JP2010164538A - 表面修飾基板の解析方法、解析用基板及び表面修飾基板の製造方法、並びに表面修飾基板 - Google Patents
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Abstract
Description
一般的に、ガラス板や石英板の表面、並びに金属酸化膜の表面には、シラン含有有機化合物又はスルホン酸基含有有機化合物を縮合反応させることで、共有結合を形成させ、これらに由来する有機化合物を結合させる。これにより、基板表面を修飾できる。
また、インクジェット等のデバイスでは、その吐出口の吐出側表面を撥水性又は撥油性とする必要があり、吐出口表面にパーフルオロアルキル基を導入する。これは、例えば、シラン含有有機化合物を吐出口表面に結合させることで実現できる(特許文献1参照)。
また、生体分子を固相担体(基板表面)上で、蛍光シグナル等の発光現象により検出する場合には、該生体分子と特異的に結合するプローブを固相担体上に固定化する必要がある。これも上記と同様に、特定の官能基を有する有機化合物を固相担体表面に結合させることで実現できる(非特許文献1参照)。
従来は、解析方法として、電気化学的手法(非特許文献2参照);エリプソメトリー法;水晶振動子マイクロバランス法;電子顕微鏡(走査型、透過型)、走査トンネル顕微鏡又は原子間力顕微鏡を使用する方法;X線光電子分光法等が適用されている。さらに、基板上に固定化させた有機化合物の構造を解析するためには、赤外分光法、核磁気共鳴法(Nuclera Magnetic Resonance)が有効であり(非特許文献2及び3参照)、表面化学修飾技術及び修飾に使用する有機化合物の開発において、重要な知見が得られる。
しかし従来は、有機化合物を安定して基板表面に固定化し、しかも固定化された該有機化合物を、赤外分光法を適用して詳細に解析できる手法が開発されていないのが実情であった。
請求項1に記載の発明は、 基板上に、赤外域において光反射性を有する金属製の薄膜が形成され、該薄膜の表面に、下記一般式(I)〜(III)のいずれかで表される、水酸基含有化合物が固定化された解析用基板の前記水酸基含有化合物の水酸基に、下記一般式(IV)〜(VI)のいずれかで表される有機化合物を結合させて表面修飾基板とし、該表面修飾基板の赤外光反射スペクトルを測定することを特徴とする表面修飾基板の解析方法である。
請求項3に記載の発明は、水酸基との反応性を有する有機化合物を結合させて表面を修飾し、修飾された表面を赤外光反射スペクトルで解析するための解析用基板であって、基板上に、赤外域において光反射性を有する金属製の薄膜を形成する工程と、該薄膜の表面に、下記一般式(I)〜(III)のいずれかで表される、水酸基含有化合物を固定化する工程と、を有することを特徴とする解析用基板の製造方法である。
請求項5に記載の発明は、濃度が0.1mM以上である前記水酸基含有化合物の溶液を、前記薄膜に接触させて、前記水酸基含有化合物を固定化することを特徴とする請求項3又は4に記載の解析用基板の製造方法である。
請求項6に記載の発明は、前記水酸基含有化合物を気化させ、前記薄膜に接触させて固定化することを特徴とする請求項3又は4に記載の解析用基板の製造方法である。
請求項7に記載の発明は、請求項3〜6のいずれか一項に記載の製造方法で製造された解析用基板の、水酸基含有化合物の水酸基に、下記一般式(IV)〜(VI)のいずれかで表される有機化合物を結合させる工程を有することを特徴とする表面修飾基板の製造方法である。
請求項8に記載の発明は、請求項7に記載の製造方法で製造され、前記水酸基含有化合物及び有機化合物が結合してなる層の厚さが200nm以下であることを特徴とする表面修飾基板である。
<解析用基板の製造方法>
図1は、本発明における解析用基板を例示する概略断面図である。解析用基板とは、表面修飾基板の製造に供する基板である。
解析用基板1において、基板11の表面11aには、密着層12が積層され、該密着層12の表面には金属薄膜13が成膜されている。
基板11の材質は、一般的に利用されているもので良い。具体的には、ガラス、樹脂、金属、セラミックスが例示でき、なかでもガラス又はシリコン樹脂が特に好ましい。本発明においては、解析用基板は、反射光の測定に使用されるので、基板11の材質は、必ずしも光透過性を有していなくて良い。
金属薄膜13の厚さT13は、光反射性を損なわない限り特に限定されないが、50〜700nmであることが好ましく、70〜500nmであることがより好ましく、90〜400nmであることが特に好ましい。厚さT13を下限値以上とすることで、一層均一な薄膜が得られると共に、基板上の修飾層を一層明瞭に確認でき、上限値以下とすることで、取り扱い性が良好な解析用基板とすることができる。
