JP2010139808A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、バックライトの光の取り出し効率を上げることで、消費電力は上げることなく液晶パネルの輝度の向上を可能にする。
【解決手段】液晶駆動用のＴＦＴ１３が形成され、それを被覆するパッシベーション膜１４、オーバコート膜１５を介して第１電極１６が形成された第１基板１１と、第１電極１６に対向する第２電極５５が形成された第２基板５１と、第１、第２電極１６、５５間に設けられた液晶層３１と、第１基板１１の第２基板５１側とは反対側に設けられたバックライト７１と、第２基板５１または第１基板１１に設けられたカラーフィルタ４１とを備え、パッシベーション膜１４は、第１無機膜とそれよりも屈折率の低い第２無機膜とを複数層に積層してなり、かつカラーフィルタ４１の各色に対応した波長の光を透過し、その他の波長の光の少なくとも一部を反射する膜厚に形成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、液晶表示装置およびその製造方法に関するものである。

液晶パネルは消費電力の低さを技術的優位性の一つとして開発されてきた。そして液晶パネルを搭載した液晶テレビにおいても同一の表示サイズのブラウン管テレビに対して消費電力が小さく、一般的に低消費電力の表示装置であると考えられている。

しかしながら、最近はブラウン管テレビから薄型テレビに買い換える際、同一サイズではなく、より大きなサイズに買い換えることが多く、特に４０インチ以上の大画面のテレビの需要が増えてきている。このことから、液晶テレビは必ずしも低消費電力の表示装置とは言えなくなってきている。

液晶パネルの消費電力は、液晶を駆動するための電力の他に、バックライトを点灯させる電力も考慮する必要があり、特にバックライトは液晶テレビの消費電力の大部分を占めている。これは、液晶パネルの透過率が低くバックライトを高輝度で発光させる必要があること、そして、そのバックライトが表示内容に関係なくいたるところ常に一定輝度で点灯していることにある。実際、最も一般的な透過型カラー液晶パネルでは、バックライトの光の大半が、偏光フィルタ、カラーフィルタによる吸収や、液晶を駆動するための金属配線による遮蔽などによって失われているのが現実である（例えば、特許文献１参照。）。

さらにハイビジョン放送の開始により、ハイビジョンの解像度をそのまま再現できる高精細のハイビジョンテレビの需要が高まっている。高精細のハイビジョンテレビは液晶パネルのインチあたりの画素数が多く、その分、配線の本数も多くなっている。この配線が、バックライトの光を遮り、透過率を低下させる原因となっている。この対策として、高輝度のバックライトが必要となっている。しかし、高輝度のバックライトは液晶テレビの高消費電力化につながっている。

特開２００８-０５３０１３号公報

解決しようとする問題点は、高輝度のバックライトが必要となっているが、高輝度のバックライトは液晶テレビの高消費電力化につながっている点である。

本発明は、バックライトの光の取り出し効率を上げることで、消費電力は上げることなく液晶パネルの輝度の向上を可能にする。

本発明の液晶表示装置は、液晶駆動用の薄膜トランジスタが形成され、前記薄膜トランジスタを被覆するパッシベーション膜、オーバコート膜を介して第１電極が形成された第１基板と、前記第１電極に対向する第２電極が形成された第２基板と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた液晶層と、前記第１基板の前記第２基板側とは反対側に設けられたバックライトと、前記第２基板もしくは前記第１基板に設けられたカラーフィルタとを備え、前記パッシベーション膜は、第１屈折率を有する第１無機膜と前記第１屈折率よりも低い屈折率を有する第２無機膜を複数層に積層してなり、かつ前記カラーフィルタの各色に対応した波長の光を透過し、その他の波長の光の少なくとも一部を反射する膜厚に形成されている。

本発明の液晶表示装置では、パッシベーション膜がカラーフィルタの各色に対応した波長の光を透過し、その他の波長の光の少なくとも一部を反射する膜厚に形成されている。このため、カラーフィルタで吸収されていたバックライトの光がカラーフィルタの手前のパッシベーション膜で反射され再利用される。

