JP6519127B2 - Method of manufacturing light emitting device - Google Patents
Method of manufacturing light emitting device Download PDFInfo
- Publication number
- JP6519127B2 JP6519127B2 JP2014190850A JP2014190850A JP6519127B2 JP 6519127 B2 JP6519127 B2 JP 6519127B2 JP 2014190850 A JP2014190850 A JP 2014190850A JP 2014190850 A JP2014190850 A JP 2014190850A JP 6519127 B2 JP6519127 B2 JP 6519127B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting element
- substrate
- resin
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 70
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims description 45
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 43
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 12
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 8
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 7
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 5
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 claims description 5
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 5
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 5
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 2
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 4
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002600 TPX™ Polymers 0.000 description 2
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 2
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- 229910017109 AlON Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 1
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 1
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015365 Au—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004812 Fluorinated ethylene propylene Substances 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- RLMMPAFGVXFLEB-UHFFFAOYSA-N O[Si](O)(O)Cl.P Chemical compound O[Si](O)(O)Cl.P RLMMPAFGVXFLEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 239000004813 Perfluoroalkoxy alkane Substances 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000001652 electrophoretic deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009503 electrostatic coating Methods 0.000 description 1
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006072 paste Substances 0.000 description 1
- 229920009441 perflouroethylene propylene Polymers 0.000 description 1
- 229920011301 perfluoro alkoxyl alkane Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Description
本発明は、発光装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method of manufacturing a light emitting device.
従来、基板に実装された発光素子の上に樹脂からなる封止部材を形成する発光装置が知られている。 Conventionally, a light emitting device is known in which a sealing member made of resin is formed on a light emitting element mounted on a substrate.
例えば、特許文献1には、基板にフリップチップ実装された発光素子を被覆するように封止部材が形成された発光装置が記載されている。この発光装置では、素子封止時に素子と素子搭載基板との間に形成された空隙に気泡が残存することを抑制するため、また、光吸収損失の発生を抑制するために、素子と素子搭載基板との間に反射性材料からなるアンダーフィルが注入されている。 For example, Patent Document 1 describes a light emitting device in which a sealing member is formed so as to cover a light emitting element flip-chip mounted on a substrate. In this light emitting device, the element and the element are mounted in order to suppress the remaining of the air bubble in the air gap formed between the element and the element mounting substrate at the time of element sealing, and also to suppress the occurrence of light absorption loss. An underfill made of a reflective material is injected between the substrate and the substrate.
しかしながら、素子を実装した後に、各素子と搭載基板の間にアンダーフィルを注入すると、工程時間が長くなるという問題がある。 However, if an underfill is injected between each element and the mounting substrate after mounting the element, there is a problem that the process time becomes long.
本開示は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、複数の発光素子に対してアンダーフィルまたは光反射部材の形成を一括して行うことが可能な発光装置の製造方法を提供することを目的とする。 The present disclosure has been made in view of such circumstances, and an object of the present disclosure is to provide a method of manufacturing a light emitting device capable of collectively forming an underfill or a light reflecting member for a plurality of light emitting elements. I assume.
本開示の発光装置の製造方法は、熱可塑性樹脂を有する発光素子を基板に載置する、発光素子載置工程と、前記発光素子載置工程の後、前記発光素子を加熱して前記熱可塑性樹脂を軟化させ、前記基板の表面を前記熱可塑性樹脂で被覆する、基板被覆工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法である。 In the method of manufacturing a light emitting device of the present disclosure, a light emitting element mounting step of mounting a light emitting element having a thermoplastic resin on a substrate and a light emitting element after the light emitting element mounting step are heated to heat the thermoplastic element. And a substrate coating step of softening the resin and coating the surface of the substrate with the thermoplastic resin.
本開示によれば、複数の発光素子に対してアンダーフィルまたは光反射部材の形成を一括して行うことが可能な発光装置の製造方法を提供することができる。 According to the present disclosure, it is possible to provide a method of manufacturing a light emitting device capable of collectively forming the underfill or the light reflecting member for a plurality of light emitting elements.
以下、本開示に係る発光装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については、原則として同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。 Hereinafter, a method of manufacturing a light emitting device according to the present disclosure will be described with reference to the drawings. Note that the size, positional relationship, and the like of the members shown in each drawing may be exaggerated for the sake of clarity. Further, in the following description, the same names and reference numerals indicate the same or the same members in principle, and the detailed description will be appropriately omitted.
