JP2010205778A - 電源装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 設定可能なＰＷＭ調光信号の最大デューティ比が１００％以下の調光の場合でも半導体発光素子を所望する調光下限まで制御することができる電源装置を提供する。
【解決手段】 所定のデューティ比で調光下限となる基準電圧ＶF1を補正値ＶFｏで補正して基準電圧ＶFを生成し、この基準電圧ＶFを用いてＬＤＥ照明灯２６の調光を制御することにより調光下限となるタイミングを補正前のデューティ比より小さい領域で実現する。
【選択図】図３

Description

本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ素子）などの半導体発光素子を調光点灯可能にした電源装置に関する。

最近、ＬＥＤ素子の電源装置としてスイッチング手段を用いた直流の電源装置が多く用いられている。

そして、この種の電源装置として、特許文献１に開示されるように負荷であるＬＥＤ素子に流れる負荷電流を検出し、この検出信号と予め用意される基準信号との比較結果に基づいて制御回路によりスイッチング素子をオンオフさせてＬＥＤ素子に対する出力を制御するようなものがある。また、このような電源装置には、外部からのデューティ比の異なるＰＷＭ信号を調光深度の異なるＰＷＭ調光信号として入力し、このＰＷＭ調光信号に基づいて基準信号を可変することでＬＥＤ素子の光出力の調光を可能にした調光機能を有するものも知られている。

特開２００１−３１３４２３号公報

ところで、ＬＥＤ素子の調光機能を有する電源装置では、ＰＷＭ調光信号のデューティ比と基準信号の基準電圧との関係を図６（ａ）の直線Ａに示すように、デューティ比が０％で基準電圧ＶF１を最大とし、その後、デューティ比が増加するに従い基準電圧ＶF１をリニアに減少させ、デューティ比１００％のときに基準電圧がゼロにすることで広い範囲で光出力を制御することが考えられる。このようにすれば、ＰＷＭ調光信号のデューティ比が０％付近でＬＥＤ素子の光出力が全光（１００％）となり、デューティ比が１００％になるとＬＥＤ素子の光出力がゼロになって消灯する。

ところが、このような電源装置を既設の、例えば、設定可能なＰＷＭ調光信号の最大デューティ比が８５％までしか可変できないものに使用しようとした場合、図６（ｂ）の直線Ａ１に示すように下限が全光（１００％）の２５％までしかＬＥＤ素子の光出力を調光することができない。これは、オンデューティ比８５％から１００％の間は、基準電圧ＶF１１が２５％で固定されてしまうからで、ＬＥＤ素子の光出力が２５％から消灯状態まで制御することができない。

このため、従来では、設定可能な最大デューティ比が１００％以下の調光器を使用する場合は、最適な基準電圧を発生する基準電圧発生部を有する電源装置を調光器の仕様ごとに用意している。しかし、調光器のＰＷＭ調光信号の最大デューティ比に応じて種類の異なる電源装置を揃えることは、製品のばらつきや品質管理が煩雑になり、経済的に不利になるという問題があった。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、設定可能なＰＷＭ調光信号の最大デューティ比が１００％以下の調光の場合でも半導体発光素子を所望する調光下限まで制御することができる電源装置を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するために、
請求項１記載の発明は、直流出力を生成する直流出力生成手段と、前記直流出力生成手段より生成される直流出力により点灯される半導体発光素子と、デューティ比の異なるＰＷＭ調光信号に応じて可変されることにより、所定のデューティ比で調光下限となるように前記半導体発光素子を調光可能とする第１の基準信号を生成するとともに、該第１の基準電圧を補正する補正値を設定し、該補正値による前記第１の基準信号の補正によりＰＷＭ調光信号の前記所定のデューティ比よりもデューティ比が小さい領域で所望の調光下限値となるように前記半導体発光素子を調光可能とする第２の基準信号を生成する基準信号生成手段と、前記基準信号生成手段の第２の基準信号に基づいて半導体発光素子の光出力の調光を制御する調光制御手段と を具備したことを特徴としている。

請求項２記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記基準信号生成手段の補正値は、第２の基準信号をゼロにする前記所定のデューティ比に応じて異なる値に設定可能にしたことを特徴としている。

本発明によれば、所定のデューティ比で調光下限となる第１の基準信号を所定の補正値で補正して第２の基準信号を生成し、この第２の基準電圧を用いて半導体発光素子の調光を制御することにより調光下限となるタイミングを補正前のデューティ比より小さい領域で実現することができる。

