JP2010156723A - 液晶パネル、表示装置、テレビ受信装置 - Google Patents

Abstract

【課題】層間絶縁膜として有機絶縁膜を用いた場合にも気泡が生じ難い液晶パネルを提供する。
【解決手段】本発明の液晶パネルは、一対の基板３０，４０間に液晶層５０を挟持してなる液晶パネルであって、基板３０には、スイッチング素子６０と、前記スイッチング素子６０上に配された有機絶縁膜９７と、前記有機絶縁膜９７に形成されたコンタクトホール６５と、前記コンタクトホール６５を介して前記スイッチング素子６０と電気的に接続された画素電極４４と、前記画素電極４４よりも前記液晶層５０側に配された配向膜４５と、が形成され、前記配向膜４５と前記有機絶縁膜９７との間には、前記有機絶縁膜９７よりも吸湿性の低い低吸湿絶縁膜６８が形成されてなることを特徴とする。
【選択図】図８

Description

本発明は、液晶パネル、表示装置、及びテレビ受信装置に関する。

液晶装置の構成として、一対の基板間に液晶層が挟持されてなるものが公知であり、そのうち一方の基板は、画素電極を備えたアクティブマトリクス基板として構成される。このアクティブマトリクス基板は、ゲート配線と信号配線とが透明基板上に格子状に設けられ、ゲート配線と信号配線との交差部にＴＦＴ等のスイッチング素子が設けられた構成を有している。そして、ゲート配線と信号配線とに囲まれた領域に画素電極が配され、これにより表示単位としての画素が構成されている。

ところで、液晶装置においては、表示品位の向上、なかでも明るさ向上のために画素電極を可能な限り大きくし、開口率を高めることが要求されている。そこで、例えば上記アクティブマトリクス基板上のゲート配線や信号配線と画素電極を重畳させ、開口率を高める手法がある（例えば特許文献１参考）。
特開２００１−２６４７９８公報

特許文献１には、アクティブマトリクス基板において、配線と画素電極との間に厚膜の層間絶縁層を設けることにより、画素電極と配線との間のカップリング容量増大を抑制しつつ、開口率向上を実現した液晶表示装置が記載されている。しかしながら、このような厚膜の層間絶縁層として有機絶縁膜を用いると、この有機絶縁膜が例えば無機絶縁膜に比して高い吸湿性を備えるため、液晶パネルに気泡が発生する場合がある。特に、対向側の基板との貼り合せ前に脱気処理を行った後、貼り合せ工程までに長時間（例えば３０分以上）非真空下に放置する事態が生じた場合（例えば装置故障等のトラブル発生時）には、当該気泡発生が顕著となり得る。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、層間絶縁膜として有機絶縁膜を用いた場合にも気泡が生じ難い液晶パネルを提供することを目的としている。また、本発明は、そのような液晶パネルを備えた表示装置、及びテレビ受信装置を提供することを目的としている。

上記課題を解決するために、本発明の液晶パネルは、一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶パネルであって、前記基板の少なくとも一方には、スイッチング素子と、前記スイッチング素子上に配された有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜に形成されたコンタクトホールと、前記コンタクトホールを介して前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、前記画素電極よりも前記液晶層側に配された配向膜と、が形成され、前記配向膜と前記有機絶縁膜との間には、前記有機絶縁膜よりも吸湿性の低い低吸湿絶縁膜が形成されてなることを特徴とする。