<第1の実施形態>
図1は、本実施形態に係る発光装置の製造工程を示す概略断面図である。
本実施形態に係る発光装置100の製造方法は、主として、熱可塑性樹脂104を有する発光素子102を基板110に載置する、発光素子載置工程と、発光素子載置工程の後、発光素子102を加熱して熱可塑性樹脂104を軟化させ、基板110の表面を熱可塑性樹脂104で被覆する、基板被覆工程と、を有する。
First Embodiment
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the manufacturing process of the light emitting device according to the present embodiment.
In the method of manufacturing the
(発光素子載置工程)
まず、図1(A)に示すように、表面に導電部材108を有する基板110を準備する。基板110は、その上に発光素子102が搭載される部材である。図1では平板形状であるが、キャビティーと称されるような凹部等を設けることもできる。なお、ここでは発光装置1つを用いて説明しているが、最終工程で分割するまでは基板110は集合体とし、分割することで個々の発光装置とされてもよい。
(Light emitting element mounting process)
First, as shown in FIG. 1A, a
(基板)
基板110の材料としては、絶縁性材料が好ましく、発光素子102から放出される光や外光等が透過しにくい材料が好ましい。また、ある程度の強度を有するものが好ましい。可撓性を有していてもよい。より具体的には、セラミックス(Al2O3、AlN等)、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、BTレジン、ポリイミド(PI)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエーテルサルフォン(PES)、ポリフタルアミド(PPA)等の樹脂が挙げられる。なお、基板110の材料に樹脂を用いる場合は、ガラス繊維や、SiO2、TiO2、Al2O3等の無機フィラーを樹脂に混合し、機械的強度の向上、熱膨張率の低減、光反射率の向上等を図ることもできる。樹脂を有する基板の場合、樹脂のみで構成されていてもよいし、例えば、細長いテープ状の銅箔やアルミニウム箔などが絶縁性樹脂などで被覆されることにより構成されていてもよい。
また、後に、発光素子を加熱して熱可塑性樹脂を軟化させる工程を有するため、基板の溶融温度は、用いる熱可塑性樹脂の軟化温度よりも高いことが好ましい。基板の変形を防ぐためである。
(substrate)
As a material of the
Further, since the light emitting element is heated to soften the thermoplastic resin later, the melting temperature of the substrate is preferably higher than the softening temperature of the thermoplastic resin used. This is to prevent deformation of the substrate.
基板110の表面に形成される導電部材108は、発光素子102と電気的に接続し、発光素子102に外部からの電流(電力)を供給するための部材である。すなわち、外部から通電させるための電極またはその一部としての役割を担うものである。本実施形態では、導電部材108は基板110上で離間して、ひとつの発光装置につき、少なくとも一対設けられている。
The
導電部材108の材料は、基板110として用いられる材料等によって当該分野で公知のものを適宜選択することができる。例えば、基板110の材料としてセラミックを用いる場合は、導電部材108の材料は、セラミックスシートの焼成温度にも耐え得る高融点を有する材料が好ましく、例えば、タングステン、モリブデンのような高融点の金属を用いるのが好ましい。
The material of the
さらにその上に、金属膜を単層または多層で形成してもよい。例えば、銀、銅、金、アルミニウム、ロジウム等を単体又は合金で用いてもよい。熱伝導率等に優れた金を単体で用いることが好ましい。金属膜の膜厚は、0.05μm〜50μm程度であることが好ましい。多層膜とする場合は、層全体の厚さをこの範囲内とするのが好ましい。 Furthermore, a metal film may be formed in a single layer or multiple layers thereon. For example, silver, copper, gold, aluminum, rhodium or the like may be used alone or as an alloy. It is preferable to use gold alone which is excellent in thermal conductivity and the like. The thickness of the metal film is preferably about 0.05 μm to 50 μm. In the case of a multilayer film, the thickness of the entire layer is preferably in this range.
