JP2010199487A - Light emitting device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To make a shape, number and position of marks different, and, in addition, to propose a mark. <P>SOLUTION: The light emitting device includes a light emitting element, a substrate having a mounting part for arranging the light emitting element, and a phosphor layer having a phosphor emitting fluorescent light by absorbing light of the light emitting element. The substrate includes a conductive wire which is arranged on an upper surface with the light emitting element mounted and is connected to an electrode of the light emitting element, and a first mark formed of conductive material. The phosphor layer includes a first phosphor layer arranged on a surface of the light emitting element, and a second phosphor layer as a second mark recognized separately from the first mark, arranged with a space from the first phosphor layer. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光素子を基板に搭載した発光装置に関し、より詳細には、基板に設けられたマークの認識性を向上させた発光装置に関する。   The present invention relates to a light emitting device in which a light emitting element is mounted on a substrate, and more particularly to a light emitting device with improved recognition of a mark provided on a substrate.

発光装置は、発光素子と、その発光素子を配置し該発光素子と電気的に接続する導電配線を有する基板と、その基板に配置された発光素子を被覆する封止部材と、から構成されている。また、封止部材に蛍光体を含有させることにより、発光素子からの光と、蛍光体により波長変換された光との混色光が発光する発光装置が提案されている。   The light emitting device includes a light emitting element, a substrate having the light emitting element disposed thereon and a conductive wiring electrically connected to the light emitting element, and a sealing member that covers the light emitting element disposed on the substrate. Yes. In addition, there has been proposed a light-emitting device that emits mixed light of light from a light-emitting element and light whose wavelength has been converted by the phosphor by including a phosphor in the sealing member.

ここで、発光素子を配置する基板には、発光素子を配置する位置を正確に認識するためのマークや、発光装置の電極端子の極性を示すカソードマークや、封止部材の成型位置ズレを判定するマークなど、種々の目的のマークが設けられる。   Here, on the substrate on which the light emitting element is arranged, a mark for accurately recognizing the position where the light emitting element is arranged, a cathode mark indicating the polarity of the electrode terminal of the light emitting device, and a molding position deviation of the sealing member are determined. Marks for various purposes, such as marks to be performed, are provided.

例えば、特開2008−235580号公報に開示された発光装置10は、図8に示されるように、発光素子4と、その発光素子4を配置し該発光素子4と電気的に接続する導電配線2、3を有する基板1と、発光素子4の電極と導電配線2、3とを接続する導電性ワイアと、基板1に配置された発光素子4および導電性ワイアを被覆する封止部材7と、から構成されている。   For example, as shown in FIG. 8, a light emitting device 10 disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-235580 includes a light emitting element 4 and a conductive wiring that arranges the light emitting element 4 and is electrically connected to the light emitting element 4. A substrate 1 having 2, 3, a conductive wire connecting the electrode of the light emitting element 4 and the conductive wirings 2, 3, a sealing member 7 covering the light emitting element 4 and the conductive wire disposed on the substrate 1, , Is composed of.

この発光装置10におけるマーク8、9a、9bは、発光素子4を配置する基板1の上面に形成されており、封止部材7の成型予定位置からのズレの程度を判定するための目印(成型位置ズレ判定マーク)として利用することができる。具体的には、マーク8は、L字型の形状を有しており、封止部材7を両脇から挟むように複数個が設けられている。これらのマーク8と封止部材7との位置を比較することにより、成型を予定していた位置から封止部材7がずれたか否かを判定したり、マーク8と封止部材7との距離を測定することにより、封止部材7が、成型を予定していた位置からどの程度ずれたかを判定したりして、規格外のものを発光装置の製造工程から排除することができる。また、これらのマークは、発光素子4を配置する位置を、基板1上で正確に認識するための目印としても利用することができる。   The marks 8, 9 a, and 9 b in the light emitting device 10 are formed on the upper surface of the substrate 1 on which the light emitting element 4 is disposed, and are marks (molding) for determining the degree of deviation from the molding position of the sealing member 7. It can be used as a position deviation determination mark). Specifically, the mark 8 has an L-shape, and a plurality of marks 8 are provided so as to sandwich the sealing member 7 from both sides. By comparing the positions of these marks 8 and the sealing member 7, it can be determined whether or not the sealing member 7 has shifted from the position where molding is planned, and the distance between the mark 8 and the sealing member 7 is determined. By measuring the above, it is possible to determine how much the sealing member 7 has deviated from the position where molding is planned, and to exclude non-standard ones from the manufacturing process of the light emitting device. These marks can also be used as marks for accurately recognizing the position where the light emitting element 4 is arranged on the substrate 1.

また、基板1の上面の両隅には、基板1の外縁を形成する辺に沿って略平行に、短冊状のマーク9a、9bがそれぞれ設けられている。これらのマーク9a、9bは、発光装置を製造する工程において、集合基板から個々の基板1への分割するための分割ラインを示す目印として利用することができる。さらに、基板の両隅のマークのいずれが一方のマーク9aは、その形状および数が他方のマーク9bのそれと異なっており、発光装置の基板1の裏面の両隅に設けられ上面側から視認されない正負一対の電極端子のうち、どちらが負極の電極端子であるのか、発光装置の負極の電極端子を正極の電極端子から識別するための目印(カソードマーク)として利用することができる。   In addition, strip-shaped marks 9 a and 9 b are provided at both corners of the upper surface of the substrate 1 so as to be substantially parallel to the side forming the outer edge of the substrate 1. These marks 9a and 9b can be used as marks indicating division lines for dividing the aggregate substrate into individual substrates 1 in the process of manufacturing the light emitting device. Further, any one of the marks 9a at both corners of the substrate is different in shape and number from that of the other mark 9b and is provided at both corners on the back surface of the substrate 1 of the light emitting device and is not visible from the upper surface side. Which of the positive and negative electrode terminals is the negative electrode terminal can be used as a mark (cathode mark) for identifying the negative electrode terminal of the light-emitting device from the positive electrode terminal.

以上のマークは、基板1を形成する際に、正負一対の導電配線の形成とともに導電性材料にて形成することができる。例えば、セラミックスを材料とするセラミックスグリーンシート表面にペースト状の導電性材料を印刷することにより、導電配線とマークを形成し、種々の形状のセラミックスグリーンシートを積層させた後、焼成することにより、マークを有する基板を形成することができる。   The above marks can be formed of a conductive material together with the formation of a pair of positive and negative conductive wirings when the substrate 1 is formed. For example, by printing a paste-like conductive material on the surface of a ceramic green sheet made of ceramics, forming conductive wiring and marks, laminating ceramic green sheets of various shapes, and then firing, A substrate having a mark can be formed.

特開2008−235580号公報JP 2008-235580 A

しかしながら、上述したように、発光素子を配置する基板には種々の目的のマークが設けられるので、マークの形状、数や位置を変えてマークの目的を識別するだけでは、そのマークが何を示すのかが、容易に判断しがたくなってきている。   However, as described above, since a mark for various purposes is provided on the substrate on which the light emitting element is arranged, what is indicated by the mark only by identifying the purpose of the mark by changing the shape, number and position of the mark. However, it is difficult to judge.

そこで、本発明は、マークの形状、数や位置を変える他に、種々の目的のマークとして利用できるものを提案し、さらにマークの認識性を高めた発光装置を提供することを目的とする。   Accordingly, the present invention proposes a light-emitting device that can be used as a mark for various purposes in addition to changing the shape, number, and position of the mark, and further provides a light-emitting device with improved mark recognition.

以上の目的を達成するために本発明に係る発光装置は、発光素子と、その発光素子を配置する搭載部を有する基板と、前記発光素子の光を吸収して蛍光を発する蛍光体を含む蛍光体層と、を備えた発光装置であって、上記基板は、上記発光素子が配置された上面に、上記発光素子の電極に接続する導電配線と、導電性材料により設けられた第一のマークと、を有しており、上記蛍光体層は、上記発光素子の表面に配置される第一の蛍光体層と、その第一の蛍光体層から間隔を空けて配置され、上記第一のマークとは別に認識される第二のマークとされる第二の蛍光体層とから構成されている。   In order to achieve the above object, a light-emitting device according to the present invention includes a light-emitting element, a substrate having a mounting portion on which the light-emitting element is disposed, and a phosphor that emits fluorescence by absorbing light from the light-emitting element. A light emitting device comprising: a body layer; and a first mark provided on the upper surface on which the light emitting element is disposed, the conductive wiring connected to the electrode of the light emitting element, and a conductive material. The phosphor layer is disposed on the surface of the light emitting element, and is spaced from the first phosphor layer, and the first phosphor layer A second phosphor layer that is a second mark that is recognized separately from the mark.

本発明に係る発光装置は、発光素子と、その発光素子を配置する搭載部を有する基板と、上記発光素子の光を吸収して蛍光を発する蛍光体と、を備えた発光装置であって、上記基板は、上記発光素子が配置された上面に、上記発光素子の電極に接続する導電配線と、第一のマークと、を有しており、上記導電配線の一部は、上記発光素子の搭載部から上記基板の外周の方向に延長されており、その導電配線に蛍光体が堆積され、その蛍光体の堆積層の表面の一部が上記第一のマークとは別に認識される第二のマークとされていることを特徴とする。   A light-emitting device according to the present invention is a light-emitting device including a light-emitting element, a substrate having a mounting portion on which the light-emitting element is disposed, and a phosphor that absorbs light of the light-emitting element and emits fluorescence. The substrate includes a conductive wiring connected to an electrode of the light emitting element and a first mark on an upper surface on which the light emitting element is disposed, and a part of the conductive wiring is formed on the light emitting element. A second portion is extended from the mounting portion toward the outer periphery of the substrate, the phosphor is deposited on the conductive wiring, and a part of the surface of the phosphor deposition layer is recognized separately from the first mark. It is characterized by the mark.

上記基板は、封止部材を備えており、その封止部材は、上記発光素子を被覆するレンズ部と、そのレンズ部の周縁に設けられた鍔部とを有しており、上記第二のマークは、上記鍔部により被覆されていることが好ましい。   The substrate includes a sealing member, and the sealing member includes a lens portion that covers the light-emitting element, and a flange portion provided on a periphery of the lens portion, and the second portion The mark is preferably covered with the collar portion.

上記導電配線は、上記発光素子の搭載部から上記基板の外周の方向に延長された延長部と、その延長部よりも幅が大きい端部を有し、その端部が上記第二のマークとされていることが好ましい。   The conductive wiring has an extension portion extending from the light emitting element mounting portion toward the outer periphery of the substrate, and an end portion having a width larger than the extension portion, and the end portion is connected to the second mark. It is preferable that

上記延長部は、上記封止部材のレンズ部により被覆され、上記端部は、上記封止部材の鍔部により被覆されていることが好ましい。   It is preferable that the extension portion is covered with a lens portion of the sealing member, and the end portion is covered with a flange portion of the sealing member.