このような液晶パネルは、気泡が生じ難く信頼性の高いものとなる。つまり、スイッチング素子と画素電極との間の絶縁膜として吸湿性の高い有機絶縁膜を用いたにも拘らず、気泡が生じ難いものとなる。吸湿性の高い有機絶縁膜を層間絶縁膜として用いると、有機絶縁膜に含浸した水分（水蒸気）等のガスが、基板貼り合せ時に液晶層側に移動し、これが気泡となって液晶層に存在する不具合が生じ易い。しかしながら、本発明では、有機絶縁膜と配向膜との間に低吸湿絶縁膜を配する構成としたため、有機絶縁膜に水分（水蒸気）等のガスが含浸されていた場合にも、基板貼り合せ時に当該ガス成分が液晶層側に移動することが防止ないし抑制され、液晶層において気泡が発生する不具合が生じ難いものとなる。
なお、気泡発生の抑制方法としては、貼り合せ前の基板に対する加熱減圧による脱ガス処理が考えられるが、この方法によると、加熱減圧した後、貼り合せまでに長時間を要した場合等の事情によりガスが基板に滞留した場合、結局のところ貼り合せ後に気泡が発生してしまう。また、真空又は不活性ガス置換された大気環境下のインラインにてパネル製造を行う手法も考えられるが、ライン構築が非常に難しく、大幅なコストアップが危惧される。さらに、基板の貼り合せ強度を向上させ、つまりシール接着強度を向上させて、パネル界面からのガス吸着を防止する手法も考えられるが、これは貼り合せ後のパネル状態での吸湿防止策である。このように気泡発生を抑制する手法は幾つか考えられるが、それぞれ大なり小なり不具合を伴うものである。しかしながら、本発明によれば、特別な装置も必要とせず、貼り合せの前に基板を非真空下に放置するような事態があった場合にも確実に気泡発生を防止できるため、低コストで、より確実に気泡発生を防止することが可能となるのである。

上記液晶パネルにおいて、前記有機絶縁膜が、ポリイミド系の有機膜からなる第１有機絶縁膜と、前記第１有機絶縁膜上に配され、前記第１有機絶縁膜よりも厚膜であって、アクリル系の有機膜からなる第２有機絶縁膜と、を含むものとすることができる。
このような厚膜のアクリル系有機膜である第２有機絶縁膜を備える場合、当該有機絶縁膜の吸湿性が非常に高いものとなり、気泡発生防止の観点から、上記のように低吸湿絶縁膜を設けることが特に好ましい。また、このような第２有機絶縁膜を設けることで、開口率向上を目的として、基板上に設けた配線と重畳して画素電極を不備なく形成することが可能となる。これは、厚膜の第２有機絶縁膜により、画素電極と配線との間のカップリング容量増大を抑制することが可能となるためである。

具体的には、前記第１有機絶縁膜が１０００Å〜３０００Åの膜厚であり、前記第２有機絶縁膜が１．５μｍ〜３．０μｍの膜厚であり、前記低吸湿絶縁膜が１０００Å〜３０００Åの膜厚であるものとすることができる。
このような膜厚関係とすることにより、上述した開口率向上と気泡発生防止とを好適に実現することが可能となり得る。

また、前記第２有機絶縁膜が、エステル化合物を含むものとすることができる。
このようにエステル化合物を含む第２有機絶縁膜は、非常に吸湿性が高いため、上記のように低吸湿絶縁膜を設けることが特に好ましい。
なお、前記エステル化合物としては例えばスルホン酸エステル等を例示することができ、このスルホン酸エステルは特に吸湿性が高いため、上記のように低吸湿絶縁膜を設けることが特に好ましい。

また、前記低吸湿絶縁膜が、窒化ケイ素からなるものとすることができる。
このように窒化ケイ素により低吸湿絶縁膜を構成すると、低吸湿絶縁膜に要求される高い絶縁性、高い透光性、低い吸湿性のいずれも満たすことが可能となる。

また、前記一対の基板は、互いにシール剤を介して貼り合せられており、前記低吸湿絶縁膜は、前記シール剤が形成された領域を回避して形成されているものとすることができる。
このようにシール剤が形成された領域を回避して、つまりシール剤が形成された領域を低吸湿絶縁膜の非形成領域とすることで、シール剤の密着強度低下を防止することが可能となる。

一方、上記課題を解決するために、本発明の表示装置は、上記液晶パネルを備えることを特徴とする。すなわち、上記液晶パネルと、この液晶パネルに光を供給する照明装置とを備えたことを特徴とする。このような表示装置によると、気泡発生に伴う表示不良が発生し難いものとなる。また、本発明のテレビ受信装置は、上記表示装置を具備することを特徴とする。このようなテレビ受信装置によると、品質に優れた表示を提供することが可能となる。

本発明によると、層間絶縁膜として有機絶縁膜を用いた場合にも気泡が生じ難い液晶パネルを提供することが可能となる。

以下、本発明の液晶装置及びテレビ受信装置を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。
まず、図１は本実施形態のテレビ受信装置ＴＶの全体構成を示す分解斜視図であり、図２はテレビ受信装置ＴＶが備える液晶表示装置（表示装置）１０の全体構成を示す分解斜視図、図３は図２のＡ−Ａ断面の構成を示す断面図である。