また、例えば、基板110の材料としてポリイミド等の樹脂を用いる場合は、導電部材108の材料は、銅やアルミニウムなどの金属または合金の単層または積層構造の導電性薄膜を用いることができる。
For example, in the case of using a resin such as polyimide as the material of the
導電部材108の厚みは、例えば8μm〜200μmとすることができる。この程度の厚みであれば、可撓性の基板とする場合においても、基板110の可撓性を損なわない。
The thickness of the
なお、導電部材108の表面には、図1(A)に示すように、反射層117が形成されていてもよい。この反射層117は、発光素子102の光を反射可能な材料であり、発光素子との接続をとる部分の外側の領域において、導電部材108の表面を被覆している。
A
(反射層117)
反射膜は、樹脂、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、BTレジン、PPA、シリコーン樹脂、ユリア樹脂、セラミックインク等により形成することができる。また、反射層は、発光素子の出射光及び後述する波長変換部材により変換された波長の光を反射する材料によって形成されることが好ましい。従って、上述した樹脂に、例えば、SiO2、TiO2、Al2O3、ZrO2、MgO等のフィラーを含有させることが好ましい。
反射層は、比較的薄い厚みで設けることが好ましく、特に、反射層よりも高い位置に発光素子の上面が位置するように設けることが好ましい。具体的には、被覆膜の膜厚は、5μm〜50μm程度が挙げられる。
(Reflective layer 117)
The reflective film can be formed of, for example, a resin such as phenol resin, epoxy resin, BT resin, PPA, silicone resin, urea resin, ceramic ink or the like. The reflective layer is preferably formed of a material that reflects light emitted from the light emitting element and light of a wavelength converted by a wavelength conversion member described later. Therefore, the above-mentioned resins, for example, SiO 2, TiO 2, Al 2 O 3, ZrO 2, it is preferred to incorporate a filler such as MgO.
The reflective layer is preferably provided with a relatively thin thickness, and in particular, preferably provided so that the upper surface of the light emitting element is positioned higher than the reflective layer. Specifically, the film thickness of the coating film may be about 5 μm to 50 μm.
(発光素子)
本実施の形態においては、発光素子102として発光ダイオードを用いるのが好ましい。発光素子は、任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色(波長430nm〜490nmの光)や緑色(波長490nm〜570nmの光)の発光素子を用いる場合には、ZnSeや窒化物半導体(InXAlYGa1−X―YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)、GaPを用いたものを用いることができる。また、窒化物半導体を積層させるための絶縁基板としては、サファイアやスピネルが好適に用いられる。
(Light emitting element)
In this embodiment mode, it is preferable to use a light emitting diode as the
例えば、発光素子102は、成長用の絶縁基板の上に半導体層が積層されて形成されてなる。この半導体層は、n型半導体層、活性層、p型半導体層が順に積層されており、n型半導体層側にn側電極が形成されており、p型半導体層側にはp側電極が形成されている。発光素子102は、絶縁基板を上にした状態で、一対の電極103(n側電極およびp側電極)が一対の導電部材108に跨るように、接合部材106を介して載置されている。なお、発光素子102は単数個であっても、複数個用いていてもよい。発光素子をワイヤレスとすることにより、ワイヤによる光吸収が防止され、発光した光を効率よく取り出すことができる。
For example, the
接合部材106は、発光素子102の、半導体側に形成された電極103と導電部材108とを電気的に接続するものであり、また、発光素子102を基板110に接着させる部材である。この接合部材106には導電性の部材を用いる。具体的な材料としては、Au、Ag、Pdなどの導電性ペースト、Au含有合金、Ag含有合金、Pd含有合金、In含有合金、Pb−Pd含有合金、Au−Ga含有合金、Au−Sn含有合金等の半田材料、Sn含有合金、Au−Ge含有合金、Au−Si含有合金、Al含有合金、Cu−In含有合金、金属とフラックスの混合物、異方性導電樹脂等を挙げることができる。
The
また、接合部材106としては、液状、ペースト状、固体状(シート状、ブロック状、粉末状)のものを用いることができ、組成や基体10の形状等に応じて、適宜選択することができる。また、これらの接合部材106は、単一部材で形成してもよく、あるいは、数種のものを組み合わせて用いてもよい。
Further, as the
図1(A)に示すように、発光素子102は熱可塑性樹脂104を有している。熱可塑性樹脂104は、少なくとも発光素子102の光取り出し面となる面及び発光素子102の電極103の一部を露出するように設けられていればよい。好ましくは、発光素子102の側面及び/または下面に接して形成される。
熱可塑性樹脂104は、後にアンダーフィルとして基板110と発光素子102との間を埋める部材となるため、発光素子からの光を反射可能な反射部材を含有していることが好ましい。
As shown in FIG. 1A, the
Since the
光反射部材としては、白色のフィラーであることが好ましく、また、主として無機化合物を用いることが好ましい。ここでの白色とは、フィラー自体が透明であった場合でも、フィラーの周りの材料と屈折率差がある場合に散乱で白色に見えるものも含む。
具体的には、SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2、ZnO2、Nb2O5、MgO、SrO、In2O3、TaO2、HfO、SeO、Y2O3等の酸化物や、SiN、AlN、AlON等の窒化物、MgF2等のフッ化物が挙げられ、これらの材料の1種類以上を含むことが好ましい。これらは、単独で用いても良いし、または、混合して用いてもよい。あるいは、積層させてもよい。フィラーとしては、粒径が1nm〜10μm程度の範囲のものを用いることが好ましい。さらに好ましくは100nm〜5μmである。これにより、光を良好に散乱させることができる。また、フィラーの形状は、球形でも鱗片形状でもよい。
As a light reflection member, it is preferable that it is a white filler, and it is preferable to mainly use an inorganic compound. Here, even if the filler itself is transparent, it also includes those that appear white due to scattering when there is a difference in refractive index with the material around the filler.
