JP2010206300A - コンパレータ回路及びそのコンパレータ回路を備えたlvdsレシーバ - Google Patents
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Abstract
【課題】高速動作しつつ、良好な信号を出力することができるコンパレータ回路及びLVDSレシーバを提供する。
【解決手段】コンパレータ回路20を構成する増幅部52は、カスケード接続された複数のインバータ回路を有する。複数のインバータ回路53〜55のうち初段のインバータ回路53に帰還抵抗R1を設けると共に、この初段のインバータ回路53の入力ノードt1と出力ノードt2に双方向ダイオードとして機能させたトランジスタQ33,Q34を接続する。
【選択図】図2
【解決手段】コンパレータ回路20を構成する増幅部52は、カスケード接続された複数のインバータ回路を有する。複数のインバータ回路53〜55のうち初段のインバータ回路53に帰還抵抗R1を設けると共に、この初段のインバータ回路53の入力ノードt1と出力ノードt2に双方向ダイオードとして機能させたトランジスタQ33,Q34を接続する。
【選択図】図2
Description
本発明は、コンパレータ回路及びそのコンパレータ回路を備えたLVDSレシーバに関し、特に伝送路を介して送信された差動信号を入力としたコンパレータ回路及びそのコンパレータ回路を備えたLVDSレシーバに関する。
デバイス間の信号伝送を高速に行うために、LVDS(Low Voltage Differential Signaling:小振幅差動信号)技術が用いられている(例えば、特許文献1参照)。
図7にLVDS技術を用いてコンピュータとプロジェクタを接続した様子を示す。同図に示すように、コンピュータ91とプロジェクタ92とはLVDSケーブル95によって接続されており、コンピュータ91のデータはLVDSトランシーバ93を介して差動信号として出力され、LVDSレシーバ94を介してプロジェクタ92に入力される。
LVDSレシーバ94は、コンパレータ回路とシリアルパラレル変換回路とを備えている。コンパレータ回路はLVDSケーブル95を介して送信された差動信号を入力としてシリアル信号を出力し、シリアルパラレル変換回路はコンパレータ回路から出力されたシリアル信号をパラレル信号に変換して出力する。
ところで、上記コンパレータ回路を差動増幅回路やカスケード接続された複数のインバータ回路で構成する場合、入力される差動信号と出力されるシリアル信号との遅延時間が問題となり、コンパレータ回路を高速に動作させる上で障害となる。また、コンパレータ回路から出力されるシリアル信号はクロック信号としても用いられるため、そのデューティ比をできるだけ50%に近づけることが望ましい。
本発明は、高速に動作し、かつ良好な信号を出力することができるコンパレータ回路及びそのコンパレータ回路を備えたLVDSレシーバを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、差動増幅回路と、当該差動増幅回路の出力を増幅する増幅部とを備え、前記増幅部は、カスケード接続された複数のインバータ回路を有し、前記複数のインバータ回路のうち初段のインバータ回路に帰還抵抗を設けると共に、当該初段のインバータ回路の入力ノードをその出力ノードに双方向ダイオードを介して接続したコンパレータ回路とした。
また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のコンパレータ回路において、前記双方向ダイオードを、P型MOSトランジスタとN型MOSトランジスタとで構成した。
また、請求項3に記載の発明は、請求項1又は請求項2に記載のコンパレータ回路において、前記複数のインバータ回路のうち最終段のインバータ回路を除いたインバータ回路を、当該インバータ回路に帰還抵抗を設けた。
また、請求項4に記載の発明は、請求項1〜3のいずれか1項に記載のコンパレータ回路において、前記インバータ回路は、P型MOSトランジスタとN型MOSトランジスタのゲート同士を接続して当該ゲートを入力ノードとし、前記両トランジスタのドレイン同士を接続して当該ドレインを出力ノードとした。