本実施形態に係るテレビ受信装置ＴＶは、図１に示すように、液晶表示装置（液晶装置）１０と、当該液晶表示装置１０を挟むようにして収容する表裏両キャビネットＣａ，Ｃｂと、電源Ｐと、チューナーＴと、スタンドＳとを備えて構成される。液晶表示装置１０は、全体として横長の方形を成し、図２及び図３に示すように、平面視矩形をなす表示パネルである液晶パネル１１と、外部光源であるバックライト装置（表示装置用照明装置）１２とを備え、これらがベゼル１３などにより一体的に保持されるようになっている。

液晶パネル１１は、透光性の素子基板（アクティブマトリクス基板）と透光性の対向基板（ＣＦ基板）との隙間に、電圧印加に伴って光学特性が変化する液晶層を形成した、いわゆるアクティブマトリクスタイプのものである。
バックライト装置１２は、液晶パネル１１の背面直下に光源が配置されてなる、いわゆる直下型のバックライトであり、表側（光出射側）に開口したシャーシ１４と、シャーシ１４内に敷設される反射シート１４ａと、シャーシ１４の開口部分に取り付けられる光学部材１５と、光学部材１５を固定するためのフレーム１６と、シャーシ１４内に収容される複数本の冷陰極管１７と、冷陰極管１７の端部を遮光するとともに自身が光反射性を備えてなるランプホルダ１９と、を有して構成されている。

続いて、液晶パネル１１の構成について、詳細に説明する。
図４は液晶パネル１１についてドライバ回路及び配線構成を模式的に示す平面図、図５は当該液晶パネル１１の要部断面構成を模式的に示す図である。また、図６はソース配線（信号配線）及びゲート配線（走査配線）によって囲まれてなる画素の構成を示す平面模式図であり、図７は図６のＢ−Ｂ線断面模式図、図８は図６のＣ−Ｃ線断面模式図である。

液晶パネル１１は、図４及び図５に示すように、一対の基板３０，４０が所定のギャップを空けた状態でシール剤８９を介して貼り合わせられるとともに、両基板３０，４０間に液晶が封入された構成とされ、当該液晶により液晶層５０が形成されている。

基板４０は素子基板（アクティブマトリクス基板）であって（以下、基板４０を素子基板４０とも言う）、透光性のガラス基板４１の液晶層５０側に形成された半導体素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ，スイッチング素子）６０と、当該薄膜トランジスタ６０に対して電気的に接続された画素電極４４と、これら薄膜トランジスタ６０及び画素電極４４の液晶層５０側に形成された配向膜４５と、を備えている。なお、ガラス基板４１の液晶層５０側とは反対側には偏光板４２が配設される。

画素電極４４は例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電膜からなり、素子基板４０の液晶層５０側にマトリクス状のパターンで形成されている。詳しくは、薄膜トランジスタ６０のドレイン電極６４（図６参照）とコンタクトホール６５を介して接続され、当該薄膜トランジスタ６０のスイッチング作動により選択的に電圧が印加されるものとなっている。また、配向膜４５は例えばポリイミドのラビング配向膜から構成されており、偏光板４２は例えば透明フィルムにヨウ素や染料を染み込ませたものを、一方向に延伸してなるものを採用している。

一方、基板３０は対向基板であって（以下、基板３０を対向基板３０とも言う）、ガラス基板３１の液晶層５０側に形成され、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の各色光を選択的に透過可能な着色部Ｒ，Ｇ，Ｂを備えたカラーフィルタ３３と、カラーフィルタ３３の液晶層５０側に形成された共通電極３４と、共通電極３４の液晶層５０側に形成された配向膜３５と、を備えている。なお、ガラス基板３１の液晶層５０側とは反対側には偏光板３２が配設される。

カラーフィルタ３３は、着色部Ｒ，Ｇ，Ｂの境界に配されたブラックマトリクスＢＭを備え、当該ブラックマトリクスＢＭは素子基板４０の非画素部（つまり薄膜トランジスタ６０が形成された領域）を覆うように、当該非画素部に重畳して配されている。また、対向電極３４は例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電膜からなり、対向基板３０の液晶層５０側に全面ベタ状に形成されている。また、配向膜３５は例えばポリイミドのラビング配向膜から構成されており、偏光板３２は例えば透明フィルムにヨウ素や染料を染み込ませたものを、一方向に延伸してなるものを採用している。

