JP2010172900A - Cutting apparatus for manufacturing electronic component, and cutting method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent dross caused in cutting from sticking to a surface and rewelding to a section, in a segmentation process of cutting a pre-sealed substrate with a laser beam, to make efficient segmentation possible, and to improve quality of segmented electronic components. <P>SOLUTION: In a sealed substrate 4 which is formed by resin-sealing a plurality of chips 3 mounted on a ceramic substrate 1 altogether with resin 5, grooves 11 are provided on the ceramic substrate 1 along a separatrix 6 sectioning for every partition 2. Using a cutting apparatus equipped with a laser beam irradiation mechanism 14 for emitting a laser beam 9 and a base 13 for arranging a dicing tape 7 with the sealed substrate 4 stuck thereto, the laser beam 9 is emitted along the separatrix 6 for cutting, so that dross 10 caused is stored in the grooves 11. The pieces of pre-sealed substrate 4 stuck to the dicing tape 7 after the segmentation are transported to a prescribed place of the next process altogether. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体チップ等のチップを複数個装着した基板が樹脂封止された封止済基板を所定の線に沿って切削し、個片化することによって複数の電子部品を製造する際に使用される、電子部品製造用の切削装置及び切削方法に関するものである。   The present invention is to manufacture a plurality of electronic components by cutting a sealed substrate, in which a substrate on which a plurality of chips such as semiconductor chips are mounted, resin-sealed, is cut along a predetermined line and separated into individual pieces. The present invention relates to a cutting apparatus and a cutting method for manufacturing electronic parts.

リードフレームやプリント基板等からなる基板の一主面が樹脂等で封止された封止済基板を個片化する切削方法には、様々な種類の方法が開発され実用化されている。その1つに、レーザ光による熱エネルギーを用いた切削方法がある。この方法は、一般的に以下のようにして行なわれる。まず、基板において格子状に設けられた区画に少なくとも1個のチップを装着する。次に、基板に装着された複数のチップを、樹脂によって一括して樹脂封止する。これにより封止済基板が完成する。次に、封止済基板を区画毎に区分する線に沿ってレーザ光を照射することにより切削する。これによって、封止済基板が、複数の区画にそれぞれ対応する複数の電子部品に個片化される(例えば、特許文献1参照)。   Various types of methods have been developed and put into practical use for cutting a sealed substrate in which one principal surface of a substrate such as a lead frame or a printed circuit board is sealed with a resin or the like. One of them is a cutting method using thermal energy by laser light. This method is generally performed as follows. First, at least one chip is mounted in a section provided in a lattice pattern on the substrate. Next, the plurality of chips mounted on the substrate are collectively sealed with resin. Thereby, the sealed substrate is completed. Next, the sealed substrate is cut by irradiating a laser beam along a line that divides the sealed substrate for each section. As a result, the sealed substrate is divided into a plurality of electronic components respectively corresponding to the plurality of sections (see, for example, Patent Document 1).

特開平9−36151号(第4頁、第2図)Japanese Patent Laid-Open No. 9-36151 (page 4, FIG. 2)

この方法で切削される基板には、一般的にプラスチック基板が用いられてきた。しかし、電気絶縁性、耐食性、耐摩耗性、放熱特性、強度の点でプラスチック基板よりも優れた特長を有するアルミナ等からなるセラミック基板の普及が進み、このセラミック基板の切削にこの方法が使用されるようになってきた。   In general, a plastic substrate has been used as a substrate to be cut by this method. However, ceramic substrates made of alumina, etc., which have features superior to plastic substrates in terms of electrical insulation, corrosion resistance, wear resistance, heat dissipation characteristics, and strength, have been widely used, and this method is used for cutting ceramic substrates. It has come to be.

レーザ光で切削を行う場合、切削後の個片化された電子部品の搬送作業が簡便となるよう、基板をダイシングテープ上に粘着したうえ、切削を行う。個片化された電子部品は、ダイシングテープに粘着された状態でダイシングテープ毎に次の工程を行う所定の場所まで搬送される。   When cutting with laser light, the substrate is adhered on a dicing tape and then cut so that the work of transporting the separated electronic components after cutting is simplified. The separated electronic components are conveyed to a predetermined place where the next process is performed for each dicing tape while being adhered to the dicing tape.

しかしながら、アルミナ等のセラミック基板をレーザ光で切削する際、セラミックが溶解し切断部分にドロスが生じる。この溶解したドロスは、基板底面に粘着されたダイシングテープの存在により、鉛直方向(下向き)に移動できないため、水平方向に移動せざるを得ない。そのため、発生したドロスが基板の表面に付着する、又は基板の切削面に再溶着する等、個片化された電子部品の品質を確保することが困難であった。また、個片化された電子部品からドロスの除去をする処理作業が必要となり、効率的に個片化することができないという問題点が生じていた。   However, when a ceramic substrate such as alumina is cut with a laser beam, the ceramic is melted and dross is generated at the cut portion. Since the melted dross cannot move in the vertical direction (downward) due to the presence of the dicing tape adhered to the bottom surface of the substrate, it must be moved in the horizontal direction. For this reason, it is difficult to ensure the quality of the separated electronic components such that the generated dross adheres to the surface of the substrate or is re-welded to the cutting surface of the substrate. In addition, a processing operation for removing dross from the separated electronic parts is required, and there has been a problem in that it cannot be separated into pieces efficiently.