また、請求項5に記載の発明は、伝送路を介して連続して送信された差動信号を入力とした第1〜第nのコンパレータ回路と、クロック信号に基いて前記第1〜第n−1番目のコンパレータ回路からそれぞれ出力された信号をパラレル信号に変換して出力するシリアルパラレル変換回路と、前記第n番目のコンパレータ回路から出力された信号から前記クロック信号を生成して前記シリアルパラレル変換回路へ出力する位相調整回路を備え、前記第n番目の前記コンパレータ回路は、差動増幅回路と、当該差動増幅回路の出力を増幅する増幅部とを備え、前記増幅部は、カスケード接続された複数のインバータ回路を有し、前記複数のインバータ回路のうち初段のインバータ回路に帰還抵抗を設けると共に、当該初段のインバータ回路の入力ノードをその出力ノードに双方向ダイオードを介して接続したLVDSレシーバとした。
本発明によれば、コンパレータ回路及びLVDSレシーバにおいて動作の高速化を図ることができ、しかも良好なシリアル信号を得ることができる。
以下、発明を実施するための形態(以下、「実施形態」という。)について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
1.第1実施形態
2.その他の実施形態
1.第1実施形態
2.その他の実施形態
[1.第1実施形態]
以下、第1実施形態に係るLVDSレシーバについて図面を参照して具体的に説明する。
以下、第1実施形態に係るLVDSレシーバについて図面を参照して具体的に説明する。
[1−1.LVDSレシーバ1の構成]
図1に示すように、本実施形態に係るLVDSレシーバ1は、微小レベルの差動信号であるLVDSデータA〜Dを受信し、このLVDSデータA〜Dを所定の振幅レベルに変換した後、シリアル−パラレル変換してパラレルデータa〜cを出力する回路である。このLVDSレシーバ1は、コンパレータ回路21〜24、位相調整回路3、及びシリアルパラレル変換回路4から構成される。なお、LVDSデータA〜Dのうちいずれか又は全てを表すときにLVDSデータと呼ぶことがある。また、コンパレータ回路21〜24のうちいずれか又は全てを表すときにコンパレータ回路20と呼ぶことがある。
図1に示すように、本実施形態に係るLVDSレシーバ1は、微小レベルの差動信号であるLVDSデータA〜Dを受信し、このLVDSデータA〜Dを所定の振幅レベルに変換した後、シリアル−パラレル変換してパラレルデータa〜cを出力する回路である。このLVDSレシーバ1は、コンパレータ回路21〜24、位相調整回路3、及びシリアルパラレル変換回路4から構成される。なお、LVDSデータA〜Dのうちいずれか又は全てを表すときにLVDSデータと呼ぶことがある。また、コンパレータ回路21〜24のうちいずれか又は全てを表すときにコンパレータ回路20と呼ぶことがある。
LVDSデータA〜Dは、それぞれ伝送路を介してLVDSレシーバ1に入力される。各LVDSデータは、例えば振幅レベルが±350mv程度の差動信号であり、数百Mbps〜数Gbpsの速度で伝送される。また、各LVDSデータは、伝送路を介して連続してLVDSレシーバ1に入力される。
コンパレータ回路21〜24は、伝送路を介して送信されたLVDSデータA〜Dを受信して所定の振幅レベルのシリアル信号に変換して出力する。具体的には、コンパレータ回路21は、LVDSデータAを受信してパラレルデータaの元となるシリアル信号を出力する。コンパレータ回路22は、LVDSデータBを受信してパラレルデータbの元となるシリアル信号を出力する。コンパレータ回路23は、LVDSデータCを受信してパラレルデータcの元となるシリアル信号を出力する。コンパレータ回路24は、LVDSデータDを受信してシリアル信号をマスタクロックとして出力する。
位相調整回路3は、コンパレータ回路24から出力されるマスタクロックを受信し、マスタクロックに対してN倍とされたクロック信号を出力する。シリアルパラレル変換回路4は、複数個のフリップフロップで構成されており、位相調整回路3から出力されるクロック信号に基いて、コンパレータ回路21〜23から出力された各シリアル信号を、それぞれパラレルデータa〜cに変換して出力する。
このようにLVDSレシーバ1は、LVDSデータA〜Dを受信し、LVDSデータDをマスタクロックとして用い、LVDSデータA〜Cに基いてパラレルデータa〜cを生成して出力する。
[1−2.コンパレータ回路20の構成]
