JP2010171190A - 半導体装置および電子モジュール、並びに半導体装置および電子モジュールの製造方法、並びに電子モジュールの検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電気的な接続信頼性の高い半導体装置および電子モジュール、並びに電気的な接合度および水平度の少なくとも一方を定量的かつ簡便に検査することができる電子モジュールの製造方法および電子モジュールの検査方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、集積回路が形成され、前記集積回路に電気的に接続された電極を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記電極が形成された面において、第１の直線上に形成された少なくとも１つの第１の樹脂突起と、前記電極と電気的に接続されてなり、前記第１の樹脂突起上に至るように形成された第１の配線と、前記半導体基板の前記電極が形成された面において、前記第１の直線上に形成された第２の樹脂突起と、前記第２の樹脂突起上に形成された第２の配線と、を有し、前記第１の直線上における前記第１の配線、および前記第２の配線は、前記第１の直線に対して直交して延在する。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置および電子モジュール、並びに半導体装置および電子モジュールの製造方法、並びに電子モジュールの検査方法に関する。

例えば、ガラス等からなる配線基板に半導体装置が実装されたタイプの電子モジュールが知られている。信頼性の高い電子モジュールを製造するためには、配線基板の配線パターンと半導体装置の配線とを、確実に電気的に接合させることが重要である。電子モジュールの信頼性を高めるためには、電気的な接合度を定量的に検査することが望まれる。また、簡便に検査することができれば、半導体装置と配線基板間の電気的接合において信頼性の高い電子モジュールを効率的に製造することができる。
特開２０００−１０５３８８号公報

本発明の目的の１つは、電子モジュールとして実装された場合に、定量的に、かつ、簡便に電気的接合度を検査することができる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。

本発明の目的の１つは、定量的に、かつ、簡便に電気的接合度を検査することができ、電気的な接続信頼性の高い電子モジュールおよびその製造方法を提供することにある。

本発明の目的の１つは、半導体基板と配線基板間の電気的な接合度を定量的に、かつ、簡便に検査するため電子モジュールの検査方法を提供することにある。

（１）本発明に係る半導体装置は、
集積回路が形成され、前記集積回路に電気的に接続された電極を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記電極が形成された面において、第１の直線上に形成された少なくとも１つの第１の樹脂突起と、
前記電極と電気的に接続されてなり、前記第１の樹脂突起上に至るように形成された第１の配線と、
前記半導体基板の前記電極が形成された面において、前記第１の直線上に形成された第２の樹脂突起と、
前記第２の樹脂突起上に形成された第２の配線と、
を有し、
前記第１の直線上における前記第１の配線および前記第２の配線は、前記第１の直線に対して直交して延在することを含む。

本発明によれば、電子モジュールとして実装された場合に、定量的に、かつ、簡便に電気的接合度を検査することができる半導体装置を提供することができる。

（２）本発明に係る半導体装置において、
前記第２の配線は、ダミー配線であってもよい。

（３）本発明に係る半導体装置において、
前記第２の配線は、前記第２の配線の中央部分である第１の部分と、前記第１の部分を挟む第２の部分を有し、
前記第１の部分の幅は、前記第２の部分の幅と異なってよい。

（４）本発明に係る半導体装置において、
前記第１の部分の幅は、前記第２の部分の幅より狭くてもよい。

（５）本発明に係る半導体装置において、
前記第１の樹脂突起の前記第１の配線がオーバーラップした部分における断面形状および断面積は、前記第２の樹脂突起の前記第２の配線がオーバーラップした部分における断面形状および断面積と、実質的に同じであってもよい。

（６）本発明に係る半導体装置は、
集積回路が形成され、前記集積回路に電気的に接続された電極を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記電極が形成された面において第１の直線上および前記第１の直線と交差する第２の直線上に形成された複数の第１の樹脂突起と、
前記電極と電気的に接続されてなり、前記複数の第１の樹脂突起上に至るように形成された第１の配線と、
前記半導体基板の前記電極が形成された面において、前記第１の直線と前記第２の直線との交点上に形成された第２の樹脂突起と、
前記第２の樹脂突起上に形成された第２の配線と、
前記第２の樹脂突起上にて前記第２の配線と交差するように形成された第３の配線と、
を有し、
前記第１の直線上における前記第１の配線および前記第２の配線は、前記第１の直線に対して直交して延在し、
前記第２の直線上における前記第１の配線および前記第３の配線は、前記第２の直線に対して直交して延在することを含む。

本発明によれば、電子モジュールとして実装された場合に、定量的に、かつ、簡便に電気的接合度を検査することができる半導体装置を提供することができる。

（７）本発明に係る半導体装置において、
前記第２の配線および第３の配線は、ダミー配線であってもよい。

（８）本発明に係る半導体装置において、
前記第１の直線と前記第２の直線は直交し、
前記第２の配線と前記第３の配線は、前記第２の樹脂突起上において直交してもよい。

（９）本発明に係る半導体装置において、
前記第２の配線は、前記第２の配線の中央部分である第１の部分と、前記第１の部分を挟む第２の部分を有し、
前記第３の配線は、前記第３の配線の中央部分である第３の部分と、前記第３の部分を挟む第４の部分を有し、
前記第１の部分の幅は、前記第２の部分の幅と異なり、
前記第３の部分の幅は、前記第４の部分の幅と異なってもよい。

（１０）本発明に係る半導体装置において、
前記第１の部分の幅は、前記第２の部分の幅より狭く、
前記第３の部分の幅は、前記第４の部分の幅より狭くてもよい
（１１）本発明に係る半導体装置において、
前記第１の樹脂突起の前記第１の配線がオーバーラップした部分における断面形状および断面積は、前記第２の樹脂突起の前記第２の配線がオーバーラップした部分における断面形状および断面積と、前記第２の樹脂突起の前記第３の配線がオーバーラップした部分における断面形状および断面積と、実質的に同じであってもよい。

（１２）本発明に係る半導体装置において、
前記半導体基板は矩形をなし、
前記第１の直線は、前記半導体基板の隣り合う２辺の少なくとも一方に延び、
前記第２の直線は、前記半導体基板の隣り合う２辺の、前記第１の直線とは異なる一方に延び、
少なくとも３つの角部に前記第２の樹脂突起が配置されてなってもよい。

（１３）本発明に係る半導体装置において、
少なくとも３つの前記第２の樹脂突起は、実質的に同じ形状を有していてもよい。

（１４）本発明に係る電子モジュールは、
本発明に係る半導体装置が、配線基板に対して押圧されることによって、実装されてなる電子モジュールであって、
前記配線基板は、ベース基板と、前記ベース基板上に形成された配線パターンと、
を有し、
前記第１の配線の前記第１の樹脂突起とオーバーラップする部分の一部と前記配線パターンの一部である電気的接続部とが電気的に接続されてなることを含む。

本発明によれば、定量的に、かつ、簡便に電気的接合度を検査することができ、電気的な接続信頼性の高い電子モジュールを提供することができる。

（１５）本発明に係る電子モジュールの検査方法は、
本発明に係る電子モジュールを検査する方法であって、
前記第２の配線における前記第２の樹脂突起とオーバーラップする部分と前記ベース基板との接触部分の接触長さＬ１を測定する工程と、
前記接触長さＬ１を用いて、前記半導体装置と前記配線基板との電気的接合度を判定する工程と、を含む。

本発明によれば、半導体装置と配線基板との電気的な接合度を定量的に、かつ、簡便に検査することができる電子モジュールの検査方法を提供することができる。

（１６）本発明に係る電子モジュールの検査方法において、
前記電気的接合度を判定する工程において、
前記接触長さＬ１が、前記第１の配線の配線幅より長いことを以って、前記半導体装置と前記配線基板との電気的接合度が良好であると判定してもよい。

（１７）本発明に係る電子モジュールの検査方法は、
本発明に係る電子モジュールを検査する方法であって、
前記第２の配線における前記第２の樹脂突起とオーバーラップする部分と前記ベース基板との接触部分の接触長さＬ１を測定する工程と、
前記第３の配線における前記第２の樹脂突起とオーバーラップする部分と前記ベース基板との接触部分の接触長さＬ２を測定する工程と、
前記接触長さＬ１およびＬ２を用いて、前記半導体装置と前記配線基板との電気的接合度を判定する工程と、を含む。

本発明によれば、半導体装置と配線基板との電気的な接合度を定量的に、かつ、簡便に検査することができる電子モジュールの検査方法を提供することができる。

（１８）本発明に係る電子モジュールの検査方法において、
前記電気的接合度を判定する工程において、
前記接触長さＬ１およびＬ２が、前記第１の配線の配線幅より長いことを以って、前記半導体装置と前記配線基板との電気的接合度が良好であると判定してもよい。

（１９）本発明に係る電子モジュールの検査方法は、
本発明に係る電子モジュールを検査する方法であって、
前記第２の配線および前記第３の配線の少なくとも一方における配線の幅の違いを用いて、前記半導体装置と前記配線基板との電気的接合度を判定することを含む。
本発明によれば、半導体装置と配線基板との電気的な接合度を定量的に、かつ、簡便に検査することができる電子モジュールの検査方法を提供することができる。

また、本発明によれば、より視覚的に判定しやすい電子モジュールの検査方法を提供することができる。

（２０）本発明に係る電子モジュールの検査方法において、
前記第２の配線における前記第２の部分および前記第３の配線における前記第４の部分の少なくとも一方を用いて、前記半導体装置と前記配線基板との電気的接合度を判定してもよい。

（２１）本発明に係る電子モジュールの検査方法は、
本発明に係る電子モジュールを検査する方法であって、
少なくとも３つの前記角部に配置された複数の前記第２の樹脂突起において、
前記第２の配線における前記第２の樹脂突起とオーバーラップする部分と前記ベース基板との接触部分の接触長さＬ１と、前記第３の配線における前記第２の樹脂突起とオーバーラップする部分と前記ベース基板との接触部分の接触長さＬ２と、をそれぞれ測定する工程と、
少なくとも３つの前記角部における前記接触長さＬ１および前記接触長さＬ２を用いて、前記半導体基板の前記配線基板に対する水平度を判定する工程と、
を含む。