本発明の目的は、封止済基板をレーザ光にて切削する個片化工程において、切削時に生じたドロスの表面付着及び切断面への再溶着を防ぎ、効率的な個片化を可能にするとともに、個片化された電子部品の品質向上を図ることにある。   The object of the present invention is to enable efficient singulation by preventing dross from sticking to the surface and re-welding to the cut surface in the singulation process of cutting a sealed substrate with laser light. At the same time, it is to improve the quality of the separated electronic parts.

以下、「課題を解決するための手段」と「発明の効果」と「発明を実施するための形態」との説明におけるかっこ内の符号は、説明における用語と図面に示された構成要素とを対比しやすくする目的で記載されたものである。また、これらの符号等は、「図面に示された構成要素に限定して、説明における用語の意義を解釈すること」を意味するものではない。   Hereinafter, reference numerals in parentheses in the descriptions of “means for solving the problems”, “effects of the invention”, and “mode for carrying out the invention” indicate terms in the description and components shown in the drawings. It is described for the purpose of facilitating comparison. Further, these symbols and the like do not mean that “the meaning of the terms in the description is limited to the components shown in the drawings”.

上述の課題を解決するために、本発明に係る切削装置は、回路基板(1)と該回路基板(1)に装着されたチップ(3)と該チップ(3)を樹脂封止する樹脂(5)とを有する封止済基板(4)を、レーザ光(9)を使用して所定の線(6)に沿って切削し個片化することによって電子部品を製造する電子部品製造用の切削装置であって、粘着テープ(7)を介して前記封止済基板(4)が粘着される基台(13)と、前記基台(13)に固定された前記封止済基板(4)の前記所定の線(6)に向けて前記レーザ光(9)を照射する照射機構(14)と、前記封止済基板(4)の前記所定の線(6)に向けてアシストガス(16)を噴射する噴射機構とを備え、前記所定の線(6)は前記回路基板(1)に予め設けられた薄層部(11)に重なっていることを特徴とする。   In order to solve the above-described problems, a cutting apparatus according to the present invention includes a circuit board (1), a chip (3) mounted on the circuit board (1), and a resin ( 5) for manufacturing an electronic component by manufacturing an electronic component by cutting the sealed substrate (4) along a predetermined line (6) using a laser beam (9) into pieces. A cutting device, a base (13) to which the sealed substrate (4) is adhered via an adhesive tape (7), and the sealed substrate (4) fixed to the base (13) ) For irradiating the laser beam (9) toward the predetermined line (6), and an assist gas (10) toward the predetermined line (6) of the sealed substrate (4). 16), and the predetermined line (6) is formed on a thin layer portion (11) provided in advance on the circuit board (1). It is characterized in that is.

また、本発明に係る切削装置は、上述の電子部品製造用の切削装置において、前記薄層部(11)は前記回路基板(1)の少なくとも一方の面に形成されていることを特徴とする。   Moreover, the cutting device according to the present invention is characterized in that, in the above-described cutting device for manufacturing an electronic component, the thin layer portion (11) is formed on at least one surface of the circuit board (1). .

また、本発明に係る切削装置は、上述の電子部品製造用の切削装置において、前記封止済基板(4)における前記薄層部(11)に重なる部分には、前記樹脂(5)が薄い部分が設けられていることを特徴とする。   The cutting device according to the present invention is the above-described cutting device for manufacturing an electronic component, wherein the resin (5) is thin in a portion overlapping the thin layer portion (11) in the sealed substrate (4). A portion is provided.

また、本発明に係る切削装置は、上述の電子部品製造用の切削装置において、前記封止済基板(4)が個片化された前記電子部品が粘着した前記粘着テープ(7)を、次工程の所定の場所まで搬送する搬送機構を設けたことを特徴とする。   Further, the cutting device according to the present invention is the cutting device for manufacturing an electronic component described above, wherein the adhesive tape (7) to which the electronic component obtained by separating the sealed substrate (4) is adhered is A transport mechanism for transporting to a predetermined place in the process is provided.

また、本発明に係る切削方法は、回路基板(1)と該回路基板(1)に装着されたチップ(3)と該チップ(3)を樹脂封止する樹脂(5)とを有する封止済基板(4)を、レーザ光(9)を使用して所定の線(6)に沿って切削し個片化することによって電子部品を製造する電子部品製造用の切削方法であって、前記所定の線(6)に重なるようにして予め薄層部(11)が設けられた前記回路基板(1)を有する前記封止済基板(4)を準備する工程と、粘着テープ(7)を介して基台(13)に前記封止済基板(4)を粘着させる工程と、前記所定の線(6)に向けて前記レーザ光(9)を照射することによって前記封止済基板(4)を前記電子部品に個片化する工程と、前記所定の線(6)に向けてアシストガス(16)を噴射する工程と、前記電子部品が粘着されている前記粘着テープ(7)を搬送する工程とを備えたことを特徴とする。   The cutting method according to the present invention includes a circuit board (1), a chip (3) mounted on the circuit board (1), and a resin (5) for resin-sealing the chip (3). A cutting method for manufacturing an electronic component for manufacturing an electronic component by cutting a finished substrate (4) along a predetermined line (6) using a laser beam (9) into pieces. A step of preparing the sealed substrate (4) having the circuit board (1) provided with a thin layer portion (11) in advance so as to overlap a predetermined line (6), and an adhesive tape (7) Through the step of adhering the sealed substrate (4) to the base (13) and irradiating the laser beam (9) toward the predetermined line (6). ) Into the electronic component, and the assist gas (16) is injected toward the predetermined line (6). And degree, the electronic component is characterized by comprising the step of conveying the adhesive tape which is adhesive (7).