次に、LVDSレシーバ1のコンパレータ回路20について具体的に説明する。図2に示すように、本実施形態のコンパレータ回路20は、差動増幅回路51と増幅部52とから構成される。また、増幅部52は、カスケード接続されたインバータ回路53〜55を備えている。
次に、LVDSレシーバ1のコンパレータ回路20について具体的に説明する。図2に示すように、本実施形態のコンパレータ回路20は、差動増幅回路51と増幅部52とから構成される。また、増幅部52は、カスケード接続されたインバータ回路53〜55を備えている。
[1−3.差動増幅回路51の構成]
コンパレータ回路20の差動増幅回路51は、LVDSデータである差動信号INN,INPを受信し、この差動信号を差動増幅したシリアル信号を出力する。差動増幅回路51は、図3に示すように、P型MOSトランジスタQ1、Q2、Q5、Q6、Q9〜14とN型MOSトランジスタQ3、Q4、Q7、Q8、Q15〜Q20からなるフォールデッド(折り返し)カスコード型の全差動オペアンプとして構成されている。
コンパレータ回路20の差動増幅回路51は、LVDSデータである差動信号INN,INPを受信し、この差動信号を差動増幅したシリアル信号を出力する。差動増幅回路51は、図3に示すように、P型MOSトランジスタQ1、Q2、Q5、Q6、Q9〜14とN型MOSトランジスタQ3、Q4、Q7、Q8、Q15〜Q20からなるフォールデッド(折り返し)カスコード型の全差動オペアンプとして構成されている。
図3において、第1の差動対D1は、ソースが共通接続されたP型MOSトランジスタQ1とP型MOSトランジスタQ2とからなり、P型MOSトランジスタQ1のゲートには差動信号INPが入力され、P型MOSトランジスタQ2のゲートにはINNが入力される。
第2の差動対D2は、ソースが共通接続されたN型MOSトランジスタQ3とN型MOSトランジスタQ4とからなり、N型MOSトランジスタQ3のゲートには差動信号INPが入力され、N型MOSトランジスタQ4のゲートには差動信号INNが入力される。
また、N型MOSトランジスタQ4のドレインはP型MOSトランジスタQ5のソースに接続され、N型MOSトランジスタQ3のドレインはP型MOSトランジスタQ6のソースに接続されている。また、P型MOSトランジスタQ5とP型MOSトランジスタQ6は、ゲートが共通接続されている。
また、P型MOSトランジスタQ2のドレインはN型MOSトランジスタQ7のソースに接続され、P型MOSトランジスタQ1のドレインはN型MOSトランジスタQ8のソースに接続されている。また、N型MOSトランジスタQ7とN型MOSトランジスタQ8は、ゲートが共通接続されている。
そして、P型MOSトランジスタQ6のドレインとN型MOSトランジスタQ8のトレインが共通接続され、その出力信号が増幅部52に出力される。
このように差動増幅回路51は、差動信号INNとIPPとの差分値を増幅して、増幅部52に出力する。なお、この差動増幅回路51は単なる一例であり、他の公知の差動増幅回路を用いることができる。
[1−4.増幅部52の構成]
LVDSレシーバ1が出力するパラレルデータがLVDSデータに対して高い追従性を有するためには、コンパレータ回路20の高速動作が必要となる。
本実施形態では、増幅部52を高速に動作させてコンパレータ回路20の高速化を図っている。増幅部52は、図2に示すように、カスケード接続された複数のインバータ回路53〜55を備えている。
以下、増幅部52を構成する各インバータ回路について順に説明する。
LVDSレシーバ1が出力するパラレルデータがLVDSデータに対して高い追従性を有するためには、コンパレータ回路20の高速動作が必要となる。
本実施形態では、増幅部52を高速に動作させてコンパレータ回路20の高速化を図っている。増幅部52は、図2に示すように、カスケード接続された複数のインバータ回路53〜55を備えている。
以下、増幅部52を構成する各インバータ回路について順に説明する。
[1−5.インバータ回路53の構成]
増幅部52の初段に位置するインバータ回路53は、図2に示すように、P型MOSトランジスタQ31とN型MOSトランジスタQ32がカスコード接続されたCMOSインバータ回路であり、両トランジスタQ31,Q32のゲート同士を接続して当該ゲートを入力ノードt1とし、前記両トランジスタQ31,Q32のドレイン同士を接続して当該ドレインを出力ノードt2としている。
