JP2010174344A - Film deposition apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、本発明は、成膜装置に関する。 The present invention relates to a film forming apparatus.
ターゲットや蒸着材等の材料源から放出された粒子を基板に付着・堆積させる成膜装置が広く用いられている。このような成膜装置では、例えば、真空雰囲気とされたチャンバー内に基板を配置した状態で材料源から粒子を放出させ、その放出粒子を基板の対象物の被成膜面に到達させることによって、その被成膜面上にその材料からなる膜を成膜させる。こうした成膜技術としては、例えば、蒸着法、スパッタ法等が知られている。 2. Description of the Related Art A film forming apparatus that adheres and deposits particles emitted from a material source such as a target or a vapor deposition material on a substrate is widely used. In such a film forming apparatus, for example, particles are emitted from a material source in a state where the substrate is placed in a vacuum atmosphere chamber, and the emitted particles reach the film formation surface of the target object of the substrate. Then, a film made of the material is formed on the film formation surface. As such a film formation technique, for example, a vapor deposition method, a sputtering method, and the like are known.
成膜装置では、材料源から放出された粒子は、対象物方向に限らず広範囲に放出される。このため、チャンバーの壁部等にも成膜されてしまう。このようにチャンバーの壁部等の対象物の被成膜面以外の箇所に形成された膜は、徐々に堆積し、ある程度の膜厚まで成長した膜は容易に剥離するため、パーティクルの発生源となる。剥離し飛散したパーティクルが被成膜面に付着すると、膜にピンホール等の欠陥が生じ、デバイスの歩留まり低下を招く。 In the film forming apparatus, particles emitted from the material source are emitted not only in the direction of the object but in a wide range. For this reason, a film is also formed on the wall of the chamber. Since the film formed in a place other than the film formation surface of the object such as the wall of the chamber in this way is gradually deposited, and the film grown to a certain thickness is easily peeled off, the particle generation source It becomes. When the separated and scattered particles adhere to the film formation surface, defects such as pinholes are generated in the film, leading to a decrease in device yield.
これに対して、チャンバー内に取り出し可能な防着板を設置し、膜が形成された防着板を交換あるいはメンテナンスする方法が一般的に行われている。しかしながら、この方法では、防着板を交換するためにチャンバー内の環境を一度壊す(例えば、チャンバーを大気開放する)必要がある、大幅な生産稼働率の低下を招く。 On the other hand, a method is generally performed in which a deposition preventing plate that can be taken out is installed in a chamber, and the deposition plate on which a film is formed is replaced or maintained. However, in this method, it is necessary to destroy the environment in the chamber once (for example, to open the chamber to the atmosphere) in order to replace the adhesion prevention plate, resulting in a significant reduction in production operation rate.
特許文献1には、複数のフィンを備えた防着板を備える成膜装置が開示されている。特許文献1によれば、防着板のフィンによって、対象物の被成膜面以外の箇所に形成される膜を分断し、膜応力を低減させることによって膜の剥離を抑制することができるとされている。このような特許文献1に開示された技術によれば、防着板の交換あるいはメンテナンスの周期を延ばすことができる。 Patent Document 1 discloses a film forming apparatus including an adhesion preventing plate having a plurality of fins. According to Patent Document 1, when the film formed on a portion other than the film formation surface of the target object is divided by the fins of the deposition prevention plate and the film stress can be reduced, peeling of the film can be suppressed. Has been. According to such a technique disclosed in Patent Document 1, it is possible to extend the replacement or maintenance cycle of the protection plate.
しかしながら、特許文献1に開示された技術では、飛来した粒子がフィンの間をすり抜けて防着板に付着することがあり、膜を十分に分断することができない場合がある。 However, in the technique disclosed in Patent Document 1, the flying particles may pass through the fins and adhere to the deposition preventing plate, and the film may not be sufficiently divided.
本発明は、上記事情に鑑みて成されたものであり、その目的は、対象物の被成膜面以外に形成された膜の剥離を十分に抑制することができる成膜装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a film forming apparatus capable of sufficiently suppressing peeling of a film formed on a surface other than a film formation surface of an object. It is in.