上記第二のマークの形状は、L字型またはT字型であることが好ましい。   The shape of the second mark is preferably L-shaped or T-shaped.

上記蛍光体は、YAG系蛍光体を含むことが好ましい。上記蛍光体は、窒化物系蛍光体を含むことが好ましい。   The phosphor preferably includes a YAG phosphor. The phosphor preferably includes a nitride-based phosphor.

上記第一のマークは、上記第二のマークの端部と、略同一形状であり、上記第一のマークと、上記第二のマークとで観察色が異なるものとされていることが好ましい。   It is preferable that the first mark has substantially the same shape as the end of the second mark, and the first mark and the second mark have different observation colors.

本発明にかかる発光装置の製造方法は、発光素子と、その発光素子を配置する基板と、上記発光素子の光を吸収して蛍光を発する蛍光体と、を備えた発光装置の製造方法であって、正負一対の導電配線と、導電性材料により設けられた複数のマークと、を有し、上記マークのうちいずれか一つが上記導電配線に接続された基板に、発光素子を配置する第一の工程と、上記正負一対の導電配線に上記発光素子の正負一対の電極を接続させる第二の工程と、上記導電配線に電圧を印加して、帯電された蛍光体を上記導電配線の表面に堆積させる第三の工程と、を有することを特徴とする。   A method of manufacturing a light emitting device according to the present invention is a method of manufacturing a light emitting device including a light emitting element, a substrate on which the light emitting element is arranged, and a phosphor that absorbs light of the light emitting element and emits fluorescence. A first light-emitting element disposed on a substrate having a pair of positive and negative conductive wirings and a plurality of marks made of a conductive material, and any one of the marks is connected to the conductive wiring. A second step of connecting the pair of positive and negative electrodes of the light emitting element to the pair of positive and negative conductive wirings, and applying a voltage to the conductive wiring to place the charged phosphor on the surface of the conductive wiring. And a third step of depositing.

本発明にかかる発光装置の製造方法は、集合基板に複数の発光素子を配置する工程を有し、上記マークを目印として上記集合基板を分割することにより、上記発光装置として個片化する工程を有することが好ましい。   The method for manufacturing a light emitting device according to the present invention includes a step of arranging a plurality of light emitting elements on a collective substrate, and a step of dividing the collective substrate into pieces as the mark by using the mark as a mark. It is preferable to have.

上記複数のマークにより包囲された内側に、上記発光素子を被覆する封止部材を成型する工程と、成型された封止部材と上記マークの位置を比較することにより、上記封止部材の成型予定位置からのズレを判定する工程と、を有することが好ましい。   The step of molding the sealing member that covers the light emitting element inside the plurality of marks is compared with the molding schedule of the sealing member by comparing the positions of the molded sealing member and the mark. And determining the deviation from the position.

上記発光素子は、同一面側に正負一対の電極を有し、それらの電極を上記導電配線に導電性材料により接合することより、上記第一の工程および上記第二の工程が同時になされることが好ましい。   The light emitting element has a pair of positive and negative electrodes on the same surface side, and the first step and the second step are simultaneously performed by joining the electrodes to the conductive wiring with a conductive material. Is preferred.

本発明は、導電性材料によるマークの他に、蛍光体を材料としたマークを基板に設けることにより、マークの認識性を高め、さらに種々の目的とするマークとして利用することができる。   In the present invention, in addition to a mark made of a conductive material, a mark made of a fluorescent material is provided on a substrate, so that the mark recognizability can be improved and further used as a mark for various purposes.

図1は、本発明の一実施例にかかる発光装置の模式的な斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention. 図2は、本発明の一実施例にかかる発光装置の模式的な上面図である。FIG. 2 is a schematic top view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention. 図3は、図2のIII−III方向における断面図である。3 is a cross-sectional view in the III-III direction of FIG. 図4は、図2のIV−IV方向における断面図である。4 is a cross-sectional view in the IV-IV direction of FIG. 図5は、本発明の一実施例にかかる発光装置の一部を拡大して示す部分的な上面図である。FIG. 5 is an enlarged partial top view showing a part of the light emitting device according to the embodiment of the present invention. 図6は、本発明の別の実施例にかかる発光装置の模式的な上面図である。FIG. 6 is a schematic top view of a light emitting device according to another embodiment of the present invention. 図7は、本発明の別の実施例にかかる発光装置の模式的な上面図である。FIG. 7 is a schematic top view of a light emitting device according to another embodiment of the present invention. 図8は、本発明の先行技術として示す発光装置の模式的な斜視図である。FIG. 8 is a schematic perspective view of a light emitting device shown as the prior art of the present invention.

本発明を実施するための最良の形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置を例示するものであって、本発明は発光装置を以下に限定するものではない。   The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings. However, the form shown below illustrates the light emitting device for embodying the technical idea of the present invention, and the present invention does not limit the light emitting device to the following.

また、本明細書は特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態の部材に特定するものでは決してない。実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略する。さらに、本発明を構成する各要素は、複数の要素を同一の部材で構成して一の部材で複数の要素を兼用する態様としてもよいし、逆に一の部材の機能を複数の部材で分担して実現することもできる。   Further, the present specification by no means specifies the members shown in the claims to the members of the embodiments. The dimensions, materials, shapes, relative arrangements, and the like of the components described in the embodiments are not intended to limit the scope of the present invention only to the description unless otherwise specified. It is just an example. Note that the size, positional relationship, and the like of the members shown in each drawing may be exaggerated for clarity of explanation. Further, in the following description, the same name and reference sign indicate the same or the same members, and detailed description will be omitted as appropriate. Furthermore, each element constituting the present invention may be configured such that a plurality of elements are constituted by the same member and the plurality of elements are shared by one member, and conversely, the function of one member is constituted by a plurality of members. It can also be realized by sharing.

[発光装置]
本発明は、図1に示されるように、発光素子11と、その発光素子11を配置する搭載部を有する基板12と、発光素子11の光を吸収して蛍光を発する蛍光体を含む蛍光体層と、を備えた発光装置に関するものである。このような発光装置について、マークの形状、数や位置を異ならせて種々の目的のマークとする他に、マークとして利用できるものを提案し、さらに目的とするマークの認識性を高めた発光装置を提供するため、本発明者は、種々の検討を行った。
[Light emitting device]
As shown in FIG. 1, the present invention is a phosphor including a light emitting element 11, a substrate 12 having a mounting portion on which the light emitting element 11 is disposed, and a phosphor that absorbs light from the light emitting element 11 and emits fluorescence. And a light emitting device including the layer. Regarding such a light-emitting device, in addition to making the mark different in shape, number, and position to make a mark of various purposes, a light-emitting device proposed as a mark that can be used as a mark and further improving the recognition of the target mark is proposed. In order to provide the above, the present inventor conducted various studies.

その結果、図7に示されるように、発光素子11が配置された基板12の上面に、発光素子11の電極に接続する正負一対の導電配線13a、13bと、導電性材料により設けられた第一のマーク15aと、を設け、さらに蛍光体層は、発光素子11の表面に配置される第一の蛍光体層と、その第一の蛍光体層から間隔を空けて配置され、第一のマーク15aとは別に認識される第二のマーク35bとされる第二の蛍光体層とから構成することにより課題を解決するに至った。   As a result, as shown in FIG. 7, a pair of positive and negative conductive wirings 13a and 13b connected to the electrodes of the light emitting element 11 and a conductive material are provided on the upper surface of the substrate 12 on which the light emitting element 11 is disposed. The first phosphor layer is disposed on the surface of the light emitting element 11, and the first phosphor layer is spaced from the first phosphor layer. The problem has been solved by forming the second phosphor layer which is the second mark 35b recognized separately from the mark 15a.

本発明は、発光素子に設けられた蛍光体層とは別に、蛍光体層により形成されたマークと、導電性材料により形成されたマークとを設けることにより、蛍光体の有無の違いにより認識性を持たせ、カソードマークや、封止部材や発光素子の配置の位置ズレ判定マークなど、種々の目的のマークとして利用することができる。例えば、第二のマークを形成する蛍光体の観察色が第一のマークの観察色と同じ場合には、発光装置の外から蛍光体に励起光を照射することにより第二のマークの蛍光体を発光させ、第一のマークとの蛍光体の有無の違いにより種々の目的のマークとして利用することもできる。   According to the present invention, in addition to the phosphor layer provided in the light-emitting element, a mark formed by the phosphor layer and a mark formed by a conductive material are provided, so that the recognizability depends on the presence or absence of the phosphor. And can be used as a mark for various purposes such as a cathode mark, a positional deviation determination mark for the arrangement of a sealing member and a light emitting element. For example, when the observation color of the phosphor forming the second mark is the same as the observation color of the first mark, the phosphor of the second mark is irradiated by irradiating the phosphor with excitation light from outside the light emitting device. Can be used as a mark for various purposes depending on the difference in the presence or absence of a phosphor from the first mark.

また、本発明は、図2に示されるように、発光素子11と、その発光素子11を配置する搭載部を有する基板12と、発光素子11の光を吸収して蛍光を発する蛍光体と、を備えた発光装置100であって、基板12は、発光素子11が配置された上面に、発光素子11の電極に接続する正負一対の導電配線13a、13bと、第一のマーク15aと、を有しており、導電配線13bの一部は、発光素子11の搭載部から基板12の外周の方向に延長されており、その導電配線13bに蛍光体が堆積され、その蛍光体の堆積層が第一のマーク15aとは別に認識される第二のマーク15bとされていることを特徴とする。   In addition, as shown in FIG. 2, the present invention includes a light emitting element 11, a substrate 12 having a mounting portion on which the light emitting element 11 is disposed, a phosphor that absorbs light from the light emitting element 11 and emits fluorescence, The substrate 12 includes a pair of positive and negative conductive wirings 13a and 13b connected to an electrode of the light emitting element 11 and a first mark 15a on an upper surface on which the light emitting element 11 is disposed. A part of the conductive wiring 13b is extended from the mounting portion of the light emitting element 11 toward the outer periphery of the substrate 12, and the phosphor is deposited on the conductive wiring 13b. The second mark 15b is recognized separately from the first mark 15a.

