JP2010201351A5 - - Google Patents
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すなわち本発明は、下記の構成を有する。
[1]8族〜10族の遷移金属化合物とMg化合物を含む水を加圧下で100〜250℃に加熱して触媒前駆体を得、これを400〜1200℃に加熱することで8族から10族の遷移金属が0.1〜1wt%の範囲で含有する薄片状MgOを得ることを特徴とするカーボンナノチューブ製造用触媒体の製造方法。
[2]8族〜10族の遷移金属化合物とMg化合物を含む水を加圧下で100〜250℃に加熱して触媒前駆体を得、ろ過または遠心分離して固液分離した後、これを400〜1200℃に加熱することを特徴とするカーボンナノチューブ製造用触媒体の製造方法。
[3]前記触媒前駆体をろ過または遠心分離して固液分離した後、加熱に供することを特徴とする[1]記載の製造方法。
[4]前記8族〜10族の遷移金属化合物が前記金属のクエン酸アンモニウム塩、硝酸塩、亜硝酸塩、炭酸塩、酢酸塩、クエン酸塩、アセチルアセトネート、酸化物および水酸化物のうち少なくとも1つを含むものであることを特徴とする[1]〜[3]のいずれか1項記載のカーボンナノチューブ製造用触媒体の製造方法。
[5]8族〜10族の遷移金属化合物が、遷移金属に対する硫黄量として0.1〜20wt%の硫黄化合物を含むものであることを特徴とする[1]〜[4]のいずれか1項記載のカーボンナノチューブ製造用触媒体の製造方法。
[6]Mg化合物が酸化物、硝酸塩、亜硝酸塩、硫酸塩、硫酸アンモニウム塩、炭酸塩、酢酸塩、クエン酸塩および水酸化物のうち少なくとも1つを含むことを特徴とする[1]〜[5]のいずれか1項記載のカーボンナノチューブ製造用触媒体の製造方法。
[7]8族から10族の遷移金属を含む微粒子を含む薄片状の酸化マグネシウム(MgO)からなり、前記遷移金属を含む微粒子は平均粒子径が1nm〜30nmであり、遷移金属含有量が0.1〜1wt%であることを特徴とするカーボンナノチューブ製造用触媒体。
[8]前記薄片状のMgOが、結晶子径5〜20nmの範囲のMgO微粒子の凝集体であることを特徴とする[7]記載のカーボンナノチューブ製造用触媒体。
[9]前記薄片状のMgOの<200>面のX線回折における半値幅が0.6〜0.95degの範囲であることを特徴とする[7]または[8]のいずれか1項記載のカーボンナノチューブ製造用触媒体。
[10]前記薄片状のMgOの長辺方向の平均長さが0.05〜10μmであり、平均厚みが5〜50nmであることを特徴とする[7]〜[9]記載のカーボンナノチューブ製造用触媒体。
[11]前記薄片状MgOのかさ密度が0.1〜1.0g/mLであることを特徴とする[7]〜[10]のいずれか1項記載のカーボンナノチューブ製造用触媒体。
[12]単層および/または二層カーボンナノチューブ含有組成物を製造するための[7]〜[11]のいずれか1項記載のカーボンナノチューブ製造用触媒体。
[13]二層を含むカーボンナノチューブであって二層カーボンナノチューブの平均直径が1nm〜2.5nmであるカーボンナノチューブを製造するための[7]〜[12]のいずれか1項記載のカーボンナノチューブ製造用触媒体。
[14][7]〜[13]のいずれかに記載のカーボンナノチューブ製造用触媒体または請求項1〜請求項6のいずれかに記載の方法で製造されたカーボンナノチューブ製造用触媒体を500〜1200℃の範囲の加熱反応域で炭素含有化合物と接触させることによりカーボンナノチューブを製造するカーボンナノチューブ含有組成物の製造方法。
[15]カーボンナノチューブが単層および/または二層のカーボンナノチューブを含むものであることを特徴とする14記載のカーボンナノチューブ含有組成物の製造方法。
[16]単層および/または二層のカーボンナノチューブを含み、体積抵抗が1X10−5Ω・cm〜7X10−4Ω・cmであることを特徴とするカーボンナノチューブ含有組成物。
[17]単層および/または二層のカーボンナノチューブを含み、燃焼ピーク温度が650℃〜800℃の範囲であることを特徴とする請求項16記載のカーボンナノチューブ含有組成物。