また、本発明に係る切削方法は、上述の電子部品製造用の切削方法において、前記個片化する工程では、前記所定の線(6)の近傍において前記樹脂(5)と前記回路基板(1)とが溶融することによって生じたドロス(10)の少なくとも一部が前記封止済基板(4)における厚さで規定される範囲に収容されることを特徴とする。   Further, the cutting method according to the present invention is the above-described cutting method for manufacturing an electronic component, wherein in the step of dividing into pieces, the resin (5) and the circuit board (1) are located in the vicinity of the predetermined line (6). And at least a part of the dross (10) generated by melting the substrate is accommodated in a range defined by the thickness of the sealed substrate (4).

また、本発明に係る切削方法は、上述の電子部品製造用の切削方法において、前記薄層部(11)は前記回路基板(1)の少なくとも一方の面に形成されていることを特徴とする。   The cutting method according to the present invention is characterized in that, in the above-described cutting method for manufacturing an electronic component, the thin layer portion (11) is formed on at least one surface of the circuit board (1). .

また、本発明に係る切削方法は、上述の電子部品製造用の切削方法において、前記薄層部(11)は前記樹脂(5)が形成されていない部分又は前記樹脂(5)に重なっていることを特徴とする。   Moreover, the cutting method according to the present invention is the above-described cutting method for manufacturing an electronic component, wherein the thin layer portion (11) overlaps a portion where the resin (5) is not formed or the resin (5). It is characterized by that.

本発明によれば、封止済基板(4)には、区画(2)毎に区分する所定の線(区分線)(6)に沿って予め溝(11)を設ける。これにより、この区分線(6)に沿って切削されることによって発生したドロス(10)の量が減少するとともに、ドロス(10)が溝(11)内に収容されやすくなる。この結果、ドロス(10)が除去されやすくなるとともに、切断面もなめらかになるため、個片化された電子部品の品質を向上させることができる。さらに、溝(11)を設けることでレーザ光(9)の照射によって溶解される溶解量が少なくなるので、作業時間が短縮できるとともに、溶解量の減少に伴って溶解によって発生するドロス(10)も減少させることができ、切断面への再溶着を高い確率で防止することができる。   According to the present invention, the groove (11) is provided in advance in the sealed substrate (4) along a predetermined line (partition line) (6) that is divided for each section (2). Accordingly, the amount of dross (10) generated by cutting along the dividing line (6) is reduced, and the dross (10) is easily accommodated in the groove (11). As a result, the dross (10) is easily removed and the cut surface is smooth, so that the quality of the separated electronic component can be improved. Furthermore, since the amount of dissolution dissolved by the irradiation of the laser beam (9) is reduced by providing the groove (11), the working time can be shortened, and the dross (10) generated by dissolution as the amount of dissolution decreases. And re-welding to the cut surface can be prevented with high probability.

図1は、実施例1に係る電子部品製造用の切削装置における、切削装置の要部と、封止済基板の下面に溝が設けられた当該基板の区分線に沿って当該基板が切削される状態とを示す断面図である。FIG. 1 shows a cutting apparatus for manufacturing an electronic component according to a first embodiment, in which the substrate is cut along a main line of the cutting apparatus and a parting line of the substrate in which a groove is provided on the lower surface of the sealed substrate. FIG. 図2は、下面に溝を設けた封止済基板をレーザ光照射によって切削する際に、生じたドロスが封止済基板の両面に形成された溝を含む厚さで規定される範囲内に収容される過程を示す断面図である。FIG. 2 shows that when a sealed substrate having grooves on the lower surface is cut by laser light irradiation, the generated dross is within a range defined by the thickness including the grooves formed on both surfaces of the sealed substrate. It is sectional drawing which shows the process accommodated. 図3は、実施例2において、セラミック基板の上下両面に溝を設けた封止済基板をレーザ光照射によって切削する際に、生じたドロスが封止済基板の両面に形成された溝を含む厚さで規定される範囲内に収容される過程を示す断面図である。FIG. 3 shows that in Example 2, when a sealed substrate having grooves formed on both upper and lower surfaces of a ceramic substrate is cut by laser light irradiation, the generated dross includes grooves formed on both surfaces of the sealed substrate. It is sectional drawing which shows the process accommodated in the range prescribed | regulated by thickness. 図4は、実施例3において、封止済基板の上下両面に溝を設けた封止済基板をレーザ光照射によって切削する際に、生じたドロスが封止済基板の両面に形成された溝を含む厚さで規定される範囲内に収容される過程を示す断面図である。FIG. 4 shows a groove formed on both surfaces of a sealed substrate when a sealed substrate having grooves formed on both upper and lower surfaces of the sealed substrate in Example 3 is cut by laser light irradiation. It is sectional drawing which shows the process accommodated in the range prescribed | regulated by the thickness containing.