密着層12の厚さT12は、基板11及び金属薄膜13への密着性を損なわない限り特に限定されないが、5〜200nmであることが好ましく、7〜100nmであることがより好ましく、9〜70nmであることが特に好ましい。このような範囲とすることで、基板11及び金属薄膜13に対して一層良好な密着性を示し、しかも取り扱い性が良好な解析用基板とすることができる。
結合層14では、金属薄膜13の表面に、下記一般式(I)〜(III)のいずれかで表される、水酸基含有化合物が固定化されている。なお、図1では、前記水酸基含有化合物の固定化状態を詳細に示すため、結合層14は、断面表示していない。
また、厚さT14は、エリプソメータ等を使用して公知の手法で測定できる。
まず、基板表面11aに、密着層12を積層する。積層方法はスパッタリング等、公知の手法で良い。
次いで、前記積層方法と同様の方法で、密着層12の表面に金属薄膜13を成膜する。
金属薄膜13を成膜後は、基板11上を洗浄することが好ましい。このようにすることで、次工程で有機化合物を一層確実に金属薄膜13に結合させることができる。洗浄方法としては、紫外線/オゾン照射による洗浄;塩酸、硫酸、硝酸、フッ化水素酸、30%過酸化水素水/濃硫酸=1/3(v/v)(ピランハ溶液)等の強酸を使用する洗浄が例示できる。
次いで、水酸基含有化合物を金属薄膜13に接触させることで、金属薄膜13の表面に固定化する。好ましい方法として具体的には、所定濃度の水酸基含有化合物の溶液を、金属薄膜13に接触させる方法(以下、「溶液法」と略記する);気化させた前記水酸基含有化合物を、金属薄膜13に接触させる方法(以下、「気化法」と略記する)が例示できる。
溶液の水酸基含有化合物の濃度は特に限定されず、水酸基含有化合物が析出せず、取り扱いに不具合を生じない範囲で、高いほど好ましい。通常は、0.1mM以上であることが好ましく、0.5mM以上であることがより好ましく、1mM以上であることが特に好ましい。このよう範囲であれば、一層確実に水酸基含有化合物を固定化できる。
接触時間及び温度は、水酸基含有化合物の濃度等を考慮して、適宜設定すれば良い。
溶媒は、水酸基含有化合物との反応性を有さないものが好ましく、アルコール類が例示できる。なかでも、エタノール又はイソプロパノールが好ましく、エタノールが特に好ましい。
加熱時の温度及び時間は、水酸基含有化合物が劣化しない範囲でその種類に応じて設定すれば良いが、通常は、30〜60℃で12〜36時間程度処理すれば十分である。
洗浄方法は、洗浄液としてエタノール等のアルコール類を使用する方法が例示できる。
ただし、金属薄膜を直接基板表面に良好に密着できる場合には、解析用基板には必ずしも密着層を設ける必要はない。例えば、基板表面が粗化されている場合には、金属薄膜を直接基板表面に良好に密着できる。
前記解析用基板は、その水酸基含有化合物の水酸基に、水酸基との反応性を有する有機化合物を結合させることで、表面修飾基板とすることができる。水酸基との反応性を有する有機化合物としては、下記一般式(IV)〜(VI)のいずれかで表される有機化合物が好ましい。前記有機化合物は、一般式から明らかな通り、シラン含有有機化合物又はスルホン酸基含有有機化合物である。
R1の加水分解可能な基として、好ましいものとしては、炭素数が1〜6のアルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アシルオキシ基及びハロゲン原子が例示できる。
炭素数が1〜6のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、ペントキシ基およびヘキシルオキシ基が例示できる。
アリールオキシ基としては、フェノキシ基およびナフトキシ基が例示できる。
アラルキルオキシ基としては、ベンジルオキシ基およびフェネチルオキシ基が例示できる。
アシルオキシ基としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、バレリルオキシ基、ピバロイルオキシ基およびベンゾイルオキシ基が例示できる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が例示できる。
これらのなかでも、R1は加水分解可能な基であることが好ましく、炭素数が1〜6のアルコキシ基であることがより好ましく、メトキシ基又はエトキシ基であることが特に好ましい。
R2の1価の炭化水素基は特に限定されず、鎖状構造および環状構造のいずれでも良く、飽和および不飽和のいずれでも良い。鎖状構造の場合には、直鎖状および分岐鎖状のいずれでも良く、環状構造の場合には、単環構造および多環構造のいずれでも良い。
なかでも、好ましいものとして、炭素数が1〜6のアルキル基、アリール基およびアラルキル基が例示できる。