[1]8族〜10族の遷移金属化合物とMg化合物を含む水を加圧下で100〜250℃に加熱して触媒前駆体を得、これを400〜1200℃に加熱することで8族から10族の遷移金属が0.1〜1wt%の範囲で含有する薄片状MgOを得ることを特徴とするカーボンナノチューブ製造用触媒体の製造方法。
[2]8族〜10族の遷移金属化合物とMg化合物を含む水を加圧下で100〜250℃に加熱して触媒前駆体を得、ろ過または遠心分離して固液分離した後、これを400〜1200℃に加熱することを特徴とするカーボンナノチューブ製造用触媒体の製造方法。
[3]前記触媒前駆体をろ過または遠心分離して固液分離した後、加熱に供することを特徴とする[1]記載の製造方法。
[4]前記8族〜10族の遷移金属化合物が前記金属のクエン酸アンモニウム塩、硝酸塩、亜硝酸塩、炭酸塩、酢酸塩、クエン酸塩、アセチルアセトネート、酸化物および水酸化物のうち少なくとも1つを含むものであることを特徴とする[1]〜[3]のいずれか1項記載のカーボンナノチューブ製造用触媒体の製造方法。
[5]8族〜10族の遷移金属化合物が、遷移金属に対する硫黄量として0.1〜20wt%の硫黄化合物を含むものであることを特徴とする[1]〜[4]のいずれか1項記載のカーボンナノチューブ製造用触媒体の製造方法。
[6]Mg化合物が酸化物、硝酸塩、亜硝酸塩、硫酸塩、硫酸アンモニウム塩、炭酸塩、酢酸塩、クエン酸塩および水酸化物のうち少なくとも1つを含むことを特徴とする[1]〜[5]のいずれか1項記載のカーボンナノチューブ製造用触媒体の製造方法。
[7]8族から10族の遷移金属を含む微粒子を含む薄片状の酸化マグネシウム(MgO)からなり、前記遷移金属を含む微粒子は平均粒子径が1nm〜30nmであり、遷移金属含有量が0.1〜1wt%であることを特徴とするカーボンナノチューブ製造用触媒体。
[8]前記薄片状のMgOが、結晶子径5〜20nmの範囲のMgO微粒子の凝集体であることを特徴とする[7]記載のカーボンナノチューブ製造用触媒体。
[9]前記薄片状のMgOの<200>面のX線回折における半値幅が0.6〜0.95degの範囲であることを特徴とする[7]または[8]のいずれか1項記載のカーボンナノチューブ製造用触媒体。
[10]前記薄片状のMgOの長辺方向の平均長さが0.05〜10μmであり、平均厚みが5〜50nmであることを特徴とする[7]〜[9]記載のカーボンナノチューブ製造用触媒体。
[11]前記薄片状MgOのかさ密度が0.1〜1.0g/mLであることを特徴とする[7]〜[10]のいずれか1項記載のカーボンナノチューブ製造用触媒体。
[12]単層および/または二層カーボンナノチューブ含有組成物を製造するための[7]〜[11]のいずれか1項記載のカーボンナノチューブ製造用触媒体。
[13]二層を含むカーボンナノチューブであって二層カーボンナノチューブの平均直径が1nm〜2.5nmであるカーボンナノチューブを製造するための[7]〜[12]のいずれか1項記載のカーボンナノチューブ製造用触媒体。
[14][7]〜[13]のいずれかに記載のカーボンナノチューブ製造用触媒体または請求項1〜請求項6のいずれかに記載の方法で製造されたカーボンナノチューブ製造用触媒体を500〜1200℃の範囲の加熱反応域で炭素含有化合物と接触させることによりカーボンナノチューブを製造するカーボンナノチューブ含有組成物の製造方法。
[15]カーボンナノチューブが単層および/または二層のカーボンナノチューブを含むものであることを特徴とする14記載のカーボンナノチューブ含有組成物の製造方法。
[16]単層および/または二層のカーボンナノチューブを含み、体積抵抗が1X10−5Ω・cm〜7X10−4Ω・cmであることを特徴とするカーボンナノチューブ含有組成物。
[17]単層および/または二層のカーボンナノチューブを含み、燃焼ピーク温度が650℃〜800℃の範囲であることを特徴とする請求項16記載のカーボンナノチューブ含有組成物。
Claims (17)