本発明によれば、半導体装置と配線基板との電気的な接合度を定量的に、かつ、簡便に検査することができる電子モジュールの検査方法を提供することができる。

また、本発明によれば、本発明に係る半導体装置の配線基板に対する水平度を検査することができる電子モジュールの検査方法を提供することができる。

（２２）本発明に係る電子モジュールの製造方法は、
本発明に係る半導体装置を準備する工程と、
ベース基板と、前記ベース基板上に形成された配線パターンと、を有する配線基板を準備する工程と、
前記半導体基板を前記配線基板に対して押圧し、前記第１の配線における前記第１の樹脂突起とオーバーラップする部分の一部と前記配線パターンの電気的接続部とを電気的に接続する工程と、
前記第２の配線における前記第２の樹脂突起とオーバーラップする部分と前記ベース基板との接触部分の接触長さＬ１、および前記第３の配線における前記第２の樹脂突起とオーバーラップする部分と前記ベース基板との接触部分の接触長さＬ２、の少なくとも一方を測定する工程と、
前記接触長さＬ１およびＬ２の少なくとも一方を用いて、前記半導体装置と前記配線基板との電気的接合度を判定する工程と、
を含む。

本発明によれば、定量的に、かつ、簡便に電気的接合度を検査することができ、電気的な接続信頼性の高い電子モジュールを提供することができる。

（２３）本発明に係る電子モジュールの製造方法において、
前記電気的接合度を判定する工程は、前記半導体基板を前記配線基板に対して加熱しながら押圧する工程とともに行われてもよい。

本発明によれば、製造中に電気的接合の不良を防ぐことができるので、電気的な接続信頼性の高い電子モジュール効率よく提供することができる。

（２４）本発明に係る電子モジュールの製造方法において、
前記電気的接合度を判定する工程は、前記半導体基板の前記配線基板に対する水平度を検査する工程をさらに含んでいてもよい。

本発明によれば、製造中に電気的接合の不良を防ぐことができるので、電気的な接続信頼性の高い電子モジュール効率よく提供することができる。

（２５）本発明に係る半導体装置の製造方法は、
少なくとも１つの集積回路が形成され、前記集積回路に電気的に接続された電極が形成された半導体基板を用意する工程と、
前記電極が形成された面において第１の直線上に少なくとも１つの第１の樹脂突起を形成する工程と、
前記第１の樹脂突起上に、前記電極と電気的に接続する第１の配線を前記第１の直線に直交するように形成する工程と、
前記第１の直線上に第２の樹脂突起を形成する工程と、
前記第２の樹脂突起上に、前記第１の直線に直交するように第２の配線を形成する工程と、を含む。

本発明によれば、電子モジュールとして実装された場合に、定量的に、かつ、簡便に電気的接合度を検査することができる半導体装置を簡便な方法で提供することができる。

（２６）本発明に係る半導体装置の製造方法は、
少なくとも１つの集積回路が形成され、前記集積回路に電気的に接続された電極が形成された半導体基板を用意する工程と、
前記電極が形成された面において第１の直線上および前記第１の直線と交差する第２の直線上に複数の第１の樹脂突起を形成する工程と、
前記第１の樹脂突起上に、前記電極と電気的に接続する第１の配線を前記第１の直線に直交するように形成する工程と、
前記第１の直線と前記第２の直線との交点上に第２の樹脂突起を形成する工程と、
前記第２の樹脂突起上に、前記第１の直線に直交するように第２の配線を形成し、前記第２の直線に直交するように第３の配線を形成する工程と、を含む。

本発明によれば、電子モジュールとして実装された場合に、定量的に、かつ、簡便に電気的接合度を検査することができる半導体装置を簡便な方法で提供することができる。

以下に、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態のみに限定されるものではない。本発明は、以下の実施の形態および変形例を自由に組み合わせたものを含むものとする。

１． 第１の実施の形態
１．１ 半導体装置
以下、図面を参照して、第１の実施の形態に係る半導体装置について説明する。

図１（Ａ）は、本実施の形態に係る半導体装置１００を模式的に示す平面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す半導体装置１００のIＢ−IＢ線断面図である。図２（Ａ）は、本実施の形態に係る半導体装置１００の要部を模式的に示す斜視図であり、図２（Ｂ）は、本実施の形態に係る半導体装置１００の要部を模式的に示す平面図である。図２（Ｃ）は、本実施の形態に係る半導体装置１００の要部の変型例を模式的に示す平面図である。

本実施の形態に係る半導体装置１００は、図１（Ａ）に示すように、電極１４を有する半導体基板１０と、半導体基板１０の電極１４が形成された面において、第１の直線１１０上に形成された少なくとも１つの第１の樹脂突起２０と、電極１４と電気的に接続されてなり、第１の樹脂突起２０上に至るように形成された第１の配線４０と、半導体基板１０の電極１４が形成された面において、第１の直線１１０上に形成された第２の樹脂突起３０と、第２の樹脂突起４０上に形成された第２の配線５０と、を含む。

半導体基板１０は、図１（Ａ）に示すように、チップ状をなしていてもよい。すなわち、半導体基板１０は半導体チップであってもよい。あるいは、半導体基板１０は、ウエハ状をなしていてもよい（図示せず）。半導体基板１０は、例えばシリコン基板であってもよい。このとき、半導体基板１０は、複数の半導体装置となる領域を含んでいてもよい。図１（Ｂ）に示すように、半導体基板１０には、集積回路１２が形成される。集積回路１２の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。半導体基板１０がチップ状をなす場合、図１（Ａ）に示すように、半導体基板１０の集積回路１２が形成された面（能動面）は矩形をなしていてもよい。

半導体基板１０は、図１（Ｂ）に示すように、電極１４を有する。電極１４は、半導体基板１０の内部に形成された集積回路１２と内部配線（図示せず）によって電気的に接続されていてもよい。電極１４は、半導体基板１０の内部配線の一部であってもよい。電極１４が形成される領域は特に限定されるものではなく、集積回路１２が形成される領域以外において、形成されていてもよい。また、電極１４は、集積回路１２が形成される領域において形成されていてもよい。また半導体基板１０の能動面が矩形をなす場合、電極１４は、例えば、該矩形の長辺および短辺のいずれか一方に沿って配列されていてもよい。電極１４は、アルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）等の金属で形成されていてもよい。

半導体基板１０は、図１（Ｂ）に示すように、パッシベーション膜１６を有する。パッシベーション膜１６は、電極１４の少なくとも一部を露出させるように形成されていてもよい。パッシベーション膜１６は、電極１４を露出させる開口を有していてもよい。パッシベーション膜１６は、例えば、ＳｉＯ_２やＳｉＮ等の無機絶縁膜であってもよい。あるいは、パッシベーション膜１６は、ポリイミド樹脂などの有機絶縁膜であってもよい。

第１の樹脂突起２０は、図１（Ｂ）に示すように、半導体基板１０の電極１４が形成された面に形成される。第１の樹脂突起２０は、パッシベーション膜１６上に形成されることができる。第１の樹脂突起２０が形成される位置は特に限定されるものではなく、例えば、半導体基板１０の端部に沿って電極１４が形成される場合、電極１４よりも中央側に第１の樹脂突起２０が形成されていてもよい。また、例えば、半導体基板１０の外形が矩形をなす場合、図１（Ａ）に示すように、第１の樹脂突起２０は、その長辺に沿って延びるように形成されていてもよい。また、第１の樹脂突起２０の形状は、特に限定されるものではない。図１（Ｂ）に示すように、第１の樹脂突起２０の表面は、曲面になっていてもよい。このとき、第１の樹脂突起２０の後述される第１の配線４０がオーバーラップした部分における断面２１は、略半円状をなしていてもよい。第１の樹脂突起２０の材料は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの材料を適用することができる。例えば、第１の樹脂突起２０は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）、フェノール樹脂等の樹脂で形成されていてもよい。

第１の樹脂突起２０は、図１（Ａ）に示すように、半導体基板１０の電極１４が形成された面（パッシベーション膜１６上）における設計上の概念線である第１の直線１１０に沿って形成される。例えば、第１の樹脂突起２０は、第１の樹脂突起２０の頂部（最も厚みを有する部分）の下方に第１の直線１１０が位置するように形成される。

第１の直線１１０は、半導体基板１０の電極１４が形成された面において所定の方向に配置されることができる。例えば、半導体基板１０が矩形をなす場合は、第１の直線１１０は、長手方向もしくは短手方向のいずれか一方に沿って位置されていてもよい。図１（Ａ）に示すように、第１の直線１１０は、集積回路１２の形成される領域の周辺部に沿って配置されてもよいし、集積回路１２の中央部分を通るように配置されてもよい（図示せず）。また、半導体基板１０において第１の直線１１０の数は限定されることはなく、複数存在してもよい。例えば、図１（Ａ）に示すように、それぞれの第１の直線１１０上に第１の樹脂突起２０が形成されていてもよい。

第２の樹脂突起３０は、図１（Ｃ）、および図２（Ａ）に示すように、半導体基板１０の電極１４が形成された面（パッシベーション膜１６上）に、第１の樹脂突起２０と間隔をあけて形成される。第２の樹脂突起３０が配置される位置は、図２（Ａ）に示すように、第１の樹脂突起２０と同様に第１の直線１１０上であれば、特に限定されるものではない。例えば、第２の樹脂突起３０は、第２の樹脂突起３０の頂部（最も厚みを有する部分）の下方に第１の直線１１０が位置するように形成される。また、図１（Ａ）に示すように、第１の樹脂突起２０を挟むようにして複数の第２の樹脂突起３０を配置してもよい。また、第２の樹脂突起３０は、樹脂材料によって形成されており、集積回路１２の駆動回路等に対する応力の緩和効果を有しているため、集積回路１２の形成される領域外に形成されてもよく、また集積回路１２の形成される領域内に形成されてもよい（図示せず）。第２の樹脂突起３０の形状は特に限定されるものではなく、図１（Ｃ）に示すように、第２の樹脂突起３０の表面は、曲面になっていてもよい。このとき、第２の樹脂突起３０の後述される第２の配線５０がオーバーラップした部分における断面３１は、略半円状をなしていてもよい。第２の樹脂突起３０の材料は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの材料を適用することができる。例えば、第２の樹脂突起３０は、上述した第１の樹脂突起２０と同一の材料から構成されていてもよい。