本発明に係る成膜装置は、所定雰囲気のチャンバー内において材料源から飛来する粒子を対象物に対して付着させることによって前記対象物に成膜する成膜装置であって、前記チャンバー内には、複数列に配列されたフィンを有する防着板が設けられており、前記フィンのそれぞれは、隣接する列のフィンに対して、配列方向にずれた位置に配置されていることを特徴とする。 A film forming apparatus according to the present invention is a film forming apparatus that forms a film on an object by attaching particles flying from a material source to the object in a chamber of a predetermined atmosphere. In addition, an adhesion prevention plate having fins arranged in a plurality of rows is provided, and each of the fins is disposed at a position shifted in the arrangement direction with respect to the fins in the adjacent row. .
本発明によれば、防着板に設けられる複数のフィンのそれぞれが、隣接する列のフィンに対して、配列方向にずれた位置に配置されているので、飛来した粒子がフィンの間をすり抜けてしまうのを抑制することができる。これにより、対象物の被成膜面以外に形成される膜を分断することができるので、膜の剥離を十分に抑制することができる。 According to the present invention, since each of the plurality of fins provided on the deposition preventing plate is disposed at a position shifted in the arrangement direction with respect to the fins in the adjacent row, the flying particles pass between the fins. Can be suppressed. Thereby, since the film | membrane formed except the film-forming surface of a target object can be parted, peeling of a film | membrane can fully be suppressed.
上記の成膜装置は、前記フィンは、前記防着板の板面の法線方向に対して傾いた状態で配置されていることを特徴とする。
本発明によれば、フィンが防着板の板面の法線方向に対して傾いた状態で配置されているので、当該フィンによって平面視で防着板の板面が覆われることとなる。これにより、飛来した粒子が防着板の板面に付着するのを抑えることができる。
The film forming apparatus is characterized in that the fins are arranged in an inclined state with respect to a normal direction of a plate surface of the deposition preventing plate.
According to the present invention, since the fin is disposed in a state inclined with respect to the normal direction of the plate surface of the deposition preventing plate, the plate surface of the deposition preventing plate is covered by the fin in plan view. Thereby, it can suppress that the particle | grains which came fly adhere to the board surface of an adhesion prevention board.
上記の成膜装置は、前記フィンは、前記粒子の飛来方向に対して傾いた状態で配置されていることを特徴とする。
本発明によれば、フィンが粒子の飛来方向に対して傾いた状態で配置されているので、フィンが粒子の飛来方向に対して垂直に設置されている場合と比較して、粒子の飛来方向に対して直交する所定平面の単位面積を通過する粒子群をフィンのより広い面積にて受けることができる。これにより、フィンにおいて粒子を確実に捕捉することができる。
The film forming apparatus is characterized in that the fins are arranged in an inclined state with respect to the flying direction of the particles.
According to the present invention, since the fins are arranged in a state inclined with respect to the particle flying direction, the particle flying direction compared to the case where the fins are installed perpendicular to the particle flying direction. A group of particles passing through a unit area of a predetermined plane orthogonal to can be received in a wider area of the fin. Thereby, particles can be reliably captured in the fins.
上記の成膜装置は、前記フィンは、前記防着板に対して着脱可能に設けられていることを特徴とする。
本発明によれば、フィンが防着板に対して着脱可能に設けられているので、防着板のメンテナンスを容易に行うことができる。
The film forming apparatus is characterized in that the fin is detachably attached to the deposition preventing plate.
According to the present invention, since the fin is provided so as to be detachable from the deposition preventing plate, maintenance of the deposition preventing plate can be easily performed.
上記の成膜装置は、前記フィンは、列毎に一体的に着脱可能に設けられていることを特徴とする。
本発明によれば、フィンが列毎に一体的に着脱可能に設けられているので、防着板のメンテナンス性を一層向上させることができる。
The film forming apparatus is characterized in that the fins are provided so as to be detachable integrally in each row.
According to the present invention, since the fins are provided so as to be detachable integrally for each row, the maintainability of the deposition preventing plate can be further improved.