Specifically, oxidation of SiO 2 , Al 2 O 3 , TiO 2 , ZrO 2 , ZnO 2 , Nb 2 O 5 , MgO, SrO, In 2 O 3 , TaO 2 , HfO, SeO, Y 2 O 3 etc. And nitrides such as SiN, AlN, and AlON, and fluorides such as MgF 2 , and it is preferable to include one or more of these materials. These may be used alone or in combination. Alternatively, they may be stacked. It is preferable to use a filler having a particle diameter in the range of about 1 nm to 10 μm as the filler. More preferably, it is 100 nm to 5 μm. This makes it possible to scatter the light well. The shape of the filler may be spherical or scaly.
熱可塑性樹脂としては、発光色に対して透明である事が好ましく、具体的にはビニル系(PVC,PVA)、ポリスチレン系(PS,AS,PE,ABS)、ポリプロピレン(PP),ポリアセタール(POM)、アクリル系(PMMA,MS)、ポリカーボネート(PC),ポリエチレン(PE)、ポリエチレンテレフタレート(PET),ポリウレタン(PU)、フッ素系(PCTFE,PTFE,FEP,PFA,ETFE,PVDF)、ポリアミド(ナイロン)系(PA)等がある。
特に、ポリスチレン(PS)、AS樹脂(AS)、ABS樹脂(ABS)、ポリエチレン(PE)、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)、ポリカーボネート(PC)、ポリエチレンテレフタラート(PET)、ポリアミド(PA)、フッ素系であることが好ましい。
また熱可塑性樹脂の特性としては、素子の使用温度では軟化しないことが好ましい。具体的には熱可塑性樹脂の軟化温度は80℃以上であることが好ましく、より好ましくは100℃以上である。
熱可塑性樹脂の形状としては、発光素子102の光取り出し面(上面)と電極103(パッド電極ともいう)の表面(電気接続面)以外に形成されていれば良く、特に形状を限定するものではない。
発光素子への熱可塑性樹脂形成方法としては射出成形やトランスファー成形、圧縮成形、塗布、印刷等を用いることが出来る。
The thermoplastic resin is preferably transparent to luminescent color, and specifically, vinyl (PVC, PVA), polystyrene (PS, AS, PE, ABS), polypropylene (PP), polyacetal (POM) ), Acrylic (PMMA, MS), polycarbonate (PC), polyethylene (PE), polyethylene terephthalate (PET), polyurethane (PU), fluorine (PCTFE, PTFE, FEP, PFA, ETFE, PVDF), polyamide (nylon) ) (PA) etc.
In particular, polystyrene (PS), AS resin (AS), ABS resin (ABS), polyethylene (PE), polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), polyamide (PA), fluorine It is preferable that it is a system.
Moreover, as a characteristic of a thermoplastic resin, it is preferable not to soften at the operating temperature of the element. Specifically, the softening temperature of the thermoplastic resin is preferably 80 ° C. or more, more preferably 100 ° C. or more.
As the shape of the thermoplastic resin, it may be formed other than the light extraction surface (upper surface) of the
Injection molding, transfer molding, compression molding, coating, printing and the like can be used as a method of forming a thermoplastic resin on a light emitting element.