切削装置の要部(12)は、切削対象物である封止済基板(4)へレーザ光(9)を照射するレーザ光照射機構(14)と、封止済基板(4)を粘着したダイシングテープ(7)を配置する基台(13)とを備えている。レーザ光照射機構(14)には、アシストガス(16)を供給するアシストガス供給管(17)が設けられ、レーザ光(9)の照射と同時に同軸方向からアシストガス(16)が噴射される。封止済基板(4)は、セラミック基板(1)に装着された複数のチップ(3)を、樹脂(5)によって一括して樹脂封止することにより構成され、区画(2)毎に区分する所定の線(区分線)(6)が設けられている。この区分線(6)に沿って溝(11)を設け、この区分線(6)に沿ってレーザ光(9)を照射し切削することによって、発生したドロス(10)が溝(11)を含む厚さで規定される範囲内に収容されやすくなる。   The main part (12) of the cutting apparatus adheres the sealed substrate (4) to the laser beam irradiation mechanism (14) that irradiates the sealed substrate (4), which is a cutting object, with the laser beam (9). And a base (13) on which the dicing tape (7) is arranged. The laser beam irradiation mechanism (14) is provided with an assist gas supply pipe (17) for supplying an assist gas (16), and the assist gas (16) is injected from the coaxial direction simultaneously with the irradiation of the laser beam (9). . The sealed substrate (4) is formed by collectively sealing a plurality of chips (3) mounted on the ceramic substrate (1) with a resin (5), and is divided into sections (2). A predetermined line (partition line) (6) is provided. A groove (11) is provided along the dividing line (6), and a laser beam (9) is irradiated and cut along the dividing line (6) so that the generated dross (10) forms the groove (11). It becomes easy to be accommodated in the range prescribed | regulated by the thickness to include.

本発明に係る電子部品製造用の切削装置及び切削方法の実施例1を、図1及び図2を参照して説明する。   Embodiment 1 of a cutting apparatus and a cutting method for manufacturing an electronic component according to the present invention will be described with reference to FIGS.

図1に示すように、回路基板であるセラミック基板1には、格子状に設けられた区画2に少なくとも1個のチップ3(例えばLEDチップ)が装着されている。封止済基板4は、セラミック基板1に装着された複数のチップ3を、樹脂5によって一括して樹脂封止することにより構成される。さらに、封止済基板4には、区画2毎に区分する所定の線(以下「区分線6」という。)が仮想的に設けられている。封止済基板4の裏面(チップ3非装着面)は、ダイシングテープ7に粘着されている。封止済基板4は、LEDレンズ8が形成された面(チップ3装着面)が上向きとなるようダイシングテープ7に粘着される。このダイシングテープ7はレーザ光9が透過する素材を用いているため、基板の個片化時に切削されることはない。したがって、ダイシングテープ7により、封止済基板4の裏面(チップ3非装着面)は保護されるとともに、封止済基板4を個片化して形成された複数の電子部品が散乱することなく、次工程の所定の場所まで一括して搬送される。   As shown in FIG. 1, at least one chip 3 (for example, an LED chip) is mounted on a section 2 provided in a lattice shape on a ceramic substrate 1 that is a circuit board. The sealed substrate 4 is configured by resin-sealing a plurality of chips 3 mounted on the ceramic substrate 1 together with a resin 5. Further, the sealed substrate 4 is virtually provided with a predetermined line (hereinafter referred to as “partition line 6”) for dividing the section 2. The back surface (chip 3 non-mounting surface) of the sealed substrate 4 is adhered to the dicing tape 7. The sealed substrate 4 is adhered to the dicing tape 7 so that the surface on which the LED lens 8 is formed (chip 3 mounting surface) faces upward. Since the dicing tape 7 is made of a material through which the laser light 9 is transmitted, the dicing tape 7 is not cut when the substrate is separated. Therefore, the dicing tape 7 protects the back surface (the chip 3 non-mounting surface) of the sealed substrate 4 and a plurality of electronic components formed by separating the sealed substrate 4 into individual pieces without scattering. It is conveyed all at once to a predetermined place in the next process.

セラミック基板1には、当該セラミック基板1を製造する工程において、切削時に生じたドロス10(図2参照)が収容される溝11を区分線6に沿って設ける。溝11の幅及び形状については、切削幅及び使用するレーザ光9の発振器等に応じて適宜選択する。溝11を形成する方法については、例えば、セラミック基板1をブレード等で切削する方法が挙げられる。   The ceramic substrate 1 is provided with a groove 11 along the dividing line 6 in which the dross 10 (see FIG. 2) generated during cutting in the process of manufacturing the ceramic substrate 1 is accommodated. The width and shape of the groove 11 are appropriately selected according to the cutting width and the oscillator of the laser beam 9 to be used. As a method of forming the groove 11, for example, a method of cutting the ceramic substrate 1 with a blade or the like can be mentioned.