また、本発明によれば、ＰＷＭ調光信号の最大デューティ比に対応する第２の基準信号の設定を補正値の大きさの設定により対応できるので、ＰＷＭ調光信号の最大デューティ比が１００％以下の各種の調光器に対し電源装置の基本的な構成要素を共通にでき、経済的に有利にできる。

本発明の第１の実施の形態にかかる電源装置が適用される照明器具の斜視図。 第１の実施の形態にかかる電源装置が適用される照明器具の断面図。 第１の実施の形態にかかる電源装置の概略構成を示す図。 第１の実施の形態に適用される調光制御部の回路例を示す図。 第１の実施の形態に適用される調光制御部の基準電圧生成部の具体的回路例を示す図。 第１の実施の形態に適用される調光制御部の基準電圧とデューティ比、光出力とデューティ比の関係を示す図。 本発明の第２の実施の形態に適用される調光制御部の基準電圧とデューティ比、光出力とデューティ比の関係を示す図。

以下、本発明の実施の形態を図面に従い説明する。

（第１の実施の形態）
まず、本発明の電源装置が適用される照明器具について簡単に説明する。図１及び図２において、１は器具本体で、この器具本体１は、アルミニウムのダイカスト製のもので、両端を開口した円筒状をしている。この器具本体１は、内部を仕切り部材１ａ、１ｂにより上下方向に３分割され、下方開口と仕切り部材１ａの間の空間は、光源部２に形成されている。この光源部２には、半導体発光素子としての複数のＬＥＤ２ａと反射体２ｂが設けられている。複数のＬＥＤ２ａは、仕切り部材１ａ下面に設けられた円盤状の配線基板２ｃの円周方向に沿って等間隔に配置され実装されている。

器具本体１の仕切り部材１ａと１ｂの間の空間は電源室３に形成されている。この電源室３は、仕切り部材１ａ上部に配線基板３ａが配置されている。この配線基板３ａには、前記複数のＬＥＤ２ａを駆動するための電源装置を構成する各電子部品が設けられている。この直流電源装置と複数のＬＥＤ２ａは、リード線４により接続されている。

器具本体１の仕切り板１ｂと上方開口の間の空間は、電源端子室５に形成されている。この電源端子室５は、仕切り板１ｂに電源端子台６が設けられている。この電源端子台６は、電源室３の電源装置に商用電源の交流電力を供給するための端子台で、電絶縁性の合成樹脂で構成されたボックス６ａの両面に電源ケーブル用端子部となる差込口６ｂ、送りケーブル用端子部となる差込口６ｃ及び電源線及び送り線を切り離すリリースボタン６dなどを有している。

図３は、このように構成された照明器具の電源室３に組み込まれる本発明の電源装置の概略構成を示している。

図３において、１１は交流電源で、この交流電源１１は、不図示の商用電源からなっている。この交流電源１１には、全波整流回路１２の入力端子が接続されている。全波整流回路１２は、交流電源１１からの交流電力を全波整流した出力を発生する。

全波整流回路１２には、電源手段として昇圧チョッパ回路１３が接続されている。この昇圧チョッパ回路１３は、全波整流回路１２の正負極の出力端子間に昇圧用トランスを構成する第１のインダクタ１４及びスイッチング素子としての電界効果トランジスタ１５の直列回路が接続され、電界効果トランジスタ１５に並列に図示極性のフライホイールダイオード１６を介して平滑用コンデンサである電解コンデンサ１７が接続されている。また、電解コンデンサ１７の両端には、電圧検出手段として抵抗１８，１９の直列回路が接続されている。抵抗１８，１９は、電解コンデンサ１７の出力より分圧電圧を発生し、このうち抵抗１９の端子電圧を制御部２７に出力する。電界効果トランジスタ１５は、制御部２７での抵抗１９の端子電圧と予め用意される参照電圧との比較結果に基づいてオンオフ動作される。第１のインダクタ１４は、電界効果トランジスタ１５のオンオフ動作に伴う電磁的エネルギーの蓄積及び放出によりフライホイールダイオード１６を介して電解コンデンサ１７に昇圧された出力を発生させる。制御部２７については、後述する。