第１の配線４０は、図１（Ｂ）に示すように、電極１４上から、パッシベーション膜１６上を通って、第１の樹脂突起２０上に至るように形成される。また、図１（Ａ）に示すように、第１の配線４０は、第１の直線１１０に直交して延在するように形成される。第１の配線４０は、電極１４に電気的に接続している。例えば、第１の配線４０と電極１４は直接接触していてもよいし、両者間に導電膜（図示せず）が介在していてもよい。また、図１（Ａ）に示すように、半導体装置１００は、複数の第１の配線４０を含んでいてもよい。このとき、複数の第１の配線４０が、１つの第１の樹脂突起２０を乗り越えるように形成されていてもよい。また、１つの第１の樹脂突起２０に、１つの第１の配線４０のみが形成されてもよい（図示せず）。１つの第１の樹脂突起２０に、１つの第１の配線４０のみが形成されている場合、第１の樹脂突起２０は半球状の形状であってもよい（図示せず）。第１の配線４０の構造及び材料は、特に限定されるものではない。例えば、第１の配線４０は、単層で形成されていてもよい。あるいは、図１（Ｂ）に示すように、第１の配線４０は、複数層で形成されていてもよい。このとき、第１の配線４０は、例えば、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）またはチタン（Ｔｉ）によって形成された第１の層と、金（Ａｕ）によって形成された第２の層とを含んでいてもよい。

第２の配線５０は、図１（Ｃ）に示すように、第２の樹脂突起３０上に形成される。第２の配線５０は、少なくとも第２の樹脂突起３０上に形成されればよいが、形成される領域は特に限定はされず、図１（Ｃ）に示すように、パッシベーション膜１６上に至るように形成されていてもよい。また、図１（Ａ）に示すように、第２の配線５０は、第１の直線１１０に直交して延在するように形成される。言い換えれば、第２の配線５０は、第１の配線４０と同一の方向に延びるように形成される。第２の配線５０は、電極１４と電気的に接続されていてもよいし、接続されてなくてもよい。電極１４と電気的に接続されていない場合、第２の配線５０は、ダミー配線であることができる。第２の配線５０の構造及び材料は、特に限定されるものではない。例えば、第２の配線５０は、単層で形成されていてもよい。あるいは、図１（Ｃ）に示すように、第２の配線５０は、複数層で形成されていてもよい。このとき、第２の配線５０は、チタンタングステンまたはチタンによって形成された第１の層と、金によって形成された第２の層とを含んでいてもよい。また、第１および第２の配線４０、５０は同一の材料と同一の積層構造によって構成されていてもよい。

図１（Ｂ）および図１（Ｃ）に示すように、第１の樹脂突起２０の第１の配線４０がオーバーラップした部分における断面２１と、第２の樹脂突起３０の第２の配線５０がオーバーラップした部分における断面３１とは、その形状、および断面積において実質的に同じでもよい。言い換えれば、第１の樹脂突起２０と第２の樹脂突起３０の形成される高さと、断面２１と断面３１におけるそれぞれの底辺の長さが実質的に同じであることができる。

図２（Ｂ）、および図２（Ｃ）は、第２の樹脂突起３０の形状の変形例を模式的に示す平面図であり、第２の樹脂突起３０の底面形状３２を示すものである。上述の通り、第２の樹脂突起３０の形状は、第２の樹脂突起３０と第２の配線５０がオーバーラップした部分における断面３１が、第１の樹脂突起２０の第１の配線４０がオーバーラップした部分における断面２１と実質的に同じであればよい。したがって、図２（Ｂ）に示すように、第２の樹脂突起３０の底面形状３２は、略四角形であってもよいし、図２（Ｃ）に示すように、略円形であってもよい。

本実施の形態に係る半導体装置１００は、例えば、以下の特徴を有する。

本実施の形態に係る半導体装置１００よれば、第１の直線１１０上における第２の樹脂突起３０上に形成された第２の配線５０を用いて、第１の直線１１０上に形成された第１の配線４０の電気的な接合度を定量的に、かつ、簡便に検査することができる。

以上によって、本実施の形態に係る半導体装置１００によれば、電気的な接続信頼性の高い半導体装置および電子モジュールを提供することができる。なお、本実施の形態に係る検査方法についての詳細は後述される。

１．２． 半導体装置の製造方法
以下、図面を参照して、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。

図３（Ａ）〜図４（Ｄ）は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、少なくとも１つの集積回路１２が形成され、集積回路１２に電気的に接続された電極１４が形成された半導体基板１０を用意する工程と、電極１４が形成された面において第１の直線１１０上に少なくとも１つの第１の樹脂突起２０を形成する工程と、第１の樹脂突起２０上に、電極１４と電気的に接続する第１の配線４０を第１の直線１１０に直交するように形成する工程と、前記第１の直線１１０上に第２の樹脂突起３０を形成する工程と、第２の樹脂突起３０上に、第１の直線１１０に直交するように第２の配線５０を形成する工程と、を含む。

まず、複数の集積回路１２が間隔をあけて形成されてそれぞれの集積回路１２に電気的に接続された電極１４が形成された半導体基板１０（半導体ウエハまたはチップ）を用意する。その構成の詳細は、上述した通りである。

用意した半導体基板１０に、例えば、熱硬化性であって感光性の樹脂前駆体層６０を公知の技術を用い形成する（図示せず）。次に、図３（Ａ）に示すように、これをパターニングして、第１及び第２の樹脂前駆体層６１、６２を所望の形状に成形する。一体的な樹脂前駆体層６０から同時に成形するので、第１及び第２の樹脂前駆体層６１、６２の高さを容易に等しくすることができる。ここで、第１及び第２の樹脂前駆体層６１、６２は、それぞれ第１の直線１１０の上方に配置される。

第１及び第２の樹脂前駆体層６１、６２を熱処理して、図３（Ｂ）に示すように、第１及び第２の樹脂突起２０、３０を形成する。第１及び第２の樹脂層２０、３０のその他の詳細も上述した通りである。

図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示すように、パッシベーション膜１６、電極１４並びに第１及び第２の樹脂突起２０、３０上に導電膜７０を形成する。その形成には、例えばスパッタリングを適用してもよい。導電膜７０は単層で形成されてもよいし、図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示すように、複数層で形成されてもよい。

図４（Ｃ）および図４（Ｄ）に示すように、導電膜７０をパターニング（エッチング）して、第１の配線４０を、電極１４に電気的に接続するように第１の樹脂突起２０上に形成する。また同時に、導電膜７０をパターニング（エッチング）して、第２の配線５０を、第２の樹脂突起３０上に形成する。また、第１の配線４０を形成する工程で、１つの第１の樹脂突起２０上に、相互に間隔をあけて複数の配線４０を形成してもよい（図１（Ａ）参照）。第１の配線４０、および第２の配線５０の詳細も上述した通りである。

半導体基板１０が半導体ウエハである場合、所望のサイズに切断され、半導体装置１００を形成してもよい（図示せず）。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、例えば、以下の特徴を有する。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法よれば、第１の直線１１０上に形成された第１の配線４０の電気的な接合度を定量的に、かつ、簡便に検査することができる第２の樹脂突起３０と第２の配線５０を、第１の樹脂突起２０と配線４０と同一のプロセスによって一体形成することができる。

以上によって、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、電気的な接続信頼性の高い半導体装置および電子モジュールを簡便な製造方法によって提供することができる。なお、本実施の形態に係る検査方法についての詳細は後述される。

１．３． 電子モジュールおよびその製造方法
以下、図面を参照して、本実施の形態に係る電子モジュール、およびその製造方法について説明する。

図５（Ａ）〜図５（Ｃ）は、本実施の形態に係る電子モジュール１０００の製造方法を説明する図である。

本実施の形態に係る電子モジュール１０００の製造方法は、半導体装置１００を用意することを含む。半導体装置１００は、既に前述したいずれかの構成をなしていればよい。

本実施の形態に係る電子モジュール１０００の製造方法は、配線基板８０を用意することを含む（図５（Ａ）参照）。配線基板８０は、図５（Ａ）に示すように、配線パターン８１とベース基板８３とを含む。

配線パターン８１は、電気的接続部８２を有する。電気的接続部８２は、配線パターン８１のうち、他の部材との電気的な接続に利用される部分である。配線パターン８１は、例えば、液晶を駆動する電極（走査電極、信号電極、対向電極等）に電気的に接続されていてもよい。配線パターン８１は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）などの金属膜、金属化合物膜、又は、それらの複合膜によって形成されていてもよい。また、配線パターン８１は、その一部がベース基板８３の内側を通るように形成されていてもよい。

ベース基板８３は、光透過性を有する材料または構成からなる。例えば、ベース基板８３の材料は、無機系の材料であることができる。このとき、ベース基板８３は、ガラス基板やセラミックス基板であってもよい。ベース基板８３が、ガラス基板である場合、配線基板８０は、電気光学パネル（液晶パネル・エレクトロルミネッセンスパネル等）の一部であってもよい。あるいは、ベース基板８３は、有機系の材料であってもよく、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる基板又はフィルムであってもよい。あるいは、ベース基板８３としてポリイミド樹脂からなるフレキシブル基板を使用してもよい。フレキシブル基板としてＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）や、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術で使用されるテープを使用してもよい。ベース基板８３が以上のいずれかの構成によって形成されることによって、半導体基板１００が配線基板８０に実装される場合、ベース基板８３と半導体装置１００の接触部分を、ベース基板８３を通して測定、またはモニタリングすることができる。

本実施の形態に係る電子モジュール１０００の製造方法は、半導体装置１００を配線基板８０に搭載することを含む。本工程によって、第１の配線４０における第１の樹脂突起２０とオーバーラップする部分と配線パターン８１の電気的接続部８２とを接触させて電気的に接続する。半導体装置１００を配線基板８０に搭載する方法は特に限定されないが、図５（Ａ）〜図５（Ｃ）を参照して、半導体装置１００を配線基板８０に搭載する方法の一実施形態について説明する。