(基板被覆工程)
次に、基板110に載置した熱可塑性樹脂104付き発光素子102を加熱して、熱可塑性樹脂104を軟化させる。これにより、図1(B)に示すように、発光素子102の側面に形成されていた熱可塑性樹脂104が軟化して、基板110の表面側に垂れさがり、基板110と発光素子102の隙間が熱可塑性樹脂104で埋められる。基板110と発光素子102の隙間が熱可塑性樹脂104で埋められていると、素子封止時に素子と素子搭載基板との間に形成された空隙に気泡が残存することを抑制することができる。また、基板110の表面を、光反射部材を含有した熱可塑性樹脂104で被覆することにより、基板110による光吸収損失の発生を抑制することができる。
(Substrate coating process)
Next, the
加熱は、熱可塑性樹脂104が軟化する温度であればよく、例えば、PCTFEであれば240℃程度である。複数の発光素子102を載置した基板を加熱することで、複数の発光素子102のそれぞれに対して、基板110との隙間を熱可塑性樹脂104で埋めることができる。
The heating may be any temperature at which the
加熱は発光素子102を基板110に固定させる際の加熱を兼ねていてもよい。発光素子102の基板110への固定は、接合部材106を用いることができる。特に、発光素子102に形成された例えば電極等の金属層と、基板110の表面に形成された導電部材108とを、半田等の金属の接合部材106で固定することが好ましい。金属材料により発光素子を接合することで、樹脂材料で生じるような熱や光による変色劣化が生じないため、光出力の減少を抑制することができる。また、金属材料であることから発光素子から生じる熱の放熱性にも優れており、高温動作にも耐えうる発光装置とすることができる。
また、この基板被覆工程における加熱工程は出来るだけ酸素を除外した雰囲気で行うことが好ましい。酸素下では樹脂の変色を誘発するため、酸素濃度は5%以下が好ましく、より好ましくは0.1%以下である。
The heating may also be performed when the
Moreover, it is preferable to perform the heating process in this board | substrate coating process in the atmosphere which excluded oxygen as much as possible. In order to induce discoloration of the resin under oxygen, the oxygen concentration is preferably 5% or less, more preferably 0.1% or less.
なお、発光素子の固定は共晶接合に限られず、例えば、エポキシ、シリコーン等の樹脂、銀、金、パラジウム等の導電性ペースト、低融点を有する金属等のろう材等の固定部材を用いることもできる。 Fixation of the light emitting element is not limited to eutectic bonding, and for example, a fixing member such as epoxy, resin such as silicone, conductive paste such as silver, gold, palladium, or brazing material such as metal having a low melting point is used. You can also.
基板被覆工程の後、発光素子102の側面は熱可塑性樹脂104から露出されていてもよい。例えば、図1(B)に示すように、下部においては熱可塑性樹脂104に覆われており、上部については熱可塑性樹脂104から露出されていてもよいし、図5に示すように、発光素子102の側面が熱可塑性樹脂104の薄い層で覆われていてもよい。。
また、導電部材108の表面に反射層117が形成されている場合は、導電部材108と反射層117の境界を熱可塑性樹脂104が被覆するように形成することが好ましい。
After the substrate coating process, the side surface of the
When the
(封止部材被覆工程)
基板被覆工程の後、図1(C)に示すように、発光素子102及び熱可塑性樹脂104を、封止部材112で被覆する。封止部材112は、発光素子102を保護する、光取り出し効率を上げる等の目的で発光素子102上に形成される。光取り出し効率を高めるためには、発光素子から出射される光が封止部材の界面で極力全反射されずに外部に取り出し可能なように、封止部材112の表面形状を調整することが好ましい。
(Sealing member coating process)
After the substrate covering step, as shown in FIG. 1C, the
封止部材112の形成方法としては、樹脂の滴下、圧縮成形、トランスファー成形、射出成形等が挙げられる。本実施形態によれば、発光素子102と基板110との空隙に熱可塑性樹脂104が充填されているため、封止部材112の形成時に気泡が残存することが抑制される。
As a method of forming the sealing
封止部材112は、電気的絶縁性を有し、発光素子102から出射される光を透過可能な材料であれば、特に限定されるものではない。封止部材の透過率は、好ましくは70%以上である。光透過性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、TPX樹脂、ポリノルボルネン樹脂、またはこれらの樹脂を1種以上含むハイブリッド樹脂等が挙げられる。中でも、シリコーン樹脂は、耐熱性や耐光性に優れ、固化後の体積収縮が少ないので好ましい。
The sealing
封止部材112には、波長変換部材、フィラー、拡散材等の添加剤を含んでいてもよい。例えば、波長変換部材としては、蛍光体や量子ドットを用いることができる。また、拡散材としては、SiO2、TiO2等を用いることができる。
The sealing
<第1の実施形態の変形例>
図2は、第1の実施形態の変形例を示す図である。
この発光装置200は、基板110として、上面に凹部118を有する基板を用い、凹部118に封止部材112が充填されてなる点が第1の実施形態と異なっており、その他については第1実施形態と同様に形成されている。熱可塑性樹脂104は、図2に示すように、凹部118の底面の全てを被覆することが好ましい。このような変形例においても、第1の実施形態と同様の効果が得られる。
<Modification of First Embodiment>
FIG. 2 is a view showing a modification of the first embodiment.