- 8族〜10族の遷移金属化合物とMg化合物を含む水を加圧下で100〜250℃に加熱して触媒前駆体を得、これを400〜1200℃に加熱することで8族から10族の遷移金属が0.1〜1wt%の範囲で含有する薄片状MgOを得ることを特徴とするカーボンナノチューブ製造用触媒体の製造方法。
- 8族〜10族の遷移金属化合物とMg化合物を含む水を加圧下で100〜250℃に加熱して触媒前駆体を得、ろ過または遠心分離して固液分離した後、これを400〜1200℃に加熱することを特徴とするカーボンナノチューブ製造用触媒体の製造方法。
- 前記触媒前駆体をろ過または遠心分離して固液分離した後、加熱に供することを特徴とする請求項1記載の製造方法。
- 前記8族〜10族の遷移金属化合物が前記金属のクエン酸アンモニウム塩、硝酸塩、亜硝酸塩、炭酸塩、酢酸塩、クエン酸塩、アセチルアセトネート、酸化物および水酸化物のうち少なくとも1つを含むものであることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項記載のカーボンナノチューブ製造用触媒体の製造方法。
- 8族〜10族の遷移金属化合物が、遷移金属に対する硫黄量として0.1〜20wt%の硫黄化合物を含むものであることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1項記載のカーボンナノチューブ製造用触媒体の製造方法。
- Mg化合物が酸化物、硝酸塩、亜硝酸塩、硫酸塩、硫酸アンモニウム塩、炭酸塩、酢酸塩、クエン酸塩および水酸化物のうち少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか1項記載のカーボンナノチューブ製造用触媒体の製造方法。
- 8族から10族の遷移金属を含む微粒子を含む薄片状の酸化マグネシウム(MgO)からなり、前記遷移金属を含む微粒子は平均粒子径が1nm〜30nmであり、遷移金属含有量が0.1〜1wt%であることを特徴とするカーボンナノチューブ製造用触媒体。
- 前記薄片状のMgOが、結晶子径5〜20nmの範囲のMgO微粒子の凝集体であることを特徴とする請求項7記載のカーボンナノチューブ製造用触媒体。
- 前記薄片状のMgOの<200>面のX線回折における半値幅が0.6〜0.95degの範囲であることを特徴とする請求項7または請求項8のいずれか1項記載のカーボンナノチューブ製造用触媒体。
- 前記薄片状のMgOの長辺方向の平均長さが0.05〜10μmであり、平均厚みが5〜50nmであることを特徴とする請求項7〜請求項9記載のカーボンナノチューブ製造用触媒体。
- 前記薄片状MgOのかさ密度が0.1〜1.0g/mLであることを特徴とする請求項7〜請求項10のいずれか1項記載のカーボンナノチューブ製造用触媒体。
- 単層および/または二層カーボンナノチューブ含有組成物を製造するための請求項7〜請求項11のいずれか1項記載のカーボンナノチューブ製造用触媒体。
- 二層を含むカーボンナノチューブであって二層カーボンナノチューブの平均直径が1nm〜2.5nmであるカーボンナノチューブを製造するための請求項7〜請求項12のいずれか1項記載のカーボンナノチューブ製造用触媒体。
- 請求項7〜請求項13のいずれかに記載のカーボンナノチューブ製造用触媒体または請求項1〜請求項6のいずれかに記載の方法で製造されたカーボンナノチューブ製造用触媒体を500〜1200℃の範囲の加熱反応域で炭素含有化合物と接触させることによりカーボンナノチューブを製造するカーボンナノチューブ含有組成物の製造方法。
- カーボンナノチューブが単層および/または二層のカーボンナノチューブを含むものであることを特徴とする請求項14記載のカーボンナノチューブ含有組成物の製造方法。
- 単層および/または二層のカーボンナノチューブを含み、体積抵抗が1X10−5Ω・cm〜7X10−4Ω・cmであることを特徴とするカーボンナノチューブ含有組成物。
- 単層および/または二層のカーボンナノチューブを含み、燃焼ピーク温度が650℃〜800℃の範囲であることを特徴とする請求項16記載のカーボンナノチューブ含有組成物。
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