はじめに、図５（Ａ）に示すように、半導体装置１００を配線基板８０上方に配置して、半導体装置１００の第１の配線４０（第１の樹脂突起２０）と配線基板８０の配線パターン８１（電気的接続部８２）とが対向するように位置合わせをする。その後、図５（Ｂ）に示すように、半導体装置１００と配線基板８０とを押圧して、第1の配線４０と配線パターン８１（電気的接続部８２）とを接触させる。このとき、半導体基板１０と配線基板８０とによって第１の樹脂突起２０を押しつぶして、第１の樹脂突起２０を弾性変形させることができる。これによって、第１の樹脂突起２０の弾性力によって、発生する応力を緩和しつつ、第１の配線４０と電気的接続部８２（配線パターン８１）とを押し付けることができるため、半導体装置の信頼性を低下させることなく、電気的な接続信頼性の高い電子モジュールを提供することができる。

図５（Ｂ）に示すように、この弾性変形によって、第１の樹脂突起２０は、接触部２２を形成する。また、第１の配線４０の接触部２２にオーバーラップする部分４１も形成される。また、第１の配線４０の接触部２２にオーバーラップする部分４１の第１の配線４０の延びている方向における接触部分の長さ（以下、接触長さともいう）をＬとする。

第１の樹脂突起２０を押しつぶして、第１の樹脂突起２０を弾性変形させる工程において、図５（Ｃ）に示すように、第１の直線１１０上に形成された第２の樹脂突起３０も、第１の樹脂突起２０と同様、押しつぶされて弾性変形をする。このとき、第２の樹脂突起３０は、第１の樹脂突起２０と同様に弾性変形をし、接触部３３を形成する。また、第２の配線５０の接触部３３にオーバーラップする部分５８も形成される。この第２の配線５０の接触部３３にオーバーラップする部分５８の第２の配線５０の延びている方向における接触長さをＬ１とする。

ここで、上述のように、第１の樹脂突起２０の第１の配線４０のオーバーラップする部分の断面２１と、第２の樹脂突起３０の第２の配線５０のオーバーラップする部分の断面３１とは、実質的に同じ形状と同じ断面積を有するように形成されている。これによって、実装時の半導体装置１００と配線基板８０とを押圧する工程において、同一の第１の直線１１０上に形成された第１の配線４０と第２の配線５０とにおける接触長さＬおよびＬ１は、実質的に等しくなることができる。

なお、本工程では、予め、半導体装置１００と配線基板８０との間に接着剤９０を設けておいてもよい。接着剤９０は、例えば、図５（Ａ）に示すように、配線基板８０上に設けてもよい。接着剤９０は、例えば、フィルム状の接着剤を利用してもよい。接着剤９０は、絶縁性の接着剤であってもよい。そして、半導体装置１００を配線基板８０に搭載する工程の後に、接着剤９０を硬化させて、接着層９１を形成してもよい。接着層９１によって、半導体基板１０と配線基板８０との間隔を維持してもよい。すなわち、接着層９１によって、樹脂突起２０が弾性変形した状態を維持してもよい。例えば、第１の樹脂突起２０を押しつぶした状態で接着剤９０を硬化させることで、第１の樹脂突起２０が弾性変形した状態を維持することができる。

以上の工程によって、あるいは、さらに検査工程や切り出し工程等を経て、本実施の形態に係る電子モジュール１０００を製造してもよい。

図６には、電子モジュール１０００の一例として、表示デバイスである場合の電子モジュール１０００を示す。表示デバイスは、例えば液晶表示デバイスやＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示デバイスであってもよい。そして、半導体装置１００は、表示デバイスである電子モジュール１０００を制御するドライバＩＣであってもよい。

本実施の形態に係る電子モジュール１０００は、例えば、以下の特徴を有する。

本実施の形態に係る電子モジュール１０００よれば、第１の直線１１０上における第２の樹脂突起３０上に形成された第２の配線５０を用いて、第１の直線１１０の上方に形成された第１の配線４０と配線パターン８１の電気的接続部８２との電気的な接合度を定量的に、かつ、簡便に検査することができる。つまりは、本実施の形態に係る電子モジュールによれば、第２の樹脂突起３０と第２の配線５０からなる一つの検査用バンプを用いることによって、複数の第１の配線４０と電気的接続部８２との電気的な接合度を同時に、かつ、容易に検査することができる。

以上によって、本実施の形態に係る電子モジュール１０００によれば、電気的な接続信頼性の高い半導体装置および電子モジュールを提供することができる。なお、本実施の形態に係る検査方法についての詳細は後述される。

１．４． 電子モジュールの検査方法
以下、図面を参照して、本実施の形態に係る電子モジュールの検査方法について説明する。

図７は、本実施の形態に係る電子モジュールの検査方法を説明する図である。図７は、半導体装置１００を配線基板８０に押圧する工程における第２の樹脂突起３０のベース基板８３からの上視図である。

本発明を適用した実施の形態に係る電気的な接合度とは、図５（Ｂ）に示すように、上述のような構成を有する電子モジュールを製造する製造工程において、半導体装置１００を配線基板８０に対して押圧する場合の第１の配線４０と、電気的接続部８２（配線パターン８１）との電気的な接合の度合いを示すものである。つまり、本実施の形態に係る電子モジュールの検査方法は、第１の配線４０と電気的接続部８２との接触長さＬを、本発明を適用した実施の形態に係る電気的な接合度の定量的な指標とする。

本実施の形態に係る電子モジュールの検査方法においては、上述の通り、第２の配線５０における接触長さＬ１は、第１の配線４０における接触長さＬと実質的に同じであるため、接触長さＬを間接的に測定する指標として、接触部分の長さＬ１を用いてもよい。よって、接触長さＬ１を測定することによって、第１の直線１１０上の少なくとも１つの第１の配線４０と配線基板８０の配線パターン８１の電気的接続部８２との電気的な接合度を判定してもよい。例えば、図７（Ａ）に示すように、第２の配線５０の第２の樹脂突起３０上に形成される接触部３３にオーバーラップする部分をベース基板８３より測定して、接触長さＬ１を求めて、電気的な接合度を判定してもよい。

電気的な接合度を判定する判定手段は、例えば、接触長さＬ１が、第１の配線４０の幅Ｗ（図示せず）より長いことを以って、良好な電気的接合状態と判定してもよい。つまりは、良好な電気的接合状態と判定する接触長さＬ１の下限として、第１の配線４０の幅Ｗを用いてもよい。しかしながら、下限値の設定は、これに限定されるものではなく、設計上で得られる数値を接触長さＬ１の下限値として適宜設定することができる。また、良好な電気的接合状態と判定する接触長さＬ１の上限としては、例えば、所定の形状の形成された第１の樹脂突起２０を有する半導体装置１００を配線基板８０に対して過度に押圧することによって、半導体装置１００と配線基板８０との間隔が所定の値より狭くなった場合の接触長さＬ１を接触長さＬ１の上限値としてもよい。しかしながら、この上限値も特に限定されるものではなく、設計上で得られる数値を接触長さＬ１の上限値として適宜設定することができる。

本実施の形態に係る電子モジュール１０００の検査方法は、例えば、以下の特徴を有する。

本実施の形態に係る電子モジュールの検査方法によれば、接触長さＬ１を測定することによって、同一な直線上に形成された外部端子である第１の配線４０の電気的な接合度を定量的に、かつ、簡便に検査することができる。つまりは、本実施の形態に係る電子モジュールの検査方法によれば、第２の樹脂突起３０と第２の配線５０からなる一つの検査用バンプを用いることによって、複数の第１の配線４０と電気的接続部８２との電気的な接合度を同時に、かつ、容易に検査することができる。

以上によって、本実施の形態に係る電子モジュールの検査方法によれば、電気的な接続信頼性の高い半導体装置および電子モジュールを提供することができる。

２．第２の実施の形態
２．１ 半導体装置
以下、図面を参照して、第２の実施の形態に係る半導体装置について説明する。

図８（Ａ）は、本実施の形態に係る半導体装置２００を模式的に示す平面図であり、図８（Ｂ）は、図８（Ａ）に示す半導体装置２００のVIIIＢ−VIIIＢ線断面図である。図８（Ｃ）は、図８（Ａ）に示す半導体装置２００のVIIIＣ−VIIIＣ線断面図である。図９（Ａ）および図９（Ｂ）は、本実施の形態に係る要部の変形例を模式的に示す平面図である。図９（Ｃ）は、本実施の形態に係る半導体装置２００の要部の変形例を模式的に示す平面図である。

本実施の形態に係る半導体装置２００は、図８（Ａ）に示すように、電極１４を有する半導体基板１０と、半導体基板１０の電極１４が形成された面において第１の直線１１０上および第１の直線１１０と交差する第２の直線１２０上に形成された複数の第１の樹脂突起２０と、前記電極と電気的に接続されてなり、複数の第１の樹脂突起２０上に至るように形成された第１の配線４０と、半導体基板１０の電極１４が形成された面において第１の直線１１０と第２の直線１２０との交点上に形成された第２の樹脂突起３０と、第２の樹脂突起３０上に形成された第２の配線５０と、第２の樹脂突起３０上にて第２の配線５０と交差するように形成された第３の配線５５と、を含む。

本実施の形態では、半導体装置２００が、第２の直線１２０上に形成された第１の樹脂突起４０と、第２の樹脂突起３０上に第２の配線５０と交差する第３の配線５５と、をさらに含む点で第１の実施の形態と異なる。以下に、第１の実施の形態と本実施の形態と異なる構成について説明する。なお、後述される第２の実施の形態に係る半導体装置に関して、第１の実施の形態と同様の構成と、その製造方法等は、同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。

第１の樹脂突起２０は、図８（Ａ）および図８（Ｂ）に示すように、半導体基板１０の電極１４が形成された面（パッシベーション膜１６上）における設計上の概念線である第１の直線１１０、および第１の直線に交差した第２の直線１２０に沿って形成される。例えば、第１の樹脂突起２０は、第１の樹脂突起２０の頂部（最も厚みを有する部分）の下方に第１の直線１１０または第２の直線１２０が位置するように形成される。