The
(凹部を有する基板)
凹部を有する基板としては、BTレジン等の樹脂基板、アルミナや窒化アルミニウム等のセラミック基板、エポキシやシリコーン等の樹脂にリードフレームをインサート成形したパッケージ等が好適に用いられる。基板に用いる樹脂材料としては、熱硬化性樹脂であることが好ましい。本実施形態においては、熱可塑性樹脂が軟化される工程を含むため、熱可塑性樹脂では基板が軟化してしまうためである。
(Substrate with recess)
As a substrate having a recess, a resin substrate such as BT resin, a ceramic substrate such as alumina or aluminum nitride, a package obtained by insert molding a lead frame on a resin such as epoxy or silicone, or the like is preferably used. The resin material used for the substrate is preferably a thermosetting resin. In this embodiment, since the step of softening the thermoplastic resin is included, the substrate is softened by the thermoplastic resin.
<第2の実施形態>
図3は、第2の実施形態の発光装置200及びその製造方法を示す図である。本実施形態では、第1実施形態における基板被覆工程と封止部材被覆工程の間に波長変換部材被覆工程を有する点が第1実施形態と異なっており、その他の部分は第1実施形態と同様である。つまり、図3(B)に示すように、熱可塑性樹脂104を軟化させて基板110の表面を被覆した後で、発光素子102を被覆するように波長変換部材114を配置する。
Second Embodiment
FIG. 3 is a view showing a
(波長変換部材)
波長変換部材114は、発光素子102が発する光の少なくとも一部により励起されて発光素子の発光波長とは異なる波長の光を発する。代表的な波長変換部材としては、蛍光体や量子ドットが挙げられる。
(Wavelength conversion member)
The
(蛍光体)
波長変換部材として用いられる蛍光体は、1種類の蛍光体を用いてもよいし、2種類以上の蛍光体を用いてもよい。LED用の蛍光体として公知の蛍光体のいずれを用いてもよい。例えば、粒径及び発光色の異なる第1の蛍光体及び第2の蛍光体の2種類の蛍光体を用いてもよい。このように、発光色の異なる蛍光体を複数種類用いることで、色再現性や演色性を向上させることができる。
(Phosphor)
The phosphor used as the wavelength conversion member may use one type of phosphor or two or more types of phosphors. Any phosphor known as a phosphor for LED may be used. For example, two types of phosphors of a first phosphor and a second phosphor having different particle sizes and emission colors may be used. As described above, color reproducibility and color rendering can be improved by using a plurality of phosphors of different emission colors.
蛍光体としては、例えば黄色〜緑色蛍光体としては、例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(YAG系蛍光体)およびルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(LAG系蛍光体)を用いることができる。緑色蛍光体としては、例えばクロロシリケート蛍光体およびβサイアロン蛍光体を用いることができる。赤色蛍光体としては、例えば(Sr,Ca)AlSiN3:Eu等のSCASN系蛍光体、CaAlSiN3:Eu等のCASN系蛍光体、SrAlSiN3:Eu蛍光体、およびK2SiF6:Mn等のKSF系蛍光体等を用いることができるが、これに限られない。 As phosphors, for example, as yellow to green phosphors, for example, yttrium aluminum garnet phosphor (YAG phosphor) and lutetium aluminum garnet phosphor (LAG phosphor) can be used. . As a green phosphor, for example, chlorosilicate phosphor and β-sialon phosphor can be used. Examples of red phosphors include SCASN-based phosphors such as (Sr, Ca) AlSiN 3 : Eu, CASN-based phosphors such as CaAlSiN 3 : Eu, SrAlSiN 3 : Eu phosphor, and K 2 SiF 6 : Mn Although a KSF type fluorescent substance etc. can be used, it is not restricted to this.