本発明は、蛍光体が堆積されて形成されたマークと、蛍光体が堆積されていないマークとを設けている。これにより、蛍光体の有無の違いによりマークとしての認識性を持たせて、形状や数の違いによって区別するマークに加えて、さらに種々の目的のマークとして利用することができる。導電配線の表面への蛍光体の電気泳動沈着により、所望の形状の導電配線のパターンの上に蛍光体を堆積させ、所望の形状の第二のマークを設けることができる。   The present invention provides a mark formed by depositing a phosphor and a mark not deposited by a phosphor. Thereby, it can be used as a mark for various purposes in addition to a mark that is recognized by a difference in shape and number by giving a recognition property as a mark depending on the presence or absence of a phosphor. By electrophoretic deposition of the phosphor on the surface of the conductive wiring, the phosphor can be deposited on the pattern of the conductive wiring having a desired shape, and the second mark having the desired shape can be provided.

本発明の発光装置は、図1、図3および図4に示されるように、基板12に封止部材14を配置することができ、その封止部材14が、発光素子11を被覆する凸レンズ形状のレンズ部14aと、そのレンズ部14aの周縁に接続されて設けられた鍔部14bとを有している。さらに、第二のマーク15bは、封止部材14の鍔部14bにより被覆されていることが好ましい。これにより、蛍光体の堆積層から構成された第二のマーク15bを外部環境から保護することができる。   As shown in FIGS. 1, 3, and 4, the light emitting device of the present invention can arrange a sealing member 14 on a substrate 12, and the sealing member 14 has a convex lens shape that covers the light emitting element 11. Lens portion 14a, and a collar portion 14b connected to the periphery of the lens portion 14a. Furthermore, it is preferable that the second mark 15 b is covered with the flange portion 14 b of the sealing member 14. Thereby, the 2nd mark 15b comprised from the deposition layer of fluorescent substance can be protected from an external environment.

図5は、図2に示された第二のマーク15b付近を拡大して示す部分的な上面図である。図5に示されるように、基板12の上面に配置された導電配線13bは、発光素子11の搭載部から基板12の外周の方向に延長された延長部B、Cと、その延長部B、Cよりも幅が大きい端部Aを有し、その端部Aが第二のマーク15bとされていることが好ましい。このような形状により、さらに第二のマーク15bの認識性が高まる。   FIG. 5 is an enlarged partial top view showing the vicinity of the second mark 15b shown in FIG. As shown in FIG. 5, the conductive wiring 13b disposed on the upper surface of the substrate 12 includes extension portions B and C extending from the mounting portion of the light emitting element 11 toward the outer periphery of the substrate 12, and the extension portions B, It is preferable to have an end A that is wider than C, and that end A is the second mark 15b. Such a shape further increases the recognizability of the second mark 15b.

さらに、図2および図5に示されるように、導電配線13bの延長部B、Cの少なくとも一部は、封止部材14のレンズ部14aにより被覆され、導電配線13bの端部Aは、封止部材14の鍔部15bにより被覆されていることが好ましい。   Further, as shown in FIGS. 2 and 5, at least a part of the extended portions B and C of the conductive wiring 13b is covered with the lens portion 14a of the sealing member 14, and the end A of the conductive wiring 13b is sealed. It is preferable that the stopper member 14 is covered with the flange portion 15b.

発光素子の表面とは別に、導電配線に堆積した蛍光体によって、余分に波長変換がなされることにより、発光装置の観測方位により色度が異なるなど、発光装置の光学特性が劣化することがある。そこで、蛍光体が電気泳動沈着される導電配線の幅を、レンズ部の内部は、狭く、レンズ部の外部で広くすることにより、発光素子の表面に配置された蛍光体層とは別に波長変換がなされる蛍光体層の存在を極力抑え、光学特性の劣化を抑制することができる。   Apart from the surface of the light emitting element, extra wavelength conversion is performed by the phosphor deposited on the conductive wiring, so that the optical characteristics of the light emitting device may deteriorate, such as chromaticity varies depending on the observation direction of the light emitting device. . Therefore, the width of the conductive wiring on which the phosphor is electrophoretically deposited is narrow inside the lens part and wide outside the lens part, thereby converting the wavelength separately from the phosphor layer arranged on the surface of the light emitting element. It is possible to suppress the presence of the phosphor layer that is subjected to as much as possible, and to suppress deterioration of optical characteristics.

第一、第二のマークの形状は、特に限定されるものではないが、第二のマークは、基板に施された導電配線におけるL字型またはT字型の形状の一部であることが好ましい。例えば、図2および図5に示されるように、導電配線13bの端部Aと導電配線13bの延長部Bとにより、T字型の第二のマーク25bとすることができるし、図6に示されるように、L字型の第二のマーク35bとすることもできる。   The shape of the first and second marks is not particularly limited, but the second mark may be a part of the L-shaped or T-shaped shape in the conductive wiring applied to the substrate. preferable. For example, as shown in FIGS. 2 and 5, the end A of the conductive wiring 13b and the extension B of the conductive wiring 13b can be used to form a T-shaped second mark 25b. As shown, it may be an L-shaped second mark 35b.

マークの形状を複雑にするほど認識性が高まるが、マークの形成が容易でなくなる。本形態のように、マークの形状のパターン認識に必要最小限の形状をマークとして採用することにより、容易に認識性を高めることができる。また、レンズ機能を実質的に有さない鍔部(たとえば、図3および図4に示されるように、表面が平坦な透光性の薄膜)の下にL字またはT字の第二のマークを配置して被覆することにより、レンズ作用を介することなく、基板12上のL字またはT字そのものの平面視した形状として視認することができるので、マークとしての認識性を高めることができる。   The more complicated the shape of the mark, the higher the recognizability, but the easier it is to form the mark. The recognizability can be easily improved by adopting the minimum shape necessary for pattern recognition of the mark shape as the mark as in this embodiment. Also, an L-shaped or T-shaped second mark under a collar portion having substantially no lens function (for example, a light-transmitting thin film with a flat surface as shown in FIGS. 3 and 4). By arranging and covering, it is possible to visually recognize the L-shape or T-shape itself on the substrate 12 as a plan view without intervening the lens action, so that the recognition as a mark can be enhanced.

蛍光体は、YAG系蛍光体を含むことが好ましい。第二のマークをYAG系蛍光体の観察色である黄色として認識することができる。   The phosphor preferably includes a YAG phosphor. The second mark can be recognized as yellow, which is the observation color of the YAG phosphor.

蛍光体は、窒化物系蛍光体を含むことが好ましい。第二のマークを窒化物系蛍光体の観察色である赤色として認識することができる。また、YAG系蛍光体と窒化物系蛍光体とを混合して蛍光体層を形成することにより、マークの観察色を、これらの蛍光体の混合色とすることができる。   The phosphor preferably includes a nitride-based phosphor. The second mark can be recognized as red, which is the observation color of the nitride phosphor. Further, by mixing the YAG phosphor and the nitride phosphor to form the phosphor layer, the observation color of the mark can be the mixed color of these phosphors.

第一のマークは、第二のマークの端部と、略同一形状であり、第一のマークと、第二のマークとで観察色が異なることが好ましい。これにより、第一のマークと第二のマークが同一形状の場合に、観察色の違いにより容易に識別することができる。   The first mark has substantially the same shape as the end of the second mark, and it is preferable that the observation color is different between the first mark and the second mark. Thereby, when the first mark and the second mark have the same shape, they can be easily identified by the difference in the observation color.

[発光装置の製造方法]
また、本発明は、発光素子と、その発光素子を配置する基板と、発光素子の光を吸収して蛍光を発する蛍光体と、を備えた発光装置の製造方法に関するものである。このような発光装置の製造方法において、マークの形状、数や位置を異ならせる他に、種々の目的のマークとして利用できる認識性の高いものを効率よく形成させるため、本発明者は、種々の検討を行った。
[Method for Manufacturing Light Emitting Device]
The present invention also relates to a method for manufacturing a light emitting device including a light emitting element, a substrate on which the light emitting element is disposed, and a phosphor that absorbs light of the light emitting element and emits fluorescence. In such a method of manufacturing a light-emitting device, in addition to making the shape, number, and position of marks different, in order to efficiently form a highly recognizable one that can be used as a mark for various purposes, Study was carried out.

その結果、本発明の製造方法は、少なくとも以下の工程(1)乃至(3)を有することにより課題を解決するに至った。(1)正負一対の導電配線と、導電性材料により設けられた複数のマークとを有し、それらのマークのうちいずれか一つが導電配線に接続された基板に、発光素子を配置する第一の工程、(2)正負一対の導電配線に発光素子の正負一対の電極を接続させる第二の工程、(3)導電配線に電圧を印加して、帯電された蛍光体を導電配線の表面に堆積させる第三の工程。   As a result, the production method of the present invention has solved the problem by having at least the following steps (1) to (3). (1) A first arrangement in which a light emitting element is disposed on a substrate having a pair of positive and negative conductive wirings and a plurality of marks provided by a conductive material, and any one of the marks is connected to the conductive wiring. (2) a second step of connecting a pair of positive and negative electrodes of a light emitting element to a pair of positive and negative conductive wirings, and (3) applying a voltage to the conductive wiring to place a charged phosphor on the surface of the conductive wiring. A third step of deposition.

これらの工程を有する製造方法とすることにより、本発明は、発光素子の表面や導電配線の表面への蛍光体の電気泳動沈着と併行して、所定の形状の配線パターンの上に蛍光体を堆積させて、その蛍光体の堆積層を第二のマークとすることができる。そのため、発光素子の表面への蛍光体層の形成とは別に第二のマークを形成する工程を要することなく、製造工程数を削減して、効率よく発光装置を形成することができる。また、電気泳動沈着により蛍光体層を形成すると、導電配線が形成された箇所だけに蛍光体が堆積される。そのため、基板の上面で、蛍光体が堆積されて形成された第二のマークと、基板表面の他の部分とを明瞭に区別することができるので、第二のマークの認識性を高めることができる。   By adopting a manufacturing method having these steps, the present invention enables the phosphor to be placed on the wiring pattern having a predetermined shape in parallel with the electrophoretic deposition of the phosphor on the surface of the light emitting element or the surface of the conductive wiring. By depositing, the phosphor deposition layer can be the second mark. Therefore, the number of manufacturing steps can be reduced and a light emitting device can be efficiently formed without requiring a step of forming the second mark separately from the formation of the phosphor layer on the surface of the light emitting element. In addition, when the phosphor layer is formed by electrophoretic deposition, the phosphor is deposited only at the location where the conductive wiring is formed. Therefore, since the second mark formed by depositing the phosphor on the upper surface of the substrate can be clearly distinguished from other portions of the substrate surface, the recognizability of the second mark can be improved. it can.