昇圧チョッパ回路１３には、出力発生手段としての降圧チョッパ回路２０が接続されている。この降圧チョッパ回路２０は、電解コンデンサ１７の両端にスイッチング素子としての電界効果トランジスタ２１、フライホイールダイオード２２及び負荷電流検出手段として抵抗２３の直列回路が接続されている。また、フライホイールダイオード２２の両端には、第２のインダクタ２４と平滑コンデンサ２５の直列回路が接続されている。抵抗２３は、後述するＬＤＥ照明灯２６に流れる負荷電流を検出し、この検出出力を制御部２７に出力する。電界効果トランジスタ２１は、制御部２７での抵抗２３より検出される負荷電流に応じた検出出力と基準電圧生成部２７２ａより生成される基準電圧ＶFとの比較結果に基づいてオンオフ動作されＬＤＥ照明灯２６に流れる電流を制御することで光出力の調光を行う。第２のインダクタ２４は、電界効果トランジスタ２１のオンオフ動作に伴う電磁的エネルギーの蓄積及び放出によりコンデンサ２５両端に降圧された直流出力を発生させる。

降圧チョッパ回路２０には、ＬＤＥ照明灯２６(図１のＬＥＤ２ａに該当する)が接続されている。このＬＤＥ照明灯２６は、半導体発光素子として複数のＬＥＤ素子を直列に接続したものである。この場合、ＬＤＥ照明灯２６は、複数のＬＥＤ素子を直列に接続した直列回路を、さらに複数個並列に接続したものであってもよい。

制御部２７は、電源装置全体を制御するもので、電源出力制御部２７１と調光制御手段を構成する調光制御部２７２を有している。電源出力制御部２７１は、不図示の参照電圧が記憶されていて、参照電圧と抵抗１９の端子電圧との比較結果に基づいて電界効果トランジスタ１５のオンオフ動作を制御し、この電界効果トランジスタ１５のオンオフ動作に伴う第１のインダクタ１４での電磁的エネルギーの蓄積及び放出により電解コンデンサ１７両端に昇圧された出力電圧を発生させる。調光制御部２７２は、図４に示すように基準信号生成手段としての基準電圧生成部３５、比較器３６およびスイッチング制御回路３７を有している。基準電圧生成部３５には、ＰＷＭ調光信号発生部３８が接続され、このＰＷＭ調光信号発生部３８より入力されるデューティ比の異なるＰＷＭ調光信号に基づいて可変される第２の基準信号としての基準電圧ＶFを生成する。この基準電圧生成部３５については後述する。比較器３６は、一方端子に基準電圧生成部３５で生成された基準電圧ＶFが入力され、他方端子に抵抗２３より検出される負荷電流に応じた検出出力が入力され、これらの比較結果を出力する。スイッチング制御回路３７は、比較器３６の比較結果により電界効果トランジスタ２１のスイッチング駆動を制御し、ＬＤＥ照明灯２６に流れる電流を制御することで光出力の調光を行う。

図５は、基準電圧生成部３５の具体的な回路例を示すものである。図５に示す入力端子ｔ１、ｔ２には、ＰＷＭ調光信号発生部３８よりデューティ比の異なるＰＷＭ調光信号が入力される。ここでは、オンデューティ比のＰＷＭ調光信号が入力されるものとする。入力端子ｔ１、ｔ２には、フォトカプラＰｈｃのフォトダイオードＰｈＤが接続されている。また、フォトカプラＰｈｃのフォトトランジスタＰｈＴには、抵抗Ｒ１とＲ２の直列回路が直列接続されている。また、フォトトランジスタＰｈＴと抵抗Ｒ１とＲ２の直列回路には、抵抗Ｒ３とＲ４の直列回路が並列接続されている。そして、抵抗Ｒ１とＲ２の接続点にＮＰＮ型トランジスタＴｒのベースが接続され、さらにＮＰＮ型トランジスタＴｒのコレクタが抵抗Ｒ３とＲ４の接続点に、エミッタが抵抗Ｒ２とＲ４の接続点に接続されている。

ＮＰＮ型トランジスタＴｒは、ＰＷＭ調光信号のオン期間にフォトトランジスタＰｈＴがオンすると抵抗Ｒ１とＲ２の接続点に発生する電圧によりオンされる。抵抗Ｒ４には、抵抗Ｒ５とコンデンサＣ１の直列回路が並列接続されている。コンデンサＣ１は、ＮＰＮ型トランジスタＴｒのオフの間に抵抗Ｒ４両端に発生する電圧を充電する。この場合のコンデンサＣ１の充電電圧は、ＰＷＭ調光信号のオンデューティ比により決定される第１の基準信号としての基準電圧ＶF1である。