第１の直線１１０、および第２の直線１２０は、半導体基板１０の電極１４が形成された面において所定の方向に配置されることができる。例えば、図８（Ａ）に示すように、半導体基板１０が矩形をなす場合は、例えば、第１の直線１１０は、長手方向に沿って配置され、第２の直線１２０は短手方向に沿って配置されていてもよいし、また、その逆であってもよい。言い換えれば、第１の直線１１０は、半導体基板１０の隣り合う２辺の少なくとも一方に延び、第２の直線１２０は、半導体基板１０の隣り合う２辺の、第１の直線１１０とは異なる一方に延びてなってもよい。図８（Ａ）に示すように、第１の直線１１０、および第２の直線１２０は、集積回路１２の形成される領域の周辺部に沿って配置されてもよいし、集積回路１２の中央部分を通るように配置されてもよい（図示せず）。また、半導体基板１０において第１の直線１１０の数は限定されることはなく、複数存在してもよい。例えば、図８（Ａ）に示すように、複数の第１の直線１１０と第２の直線上に第１の樹脂突起２０が形成されていてもよい。

第２の樹脂突起３０は、半導体基板１０の電極１４が形成された面（パッシベーション膜１６上）に、第１の樹脂突起２０と間隔をあけて形成される。第２の樹脂突起３０が形成される位置は、図８（Ａ）に示すように、第１の直線１１０と第２の直線１２０との交点上に形成される。例えば、第２の樹脂突起３０は、第２の樹脂突起３０の頂部（最も厚みを有する部分）の下方に第１の直線１１０と第２の直線１２０との交点が位置するように形成される。また、図８（Ａ）に示すように、第１の樹脂突起２０を挟むようにして第２の樹脂突起３０を配置してもよい。このとき、複数の第２の樹脂突起３０は、実質的に同じ形状を有していてもよい。

図８（Ａ）に示すように、半導体基板１０が矩形をなす場合、半導体基板１０は４つの角部１１を有する。第２の樹脂突起３０は、例えば角部１１に配置されてもよい。また、第２の樹脂突起３０は、樹脂材料によって形成されており、集積回路１２の駆動回路等に対する応力の緩和効果を有しているため、半導体基板１０のいずれの位置にも配置することができる。例えば、図８（Ａ）に示すように、第２の樹脂突起３０は集積回路１２の形成される領域外に形成されてもよいし、集積回路１２の形成される領域内に形成されてもよい（図示せず）。また、少なくとも３つの角部１１に第２の樹脂突起３０が配置されていてもよい。このとき、複数の第２の樹脂突起３０は、実質的に同じ形状を有していてもよい。第２の樹脂突起３０の形状は特に限定されるものではなく、図８（Ｃ）に示すように、第２の樹脂突起３０の表面は、曲面になっていてもよい。このとき、第２の樹脂突起３０の第２の配線５０または後述される第３の配線５５がオーバーラップした部分における断面３１は、略半円状をなしていてもよい。

第３の配線５５は、図８（Ｃ）に示すように、第２の配線５０と同様に第２の樹脂突起３０上に形成される。第３の配線５５は、例えば、第２の配線５０と第２の樹脂突起３０上の頂部（最も厚みを有する部分）にて交差するように形成される。第３の配線５５は、少なくとも第２の樹脂突起３０上に形成されればよいが、形成される領域は特に限定はされず、図８（Ｃ）に示すように、パッシベーション膜１６上にも形成されていてもよい。また、図８（Ａ）に示すように、第３の配線５５は、第２の直線１２０に直交して延在するように形成される。言い換えれば、第３の配線５５は、第２の直線１２０の上方に形成された第１の配線４０と同一の方向に延びるように形成される。図９（Ａ）および図９（Ｂ）に示すように、第２の配線５０と第３の配線５５は直交してもよいし、しなくてもよい。第３の配線５５は、電極１４と電気的に接続されていてもよいし、接続されてなくてもよい。電極１４と電気的に接続されていない場合は、第３の配線５５は、ダミー配線であることができる。第３の配線５５の構造及び材料は、特に限定されるものではない。例えば、第３の配線５５は、単層で形成されていてもよい。あるいは、図８（Ｃ）に示すように、第３の配線５５は、複数層で形成されていてもよい。このとき、第３の配線５５は、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）またはチタン（Ｔｉ）によって形成された第１の層と、金（Ａｕ）によって形成された第２の層とを含んでいてもよい。また、第２の配線５０と第３の配線５５はパターニング等によって所望の形状に一体的に形成されてもよい。また、第１、第２および第３の配線４０、５０、５５は同一材料と同一の積層構造によって構成されていてもよい。

図８（Ｂ）および図８（Ｃ）に示すように、第２の直線１２０上に形成された第１の樹脂突起２０の第１の配線４０がオーバーラップした部分における断面２１と、第２の樹脂突起３０の第３の配線５５がオーバーラップした部分における断面３５とは、その形状、および断面積において実質的に同じである。言い換えれば、第１の樹脂突起２０と第２の樹脂突起３０の形成される高さと、断面２１と断面３５におけるそれぞれの底辺の長さが実質的に同じであることができる。

図９（Ａ）、および図９（Ｂ）は、第２の樹脂突起３０の変形例を模式的に示す平面図であり、第２の樹脂突起３０の底面形状３２を示すものである。上述の通り、第２の樹脂突起３０の形状は、第２の樹脂突起３０の第２の配線５０がオーバーラップした部分における断面３１、および第２の樹脂突起３０の第３の配線５５がオーバーラップした部分における断面３５が、第１の直線１１０と第２の直線１２０の上に形成された第１の樹脂突起２０の第１の配線４０がオーバーラップした部分における断面２１と実質的に同じであればよい。したがって、図９（Ａ）に示すように、第２の樹脂突起３０の底面形状３２は、略四角形であってもよいし、図９（Ｂ）に示すように、略円形であってもよい。底面形状３２が略四角形である場合は、例えば、図８（Ａ）に示すように、第１の直線１１０と第２の直線１２０とが直交する場合に好適に用いることができる。また、底面形状３２が略円形である場合は、例えば、図９（Ｃ）に示すように、第１の直線１１０と第２の直線１２０とが直交せずに交差する場合に好適に用いることができる。

本実施の形態に係る半導体装置２００は、第１の実施の形態と同様の特徴を有し、例えば、以下の特徴をさらに有する。

本実施の形態に係る半導体装置２００よれば、第２の樹脂突起３０上に形成され、第１の直線１１０と直交して延在する第２の配線５０と、第２の樹脂突起３０上に形成され、第２の直線１２０と直交して延在する第３の配線５５とを用いて、第１の直線１１０の上方に形成された第１の配線４０と、第２の直線１２０の上方に形成された第１の配線４０との電気的な接合度を定量的に、かつ、簡便に検査することができる。つまりは、本実施の形態に係る半導体装置２００によれば、ひとつの第２の樹脂突起３０を用いることによって、２つの方向に配置された第１の配線４０の電気的な接合度を同時に検査することができる。

また、本実施の形態に係る半導体装置２００によれば、半導体基板１０が矩形をなし、少なくとも３つの角部１１に第２の樹脂突起３０が配置されてなる半導体装置２００の場合、それぞれの角部１１における半導体基板１０と配線基板８０との間隔を定量的に測定することができる。つまりは、本実施の形態に係る半導体装置２００によれば、半導体装置２００と配線基板８０との水平度（レベリング）を定量的、かつ、簡便に検査することができる。

以上によって、本実施の形態に係る半導体装置２００によれば、電気的な接続信頼性の高い半導体装置および電子モジュールを提供することができる。なお、本実施の形態に係る検査方法についての詳細は後述される。

２．２ 半導体装置の製造方法
以下、第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、少なくとも１つの集積回路１２が形成されて集積回路１２に電気的に接続された電極１４が形成された半導体基板１０を用意する工程と、電極１４が形成された面において第１の直線１１０上および第１の直線１１０と交差する第２の直線１２０上に複数の第１の樹脂突起２０を形成する工程と、第１の樹脂突起２０上に、電極１４と電気的に接続する第１の配線４０を第１の樹脂突起２０に直交するように形成する工程と、第１の直線１１０と第２の直線１２０との交点上に第２の樹脂突起３０を形成する工程と、第２の樹脂突起３０上に、第１の直線１１０に直交するように第２の配線５０を形成し、第２の直線１２０に直交するように第３の配線５５を形成する工程と、を含む。

本実施の形態では、半導体装置の製造方法が、第２の直線１２０上に形成された第１の樹脂突起４０と、第２の樹脂突起３０上に第２の配線５０と交差する第３の配線５５と、をさらに形成し、第１の直線１１０と第２の直線１２０との交点上に第２の樹脂突起３０を形成する点で第１の実施の形態と異なる。以下に、第１の実施の形態と本実施の形態と異なる構成について説明する。なお、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法において、第１の実施の形態と同様の構成およびその製造方法等は、同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法において、第１の直線１１０と交差する第２の直線１２０上においても、第１の樹脂突起２０は形成される。第２の樹脂突起３０は、第１の直線１１０と第２の直線１２０との交点上に配置される。その構成の詳細は、上述した通りである。

第３の配線５５は、例えば、導電膜７０をパターニング（エッチング）して、第２の配線５０を、第２の樹脂突起３０上に形成する際に同時に形成される。このとき、第３の配線５５は、第２の配線５０に第２の樹脂突起３０上にて交差し、第２の直線１２０に直交するように形成される。

以上の工程によって、本実施の形態に係る半導体装置２００を製造してもよい。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、例えば、以下の特徴を有する。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法よれば、第１の直線１１０と第２の直線１２０上に形成された第１の配線４０の電気的な接合度を定量的に、かつ、簡便に検査することができる第２の樹脂突起３０、第２の配線５０および第３の配線５５を、第１の樹脂突起２０と配線４０を形成する同一のプロセスによって一体形成することができる。

また、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体基板１０が矩形をなし、少なくとも３つの角部１１に第２の樹脂突起３０を配置することによって、それぞれの角部１１における半導体基板１０と配線基板８０との間隔を定量的に測定することができる。つまりは、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体装置２００と配線基板８０との水平度（レベリング）を定量的、かつ簡便に検査することができる。

以上によって、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、電気的な接続信頼性の高い半導体装置および電子モジュールを提供することができる。なお、本実施の形態に係る検査方法についての詳細は後述される。