図４に戻り、素子基板４０には、ソースドライバ８０から各画素に対して画像信号を供給する複数のソース配線（信号配線）８１と、ゲートドライバ９０から各画素のＴＦＴ６０に対して走査信号を供給する複数のゲート配線（走査配線）９１と、各画素に対して容量を形成するための電気信号をソースドライバ８０から供給する複数の蓄積容量線（容量配線）８３と、が形成されている。なお、蓄積容量線８３はソースドライバ８０に接続された引廻配線８２とコンタクトホール（図示略）を介して接続されている。

図６に示すように、ソース配線８１とゲート配線９１とによって囲まれた領域には、画素電極４４からなる画素部（画素領域）４８が形成され、当該画素部４８において液晶層（液晶素子）５０と蓄積容量４９が並列に接続されている。蓄積容量４９は、図７に示すように蓄積容量線（容量電極）８３と画素電極４４との間に絶縁膜６１が配された構成によって形成されるものである。このような蓄積容量４９により、ＴＦＴ６０がＯＮとなると、画像信号（駆動電圧）が画素部４８へ書き込まれる一方、ＴＦＴ６０がＯＦＦとなった後にも蓄積容量４９によって電圧が保持される。

前述した通り、液晶パネル１１では、素子基板４０上においてゲート配線９１とソース配線８１とが交差して配線され、図６に示すように、各配線の交差部にはソース配線８１と接続されてなるソース電極６３と、ゲート配線９１と接続されてなるゲート電極６６と、ドレイン電極６４とから構成されたＴＦＴ６０が配設されている。そして、交差するゲート配線９１とソース配線８１とにより囲まれた領域が画素部４８とされており、本実施形態では、当該画素部４８に２つの画素電極４４が形成されている。また、本実施形態の液晶パネル１１では、画素電極４４は、その外縁の一部がソース配線８１及びゲート配線９１と重畳する形で配されており、これにより画素開口率の向上を図っている。

一方、蓄積容量配線８３を挟んで隣接する２つの画素電極４４ａ，４４ｂについても、図６及び図７に示すように、その外縁の一部がそれぞれ当該蓄積容量配線８３と重畳する形で配されている。具体的には、蓄積容量４９が形成される部分（図６のＢ−Ｂ線部）の積層構成は、図７に示すように、蓄積容量線８３と、蓄積容量線８３上に形成されたゲート絶縁膜６１と、ゲート絶縁膜６１上に形成された導電膜８１ａ，８１ｂと、導電膜８１ａ，８１ｂ上に形成された第１有機絶縁膜（層間絶縁膜）７０と、第１有機絶縁膜７０上に形成された第２有機絶縁膜（有機平坦化膜）６２と、第２有機絶縁膜６２上に形成された低吸湿絶縁膜６８と、低吸湿絶縁膜６８上に形成された画素電極４４（４４ａ，４４ｂ）と、画素電極４４上に形成された配向膜４５とが積層されてなるものである。

このうち画素電極４４ａ，４４ｂは、上述の通り、その外縁が蓄積容量線８３に重畳している。また、導電膜８１ａ，８１ｂは、ドレイン電極６４と接続され、ゲート絶縁膜６１を介して蓄積容量線８３との間で蓄積容量を形成する電極としての機能を有している。導電膜８１ａ，８１ｂはソース配線８１と同層であって、例えばソース配線８１と同一材料、同一工程で形成されるものである。具体的には、アルミニウム、クロム、タンタル、チタン等を用いて形成することができる。

また、ＴＦＴ６０が形成された領域については、図６及び図８に示す構成を有している。具体的には、ガラス基板４１上に形成されたゲート電極６６と、ゲート電極６６上に形成されたゲート絶縁膜６１と、ゲート絶縁膜６１上に形成された半導体層（ａ−Ｓｉ層）６７と、半導体層６７上に形成されたｎ^＋Ｓｉ層８１ｚと、ｎ^＋Ｓｉ層８１ｚ上に形成された導電部８１と、導電部８１上に形成された第１有機絶縁膜（層間絶縁膜）７０と、第１有機絶縁膜７０上に形成された第２有機絶縁膜（有機平坦化膜）６２と、第２有機絶縁膜６２上に形成された低吸湿絶縁膜６８と、低吸湿絶縁膜６８上に形成された画素電極４４と、画素電極４４上に形成された配向膜４５とが積層されてなるものである。

