JP2010147301A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】アクティブ領域3は、列方向に延びる直線領域3Aおよび直線領域3Aの列方向の中央において直線領域3Aと直交する直交領域3Bを有する平面視T字状をなしている。直線領域3Aの両端部に形成されたドレイン領域6と強誘電体キャパシタ12の下部電極13とは、容量コンタクトプラグ18を介して接続されている。。直交領域3Bの端部に形成されたソース領域7とビットラインBL1,BL2,・・・とは、ビットコンタクトプラグ27を介して接続されている。ビットコンタクトプラグ27は、列方向に隣り合う2つのアクティブ領域3に形成されている4つのドレイン領域6に接続された容量コンタクトプラグ18を頂点とする四角形の中心に配置されている。
【選択図】図1
Description
2 半導体層
3 アクティブ領域
3A 直線領域
3B 直交領域
4 素子分離部
6 ドレイン領域
7 ソース領域
9 ゲート電極
12 強誘電体キャパシタ
13 下部電極
14 強誘電体膜
15 上部電極
18 容量コンタクトプラグ
21 プレートビア
27 ビットコンタクトプラグ
BL1,BL2 ビットライン
PL1,PL2 プレートライン
WL1,WL2 ワードライン
Claims (4)
- 第1導電型の半導体層と、
前記半導体層の表面に選択的に形成され、複数のアクティブ領域を互いに分離する素子分離部と、
各アクティブ領域において、前記半導体層の表層部に形成された第2導電型の第1不純物領域と、
各アクティブ領域において、前記半導体層の表層部に前記第1不純物領域と間隔を空けて形成された第2導電型の第2不純物領域と、
前記半導体層上に形成され、前記第1不純物領域と前記第2不純物領域との間の領域に対向するゲート電極と、
前記第1不純物領域の上方に形成された下部電極と、
前記下部電極上に形成された上部電極と、
上端が前記下部電極に接続され、下端が前記第1不純物領域に接続された容量コンタクトプラグと、
前記第2不純物領域の上方に形成されたビットラインと、
下端が前記第2不純物領域に接続され、前記ビットラインと電気的に接続されたビットコンタクトプラグとを含み、
前記アクティブ領域は、所定方向に延びる直線領域および前記直線領域の前記所定方向の中央において前記直線領域と直交する直交領域を有する平面視T字状をなし、前記所定方向と直交する方向に複数並べて形成され、
前記第1不純物領域は、各アクティブ領域の前記直線領域の両端部にそれぞれ形成され、
前記第2不純物領域は、各アクティブ領域の前記直交領域の端部に形成され、
前記ビットコンタクトプラグは、前記所定方向と直交する方向に隣り合う2つのアクティブ領域に形成されている4つの前記第1不純物領域に接続された前記容量コンタクトプラグを頂点とする四角形の中心に配置されている、半導体装置。 - 前記上部電極の上方に形成されたプレートラインと、
下端が前記上部電極に接続され、上端が前記プレートラインに接続されたプレートビアとをさらに含む、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記容量コンタクトプラグおよび前記プレートビアが、平面視で重なっている、請求項2に記載の半導体装置。
- 前記下部電極と前記上部電極との間に介在された強誘電体膜をさらに含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置。
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Cited By (3)
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JP2018063745A (ja) * | 2016-10-04 | 2018-04-19 | ローム株式会社 | データ保持装置、不揮発性データ保持装置、データ読出方法 |
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH04340272A (ja) * | 1990-06-26 | 1992-11-26 | Sharp Corp | 半導体記憶装置 |
JP2007103805A (ja) * | 2005-10-06 | 2007-04-19 | Seiko Epson Corp | 半導体記憶装置および電子機器 |
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