蛍光体の粒径としては特に限定されないが、2μm〜50μm程度が好ましく、さらに好ましくは5μm〜20μmである。なお、蛍光体の粒径が大きいほど発光装置の光取り出し効率は高くなる傾向があるが、色むらは大きくなる傾向にある。 Although it does not specifically limit as a particle size of fluorescent substance, 2 micrometers-about 50 micrometers are preferable, More preferably, they are 5 micrometers-20 micrometers. The light extraction efficiency of the light emitting device tends to be higher as the particle size of the phosphor is larger, but the color unevenness tends to be larger.
波長変換部材114の配置方法としては、例えば波長変換部材を含有する樹脂をシート状に成形して、ホットメルト方式で又は接着剤により接着する方法、電気泳動堆積法で蛍光体を付着させた後で透光性樹脂を含浸させる方法、波長変換部材を含有させた樹脂をポッティング、圧縮成型、スプレー、静電塗布、印刷等する方法が挙げられる。
As a method of arranging the
ここで用いる樹脂材料としては、例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、TPX樹脂、ポリノルボルネン樹脂、またはこれらの樹脂を1種以上含むハイブリッド樹脂等が挙げられる。熱硬化性樹脂であることが好ましい。中でも、シリコーン樹脂は、耐熱性や耐光性に優れ、固化後の体積収縮が少ないので好ましい。 Examples of the resin material used here include silicone resin, silicone modified resin, epoxy resin, phenol resin, polycarbonate resin, polycarbonate resin, acrylic resin, TPX resin, polynorbornene resin, or hybrid resin containing one or more of these resins. Be It is preferable that it is a thermosetting resin. Among them, silicone resins are preferable because they are excellent in heat resistance and light resistance and less in volumetric shrinkage after solidification.
波長変換部材被覆工程の後は、図3(C)に示すように、第1の実施形態と同様に別途封止部材112で被覆してもよいし、波長変換部材114が封止部材を兼ねる構成としてもよい。
After the wavelength conversion member covering step, as shown in FIG. 3C, it may be separately covered with the sealing
また、波長変換部材114は、発光素子102を基板110に載置する前、つまり、発光素子載置工程の前にあらかじめ形成されていてもよい。
図6は、波長変換部材があらかじめ形成された発光素子を示す図である。この発光素子では、発光素子102の下面に一対の電極103が形成されており、4つの側面を被覆するように、熱可塑性樹脂104が形成されている。発光素子102の上面は、熱可塑性樹脂から露出されており、発光素子102の露出面と熱可塑性樹脂104を覆うように、波長変換部材114が形成されている。
波長変換部材114は、前述の材料および方法で形成することができる。
The
FIG. 6 is a view showing a light emitting element on which a wavelength conversion member is formed in advance. In this light emitting element, a pair of
The
(第3の実施形態)
第3の実施形態は、図4(A)に示すように、発光素子102の側面に透光性部材116を形成している点が第1の実施形態と異なっており、その他については第1の実施形態と同様にして形成することができる。
透光性部材116は、発光素子102の側面(ここでは、4つの側面)を覆うように形成されており、上方に向かって広がるような形状とされている。前述した封止部材と同様の材料を用いることができ、封止部材112との屈折率を調整することで、配光を制御することが可能となる。
Third Embodiment
The third embodiment is different from the first embodiment in that a
The
本発明に係る発光装置の製造方法は、照明用光源、各種インジケーター用光源、車載用光源、ディスプレイ用光源、液晶のバックライト用光源、センサー用光源、信号機等、種々の発光装置の製造方法に使用することができる。 The manufacturing method of the light emitting device according to the present invention includes various light emitting device manufacturing methods such as illumination light source, light source for various indicators, light source for vehicle, light source for display, light source for backlight of liquid crystal, light source for sensor, light source for traffic light It can be used.