発光素子や導電配線の表面への蛍光体の電気泳動沈着は、おおよそ以下の工程により行うことができる。なお、電気泳動沈着についての詳細は、本件特許出願人が先に出願して公開された出願公開公報(例えば、特開2006−210491号公報、特開2007−134378号公報)を参照されたい。   Electrophoretic deposition of the phosphor on the surface of the light emitting element or the conductive wiring can be performed by the following steps. For details on the electrophoretic deposition, refer to application publications (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-210491 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-134378) previously filed by the applicant of the present patent application and published.

最初に、発光素子を基板に配置した後、発光素子と導電配線とを電気的に接続する。なお、発光素子の表面が絶縁性の半導体成長用基板(例えば、サファイア基板)の場合には、その表面をアルミニウムの金属薄膜やインジウムと錫の複合酸化物(ITO)膜にて予め被覆しておくことにより、蛍光体が堆積される発光素子の表面に導電性を持たせておくことが必要である。   First, after the light emitting element is arranged on the substrate, the light emitting element and the conductive wiring are electrically connected. When the surface of the light emitting element is an insulating semiconductor growth substrate (for example, a sapphire substrate), the surface is previously coated with an aluminum metal thin film or a composite oxide (ITO) film of indium and tin. Therefore, it is necessary to provide conductivity to the surface of the light emitting element on which the phosphor is deposited.

次に、帯電された蛍光体を含む電解液に、発光素子が配置された基板を浸漬させる。最後に、発光素子の表面および導電配線に、蛍光体の電荷と極性が異なる電圧を印加する。これにより、蛍光体が、電気的な力により発光素子の表面に引き寄せられて堆積する。   Next, the substrate on which the light emitting element is disposed is immersed in an electrolytic solution containing a charged phosphor. Finally, a voltage having a polarity different from the charge of the phosphor is applied to the surface of the light emitting element and the conductive wiring. Thereby, the phosphor is attracted and deposited on the surface of the light emitting element by an electric force.

また、本発明の発光装置の製造方法は、集合基板に複数の発光素子を配置する工程を有しており、マークを目印として集合基板を分割することにより、発光装置として個片化する工程を有することが好ましい。これにより、集合基板を分割するときの分割箇所の認識性を高めることができるので、正確な形状に個々の発光装置を分割することができる。集合基板を分割する方法として、例えば、ダイシングにより切断する方法やレーザを分割ラインに照射して切断する方法を利用することができる。なお、基板を分割し易くするため、分割ラインに沿って、予め溝を形成しておくことが好ましい。   Further, the method for manufacturing a light emitting device of the present invention includes a step of arranging a plurality of light emitting elements on the collective substrate, and dividing the collective substrate using the mark as a mark to separate the light emitting device into pieces. It is preferable to have. Thereby, since the recognition property of the division | segmentation location when dividing | segmenting an aggregate substrate can be improved, each light-emitting device can be divided | segmented into an exact shape. As a method of dividing the collective substrate, for example, a method of cutting by dicing or a method of cutting by irradiating a dividing line with a laser can be used. In order to make it easy to divide the substrate, it is preferable to form grooves in advance along the dividing lines.

また、発光装置の製造方法は、複数のマークにより包囲された内側に、発光素子を被覆する封止部材を成型する工程と、成型された封止部材とマークの位置を比較することにより、封止部材の成型予定位置からのズレを判定する工程と、を有することが好ましい。これにより、封止部材の位置ズレ判定の精度を高めることができる。   In addition, a method for manufacturing a light emitting device includes a step of molding a sealing member that covers a light emitting element on the inner side surrounded by a plurality of marks, and by comparing the positions of the molded sealing member and the mark. It is preferable to have a step of determining a deviation from a planned molding position of the stop member. Thereby, the precision of the positional deviation determination of a sealing member can be improved.

また、発光装置の製造方法は、発光素子は、同一面側に正負一対の電極を有し、それらの電極を導電配線に導電性材料により接合することより、第一の工程および第二の工程が同時になされることが好ましい。これにより、工程数が削減されるので、量産性よく発光装置を形成することができる。以下、本形態の発光装置およびその製造方法における各構成部材について詳述する。   Further, in the method of manufacturing the light emitting device, the light emitting element has a pair of positive and negative electrodes on the same surface side, and the electrodes are joined to the conductive wiring with a conductive material, whereby the first step and the second step Are preferably made simultaneously. Accordingly, the number of steps is reduced, so that a light-emitting device can be formed with high productivity. Hereinafter, each constituent member in the light emitting device of this embodiment and the manufacturing method thereof will be described in detail.

(発光素子)
本形態では、発光素子を基板に配置させた発光装置について説明するが、このような形態に限定されることなく、発光素子とともに、受光素子その他の半導体素子(例えば、発光素子を過電圧から保護するための、抵抗、トランジスタまたはコンデンサなど)、あるいはそれらを少なくとも二種以上組み合わせたものを搭載することができる。発光素子その他の半導体素子は、1つでもよいし、複数でもよい。
(Light emitting element)
In this embodiment mode, a light-emitting device in which a light-emitting element is arranged on a substrate will be described. However, the present invention is not limited to such a mode, and the light-receiving element and other semiconductor elements (for example, the light-emitting element is protected from overvoltage). For example, a resistor, a transistor or a capacitor), or a combination of at least two of them. There may be one or more light emitting elements and other semiconductor elements.

本形態における発光素子は、その表面に蛍光体を備えており、その蛍光体を励起可能な波長を発光できる活性層を有する。このような発光素子を構成する材料として、ZnSeやGaNなど種々の半導体を挙げることができるが、蛍光体を効率良く励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体(InAlGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)が好適に挙げられる。この半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。 The light-emitting element in this embodiment includes a phosphor on the surface, and has an active layer that can emit light having a wavelength capable of exciting the phosphor. As a material for forming such a light-emitting element, there may be mentioned various semiconductors such as ZnSe and GaN, short wavelength emission can nitride semiconductor capable of efficiently exciting the phosphor (In X Al Y Ga 1- X -YN , 0≤X , 0≤Y , X + Y≤1) are preferred. Various emission wavelengths can be selected depending on the material of the semiconductor layer and the degree of mixed crystal.

発光素子の材料として窒化物半導体を使用した場合、半導体成長用基板にはサファイア、スピネル、SiC、Si、ZnO、GaNなどの材料が好適に用いられる。結晶性の良い窒化物半導体を量産性よく形成させるためにはサファイア基板を用いることが好ましい。このサファイア基板の上にMOCVD法などを用いて窒化物半導体を形成させることができる。また、半導体成長用基板は、半導体層を積層した後、取り除くこともできる。さらに、半導体成長用基板が、例えば、サファイア基板のような絶縁性の半導体成長用基板の場合、その半導体成長用基板を取り除いた後、発光素子の最表面に露出された導電性の半導体層に電圧を印加することにより、上述したような電気泳動沈着により蛍光体層を発光素子の表面に形成することもできる。   When a nitride semiconductor is used as the material of the light emitting element, a material such as sapphire, spinel, SiC, Si, ZnO, or GaN is preferably used for the semiconductor growth substrate. In order to form a nitride semiconductor with good crystallinity with high productivity, it is preferable to use a sapphire substrate. A nitride semiconductor can be formed on the sapphire substrate using MOCVD or the like. Further, the semiconductor growth substrate can be removed after the semiconductor layers are stacked. Further, when the semiconductor growth substrate is, for example, an insulating semiconductor growth substrate such as a sapphire substrate, the semiconductor growth substrate is removed, and then the conductive semiconductor layer exposed on the outermost surface of the light emitting element is formed. By applying a voltage, the phosphor layer can also be formed on the surface of the light emitting element by electrophoretic deposition as described above.

白色系の混色光を発光させる発光装置において、発光素子の発光波長は、400nm以上530nm以下が好ましく、420nm以上490nm以下がより好ましい。発光素子と蛍光体との励起、発光効率をそれぞれより向上させるためには、450nm以上475nm以下がさらに好ましい。   In the light-emitting device that emits white mixed-color light, the emission wavelength of the light-emitting element is preferably 400 nm to 530 nm, and more preferably 420 nm to 490 nm. In order to further improve the excitation and emission efficiency of the light emitting element and the phosphor, 450 nm or more and 475 nm or less are more preferable.

発光素子の電極と、基板の正負一対の導電配線との接続は、導電性ワイアにて行うこともできるし、発光素子の電極が導電配線と向かい合うように発光素子を配置させて、金や半田などの導電性材料により両者を電気的おいよび機械的に接合することもできる。   The connection between the electrode of the light emitting element and the pair of positive and negative conductive wirings of the substrate can be made by a conductive wire, or the light emitting element is arranged so that the electrode of the light emitting element faces the conductive wiring, and gold or solder Both can be electrically and mechanically joined by a conductive material.

導電性ワイアは、発光素子の電極とのオーミック性、機械的接続性、電気伝導性及び熱伝導性がよいものが求められる。熱伝導度としては0.01cal/(s)(cm)(℃/cm)以上が好ましく、より好ましくは0.5cal/(s)(cm)(℃/cm)以上である。また、作業性などを考慮して導電性ワイアの直径は、好ましくは、Φ10μm以上、Φ45μm以下である。このような導電性ワイアとして具体的には、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及びそれらの合金を用いた導電性ワイアが挙げられる。 The conductive wire is required to have good ohmic properties, mechanical connectivity, electrical conductivity, and thermal conductivity with the electrode of the light emitting element. Preferably 0.01cal / (s) (cm 2 ) (℃ / cm) or higher as heat conductivity, and more preferably 0.5cal / (s) (cm 2 ) (℃ / cm) or more. In consideration of workability and the like, the diameter of the conductive wire is preferably Φ10 μm or more and Φ45 μm or less. Specific examples of such conductive wires include conductive wires using metals such as gold, copper, platinum, and aluminum, and alloys thereof.

発光素子を基板に固定した後、発光素子の各電極と基板の導電配線とをそれぞれ導電性ワイアにて接続する。ここで、発光素子を固定するための接合材は、特に限定されず、エポキシ樹脂などの絶縁性接着剤や、AuとSnとを含有する共晶材、導電性材料が含有された樹脂からなる導電性ペーストやガラスなどとすることができる。ここで、導電性ペーストに含有される導電性材料は、Agが好ましく、Agの含有量が80%〜90%であるAgペーストを用いると放熱性にも優れた発光装置が得られる。   After the light emitting element is fixed to the substrate, each electrode of the light emitting element and the conductive wiring of the substrate are connected by a conductive wire. Here, the bonding material for fixing the light emitting element is not particularly limited, and includes an insulating adhesive such as an epoxy resin, a eutectic material containing Au and Sn, and a resin containing a conductive material. A conductive paste or glass can be used. Here, Ag is preferable as the conductive material contained in the conductive paste, and when an Ag paste having an Ag content of 80% to 90% is used, a light emitting device having excellent heat dissipation can be obtained.