本発明の液晶表示装置の製造方法は、液晶駆動用の薄膜トランジスタが形成され、前記薄膜トランジスタを被覆するパッシベーション膜、オーバコート膜を介して第１電極が形成された第１基板と、前記第１電極に対向する第２電極が形成された第２基板と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた液晶層を有する液晶表示装置の前記パッシベーション膜を形成する工程は、第１屈折率を有する第１無機膜と、前記第１屈折率よりも低い屈折率を有する第２無機膜とを複数層に積層して前記パッシベーション膜を形成した後、前記パッシベーション膜を前記第１基板もしくは前記第２基板に設けられるカラーフィルタの色に対応した波長の光を透過し、その他の波長の光の少なくとも一部を反射する膜厚に形成する。

本発明の液晶表示装置の製造方法では、パッシベーション膜を前記第１基板もしくは前記第２基板に設けられるカラーフィルタの色に対応した波長の光を透過し、その他の波長の光の少なくとも一部を反射する膜厚に形成する。これによって、カラーフィルタで吸収されていたバックライトの光がカラーフィルタの手前のパッシベーション膜で反射され再利用される。

本発明の液晶表示装置およびその製造方法は、カラーフィルタで吸収されていたバックライトの光がカラーフィルタの手前のパッシベーション膜で反射され再利用されるため、液晶表示装置の高輝度化を低コストにて実現できるという利点がある。

＜１．第１の実施の形態＞
［液晶表示装置の構成の第１例］
本発明の第１実施の形態に係る液晶表示装置の構成の一例を、図１の概略構成断面図、図２の概略構成分解斜視図によって説明する。

まず、液晶表示装置の概略の一例を、図２によって説明する。
図２に示すように、液晶表示装置１は、バックライト７１、光学シート７２、第１偏光板８１、液晶駆動用の薄膜トランジスタ（図示せず）（以下、ＴＦＴという）が形成され、第１電極１６が形成された第１基板１１、液晶層３１、カラーフィルタ４１と上記第１電極に対向して形成された第２電極（図示せず）が形成された第２基板５１と、第２偏光板８２を順に積層して構成されている。

次に、第１基板１１、液晶層３１、カラーフィルタ４１、第２基板５１について、図１の概略構成断面図によって説明する。
図１に示すように、ガラス基板１２上の画素に対応する箇所にＴＦＴ１３が形成されている。このＴＦＴ１３を被覆するようにパッシベーション膜１４が形成されている。さらにパッシベーション膜１４上にオーバコート膜１５が形成され、その表面が平坦化されている。このオーバコート膜１５上に第１電極１６が透明電極で形成されている。
一方、第２基板５１は、ガラス基板５２にブラックマトリックス５３が形成され、各画素に対応して、カラーフィルタ４１の赤色カラーフィルタ４１Ｒ、緑色カラーフィルタ４１Ｇ、青色カラーフィルタ４１Ｂが形成されている。さらにカラーフィルタ４１にオーバコート膜５４が形成され、そのオーバコート膜５４に上記第１電極１６に対向する第２電極５５が透明電極で形成されている。
さらに、上記第１電極１６と上記第２電極５５との間に液晶層３１が封入されている。
なお、上記カラーフィルタ４１は上記第１基板１１側の上記パッシベーション膜１４と上記第１電極１６との間に形成されていてもよい。

上記液晶表示装置１のバックライト７１より発光した白色光は、カラーフィルタ４１によりフィルタされ、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）それぞれの色を表示する。カラーフィルタ４１は、例えば図３のカラーフィルタの透過スペクトルに示すように、特定の波長を透過しそれ以外の波長の光を吸収する。例えば、赤色カラーフィルタ４１Ｒでは、バックライト７１より発光した光のうち緑と青の波長の光が吸収されている。緑色カラーフィルタ４１Ｇでは、バックライト７１より発光した光のうち赤と青の波長の光が吸収されている。青色カラーフィルタ４１Ｂでは、バックライト７１より発光した光のうち赤と緑の波長の光が吸収されている。

上記液晶表示装置１では、第１基板１１に形成されたＴＦＴ１３を被覆するパッシベーション膜１４に任意の波長の光を透過および反射する機能を持たせることにより、カラーフィルタ４１で吸収されていたバックライト７１の光をカラーフィルタ４１の手前で反射し再利用する。これによって、液晶表示装置１の高輝度化を低コストにて実現するものである。