２．３． 電子モジュールおよびその製造方法
以下、図面を参照して、本実施の形態に係る電子モジュール、およびその製造方法について説明する。

図１０は、半導体基板１０を配線基板８０に搭載した場合の第２の樹脂突起３０の上視図である。

本実施の形態に係る電子モジュール１０００の製造方法は、半導体装置２００を用意することを含む。半導体装置２００は、本実施の形態において既に前述したいずれかの構成をなしていればよい。

本実施の形態では、半導体装置２００に、第２の樹脂突起３０上に第３の配線５５が形成され、第２の直線１２０上においても第１の樹脂突起２０と第１の配線４０が形成されている点で第１の実施の形態と異なる。以下に、第１の実施の形態と本実施の形態と異なる構成について説明する。なお、後述される第２の実施の形態に係る電子モジュールおよびその製造方法において、第１の実施の形態と同様の構成およびその製造方法等は、同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。

半導体装置１０を配線基板８０に搭載する際、第１の樹脂突起２０を押しつぶして、第１の樹脂突起２０を弾性変形させる工程において、図１０に示すように、第１の直線１１０と第２の直線１２０の交点上に形成された第２の樹脂突起３０も、第１の樹脂突起２０と同様、ベース基板８３に押しつぶされて弾性変形をする。このとき、図１０に示すように、第２の樹脂突起３０は、第１の樹脂突起２０と同様な弾性変形をし、接触部３３を形成する。このとき、第２の配線５０の接触部３３にオーバーラップする部分５８と、第３の配線５５の接触部３３にオーバーラップする部分５９と、が形成される。図１０に示すように、第３の配線５５の接触部３３にオーバーラップする部分５９の第３の配線５５の延びている方向における接触長さをＬ２とする。

ここで、上述のように、第２の直線１２０の上に形成された第１の樹脂突起２０の第１の配線４０のオーバーラップする部分の断面２１と、第２の樹脂突起３０の第３の配線５５のオーバーラップする部分の断面３５とは、実質的に同じ形状と同じ断面積を有するように形成されている。これによって、実装時の半導体装置１００と配線基板８０とを押圧する工程において、同一の第２の直線１２０上に形成された第１の配線４０と第３の配線５５とにおける接触長さＬおよびＬ２は、実質的に等しくなることができる。

以上の工程によって、あるいは、検査工程や切り出し工程等を経て、本実施の形態に係る電子モジュール１０００を製造してもよい。

本実施の形態に係る電子モジュールは、第１の実施の形態に係る電子モジュールと同様の特徴を有し、例えば、以下の特徴をさらに有する。

本実施の形態に係る電子モジュール１０００よれば、第１の直線１１０上における第２の樹脂突起３０上に形成された第２の配線５０と第３の配線５５を用いて、第１の直線１１０の上方に形成された第１の配線４０と配線パターン８１の電気的接続部８２との電気的な接合度と、第２の直線１２０の上方に形成された第１の配線４０と配線パターン８１の電気的接続部８２との電気的な接合度を、同時に、かつ、定量的に、かつ、簡便に検査することができる。つまりは、本実施の形態に係る電子モジュールによれば、第２の樹脂突起３０と第１および第２の配線５０、５５からなる一つの検査用バンプを用いることによって、２つの方向に配置された複数の第１の配線４０と電気的接続部８２との電気的な接合度を同時に、かつ、容易に検査することができる。

また、本実施の形態に係る電子モジュール１０００によれば、半導体基板１０が矩形をなし、少なくとも３つの角部１１に第２の樹脂突起３０が配置されてなる半導体装置２００を搭載した電子モジュールによれば、それぞれの角部１１における半導体基板１０と配線基板８０との間隔を定量的に測定することができる。つまりは、つまりは、本実施の形態に係る電子モジュールによれば、半導体装置２００と配線基板８０との水平度（レベリング）を定量的、かつ簡便に検査することができる。

以上によって、本実施の形態に係る電子モジュールによれば、電気的な接続信頼性の高い半導体装置および電子モジュールを提供することができる。なお、本実施の形態に係る検査方法についての詳細は後述される。

２．４． 電子モジュールの検査方法
以下、図面を参照して、本実施の形態に係る電子モジュールの検査方法について説明する。

本実施の形態に係る電子モジュールの検査方法は、本実施の形態に係る電子モジュールを検査する方法であって、第２の配線５０における第２の樹脂突起３０とオーバーラップする部分と配線基板８０との接触部分の長さＬ１を用いて、第１の直線１１０上の前記第１の配線４０と配線基板８０の配線パターン８１の電気的接続部８２との電気的接合度を判定する工程と、第３の配線５５における第２の樹脂突起３０とオーバーラップする部分と配線基板８０との接触部分の長さＬ２を用いて、第２の直線１２０上の第１の配線４０と電気的接続部８２との電気的接合度を判定する工程と、を含む。

また、本実施の形態に係る電子モジュールの検査方法は、本実施の形態に係る電子モジュールを検査する方法であって、少なくとも３つの角部１１に配置された第２の樹脂突起３０上の第２の配線５０における第２の樹脂突起３０とオーバーラップする部分５８と配線基板８０との接触部分の長さＬ１および第３の配線５５における第２の樹脂突起３０とオーバーラップする部分５９と配線基板８０との接触部分の長さＬ２を測定する工程と、少なくとも３つの角部１１におけるＬ１およびＬ２を用いて、半導体基板１０の配線基板８０に対する水平度を判定する工程と、を含む。

本実施の形態に係る電子モジュールの検査方法は、接触長さＬ１と接触長さＬ２を用いて、第１の直線１１０および第２の直線１２０上の第１の配線４０と配線基板８０の配線パターン８１の電気的接続部８２との電気的な接合度を判定することを含む。上述の通り、第２の配線５０における接触長さＬ１と第３の配線５５における接触長さＬ２は、第１の直線１１０および第２の直線１２０上に形成された第１の配線４０における接触長さＬと実質的に同じである。

よって、図１０に示すように、本実施の形態に係る半導体装置が実装された電子モジュール１０００の第２の樹脂突起３０のベース基板８３との接触部３３にオーバーラップした部分における接触長さＬ１およびＬ２を測定することによって、第１の直線１１０上に形成された第１の配線４０の接触長さＬと、第２の直線１２０上に形成された第１の配線４０の接触長さＬを同時に測定することができる。つまりは、第２の樹脂突起３０における第２の配線の接触長さＬ１と第３の配線の接触長さＬ２を同時に測定することによって、第１の配線４０と電気的接続部８２との電気的な接合度を定量的に判定することができる。

また、角部１１において、接触長さＬ１と接触長さＬ２を測定することによって、角部１１における半導体装置２００と配線基板８０との接合度を定量的に数値化することができる。言い換えれば、角部１１における半導体装置２００と配線基板８０との間隔を接触長さＬ１と接触長さＬ２で以って定量的に数値化することができる。例えば、Ｌ１とＬ２の数値が大きいほど、半導体装置２００と配線基板８０との接合度が高く、数値が小さいほど、半導体装置２００と配線基板８０との接合度が低い。よって、半導体装置２００が矩形をなし、少なくとも３つの角部１１において、第２の樹脂突起３０、第２の配線５０、および第３の配線５５がそれぞれ形成される場合、それぞれの角部１１における半導体装置２００と配線基板８０との間隔を測定することができる。たとえば、それぞれの角部１１における接触長さＬ１と接触長さＬ２が、実質的に等しい場合、半導体装置２００と配線基板８０とは、水平であり、それぞれの接触長さＬ１と接触長さＬ２が異なる場合は水平ではないと判定することができる。つまりは、半導体装置２００と配線基板８０との水平度を定量的に判定することができる。

本実施の形態に係る電子モジュールの検査方法は、第１の実施の形態に係る電子モジュールの検査方法と同様の特徴を有し、例えば、以下の特徴をさらに有する。

本実施の形態に係る電子モジュールの検査方法によれば、接触長さＬ１およびＬ２を測定することによって、第１の直線１１０および第２の直線１２０の上方に形成された外部端子である第１の配線４０の接触部３３とオーバーラップする部分と配線基板８０の電気的接続部８２との電気的な接合度を定量的に、かつ簡便に検査することができる。つまりは、本実施の形態に係る電子モジュールの検査方法によれば、第２の樹脂突起３０と第１および第２の配線５０、５５からなる一つの検査用バンプを用いることによって、２つの方向に配置された複数の第１の配線４０と電気的接続部８２との電気的な接合度を同時に、かつ、容易に検査することができる。

また、本実施の形態に係る電子モジュールの検査方法によれば、半導体基板１０が矩形をなし、少なくとも３つの角部１１に第２の樹脂突起３０が配置されてなる半導体装置１００を搭載した電子モジュールにおいて、それぞれの角部１１におけるＬ１とＬ２を測定することによって、半導体装置２００と配線基板８０との水平度（レベリング）を定量的、かつ簡便に検査することができる。

以上によって、本実施の形態に係る電子モジュールの検査方法によれば、電気的な接続信頼性の高い半導体装置および電子モジュールを提供することができる。

３． 第３の実施の形態
３．１ 半導体装置および電子モジュール
以下、図面を参照して、第３の実施の形態に係る半導体装置および電子モジュールについて説明する。

図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置３００の要部である第２の樹脂突起３０、第２の配線５０、および第３の配線５５の変形例を含む平面図である。図１２（Ａ）および図１２（Ｂ）は、本実施の形態に係る半導体装置３００が配線基板８０に搭載されたときの第２の樹脂突起３０の状態の一例を示す平面図である。

本実施の形態に係る半導体装置３００は、図１１（Ａ）に示すように、第２の配線５０は、第１の部分５１と第２の部分５２を有し、第１の部分５１の幅は、第２の部分５２の幅と異なることを、含むことができる。

また、本実施の形態に係る半導体装置３００は、図１１（Ｂ）に示すように、第３の配線５５は、第３の部分５６と第４の部分５７を有し、第３の部分５６の幅は、第４の部分５７の幅と異なることを、さらに含むことができる。

本実施の形態では、第２の配線５０が、第１の部分５１と第２の部分５２を有し、第３の配線５５が、第３の部分５６と第４の部分５７を有する点で第１および第２の実施の形態と異なる。以下に、第１および第２の実施の形態と本実施の形態と異なる構成について説明する。なお、本実施の形態に係る半導体装置において、第１および第２の実施の形態と同様の構成およびその製造方法等は、同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。