切削部分の要部12は、封止済基板4を粘着したダイシングテープ7が貼着されることによって配置される基台13と、レーザ光照射機構14とから構成される。基台13は、制御部(図示なし)の指示により、矢印θで示す方向に回転が自在であり、かつ、水平方向(矢印Xと矢印Yとで示す方向。)にも移動可能である。レーザ光照射機構14は、基台13に対して鉛直方向(矢印Zで示す方向。以下「Z方向」という。)に移動可能に配設されている。   The main part 12 of the cutting part is composed of a base 13 arranged by adhering a dicing tape 7 to which the sealed substrate 4 is adhered, and a laser light irradiation mechanism 14. The base 13 can rotate freely in the direction indicated by the arrow θ and move in the horizontal direction (the direction indicated by the arrow X and the arrow Y) according to an instruction from a control unit (not shown). The laser beam irradiation mechanism 14 is disposed so as to be movable in the vertical direction (the direction indicated by the arrow Z; hereinafter referred to as “Z direction”) with respect to the base 13.

レーザ光照射機構14を構成するレーザ光9の発振器15は、セラミック基板1に用いられる物質の種類によって適宜選択する。例えば、YAGレーザ光発振器や炭酸ガスレーザ光発振器を用いる。また、封止済基板4に対してレーザ光照射機構14から照射するビーム径についても、セラミック基板1に用いられるセラミック物質の種類によって適宜選択する。
切削時に封止済基板4の表面に発生するドロス10の流出性を高めるため、切削部分に空気や窒素のような気体(以下、「アシストガス16」という。)を、アシストガス供給管17を使用して吹き込んでもよい。アシストガス16には、空気や窒素の他、アルゴン、ヘリウム、酸素、二酸化炭素等を使用してもよい。
The oscillator 15 of the laser beam 9 constituting the laser beam irradiation mechanism 14 is appropriately selected according to the type of substance used for the ceramic substrate 1. For example, a YAG laser light oscillator or a carbon dioxide laser light oscillator is used. Further, the beam diameter irradiated from the laser light irradiation mechanism 14 to the sealed substrate 4 is also appropriately selected according to the type of ceramic material used for the ceramic substrate 1.
In order to improve the flowability of the dross 10 generated on the surface of the sealed substrate 4 at the time of cutting, a gas such as air or nitrogen (hereinafter referred to as “assist gas 16”) is applied to the cut portion, and the assist gas supply pipe 17 is connected. May be used and blown. The assist gas 16 may use argon, helium, oxygen, carbon dioxide, etc. in addition to air and nitrogen.

以下、区分線6に沿って溝11が設けられたセラミック基板1がレーザ光9により切削される際の切削装置の動作を、図1を参照して説明する。
まず、基台13の所定の場所にダイシングテープ7を設置する。次に、封止済基板4をダイシングテープ7の所定の場所に粘着する。次に、レーザ光照射機構14より照射されたレーザ光9の焦点が封止済基板4のチップ3装着面に合うようレーザ光照射機構14を+Z方向に移動させて封止済基板4に近づける。これと同時に、封止済基板4に設けられた区分線6のうち、切削開始地点となる所定の位置にレーザ光9の焦点が合わさるよう基台13を移動させる。その後、レーザ光照射機構14の先端から照射されたレーザ光9がセラミック基板1の上に設けられた区分線6に沿って移動するよう、最も効率よく切削できるルートで基台13を移動させる。
Hereinafter, the operation of the cutting apparatus when the ceramic substrate 1 provided with the grooves 11 along the dividing line 6 is cut by the laser light 9 will be described with reference to FIG.
First, the dicing tape 7 is installed at a predetermined location on the base 13. Next, the sealed substrate 4 is adhered to a predetermined place of the dicing tape 7. Next, the laser light irradiation mechanism 14 is moved in the + Z direction so that the focal point of the laser light 9 irradiated from the laser light irradiation mechanism 14 is aligned with the chip 3 mounting surface of the sealed substrate 4 so as to approach the sealed substrate 4. . At the same time, the base 13 is moved so that the laser beam 9 is focused on a predetermined position serving as a cutting start point in the dividing line 6 provided on the sealed substrate 4. Thereafter, the base 13 is moved by a route that can be cut most efficiently so that the laser light 9 irradiated from the tip of the laser light irradiation mechanism 14 moves along the dividing line 6 provided on the ceramic substrate 1.