(基板)
本形態の基板は、発光素子に電気的に接続する導電配線や外部の電極に接続するための電極端子が配置され、発光素子を配置する搭載部を有する部材である。特に、本形態の基板の上面には、上述したように、発光素子を配置する位置を正確に認識するためのマークや、発光装置の電極端子の極性を示すカソードマークや、封止部材の成型位置ズレを判定するマークなど、種々の目的のマークが設けられる。
(substrate)
The substrate of this embodiment is a member having a mounting portion on which a conductive wiring electrically connected to the light emitting element and an electrode terminal for connecting to an external electrode are arranged, and the light emitting element is arranged. In particular, on the upper surface of the substrate of this embodiment, as described above, a mark for accurately recognizing the position where the light emitting element is arranged, a cathode mark indicating the polarity of the electrode terminal of the light emitting device, and a molding of a sealing member Marks for various purposes, such as marks for determining positional deviation, are provided.

本形態の基板として、板状の絶縁性部材に導電配線が施された基板を好適に利用することができる。発光素子は、基板の表面に設けられた搭載部に配置される。この搭載部は、発光素子の外形に略同じ外形を有する領域であり、基板を構成する絶縁性部材の表面に設けられたり、基板の表面に露出した導電配線に設けられたりすることができる。さらに、基板の上には少なくとも発光素子を被覆する封止部材を配置することができる。   As the substrate of this embodiment, a substrate in which conductive wiring is applied to a plate-like insulating member can be preferably used. The light emitting element is disposed on a mounting portion provided on the surface of the substrate. The mounting portion is a region having substantially the same outer shape as that of the light emitting element, and can be provided on the surface of the insulating member constituting the substrate or can be provided on the conductive wiring exposed on the surface of the substrate. Furthermore, a sealing member that covers at least the light-emitting element can be disposed on the substrate.

なお、基板に設けられた導電配線および電極端子の形状および位置は、基板に配置される発光素子の大きさ、形状および導電性ワイアの張りやすさ等を考慮して適宜調整される。   Note that the shapes and positions of the conductive wirings and electrode terminals provided on the substrate are appropriately adjusted in consideration of the size and shape of the light-emitting elements arranged on the substrate, the ease of tension of the conductive wires, and the like.

基板を構成する絶縁性部材の材料として、例えば、エポキシ樹脂にガラス成分が含有されてなるガラスエポキシ樹脂や、セラミックスを挙げることができる。   Examples of the material for the insulating member constituting the substrate include glass epoxy resin in which a glass component is contained in an epoxy resin, and ceramics.

発光装置に高いコントラストが要求される場合、絶縁性部材にCr、MnO、Feなどの顔料を含有させることにより、基板を暗色系にすることが好ましい。あるいは、基板に高い光反射率を付与するためには、二酸化チタンなどの白色系の顔料を絶縁性部材に含有させることが好ましい。 When a high contrast is required for the light emitting device, it is preferable to make the substrate darker by adding a pigment such as Cr 2 O 3 , MnO 2 , Fe 2 O 3 to the insulating member. Alternatively, in order to give a high light reflectance to the substrate, it is preferable to include a white pigment such as titanium dioxide in the insulating member.

特に、発光装置の高耐熱性、高耐光性が望まれる場合、セラミックスを絶縁性部材の材料とすることが好ましい。セラミックスの主な材料は、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライトなどから選択することが好ましい。これらの主材料に焼結助剤などが加え、焼結することでセラミックスの基板が得られる。例えば、原料粉末の90〜96重量%がアルミナであり、焼結助剤として粘度、タルク、マグネシア、カルシア及びシリカ等が4〜10重量%添加され1500〜1700℃の温度範囲で焼結させたセラミックスや原料粉末の40〜60重量%がアルミナで焼結助剤として60〜40重量%の硼珪酸ガラス、コージュライト、フォルステライト、ムライトなどが添加され800〜1200℃の温度範囲で焼結させたセラミックス等が挙げられる。このようなセラミックス基板は、焼成前のグリーンシート段階で種々の形状をとることができる。また、焼成前のグリーンシートの段階で種々のパターン形状の導電配線(または、その下地層)を施すことができる。例えば、タングステンを含有するペースト状の材料をスクリーン印刷することにより、第二のマークを形成させるための導電配線の下地層や、その導電配線から絶縁された第一のマークを形成することができる。   In particular, when high heat resistance and high light resistance of the light emitting device are desired, it is preferable to use ceramics as a material for the insulating member. The main material of the ceramic is preferably selected from alumina, aluminum nitride, mullite and the like. A ceramic substrate is obtained by adding a sintering aid to these main materials and sintering. For example, 90 to 96% by weight of the raw material powder is alumina, and 4 to 10% by weight of viscosity, talc, magnesia, calcia, silica and the like are added as sintering aids and sintered in a temperature range of 1500 to 1700 ° C. 40-60% by weight of ceramics and raw material powder is alumina, and 60-40% by weight of borosilicate glass, cordierite, forsterite, mullite, etc. are added as sintering aids and sintered in the temperature range of 800-1200 ° C. And ceramics. Such a ceramic substrate can take various shapes at the green sheet stage before firing. In addition, conductive wiring (or an underlying layer thereof) having various pattern shapes can be applied at the stage of the green sheet before firing. For example, by performing screen printing of a paste-like material containing tungsten, the base layer of the conductive wiring for forming the second mark and the first mark insulated from the conductive wiring can be formed. .

セラミックスの材料を焼成した後、導電配線の下地層には、銀、金、あるいはアルミニウムを材料とする鍍金や、スパッタリングにより最表面の金属材料が配置される。なお、導電配線の最表面は、発光素子からの光に対して高い反射率を有する金属材料にて被覆されていることが好ましい。このような金属材料として、例えば、銀やアルミニウムを挙げることができる。   After the ceramic material is fired, a plating made of silver, gold, or aluminum or a metal material on the outermost surface is disposed on the underlying layer of the conductive wiring by sputtering. Note that the outermost surface of the conductive wiring is preferably covered with a metal material having a high reflectance with respect to light from the light-emitting element. Examples of such a metal material include silver and aluminum.

(封止部材)
封止部材は、少なくとも発光素子を被覆するように基板に設けられ、発光素子からの光を透過させることができる透光性の部材である。例えば、図1、図3および図4に示されるように、封止部材14は、発光素子11を被覆するように基板12に配置される凸レンズ形状のレンズ部14aと、そのレンズ部14aの周縁に接続して基板12の上に配置させる鍔部14bと、を有することができる。基板12への封止部材14の形成方法として、圧縮成型、射出成型またはトランスファーモールドなど種々の公知の成型技術を利用することができる。
(Sealing member)
The sealing member is a light-transmitting member that is provided on the substrate so as to cover at least the light-emitting element and can transmit light from the light-emitting element. For example, as shown in FIGS. 1, 3, and 4, the sealing member 14 includes a convex lens-shaped lens portion 14 a disposed on the substrate 12 so as to cover the light emitting element 11, and a peripheral edge of the lens portion 14 a. And a collar portion 14b that is disposed on the substrate 12 in a connected manner. As a method for forming the sealing member 14 on the substrate 12, various known molding techniques such as compression molding, injection molding, or transfer molding can be used.

封止部材の材料は、特に限定されず、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂、および、それらの樹脂が少なくとも一種以上含有されたハイブリッド樹脂等、耐候性に優れた透光性樹脂を用いることができる。また、封止部材の材料は、有機物に限られず、ガラス、シリカゲルなどの耐光性に優れた無機物を用いることもできる。また、本形態の封止部材は、粘度増量剤、光拡散剤、顔料、蛍光体など、用途に応じてあらゆる部材を添加することができる。例えば、発光装置の発光色に応じた着色剤を添加させることができる。また、光拡散剤として例えば、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、二酸化珪素、炭酸カルシウム、および、それらを少なくとも一種以上含む混合物などを挙げることができる。   The material of the sealing member is not particularly limited, and, for example, a silicone resin, an epoxy resin, a urea resin, a fluororesin, and a translucent material excellent in weather resistance such as a hybrid resin containing at least one of those resins. Resin can be used. The material of the sealing member is not limited to an organic material, and an inorganic material having excellent light resistance such as glass and silica gel can also be used. Moreover, the sealing member of this form can add all members, such as a viscosity extender, a light-diffusion agent, a pigment, and fluorescent substance, according to a use. For example, a colorant corresponding to the emission color of the light emitting device can be added. Examples of the light diffusing agent include barium titanate, titanium oxide, aluminum oxide, silicon dioxide, calcium carbonate, and a mixture containing at least one of them.

封止部材のレンズ部14aを所望の形状にすることによって種々のレンズ機能を持たせることができる。具体的には、凸レンズ形状、凹レンズ形状さらには、発光観測面から見て楕円形状やそれらを複数組み合わせた形状にすることができる。   Various lens functions can be given by making the lens part 14a of a sealing member into a desired shape. Specifically, a convex lens shape, a concave lens shape, an elliptical shape as viewed from the light emission observation surface, or a shape obtained by combining a plurality of them can be used.

(蛍光体)
本形態の発光装置は、発光素子の表面または導電配線の表面に蛍光体を配置させている。また、基板の表面に、導電性材料による第一のマークとは別に、さらに、発光素子の表面を覆う第一の蛍光体層とは別に、蛍光体を含む第二の蛍光体層による第二のマークを形成させる。これらのマークは、導電性材料や蛍光体を、樹脂のような他の材料に混合して基板の表面に印刷する方法の他、上述した電気泳動沈着により基板の導電配線の表面に形成させることができる。さらに、所定の形状のマスクを施した後、スパッタリングや蒸着により種々の形状のマークを形成させることができる。
(Phosphor)
In the light emitting device of this embodiment, a phosphor is disposed on the surface of the light emitting element or the surface of the conductive wiring. Further, on the surface of the substrate, separately from the first mark made of the conductive material, and separately from the first phosphor layer covering the surface of the light emitting element, the second phosphor layer containing the second phosphor layer containing the phosphor. The mark is formed. These marks are formed on the surface of the conductive wiring of the substrate by electrophoretic deposition as described above, in addition to a method in which a conductive material or phosphor is mixed with another material such as a resin and printed on the surface of the substrate. Can do. Furthermore, after applying a mask having a predetermined shape, marks of various shapes can be formed by sputtering or vapor deposition.