増幅部52の初段に位置するインバータ回路53は、図2に示すように、P型MOSトランジスタQ31とN型MOSトランジスタQ32がカスコード接続されたCMOSインバータ回路であり、両トランジスタQ31,Q32のゲート同士を接続して当該ゲートを入力ノードt1とし、前記両トランジスタQ31,Q32のドレイン同士を接続して当該ドレインを出力ノードt2としている。
さらに、インバータ回路53の入出力ノードt1,t2間に帰還抵抗R1を挿入(接続)しており、これにより、インバータ回路53の出力ノードt2における出力中心をインバータ回路53のしきい値電圧に合わせている。
このように帰還抵抗R1がインバータ回路53の入出力ノードt1,t2間に挿入されることによってインバータ回路53の入出力ノードt1,t2間のインピーダンスが小さくなり、インバータ回路53の入出力ノードt1,t2間がショートされた状態に近づく。これにより、P型MOSトランジスタQ31とN型MOSトランジスタQ32の性能のバランスが取れた状態に近づくので、出力ノードt2における出力中心がインバータ回路53のしきい値電圧に近づく。
図4は、帰還抵抗を挿入しない場合と挿入した場合の出力ノードt2(インバータ回路53の出力側)における波形の一例を示している。図4に示すように、インバータ回路53の入出力ノードt1,t2間に帰還抵抗R1を挿入することにより、波形の動作中心がインバータ回路53のしきい値電圧の付近となり、出力ノードt2における信号のデューティ比(H/{H+L})を50%に近づけることができる。なお、以下の説明において、信号のデューティ比を50%に近づけることを「デューティ比を改善する」と呼ぶことがある。また、信号のデューティ比を改善することを「波形を整形する」と呼ぶことがある。
インバータ回路53は、増幅部52の初段でありコンパレータ回路20の出力信号に大きな影響を与える部分であるから、インバータ回路53の出力信号のデューティ比を改善することにより、コンパレータ回路20の出力信号を整形することができる。これにより、良好なシリアル信号を出力することができる。
また、図2に示すように、インバータ回路53の入出力ノードt1,t2間にはN型MOSトランジスタQ33とP型MOSトランジスタQ34とが挿入されている。なお、N型MOSトランジスタQ33とP型MOSトランジスタQ34は、双方向ダイオードの一例であり、PN接合ダイオードを用いて双方向ダイオードを構成してもよい。
インバータ回路53の入出力ノードt1,t2間に双方向ダイオードを挿入することにより、差動増幅回路51の出力値が制限される。これにより、インバータ回路53のしきい値を中心としたスイング量が小さくなるので、当該しきい値電圧への到達が速くなり後段の回路動作を速くすることができる。
また、インバータ回路53の入出力ノードt1,t2間に双方向ダイオードを挿入して差動増幅回路51の出力値を制限することで、インバータ回路53へのアンバランスな入力をカットすることができる。また、インバータ回路53の入出力ノードt1,t2間に双方向ダイオードを挿入することにより、インバータ回路53の出力値についても制限することができる。これにより、インバータ回路53を構成する両トランジスタQ31,Q32の能力がアンバランスな場合であっても、帰還抵抗R1の作用と相まって、インバータ回路53の出力信号のデューティ比をより改善することができる。
次に、インバータ回路53の入力側の波形について説明する。
図5(a)は、250MHzの差動信号(500MbpsのLVDSデータ)が入力された場合の入力ノードt1(インバータ回路53の入力側)の波形を示している。図5(a)において、実線はインバータ回路53の入出力ノードt1,t2間に双方向ダイオードを挿入した場合の波形、破線は双方向ダイオードを挿入しない場合の波形をそれぞれ示している。
図5(a)は、250MHzの差動信号(500MbpsのLVDSデータ)が入力された場合の入力ノードt1(インバータ回路53の入力側)の波形を示している。図5(a)において、実線はインバータ回路53の入出力ノードt1,t2間に双方向ダイオードを挿入した場合の波形、破線は双方向ダイオードを挿入しない場合の波形をそれぞれ示している。
