device according to any one of Items 1 to 3. 前記複数のスペーサのうちの前記第2の固定材料を介して前記パッケージに固定される前記スペーサおよび前記接着剤は、それぞれ、導電性を有している請求項1ないし4のいずれかに記載の圧電デバイス。   5. The spacer according to claim 1, wherein the spacer and the adhesive fixed to the package via the second fixing material among the plurality of spacers have conductivity. Piezoelectric device. 圧電振動片を収容したパッケージを複数のスペーサを介して実装基板に実装した圧電デバイスの製造方法であって、
前記複数のスペーサのうちの少なくとも1つの前記スペーサを、接着剤を介して前記パッケージに固定する第1の工程と、
前記第1の工程の後、前記複数のスペーサのうちの、前記接着剤を介して前記パッケージに固定された前記スペーサ以外の前記スペーサの少なくとも1つを、金属ろうを介して前記パッケージに固定する第2の工程とを有することを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
A method of manufacturing a piezoelectric device in which a package containing a piezoelectric vibrating piece is mounted on a mounting substrate via a plurality of spacers,
A first step of fixing at least one of the plurality of spacers to the package via an adhesive;
After the first step, among the plurality of spacers, at least one of the spacers other than the spacer fixed to the package via the adhesive is fixed to the package via a metal braze. A method for manufacturing a piezoelectric device, comprising: a second step.
前記接着剤は、前記金属ろうの融点よりも低い硬化温度の熱硬化性接着剤であり、
前記第1の工程は、前記熱硬化性接着剤の前記硬化温度より高く、かつ、前記金属ろうの前記融点よりも低い温度に加熱することにより行われる請求項6に記載の圧電デバイスの製造方法。
The adhesive is a thermosetting adhesive having a curing temperature lower than the melting point of the metal brazing,
The method for manufacturing a piezoelectric device according to claim 6, wherein the first step is performed by heating to a temperature higher than the curing temperature of the thermosetting adhesive and lower than the melting point of the metal brazing. .
前記接着剤の硬化温度は、前記金属ろうの融点よりも10度以上低い請求項7に記載の圧電デバイスの製造方法。   The method for manufacturing a piezoelectric device according to claim 7, wherein a curing temperature of the adhesive is 10 degrees or more lower than a melting point of the metal brazing.
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