抵抗Ｒ５とコンデンサＣ１の接続点には、ＯＰアンプＯＰ１の非反転入力端子に接続されている。ＯＰアンプＯＰ１は、出力端子を抵抗Ｒ６を介して反転入力端子に接続され、この反転入力端子に抵抗Ｒ７を介してＯＰアンプＯＰ２の出力端子が接続されている。ＯＰアンプＯＰ２は、非反転入力端子に電源ＢＴ１が接続され、また、反転入力端子と出力端子が直接接続されている。この場合、電源ＢＴ１は、コンデンサＣ１両端に発生する基準電圧ＶF1を補正する補正値ＶFｏを設定するもので、設定可能なＰＷＭ調光信号の最大デューティ比に応じて異なる補正値ＶFｏを設定可能にしている。つまり、ＰＷＭ調光信号の最大デューティ比を１００％以下の所定のデューティ比とした場合、補正値ＶFｏによる基準電圧ＶF1の補正により、上記の所定のデューティ比のとき基準電圧ＶFがゼロとなるような値に補正値ＶFｏが設定されている。ここでの補正値ＶFｏは、ＰＷＭ調光信号の最大デューティ比が８５％のとき基準電圧ＶFをゼロとするような値に設定されている。

ＯＰアンプＯＰ１は、コンデンサＣ１の端子電圧と、ＯＰアンプＯＰ２の出力電圧の差を出力するもので、ここでは、負帰還をかけてn点とp点の電位が等しくなるように動作し出力端子に（ＶF1−ＶFｏ）×(Ｒ６＋Ｒ７)／ＶFｏの基準電圧ＶFを発生する。

図６（ａ）は、基準電圧ＶF、ＶF1および補正電圧ＶFｏのそれぞれの関係を示すものである。この場合、基準電圧ＶF1は、ＰＷＭ調光信号のオンデューティ比に応じて直線Ａに示すように１００〜０％の範囲で変化する。また、補正値ＶFｏが、図示Ｂのように設定されると、基準電圧ＶF1を補正値ＶFｏにより補正して得られる基準電圧ＶFは、基準電圧ＶF1の直線Ａに対して平行移動されＰＷＭ調光信号の最大デューティ比が８５％でゼロになる直線Ｃとして得られる。

なお、上述の補正値ＶFｏは、基準電圧ＶFがＰＷＭ調光信号の最大デューティ比８５％でゼロになる場合であるが、例えば、基準電圧ＶFがＰＷＭ調光信号の最大デューティ比９５％でゼロになるようにするには、図示Ｅに示すように補正値をＶFｏ１に変更して直線Ｆに示す基準電圧ＶFを生成すればよい。

次に、このように構成した実施の形態の作用を説明する。

この場合、図５に示す基準電圧生成部３５は、ＰＷＭ調光信号発生部３８より入力端子ｔ１、ｔ２にオンデューティ比の異なるＰＷＭ調光信号が入力される。すると、ＰＷＭ調光信号のオン期間ではフォトカプラＰｈｃのフォトトランジスタＰｈＴがオンし、抵抗Ｒ１とＲ２の接続点に発生する電圧によりＮＰＮ型トランジスタＴｒがオンする。また、ＰＷＭ調光信号のオフ期間では、フォトトランジスタＰｈＴがオフし、ＮＰＮ型トランジスタＴｒもオフする。これにより、抵抗Ｒ４両端に発生する電圧が抵抗Ｒ５を介してコンデンサＣ１に充電され、コンデンサＣ１両端にＰＷＭ調光信号のオンデューティ比により決定される基準電圧ＶF1が発生する（図６（ａ）の直線Ａ参照）。この基準電圧ＶF1は、ＯＰアンプＯＰ１に入力される。ＯＰアンプＯＰ１には、ＯＰアンプＯＰ２より電源ＢＴ１による補正値ＶFｏが入力されており（図６（ａ）のＢ参照）、ＯＰアンプＯＰ１の出力端子より（ＶF1−ＶFｏ）×(Ｒ６＋Ｒ７)／ＶFｏの基準電圧ＶFが発生する。このときの基準電圧ＶFは、ＰＷＭ調光信号の最大デューティ比が８５％でゼロになる（図６（ａ）の直線Ｃ参照）。