図6(a)は、400MHzの差動信号(800MbpsのLVDSデータ)が入力された場合の入力ノードt1(インバータ回路53の入力側)の波形を示している。図6(a)において、実線はインバータ回路53の入出力ノードt1,t2間に双方向ダイオードを挿入した場合の波形、破線は双方向ダイオードを挿入しない場合の波形をそれぞれ示している。
図5(a)及び図6(a)に示すように、インバータ回路53の入出力ノードt1,t2間に双方向ダイオードを挿入することにより、振幅がクランプ(制限)され、その結果、信号の立上り及び立下りが速くなっている。すなわち、双方向ダイオードを挿入することにより、入力されるLVDSデータに対する追従性が向上している。また、双方向ダイオードを挿入することにより、立上り及び立下りの波形の対称性が向上し、その結果、インバータ回路53のしきい値電圧に対するデューティ比が改善されている。
次に、インバータ回路53の出力側の波形について説明する。
図5(b)は、250MHzの差動信号(500MbpsのLVDSデータ)が入力された場合の出力ノードt2(インバータ回路53の出力側)の波形を示している。図5(b)において、実線はインバータ回路53の入出力ノードt1,t2間に双方向ダイオードを挿入した場合の波形、破線は双方向ダイオードを挿入しない場合の波形をそれぞれ示している。
図5(b)は、250MHzの差動信号(500MbpsのLVDSデータ)が入力された場合の出力ノードt2(インバータ回路53の出力側)の波形を示している。図5(b)において、実線はインバータ回路53の入出力ノードt1,t2間に双方向ダイオードを挿入した場合の波形、破線は双方向ダイオードを挿入しない場合の波形をそれぞれ示している。
図6(b)は、400MHzの差動信号(800MbpsのLVDSデータ)が入力された場合の出力ノードt2(インバータ回路53の出力側)の波形を示している。図6(b)において、実線はインバータ回路53の入出力ノードt1,t2間に双方向ダイオードを挿入した場合の波形、破線は双方向ダイオードを挿入しない場合の波形をそれぞれ示している。
図5(b)及び図6(b)に示すように、インバータ回路53に双方向ダイオードを挿入することにより、入力されるLVDSデータに対する追従性が向上している。
このようにインバータ回路53は、その入出力ノードt1,t2間に帰還抵抗R1及び双方向ダイオードが挿入されることにより、入力されるLVDSデータに対する追従性を高めることができ、かつ出力波形のデューティ比を改善させることができる。
また、N型MOSトランジスタQ33及びP型MOSトランジスタQ34の2つのトランジスタのみを用いてインバータ回路53の出力値を制限することができるので、素子数が少なく回路上の実装面積が小さい。
また、N型MOSトランジスタQ33及びP型MOSトランジスタQ34の2つのトランジスタのみを用いてインバータ回路53の出力値を制限することができるので、素子数が少なく回路上の実装面積が小さい。
[1−6.インバータ回路54の構成]
次に、インバータ回路53の次段に位置するインバータ回路54について具体的に説明する。インバータ回路54は、図2に示すように、P型MOSトランジスタQ35とN型MOSトランジスタQ36とがカスコード接続されたCMOSインバータ回路であり、両トランジスタQ35,Q36のゲート同士を接続して当該ゲートを入力ノードt3とし、前記両トランジスタQ35,Q36のドレイン同士を接続して当該ドレインを出力ノードt4としている。
次に、インバータ回路53の次段に位置するインバータ回路54について具体的に説明する。インバータ回路54は、図2に示すように、P型MOSトランジスタQ35とN型MOSトランジスタQ36とがカスコード接続されたCMOSインバータ回路であり、両トランジスタQ35,Q36のゲート同士を接続して当該ゲートを入力ノードt3とし、前記両トランジスタQ35,Q36のドレイン同士を接続して当該ドレインを出力ノードt4としている。
また、帰還抵抗R2は、初段のインバータ回路53に挿入した帰還抵抗R1と同様の機能を有し、インバータ回路54の入出力ノードt3,t4間に帰還抵抗R2が挿入されることにより、インバータ回路54の出力ノードt4における出力中心をインバータ回路54のしきい値電圧に合わせている。
また、初段のインバータ回路53により波形の立上り及び立下りは改善されているので、インバータ回路54の入出力ノードt3,t4間には双方向ダイオードは挿入されていない。