具体的には、図４に示すように、上記パッシベーション膜１４は、第１屈折率を有する第１無機膜１４Ａと、第１屈折率よりも低い第２屈折率を有する第２無機膜１４Ｂを複数層に積層してなる。そして、前記図１に示したように、第２基板５１に設けられたカラーフィルタ４１の各色に対応した波長の光を透過し、その他の波長の光の少なくとも一部を反射する膜厚に形成されている。膜厚に関する具体的な一例は後述する。
上記パッシベーション膜１４は、例えば、窒化シリコン膜と酸化シリコン膜を複数層に積層させたもので構成されている。そして、カラーフィルタ４１の各色に対応した波長の光を透過し、その他の波長の光の少なくとも一部を反射するように、ＲＧＢの位置で膜厚が異なっている。すなわち、カラーフィルタ４１において、そのまま取り出す光以外の波長帯の光を反射する選択反射フィルタ（ＢＲＦ：Band Reflection Filter）となっている。

また、上記パッシベーション膜１４は、上記第１無機膜１４Ａの屈折率（第１屈折率）は１．６以上２．５以下であり、上記第２無機膜１４Ｂの屈折率（第１屈折率）は１．２以上１．６未満である。
上記第１無機膜１４Ａと上記第２無機膜１４Ｂは屈折率差が大きいほど反射率が大きくなり、より性能のよい選択反射フィルタが得られる。また可視光域に吸収をもたないことが光のロスをなくすために重要である。可視光域の吸収がない中間−高屈折率材料は酸化物薄膜に多く、屈折率は１．６以上２．５以下である。また上記第２無機膜１４Ｂの低屈折率材料は酸化シリコン（ＳｉＯ₂）の１．４７のほか、フッ化物（例えば、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ₂）の１．３８、フッ化リチウムの１．３９等）がある。

上記第１無機膜１４Ａには、窒化シリコンのほかに、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化アルミ、酸化マグネシウム、酸化ランタンなどを用いることができる。
例えば、窒化シリコンの屈折率は１．９、酸化チタンの屈折率は２．３５、酸化ジルコニウムの屈折率は２．０５、酸化タンタルの屈折率は２．１、酸化ニオブの屈折率は２．２、酸化アルミニウムの屈折率は１．６４、酸化マグネシウムの屈折率は１．７、酸化ランタンの屈折率は１．９である。

また、上記パッシベーション膜１４の膜厚は５０ｎｍ以上２μｍ以下とする。上記パッシベーション膜１４としての機能（チャネルの保護、電極のカバレッジ）を果たすには、５０ｎｍ以上の膜厚が必要である。また膜厚が厚くなりすぎると膜応力が大きくなり膜剥がれなどが生じるため、２μｍ以下にすることが望ましい。
また、この選択反射フィルタはカラーフィルタをＴＦＴ基板上に形成するＣＯＡ（CF on Array）構造にも用いることができる。

［パッシベーション膜の具体例１］
上記パッシベーション膜１４は、以下のような構成とすることができる。例えば、パッシベーション膜１４は、第１無機膜１４Ａとして窒化シリコン（ＳｉＮと略記する場合もある）膜が用いられ、第２無機膜１４Ｂとして酸化シリコン（ＳｉＯ₂）膜が用いられている。そしてそれらが積層されていて、例えば反射に寄与する膜構成を４層とし、ＳｉＯ₂（５６ｎｍ）／ＳｉＮ（５９ｎｍ）／ＳｉＯ₂（７０ｎｍ）／ＳｉＮ（４２ｎｍ）とした。カッコ内の数値は膜厚である。

上記膜構成では、図５の反射スペクトルに示すように、青色カラーフィルタ（青色画素）の透過領域（３８０−５３０ｎｍ）の光を反射し、それ以外を透過する特性になっている。なお、反射スペクトルの測定では、バックライト側に３００ｎｍの厚さの窒化シリコン膜を形成しておいた。

また、青色画素に位置するパッシベーション膜１４は、青色の光を最もよく透過するように酸化シリコン（ＳｉＯ₂）（５６ｎｍ）膜のみとしてある。この青色画素のパッシベーション膜１４の反射スペクトルは、図６の反射スペクトルに示すようになった。すなわち、パッシベーション膜１４による反射はほとんどなく、可視光領域の光が透過していることがわかる。なお、反射スペクトルの測定では、バックライト側に３００ｎｍの厚さの窒化シリコン膜を形成しておいた。したがって、窒化シリコン膜上に酸化シリコン（ＳｉＯ₂）（５６ｎｍ）膜のみが形成されていることになる。