蛍光体の一例として、以下に述べる希土類元素を含有する蛍光体を挙げることができる。具体的には、Y、Lu,Sc、La,Gd、TbおよびSmの群から選択される少なくとも1つの元素と、Al、Ga、およびInの群から選択される少なくとも1つの元素とを有するガーネット(石榴石)型蛍光体が挙げられる。特に、アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、AlとY、Lu、Sc、La、Gd、Tb、Eu、Ga、In及びSmから選択された少なくとも一つの元素を含み、かつ希土類元素から選択された少なくとも一つの元素で付活された蛍光体であり、発光素子から出射された可視光や紫外線で励起されて発光する蛍光体である。例えば、イットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光体(YAG系蛍光体)の他、Tb2.95Ce0.05Al12、Y2.90Ce0.05Tb0.05Al12、Y2.94Ce0.05Pr0.01Al12、Y2.90Ce0.05Pr0.05Al12等が挙げられる。これらのうち、特に本実施の形態において、Yを含み、かつCeあるいはPrで付活され組成の異なる2種類以上のイットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光体が利用される。 As an example of the phosphor, the following phosphor containing a rare earth element can be given. Specifically, a garnet having at least one element selected from the group of Y, Lu, Sc, La, Gd, Tb, and Sm, and at least one element selected from the group of Al, Ga, and In (Steorite) type phosphor. In particular, the aluminum garnet phosphor includes Al and at least one element selected from Y, Lu, Sc, La, Gd, Tb, Eu, Ga, In, and Sm, and at least selected from rare earth elements. It is a phosphor activated by one element, and is a phosphor that emits light when excited by visible light or ultraviolet light emitted from a light emitting element. For example, in addition to yttrium aluminum oxide phosphor (YAG phosphor), Tb 2.95 Ce 0.05 Al 5 O 12 , Y 2.90 Ce 0.05 Tb 0.05 Al 5 O 12 , Y 2.94 Ce 0.05 Pr 0.01 Al 5 O 12 , Y 2.90 Ce 0.05 Pr 0.05 Al 5 O 12 and the like. Among these, particularly in the present embodiment, two or more kinds of yttrium / aluminum oxide phosphors containing Y and activated by Ce or Pr and having different compositions are used.

また、窒化物系蛍光体は、Nを含み、かつBe、Mg、Ca、Sr、Ba、及びZnから選択された少なくとも一つの元素と、C、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、及びHfから選択された少なくとも一つの元素とを含み、希土類元素から選択された少なくとも一つの元素で付活された蛍光体である。窒化物系蛍光体として、例えば、(Sr0.97Eu0.03Si、(Ca0.985Eu0.015Si、(Sr0.679Ca0.291Eu0.03Si、等が挙げられる。 In addition, the nitride-based phosphor contains N and at least one element selected from Be, Mg, Ca, Sr, Ba, and Zn, and C, Si, Ge, Sn, Ti, Zr, and Hf And a phosphor activated by at least one element selected from rare earth elements. As the nitride-based phosphor, for example, (Sr 0.97 Eu 0.03) 2 Si 5 N 8, (Ca 0.985 Eu 0.015) 2 Si 5 N 8, (Sr 0.679 Ca 0.291 Eu 0.03 ) 2 Si 5 N 8 , and the like.

以下、本発明に係る実施例について詳述する。なお、本発明は以下に示す実施例のみに限定されないことは言うまでもない。   Examples according to the present invention will be described in detail below. Needless to say, the present invention is not limited to the following examples.

図1は、本実施例の発光装置100の模式的な斜視図を示す。図2は、本実施例の発光装置100の模式的な上面図を示す。また、図3は、図2のIII−III方向における断面図である。図4は、図2のIV−IV方向における断面図である。図5は、図2に示された本実施例の発光装置100の一部を拡大して示す上面図である。   FIG. 1 is a schematic perspective view of a light emitting device 100 according to the present embodiment. FIG. 2 is a schematic top view of the light emitting device 100 of this example. 3 is a cross-sectional view in the III-III direction of FIG. 4 is a cross-sectional view in the IV-IV direction of FIG. FIG. 5 is an enlarged top view showing a part of the light emitting device 100 of the present embodiment shown in FIG.

本実施例の発光装置100は、図1に示されるように、正負一対の導電配線13a、13bが配置された基板12と、その基板12に配置された発光素子11と、導電配線13a、13bおよび発光素子11の表面に堆積された蛍光体層(図示せず。)と、それらを被覆する封止部材14と、を備えた発光装置である。   As shown in FIG. 1, the light emitting device 100 according to the present embodiment includes a substrate 12 on which a pair of positive and negative conductive wires 13a and 13b are arranged, a light emitting element 11 arranged on the substrate 12, and conductive wires 13a and 13b. And a phosphor layer (not shown) deposited on the surface of the light emitting element 11 and a sealing member 14 covering them.

図3および図4の断面図に示されるように、基板12は、導電配線と絶縁性部材とから構成されている。その絶縁性部材は、アルミナを主な材料としており、基板12の上面の正負一対の導電配線が形成された第1絶縁層12aと、その第1絶縁層12aの下の第2絶縁層12bと、その第2絶縁層12bの下の第3絶縁層12cと、その第3絶縁層12cの下の第4絶縁層12dと、が積層されて構成されている。なお、各絶縁層の間(断面図に太線で示す。)や、各絶縁層の厚み方向に内層配線が施されており、その内層配線により正負一対の導電配線13a、13bが、基板の裏面、すなわち第4絶縁層の裏面に配置された正負一対の電極端子に接続されている。本実施例の基板12は、外形が略直方体形状であり、上面を平面視した大きさ及び形状は、約3.5mm×約3.5mmの正方形である。   As shown in the sectional views of FIGS. 3 and 4, the substrate 12 is composed of conductive wiring and an insulating member. The insulating member is mainly made of alumina, and includes a first insulating layer 12a formed with a pair of positive and negative conductive wirings on the upper surface of the substrate 12, and a second insulating layer 12b below the first insulating layer 12a. The third insulating layer 12c under the second insulating layer 12b and the fourth insulating layer 12d under the third insulating layer 12c are stacked. Inner layer wiring is provided between the insulating layers (shown by a thick line in the cross-sectional view) or in the thickness direction of each insulating layer, and the pair of positive and negative conductive wirings 13a and 13b are connected to the back surface of the substrate by the inner layer wiring. That is, it is connected to a pair of positive and negative electrode terminals arranged on the back surface of the fourth insulating layer. The substrate 12 of this embodiment has a substantially rectangular parallelepiped shape, and is a square of about 3.5 mm × about 3.5 mm in size and shape when the upper surface is viewed in plan.

導電配線13a、13bの下地層および内層配線は、銅、モリブデン、タングステン粉末を混合した導電性ペーストを、基板を構成するセラミックスシート材料に印刷し、それと同時に焼成して形成したものである。   The base layer and the inner layer wiring of the conductive wirings 13a and 13b are formed by printing a conductive paste mixed with copper, molybdenum and tungsten powder on a ceramic sheet material constituting the substrate and simultaneously firing it.

また、本実施例の第一のマーク15aも、上記導電性ペーストを基板の上面を形成するセラミックスシート材料の表面に、図2に示されるような短冊状に形成させる。これらの第一のマーク15aは、導電配線13a、13bから絶縁されている。第一のマーク15aは、その長手方向が、基板12の上面の外形を形成する三辺に略平行となるように形成されている。さらに、導電配線13a、13bの下地層に、電解メッキが施され、導電配線13a、13bの最表面がAuとなるようにされている。   Further, the first mark 15a of the present embodiment is also formed in a strip shape as shown in FIG. 2 on the surface of the ceramic sheet material that forms the upper surface of the substrate. These first marks 15a are insulated from the conductive wirings 13a and 13b. The first mark 15 a is formed so that its longitudinal direction is substantially parallel to three sides forming the outer shape of the upper surface of the substrate 12. Furthermore, electrolytic plating is applied to the underlying layer of the conductive wirings 13a and 13b so that the outermost surfaces of the conductive wirings 13a and 13b are Au.

本実施例の発光素子11は、同一面側に正負一対の電極を有しており、それらの電極は、正負一対の導電配線13a、13bに向けて配置され、Auを材料とするバンプによって電気的および機械的に接合されている。   The light emitting element 11 of this embodiment has a pair of positive and negative electrodes on the same surface side, and these electrodes are arranged toward the pair of positive and negative conductive wirings 13a and 13b, and are electrically connected by bumps made of Au. Mechanically and mechanically joined.

図2、図3および図4に示されるように、正負一対の導電配線13a、13bの一部は、基板12を構成する第1絶縁層12aの上面において、発光素子11の直下の搭載部からレンズ部14aの外縁部まで延長されて形成されており、さらに該外縁部から基板を構成する各絶縁層の厚み方向に配置された内層配線に接続されている。   As shown in FIGS. 2, 3, and 4, a part of the pair of positive and negative conductive wirings 13 a and 13 b is formed on the upper surface of the first insulating layer 12 a constituting the substrate 12 from the mounting portion directly below the light emitting element 11. The lens portion 14a extends to the outer edge portion, and is further connected from the outer edge portion to an inner layer wiring arranged in the thickness direction of each insulating layer constituting the substrate.

図5に示されるように、導電配線13bは、発光素子11の搭載部から基板12の外周の方向に延長された延長部B、Cと、その延長部B、Cよりも幅が大きい端部Aを有し、その端部Aと延長部Bとにより第二のマーク15bが構成されている。すなわち、導電配線の延長部B、Cの幅は、導電配線の端部Aの幅よりも小さい。なお、導電配線の幅は、その導電配線の延長方向(図2および図5のIII−III方向)に垂直な方向(図2のIV−IV方向)に測った長さをいうものとする。   As shown in FIG. 5, the conductive wiring 13 b includes extension portions B and C that extend from the mounting portion of the light emitting element 11 toward the outer periphery of the substrate 12, and end portions that are wider than the extension portions B and C. The second mark 15b is configured by the end A and the extension B. That is, the width of the extended portions B and C of the conductive wiring is smaller than the width of the end portion A of the conductive wiring. Note that the width of the conductive wiring means a length measured in a direction (IV-IV direction in FIG. 2) perpendicular to the extending direction of the conductive wiring (III-III direction in FIGS. 2 and 5).