図5(c)は、250MHzの差動信号(500MbpsのLVDSデータ)が入力された場合の出力ノードt4(インバータ回路54の出力側)の波形を示している。図5(c)において、実線はインバータ回路53の入出力ノードt1,t2間に双方向ダイオードを挿入した場合の波形、破線は双方向ダイオードを挿入しない場合の波形をそれぞれ示している。
図6(c)は、400MHzの差動信号(800MbpsのLVDSデータ)が入力された場合の出力ノードt4(インバータ回路54の出力側)の波形を示している。図6(c)において、実線はインバータ回路53の入出力ノードt1,t2間に双方向ダイオードを挿入した場合の波形、破線は双方向ダイオードを挿入しない場合の波形をそれぞれ示している。
図5(c)及び図6(c)に示すように、インバータ回路54はLVDSデータに対する高い追従性を維持している。
このようにインバータ回路54は、LVDSデータに対する高い追従性を維持しつつ、入力信号を反転増幅させて後続のインバータ回路55に出力する。
[1−7.インバータ回路55の構成]
次に、インバータ回路54に接続され、かつ増幅部52の最終段であるインバータ回路55について具体的に説明する。インバータ回路55は、図2に示すように、P型MOSトランジスタQ37とN型MOSトランジスタQ38とがカスコード接続されたCMOSインバータ回路であり、両トランジスタQ37,Q38のゲート同士を接続して当該ゲートを入力ノードt5とし、前記両トランジスタQ37,Q38のドレイン同士を接続して当該ドレインを出力ノードt6としている。
次に、インバータ回路54に接続され、かつ増幅部52の最終段であるインバータ回路55について具体的に説明する。インバータ回路55は、図2に示すように、P型MOSトランジスタQ37とN型MOSトランジスタQ38とがカスコード接続されたCMOSインバータ回路であり、両トランジスタQ37,Q38のゲート同士を接続して当該ゲートを入力ノードt5とし、前記両トランジスタQ37,Q38のドレイン同士を接続して当該ドレインを出力ノードt6としている。
また、前段のインバータ回路54から出力されるインバータ回路55の入力波形は、コンパレータ回路20の出力信号として十分なゲインを持っているので、インバータ回路55の入出力間ノードには帰還抵抗は挿入しておらず、これにより実装面積の増加を抑制し、さらに消費電流を少なくしている。
図5(d)は、250MHzの差動信号(500MbpsのLVDSデータ)が入力された場合の出力ノードt6(インバータ回路55の出力側)の波形を示している。図5(d)において、実線はインバータ回路53の入出力ノードt1,t2間に双方向ダイオードを挿入した場合の波形、破線は双方向ダイオードを挿入しない場合の波形をそれぞれ示している。
図6(d)は、400MHzの差動信号(800MbpsのLVDSデータ)が入力された場合の出力ノードt6(インバータ回路55の出力側)の波形を示している。図6(d)において、実線はインバータ回路53の入出力ノードt1,t2間に双方向ダイオードを挿入した場合の波形、破線は双方向ダイオードを挿入しない場合の波形をそれぞれ示している。
図5(d)及び図6(d)に示すように、インバータ回路55は、LVDSデータに対する高い追従性を維持している。
このようにインバータ回路55は、LVDSデータに対する高い追従性を維持しつつ、入力信号の極性を反転させた信号を出力する。そして、インバータ回路55の出力信号は、図2に示すようにコンパレータ回路20の出力信号となる。
以上のように増幅部52を構成することにより、LVDSデータに対する高い追従性を有し、かつデューティ比が改善された信号を出力することができる。また、増幅部52を構成する素子数が少なく回路上の実装面積が小さい。
そして、増幅部52が高速に動作することにより、コンパレータ回路20を高速動作させることができ、その結果、LVDSレシーバ1を高速に動作させることができる。
そして、増幅部52が高速に動作することにより、コンパレータ回路20を高速動作させることができ、その結果、LVDSレシーバ1を高速に動作させることができる。
[2.その他の実施形態]
上述の第1実施形態では、増幅部を構成するインバータ回路を3段とした例を説明したが、増幅部の出力信号のゲインを高くするためにインバータ回路を5段としてもよい。この場合であっても、増幅部を構成するインバータ回路のうち最終段のインバータ回路を除いたインバータ回路に帰還抵抗を設けた構成とする。これにより消費電流を少なくすることができる。
