JP2010135496A - 光電変換膜及びこれを用いた撮像素子 - Google Patents
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Abstract
単結晶、微結晶、又は多結晶で構成される有機光電変換層を用いつつ、抵抗率を向上させることにより、光電変換効率が高く、解像度の高い光電変換膜及びこれを用いた撮像素子を提供することを課題とする。
【解決手段】
有機材料製の正孔注入阻止層、光電変換層、及び電子注入阻止層が積層され、バイアス電圧が印加される光電変換膜であって、光電変換層の電子伝導準位Ec、正孔伝導準位Ev、正孔注入阻止層の電子伝導準位EcH、正孔伝導準位EvH、電子注入阻止層の電子伝導準位EcE、正孔伝導準位EvEに対し、|EcH|>|Ec|、|EvH|>|Ev|、|Ev|>|EvE|、及び、|Ec|>|EcE|が成立し、電子注入阻止層又は正孔注入阻止層のうち、信号読み出し側になる阻止層の抵抗率は1010Ω・cm以上であり、キャリアの移動度は10−3cm2/Vs以下である。
【選択図】図1
Description
木内雄二著、「イメージセンサの基礎と応用」、日刊工業新聞社、1991年12月25日、p145
図1は、実施の形態1の光電変換膜の両面に透明電極を配設した素子を示す図である。
|EvH|>|Ev| (2)
|Ev|>|EvE| (3)
|Ec|>|EcE| (4)
ここで、(1)式は、光電変換層12で発生した電子が効率よく陽極1へ移動するための条件であり、(2)式は、陽極1から光電変換層12へ正孔が注入されるのを抑制するための条件であり、(3)式は、光電変換層12で発生した正孔が効率よく陰極3へ移動するための条件であり、(4)式は、陰極3から光電変換層12へ電子が注入されるのを抑制するための条件である。
図6は、実施の形態2の撮像素子の断面構造を示す図である。
|EvH|>|Ev1|>|Ev2|>|EvE| (6)
すなわち、光電変換層12Aと12Bについて、|Ec1|>|Ec2|、|Ev1|>|Ev2|の関係があることにより、光電変換層12Aと12Bの界面近傍にある電子正孔対の電子が光電変換層12Aに、正孔が光電変換層12Bに速やかに移動し、電子正孔対の解離が生じる。
2 光電変換膜
3 陰極
3A、3B 画素電極
4 外部電源
11 正孔注入阻止層
12、12A、12B 光電変換層
12h 正孔
13 電子注入阻止層
20 信号読み出し回路
100、200 撮像素子
Claims (4)
- 有機材料製の正孔注入阻止層、単結晶、多結晶、又は微結晶で構成される光電変換層、及び、有機材料製の電子注入阻止層がこの順に積層され、前記正孔注入阻止層、前記光電変換層、及び前記電子注入阻止層にバイアス電圧が印加され、前記正孔注入阻止層、又は前記電子注入阻止層のいずれかの側から信号が読み出される光電変換膜であって、
前記光電変換層の電子伝導準位のエネルギをEc、前記光電変換層の正孔伝導準位のエネルギをEv、前記正孔注入阻止層の電子伝導準位のエネルギをEcH、前記正孔注入阻止層の正孔伝導準位のエネルギをEvH、前記電子注入阻止層の電子伝導準位のエネルギをEcE、及び、前記電子注入阻止層の正孔伝導準位のエネルギをEvEとすると、|EcH|>|Ec|、|EvH|>|Ev|、|Ev|>|EvE|、及び、|Ec|>|EcE|を満たし、
電子注入阻止層又は正孔注入阻止層のうち、信号読み出し側になる阻止層の抵抗率は1010Ω・cm以上であり、キャリアの移動度は10−3cm2/Vs以下である、光電変換膜。 - 前記光電変換層の抵抗率は、1010Ω・cm以下であり、キャリアの移動度は10−3cm2/Vs以上である、請求項1に記載の光電変換膜。
- 前記光電変換層は、n(nは2以上の整数)層の光電変換層を有し、
前記正孔注入阻止層に隣接する1層目の光電変換層の電子伝導準位のエネルギをEc1、前記正孔注入阻止層に隣接する1層目の光電変換層の正孔伝導準位のエネルギをEv1、n層目の光電変換層の電子伝導準位のエネルギをEcn、前記n層目の光電変換層の正孔伝導準位のエネルギをEv2とすると、|EcH|>|Ec1|>・・・>|Ecn|>|EcE|、及び|EvH|>|Ev1|>・・・>|Evn|>|EvE|を満たす、請求項1又は2に記載の光電変換膜。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の光電変換膜と、
前記光電変換膜の表裏面に形成される、陽極電極及び陰極電極と
を含む、撮像素子。
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