炭素数が1〜6のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基およびヘキシル基が例示できる。
アリール基としては、フェニル基およびナフチル基が例示できる。
アラルキル基としては、ベンジル基およびフェネチル基が例示できる。
これらのなかでも、R2は1価の炭化水素基であることが好ましく、炭素数が1〜6のアルキル基であることがより好ましく、メチル基、エチル基、n−プロピル基又はイソプロピル基であることが特に好ましく、メチル基であることが最も好ましい。
X1、X2及びX3の1価の有機基は、目的に応じて任意に選択できる。具体的には、直鎖状、分岐鎖状又は環状の炭化水素基や、該炭化水素基の少なくとも一つの水素原子又は炭素原子が、置換基で置換されたものが例示できる。ここで、「置換基」とは、一つの原子及び複数の原子からなる基のいずれでも良い。
X1、X2及びX3のフルオロアルキル基又はフルオロアルキルエーテル基におけるアルキルとしては、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシルが例示できる。
X1、X2及びX3のフルオロアルキル基又はフルオロアルキルエーテル基における炭素数は、3〜12であることが好ましく、6〜10であることがより好ましい。
前記フルオロアルキル基又はフルオロアルキルエーテル基は、水素原子が置換されているフッ素原子の数が多いほど好ましく、すべての水素原子がフッ素原子に置換されたパーフルオロアルキル基又はパーフルオロアルキルエーテル基でも良い。そして、X1及びX2においては、ケイ素原子に結合している部位とは反対側の末端の水素原子がすべてフッ素原子で置換されていることが好ましい。同様に、X3においては、硫黄原子に結合している部位とは反対側の末端の水素原子がすべてフッ素原子で置換されていることが好ましい。
X1、X2及びX3における前記炭化水素基の炭素原子が置換される置換基として、具体的には、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、カルボニル基、オキシカルボニル基、カルボニルオキシ基、アミド基(−NH−C(=O)−)が例示できる。
また、厚さT15は、エリプソメータ等を使用して公知の手法で測定できる。
一方、水酸基含有化合物を介在させずに、前記有機化合物を直接金属薄膜13へ固定化しようとすると、上記のような薄い厚さでは修飾層を形成できず、数千nmもの厚さになるのが通常である。これは、金属薄膜13上では、前記有機化合物が配向することなくランダムに固定化され、しかも該有機化合物同士で結合を形成するなど、有機化合物の反応を制御できないためであると推測される。
このように、本発明における表面修飾基板は、水酸基含有化合物及び前記有機化合物が結合してなる層(すなわち、結合層14及び修飾層15)の厚さを極めて薄くできる点に特徴がある。
有機化合物の溶液を使用する場合、溶液中の有機化合物の濃度は特に限定されず、有機化合物が析出せず、取り扱いに不具合を生じない範囲で、通常は、0.03M以上であることが好ましく、0.06M以上であることがより好ましく、0.09M以上であることが特に好ましい。このよう範囲であれば、一層確実に有機化合物を結合させることができる。
溶媒は、有機化合物の種類を考慮して選択すれば良く、有機化合物との反応性を有さないものが好ましく、アルコール類、ハロゲン系溶媒が例示できる。アルコール類としては、エタノール又はイソプロパノールが好ましい。また、アルコール類を使用する場合には、水溶液との混合溶媒としても良い。また、ハロゲン系溶媒としては、フッ素系溶媒、塩素系溶媒が好ましい。通常、有機化合物がハロゲン原子を有する場合には、ハロゲン系溶媒を使用することが好ましい。
洗浄方法は、洗浄液として、有機化合物の溶液で使用したものと同様の溶媒を使用する方法が例示できる。
本発明の表面修飾基板は、赤外光反射スペクトルを測定することで、基板表面に固定化された前記有機化合物の構造や、これら有機化合物による修飾状態を詳細に解析できる。
赤外光反射スペクトルの測定は、赤外分光法(FT−IR)の全反射測定法(ATR法)又は高感度反射法(RAS法)で行うことが好ましい。例えば、図2に示す表面修飾基板2の基板表面11aが比較的平滑である場合には、全反射測定法及び高感度反射法のいずれも適用でき、基板表面11aが粗化されている場合には、全反射測定法を適用することが好ましい。
[実施例1]
(解析用基板の作製)
図1で説明した方法により、解析用基板を作製した。
すなわち、基板11として、シリコーン基板(厚さ;0.5mm)を使用し、その表面11a全面に、アルゴンプラズマを使用したスパッタリングにより、密着層として厚さ10nmのチタン薄膜を成膜した。
次いで、同様の方法でチタン薄膜の表面に、金属薄膜として厚さ200nmの金薄膜を成膜した。