［パッシベーション膜の具体例２］
上記パッシベーション膜１４は、以下のような構成とすることができる。例えば、パッシベーション膜１４は、第１無機膜１４Ａとして窒化シリコン（ＳｉＮと略記する場合もある）膜が用いられ、第２無機膜１４Ｂとして酸化シリコン（ＳｉＯ₂）膜が用いられている。そしてそれらが積層されていて、例えば反射に寄与する膜構成を２層とし、ＳｉＯ₂（５６ｎｍ）／ＳｉＮ（４０ｎｍ）とした。カッコ内の数値は膜厚である。

上記膜構成では、図７の反射スペクトルに示すように、青色カラーフィルタ（青色画素）の透過領域（３８０−５３０ｎｍ）の光を反射し、それ以外を透過する特性になっている。なお、反射スペクトルの測定では、バックライト側に３００ｎｍの厚さの窒化シリコン膜を形成しておいた。

また、青色画素に位置するパッシベーション膜１４は、青色の光を最もよく透過するように酸化シリコン（ＳｉＯ₂）（５６ｎｍ）膜のみとしてある。この青色画素のパッシベーション膜１４の反射スペクトルは、前記図６の反射スペクトルに示すようになった。すなわち、パッシベーション膜１４による反射はほとんどなく、可視光領域の光が透過していることがわかる。

［パッシベーション膜の具体例３］
上記パッシベーション膜１４は、以下のような構成とすることができる。例えば、パッシベーション膜１４は、第１無機膜１４Ａとして窒化シリコン（ＳｉＮと略記する場合もある）膜が用いられ、第２無機膜１４Ｂとして酸化シリコン（ＳｉＯ₂）膜が用いられている。そしてそれらが積層されていて、例えば反射に寄与する膜構成を１４層とし、ＳｉＯ₂（５０ｎｍ）／ＳｉＮ（５０ｎｍ）／ＳｉＯ₂（７５ｎｍ）／｛ＳｉＮ（５０ｎｍ）／ＳｉＯ₂（８０ｎｍ)}₅／ＳｉＮ（５０ｎｍ)とした。カッコ内の数値は膜厚である。

上記膜構成では、図８の反射スペクトルに示すように、青色カラーフィルタ（青色画素）の透過領域（３８０−５３０ｎｍ）の光を反射し、それ以外を透過する特性になっている。なお、反射スペクトルの測定では、バックライト側に３００ｎｍの厚さの窒化シリコン膜を形成しておいた。

また、青色画素に位置するパッシベーション膜１４は、青色の光を最もよく透過するように酸化シリコン（ＳｉＯ₂）（５６ｎｍ）膜のみとしてある。この青色画素のパッシベーション膜１４の反射スペクトルは、前記図６の反射スペクトルに示すようになった。すなわち、パッシベーション膜１４による反射はほとんどなく、可視光領域の光が透過していることがわかる。

上記液晶表示装置１では、パッシベーション膜１４を上記第２基板１４Ｂに設けられるカラーフィルタ４１の色に対応した波長の光を透過し、その他の波長の光の少なくとも一部を反射する膜厚に形成している。これによって、カラーフィルタ４１で吸収されていたバックライト７１の光がカラーフィルタ４１の手前のパッシベーション膜１４で反射され再利用される。よって、液晶表示装置１の高輝度化を低コストにて実現できるという利点がある。

＜２．第２の実施の形態＞
［液晶表示装置の製造方法の第１例］
本発明の第２実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法の一例を、図９の概略構成断面図によって説明する。ここでは、発明の要旨であるパッシベーション膜の形成工程を主に説明する。

図９に示すように、まず、ガラス基板１２上の画素に対応する箇所にＴＦＴ１３を形成する。上記ガラス基板１２には、例えば可視光に対して透明なガラス基板を用いる。なお、このガラス基板に変えて、例えば可視光に対して透明な樹脂基板を用いることもできる。
例えば、上記ガラス基板１２上にゲート電極２１を形成し、その上にゲート絶縁膜２２を形成する。このゲート絶縁膜２２は、例えば窒化シリコンで成膜した。上記ゲート電極２１を形成するときに、ガラス基板１２上に形成される配線９１（例えば、ＣＳ配線）も同時に形成することができる。さらにアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）からなる半導体層２３と不純物ドープ半導体層２４を形成して、それらを島状に加工した。
次いで、上記半導体層２３と不純物ドープ半導体層２４を被覆するようにゲート絶縁膜２２上にソース／ドレイン電極２５、２６を形成する。
次いで、チャネル部分の不純物ドープ半導体層２４をエッチングして除去する。このようにして、チャネルエッチタイプのＴＦＴ１３を作製した。