このようにして基準電圧生成部３５より生成される基準電圧ＶFは、図４に示す比較器３６に入力される。この状態で、交流電源１１の交流電力が全波整流回路１２で全波整流され、昇圧チョッパ回路１３に供給される。昇圧チョッパ回路１３では、電界効果トランジスタ１５が抵抗１９の端子電圧と、電源出力制御部２７１に予め用意された参照電圧との比較結果に基づいてオンオフ動作し、この電界効果トランジスタ１５のオンオフ動作に伴う第１のインダクタ１４の電磁的エネルギーの蓄積及び放出によりフライホイールダイオード１６を介して電解コンデンサ１７に昇圧された出力電圧を発生する。

昇圧チョッパ回路１３の出力電圧は、降圧チョッパ回路２０に供給される。この場合、制御部２７の調光制御部２７２では、比較器３６の一方端子に基準電圧生成部３５の基準電圧ＶFが入力され、他方入力端子に抵抗２３より検出される負荷電流に応じた検出出力が入力される。比較器３６は、基準電圧ＶFと負荷電流に応じた検出出力の比較結果を出力し、スイッチング制御回路３７は、比較器３６の比較結果に応じた駆動信号により電界効果トランジスタ２１をスイッチング駆動する。

これにより、電界効果トランジスタ２１のオンオフ動作に伴う第２のインダクタ２４の電磁的エネルギーの蓄積及び放出によりコンデンサ２５両端に降圧された出力電圧（直流出力）が発生し、この出力電圧によりＬＤＥ照明灯２６が点灯され、同時に、ＬＤＥ照明灯２６に流れる電流が基準電圧ＶFに応じて制御され、ＬＤＥ照明灯２６の光出力が調光制御される。

この状態で、ＰＷＭ調光信号発生部３８より入力されるＰＷＭ調光信号のオンデューティ比を可変すれば、このときのＰＷＭ調光信号のオンデューティ比に応じた基準電圧ＶFによりＬＤＥ照明灯２６の光出力が図６（ｂ）の直線Ｂ１に示すようにデューティ比が最大デューティ比の８５％以下の範囲で変化し、ＬＤＥ照明灯２６の光出力を変化させることができる。

したがって、このようにすれば、基準電圧生成部３５よりＰＷＭ調光信号のオンデューティ比に応じて１００〜０％の範囲で変化する基準電圧ＶF1を生成するとともに、基準電圧ＶF1を補正する補正値ＶFｏを設定し、この補正値ＶFｏにより基準電圧ＶF1を補正することで、ＰＷＭ調光信号のデューティ比が１００％以下の所定のデューティ比、例えば、ＰＷＭ調光信号の最大デューティ比が８５％のときゼロとなるような基準電圧ＶFを生成し、この基準電圧ＶFを用いてＬＤＥ照明灯２６の調光を制御するようにした。これにより、図６（ｂ）の直線Ｂ１に示すようにデューティ比が最大デューティ比の８５％以下の範囲では基準電圧ＶFに応じてＬＤＥ照明灯２６の光出力を変化させることができ、所望する調光を行うことができ、また、デューティ比が最大デューティ比８５％に達すると基準電圧ＶFがゼロになることで、ＬＤＥ照明灯２６の光出力が０％となり消灯することができる。この結果、例えば、ＰＷＭ調光信号の最大デューティ比が８５％までしか可変できない調光器を使用した場合も、調光器のデューティ比が８５％に達すると、光出力が固定してしまうようなことがなく、ＬＤＥ照明灯２６の光出力を０％、つまり消灯まで制御することができる。

また、設定可能なＰＷＭ調光信号の最大デューティ比が１００％以下の他の調光器を使用する場合も、基準電圧生成部３５での補正値ＶFｏを変更し、この補正値ＶFｏによる基準電圧ＶF1の補正により、最大デューティ比でゼロになるような基準電圧ＶFを生成すれば、調光器においてＰＷＭ調光信号のデューティ比が最大デューティ比に調整されるとＬＤＥ照明灯２６の光出力が固定されることがなく、０％の消灯状態まで制御することができる。これにより、設定可能なＰＷＭ調光信号の最大デューティ比が１００％以下の各種の調光器に対して最適な基準電圧を発生するための基準電圧発生部を個々に用意することなく電源装置の基本的な構成要素を共通化できるので、異なる種類の電源装置を多数揃えることによる製品のばらつきを防止できるとともに、品質管理も容易となり経済的に有利にできる。