より詳細に説明すると、導電配線13bは、レンズ部14aの外縁部から更に基板12の外周方向に向かって延長しており、レンズ部14aの外縁部までの導電配線と接続して配置された導体配線は、その上に電気泳動沈着により蛍光体を堆積させた蛍光体層を形成させ、その蛍光体層を第二のマーク15bとするための導電配線とされる。この導体配線は、第一のマーク15aの形状と同じく基板の上面外形を形成する一辺に略平行な短冊状の「−」形状と、それに略垂直な短冊状の「|」形状とからなるT字型の形状を有する。   More specifically, the conductive wiring 13b extends further from the outer edge portion of the lens portion 14a toward the outer periphery of the substrate 12, and is a conductor arranged in connection with the conductive wiring to the outer edge portion of the lens portion 14a. The wiring is a conductive wiring for forming a phosphor layer on which a phosphor is deposited by electrophoretic deposition and using the phosphor layer as the second mark 15b. Similar to the shape of the first mark 15a, this conductor wiring has a strip-shaped "-" shape that is substantially parallel to one side forming the upper surface outline of the substrate and a strip-shaped "|" shape that is substantially perpendicular to the side. It has a letter shape.

本実施例の蛍光体層および第二のマーク15bは、基板12の導電配線13a、13bにYAG系蛍光体の帯電の極性と異なる極性の電圧を印加することにより、発光素子の表面および正負一対の導電配線13a、13bに蛍光体を堆積させたものである。なお、発光素子の表面には、予め導電性の薄膜を形成しておき、その薄膜を発光素子の電極およびバンプを介して、正負一対の導電配線13a、13bと電気的に接続させておく。これにより、正負一対の導電配線13a、13bに電圧を印加することで、電気泳動沈着により蛍光体を発光素子の表面に堆積させることができる。   The phosphor layer and the second mark 15b of the present embodiment are formed by applying a voltage having a polarity different from that of the YAG phosphor to the conductive wirings 13a and 13b of the substrate 12 so that the surface of the light emitting element and the positive and negative pairs The phosphor is deposited on the conductive wirings 13a and 13b. Note that a conductive thin film is formed on the surface of the light emitting element in advance, and the thin film is electrically connected to the pair of positive and negative conductive wirings 13a and 13b via the electrodes and bumps of the light emitting element. Thereby, the phosphor can be deposited on the surface of the light emitting element by electrophoretic deposition by applying a voltage to the pair of positive and negative conductive wirings 13a and 13b.

本実施例の封止部材14は、シリコーン樹脂を材料とする圧縮成型により形成されており、図1、図3および図4に示されるように、発光素子11を被覆する凸レンズ形状のレンズ部14aと、そのレンズ部14aの外縁部に接続して基板12の上面に形成された鍔部14bとから構成されている。図2に示されるように、レンズ部14aは、3つの第一のマーク15aおよび1つの第二のマーク15bにより四方から方位されている。鍔部14bの上面は、基板12の上面に平行な、ほぼ平坦な面であり、鍔部14bの大きさ(体積)は、レンズ部14a全体の大きさと比較して十分に小さい。例えば、本実施例のレンズ部14aは、半径が1.20〜1.50mm程度の略半球状の凸レンズであり、鍔部14bは、その厚さが50〜100μm程度の薄膜である。そのため、鍔部14bを伝播する光の量はごくわずかであり、鍔部14bのレンズ機能は無視できるほど小さい。   The sealing member 14 of the present embodiment is formed by compression molding using a silicone resin as a material, and as shown in FIGS. 1, 3, and 4, a convex lens-shaped lens portion 14 a that covers the light emitting element 11. And a flange portion 14b formed on the upper surface of the substrate 12 by connecting to the outer edge portion of the lens portion 14a. As shown in FIG. 2, the lens portion 14a is oriented from four directions by three first marks 15a and one second mark 15b. The upper surface of the flange portion 14b is a substantially flat surface parallel to the upper surface of the substrate 12, and the size (volume) of the flange portion 14b is sufficiently smaller than the overall size of the lens portion 14a. For example, the lens portion 14a of the present embodiment is a substantially hemispherical convex lens having a radius of about 1.20 to 1.50 mm, and the collar portion 14b is a thin film having a thickness of about 50 to 100 μm. Therefore, the amount of light propagating through the collar part 14b is very small, and the lens function of the collar part 14b is so small that it can be ignored.

図1に示されるように、基板12の上面には、レンズ部14aの外縁の外側に第一のマーク15aおよび第二のマーク15bが形成されており、これらのマークは、鍔部14bによって被覆されている。   As shown in FIG. 1, a first mark 15a and a second mark 15b are formed on the upper surface of the substrate 12 outside the outer edge of the lens portion 14a, and these marks are covered by the flange portion 14b. Has been.

これらのマークは、レンズ部14aの成型位置ズレを判定したり、発光装置100の製造工程において、集合基板から個片化する際に、封止部材の一部および基板をダイシングするときの分割ラインを示す目印としたりすることができる。また、第一のマーク15aは、黒色系の色に観察される一方、第二のマーク15bは、YAG蛍光体による黄色系の色に観察されるので、観察色の違いにより、第二のマーク15bをカソードマークとして利用することができる。   These marks are division lines when dicing the part of the sealing member and the substrate when determining the molding position deviation of the lens portion 14a or when separating from the collective substrate in the manufacturing process of the light emitting device 100. It can be used as a mark indicating. Further, the first mark 15a is observed in a black color, while the second mark 15b is observed in a yellow color by the YAG phosphor. 15b can be used as a cathode mark.

なお、本実施例の発光装置100の基板12には、図3および図4に示したように、CuWを材料とする熱伝導性部材16a、16bが、それぞれ第2絶縁層12b、第3絶縁層12cを厚み方向に貫通するように、発光素子11よりもやや大きい平面形状で配置されている。なお、熱伝導性部材16bの平面形状は、熱伝導性部材16aの平面形状よりも大きい。さらに、熱伝導性部材16aの上面および熱伝導性部材16bの裏面が、それぞれ第1絶縁層12aおよび第4絶縁層12dで被覆されている。ここで、第1絶縁層12aおよび第4絶縁層12dは、正負一対の導電配線や電極端子との絶縁性を図ることができ、なおかつ発光素子から基板の裏面への放熱性を損なわない程度の層厚で形成されている。   As shown in FIGS. 3 and 4, the heat conductive members 16 a and 16 b made of CuW are provided on the substrate 12 of the light emitting device 100 of the present embodiment, respectively, as the second insulating layer 12 b and the third insulating layer. It is arranged in a slightly larger planar shape than the light emitting element 11 so as to penetrate the layer 12c in the thickness direction. In addition, the planar shape of the heat conductive member 16b is larger than the planar shape of the heat conductive member 16a. Furthermore, the upper surface of the heat conductive member 16a and the back surface of the heat conductive member 16b are covered with a first insulating layer 12a and a fourth insulating layer 12d, respectively. Here, the first insulating layer 12a and the fourth insulating layer 12d can insulate the pair of positive and negative conductive wires and electrode terminals, and do not impair the heat dissipation from the light emitting element to the back surface of the substrate. It is formed with a layer thickness.

図6は、本実施例の発光装置200の上面図である。本実施例の発光装置200の第二のマーク25bを、蛍光体が堆積される導電配線13a、13bのL字型の端部として形成する他は、実施例1と同様に発光装置を形成する。本実施例の第一のマーク15aは、実施例1の第一のマーク15aと同様に、基板12の上面の外縁の三辺に略平行に沿うように形成された三つの短冊状のマークである。よって、第二のマーク25bは、他の三つの第一のマーク15aと形状が異なるので、形状の違いと、蛍光体の存在による違いとで、第二のマーク25bの認識性を高めることができる。   FIG. 6 is a top view of the light emitting device 200 of the present embodiment. The light emitting device is formed in the same manner as in Example 1 except that the second mark 25b of the light emitting device 200 of the present embodiment is formed as an L-shaped end portion of the conductive wirings 13a and 13b on which the phosphor is deposited. . The first mark 15a of the present embodiment is three strip-shaped marks formed so as to be substantially parallel to the three sides of the outer edge of the upper surface of the substrate 12, similarly to the first mark 15a of the first embodiment. is there. Therefore, since the second mark 25b has a different shape from the other three first marks 15a, the recognizability of the second mark 25b can be enhanced by the difference in shape and the difference due to the presence of the phosphor. it can.

図7は、本実施例の発光装置300の上面図である。本実施例における第二のマーク35bは、基板12に施された導電配線13a、13bから絶縁された箇所に、蛍光体を含む樹脂材料による印刷により形成されている。すなわち、基板12の導電配線13a、13bの上ではなく、基板12を構成する絶縁性部材の表面に蛍光体を含む樹脂材料が、第一のマーク15aの形状と同じ短冊状に印刷されている。第二のマーク35bを形成する蛍光体層は、発光素子11および導電配線13a、13bの表面に形成された蛍光体層とは間隔を空けて形成されている。   FIG. 7 is a top view of the light emitting device 300 of the present embodiment. The second mark 35b in the present embodiment is formed by printing with a resin material containing a phosphor at a location insulated from the conductive wirings 13a and 13b provided on the substrate 12. That is, the resin material containing the phosphor is printed on the surface of the insulating member constituting the substrate 12 in the same strip shape as the first mark 15a, not on the conductive wirings 13a and 13b of the substrate 12. . The phosphor layer forming the second mark 35b is formed with a space from the phosphor layer formed on the surface of the light emitting element 11 and the conductive wirings 13a and 13b.

その他は、実施例1と同様に発光装置を形成する。これにより、導電配線の最表面を形成する金属材料の観察色に関係なく、蛍光体そのものの観察色を認識することができるので、第二のマークの認識性を高めることができる。   Otherwise, the light emitting device is formed in the same manner as in Example 1. Thereby, since the observation color of the phosphor itself can be recognized regardless of the observation color of the metal material forming the outermost surface of the conductive wiring, the recognizability of the second mark can be improved.

本発明の半導体発光装置は、半導体発光素子を搭載する、種々の装置、具体的には、ファクシミリ、コピー機、ハンドスキャナ等における画像読取装置に利用される照明装置のみならず、懐中電灯、照明用光源、LEDディスプレイ、携帯電話機等のバックライト光源、信号機、照明式スイッチ、車載用ストップランプ、各種センサおよび各種インジケータ等の種々の照明装置に利用することができる半導体発光装置を製造する際に、より高精度に、簡便かつ容易に利用することができる。   The semiconductor light-emitting device of the present invention includes various devices equipped with semiconductor light-emitting elements, specifically lighting devices used for image reading devices in facsimiles, copiers, hand scanners, etc., as well as flashlights and lighting. When manufacturing semiconductor light emitting devices that can be used for various lighting devices such as light sources for light sources, LED light sources, backlight sources such as mobile phones, traffic lights, illumination switches, in-vehicle stop lamps, various sensors and various indicators It can be used easily and easily with higher accuracy.