第２の配線５０は、図１１（Ａ）に示すように、第１の部分５１と第２の部分５２を有し、第１の部分５１の配線の幅は、第２の部分５２の配線の幅と異なる。例えば、図１１（Ａ）に示すように、第１の部分５１の幅は、第２の部分５２の幅より小さくてもよいが、特に限定はされず、第２の部分５２の幅が、第１の部分５１の幅より小さくてもよい（図示せず）。

第２の樹脂突起３０上に第３の配線５５が形成される場合、第３の配線５５は、図１１（Ｂ）に示すように、第３の部分５６と第４の部分５７を有し、第３の部分５６の配線の幅は、第４の部分５７の配線の幅と異なる。例えば、図１１（Ｂ）に示すように、第３の部分５６の幅は、第４の部分５７の幅より小さくてもよいが、特に限定はされず、第４の部分５７の幅が、第３の部分５６の幅より小さくてもよい（図示せず）。

第１の部分５１、第２の部分５２、第３の部分５６、および第４の部分５７は、第２の配線５０および第３の配線５５をパターニング等で形成する際に、適宜設計し、形成することができる。例えば、図１２（Ａ）および図１２（Ｂ）に示すように、所望の形状を有する第２の樹脂突起３０を過度の押圧することによって、第２の樹脂突起３０が半導体基板３００と配線基板８０との間隔が十分に確保されない程度に弾性変形をした場合に、第２の部分５２および第４の部分５５の少なくとも一部が、接触部３３とオーバーラップするように形成してもよい。

本実施の形態に係る電子モジュール１０００は、以上のいずれかの構成を有する半導体装置３００を含む。

本実施の形態に係る半導体装置３００、および電子モジュール１０００は、第１および第２の実施の形態と同様の特徴を有し、例えば、以下の特徴をさらに有する。

本実施の形態に係る半導体装置３００よれば、半導体装置３００を配線基板８０に搭載し、本実施の形態に係る電子モジュールを製造する場合、接合不良（過度の押圧）となった電子モジュールを、上述した接触長さＬ１やＬ２を測定することを必要とせずに、視覚的検査のみによって判定することができる。よって、検査工程の簡易化および効率化を図ることができる。

以上によって、本実施の形態に係る半導体装置３００、および電子モジュール１０００によれば、より簡便な方法で、電気的な接続信頼性の高い半導体装置および電子モジュールを提供することができる。

３．２ 電子モジュールの検査方法
本実施の形態に係る電子モジュールの検査方法は、本実施の形態に係る電子モジュールを検査する方法であって、第２の配線５０および第３の配線５５の少なくとも一方における配線の幅の違いを用いて前記半導体装置と前記配線基板との電気的接合度を判定することを含む。

また、本実施の形態に係る電子モジュールの検査方法は、第２の配線５０における第２の部分５２および第３の配線５５における第４の部分５７の少なくとも一方を用いて半導体装置３００と配線基板８０との電気的接合度を判定することを含む。

上述のように、第２の配線５０における第２の部分５２および第３の配線５５における第４の部分５７は、第２の樹脂突起３０が半導体基板３００と配線基板８０との間隔が十分に確保されない程度に弾性変形をした場合に、第２の部分５２および第４の部分５５の少なくとも一部が、接触部３３とオーバーラップするように形成される。よって、半導体装置３００と配線基板８０との電気的接合度を判定する場合は、第２の樹脂突起３０の接触部３３に第２の部分５２および第４の部分５５の少なくとも一部が含まれるか否かによって電気的接合度を判定することができる。

本実施の形態に係る電子モジュールの検査方法は、第１および第２の実施の形態に係る電子モジュールの検査方法と同様の特徴を有し、例えば、以下の特徴をさらに有する。

本実施の形態に係る電子モジュールの検査方法よれば、半導体装置３００を配線基板８０に搭載し、本実施の形態に係る電子モジュールを製造する場合、接合不良（過度の押圧）となった電子モジュールを、上述した接触長さＬ１やＬ２を測定することを必要とせずに、視覚的検査のみによって判定することができる。よって、検査工程の簡易化および効率化を図ることができる。

以上によって、本実施の形態に係る電子モジュールの検査方法によれば、より簡便な方法で、電気的な接続信頼性の高い電子モジュールを提供することができる。

４． 第４の実施の形態
４．１ 電子モジュールの製造方法
以下、第４の実施の形態に係る電子モジュールの製造方法について説明する。

本実施の形態に係る電子モジュールの製造方法は、第１〜第３のいずれかの実施の形態に係る半導体装置（１００、２００、または３００）を用意する工程と、配線パターン８１を有する配線基板８０を用意する工程と、半導体装置（１００、２００、または３００）を配線基板８０に搭載して、第１の配線４０における第１の樹脂突起２０とオーバーラップする部分と配線パターン８１の電気的接続部８２とを電気的に接続する工程と、第２の配線５０における第２の樹脂突起３０とオーバーラップする部分または第３の配線５５における第２の樹脂突起３０とオーバーラップする部分の少なくとも一方を用いて第１の配線４０と配線パターン８１の電気的接続部８２の電気的接合度を検査する検査工程と、を含む。

また、本実施の形態に係る電子モジュールの製造方法は、前記検査工程が、半導体装置（１００、２００、または３００）を配線基板８０に搭載して電気的に接続する工程とともに行われることを含む。

また、本実施の形態に係る電子モジュールの製造方法は、前記検査工程が、半導体装置（２００、または３００）の配線基板８０に対する水平度を検査する工程をさらに含むことができる。

本実施の形態に係る電子モジュールの製造方法は、検査工程を含み、その検査工程が半導体装置（１００、２００、または３００）を配線基板８０に搭載して電気的に接続する工程とともに行われる点で、第１〜第３の実施の形態と異なる。以下に、第１〜第３の実施の形態と本実施の形態と異なる構成について説明する。なお、本実施の形態に係る電子モジュールの製造方法において、第１〜第３の実施の形態と同様の構成およびその製造方法等は、同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。

第１の配線４０と配線パターン８１の電気的接続部８２の電気的接合度を検査する検査工程は、製造中の電子モジュールに対して行う。本実施の形態に係る電子モジュールの製造方法は、半導体装置（１００、２００、または３００）を配線基板８０に搭載して、第１の配線４０における第１の樹脂突起２０とオーバーラップする部分と配線パターン８１の電気的接続部８２とを電気的に接続する工程において、弾性変化を行う第２の樹脂突起３０を、例えば、レンズ、照明、およびＣＣＤ等を含む光学系（図示せず）を用いてモニタリングすることによって、本実施の形態に係る検査工程を行ってもよい。

本実施の形態に係る検査工程は、電気的接合度を、接触長さＬ１およびＬ２の少なくとも一方を測定して行ってもよいし、第２の部分５２および第４の部分５７の少なくとも一方を用いて行ってもよい。また、本実施の形態に係る検査工程は、半導体基板１０が矩形をなす場合、少なくとも３つの角部１１に形成された第２の樹脂突起３０をモニタリングすることによって、半導体基板１００の配線基板８０に対する水平度を検査してもよい。

また、演算器を含むフィードバック機構（図示せず）を用いて、半導体装置（１００、２００、または３００）を配線基板８０に搭載する際、フィードバック制御をおこなって、基板を水平に保ち、電気的接合度をモニタリングしながら、半導体装置（１００、２００、または３００）または配線基板８０を押圧してもよい。

本実施の形態に係る電子モジュールの製造方法は、例えば、以下の特徴を有する。

本実施の形態に係る電子モジュールの製造方法よれば、本実施の形態に係る電子モジュールを製造する際に、電気的な接合不良を有する電子モジュールを製造することを防ぐことができる。また、水平度が保たれた電子モジュールを製造することができる。また、電気的な接合不良を有する電子モジュールを製造することを防ぐため、歩留まりを向上することができ、製造コストを低減することができる。

以上によって、本実施の形態に係る電子モジュールの製造方法によれば、電気的な接続信頼性の高い電子モジュールを提供することができる。

上記のように、本発明の実施の形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは、当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。

図１（Ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を模式的に示す平面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す半導体装置のIＢ−IＢ線の断面における要部を示す断面図であり、図１（Ｃ）は、図１（Ａ）に示す半導体装置のIＣ−IＣ線の断面にける要部を示す断面図である。 図２（Ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る第１の樹脂突起および第１の配線、並びに、第２の樹脂突起および第２の配線を模式的に示す斜視図である。図２（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る第２の樹脂突起の形状とその変形例を模式的に示す平面図である。 図３（Ａ）および図３（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の要部の製造方法を模式的に示す斜視図である。 図４（Ａ）〜図４（Ｄ）は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の要部の製造方法を模式的に示す断面図である。 図５（Ａ）〜図５（Ｃ）は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の要部の製造方法を模式的に示す断面図である。 図６は、本発明を適用した半導体装置が実装された電子モジュールを例示する図である。 図７は、本発明の第１の実施の形態に係る電子モジュールの検査を行うための要部の上視図である。 図８（Ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を模式的に示す平面図であり、図８（Ｂ）は、図８（Ａ）に示す半導体装置のVIIIＢ−VIIIＢ線の断面における要部を模式的に示す断面図であり、図８（Ｃ）は、図８（Ａ）に示す半導体装置のVIIIＣ−VIIIＣ線の断面における要部を模式的に示す断面図である。 図９（Ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係る要部を模式的に示す平面図である。図９（Ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る要部の変形例を模式的に示す上視図である。 図１０は、本発明の第２の実施の形態に係る電子モジュールの検査を行うための要部の上視図である。 図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）は、本発明の第３の実施の形態に係る第２の配線、および第３の配線を模式的に示す上視図である。 図１２は、本発明の第３の実施の形態に係る電子モジュールの検査を行うための要部の上視図である。