上記の成膜装置は、前記フィンは、平面視での分布密度が変化するように配置されていることを特徴とする。
本発明によれば、平面視での分布密度が変化するようにフィンが配置されているので、防着板への膜の形成を効率的に抑えることができる。
The film forming apparatus is characterized in that the fins are arranged so that a distribution density in a plan view changes.
According to the present invention, since the fins are arranged so that the distribution density in a plan view changes, the formation of a film on the deposition preventing plate can be efficiently suppressed.
上記の成膜装置は、前記分布密度は、前記防着板に飛来する前記粒子の密度に応じて設定されていることを特徴とする。
本発明によれば、防着板に飛来する粒子の密度に応じて分布密度が設定されているので、防着板への膜の形成をより効率的に抑えることができる。
In the film forming apparatus, the distribution density is set according to the density of the particles flying on the deposition preventing plate.
According to the present invention, since the distribution density is set according to the density of the particles flying on the deposition preventing plate, the formation of a film on the deposition preventing plate can be more efficiently suppressed.
以下、図面を参照して、本発明に係る成膜装置の一実施形態について説明する。なお、以下の図面において、各部材の認識可能な大きさとするために、各部材の縮尺を適宜変更している。 Hereinafter, an embodiment of a film forming apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the scale of each member is appropriately changed in order to make each member a recognizable size.
図1は、本実施形態の成膜装置の概略構成を示した模式図である。
成膜装置APRは、チャンバー1と、基板ホルダー2と、ターゲット3(材料源)と、イオンガン4と、防着板5とを備えている。成膜装置APRは、チャンバー内を所定雰囲気とし、ターゲット3から飛来する粒子を対象物に対して付着させることによって対象物に成膜する装置である。本実施形態では、成膜装置APRとして、イオンビームスパッタ装置を例に挙げて説明する。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the film forming apparatus of the present embodiment.
The film forming apparatus APR includes a chamber 1, a
チャンバー1は、成膜の対象物である基板Xの基板面X1(被成膜面)に対して成膜を行う成膜室である。チャンバー1には排気系11が接続されており、排気系11を稼動させることでチャンバー1の内を減圧させることができるようになっている。
The chamber 1 is a film formation chamber in which film formation is performed on the substrate surface X1 (film formation surface) of the substrate X that is an object of film formation. An
チャンバー1の上部には、基板ホルダー2が設置されている。基板ホルダー2は、基板面X1を下方に向けた状態で基板Xを支持するためのものである。チャンバー1内において基板ホルダー2の下方には、ターゲット3が設置されている。ターゲット3は、粒子の放出源となる材料源であり、例えば、様々な無機材料(無機酸化物、無機窒化物、金属酸化物、金属窒化物)が用いられる。具体的には、例えば、SiO2 、SiO、Al2O3、ZnO2、Ta2O3、TiO2、Si3N4、ITO(インジウム錫酸化物)などが用いられる。
A
イオンガン4は、独立したイオン源にスパッタ用のガスを導入し、そのガスをイオン化しかつ加速させて放出口41から所定幅のイオンビーム42として引き出すものである。イオンガン4は、ターゲット3の上方に配置されている。イオンガン4の放出口41は、チャンバー1の内部でターゲット3の表面であるスパッタ面31に向けられている。
The ion gun 4 introduces a sputtering gas into an independent ion source, ionizes and accelerates the gas, and extracts the ion beam 42 from the
スパッタ用のガスとしては、例えば、Ar、He、Ne、Kr、Xe等や、この他にターゲット3に対して不活性な様々な不活性ガスを用いることができる。例えば、窒素などの分子イオン、中性粒子、クラスターイオン等を用いても良い。イオンガン4とは別に、成膜前または成膜時の基板Xに、アシスト用のイオン照射を行ったり、アシスト用のレーザ照射を行ったりするアシスト機構を備えている構成であっても構わない。
As the sputtering gas, for example, Ar, He, Ne, Kr, Xe, and the like, and various other inert gases inert to the
防着板5は、チャンバー1の側壁部12及び天井部13を覆うように配置されている。防着板5は、側壁部12及び天井部13に対して着脱可能に設けられている。防着板5は、チャンバー1の側壁部12及び天井部13に沿って配置される基材51と、基材51に対して配列された複数のフィン52とによって構成さている。
The