次いで、金薄膜が成膜された基板を、紫外線/オゾン照射により洗浄したのち、濃度が1mMである11−ヒドロキシ−1−ウンデカンチオールのエタノール溶液に室温で12時間浸漬し、エタノールで洗浄することで、11−ヒドロキシ−1−ウンデカンチオールを金薄膜上に固定化して、厚さ約1.6nmの結合層を形成した。
以上により、水酸基含有化合物として11−ヒドロキシ−1−ウンデカンチオールが固定化された解析用基板が得られた。
(表面修飾基板の作製)
フッ素系溶媒(0.02mol/LのCF3−(CF2)7−(CH2)2−SiCl3)であるノベックHFE(商標、住友スリーエム株式会社製)を使用して、濃度が0.5Mである1H,1H,2H,2H−パーフルオロオクチルトリエトキシシランの溶液を調製した。この溶液を、実施例1で作製した解析用基板上にディップ塗布し、一晩乾燥させてから、ノベックHFEで洗浄することで、1H,1H,2H,2H−パーフルオロオクチルトリエトキシシランを基板に結合させ、厚さ約0.9nmの修飾層を形成した。
以上により、水酸基との反応性を有する有機化合物として1H,1H,2H,2H−パーフルオロオクチルトリエトキシシランが結合され、表面が修飾された表面修飾基板が得られた。
実施例2で作製した表面修飾基板を修飾層の表面側から、赤外分光法(FT−IR)の全反射測定法(ATR法)で解析した結果、図3に示すように、C−F結合、C−C結合、C−H結合に由来するシグナルを高感度に検出できた。
図1で説明した方法により、図4に示す解析用基板を作製した。図4は、本実施例で作製した解析用基板を示す概略断面図である。なお、図4では、水酸基含有化合物の固定化状態を詳細に示すため、結合層は断面表示していない。
すなわち、パイレックス(登録商標)(コード7059、コーニングインターナショナル株式会社製)のガラス基板31(厚さ;1.1mm)を使用し、その表面31a全面に、アルゴンプラズマを使用したスパッタリングにより、密着層として厚さ50nmのクロム薄膜32を成膜した。
次いで、同様の方法でクロム薄膜32の表面に、金属薄膜として厚さ100nmの白金薄膜33を成膜した。
次いで、白金薄膜33が成膜された基板31を、ピランハ溶液で洗浄したのち、少量の6−ヒドロキシ−1−ヘキサンチオールと共にガラス容器内に封入し、40℃のオーブン内で24時間静置することで、6−ヒドロキシ−1−ヘキサンチオールを白金薄膜33上に固定化し、厚さ約0.9nmの結合層34を形成した。
以上により、水酸基含有化合物として6−ヒドロキシ−1−ヘキサンチオールが固定化された解析用基板3が得られた。
(表面修飾基板の作製)
20%酢酸水溶液をイソプロピルアルコールで100倍希釈した溶液を使用して、濃度が0.1Mであるメトキシ(ジメチル)オクタデシルシランの溶液を調製した。この溶液を、実施例4で作製した解析用基板上にディップ塗布し、24時間乾燥させてから、イソプロピルアルコールで洗浄することで、メトキシ(ジメチル)オクタデシルシランを基板に結合させ、厚さ約0.9nmの修飾層を形成した。
以上により、水酸基との反応性を有する有機化合物としてメトキシ(ジメチル)オクタデシルシランが結合され、表面が修飾された表面修飾基板が得られた。
実施例5で作製した表面修飾基板を修飾層の表面側から、赤外分光法(FT−IR)の全反射測定法(ATR法)で解析した結果、メチル基(−CH3)、C−C結合のそれぞれに由来するシグナルを高感度に検出できた。この時の解析データとして、メチル基(−CH3)の検出データを図5に示す。
Claims (8)
- 基板上に、赤外域において光反射性を有する金属製の薄膜が形成され、該薄膜の表面に、下記一般式(I)〜(III)のいずれかで表される、水酸基含有化合物が固定化された解析用基板の前記水酸基含有化合物の水酸基に、下記一般式(IV)〜(VI)のいずれかで表される有機化合物を結合させて表面修飾基板とし、
該表面修飾基板の赤外光反射スペクトルを測定することを特徴とする表面修飾基板の解析方法。
- 前記金属が金、銀、白金、銅又は鉛であることを特徴とする請求項1に記載の表面修飾基板の解析方法。
- 前記金属が金、銀、白金、銅又は鉛であることを特徴とする請求項3に記載の解析用基板の製造方法。
- 濃度が0.1mM以上である前記水酸基含有化合物の溶液を、前記薄膜に接触させて、前記水酸基含有化合物を固定化することを特徴とする請求項3又は4に記載の解析用基板の製造方法。
- 前記水酸基含有化合物を気化させ、前記薄膜に接触させて固定化することを特徴とする請求項3又は4に記載の解析用基板の製造方法。
- 請求項7に記載の製造方法で製造され、前記水酸基含有化合物及び有機化合物が結合してなる層の厚さが200nm以下であることを特徴とする表面修飾基板。
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