上述の第1実施形態では、増幅部を構成するインバータ回路を3段とした例を説明したが、増幅部の出力信号のゲインを高くするためにインバータ回路を5段としてもよい。この場合であっても、増幅部を構成するインバータ回路のうち最終段のインバータ回路を除いたインバータ回路に帰還抵抗を設けた構成とする。これにより消費電流を少なくすることができる。
また、コンパレータ回路21〜24のうちコンパレータ回路24の出力信号のみがクロックの生成に用いられるので、コンパレータ回路24のインバータ回路53に対してのみ双方向ダイオードを挿入してもよい。これにより、デューティ比の改善が必要とされるコンパレータ回路に対してのみ双方向ダイオードが挿入されるので、LVDSレシーバ1を構成する素子数が少なくなり回路上の実装面積を小さくすることができる。また、必要に応じ、コンパレータ回路21〜23のうちの全部または一部のインバータ回路53に対しても双方向ダイオードを挿入してもよい。
また、上述した実施形態のLVDSレシーバは、コンピュータ側が出力するLVDSデータを受信するプロジェクタに用いることができる。この場合、コンピュータ側が出力するLVDSデータは、RGB信号を示す3つのデータ及びクロック信号を示す1つのデータの計4つのデータとなる。
また、上述した実施形態のコンパレータ回路は、LVDSレシーバに限らず、他の回路や装置などにも用いることができる。
本発明に係る実施の一形態について具体的に説明したが、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
1 LVDSレシーバ
20,21,22,23,24 コンパレータ回路
3 位相調整回路
4 シリアルパラレル変換回路
51 差動増幅回路
52 増幅部
53〜55 インバータ回路
20,21,22,23,24 コンパレータ回路
3 位相調整回路
4 シリアルパラレル変換回路
51 差動増幅回路
52 増幅部
53〜55 インバータ回路
Claims (5)
- 差動増幅回路と、当該差動増幅回路の出力を増幅する増幅部とを備え、
前記増幅部は、カスケード接続された複数のインバータ回路を有し、
前記複数のインバータ回路のうち初段のインバータ回路に帰還抵抗を設けると共に、当該初段のインバータ回路の入力ノードをその出力ノードに双方向ダイオードを介して接続したコンパレータ回路。 - 前記双方向ダイオードを、P型MOSトランジスタとN型MOSトランジスタとで構成した請求項1に記載のコンパレータ回路。
- 前記複数のインバータ回路のうち最終段のインバータ回路を除いたインバータ回路を、当該インバータ回路に帰還抵抗を設けた請求項1又は請求項2に記載のコンパレータ回路。
- 前記インバータ回路は、P型MOSトランジスタとN型MOSトランジスタのゲート同士を接続して当該ゲートを入力ノードとし、前記両トランジスタのドレイン同士を接続して当該ドレインを出力ノードとした請求項1〜3のいずれか1項に記載のコンパレータ回路。
- 伝送路を介して連続して送信された差動信号を入力とした第1〜第nのコンパレータ回路と、クロック信号に基いて前記第1〜第n−1番目のコンパレータ回路からそれぞれ出力された信号をパラレル信号に変換して出力するシリアルパラレル変換回路と、前記第n番目のコンパレータ回路から出力された信号から前記クロック信号を生成して前記シリアルパラレル変換回路へ出力する位相調整回路を備え、
前記第n番目の前記コンパレータ回路は、差動増幅回路と、当該差動増幅回路の出力を増幅する増幅部とを備え、
前記増幅部は、カスケード接続された複数のインバータ回路を有し、
前記複数のインバータ回路のうち初段のインバータ回路に帰還抵抗を設けると共に、当該初段のインバータ回路の入力ノードをその出力ノードに双方向ダイオードを介して接続したLVDSレシーバ。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2009
- 2009-02-27 JP JP2009047037A patent/JP2010206300A/ja active Pending
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