図2は、チャンバー1の側壁部12に設けられる防着板5の構成を示す斜視図である。図3は、図2に示す防着板5上の一部を構成を示す図であり、1つのフィン52について示したものである。
FIG. 2 is a perspective view showing a configuration of the
図2に示すように、フィン52は、基材51の板面51a上に複数設けられている。フィン52は、板面51a上に一方向に複数列配列されている。フィン52の列は、板面51aのほぼ全面に亘って設けられている。図2では、フィン52の配列方向が破線で示されており、各列におけるフィン52の位置の対応関係が一点鎖線で示されている。同図に示すように、フィン52のそれぞれは、隣接する列のフィン52に対して、配列方向にずれた位置に配置されている。より具体的には、各フィン52は、隣接する列の2つのフィン52に対して、配列方向の中間に位置するように配置されている。このため、防着板5の側面から配列方向の直交方向に当該防着板5を見たときには、フィン52が防着板5上に隙間無く配置された状態となっている。隣接する列の2つのフィンの中間に位置するように配置されているが、フィン52が隣接する列のフィン52に対して配列方向にずれた位置に配置されている構成であれば、この配置に限られることは無い。
As shown in FIG. 2, a plurality of
フィン52は、列毎にフィン保持部材53に取り付けられており、当該フィン保持部材53を介してフィン52が列毎に一体的に設けられている。図3に示すように、フィン保持部材53は、基材51の凹部51bに嵌め込まれている。フィン保持部材53は、基材51に対して着脱可能に設けられている。フィン保持部材53を着脱させることにより、基材51に対してフィン52を列毎に一体的に着脱させることができるようになっている。この構成に加えて、例えばフィン保持部材53に対してフィン52を個々に着脱させる構成としても勿論構わない。
The
図2及び図3に示すように、各フィン52は、基材51の表面51a(防着板の板面)の法線方向に対して傾いた状態で配置されている。このため、平面視で基材51がフィン52によって一部が覆われた状態となる。フィン52は、基材51の表面51aターゲット3から放出される粒子Rの飛来方向に対しても傾いた状態で配置されている。このため、防着板5へ飛来してくる粒子Rをより確実に捕捉できるようになっている。各フィン52は、ターゲット3側の先端部53が鋭角に形状設定されているとともに、表面がブラスト処理によって粗面とされている。これにより、粒子Rを捕捉しやすい構成となっている。
As shown in FIG.2 and FIG.3, each
フィン52の長さL及びフィン52の配列ピッチは、飛来する粒子がフィン52間すなわちフィン52の間に露出する基材51に到達しないように設定されている。加えて、フィン52の列の間隔は、ターゲット3側よりも基板X側の方が広くなるように形成されている。このため、フィン52の分布密度が、防着板5のターゲット3側の方が基板X側よりも高くなっている。
The length L of the
フィン52の分布密度は、防着板5へ飛来する粒子Rの密度に応じて設定されている。図1に示すように、防着板5へ粒子Rが飛来する密度は、ターゲット3に近いほど高くなっており、基板Xに近いほど低くなっている。これに対応するように、本実施形態では、フィン52の分布密度は、基板X側よりも防着板5のターゲット3側の方が高くなるようなるように設定されている。このようにフィン52の分布密度を設定することで、フィン52によって確実に粒子Rを捕捉できるようになっている。
The distribution density of the
上記のように構成された成膜装置APRにおいては、イオンガン4からのイオンビーム42がターゲット3のスパッタ面31に入射すると、そのビーム幅に応じた広さの領域がスパッタリングされ、粒子がチャンバー1内に放射状に放出される。基板Xに到達した粒子が基板面X1に堆積することによって、基板面X1に膜が形成される。
In the film forming apparatus APR configured as described above, when the ion beam 42 from the ion gun 4 is incident on the sputtering
一方、基板Xとは異なる方向に射出された粒子は、防着板5に到達する。防着板5上には、上記の配置で配置されたフィン52によって粒子Rが捕捉され、フィン52上に粒子Rが堆積される。このフィン52によって、防着板5へ飛来する粒子Rが基材51上に堆積されるのが抑制され、基材51上に形成される膜が基材51上で分断された状態で形成されることになる。このため、基材51上の全面に膜が形成される場合に比べて、膜応力を低減されることとなる。このため、基材51上に形成された膜の剥離が抑制されることとなる。
On the other hand, the particles injected in a direction different from the substrate X reach the
一方、フィン52上には粒子Rが堆積し、膜が形成される。粒子Rの堆積によってフィン52上に一定以上の膜が形成された場合、例えばフィン保持部材53を基材51から取り外し、フィン保持部材53ごとフィン52を交換することにより、チャンバー1内をより清浄な状態に保つようにする。
On the other hand, particles R are deposited on the
このように、本実施形態によれば、防着板5に設けられる複数のフィン52のそれぞれが、隣接する列のフィン52に対して、配列方向にずれた位置に配置されているので、飛来した粒子Rがフィンの間をすり抜けてしまうのを抑制することができ、各フィン52によって確実に捕捉することができる。これにより、基板Xの基板面X1以外に形成される膜を分断することができるので、膜の剥離を十分に抑制することができる。
As described above, according to the present embodiment, each of the plurality of
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、上記実施形態においては、チャンバー1の側壁12に設けられる防着板5を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えば天井部13に設けられる防着板5についても、上記実施形態に記載した構成を適用させることができる。
The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and appropriate modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, in the above-described embodiment, the description has been given by taking the
天井部13に設けられる防着板5の場合、図1に示すように、基板Xに近い位置ほど飛来する粒子Rの密度が高くなっており、基板Xから離れるほど飛来する粒子Rの密度が小さくなっている。したがって、防着板5のフィン52の分布密度を設定する際には、当該粒子Rの密度に対応するように、例えば基板Xに近い位置ほど分布密度を高くなるように配置させることが好ましい。
In the case of the
APR…成膜装置 X…基板(対象物) 1…チャンバー 5…防着板 52…フィン
APR ... Film-forming device X ... Substrate (object) 1 ...
Claims (7)
前記チャンバー内には、複数列に配列されたフィンを有する防着板が設けられており、
前記フィンのそれぞれは、隣接する列のフィンに対して、配列方向にずれた位置に配置されている
ことを特徴とする成膜装置。 A film forming apparatus for forming a film on the object by attaching particles flying from a material source to the object in a chamber of a predetermined atmosphere,
In the chamber, a deposition plate having fins arranged in a plurality of rows is provided,
Each of the fins is disposed at a position shifted in the arrangement direction with respect to the fins in the adjacent row.
ことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。 The film formation apparatus according to claim 1, wherein the fins are arranged in a state of being inclined with respect to a normal direction of a plate surface of the deposition preventing plate.
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の成膜装置。 The film formation apparatus according to claim 1, wherein the fins are arranged in a state of being inclined with respect to a flying direction of the particles.
ことを特徴とする請求項1から請求項3のうちいずれか一項に記載の成膜装置。 The film formation apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the fin is detachably attached to the deposition preventing plate.
ことを特徴とする請求項4に記載の成膜装置。 The film formation apparatus according to claim 4, wherein the fins are integrally formed for each row.
ことを特徴とする請求項1から請求項5のうちいずれか一項に記載の成膜装置。 The film formation apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the fins are arranged so that a distribution density in a plan view changes.
ことを特徴とする請求項6に記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 6, wherein the distribution density is set according to a density of the particles flying on the deposition preventing plate.
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Cited By (1)
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CN112824558A (en) * | 2019-11-20 | 2021-05-21 | 佳能特机株式会社 | Film forming apparatus, film forming method using film forming apparatus, and method for manufacturing electronic device |
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2009
- 2009-01-30 JP JP2009019504A patent/JP2010174344A/en active Pending
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KR20210061639A (en) | 2019-11-20 | 2021-05-28 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | Film forming apparatus, film forming method and electronic device manufacturing method using the same |
JP7170017B2 (en) | 2019-11-20 | 2022-11-11 | キヤノントッキ株式会社 | Film forming apparatus, film forming method using the same, and electronic device manufacturing method |
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