ゲート電極６６は、例えばアルミニウム（Ａｌ）の他、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）等の金属膜単体又はこれらの金属窒化物との積層膜で形成することができ、スパッタリング法により成膜を行うものとしている。
ゲート絶縁膜６１は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮｘ）の他、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等で形成することができ、プラズマＣＶＤ法により成膜を行うものとしている。
半導体膜６７は、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等で形成することができる。なお、半導体層６７にはゲート電極６６と対向してチャネル領域６７ａが形成されている。

ソース電極６３及びドレイン電極６４の下層側を構成するｎ^＋Ｓｉ層８１ｚは、例えばリン（Ｐ）等のｎ型不純物を高濃度にドーピングしたアモルファスシリコン（ｎ^＋Ｓｉ）等で形成することができる。
一方、ソース電極６３及びドレイン電極６４の上層側を構成する導電部８１は、例えばアルミニウム（Ａｌ）の他、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）等の金属膜単体又はこれらの金属窒化物との積層膜で形成することができる。

ドレイン電極６４と画素電極４４とは有機絶縁膜９７に形成されたコンタクトホール６５により電気的に接続されており、この有機絶縁膜９７が上述した通り第１有機絶縁膜７０と第２有機絶縁膜６２とにより構成されている。そして、この有機絶縁膜９７から液晶層５０側へ水分等のガスが透過すること、或いは有機絶縁膜９７への水分等のガスの含浸を防止すべく低吸湿絶縁膜６８が形成されている。

有機絶縁膜９７は、上述の通り第１有機絶縁膜７０と第２有機絶縁膜６２とからなり、第１有機絶縁膜７０は、厚さ１０００Å〜３０００Åで、ポリイミド系の有機膜から構成されている。また、第２有機絶縁膜６２は、厚さ１．５μｍ〜３．０μｍで、アクリル系の有機膜から構成されており、これにより有機絶縁膜９７の厚膜化が図られている。そして、この厚膜化により、画素電極４４と配線（導電部）８１との間のカップリング容量増大を抑制しつつ開口率の向上が実現されている。また、この第２有機絶縁膜６２は、エステル化合物（ここではスルホン酸エステル）を含み、特に吸湿性の高い有機膜にて構成されている。なお、第１有機絶縁膜７０と第２有機絶縁膜６２と低吸湿絶縁膜６８とは、全面ベタ成膜後、一括してコンタクトホール６５を形成するフォトリソグラフィー工程を経ることが好ましい。

低吸湿絶縁膜６８は、有機絶縁膜９７よりも吸湿性の低い材料（特に第２有機絶縁膜６２よりも吸湿性の低い材料）から構成され、本実施形態では窒化ケイ素から構成されている。この低吸湿絶縁膜６８の膜厚は、１０００Å〜３０００Åとされている。なお、有機絶縁膜９７よりも吸湿性の低い材料（特に第２有機絶縁膜６２よりも吸湿性の低い材料）であれば、無機材料に限定されることなく、有機材料にて構成することも可能である。なお、低吸湿絶縁膜６８は、基板３０，４０を貼り合せるためのシール剤８９が形成された領域を回避して成膜されている。

以上、本実施形態の構成を説明したが、ここで液晶パネル１１を製造する工程のうち特に貼り合せ工程について説明する。
上記構成の対向基板３０と素子基板４０を作成した後、それぞれ洗浄工程を経て、対向基板３０上にシール剤８９を描画する。そして、基板間距離（ギャップ）を規定する柱状物（図示略）の高さ検査を経た後、対向基板３０と素子基板４０の双方に減圧脱気処理を施す。そして、対向基板３０のシール剤８９の内側に液晶を滴下し、この対向基板３０と素子基板４０とを真空下貼り合せ、本実施形態に係る構成の液晶パネル１１を得るものとしている。

このような液晶パネル１１の製造工程において、脱気処理後は可能な限り早期に貼り合せを行うことが好ましい。脱気した基板３０，４０にガスが再度浸透する惧れがあるためである。ところが、貼り合せ装置等に不具合が発生した場合には、これら基板３０，４０を脱気処理した後、数十分ないし数時間、大気中に解放せざるを得ない状況に陥る場合がある。しかしながら、本実施形態では、上述した通り吸湿性の高い有機絶縁膜９７と配向膜４５との間に低吸湿絶縁膜６８を配しているため、ガスが有機絶縁膜９７に再浸透し難く、その結果、貼り合せ後において液晶層５０に気泡が発生する不具合が極めて生じ難いものとなっている。