（変形例）
上述の実施の形態では、基準電圧ＶF1の補正値ＶFｏによる補正により、最大デューティ比８５％で消灯となるような基準電圧ＶFを生成する例を述べたが、例えば、図７（ｂ）のＢ１１に示すように最大デューティ比８５％で調光下限の光出力が５％となるように設定することもできる。この場合、基準電圧ＶF1は、図７（ａ）の直線Ａに示すようにＰＷＭ調光信号のオンデューティ比に応じて１００〜０％の範囲で変化する。また、補正値ＶFｏにより基準電圧ＶF1を補正して基準電圧ＶFを生成するが、このときの基準電圧ＶFは、直線Ｄに示すように基準電圧ＶF1の直線Ａに対して傾きを変え、最大デューティ比９０％でゼロになるようにする。この場合、補正値ＶFｏは、デューティ比に応じて大きさを変化するものが用いられる。このようにすれば、図７（ａ）の直線Ａに示す基準電圧ＶF1に対して図７（ｂ）のＡ１１に示すＰＷＭ調光信号のオンデューティ比に応じて１００〜０％の範囲で変化する光入力が得られるものが、図７（ａ）の直線Ｄに示す基準電圧ＶFを用いることで、図７（ｂ）の直線Ｂ１１に示すように最大デューティ比８５％で調光下限の光出力が５％となるような調光を設定することができる。つまり、所定のデューティ比で調光下限となるような基準電圧ＶF1を補正値ＶFｏで補正して新たな基準電圧ＶFを生成し、この基準電圧ＶFを用いてＬＤＥ照明灯２６の調光を制御することにより調光下限となるタイミングを補正前のデューティ比より小さい領域で実現するものを得ることができる。

なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものでなく、実施段階では、その要旨を変更しない範囲で種々変形することが可能である。例えば、上述した実施の形態では、制御部２７は、アナログ回路の例を述べたが、マイコンやデジタル処理を用いた制御方式を採用したものを用いることができる。また、上述した基準電圧生成部３５では、オンデューティ比のＰＷＭ調光信号に基づいて基準電圧ＶF1を得るようにしたが、オフデューティ比のＰＷＭ調光信号に基づいて基準電圧ＶF1を得るようにしてもよい。

さらに、上記実施の形態には、種々の段階の発明が含まれており、開示されている複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出できる。例えば、実施の形態に示されている全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題を解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出できる。

１…器具本体、２…光源部、３…電源室
１１…交流電源、１２…全波整流回路
１３…昇圧チョッパ回路、１４…第１のインダクタ
１５…電界効果トランジスタ、２０…降圧チョッパ回路
２１…電界効果トランジスタ、２４…第２のインダクタ
２６…ＬＤＥ照明灯、２７…制御部、２７１…電源出力制御部
２７２…調光制御部、３５…基準電圧生成部、３６…比較器
３７…スイッチング制御回路、３８…調光信号発生部

Claims (2)

1. 直流出力を生成する直流出力生成手段と、
   前記直流出力生成手段より生成される直流出力により点灯される半導体発光素子と、
   デューティ比の異なるＰＷＭ調光信号に応じて可変されることにより、所定のデューティ比で調光下限となるように前記半導体発光素子を調光可能とする第１の基準信号を生成するとともに、該第１の基準電圧を補正する補正値を設定し、該補正値による前記第１の基準信号の補正によりＰＷＭ調光信号の前記所定のデューティ比よりもデューティ比が小さい領域で所望の調光下限値となるように前記半導体発光素子を調光可能とする第２の基準信号を生成する基準信号生成手段と、
   前記基準信号生成手段の第２の基準信号に基づいて半導体発光素子の光出力の調光を制御する調光制御手段と
   を具備したことを特徴とする電源装置。
2. 前記基準信号生成手段の補正値は、第２の基準信号をゼロにする前記所定のデューティ比に応じて異なる値に設定可能にしたことを特徴とする請求項１に記載の電源装置。

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