100、200、300・・・発光装置
11・・・発光素子
12・・・基板
12a、12b、12c、12d・・・基板を構成する絶縁層
13a、13b・・・正負一対の導電配線
14・・・封止部材
14a・・・レンズ部
14b・・・鍔部
15a・・・第一のマーク
15b、25b、35b・・・第二のマーク
16a、16b・・・熱伝導性部材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100, 200, 300 ... Light-emitting device 11 ... Light-emitting element 12 ... Board | substrate 12a, 12b, 12c, 12d ... Insulating layer 13a, 13b which comprises a board | substrate ... ..Sealing member 14a ... Lens portion 14b ... Hedge portion 15a ... First mark 15b, 25b, 35b ... Second mark 16a, 16b ... Heat conductive member

Claims (13)

発光素子と、その発光素子を配置する搭載部を有する基板と、前記発光素子の光を吸収して蛍光を発する蛍光体を含む蛍光体層と、を備えた発光装置であって、
前記基板は、前記発光素子が配置された上面に、前記発光素子の電極に接続する導電配線と、導電性材料により設けられた第一のマークと、を有しており、
前記蛍光体層は、前記発光素子の表面に配置される第一の蛍光体層と、その第一の蛍光体層から間隔を空けて配置され、前記第一のマークとは別に認識される第二のマークとされる第二の蛍光体層とから構成されていることを特徴とする発光装置。
A light-emitting device comprising: a light-emitting element; a substrate having a mounting portion on which the light-emitting element is disposed; and a phosphor layer containing a phosphor that absorbs light of the light-emitting element and emits fluorescence.
The substrate has conductive wiring connected to the electrode of the light emitting element on the upper surface on which the light emitting element is disposed, and a first mark provided by a conductive material,
The phosphor layer is a first phosphor layer disposed on the surface of the light emitting element, a first phosphor layer disposed at a distance from the first phosphor layer, and recognized separately from the first mark. A light emitting device comprising: a second phosphor layer which is a second mark.
発光素子と、その発光素子を配置する搭載部を有する基板と、前記発光素子の光を吸収して蛍光を発する蛍光体と、を備えた発光装置であって、
前記基板は、前記発光素子が配置された上面に、前記発光素子の電極に接続する導電配線と、第一のマークと、を有しており、
前記導電配線の一部は、前記発光素子の搭載部から前記基板の外周の方向に延長されており、その導電配線に蛍光体が堆積され、その蛍光体の堆積層が前記第一のマークとは別に認識される第二のマークとされていることを特徴とする発光装置。
A light-emitting device comprising: a light-emitting element; a substrate having a mounting portion on which the light-emitting element is disposed; and a phosphor that absorbs light of the light-emitting element and emits fluorescence.
The substrate has conductive wiring connected to the electrode of the light emitting element and a first mark on an upper surface on which the light emitting element is disposed,
A part of the conductive wiring is extended from the mounting portion of the light emitting element toward the outer periphery of the substrate, and a phosphor is deposited on the conductive wiring, and the deposited layer of the phosphor is connected to the first mark. And a second mark which is recognized separately.
前記基板は、封止部材を備えており、その封止部材は、前記発光素子を被覆するレンズ部と、そのレンズ部の周縁に設けられた鍔部とを有しており、前記第二のマークは、前記鍔部により被覆されている請求項1または2に記載の発光装置。   The substrate includes a sealing member, and the sealing member includes a lens portion that covers the light emitting element, and a flange portion provided on a peripheral edge of the lens portion. The light emitting device according to claim 1, wherein the mark is covered with the flange portion. 前記導電配線は、前記発光素子の搭載部から前記基板の外周の方向に延長された延長部と、その延長部よりも幅が大きい端部を有し、その端部が前記第二のマークとされている請求項2または3に記載の発光装置。   The conductive wiring has an extension extending from the mounting portion of the light emitting element toward the outer periphery of the substrate, and an end having a width larger than the extension, and the end is connected to the second mark. The light-emitting device according to claim 2 or 3. 前記延長部は、前記封止部材のレンズ部により被覆され、前記端部は、前記封止部材の鍔部により被覆されている請求項4に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 4, wherein the extension portion is covered with a lens portion of the sealing member, and the end portion is covered with a flange portion of the sealing member. 前記第二のマークの形状は、L字型またはT字型である請求項4または5に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 4, wherein a shape of the second mark is an L shape or a T shape. 前記蛍光体は、YAG系蛍光体を含む請求項1から6のいずれか一項に記載の発光装置。   The light emitting device according to any one of claims 1 to 6, wherein the phosphor includes a YAG phosphor. 前記蛍光体は、窒化物系蛍光体を含む請求項1から7のいずれか一項に記載の発光装置。   The light-emitting device according to claim 1, wherein the phosphor includes a nitride-based phosphor. 前記第一のマークは、前記第二のマークと、略同一形状であり、前記第一のマークと、前記第二のマークとで観察色が異なる請求項4から6のいずれか一項に記載の発光装置。   The first mark has substantially the same shape as the second mark, and the observation color is different between the first mark and the second mark. Light emitting device. 発光素子と、その発光素子を配置する基板と、前記発光素子の光を吸収して蛍光を発する蛍光体と、を備えた発光装置の製造方法であって、
正負一対の導電配線と、導電性材料により設けられた複数のマークと、を有し、前記マークのうちいずれか一つが前記導電配線に接続された基板に、発光素子を配置する第一の工程と、
前記正負一対の導電配線に前記発光素子の正負一対の電極を接続させる第二の工程と、
前記導電配線に電圧を印加して、帯電された蛍光体を前記導電配線の表面に堆積させる第三の工程と、を有することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
A method of manufacturing a light emitting device comprising: a light emitting element; a substrate on which the light emitting element is disposed; and a phosphor that absorbs light of the light emitting element and emits fluorescence.
A first step of disposing a light emitting element on a substrate having a pair of positive and negative conductive wirings and a plurality of marks provided by a conductive material, and any one of the marks is connected to the conductive wirings When,
A second step of connecting the pair of positive and negative electrodes of the light emitting element to the pair of positive and negative conductive wires;
And a third step of applying a voltage to the conductive wiring to deposit a charged phosphor on the surface of the conductive wiring.
集合基板に複数の発光素子を配置する工程を有し、前記マークを目印として前記集合基板を分割することにより、前記発光装置として個片化する工程を有する請求項10に記載の発光装置の製造方法。   The manufacturing of the light-emitting device according to claim 10, further comprising a step of arranging a plurality of light-emitting elements on the collective substrate, and dividing the collective substrate using the mark as a mark to separate the collective substrate as the light-emitting device. Method. 前記複数のマークにより包囲された内側に、前記発光素子を被覆する封止部材を成型する工程と、成型された封止部材と前記マークの位置を比較することにより、前記封止部材の成型予定位置からのズレを判定する工程と、を有する請求項10または11に記載の発光装置の製造方法。   The step of molding a sealing member that covers the light emitting element inside the plurality of marks, and the molding schedule of the sealing member by comparing the positions of the molded sealing member and the mark The method for manufacturing a light-emitting device according to claim 10, further comprising: determining a deviation from a position. 前記発光素子は、同一面側に正負一対の電極を有し、それらの電極を前記導電配線に導電性材料により接合することより、前記第一の工程および前記第二の工程が同時になされる請求項10から12のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。   The light-emitting element has a pair of positive and negative electrodes on the same surface side, and the first step and the second step are performed simultaneously by joining these electrodes to the conductive wiring with a conductive material. Item 13. A method for manufacturing a light emitting device according to any one of Items 10 to 12.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012104546A (en) * 2010-11-08 2012-05-31 Ushio Inc Led element
KR20130012818A (en) * 2011-07-26 2013-02-05 삼성전자주식회사 Light emitting diode module and method for manufacturing the same
KR101253558B1 (en) 2011-07-15 2013-04-11 주식회사 네패스엘이디 Light emitting device for wavelength conversion
WO2014010354A1 (en) * 2012-07-09 2014-01-16 シャープ株式会社 Light emission device, illumination device, and insulating substrate
JP2016103618A (en) * 2014-11-29 2016-06-02 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device
JP2016213365A (en) * 2015-05-12 2016-12-15 三菱電機株式会社 Light emitting device, display device, and manufacturing method of light emitting device
US9691945B2 (en) 2014-01-13 2017-06-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
JP2018088554A (en) * 2018-02-19 2018-06-07 日亜化学工業株式会社 Light emitting device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09312235A (en) * 1996-05-21 1997-12-02 Rohm Co Ltd Manufacture of electronic component
JP2000353825A (en) * 1999-06-09 2000-12-19 Sony Corp Manufacture of stage for mounting led nodule
JP2006054109A (en) * 2004-08-12 2006-02-23 Seiko Instruments Inc Anisotropic conductive film, display device using it, and inspection method and inspection device of display device
JP2008235580A (en) * 2007-03-20 2008-10-02 Nichia Corp Manufacturing method of semiconductor device
JP2008258455A (en) * 2007-04-06 2008-10-23 Citizen Electronics Co Ltd Light emitting diode

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09312235A (en) * 1996-05-21 1997-12-02 Rohm Co Ltd Manufacture of electronic component
JP2000353825A (en) * 1999-06-09 2000-12-19 Sony Corp Manufacture of stage for mounting led nodule
JP2006054109A (en) * 2004-08-12 2006-02-23 Seiko Instruments Inc Anisotropic conductive film, display device using it, and inspection method and inspection device of display device
JP2008235580A (en) * 2007-03-20 2008-10-02 Nichia Corp Manufacturing method of semiconductor device
JP2008258455A (en) * 2007-04-06 2008-10-23 Citizen Electronics Co Ltd Light emitting diode

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012104546A (en) * 2010-11-08 2012-05-31 Ushio Inc Led element
KR101253558B1 (en) 2011-07-15 2013-04-11 주식회사 네패스엘이디 Light emitting device for wavelength conversion
KR20130012818A (en) * 2011-07-26 2013-02-05 삼성전자주식회사 Light emitting diode module and method for manufacturing the same
KR101865272B1 (en) * 2011-07-26 2018-06-07 삼성전자주식회사 Light emitting diode module and method for manufacturing the same
WO2014010354A1 (en) * 2012-07-09 2014-01-16 シャープ株式会社 Light emission device, illumination device, and insulating substrate
US9691945B2 (en) 2014-01-13 2017-06-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
JP2016103618A (en) * 2014-11-29 2016-06-02 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device
US9559267B2 (en) 2014-11-29 2017-01-31 Nichia Corporation Light-emitting device
JP2016213365A (en) * 2015-05-12 2016-12-15 三菱電機株式会社 Light emitting device, display device, and manufacturing method of light emitting device
JP2018088554A (en) * 2018-02-19 2018-06-07 日亜化学工業株式会社 Light emitting device

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