また、特に有機絶縁膜９７が、ポリイミド系の有機膜からなる第１有機絶縁膜７０と、第１有機絶縁膜７０よりも厚膜であってアクリル系の有機膜からなる第２有機絶縁膜６２とを含むものとしている。このような厚膜のアクリル系有機膜である第２有機絶縁膜６２を備える場合、有機絶縁膜９７の吸湿性が非常に高いものとなるが、低吸湿絶縁膜６８によってガス浸透を防止することが可能となっている。

また、特に第２有機絶縁膜６２がエステル化合物（スルホン酸エステル）を含むものとして構成されている。このようにエステル化合物を含む第２有機絶縁膜６２は、非常に吸湿性が高いものとなるが、本実施形態の場合、低吸湿絶縁膜６８によってガス浸透を防止することが可能となっている。

以上、本発明の一実施形態を示したが、本発明は上記実施形態に限られるものではない。上記実施形態では、スイッチング素子としてＴＦＴを用いたものを示したが、例えば薄膜ダイオード（ＴＦＤ）を用いたものに対しても本発明を適用可能である。

テレビ受信装置の一実施形態を示す分解斜視図。 図１のテレビ受信装置が備える液晶装置の分解斜視図。 液晶装置の断面模式図。 液晶パネルについてドライバ回路及び配線構成を模式的に示す平面図。 液晶パネルの断面構成を模式的に示す図。 ソース配線及びゲート配線によって囲まれてなる画素の構成を示す平面模式図。 図６のＢ−Ｂ線断面模式図。 図６のＣ−Ｃ線断面模式図。

符号の説明

１０…液晶表示装置（表示装置）、１１…液晶パネル、３０…対向基板、４０…素子基板、４４（４４ａ，４４ｂ）…画素電極、４５…配向膜、５０…液晶層、６０…ＴＦＴ（スイッチング素子）、６２…第２有機絶縁膜、６５…コンタクトホール、６８…低吸湿絶縁膜、７０…第１有機絶縁膜、８１…信号配線（ソース配線），８３…容量配線、８９…シール剤、９１…ゲート配線、９７…有機絶縁膜、ＴＶ…テレビ受信装置

Claims (9)

1. 一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶パネルであって、
   前記基板の少なくとも一方には、
   スイッチング素子と、
   前記スイッチング素子上に配された有機絶縁膜と、
   前記有機絶縁膜に形成されたコンタクトホールと、
   前記コンタクトホールを介して前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、
   前記画素電極よりも前記液晶層側に配された配向膜と、が形成され、
   前記配向膜と前記有機絶縁膜との間には、前記有機絶縁膜よりも吸湿性の低い低吸湿絶縁膜が形成されてなることを特徴とする液晶パネル。
2. 前記有機絶縁膜が、
   ポリイミド系の有機膜からなる第１有機絶縁膜と、
   前記第１有機絶縁膜上に配され、前記第１有機絶縁膜よりも厚膜であって、アクリル系の有機膜からなる第２有機絶縁膜と、
   を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶パネル。
3. 前記第１有機絶縁膜が１０００Å〜３０００Åの膜厚であり、
   前記第２有機絶縁膜が１．５μｍ〜３．０μｍの膜厚であり、
   前記低吸湿絶縁膜が１０００Å〜３０００Åの膜厚であることを特徴とする請求項２に記載の液晶パネル。
4. 前記第２有機絶縁膜が、エステル化合物を含むことを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の液晶パネル。
5. 前記エステル化合物が、スルホン酸エステルであることを特徴とする請求項４に記載の液晶パネル。
6. 前記低吸湿絶縁膜が、窒化ケイ素からなることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の液晶パネル。
7. 前記一対の基板は、互いにシール剤を介して貼り合せられており、
   前記低吸湿絶縁膜は、前記シール剤が形成された領域を回避して形成されていることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の液晶パネル。
8. 請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の液晶パネルを備えたことを特徴とする表示装置。
9. 請求項８に記載の表示装置を備えたことを特徴とするテレビ受信装置。

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