次に、チャネル保護のためのパッシベーション膜１４を形成する。このパッシベーション膜１４は、例えば化学気相成長（ＣＶＤ）法で成膜した。
上記パッシベーション膜１４は、以下のような構成で形成することができる。例えば、パッシベーション膜１４には、第１無機膜１４Ａとして窒化シリコン（ＳｉＮと略記する場合もある）膜を用い、第２無機膜１４Ｂとして酸化シリコン（ＳｉＯ₂）膜を用いる。そしてそれらを積層して、例えば反射に寄与する膜構成を４層とし、下層より、ＳｉＯ₂（５６ｎｍ）、ＳｉＮ（５９ｎｍ）、ＳｉＯ₂（７０ｎｍ）、ＳｉＮ（４２ｎｍ）なる積層膜で形成する。カッコ内の数値は膜厚である。

上記膜構成では、前記図５に示した反射スペクトル特性を有し、青色カラーフィルタ（青色画素）の透過領域（３８０−５３０ｎｍ）の光を反射し、それ以外を透過する特性になる。なお、反射スペクトルの測定では、バックライト側（最下層）に３００ｎｍの厚さの窒化シリコン膜を形成した。

また、青色画素に位置するパッシベーション膜１４は、青色の光を最もよく透過するように酸化シリコン（ＳｉＯ₂）（５６ｎｍ）膜を残して、その上層の膜は除去した。したがって、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）（５６ｎｍ）膜のみが残っている。この青色画素のパッシベーション膜１４の反射スペクトルは、前記図６に示した反射スペクトル特性を示した。すなわち、パッシベーション膜１４による反射はほとんどなく、可視光領域の光が透過していることがわかる。

その後、上記ガラス基板１２上にオーバコート膜１６として樹脂平坦化膜を形成し、さらに画素電極となる第１電極１６を、例えば透明電極で形成した、ＴＦＴアレイ基板である第１基板１１を得た。
この第１基板１１とカラーフィルタが形成された第２基板（前記図１、図２参照）を張り合わせ、第１基板１１と第２基板との間に液晶を注入し液晶層を形成して、液晶パネルを作製した。この液晶パネルに、前記図２によって示したように、バックライトや各種フィルムを組み込んでできた液晶表示装置１は、ＴＦＴアレイ基板である第１基板１１の青色選択反射機能を持ったパッシベーション膜によって青の光の再利用が可能となり、輝度を高めることができる。なお、選択反射させる波長は青に限らず、パッシベーション膜１４の膜厚を調整することにより任意に変えることができる。

［液晶表示装置の製造方法の第２例］
第２例は、上記第１例において、パッシベーション膜の膜構成がかわるだけで、その他の工程は第１実施例と同様である。したがって、パッシベーション膜１４の膜構成について説明する。

上記パッシベーション膜１４は、以下のような構成で形成することができる。例えば、パッシベーション膜１４には、第１無機膜１４Ａとして窒化シリコン（ＳｉＮと略記する場合もある）膜を用い、第２無機膜１４Ｂとして酸化シリコン（ＳｉＯ₂）膜を用いる。そしてそれらを積層して、例えば反射に寄与する膜構成を２層とし、ＳｉＯ₂（５６ｎｍ）／ＳｉＮ（４０ｎｍ）なる積層膜で形成する。カッコ内の数値は膜厚である。

上記膜構成では、前記図７に示した反射スペクトル特性を有し、青色カラーフィルタ（青色画素）の透過領域（３８０−５３０ｎｍ）の光を反射し、それ以外を透過する特性になる。なお、反射スペクトルの測定では、バックライトとは反対側に３００ｎｍの厚さの窒化シリコン膜を形成した。