図2(1)に示されるように、区分線6に沿ってレーザ光9の照射を行うことによって封止済基板4の上部を構成する樹脂5を溶解する。やがて溶解が進行し、図2(2)に示されるように、レーザ光9が樹脂5の下に設けられたセラミック基板1も溶解し、封止済基板4を貫通することにより、電子部品が区画2毎に分離形成される。アシストガス供給管17から供給されたアシストガス16が、レーザ光9の照射と同時に同軸方向から噴射される。レーザ光9が照射される部分の樹脂5及びセラミックが溶融して生じたドロス10は、自らの重みとアシストガス16の吹きつけにより、下方へ流動する。この結果、区分線6に沿って切削された切断面に発生したドロス10が、形成された溝11を含む厚さで規定される範囲内に収容されやすくなる(図2(3)参照)。以上より、ドロス10が除去されるとともに、切断面もなめらかになるため、個片化された電子部品の品質が向上する。   As shown in FIG. 2 (1), the resin 5 constituting the upper part of the sealed substrate 4 is dissolved by irradiating the laser beam 9 along the dividing line 6. As the melting progresses, the ceramic substrate 1 provided under the resin 5 also melts and penetrates the sealed substrate 4 as shown in FIG. Separately formed for each compartment 2. The assist gas 16 supplied from the assist gas supply pipe 17 is jetted from the coaxial direction simultaneously with the irradiation of the laser light 9. The dross 10 generated by melting the resin 5 and the ceramic in the portion irradiated with the laser light 9 flows downward by its own weight and the blowing of the assist gas 16. As a result, the dross 10 generated on the cut surface cut along the dividing line 6 is easily accommodated within the range defined by the thickness including the formed groove 11 (see FIG. 2 (3)). As described above, since the dross 10 is removed and the cut surface is smooth, the quality of the separated electronic component is improved.

以下、本発明の実施例2を、図3を参照して説明する。   A second embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.

なお、実施例1と共通する構成要素及び動作については、説明の重複を避けるため省略する。   In addition, about the component and operation | movement common to Example 1, it abbreviate | omits in order to avoid duplication.

図3(1)に示されるように、区分線6に沿ってレーザ光9の照射を行うことによって封止済基板4の上部を構成する樹脂5を溶解する。やがて溶解が進行し、図3(2)に示されるように、レーザ光9が樹脂5の下に設けられたセラミック基板1も溶解し、封止済基板4を貫通することにより、電子部品が区画2毎に分離形成される。レーザ光9の照射と同時に同軸方向からアシストガス16を供給する。レーザ光9が照射される部分の樹脂5及びセラミックが溶融して生じたドロス10は、自らの重みとアシストガス16の吹きつけにより、下方へ流動する。この結果、区分線6に沿って切削された切断面に発生したドロス10が、形成された溝11を含む厚さで規定される範囲内に収容されやすくなる(図3(3)参照)ため、ドロス10が除去されやすくなるとともに、切断面もなめらかになり、個片化された電子部品の品質を向上させることができる。   As shown in FIG. 3 (1), the resin 5 constituting the upper part of the sealed substrate 4 is dissolved by irradiating the laser beam 9 along the dividing line 6. As the melting progresses, the ceramic substrate 1 provided under the resin 5 also melts and penetrates through the sealed substrate 4 as shown in FIG. Separately formed for each compartment 2. Simultaneously with the irradiation of the laser beam 9, the assist gas 16 is supplied from the coaxial direction. The dross 10 generated by melting the resin 5 and the ceramic in the portion irradiated with the laser light 9 flows downward by its own weight and the blowing of the assist gas 16. As a result, the dross 10 generated on the cut surface cut along the dividing line 6 is easily accommodated within a range defined by the thickness including the formed groove 11 (see FIG. 3 (3)). The dross 10 is easily removed, and the cut surface is smoothed, so that the quality of the separated electronic component can be improved.

さらに、実施例2では、セラミック基板1の上下両面に溝11が設けられているため、レーザ光9にて切削するセラミック基板1の厚さは実施例1と比べて薄くなる。この結果、レーザ光9の照射によるセラミックの溶解量が実施例1と比較して少なくなる。アルミナ等のセラミック基板1は高い硬度を有するので、従来の方法によればその切削には時間がかかる。しかし、本実施例によれば、セラミックの溶解量を減らすことによって、エネルギー効率も向上し切削に要する時間が短縮される。   Furthermore, in the second embodiment, since the grooves 11 are provided on the upper and lower surfaces of the ceramic substrate 1, the thickness of the ceramic substrate 1 cut by the laser light 9 is thinner than that in the first embodiment. As a result, the amount of ceramic dissolved by the irradiation with the laser beam 9 is reduced as compared with the first embodiment. Since the ceramic substrate 1 such as alumina has high hardness, it takes time to cut the ceramic substrate 1 according to the conventional method. However, according to this embodiment, by reducing the amount of ceramic dissolved, the energy efficiency is improved and the time required for cutting is shortened.

以下、本発明の実施例3を、図4を参照して説明する。本実施例では、樹脂5における区分線6に重なる部分にも溝11が設けられている。この場合には、溝11は樹脂5に重なっていることになる。   A third embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. In the present embodiment, the groove 11 is also provided in the portion of the resin 5 that overlaps the dividing line 6. In this case, the groove 11 overlaps the resin 5.

なお、実施例1及び実施例2に共通する構成要素及び動作については、説明の重複を避けるため省略する。   In addition, about the component and operation | movement common to Example 1 and Example 2, in order to avoid duplication of description, it abbreviate | omits.