１０ 半導体基板、１２ 集積回路、１４ 電極、１６ パッシベーション膜、１１ 角部、２０ 第１の樹脂突起、２１ 断面、２２ 接触部、３０ 第２の樹脂突起、３１ 断面、３２ 底面形状、３３ 接触部、３５ 断面、４０ 第１の配線、４１ 部分、５０ 第２の配線、５１ 第１の部分、５２ 第２の部分、５５ 第３の配線、５６ 第３の部分、５７ 第４の部分、５８ 部分、５９ 部分、６０ 樹脂前駆体層、６１ 第１の樹脂前駆体層、６２ 第２の樹脂前駆体層、７０ 導電層、８０ 配線基板、８１ 配線パターン、８２ 電気的接続部、８３ ベース基板、９０ 接着剤、９１ 接着層、１００ 半導体装置、１１０ 第１の直線、１２０ 第２の直線、２００ 半導体装置、３００ 半導体装置、１０００ 電子モジュール

Claims (26)

1. 集積回路が形成され、前記集積回路に電気的に接続された電極を有する半導体基板と、
   前記半導体基板の前記電極が形成された面において、第１の直線上に形成された少なくとも１つの第１の樹脂突起と、
   前記電極と電気的に接続されてなり、前記第１の樹脂突起上に至るように形成された第１の配線と、
   前記半導体基板の前記電極が形成された面において、前記第１の直線上に形成された第２の樹脂突起と、
   前記第２の樹脂突起上に形成された第２の配線と、
   を有し、
   前記第１の直線上における前記第１の配線および前記第２の配線は、前記第１の直線に対して直交して延在する半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第２の配線は、ダミー配線である半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第２の配線は、前記第２の配線の中央部分である第１の部分と、前記第１の部分を挟む第２の部分を有し、
   前記第１の部分の幅は、前記第２の部分の幅と異なる半導体装置。
4. 請求項３において、
   前記第１の部分の幅は、前記第２の部分の幅より狭い半導体装置。
5. 請求項１から請求項４のいずれか１項において、
   前記第１の樹脂突起の前記第１の配線がオーバーラップした部分における断面形状および断面積は、前記第２の樹脂突起の前記第２の配線がオーバーラップした部分における断面形状および断面積と、実質的に同じである半導体装置。
6. 集積回路が形成され、前記集積回路に電気的に接続された電極を有する半導体基板と、
   前記半導体基板の前記電極が形成された面において第１の直線上および前記第１の直線と交差する第２の直線上に形成された複数の第１の樹脂突起と、
   前記電極と電気的に接続されてなり、前記複数の第１の樹脂突起上に至るように形成された第１の配線と、
   前記半導体基板の前記電極が形成された面において、前記第１の直線と前記第２の直線との交点上に形成された第２の樹脂突起と、
   前記第２の樹脂突起上に形成された第２の配線と、
   前記第２の樹脂突起上にて前記第２の配線と交差するように形成された第３の配線と、
   を有し、
   前記第１の直線上における前記第１の配線および前記第２の配線は、前記第１の直線に対して直交して延在し、
   前記第２の直線上における前記第１の配線および前記第３の配線は、前記第２の直線に対して直交して延在する半導体装置。
7. 請求項６において、
   前記第２の配線および第３の配線は、ダミー配線である半導体装置。
8. 請求項６または請求項７において、
   前記第１の直線と前記第２の直線は直交し、
   前記第２の配線と前記第３の配線は、前記第２の樹脂突起上において直交する半導体装置。
9. 請求項６から請求項８のいずれか１項において、
   前記第２の配線は、前記第２の配線の中央部分である第１の部分と、前記第１の部分を挟む第２の部分を有し、
   前記第３の配線は、前記第３の配線の中央部分である第３の部分と、前記第３の部分を挟む第４の部分を有し、
   前記第１の部分の幅は、前記第２の部分の幅と異なり、
   前記第３の部分の幅は、前記第４の部分の幅と異なる半導体装置。
10. 請求項９において、
    前記第１の部分の幅は、前記第２の部分の幅より狭く、
    前記第３の部分の幅は、前記第４の部分の幅より狭い半導体装置。
11. 請求項６から請求項１０のいずれか１項において、
    前記第１の樹脂突起の前記第１の配線がオーバーラップした部分における断面形状および断面積は、前記第２の樹脂突起の前記第２の配線がオーバーラップした部分における断面形状および断面積と、前記第２の樹脂突起の前記第３の配線がオーバーラップした部分における断面形状および断面積と、実質的に同じである半導体装置。
12. 請求項６から請求項１１のいずれか１項において、
    前記半導体基板は矩形をなし、
    前記第１の直線は、前記半導体基板の隣り合う２辺の少なくとも一方に延び、
    前記第２の直線は、前記半導体基板の隣り合う２辺の、前記第１の直線とは異なる一方に延び、
    少なくとも３つの角部に前記第２の樹脂突起が配置されてなる半導体装置。
13. 請求項１２において、
    少なくとも３つの前記第２の樹脂突起は、実質的に同じ形状を有する半導体装置。
14. 請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の半導体装置が、配線基板に対して押圧されることによって、実装されてなる電子モジュールであって、
    前記配線基板は、ベース基板と、前記ベース基板上に形成された配線パターンと、
    を有し、
    前記第１の配線の前記第１の樹脂突起とオーバーラップする部分の一部と前記配線パターンの一部である電気的接続部とが電気的に接続されてなる電子モジュール。
15. 請求項１４に記載の電子モジュールを検査する方法であって、
    前記第２の配線における前記第２の樹脂突起とオーバーラップする部分と前記ベース基板との接触部分の長さである接触長さＬ１を測定する工程と、
    前記接触長さＬ１を用いて、前記半導体装置と前記配線基板との電気的接合度を判定する工程と、
    を含む電子モジュールの検査方法。
16. 請求項１５において、
    前記電気的接合度を判定する工程において、
    前記接触長さＬ１が、前記第１の配線の配線幅より長いことを以って、前記半導体装置と前記配線基板との電気的接合度が良好であると判定することを含む電子モジュールの検査方法。
17. 請求項１４に記載の電子モジュールを検査する方法であって、
    前記第２の配線における前記第２の樹脂突起とオーバーラップする部分と前記ベース基板との接触部分の接触長さＬ１を測定する工程と、
    前記第３の配線における前記第２の樹脂突起とオーバーラップする部分と前記ベース基板との接触部分の接触長さＬ２を測定する工程と、
    前記接触長さＬ１およびＬ２を用いて、前記半導体装置と前記配線基板との電気的接合度を判定する工程と、
    を含む電子モジュールの検査方法。
18. 請求項１７において、
    前記電気的接合度を判定する工程において、
    前記接触長さＬ１およびＬ２が、前記第１の配線の配線幅より長いことを以って、前記半導体装置と前記配線基板との電気的接合度が良好であると判定することを含む電子モジュールの検査方法。
19. 請求項１４に記載の電子モジュールを検査する方法であって、
    前記第２の配線および前記第３の配線の少なくとも一方における配線の幅の違いを用いて、前記半導体装置と前記配線基板との電気的接合度を判定する電子モジュールの検査方法。
20. 請求項１９において、
    前記第２の配線における前記第２の部分および前記第３の配線における前記第４の部分の少なくとも一方を用いて、前記半導体装置と前記配線基板との電気的接合度を判定する電子モジュールの検査方法。
21. 請求項１４に記載の電子モジュールを検査する方法であって、
    少なくとも３つの前記角部に配置された複数の前記第２の樹脂突起において、
    前記第２の配線における前記第２の樹脂突起とオーバーラップする部分と前記ベース基板との接触部分の接触長さＬ１と、前記第３の配線における前記第２の樹脂突起とオーバーラップする部分と前記ベース基板との接触部分の接触長さＬ２と、をそれぞれ測定する工程と、
    少なくとも３つの前記角部における前記接触長さＬ１および前記接触長さＬ２を用いて、前記半導体基板の前記配線基板に対する水平度を判定する工程と、
    を含む電子モジュールの検査方法。
22. 請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の半導体装置を準備する工程と、
    ベース基板と、前記ベース基板上に形成された配線パターンと、を有する配線基板を準備する工程と、
    前記半導体基板を前記配線基板に対して押圧し、前記第１の配線における前記第１の樹脂突起とオーバーラップする部分の一部と前記配線パターンの電気的接続部とを電気的に接続する工程と、
    前記第２の配線における前記第２の樹脂突起とオーバーラップする部分と前記ベース基板との接触部分の接触長さＬ１、および前記第３の配線における前記第２の樹脂突起とオーバーラップする部分と前記ベース基板との接触部分の接触長さＬ２、の少なくとも一方を測定する工程と、
    前記接触長さＬ１およびＬ２の少なくとも一方を用いて、前記半導体装置と前記配線基板との電気的接合度を判定する工程と、
    を含む電子モジュールの製造方法。
23. 請求項２２において、
    前記電気的接合度を判定する工程は、前記半導体基板を前記配線基板に対して押圧する工程とともに行われる電子モジュールの製造方法。
24. 請求項２３において、
    前記電気的接合度を判定する工程は、前記半導体基板の前記配線基板に対する水平度を検査する工程をさらに含む電子モジュールの製造方法。
25. 少なくとも１つの集積回路が形成され、前記集積回路に電気的に接続された電極が形成された半導体基板を用意する工程と、
    前記電極が形成された面において第１の直線上に少なくとも１つの第１の樹脂突起を形成する工程と、
    前記第１の樹脂突起上に、前記電極と電気的に接続する第１の配線を前記第１の直線に直交するように形成する工程と、
    前記第１の直線上に第２の樹脂突起を形成する工程と、
    前記第２の樹脂突起上に、前記第１の直線に直交するように第２の配線を形成する工程と、
    を含む半導体装置の製造方法。
26. 少なくとも１つの集積回路が形成され、前記集積回路に電気的に接続された電極が形成された半導体基板を用意する工程と、
    前記電極が形成された面において第１の直線上および前記第１の直線と交差する第２の直線上に複数の第１の樹脂突起を形成する工程と、
    前記第１の樹脂突起上に、前記電極と電気的に接続する第１の配線を前記第１の直線に直交するように形成する工程と、
    前記第１の直線と前記第２の直線との交点上に第２の樹脂突起を形成する工程と、
    前記第２の樹脂突起上に、前記第１の直線に直交するように第２の配線を形成し、前記第２の直線に直交するように第３の配線を形成する工程と、
    を含む半導体装置の製造方法。