また、青色画素に位置するパッシベーション膜１４は、青色の光を最もよく透過するように酸化シリコン（ＳｉＯ₂）（５６ｎｍ）膜を残して、その上層の膜は除去した。したがって、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）（５６ｎｍ）膜のみが残っている。この青色画素のパッシベーション膜１４の反射スペクトルは、前記図６に示した反射スペクトル特性を示した。すなわち、パッシベーション膜１４による反射はほとんどなく、可視光領域の光が透過していることがわかる。

［液晶表示装置の製造方法の第３例］
第３例は、上記第１例において、パッシベーション膜の膜構成がかわるだけで、その他の工程は第１実施例と同様である。したがって、パッシベーション膜１４の膜構成について説明する。

次に、チャネル保護のためのパッシベーション膜１４を形成する。このパッシベーション膜１４は、例えば化学気相成長（ＣＶＤ）法で成膜した。
上記パッシベーション膜１４は、以下のような構成で形成することができる。例えば、パッシベーション膜１４には、第１無機膜１４Ａとして窒化シリコン（ＳｉＮと略記する場合もある）膜を用い、第２無機膜１４Ｂとして酸化シリコン（ＳｉＯ₂）膜を用いる。そしてそれらを積層して、例えば反射に寄与する膜構成を１４層とし、ＳｉＯ₂（５０ｎｍ）／ＳｉＮ（５０ｎｍ）／ＳｉＯ₂（７５ｎｍ）／｛ＳｉＮ（５０ｎｍ）／ＳｉＯ₂（８０ｎｍ)}₅／ＳｉＮ（５０ｎｍ)なる積層膜で形成する。カッコ内の数値は膜厚である。

上記膜構成では、前記図８に示した反射スペクトル特性を有し、青色カラーフィルタ（青色画素）の透過領域（３８０−５３０ｎｍ）の光を反射し、それ以外を透過する特性になる。なお、反射スペクトルの測定では、バックライトとは反対側に３００ｎｍの厚さの窒化シリコン膜を形成した。

また、青色画素に位置するパッシベーション膜１４は、青色の光を最もよく透過するように酸化シリコン（ＳｉＯ₂）（５６ｎｍ）膜を残して、その上層の膜は除去した。したがって、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）（５６ｎｍ）膜のみが残っている。この青色画素のパッシベーション膜１４の反射スペクトルは、前記図６に示した反射スペクトル特性を示した。すなわち、パッシベーション膜１４による反射はほとんどなく、可視光領域の光が透過していることがわかる。

上記液晶表示装置の製造方法では、パッシベーション膜１４を上記第２基板１４Ｂに設けられるカラーフィルタ４１の色に対応した波長の光を透過し、その他の波長の光の少なくとも一部を反射する膜厚に形成している。これによって、カラーフィルタ４１で吸収されていたバックライト７１（前記図１参照）の光がカラーフィルタ４１の手前のパッシベーション膜１４で反射され再利用される。よって、前記図１に示した液晶表示装置１の高輝度化を低コストにて実現できるという利点がある。

［液晶表示装置の適用例］
以上説明した本発明に係る液晶表示装置１は、図１０〜図１４に示す様々な電子機器に適用することができる。例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなどである。すなわち、電子機器に入力された映像信号、もしくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像もしくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の液晶表示装置に適用することが可能である。
以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。

なお、上記液晶表示装置１には、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）等が設けられていてもよい。

［液晶表示装置の適用例１］
まず、上記液晶表示装置１が適用されるテレビを、図１０の斜視図によって説明する。
図１０に示すように、上記液晶表示装置が適用されるテレビは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として上記液晶表示装置１を用いることにより作製されている。

［液晶表示装置の適用例２］
次に、上記液晶表示装置１が適用されるデジタルカメラを、図１１の斜視図によって説明する。図１１（１）は表側から見た斜視図であり、（２）は裏側から見た斜視図である。
図１１に示すように、上記液晶表示装置１が適用されるデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として上記液晶表示装置１を用いることにより作製される。

［液晶表示装置の適用例３］
次に、上記液晶表示装置１が適用されるノート型パーソナルコンピュータを、図１２の斜視図によって説明する。
図１２に示すように、上記液晶表示装置１が適用されるノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として上記液晶表示装置１を用いることにより作製される。

［液晶表示装置の適用例４］
次に、上記液晶表示装置１が適用されるビデオカメラを、図１３の斜視図によって説明する。
図１３に示すように、上記液晶表示装置１が適用されるビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として上記液晶表示装置１を用いることにより作製される。

［液晶表示装置の適用例５］
次に、上記液晶表示装置１が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を、図１４によって説明する。図１４（１）は携帯端末装置を開いた状態での正面図、（２）はその側面図、（３）は閉じた状態での正面図、（４）は左側面図、（５）は右側面図、（６）は上面図、（７）は下面図である。
図１４に示すように、上記液晶表示装置１が適用される携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含み、そのディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として上記液晶表示装置１を用いることにより作製される。

本発明の第１実施の形態に係る液晶表示装置の構成の一例を示した概略構成断面図である。 液晶表示装置の構成例を示した概略構成分解斜視図である。 カラーフィルタの透過スペクトルの一例を示したスペクトル特性図である。 パッシベーション膜の膜構成の一例を示した概略構成断面図である。 具体例１の赤色画素および緑色画素におけるパッシベーション膜の反射スペクトルの一例を示したスペクトル特性図である。 具体例１の青色画素におけるパッシベーション膜の反射スペクトルの一例を示したスペクトル特性図である。 具体例２の赤色画素および緑色画素におけるパッシベーション膜の反射スペクトルの一例を示したスペクトル特性図である。 具体例３の赤色画素および緑色画素におけるパッシベーション膜の反射スペクトルの一例を示したスペクトル特性図である。 本発明の第２実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法の一例を示した概略構成断面図である。 液晶表示装置が適用されるテレビを示した斜視図である。 液晶表示装置が適用されるデジタルカメラを示した斜視図である。 液晶表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示した斜視図である。 液晶表示装置が適用されるビデオカメラを示した斜視図である。 液晶表示装置が適用される携帯端末装置を示した図面である。

符号の説明

１…液晶表示装置、１１…第１基板、１３…ＴＦＴ、１４…パッシベーション膜、１４Ａ…第１無機膜、１４Ｂ…第２無機膜、１５…オーバコート膜、１６…第１電極１６、３１…液晶層、４１…カラーフィルタ、５１…第２基板、５５…第２電極、７１…バックライト

Claims (6)

1. 液晶駆動用の薄膜トランジスタが形成され、前記薄膜トランジスタを被覆するパッシベーション膜、オーバコート膜を介して第１電極が形成された第１基板と、
   前記第１電極に対向する第２電極が形成された第２基板と、
   前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた液晶層と、
   前記第１基板の前記第２基板側とは反対側に設けられたバックライトと、
   前記第２基板もしくは前記第１基板に設けられたカラーフィルタとを備え、
   前記パッシベーション膜は、第１屈折率を有する第１無機膜と、前記第１屈折率よりも低い第２屈折率を有する第２無機膜とを複数層に積層してなり、かつ前記カラーフィルタの各色に対応した波長の光を透過し、その他の波長の光の少なくとも一部を反射する膜厚に形成されている
   液晶表示装置。
2. 前記第１無機膜の屈折率は１．６以上２．５以下であり、
   前記第２無機膜の屈折率は１．２以上１．６未満である
   請求項１記載の液晶表示装置。
3. 前記第１無機膜は、窒化シリコン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化アルミ、酸化マグネシウム、酸化ランタンのいずれかであり、
   前記第２無機膜は、酸化シリコンである
   請求項１または請求項２記載の液晶表示装置。
4. 前記パッシベーション膜は５０ｎｍ以上２μｍ以下の厚さを有する
   請求項１、請求項２または請求項３記載の液晶表示装置。
5. 前記カラーフィルタは前記第１基板側の前記パッシベーション膜と前記第１電極との間に形成されている
   請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
6. 液晶駆動用の薄膜トランジスタが形成され、前記薄膜トランジスタを被覆するパッシベーション膜、オーバコート膜を介して第１電極が形成された第１基板と、
   前記第１電極に対向する第２電極が形成された第２基板と、
   前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた液晶層
   を有する液晶表示装置の前記パッシベーション膜を形成する工程は、第１屈折率を有する第１無機膜と、前記第１屈折率よりも低い第２屈折率を有する第２無機膜とを複数層に積層して前記パッシベーション膜を形成した後、前記パッシベーション膜を前記第１基板もしくは前記第２基板に設けられるカラーフィルタの色に対応した波長の光を透過し、その他の波長の光の少なくとも一部を反射する膜厚に形成する
   液晶表示装置の製造方法。

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