図4(1)に示されるように、区分線6に沿ってレーザ光9の照射を行うことによって封止済基板4の上部を構成する樹脂5を溶解する。やがて溶解が進行し、図4(2)に示されるように、レーザ光9が樹脂5の下に設けられたセラミック基板1も溶解し、封止済基板4を貫通し、電子部品が区画2毎に分離形成される。レーザ光9の照射と同時に同軸方向からアシストガス16を供給する。レーザ光9が照射される部分の樹脂5及びセラミックが溶融して生じたドロス10は、自らの重みとアシストガス16の吹きつけにより、下方へ流動する。この結果、区分線6に沿って切削された切断面に発生したドロス10が形成された溝11を含む厚さで規定される範囲内に収容されやすくなる(図4(3)参照)ため、ドロス10が除去されやすくなるとともに、切断面もなめらかになり、個片化された電子部品の品質を向上させることができる。   As shown in FIG. 4 (1), the resin 5 constituting the upper part of the sealed substrate 4 is dissolved by irradiating the laser beam 9 along the dividing line 6. As the melting progresses, the ceramic substrate 1 provided under the resin 5 also melts as shown in FIG. 4 (2), penetrates the sealed substrate 4, and the electronic component is partitioned 2 Separately formed every time. Simultaneously with the irradiation of the laser beam 9, the assist gas 16 is supplied from the coaxial direction. The dross 10 generated by melting the resin 5 and the ceramic in the portion irradiated with the laser light 9 flows downward by its own weight and the blowing of the assist gas 16. As a result, the dross 10 generated on the cut surface cut along the dividing line 6 is easily accommodated within the range defined by the thickness including the groove 11 (see FIG. 4 (3)). The dross 10 is easily removed, and the cut surface is smooth, so that the quality of the separated electronic component can be improved.

さらに、実施例3では、封止済基板4の両面に溝11が設けられているため、レーザ光9にて切削する封止済基板4の厚さが実施例1及び実施例2と比較して最も薄くなる。この結果、レーザ光9の照射による溶解量も実施例1及び実施例2と比較して最も少なくなる。溶解量を減らすことによって、ドロス10の発生量もより少なくなり、切断面への再溶着を高い確率で防止することができる。   Furthermore, in Example 3, since the groove | channel 11 is provided in both surfaces of the sealed substrate 4, the thickness of the sealed substrate 4 cut with the laser beam 9 is compared with Example 1 and Example 2. The thinnest. As a result, the amount of dissolution due to the irradiation of the laser beam 9 is the smallest as compared with the first and second embodiments. By reducing the amount of dissolution, the amount of dross 10 generated is also reduced, and re-welding to the cut surface can be prevented with a high probability.

なお、実施例3で樹脂5に設けられた溝11は、レーザ光9やブレード等によって形成される。また、樹脂封止する際に使用される金型構造によって、溝11を形成してもよい。さらに、封止済基板4に、樹脂5が形成されていない部分を区分線6に重ねて設けてもよい。   The groove 11 provided in the resin 5 in the third embodiment is formed by the laser light 9 or a blade. Moreover, you may form the groove | channel 11 with the metal mold | die structure used when resin-sealing. Furthermore, a portion where the resin 5 is not formed may be provided on the sealed substrate 4 so as to overlap the dividing line 6.

また、ここまでの各実施例では、チップ3としてLEDチップを、基板としてセラミック基板を、それぞれ有する封止済基板4について説明した。これに限らず、チップ3としてレーザダイオードチップを使用することもできる。更に、チップ3としてパワー半導体チップを、基板としてセラミック基板、リードフレーム、メタルベース基板、メタルコア基板等を、それぞれ使用することによって、パワー半導体部品を製造する際に本発明を適用することもできる。また、光半導体チップと上述したリードフレーム等を使用する際に本発明を適用してもよい。   In each of the embodiments so far, the sealed substrate 4 having the LED chip as the chip 3 and the ceramic substrate as the substrate has been described. However, the present invention is not limited to this, and a laser diode chip may be used as the chip 3. Furthermore, by using a power semiconductor chip as the chip 3 and a ceramic substrate, a lead frame, a metal base substrate, a metal core substrate, or the like as the substrate, the present invention can be applied when manufacturing a power semiconductor component. Further, the present invention may be applied when using the optical semiconductor chip and the lead frame described above.

また、本発明は、上述の各実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意にかつ適宜に組み合わせ、変更し、又は選択して採用できるものである。   In addition, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and may be arbitrarily combined, changed, or selected as necessary without departing from the spirit of the present invention. It can be done.

1 セラミック基板
2 区画
3 チップ
4 封止済基板
5 樹脂
6 区分線(所定の線)
7 ダイシングテープ
8 LEDレンズ
9 レーザ光
10 ドロス
11 溝(薄層部)
12 切削装置の要部
13 基台
14 レーザ光照射機構
15 発振器
16 アシストガス
17 アシストガス供給管
1 Ceramic substrate
2 division 3 chip 4 sealed substrate 5 resin 6 dividing line (predetermined line)
7 Dicing tape 8 LED lens 9 Laser light 10 Dross 11 Groove (thin layer part)
12 Major Parts of Cutting Device 13 Base 14 Laser Light Irradiation Mechanism
15 Oscillator 16 Assist Gas 17 Assist Gas Supply Pipe

Claims (8)