100、200、300、400 発光装置
102 発光素子
103 電極
104 熱可塑性樹脂
106 接合部材
108 導電部材
110 基板
112 封止部材
114 波長変換部材
116 透光性部材
117 反射層
118 凹部
100, 200, 300, 400 light emitting
Claims (11)
前記発光素子載置工程の後、前記発光素子を加熱して前記熱可塑性樹脂を軟化させ、前記基板の表面を前記熱可塑性樹脂で被覆する、基板被覆工程と、
を有する発光装置の製造方法。 A light emitting element mounting step of mounting a light emitting element having a thermoplastic resin on a side surface side and not having the thermoplastic resin on an upper surface side and a lower surface side on a substrate;
A substrate covering step of heating the light emitting element to soften the thermoplastic resin after the light emitting element mounting step, and covering the surface of the substrate with the thermoplastic resin;
A method of manufacturing a light emitting device comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014190850A JP6519127B2 (en) | 2014-09-19 | 2014-09-19 | Method of manufacturing light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014190850A JP6519127B2 (en) | 2014-09-19 | 2014-09-19 | Method of manufacturing light emitting device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016063108A JP2016063108A (en) | 2016-04-25 |
JP6519127B2 true JP6519127B2 (en) | 2019-05-29 |
Family
ID=55798256
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014190850A Active JP6519127B2 (en) | 2014-09-19 | 2014-09-19 | Method of manufacturing light emitting device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6519127B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7014948B2 (en) * | 2017-06-13 | 2022-02-02 | 日亜化学工業株式会社 | Manufacturing method of light emitting device and light emitting device |
JP7277815B2 (en) * | 2017-06-13 | 2023-05-19 | 日亜化学工業株式会社 | Light-emitting device manufacturing method and light-emitting device |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4247634B2 (en) * | 2003-08-21 | 2009-04-02 | セイコーエプソン株式会社 | Manufacturing method of electronic component mounting body, manufacturing method of electro-optical device |
JP4574393B2 (en) * | 2005-02-24 | 2010-11-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Manufacturing method of semiconductor device |
US7867793B2 (en) * | 2007-07-09 | 2011-01-11 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Substrate removal during LED formation |
JP2009184266A (en) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Mitsubishi Engineering Plastics Corp | Molding system of polycarbonate resin molded article, molding process, and polycarbonate resin molded article |
JP5249856B2 (en) * | 2009-05-27 | 2013-07-31 | パナソニック株式会社 | Light emitting device |
JP5851680B2 (en) * | 2010-09-24 | 2016-02-03 | 株式会社小糸製作所 | Light emitting module |
KR101761834B1 (en) * | 2011-01-28 | 2017-07-27 | 서울바이오시스 주식회사 | Wafer level led package and method of fabricating the same |
KR20120119350A (en) * | 2011-04-21 | 2012-10-31 | 삼성전자주식회사 | Light emitting device module and method for manufacturing the same |
JP2013077679A (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Citizen Electronics Co Ltd | Semiconductor light-emitting device and manufacturing method of the same |
JP6186691B2 (en) * | 2012-09-28 | 2017-08-30 | 日亜化学工業株式会社 | LIGHT EMITTING DEVICE PACKING METHOD AND PACKED LIGHT EMITTING DEVICE |
JP2014093311A (en) * | 2012-10-31 | 2014-05-19 | Nichia Chem Ind Ltd | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
JP2014145012A (en) * | 2013-01-28 | 2014-08-14 | Mitsubishi Chemicals Corp | Resin composition, wavelength conversion member, light-emitting device, led lighting equipment, and optical member |
-
2014
- 2014-09-19 JP JP2014190850A patent/JP6519127B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016063108A (en) | 2016-04-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7054025B2 (en) | Light emitting device | |
US10505089B2 (en) | Method of manufacturing light emitting device | |
JP5768435B2 (en) | Light emitting device | |
TWI783143B (en) | Light emitting device | |
JP6699634B2 (en) | Method for manufacturing light emitting device | |
CN107275457B (en) | Method for manufacturing light emitting device | |
JP6790416B2 (en) | Light emitting device | |
JP6191453B2 (en) | Light emitting device | |
US10629783B2 (en) | Light emitting device | |
WO2013011628A1 (en) | Light emitting device and method for manufacturing same | |
US20080284315A1 (en) | Light emitting device and light emitter | |
JP6693044B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
JP2015028997A (en) | Light-emitting device and method of manufacturing the same | |
JP6519135B2 (en) | Light emitting device and substrate for light emitting device | |
JP6606966B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
JP2013140823A (en) | Light-emitting device | |
JP6579141B2 (en) | Light emitting device and method for manufacturing light emitting device | |
JP2014093311A (en) | Light-emitting device and manufacturing method thereof | |
JP6476703B2 (en) | Ceramic package, light emitting device, and manufacturing method thereof | |
JP6579159B2 (en) | Light emitting device | |
JP2017118081A (en) | Light-emitting device | |
JP2009004659A (en) | Light emitting device | |
JP6326830B2 (en) | Light emitting device and lighting device including the same | |
JP6519127B2 (en) | Method of manufacturing light emitting device | |
JP2019040895A (en) | Light-emitting device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170802 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180516 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180522 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20180614 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180720 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20181127 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190226 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20190306 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190326 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190408 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6519127 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |