JP2010141116A5

JP2010141116A5 -

Info

Publication number: JP2010141116A5
Application number: JP2008315792A
Authority: JP
Filing date: 2008-12-11
Publication date: 2012-01-05
Anticipated expiration: 2028-12-11

Description

上記の目的を達成するために、本発明の第１の局面による窒化物半導体発光素子の製造方法は、基板上に、第１方向に延びるリッジ部を有する半導体素子層を形成する工程と、半導体素子層上に第１電極を形成するとともに、基板の半導体素子層が形成された面とは反対側の裏面上に第２電極を形成する工程と、第１方向と直交する第２方向に沿って劈開し、劈開面上に端面コート膜を形成する工程と、第１方向に沿って素子分離する工程とを備えている。そして、劈開面上に端面コート膜を形成する工程に先立って、第１方向に延びる素子分離溝を第２電極に形成する工程をさらに備え、第１方向に延びる素子分離溝を第２電極に形成する工程は、第２電極の素子分離溝側が基板とは反対側に向かって突出された状態になるように、第２電極の素子分離溝を形成する部分にレーザ光を照射することで第２電極の素子分離溝を形成する部分を除去する工程を含み、第１方向に沿って素子分離する工程は、第１方向に延びる素子分離溝に沿って素子を分割する工程をさらに備える。

第１の局面による窒化物半導体発光素子の製造方法では、上記のように、劈開面上に端面コート膜を形成する工程に先立って、第２電極の素子分離溝を形成する部分にレーザ光を照射することで第２電極の素子分離溝を形成する部分を除去することによって、第２電極の素子分離溝側が基板とは反対側に向かって突出された状態にすることができる。すなわち、第２電極の素子分離溝側に突出部が設けられた状態にすることができる。これにより、劈開面上に端面コート膜を形成する際に、第２電極の素子分離溝側の突出部により、端面コート膜の構成材料（絶縁材料）の第２電極側への回り込みを遮ることができる。このため、第２電極の基板側とは反対側の面上に絶縁材料が堆積されるのを抑制することができる。したがって、第２電極の基板側とは反対側の面が絶縁膜で覆われた状態になるのを抑制することができ、その結果、発光効率の低下の抑制を図ることが可能となる。

上記第１の局面による窒化物半導体発光素子の製造方法において、好ましくは、劈開面上に端面コート膜を形成する工程に先立って、第２電極の劈開面側に位置する部分にレーザ光を照射することで第２電極の劈開面側に位置する部分を加工することにより、第２電極の劈開面側が基板とは反対側に向かって突出された状態にする工程を含む。このようにすれば、端面コート膜の構成材料（絶縁材料）の第２電極側への回り込みを確実に遮ることができるので、発光効率の低下をより抑制することが可能となる。

また、本発明の第２の局面による窒化物半導体発光素子は、基板上に形成され、第１方向に延びるリッジ部を有し、かつ、第１方向と直交する第２方向に平行な劈開面が設けられた半導体素子層と、その半導体素子層上に形成された第１電極と、基板の半導体素子層が形成された面とは反対側の裏面上に形成された第２電極と、劈開面上に形成された端面コート膜とを備えている。そして、第１方向に延びる素子分離溝が第２電極に形成されており、第２電極の素子分離溝側が基板とは反対側に向かって突出された状態になっている。

第２の局面による窒化物半導体発光素子では、上記のように構成することによって、第２電極の素子分離溝側に突出部が設けられた状態にすることができる。これにより、劈開面上に端面コート膜を形成する際に、第２電極の素子分離溝側の突出部により、端面コート膜の構成材料（絶縁材料）の第２電極側への回り込みを遮ることができる。すなわち、第２電極の基板側とは反対側の面上に絶縁材料が堆積されるのを抑制することができる。したがって、第２電極の基板側とは反対側の面が絶縁膜で覆われた状態になるのを抑制することができ、その結果、発光効率の低下の抑制を図ることが可能となる。

上記第２の局面による窒化物半導体発光素子において、第２電極の劈開面側が基板とは反対側に向かって突出された状態になっていることが好ましい。このように構成すれば、劈開面上に端面コート膜を形成する際に、端面コート膜の構成材料（絶縁材料）の第２電極側への回り込みを確実に遮ることができるので、発光効率の低下をより抑制することが可能となる。

Claims

基板上に、第１方向に延びるリッジ部を有する半導体素子層を形成する工程と、
前記半導体素子層上に第１電極を形成するとともに、前記基板の前記半導体素子層が形成された面とは反対側の裏面上に第２電極を形成する工程と、
前記第１方向と直交する第２方向に沿って劈開し、劈開面上に端面コート膜を形成する工程と、
前記第１方向に沿って素子分離する工程とを備え、
前記劈開面上に前記端面コート膜を形成する工程に先立って、前記第１方向に延びる素子分離溝を前記第２電極に形成する工程をさらに備え、
前記第１方向に延びる前記素子分離溝を前記第２電極に形成する工程は、前記第２電極の前記素子分離溝側が前記基板とは反対側に向かって突出された状態になるように、前記第２電極の前記素子分離溝を形成する部分にレーザ光を照射することで前記第２電極の前記素子分離溝を形成する部分を除去する工程を含み、
前記第１方向に沿って素子分離する工程は、前記第１方向に延びる前記素子分離溝に沿って素子を分割する工程をさらに備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。
前記劈開面上に前記端面コート膜を形成する工程に先立って、前記第２電極の前記劈開面側に位置する部分にレーザ光を照射することで前記第２電極の前記劈開面側に位置する部分を加工することにより、前記第２電極の前記劈開面側が前記基板とは反対側に向かって突出された状態にする工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
前記第２電極にレーザ光を照射することで得られる突出部によって前記第２電極が囲まれた状態にすることを特徴とする請求項２に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
基板上に形成され、第１方向に延びるリッジ部を有し、かつ、前記第１方向と直交する第２方向に平行な劈開面が設けられた半導体素子層と、
前記半導体素子層上に形成された第１電極と、
前記基板の前記半導体素子層が形成された面とは反対側の裏面上に形成された第２電極と、
前記劈開面上に形成された端面コート膜とを備え、
前記第１方向に延びる素子分離溝が前記第２電極に形成されており、
前記第２電極の前記素子分離溝側が前記基板とは反対側に向かって突出された状態になっていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
前記第２電極の前記劈開面側が前記基板とは反対側に向かって突出された状態になっていることを特徴とする請求項４に記載の窒化物半導体発光素子。
前記第２電極に設けられた突出部によって前記第２電極が囲まれた状態になっていることを特徴とする請求項５に記載の窒化物半導体発光素子。