回路基板と該回路基板に装着されたチップと該チップを樹脂封止する樹脂とを有する封止済基板を、レーザ光を使用して所定の線に沿って切削し個片化することによって電子部品を製造する電子部品製造用の切削装置であって、
粘着テープを介して前記封止済基板が粘着される基台と、
前記基台に固定された前記封止済基板の前記所定の線に向けて前記レーザ光を照射する照射機構と、
前記封止済基板の前記所定の線に向けてアシストガスを噴射する噴射機構とを備え、
前記所定の線は前記回路基板に予め設けられた薄層部に重なっていることを特徴とする電子部品製造用の切削装置。
A sealed substrate having a circuit board, a chip mounted on the circuit board, and a resin for sealing the chip with resin is cut along a predetermined line using a laser beam and separated into pieces. A cutting device for manufacturing electronic parts for manufacturing parts,
A base to which the sealed substrate is adhered via an adhesive tape;
An irradiation mechanism for irradiating the laser beam toward the predetermined line of the sealed substrate fixed to the base;
An injection mechanism for injecting an assist gas toward the predetermined line of the sealed substrate,
The cutting apparatus for manufacturing an electronic component, wherein the predetermined line overlaps a thin layer portion provided in advance on the circuit board.
請求項1に記載された電子部品製造用の切削装置であって、
前記薄層部は前記回路基板の少なくとも一方の面に形成されていることを特徴とする電子部品製造用の切削装置。
A cutting device for manufacturing an electronic component according to claim 1,
The thin layer part is formed on at least one surface of the circuit board.
請求項1又は2に記載された電子部品製造用の切削装置であって、
前記封止済基板における前記薄層部に重なる部分には、前記樹脂の薄い部分が設けられていることを特徴とする電子部品製造用の切削装置。
A cutting apparatus for manufacturing an electronic component according to claim 1 or 2,
A cutting apparatus for manufacturing an electronic component, wherein a thin portion of the resin is provided on a portion of the sealed substrate that overlaps the thin layer portion.
請求項1〜3のいずれかに記載された電子部品製造用の切削装置であって、
前記封止済基板が個片化された前記電子部品が粘着した前記粘着テープを、次工程の所定の場所まで搬送する搬送機構を設けたことを特徴とする電子部品製造用の切削装置。
A cutting apparatus for manufacturing an electronic component according to any one of claims 1 to 3,
A cutting apparatus for manufacturing an electronic component, comprising: a transport mechanism that transports the adhesive tape to which the electronic component having the sealed substrate separated into pieces to a predetermined place in a next process is provided.
回路基板と該回路基板に装着されたチップと該チップを樹脂封止する樹脂とを有する封止済基板を、レーザ光を使用して所定の線に沿って切削し個片化することによって電子部品を製造する電子部品製造用の切削方法であって、
前記所定の線に重なるようにして予め薄層部が設けられた前記回路基板を有する前記封止済基板を準備する工程と
粘着テープを介して基台に前記封止済基板を粘着させる工程と、
前記所定の線に向けて前記レーザ光を照射することによって前記封止済基板を前記電子部品に個片化する工程と、
前記所定の線に向けてアシストガスを噴射する工程と、
前記電子部品が粘着されている前記粘着テープを搬送する工程とを備えたことを特徴とする電子部品製造用の切削方法。
A sealed substrate having a circuit board, a chip mounted on the circuit board, and a resin for sealing the chip with resin is cut along a predetermined line using a laser beam and separated into pieces. A cutting method for manufacturing electronic parts for manufacturing parts,
A step of preparing the sealed substrate having the circuit board provided with a thin layer portion in advance so as to overlap the predetermined line; and a step of adhering the sealed substrate to a base via an adhesive tape; ,
Dividing the sealed substrate into the electronic components by irradiating the laser beam toward the predetermined line; and
Injecting an assist gas toward the predetermined line;
And a step of conveying the pressure-sensitive adhesive tape to which the electronic component is adhered.
請求項6に記載された電子部品製造用の切削方法において、
前記個片化する工程では、前記所定の線の近傍において前記樹脂と前記回路基板とが溶融することによって生じたドロスの少なくとも一部が前記封止済基板における厚さで規定される範囲に収容されることを特徴とする電子部品製造用の切削方法。
In the cutting method for electronic component manufacture described in Claim 6,
In the step of dividing into pieces, at least a part of dross generated by melting the resin and the circuit board in the vicinity of the predetermined line is accommodated in a range defined by the thickness of the sealed substrate. A cutting method for manufacturing an electronic component.
請求項5又は6に記載された電子部品製造用の切削方法において、
前記薄層部は前記回路基板の少なくとも一方の面に形成されていることを特徴とする電子部品製造用の切削方法。
In the cutting method for electronic component manufacture described in Claim 5 or 6,
The thin layer portion is formed on at least one surface of the circuit board.
請求項5〜7のいずれかに記載された電子部品製造用の切削方法において、
前記薄層部は前記樹脂が形成されていない部分又は前記樹脂に重なっていることを特徴とする電子部品製造用の切削方法。
In the cutting method for electronic component manufacture described in any one of Claims 5-7,
The thin layer portion is a portion where the resin is not formed or overlaps with the resin.
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